WO2008016067A1

WO2008016067A1 - Composé polymère et dispositif polymère luminescent

Info

Publication number: WO2008016067A1
Application number: PCT/JP2007/065039
Authority: WO
Inventors: Tomoya Nakatani; Daisuke Fukushima
Original assignee: Sumitomo Chemical Company, Limited
Priority date: 2006-08-01
Filing date: 2007-07-25
Publication date: 2008-02-07
Also published as: CN101516963B; EP2048176A4; CN101516963A; EP2048176A1; TW200813111A; KR20090034398A; US20090302748A1

Description

明細書高分子化合物および高分子発光素子

技術分野

本発明は、高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子に関する。

背景技術

高分子量の発光材料や電荷輸送材料は発光素子における有機層に用いる材料等として有用であることから種々検討されており、その例として、フルオレンジィル基と、 N位にアルキル基を有するフエノキサジンジィル基とからなる共重合体である高分子化合物が報告されている（例えば、 Ma c r omo l e c u l e s ; 2005, 38, 798 3 - 7991) 。

しかしながら、上記の高分子化合物を発光素子用の発光材料として用いたとき、その輝度半減寿命は、未だ十分なものではなかった。

発明の開示

本発明の目的は、発光素子用の発光材料として用いたとき、輝度半減寿命が長い素子を与えることができる高分子化合物を提供することにある。

即ち本発明は、下記式（I ) で示される繰返し単位、下記式（I I ) で示される繰返し単位および下記式（I I I ) で示される繰返し単位を含む高分子化合物を提供するものである。

〔上記式（I ) 中、 R,および R₂はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールァルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 R,と R₂ はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよく、 R₃および R₄はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸ィミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基またはニト口基を表し、 aおよび bはそれぞれ独立に、 0〜3から選ばれる整数を表す。 R₃および R₄がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

〔上記式（I I ) 中、 R_{N I}はアルキル基を表し、 R₅および R₆はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチォ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリ一ルアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 cおよび dはそれぞれ独立に、 0〜 3から選ばれる整数を表す。 R₅および R₆ がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

(ΙΠ)

〔上記式（I I I ) 中、 A rは 2価の縮合多環式炭化水素基、下記式（V I ) で示される基または下記式（X) で示される基を表す。〕

〔上記式（V I ) 中、 A r ,、 A r ₂および A r ₃はそれぞれ独立に、ァリ一レン基または 2価の複素環基を表し、 A r ₄および A r ₅はそれぞれ独立に、ァリール基または 1価の複素環基を表し、 Xは 0または 1を表す。〕

〔上記式（X) 中、 A r ₇および A r _sはそれぞれ独立に、ァリ一レン基または 2価の複素環基を表し、 R_{2 2}は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリ —ルアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 nは 0〜2から選ばれる整数を表し、 yおよび z はそれぞれ独立に 0〜 2から選ばれる整数を表す。 R_{2 2}、 A r ₇および A r ₈がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

したがって、本発明の高分子化合物を含む高分子 L E Dは、液晶ディスプレイのバックライ卜又は照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに使用できる。

発明を実施するための形態

本発明の高分子化合物は、下記式（I ) で示される繰返し単位を含む。

σ)

〔上記式（I ) 中、 R,および R₂はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールァルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 R,と R₂ はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよく、 R₃および R₄はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸ィミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基またはニト口基を表し、 aおよび bはそれぞれ独立に、 0〜3から選ばれる整数を表す。 R₃および R₄がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕ここにアルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常 1〜2 0程度であり、具体的には、メチル基、ェチル基、プ口ピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、 t一ブチル基、ペンチル基、へキシル基、シクロへキシル基、ヘプチル基、ォクチル基、 2—ェチルへキシル基、ノニル基、デシル基、 3 , 7—ジメチルォクチル基、ラウリル基、トリフルォロメチル基、ペン夕フルォロェチル基、パーフルォロブチル基、パーフルォ口へキシル基、パーフルォロォクチル基などが例示される。

アルコキシ基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常 1〜2 0程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プ口ピルォキシ基、イソプロピルォキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、 t—ブトキシ基、ペンチルォキシ基、へキシルォキシ基、シクロへキシルォキシ基、ヘプチルォキシ基、ォクチルォキシ基、 2—ェチルへキシルォキシ基、ノニルォキシ基、デシルォキシ基、 3 , 7—ジメチルォクチルォキシ基、ラウリルォキシ基、トリフルォロメトキシ基、ペンタフルォロエトキシ基、パーフルォロブトキシ基、パーフルォ口へキシルォキシ基、パーフルォロォクチルォキシ基、メトキシメチルォキシ基、 2—メトキシェチルォキシ基などが例示される。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよレ^ 炭素数は通常 1〜2 0程度であり、具体的には、メチルチオ基、ェチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、プチルチオ基、イソプチルチオ基、 t一プチルチォ基、ペンチルチオ基、へキシルチオ基、シクロへキシルチオ基、へプチルチオ基、ォクチルチオ基、 2—ェチルへキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、 3 , 7—ジメチルォクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルォ.ロメチルチオ基などが例示されるァリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子 1個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環 2個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。ァリール基は、炭素数が通常 6〜 6 0程度であり、好ましくは 7〜4 8であり、その具体例としては、フエニル基、 C，〜C _{I 2}アルコキシフエニル基（C ,〜C , ₂は、炭素数 1 ~ 1 2であることを示す。以下も同様である。）、 C ,〜C _{| 2}アルキルフエニル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントラセニル基、 2 一アントラセニル基、 9一アントラセニル基、ペン夕フルオロフェニル基などが例示され、 C ,〜C , ₂アルコキシフエニル基、じ,〜。, ₂アルキルフエニル基が好ましい。 C , 〜C , ₂アルコキシフエニル基として具体的には、メトキシフエ二ル基、エトキシフエ二ル基、プロピルォキシフエニル基、イソプロピルォキシフエニル基、ブトキシフエニル基、イソブトキシフエニル基、 t一ブトキシフエニル基、ペンチルォキシフエニル基、へキシルォキシフエニル基、シクロへキシルォキシフエニル基、ヘプチルォキシフエ二ル基、ォクチルォキシフエニル基、 2—ェチルへキシルォキシフエニル基、ノニルォキシフエ二ル基、デシルォキシフエニル基、 3， 7—ジメチルォクチルォキシフエニル基、ラウリルォキシフエニル基などが例示される。 C，〜C , ₂アルキルフエニル基として具体的にはメチルフエニル基、ェチルフエニル基

、ジメチルフエニル基、プロピルフエニル基、メシチル基、メチルェチルフエニル基、イソプロピルフエニル基、ブチルフエニル基、イソブチルフエニル基、 t一ブチルフエニル基、ペンチルフエ二ル基、イソアミルフエ二ル基、へキシルフェニル基、ヘプチルフエニル基、ォクチルフエ二ル基、ノニルフエニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。

ァリールォキシ基は、炭素数が通常 6〜 6 0程度であり、好ましくは 7〜4 8であり、その具体例としては、フエノキシ基、 C ,〜C , ₂アルコキシフエノキシ基、 C ,〜C，₂ アルキルフエノキシ基、 1 一ナフチルォキシ基、 2—ナフチルォキシ基、ペンタフルォ口フエニルォキシ基などが例示され、 C , ~ C , ₂アルコキシフエノキシ基、 C ,〜C，₂ァルキルフエノキシ基が好ましい。

^〜じアルコキシフエノキシ基として具体的には、メトキシフエノキシ基、エトキシフエノキシ基、プロピルォキシフエノキシ基、イソプロピルォキシフエノキシ基、ブトキシフエノキシ基、イソブトキシフエノキシ基、 t —ブトキシフエノキシ基、ペンチルォキシフエノキシ基、へキシルォキシフエノキシ基、シクロへキシルォキシフエノキシ基、ヘプチルォキシフエノキシ基、ォクチルォキシフエノキシ基、 2—ェチルへキシルォキシフエノキシ基、ノニルォキシフエノキシ基、デシルォキシフエノキシ基、 3 ， 7—ジメチルォクチルォキシフエノキシ基、ラウリルォキシフエノキシ基などが例示される。

C ,〜C _{1 2}アルキルフエノキシ基として具体的にはメチルフエノキシ基、ェチルフエノキシ基、ジメチルフエノキシ基、プロピルフエノキシ基、 1 , 3 , 5—トリメチルフエノキシ基、メチルェチルフエノキシ基、イソプロピルフエノキシ基、ブチルフエノキシ基、イソブチルフエノキシ基、 t—ブチルフエノキシ基、ペンチルフエノキシ基、ィソァミルフエノキシ基、へキシルフエノキシ基、ヘプチルフエノキシ基、ォクチルフエノキシ基、ノニルフエノキシ基、デシルフエノキシ基、ドデシルフエノキシ基などが例示される。

ァリ一ルチオ基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常 3〜 6 0程度であり、具体的には、フエ二ルチオ基、 C , ~ C , ₂アルコキシフエ二ルチオ基、〜アルキルフエ二ルチオ基、 1一ナフチルチオ基、 2—ナフチルチオ基、ぺン夕フルオロフェニルチオ基、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチォ基、ピラジルチオ基、トリアジルチオ基などが例示される。

ァリールアルキル基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常 7〜60程度であり、具体的には、フエ二ルー C,〜C₁₂アルキル基、 C,〜C,₂アルコキシフエ二ル ₂アルキル基、〜じァルキルフェニルー^〜じ^ァルキル基、 1一ナフチル— C ,〜 C , ₂アルキル基、 2—ナフチルー C ,〜 C , ₂アルキル基などが例示される。

ァリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常 7〜60程度であり、具体的には、フエニル— C. C アルコキシ基、 ^〜じ^アルコキシフエニル — C,〜C,₂アルコキシ基、。,〜〇₁₂アルキルフエ二ルー C，〜C₁₂アルコキシ基、 1 一ナフチルー C，〜C, ₂アルコキシ基、 2—ナフチル— C,〜C, ₂アルコキシ基などが例示される。

ァリールアルキルチオ基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常 7〜6 0程度であり、具体的には、フエ二ルー C,〜C, ₂アルキルチオ基、 C,〜C₁₂アルコキシフエニル— C ,〜 C , ₂アルキルチオ基、 C，〜 C , ₂ァルキルフエ二ルー C ,〜 C， ₂アルキルチオ基、 1一ナフチルー。，〜じ, ₂アルキルチオ基、 2—ナフチルー C,〜C,₂アルキルチオ基などが例示される。

ァ.リールアルケニル基は、炭素数が通常 8〜 60程度であり、その具体的としては、フエニル— C₂〜C₁₂アルケニル基、 C,~C，₂アルコキシフエ二ルー C₂〜C₁₂ァルケニル基、じ,~〇，₂ァルキルフェニル—〇₂〜。_|2ァルケニル基、 1一ナフチル— C₂〜 C, ₂アルケニル基、 2—ナフチルー C₂〜C_I2アルケニル基などが例示され、 C,~C₁₂ アルコキシフエ二ルー C₂〜C, ₂アルケニル基、 C₂~C₁₂アルキルフエ二ルー C, ~C ₁₂アルケニル基が好ましい。

ァリールアルキニル基は、炭素数が通常 8 ~ 60程度であり、その具体的としては、フエニル— C₂~C,₂アルキニル基、。,〜〇,₂ァルコキシフェニル—〇₂〜〇₁₂ァルキニル基、。,〜〇,₂ァルキルフェニルー。₂〜〇,₂ァルキニル基、 1一ナフチル— C₂〜 C, ₂アルキニル基、 2—ナフチルー C₂〜C, ₂アルキニル基などが例示され、 C,〜C₁₂ アルコキシフエニル— C₂〜C, ₂アルキニル基、 C,〜C, ₂アルキルフエ二ルー C₂〜C

₁₂アルキニル基が好ましい。

置換アミノ基としては、アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基および 1価の複素環基から選ばれる 1又は 2個の基で置換されたァミノ基が挙げられ、該アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基又は 1価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は、該置換基の炭素数を含めないで通常 1〜60程度であり、好ましくは炭素数 2〜48である。

具体的には、メチルァミノ基、ジメチルァミノ基、ェチルァミノ基、ジェチルァミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、プチルァミノ基、 s _プチルァミノ基、イソプチルァミノ基、 t一プチルァミノ基、ペンチルァミノ基、へキシルァミノ基、シクロへキシルァミノ基、ヘプチルァミノ基、ォクチルァミノ基、 2—ェチルへキシルァミノ基、ノニルァミノ基、デシルァミノ基、 3, 7—ジメチルォクチルァミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルァミノ基、シクロへキシルァミノ基、ジシクロへキシルァミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルォロメチルァミノ基フエニルァミノ基

、ジフエニルァミノ基、 C,〜C, ₂アルコキシフエニルァミノ基、ジ（C,〜C，₂アルコキシフエニル）アミノ基、ジ（ ~じ,₂アルキルフエニル）アミノ基、 1—ナフチルアミノ基、 2—ナフチルァミノ基、ペン夕フルオロフェニルァミノ基、ピリジルァミノ基、ピリダジニルァミノ基、ピリミジルアミノ基、ビラジルァミノ基、トリアジルアミノ基フエ二ルー C,~C₁₂アルキルアミノ基、。，〜じ^ァルコキシフェニル—^〜じ ₁₂アルキルアミノ基、 C,〜C₁₂アルキルフエニル— C,〜C,₂アルキルアミノ基、ジ（〜じアルコキシフエニル— C,~C₁₂アルキル）アミノ基、ジ（C,~C,₂ァルキルフエニル— C,〜C_I2アルキル）アミノ基、 1一ナフチルー C,〜C₁₂アルキルアミノ基、 2—ナフチル— ₂アルキルアミノ基などが例示される。

置換シリル基としては、アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基および 1価の複素環 Sから選ばれる 1、 2又は 3個の基で置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は通常 1~60程度であり、好ましくは炭素数 3〜48である。なお該アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基又は 1価の複素環基は置換基を有していてもよい。

具体的には、トリメチルシリル基、トリェチルシリル基、トリプロビルシリル基、トリーイソプロビルシリル基、ジメチルーイソプロビルシリル基、ジェチル—イソプロピルシリル基、 t一プチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、へキシルジメチルシリル基、へプチルジメチルシリル基、ォクチルジメチルシリル基、 2—ェチルへキシル—ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、 3， 7—ジメチルォクチルージメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フエ二ルー C , ~ C _{1 2}アルキルシリル基、 C , ~ C アルコキシフエニル一 C ,〜 C , ₂アルキルシリル基、〜じ^ァルキルフェニルー^〜？ァルキルシリル基、 1一ナフチル— C , ~ C , ₂アルキルシリル基、 2—ナフチルー C ,〜C _{1 2}アルキルシリル基、フエニル— C ,〜 C , ₂アルキルジメチルシリル基、トリフエニルシリル基、トリー p—キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフエニルメチルシリル基、 tーブチルジフエニルシリル基、ジメチルフエ二ルシリル基などが例示される。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が例示される。

ァシル基は、炭素数が通常 2〜 2 0程度であり、好ましくは炭素数 2〜 1 8であり、その具体例としては、ァセチル基、プロピオニル基、プチリル基、イソプチリル基、ピバロィル基、ベンゾィル基、トリフルォロアセチル基、ペン夕フルォロベンゾィル基などが例示される。

ァシルォキシ基は、炭素数が通常 2〜 2 0程度であり、好ましくは炭素数 2 ~ 1 8であり、その具体例としては、ァセトキシ基、プロピオニルォキシ基、プチリルォキシ基、イソプチリルォキシ基、ビバロイルォキシ基、ベンゾィルォキシ基、トリフルォロアセチルォキシ基、ペン夕フルォ口べンゾィルォキシ基などが例示される。

ィミン残基としては、ィミン化合物 (分子内に、一 N = C -を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらの N上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物があげられる）から水素原子 1個を除いた残基があげられ、通常炭素数 2〜 2 0程度であり、好ましくは炭素数 2〜 1 8である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。

ァミド基は、炭素数が通常 2〜 2 0程度であり、好ましくは炭素数 2〜 1 8であり、その具体例としては、ホルムアミド基、ァセトアミド基、プロピオアミド基、プチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルォロアセトアミド基、ペンタフルォ口べンズアミド基、ジホルムアミド基、ジァセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルォロアセトアミド基、ジペンタフルォ口べンズアミド基などが例示される。

酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が 4 ~ 2 0程度であり、具体的には以下に示す基などが例示される

1価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子 1個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常 4〜 6 0程度であり、好ましくは 4〜 2 0である。 1価の複素環基の中では、 1価の芳香族複素環基が好ましい。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのへテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チェニル基、じ！〜じアルキルチェニル基、ピ口リル基、フリル基、ピリジル基、 ^ ~〇, ₂アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チェニル基、 ,〜。, ₂アルキルチェニル基、ピリジル基、アルキルピリジル基が好ましい。

置換カルボキシル基は、アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基又は 1価の複素環基で置換されたカルボキシル基をいい、炭素数が通常 2 ~ 6 0程度であり、好ましくは炭素数 2〜4 8であり、その具体例としては、メトキシカルポニル基、エトキシカルポニル基、プロポキシカルポニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルポニル基、 t一ブトキシカルポニル基、.ペンチルォキシカルポニル基、へキシロキシカルボ二ル基、シクロへキシロキシカルポニル基、ヘプチルォキシカルポニル基、ォクチルォキシカルポニル基、 2—ェチルへキシロキシカルポニル基、ノニルォキシカルポニル基、デシロキシカルポニル基、 3 , 7—ジメチルォクチルォキシカルボ二ル基、ドデシルォキシカルポニル基、トリフルォロメトキシカルボニル基、ペン夕フルォロエトキシカルポニル基、パーフルォロブトキシカルポニル基、パーフルォ口へキシルォキシカルボニル基、パーフルォロォクチルォキシカルポニル基、フエノキシカルポニル基、ナフトキシカルポニル基、ピリジルォキシカルボ二ル基、などが挙げられる。なお該アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基又は 1価の複素環基は置換基を有していてもよい。上記置換力ルポキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。

上記式（I ) 中、 R,と R₂が互いに結合して環を形成する場合、その環としては、置換基を有していてもよい C₄〜C ,。のシクロアルキル環、置換基を有していてもよい C₄ 〜 C ,。のシクロアルケニル環、置換基を有していてもよい C ₆ ~ C , ₄の芳香族炭化水素環または置換基を有していてもよい C₆〜C，₄の複素環が例示される。

シクロアルキル環としては、シクロブタン、シクロペンタン、シクロへキサン、シク口ヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカンなどが例示される。

シクロアルケニル環としては、二重結合を 1つ以上するものを含みその具体例としては、シクロへキセン環、シクロへキサジェン環、シクロォクタトリェン環などが例示される。

芳香族炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が例示される。

複素環としてはフラン環、テトラヒドロフラン環、チォフェン環、テトラヒドロチォフェン環、インドール環、テトラヒドロインドール環、イソキノリン環、ピリジン環、チアゾール環、ォキサゾール環が例示される。

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（I ) で示される繰返し単位の中では、下記式（I V) で示される繰返し単位が好ましい。

〔上記式（I V) 中、 R₇および R₈はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 R₇と R₈は互いに結合して環を形成していてもよく、 R₉および R,。はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチォ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリ一ルアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 eおよび fはそれぞれ独立に、 0 ~ 3から選ばれる整数を表す。 R₉および R _{1 D}がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基および置換力ルポキシル基の定義、具体例等は、前記 R,、 R₂におけるそれらの定義、具体例等と同じである。

本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、 R₇、 R₈、 R₉および R,。はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基または 1価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基またはァリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基またはァリールォキシ基であることがさらに好ましく、アルキル基またはァリール基であることが、最も好ましい。

上記式（I V) 中、 R₇と R₈が互いに結合して環を形成する場合、その環としては、置換基を有していてもよい C₄〜C _{I ()}のシクロアルキル環、置換基を有していてもよい〜。のシクロアルケニル環、置換基を有していてもよい C₆~C₁₄の芳香族炭化水素環または置換基を有していてもよい C₆〜C_I4の複素環が例示される。

シクロアルキル環、シクロアルケニル環、芳香族炭化水素環および複素環としては前記（I) の場合と同様の環が例示される

原料モノマーの合成の容易さの観点から、 eおよび fは 0または 1であることが好ましく、 eおよび fが 0であることが最も好ましい。

上記式（I) で示される繰返し単位の具体例としては、下記式（I

0) で示される繰返し単位があげられる。

〔上記式（I I ) 中、 R_{N 1}はアルキル基を表し、 R₅および R₆はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチォ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 cおよび dはそれぞれ独立に、 0〜3から選ばれる整数を表す。 R₅および R₆ がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記 R ,、 R₂におけるそれらの定義、具体例等と同じである。次に、原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（I I ) で示される繰返し単位は、下記式（V) で示される繰返し単位であることが好ましい。

(V)

〔上記式（V) 中、 R_{N 2}はアルキル基を表し、 R_nおよび R_{1 2}はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチォ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリ一ルアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 gおよび hはそれぞれ独立に、 0〜 3から選ばれる整数を表す。 R_Mおよび R _{1 2}がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、上記式（V) 中、 R_M および R , ₂はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基または 1価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基またはァリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基またはァリールォキシ基であることがさらに好ましく、アルキル基またはァリール基であることが、最も好ましい。

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（V) 中、 gおよび hは 0または 1 であることが好ましく、 gおよび hが 0であることが最も好ましい。

上記式（I I ) で示される繰返し単位の具体例としては、下記式（I I一 1 ) 〜（I 1—8 ) で示される繰返し単位があげられる。

さらに本発明の高分子化合物は、上記（I ) 、

示される繰返し単位を有する。

(ΙΠ) 〔上記式（I I I ) 中、 A rは 2価の縮合多環式炭化水素基、下記式（V I ) で示される基または下記式（X) で示される基を表す。〕

〔上記式（V I ) 中、 Α τ A r ₂および A r ₃はそれぞれ独立に、ァリ一レン基または 2価の複素環基を表し、 A r ₄および A r ₅はそれぞれ独立に、ァリール基または 1価の複素環基を表し、 Xは 0または 1を表す。〕

(X)

〔上記式（X) 中、 A r ₇および A r ₈はそれぞれ独立に、ァリ一レン基または 2価の複素環基を表し、 R_{2 2}は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 nは 0〜 2から選ばれる整数を表し、 yおよび z はそれぞれ独立に 0〜2から選ばれる整数を表す。 R_{2 2}、 A r ₇および A r ₈がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

式（I I I )における 2価の縮合多環式炭化水素基とは、縮合多環式炭化水素から水素原子 2個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。

置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基または二ト口基が挙げられる。

2価の縮合多環式炭化水素基における置換基を除いた部分の炭素数は、通常 1 0 ~ 5 0程度であり、 2価の縮合多環式炭化水素基の置換基を含めた全炭素数は、通常 1 0〜 1 5 0程度である。

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基および置換力ルポキシル基としては前記と同様の基があげられる。

ここに 2価の縮合多環式炭化水素基としては、直線的にオルト縮合した 2価の基（下式（ I I I— A)〜（I I I— D) ) 、直線的なオルト縮合以外のオルト縮合を含む 2 価の基（下式（I I I— E)〜（I I I一 K) ) 、オルトペリ縮合を含む 2価の基（下式（I I I一 L )〜（I I I一 Q) ) 及び 4員環、 7員環及び 8員環を含む 2価の基（下式（I I I— R)〜（I I I— U) ) があげられる。

(III-A) (ΠΙ-Β) (III-C)

(III-D)

(ΙΠ-L) (III-M) (III-N)

(III-R) (III-S) (III-T)

(III-U)

2価の縮合多環式芳香族炭化水素基としては、下記式（I I I一 1) ) で示される基があげられる。

(III-7) (ΙΠ-8) 式（I I I )における、上記式（V I )および（X) においてァリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子 2個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環 2個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。ァリ一レン基は置換基を有していてもよい。置換基の種類は特には限定されないが、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性等の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基が好ましい。

ァリ一レン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常 6 ~ 6 0程度であり、好ましくは 6〜2 0である。また、ァリ一レン基の置換基を含めた全炭素数は、通常 6〜 1 0 0程度である。ァリーレン基としては、フエ二レン基（例えば、下式 1〜3) 、ナフタレンジィル基 (下式 4〜13) 、アントラセン—ジィル基（下式 14〜19) 、ビフエ二ル—ジィル基（下式 20〜25) 、ターフェ二ルージィル基（下式 26〜28) 、縮合環化合物基 (下式 29〜35) 、フ^/オレン一ジィル基（下式 36〜38) 、ベンゾフルオレン一ジィル（下式 39 ~ 46 ) などが例示される。

2 3

また、 2価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子 2個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。

ここに複素環ィ匕合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのへテロ原子を環内に含むものをいう。 2価の複素環基の中では、 2価の芳香族複素環基が好ましい。置換基の種類は特には限定されないが、溶解性、蛍光特性、合成め行いやすさ、素子にした場合の特性等の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリ —ルアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基が好ましい。

2価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常 3〜 60程度である。また、 2価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常 3~100程度である。

2価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。

ヘテロ原子として、窒素を含む 2価の複素環基：ピリジン一ジィル基（下式 101〜 106) 、ジァザフエ二レン基（下式 107〜110) 、キノリンジィル基（下式 11 1-125) 、キノキサリンジィル基（下式 126〜： 130) 、ァクリジンジィル基 ( 下式 131〜134) 、ビビリジルジィル基（下式 135〜： L 37) 、フエナントロリンジィル基（下式 138~140) 。

ヘテロ原子として酸素、ケィ素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下式 14；！〜 155) 。

ヘテロ原子として酸素、ゲイ素、窒素、硫黄、セレン、ホウ素、リンなどを含む 5員環複素環基（下式 156〜： 175) 。

ヘテロ原子として酸素、ケィ素、窒素、セレンなどを含む 5員環縮合複素基（下式 1 76〜： 187) 。

ヘテロ原子として酸素、ケィ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む 5員環複素環基でそのへテロ原子の α位で結合し 2量体やオリゴマーになっている基（下式 188〜189 ) ₀

ヘテロ原子として酸素、ケィ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む 5員環複素環基でそのへテロ原子の α位でフエニル基に結合している基（下式 190〜196) 。

へテ13原子として酸素、窒素、硫黄、セレンなどを含む 5員環縮合複素環基にフエ二ル基ゃフリル基、チェニル基が置換した基（下式 197〜202) 。

ヘテロ原子として酸素、窒素などを含む 6員環複素環基（下式203〜206) 。 n

104



30

6C0S90/.00Zdf/X3d .909Ϊ0/800Ζ OAV 6

203 204 205 206 上記式（1〜4 6、 1 0 1〜2 0 6 ) 中、 Rは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表す。

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリ一ルォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、アシ^/ォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基および置換力ルポキシル基の定義、具体例等は、前記 Rい R₂におけるそれらの定義、具体例等と同じである。

発光効率を向上させる観点から、上記式（I I I ) で示される繰返し単位は、上記式 (V I ) で示される繰返し単位であることが好ましい。

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（V I ) 中、 A r ₂および A r ₃は、ァリ一レン基であることが好ましく、フエ二レン基（例えば、上記式（1〜3 ) ) 、ナフタレンジィル基（例えば、上記式（4〜1 3 ) ) またはアントラセンジィル基（例えば、上記式（14〜19) ) で示される基であることがより好ましく、フエ二レン基またはナフ夕レンジィル基であることがさらに好ましく、フエ二レン基であることが最も好ましい。

原料モノマーの合成の容易さの観点から、 A r₄および A r₅はァリール基であることが好ましく、フエニル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントラセニル基、 2—アントラセニル基または 9—アントラセニル基であることがより好ましく、フエ二ル基、 1一ナフチル基または 2—ナフチル基であることがさらに好ましい

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（VI) で示される繰返し単位は、下記式（V I I) で示される繰返し単位であることが好ましい。

〔上記式（V I I) 中、 Ar₆は、ァリ一レン基または 2価の複素環基を表し、 R_l3、 R₁₄、 R, ₅および R_l6はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールァルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 iおよび：) 'はそれぞれ独立に 0 ~4から選ばれる整数を表し、 kおよび 1はそれぞれ独立に 0~ 5から選ばれる整数を表す。 R,₃、 R_l4、 R, ₅および R, ₆がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

ァリ一レン基、 2価の複素環基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリ一ルアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、ァミド基、酸イミド基、 1価の複素環基および置換力ルポキシル基の定義、具体例等は、前記 R,、 R₂におけるそれらの定義、具体例等と同じである。

本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、上記式（VI I) 中、 R₁₃、 R₁₄、 R，₅および R_l6はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチォ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基.、ァリールアルキル基、ァリ —ルアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基または 1価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基またはァリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基またはァリールォキシ基であることがさらに好ましく、アルキル基またはァリール基であることが、最も好ましい。

さらに原料モノマーの合成の容易さの観点から、 R, ₅および R_l6はアルキル基であることが好ましい。

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（V I I) 中、 iおよび jは 0または 1であることが好ましく、 0であることが最も好ましい。

本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、上記式（V I I) 中、 kおよび 1は 0〜 3から選ばれる整数であることが好ましく、 1〜3から選ばれる正の整数であることがより好ましい。

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（V I I) 中、 A r₆はァリ一レン基であることが好ましく、上記式（1、 2、 4、 12、 13、 14、 16、 17、 19 、 20、 23、 26、 27、 29〜33、 36， 39、 43または 45) で示される基であることがさらに好ましい。

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（VI I) 中、 Ar₆が下記式（V I I I) で示される 2価の基であることが好ましい。

(VIII)

〔上記式（VI I I) 中、 R_l7、 R_l8、 R₁₉および R_2Qはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸ィミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニト口基を表し、尺,₇と！ ,₈、 R_l9と R₂₍₎は互いに結合し環を形成していてもよい。〕アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ —ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記 Rい R₂におけるそれらの定義、具体例等と同じである。

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（V I I I) 中、 R, ₇、 R,₈、 R₁₉ および R₂₍₎はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールァルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基または 1価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基またはァリ一ルアルキルチオ基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基またはァリールォキシ基であることがさらに好ましく、水素原子またはアルキル基であることが最も好ましい。

また発光効率を向上させる観点から、 R₁₇と R₁₈、 R_l9と R₂。は互いに結合し環を形成していることが好ましい。上記式（V I I I) 中、 R_l7と R,₈、 R,₉と R₂。が環を形成する場合、その環としては、置換基を有していてもよい C₄〜C_1Qのシクロアルキル環、置換基を有していてもよい C₄〜C,。のシクロアルケニル環、置換基を有していてもよい C₆〜C，₄の芳香族炭化水素環または置換基を有していてもよい C₆〜C，₄の複素環が例示される。

なかでも原料モノマーの合成の容易さの観点から、置換基を有していてもよい C₆〜 C , ₄の芳香族炭化水素環または置換基を有していてもよい C₆〜C_I4の複素環が好ましく、置換基を有していてもよい C₆〜C_Mの芳香族炭化水素環であることがより好ましい。

シクロアルキル環、シクロアルケニル環、芳香族炭化水素環および複素環としては前記（I) の場合と同様の環が例示される。

発光効率を向上させる観点から、上記式（VI I I) で示される 2価の基が下記式（ I X) で示される 2価の基であることが好ましい。

(IX)

〔上記式（I X) 中、 R₂₁は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 mは 0〜 8から選ばれる整数を表す。 R_2I が複個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基および置換力ルポキシル基の定義、具体例等は、前記 R ,、 R₂におけるそれらの定義、具体例等と同じである。

さらに原料モノマ一の合成の容易さの観点から、上記式（V I I ) 中、 A r ₆が下記式（X I V) で示される 2価の基であることが好ましい。

〔上記式（X I V) 中、 R_{2 5}および R_{2 6} はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 Qおよび r はそれぞれ独立に 0〜4から選ばれる整数を表す。 R_{2 5}および R_{2 6}がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、上記式（I X) 中、 R _{2 1}はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリ —ルォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基または 1価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基またはァリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、ァリ一ル基またはァリ一ルォキシ基であることがさらに好ましく、アルキル基またはァリール基であることが最も好ましい。

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（I X) 中、 mは 0〜4から選ばれる整数であることが好ましく、 0〜2から選ばれる整数であることがより好ましく、 0 であることがさらに好ましい。

上記式（V I ) で示される繰返し単位の具体例としては、下記式（I I I一 9 ) 〜（ I I 1 - 2 0 ) で示される繰返し単位があげられる。

(ΙΠ-19) (ΙΠ-20) また、発光効率を向上させる観点から、上記式（I I I) で示される繰返し単位は、上記式（X) で示される繰返し単位であることが好ましい。

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（X) 中、 ηは 0であることが好ましい。

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（X) 中、 yおよび ζはそれぞれ独立に、 0または 1であることが好ましい。

発光効率を向上させる観点から、上記式（X) 中、 A r₇および A r₈は 2価の複素環基であることが好ましい。発光効率を向上させる観点から、八1" ₇ぉょび 1" ₈は、下記式（X I ) で示される 2 価の基であることが好ましい。

(XI)

〔上記式（X I ) 中、 R_{2 3}は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 oは 0 ~ 2から選ばれる整数を表す。 R_{2 3} が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、上記式（X I ) 中、 R _{2 3}は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基または 1価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基またはァリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基またはァリールォキシ基であることがさらに好ましく、アルキル基またはァリール基であることが最も好ましい。

原料モノマーの合成の容易さの観点から上記式（X I ) 中、 oは 0または 1であることが好ましい。

上記式（X) で示される繰返し単位の具体例としては、下記式（I I I一 21) 〜（ I I 1 -31) で示される繰返し単位があげられる。

(ΠΙ-21) -22) -23)

(111-30) (111-31) 本発明の高分子化合物は、上記式 U) で示される繰返し単位、上記式（I I) で示される繰返し単位および上記式（I I I) で示される繰返し単位をそれぞれ 2種以上含んでいてもよい。

本発明の高分子化合物は、全繰返し単位中の { (I) + (I I) + (I I I) } の含有量は、通常 50モル％~100モル％の範囲である。

また（I) { (I I) + (I I I) } は通常 1〜20の範囲の値で表され、さらに (I I) Z (I I I) は通常 0. 05〜20の範囲の値で表される。

本発明の高分子化合物は、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点等から、上記（I) 、（1 1) 、（I I I) の繰り返し単位に加え、それ以外の繰り返し単位を 1種類以上含む共重合体であることが好ましい。（I) 、 (1 1) 、（ I I I) 以外の繰り返し単位としては、下記式（A) で示される繰り返し単位を含んでいてもよい。

一 Ar (A)

(式中、 A はそれぞれ独立にァリ一レン基、 2価の複素環基または金属錯体構造を有する 2価の基を示す。）

ァリ一レン基および 2価の複素環基としては上記と同様の基を表す。

ここに金属錯体構造を有する 2価の基としては、具体的には以下の 301〜307が例示される。

301 302 303

307 上記式（301〜307) 中、 Rは前記式（1~46、 101〜 206) における例示と同様である。

上記式（A) で示される繰り返し単位の中では、下記式（B) 、式（C) 、式（D) または式（E) で示される繰り返し単位が好ましい。

(式中、 R_aは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールァルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、. 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基またはニトロ基を示す。 αは 0〜4から選ばれる整数を示す。 R_aが複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

(式中、 R_b及び R_tは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールァルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を示す。 /3および χはそれぞれ独立に 0 〜 3から選ばれる整数を示す。 R_bおよび R_cがそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

(式中、 R_dは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリ一ルァルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を示す。 δは 0 ~ 2の整数を示す。八ぉょび八はそれぞれ独立に、ァリーレン基、 2価の複素環基または金属錯体構造を有する 2価の基を示す。 εおよび Φはそれぞれ独立に 0または 1を示す。 Ζ ,は、〇、 S〇、 S〇₂、 S e、または Teを示す。 R_dが複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

(式中、 R_eおよび R_fは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基またはニトロ基を示す。ァおよびはそれぞれ独立に 0~4から選ばれる整数を示す。 Z₂は、〇、 S、 S0₂、 Se、 Te、 N— R_gまたは S i R_hRiを示す。 Z₃および Z₄は、それぞれ独立に Nまたは C一 Rjを示す。 R_g、 R „, Riおよびはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ァリール基、ァリールァルキル基または 1価の複素環基を示す。 R_eおよび R_fがそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

式（E) で示される繰り返し単位の中央の 5員環の例としては、チアジアゾール、ォキサジァゾ一ル、トリァゾ一ル、チォフェン、フラン、シロールなどが挙げられる。本発明の高分子化合物として具体的には、下記式（X I I) で示される高分子化合物があげられる。

(XII)

〔上記式（X I I) 中、 R,、 R₂、 R₃、 R₄、 R₅、 Rい R_Nい Ar,、 Ar₂、 A r₃ 、 Ar₄、 Ar₅、 a、 b、 c、 dおよび xの定義および好ましい例については前記と同様である。 uは 50〜95の範囲の値、 Vは 1〜20の範囲の値、 wは 1〜20の範囲の値であり、 u + v+w= 100であり、 (v+w) は 1〜20の範囲の値であり、 v/wは 0. 05〜20の範囲の値である。上記式（X I I) で示される高分子化合物は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれであってもよい。 ]

また本発明の高分子化合物は、素子の寿命特性の観点から、ポリスチレン換算の数平均分子量が 10³〜10⁸であることが好ましく、 10³〜10⁷であることがより好ましく、 10⁴〜10⁷であることがさらに好ましい。

ここで、数平均分子量及び重量平均分子量については、サイズェクスクルージョンク口マトグラフィー（SEC) (島津製作所製： LC— 10 Av p) によりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。測定する重合体は、約 0. 5wt% の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、 GPCに 30 / L注入した。 GP Cの移動相はテトラヒドロフランを用い、 0. 6mLZm i nの流速で流した。カラムは、 TSKge l S u p e r HM— H (東ソ一製） 2本と TSKg e 1 Supe r H2000 (東ソ一製） 1本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製： R I D— 10 A) を用いた。

また、本発明の高分子化合物は、交互、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばプロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光又はりん光の量子収率の高い高分子発光体を得る観点からは、完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体ゃブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が 3つ以上ある場合ゃデンドリマ一も含まれる。

また、本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素一炭素結合を介してァリール基又は複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平 9一 45478号公報の化 10に記載の置換基等が例示される。

本発明の高分子化合物に対する良溶媒としては、クロ口ホルム、塩化メチレン、ジクロロェタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、 n—ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に高分子ィ匕合物を 0. 1重量％以上溶解させることができる。次に本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。

例えば、 Υ,—A— Y₂で示される化合物を原料の一つとして用い、これを縮合重合させることにより本発明の高分子化合物を製造することができる。（式中、一 A—は上記式（I) 、 (I I) または（I I I) で示される繰返し単位を表す。 Y,及び Y₂はそれぞれ独立に縮合重合可能な置換基を示す。）

また、本発明の高分子化合物が、 —Α—以外の繰り返し単位を有する場合には、 — A 一以外の繰り返し単位となる、 2個の縮合重合に関与する置換基を有する化合物を共存させて縮合重合させればよい。

一 A—で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位となる、 2個の縮合重合可能な置換基を有する化合物としては、 Y₃— Ar_a—Y₄の化合物が例示される（式中、八は前記と同じである。 Y₃及び Y₄はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を示す。） — A— Υ₂で示される化合物に加えて、 Υ₃— A r_a— Ϋ₄で示される化合物を縮合重合させることにより本発明の高分子化合物を製造することができる。

また、上記式（I) 、（I I) または（I I I) で示される繰返し単位以外の繰り返し単位となる上記式（D) に対応する 2個の重合縮合に関与する置換基を有する化合物としては、下記式（Η) で示される化合物が挙げられる。

(式中、 Ar_b、 Ar_c、 Z,、 R_d、 δ、 εおよび φの定義については前記と同じ。 Υ₅および Υ₆はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を示す。）

本発明の製造方法において、縮合重合に関与する置換基（Υ,、 Υ₂、 Υ₃、 Υ₄、 Υ₅ および Υ₆) としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリ一ルスルホネート基、ァリールアルキルスルホネート、ホウ酸エステル基、スルホニゥムメチル基、ホスホニゥムメチル基、ホスホネ一トメチル基、モノハロゲン化メチル基、一 B (OH ) ₂、ホルミル基、シァノ基またはビニル基等が挙げられる。

ここに、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が挙げられる。

アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、ェタンスルホネート基、トリフルォロメタンスルホネ一ト基などが例示され、ァリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、 p—トルエンスルホネート基などが例示され、ァリ一ルスルホネ一ト基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。

ホウ酸エステル基としては、下記式で示される基が例示される。

(式中、 Meはメチル基を、 E tはェチル基を示す。）

スルホニゥムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。

— CH₂ S + Me₂X-、 — CH₂ S⁺ Ph₂X-

(Xはハロゲン原子を示し、 Phはフエ二ル基を示す。）

ホスホニゥムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。

— CH₂P⁺Ph₃X- (Xはハロゲン原子を示す。）

ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。

-CH₂ PO (OR' ) ₂

(Xはハロゲン原子を示し、 R' はアルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基を示す。 )

モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩ィ匕メチル基、臭化メチル基またはヨウ化メチル基が例示される。 - 縮合重合に関与する置換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが、例えば Yamamo t oカップリング反応など 0価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリールスルホネ一ト基またはァリールアルキルスルホネ一ト基が挙げられる。また S u z u k iカツプリング反応などニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル基、一 B (OH) ₂などが挙げられる。

本発明の製造は、具体的には、モノマーとなる、縮合重合に関与する置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で行うことができる。例えば、 "オルガ二ックリアクションズ（Or gan i c Re ac t i on s) " ，第 14巻， 270— 490 頁，ジョンワイリーアンドサンズ（J ohn Wi l ey&Son s, I nc. ) ， 1965年、 "オルガニックシンセシス（O r g a n i c Syn t he s e s) " ，コレクティブ第 6巻（Co l l e c t i ve Vo l ume V I) , 407-4 11頁，ジョンヮイリ一アンドサンズ（J ohn Wi l ey&Son s, I n c . ) , 1988年、ケミカルレビュー（Chem. Rev. ) , 第 95巻， 2457 頁（1995年）、ジャーナルォブオルガノメタリックケミストリー（J. Or ganome t. Chem. ) ，第 576巻， 147頁（1999年）、マクロモレキユラ一ケミストリーマクロモレキュラーシンポジウム（Ma k r omo 1. Ch em. ， Mac r omo 1. Symp. ) , 第 12巻， 229頁（1987年）などに記載の公知の方法を用いることができる。

本発明の高分子化合物の製造方法において、縮合重合に関与する置換基に応じて、既知の縮合反応を用いることができる。

例えば該当するモノマーを、 S u z u k iカツプリング反応により重合する方法、 G r i gn a r d反応により重合する方法、 N i (0) 錯体により重合する方法、 FeC 1₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、または適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。

これらのうち、 S u z u k iカップリング反応にょり重合する方法、 Gr i gna r d反応により重合する方法、及びニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基（Υ,、 Υ₂、 Υ₃、 Υ₄、 Υ₅および Υ₆ ) がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリールスルホネート基又はァリールアルキルスルホネ一ト基から選ばれ、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。

原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（ァリ一ルスルホネート）化合物、ビス（ァリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン—アルキルスルホネート化合物、ハロゲン一ァリ一ルスルホネート化合物、ハロゲンーァリールアルキルスルホネ一ト化合物、アルキルスルホネ一トーァリ一ルスルホネート化合物、アルキルスルホネートーァリールアルキルスルホネート化合物、およびァリ一ルスルホネ一トーァリ一ルアルキルスルホネート化合物が挙げられる。この場合、例えば原料化合物としてハロゲン—アルキルスルホネート化合物、ハロゲンーァリールスルホネート化合物、ハロゲンーァリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネ一トーァリ一ルスルホネート化合物、アルキルスルホネ一トーァリールアルキルスルホネ一ト化合物、又はァリ一ルスルホネ一トーァリールアルキルスルホネート化合物を用いることにより、シーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。

また、本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基（Υ,、 Υ₂、 Υ₃、 Υ₄、 Υ₅および Υ₆ ) がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリールスルホネート基、ァリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、又はホウ酸エステル基から選ばれ、全原料化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリールスルホネート基及びァリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（J ) と、ホウ酸基（一 Β (Ο Η) ₂ ) 及びホウ酸エステル基のモル数の合計（Κ) の比が実質的に 1

(通常 KZ J は 0 . 7〜1 . 2の範囲）であり、ニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。

具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（ァリールスルホネート）化合物又はビス（ァリールアルキルスルホネー卜）化合物とジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。 ' また、ノ、ロゲン一ホウ酸化合物、ハロゲン一ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート一ホウ酸化合物、アルキルスルホネート一ホウ酸エステル化合物、ァリールスルホネート」ホウ酸化合物、ァリールスルホネート—ホウ酸エステル化合物、ァリールァルキルスルホネートーホウ酸化合物、ァリ一ルアルキルスルホネ一ト—ホウ酸化合物、ァリールアルキルスルホネート—ホウ酸エステル化合物が挙げられる。

この場合、例えば原料化合物としてハロゲン—ホウ酸化合物、ハロゲン—ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート一ホウ酸化合物、アルキルスルホネート一ホウ酸ェステル化合物、ァリールスルホネート—ホウ酸化合物、ァリ一ルスルホネート一ホウ酸エステル^合物、ァリールアルキルスルホネート一ホウ酸化合物、ァリールアルキルスルホネート一ホウ酸化合物、ァリールアルキルスルホネート一ホウ酸エステル化合物を用いることにより、シーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気下で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、 S u z u k i力ップリング反応のような水との 2相系での反応の場合にはその限りではない。

溶媒としては、ペンタン、へキサン、ヘプタン、オクタン、シクロへキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、ェチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロ口ホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロぺンタン、ブロモペンタン、クロ口へキサン、プロモへキサン、クロロシクロへキサン、ブロモシクロへキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロ口ベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロ口ベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブ夕ノール、 t—ブチルアルコールなどのアルコ —ル類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルェ一テル、ジェチルエーテル、メチル一 t一ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジォキサンなどのエーテル類、トリメチルァミン、トリェチルァミン、 N， N， N ' , Ν ' ーテトラメチルエチレンジァミン、ピリジンなどのアミン類、 Ν， Ν—ジメチルホルムアミド、 Ν， Ν—ジメチルァセトアミド、 Ν， Ν—ジェチルァセトアミド、 Ν—メチルモルホリンォキシドなどのアミド類などが例示される。これらの溶媒ほ単一で、又は混合して用いてもよい。これらの中で、エーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジェチルェ一テルがさらに好ましい。

反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリ又は触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加する力逆にアル力リ又は触媒の溶液に反応液をゆつくりと添加する方法が例示される。

本発明の高分子化合物を高分子 L E D等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純ィ匕処理をすることが好ましい。

本発明の組成物は、本発明の高分子化合物を含む組成物であり、

正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも 1種類の材料と、本発明の高分子化合物の少なくとも 1種類とを含有することを特徴とする組成物、本発明の高分子化合物を少なくとも 2種類含有することを特徴とする組成物等があげられる。

本発明の液状組成物は、高分子発光素子等の発光素子や有機トランジスタの作製に有用である。液状組成物は、前記高分子化合物と溶媒とを含んでなるものである。本明細書において、「液状組成物」とは、素子作製時において液状であるものを意味し、典型的には、常圧（即ち、 1気圧）、 25でにおいて液状のものを意味する。また、液状組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。

本発明の液状組成物は、前記高分子化合物以外に、低分発^ ά材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、安定剤、粘度及び Ζ又は表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤等を含んでいてもよい。これらの任意成分は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

本発明の液状組成物が含有してもよい低分子蛍光材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン、アントラセン誘導体、ペリレン、ペリレン誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シァニン系色素、 8—ヒドロキシキノリンの金属錯体を配位子として有する金属錯体、 8—ヒド口キシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族ァミン、テトラフエ二ルシク口ペン夕ジェン、テトラフエニルシクロペン夕ジェン誘導体、テトラフエ二ルシクロブタジェン、テトラフエニルシクロブタジエン誘導体、スチルベン系、含ケィ素芳香族系、ォキサゾール系、フロキサン系、チアゾ一ル系、テトラァリールメタン系、チアジアゾ一ル系、ピラゾール系、メタシクロフアン系、アセチレン系等の低分子化合物の蛍光性材料が挙げられる。具体的には、例えば、特開昭 57- 51781号公報、特開昭 59- 194393 号公報等に記載されているもの、公知のものが挙げられる。

'本発明の液状組成物が含有してもよい正孔輸送材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族ァミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、ァリールァミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフエ二ルジァミン誘導体、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフエン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（p—フエ二レンビニレン）及びその誘導体、ポリ（2， 5—チェ二レンビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。本発明の液状組成物が含有してもよい電子輸送材料としては、例えば、ォキサジァゾ —ル誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシァノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルォレノン誘導体、ジフエ二ルジシァノエチレン及びその誘導体、ジフエノキノン誘導体、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。

本発明の液状組成物が含有してもよい安定剤としては、例えば、フエノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。

本発明の液状組成物が含有してもよい粘度及び/又は表面張力を調節するための添加剤としては、例えば、粘度を高めるための高分子量の化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用すればよい。

前記の高分子量の化合物としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、通常、液状組成物の溶媒に可溶性のものである。高分子量の化合物としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができ

-る。前記の高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は 50万以上が好ましく、 100万以上がより好ましい。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。本発明の液状組成物が含有してもよい酸化防止剤としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、組成物が溶媒を含む場合には、通常、該溶媒に可溶性のものである。酸化防止剤としては、フエノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が例示される。酸化防止剤を用いることにより、前記高分子化合物、溶媒の保存安定性を改善し得る。

本発明の液状組成物が正孔輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の正孔輸送材料の割合は、通常、 1重量％〜80重量％であり、好ましくは 5重量％〜60重量％である。本発明の液状組成物が電子輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の電子輸送材料の割合は、通常、 1重量％〜80重量％であり、好ましくは 5重量％〜60重量％である。

高分子発光素子の作製の際に、この液状組成物を用いて成膜する場合、該液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上非常に有利である。なお、乾燥の際には、 50〜150 程度に加温した状態で乾燥してもよく、また、 10—³ P a程度に減圧して乾燥させてもよい。

液状組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバ —コート法.、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キヤビラリコ —ト法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジエツトプリント法、ノスリレコート法等の塗布法を用いること'ができる。

液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、 1重量％~99 . 9重量％であり、好ましくは 60重量％〜99. 9重量％であり、さらに好ましく 90重量％〜99. 8重量％でぁる。液状組成物の粘度は印刷法によって異なるが、 25 において 0. 5 〜500mPa · sの範囲が好ましく、インクジェットプリント法等、液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が 25 でにおいて 0. 5〜20mPa · sの範囲であることが好ましい。

液状組成物に含まれる溶媒としては、該液状組成物中の該溶媒以外の成分を溶解又は分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロ口ホルム、塩化メチレン、 1， 2— ジクロロェタン、 1 , 1， 2—トリクロロェタン、クロ口ベンゼン、 0—ジクロ口ベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジォキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロへキサン、メチルシクロへキサン、 n—ペンタン、 n—へキサン、 n—ヘプタン、 n—ォクタン、 n—ノナン、 n—デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン、シクロへキサノン等のケトン系溶媒、酢酸ェチル、酢酸ブチル、メチルベンゾェ —ト、ェチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、ェチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコ一ルモノェチルエーテル、エチレングリコ一ルモノメチルエーテル、ジメトキシェタン、プロピレングリコール、ジェトキシメタン、トリエチレングリコールモノェチルエーテル、グリセリン、 1 , 2—へキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノ一ル、イソプロパノール、シクロへキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、 N—メチル—2—ピロリドン、 N, N—ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、 1種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも 1個以上含む構造を有し、かつ融点が 0で以下、沸点が 100で以上である有機溶媒を 1種類以上含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。

溶媒の種類としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、ェステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、ェチルベンゼン、ジェチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、 n—プロピルベンゼン、 i—プロピルベンゼン、 n—ブチルベンゼン、 i —ブチルベンゼン、 s —ブチルベンゼン、ァニソール、エトキシベンゼン、 1—メチルナフタレン、シクロへキサン、シクロへキサノン、シクロへキシルベンゼン、ビシクロへキシル、シクロへキセニルシクロへキサノン、 n—ヘプチルシクロへキサン、 n—へキシルシクロへキサン、メチルベンゾェ一ト、 2 —プロビルシクロへキサノン、 2—ヘプ夕ノン、 3—ヘプ夕ノン、 4一へプタノン、 2 一才クタノン、 2—ノナノン、 2—デカノン、ジシクロへキシルケトンが好ましく、キシレン、ァニソ一ル、メシチレン、シクロへキシルベンゼン、ビシクロへキシルメチルベンゾェ一トのうち少なくとも 1種類を含むことがより好ましい。

液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、 2種類以上であることが好ましく、 2〜3種類であることがより好ましく、 2種類であることがさらに好ましい。

液状組成物に 2種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの 1種類の溶媒は 25でにおいて固体状態でもよい。成膜性の観点から、 1種類の溶媒は沸点が 180で以上のものであり、他の 1種類の溶媒は沸点が 180で未満のものであることが好ましく、 1種類の溶媒は沸点が 200で以上のものであり、他の 1種類の溶媒は沸点が 180で未満のものであることがより好ましい。また、粘度の観点から、 60でにおいて、液状組成物から溶媒を除いた成分の 2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、 2種類の溶媒のうちの 1種類の溶媒には、 25でにおいて、液状組成物から溶媒を除いた成分の 0. 2重量％以上が溶解することが好ましい。

液状組成物に 3種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの 1〜2種類の溶媒はにおいて固体状態でもよい。成膜性の観点から、 3種類の溶媒のうちの少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 180で以上の溶媒であり、少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 180で以下の溶媒であることが好ましく、 3種類の溶媒のうちの少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 200 t:以上 300で以下の溶媒であり、少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 180で以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、 3種類の溶媒のうちの 2種類の溶媒には、 60でにおいて、液状組成物から溶媒を除いた成分の 0. 2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、 3種類の溶媒のうちの 1種類の溶媒には、 25 において、液状組成物から溶媒を除いた成分の 0. 2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましい。

液状組成物に 2種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物に含まれる全溶媒の重量の 40~90重量％であることが好ましく、 50~90重量％であることがより好ましく、 65〜85重量％であることがさらに好ましい。

く用途〉

本発明の高分子化合物は、発光材料として用いることができるだけでなく、薄膜、有機半導体材料、有機トランジスタ、光学材料、太陽電池又はドーピングにより導電性材料として用いることもできる。

本発明の薄膜について説明する。この薄膜は、前記高分子化合物を用いてなるものである。薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜等が例示される発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が 50%以上であることが好ましく、 60%以上であることがより好ましく、 70%以上であることがさらに好ましい。

導電性薄膜は、表面抵抗が 1 Κ Ωノロ以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をド一プすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が 100 Ω /口以下であることがより好ましく、 10 Ωノロ以下であることがさらに好ましい。

有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが、好ましくは 10ー⁵ c m² ZVZ秒以上であり、より好ましくは 10— ³ c m² ZVZ秒以上であり、さらに好ましくは 10—¹ c m² ZV/秒以上である。また、有機半導体薄膜を用いて、有機トランジス夕を作製することができる。具体的には、 S i〇₂等の絶縁膜とゲート電極とを形成した S i基板上に有機半導体薄膜を形成し、 A u等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジス夕とすることができる。

次に、有機トランジス夕の一態様である高分子電界効果トランジス夕を説明する。本発明の高分子化合物は、高分子電界効果トランジスタの材料として、中でも活性層として好適に用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。

高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては電界効果トランジス夕としての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。高分子電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平 5- 110069号公報に記載の方法により製造することができる。

活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の高分子化合物を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。有機溶媒可溶性の高分子化合物を溶媒に溶解させてなる溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイア一バーコート法、デイツプコ一ト法、スリットコート法、キャップコート法、キヤビラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

高分子電界効果トランジス夕を作製後、封止してなる封止高分子電界効果トランジス夕が好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界効果トランジスタの特性の低下を抑えることができる。

封止する方法としては、紫外線（UV) 硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機の S i ON x膜等でカバーする方法、ガラス板やフィルムを UV硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で）行うことが好ましい。

次に、有機太陽電池について説明する。有機太陽電池の一態様である有機光電変換素子で、光起電力効果を利用する固体光電変換素子を説明する。

本発明の高分子化合物は、有機光電変換素子の材料として、中でも有機半導体と金属との界面を利用するショットキー障壁型素子の有機半導体層として、また、有機半導体と無機半導体あるいは有機半導体どうしの界面を利用する p nヘテロ接合型素子の有機半導体層として、好適に用いることができる。

さらに、ドナー ·ァクセプ夕一の接触面積を増大させたバルクヘテロ接合型素子における電子供与性高分子、電子受容性高分子として、また、高分子 ·低分子複合系を用いる有機光電変換素子、例えば、電子受容体としてフラ一レン誘導体を分散したバルクへテロ接合型有機光電変換素子の電子供与性共役系高分子（分散支持体）として、好適に用いることができる。

有機光電変換素子の構造としては、例えば、 p nヘテロ接合型素子では、オーム性電極、例えば、 I T O上に、 p型半導体層を形成し、さらに、 n型半導体層を積層し、その上にオーム性電極が設けられていればよい。

有機光電変換素子は、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては有機光電変換素子としての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。

有機光電変換素子は、公知の方法、例えば、 Synth. Me t . , 102, 982 (1999)に記載の方法や Sc i ence, 270, 1789 (1995)に記載の方法により製造することができる。

次に、本発明の高分子発光素子について説明する。

本発明の高分子発光素子は、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ前記高分子化合物を含む発光層とを有するものである。

また、本発明の高分子発光素子としては、（1)陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、（2)陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、 (3)陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。

より具体的には、以下の a) 〜d) の構造が例示される。

a ) 陽極 Z発光層/陰極

b) 陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z陰極

c ) 陽極 Z発光層電子輸送層 Z陰極

d ) 陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層ノ陰極

(ここで、は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）

ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に 2層以上用いてもよい。

また、発光層に隣接した正孔輸送層をインターレイヤ一層と呼ぶ場合もある。

発光層の成膜の方法に制限はないが、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビァコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイア一バーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キヤビラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジエツトプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

高分子発光素子作製の際に、本発明の高分子化合物を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。

発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば、 l n m〜l mであり、好ましくは 2 nm〜500 n mであり、さらに好ましくは 5 nm〜200 n mである。

本発明の高分子発光素子においては、発光層に上記高分子化合物以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本願発明の高分子発光素子においては、上記高分子化合物以外の発光材料を含む発光層が、上記高分子化合物を含む発光層と積層されていてもよい。

前記高分子化合物以外の発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シァニン系等の色素類、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族ァミン、テトラフエエルシクロペン夕ジェン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等を用いることができる。具体的には、例えば、特開昭 57-51781号、同 59- 194393号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。

本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族ァミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、ァリールァミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフエ二ルジァミン誘導体、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（p—フエ二レンビニレン）及びその誘導体、ポリ（2， 5—チェ二レンピニレン）及びその誘導体等が例示される。具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭 63- 70257号公報、同 63- 175860号公報、特開平 2- 135359号公報、同 2- 135361号公報、同 2-209988号公報、同 3 - 37992号公報、同 3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾ一ル及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族ァミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリ（p—フエ二レンピニレン）及びその誘導体、ポリ（2 , 5—チェ二レンビニレン）及びその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族ァミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

ポリビニルカルバゾ一ル及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。

ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル 'レビュー（ em. Rev. ) 第 89巻、 1359頁（1989年）、英国特許 GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッビング法が好適に用いられる。

ポリシロキサン誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダ一との混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロ口ホルム、塩ィ匕メチレン、ジクロロェタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸ェチル、酢酸ブチル、ェチルセルソルプアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイア一バーコ一卜法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キヤビラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。混合する高分子バインダ一としては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダ一として、ポリ力一ポネート、ポリアクリレート、ポリメチルァクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば 1 n m〜l i mであり、好ましくは 2 nm〜 500 n mであり、さらに好ましくは 5 n m〜200 n mである。

本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、ォキサジァゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシァノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルォレノン誘導体、ジフエニルジシァノエチレン及びその誘導体、ジフエノキノン誘導体、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が例示される。具体的には、特開昭 63- 70257号公報、同 63- 175860号公報、特開平 2-135359号公報、同 2- 135361号公報、同 2- 209988号公報、同 3-37992号公報、同 3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。

これらのうち、ォキサジァゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、 2— （4—ビフエ二リル） —5— ( 4— t —ブチルフエニル）一 1 , 3， 4—ォキサジァゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（8—キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び/又は高分子バインダ一を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロ口ホルム、塩化メチレン、ジクロロェタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸ェチル、酢酸プチル、ェチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラピアコート法、グラビアコート法、バ一コート法、ロールコート法、ワイア —バーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キヤビラリコ一卜法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリ（N—ビニルカルバゾ一ル）、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（p—フエ二レンビニレン）及びその誘導体、ポリ（2 , 5 —チェ二レンピニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルァクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚は、例えば、 l n m〜l i mであり、好ましくは 2 n m~500 n mであり、さらに好ましくは 5 n m〜200 n mである。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファ一層を挿入してもよい。

積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜選択すればよい。

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。

例えば、具体的には、以下の e)〜p)の構造が挙げられる。

e) 陽極 Z電荷注入層/発光層/陰極

f) 陽極 Z発光層 Z電荷注入層/陰極

g) 陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層陰極

h) 陽極 Z電荷注入層/正孔輸送層 Z発光層/陰極

i) 陽極 Z正孔輸送層発光層電荷注入層陰極

j ) 陽極 Z電荷注入層正孔輸送層 Z発光層/電荷注入層ノ陰極

k) 陽極/電荷注入層 Z発光層/電荷輸送層陰極

1 ) 陽極 Z発光層電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極

m) 陽極 Z電荷注入層発光層 Z電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極

n) 陽極電荷注入層 Z正孔輸送層発光層電荷輸送層陰極

0 ) 陽極ノ正孔輸送層発光層/電子輸送層電荷注入層陰極

) 陽極/電荷注入層/正孔輸送層発光層ノ電子輸送層電荷注入層陰極電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が例示される。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、 10_ ⁵ S/cm以上 10³ S/cm以下であることが好ましく、発光画素間のリ一ク電流を小さくするためには、 10一⁵ S/cm以上 10² S/cm以下がより好ましく、 10— ⁵ S/cm以上 10¹ S/cm以下がさらに好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を 10—⁵ S/cm以上 10³ S/cm以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをド一プする。

ド一プするイオンの種類は、正孔注入層であればァニオン、電子注入層であればカチオンである。ァニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルべンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられ、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラプチルアンモニゥムイオン等が挙げられる。

電荷注入層の膜厚は、例えば、 1 n m〜100 n mであり、 2 n m〜50 n mが好ましい電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフエ二レンビニレン及びその誘導体、ポリチェ二レンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタ口シァニン等）、カーボン等が例示される。

絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の平均厚さは、通常、 0. 1 ~20 n mであり、好ましくは 0. 5〜10 n m、より好ましくは 1〜 5 n mである。絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。

具体的には、例えば、以下の c！)〜 ab) の構造が挙げられる。 q ) 陽極 Z絶縁層 Z発光層陰極

r ) 陽極 Z発光層絶縁層陰極

s ) 陽極 Z絶縁層/発光層 Z絶縁層陰極

t ) 陽極 Z絶縁層正孔輸送層/発光層 Z陰極

u)陽極正孔輸送層発光層絶縁層ノ陰極

V )陽極絶縁層 Z正孔輸送層発光層絶縁層 Z陰極

w)陽極 Z絶緣層ノ発光層 Z電子輸送層陰極

X )陽極 Z発光層 Z電子輸送層絶縁層陰極

y)陽極/絶縁層ノ発光層電子輸送層/絶縁層陰極

z )陽極絶縁層 Z正孔輸送層発光層電子輸送層 Z陰極

aa) 陽極正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層絶縁層ノ陰極

ab) 陽極 Z絶縁層正孔輸送層発光層/電子輸送層絶緣層陰極本発明の高分子発光素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。

本発明において、通常は、陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半透明であり、陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジゥム -スズ ·ォキサイド（IT0) 、インジウム ·亜鉛 ·ォキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（NESA等）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、 IT0、インジゥム ·亜鉛 ·ォキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッ夕リング法、イオンプレーティング法、メツキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。

陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば、 10 nm〜10 mであり、好ましくは 20 n m〜 1 ΠΙであり、さらに好ましくは 50 ηπ！〜 500 nmである。

また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、力一ボン等からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。

陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリゥム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イツトリゥム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イツテルビゥム等の金属、及びそれらのうち 2つ以上の合金、あるいはそれらのうち 1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち 1 つ以上との合金、グラフアイト又はグラフアイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム—銀合金、マグネシウム一インジウム合金、マグネシウム一ァルミニゥム合金、インジウム一銀合金、リチウム一アルミニウム合金、リチウムーマグネシゥム合金、リチウム一インジウム合金、カルシウム—アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を 2層以上の積層構造としてもよい。

陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば、 10 n m〜10 mであり、好ましくは 20 n m〜 1 mであり、さらに好ましくは 50 η m〜500 nmである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及びノ又は保護力パーを装着することが好ましい。

該保護層としては、樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該カバ一を熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スぺーサ一を用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガズを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメ一ジを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか 1つ以上の方策をとることが好ましい。

本発明の高分子発光素子は面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置（例えば、バックライト等）等の表示装置等に用いることができる本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立に O nZO F Fできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラ一フィルタ一又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、 T F T等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、力一ナビゲ一シヨン、ビデオカメラのビューフアインダ一等の表示装置として用いることができる。

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。例えば照明用光源には白色発光、赤色発光、緑色発光または青色発光などの発光色があげられる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

(合成例 1 )

N—才クチルフエノキサジンの合成

不活性雰囲気下、フエノキサジン（1 0. 0 g) 、水酸化ナトリウム（2 1. 9 g) 、テトラエチルアンモニゥムブロマイド（0. 37 g) 、ジメチルスルホキシド（34 mL) を混合し、 80でまで昇温した後、水 18mLを加え、 1—ブロモオクタン（1 2. 9 g) を 50分で滴下した。ついで、 90でまで昇温して 1 時間攪拌した後、室温へ冷却した。ついで、析出した固体をトルエン 1 6 OmLに溶解し、水（1 0 OmL ) で 2回洗浄し、 1N塩酸（10 OmL) で 1回洗浄し、水（10 OmL) で 3回洗浄し、シリカゲルカラムに通液させ、減圧濃縮、真空乾燥を行い、目的物とする N—ォクチルフエノキサジン 16. 0 g (純度 99. 4%) を得た。

¹ H-NMR (299. 4 MHz, CDC 1₃) ； δ 0. 89 ( t , 3Η) , 1. 1 5 — 1. 47 (m, 1 OH) , 1. 65 (b r， 2 H) ， 3. 45 (b r， 2 H) , 6. 3 1 -6. 88 (b r, 8H) .

L C-MS (APP I— MS (p o s i) ) : 296 [M + H] ⁺

(合成例 2)

3， 7—ジブロモ— N—ォクチルフエノキサジンの合成

不活性雰囲気下 N—才クチルフエノキサジン（1 5. 0 g) にジクロロメタン（55 mL) を加えて調整した溶液に、 1, 3—ジブロモ一 5， 5—ジメチルヒダントイン（ 1 5. 1 g) と N， N—ジメチルホルムアミド 1 5. 8 mLからなる溶液を室温にて 3 0分で滴下し 1時間攪拌した後、室温にて 6時間攪拌を行った。得られた沈澱を濾過、メタノールで洗浄、ついで減圧乾燥することにより、目的とする 3, 7—ジブロモ— N —ォクチルフエノキサジンを 1 6. 6 g得た（純度 99. 7%) 。

'H-NMR (299. 4 MHz, CDC 1₃) ； <5 0. 89 (t, 3H) ， 1. 18 — 1. 46 (m, 1 OH) , 1. 59 (b r， 2H) , 3. 38 (b r, 2 H) ， 6. 29 (d, 2H) , 6. 73 (s, 2 H) ， 6. 88 (d， 2 H) .

LC-MS (APP I— MS (p o s i) ) : 452 [M + H] ⁺ (合成例 3 )

高分子化合物 <P— 1 >の合成

不活性雰囲気下、 2, 7—ビス（1, 3， 2—ジォキサボロラン一 2—ィル）一 9, 9ージォクチルフルオレン（1. 37 g) 、 2, 7—ジブロモ— 9, 9—ジォクチルフルオレン（1. 22 g) 、 3， 7—ジブロモ— N—ォクチルフエノキサジン（0. 18 g) 、酢酸パラジウム（0. 5mg) 、トリ（2—メチルフエニル）ホスフィン（4. 7mg) 、 A 1 i q u a t 336 (0. 24 g, アルドリツチ製）、トルエン（22m 1) を混合し、 105でに加熱した。この反応溶液に 2Mの Na₂C〇₃水溶液（3. 6 ml) を滴下し、 2. 5時間還流させた。反応後、フエニルホウ酸（26. Omg) を加え、さらに 2時間還流させた。次いで 1. 8 Mのジェチルジチア力ルバミン酸ナトリゥム水溶液 (20ml) を加え 80でで 2時間撹拌した。冷却後、水（25ml) で 3 回、 3%酢酸水溶液（25ml) で 3回、水（25ml) で 3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール (80 Oml) に滴下し、 1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物 <P— 1〉の収量は 1. 86 gであった。

高分子化合物 <P— 1>のポリスチレン換算数平均分子量は、 9. 1X 10⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 2. 1 XI 0⁵であった。

(実施例 1 )

高分子化合物 < P— 2 >の合成

不活性雰囲気下、 2， 7—ビス（1， 3， 2—ジォキサボロラン— 2—ィル）一 9， 9—ジォクチルフルオレン（1. 59 g) 、 2， 7—ジブロモ— 9， 9ージォクチルフルオレン（1. 24g) 、 3, 7—ジブロモ— N—ォクチルフエノキサジン（0. 20 g) 、 N, N，一ビス— （4一ブロモフエニル） — N, N' ージ— p—トルィル—アントラセン一 9， 10—ジァミン（0. 21 g) 、酢酸パラジウム（2. 6mg) 、トリ (2—メチルフエニル）ホスフィン（22. 9mg) 、 A 1 i q u a t 336 (0. 4 0g，アルドリッチ製）、トルエン（42ml) を混合し、 105でに加熱した。この反応溶液に 2Mの Na₂C〇₃水溶液（5. 8ml ) を滴下し、 4時間還流させた。反応後、フエニルホウ酸（42mg) を加え、さらに 1時間還流させた。次いで 1. 8Mのジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶液（20ml) を加え 80でで 2時間撹拌した。冷却後、水（40ml) で 3回、 3%酢酸水溶液（40ml) で 3回、水（40 ml) で 3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（800m 1) に滴下し、 1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物 <P— 2 >の収量は 2. 23gでめった。

高分子^合物ぐ P— 2〉のポリスチレン換算数平均分子量は、 8. 9X 10⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 1. 9 X 10⁵であった。なお、 N， ' 一ビス— （4一ブロモフエニル） — N, N，ージ— p—トルィルーァントラセン一 9, 10—ジァミンは W02005Z049546号パンフレツトに記載の方法で合成した。 (実施例 2 )

高分子化合物ぐ P— 3 >の合成

不活性雰囲気下、 2, 7—ビス（1, 3, 2—ジォキサボロラン— 2—ィル）一 9， 9ージォクチルフルオレン（0. 49 g) 、 4, 7—ジブロモ— 2， 1, 3—べンゾチアジアゾ一ル（0. 29 g) 、ビストリフエニルホスフィンパラジウムジクロライド（ 2. lmg) , A l i qua t 336 (0. 13 g，アルドリツチ製）、トルエン（1 0ml ) を混合し、 105でに加熱した。この反応溶液に 2Mの N a₂ C0₃水溶液（1 4ml) を滴下し、 2時間還流させた。反応溶液を室温まで冷却後、 2， 7—ビス（1 , 3, 2—ジォキサボロラン一 2—ィル）一9， 9ージォクチルフルオレン（2. 16 g) 、 3， 7—ジブ口モー N—才クチルフエノキサジン（0. 57 g) 、 2, 7—ジブ口モー 9， 9—ビス（4一へキシルォキシフエニル）フルオレン（1. 86 g) 、ビストリフエニルホスフィンパラジウムジクロライド（8. 4mg) 、 A 1 i qu a t 33 6 (0. 52 g, アルドリッチ製）、トルエン（40ml) を混合し、 105でに加熱した。この反応溶液に 2Mの Na₂C〇₃水溶液（1 lml) を滴下し、 1. 5時間還流 P T/JP2007/065039

させた。反応後、フエニルホウ酸（60mg) を加え、さらに 2時間還流させた。次いで 1. 8 Mのジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶液（30ml) を加え 80 で 2時間撹拌した。室温まで冷却後、水（70ml) で 3回、 3質量％の酢酸水溶液（ 70ml) で 3回、水（70ml) で 3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（800ml) に滴下し、 1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物 <P 一 3〉の収量は 3. 09 であった。

高分子化合物ぐ P— 3 >のポリスチレン換算数平均分子量は、 8. 0X 10⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 1. 7X 10⁵であった。

なお、 4， 7—ジブ口モー 2, 1, 3—べンゾチアジアゾ一ルは、 US 357742 7号公報に記載の方法で合成し、 2, 7—ジブロモ— 9, 9一ビス（4一へキシルォキシフエニル）フルオレンは WO 2004/041902号パンフレツ卜に記載の方法で合成した。 (実施例 3)

高分子化合物 <P— 4 >の合成

不活性雰囲気下、 2, 7—ビス（1， 3, 2—ジォキサボロラン一 2—ィル） —9, 9—ジへキシルフルオレン（2. 65 g) 、 2, 7—ジブ口モー 9, 9—ジへキシルフルオレン（2. 22 g) 、 3， 7—ジブ口モー N—ォクチルフエノキサジン（0. 34 g) 、 9, 10—ジブロモアントラセン（0. 07 g) 、酢酸パラジウム（3. 4mg ) 、トリス（4—メチルフエニル）ホスフィン（13. 7mg) , A 1 i q u a t 33 6 (0. 65 g, アルドリッチ製）、トルエン（50m 1 ) を混合し、 105でに加熱した。この反応溶液に 2Mの Na₂ C0₃水溶液（14ml) を滴下し、 2時間還流させた。反応後、フエニルホウ酸（60mg) を加え、さらに 2時間還流させた。次いで 1 . 8 Mのジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶液（30ml) を加え 80でで 2 時間撹拌した。室温まで冷却後、水（70ml) で 3回、 3質量％の酢酸水溶液（70 ml) で 3回、水（70ml) で 3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（800ml) に滴下し、 1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物 <P_ 4 >の収量は 2. 71 であった。

高分子化合物 <P— 4〉のポリスチレン換算数平均分子量は、 1. 0 X 10⁵であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 2. 1 X 1 0⁵であった。 (実施例 4)

高分子化合物ぐ P— 5 >の合成

不活性雰囲気下、 2， 7—ビス（1, 3, 2—ジォキサボロラン一 2—ィル） —9, 9—ジへキシルフルオレン（2. 38 g) 2, 7—ジブロモ— 9, 9—ジへキシルフルオレン（0. 62 g) 、 3， 7—ジブロモ一 N—ォクチルフエノキサジン（0. 79 g) 、 4, 7—ジブ口モー 2, 1， 3—ベンゾチアジアゾ一ル（0. 51 g) 、 4, 7 —ビス（5—プロモー 4—メチルー 2—チェニル） —2, 1, 3—べンゾチアジアゾ一ル（0. 12 g) 、ピストリフエニルホスフィンパラジウムジクロライド（10. 5m g) 、 A 1 i q u a t 336 (0. 65 g, アルドリツチ製）、トルエン（50ml) を混合し、 105 に加熱した。この反応溶液に 2Mの Na₂C〇₃水溶液（14ml) を滴下し、 2時間還流させた。反応後、フエニルホウ酸（60mg) を加え、さらに 2 時間還流させた。次いで 1. 8 Mのジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶液 (3 0ml ) を加え 80でで 2時間撹拌した。室温まで冷却後、水（70ml) で 3回、 3 質量％の酢酸水溶液（70ml) で 3回、水（70ml) で 3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール (800ml) に滴下し、 1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物 <P— 5 >の収量は 1. 78 であった。

高分子化合物 <P— 5 >のポリスチレン換算数平均分子量は、 5. 1X10⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 8. 7X 10⁴であった。

なお、 4, 7—ビス（5—ブロモー 4—メチル—2—チェニル）一 2, 1， 3—ベンゾチアジアゾールは、 WO 2000Z046321号パンフレツトに記載の方法で合成した。

(実施例 5 )

高分子化合物 <P— 6 >の合成

不活性雰囲気下、 2， 7—ビス（1, 3, 2—ジォキサボロラン一 2—ィル）一 9, 9—ジォクチルフルオレン（2. 65 g) 、 2， 7—ジブロモ— 9, 9ージォクチルフルオレン（2. 06 g) 、 3, 7—ジブ口モー N—ォクチルフエノキサジン（0. 34 g) 、 4, 7_ビス（5—ブロモー 2—チェニル）一 2, 1， 3—べンゾチアジアゾール（0. 23 g) 、酢酸パラジウム（3. 4mg) 、トリス（4—メチルフエニル）ホスフィン（13. 7mg) 、 A 1 i q u a t 336 (0. 65 g，アルドリツチ製）、トルエン（50ml) を混合し、 105でに加熱した。この反応溶液に 2Mの Na₂ C 0₃水溶液（14ml) を滴下し、 2. 5時間還流させた。反応後、フエニルホウ酸（ 6 Omg) を加え、さらに 2時間還流させた。次いで 1. 8Mのジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶液（3 Oml) を加え 80でで 2時間撹拌した。室温まで冷却後、水（ 70 m 1 ) で 3回、 3質量％の酢酸水溶液（70ml) で 3回、水（70ml) で 3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（800ml) に滴下し、 1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物 <P— 6〉の収量は 2. 22 gであった高分子化合物ぐ P— 6>のポリスチレン換算数平均分子量は、 1. 1X 10⁵であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 2. 4X 10⁵であった。

なお、 4， 7—ビス（5—ブロモ一2—チェニル）一 2， 1， 3—ベンゾチアジアゾ —ルは、 W02000 046321号パンフレツ卜に記載の方法で合成した。

(実施例 6 )

高分子化合物 < P— 7 >の合成

不活性雰囲気下、 2, 7—ビス（1, 3, 2_ジォキサボロラン一 2—ィル）一 9， 9ージォクチルフルオレン（2. 65 g) 、 2, 7—ジブ口モー 9， 9—ジォクチルフルオレン（2. 41 g) 、 3， 7—ジブロモ一 N—ォクチルフエノキサジン（0. 09 g) 、 N, N，一ビス一（4—ブロモフエニル）一 N, N' 一ビス一（4一夕一シャリブチル一2， 6—ジメチルフエニル）ー1， 4—フエ二レンジァミン（0. 30 g) 、酢酸パラジウム（3. 4mg) 、トリス（4一メチルフエニル）ホスフィン（13. 7 mg) 、 A 1 i q u a t 336 (0. 65 g, アルドリツチ製）、トルエン（50ml ) を混合し、 105T:に加熱した。この反応溶液に 2Mの Na₂ C〇₃水溶液（14m 1 ) を滴下し、 2. 5時間還流させた。反応後、フエニルホウ酸（60mg) を加え、さらに 2時間還流させた。次いで 1. 8 Mのジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶液（30ml) を加え 80でで 2時間撹拌した。室温まで冷却後、水（70ml) で 3 回、 3質量％の酢酸水溶液（70ml) で 3回、水（70ml) で 3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（800ml) に滴下し、 1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物 <P— 7 >の収量は 3. 14gであった。

高分子化合物 <P— 7 >のポリスチレン換算数平均分子量は、 1. 2X 10⁵であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 3. 0X 10⁵であった。なお、 N, N' —ビス一（4一ブロモフエニル）一N, N' 一ビス一（4一ターシャリブチルー 2, 6—ジメチルフエ二ル） — 1, 4—フエ二レンジアミンは J P 2004 ノ 143419号公報に記載の方法で合成した。 (実施例 7 )

高分子化合物 <P— 8 >の合成

不活性雰囲気下、 2, 7—ビス（1， 3, 2—ジォキサボロラン— 2—ィル） —9， 9—ジォクチルフルオレン（2. 65 g) 、 2, 7—ジブ口モー 9, 9ージォクチルフルオレン（2. 19g) 、 3， 7—ジブ口モー N—ォクチルフエノキサジン（0. 09 g) 、 N, N，一ビス一（4—ブロモフエニル）一 N， N' 一ビス一（4—ターシャリプチルー 2, 6—ジメチルフエニル）一べンジジン（0. 65g) 、ビストリフエニルホスフィンパラジウムジクロライド（10. 5mg) 、 A l i qua t 336 (0. 6 5 g, アルドリッチ製）、トルエン（50ml) を混合し、 105でに加熱した。この反応溶液に 2Mの Na₂ C0₃水溶液（7ml) を滴下し、 1. 5時間還流させた。反応後、フエニルホウ酸（60mg) を加え、さらに 5時間還流させた。次いで 1. 8Mのジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶液（30ml) を加え 80でで 4時間撹拌した。室温まで冷却後、水（70ml) で 3回、 3質量％の酢酸水溶液（70ml) で 3回、水（70ml) で 3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（800ml) に滴下し、 1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物 <P— 8 >の収量は 2. 99 gであった。

高分子化合物ぐ P— 8 >のポリスチレン換算数平均分子量は、 1. 3X10⁵であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 3. 2X 10⁵であった。

なお、 N, N' —ビス一（4—ブロモフエニル）一 N， N' 一ビス一（4—夕ーシャリブチル— 2, 6—ジメチルフエニル） —ベンジジンは W02005Z056633号パンフレツトに記載の方法で合成した。

(実施例 8 )

高分子化合物ぐ P— 9 >溶液の調製

高分子化合物ぐ P— 9 >をキシレンに溶解し、ポリマー濃度 0. 5重量％のキシレン溶液を作製した。高分子化合物 <P— 9>

高分子化合物 <P— 9>は、 WO 99 54385に記載の方法で合成した。

高分子化合物ぐ P— 2 >溶液の調製

上記で得た高分子化合物 <P— 2〉をキシレンに溶解し、ポリマー濃度 1. 2重量％のキシレン溶液を作製した。

EL素子の作製スパッタ法により 15 Onmの厚みで I TO膜を付けたガラス基板上に、ポリ（3, 4) エチレンジォキシチォフェン/ポリスチレンスルホン酸（Baye r製、 Bay t r onP A I 4083) の懸濁液を 0. 2 /zmメンブランフィルタ一で濾過した液を用いて、スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で 20 0t：、 10分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物 <P— 9 >のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、. ホットプレート上で 200で、 15分間乾燥した。成膜後の膜厚は約 10 nmであった。さらに、上記で得た高分子化合物 <P— 2 >のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 1400 r p mの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約 88 nmであった。さらに、これを減圧下 80でで 1時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、次いでアルミニゥムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。なお真空度が 1 X 10'⁴ P a以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。

EL素子の性能

得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から 530 nmにピークを有する EL発光が得られた。初期輝度を 2000 c dZm²とし定電流で素子を駆動させたとき、輝度が 1000 c dZm²となる輝度半減寿命は 6. 3時間であった。また 50 mAZ cm²の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、 55時間であった。さらに発光パワーを 20. 0 として駆動した時の輝度半減寿命は 43時間であった。 (実施例 9 )

高分子化合物ぐ P - 3 >溶液の調製

上記で得た高分子化合物 <P— 2 >をキシレンに溶解し、ポリマー濃度 1. 2重量％のキシレン溶液を作製した。

EL素子の作製

スパッ夕法により 150 nmの厚みで I T〇膜を付けたガラス基板上に、ポリ（3, 4) エチレンジォキシチォフェン Ζポリスチレンスルホン酸（Baye r製、 Bay t r onP A I 4083) の懸濁液を 0. 2 zmメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で 20 0 、 10分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物 <P— 9 >のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、ホットプレート上で 20 Ot:, 15分間乾燥した。成膜後の膜厚は約 1 O nmであった。さらに、上記で得た高分子化合物く P— 3〉のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約 100 nmであった。さらに、これを減圧下 8 O :で 1時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、次いでアルミ二ゥムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。なお真空度が 1 X 10— ⁴ P a以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。

EL素子の性能

得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から 615 nmにピークを有する EL発光が得られた。 5 OmA/ cm²の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、 460時間であった。また発光パワーを 20. 0 Wとして駆動した時の輝度半減寿命は 170時間であった。 (実施例 10)

高分子化合物ぐ P— 4 >溶液の調製

上記で得た高分子化合物 <P— 3〉をキシレンに溶解し、ポリマー濃度 1. 2重量％のキシレン溶液を作製した。

EL素子の作製

スパッ夕法により 150 nmの厚みで I TO膜を付けたガラス基板上に、ポリ（3， 4) エチレンジォキシチォフェン Zポリスチレンスルホン酸（Baye r製、 Bay t r onP A I 4083) の懸濁液を 0. 2 / mメンブランフィルタ一で濾過した液を用いて、スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で 20 0で、 10分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物ぐ P— 9〉のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、ホットプレート上で 20 Ot:, 15分間乾燥した。成膜後の膜厚は約 10 nmであった。さらに、上記で得た高分子化合物 <P— 4>のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約 100 nmであった。さらに、これを減圧下 80でで 1時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、次いでアルミ二ゥムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。なお真空度が 1 X 10— ⁴P a以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。

EL素子の性能

得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から 465 nmにピークを有する EL発光が得られた。 5 OmAZ cm²の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、 4. 3時間であった。

(実施例 1 1 )

高分子化合物ぐ P— 5 >溶液の調製

上記で得た高分子化合物 <P— 3 >をキシレンに溶解し、ポリマ一濃度 1. 2重量％のキシレン溶液を作製した。

EL素子の作製

スパッ夕法により 150 nmの厚みで I T〇膜を付けたガラス基板上に、ポリ（3， 4) エチレンジォキシチォフェン Ζポリスチレンスルホン酸（Baye r製、 Bay t r onP A I 4083) の懸濁液を 0. 2 //mメンブランフィルタ一で濾過した液を用いて、スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で 20 0で、 10分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物く P— 9 >のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、ホットプレート上で 200で、 15分間乾燥した。成膜後の膜厚は約 10 nmであった。さらに、上記で得た高分子化合物く P— 5 >のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約 100 nmであった。さらに、これを減圧下 80^で 1時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、次いでアルミ二ゥムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。なお真空度が 1 X 10— ⁴ P a以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。

EL素子の性能

得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から 655 nmにピークを有する EL発光が得られた。 5 OmAZcm²の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、 700時間であった。 (実施例 12)

高分子化合物ぐ P— 6 >溶液の調製

上記で得た高分子化合物 <P— 6〉をキシレンに溶解し、ポリマー濃度 1. 2重量％のキシレン溶液を作製した。

EL素子の作製

スパッタ法により 15 Onmの厚みで I TO膜を付けたガラス基板上に、ポリ（3， 4) エチレンジォキシチォフェン Zポリスチレンスルホン酸（Baye r製、 Bay t r onP A I 4083 ) の懸濁液を 0. 2 ;umメンブランフィルタ一で濾過した液を用いて、スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で 20 0で、 10分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物ぐ P— 9 >のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、ホットプレート上で

200で、 15分間乾燥した。成膜後の膜厚は約 1 Onmであった。さらに、上記で得た高分子化合物 <P— 6 >のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約 100 nmであった。さらに、これを減圧下 80でで 1時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、次いでアルミ二ゥムを約 10 Onm蒸着して EL素子を作製した。なお真空度が 1 X 10— ⁴ P a以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。

EL素子の性能

得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から 660 nmにピークを有する EL発光が得られた。 5 OmAZ cm²の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、

320時間であった。 (実施例 13)

高分子化合物 <P - 7 >溶液の調製

上記で得た高分子化合物 <P— 3 >をキシレンに溶解し、ポリマー濃度 1. 2重量％のキシレン溶液を作製した。 EL素子の作製

スパッ夕法により 150 nmの厚みで I TO膜を付けたガラス基板上に、ポリ（3, 4) エチレンジォキシチォフェン Zポリスチレンスルホン酸（Baye r製、 Bay t r onP A I 4083) の懸濁液を 0. 2 ^mメンブランフィルタ一で濾過した液を用いて、スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で 20 0で、 10分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物 <P— 9 >のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、ホットプレート上で 200で、 15分間乾燥した。成膜後の膜厚は約 10 nmであった。さらに、上記で得た高分子化合物 <P— 7〉のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約 100 nmであった。さらに、これを減圧下 80でで 1時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、次いでアルミ二ゥムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。なお真空度が 1 X 10"⁴ P a以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。

EL素子の性能

得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から 460 nmにピークを有する EL発光が得られた。発光パワーを 20. 0 /zWとして駆動した時の輝度半減寿命は 65時間であった。

(実施例 14 )

高分子化合物ぐ P— 8 >溶液の調製

上記で得た高分子化合物 <P— 8〉をキシレンに溶解し、ポリマー濃度 1. 2重量％のキシレン溶液を作製した。

EL素子の作製

スパッ夕法により 150 nmの厚みで I T〇膜を付けたガラス基板上に、ポリ（3， 4) エチレンジォキシチォフェン Ζポリスチレンスルホン酸（Baye r製、 Bay t r onP A I 4083) の懸濁液を 0. 2 xmメンブランフィルタ一で濾過した液を用いて、スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で 20 0で、 10分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物 <P— 9 >のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、ホットプレート上で 200で、 15分間乾燥した。成膜後の膜厚は約 10 nmであった。さらに、上記で得た高分子化合物 <P— 8 >のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約 100 nmであった。さらに、これを減圧下 80でで 1時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、次いでアルミ二ゥムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。なお真空度が 1 X 10— ⁴P a以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。

EL素子の性能

得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から 465 nmにピークを有する EL発光が得られた。 5 OmAZ cm²の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、 5. 3時間であった。

(比較例 1 )

高分子化合物ぐ P— 1 >溶液の調製

上記で得た高分子化合物 <P— 1>をキシレンに溶解し、ポリマー濃度 1. 2重量％のキシレン溶液を作製した。

EL素子の作製

スパッ夕法により 150 nmの厚みで I TO膜を付けたガラス基板上に、ポリ（3, 4) エチレンジォキシチォフェンポリスチレンスルホン酸（Baye r製、 Bay t r onP A I 4083 ) の懸濁液を 0. 2 imメンブランフィル夕一で濾過した液を用いて、スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で 20 0で、 10分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物 <P— 9〉のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、ホットプレート上で 200 、 15分間乾燥した。成膜後の膜厚は約 1 Onmであった。さらに、上記で得た高分子化合物 <P— 1>のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約 107 nmであった。さらに、これを減圧下 80でで 1時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、次いでアルミ二ゥムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。なお真空度が 1 X 10— ⁴P a以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。

EL素子の性能

得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から 465 nmにピークを有する EL発光が得られた。初期輝度を 2000 c d/m²とし定電流で素子を駆動させたとき、輝度が 1000 c dZm²となる輝度半減寿命は 2. 4時間であった。また 50 mAZ cm²の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、 2. 1時間であった。さらに発光パワーを 20. 0 /zWとして駆動した時の輝度半減寿命は 25時間であった。産業上の利用可能性

本発明の高分子化合物を発光素子に用いたとき、輝度半減寿命が長い高分子発光素子 (高分子 LED) を与える。

Claims

請求の範囲

1 . 下記式（I ) で示される繰返し単位、下記式（I I ) で示される繰返し単位および下記式（I I I ) で示される繰返し単位を含む高分子化合物。

〔上記式（I ) 中、 R,および R₂はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールァルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 R ,と R₂ は互いに結合して環を形成していてもよく、 R₃および R₄はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、八ロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 aおよび bはそれぞれ独立に、 0 ~ 3から選ばれる整数を表す。 R₃および R₄がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

〔上記式（I I) 中、 R_NIはアルキル基を表し、 R₅および R₆はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチォ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリ一ルアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 cおよび dはそれぞれ独立に、 0〜 3から選ばれる整数を表す。 R₅および R₆ がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

(III)

〔上記式（I I I) 中、 A rは 2価の縮合多環式炭化水素基、下記式（V I) で示される基または下記式（X) で示される基を表す。〕

〔上記式（V I) 中、 Ar,、 A r ₂および A r ₃はそれぞれ独立に、ァリーレン基または 2価の複素環基を表し、 A r₄および A r₅はそれぞれ独立に、ァリール基または 1価の複素環基を表し、 Xは 0または 1を表す。〕

〔上記式（X) 中、 A r ₇および A r ₈はそれぞれ独立に、ァリ一レン基または 2価の複素環基を表し、 R_{2 2}は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 nは 0〜2から選ばれる整数を表し、 yおよび z はそれぞれ独立に 0〜2から選ばれる整数を表す。 R_{2 2}、 1" ₇ぉょび 1" ₈がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

2 . 上記式（I ) で示される繰返し単位が、下記式（I V) で示される繰返し単位である請求項 1記載の高分子化合物。

(IV)

〔上記式（I V) 中、 R₇および R₈はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 R₇と R₈は互いに結合して環を形成していてもよく、 R₉および R ,。はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチォ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 eおよび fはそれぞれ独立に、 0〜 3から選ばれる整数を表す。 R₉および R ₁₀がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

3. 上記式（IV) において eおよび fが 0であることを特徴とする請求項 2記載の高分子化合物。

4. 上記式（I I) で示される繰返し単位が、下記式（V) で示される繰返し単位である請求項 1〜 3のいずれか一項に記載の高分子化合物。

〔上記式（V) 中、 R_N2はアルキル基を表し、 R_Hおよび R₁₂はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチォ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリ一ルアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 gおよび hはそれぞれ独立に、 0〜 3から選ばれる整数を表す。および R , ₂がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

5. 上記式（V) において gおよび hが 0である請求項 4記載の高分子化合物。

6. 上記式（I I I) で示される繰返し単位が、上記式（V I) で示される繰返し単位である請求項 1 ~ 5のいずれか一項に記載の高分子化合物。

7. 上記式（V I) で示される繰返し単位が、下記式（VI I) で示される繰返し単位である請求項 6記載の高分子化合物。

(VII)

〔上記式（V I I) 中、 Ar₆は、ァリ一レン基または 2価の複素環基を表し、 R₁₃、 R_l4、 ₅および ₆はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリ一ルァルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 iおよび jはそれぞれ独立に 0 〜4から選ばれる整数を表し、 kおよび 1はそれぞれ独立に 0〜 5から選ばれる整数を表す。 R₁₃、 R,₄、 R， 5および R, ₆がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

8. 上記式（VI I) において A r ₆が下記式（V I I I) で示される 2価の基である請求項 7記載の高分子化合物。

(VIII)

〔上記式（V I I I) 中、 R，₇、 R₁₈、 R，₉および R₂₍₎はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸ィミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基またはニト口基を表し、 R_l7と R₁₈、 R_l9と R₂₍₎は互いに結合し環を形成していてもよい。〕

9. 上記式（V I I I) で示される 2価の基が、下記式（I X) で示される 2価の基である請求項 8記載の高分子化合物。

(IX)

〔上記式（I X) 中、 R₂₁は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 mは 0~ 8から選ばれる整数を表す。 R₂, が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

10. 上記式（V I I I) で示される 2価の基が、下記式（X I I I) で示される 2価の基である請求項 8記載の高分子化合物。

(ΧΙΠ)

〔上記式（X I I I) 中、 R₂₄ は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、ァミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 pは 0〜4から選ばれる整数を表す。 R₂₄が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

11. 上記式（V I I) において A r ₆が下記式（XI V) で示される 2価の基である請求項 7記載の高分子化合物。

(XIV)

〔上記式（XIV) 中、 R₂₅および R₂₆ はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 qおよび r はそれぞれ独立に 0〜4から選ばれる整数を表す。 R₂₅および R₂₆がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

12. 上記式（I I I) で示される繰返し単位が、 2価の縮合多環式炭化水素基である請求項 1〜 5のいずれか一項に記載の高分子化合物。

13. 上記式（I I I) で示される繰返し単位が、上記式（X) で示される繰返し単位である請求項 1〜 5のいずれか一項に記載の高分子化合物。

14. 上記式（X) において Ar₇およびが Ar₈が、下記式（X I) で示される 2価の基であることを特徴とする請求項 13記載の高分子化合物。

(XI)

〔上記式（X I ) 中、 R_{2 3}は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 οは 0〜 2から選ばれる整数を表す。 R_{2 3} が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

1 5 . 上記式（X) において nが 0である請求項 1 3または 1 4に記載の高分子化合物

1 6 . 正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも 1種類の材料と、請求項 1〜 1 5のいずれか一項に記載の高分子化合物の少なくとも 1 種類とを含有する組成物。

1 7 . 請求項 1〜1 5のいずれか一項に記載の高分子化合物を少なくとも 2種類含有することを特徴とする組成物。

1 8 . 陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ請求項 1〜1 5のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項 1 7もしくは 1 8に記載の組成物を含む発光層とを有する高分子発光素子。

1 9 . 請求項 1 8に記載の高分子発光素子を含む面状光源。

2 0 . 請求項 1 8に記載の高分子発光素子を含む表示装置。

2 1 . 請求項 1 ~ 1 5のいずれか一項に記載の高分子化合物と溶媒とを含む液状組成物

2 2 . 請求項 1 7もしくは 1 8に記載の組成物と溶媒とを含む液状組成物。

2 3 . 請求項 1〜 1 5のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項 1 7もしくは 1 8に記載の組成物を含む薄膜。

. 請求項 1〜 1 5のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項 1 7もしくはに記載の組成物を含む有機トランジスタ。

. 請求項 1 ~ 1 5のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項 1 7もしくはに記載の組成物を含む太陽電池。 '