JPH08319582A - 金属表面の絶縁性セラミックス膜及びその形成方法 - Google Patents
金属表面の絶縁性セラミックス膜及びその形成方法Info
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- JPH08319582A JPH08319582A JP12181895A JP12181895A JPH08319582A JP H08319582 A JPH08319582 A JP H08319582A JP 12181895 A JP12181895 A JP 12181895A JP 12181895 A JP12181895 A JP 12181895A JP H08319582 A JPH08319582 A JP H08319582A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温や熱衝撃が加わった場合においても剥離
することなく金属を保護し、さらに高温状態においても
電気的絶縁性が良好に保持される金属表面の絶縁性セラ
ミックス膜及びその形成方法を提供する。 【構成】 金属１１の表面に、熱膨張係数が大きいセラ
ミックスからなる第１の層１２、この第１の層１２より
熱膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性を有するセラミッ
クスからなる第２の層１３、を順次形成してなることを
特徴とする。
することなく金属を保護し、さらに高温状態においても
電気的絶縁性が良好に保持される金属表面の絶縁性セラ
ミックス膜及びその形成方法を提供する。 【構成】 金属１１の表面に、熱膨張係数が大きいセラ
ミックスからなる第１の層１２、この第１の層１２より
熱膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性を有するセラミッ
クスからなる第２の層１３、を順次形成してなることを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高温や熱衝撃が加わっ
た場合においても剥離することなく金属を保護し、さら
に高温状態においても電気的絶縁性が保持される金属表
面の絶縁性セラミックス膜及びその形成方法に関するも
のである。
た場合においても剥離することなく金属を保護し、さら
に高温状態においても電気的絶縁性が保持される金属表
面の絶縁性セラミックス膜及びその形成方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高温時の電気的絶縁性を高めた材
料として、ステンレス・スチールの表面にＳｉＣ、Ｚｒ
Ｏ2、ケイ酸ガラス等の耐熱性及び絶縁性を有するセラ
ミックスがコーティングされたステンレス−セラミック
ス複合材料がある。この複合材料は、塗布、溶射等の方
法を用いて、ステンレス・スチールの表面にＳｉＣ、Ｚ
ｒＯ2等のセラミックスをコーティングしている。図２
は、例えば特開平５−１９２５４６号公報に示された複
合金属−セラミック膜の断面図であり、図において、１
は多孔度約４０％、平均空孔サイズ約６μｍ、厚み２ｍ
ｍのシート状の多孔性スチール、２はゾル−ゲル法によ
り多孔性スチール１上に形成されたＡｌ2Ｏ3を主成分と
する多孔性セラミック皮膜である。この複合金属−セラ
ミック膜は、熱的及び化学的に安定であることから、精
密濾過膜、限外濾過膜等に好適に用いられている。
料として、ステンレス・スチールの表面にＳｉＣ、Ｚｒ
Ｏ2、ケイ酸ガラス等の耐熱性及び絶縁性を有するセラ
ミックスがコーティングされたステンレス−セラミック
ス複合材料がある。この複合材料は、塗布、溶射等の方
法を用いて、ステンレス・スチールの表面にＳｉＣ、Ｚ
ｒＯ2等のセラミックスをコーティングしている。図２
は、例えば特開平５−１９２５４６号公報に示された複
合金属−セラミック膜の断面図であり、図において、１
は多孔度約４０％、平均空孔サイズ約６μｍ、厚み２ｍ
ｍのシート状の多孔性スチール、２はゾル−ゲル法によ
り多孔性スチール１上に形成されたＡｌ2Ｏ3を主成分と
する多孔性セラミック皮膜である。この複合金属−セラ
ミック膜は、熱的及び化学的に安定であることから、精
密濾過膜、限外濾過膜等に好適に用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したス
テンレス−セラミックス複合材料は、例えば２５℃程度
の室温において用いる場合には、絶縁性が良く何等問題
が無い。しかしながら、例えば５００℃程度またはそれ
以上の温度領域において用いようとすると、ステンレス
とセラミックスとの接合力が弱く、セラミックスがステ
ンレスから剥離し、絶縁膜としての機能が失われるとい
う問題点があった。また、上述した複合金属−セラミッ
ク膜では、多孔性スチール１上に多孔性セラミック皮膜
２を直接形成しているために、例えば５００℃またはそ
れ以上の温度領域において用いると、熱膨張率の違いに
より多孔性セラミック皮膜２が割れたり、多孔性スチー
ル１から剥離したりする等の問題点があった。
テンレス−セラミックス複合材料は、例えば２５℃程度
の室温において用いる場合には、絶縁性が良く何等問題
が無い。しかしながら、例えば５００℃程度またはそれ
以上の温度領域において用いようとすると、ステンレス
とセラミックスとの接合力が弱く、セラミックスがステ
ンレスから剥離し、絶縁膜としての機能が失われるとい
う問題点があった。また、上述した複合金属−セラミッ
ク膜では、多孔性スチール１上に多孔性セラミック皮膜
２を直接形成しているために、例えば５００℃またはそ
れ以上の温度領域において用いると、熱膨張率の違いに
より多孔性セラミック皮膜２が割れたり、多孔性スチー
ル１から剥離したりする等の問題点があった。
【０００４】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であって、高温や熱衝撃が加わった場合においても剥離
することなく金属を保護し、さらに高温状態においても
電気的絶縁性が良好に保持される金属表面の絶縁性セラ
ミックス膜及びその形成方法を提供することにある。
であって、高温や熱衝撃が加わった場合においても剥離
することなく金属を保護し、さらに高温状態においても
電気的絶縁性が良好に保持される金属表面の絶縁性セラ
ミックス膜及びその形成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な金属表面の絶縁性セラミックス膜
及びその形成方法を採用した。すなわち、請求項１記載
の金属表面の絶縁性セラミックス膜は、金属表面に、熱
膨張係数が大きいセラミックスからなる第１の層、この
第１の層より熱膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性を有
するセラミックスからなる第２の層、を順次形成したも
のである。
に、本発明は次の様な金属表面の絶縁性セラミックス膜
及びその形成方法を採用した。すなわち、請求項１記載
の金属表面の絶縁性セラミックス膜は、金属表面に、熱
膨張係数が大きいセラミックスからなる第１の層、この
第１の層より熱膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性を有
するセラミックスからなる第２の層、を順次形成したも
のである。
【０００６】請求項２記載の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜は、前記第１の層の気孔率を１５〜５０体積％と
し、前記第２の層の気孔率を０．１〜５体積％としたも
のである。
クス膜は、前記第１の層の気孔率を１５〜５０体積％と
し、前記第２の層の気孔率を０．１〜５体積％としたも
のである。
【０００７】請求項３記載の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜は、前記第１の層の膜厚を１〜３０μｍとし、前
記第２の層の膜厚を５０〜２００μｍとしたものであ
る。
クス膜は、前記第１の層の膜厚を１〜３０μｍとし、前
記第２の層の膜厚を５０〜２００μｍとしたものであ
る。
【０００８】請求項４記載の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜は、前記金属をステンレス・スチールとし、前記
第１の層の主成分をＡｌ2Ｏ3及びＴｉＯ2とし、前記第
２の層の主成分をＴｉＯ2及びＳｉＯ2としたものであ
る。
クス膜は、前記金属をステンレス・スチールとし、前記
第１の層の主成分をＡｌ2Ｏ3及びＴｉＯ2とし、前記第
２の層の主成分をＴｉＯ2及びＳｉＯ2としたものであ
る。
【０００９】請求項５記載の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜は、前記第１の層の硬度を前記金属の硬度より低
くし、前記第２の層の硬度を該第１の層の硬度より高く
したものである。
クス膜は、前記第１の層の硬度を前記金属の硬度より低
くし、前記第２の層の硬度を該第１の層の硬度より高く
したものである。
【００１０】請求項６記載の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜の形成方法は、熱膨張係数が大きいセラミックス
粉末と結合剤を有機溶媒とともに混合して第１の混合液
とし、次いで、この第１の混合液を金属表面に塗布し乾
燥させて第１の層とし、次いで、前記セラミックス粉末
より熱膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性を有するセラ
ミックス粉末と結合剤を有機溶媒とともに混合して第２
の混合液とし、次いで、この第２の混合液を前記第１の
層上に塗布し乾燥させて第２の層とする方法である。
クス膜の形成方法は、熱膨張係数が大きいセラミックス
粉末と結合剤を有機溶媒とともに混合して第１の混合液
とし、次いで、この第１の混合液を金属表面に塗布し乾
燥させて第１の層とし、次いで、前記セラミックス粉末
より熱膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性を有するセラ
ミックス粉末と結合剤を有機溶媒とともに混合して第２
の混合液とし、次いで、この第２の混合液を前記第１の
層上に塗布し乾燥させて第２の層とする方法である。
【００１１】請求項７記載の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜の形成方法は、前記乾燥を、１５０〜３００℃の
下で１５〜３０分行うこととした方法である。
クス膜の形成方法は、前記乾燥を、１５０〜３００℃の
下で１５〜３０分行うこととした方法である。
【００１２】金属表面に、熱膨張係数が大きいセラミッ
クスからなる第１の層、この第１の層より熱膨張係数が
小さくかつ電気的絶縁性を有するセラミックスからなる
第２の層、を順次形成すると、前記第１の層が金属及び
第２の層の双方に対して緩衝層となり、金属及び第２の
層に生じる熱膨張係数の差に起因する応力を吸収する。
これにより、第２の層に割れ、クラック、剥離等の不具
合が発生するおそれがなくなる。
クスからなる第１の層、この第１の層より熱膨張係数が
小さくかつ電気的絶縁性を有するセラミックスからなる
第２の層、を順次形成すると、前記第１の層が金属及び
第２の層の双方に対して緩衝層となり、金属及び第２の
層に生じる熱膨張係数の差に起因する応力を吸収する。
これにより、第２の層に割れ、クラック、剥離等の不具
合が発生するおそれがなくなる。
【００１３】層の気孔率が高くなれば、層内に存在する
気孔そのものが緩衝機能を有することとなるので、気孔
率が高い第１の層は第２の層と比較して緩衝機能が優れ
たものとなる。ここで、第１の層の気孔率を１５〜５０
体積％としたのは、１５体積％未満では緩衝機能が低下
し第２の層に割れ、クラック、剥離等の不具合が発生す
るおそれがあるからであり、また５０体積％を越えると
気孔が多すぎて層の機械的強度が低下するからである。
また、第２の層の気孔率を０．１〜５体積％としたの
は、０．１体積％が気孔率の測定限界であるからであ
り、また５体積％を越えると気孔が多すぎて緻密になら
ず機械的強度も低下するからである。
気孔そのものが緩衝機能を有することとなるので、気孔
率が高い第１の層は第２の層と比較して緩衝機能が優れ
たものとなる。ここで、第１の層の気孔率を１５〜５０
体積％としたのは、１５体積％未満では緩衝機能が低下
し第２の層に割れ、クラック、剥離等の不具合が発生す
るおそれがあるからであり、また５０体積％を越えると
気孔が多すぎて層の機械的強度が低下するからである。
また、第２の層の気孔率を０．１〜５体積％としたの
は、０．１体積％が気孔率の測定限界であるからであ
り、また５体積％を越えると気孔が多すぎて緻密になら
ず機械的強度も低下するからである。
【００１４】第１の層の膜厚は、金属と第２の層との間
の熱膨張係数の差に起因する応力を充分に吸収し、第２
の層に割れ、クラック、剥離等の不具合が発生するおそ
れがない程度の厚みであればよく、好ましい範囲は１〜
３０μｍである。第２の層の膜厚は、機械的強度を充分
保持できる厚みであればよく、好ましい範囲は５０〜２
００μｍである。
の熱膨張係数の差に起因する応力を充分に吸収し、第２
の層に割れ、クラック、剥離等の不具合が発生するおそ
れがない程度の厚みであればよく、好ましい範囲は１〜
３０μｍである。第２の層の膜厚は、機械的強度を充分
保持できる厚みであればよく、好ましい範囲は５０〜２
００μｍである。
【００１５】前記金属をステンレス・スチールとした場
合、前記第１の層としては、ステンレス・スチールとの
接合力が強く、しかも他のセラミックス材料と比べて熱
膨張係数が比較的大きいＡｌ2Ｏ3及びＴｉＯ2を主成分
とするセラミックスが好適である。また、前記第２の層
としては、前記第１の層の主成分であるＡｌ2Ｏ3及びＴ
ｉＯ2と比較して熱膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性
を有するＴｉＯ2及びＳｉＯ2を主成分とするセラミック
スが好適である。
合、前記第１の層としては、ステンレス・スチールとの
接合力が強く、しかも他のセラミックス材料と比べて熱
膨張係数が比較的大きいＡｌ2Ｏ3及びＴｉＯ2を主成分
とするセラミックスが好適である。また、前記第２の層
としては、前記第１の層の主成分であるＡｌ2Ｏ3及びＴ
ｉＯ2と比較して熱膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性
を有するＴｉＯ2及びＳｉＯ2を主成分とするセラミック
スが好適である。
【００１６】前記第１の層の硬度を前記金属の硬度より
低くし、前記第２の層の硬度を該第１の層の硬度より高
くしたことにより、第１の層が金属との間に生じる熱膨
張係数の差に起因する応力を吸収し、この応力が第２の
層に伝搬するのを防止する。しかも、第２の層の硬度を
該第１の層の硬度より高くしたことにより、前記第１の
層に応力に起因する歪等が生じても、該第２の層に割
れ、クラック、剥離等の不具合が発生するおそれがな
く、耐熱衝撃性が高まる。
低くし、前記第２の層の硬度を該第１の層の硬度より高
くしたことにより、第１の層が金属との間に生じる熱膨
張係数の差に起因する応力を吸収し、この応力が第２の
層に伝搬するのを防止する。しかも、第２の層の硬度を
該第１の層の硬度より高くしたことにより、前記第１の
層に応力に起因する歪等が生じても、該第２の層に割
れ、クラック、剥離等の不具合が発生するおそれがな
く、耐熱衝撃性が高まる。
【００１７】金属の表面に絶縁性セラミックス膜を形成
するには、まず、熱膨張係数が大きいセラミックス粉末
と結合剤を有機溶媒とともに混合して第１の混合液と
し、この第１の混合液を金属表面に塗布し乾燥させて第
１の層を形成する。次に、前記セラミックス粉末より熱
膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性を有するセラミック
ス粉末と結合剤を有機溶媒とともに混合して第２の混合
液とし、この第２の混合液を前記第１の層上に塗布し乾
燥させて第２の層とする。このように、簡単な工程を複
数回繰り返すだけで、金属の表面に、高温や熱衝撃が加
わった場合においても剥離することなく、高温状態にお
いても電気的絶縁性が良好に保持されるセラミックス膜
が低コストで形成される。
するには、まず、熱膨張係数が大きいセラミックス粉末
と結合剤を有機溶媒とともに混合して第１の混合液と
し、この第１の混合液を金属表面に塗布し乾燥させて第
１の層を形成する。次に、前記セラミックス粉末より熱
膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性を有するセラミック
ス粉末と結合剤を有機溶媒とともに混合して第２の混合
液とし、この第２の混合液を前記第１の層上に塗布し乾
燥させて第２の層とする。このように、簡単な工程を複
数回繰り返すだけで、金属の表面に、高温や熱衝撃が加
わった場合においても剥離することなく、高温状態にお
いても電気的絶縁性が良好に保持されるセラミックス膜
が低コストで形成される。
【００１８】ここで、前記乾燥を、１５０〜３００℃の
下で１５〜３０分行うものとすれば、第１の層はその硬
度が前記金属より低い状態で硬化することとなり、第２
の層が形成される際においても前記第１の層の硬度は変
化せず該第２の層の硬度を越えることはない。これによ
り、簡単な工程で前記第１の層の硬度を前記金属の硬度
より低く、かつ前記第２の層の硬度を該第１の層の硬度
より高くなるように制御することが可能になる。
下で１５〜３０分行うものとすれば、第１の層はその硬
度が前記金属より低い状態で硬化することとなり、第２
の層が形成される際においても前記第１の層の硬度は変
化せず該第２の層の硬度を越えることはない。これによ
り、簡単な工程で前記第１の層の硬度を前記金属の硬度
より低く、かつ前記第２の層の硬度を該第１の層の硬度
より高くなるように制御することが可能になる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の金属表面の絶縁性セラミック
ス膜及びその形成方法の一実施例について説明する。図
１は、金属表面の絶縁性セラミックス膜を示す断面図で
あり、図において、１１はＳＵＳ３０４のステンレス・
スチールからなる基材（金属）、１２は基材１１の表面
に形成され熱膨張係数が大きいセラミックスからなる中
間層（第１の層）、１３は中間層１２上に形成され該中
間層１２より熱膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性を有
するセラミックスからなる外層（第２の層）である。
ス膜及びその形成方法の一実施例について説明する。図
１は、金属表面の絶縁性セラミックス膜を示す断面図で
あり、図において、１１はＳＵＳ３０４のステンレス・
スチールからなる基材（金属）、１２は基材１１の表面
に形成され熱膨張係数が大きいセラミックスからなる中
間層（第１の層）、１３は中間層１２上に形成され該中
間層１２より熱膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性を有
するセラミックスからなる外層（第２の層）である。
【００２０】中間層１２は、例えば、Ａｌ2Ｏ3を４０〜
６０ｗ／ｗ％（重量％）、ＴｉＯ2を３０〜５０ｗ／ｗ
％、ＳｉＯ2を５〜１５ｗ／ｗ％、ＳｉＺｒＯ4を０．５
〜３ｗ／ｗ％それぞれ含有する多孔性セラミックスによ
り構成され、その気孔率は１５〜５０ｖ／ｖ％（体積
％）とされ、その膜厚は１〜３０μｍとされ、その硬度
は基材１１を構成するステンレス・スチールの硬度より
低く設定されている。外層１３は、例えば、ＴｉＯ2を
４０〜８０ｗ／ｗ％、ＳｉＯ2を３０〜５０ｗ／ｗ％、
Ａｌ2Ｏ3を２〜１０ｗ／ｗ％それぞれ含有するセラミッ
クスにより構成され、その気孔率は０．１〜５ｖ／ｖ％
とされ、その膜厚は５０〜２００μｍとされ、その硬度
は前記中間層１２の硬度より高く設定されている。
６０ｗ／ｗ％（重量％）、ＴｉＯ2を３０〜５０ｗ／ｗ
％、ＳｉＯ2を５〜１５ｗ／ｗ％、ＳｉＺｒＯ4を０．５
〜３ｗ／ｗ％それぞれ含有する多孔性セラミックスによ
り構成され、その気孔率は１５〜５０ｖ／ｖ％（体積
％）とされ、その膜厚は１〜３０μｍとされ、その硬度
は基材１１を構成するステンレス・スチールの硬度より
低く設定されている。外層１３は、例えば、ＴｉＯ2を
４０〜８０ｗ／ｗ％、ＳｉＯ2を３０〜５０ｗ／ｗ％、
Ａｌ2Ｏ3を２〜１０ｗ／ｗ％それぞれ含有するセラミッ
クスにより構成され、その気孔率は０．１〜５ｖ／ｖ％
とされ、その膜厚は５０〜２００μｍとされ、その硬度
は前記中間層１２の硬度より高く設定されている。
【００２１】次に、基材１１の表面に中間層１２及び外
層１３を順次形成する方法について説明する。まず、Ａ
ｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＳｉＺｒＯ4それぞれの粉
末を、４０〜６０ｗ／ｗ％：３０〜５０ｗ／ｗ％：５〜
１５ｗ／ｗ％：０．５〜３ｗ／ｗ％になるように混合
し、さらにエチルアルコール、イソプロピルアルコール
（ＩＰＡ）等のアルコール類（有機溶剤）及び水溶性バ
インダーであるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）５〜１
０％水溶液（結合剤）をそれぞれ加えて混合し、比重が
１．２〜１．５、粘度が３０〜１００ｃ．ｐの第１のス
ラリー（第１の混合液）とした。次に、この第１のスラ
リーを基材１１の表面に塗布し、１５０〜３００℃の下
で１５〜３０分乾燥させ、厚みが１〜３０μｍの中間層
１２とした。この時の中間層１２の硬度を、鉛筆による
引っかき傷の有無により判定したところ、１Ｈ〜５Ｈの
鉛筆硬度であった。また、ポアサイザーを用いてその気
孔率を測定したところ、１５〜５０ｖ／ｖ％であった。
層１３を順次形成する方法について説明する。まず、Ａ
ｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＳｉＺｒＯ4それぞれの粉
末を、４０〜６０ｗ／ｗ％：３０〜５０ｗ／ｗ％：５〜
１５ｗ／ｗ％：０．５〜３ｗ／ｗ％になるように混合
し、さらにエチルアルコール、イソプロピルアルコール
（ＩＰＡ）等のアルコール類（有機溶剤）及び水溶性バ
インダーであるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）５〜１
０％水溶液（結合剤）をそれぞれ加えて混合し、比重が
１．２〜１．５、粘度が３０〜１００ｃ．ｐの第１のス
ラリー（第１の混合液）とした。次に、この第１のスラ
リーを基材１１の表面に塗布し、１５０〜３００℃の下
で１５〜３０分乾燥させ、厚みが１〜３０μｍの中間層
１２とした。この時の中間層１２の硬度を、鉛筆による
引っかき傷の有無により判定したところ、１Ｈ〜５Ｈの
鉛筆硬度であった。また、ポアサイザーを用いてその気
孔率を測定したところ、１５〜５０ｖ／ｖ％であった。
【００２２】次に、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3それぞ
れの粉末を、４０〜８０ｗ／ｗ％：３０〜５０ｗ／ｗ
％：２〜１０ｗ／ｗ％になるように混合し、さらに前記
アルコール類及びＰＶＡ５〜１０％水溶液をそれぞれ加
えて混合し、比重が１．８〜２．１、粘度が５００〜２
０００ｃ．ｐの第２のスラリー（第２の混合液）とし
た。次に、この第２のスラリーを前記中間層１２上に塗
布し、１５０〜３００℃の下で１５〜３０分乾燥させ、
厚みが５０〜２００μｍの外層１３とした。この時の外
層１３の硬度を、鉛筆による引っかき傷の有無により判
定したところ、８Ｈ〜１２Ｈの鉛筆硬度であった。ま
た、ポアサイザーを用いてその気孔率を測定したとこ
ろ、０．１〜５ｖ／ｖ％であった。
れの粉末を、４０〜８０ｗ／ｗ％：３０〜５０ｗ／ｗ
％：２〜１０ｗ／ｗ％になるように混合し、さらに前記
アルコール類及びＰＶＡ５〜１０％水溶液をそれぞれ加
えて混合し、比重が１．８〜２．１、粘度が５００〜２
０００ｃ．ｐの第２のスラリー（第２の混合液）とし
た。次に、この第２のスラリーを前記中間層１２上に塗
布し、１５０〜３００℃の下で１５〜３０分乾燥させ、
厚みが５０〜２００μｍの外層１３とした。この時の外
層１３の硬度を、鉛筆による引っかき傷の有無により判
定したところ、８Ｈ〜１２Ｈの鉛筆硬度であった。ま
た、ポアサイザーを用いてその気孔率を測定したとこ
ろ、０．１〜５ｖ／ｖ％であった。
【００２３】表１は、本実施例の絶縁性セラミックス膜
の高温暴露試験及び熱衝撃試験の結果を示したものであ
る。
の高温暴露試験及び熱衝撃試験の結果を示したものであ
る。
【表１】
【００２４】試料は次の様な方法により作製した。ま
ず、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＳｉＺｒＯ4それぞ
れの粉末を、５０ｗ／ｗ％：４０ｗ／ｗ％：１０ｗ／ｗ
％：１ｗ／ｗ％になるように混合し、さらにエチルアル
コール及びＰＶＡ５％水溶液をそれぞれ加えて混合し、
比重が１．４、粘度が５０ｃ．ｐの第１のスラリーと
し、この第１のスラリーを基材１１の表面に塗布し、１
８０℃の下で１５分乾燥させ、厚みが１５μｍの中間層
１２とした。次に、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3それぞ
れの粉末を、６０ｗ／ｗ％：４０ｗ／ｗ％：５ｗ／ｗ％
になるように混合し、さらにエチルアルコール及びＰＶ
Ａ５％水溶液をそれぞれ加えて混合し、比重が２．０、
粘度が１０００ｃ．ｐの第２のスラリーとし、この第２
のスラリーを前記中間層１２上に塗布し、１８０℃の下
で１５分乾燥させ、厚みが１００μｍの外層１３とし
た。この時の中間層１２の気孔率は２０〜２５ｖ／ｖ
％、外層１３の気孔率は３〜５ｖ／ｖ％であった。
ず、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＳｉＺｒＯ4それぞ
れの粉末を、５０ｗ／ｗ％：４０ｗ／ｗ％：１０ｗ／ｗ
％：１ｗ／ｗ％になるように混合し、さらにエチルアル
コール及びＰＶＡ５％水溶液をそれぞれ加えて混合し、
比重が１．４、粘度が５０ｃ．ｐの第１のスラリーと
し、この第１のスラリーを基材１１の表面に塗布し、１
８０℃の下で１５分乾燥させ、厚みが１５μｍの中間層
１２とした。次に、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3それぞ
れの粉末を、６０ｗ／ｗ％：４０ｗ／ｗ％：５ｗ／ｗ％
になるように混合し、さらにエチルアルコール及びＰＶ
Ａ５％水溶液をそれぞれ加えて混合し、比重が２．０、
粘度が１０００ｃ．ｐの第２のスラリーとし、この第２
のスラリーを前記中間層１２上に塗布し、１８０℃の下
で１５分乾燥させ、厚みが１００μｍの外層１３とし
た。この時の中間層１２の気孔率は２０〜２５ｖ／ｖ
％、外層１３の気孔率は３〜５ｖ／ｖ％であった。
【００２５】高温暴露試験は、前記試料を６００℃、８
００℃、９００℃それぞれの温度で１時間暴露した後の
抵抗値を測定した。また、熱衝撃試験は、前記試料を９
００℃の高温炉中に５分間放置した後２５℃の恒温槽中
に２０分間放置するという操作を２０回繰り返し行い、
膜の外観を目視で観察するとともにその抵抗値を測定し
た。
００℃、９００℃それぞれの温度で１時間暴露した後の
抵抗値を測定した。また、熱衝撃試験は、前記試料を９
００℃の高温炉中に５分間放置した後２５℃の恒温槽中
に２０分間放置するという操作を２０回繰り返し行い、
膜の外観を目視で観察するとともにその抵抗値を測定し
た。
【００２６】本実施例の試料は、膜形成直後の抵抗値は
９０ＭΩと極めて高く、基材１１の絶縁性が極めて良好
であることがわかる。高温暴露試験終了後においては、
中間層１２及び外層１３に剥離や亀裂等が生じておら
ず、１６ＭΩ以上の抵抗値を示しており、また、熱衝撃
試験終了後においても中間層１２及び外層１３に剥離や
亀裂等が生じておらず、１４ＭΩ以上の抵抗値を示して
おり、いずれにしても基材１１の絶縁性が良好に保持さ
れていることがわかる。
９０ＭΩと極めて高く、基材１１の絶縁性が極めて良好
であることがわかる。高温暴露試験終了後においては、
中間層１２及び外層１３に剥離や亀裂等が生じておら
ず、１６ＭΩ以上の抵抗値を示しており、また、熱衝撃
試験終了後においても中間層１２及び外層１３に剥離や
亀裂等が生じておらず、１４ＭΩ以上の抵抗値を示して
おり、いずれにしても基材１１の絶縁性が良好に保持さ
れていることがわかる。
【００２７】表２は、従来の絶縁性セラミックス膜の熱
衝撃試験の結果を示したものである。
衝撃試験の結果を示したものである。
【表２】
【００２８】ここでは、ＳｉＣ（炭化ケイ素）を主成分
としたもの（Ｎｏ．１）、及びケイ酸ガラスとＡｌ2Ｏ3
を主成分としたもの（Ｎｏ．２）、の２種類の市販の絶
縁コーティング剤を用いて基材１１上にそれぞれセラミ
ックス膜を形成し、試料とした。熱衝撃試験は、前記試
料を９００℃の高温炉中に５分間放置した後２００℃の
低温炉中に２０分間放置するという操作を１０回繰り返
し行い、膜の外観を目視で観察するとともにその抵抗値
を測定した。
としたもの（Ｎｏ．１）、及びケイ酸ガラスとＡｌ2Ｏ3
を主成分としたもの（Ｎｏ．２）、の２種類の市販の絶
縁コーティング剤を用いて基材１１上にそれぞれセラミ
ックス膜を形成し、試料とした。熱衝撃試験は、前記試
料を９００℃の高温炉中に５分間放置した後２００℃の
低温炉中に２０分間放置するという操作を１０回繰り返
し行い、膜の外観を目視で観察するとともにその抵抗値
を測定した。
【００２９】上記の試料では、膜形成直後の抵抗値は１
ＭΩ以上であったが、熱衝撃試験終了後に基材１１から
膜が剥離してしまい、また抵抗値も１００〜５００Ωと
大きく低下してしまい、基材１１の絶縁性を保持するこ
とができなかった。
ＭΩ以上であったが、熱衝撃試験終了後に基材１１から
膜が剥離してしまい、また抵抗値も１００〜５００Ωと
大きく低下してしまい、基材１１の絶縁性を保持するこ
とができなかった。
【００３０】以上説明したように、本実施例によれば、
基材１１の表面に、熱膨張係数が大きいセラミックスか
らなる中間層１２、中間層１２より熱膨張係数が小さく
かつ電気的絶縁性を有するセラミックスからなる外層１
３を順次形成したので、中間層１２が基材１１及び外層
１３の双方に対して緩衝層となり、基材１１及び外層１
３の熱膨張係数の差に起因する応力を吸収することがで
き、外層１３に割れ、クラック、剥離等の不具合が発生
するのを防止することができる。したがって、外層１３
の絶縁性及び耐熱衝撃性を向上させ、基材１１の表面を
良好な状態で保護することができる。
基材１１の表面に、熱膨張係数が大きいセラミックスか
らなる中間層１２、中間層１２より熱膨張係数が小さく
かつ電気的絶縁性を有するセラミックスからなる外層１
３を順次形成したので、中間層１２が基材１１及び外層
１３の双方に対して緩衝層となり、基材１１及び外層１
３の熱膨張係数の差に起因する応力を吸収することがで
き、外層１３に割れ、クラック、剥離等の不具合が発生
するのを防止することができる。したがって、外層１３
の絶縁性及び耐熱衝撃性を向上させ、基材１１の表面を
良好な状態で保護することができる。
【００３１】また、本実施例の形成方法によれば、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2等を所定の割合で混合し、アルコール類
及びＰＶＡ水溶液を加えて混合し第１のスラリーとし、
この第１のスラリーを基材１１の表面に塗布し、１５０
〜３００℃の下で１５〜３０分乾燥させて中間層１２と
し、次に、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2等を所定の割合で混合し、
アルコール類及びＰＶＡ水溶液を加えて混合し第２のス
ラリーとし、この第２のスラリーを前記中間層１２上に
塗布し、１５０〜３００℃の下で１５〜３０分乾燥させ
て外層１３としたので、簡単な工程を複数回繰り返すだ
けで、基材１１の表面に、高温や熱衝撃が加わった場合
においても剥離することなく、高温状態においても電気
的絶縁性が良好に保持されるセラミックス膜を低コスト
で形成することができる。
2Ｏ3、ＴｉＯ2等を所定の割合で混合し、アルコール類
及びＰＶＡ水溶液を加えて混合し第１のスラリーとし、
この第１のスラリーを基材１１の表面に塗布し、１５０
〜３００℃の下で１５〜３０分乾燥させて中間層１２と
し、次に、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2等を所定の割合で混合し、
アルコール類及びＰＶＡ水溶液を加えて混合し第２のス
ラリーとし、この第２のスラリーを前記中間層１２上に
塗布し、１５０〜３００℃の下で１５〜３０分乾燥させ
て外層１３としたので、簡単な工程を複数回繰り返すだ
けで、基材１１の表面に、高温や熱衝撃が加わった場合
においても剥離することなく、高温状態においても電気
的絶縁性が良好に保持されるセラミックス膜を低コスト
で形成することができる。
【００３２】なお、上記実施例では、中間層１２の組成
をＡｌ2Ｏ3を４０〜６０ｗ／ｗ％、ＴｉＯ2を３０〜５
０ｗ／ｗ％、ＳｉＯ2を５〜１５ｗ／ｗ％、ＳｉＺｒＯ4
を０．５〜３ｗ／ｗ％含有する多孔性セラミックスと
し、外層１３の組成をＴｉＯ2を４０〜８０ｗ／ｗ％、
ＳｉＯ2を３０〜５０ｗ／ｗ％、Ａｌ2Ｏ3を２〜１０ｗ
／ｗ％含有するセラミックスとしたが、中間層１２及び
外層１３の組成は上記実施例に限定されることなく様々
な組成のものを選択使用することができる。この場合、
中間層１２の気孔率を１５〜５０ｖ／ｖ％、膜厚を１〜
３０μｍ、硬度を基材１１の硬度より低く設定し、外層
１３の気孔率を０．１〜５ｖ／ｖ％、膜厚を５０〜２０
０μｍ、硬度を中間層１２の硬度より高く設定すればよ
い。
をＡｌ2Ｏ3を４０〜６０ｗ／ｗ％、ＴｉＯ2を３０〜５
０ｗ／ｗ％、ＳｉＯ2を５〜１５ｗ／ｗ％、ＳｉＺｒＯ4
を０．５〜３ｗ／ｗ％含有する多孔性セラミックスと
し、外層１３の組成をＴｉＯ2を４０〜８０ｗ／ｗ％、
ＳｉＯ2を３０〜５０ｗ／ｗ％、Ａｌ2Ｏ3を２〜１０ｗ
／ｗ％含有するセラミックスとしたが、中間層１２及び
外層１３の組成は上記実施例に限定されることなく様々
な組成のものを選択使用することができる。この場合、
中間層１２の気孔率を１５〜５０ｖ／ｖ％、膜厚を１〜
３０μｍ、硬度を基材１１の硬度より低く設定し、外層
１３の気孔率を０．１〜５ｖ／ｖ％、膜厚を５０〜２０
０μｍ、硬度を中間層１２の硬度より高く設定すればよ
い。
【００３３】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の請求項１記
載の金属表面の絶縁性セラミックス膜によれば、金属表
面に、熱膨張係数が大きいセラミックスからなる第１の
層、この第１の層より熱膨張係数が小さくかつ電気的絶
縁性を有するセラミックスからなる第２の層、を順次形
成したので、第１の層が金属及び第２の層の双方に対し
て緩衝層となり、金属及び第２の層の熱膨張係数の差に
起因する応力を吸収することができ、第２の層に割れ、
クラック、剥離等の不具合が発生するのを防止すること
ができる。したがって、第２の層の絶縁性及び耐熱衝撃
性を向上させることができ、金属の表面を良好な状態で
保護することができる。
載の金属表面の絶縁性セラミックス膜によれば、金属表
面に、熱膨張係数が大きいセラミックスからなる第１の
層、この第１の層より熱膨張係数が小さくかつ電気的絶
縁性を有するセラミックスからなる第２の層、を順次形
成したので、第１の層が金属及び第２の層の双方に対し
て緩衝層となり、金属及び第２の層の熱膨張係数の差に
起因する応力を吸収することができ、第２の層に割れ、
クラック、剥離等の不具合が発生するのを防止すること
ができる。したがって、第２の層の絶縁性及び耐熱衝撃
性を向上させることができ、金属の表面を良好な状態で
保護することができる。
【００３４】請求項２記載の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜によれば、前記第１の層の気孔率を１５〜５０体
積％とし、前記第２の層の気孔率を０．１〜５体積％と
したので、前記第１の層内に存在する気孔そのものが緩
衝機能を有することとなり、第１の層の緩衝機能を向上
させることができる。
クス膜によれば、前記第１の層の気孔率を１５〜５０体
積％とし、前記第２の層の気孔率を０．１〜５体積％と
したので、前記第１の層内に存在する気孔そのものが緩
衝機能を有することとなり、第１の層の緩衝機能を向上
させることができる。
【００３５】請求項３記載の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜によれば、前記第１の層の膜厚を１〜３０μｍと
し、前記第２の層の膜厚を５０〜２００μｍとしたの
で、金属と第２の層との間の熱膨張係数の差に起因する
応力を充分に吸収することができ、第２の層に割れ、ク
ラック、剥離等の不具合が発生するのを防止することが
できる。
クス膜によれば、前記第１の層の膜厚を１〜３０μｍと
し、前記第２の層の膜厚を５０〜２００μｍとしたの
で、金属と第２の層との間の熱膨張係数の差に起因する
応力を充分に吸収することができ、第２の層に割れ、ク
ラック、剥離等の不具合が発生するのを防止することが
できる。
【００３６】請求項４記載の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜によれば、前記金属をステンレス・スチールと
し、前記第１の層の主成分をＡｌ2Ｏ3及びＴｉＯ2と
し、前記第２の層の主成分をＴｉＯ2及びＳｉＯ2とした
ので、前記金属、第１の層及び第２の層それぞれの間の
接合力及び各層の耐熱衝撃性を向上させることができ
る。
クス膜によれば、前記金属をステンレス・スチールと
し、前記第１の層の主成分をＡｌ2Ｏ3及びＴｉＯ2と
し、前記第２の層の主成分をＴｉＯ2及びＳｉＯ2とした
ので、前記金属、第１の層及び第２の層それぞれの間の
接合力及び各層の耐熱衝撃性を向上させることができ
る。
【００３７】請求項５記載の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜によれば、前記第１の層の硬度を前記金属の硬度
より低くし、前記第２の層の硬度を該第１の層の硬度よ
り高くしたので、第１の層が金属との間に生じる熱膨張
係数の差に起因する応力を吸収することができ、この応
力が第２の層に伝搬するのを防止することができる。し
かも、第２の層の硬度を該第１の層の硬度より高くした
ので、前記第１の層に応力に起因する歪等が生じても、
該第２の層に割れ、クラック、剥離等の不具合が発生す
るのを防止することができ、耐熱衝撃性を高めることが
できる。
クス膜によれば、前記第１の層の硬度を前記金属の硬度
より低くし、前記第２の層の硬度を該第１の層の硬度よ
り高くしたので、第１の層が金属との間に生じる熱膨張
係数の差に起因する応力を吸収することができ、この応
力が第２の層に伝搬するのを防止することができる。し
かも、第２の層の硬度を該第１の層の硬度より高くした
ので、前記第１の層に応力に起因する歪等が生じても、
該第２の層に割れ、クラック、剥離等の不具合が発生す
るのを防止することができ、耐熱衝撃性を高めることが
できる。
【００３８】請求項６記載の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜の形成方法によれば、熱膨張係数が大きいセラミ
ックス粉末と結合剤を有機溶媒とともに混合して第１の
混合液とし、次いで、この第１の混合液を金属表面に塗
布し乾燥させて第１の層とし、次いで、前記セラミック
ス粉末より熱膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性を有す
るセラミックス粉末と結合剤を有機溶媒とともに混合し
て第２の混合液とし、次いで、この第２の混合液を前記
第１の層上に塗布し乾燥させて第２の層とするので、簡
単な工程を複数回繰り返すだけで、高温や熱衝撃が加わ
った場合においても剥離することなく、高温状態におい
ても電気的絶縁性が良好に保持されるセラミックス膜を
金属の表面に低コストで形成することができる。
クス膜の形成方法によれば、熱膨張係数が大きいセラミ
ックス粉末と結合剤を有機溶媒とともに混合して第１の
混合液とし、次いで、この第１の混合液を金属表面に塗
布し乾燥させて第１の層とし、次いで、前記セラミック
ス粉末より熱膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性を有す
るセラミックス粉末と結合剤を有機溶媒とともに混合し
て第２の混合液とし、次いで、この第２の混合液を前記
第１の層上に塗布し乾燥させて第２の層とするので、簡
単な工程を複数回繰り返すだけで、高温や熱衝撃が加わ
った場合においても剥離することなく、高温状態におい
ても電気的絶縁性が良好に保持されるセラミックス膜を
金属の表面に低コストで形成することができる。
【００３９】請求項７記載の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜の形成方法によれば、前記乾燥を、１５０〜３０
０℃の下で１５〜３０分行うこととしたので、簡単な工
程で前記第１の層の硬度を前記金属の硬度より低く、か
つ前記第２の層の硬度を該第１の層の硬度より高くなる
ように制御することができる。
クス膜の形成方法によれば、前記乾燥を、１５０〜３０
０℃の下で１５〜３０分行うこととしたので、簡単な工
程で前記第１の層の硬度を前記金属の硬度より低く、か
つ前記第２の層の硬度を該第１の層の硬度より高くなる
ように制御することができる。
【図１】本発明の一実施例の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜を示す断面図である。
クス膜を示す断面図である。
【図２】従来の複合金属−セラミックス膜を示す断面図
である。
である。
１１ 基材（金属） １２ 中間層（第１の層） １３ 外層（第２の層）
Claims (7)
- 【請求項１】 金属表面に、熱膨張係数が大きいセラミ
ックスからなる第１の層、この第１の層より熱膨張係数
が小さくかつ電気的絶縁性を有するセラミックスからな
る第２の層、を順次形成してなることを特徴とする金属
表面の絶縁性セラミックス膜。 - 【請求項２】 前記第１の層の気孔率を１５〜５０体積
％とし、前記第２の層の気孔率を０．１〜５体積％とし
たことを特徴とする請求項１記載の金属表面の絶縁性セ
ラミックス膜。 - 【請求項３】 前記第１の層の膜厚を１〜３０μｍと
し、前記第２の層の膜厚を５０〜２００μｍとしたこと
を特徴とする請求項１記載の金属表面の絶縁性セラミッ
クス膜。 - 【請求項４】 前記金属をステンレス・スチールとし、
前記第１の層の主成分をＡｌ2Ｏ3及びＴｉＯ2とし、前
記第２の層の主成分をＴｉＯ2及びＳｉＯ2としたことを
特徴とする請求項１記載の金属表面の絶縁性セラミック
ス膜。 - 【請求項５】 前記第１の層の硬度を前記金属の硬度よ
り低くし、前記第２の層の硬度を該第１の層の硬度より
高くしたことを特徴とする請求項１記載の金属表面の絶
縁性セラミックス膜。 - 【請求項６】 熱膨張係数が大きいセラミックス粉末と
結合剤を有機溶媒とともに混合して第１の混合液とし、
次いで、この第１の混合液を金属表面に塗布し乾燥させ
て第１の層とし、次いで、前記セラミックス粉末より熱
膨張係数が小さくかつ電気的絶縁性を有するセラミック
ス粉末と結合剤を有機溶媒とともに混合して第２の混合
液とし、次いで、この第２の混合液を前記第１の層上に
塗布し乾燥させて第２の層とすることを特徴とする金属
表面の絶縁性セラミックス膜の形成方法。 - 【請求項７】 前記乾燥は、１５０〜３００℃の下で１
５〜３０分行うことを特徴とする請求項６記載の金属表
面の絶縁性セラミックス膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12181895A JPH08319582A (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 金属表面の絶縁性セラミックス膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12181895A JPH08319582A (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 金属表面の絶縁性セラミックス膜及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08319582A true JPH08319582A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14820697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12181895A Withdrawn JPH08319582A (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 金属表面の絶縁性セラミックス膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08319582A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347588A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Murata Mfg Co Ltd | 巻線型コイル |
| EP2921470A1 (en) | 2014-03-19 | 2015-09-23 | NGK Insulators, Ltd. | Heat-resistant member and method for manufacturing the same |
| JP2015211120A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
| EP3002272A1 (en) | 2014-10-03 | 2016-04-06 | NGK Insulators, Ltd. | Heat-resistant member and method for producing the same |
| JP2017013503A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 日本碍子株式会社 | 積層体及び電気化学デバイス |
| WO2020145366A1 (ja) * | 2019-01-10 | 2020-07-16 | 日本碍子株式会社 | 複合部材 |
| WO2024070496A1 (ja) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | 日本碍子株式会社 | セラミックス多孔体及びガス配管 |
-
1995
- 1995-05-19 JP JP12181895A patent/JPH08319582A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347588A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Murata Mfg Co Ltd | 巻線型コイル |
| EP2921470A1 (en) | 2014-03-19 | 2015-09-23 | NGK Insulators, Ltd. | Heat-resistant member and method for manufacturing the same |
| US10245810B2 (en) | 2014-03-19 | 2019-04-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Heat-resistant member and method for manufacturing the same |
| JP2015211120A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
| EP3002272A1 (en) | 2014-10-03 | 2016-04-06 | NGK Insulators, Ltd. | Heat-resistant member and method for producing the same |
| US9908815B2 (en) | 2014-10-03 | 2018-03-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Heat-resistant member and method for producing the same |
| JP2017013503A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 日本碍子株式会社 | 積層体及び電気化学デバイス |
| JP2018020558A (ja) * | 2015-07-06 | 2018-02-08 | 日本碍子株式会社 | 積層体及び電気化学デバイス |
| WO2020145366A1 (ja) * | 2019-01-10 | 2020-07-16 | 日本碍子株式会社 | 複合部材 |
| JPWO2020145366A1 (ja) * | 2019-01-10 | 2021-02-18 | 日本碍子株式会社 | 複合部材 |
| CN113272475A (zh) * | 2019-01-10 | 2021-08-17 | 日本碍子株式会社 | 复合部件 |
| WO2024070496A1 (ja) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | 日本碍子株式会社 | セラミックス多孔体及びガス配管 |
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