TW200813111A

TW200813111A - Polymer compound and polymer illuminating element

Info

Publication number: TW200813111A
Application number: TW096127033A
Authority: TW
Inventors: Tomoya Nakatani; Daisuke Fukushima
Original assignee: Sumitomo Chemical Co
Priority date: 2006-08-01
Filing date: 2007-07-25
Publication date: 2008-03-16
Also published as: WO2008016067A1; CN101516963A; US20090302748A1; CN101516963B; KR20090034398A; EP2048176A4; EP2048176A1

Description

200813111 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】之南分子本發明是有關高分子化合物及使用該化合物發光元件。【先前技術】义/由於高分子量的發光材料或電荷輸送材料可使用作為光元件中的有機層所用之材料等，❿已有各種的研究y 至於其例’則有㈣⑴·ene)二基與在n位上具有烧美的吩㈣（PhenQxaz 1 ne)二基所成的共聚物之高分子化合物的報告（例如，Macr⑽〇iecuies;2〇〇5, 38, MM —Μ ⑴。不過’在使用上述的高分子化合物作為發光元件用的么光材料後，其亮度半衰期尚不足。【發明内容】材^發^目的是提供：在使料為發光元件用的發光材科後’可獲得亮度半衰純的元件之高分子化合物。 =發明可提供含有以下述式⑴所示的重複單位、 ⑽所示的重複單位及下述式(ΙΠ)所示的重複單位之面分子化合物。

〔上述式（I)中，烧氧基、烧硫基、 —R2刀别獨立地表示氫原丁、X元丞方基、方氧基、芳硫基、芳烧基、芳 319441 6 200813111 〃氧基、芳烧硫基、芳稀基、芳快基、胺基、取代胺基、石夕 -烧基、取代梦烧基、齒素原子、酿基、酿氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氛. 基或靖基，Ri及R2也可分別相互結合而形成環，及r4 分別獨立地表示烧基、烧氧基、炫琉基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳烧氧基、芳烧硫基、芳埽基、芳炔基、基、取代胺基、梦烧基、取代梦烧基、_素原子、酿基、醯氧基、亞胺殘基、酿胺基、酿亞胺基、一價的雜環基、叛基、取代羧基、氰基或硝基，a及b分別獨立地表示選自0至3的整數。R3及R4分別存在多個時，這些可相同也可不同。〕

(Π) 〔上述式（II)中，RN1表示烷基，1及Re分別獨立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、自素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、—價的雜環基、綾基、取代羧基、氰基或石肖基，e及d分別獨立地表示選自u 3的整數。 Rs及Re分別存在多個時，這些可相同也可不同。 απ) 319441 7 200813111 、〔上述式（III)中，Ar表示二價的縮合多環式烴基、以下述式（VI)表示的基或以下述式（χ)表示的基。〕

一Α{2 ( /Γ3" N*An--ν

Ar4 \ Ars (VI) 一〔上述式（VI)中’ Αη、Αι_2及An分別獨立地表示伸芳基或 =價的雜環基，Ar4及Αι*5分別獨立地表示芳基或一價的雜學基，X表示〇或1。〕、

* (R22) η (X) 〔上述式（χ)中，An及Ar8分別獨立地表示伸芳基或二價的雜環基，R22表示烷基、烷氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、 (芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、 fee基取代胺基、石夕烧基、取代石夕院基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、叛基、取代羧基、氰基或硝基，η表示選自〇至2的整數。 y及Ζ分別獨立地表示選自〇至2的整數。R22、Ar?及Ar8 分別存在多個時，這些可相同也可不同。〕因此，含有本發明的高分子化合物之高分子LED，可使用作為液晶顯示器的背光源、照明用的曲面狀或平面狀之光源、段型（segment type)的顯示元件、或點矩陣（d〇t 319441 8 200813111 • matrix)的平面顯示器等。 -【實施方式] 下述式（I)表示的重複本表明的向分子化合物，含有以單位。

〔上述式（1)中，匕及R2分別獨立地表示氫原子、烷美、絲基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基/芳烧氧基、芳烧硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、石夕烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧胺酿胺基、•亞胺基、—價的雜環基、I基二代基氰基或硝基，1及R2也可分別相互結合而形成環，匕及R4 分別獨立地表示烧基、烧氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、_素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、緩基、取代歎基、氰基或頌基，a及b分別獨立地表示選自0至3的整數。R3及R4分別存在多個時，這些可相同也可不同。〕此時烷基可為直鏈、分支或環狀的任何一種，也可具有取代基。碳數通常在1至20左右，具體上可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、 319441 9 200813111 -己基、環己基、庚基、辛基 0 ^ 基己基、壬臬、恭其、 # 3, 7-二甲基辛基、月桂基、、土基、全氟己基、全氟辛基等。基五^基、全氣丁至於焼氧基’可為直鏈、分去可且古拆戽苴山▲ 刀支或絃狀的任何一種，也了 /、有取代基。奴數通常在1 甲今其7 β^ 主別左右，具體上可舉例如甲虱基、乙乳基、丙氧基、異丙氧基、丁氧美、显第三丁氧基、戊氧基、己氧基、土 /、虱土、 A,o , . P 私己乳基、庚氧基、辛氧基2-乙基己乳基、壬氧基、癸氧基、3,7—二甲基辛氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧A 入卜土鼠乙乳基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、甲童甲| Τ虱甲基虱基、2-甲氧乙基氧基等。、院硫基可為直鏈、分支或環狀的任何-種，也可具有取代基。碳數通常在1至:士 ,” w丄至20左右，具體上可舉例如f硫基、乙瓜基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、第三丁硫基、戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、辛硫基、2— 乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3,7_二甲基辛硫基、月桂硫基、三氟甲硫基等。芳基是從芳香族烴中去除一個氫原子後的原子團，為具有縮合環者’也含有獨立的苯環或二個以上縮合環以直接或藉由伸乙烯基等基而結合者。芳基的碳數通常為6至 60左右，並以7至48為佳，至於其具體例，可舉例如苯基、〇至C!2烷氧基苯基（(：1至&表示碳數1至12。以下亦同。）、Cl至Cl2烧基苯基、1_萘基、2_萘基、卜蒽基、心基9恩基、五氟苯基等，並以（^至匕2烧氧基苯基、匕至Cls烷基苯基為佺。至於〇至&烷氧基苯基的具體例， 319441 10 200813111 有甲氧苯基、乙氧苯基、丙氧苯基、異丙氧苯基、丁氧苯 1、異τ氧苯基、第三丁氧苯基、戊氧苯基、己氧苯基、環己氧苯基、庚氧苯基、辛氧苯基、2一乙基己氧苯基、壬氧苯基、癸氧苯基、3, 7-二甲基辛氧苯基、月桂氧苯基等。至於匕至C!2烷基苯基的具體例，有甲基苯基、乙苯基、二甲基苯基、丙苯基、均三甲基苯基（_Ηγ1)、甲乙苯基、異丙苯基、丁苯基、異丁苯基、第三丁苯基、戊苯基、異戊苯基、己苯基、庚苯基、辛苯基、壬苯基、癸苯 ' 基、十二基苯基等例。芳氧基的碳數通常為6至6〇左右，並以7至48為佳，至於其具體例，如苯氧基、（^至^烷氧基苯氧基、〇至 c12烧基苯氧基、卜萘氧基、2—萘氧基、五氟苯氧基等，並以（^至C!2烷氧基苯氧基、〇至L烷基苯氧基為佳。至於Ci至C!2烷氧基苯氧基的具體例，有甲氧苯氧基、乙氧苯氧基、丙氧苯氧基、異丙氧苯氧基、丁氧苯氧基、異丁氧苯氧基、第三丁氧苯氧基、戊氧苯氧基、己氧苯氧基、+環己氧苯氧基、庚氧苯氧基、辛氧苯氧基、2-乙基己氧苯氧基、壬氧苯氧基、癸氧苯氧基、3, 7-二甲基辛氧苯氧基、月桂氧苯氧基等。至於Cl至Cl2烷基苯氧基的具體例，有甲基苯氧基、本氧基一甲基本氧基、丙苯氧基、1，3, 5-三甲基苯氧 ^甲乙苯氧基、異丙苯氧基、丁苯氧基、異丁苯氧基、第三丁苯氧基、戊苯氧基、異戊苯氧基、己苯氧基、庚苯氧基、辛苯氧基、壬苯氧基、癸苯氧基、十二基苯氧基等。 319441 11 200813111 ‘ 至於芳硫基，也可在芳香環上具有取代基，碳數通常，為3至60左右，具體上可舉例如苯硫基、Ci至烷氧基苯硫基、C!至C!2烷基苯硫基、卜萘硫基、2 —萘硫基、五氟苯硫基、吡啶硫基、嗒哄硫基、嘧啶硫基、吡畊硫基、三哄硫基等。至於芳烧基，也可具有取代基，碳數通常在7至60 左右，具體上可舉例如苯基—Cl至Cl2烷基、Ci至C12烷氧基苯基-0至C12烷基、Cd C12烷基苯基-〇至Ck烷基、1- (-奈基—Cl 至 ^ ^ ^ ^ ^ 至於芳烧氧基，也可具有取代基，碳數通常在7至6〇左右，具體上可舉例如苯基—(^至C"烷氧基、匕至C12烷氧基苯基-C!至C!2烷氧基、C!至Cu烷基苯基-匕至C12烷氧基' 1-萘基-(：！至Cu烷氧基、2-萘基-(^至C12烷氧基等。至於芳烷硫基，也可具有取代基，碳數通常在7至6〇左右，具體上可舉例如苯基-C!至Cu烷硫基、C!至C12烷氧 (:基苯基-匕至Cu烷硫基、。至Cu烷基苯基-(^至C12烷硫基、 1-萘基-(^至Cu烷硫基、2-萘基-(^至C!2烷硫基等。至於芳烯基’碳數通常在8至6〇左右，具體上可舉例如苯基-(：2至C"烯基、〇至c!2烷氧基苯基—&至Ci2，烯基、 Cl至Cu垸基苯基-C2至Cu烯基、1-萘基a至c12稀基、2一萘基吒2至Cl2烯基等，並以（^至ο,烷氧苯基—C2至^”烯基、匕至Cu烷基苯基-(：2至Cu烯基為佳。至於芳炔基，碳數通常在8至60左右，具體上可舉例如苯基-(：2至c"炔基、匕至Cu烷氧基苯基—ο至Ci2炔1 ’、 319441 12 200813111 ’ Ci至Ci2烧基苯基-匕至Cu块基、1-萘基—(；2至C12块基、2--萘基-匕至C!2炔基等，並以匕至Cl2烷氧基苯基-(：2至Cl2 快基、0至C!2烷基苯基-(：2至C12炔基為佳。至於取代胺基，可舉例如經選自烷基、芳基、芳烷基及一彳貝的雜環基之一個或二個基所取代的胺基，該烧基、芳基、芳烷基或一價的雜環基也可具有取代基。取代胺基的碳數不包括該取代基的碳數，通常為1至6〇左右，並以碳數2至48為佳。 (一具體上，可舉例如甲胺基、二甲胺基、乙胺基、二乙月女基、丙胺基、二丙胺基、異丙胺基、二異丙胺基、丁胺基、第二丁胺基、異丁胺基、第三丁胺基、戊胺基、己胺基、庚胺基、辛胺基、2-乙基己基胺基、壬胺基、癸胺基、 3, 7-二甲基辛基胺基、月桂胺基、環戊胺基、二環戊胺基、環己胺基、二環己胺基、吡咯啶基、哌啶（piperidyl)基、二（二氟甲基）胺基、苯基胺基、二苯基胺基、〇至Ci2烷氧 U基苯基胺基、二（(^至C!2烷氧基苯基）胺基、二（(：1至Ci2 烷基苯基）胺基、1-萘胺基、2 —萘胺基、五氟苯胺基、吼啶胺基、嗒哄胺基、嘧啶胺基、吡畊胺基、三畊胺基、苯基 -匕至L烷胺基、〇至匕2烷氧基苯基—〇1至Cl2烷胺基、Ci 至Cu烷基苯基—〇至&烷胺基、二（(：1至&烷氧基苯基一^ 至Cu烷基）胺基、二（(：1至Clz烷基苯基—匕至c”烷基）胺基1奈基Ci至Ci2烧胺基、2-萘基-Ci至Ci2燒胺基等。至於取代矽烷基，可舉例如經選自烷基、芳基、芳烷基及一價的雜環基的卜2或3個基所取代的矽烷基。取代 319441 13 200813111 ，矽烷基的碳數通常為1至60左右，並以3至48為佳。尚 -且該烷基、芳基、芳烧基或一價的雜環基也可具有取代基。具體上，可舉例如三曱基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基石夕烧基、三異丙基石夕院基、二曱基-異丙基石夕烧基、二乙基-異丙基矽烷基、第三丁基二曱基矽烷基、戊基二甲基矽烷基、己基二甲基矽烷基、庚基二甲基矽烷基、辛基二曱基矽烷基、2-乙基己基-二甲基矽烷基、壬基二曱基矽烷基、癸基二曱基矽烷基、3, 7-二曱基辛基-二甲基矽烷基、 % 月桂基二曱基矽烷基、苯基-Ci至C12烷基矽烷基、Ci至c12 烧氧基苯基-(^至Cu烷基矽烷基、匕至C12烷基苯基-匕至 Cu烧基矽烷基、卜萘基-匕至c12烷基矽烷基、2-萘基-C! 至Ci2烧基石夕统基、苯基至c12烧基二曱基石夕烧基、三苯基石夕烧基、三-對二曱苯基矽烷基、三苯曱基矽烷基、二苯基甲基矽烷基、第三丁基二苯基矽烷基、二甲苯基矽烷基等。 ί 至於鹵素原子，可舉例為氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。釀基的碳數通常為2至20左右，並以碳數2至18為佳’其具體例有乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、新戊酿基（pivaloyl)、苯甲醯基、三氟乙醯基、五氟苯甲醯基等。酸氧基的碳數通常為2至20左右，並以碳數2至18 為佳’其具體例有乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、異丁酿氧基、新戊醯氧基、苯曱醯氧基、三氟乙醯氧基、五氟 14 319441 200813111 /苯曱醯氧基等。 - 至於亞胺殘基，是從亞胺化合物（是指分子内具有-N= C-的有機化合物。其例有醛亞胺（al dimine)、酮亞胺 (ket imine)及這些的N上之氫原子經烧基等所取代之化合物）除去一個氫原子後的殘基，通常碳數為2至20左右，並以碳數2至18為佳。具體上可舉例如以下述結構式表示的基等。

醯胺基的碳數通常為2至20左右，並以碳數2至18 為佳，至於其具體例，如曱醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺基、苯曱醯胺基、三氟乙醯胺基、五氟苯曱醯胺基、二曱醯胺基、二乙醯胺基、二丙醯胺基、二丁醯胺基、二苯曱醯胺基、二（三氟乙醯胺基）、二（五氟苯甲醯胺基）等。酉藍亞胺基是由酿亞胺中去除與其氮原子結合的氫原子而得的殘基，碳數為4至20左右，具體上是以下所示的基為例。 15 319441 200813111

所明核的雜環基，是指由雜環化原子後殘留下的原子團，碳數通常為4至60左右，並t 佳。一價的雜環基之中’是以-價的芳香族雜 %基為么。尚且，雜環基的碳數中並不包含取代基的碳數。此處所稱輯環化合物，是指具有環式結構的有機化合物，中：組成環的元素不僅只是碳原子，環内也包含氧、硫、氮”等雜原子。具體上，可舉例如嗟吩基（thienyi)、匕至C!2烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、ο至C12 烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基等，並以噻吩基、匕至C!2烷基噻吩基、吡啶基、（^至&烷基吡啶基為佳。取代幾基是指經烧基、芳基、芳烷基或一價的雜環基取代的羧基，碳數通常為2至60左右，並以碳數在2至 48為佳，至於其具體例，有甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰 319441 16 200813111 "基、異丙氧羰基、丁氧羰基、里 & λ s至山I 口卜， "J氣尹厌基、弟二丁氧羰基、基:環己氧幾基、庚氧幾基、辛氧幾基、 :壬氧羰基、癸氧幾基、3, 7-二甲基辛氧乂基氧碳基、三氟甲氧羰基、五氟乙氧羰基、全氟丁氧幾基、全氟己梟势其 ^ 土王萘氧幾基、吡咬氧料等“内王氣辛氧幾基、苯氧幾基、 -價的雜環基也;且^基、芳基，基或並不含該取代基的=取代基。在上述取代縣的碳數中上述式（ί)中，當匕盘^) 士 ^ 為可具有取代基的Λ 合而形成環時，該環 C4至u的環縣t可^的魏基環、可具有取代基的 PH s + 了具有取代基的c6至Cu的芳香族_ 衣或可具有取代基的ML的雜環。方香仏環己烷二於環烧基環’可舉例如環丁院、環戊烧衣庚燒、環辛燒、環找、環癸燒等。其具體例有产2H是含有―個以上的雙鍵者衣—細每、環己二稀環、環辛三烯環等。 =香族烴環可舉例如苯環、萘環、蒽環。噻吩環吡啶環 :於雜環，可舉例如四虱噻吩環、吲啐瑗卜总亢南衣嗔唾（th. 4、四氯^朵環、異喧琳環 ⑽1aZ。⑷環(。如。16)環。重複潭?，成容易度的觀點，以上述式⑴表示的疋以下述式（IV)表示的重複單位為佳。 319441 17 200813111

αν) 〔上述式（IV)中，R7及R8分別獨立地表示氫原子、烷基、烷氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、 —酸胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、鲮基、取代羧基、氰基或瑞基’ 也可相互結合而形成環，r^Ri。分別月獨立地表示烧基、院氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳烧氧基、芳烧硫基、芳烯基、芳块基、胺基、取代絲、我基、取代魏基、齒素原+、酿基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、—價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基，6及f分別獨立地表示選自〇至3的整數。M Rlfl分別存在多個時，這些可相同也 '基、，氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基万，一〜刊必I丞、· 知基、K氧基、Μ絲、料基、芳絲、取代胺夷 =代我基、鹵素料、_、醯氧基、亞胺殘基、_ ί、：亞=、—價的雜環基及取代羧基之定義、具體例專，與丽述R1、I^的定義、具體例等是同樣的。 1¾ 點 5R7、R8、i?〇^De \»s> ^及Rlfl是分別獨立地以烷基、烷氧基就提高本發明的高分子化合物對有機溶劑之溶解度的燒 319441 18 200813111 硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基或一價的雜環基為佳，並以垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基或芳烷硫基較佳，而以烷基、烷氧基、芳基或芳氧基更佳，以烷基或芳基最佳。上述式（IV)中，當R?與&相互結合而形成環時，該環可舉例為可具有取代基的山至Ci。的環烷基環、可具有取代基的C4至的環烯基環、可具有取代基的Ce至Ci4的芳香族烴環或可具有取代基的匕至Ci4的雜環。 ▲至於環烧基環、環烯基環、芳香族烴環及雜環，是與丽述（I)時所例示同樣的環。〆、者為，原料單體的合成容易度的觀點，^f是以〇或1 考為佺，亚以e及f為0者最佳。至於以上述式（I)表示的式（1-1)至Π 本- 菫啜早位之具體例，有以下述 )(I 10)表不的重複單位。 319441 19 200813111

本發明的高分子化合物除了以上述式（i)表示的.重複單位之外，還有以下述式（II)表示的重複單位。

20 319441 200813111 〔上述式（II)中，RN1表示烷基，^及Re分別獨立地表示烷基、烧氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽$元基、取代矽烷基、南素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基，C及d分別獨立地表示選自〇至3的整數。 R5及R6分別存在多個時，這些可相同也可不同。〕烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳知基、方烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、取代胺基、取代我基、i素原子、基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、- j貝的雜環基及取代羧基之定義、具體例等’與雨述R!、R2中的定義、具體例等是同樣的。其次，就原料單體的合成容易度的觀點，以上述式（π) 表示的重複單位，是以下述式（ν)表示的重複單位為佳。

〔上述式（v)中，rN2表示燒基，Ru及Ri2分別獨立地表示烧基、院氧基、烧硫基、彡基、芳氧基、芳琉基、芳烧基、芳烧氧基、芳㈣基、芳職、芳炔基、絲、取代胺基、石夕烧基、取财絲、i素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、酿胺基、醯亞胺基、—價的雜環基、縣、取代叛基、氮基或石肖基，£及h分別獨立地表示選自0至3的整數。 319441 21 200813111 R"及R12分別存在多個時，這些可相同也可不同」燒基、絲基、㈣基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳燒基、芳炫氧基、芳烧硫基、芳稀基、芳炔基、取代胺基、取代我基、A素原子、縣、醯氧基、亞胺殘基、酸胺基、酿f胺基、—價_環基及取代縣之定義、具體例寺，與琢U、R2中的定義、具體例等是同樣的。 “就提同本U的n分子化合物對有機溶劑之溶解度的觀點，上述式⑺中，R"及Rl2分別獨立地以烧基、院氧基、炫硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳燒基、芳院氧基、芳垸硫基、芳烯基、芳炔基或—價的雜環基為佳，並以烧基、燒氧基、院硫基、芳基、芳A基、芳疏基、芳燒基、芳垸氧基或芳烧硫基較佳，而以垸基、烧氧基、芳基更佳，以烷基或芳基最佳。 " 就原料單體的合成容易度的觀點，上述式（v)中，忌及 h以〇或1者為佳，並以g及卜為〇者最佳。至於以上述式（II)表示的重複單位之具體例，可舉例如以下述式（II-1)至（Π-8)表示的重複單位。 319441 22 200813111

CH3 (Π_7) (II_8) 除了上述式（I)、（ 11)之外，本發明的高分子化合物還有以下述式（III)表示的重複單位。 —(-A+ αιΐ) 、〔上述式（III)中，Ar表示二價的縮合多環式烴基、以下述式（VI)表示的基或以下述式（χ)表示的基。〕 (VI) 上ί中’Ar 1、An及Ar 3分別獨立地表示伸芳基或環基，X、/?，紅4及ΑΓ5分別獨立地表示芳基或一價的雜 χ表不0或1。〕 319441 23 200813111

(X) 〔上述式（X)中’ Ar7及Ar8分別獨立地表示伸芳基咬一價的雜環基，R22表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、月女基、取代胺基、砍烧基、取代石夕烧基、鹵素原子、驢基、 ( 酿氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基，η表示選自〇至2的整數。 y及ζ分別獨立地表示選自0至2的整數。R22、Ar7及Ar8 衣示分別存在多個時，這些可相同也可不同。〕式（111)中所謂二價的縮合多環式烴基，是從縮合多環式烴中去除二個氫原子之後殘留的原子團之意，該基也可具有取代基。至於取代基，可舉例如烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、自1&基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基。除去二價縮合多環式烴基中的取代基之部份的碳數，通系為10至50左右，而包含二價縮合多環式烴基的取代基之全碳數，通常為1〇至15〇左右。至於烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 24 319441 200813111 --芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、取代胺 -基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基及取代羧基，可舉例如與前述同樣的基。至於此處的二價縮合多環式烴基，則有直線性鄰位縮合的二價基（下式（III-A)至（III-D))、包括直線性鄰位縮合之外的鄰位縮合之二價基（下式（III-E)至（III-K))、含鄰位-迫位（ortho-peri)縮合的二價基（下式（111-L)至 ((III-Q))及含四員環、七員環及八員環的二價基（下式 (III-R)至（III-U))。

(ΙΠ-Α) (ΠΙ-Β) (HI-C)

απ-ο)

25 319441 200813111

(ΠΙ·Ε)

απ-F)

a (ΙΠ-L)

26 319441 200813111

(ΠΙ·0)

(Πϊ-Q)

(ΙΠ-R)

(ΙΠ·ϋ) 至於二價的縮合多環式芳香族烴基，可舉例如以下述式（III-1)至（III-8)表示之基。 27 319441 200813111

απ-3) (ΙΠ-1) (ΙΠ·2)

(ΙΠ-8) 一式（ΠΙ)中的上述式（VI)及（χ)之伸芳基，是從芳香族中去除二個氫原子後的原子團，為具有縮合環者，也含有獨立的苯環或二個以上縮合環以直接或藉由伸乙烯基等基而結合者。伸芳基也可具有取代基。雖然並未特別限定取代基的種類，但就溶解性、螢光特性、合成的進行容易度、作成元件時的特性等觀點，即以烷基、烷氧基、烧硫基务基方氣基、方硫基、芳炫基、芳烧氧基、芳烧硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、砍烷基、取代矽烧基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基為佳0 除去取代基部份後的伸芳基中之碳數，通常為6至 60’並以6至20為佳。又，包括伸芳基的取代基之全碳數，通常為6至1〇〇。 28 319441 200813111 0/ -至於伸芳基’可舉例如伸笨基(例如，下式1多 -萘二基（下式4至13)、苜-其Γ^ , ,?〇 ,,,, 心一基（下式〗4至19)、聯苯二農（

式 20 至 25)、聯三苯（terphenyl)二基 Α V 合環化合物基（下式29至35)、芴二二26至28)、縮并芴二基（下式39至46)等。土式36至38)、苯

R R R

R R

12

319441 29 200813111

30 319441 200813111

R R R R

R R

R , R

R R R R

(

R R

31 319441 200813111

斤又戶斤明—價的雜環基，是指從雜環化合物中去除二個風原子之後留下的原子團，該基也可具有取代基。— ;戶斤谓雜環化合物，是指具有環式結構的有機化合物之，：組广展的元素不僅只是碳原子，在環内也含有氧、硫、 =—*蝴、砰等雜原子。在二價的雜環基中，是以二價 \方香族雜環基為佳。雖然並無特龍定取代基的種類，、但，溶解性、螢光特性、合成的進行容易度、作成元件時的特性等觀點’則以炫基、燒氧基、炫硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳、λ、土胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、齒素原子、 -基ι氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜 319441 32 200813111 環基、幾基、取代幾基、氰基或石肖基為佳。 • ^ ΓΓΛ的雜環基中之取代基去除後的部份之碳數通常 :=，:包含二價的雜環基之取代基的全碳數通至於二價的雜環基，可舉例如以下者。含氮的雜原子之二價雜環基··吡啶二美 106)、二氮雜伸苯基（下式1〇7 土二土、r至11〇)、喹琳二基（至 125)、喹噚啉（quin〇xali 土1 下式 111 、定（acridlne)二基（下式 (下^26 至 _、。丫 — ^ ^ U1至134)、聯吡啶基二基（下式 135^⑺、啡琳（phenathr〇line)二基（下式⑽幻切。式丄：Γ等雜原子且具刪的基(下磷等雜原子的五員環含有氧、矽、氮、硫、硒、哪雜環基（下式156至175)。含有氧、矽、氮、硒等雜厗早 ^四式176至187)。，，京子的五貝裱縮合雜環基（下且以二％、硫、碼等雜原子的五員環雜環基，且以該_原子的讀結合而形成式188至189)。次养彔物的基（下且以:::子：、氮、硫、石西等雜原子的五員環雜環基，含;？子結合於苯基的基(下式，至專 3百氧、氮、硫、石西算雜居苯基、μ基心吩絲代㈣合雜環基經人七片_刀丞取代的基（下式197至202)。 3乳、乳等雜原子的六員環雜環基（下式203至 319442 33 200813111 ，206)。

101 102

R R

103

116 117 118 119 120

121 122 123 124 125 34 319441 200813111

126 127

128 129 130

131 132 133 134

R R R R

137

R R

R R R R

35 319441 200813111

36 319441 200813111

168 169 170 X Ϋ 冪 ¥ u 171 172 173 174 175

180

R R R R H 177 178 179 R R R

R

Se N R 183 182 37 319441 200813111

R R R

187

188 189

R R ft H R R

193 194 195

196

38 319441 200813111

C 上述式（1至46、101至206)中，R表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、卣素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基。烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳 (烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、取代胺基、取代石夕垸基、鹵素原子、酿基、醯氧基、亞胺殘基、驢胺基、酸亞胺基、-價的雜環基及取代缓基之定義、具體例等’與T述Ri、R2中的定義、具體例等是同樣的。就提高發光效率的觀點，以上述式（m)表示的重複單位是以上述式（VI)所表示的重複單位為佳。就原料單體的合成容易度的觀點，上述式（VI)中的Ar2 及Ars—疋以伸芳基為佳，並以伸苯基（例如，上述式（1至 3))、蔡二基（例如，上述式（4至13))或蒽二基（例如，上 319441 39 200813111 述式（14至19))所表示的基較佳，而 -佳’最好是伸苯基。 ’而以伸苯基、萘二基更就原料單體的合成容易度的觀點，者為佳，並以苯基、1-萘基、2-萘基、，An及An是以芳基 9-蒽基較佳苯基、1-萘基、2-萘基、丨―蒽基、2—蒽基或而以苯基、1 —萘基或2 —萘基更佳。就原料單體的合成容易度的觀點，以上述式（VI)表示的重複單位，以下述式（V⑴表示的重複單位為佳。

〔上述式（VII)中，Ar6表示伸芳基或二價的雜環基，R13、 R"、R15及Rie分別獨立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳烧氧基、芳烧硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烧基、取代碎烧基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、叛基、取代魏基、氰基或硝基，i及j分別獨立地表示選自0至4的整數，k及1分別獨立地表示每自0至5的整數。Rl3、Rl4、Rl5及Rl6分別存在多個時，這些可相同也可不同。〕伸芳基、二價的雜環基、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、取代胺基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、 40 319441 200813111 ，*-醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環美 -取代叛基之定義、具體例等，與前述Ri、中的二二二= 體例等是同樣的。 ^ ^ 就提高本發明的高分子化合物對有機溶劑之 =，，式(VII)m、m6是分別獨立I以、兀土蜿虱基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔美 ,4 方炔基或一價的雜環基為 =並以㈣、_烧氧基、院硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 —外基、方烧氧基或芳燒硫基較佳，而以烧基、烧氧美、芳基或芳氧基更佳，以烷基或芳基為最土就原料單體的合成容易度的觀點，二Rie是马佳。 = 就原料單體的合成容易度的觀點，上述式（v⑴中的工及j以〇或1為佳，並以〇為最佳。就提高本發明的高分子化合物對觀點，上述ΑΓντπΦ ,,, 對有機洛劑之溶解度的上述式（VII)中，u i以選自亚以選自1至3的正整數更佳。的正數為k 就原料單體的合成容易度的_ 是以上述式（v⑴十，紅6 疋乂 ^申方基為佳，並以上述式U？ 17、19、2〇、23、26、27、29至3、4、12、13、14、16、表示之基更佳。 29至33、36、39、43或45) 是以㈣合成以度的觀點，上述式（V⑴中，Ar6 &式（¥111)表不的二價基為佳。 319441 41 200813111

〔上述式（¥111)中，1^、1^、1?19及1^2()分別獨立地表示氫原子、烧基、烧氧基、炫硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、石夕烧基、取代石夕烧基、li素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基，Rn與Ru、Rn與也可相互結合而形成環。〕烧基、烧氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、取代胺基、取代梦烧基、齒素原子、蕴基、酸氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基及取代羧基之定義、具體例等，與前述R!、中的定義、具體例等是同樣的。就原料單體的合成容易度的觀點，上述式（νιπ)中， m9及R2D是分別獨立地以氫原子、统基、烷氧基、院硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳院基、芳烧氧基、芳烧硫基、料基、芳炔基或—價的雜環基為佳，並以氯原子、絲、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳院氧基或芳烧硫基較佳，而以氫原子、院基、燒氧基m芳氧基更佳’最好是氫原子或烧基。就提高發光效率的觀黑占，^與心、心與^是以相互 319441 42 200813111 結合而形成環者為佳。、4:f(mi)中，當心與“、心與^形成_，其裱可舉例如可呈古而，丨、# U取％ %，有取代心代基之^ Gl°的魏基環、可具戈土之C4至c〗。的環嫌其祿、可目士、的芳香族烴環或可I//、有取代基之c6至。飞]具有取代基之G至C"的雜環。基的的合絲易度的觀點，μ可有取代為佳，烴環或可有取代基的“的雜環 '”、 "取代基的Ce至Ch的芳香族烴環較佳。 =環烧基環、環烯基環、芳香族烴環及雜環，則如則述（I) ¥所例示的環同樣。就提高發光效率的觀點，以上述式（νπί)表示的二價基疋以下述式（Π)表示的二價基為佳。吒I)m

(IX) 〔上述式（IX)中，L表示烷基、烷氧基、烧硫基、芳基、 f氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、S&基、酿氧基、亞胺殘基、醯胺基、酿亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基，m表示選自Q 至8的整數。當Ru存在多個時，這些可相同也可不同。〕烧基、烧氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳统氧基、芳烧硫基、芳稀基、芳炔基、取代胺基、 43 319441 200813111 就原料單組的合成容易度的觀點，上述式（VII)中，Ar 是以下述式(XIV)表示的二價基為佳。取代石夕焼基、卣素原子、酿基基、醯亞胺基、一價的雜環基等’與前述R!、R2中的定義、、醯氧基、亞胺殘基、醯胺及取代羧基之定義、具體例具體例等是同樣的。 ^)q (R26)r

(XIV) 〔上速式（XIV)中r25及R26分別獨立地表示烧基、烧氧基、烷石瓜基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳燒氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳块基、胺基、取代胺基、石夕烧基、取代石夕烧基、函素原子、醯基、酿氧基、亞胺殘基 '酿胺基、酸亞胺基、-㈣雜環基、羧基、取代縣、氰基或碟基， 9及r分別獨立地表示選自G至4的整數。I及-分別存 (在多個時，這些可相同也可不同。〕烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳垸氧基、芳烧硫基、料基、芳炔基、取代胺基、取代石夕烧基、鹵素原子、蕴基、醯氧基、亞胺殘基、酿胺基、醯亞胺基、一價的雜環基及取代羧基之定義、具體例等，與前述R!、R2中的定義、具體例等是同樣的。就提南本發明的高分子化合物對有機溶劑之溶解度的觀點，上述式（IX)中，心是分別獨立地以烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳 319441 44 200813111 ，从基、方婦基、芳块基或一價的雜環基為佳，並以烧美 -烧氧基1硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、技基、芳^ 軋基我方院硫基較佳，而以燒基、烧氧基更佳，以烷基或芳基為最佳。飞方虱基就原料單體的合成容易度的觀點，上述式（IX)中，m 是以選自0至4的整數為佳，並以選自〇至2的整數較佳，而以0為更佳。至於以上述式（VI)表示的重複單位之具體例，有以下述式（III-9)至（III-20)表示的重複單位。

faN

NX>j~ ch3 (ΙΙΙ·9)

H3C^-CH3

^ P

ch3

H3C c4h, (ΗΙ·12)

C4He (ΙΠ_13)

στ (ΙΠ-15) 319441 45 200813111

示的重又，就提高發光效率的觀點，以上述式（丨丨丨）表衩單位是以下述式（X)表示的重複單位為佳。 η以就原料單體的合成容易度的觀點，上述式（x)中， 0為佳。就原料單體的合成容易度的觀點 ζ分別獨立地以0幻為佳。 UOO中’y及就提高發光效率的觀點，上述式（X)中以二價的雜環基為佳。及Ar8是 Θ下述式（XI)表價基為佳一就提高發光效率的觀點，Ar?及Ar8是不 319441 46 200813111 (¾) c

(XI) 〔上述式（XI)中R23表不烧基、烧氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基，〇表示選自0 ( 至2的整數。R23存在多個時，這些可相同也可不同。〕烧基、烧氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳烧氧基、芳烧硫基、芳烯基、芳炔基、取代胺基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基及取代羧基之定義、具體例等，與前述Ri、R2中的定義、具體例等是同樣的。就提高本發明的高分子化合物對有機溶劑之溶解度的 # 觀點，上述式（XI)中’ R23是以烧基、炫氧基、烧硫基、芳 ί，基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基或一價的雜環基為佳，並以烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基或芳烷硫基較佳，而以烷基、烷氧基、芳基或芳氧基更佳，以烷基或芳基為最佳。就原料單體的合成容易度的觀點，上述式（XI)中，0 以0或1為佳。至於以上述式（X)表示的重複單位之具體例，有以下述 47 319441 200813111 ，式（III-21)至（III-31)表示的重複單位人

h3c ch3 (ΠΙ-22) (ΙΠ-21)

όβΗ13 CeH13 (ΙΠ·23)

(HI-26)

本發明的高分子化合物，也可含有上述式（1)所示的重複單位、上述式（Π)所示的重複單位及上述式（ΠΙ)所示的重複單位之各二種以上。本發明的高分子化合物，其中{(J) + (J丨）+ (〗丨丨）}在王口Ρ重單位中的含量，通常是在5〇莫耳％至1QQ莫耳％的範圍内。而（〗）/{( II)+(111)}通常是以1至20的範圍之值表示，並且（II) / (III)通常是以〇〇5至2〇的範圍之值表示。 48 319441 200813111 一本發明的高分子化合物，從改變發光波長的觀點、提高發光效率的觀點、提高耐熱性的觀點等，除了含有上述的⑴、（II)、（ΙΠ)之重複單位之外，是以含有—種以: 其他的重複單位之共聚物為佳。至於⑴、（⑴、⑴工）之外的重複單位，也可含有以下述式（A)表示的重複單位。 -Ara - （A) (式中’ 別獨立地表示伸芳基、二價的雜環基或具有金屬錯合物結構的二價之基。）至於伸芳基及二價的雜環基，則與上述表示的基相同。至於此處具有金屬錯合物結構的二價之基，具體上可例示如以下的301至307。

319441 49 200813111

上述式（301至307)中，R是與前述式（1至46、至2 0 6)中的例示同樣。 1 、在以上述式（A)表示的重複單位中，是以下述式（b) 式（C)、式（D)或式（E)表示的重複單位為佳。

(式中，Ra表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基 '芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基取代胺基、梦烧基、取代砍烧基、鹵素原子、酿基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、 (:鲅基、取代羧基、氰基或硝基，α表示選自〇至4的整數。 Ra存在多個時，這些可相同也可不同。）

(式中，Rb及Re分別獨立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、 50 319441 200813111

這些可相同也可不同。）

、（式中，Rd表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、齒素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、綾基、取代羧基、氰基或硝基。（5表示〇至2的整數。Arb 及Arc分別獨立地表示伸芳基、二價的雜環基或具有金屬錯合物結構的二價基。ε及0分別獨立地表示〇或1。Z! (表示0、SO、S〇2、Se或Te。當Rd存在多個時，這些可相同也可不同。)

(式中，Re及Rf分別獨立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基' 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽垸基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、 51 319441 200813111 一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基。7"及分別獨立地表示選自0至4的整數。Ζ2表示0、S、S〇2、Se、 Te、N-1或SiRhRi。z3及2U分別獨立地表示N或C-Rj。Rg、 Rh、Ri及Rj分別獨立地表示氫原子、烷基、芳基、芳烷基或一價的雜環基。當1及1分別存在多個時，這些可相同也可不同。）至於以式（E)表示的重複單位之中央五員環之例，有嗔一唑、％二唑、三唑、噻吩、呋喃、噻咯（sil〇le)等。至於本發明的高分子化合物之具體例，有以下述式 (XII)表示的高分子化合物。

Ar At3、Ar4、An a 、 “△ π &祆久攻您的例更興迟者同k u為50至95的範圍之值，ν為^至2〇的範之值’ W為i至20的範圍之值，u + v+w=i〇〇，u/(v + ί 為1至20的範圍之值，v/w為〇〇5至2〇的範圍之值式（ΧΠ)表示的高分子化合物，也可為無規共聚物肷&共聚物、交替共聚物的任一種。〕 ^2元件的壽命特性的觀點，本發明的高分子化心 ^异^乙稀的數平均分子量是以lQ3至Μ為佳，並以 10至10較佳，而以1〇4至1〇7更佳。 319441 52 200813111 此時’關於數平均分子量及重量平均分子量，是依尺寸筛除層析法（Size Exclusion Chromatography，SEC)(島孝製作所製：LC-1 〇 Avp)求得換算聚苯乙烯的數平均分子量及重1平均分子量。將所欲測定的聚合物溶解在四氫呋喃中直到濃度變為約〇.5wt%後，注入30//L至GPC内。使用四氫夫南為GPC的流動相，以0· 6mL/min的流速流動。管柱係將兩支 TSKgel SuperilM-H(T0S0H 製）與一支 TSKgel S叩erH2刚（T〇s〇H製）串接。檢測器係使用微差折射率檢測裔（島津製作所製：RID-10A)。 +货听的咼分子化合物可為交替、無規、嵌段或 f枝f聚物，也可為具有這些中間性結構的高分子，例如 :有甘ά性的無規共聚物。就獲得高螢光或鱗光的量子產發光體的觀點，比起完全無規共聚物以帶有嵌二有心、規2聚物和嵌段或接技共聚物為佳。也包含主鏈 ,(::二個以上末端w -基又能性，故也可由稃㈣發光特性和壽命之可

德疋的基保瘦。以具有盥 U 連接之共軛鍵者為佳，似心士— /、主鏈的共軛結構雜環基結合之結構的例 9 一45478號公報的化10揭示之取代基等日本特開平至於對於本發明的高分子化合氯仿、，、二氯乙燒、四氣吱喃、巧 319441 53 200813111 ‘三甲苯（mesitylene)、四氫萘（tetralin)、十氫蔡 -(decal in)、正丁苯等。雖然也因高分子化合物的結構或分子量而異，但通常高分子化合物可在這些溶劑中溶解〇工重量％以上。其次說明有關本發明的高分子化合物之製造方法。例如，使用以Y〗-A-Y2表示的化合物作為原料之—，且可藉由使此化合物縮聚而製造本發明的高分子化合物。（式中，表示以上述式（1)、（11)或（ΙΠ)表示的重複單位。 Y1及Y2分別獨立地表示可縮聚之取代基。）又，本發明的高分子化合物具有—A—之外的重複單位打，只要使之外的重複單位之具有與兩個縮聚有關之取代基的化合物共存而縮聚即可。至於以+表示的重複單位之外的重複單位之具有兩個的可縮聚之取代基的化合物，如以Y3—Ara_Y4例示的化合物（式中’Ara與前述相同。匕及匕分別獨立地表示與縮聚有關之取代基。）除了以Υ】_Α-Υ2表示的化合物之外，可藉由使以 Υ3-Αγ「Υ4表示的化合物縮聚而製造本發明的高分子化合物。二以上述式⑴、⑴)或（ιπ)表示的重複單位之外、、复單位之具有與對應於上述式⑼的兩個聚合縮合有代基之化合物，有例如以下述式（Η)表示的化合物。 319441 54 200813111

(式中關於Arb、Arc、z!、Rd、占、ε及$的定義與前述相同。Υ5及Υ6分別獨立地表示與縮聚有關之取代基。）至於本發明的製造方法中有關縮聚的取代基（γ〗、γ2、 Υ3、Υ4、Υ5及Υ6)，可舉例如齒素原子、燒磺酸根基、芳磺酸根基、芳烧石黃酸根基、餐g旨基、鏡甲基、鱗甲基、_ 甲基、單鹵化甲基甲酿基、氰基或乙稀基此處的鹵素原子，可舉例如氟原子、氯原子、演或蛾原子。至於料酸根基，可舉例如甲㈣酸根基、乙燒根基、三氟曱烷磺酸根基等；苯細艮基、對甲苯磺酸根基等於可舉例如舉例如苯曱錢根基等。至於方糾酸根基，可至於硼酸醋基’可舉例如以下述式表示的基。 JDMe 、OMe <：； 0 一

(式中，Me表示甲基，Et表示乙基。）至於毓甲基’可舉例如以下 -CH2S + Me2X—、-CH2S + Ph2X- 矿丁的基 319441 55 200813111 .* (X表示鹵素原子 • 至於鱗甲基 -CH2P + Ph3r ph表示苯基。）可舉例如以下述式表的基 (X表不鹵素原子。）至於磷酸酯甲基 -CH2P0(0R’）2 可舉例如以下述式I示的基。 (R表示烷基、芳基、芳燒基。）氯化曱基、溴至於單鹵化甲基，可舉例如氟化甲基化甲基或碘化甲基。至於與縮聚有關的取代基之理想取代基，雖然因聚反應的種類而異，但例如在使用Yamam〇t〇耦合反應等中〇價鎳錯合物時，可舉例如齒素原子、烧石黃酸基:芳石备函基或芳料酸基。而在使用Suzuki#反應等h錄觸、或I巴觸媒時，可舉例域賴基、❹原子、顯醋基 -B(0H)2等。具體士，本發明的製造係可將具有多個與縮聚有關的取代基之單體化合物，依需要溶解於有機溶劑中後，使用例如鹼或適當的觸媒，且於有機溶劑的熔點以上沸點以下之溫度中進行。例如，可使用“0rganicsyntheses”，第 14 卷，270-490 頁，John Wi ley & Sons, Inc·，1 965 年、

Organic Syntheses , Collective Volume VI, 407-411 頁，John Wiley & Sons，Inc·，1988 年、Chem· Rev·，第 95 卷，2457 頁（1 995 年）、J· Organomet· Chem·，第 576 卷，147 頁（1 999 年）、MaCromol· Chem·，Macromol· Symp·， 56 319441 200813111 第12卷，229頁（1 987年）等中已周知的方法。本發明的高分子化合物之製造方法中，可依與關的取代基，使用已知的縮合反應。 ' ^ 例如使適當之單體藉由Suzuki耦合反應而聚合的方法、藉由Grignard反應而聚合的方法、藉由Ni(〇)錯合物而聚合的方法、藉由FeCl3等氧化劑而聚合的方法、電化學的氧化聚合之方法，或藉由分解具有適當的脫離基之中間體高分子之方法等。在這些方法之中，是以藉由Suzuki耦合反應而聚合的方法、藉由Grignard反應而聚合的方法、及藉由鎳〇價錯合物而聚合的方法，因容易控制結構而佳。在本發明的製造方法之中，與縮聚有關的取代基（I、 Y2、Y3、Y4、Y5及Y6)以分別獨立地選自鹵素原子、烷磺酸基、芳磺酸基或芳烷磺酸基，於鎳0價錯合物存在下縮聚的製造方法為佳。至於原料化合物，可舉例如二函化化合物、雙（烷磺酸根）化合物、雙（芳續酸根）化合物、雙（芳院績酸根）化合物、鹵素-烷磺酸根化合物、鹵素—芳磺酸根化合物、鹵素一芳烷磺酸根化合物、烷磺酸根-芳磺酸根化合物、烷磺酸根 -芳烷磺酸根化合物及芳磺酸根-芳烷磺酸根化合物。此時，可舉例如藉由使用鹵素—烷磺酸根化合物、鹵素 -芳磺酸根化合物、i素-芳烷磺酸根化合物、烷磺酸根-芳磺酸根化合物、烷磺酸根-芳烷磺酸根化合物或芳磺酸根 -芳烧石黃酸根化合物，而製造已控制順序（sequence)的高分 57 319441 200813111 • •子化合物之方法。 - 且，本發明的製造方法之中，與縮聚有關的取代基 (Υι、Y2、Y3、Y4、Y5及Y6)為分別獨立地選自鹵素原子、烷磺酸根基、芳磺酸根基、芳烷磺酸根基、硼酸基或硼酸酯基而具有全原料化合物之鹵素原子、烷磺酸根基、芳磺酸根基及芳烷磺酸根基的合計莫耳數（J)、與硼酸基（―b(〇h)2) 及硼酸酯基的合計莫耳數（κ)之比實際上為丨（通常K/J為〇· 7至1. 2的範圍），且以使用鎳觸媒或鈀觸媒以縮聚的製 C 造方法為佳。至於具體的原料化合物之組合，可舉例如二鹵化化合物、雙（烷磺酸根）化合物、雙（芳磺酸根）化合物或雙（芳烷磺酸根）化合物與二硼酸化合物或二硼酸酯化合物的組合。又，可舉例如鹵素-硼酸化合物、函素—硼酸酯化合物、烷磺酸根-硼酸化合物、烷磺酸根—硼酸酯化合物、芳磺酸根-硼酸化合物、芳磺酸根—硼酸酯化合物、芳烷磺酸根一 I 硼酸化合物、芳烷磺酸根—硼酸酯化合物。此時，可舉例如藉由使用齒素—硼酸化合物、鹵素一硼酸酉曰化合物、烧續酸根—硼酸化合物、烧續酸根—硼酸酯化合物、芳磺酸根-硼酸化合物、芳磺酸根-硼酸酯化合物、芳烷磺酸根-硼酸化合物、芳烷磺酸根—硼酸酯化合物作為原料化合物’而製造已控制順序的高分子化合物之方法。至於有機溶劑，雖然也可因所使用之化合物或反應而異’但一 4又為了抑制副反應’而宜將所使用之溶劑充分施予脫氧處理後，再於惰性氣體下進行反應。又，同樣地進 58 319441 200813111 •.行脫水處理為佳。但是，在與如同Suzuki耦合反應之水在 -二相系中反應時，則無此限制。至於溶劑，可舉例如戊炫、己院、庚烧、辛烧、環己料鮮烴，苯、甲苯、乙苯、二甲苯等不飽和煙，四氯化石厌二虱仿、二氯甲烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊 =氯己炫、溴己院、氯環己烧、漠環己烧等産化飽和煙，氯笨一氯表、二氯笨等齒化不飽和煙，甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、第三丁醇等醇類，蟻豸、醋酸、丙酸等緩酸類，二甲基驗、二乙基謎、甲基-第三丁基st、四氫夫南四氫旅喃、一 π亏燒等驗類，三甲胺、三乙胺、N，NU _ 四曱基乙二胺、吡啶等胺類，n，n-二甲基甲醯胺、N，N_: 曱基乙醯胺、N，N~二乙基乙醯胺、氧化N-甲基嗎啉等醯胺類等。這些溶劑可單獨也可混合使用。在這些溶劑中，以醚類為佳，並以四氫呋喃、二乙基醚更佳。可添加適宜驗或適當的觸媒，以使其反應。只要依所使用之反應而選擇此等即可。該鹼或觸媒是以可充分溶解於反應中所使用的溶劑者為佳。至於使驗或觸媒混合的方法，可例示在氬氣或氮氣等惰性氣體的環境下，一邊授拌反應液-邊緩緩的加入驗或觸媒之溶液，或相反地將反庳液緩緩加入鹼或觸媒的溶液中的方法。 " 在將本發明的高分子化合物使用於高分子⑽等中影！到發光特性等元件性能，故宜使聚二⑴又：二条田、昇華精製、再結晶等方法精製後再聚口。 u後，以藉由再沉殿精製、層析進行分離等純化 319441 59 200813111 ，處理為佳。本發明的組成物係含有本發明物’可舉例如含有選自由電洞輸送材料：二::: 發光材料組成群族中的至少一種，k材科及化合物之至少一種的組成物、卞至少二種的組成物等。有本發明的高分子化合物 _本：明的液狀組成物有用於製作高分子發光元等發光 :::有：電晶體。液狀組成物係含有前述高分子化合物〆、/谷劑而成者。本說明壹中的「在件昧mu 錢組成物」，係指製作元件％為液狀者，典型之例係指在常Μ(即-大氣墨）、2吖 :為液狀者之思。又’液狀組成物一般有時稱為印墨、印墨組成物、溶液等。本發明的液狀組成物除了前述高分子化合物之外，也 2有低分子發光材料、電洞輸送材料、電子輸送材料、 =疋d ^ _黏度及/或表面張力用的添加劑、抗氧化劑荨。任何的這些成分分別可單獨使用一種或併用二種以上。至於本發明的液狀組成物可含有的低分子螢光材料，可舉例如萘衍生物、蒽、葱衍生物、⑽㈣漬）、苑衍生物、聚:欠甲基（PQlymethine)系色素、㈣（讓让咖）系色素、香豆素（coumarin)系色素、花青（cyanine)系色素、具有以8-羥基喹啉的金屬錯合物為配位基之金屬錯合物、具有以8_羥基喹啉衍生物為配位基之金屬錯合物、其，的螢光性金屬錯合物、芳香族胺、四苯基環戊二烯、四苯基％戊二烯衍生物、四苯基環丁二烯、四苯基環丁二烯 319441 60 200813111 何生物、二苯乙烯（stilbene)系、含矽芳香族系、噚唑系、 -呋咱（furoxan)、噻唑系、四芳基甲烷系 '噻二唑系、吡唾系、間環芳（cyclophane)系、乙炔系等低分子化合物之螢光性材料。具體上，可舉例如日本特開昭517“號公報、日本特開昭59_1 94393號公報上所記載者、已周知者。至於本發明的液狀組成物可含有的電洞輸送材料，可舉例如聚乙埽味唾（polyvinylcarbaz〇le)及其衍生物、聚 =烧及料生物、側鏈或主鏈上具有芳香族胺的聚發氧燒衍生物"比。坐淋衍生物、芳胺衍生物、二苯乙婦街生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚料及其衍生物、聚（對伸苯基伸乙婦基）及其衍生物、聚（2, 5-伸噻吩基伸乙稀基）及其衍生物等。邀至於本發明的液狀組成物可含有的電子輸送材料，可舉:如嗜二唾衍生物、葱酿二甲燒及其衍生物、苯酿及其何物、奈酿及其衍生物、gg昆及其衍生物二=其衍生_及其衍生物、二苯基二二全屬*人:㈣^生物、8_絲㈣衍生物及其衍生物的二:生:r其衍生物—及其衍生物、料二tr?液狀組成物可含有的安定劑，可舉例如酜糸抗虱化劑、磷系抗氧化劑等。，於本發明的液狀組成物可含有的調 =用之添加劑’只要將例如提高黏 = 化…增黏劑)或貧溶劑、降低黏度用的低分子量之:: 319441 61 200813111 物、降低表面張力用的界面活性劑適宜組合使用即可 •纟於前述的高分子量之化合物，只要是不會阻礙發光和電荷輸送者即可，通常是對液狀組成物的溶劑有可ς 者。高分子量的化合物，可使用例如高分子量的聚苯乙煤、南分子量的聚甲基丙烯酸甲酯等。前述的高分子物換算成聚苯乙烯之重量平均分子量以在5〇萬以。 :劑一萬以上更佳。又，也可使用貧溶劑作為增至於本發㈣錄組成物可含有的抗氧㈣，。要3 不會阻礙發光和電荷輪送者即可，當組成物含有溶劑時疋通常是對該溶劑有可溶性者。至於抗氧化劑化劑、磷系抗氧化劑等的例示。因使用抗氧化劑’而= 别述焉分子化合物、溶劑的保存安定性獲得改善。當本發明的液狀組成物含有電洞輸送材料時，材料之比率’通常為1重量㈣重ϋ並以5重量％至6G重量％更佳。當本發明的組成物含有電子輸送材料時，該液狀組子 =之比率，通常為丨重量%至8。重量％，並以= 至60重量％更佳。里里在製作高分子發光元件之際，當使用此液物塗布後’只要藉由乾燥而去除』在此σ有电何輸送材料和發光材料時，由於也可適用同樣的技巧，故在製造上非常有利。尚且，在乾燥可於已加熱至5°至靴左右的狀態下乾燥，或也可減壓 319441 62 200813111 至l〇-3Pa左右而乾燥。至於使用液狀組成物的成膜方法，則可使用旋轉塗布法、鑄墨（casting)法、微凹板塗布（micr〇gravure⑽加）法、凹板塗布法、條狀塗布法、滾塗法、線棒（_ Μ 塗布法、浸塗法、細缝（slit)塗布法、罩（cap)塗布法、毛細管塗布法、喷塗法、網版印刷法、擎曲印刷法、膠版印刷法、喷墨印刷法、喷嘴塗布法等塗布法。液狀組成物中之溶劑比率，相對於該液狀組成物的總 ^通常是i重量％至99 9重量％，並以6〇重量％至999 較佳，而在90重量％至99 8重量％更佳。液狀組成物的黏度因印刷法而異，但25。〇時以在05至遍Pa· S壯的=圍為佳’在以喷墨印刷法等使液狀組成物經由流出矿置机出者犄’為了防止流出時流出孔的阻塞或飛濺彎曲，而饥時黏度以在0.5至20mPa.s的範圍為佳。至方、在液狀組成物中含有的溶劑，是以可溶解或分散，液狀組成物中的該溶劑之外的成分者為佳。至於該溶，’可舉例如氯仿、二氯甲燒、1>2_二氯乙烧、 2 、元氯苯姊一氯苯等氯系溶劑，四氫呋喃、二噚烷 f趟系溶劑，甲苯、二甲苯、三甲苯、U，5-三甲苯等芳曰無烴系溶劑，環己烷、甲基環己烷、正戊烷、正己烷、二庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪族烴系溶劑，丙二甲土乙基酮、環己®同等酮系溶劑，醋酸乙酯、醋酸丁醋、苯甲酸甲酯、乙酸2-乙氧乙醋（ethylcell〇s〇lve cetate)等醋系溶劑’乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單 319441 63 200813111 •-乙_、乙二醇單甲醚、二甲氧乙烧、丙二醇、二乙氧甲产 -=二醇單乙鱗、甘油、u_己二醇等多元醇及其衍生:，甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇等醇系溶劑，二甲基亞石風(dimethylsulf0xide)等亞砜系溶劑，"基_2 一吡：嗣、N，N-一甲基甲贐胺等醯胺系溶劑。又，這些溶劑獨使用-種也可組合多種使用。前述溶劑之中成臈性等觀點，是以含有一種以上之具有含至少—個=環構，且溶點在代以下、彿點在⑽t以上的有機溶^ 就液狀組成物中的溶劑之外的成分對有機 =成_均勻性、黏度特性等觀點，溶劑的種^ 二广：系溶劑、脂肪族烴系溶劑、醋系溶劑苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、均」 .丙本、異丙苯、正丁苯、異丁苯、第二丁苯二(a;:，)、乙氧苯、Ρ甲基萘、環己烷、環己酮、環㈣己燒、環己埽環己鲷、正庚基環己燒、正己基 ::烷、苯甲酸甲醋、2_丙基環己酮、2 _ : =、2十…，、2-癸酮、二環己心而苯甲酸甲酯中的至少一種者較佳。 “己说、攸成膜性或元件特性等觀點，在溶劑之種類，是以2種以…土 2 3有的 2種更佳。種乂上為仏，並以2至3種較佳，而當液狀組成物中含有2種溶劑時，其令的一種溶劑可 319441 64 200813111 •-於25°C時為固態。您士、 ^ '在ISO。。以上者，而另’之觀點，是以-種溶劑為沸點亚以一種溶劑之沸點在2⑽ 者為Y土，點不到]80t者更#。v… 者，而另一種溶劑是沸由液狀組成物中去除溶劑後的成分之二：二，溶劑中為佳，並以2豨沾、〜七占 U重里/以上溶於

由液狀组赤物由土各剑中之一種溶劑中，於25V 由液狀，、且成物尹去除溶劑後溶劑中者為佳。 ^重里^以上溶於 ▲當液狀組成物中含有3種溶劑時，#中的u 二:於:一。時為固態。從成膜性之觀點，是以3種溶劑中卜>有-種溶劑為彿點在18Gt以上之溶劑，而至少一 :劑是㈣在18m之溶料佳，独3種 =少-種溶劑是彿點在2〇rc以上靴以下之溶劑，而 ^-種溶劑是彿點在180。〇以下之溶劑更佳。又，從黏又的硯點’是以3種溶劑中的2種溶劑於6代時，由液狀組成物中去除溶劑後的成分之〇2重量％以上溶於溶劑中為佳’並以3種溶劑中之一種溶劑中，於饥時，由液狀组成物中去除溶劑後的成分之0.2重量％以上溶於為佳。 m —當液狀組成物中含有2種以上的溶劑時，從黏度及成膜性之觀點，沸點最高的溶劑是以在液狀組成物中含有的 ^溶劑之重量的40至90重量％為佳，並以5〇至9〇重量 %車父佳，而在65至85重量％時更佳。 <用途〉 319441 65 200813111 可使=2分:化合物不僅可使用作為發光材料，也料、太陽電池或藉由摻雜而成的導電性材料。先子材二=本發明的薄膜。此薄膜係使用前述高分子化導兩㈣膜^於賴的種類，可例示如發光性薄膜、 ¥私生，專胰、有機半導體薄膜等。 :::的亮度或發細等觀點，發光性薄膜是以發先=子產率在50%以上為佳，並以在以在70%以上時更佳。权1土而，電性薄膜是以表面電阻在1ΚΩ/□以下為佳。可藉 =在溥膜上摻雜路易斯酸、離子性化合物等，而提高導^

=以表面電阻在_Ω/□以下較佳，❿1G 更佳。 1 =機何體薄膜是以電子移動度或電洞移動度的任一較大者’在1〇-w〜秒以上為佳，並以在1(rWv /秒以^較佳，而在10-lcmVv/秒以上更佳。又，可使用有機半導體薄膜，以製作有機電晶體。具體上，係藉由

Sl〇2等絶緣膜與閘極之Si基板上形成有機半㈣㈣後’以Au等形成驗與汲極（drain 即可作成有機電晶體。；曰其次’說明有關有機電晶體之—形態的高分子場效電晶體。 j發明的高分子化合物可適用作為高分子場效電晶體々材枓’其中尤其適用作為活性層。至於高分子場效電晶 319441 66 200813111 /體的結構，通常是設置成將源極及汲極連接在由古八 -成的活性層上，並且只要設置成挟有連接在二= 層之閘極即可。 1層的絶緣面分子場效電晶體通常是形成在支樓基板上。至於撑基板之材質，只要是不會阻礙場效電晶體的特性即益別的限制，但是也可使用玻璃基板、可繞塑膠基板。号联暴扳或冑分子場效電晶體可依周知的方法製造，例如曰太炉 f開平5-1 10069號公報令的方法。日本斗寸在形成活性層之際，使用有機溶劑可溶性的高分子合物非常有利於製造而佳。至八#入一狂主於由使有機溶劑可溶性的高 =合：溶解於溶劑所成溶液的成膜方法，可使用旋轉 ;;冷，法、微凹板塗布法、凹板塗布法、條狀塗布右κ土法、線棒塗布法、浸塗法、細縫塗布法、帽式塗

Si印=管塗布法、喷塗法、網版印刷法、彎曲印刷^ ^ ^ /赁墨印刷法、喷嘴塗布法等塗布法。 2高分子場效電晶體後’是以密封而成的密封高分 W體為佳。高分子場效電晶體可因此而與大氣阻隔，而可抑制高分子場效電晶體的特性之降低。 ' 化樹方法，則有以紫外線⑽)硬化樹腊、熱硬 :::無機的Sl0Nx膜等罩覆的方法、以肝硬、 μ盘p 或㈣合的方料。在製作可有阻隔之高分子場效電晶體後，—直到密封的步、/在大乳中（例如，在乾燥的氮氣環境中、真 319441 67 200813111 ，空中等）進行為佳。 ‘ 其次’說明有關有機太陽電池。以有機太陽電池之一形態、的有機光電轉換元件，說明利用光電效應的固體光電轉換元件。本發明的高分子化合物可適用作為有機光電轉換元件的材料’甚至也可作為利用有機半導體與金屬之間的界面之肖特基（Schottky)能障型元件的有機半導體層，又，可作為利用有機半導體與無機半導體或者有機半導體之間的界面之pn異接合型元件的有機半導體層。並且，可適用作為已增大施體·受體的接觸面積之散裝異接合型元件中的電子供應性高分子、電子接受性高分子，又:可適用作為使用高分子•低分子複合系的有機光 ^轉換元件你】如刀政有以富勒稀衍生物為電子接受體的散裝異接合型有機光電轉換元件之電子供應性共軛系高分子（分散支撐體）。 ( 一„光電轉換元件之結構’例如在為卯異接合型 :二是歐姆性電極，例如，只要在ίτο上形成p型半並積層η型半導體層，再在其上設置歐姆性電有機光電轉換元件通常是形成在支撐美板上板的材質只要不會阻礙作為有機#币姑上。支撐基 .4±pt 铖作為有機先電轉換元件的特性，即 …、才寸別的限制，但也可使用破產或塑膠基板。 ❹麵基板、可撓式的薄膜基板有機光電轉換元件可依周知的方法製造，例如可依 319441 68 200813111 / Synth. Met., i〇2, 982(1 999) t ^ Science, 270 、1789(1 995)中的方法製造。其次，說明有關本發明的高分子發光元件。本卷月的同刀子發光元件係具有由陽極及陰極組成的包極’與设置在該電極間且含有前述高分子化合物的發光層者。又，至於本發明的高分子發光元件，有··（1)在陰極盥發光層之間設有電子輸送層的高分子發光元件、⑵在陽極一與發光層之間設有電洞輸送層的高分子發光元件、（3)在陰極與發光層之間設有電子輸送層，且在陽極與發光層之間設有電洞輸送層的高分子發光元件等。更具體而§，有以下a)至d)的示例。 a) 陽極/發光層/陰極 b) 陽極/電洞輸送層/發光層/陰極 c) 陽極/發光層/電子輸送層/陰極 I d) 1¼極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 (此時’/表示各層是鄰接的積層著。以下同。）此時，發光層係指具有發光機能的層，電洞輸送層係指具有輸送電洞之機能的層，電子輸送層係指具有輸送電子之機能的層。尚且，電子輸送層與電洞輸送層總稱為電荷輸送層。發光層、電洞輸送層、電子輸送層，也可分別獨立地使用2層以上。又，鄰接發光層的電洞輸送層，有時也可稱為内夹 (interlayer)層。 319441 69 200813111 .雖然並未限制發光層的成膜方法，但可例示由溶 -膜的方法。風至於由溶液成膜的方法，可使用旋轉塗布法、鑄屙法、微凹板塗布法、凹板塗布法、條狀塗布法、滾塗法、線棒塗布法、、浸塗法、細縫塗布法、帽式塗布法、毛細管塗布法、喷塗法、網版印刷法、彎曲印刷法、膠版印刷法、喷墨印刷法、噴嘴塗布法等塗布法。、製作高分子發光元件之際，因使用本發明的高分子化 ^物’在由溶液成膜時，只要使此溶液塗布後乾燥而去除溶劑即可’又即使在使電荷送材料或發光材料混合時，也可應用同樣的方式，而在製造上非常有利。至於發光層的膜厚’最適值因所使用之材料而不同，但只要選擇可使驅動電壓與發光效率達適度之值即可，例 ^ —至1 # m，並以2nm至5〇〇m為佳，而以—至⑽ 更佳。明的高分子發光元件中’發光層中可混合使用子化合物之外的發光材料。又，在本發明的高分件中’含有上述高分子化合物之外的發光材料之 -、、，也可與含有上述高分子化合物的發光層積層。至於前述高分子化合物之外的發光材料，可使；已周口…°在為低分子化合物時，例如可使用萘衍生物、惠及 ^丁生物、A及其衍生物、聚次甲基系色素、咕吨系色素、、花青系等色素類、δ—經基料及其衍生物的金 S 口物、方香族胺、四苯基環戊二烯及其衍生物、四苯 319441 70 200813111 ’基丁二烯及其衍生物等。具體上，可使用曰本特開日刀 -57'517^ 專、已周知的化合物。 ^ :本發明的高分子發光元件具有電洞輸二=輸送材料則有聚乙料唾及其衍生物、她及吏生物、側鏈或主鏈具有芳㈣，比靖㈣、芳基胺衍生物、二苯乙婦衍 .二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚嗟吩及其衍生：ΐ 二=物、聚(對伸苯基伸乙稀基)及其=、: ’ 以基伸乙晞基）及其衍生物等例示。且體 ^同輪送材料可如日本特開昭63_郎7號公報、、日= =63-1 7586G號公報'日本特開平2_135359號公報、二日=Μ5361號公報、日本特開平2，_號公報 ==號•，開平—二料，’使用於電洞輸送層的電洞輸送材 =U乙㈣錢其衍生物、聚我及其衍生物鏈或主鏈具有芳香族胺的聚石夕氧幻生物、聚嗟吩及其衍生物十比洛及其H本^及其衍基伸乙埽基）及其衍生物、聚（2,5令塞吩基伸乙等高分子電洞輸送材料為佳，並以咪：及: 低::或主鏈具有芳香上以分散在高分子黏合劑而::::的電— 319441 71 200813111 J 聚乙烯咔唑及其衍生物例如可藉由自 ‘子聚合或自由基聚合而得。自乙坤早體之私離、至於聚矽烷及其衍生物，可舉例如Chero. Rev. t 1359頁（1989年）、英國專利GmGG196號說 :揭示的化合物等。合成方法也可使用這些之中揭示“ 法，尤其以基平（KlPPing)法為較適用。氧:性’故聚石夕减何生物疋以在侧鏈或主鏈具有上述低分料之結構者為適用。尤其是例如在側鏈送性的芳香族胺。輸雖然對於電洞輸送層的成膜方法並無限制 3滴輪送材料時’可舉例如應用舆高：= :::成膜的方法。又’在為高分子電润輪送材料二有例如由溶液成膜的方法。了至於由溶液成膜時所使用的溶劑，σ 輪送材料者即無特別的限制。至於該溶劑要;^解_ 二翕/合⑷可舉例如氯仿、甲笨&、一虱乙烷等氯系溶劑，四氫呋喃等醚系溶劑，本—甲苯等芳香族烴系溶劑，丙酮、甲夷系溶劑，醋酸乙醋、酷酸丁醋、乙：：酮相劑。乙虱乙酉曰專酯系溶法、溶液成膜之方法’則可使用由溶液的旋轉塗布滚微凹板塗布法、凹板塗布法、條狀塗布法、土去、線棒塗布法、浸塗法、細縫塗毛έ®总‘ 成巾目式塗布法、〜塗布法、噴塗法、網版印刷法、⑼㈣法、^ 319441 72 200813111 /印刷法、喷墨印刷法、噴嘴塗布法等塗布法。，1於可混合的高分子黏合劑，是以不會過度阻礙電荷輸送者為宜，又以對於可見光的吸收較不強者為適用。至於該向分子黏合劑，可舉例如聚碳酸醋、聚丙稀酸醋、聚丙烯酸甲醋、聚甲基丙烯酸甲醋、聚苯乙聚矽氧烷等。 k虱乙歸、至於電洞輸送層的膜厚，其最適值因所使用之材料而「巧同’雖然只要選擇可使驅動電壓與發光效率達適度之值 H ’但至少必須為不致產生針孔的厚度，太厚時，將使變“不佳。_’該電洞輸送層的膜厚時更:並以一°-為佳，而一_m 當本發明的高分子發光元件具有電子輸送層時料電子輸送㈣可使以周知者，例息酉昆二甲垸及其衍生物、苯醌及且衍生物朴何生物、物、苜酉U H A /、τ生物、奈醌及其衍生 '衍生：：：氛葱醒二？燒及其衍生物、努嗣 :氛乙稀及其衍生物、，衍生物、8- 聚奸的金屬錯合物、㈣似其衍生物、本特_ 63-70257號公報、日，、=’有曰報、曰本特開平號公報號公報、曰本特開平2-209988公報、日本Γ門135361 號公報、日太_ hi 0 &日本4寸開平3-37992 在、二，開平3~152184號公報中揭示的材料。 l材料之中，是以-二嗤衍生物、苯驅及其衍生 319441 73 200813111 .物、以昆及其衍生物、8_經基啥琳及其衍生物的金屬錯合 .物:聚料及其衍生物、聚苟及其魅物為佳，並以2—(卜耳^^基）-5-(4-第三丁苯基）曙二唾、苯酉昆、g、酉昆、芩（8 —羥基喹啉）鋁、聚喹啉更佳。雖然亚無特別限制電子輸送層的成膜法，但在為低分 ^子輸送材料時，是可分別例示由粉末的真空蒸鑛法、 t洛液或溶融狀態成膜的方法，在為高分子電子輸材料 j 融狀態成膜的方法。由溶液或溶融狀々成膜4，也可併用高分子黏合劑。 =成膜時所使用的溶劑，只要是可使電子輸送材或尚分子黏合劑溶解者即無特別的限制。至劑，可舉例如豢仿、一查田p 一产合爷〜一虱甲烷、—虱乙烷等氯系溶劑，四 =喃相系溶劑，甲苯、二甲苯等的芳香族烴系溶劑，西” 基乙基酮等嗣系溶劑，醋酸乙·、酷酸丁酯、乙駄2~乙氧乙酯等酯系溶劑。由溶液或熔融狀態成膜的方法，可使用旋轉塗布滾塗法查Γ、微凹板塗布法、凹板塗布法、條狀塗布法、 2細总条塗布法、浸塗法、細縫塗布法、帽式塗布法、印刷二塗法、網版印刷法、腎曲印刷法、膠版 '贺墨印刷法、喷嘴塗布法等塗布法。輸送混合的高分子黏合劑，是以不會過度阻礙電荷二，對於可見光的吸收較不強者為適用。至及黏合劑，可舉例如聚(N__乙物唾)、聚苯胺物、㈣吩及其衍生物、聚（對伸苯基伸乙烯基） 319441 74 200813111 ，及其衍生物、聚（2,5-伸嗟吩基伸乙婦基）及聚1=聚_甲㈣甲基丙稀酸甲：、水本乙炸、：^氣乙炸、聚發氧燒等。電子輸送層的膜厚之最適值因所使用之材料而不同，雖然只要選擇可使驅動電壓與發光效率達適度之值即可，但至少必須為不致產生針孔之厚度，太厚時將動㈣變高而不佳。所以，該電子輸送層的膜厚例如牛的區 Γ.至至500喻，…㈣⑽時更佳。又，㈣電極設置的電荷輸送層中， =荷注入:率的機能，且具有降低元件㈣注入層）。 ’冉為電何注入層（電洞注入層、電子同時為了提高與電極之間的密著性和改善來自 ;何:入也接電極設置前述的電荷注入層或:緣、二以提送層或發Μ的界面插人薄的緩衝 - 以扣间界面的密著性或防止混合等。 2所積層的層之順序和數目、及各層的厚度，只要里务光效率和元件壽命之後作適宜的選擇即可。至^本發明中設有電荷注人層（電子注人層、曰的高分子發光元件，可舉例如鄰接 ^ 先之鄰接陽極設有電荷注入層之 =子入發層具體上，可舉例如以下的e)至Ρ)之結構。 6陽極/電荷注入層/發光層/陰極 319441 75 200813111 -f)陽極/發光層/電荷注入層/陰極 -g)陽極/電荷注入層/發光層/電荷注入層/陰極 h) 陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 i) 陽極/電洞輸送層/發光層/電荷注入層/陰極 j) 陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電荷注入層/陰極 ° k) 陽極/電荷注入層/發光層/電荷輸送層/陰極 l) 陽極/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 m) 陽極/電荷注入層/發光層/電子輸送層荷注入 η)陽極/電荷注人層/電洞輸送層/發光層/電荷輸送層/陰極〇)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/ 注入層/陰極 4 · Ρ) 層〜輸送層/發光層/電子輸送層/電何注入層/陰極声2電荷注入層的具體例’例如含有導電性高分子的 i洞同輸送層之間且具有陽極材料與在材料的層:含:設在:====位的中間值之料與在帝孚蛉、，，旺 /、包千輸达層之間且具有陰極材中間值:材含有的電子輸送材料之電子親和力的電性二 =含有導電性高分子的層時，該導 V電度Μ 10 S/cm以上103S八0!以下為 319441 76 200813111 /佳’且為了使發光晝素間的漏電流α㈣age current)變 -小，而以1 (T5s/Cm以上〗n2Q / -,lnlc , ^上 10 S/cm 以下較佳，l(r5S/Cni 以上i u cm以下時更佳。f甬赍盔電度在1"/…乂乂= 分子中摻雜適量的離子。下％，即須在該導電高 ί ^雜之離子的種類，在為電洞注人層時為陰離子，二“ΐ人層時為陽離子。至於陰離子之例，如聚苯乙烯 :=、炫苯續酸離子、樟腦績酸離子等，而陽離子之雜子、觸子、鉀離子、四τ銨離子等。電荷注入層的膜厚，例如Α 至5〇nm為佳。㈣^至1。〇,並以2⑽ 電：注入層中所使用的材料，只要以與電極或所 ::的關係作適當的選擇即可’例如聚苯胺及其衍物十㈣及其衍生H叫及其衍基及其衍生物H塞吩㈣乙_0=: ===生物、聚轉琳及其衍生物、主鍵或側鍵上酿青等)、碳等。 ““刀子、金屬敗青(銅絶緣層係具有使電荷容易注入的機更仏。至於絶緣層之材料，可舉例如金屬氟化物、 :光氧：物、有機絶緣材料等。至於設有絶緣層的高分子 :先：件：可舉例如鄰接陰極設有絶緣層之高分子發光元鄰接陽極設有絶緣層之高分子發光元件。x 319441 77 200813111 / 具體上，可舉例如以下的q)至ab)之結構。 -q)陽極/絶緣層/發光層/陰極 r) 陽極/發光層/絶緣層/陰極 s) %極/絶緣層/發光層/絶緣層/陰極 t) 陽極/絶緣層/電洞輸送層/發光層/陰極 u) 陽極/電洞輸送層/發光層/絶緣層/陰極 V)陽極/絶緣層/電洞輸送層/發光層/絶緣層/陰極 ^ W)陽極/絶緣層/發光層/電子輸送層/陰極 x) 陽極/發光層/電子輸送層/絶緣層/陰極 y) 陽極/絶緣層/發光層/電子輸送層/絶緣層/陰極 Z)陽極/絶緣層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/ 陰極 aa) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/絶緣層/ 陰極 ab) 陽極/絶緣層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/ j 絶緣層/陰極 /形成本發明的高分子發光元件之基板，只要在形成電極後、，形成有機物層之際不產生變化者即可，可舉例如玻璃：塑膠、高分子薄膜、聚矽氧等基板。在為不透明的基板守疋以相對的電極為透明或半透明者為佳。、本务明中，通常由陽極及陰極組成的電極之至少一方二透月或f透明，並以陽極方面為透明或半透明為佳。至於陽極的材料，可使用導電性的金屬氧化物膜、半透明的金屬薄膜等。具體上，可使用由氧化銦、氧化鋅、 319441 78 200813111 氧化錫、及廷些氧化物的複合物之銦·錫·氧化物(⑽)、 ’’口鋅I化物等組成的導電性破璃作成的膜（職A等）、或金、翻、銀、銅等，並以™、銦•鋅·氧化物、氧化錫為佳。至於製作方法’可舉例如真空蒸鍍法、喷鍍 (sputtering)法、離子電鐘法、電鍍法等。又，該陽極也 =用聚苯職其射物、㈣吩及其魅物等有機透明 %"電膜0 陽極的膜厚可考量光之穿透性與導電度而作適宜的選擇’例如為―至10/zm’並以別⑽至_為佳，而以 50nm 至 500nm 更佳。、也了在知極上没置由酜青衍生物、導電性高分子、碳等所成的層’或由金屬氧化物或金屬氟化物材料等所成的層，以使電荷容易注入。 i色緣至於陰極的材料，是以工作函數小的材料為佳。例如鋰、鈉、鉀、铷、鉋、鈹、鎂、鈣、勰、鋇、鋁、銃、釩、辞、釔、錮、鈽、釤、銪、铽、鏡等金屬、及這些金屬中的兩個以上之合金、或這些金屬中的一個以上與金、銀、銅鐘、鈦、銘、錄、鎢、錫中的一個以上之合金、 ,土或石墨層間化合物等。至於合金之例，有鎂-銀合金、、二銦S至、鎮-銘合金、銦_銀合金、鐘_銘合金、鐘—鎂人孟、鋰-銦合金、鈣-鋁合金等。陰極也可為兩層以上之積層結構。、陰極的膜厚可考量導電度與耐久性而作適宜的選擇，例如為1〇nm至10# m，並以20nm至1 // m為佳，而以5〇nro 319441 79 200813111 至500nm更佳。至於陰極的製作方法，可舉例如真空蒸鍍法、噴鍍法、或使金屬薄膜熱壓的積層法等。x，可在陰極與有機物層之間，設置由導電性高分子所成之層、或由金屬氧化物或金屬說化物、有機絶緣材料等所成的層，在製作陰極後，可裝設保護層以保護該高分子發光元件。$了能長期穩定的使用該高分子發光元件，在從外部保.護元件時，言疋保護層及/或保護罩。至於保護層，可使用樹脂、金屬氧化物、金屬氟化物、金屬硼化物等。又’可使用玻璃板、表面已經低透水率處理過的塑膠板作為保護罩，且較適用以熱硬化樹脂或光硬化樹月旨將該罩與元件基板貼合成密閉的方法。只要使用隔板（spacer)以維持空間，即容易防止元件到傷。只要在= 空間内封人如氮氣或氬氣的惰性氣體，即可防止陰極的氧/ 化，並且藉由在該空間内設置氧化 a丨制丄虱化鋇荨乾燥劑，而容易抑，衣程:所吸附的水分對元件的傷害。在這些防護之中，是以施行任一種以上的對策為佳。 ^發明的高分子發光元件可使用於面狀光源、段型顯不裝置、點矩陣顯不裝置、液晶顯、、等顯示裝置等中。 τ衣置(例如背光源等）為了使用本發明的高分子私氺$ 、光，只要將面狀的陽極與陰極重疊面狀的發得到圖案狀的發光，則有在前述面二 =件又’為了卞狀的自之復罩的方法、形成極厚之非發光部的 319441 80 200813111 •有機物層以使其實際上非發 •-方或雙方的電極形成圖‘狀的:、:吏：極或陰極的任方法形成圖案後，再將若…猎由以這些的任- _，即可得可顯示數字 ί早獨地⑽，示元件。並且，為了制作<間早的記號等的段型顯衣作2矩陣元件，只要將陽極與陰極配置成垂直即可。依將多種不同發光色二塗布的方法、或使用遽色器或螢光轉色:。的方法，即可顯示部份彩色、顯示多彩。點矩陣 :件可被動驅動，也可與ΤρΤ等組合而主動驅動。這些顯 =件可應用作為電腦、電視、行動終端、行動電話、汽車V航（car navigation)、錄影攝影機的取景器 (viewfinder)等顯示裝置。、亚且，前述面狀的發光元件為自發光薄型，可適用作為液晶顯示裝置的背光源用面狀光源、或面狀的照明用光源。例如在照明用光源中有白色發光、紅色發光、綠色發光或監色發光等發光色。又，只要使用可撓曲的基板，也了使用作為曲面狀的光源或顯示裝置。以下，擬以實施例更詳細的說明本發明，但本發明並不只限於這些範圍内。 (合成例1) N-辛基吩噚啡之合成於惰性氣體環境中，將吩噚啡（10· 0g)、氫氧化鈉 (21· 9g)、溴化四乙銨（〇· 37g)、二甲基亞砜（34mL)混合，並昇溫至80 °C之後，加入18mL的水，以50分鐘滴下1 - 81 319441 200813111 溴辛烧（12. 9g)。接著，θ 、^、—、者外、酿至90〇C並攪拌1小時之後，

冷部至至溫。接著，以〗R 〇mL的甲苯溶解所析出的固體，以水（10 0niL)洗淨2次，〗μ臨私/ ^ . 〇 1N 鹽酉义（1〇〇1111〇洗淨 1 次，水（lOOmL) 洗淨3次後，使溶液通過 ^ ^ 、矽膠官柱，進行減壓濃縮、真空乾餘’可得目標物的N〜矣1 \ rrnn 辛基％ Π亏畊16· 0g(純度99· 4% )。 ]H-NMR(299. 4MHz, CDCl3) · λ η 〇π, m)，d 〇.89(t，3Η)，115_147(m， 10Η)，1.65(br，2Η)，3 45(hr 9ΐη β w π °-^Hbr5 2H)5 6. 31-6. 88(br, 8H) LC-MS(APPI-MS(posi)) : 296 [Μ+ΗΓ (合成例2) 3, 7-二溴-N-辛基吩曙D井之合成於惰性氣體裱境中，在辛基吩噚畊（15· 〇g)中加入一氯曱烧（55mL)調整成的溶液中，將由1，3-二漠—g 5-一甲基乙内酿脲（hydantoin)(15· lg)與N，N-二曱基甲酿胺 15· 8mL組成的溶液，於室溫中以30分鐘滴下且搜掉i小時後’於室溫中進行攪拌6小時。將所得之沉澱過濾、以甲醇洗淨，接著再予減壓乾燥後，可得目標物的3, &二漠 -N-辛基吩噚畊16. 6g(純度99· 7%)。 1H-NMR(299. 4MHz, CDCIs)； 5 0. 89(t, 3H), 1.18^h46(m) l〇H)，1.59(br，2H)，3.38(br，2H)，6.29(d，2H)，6.73(s， 2H)，6.88(d，2H) LC-MS(APPI-MSCposi)) : 452[M+H] + (合成例3) 面分子化合物<P-1>之合成 319441 82 200813111

於惰性氣體環境下，將2, 7-雙（1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烧（(1;1〇乂313〇1*〇1811)-2-基）-9，9-二辛基芴（1378)、2，7〜一溴-9,9-二辛基芴（L22g)、3, 7-二溴-N-辛基吩_畊 (0· 18g)、醋酸鈀（〇· 5mg)、參（2-甲苯基）膦（4· 7mg)、广 Aliquat 336(0· 24g，Aldrich 製）、甲苯（22ml)混合後， ^一加熱至105°〇。在此反應溶液中，滴下2肘的^^〇3水溶液 (3· 6ml)後，使其回流2. 5小時。反應後，加入苯硼酸 (26· Omg)，並使其回流2小時。接著，加入i 8M的二乙基二硫代胺曱酸鈉水溶液（2〇mi)並於8〇它攪拌2小時。冷卻後，以水（25ml)洗淨3次、3%的醋酸水溶液（25ml)洗淨3 次、水（25ml)洗淨3次後，經通過氧化鋁管柱、矽膠管柱而進行精製。將所得之甲苯溶液滴入甲醇（8〇〇ml)中，攪拌 (1小時之後，過濾取出所得之固體並使之乾燥。所得之高分子化合物<P-1>的產量為L 86g。高分子化合物<?—1>換算成聚苯乙烯的數平均分子 1為9· 1x10，換异成聚苯乙烯的重量平均分子量為2 I〆 105 〇 ”、、· (實施例1) 高分子化合物< P-2 >之合成 319441 83 200813111

於惰性氣體環境下，將2, 7-雙（1，3, 2_二氧雜硼雜環戊烧-2-基）-9, 9-二辛基芴（l 59g)、2, 7-二溴-9, 9-二辛基芴（1· 24g)、3, 7-二溴-N-辛基吩P琴畊（〇· 20g)、N，N，-雙-（4一 /臭本基）-N，N -二-對甲苯曱醯基（t〇iUyi) —蒽一9, 1〇一二胺 (0· 21g)、醋酸鈀（2. 6mg)、參（2-曱苯基）膦（22. 9mg)、 Aliquat 336(0· 40g，Aldrich 製）、甲苯（42ml)混合後，加熱至105°C。在此反應溶液中，滴下2M的NaWO3水溶液 (:(5· 8ml)後，使其回流4小時。反應後，加入苯硼酸（42mg)，並使其回流1小時。接著，加入1 · 8M的二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液（20ml)並於80°C攪拌2小時。冷卻後，以水 (40ml)洗淨3次、3%的醋酸水溶液（4〇ml)洗淨3次、水 (40ml)洗淨3次後，經通過氧化鋁管柱、矽膠管柱而進行精製。將所得甲苯溶液滴入曱醇（800ml)中，攪拌丨小時之後，過濾取出所得之固體並使之乾燥。所得之高分子化合物< P-2>的產量為2· 23g。高分子化合物< P-2 >換算成聚苯乙烯的數平均分子 319441 84 200813111 量為8.9χ104，換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為！ 105。 ’ ^尚且，Ν，Ν’-雙-(4-溴苯基）_Ν，Ν’_二—對甲苯曱醯基一蒽-9, 10-二胺是以w〇2〇〇5/〇49546號小册中揭示的方法合成。 (實施例2) 高分子化合物< P—3 >之合成

於惰性氣體環境下’將2, 7-雙（1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基）-9, 9-二辛基芴（〇· 49g)、4, 7-二溴-2, 1，3-苯并 G 噻二唑（〇· 29S)、雙（三苯膦）二氯化鈀（2· lmg)、Aliquat 336 (0· 13g，Aldrich 製）、曱苯（l〇ml)混合後，加熱至 1〇5 °C。在此反應溶液中，滴下2M的NazCO3水溶液（14ml)後，使其回流2小時。使反應溶液冷卻至室溫後，將2, 7-雙 (1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烷—2-基）-9, 9-二辛基苟 (2· 16g)、3, 7-二漠-N-辛基吩曙哄（〇· 57g)、2, 7-二溴-9, 9- 雙（4-己氧苯基）芴（L86g)、雙（三苯膦）二氯化鈀 (8· 4mg)、Aliquat 336 (0· 52g，Aldrich 製）、甲苯（4〇ml) 混合，加熱至l〇5°c。在此反應溶液中，滴下2M的Na2C〇3 319441 85 200813111 水溶液（llml)後’使其回流1· 5小時。反應後，加入苯硼酸（60mg)，並使其回流2小時。接著，加入1· 8Μ的二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液（30ml)並於8(rc攪拌2小時。冷卻至至溫後’以水（70ml)洗淨3次、3質量％的醋酸水溶液 (70ml)洗淨3次、水（70ml)洗淨3次後，經通過氧化鋁管柱、矽膠管柱而進行精製。將所得甲苯溶液滴入甲醇（8〇〇mi) 中，攪拌1小時之後，過濾取出所得之固體並使之乾燥。所得之高分子化合物<p—3>的產量為3.〇9g。旦：鬲分子化合物<P-3>換算成聚笨乙烯的數平均分子 I為8· 0x1 〇4，換算成聚苯乙烯的重量平八旦

Iq5 〇 J 刀千 1 為 1. 7x 尚且，4, 7-二溴-2, 1，3-苯并噻二唑县τ 联八 Α US3577427 ι a報中揭示的方法合成，而2，7-二漠—9 基）苟是以W02004/ 041902號小册中揭示又（4_己乳苯 (實施例3) _ ’下的方法合成。 1 骨分子化合物< P-4 >之合成

於惰性氣體環境下，將2, 7-雙（1，3, 2、- ^ 戊燒I基）_9,9_二己㈣（2 65g)、2，’7_；_、[氧雜爛雜環一4〜9,9-二已基 86 319441 200813111 .芴（2. 22g)、3, 7-二溴辛基吩噚畊（〇· 34g)、9, 10-二漠、蒽（〇· 07g)、醋酸鈀（3· 4mg)、參（4-f 苯基）膦（13· 7mg)、 AliQuat 336(0. 65g，Aldrich 製）、甲苯（50ml)混合後，加熱至105°C。在此反應溶液中，滴下2M的Na2C〇3水溶液 (14m 1)後，使其回流2小時。反應後，加入苯硼酸（6，並使其回流2小時。接著，加入h 8M的二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液（30ml)並於80°C攪拌2小時。冷卻至室溫後，以水（70ml )洗淨3次、3質量％的醋酸水溶液（7〇mi)洗淨3 次、水（70ml)洗淨3次後，經通過氧化鋁管柱、矽膠管柱而進行精製。將所得曱苯溶液滴入甲醇（8〇〇ιη1)中，攪拌工小時之後，過濾、取出所得之固體並使之乾燥。所得之高分子化合物<P-4>的產量為2· 71g。回刀 (實施例4) 高分子化合物< P—5 >之合成

—氧雜, 雜環 319441 87 200813111 戊烧-2-基）-9, 9-二己基芴（2· 38g)、2, 7-二溴-9, 9-二己基芴（0· 62g)、3, 7-二溴-N-辛基吩噚啡（〇· 79g)、4, 7-二溴-2, 1，3-苯并噻二唑（〇· 5lg)、4, 7-雙（5-溴-4-甲基-2-噻吩基）-2, 1，3-苯并噻二唑（〇· 12g)、雙（三苯膦）二氯化鈀 (10.511^)41191^七 336(0.652,41(11^^製）、甲苯（5〇1111) 混合後’加熱至l〇5t：。在此反應溶液中，滴下2M的Na2C〇3 水溶液（14ml)後，使其回流2小時。反應後，加入苯硼酸 (6〇mg)，並使其回流2小時。接著，加入18M的二乙基二硫代胺曱酸鈉水溶液（30ml)並於80°C攪拌2小時。冷卻至室溫後，以水（70ml)洗淨3次、3質量％的醋酸水溶液（7〇ml) 洗淨3次、水（7Gml)洗淨3次後，經通過氧化鋁管柱、矽膠管柱而進行精製。將所得曱苯溶液滴入甲醇（8〇〇mi)中，攪拌1小時之後，過濾取出所得之固體並使之乾燥。所得之高分子化合物<P-5>的產量為i.78g。 ^高分子化合物 <卜5>換算成聚苯乙烯的數平均分子里為5.1x10，換异成聚苯乙稀的重量平均分子旦 104 〇 -刀篁為8· 7x 尚且’4’7-雙（5-漠-4-甲基-2 一嗔吩基）υ，3: 二唑是以W02000/046321號小册中揭示的方法合土 (貫施例5) 兩分子化合物< P-6 >之合成 319441 88 200813111

於惰性氣體環境下，將2, 7-雙（1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烧—2 —基）—9, 9 —二辛基芴（2. 65g)、2, 7-二溴-9, 9-二辛基苟（2· 06g)、3, 7-二溴—N-辛基吩噚畊（〇· 34g)、4, 7-雙（5- 漠一2 — °塞吩基）—2, 1，3-苯并噻二唑（〇· 23g)、醋酸鈀 (3· 4mg)、參（4—甲苯基）膦（ΐ3· 了呢）、AiiqUat 336(0· 65g， Aldrich製）、曱苯（50ml)混合後，加熱至l〇5°C。在此反應溶液中’滴下2M的Na2C〇3水溶液（14ml )後，使其回流 2· 5小時。反應後，加入苯硼酸（6〇ing)，並使其回流2小時。接著，加入1·8Μ的二乙基二硫代胺曱酸鈉水溶液（30ml) 並於80°C攪拌2小時。冷卻至室溫後，以水（7〇mi)洗淨3 次、3質量％的醋酸水溶液（7〇ml)洗淨3次、水（7〇1111)洗淨3次後，經通過氧化鋁管柱、矽膠管柱而進行精製。將所得曱苯溶液滴入曱醇（8〇〇mi)中，攪拌1小時之後，過濾、取出所得之固體並使之乾燥。所得之高分子化合物<p—6 >的產量為2. 22g。高分子化合物< P-6 >換算成聚苯乙烯的數平均分子量為1· lxl05，換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為2. 4χ 105 〇 319441 89 200813111 • 尚且，4, 7-雙（5-溴一 2〜噻吩基）—2,丨，3-笨并噻二嗤 -是以W02000/046321號小册中揭示的方法合成。 (實施例6) 南分子化合物<P-7>之合成

於惰性氣體環境下，將2, 7-雙（1，3, 2_二氧雜硼雜環戊烧-2-基）-9, 9-二辛基芴（2· 65g)、2, 7-二溴-9, 9-二辛基 (苟（2· 41g)、3, 7-二溴-N-辛基吩吗哄（〇· 〇9g)、N，N，-雙—（4〜溴苯基）-Ν, Ν’ -雙-（4-第三丁基-2, 6-二曱苯基）-1，4-苯二胺（〇· 30g)、醋酸鈀（3· 4mg)、參（4-甲苯基）膦（13. 7mg)、 Aliquat 336(0· 65g，Aldrich 製）、曱苯（50ml)混合後，加熱至105°C。在此反應溶液中，滴下2M的Na2C〇3水溶液 (14m 1)後’使其回流2 · 5小時。反應後，加入苯领酸 (6Omg)，並使其回流2小時。接著，加入1 · 8趾的二乙基二硫代胺甲酸納水溶液（30ml)並於80°C授拌2小時。冷卻至室溫後，以水（70ml)洗淨3次、3質量％的醋酸水溶液（70ml) 90 319441 200813111 '洗淨3次、水（70ml)洗淨3次後，經通過氧化鋁管柱、矽 .膠官柱而進行精製。將所得甲苯溶液滴入甲醇（8〇〇ml)中，攪拌1小時之後，過濾取出所得之固體並使之乾燥。所得之高分子化合物<P-7>的產量為3. 14g。高分子化合物< P-7 >換算成聚苯乙烯的數平均分子量為1· 2x105 ’換算成聚苯乙浠的重量平均分子量為3 105 〇 ' 尚且，Ν，Ν’-雙-（4-溴苯基）—Ν，Ν，-雙-(4-第三丁基 -2, 6-二甲苯基）-1，4-苯二胺是以jp2〇〇4/ 143419號公報中揭不的方法合成。 (實施例7) 尚分子化合物< Ρ-8 >之合成

於惰性氣體環境下，將2, 7-雙（1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基）-9, 9-二辛基芴（2. 65g)、2, 7_ 二溴-9, 9-二辛基芴（2· 19g)、3, 7-二溴-N-辛基吩噚畊（0· 〇9g)、N，Ν’ -雙—（4一、/臭苯基）-Ν，Ν’ -雙—（4-第三丁基-2, 6-二甲苯基）—聯苯胺 91 319441 200813111 (0· 65g)、雙（三苯膦）二氯化鈀（1〇· 5mg)、AHq[uai： 336 (0· 65g，Aldrich 製）、甲苯（50ml)混合後，加熱至 l〇5°C。在此反應溶液中，滴下2M的NazCO3水溶液（7ml)後，使其回流1 · 5小時。反應後，加入苯硼酸（6〇mg)，並使其回流 5小時。接著，加入1 · 8M的二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液 (30ml)並於80 C攪拌4小時。冷卻至室溫後，以水（7〇mi) 洗淨3次、3質量％的醋酸水溶液（7〇ml)洗淨3次、水（7〇ml) 洗淨3次後，經通過氧化鋁管柱、矽膠管柱而進行精製。將所得甲苯溶液滴入曱醇（8〇〇ffll)中，攪拌丨小時之後，過濾取出所得之固體並使之乾燥。所得之高分子化合物〈p一 8 >的產量為2.99g。高分子化合物<?—8>換算成聚苯乙烯的數平均分子里為1·3χ105，換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為3 105。 · 尚且，Ν，Ν’-雙-（4-溴苯基）—Ν，Ν，一雙—（4—第三丁基一 2, 6-二曱苯基）-聯苯胺是以w〇2〇〇5/〇56633號小册中揭不的方法合成。 (實施例8) 化合物<Ρ-9>_^^調製使高分子化合物 < 卜9>溶解於二f苯中後，即聚合物濃度0.5重量％的二甲苯溶液。高分子化合物< P-9 > 319441 92 200813111

高分子化合物<P-9>是以W099/54385中揭示的方法合成。高分子化合物< P-2 >溶谅的調製使上述所得的高分子化合物< p-2 >溶解於二曱苯中後，即製作成聚合物濃度1.2重量％的二甲苯溶液。 EL元件的劁作依喷鍍法而在厚度15〇nm且附有IT〇膜之玻璃基板上，使用以0· 2// m薄膜過濾器過濾聚（3, 4)伸乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸（Bayer製，Baytr〇nPAi4〇83)的懸浮^ 後之濾液，藉由旋轉塗布而形成厚度7〇nm的薄膜後，在熱板（hot pi ate)上以2〇0°C乾燥1〇分鐘。接著，利用上述所得的高分子化合物<p_9>之二甲苯溶液，藉由旋轉塗布以300〇rpm的轉速成膜後，在熱板上以2〇〇t乾燥π分鐘。成膜後的膜厚約為l〇nm。再者，利用上述所得的高分子化合物<卜2>的二甲苯溶液，藉由旋轉塗布以譲聊的轉速成膜。成膜後的膜厚約為88nm。並且，使此於㈣下以8(TC乾燥！小時之後，蒸錢鋇約—以作為陰極，接著蒸鑛紹約100nm而製作成虹元件。尚且是在真空逵 1x10 4Pa以下之後才開始蒸鍍金屬。 ’、又 EL元件的拇能 319441 93 200813111 在所传的元件上施加電壓後，即可由此元件得到在、530nm具有尖峰的el發光。在將初期亮度訂為2〇〇〇cd/ffi2 並定電流使元件驅動時，亮度可達1〇〇〇cd/m2亮度半衰期為6· 3小時。而以5〇mA/cm2的電流密度驅動時之亮度半衰期為55小時。並且以發光電力2〇〇//W驅動時之亮度半衰期為43小時。 (實施例9) 產合物3>溶液的舖f (使上述所得的高分子化合物< p—2 >溶解於二曱苯中後即製作成聚合物濃度1 · 2重量％的二甲苯溶液。 EL元件的y作依喷鍍法而在厚度150nm且附有IT〇膜之玻璃基板上，使用以0.2//m薄膜過濾器過濾聚（3, 4)伸乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸（Bayer製，Banr〇nPAI4〇83^々懸浮液後之濾液，藉由旋轉塗布而形成厚度7〇nm的薄膜後，在熱 (板上以200 C乾燥1〇分鐘。接著，利用上述所得的高分子化合物<P-9>之二甲苯溶液，藉由旋轉塗布以3〇〇〇rpm 的轉速成膜後，在熱板上以2⑽。c乾燥15分鐘。成膜後的膜厚約為lOmn。再者，利用上述所得的高分子化合物<p—3 >的二甲苯溶液，藉由旋轉塗布以湖rpm的轉速成膜。成膜後的膜厚約為⑽nm。並且，使此於減壓下以欧乾小時之後，蒸鑛鋇約5nm以作為陰極，接著論約 100nm而製作成EL元件。尚且县力吉办ώ w 土 4 卞向立疋在真空度到達lxlO_4Pa以下之後才開始蒸鍍金屬。 319441 94 200813111 販友件的小4農 β5在所得的元件上施加電壓後，即可由此元件得到在動日^二有笑辛的EL發光。在以50mA/cm2的電流密度驅寸之儿度半衰期為46〇小時。且以發光電力2〇· 〇以评驅動：之亮度半衰期為17〇小時。 (貫施例1 〇 )

使上述所得的高分子化合物後，即製作成聚合物濃度1.2重 < P-3>溶解於二甲苯中量％的二甲苯溶液。上依賀鍍法而在厚度150nm且附有ΙΤ0膜之玻璃基板土 ’ 以0.2“ m薄膜過濾器過濾聚(3, 4)伸乙二氧基噻聚苯^俩（Bayer製，㈣加心剛3)的懸浮液 j之濾液，藉由旋轉塗布而形成厚度^⑽的薄膜後，在熱反上以200t乾燥1〇分鐘。接著，利用上述所得的高分^ 化合物<P-9>之二甲苯溶液’藉由旋轉塗布以3〇〇〇咖 2速成膜後’在熱板上以2Grc乾燥15分鐘。成膜後的膜厚約為⑽。再者，利用上述所得的高分子化合物〈Μ >的二甲苯溶液，藉由旋轉塗布以1聊的轉速成膜。 ^膜後的膜厚約為1G()nm。並且，使此於減壓下以阶乾 =1小時之後’蒸鑛鋇約5nm以作為陰極，接著蒸鍵紹約 ⑽而製作成EL元件。尚且是在真空度到達ixi『4pa以下之後才開始蒸鍍金屬。件的性能. 319441 95 200813111 在所彳于的元件上施加電屢後，即可由此元件得到在 465nm具有尖每的EL發光。在以50mA/Cm2的電流密度驅動時之亮度半衰期為4. 3小時。 (實施例11)

使上述所得的高分子化合物< P-3 >溶解於二甲苯中後，即製作成聚合物濃度1. 2重量％的二甲苯溶液。 EL元件的事j /f卞依喷鍍法而在厚度150⑽且附有ΙΤ0膜之玻璃基板 t，=用+以0.2/zm薄膜過濾器過濾聚（3,4)伸乙二氧基噻吩/聚苯乙烯續酸（Bayer製，BaytronP AI4G83)的懸浮液後之濾液，藉由旋轉塗布而形成厚度7〇nm的薄膜後，在熱板j以200。〇乾燥1〇分鐘。接著，利用上述所得的高分子化口物<P 9>之二甲苯溶液’藉由旋轉塗布以㈣㈣① ^轉速成膜後，在熱板上以2GQt乾燥15分鐘。成膜後的膜厚約為^Grnn。再者，利用上述所得的高分子化合物〈卜5 >的一甲苯溶液，藉由旋轉塗布以12G〇rpm的轉速成膜。 ”膜厚約為100nm。並且’使此於減壓下以8吖乾 :1小時之後，蒸鍍鋇約5nm以作為陰極’接著蒸鍍鋁約 ⑽而製作成EL元件。尚且是在真空度到達下之後才開始蒸鍍金屬。件的性能在所得的元件上施加電壓後’即可由此元件得到在 655ηπΐ具有尖峰的EL發光。在以5〇mA/cm2的電流密度驅 319441 96 200813111 動時之亮度半衰期為700小時。 (實施例12) 溶液的舖, ^使上述所得的高分子化合物<P-6>溶解於二甲苯中後’即製作成聚合物濃度12重量。依噴鑛决而在厚度15()nm且附有ITQ膜之玻璃基板 ^ 以〇. 2" m薄膜過濾器過濾聚(3, 4)伸乙二氧基噻聚苯乙+烯石頁酸（Bayer製’ BaytronPAI4083)的懸浮液 :之濾液，糟由旋轉塗布而形成厚度7〇_的薄膜後，在埶 ^ 士以2 〇〇 t乾燥i Q分鐘。接著，利用上述所得的高分子 μ絲物<P 9>之一曱苯溶液’藉由旋轉塗布以3_rPm 膜=膜後，在熱板上以綱。c乾燥15分鐘。成膜後的膜尽、^為1〇nm。再者，利用上述所得的高分子化合物<p_6

Hi甲苯溶液’藉由旋轉塗布以i2GGrpm的轉速成膜。、後的膜厚約為100nm。並且，使此於減磨下以啊乾 ^小時之後，蒸鍍鋇約5ηιη以作為陰極’接著蒸鍵铭約 ⑽而製作成EL元件。尚且是在真空度到達%以下之後才開始蒸鍍金屬。件的性电在所得的元件上施加電壓後，即可由此元件得到在動時峰的EL發光。在以5(Wcm2的電流密度驅動$之壳度半衰期為320小時。 (實施例13) 319441 97 200813111

/使上述所得的高分子化合物 <卜3>溶解於二甲苯中後，即製作成聚合物濃度1>2重量％的二甲苯溶液。 EL元件的製作依喷鍍法而在厚度150nm且附有ί㈣之玻璃基板上，使用以G. 2㈣薄膜過濾器·聚（3,4)伸乙二氧基嗔吩/聚本乙細石黃酸（Baver*，r η 衣，Baytr〇nPAI4083)的懸浮液後之遽液，藉由旋轉塗布而形成厚度7〇nm的薄膜後，在熱板上以20(TC乾燥1〇分鐘。接著，利用上述所得的高分子化合物<?-9>之二甲苯溶液’藉由旋轉塗布以3刪咖的轉速成膜後，在熱板上以乾燥15分鐘。成膜後的膜厚約為10mn。再者，利用上述所得的高分子化合物 <卜7 >的二f苯溶液’藉由旋轉塗布以12()Grpm的轉速成膜。成膜後的膜厚約為IGGnm。並且，使此於減壓下以啊乾燥1小時之後，蒸鐘鋇約5nm以作為陰極，接著墓鐘^ lOOnni而製作成EL元件。尚且是在真空度到達1><1〇_4以以下之後才開始蒸鍍金屬。 EL iU牛的性能在所得的元件上施加電壓後，即可由此元件得到在 460111^上具有尖峰的EL發光。在以發光電力2〇〇#w驅動時之亮度半衰期為65小時。 (實施例14) < P-8 >溶液的調製使上述所得的高分子化合物<?一8>溶解於二甲苯甲 319441 98 200813111 •後，即製作成聚合物濃度12重量％的二甲苯溶液。 -EL元件的製作 . 依喷鑛法而在厚度且附有ITG膜之玻璃基板上’❹以0、m薄膜過濾器過濾聚（3, 4)伸乙二氧基嗟吩/聚苯乙烯俩（Bayer製，BaytrcmpA剛3)的懸浮液後之濾液，藉由旋轉塗布而形成厚度7〇nm的薄膜後，在孰板上以2〇〇°C乾燥10分鐘。接著，利用上述所得的高分;: Γ化口物<P 9>之一曱苯溶液，藉由旋轉塗布以3000rpm '的轉速成膜後’在熱板上卩乾燥15分鐘。成膜後的膜厚約為^Onm。再者，利用上述所得的高分子化合物<p—8 令甲笨洛液藉由旋轉塗布以12〇〇rpm的轉速成膜。 :膜後的膜厚約為100nm。並且，使此於減壓下以啊乾秌1小時之後，蒸鍍鋇約5nm以作為陰極，接著蒸錢銘約 lOOnm叫製作成EL元件。尚且是在真空度到達lxl〇_4pa以下之後才開始蒸錄金屬。 (1元件的性能在所得的元件上施加電壓後，即可由此元件得到在 465nm具有尖峰的EL發光。在以5〇mA/cm2的電流密度驅動時之亮度半衰期為5.3小時。 (比較例1)

使上述所件的局分子化合物< p— 1 >溶解於二曱苯中後’製作成聚合物濃度12重量％的二曱笨溶液。 KL·元件的p你 319441 99 200813111 • 依喷鐘法而在厚度15〇nm且附有IT〇膜之玻璃基板 _上，使用以〇·2"薄膜過濾、器過渡聚（3,4)伸乙二氧基嗟吩/聚苯乙烯磺酸（Bayer製，Baytr〇nPAI4〇83)的懸浮液後之濾液，藉由旋轉塗布而形成厚度7〇nm的薄膜後，在熱板上以200 C乾煉1 〇分鐘。接著，利用上述所得的高分子化口物<P 9>之—甲苯溶液，藉由旋轉塗布以的轉速成膜後，在熱板上以20(rc乾燥15分鐘。成膜後的，膜厚約為lOrnn。再者，利用上述所得的高分子化合物^卜1 ) >的二甲苯溶液，藉由旋轉塗布以12〇〇r_的轉速成膜後，成膜後的膜厚約為l〇7nm。並且，使此於減壓下以8〇 c乾煉1小時之後，蒸鍍鋇約5nm以作為陰極，接著蒸鍍鋁約lOOnm而製作成EL元件。尚且是在真空度到達 10 4Pa以下之後才開始蒸鍍金屬。 EL元件的松能在所得的元件上施加電壓後，即可由此元件得到在 C 465nm具有尖峰的EL發光。在將初期亮度訂為2〇〇0cd/m2 並定電流使元件驅動時，亮度可達1 000cd/m2的亮度半衰期為2·4小時。而以50mA/cm2的電流密度驅動時之亮度半衰期為2·1小時。並且以發光電力20.0//W驅動時之真度半衰期為25小時。冗 [產業上之利用可能性] 將本發明的高分子化合物使用於發光元件後，可得亮度半哀期長的高分子發光元件（高分子LED)。 319441 100

Claims

200813111 、申請專利範圍：一種高分子化合物，其係含有罝你 _ J, r τ n A式（1 )所示的重複早位、下述式（11)所不的重複單沾舌、〃押^ 早位及下述式（111)所示的重複早位

述式（I)中，1及R2分別獨立地表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代叛基、氰基或確基，R!及R2也可相互結合而形成環， R3及R4分別獨立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳块基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基，a 及b分別獨立地表示選自〇至3的整數；1^及1?4分別存在多個時，這些可相同也可不同〕 101 319441 200813111 (¾) c 《闩6) d

(II) 〔上述式（Π)中，rn1表示烧基，h及分別獨立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳烧氧基、芳炫硫基、芳稀基、芳块基、胺基、取代胺基、梦烧基、取代秒烧基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基，c及d分別獨立地表示選自0至3的整數；R5及R6分別存在多個時，這些可相同也可不同〕 -fA+ σπ) 〔上述式（I Π )中，Ar表示二價的縮合多環式烴基、以下述式（VI)表示的基或以下述式表示的基〕

(VI) 〔上述式（VI)中，Arl、ΑΓ2& Ars分別獨立地表示伸芳基或二價的雜環基，An及An分別獨立地表示芳基或價的雜環基，X表示0或1〕 319441 102 200813111

〔上述式（χ)中，Ar?及An分別獨立地表示伸芳基或二價的雜環基，R22表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烧基、取代矽烷基、 i素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基，n 表示選自0至2的整數；y及z分別獨立地表示選自〇至2的整數；KM、An及An表示分別存在多個時，這些可相同也可不同〕。 2.如申請專利範圍第丨項之高分子化合物，其中，以上述式（I)表示的重複單位，係以下述式（IV)表示的重複單

〔上述式（IV)中，1^7及r8分另, 基、烷氧基、烷硫基、芳基、突芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基基、矽烧基、取代矽烷基、南 R7及R8分別獨立地表示氫原子、不虱原子、烷方氧基、方硫基、芳烧基、 i、芳炔基、胺基、取代胺齒素原子、醯基、醯氧基、 319441 103 200813111 亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、 • 取代羧基、氰基或硝基，r7及r8也可相互結合而形成環’ R9及R!。分別獨立地表示烧基、烧氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烧基、取代矽炫基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基， e及f分別獨立地表示選自〇至3的整數；Rg及rig分 (— 別存在多個時，這些可相同也可不同〕。 3·如申請專利範圍第2項之高分子化合物，其中，上述式 (IV)中的e及f為〇。 4·如申請專利範圍第1至3項中任一項之高分子化合物，其中’以上述式（II)表示的重複單位，係以下述式（V) 表示的重複單位

(V) 院基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳为取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞堪羧基、取代羧基、氰基或硝基，g 〔上述式（v)中，Rn2表示烷基，L及L分別獨立地表示烧基、：¾氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳、芳烯基、芳炔基、胺基、齒素原子、醯基、醯醯亞胺基、一價的雜環基、 g及h分別獨立地表示 319441 104 200813111 遙自0至3的整數；Ru及Ri2分別存在多個時，這些可相同也可不同〕。 5 ·如申清專利麵圍第4項之面分子化合物，其中，上述式 (V)中的g及h為0。 6 ·如申請專利範圍第1至5項中任一項之高分子化合物，其中’以上述式（111)表示的重複單位，係以上述式（VI) 表示的重複單位。 7·如申明專利乾圍弟6項之南分子化合物，其中，以上述式（vi)表示的重複單位，係以下述式（VII)表示的重複單位

(Rl5)

(^13) I (R14) J

(VII) (Rl6)t 〔上述式（VII)中，Ars表示伸芳基或二價的雜環基， Hu、^及Rle分別獨立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、方基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷 4基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、齒素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺，I酿亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基’ 1及]·分別獨立地表示選自0至4的整數，k 及1 7刀別獨立地表示選自0至5的整數；R13、r14、R15 Ri6刀別存在多個時，這些可相同也可不同〕。 105 319441 200813111 其中，上述式如申請專利範圍第7項之高分子化合物 (VII)中的An係以下述式（¥111)表示的二價之基

(VIII)

氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳快基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、_素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基，^與Ri8、Rl9 與R2〇也可相互結合而形成環〕。 9 ·如申睛專利範圍第8項之高分子化合物，其中，以上述式（VI11)表示的二價之基，係以下述式（lx)表示的二價之基

〔上述式（IX)中，r21表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、ifi素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯 106 319441 200813111 亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代鲮基、氰基或硝基， Π1表示選自〇至8的整數；當Ru存在多個時，這些可相同也可不同〕。 10 ·如申請專利範圍第8項之高分子化合物，其中，以上述式（VIII)表示的二價之基，係以下述式（χΙΠ)表示的二價之基

(XIII) 〔上述式（XIII)中，r24表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烧基、取代矽燒基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基， P表示選自_ 0至4的整數；當R24存在多個時，這些可相同也可不同〕。 11 ·如申凊專利範圍第7項之高分子化合物，其中，以上述式（vii)表示的二價之基，係以下述式（χιν)表示的二價

319441 107 (XIV) 200813111 〔上述式（XIV)* ^及he分別獨立地表示烷基、烷氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基，q及r分別獨立地表示選自〇至4的整數；R25及R26分別存在多個時，這些可相同也可不同〕。 12.如申請專利範圍第丨至5項中任一項之高分子化合物，其中，以上述式（III)表示的重複單位，係二價的縮合多環式烴基。 13·如申請專利範圍第1至5項中任一項之高分子化合物，其中，以上述式（III)表示的重複單位係以上述式表示的重複單位。 14·如申請專利範圍第13項之高分子化合物，其中，上述式（X)中的An及An係以下述式（XI)表示的二價之基识23) 0

(XI) •〔上述式（XI)中R23表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、 _素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價的雜環基、魏基、取代羧基、氰基或硝基，〇 108 319441 200813111 表示選自0至2的餐齡· 左*夕+ ，也可不同〕。 R23存在多個時’這些可相同 15·如申請專利範圍f 13或14項之高分子化合物，上述式（X)中的n為〇。 /、Τ ; 16,種組成物，其係含有選自包括電洞輸送材料、電运材料及發光材料之群組中的至少一種材料，^ 利範圍第1至15項中任-項之高分子化合物的至；: 種。 17·—種組^物，其係含有申請專利範圍第丨至π項中任一項之高分子化合物的至少二種。 18. 種间分子發光疋件，其係具有由陽極及陰極所成的電極、與設置在該電極間並含有申請專利範圍第！至Η 項中任一項之高分子化合物或申請專利範項之組成物之發光層。 19. -種面狀錢’其係含有申請專利範圍第㈣之高分子發光元件。 20·-種顯示裝置’其係含有申請專利範圍第㈣之高分子發光元件。 21. -種液狀組成物，其係含有中請專利範圍第」至㈣中任一項之高分子化合物與溶劑。 22. -種液狀組成物，其係含有申請專利範圍第^或u 項之組成物與溶劑。 23. -種薄膜，其係含有申請專利範圍第工至」5項中任一項之高分子化合物或申請專利範圍第17或18項之組成 319441 109 200813111 物。 ' 24. —種有機電晶體，其係含有申請專利範圍第1至15項 ‘中任一項之高分子化合物或申請專利範圍第17或18 項之組成物。 25. —種太陽電池，其係含有申請專利範圍第1至15項中任一項之高分子化合物或申請專利範圍第17或18項之組成物。

110 319441 200813111 / 七、指定代表圖：無 ^ (一）本案指定代表圖為：第（）圖。 (二)本代表圖之元件符號簡單說明： #案若有4匕學式時，胃才昌7F最能顯日月斗寺Ί的4匕學式：

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