WO2007029504A1 - エポキシ樹脂組成物及び該組成物を含むダイボンド剤 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物及び該組成物を含むダイボンド剤 Download PDF

Info

Publication number
WO2007029504A1
WO2007029504A1 PCT/JP2006/316521 JP2006316521W WO2007029504A1 WO 2007029504 A1 WO2007029504 A1 WO 2007029504A1 JP 2006316521 W JP2006316521 W JP 2006316521W WO 2007029504 A1 WO2007029504 A1 WO 2007029504A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
epoxy resin
resin
composition
curing
temperature
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/316521
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tsuyoshi Honda
Hiroyuki Takenaka
Original Assignee
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. filed Critical Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Priority to EP06796684.6A priority Critical patent/EP1921111B1/en
Priority to US11/991,136 priority patent/US20090133833A1/en
Priority to JP2007534321A priority patent/JP4809355B2/ja
Publication of WO2007029504A1 publication Critical patent/WO2007029504A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/16—Solid spheres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/22—Mixtures comprising a continuous polymer matrix in which are dispersed crosslinked particles of another polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83856—Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/36—Material effects
    • H01L2924/364—Polymers
    • H01L2924/3641—Outgassing

Definitions

  • the present invention relates to an epoxy resin composition that forms a stable B-stage state. Moreover, this invention relates to the epoxy resin composition which can be hardened in parallel with a wire connection process etc. These epoxy resin compositions are suitable for die bond agent use for semiconductors.
  • Epoxy resin is used in various applications because of its excellent adhesiveness, heat resistance and moisture resistance.
  • liquid epoxy resins can be applied to devices with complex and fine designs in the semiconductor field where miniaturization and high-speed processing are being promoted, and their application fields have been greatly expanded in recent years.
  • liquid epoxy resin has great influence on workability such as viscosity and fluidity, and requires careful attention when handling.
  • the die-bonding agent that fixes the chip on the substrate is the best one.
  • the die bond agent is required to be able to more accurately and efficiently mount a chip that becomes larger and multi-layered.
  • the mainstream die-bonding agent is a liquid epoxy resin added with inorganic fillers such as silica and alumina, and conductive fillers such as silver, and this is applied onto the substrate and printed to mount the chip.
  • inorganic fillers such as silica and alumina
  • conductive fillers such as silver
  • This B-stage method includes (1) a method of forcibly stopping the curing reaction in the middle, and (2) a method of curing the reaction system in the presence of a reaction system having a low curing temperature range (for example, patent documents). There is 1). Of these (1) This method is applicable to many types of reaction systems that are adaptable, but the stability of the B-stage state is insufficient. On the other hand, the method (2) has a problem that the type of reaction system is limited and the stability power in the B stage state is not always sufficient.
  • “stability” means that even after being left for a predetermined period in the B stage state, it exhibits almost the same behavior as the initial stage. If this stability is poor, the product cannot be stored in the B-stage state and the product yield decreases.
  • the die-bonding agent is completely cured, that is, in a so-called C-stage state, such as a B-stage cover. If the curing is insufficient due to insufficient process time or the like, In the process, for example, in the process of wire bonding or resin sealing, the uncured components may volatilize to generate voids, which may reduce the reliability of the product. Even if curing progresses in parallel with the wire bonding step or the like, it is desirable that the die bonding agent does not cause voids.
  • Patent Document 1 Special Table 2005—513192
  • the present invention provides an epoxy resin composition that forms a stable B-stage state and provides a cured product free from voids and the like, and a die bond agent for a semiconductor containing the epoxy resin composition. Objective.
  • the present invention provides:
  • (B) epoxy resin hardener The amount of the reactive group equivalent of (B) epoxy resin hardener to the equivalent of epoxy group of (A) epoxy resin is from 0.8 to 1.25,
  • thermoplastic resin particles at 25 ° C. are selected from methallyl resin, phenoxy resin, and butadiene resin, and have a predetermined molecular weight and particle size.
  • the composition of the present invention has excellent storage stability in the B-stage state, and can improve the yield of semiconductor products. Furthermore, by adjusting to a predetermined volatile content and viscosity, it is possible to give almost no voids and a cured product even when curing progresses in parallel in the resin sealing step. .
  • epoxy resin (A) known ones can be used as the epoxy resin (A). Examples include novolac type, bisphenol type, biphenyl type, phenol aralkyl type, dipentapentene type, naphthalene type, amino group-containing type, silicone-modified epoxy resin described below, and mixtures thereof. Of these, bisphenol A type, bisphenol F type and silicone-modified epoxy resin are preferred. Further, at 25 ° C, a liquid resin is preferred, more preferably the viscosity is lOOPa's or less, more preferably lOPa's or less.
  • the curing agent (B) known ones can be used, and examples thereof include phenol resin (including silicone-modified phenol resin described later), acid anhydrides, and amines. Among these, in view of the balance between curability and stability in the B stage state, phenol resin and silicone-modified phenol resin are preferable.
  • the phenol resin include novolak type, bisphenol type, trishydroxyphenol methane type, naphthalene type, cyclopentaphene type, phenol aralkyl type, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. May be used. Of these, the novolak type and the bisphenol type are preferred, and the viscosity is preferably 100 ° C, and is preferably lOPa ⁇ s, especially lPa ⁇ s or less! /.
  • the resin is a silicone-modified resin having at least a part or all of the (A) epoxy resin and (B) curing agent, particularly phenol resin, and having a silicone residue in the molecule.
  • An example of the silicone-modified resin is a copolymer obtained by reacting an aromatic polymer with an organopolysiloxane. Examples of the aromatic polymer include compounds represented by the following formula (3) or (4).
  • R 11 is a hydrogen atom in the case of phenol resin, and is an oxysilane group-containing group represented by the following formula in the case of epoxy resin,
  • X is a hydrogen atom or a bromine atom
  • n is an integer of 0 or more, preferably 0 to 50, particularly preferably an integer of 1 to 20.
  • aromatic polymers include alkenyl group-containing compounds of the following formulas (5) to (8).
  • It is preferably an integer from 0 to 5, particularly preferably 0 or 1.
  • the organopolysiloxane to be reacted with the aromatic polymer is represented by the formula (9).
  • R 13 is a hydrogen atom, an organic group containing an amino group, an epoxy group, a hydroxy group or a carboxy group, or an alkoxy group.
  • R 14 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, hydroxy group, alkoxy group, or alkoxy group, and a and b are 0.001 ⁇ a ⁇ l, l ⁇ b ⁇ 3, It is a number that satisfies l ⁇ a + b ⁇ 4.
  • the number of key atoms in one molecule is 1 to 1000, and R 13 directly connected to the key atom in one molecule is 1 or more.
  • examples of the amino group-containing organic group represented by R 13 include the following, wherein c is 1, 2, or 3.
  • Examples of the epoxy group-containing organic group include the following, where c is 1, 2, or 3.
  • Examples of the hydroxy group-containing organic group include the following, wherein d is 0, 1, 2, or 3, and e is 1, 2, or 3.
  • Examples of the carboxy group-containing organic group include the following, where f is an integer from 1 to: LO.
  • alkoxy group examples include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, and an n-propoxy group.
  • the substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group represented by R " is preferably one having 1 to 10 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, or an n-butyl group.
  • a and bi are the forces that are the values described above, preferably ⁇ or 0. 01 ⁇ a ⁇ 0. 1, 1. 8 ⁇ b ⁇ 2, 1. 85 ⁇ a + b ⁇ 2.
  • the number is preferably between 2 and 400, especially between 5 and 200.
  • organopolysiloxane include compounds of formula (10) or (11).
  • R 16 corresponds to R 13 in the above formula (9) and is a monovalent hydrocarbon group containing an amino group, an epoxy group, a hydroxy group, or a carboxyl group.
  • R 15 corresponds to R 14 in formula (9), and is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, preferably a methyl group or a phenyl group, and p is an integer of 0 to 1,000, preferably Q is an integer of 3 to 400, and q is an integer of 0 to 20, preferably 0 to 5.
  • organoporosiloxanes include the following.
  • the molecular weight of the organopolysiloxane of formula (9) is desirably 100 to 100000 force.
  • the molecular weight of the onoregano polysiloxane is within the above range, it reacts with the organopolysiloxane.
  • a uniform structure in which the organopolysiloxane is uniformly dispersed in the matrix or a sea-island structure in which the organopolysiloxane forms fine layer separation in the matrix appears.
  • the molecular weight of the organopolysiloxane is relatively small, particularly when the molecular weight is 100 to 10,000, a uniform structure is formed.
  • the molecular weight of the organopolysiloxane is relatively large, particularly when the molecular weight is 1000 to 100,000, a sea-island structure is formed.
  • the Whether a uniform structure or a sea-island structure is selected depends on the application.
  • the molecular weight of the organopolysiloxane is less than 100, the cured product becomes rigid and brittle, whereas if the molecular weight is greater than 100000,
  • the blending ratio of (A) epoxy resin and (B) curing agent is equal to the epoxy group equivalent in (A) and curing. It is desirable that the equivalent ratio of reactive groups in the agent is 0.8 ⁇ (epoxy resin) Z (curing agent) ⁇ 1.25, especially 0.9 ⁇ (epoxy group) Z (curing agent ) It is desirable that ⁇ 1.1. If the equivalence ratio is not within this range, the reaction may be partially unreacted, which may impair the performance of the cured product and the performance of the semiconductor device using the cured product.
  • composition of the present invention comprises particulate (c) thermoplastic resin particles, which are solid at 25 ° C. That is, it does not form a resin phase that is compatible with the epoxy resin (A) during storage and at the temperature applied on the substrate.
  • methallyl resin, phenoxy resin, butadiene resin, polystyrene or copolymers thereof are preferable.
  • it may be a core-shell structure in which the resin is different in the inner core (core) part and outer shell (shell) part of the particle.
  • the core is a rubber particle having a silicone resin, a fluorine resin, or a butadiene resin
  • the shell is the above-described various thermoplastic resins having a linear molecular chain force.
  • thermoplastic resin particles are substantially spherical, cylindrical or prismatic, indeterminate, crushed, and flakes, etc.
  • An indefinite shape that does not have an acute angle portion is preferable.
  • the average particle diameter of the thermoplastic resin particles is preferably adjusted as appropriate according to the application. It is usually desirable for the maximum particle size, ie 98% cumulative particle size, to be 10 microns or less, especially 5 microns or less, and the average particle size, ie median diameter, is 0.1 to 5 microns, especially 0.1 to 2 microns. Is desirable. If the maximum particle size is larger than the upper limit value or the average particle size is larger than the upper limit value, a part of the particle thermoplastic resin is sufficiently swollen or dissolved in the B-stage or curing stage. And the properties of the cured composition may be impaired. On the other hand, when the average particle size is smaller than the lower limit, the viscosity of the composition increases, and the workability may be remarkably deteriorated.
  • the particle size can be measured by electron microscope observation or laser diffraction scattering method.
  • the maximum particle size be 20% or less, particularly 10% or less of the thickness of the die bond agent applied on the substrate.
  • the diameter is desirably 10% or less, particularly 5% or less of the thickness.
  • thermoplastic resin particles may have a crosslinked structure. However, it is preferable to form a structure in which the thermoplastic resin (C) is uniformly dispersed in the epoxy resin network structure. Therefore, it is preferable that the degree of cross-linking is lower, and a linear molecular chain without cross-linking is more preferable.
  • the molecular weight of the thermoplastic resin particles is appropriately selected depending on the type of resin.
  • the number average molecular weight in terms of polystyrene is 10,000,000,000,000, preferably 10,000,000,000,000,000, weight average molecular weight force, 100,000,000,000,000,000, preferably ⁇ 100, 000 to 0, 000, 000.
  • Number average molecular weight force s From the above lower limit value / J, or when the weight average molecular weight is smaller than the above lower limit value, T1 becomes too low, and the B stage appears early, so the A stage state appears. May become unstable. In addition, sufficient B-stage hardness is not obtained, and there is a risk that defects such as voids, outflow, or die shift may occur, especially in die bond applications.
  • T1 will be high, the difference from T2 will be less than 80 ° C, and the appearance temperature of the C stage will approach As a result, the B stage may become unstable. Also, part of the particle thermoplastic resin may inhibit the formation of the epoxy resin network after the B-stage or C-stage.
  • thermoplastic resin particles is 100 masses of the sum of (A) epoxy resin and (B) epoxy resin hardener in order to obtain a stable B-stage state. 3 to 60 parts by mass (Examples 10 and 11 are included), preferably 5 to 50 parts by mass, and more preferably 10 to 30 parts by mass with respect to parts.
  • the content is less than the lower limit, sufficient B-stage hardness cannot be obtained, and there is a risk that defects such as voids, spillage, or dishift may occur especially in die bond applications.
  • the content is higher than the upper limit, the B stage state becomes too hard, and there is a risk that defects such as insufficient adhesion may occur particularly in die bonding agent applications.
  • thermoplastic resin particles are preferably surface-treated.
  • the surface treatment can be performed by a known method using a known surface treatment agent.
  • silane coupling agents are preferred.
  • silane coupling agents are preferred.
  • Gurishidokishipuro pills tri diethoxy silane, ⁇ - glycidoxypropyl triethoxysilane, ⁇ - methacrylonitrile Xypropylmethyldimethoxysilane , ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane, ⁇ —methacryloxypropylmethyljetoxysilane, ⁇ —methacryloxypropyltriethoxysilane, ⁇ - ⁇ (aminoethyl) ⁇ -aminopropylmethyldimethoxysilane, N—j8 (Aminoethyl) ⁇ —Aminopropyltrimethoxysilane , N—j8 (Aminoethyl) ⁇ —Aminopropyltriethoxysilane, ⁇ —Aminopropyltrimethoxysilane , ⁇ —Aminopropyltriethoxysilane, ⁇ —phenylene Lu y
  • the surface treatment method depends on the difference between wet treatment and dry treatment.
  • the amount of silane coupling agent used for the surface treatment depends on the surface area of the thermoplastic resin particles, but is typically 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total weight of the silane coupling agent. It is.
  • basic organic compounds such as organic phosphorus, imidazole and tertiary amines can be mentioned.
  • organophosphorus include triphenylphosphine, tributylphosphine, tri ( ⁇ tolyl) phosphine, tri ( ⁇ -methoxyphenyl) phosphine, tri ( ⁇ ethoxyphenyl) phosphine, triphenylphosphine 'triphenyl- Examples include a ruporate derivative, tetraphenylphosphine'tetraphenylporate and the like.
  • imidazole examples include 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenolimidazole, 2-phenol-methyl 4-methylimidazole, 2-phenol-4-methyl-5-hydroxymethyl.
  • tertiary amines include triethylamine, benzyldimethylamine, ⁇ -methylbenzyldimethylamine, 1,8 diazabicyclo (5,5), and the like. 4, 0) Undecene 7 etc.
  • the amount of (D) curing accelerator added is the sum of ( ⁇ ) epoxy resin and ( ⁇ ) epoxy resin curing agent.
  • the amount is preferably 0.1 to 10 parts by weight, particularly 0.2 to 5 parts by weight per 100 parts by weight. If the curing accelerator is less than the lower limit, the resin composition may be insufficiently cured, and if it exceeds the upper limit, the storage stability of the resin composition or the B stage state May interfere with the stability of the system.
  • R 1 to R 8 are each independently a hydrogen atom, or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or a halogen atom.
  • R 9 is a methyl group or a methylol group
  • R 1Q is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
  • an inorganic filler As the inorganic filler, known ones can be used, for example, fused silica, crystalline silica, alumina, titanium oxide, silica titer, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, magnesia, magnesium silicate, talc, My power can be listed, and these can be used alone or in combination of two or more.
  • silica, alumina, or talc alone or in combination of two or more.
  • the maximum particle size of the inorganic filler is desirably 20% or less, particularly 10% or less, of the thickness of the die bond agent applied on the substrate.
  • the average grain size is preferably 10% or less, particularly 5% or less of the thickness. If the maximum particle size is larger than the above upper limit value or the average particle size is larger than the upper limit value, the chip, the substrate, the gold wiring, etc. may be damaged, or at the boundary between the inorganic filler and other parts. Local stress may occur, which may impair the function of the semiconductor device.
  • the inorganic filler that has been surface-treated with a silane coupling agent in advance. More preferably, the epoxy resin of component (A) and the filler surface-treated with a coupling agent are kneaded in advance under reduced pressure. As a result, the interface between the filler surface and the epoxy resin can be well wetted, and the moisture resistance reliability is greatly improved.
  • silane coupling agent examples include ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropinoremethinolegoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltriethoxysilane, ⁇ -styryltri Methoxysilane , ⁇ -methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -methacryloxypropylmethinolegoxysilane, ⁇ -methacryloxypropyltriethoxysilane, ⁇ talyloxypropyltrimethoxysilane, N — J8 (Aminoethyl) ⁇ -Aminopropylmethyldimethoxysilane, ⁇ — ⁇ (Aminoethyl) ⁇ -Aminopropyltrimethoxysilane, ⁇ — ⁇ (Aminoethyl)
  • silica is preferable, and 1 to 40 is preferably used relative to 100 parts by mass of ( ⁇ ) to (D). 0 parts by mass, preferably 10 to 200 parts by mass is blended.
  • a calorific additive may be added to the composition of the present invention in an amount that does not impair the object of the present invention.
  • Additives include silane coupling agents, flame retardants, ion trapping agents, waxes, colorants, adhesion aids and the like.
  • silane coupling agent examples include ⁇ -glycidoxypropinoletrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropylmethyljetoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltriethoxysilane, ⁇ -styryltri Methoxysilane, ⁇ -methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -methacryloxypropynole methyljetoxysilane , ⁇ —methacryloxypropyltriethoxysilane, ⁇ —atalyloxypropyltrimethoxysilane , N—j8 (aminoethyl) ⁇ -aminopropylmethyl dimethoxysilane, ⁇ — ⁇ (aminoethyl) ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, N—j8 (aminoethyl) ⁇ -amino
  • the amount used thereof is usually 0.1 to 5.0 parts by mass with respect to the total of 100 parts by mass of the above (A) to (D), preferably 0. 3 to 3.0 parts by mass.
  • each component (A), (C) and (D), and when used, (B) and the above optional components are mixed using a known method, for example, a mixer, a roll or the like. Is obtained. Conditions such as mixing order, time, temperature, and atmospheric pressure can be controlled as necessary.
  • volatiles are removed from each component under reduced pressure, typically 10 mmHg or less, preferably 5 mmHg or less.
  • reduced pressure typically 10 mmHg or less, preferably 5 mmHg or less.
  • (A), (B) and (D) are placed at a temperature of 120 to 170 ° C, preferably 140 to 160 ° C for about 4 to 8 hours,
  • (C) Particulate thermoplastic resin is placed at 80-120 ° C for 20-30 hours.
  • composition of the present invention is obtained when DSC measurement is performed while an empty aluminum cell is used as a reference sample and the sample is placed in an aluminum cell and heated from 25 ° C to 300 ° C at 10 ° CZ in air.
  • A At least one exothermic peak is observed on the lower temperature side than the curing exothermic peak of epoxy resin. For example, as shown in FIG. 1, the exothermic peak has a smaller total calorie than the exothermic peak of (A) epoxy resin.
  • C) the thermoplastic resin particles are plasticized and swollen to form a (A) half-mixed phase with epoxy resin, etc. B stage status.
  • the peak temperature (T1) force of the low-temperature side exothermic peak is 3 ⁇ 40 ° C or higher, preferably 90 ° C or higher, and 70 to 110 ° C or higher than the curing exothermic peak temperature (T2), preferably 80 to 100 ° C lower.
  • T1 peak temperature
  • T2 curing exothermic peak temperature
  • thermoplastic resin particles are not miscible with epoxy resin (A) from room temperature (25 ° C.) until the exothermic reaction takes place. It is stable.
  • the low-temperature exothermic reaction is based on phase change, not based on a chemical reaction such as a curing reaction, and is independent of the curing reaction of the epoxy resin. It is considered to be obtained.
  • the composition of the present invention is measured when TGA measurement is performed by using an empty aluminum cell as a reference sample and increasing the temperature in air from 25 ° C to 300 ° C at 10 ° CZ in air.
  • the mass loss up to 200 ° C is 1% or less, most preferably 0.8% or less.
  • the decrease in mass is mainly due to volatilization of volatile components in the composition.
  • the volatile component include an epoxy resin, an epoxy resin hardener, a low molecular weight component of thermoplastic resin particles, and a solvent used for the synthesis of other components in the composition.
  • the mass reduction amount can be achieved by previously removing each component of the epoxy resin composition under reduced pressure and warming for a predetermined time to remove volatile components.
  • the die bond agent when the die bond agent is exposed to a high temperature, for example, 150 ° C. to 200 ° C., during the process after chip mounting, that is, the step of wire bonding or resin sealing, the volatile component in the die bond agent Vaporization is less likely to occur and voids are reduced.
  • curing can be performed to some extent, and the process time can be shortened.
  • the composition is 150 ° C to 200 ° C in the step after chip mounting, that is, the step of wire bonding or resin sealing. When exposed to high temperatures, the composition may soften and the chip may move its mounting position.
  • the viscosity at 150 ° C to 200 ° C is higher than the upper limit, the composition may be too hard during chip mounting, which may result in insufficient bonding.
  • the viscosity within the above range, it is possible to give a cured product without voids even if curing proceeds during the wire connection process or the resin sealing process.
  • the conditions for B-staging the composition of the present invention are such that the force temperature that can be appropriately adjusted according to the composition and use of the composition is preferably in the range of T1 to T2.
  • ⁇ Considering the stability in the stage state, it is desirable to be in the range of Tl ⁇ ( ⁇ 2—20 ° C).
  • the time is selected depending on the temperature. That is, if a lower temperature is selected within the range of T1 to T2, the time is longer, and if the temperature is higher, the time is shorter.
  • the stage does not advance sufficiently, and there is a possibility that defects such as void outflow or die shift may occur particularly in the case of die bonding agent use.
  • the temperature is high and the time is long, a part of the C stage proceeds, and there is a possibility that defects such as insufficient adhesion may occur particularly in the case of die bonding agent use.
  • the chip mounting conditions are also appropriately adjusted according to the composition and use of the composition.
  • the main conditions are preheating temperature and time just before chip mounting, chip and substrate temperature, time and pressure when chip mounting.
  • the purpose of preheating is to remove moisture from the substrate and die bond agent, to soften the die bond agent, and to improve the adhesion between the chip and the die bond agent.
  • the preheating temperature is preferably 50 ° C to 150 ° C and the time is preferably 10 seconds to 10 minutes.
  • the chip mounting temperature is preferably 25 ° C to 250 ° C for the chip, 25 ° C to 200 ° C for the substrate, 0.1 to 10 seconds for the time, and 0.01 MPa to 10 MPa for the pressure.
  • composition of the present invention is particularly suitable for a die bond agent for semiconductors.
  • the design of the semiconductor device is not particularly limited, but is suitable for applications requiring more accurate and efficient mounting such as a large chip or chip stacking.
  • Tables 1 and 2 The components shown in Tables 1 and 2 were mixed using a planetary mixer at 25 ° C, passed through three rolls at 25 ° C, and then mixed at 25 ° C with a planetary mixer. Compositions of Examples, Reference Examples and Comparative Examples were prepared. In Tables 1 and 2, a to o represent the following components, and the number represents parts by mass.
  • Epoxy resin a (Bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent 180, RE310S (trade name), Nippon Kayaku Co., Ltd.)
  • Silicone modified epoxy resin o (Synthesis example 3)
  • Hardener b (phenol novolak, epoxy equivalent 110, LD92 (trade name), manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.),
  • Particulate thermoplastic resin h (Processing example 4)
  • thermoplastic resin 1 Metal polymethacrylate, number average molecular weight 500, 000, weight average molecular weight 1,500, 000, average particle size 1 micron, maximum particle size 3 microns
  • Curing accelerator c tetraphenylphosphine'tetraphenylporate, TPP-K (trade name), Hokuko Chemical Co., Ltd.)
  • Curing accelerator d Trifluoro-phosphine, TPP, manufactured by Hokuko Chemical Co., Ltd.
  • Silica spherical fused silica, average particle size 0.8 micron, maximum particle size 3 micron, SE2030 (trade name), manufactured by ADMATEX CORPORATION),
  • Carbon black (Denka Black (trade name), manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.),
  • Silane coupling agent KBM-403 (trade name), manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
  • particulate thermoplastic resin made of polymethyl methacrylate, number average molecular weight 500,000, weight average molecular weight 1,500,000, average particle size 1 (Micron, maximum particle size 3 microns) lOOg and 900 g of water were added and stirred thoroughly at 25 ° C until the whole became a uniform slurry.
  • lOOg of water is put into a flask equipped with a stirring blade, dropping funnel, thermometer, and reflux tube, and 2 g of silane coupling agent ( ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane) is dropped in about 10 minutes while stirring.
  • particulate thermoplastic resin made of polymethyl methacrylate, number average molecular weight 500,000, weight average molecular weight 1,500,000, average particle size 1 100 g and 900 g of water were added, and the mixture was stirred well at 25 ° C until the whole became a uniform slurry.
  • particulate thermoplastic resin made of polymethyl methacrylate, number average molecular weight 500,000, weight average molecular weight 1,500,000, average particle size 1 100 g and 900 g of water were added, and the mixture was stirred well at 25 ° C until the whole became a uniform slurry.
  • silane coupling agent ((-glycidoxypropyltrimethoxysilane)
  • This aqueous silane coupling agent solution was dropped into a slurry of particulate thermoplastic resin Z water in about 30 minutes and further aged at 25 ° C for 12 hours. This force also removed water and gave a white powder. This was designated as particulate thermoplastic resin f.
  • particulate thermoplastic resin made of polymethyl methacrylate, number average molecular weight 500,000, weight average molecular weight 1,500,000, average particle size 1 100 g and 900 g of water were added, and the mixture was stirred well at 25 ° C until the whole became a uniform slurry.
  • particulate thermoplastic resin made of polymethyl methacrylate, number average molecular weight 500,000, weight average molecular weight 1,500,000, average particle size 1 100 g and 900 g of water were added, and the mixture was stirred well at 25 ° C until the whole became a uniform slurry.
  • silane coupling agent N-Fel- ⁇ -Aminopropyltrimethoxysilane
  • This aqueous silane coupling agent solution was dropped into a slurry of particulate thermoplastic resin Z water in about 30 minutes and further aged at 25 ° C. for 12 hours. Remove water from this A white powder was obtained. This was designated as particulate thermoplastic resin g.
  • particulate thermoplastic resin made of polymethyl methacrylate, number average molecular weight 50,000, weight average molecular weight 150,000, average particle size 1 micron
  • lOOg and 900 g of water were added and stirred thoroughly at 25 ° C until the whole became a uniform slurry.
  • lOOg of water is put into a flask equipped with a stirring blade, dropping funnel, thermometer, and reflux tube, and 2 g of silane coupling agent (y-methacryloxypropyltrimethoxysilane) is added in about 10 minutes while stirring.
  • the solution was added dropwise and further aged at 25 ° CZ for 2 hours.
  • This aqueous silane coupling agent solution was dropped into a slurry of particulate thermoplastic resin Z water in about 30 minutes and further aged at 25 ° C. for 12 hours. Water was removed from this to obtain a white powder. This was designated as particulate thermoplastic resin h.
  • particulate thermoplastic resin core core of butadiene rubber, core of shell of partially crosslinked polymethyl methacrylate, core-shell structure, average (Particle size 1 micron, maximum particle size 3 microns) 100 g and 900 g of water were added, and the mixture was sufficiently stirred at 25 ° C until the whole became a uniform slurry.
  • particulate thermoplastic resin core core of butadiene rubber, core of shell of partially crosslinked polymethyl methacrylate, core-shell structure, average (Particle size 1 micron, maximum particle size 3 microns) 100 g and 900 g of water were added, and the mixture was sufficiently stirred at 25 ° C until the whole became a uniform slurry.
  • silane coupling agent ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane
  • particulate thermoplastic resin i was designated as particulate thermoplastic resin i.
  • particulate thermoplastic resin made of polysylene, number average molecular weight 100,000, weight average molecular weight 300, 000, average particle size 1 micron, maximum particle size (3 microns in diameter) 100 g and 900 g of water were added and stirred thoroughly at 25 ° C until the whole became a uniform slurry. Separately, 100 g of water was placed in a flask equipped with a stirring blade, dropping funnel, thermometer, and reflux tube, and 2 g of silane coupling agent (P-styryltrimethoxysilane) was added dropwise in about 10 minutes while stirring. Aged at ° CZ for 2 hours.
  • silane coupling agent P-styryltrimethoxysilane
  • This silane cutlet The aqueous pulling agent solution was dropped into the slurry of particulate thermoplastic resin Z water in about 30 minutes, and further aged at 25 ° C for 12 hours. Water was removed from this to obtain a white powder. This was a particulate thermoplastic resin.
  • particulate thermoplastic resin made of polymethyl methacrylate, number average molecular weight 3,000, weight average molecular weight 9,000, average particle diameter 1 micron, (Maximum particle size: 3 microns) 100 g and 900 g of water were added and stirred at 25 ° C until the whole became a uniform slurry. Separately, 100 g of water was put into a flask equipped with a stirring blade, dropping funnel, thermometer, and reflux tube, and 2 g of silane coupling agent ( ⁇ -metataloxypropyltrimethoxysilane) was added dropwise in about 10 minutes while stirring.
  • silane coupling agent ⁇ -metataloxypropyltrimethoxysilane
  • particulate thermoplastic resin k was designated as particulate thermoplastic resin k.
  • each epoxy resin composition is collected in an aluminum cell, and the temperature is increased from 25 ° C to 300 ° C under air using an empty aluminum cell as a reference sample. The temperature was measured at a temperature rate of 10 ° CZ.
  • the viscosity of the epoxy resin composition was measured immediately after production and after being allowed to stand at 25 ° C for a predetermined time.
  • Epoxy resin composition 10 mg 20 ° C higher than T1 at a temperature (120 ° C for Comparative Examples 1 to 4) for 10 minutes and immediately after B-stage and at 25 ° C after B-stage DSC measurement was performed using the same method as in (a) for what was left for a predetermined time as shown in Using the c-stage peak area measured in (1) as an initial value, the ratio of the C-stage peak area to the initial value was calculated after standing for a predetermined time.
  • Test specimens as shown in Fig. 2 were prepared, and SAT observation was performed on each specimen, and the number of specimens including voids Z total number of specimens (20) was calculated.
  • the method for preparing the test piece is as follows.
  • An epoxy resin composition (50 micron thickness, 12 mm x 12 mm) was coated on a BT substrate (200 micron thickness, 35 mm x 35 mm) with a solder resist (30 micron thickness) coated on the surface. This was heated for 10 minutes at a temperature 20 ° C higher than T1 (120 ° C for Comparative Examples 3 to 6) to form a B stage, and a silicon chip with a silicon nitride film (300 micron thick, 12.5 mm X 12.5 mm) was mounted at 150 ° C ZlMpaZl seconds to obtain test pieces.
  • the maximum fillet width was observed for each of the 20 test pieces prepared in (d).
  • a fillet is one in which sallow flows and the lateral force of the chip oozes out (Fig. 3). If the fillet width is large, the distance to the wire connection terminal on the board will be long, so 100 microns or less are required. Those exceeding 100 microns were rejected, and the number of rejected test pieces Z total test pieces (20) was calculated.
  • the composition of the present invention has an increase in viscosity at the A stage of less than 30%, and is excellent in storage stability at the A stage.
  • the composition of the present invention exhibits an initial curing heat generation of 95% or more even after a predetermined time has passed in the B stage state, and is excellent in storage stability in the B stage.
  • Comparative Examples 1 and 2 when the chip was mounted after the force B stage, the storage stability at the B stage was approximately 95%, voids or fillets were generated. In contrast, the composition of the present invention had no voids or fillets even after the B stage.
  • compositions (a) to (g) and the following tests (h) to (k) were conducted.
  • tests of (1!) To (k) were also performed on some examples of the above-described Examples 1 to L1. The results are shown in Tables 6 and 7.
  • composition lOmg was collected in an aluminum cell, and an empty aluminum cell was used as a reference sample, using TGA (Thermogravimetric Analyzer / Metler), 25 ° C force in air up to 300 ° C, heating rate 10 ° The mass loss (%) up to 200 ° C was measured in CZ minutes.
  • TGA Thermogravimetric Analyzer / Metler
  • An epoxy resin composition (50 micron thickness, 12 mm x 12 mm) was coated on a BT substrate (200 micron thickness, 35 mm x 35 mm) with a solder resist (30 micron thickness) coated on the surface. This was heated for 10 minutes at a temperature 20 ° C higher than T1 and B-staged, and a silicon nitride-coated silicon chip (300 micron thick, 12.5mm x 12.5mm) was 150 ° C (chip) Mounted at ZlOO ° C (substrate) / IMpa / l second.
  • KMC-2520 epoxy sealant manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • mold temperature is 175 ° C
  • injection time is 10 seconds
  • injection pressure is 70KPa
  • molding time is 90 seconds
  • post-curing conditions are 180 ° CZ for 2 hours. Sealed.
  • the size of the test specimen after molding is 1000 microns thick and 35 mm x 35 mm.
  • the die shift value was measured for each of the 20 test pieces in FIG. 4 using a soft X-ray transmission device.
  • the die shift value is the total value of the linear movement distances at the four corners of the chip. If this is larger than 50 microns, the die is rejected, and the number of rejected specimens Z is counted (20).
  • compositions of Examples 12 to 17 had (h) a weight loss by TGA of less than 1%, and (i) a B stage viscosity of lOPa's to: LOOOPa's. Even when cured in the grease sealing process, voids were not generated and the die shift was also strong.
  • composition of the present invention is suitable as a die-bonding agent for semiconductor products that forms a stable B-stage state and requires a high yield.
  • those having a predetermined volatile content and viscosity can proceed to a wire connection step and a resin sealing step without providing a curing step after mounting the chip, thereby improving the productivity of the semiconductor device. .
  • Fig. 1 is a DSC chart of the yarn and composite of Example 1.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of a test piece on which a silicon chip created in an example is mounted.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram showing voids and fillets.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of a resin-sealed semiconductor device test piece prepared in an example.

Abstract

（Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤　　該（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の反応性基の当量の（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基の当量に対する比が０．８～１．２５となる量、 （Ｃ）２５°Cにおいて固体状の熱可塑性樹脂粒子　　　（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の合計１００質量部に対して、３～６０質量部、及び （Ｄ）エポキシ樹脂硬化促進剤　　（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の合計１００質量部に対して、０．１～１０質量部、 を含むことを特徴とする組成物。該組成物は安定したＢステージ状態を形成し、ボイドの無い硬化物を与える。

Description

明 細 書
エポキシ樹脂組成物及び該組成物を含むダイボンド剤
技術分野
[0001] 本発明は安定した Bステージ状態を形成するエポキシ榭脂組成物に関する。また、 本発明は、ワイヤー接続工程等と並行して、硬化させることも可能なエポキシ榭脂組 成物に関する。これらのエポキシ榭脂組成物は半導体用ダイボンド剤用途に好適で ある。
背景技術
[0002] エポキシ榭脂は接着性 '耐熱性 '耐湿性に優れていることから、種々の用途に使用さ れている。特に液状エポキシ榭脂は、微細化 ·高速ィ匕が推し進められている半導体 分野において、複雑'微細な設計のデバイスにも対応でき、近年その応用分野を著 しく拡大している。その反面、液状エポキシ榭脂は粘度や流動性等の作業性に影響 する因子が変動しやすぐ取り扱いに際して細心の注意を要する。基板上にチップを 固定するダイボンド剤はその最たるものである。
[0003] 近年デバイスの高速化'高密度化に伴ってチップが大型化し、また複数のチップを垂 直方向に積層して集積度を向上させる方式が検討されて 、る。従つてダイボンド剤に は従来の性能に加えて、大型化'多層化するチップを、より正確に且つ効率よく実装 し得ることが求められる。現在主流であるダイボンド剤は液状エポキシ榭脂にシリカや アルミナ等の無機フィラーや、銀等の導電性フィラーを添加したものであり、これを基 板上に塗布 '印刷してチップを搭載する。しかし、この方式では大型 ·多層化するチッ プを正確に、且つ効率よく実装することは困難であり、ボイドゃ流出、或いはダイシフ ト等の不良が発生する恐れがある。
[0004] これらの問題を解決するべぐ液状エポキシ榭脂を基板上に塗布した後に、比較的 低温で加熱して流動性を失わせて、いわゆる Bステージ状態とし、この上にチップを 搭載して力 完全に硬化させる方式が提案されて 、る。この Bステージ化の方法には 、（1)硬化反応を途中で強制的に停止させる方法、（2)硬化温度領域が低い反応系 を共存させて、該反応系を硬化させる方法 (例えば特許文献 1)がある。このうち（1) の方法は適応可能である反応系の種類が多ぐ且つ容易な方法であるが、 Bステー ジ状態の安定性が不十分である。一方、（2)の方法は反応系の種類が制限され、且 つ Bステージ状態の安定性力 必ずしも十分ではないという問題がある。ここで、安定 性とは Bステージ状態で所定期間放置された後であっても、初期とほぼ同じ挙動を示 すことを意味する。この安定性が悪いと、製品を Bステージ状態で保存しておくことが できず、製品歩留まりが低下する。
[0005] チップが搭載された後に、ダイボンド剤は、 Bステージカゝら完全硬化、いわゆる Cステ ージ状態、にされるが、工程時間の不足等により硬化が不十分であると、後続の工程 、例えば、ワイヤー接合や榭脂封止の工程において、未硬化成分が揮発等してボイ ドを生じ、製品の信頼性を低下する場合がある。仮に、ワイヤー接合工程等と並行し て硬化が進行したとしても、ボイド等を生じな 、ダイボンド剤であることが望まれる。 特許文献 1：特表 2005— 513192号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] そこで、本発明は安定した Bステージ状態を形成し、且つ、ボイド等の無い硬化物を 与えるエポキシ榭脂組成物及び該エポキシ榭脂組成物を含む半導体用ダイボンド 剤を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0007] 即ち、本発明は、
(A)エポキシ榭脂
(B)エポキシ榭脂硬化剤 該 (B)エポキシ榭脂硬化剤の 反応性基の当量の (A)エポキシ榭脂のエポキシ基の当量に対する比が 0. 8〜1. 2 5である量、
(C) 25°Cにお 、て固体状の熱可塑性榭脂粒子 （A)エポキシ榭脂と (B)ェポキ シ榭脂硬化剤の合計 100質量部に対して、 3〜60質量部、及び
(D)エポキシ榭脂硬化促進剤 (A)エポキシ榭脂と (B)ェポキ シ榭脂硬化剤の合計 100質量部に対して、 0. 1〜10質量部、
を含むことを特徴とする組成物である。 好ましくは、（C) 25°Cにおいて固体状の熱可塑性榭脂粒子は、メタタリル榭脂、フ エノキシ榭脂、及びブタジエン榭脂等力 選択され、所定の分子量及び粒子径を有 する。
発明の効果
[0008] 上記本発明の組成物は、 Bステージ状態での保存安定性に優れ、半導体製品の 歩留まりを向上することができる。さらに、所定の揮発分及び粘度に調整することによ つて、榭脂封止工程で並行して硬化が進行した場合であっても、ほとんどボイドの無 V、硬化物を与えることが可能である。
発明を実施するための最良の形態
[0009] (A)エポキシ榭脂
本発明において、（A)エポキシ榭脂としては、公知のものを使用することができる。例 えば、ノボラック型、ビスフエノール型、ビフエ-ル型、フエノールァラルキル型、ジシク 口ペンタジェン型、ナフタレン型、アミノ基含有型、後述するシリコーン変性エポキシ 榭脂及びこれらの混合物等が挙げられる。なかでもビスフエノール A型、ビスフエノー ル F型及びシリコーン変性エポキシ榭脂が好ましい。また、 25°Cにおいて、液状の榭 脂が好ましぐより好ましくは粘度が lOOPa' s以下、より好ましくは lOPa' s以下である
[0010] (B)エポキシ榭脂硬イ^ II
硬化剤 (B)としては公知のものを使用することができ、例えばフエノール榭脂（後述す るシリコーン変性フエノール榭脂を含む）、酸無水物、及びアミン類が挙げられる。こ の中でも硬化性と Bステージ状態の安定性のバランスを考慮すると、フエノール榭脂 及びシリコーン変性フエノール榭脂が好ましい。該フエノール榭脂としては、ノボラック 型、ビスフエノール型、トリスヒドロキシフエ-ルメタン型、ナフタレン型、シクロペンタジ ェン型、フエノールァラルキル型等が挙げられ、これらを単独、あるいは 2種類以上を 混合して用いても良い。なかでもノボラック型、ビスフエノール型が好ましぐまた、粘 度は 100°Cにお 、て lOPa · s、特に lPa · s以下であることが望まし!/、。
[0011] 上記 (A)エポキシ榭脂及び (B)硬化剤、特にフエノール榭脂、の少なくとも一部又は 全部力、分子中にシリコーン残基を有するシリコーン変性榭脂であることが好ましい。 該シリコーン変性樹脂の一例として芳香族重合体とオルガノポリシロキサンとを反応 させて得られる共重合体が挙げられる。芳香族重合体としては、下式（3)或いは (4) の化合物が挙げられる。
Figure imgf000006_0001
但し、 R11は、フエノール榭脂の場合には水素原子であり、エポキシ榭脂である場合 には下記式で表されるォキシラン基含有基であり、
は水素原子又はメチル基であり、 Xは水素原子又は臭素原子であり、 nは 0以上 の整数、好ましくは 0乃至 50、特に好ましくは 1乃至 20の整数である。
他の芳香族重合体としては、下式 (5)乃至 (8)のアルケニル基含有ィ匕合物が挙げら れる。
Figure imgf000006_0002
Figure imgf000007_0001
ましくは 0乃至 5の整数、特に好ましくは 0或いは 1である。
[0013] 上記芳香族重合体と反応させるオルガノポリシロキサンは式（9)で示される。
(R13) (R14) SiO (9)
a b (4-a-b)/2
但し、 R13は水素原子、或いは、アミノ基、エポキシ基、ヒドロキシ基もしくはカルボキ シ基を含有する有機基、或いはアルコキシ基。であり、 R14は置換、或いは非置換の 1 価炭化水素基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、或いはァルケ-ルォキシ基であり、 a、 b は 0. 001≤a≤l, l≤b≤3, l≤a+b≤4を満足する数である。 1分子中のケィ素原 子数は 1乃至 1000であり、 1分子中のケィ素原子に直結した R13は 1以上である。
[0014] ここで R13のァミノ基含有有機基としては、下記のものが例示され、ここで、 cは 1、 2、 又は 3である。
Figure imgf000007_0002
エポキシ基含有有機基としては、下記のものが例示され、ここで cは 1、 2、又は 3であ る
Figure imgf000008_0001
ヒドロキシ基含有有機基としては、下記のものが例示され、ここで、 dは 0、 1、 2、又は 3であり、 eは 1、 2又は 3である。
Figure imgf000008_0002
カルボキシ基含有有機基としては、下記が例示され、ここで、 fは 1〜： LOの整数である
Figure imgf000008_0003
またアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、 n-プロポキシ基等の炭素数 1〜4 のものが挙げられる。
[0015] また R"の置換または非置換の 1価炭化水素基としては、炭素数 1乃至 10のものが好 ましぐ例えばメチル基、ェチル基、 n-プロピル基、イソプロピル基、 n-ブチル基、イソ ブチル基、 tert-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、へキシル基、シクロへキシ ル基、ォクチル基、デシル基等のアルキル基、ビニル基、ァリル基、プロべ-ル基、ブ テュル基等のアルケ-ル基、フエ-ル基、トリル基等のァリール基、ベンジル基、フエ ニルェチル基等のァラルキル基や、これらの炭化水素基の水素原子の一部または全 部をハロゲン原子等で置換したハロゲン置換 1価炭化水素基が挙げられる。
[0016] 更に a、 biま上述した値である力 好ましく ίま 0. 01≤a≤0. 1、 1. 8≤b≤2, 1. 85≤ a+b≤2. 1、ケィ素原子数は 2乃至 400であることが望ましぐ特に 5乃至 200である ことが望ましい。該オルガノポリシロキサンとしては、式（10)或いは（11)の化合物が 挙げられる。
[0017] [化 14] (10)
Figure imgf000009_0001
[0018] [化 15]
R15 R15 ， R15
6-si-o ■si-o- -Si-R1' (11)
R15 R15 」 R15
但し、 R16は上式（9)の R13に相当し、アミノ基、エポキシ基、ヒドロキシ基、又はカルボ キシ基含有の 1価炭化水素基である。 R15は式 (9)の R14に相当し、置換、或いは非置 換の 1価炭化水素基であり、好ましくはメチル基或いはフエニル基であり、 pは 0乃至 1 000の整数、好ましくは 3乃至 400の整数であり、 qは 0乃至 20の整数、好ましくは 0 乃至 5の整数である。
[0019] 斯カるオルガノポロシロキサンの例としては下記を挙げることができる。
[0020] [化 16]
Figure imgf000009_0002
[0021] 式（9)のオルガノポリシロキサンの分子量は、 100乃至 100000力望ましい。オノレガノ ポリシロキサンの分子量が前記範囲内である場合、該オルガノポリシロキサンと反応 させる芳香族重合体の構造或いは分子量により、オルガノポリシロキサンがマトリクス に均一に分散した均一構造、或いはオルガノポリシロキサンがマトリクスに微細な層 分離を形成する海島構造が出現する。
[0022] オルガノポリシロキサンの分子量が比較的小さい場合、特に 100乃至 10000である 場合は均一構造、一方オルガノポリシロキサンの分子量が比較的大きい場合、特に 1000乃至 100000である場合は海島構造が形成される。均一構造と海島構造の何 れが選択されるかは用途に応じて選択される。ここでオルガノポリシロキサンの分子 量が 100未満であると硬化物は剛直で脆くなり、一方分子量が 100000より大きいと
、海島が大きくなり、局所的な応力が発生し得るので、好ましくない。
[0023] 上記の芳香族重合体とオルガノポリシロキサンとを反応させる方法としては公知の方 法を用いることができ、例えば、白金系触媒の存在下で、芳香族重合体とオルガノポ リシロキサンとを付加反応に付する。
[0024] 本発明の組成物において、（B)硬化剤を配合する場合には、（A)エポキシ榭脂と（B )硬化剤の配合比は、（A)中のエポキシ基の当量と硬化剤中の反応性基の当量比 で、 0. 8≤ (エポキシ榭脂） Z (硬化剤）≤1. 25であることが望ましぐ特に 0. 9≤ (ェ ポキシ基) Z (硬化剤）≤1. 1であることが望ましい。当量比がこの範囲にない場合、 一部未反応になり、硬化物の性能、更にはこれを用いる半導体装置の性能に支障を きたす恐れがある。
[0025] (o -^mwm .^- 本発明の組成物は、粒子状の (c)熱可塑性榭脂粒子を含むことを特徴とする。該熱 可塑性榭脂は、 25°Cで固体状である。即ち、保存中及び基板上に塗布される温度 において、エポキシ榭脂 (A)と相溶された榭脂相を形成しない。該熱可塑性榭脂とし ては公知の榭脂であってよぐ例えば AAS榭脂、 AES榭脂、 AS榭脂、 ABS榭脂、 MBS榭脂、塩化ビュル榭脂、酢酸ビュル榭脂、メタタリル榭脂、フエノキシ榭脂、ポリ ブタジエン榭脂、各種のフッ素榭脂、各種シリコーン榭脂、ポリアセタール、各種のポ リアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、 ポリエチレン、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、 ポリスチレン、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリビニルアルコール、ポリビニ ノレエーテノレ、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポニフエ二レンエーテル 、ポリフエ-レンサルファイド、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリメチル ペンテン等が挙げられる。これらの中でも、メタタリル榭脂、フエノキシ榭脂、ブタジェ ン榭脂、ポリスチレンもしくはこれらの共重合体が望ましい。或いは、粒子の内核 (コ ァ）部と外皮（シェル)部で樹脂が異なるコア ·シェル構造ものであっても良 ヽ。その場 合、コアはシリコーン榭脂、フッ素榭脂、又はブタジエン榭脂等力 なるゴム粒子であ り、シェルは線形分子鎖力もなる上記各種の熱可塑性榭脂であることが望まし 、。
[0026] (C)熱可塑性榭脂粒子の形状は、略球状、円柱もしくは角柱状、不定形状、破砕状 、及び燐片状等であってよぐダイボンド剤用途には、略球状、及び、鋭角部を有しな い不定形状が好ましい。
[0027] (C)熱可塑性榭脂粒子の平均粒径は、用途に応じて適宜調整されることが好ましい 。通常、最大粒径、即ち 98%累積粒径が 10ミクロン以下、特に 5ミクロン以下であるこ と力望ましく、平均粒径、即ちメジアン径、は 0. 1乃至 5ミクロン、特に 0. 1乃至 2ミクロ ンであることが望ましい。最大粒径が前記上限値より大きい、或いは、平均粒径が前 記上限値より大きい場合は、 Bステージィ匕段階或いは硬化段階において、粒子熱可 塑性榭脂の一部が十分に膨潤或いは溶解せずに残り、硬化後の組成物の特性を損 なう恐れがある。一方、平均粒径が前記下限値よりも小さい場合、組成物の粘度が大 きくなり、作業性が著しく悪くなる恐れがある。なお、粒径の測定は、電子顕微鏡観察 、レーザー回折散乱法により行うことができる。
[0028] 特に、本発明の組成物をダイボンド剤に用いる場合、最大粒径は基板上に施与され たダイボンド剤の厚みの 20%以下、特に 10%以下であることが望ましぐ平均粒径 は該厚みの 10%以下、特に 5%以下であることが望ましい。最大粒径が上記上限値 より大きい、或いは、平均粒径が上記上限値より大きい場合は、 Bステージィ匕段階、 或いは硬化段階に、粒子状熱可塑性榭脂の一部が十分に膨潤或いは溶解せずに 残り、硬化後のダイボンド剤の外観上の不良や、チップ表面の破損或いはリーク等の 不良を引き起こす恐れがある。
[0029] (C)熱可塑性榭脂粒子は、架橋構造を有して 、てもよ 、。しかし、熱可塑性榭脂 (C) がエポキシ榭脂網目構造中に均一に分散された構造を形成することが好まし 、と考 えられることから、架橋度は低い方が好ましぐより好ましくは架橋の無い線状分子鎖 である。
[0030] (C)熱可塑性榭脂粒子の分子量は、榭脂の種類に依存して適宜選択される。典型 的には、ポリスチレン換算の数平均分子量が 10, 000〜10, 000, 000、好ましくは 10, 000〜1000, 000、重量平均分子量力 100, 000〜100, 000, 000、好まし < は 100, 000〜10, 000, 000である。数平均分子量力 s上記下限値より/ J、さい、或い は重量平均分子量が上記下限値より小さい場合は、 T1が低温になりすぎ、 Bステー ジが早期に出現するために Aステージ状態が不安定になる恐れがある。また十分な Bステージ状態の硬度が得られず、特にダイボンド剤用途ではボイドや流出、或いは ダイシフト等の不良が発生する恐れがある。一方、数平均分子量が上記上限値より 大きい、或いは重量平均分子量が上記上限値より大きい場合は T1が高くなつて、 T 2との差が 80°Cより小さくなり、 Cステージの出現温度が接近して Bステージ状態が不 安定になる恐れがある。また Bステージィ匕後、或いは Cステージィ匕後に粒子熱可塑性 榭脂の一部がエポキシ榭脂網目構造の形成を阻害する恐れがある。
[0031] (C)熱可塑性榭脂粒子の含有量は、安定な Bステージ状態を得るために、（A)ェポ キシ榭脂と (B)エポキシ榭脂硬化剤との合計、の 100質量部に対して、 3〜60質量 部（実施例 10、 11が含まれるようにしました）、好ましくは 5質量部〜 50質量部、より 好ましくは 10〜30質量部である。含有量が前記下限値より少ない場合は、十分な B ステージ状態の硬度が得られず、特にダイボンド剤用途ではボイドや流出、或いはダ ィシフト等の不良が発生する恐れがある。一方、含有量が前記上限値よりも多い場合 は、 Bステージ状態が硬くなりすぎ、特にダイボンド剤用途では接着不足等の不良が 発生する恐れがある。
[0032] (C)熱可塑性榭脂粒子は、表面処理することが好ま 、。表面処理は、公知の表面 処理剤を用いて公知の方法により行うことができる。表面処理剤としては、シランカツ プリング剤が好ましぐ例えば、ビュルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビ -ルトリス（ j8—メトキシエトキシ）シラン、 13 - (3、 4—エポキシシクロへキシル）ェチ ルトリメトキシシラン、 γ—グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、 γ—グリシドキシプロ ピルトリジエトキシシラン、 Ύ—グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、 Ύ—メタクリロ キシプロピルメチルジメトキシシラン、 γ—メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、 γ —メタクリロキシプロピルメチルジェトキシシラン、 Ί—メタクリロキシプロピルトリェトキ シシラン、 Ν- β (アミノエチル） γ—ァミノプロピルメチルジメトキシシラン、 N— j8 (ァ ミノェチル） Ί—ァミノプロピルトリメトキシシラン、 N— j8 (アミノエチル） γ—ァミノプロ ピルトリエトキシシラン、 Ί—ァミノプロピルトリメトキシシラン、 γ—ァミノプロピルトリエ トキシシラン、 Ν—フエ二ルー yーァミノプロピルトリメトキシシラン、 γ メルカプトプロ ピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、特にビニルトリメトキシシラン、 y—メ タクリロキシプロピルトリメトキシシラン、 Ί—グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、 Ί —ァミノプロピルトリメトキシシラン、 Ν フエ二ノレ一 γ—ァミノプロピルトリメトキシシラ ン、 γ メルカプトプロピルトリメトキシシランが使用される。表面処理方法は、湿式処 理或いは乾式処理の 、ずれによってもょ 、。表面処理に使用するシランカップリング 剤の量は、熱可塑性榭脂粒子の表面積にも依存するが、典型的には、シランカツプリ ング剤の総重量 100重量部に対して 0. 1乃至 5重量部である。
[0033] (D)硬化 谁剤
(D)硬化促進剤としては、公知のものを使用することができる。例えば有機リン、イミ ダゾール、 3級ァミン等の塩基性有機化合物が挙げられる。有機リンの例としては、ト リフエ-ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ρ トルィル）ホスフィン、トリ（ρ—メト キシフエ-ル）ホスフィン、トリ（ρ エトキシフエ-ル）ホスフィン、トリフエ-ルホスフィン 'トリフエ-ルポレート誘導体、テトラフエ-ルホスフィン'テトラフエ-ルポレート等が挙 げられる。イミダゾールの例としては、 2—メチルイミダゾール、 2—ェチルイミダゾール 、 2 ェチル—4—メチルイミダゾール、 2 フエ-ルイミダゾール、 2—フエ-ルー 4— メチルイミダゾール、 2 フエ-ルー 4ーメチルー 5 ヒドロキシメチルイミダゾール、 2 フエ-ルー 4, 5—ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられ、 3級ァミンの例とし てはトリエチルァミン、ベンジルジメチルァミン、 α—メチルベンジルジメチルァミン、 1 , 8 ジァザビシクロ（5, 4, 0)ゥンデセン 7等が挙げられる。これらのなかでも、テト ラフエ-ルホスフィン'テトラフエ-ルポレート誘導体、又はメチロールイミダゾール誘 導体を、硬化剤としてのフエノール榭脂と組合わせて使用することが好ま U、。
[0034] (D)硬化促進剤の添加量は、（Α)エポキシ榭脂と (Β)エポキシ榭脂硬化剤との合計 、の 100重量部に対して、 0. 1乃至 10重量部であることが望ましぐ特に 0. 2乃至 5 重量部であることが望ましい。硬化促進剤が前記下限値未満である場合は、榭脂組 成物が硬化不十分になる恐れがあり、また前記上限値より多い場合は榭脂組成物の 保存性、或 、は Bステージ状態の安定性に支障をきたす恐れがある。
[0035] (B)硬化剤としてフ ノール榭脂を使用する場合には (D)硬化促進剤として下記式（ 1)に表されるテトラフェニルホスフィン'テトラフエ二ルポレート誘導体、或いはイミダゾ ール、特に下記式（2)に表されるメチロールイミダゾール誘導体を使用することが好 ましい。
[0036] [化 1]
Figure imgf000014_0001
但し、 R1乃至 R8は夫々独立に水素原子又は或いは炭素数 1乃至 10の炭化水素基、 或いはハロゲン原子である。
[0037] [化 2]
匪 2c、
\\ Rw (2) 但し、 R9はメチル基或いはメチロール基であり、 R1Qは炭素数 1乃至 10の炭化水素 基である。
[0038] 無機細剤
本発明の組成物、特にダイボンド剤用途に使用する場合には、無機質充填剤を配合 することが好ましい。無機充填剤としては、公知のものを使用することができ、例えば 、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、酸化チタン、シリカチタ-ァ、窒化ホウ素、窒化 アルミニウム、窒化ケィ素、マグネシア、マグネシウムシリケート、タルク、マイ力等を挙 げることができ、これらは 1種単独あるいは 2種類以上組み合せて使用することができ る。特に、シリカ、アルミナ、タルクを 1種単独あるいは 2種類以上組み合せて使用す ることが好ましい。
[0039] 本発明の組成物をダイボンド剤に用いる場合、上記無機質充填剤の最大粒径は基 板上に施与されたダイボンド剤の厚みの 20%以下、特に 10%以下であることが望ま しぐ平均粒径は該厚みの 10%以下、特に 5%以下であることが望ましい。最大粒径 が上記上限値より大きい、或いは、平均粒径が上記上限値より大きい場合は、チップ 、基板、金配線等にダメージを与えたり、或いは無機質充填剤とそれ以外の部分との 境界において局所的なストレスが発生し、半導体装置の機能を損なう恐れがある。
[0040] 上記無機質充填剤は、予めシラン系カップリング剤で表面処理したものを使用するこ とが好ましい。より好ましくは、（A)成分のエポキシ榭脂とカップリング剤で表面処理し た充填剤とを予め減圧下で混練処理を行うことが望ましい。これにより充填剤表面と エポキシ榭脂の界面がよく濡れた状態とすることができ、耐湿信頼性が格段に向上 する。
[0041] 上記シランカップリング剤としては、例えば、 γ—グリシドキシプロピルトリメトキシシラ ン、 γ—グリシドキシプロピノレメチノレジェトキシシラン、 γ—グリシドキシプロピルトリエ トキシシラン、 ρ—スチリルトリメトキシシラン、 γ—メタクリロキシプロピルメチルジメトキ シシラン、 γ—メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、 γ—メタクリロキシプロピルメ チノレジェトキシシラン、 Ίーメタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、 Ί アタリロキシ プロピルトリメトキシシラン、 N— j8 (アミノエチル） γーァミノプロピルメチルジメトキシ シラン、 Ν— β (アミノエチノレ） γーァミノプロピルトリメトキシシラン、 Ν— β (アミノエチ ル） γ—ァミノプロピルトリエトキシシラン、 γ—ァミノプロピルトリメトキシシラン、 γ - ァミノプロピルトリエトキシシラン、 Ν フエ二ノレ一 γ—ァミノプロピルトリメトキシシラン 、 γ—メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、 γ—メルカプトプロピルトリメトキシシ ラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフイド、 γ—イソシァネートプロピルトリエト キシシラン等が挙げられる。これらは 1種単独でも 2種以上組み合わせても使用する ことができる。これらの中でも γ グリシドキシプロピルトリメトキシシランを使用するこ とが好ましい。
[0042] 無機充填剤としては、シリカが好ましく（Α)〜（D)の合計 100質量部に対して、 1〜40 0質量部、好ましくは 10〜200質量部配合する。
[0043] その他の成分
上記各成分に加え、本発明の組成物には、本発明の目的を阻害しない量で、添カロ 剤を添加することができる。添加剤としては、シランカップリング剤、難燃剤、イオントラ ップ剤、ワックス、着色剤、接着助剤等が包含される。
[0044] 上記シランカップリング剤としては、例えば、 γ—グリシドキシプロピノレトリメトキシシ ラン、 Ύ—グリシドキシプロピルメチルジェトキシシラン、 γ—グリシドキシプロピルトリ エトキシシラン、 ρ—スチリルトリメトキシシラン、 γ—メタクリロキシプロピルメチルジメト キシシラン、 γ—メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、 γ—メタクリロキシプロピノレ メチルジェトキシシラン、 Ί—メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、 Ί—アタリロキ シプロピルトリメトキシシラン、 N— j8 (アミノエチル） γ—ァミノプロピルメチルジメトキ シシラン、 Ν— β (アミノエチノレ） γーァミノプロピルトリメトキシシラン、 N— j8 (アミノエ チル） γ—ァミノプロピルトリエトキシシラン、 γ—ァミノプロピルトリメトキシシラン、 γ —ァミノプロピルトリエトキシシラン、 Ν フエ二ノレ一 γ—ァミノプロピルトリメトキシシラ ン、 メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、 γ メルカプトプロピルトリメトキシ シラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフイド、 γ—イソシァネートプロピルトリエ トキシシラン等が挙げられる。これらは 1種単独でも 2種以上組み合わせても使用する ことができる。これらの中でも γ グリシドキシプロピルトリメトキシシランを使用するこ とが好ましい。
[0045] 上記カップリング剤を用いる場合、その使用量は、上記 (A)〜（D)の合計 100質量 部に対して、通常 0. 1〜5. 0質量部であり、好ましくは 0. 3〜3. 0質量部である。
[0046] 組成物の調製
本発明の組成物は、各成分 (A)、（C)及び (D)、使用する場合には (B)及び上記任 意成分を、公知の方法、例えば、ミキサー、ロール等を用い、混合して得られる。必要 に応じて混合順序、時間、温度、気圧等の条件を制御することができる。
[0047] 好ましくは、上記混合の前に、減圧下で、典型的には lOmmHg以下、好ましくは 5 mmHg以下、各成分から揮発分を除去する。該圧力下、（A)、（B)、（D)については 、温度 120〜170°C、好ましくは 140〜160°C、の状態に、 4〜8時間程度置き、 (C) 粒子状熱可塑性榭脂は、 80〜120°Cで、 20〜30時間置く。これにより、後述する T GA測定にぉ 、て、減量を所定量以下にすることができる。
[0048] 本発明の組成物は、空のアルミセルを参照試料として、アルミセル中に入れて、空 気下で 25°Cから 300°Cまで 10°CZ分で昇温しながら DSC測定した際に、（A)ェポ キシ榭脂の硬化発熱ピークより低温側に少なくとも 1つの発熱ピークが観察される。 該発熱ピークは、例えば図 1に示すように、（A)エポキシ榭脂の発熱ピークに比べて 総熱量が小さい。この発熱反応の間、顕微鏡観察によれば、（C)熱可塑性榭脂粒子 は可塑ィ匕して膨潤されて、（A)エポキシ榭脂等と半ば混じり合った相を形成し、組成 物が Bステージ状態になる。好ましくは、前記低温側の発熱ピークのピーク温度 (T1) 力 ¾0°C以上、好ましくは 90°C以上であり、且つ硬化発熱ピーク温度 (T2)よりも 70乃 至 110°C以上、好ましくは 80乃至 100°C以上低い。このように、（C)熱可塑性榭脂粒 子は、室温（25°C)から該発熱反応が起る前迄はエポキシ榭脂 (A)と混和しな 、の で、組成物の テージが安定である。さらに、低温側発熱反応は、相変化に基くも のであり、硬化反応等の化学反応に基くものではなぐ且つ、エポキシ榭脂の硬化反 応と独立して 、るので、 Bステージの安定性が得られるものと考えられる。
[0049] 好ましくは、本発明の組成物は、空のアルミセルを参照試料として、アルミセル中に いれて空気中で 25°Cから 300°Cまで 10°CZ分で昇温しながら TGA測定した際に、 200°Cまでの質量減少が 1%以下、最も好ましくは 0. 8%以下である。質量減少は、 主として、組成物中の揮発成分が揮発することに因る。該揮発成分としては、例えば エポキシ榭脂、エポキシ榭脂硬化剤、熱可塑性榭脂粒子の低分子量成分、組成物 中の他の成分の合成に用いられた溶剤等が挙げられる。上記質量減少量は、上述 のとおり、エポキシ榭脂組成物の各成分を予め、減圧下、加温下に所定時間置いて 、揮発分を除去することで、達成することができる。これにより、チップ搭載後の工程、 即ちワイヤー接合や榭脂封止の工程にぉ 、てダイボンド剤が高温、例えば 150°C〜 200°Cの高温にさらされる際に、ダイボンド剤中の揮発成分が気化して、ボイドが発 生する恐れが少なくなり、ワイヤー接続工程や榭脂封止の工程と並行して、ある程度 硬化を行わせることができ、工程時間を短くすることができる。
[0050] また、空気中で 25°Cから 300°Cまで 10°CZ分で昇温しながら粘度測定した際の、 150°C〜200°Cでの粘度力 SlO〜1000Pa. sであること力 S好ましく、特に 50〜500Pa •sである。ここで 150°C〜200°Cでの粘度が前記下限値未満である場合、チップ搭 載後の工程、即ちワイヤー接合や榭脂封止の工程において組成物が 150°C〜200 °Cの高温にさらされる際に、組成物が軟ィ匕してチップが搭載位置力 移動する恐れ がある。また 150°C〜200°Cでの粘度が上記上限値より高い場合、チップ搭載中に 組成物が硬すぎて、接合不足等が起こる恐れがある。上記粘度範囲内に調整するこ とによって、ワイヤー接続工程や榭脂封止の工程中に硬化が進行したとしても、ボイ ドの無 、硬化物を与えることが可能となる。
[0051] 本発明の組成物を Bステージィ匕するための条件は、該組成物の組成や用途に応じて 適宜調整することができる力 温度は、 T1〜T2の範囲であることが望ましぐ特に Β ステージ状態での安定性を考慮すると、 Tl〜 (Τ2— 20°C)の範囲であることが望ま しい。時間は温度に応じて選択される。即ち T1〜T2の範囲内で、より低温側の温度 を選択した場合はより長時間とし、高温側である場合はより短時間とする。ここで低温 且つ短時間である場合は、 Βステージィ匕が十分に進行せず、特にダイボンド剤用途 ではボイドゃ流出、或いはダイシフト等の不良が発生する恐れがある。また高温且つ 長時間である場合は、一部 Cステージィ匕が進行し、特にダイボンド剤用途では接着 不足等の不良が発生する恐れがある。
[0052] チップ搭載条件も、組成物の組成や用途に応じて適宜調整される。主な条件は、チ ップ搭載直前のプレヒートの温度、時間、チップ搭載時のチップ及び基板の温度、時 間、圧力である。プレヒートの目的は基板及びダイボンド剤の水分の除去、及びダイ ボンド剤の軟化、更にはチップとダイボンド剤の密着性向上である。プレヒートの温度 は 50°C〜150°C、時間は 10秒ないし 10分であることが望ましい。またチップ搭載の 温度はチップが 25°C〜250°C、基板が 25°C〜200°C、時間が 0.1秒ないし 10秒、 圧力が 0.01MPa〜10MPaであることが望ましい。
[0053] 本発明の組成物は、特に半導体用ダイボンド剤に好適である。半導体装置のデザィ ンは特に限定されるものではないが、大型チップ或いはチップ積層等のより正確、且 つ効率的な実装が求められる用途に好適である。
[0054] 実施例 以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに説明するが、本発明はこれらの実 施例に限定されるものではない。
実施例 1〜11、参考例 1、比較例 1〜4
表 1及び 2に示す量の各成分を、 25°Cのプラネタリーミキサーを用いて混合し、 25 °Cの 3本ロールを通過させた後、 25°Cにおいてプラネタリーミキサーで混合して、各 実施例、参考例、比較例の組成物を調製した。なお、表 1及び 2において、 a〜oは下 記の各成分を、数は質量部を表す。
(A)エポキシ榭脂
エポキシ榭脂 a (ビスフエノール A型エポキシ榭脂、エポキシ当量 180、 RE310S (商 品名）、 日本化薬 (株)製）
シリコーン変性エポキシ榭脂 m (合成例 1)
シリコーン変性エポキシ榭脂 o (合成例 3)
(B)硬化剤
硬化剤 b (フエノールノボラック、エポキシ当量 110、 LD92 (商品名）、明和化成 (株） 製)、
シリコーン変性硬化剤 n (合成例 2)
(C)粒子状熱可塑性榭脂
粒子状熱可塑性榭脂 e (処理例 1)
粒子状熱可塑性榭脂 f (処理例 2)
粒子状熱可塑性榭脂 g (処理例 3)
粒子状熱可塑性榭脂 h (処理例 4)
粒子状熱可塑性榭脂 i (処理例 5)
粒子状熱可塑性榭脂 j (処理例 6)
粒子状熱可塑性榭脂 k (処理例 7)
粒子状熱可塑性榭脂 1 (ポリメタクリル酸メチル製、数平均分子量 500, 000、重量平 均分子量 1, 500, 000、平均粒径 1ミクロン、最大粒径 3ミクロン）
(D)硬化促進剤
硬化促進剤 c (テトラフエ-ルホスフィン'テトラフエ-ルポレート、 TPP-K (商品名）、 北興化学 (株)製)、
硬化促進剤 d (トリフ -ルホスフィン、 TPP、北興化学 (株)製)、
無機充填剤
シリカ（球状溶融シリカ、平均粒径 0. 8ミクロン、最大粒径 3ミクロン、 SE2030 (商品 名）、アドマツテクス (株)製)、
カーボンブラック (デンカブラック (商品名）、電気化学工業 (株)製)、
シランカップリング剤 (KBM-403 (商品名）、信越化学工業 (株)製)。
シリコーン栾件榭脂の合成
(合成例 1)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、エステルアダプターと環流管を取り付けたフラスコに、 式（12)のエポキシ榭脂 42. Og (0. 10モル）とトルエン 168. Ogを入れ、 130°C/2 時間で共沸脱水を行う。これを 100°Cに冷却し、触媒 (信越ィ匕学製 CAT— PL— 50 T) 0. 5gを滴下し、直ちに式（15)のオルガノポリシロキサン 36. 3g (0. 05モル）とト ル工ン 145. 2gの混合物を 30分程度で滴下し、更に 100°CZ6時間で熟成した。こ れからトルエンを除去し、黄色透明液体（ = 5Pa' s/25°C、エポキシ当量 400、ォ ルガノポリシロキサン含有量 46. 4重量部）を得た。これをシリコーン変性エポキシ榭 脂 mとした。
(合成例 2)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、エステルアダプターと環流管を取り付けたフラスコに、 式（13)のフエノール榭脂 30. 8g (0. 10モル）とトルエン 123. 2gを入れ、 130°C/2 時間で共沸脱水を行う。これを 100°Cに冷却し、触媒 (信越ィ匕学製 CAT— PL— 50 T) 0. 5gを滴下し、直ちに式（15)のオルガノポリシロキサン 36. 3g (0. 05モル）とト ル工ン 145. 2gの混合物を 30分程度で滴下し、更に 100°CZ6時間で熟成した。こ れからトルエンを除去し、褐色透明液体（ = 20Pa- s/25°C,フエノール当量 340 、オルガノポリシロキサン含有量 54. 1重量部）を得た。これをシリコーン変性硬化剤 n とした。
(合成例 3)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、エステルアダプターと環流管を取り付けたフラスコに、 式（14)のエポキシ榭脂 68. 8g (0. 021モル）とトルエン 275. 2gを入れ、 130°C/2 時 で共沸脱水を行う。これを 100°Cに冷却し、触媒 (信越ィ匕学製 CAT— PL— 50 T) 0. 5gを滴下し、直ちに式（16)のオルガノポリシロキサン 31. 2g (0. 014モル）とト ルェン 124. 8gの混合物を 30分程度で滴下し、更に 100°CZ6時間で熟成した。こ れからトルエンを除去し、白色不透明固体（エポキシ当量 290、オルガノポリシロキサ ン含有量 31. 2重量部）を得た。これを低シリコーン変性エポキシ榭脂 oとした。
[0056] [化 17]
Figure imgf000021_0001
但し、 n/m= l/19, n+mの平均値が 5である
[0059] [化 20]
Figure imgf000021_0002
[0060] [化 21]
Figure imgf000021_0003
粒子状熱可朔件榭脂の処理
(処理例 1) 攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性榭脂（ ポリメタクリル酸メチル製、数平均分子量 500, 000、重量平均分子量 1, 500, 000 、平均粒径 1ミクロン、最大粒径 3ミクロン） lOOgと水 900gを入れ、 25°Cで全体が均 一なスラリー状になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴下漏斗、温度計 、環流管を取り付けたフラスコに水 lOOgを入れ、攪拌しながらシランカップリング剤（ γ -メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン） 2gを 10分程度で滴下し、更に 25°CZ2 時間で熟成した。このシランカップリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性榭脂 Z水のス ラリーに 30分程度で滴下し、更に 25°CZ12時間で熟成した。これから水を除去し、 白色粉末を得た。これを粒子状熱可塑性榭脂 eとした。
(処理例 2)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性榭脂（ ポリメタクリル酸メチル製、数平均分子量 500, 000、重量平均分子量 1, 500, 000 、平均粒径 1ミクロン、最大粒径 3ミクロン） 100gと水 900gを入れ、 25°Cで全体が均 一なスラリー状になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴下漏斗、温度計 、環流管を取り付けたフラスコに水 100gを入れ、攪拌しながらシランカップリング剤（ Ύ -グリシドキシプロピルトリメトキシシラン） 2gを 10分程度で滴下し、更に 25°CZ2時 間で熟成した。このシランカップリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性榭脂 Z水のスラ リーに 30分程度で滴下し、更に 25°CZ12時間で熟成した。これ力も水を除去し、白 色粉末を得た。これを粒子状熱可塑性榭脂 fとした。
(処理例 3)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性榭脂（ ポリメタクリル酸メチル製、数平均分子量 500, 000、重量平均分子量 1, 500, 000 、平均粒径 1ミクロン、最大粒径 3ミクロン） 100gと水 900gを入れ、 25°Cで全体が均 一なスラリー状になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴下漏斗、温度計 、環流管を取り付けたフラスコに水 100gを入れ、攪拌しながらシランカップリング剤（ N-フエ-ル- γ -ァミノプロピルトリメトキシシラン） 2gを 10分程度で滴下し、更に 25°C Z2時間で熟成した。このシランカップリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性榭脂 Z水 のスラリーに 30分程度で滴下し、更に 25°CZ12時間で熟成した。これから水を除去 し、白色粉末を得た。これを粒子状熱可塑性榭脂 gとした。
(処理例 4)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性榭脂（ ポリメタクリル酸メチル製、数平均分子量 50, 000、重量平均分子量 150, 000、平 均粒径 1ミクロン、最大粒径 3ミクロン） lOOgと水 900gを入れ、 25°Cで全体が均一な スラリー状になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環 流管を取り付けたフラスコに水 lOOgを入れ、攪拌しながらシランカップリング剤 ( y -メ タクリロキシプロピルトリメトキシシラン） 2gを 10分程度で滴下し、更に 25°CZ2時間で 熟成した。このシランカップリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性榭脂 Z水のスラリー に 30分程度で滴下し、更に 25°CZ12時間で熟成した。これから水を除去し、白色 粉末を得た。これを粒子状熱可塑性榭脂 hとした。
(処理例 5)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性榭脂（ ブタジエンゴムの内核部、部分的に架橋したポリメタクリル酸メチルの外皮部力もなる コア'シェル構造、平均粒径 1ミクロン、最大粒径 3ミクロン） 100gと水 900gを入れ、 2 5°Cで全体が均一なスラリー状になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴 下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに水 100gを入れ、攪拌しながらシラン カップリング剤 ( γ -メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン） 2gを 10分程度で滴下し、 更に 25°CZ2時間で熟成した。このシランカップリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性 榭脂 Z水のスラリーに 30分程度で滴下し、更に 25°CZ12時間で熟成した。これから 水を除去し、白色粉末を得た。これを粒子状熱可塑性榭脂 iとした。
(処理例 6)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性榭脂（ ポリスリレン製、数平均分子量 100, 000、重量平均分子量 300, 000、平均粒径 1ミ クロン、最大粒径 3ミクロン） 100gと水 900gを入れ、 25°Cで全体が均一なスラリー状 になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り 付けたフラスコに水 100gを入れ、攪拌しながらシランカップリング剤 (P-スチリルトリメ トキシシラン） 2gを 10分程度で滴下し、更に 25°CZ2時間で熟成した。このシランカツ プリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性榭脂 Z水のスラリーに 30分程度で滴下し、更 に 25°CZ12時間で熟成した。これから水を除去し、白色粉末を得た。これを粒子状 熱可塑性榭脂 した。
(処理例 7)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性榭脂（ ポリメタクリル酸メチル製、数平均分子量 3, 000、重量平均分子量 9, 000、平均粒 径 1ミクロン、最大粒径 3ミクロン） 100gと水 900gを入れ、 25°Cで全体が均一なスラリ 一状になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を 取り付けたフラスコに水 100gを入れ、攪拌しながらシランカップリング剤 ( γ -メタタリ ロキシプロピルトリメトキシシラン） 2gを 10分程度で滴下し、更に 25°CZ2時間で熟成 した。このシランカップリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性榭脂 Z水のスラリーに 30 分程度で滴下し、更に 25°CZ12時間で熟成した。これ力も水を除去し、白色粉末を 得た。これを粒子状熱可塑性榭脂 kとした。
各組成物を、以下の方法で試験した。結果を表 3及び 4に示す。これらの表において 、 NDは検出されな力つたことを、「NA」は反応が進行し過ぎて、チップを接着できな 力つたため試験しな力つたことを表す。
蘭 去
(a) DSCピーク温度
DSC (示差走査熱量計/メトラー製)を用いて、各エポキシ榭脂組成物約 10mgをァ ルミセルに採取し、空のアルミセルを参照試料として、空気下で 25°Cから 300°C迄、 昇温速度 10°CZ分で測定した。
(b) Aステージ状態の保存安定件
エポキシ榭脂組成物について製造直後と、 25°Cで所定時間放置した後の粘度を 測定した。
(c) Bステージ状態の保存安定件
エポキシ榭脂組成物 10mgを T1より 20°C高 、温度（比較例 1〜4は 120°C)で 10 分間加熱して Bステージィ匕させた直後及び Bステージィ匕後 25°Cで表に示す所定時 間放置したものについて、（a)と同様の方法で DSC測定を行い、 Bステージィ匕直後 に測定された cステージィ匕のピーク面積を初期値として、所定時間放置したものの C ステージィ匕のピーク面積の該初期値に対する割合を算出した。
(d)チップ搭載後のボイド、
図 2に示すような試験片を作成し、各試験片について SAT観測を行い、ボイドを含む 試験片数 Z総試験片数 (20個）を算出した。試験片の作成方法は、以下のとおりで ある。
表面にソルダーレジスト（30ミクロン厚）を塗布した BT基板（200ミクロン厚、 35mm X 35mm)上にエポキシ榭脂組成物を塗布した（50ミクロン厚、 12mm X 12mm)。こ れを T1より 20°C高い温度（比較例 3〜6は 120°C)で 10分間加熱して Bステージ化さ せ、窒化珪素膜を施したシリコンチップ（300ミクロン厚、 12. 5mm X 12. 5mm)を 1 50°CZlMpaZl秒で搭載して試験片とした。
(e) Bステージ後のボイド
図 2の試験片を作成する際、 Bステージィ匕後、チップ搭載前のものを、 25°Cで各表に 示す所定時間放置した後に、 (d)と同様の方法でチップを搭載して SAT観測を行い 、ボイドを含む試験片数 Z総試験片数 (20個）を算出した。
(f)チップ搭載後のフィレット
(d)で作成した試験片各 20個につ 、てフィレット幅の最大値を観測した。フィレットと は、榭脂が流動してチップの横力も染み出してきたものである（図 3)。フィレット幅が 大きいと基板上のワイヤー接続端子迄の距離が長くなるため、 100ミクロン以下が要 求される。 100ミクロンよりも大きいものを不合格とし、不合格の試験片数 Z総試験片 数 (20個)を算出した。
(g) Bステージ後のフィレット
図 2の試験片を作成する際、 Bステージィ匕後、チップ搭載前のものを、 25°Cで各表に 示す所定時間放置した後に、（f)と同様の方法でチップを搭載し、これについて (f)と 同様にフィレット幅を測定し、不合格の試験片数 Z総試験片数 (20個）を算出した。
[表 1] 表
Figure imgf000026_0001
【表 2】
Figure imgf000027_0001
0065
【表 3】
Figure imgf000028_0001
Figure imgf000029_0001
[0067] 表 3及び 4に示すように、本発明の組成物は Aステージでの粘度増加がいずれも 30 %未満であり、 Aステージでの保存安定性に優れる。また、本発明の組成物は、 Bス テージ状態で所定時間経過後であっても、初期の 95%以上の硬化発熱を示し、 Bス テージでの保存安定性に優れることが分かる。比較例 1及び 2は、 Bステージでの保 存安定性がほぼ 95%であった力 Bステージ後にチップを搭載すると、ボイド又はフ ィレットが発生した。これに対して、本発明の組成物は、 Bステージ後であってもボイド 及びフィレットの発生は皆無であった。
[0068] 実施例 12〜17
[0069] 組成物の調製
表 5に示す質量部の各成分を、 25°Cのプラネタリーミキサーを用いて混合し、 25°C の 3本ロールを通過させた後、 25°Cにおいてプラネタリーミキサーで混合して、組成 物を調製した。なお、組成物を調製する前に、エポキシ榭脂、硬化剤、及び硬化促 進剤は 150°C、 5mmHgの恒温槽中に、 6時間、及び粒子状熱可塑性榭脂は 100 °C、 5mmHg以下の恒温槽中に、 24時間、夫々置き、揮発分を除去する処理を行つ た。該処理をしたものを、「-」を付して表す。表 5において、例えば「エポキシ榭脂 a— 」は上記エポキシ榭脂 aを上記処理に付したものを表す。
[表 5]
【表 5】
Figure imgf000030_0001
得られた各組成物につ!、て、上記 (a)〜 (g)の試験及び下記試験 (h)〜 (k)を行つ た。また上述の実施例 1〜： L 1のうちいくつかの例についても、（1！)〜（k)の試験を行 つた。結果を表 6及び 7に示す。
(h) TGA
各組成物 lOmgをアルミセル中に採取し、空のアルミセルを参照試料として、 TGA( 熱重量分析計/メトラー製)を用いて、空気中で 25°C力も 300°C迄、昇温速度 10°C Z分で、 200°Cまでの質量減少 (%)を測定した。
(i) 150。C〜200。Cの粘度
各組成物 280マイクロリットルを、直径 18mm、ギャップ 1. 12mmの平行円盤中には さみ、レオメーター（(株）ユービーェム製）を用いて、空気中で 25°Cから 300°C迄、 昇温速度 10°CZ分で、 150°C〜200°Cにおける粘度を測定し、平均値を求めた。 (j)榭脂封止後のボイド 図 4に示すような榭脂封止された半導体装置の試験片を作成し、各試験片について SAT観測を行い、ボイドを含む試験片数 Z総試験片数 (20個）を数えた。試験片の 作成方法は以下の通りである。
表面にソルダーレジスト（30ミクロン厚）を塗布した BT基板（200ミクロン厚、 35mm X 35mm)上にエポキシ榭脂組成物を塗布した（50ミクロン厚、 12mm X 12mm)。こ れを T1より 20°C高い温度で 10分間加熱して Bステージィ匕させ、窒化珪素膜を施した シリコンチップ（300ミクロン厚、 12. 5mm X 12. 5mm)を 150°C (チップ） ZlOO°C ( 基板) /IMpa/l秒で搭載した。これを KMC— 2520 (信越ィ匕学工業製エポキシ封 止剤）で、金型温度 175°C、注入時間 10秒、注入圧 70KPa、成型時間 90秒、後硬 化条件は 180°CZ2時間で封止した。成型後の試験片の大きさは 1000ミクロン厚、 3 5 mm X 35mmで teる。
(k)榭脂封止後のダイシフト
図 4の試験片の各 20個について軟 X線透過装置を用いてダイシフト値を測定した。 ここでダイシフト値はチップの 4隅の直線移動距離の合計値とし、これが 50ミクロンよ り大きいものを不合格とし、不合格の試験片数 Z総試験片数 (20個）を数えた。
[表 6]
【表 6】
Figure imgf000032_0001
[0072] [表 7]
【表 7】
Figure imgf000032_0002
[0073] [表 8]
【表 8】
実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 12 13 14 15 16 17
(h) TGA[¾] 0.6 0.8 0.4 0.7 0.5 0.8
(i) 150 °C~ 200 °C
230 12 950 240 320 38 の粘度 [P a · s]
( j ) 封止後のボイド 0/20 0/20 0/20 0/20 0/20 0/20
(k)封止後のダイシフト 0/20 0/20 0/20 0/20 0/20 0/20 [0074] 実施例 12〜17の組成物は、（h)TGAによる減量力 l%未満であり、且つ、（i) Bステ ージ粘度が lOPa' s〜： LOOOPa' sであるため、榭脂封止工程で硬化させても、ボイド が生じることなぐ且つ、ダイシフトもな力 た。
産業上の利用可能性
[0075] 本発明の組成物は、安定した Bステージ状態を形成し、高歩留まりが要求される半 導体製品用のダイボンド剤として好適である。また、所定の揮発分及び粘度のものは 、チップ搭載後に硬化工程を設けずとも、ワイヤ接続工程、榭脂封止工程に進むこと が可能であり、半導体装置の生産性を向上することができる。
図面の簡単な説明
[0076] [図 1]実施例 1の糸且成物の DSCチャートである。
[図 2]実施例において作成したシリコンチップを搭載した試験片の構成を示した断面 図である。
[図 3]ボイド及びフィレットを示す概念図である。
[図 4]実施例において作成した榭脂封止された半導体装置試験片の構成を示した断 面図である。

Claims

請求の範囲
[1] (A)エポキシ榭脂
(B)エポキシ榭脂硬化剤 該 (B)エポキシ榭脂硬化剤の 反応性基の当量の (A)エポキシ榭脂のエポキシ基の当量に対する比が 0. 8〜1. 2 5となる量、
(C) 25°Cにお 、て固体状の熱可塑性榭脂粒子 （A)エポキシ榭脂と (B)ェポキ シ榭脂硬化剤の合計 100質量部に対して、 3〜60質量部、及び
(D)エポキシ榭脂硬化促進剤 (A)エポキシ榭脂と (B)ェポキ シ榭脂硬化剤の合計 100質量部に対して、 0. 1〜10質量部、
を含むことを特徴とする組成物。
[2] (C)熱可塑性榭脂粒子が、 (A)エポキシ榭脂と (B)エポキシ榭脂硬化剤の合計 100 質量部に対して 5〜50質量部で含有されていることを特徴とする請求項 1記載の組 成物。
[3] (C)熱可塑性榭脂粒子が、メタタリル榭脂、フエノキシ榭脂、ブタジエン榭脂、ポリス チレンもしくはこれらの共重合体力 選択される熱可塑性榭脂の粒子であることを特 徴とする請求項 1又は 2記載の組成物。
[4] (C)熱可塑性榭脂粒子力 ポリスチレン換算の数平均分子量 10, 000〜1000, 00
0及び重量平均分子量 100, 000〜10, 000, 000を有することを特徴とする請求項
1〜3のいずれ力 1項記載の組成物。
[5] (C)熱可塑性榭脂粒子力 0. 1〜5 μ mのメジアン径及び 10 μ m以下の 98%累積 粒径を有することを特徴とする請求項 1〜4のいずれか 1項記載の組成物。
[6] (C)熱可塑性榭脂粒子の表面が、シランカップリング剤で処理されていることを特徴 とする請求項 1〜5のいずれ力 1項記載の組成物。
[7] 無機充填剤をさらに含有することを特徴とする請求項 1〜6のいずれか 1項記載の組 成物。
[8] (Α)エポキシ榭脂及び Z又は (B)エポキシ榭脂硬化剤の少なくとも 1部が、分子中に シリコーン残基を有することを特徴とする、請求項 1〜 7のいずれか 1項記載の組成物
[9] アルミセル中で、空のアルミセルを参照試料として、空気下で 25°Cから 300°Cまで 1 0°CZ分で昇温しながら DSC測定した際に、 (A)エポキシ榭脂の硬化発熱ピークより 低温側に少なくとも 1つの発熱ピークを示し、該低温側発熱ピークのピーク温度 (T1) 力 80°C以上であり且つ (A)エポキシ榭脂の硬化発熱ピークのピーク温度 (T2)より も 70°C以上低いことを特徴とする、請求項 1〜8のいずれか 1項記載の組成物。
[10] アルミセル中で、空のアルミセルを参照資料として、空気中で 25°Cから 300°Cまで 1 0°CZ分で昇温しながら TGA測定した際に、 200°Cまでの質量減少が 1%以下であ り、及び
空気中で 25°Cから 300°Cまで 10°CZ分で昇温しながらレオメーターで粘度測定した 際に、 150°C〜200°Cでの粘度が 10〜： LOOOPa'sである、ことを特徴とする請求項 9 記載の組成物。
[11] 請求項 1〜10の何れか 1項に記載の組成物を含むダイボンド剤。
[12] 1)請求項 11記載のダイボンド剤を基板上に塗布し、
2)前記塗布されたダイボンド剤を温度 Tl〜 (Τ2— 20°C)の範囲の温度で Bステージ 化し、
3)前記 Bステージのダイボンド剤上に半導体素子を置き、
4)ダイボンド剤を硬化させる、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
PCT/JP2006/316521 2005-09-02 2006-08-23 エポキシ樹脂組成物及び該組成物を含むダイボンド剤 WO2007029504A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06796684.6A EP1921111B1 (en) 2005-09-02 2006-08-23 Epoxy resin composition and die bonding material comprising the composition
US11/991,136 US20090133833A1 (en) 2005-09-02 2006-08-23 Epoxy Resin Composition and Die Bonding Material Comprising the Composition
JP2007534321A JP4809355B2 (ja) 2005-09-02 2006-08-23 エポキシ樹脂組成物及び該組成物を含むダイボンド剤

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005-254525 2005-09-02
JP2005254525 2005-09-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007029504A1 true WO2007029504A1 (ja) 2007-03-15

Family

ID=37835628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/316521 WO2007029504A1 (ja) 2005-09-02 2006-08-23 エポキシ樹脂組成物及び該組成物を含むダイボンド剤

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090133833A1 (ja)
EP (1) EP1921111B1 (ja)
JP (1) JP4809355B2 (ja)
KR (1) KR100900863B1 (ja)
CN (1) CN101184809A (ja)
PT (1) PT1921111T (ja)
WO (1) WO2007029504A1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009132828A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイボンド剤組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2009161619A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Shin Etsu Chem Co Ltd 接着剤組成物
JP2009170845A (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2010006912A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 接着剤組成物、接着フィルム及びダイシング・ダイアタッチフィルム
JP2011162591A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Mitsubishi Chemicals Corp 三次元集積回路用の層間充填材組成物、塗布液、三次元集積回路の製造方法
JP2011231139A (ja) * 2010-04-23 2011-11-17 Kyocera Chemical Corp 接着剤層の形成方法、及び接着剤組成物
JP2013007001A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 接着剤組成物
EP2250227A4 (en) * 2008-02-25 2013-08-21 Henkel Ag & Co Kgaa OUT OF THEIR PUNCHING CHIP FIXING PASTE
JP2016037529A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 信越化学工業株式会社 液状エポキシ樹脂組成物及びヒートシンク、スティフナー用接着剤
KR20180048679A (ko) * 2015-08-31 2018-05-10 니폰 제온 가부시키가이샤 수지 조성물

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101114360B1 (ko) * 2008-04-25 2012-02-10 주식회사 엘지화학 에폭시계 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치
DE102010043871A1 (de) * 2010-11-12 2012-05-16 Tesa Se Klebmasse und Verfahren zur Kapselung einer elektronischen Anordnung
JP5725559B2 (ja) * 2011-12-28 2015-05-27 信越化学工業株式会社 液状導電性樹脂組成物及び電子部品
CN108565335B (zh) * 2018-06-13 2022-03-18 咸阳天华电子科技有限公司 一种压力传感器用的不锈钢基覆康铜箔板的制备工艺
RU2756173C1 (ru) * 2020-11-12 2021-09-28 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук Клеевая композиция для полимерных композиционных материалов

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6199356A (ja) * 1984-10-19 1986-05-17 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPH07224144A (ja) * 1994-02-07 1995-08-22 Nippon Zeon Co Ltd エポキシ樹脂系接着性組成物の製造方法
JPH07273140A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Hitachi Ltd 被覆ボンディングワイヤを用いた半導体装置
JPH0953001A (ja) * 1995-08-14 1997-02-25 Admatechs:Kk 導電性エポキシ樹脂組成物
JPH10237196A (ja) * 1997-02-28 1998-09-08 Nippon Oil Co Ltd トウプリプレグ
JPH10287792A (ja) * 1997-04-10 1998-10-27 Jsr Corp 封止材用エポキシ樹脂組成物
JP2005513192A (ja) 2001-12-14 2005-05-12 ナショナル スターチ アンド ケミカル インベストメント ホールディング コーポレーション ダイ取付用の二段硬化ｂ−ステージ化可能な接着剤

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6018145B2 (ja) * 1980-09-22 1985-05-09 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置
JP2812139B2 (ja) * 1993-04-27 1998-10-22 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物
KR100563509B1 (ko) * 1998-09-25 2006-03-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 에폭시 수지 조성물 및 이 에폭시 수지 조성물을 사용한 적층 필름 및 반도체 장치
JP3876965B2 (ja) * 2000-11-17 2007-02-07 信越化学工業株式会社 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US6919420B2 (en) * 2002-12-05 2005-07-19 International Business Machines Corporation Acid-cleavable acetal and ketal based epoxy oligomers
JP5004433B2 (ja) * 2005-04-27 2012-08-22 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6199356A (ja) * 1984-10-19 1986-05-17 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPH07224144A (ja) * 1994-02-07 1995-08-22 Nippon Zeon Co Ltd エポキシ樹脂系接着性組成物の製造方法
JPH07273140A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Hitachi Ltd 被覆ボンディングワイヤを用いた半導体装置
JPH0953001A (ja) * 1995-08-14 1997-02-25 Admatechs:Kk 導電性エポキシ樹脂組成物
JPH10237196A (ja) * 1997-02-28 1998-09-08 Nippon Oil Co Ltd トウプリプレグ
JPH10287792A (ja) * 1997-04-10 1998-10-27 Jsr Corp 封止材用エポキシ樹脂組成物
JP2005513192A (ja) 2001-12-14 2005-05-12 ナショナル スターチ アンド ケミカル インベストメント ホールディング コーポレーション ダイ取付用の二段硬化ｂ−ステージ化可能な接着剤

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1921111A4

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009132828A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイボンド剤組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2009161619A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Shin Etsu Chem Co Ltd 接着剤組成物
JP2009170845A (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法
EP2250227A4 (en) * 2008-02-25 2013-08-21 Henkel Ag & Co Kgaa OUT OF THEIR PUNCHING CHIP FIXING PASTE
KR101510665B1 (ko) 2008-02-25 2015-04-10 헨켈 아게 운트 코. 카게아아 자기-필렛화 다이 부착 페이스트
JP2010006912A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 接着剤組成物、接着フィルム及びダイシング・ダイアタッチフィルム
JP2011162591A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Mitsubishi Chemicals Corp 三次元集積回路用の層間充填材組成物、塗布液、三次元集積回路の製造方法
JP2011231139A (ja) * 2010-04-23 2011-11-17 Kyocera Chemical Corp 接着剤層の形成方法、及び接着剤組成物
US8772176B2 (en) 2010-04-23 2014-07-08 Kyocera Chemical Corporation Method for forming an adhesive layer and adhesive composition
JP2013007001A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 接着剤組成物
JP2016037529A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 信越化学工業株式会社 液状エポキシ樹脂組成物及びヒートシンク、スティフナー用接着剤
KR20180048679A (ko) * 2015-08-31 2018-05-10 니폰 제온 가부시키가이샤 수지 조성물
KR102539141B1 (ko) 2015-08-31 2023-05-31 니폰 제온 가부시키가이샤 수지 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
JP4809355B2 (ja) 2011-11-09
EP1921111A1 (en) 2008-05-14
EP1921111A4 (en) 2010-03-03
CN101184809A (zh) 2008-05-21
JPWO2007029504A1 (ja) 2009-03-19
KR20080009288A (ko) 2008-01-28
PT1921111T (pt) 2017-07-10
KR100900863B1 (ko) 2009-06-04
EP1921111B1 (en) 2017-04-12
US20090133833A1 (en) 2009-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007029504A1 (ja) エポキシ樹脂組成物及び該組成物を含むダイボンド剤
JP5008190B2 (ja) スクリーン印刷用接着剤組成物
JP5019363B2 (ja) エポキシ樹脂接着剤組成物
CN102770956B (zh) 热固性树脂组合物、导热性乙阶片材及电源模块
JP5278457B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、それを用いたダイアタッチ方法及び該組成物の硬化物を有する半導体装置
JP2009097014A (ja) 封止用液状樹脂組成物、電子部品装置及びウエハーレベルチップサイズパッケージ
JP5252698B2 (ja) 樹脂バンプ用組成物
US6512031B1 (en) Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device
JP4905668B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2017105883A (ja) 液状樹脂組成物及び該組成物を用いたダイアタッチ方法、並びに該組成物の硬化物を有する半導体装置
JP5527816B2 (ja) ダイボンド剤組成物及び半導体装置。
JP6098470B2 (ja) スクリーン印刷用導電性エポキシ樹脂組成物、それを用いたダイアタッチ方法および該組成物の硬化物を有する半導体装置
JP3672009B2 (ja) エポキシ樹脂組成物並びにこのエポキシ樹脂組成物を用いた積層フィルム及び半導体装置
KR20000023389A (ko) 에폭시 수지 조성물 및 이 에폭시 수지 조성물을 사용한적층 필름 및 반도체 장치
JP3796648B2 (ja) エポキシ樹脂組成物並びにこのエポキシ樹脂組成物を用いた積層フィルム及び半導体装置
JP5107177B2 (ja) ダイボンド剤組成物
JP4975514B2 (ja) ダイボンド剤及びこれを用いてなる半導体装置
JP5691881B2 (ja) 接着剤組成物
JP3672011B2 (ja) エポキシ樹脂組成物並びにこのエポキシ樹脂組成物を用いた積層フィルム及び半導体装置
JP5263926B2 (ja) ダイボンド剤組成物及びそれを用いた半導体装置
JP4529268B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、これを用いたプリプレグ及び銅張積層板
JP6160431B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、それを用いたダイアタッチ方法及び該組成物の硬化物を有する半導体装置
KR102571498B1 (ko) 몰딩용 에폭시 수지 조성물
JP5283234B2 (ja) 導電性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2005336329A (ja) 表面処理無機充填材、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680018726.1

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007534321

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077026710

Country of ref document: KR

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2006796684

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11991136

Country of ref document: US

Ref document number: 2006796684

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE