WO2006040877A1

WO2006040877A1 - 積層基板

Info

Publication number: WO2006040877A1
Application number: PCT/JP2005/015019
Authority: WO
Inventors: Hirotaka Niiya
Original assignee: Sharp Kabushiki Kaisha
Priority date: 2004-10-14
Filing date: 2005-08-17
Publication date: 2006-04-20
Also published as: US20080137015A1; JP4703570B2; US8174664B2; JPWO2006040877A1

Abstract

本発明は、液晶表示装置の表示品位や生産性を低下させることなく、スペーサを非表示領域に選択的に配置することが可能となった積層基板、その製造方法、及び、それらを用いてなる液晶表示パネル、液晶表示装置を提供する。本発明の積層基板は、基板上に少なくとも樹脂層間膜及び電極をこの順に有する積層基板であって、上記積層基板は、表層に樹脂層間膜を含んで構成される凹構造、又は、樹脂層間膜上に、底面が粗面で構成される凹構造を有する。

Description

明細書

積層基板

技術分野

[0001] 本発明は、積層基板、その製造方法、液晶表示パネル及び液晶表示装置に関する

。より詳しくは、高開口率ィ匕が図られた液晶表示装置において好適に用いられる積層基板、その製造方法、及び、それらを用いてなる液晶表示パネル、液晶表示装置に関するものである。

背景技術

[0002] 液晶表示装置は、液晶表示パネル内に充填された液晶材料等を利用して光源からの出射光の光学特性を制御することにより表示を行う装置であり、薄型 ·軽量 '低消費電力と、つた特長を活かし、様々な分野で用いられて、る。

このような液晶表示装置の主要部材である液晶表示パネル (液晶表示素子）は、一般的に、 1対のガラス基板の間に液晶材料が挟みこまれた構成を有し、 2枚のガラス基板間のギャップ（間隔）を保持するために、主にプラスチックや無機材料力もなる球状のスぺーサが利用されている。

[0003] スぺーサを基板上に配置する方法としては、スぺーサを分散させた分散液を霧状にして散布する湿式散布法や窒素等の不活性ガスを用いた乾式散布法が一般的に利用されている。し力しながら、これらの散布方法では、スぺーサを基板面内にランダムに配置することになるため、表示領域上にもスぺーサが配置されてしまうことになり、表示特性には悪影響となってしまう。

そのため、非表示領域のみにスぺーサを配置する方法が色々と検討されている。その一つとして、球状のスぺーサを散布するのではなぐ榭脂材料を利用し、フォトリソプロセスで目的の位置にスぺーサを形成する技術が考案されている。しかしながら、フォトリソプロセスで形成される榭脂スぺーサは、プラスチックスぺーサ等と比較して、厚み方向のバラツキが大きいため、セル厚を均一に制御する点に関しては、プラスチックスぺーサに対して劣っている。また、フォトリソプロセスを利用して、榭脂スぺーサを形成するため、プラスチックスぺーサを散布する方法と比較して、コストが大幅に上昇してしまうという点で改善の余地があった。

[0004] 一方、球状のスぺーサを非表示領域に選択的に配置する方法についても考案されており、例えば、基板全面にスぺーサを配置した後、表示領域に配置されたスぺーサを取り除く方法や、印刷法を用いて非表示領域にスぺーサを印刷する方法等が提案されている（例えば、特許文献 1、 2参照。；)。しかしながら、前者の方法では、表示領域のスぺーサを取り除く工程等の追加工程が必要となり、後者の方法では、配向処理を施した表示領域にも印刷用スクリーンが接触してしまうために、液晶材料の配向に対して悪影響となる点で改善の余地があった。

[0005] そこで、球状スぺーサを非表示領域のみに簡便かつ非接触で配置する方法として、スぺーサを分散媒中に分散させた分散液ゃスぺーサの液状材料を用いてインクジェット装置により散布する方法が検討されている（例えば、特許文献 3〜5参照。 )₀しかしながら、液晶表示装置では、画素領域 (表示領域)を最大限まで広く確保することが求められ、非画素領域 (非表示領域)が年々狭くされているため、高精度のインクジェット (U)装置を用いても、非画素領域内に完全に全てのスぺーサを配置できてヽないのが現状である。

これに対して、非画素領域力スぺーサがはみだすことを想定し、スぺーサ自身を着色したり、表面に配向処理を施したりすることで、画素領域にスぺーサがはみだした場合でも、表示特性の劣化を最小限に抑えることが提案されているが、スぺーサ自身への処理工程が追加されることで、価格の上昇や信頼性への悪影響が懸念される

[0006] また、電極間の凹部や着色層間 (遮光層上)の凹部を利用する方法が提案されている（例えば、特許文献 6参照。 )₀し力しながら、特許文献 6では、凹部の形成に関して特に新し!/ヽ提案はされておらず、従来カゝら知られてヽる構成と何ら変わりな、構成で

、絵素を形成した際に生じる凹部を主に利用するものであったため、この方法では、スぺーサを完全に非表示領域内に配置することは困難であった。

更に、特許文献 6では、基板を直接加工して凹部を深くする案が記載されているものの、詳細については記載されていない。基板を直接加工する方法は、単純マトリクスタイプのようなシンプルな構成の表示素子では有効な方法となり得る力もしれないが、薄膜トランジスタ (TFT)のようなスイッチング素子を設ける基板では、充分な効果を得ることができない。なぜなら、例えば、 TFTアレイ基板は、ガラス基板上に様々な膜を積層して形成される積層基板であることから、ガラス基板に多少の凹凸が存在しても、積層プロセスが進むうちに凹凸が平坦ィ匕されていってしまう。この平坦化を考慮して、ガラス基板の凹部を大きく形成すると、ガラス基板の強度が低下してしまう。近年、加工用ガラス基板が大型化していることを考慮すると、ガラス基板に溝を形成し、ガラス基板自身の強度を落とすことは歩留り面で大きなデメリット (不利益)が生じてしま一方、近年、液晶表示のモードとしては、一般的に用いられている TNモード以外に液晶表示の視野角特性改善のためにマルチドメイン垂直配向（MVA)型の表示モードや、液晶を横方向（基板面平行方向）に駆動させる横電界スイッチング (IPS)型の表示モードが広く利用されている。 MVA型の表示モードでは、配向制御用にカラ一フィルタ (CF)側基板には、線状 (リブ状)の突起構造物が設けられ、 TFT側基板には、絵素電極にスリットが設けられている（例えば、特許文献 7、 8参照。；)。 CF側基板のリブ状突起構造物は、非画素領域にも配置され、通常の CF側基板と違い、凹部が均一でない。また、 TFT側基板にも絵素電極にスリットがあり、スリットも絵素電極間と同じ凹部となってしまうため、スぺーサが絵素電極間だけでなぐスリット内にも配置される可能性があった。また、 IPS型の表示モードでも、 TNモードの場合と同様に、 ϋ装置の吐出精度と非表示領域の幅との関係で、全てのスぺーサを非表示領域内に配置することは困難であった。

このように、既存の基板構成では、スぺーサを非画素領域に選択的に配置することはより困難になっていた。

特許文献 1：特開平 5— 333346号公報

特許文献 2：特開平 5 - 303102号公報

特許文献 3 :特開昭 57— 58124号公報

特許文献 4 :国際公開第 97Ζ36205号パンフレット

特許文献 5 :特開 2002— 372717号公報

特許文献 6：特開 2004— 145102号公報特許文献 7 :特開 2001— 83517号公報

特許文献 8 :特開 2001— 83522号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0008] 本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、液晶表示装置の表示品位や生産性を低下させることなぐスぺーサを非表示領域に選択的に配置することが可能となつた積層基板、その製造方法、及び、それらを用いてなる液晶表示パネル、液晶表示装置を提供することを目的とするものである。

課題を解決するための手段

[0009] 本発明者らは、スぺーサを非表示領域に選択的に配置する方法について種々検討したところ、高開口率化や平坦化を目的として薄膜トランジスタアレイ基板やカラーフィルタ基板等に形成される榭脂層間膜に着目した。そして、表層に榭脂層間膜を含んで構成される凹構造、又は、榭脂層間膜上に底面が粗面で構成される凹構造を形成することにより、液晶表示装置の表示品位に悪影響を及ぼすことなぐ既存の工程を利用した簡便な方法により、スぺーサを非表示領域に選択的に配置することが可能となることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

[0010] すなわち、本発明は、（A)基板上に少なくとも榭脂層間膜及び電極をこの順に有する積層基板であって、上記積層基板は、表層に榭脂層間膜を含んで構成される凹構造を有する積層基板、（B)基板上に少なくとも榭脂層間膜及び電極をこの順に有する積層基板であって、上記積層基板は、上記榭脂層間膜上に、底面が粗面で構成される凹構造を有する積層基板である（これら (A)、（B)のいずれか一方、又は、これらの組み合わせによって本発明が構成されることになる)。

[0011] 本発明の積層基板の好ましい形態としては、基板上に少なくとも配線、榭脂層間膜及び電極をこの順に有する形態、基板上に少なくとも色層、榭脂層間膜及び電極をこの順に有する形態が挙げられる。具体的には、（1)基板上に少なくとも配線、榭脂層間膜及び電極をこの順に有する積層基板であって、上記積層基板は、表層に榭脂層間膜を含んで構成される凹構造を有する積層基板、（2)基板上に少なくとも配線、榭脂層間膜及び電極をこの順に有する積層基板であって、上記積層基板は、上記榭脂層間膜上に、底面が粗面で構成される凹構造を有する積層基板、（3)基板上に少なくとも色層、榭脂層間膜及び電極をこの順に有する積層基板であって、上記積層基板は、表層に榭脂層間膜を含んで構成される凹構造を有する積層基板、 ( 4)基板上に少なくとも色層、榭脂層間膜及び電極をこの順に有する積層基板であつて、上記積層基板は、上記榭脂層間膜上に、底面が粗面で構成される凹構造を有する積層基板、又は、これら（1)〜 (4)の組み合わせが本発明において好適である。

[0012] 上記 (A)の本発明では、表層に榭脂層間膜を含んで構成される凹構造が形成されることにより、基板上に吐出されたスぺーサ分散液の液滴は、表面積が大きくされた凹構造内に集まりやすくなり、スぺーサの選択的な配置が可能となる。また、榭脂層間膜を利用して凹構造が形成されることで、凹構造の深さを充分に確保することができる。

上記 (B)の本発明では、電極の非形成部分等により形成された榭脂層間膜上の凹構造は、上記 (A)の本発明に比べて深さが浅いが、凹構造の底面を粗面にすることにより、スぺーサ分散液の液滴を凹構造内に集めやすくする効果を得ることができる。この場合には、榭脂層間膜の表面が粗面化されることにより、当該榭脂層間膜上に位置する凹構造の底面が粗面化されることが好ま、。

[0013] 本発明において、凹構造は、断面形状が凹形のみに特に限定されず、スぺーサの配置が可能な窪みを形成する構造であればよぐ例えば、断面形状が U字形状であつてもよく、上記 (A)の形態であれば、 V字形状であってもよい。なお、榭脂層間膜を含んで構成される凹構造とは、榭脂層間膜とその上層とから構成されるものであり、榭脂層間膜の上層としては、例えば、上記（1)の形態であれば、絵素電極、配向膜等が形成され、上記（3)の形態であれば、共通電極、配向膜等が形成される。

また、本発明において、榭脂層間膜は、榭脂を含んで構成される絶縁性の膜であれば特に限定されるものではない。更に、色層は、通常では、画素毎にそれぞれ赤色、緑色及び青色の 3色の着色層（カラーフィルタ）と、各着色層同士を隔てるブラックマトリタス (BM)とで構成される。但し、着色層の色数及び色の組み合わせは特に限定されるものではない。 [0014] 上記（1)及び (2)の本発明の積層基板は、薄膜トランジスタアレイ基板であることが好ましい。この場合、榭脂層間膜を設けることにより、高開口率化を実現することができる。すなわち、上記（1)及び (2)の形態では、榭脂層間膜により、配線と電極との積層構造が可能となり、配線と電極とが異なる層に形成されることから、電極面積を広く確保して高開口率ィ匕を実現することが可能である。

また、上記（1)及び（2)の形態では、通常、 TFTのドレイン配線等の配線と絵素電極等の電極とを接続させるために、榭脂層間絶縁膜にコンタクトホールが形成される。なお、コンタ外ホールは、榭脂層間膜を貫通して設けられ、配線と電極とを電気的に接続するものである。上記（1)及び（2)の形態において、凹構造は、その底面側（下層）に榭脂層間膜の一部を有するものであり、榭脂層間膜を貫通して形成されるコンタクトホールとはその構成上、区別される。

上記（ 1)及び (2)の本発明の積層基板は、榭脂層間膜にコンタクトホールが形成される場合に、当該コンタクトホールと一括して凹構造を形成すれば、既存の製造プロセスをそのまま利用して製造することができるので、余分な製造プロセスをほとんど必要とせず、生産性においても優れている。なお、榭脂層間膜が感光性を有している場合には、コンタクトホールはフォトリソプロセス (露光'現像)を利用して形成することができる。

[0015] また、上記（3)及び (4)の本発明の積層基板は、カラーフィルタ基板であることが好ましい。この場合、榭脂層間膜を設けることにより、積層基板の表面の平坦化を実現することができる。すなわち、上記（3)及び (4)の形態では、榭脂層間膜により、色層により形成される段差を平坦化することができ、また、色層の表面を保護することができる。

このように本発明の手法によれば、高開口率ィ匕ゃ平坦ィ匕に有効な手段である榭脂層間膜を利用して、製造プロセスを大きく変更することなぐ非表示領域のみに凹構造を形成することができ、液晶表示装置の表示品位や基板強度の低下等を引き起こすことなぐスぺーサを非表示領域に選択的に配置することができる。

[0016] 上記（A)の本発明において、凹構造の深さは、 0. 05 m以上、 2. O /z m以下であることが好ましい。これにより、深さバラツキを抑制しつつ、本発明の作用効果をより充分に奏することができる。より好ましい下限は、 0. であり、より好ましい上限は、 1. Ο μ mであり、更に好ましい上限は、 0. 5 mである。なお、本願明細書における「以上」、「以下」は、当該数値を含むものである。

また、上記 (A)の本発明において、凹構造は、底面に粗面を有するものであることが好ましい。これにより、スぺーサ分散液の液滴を凹構造内により集めやすくすることができる。

[0017] 上記凹構造の好ましい形態としては、ストライプ状 (縞状）に形成された形態が挙げられる。この形態では、スぺーサを基板面内に均一な間隔で配置することができ、セルギャップのバラツキを充分に抑制することができる。この場合、ストライプ状の凹構造は、不連続に形成されたものであることが好ましい。ストライプ状の凹構造に等間隔で節（区切り）を設けるような形態によれば、スぺーサをより選択的に配置することが可能となる。

また、上記凹構造は、遮光領域 (非表示領域）に形成されたものであることが好ましい。これにより、スぺーサを非表示領域に選択的に配置させることができる。

[0018] 本発明の積層基板の構成としては、上述した特徴を必須として積層基板が通常有する構成要素を備えたものであればよぐその他の構成において特に限定されるものではない。なお、本発明の積層基板は、液晶表示装置に用いられるもの（液晶表示装置用積層基板)であることが好ま、。

[0019] 本発明は更に、基板上に少なくとも配線又は色層、榭脂層間膜、及び、電極をこの順に有する積層基板の製造方法であって、上記積層基板の製造方法は、少なくとも、表層に榭脂層間膜を含んで構成される凹構造を形成する工程と、吐出装置を用いてスぺーサを含む液状材料を凹構造に塗布する工程とを含む積層基板の製造方法でもある。このような方法によれば、高開口率化や平坦化に有効な手段である榭脂層間膜を利用して、液晶表示装置の表示品位や基板強度の低下等を引き起こすことなぐスぺーサを非表示領域に選択的に配置することができる。なお、液状材料の塗布工程では、凹構造内にスぺーサを配置することが可能であれば、凹構造内に入らない大きさの液滴により塗布を行ってもよい。

[0020] 本発明では、上記榭脂層間膜は、感光性榭脂を含むものであり、上記凹構造形成ェ程は、表層の凹構造を形成する領域に対して、メッシュ又はスリットが設けられたマスク越しに光を照射して行うものであることが好ましい。これにより、凹構造をコンタクトホールと一括してフォトリソプロセスで形成することができる。また、メッシュ（網の目）又はスリット (溝)が設けられたマスクを用いることで、凹構造の少なくとも底面を粗面化することができ、スぺーサ分散液 (スぺーサを含む液状材料)の液滴を凹構造内により集めやすくすることができる。

[0021] 本発明はそして、基板上に少なくとも配線又は色層、榭脂層間膜、及び、電極をこの順に有する積層基板の製造方法であって、上記積層基板の製造方法は、少なくとも、榭脂層間膜の表面の一部又は全部を粗面化する工程と、榭脂層間膜上に凹構造を形成する工程と、吐出装置を用いてスぺーサを含む液状材料を凹構造に塗布する工程とを含む積層基板の製造方法でもある。このような方法によっても、高開口率ィ匕や平坦ィ匕に有効な手段である榭脂層間膜を利用して、液晶表示装置の表示品位や基板強度の低下等を引き起こすことなぐスぺーサを非表示領域に選択的に配置することがでさる。

[0022] 本発明では、上記粗面化工程は、プラズマ処理により行うものであることが好ましい。

これにより、榭脂層間膜の表面を選択的に粗面化することができる。

また、上記吐出装置は、インクジェット装置であることが好ましい。これにより、スぺーサ分散液 (スぺーサを含む液状材料)を極微小な液滴にして基板上に精度よく着弾させることができ、スぺーサを精度よく配置することができる。

[0023] 本発明はまた、本発明の積層基板、又は、本発明の積層基板の製造方法により製造した積層基板を備えてなる液晶表示パネル及び液晶表示装置でもある。これらによれば、生産性を低下させることなぐ液晶表示装置の表示品位を向上させることができる。また、上記液晶表示パネルの好ましい形態としては、積層基板又は積層基板と対向する基板にリブ状配向制御用突起が設けられた形態が挙げられる。このような形態では、通常、リブ状配向制御用突起が非表示領域にも設けられるため、リブ状配向制御用突起の形成場所とスぺーサの配置場所とが重複した場合には、セルギヤップのバラツキが発生してしまうこととなる。し力しながら、本発明によれば、スぺーサの配置場所を高精度で制御することができるので、このような形態にぉ、てもセルギヤップのバラツキを効果的に防止することができる。

発明の効果

[0024] 本発明の積層基板によれば、高開口率ィ匕ゃ平坦ィ匕に有効な榭脂層間膜を利用して凹構造や粗面が形成されて!ヽることから、液晶表示装置の表示品位や生産性を低下させることなぐスぺーサを非表示領域に選択的に配置することができる。これにより、表示品位に優れた液晶表示装置を作製することが可能となる。

発明を実施するための最良の形態

[0025] 以下に実施形態を掲げ、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

[0026] 〔実施形態 1〕

まず、本発明の積層基板の一例である実施形態 1の薄膜トランジスタ (TFT)アレイ基板の構成について説明する。

図 1 (a)は、本発明の一実施形態である液晶表示パネルに搭載された TFTアレイ基板の構成を示す平面模式図であり、（b)は、（a)に示す TFTアレイ基板の丸（点線）で囲んだ領域を拡大した模式図である。図 2は、図 1 (a)に示す TFTアレイ基板の線分 A— Bにおける断面模式図である。

[0027] 本実施形態の TFTアレイ基板は、図 1 (a)に示すように、ゲート配線 11とソース配線 12とが互いに交差するように配置されており、その交差する部分には、スイッチング素子としての TFT及び ITO (酸化インジウム錫）絵素電極 19が配置されて!、る。 TFT は、ゲート電極 11aの上に、ゲート絶縁膜 15を介してソース電極 12a及びドレイン電極 13aが配置されたボトムゲート構造を有する。本実施形態の TFTアレイ基板では、更に補助容量 (Cs)配線 14が設けられており、図 2に示すように、 Cs配線 14とドレイン配線 13とがゲート絶縁膜 15を挟んで対向することで、補助容量 (Cs)が形成されている。また、 Cs配線 14の形成領域において、図 2に示すように、保護膜 16及び榭脂層間絶縁膜 17を貫通して形成されたコンタクトホール 18を介し、ドレイン配線 13と IT O絵素電極 19とが接続されている。

[0028] また、本実施形態の TFTアレイ基板では、図 1 (a)に示すように、配向制御用 ITOスリット 19aが電極表面に設けられており、斜め方向の電界発生による液晶分子の配向制御が図られている。また、図 2に示すように、各種配線と ITO絵素電極 19との間に榭脂層間絶縁膜 17が設けられており、 ITO絵素電極 19の面積拡大による高開口率化が図られている。更に、図 2に示すように、ソース配線 12によって遮光される非表示領域 (ITO絵素電極 14間）に、 ITO電極スリット 19aよりも深く設計された凹部（凹構造） 20が設けられている。従って、インクジェット (U)装置を用いてスぺーサ 22の分散液を吐出するという既存の方法により、図 1 (a)に示すように、非表示領域に位置する凹部 20内にスぺーサ 22を選択的に配置することができる。本実施形態の TFT アレイ基板によれば、非表示領域内に略等間隔に配置されたスぺーサ 22により、基板全域に渡ってセルギャップ (セル厚）が安定に保持された高表示品位の液晶表示パネルを提供することができる。

[0029] 次に、本実施形態の TFTアレイ基板及びそれを用いた液晶表示パネルの製造方法につ、て、図 1 (a)及び図 3— 1〜3— 10を参照しながら説明する。

(l)TFTアレイ基板の製造

(1 1)ゲート配線 11 (1 la)等の形成〜保護膜 16の形成

ガラス基板 10上にゲート配線 11 (11aを含む。）及び補助容量 (Cs)配線 14を形成し、更にその上にゲート絶縁膜 15、半導体層（図示せず)、ソース配線 12 (12aを含む。；)、ドレイン配線 13 (13aを含む。）及び保護膜 16を形成した。この形成プロセスについては、通常の薄膜トランジスタ (TFT)の作製プロセスと同じなので、説明を省略する。

[0030] (1— 2)榭脂層間絶縁膜 17の塗布

図 3— 1は、榭脂層間絶縁膜 17の塗布工程を示す断面模式図である。

保護膜 16を形成した TFTアレイ基板上に、アクリル榭脂からなる感光性の榭脂層間絶縁膜 17を 3. O /z mの膜厚になるように塗布した (図 3— 1)。榭脂層間絶縁膜 17の材質としては、アクリル榭脂等の感光性榭脂が好ましぐ中でも、ポジ型感光性榭脂力り好ましい。また、榭脂層間絶縁膜 17の膜厚は特に限定されず、 2. O /z m以上、

5. 0 m以下であることが好ましぐ 3. O /z m以上、 4. 0 m以下であることがより好ましい。

[0031] (1— 3)榭脂層間絶縁膜 17の露光 Z現像、及び、保護膜のエッチング図 3— 2及び 3— 3は、榭脂層間絶縁膜 17の露光/現像工程及び保護膜 16のエツチング工程を示す断面模式図である。

榭脂層間絶縁膜 17のコンタクトホール 18形成部を露光 Z現像することで（図 3— 2) 、部分コンタクトホールを形成した。また、榭脂層間絶縁膜 17のソース配線 12形成領域 (後の ITO絵素電極 19間）を露光 Z現像することで（図 3— 2)、スぺーサ 22配置用の凹部 20を形成した（図 3— 3)。なお、凹部 (スぺーサ配置位置） 20の形成に際しては、コンタクトホール部分よりも露光量を低減した。この凹部 20の形成は、半露光（ハーフ露光）プロセスのように、マスク 8にメッシュやスリット等を設けることで、面内の露光量を調整し、 1枚のマスク 8で部分コンタクトホールとスぺーサ 22配置用の凹部 2 0とを同時に形成する手法で行ってもよいし、部分コンタクトホール及び凹部 20形成用の 2枚のマスクを用意し、それぞれを別々の工程で形成する手法で行ってもよい。

[0032] 本実施形態では、図 3— 2に示すように、コンタクトホール形成部及びスぺーサ 22の配置部がそれぞれ全露光及び半露光されるように、所定の透過パターン 8c及びメッシュパターン 8bが形成されたマスク 8を用いて、部分コンタクトホール及び凹部 20を同時に形成した。このとき、深さが略 0. 3/z m、幅が略 10 mとなるように、線状の凹部 20をソース配線 12上の領域に形成した。なお、凹部 20の深さは、浅すぎると本発明の作用効果を奏することができないおそれがあり、逆に、深すぎるとセル厚に対しての深さバラツキが大きくなるおそれがある。

[0033] また、本実施形態のように、スリットパターンやメッシュパターンで半露光して形成された凹部 20の表面は、微細な凹凸形状になる。そこに液滴を滴下すると凹凸により接触面積が大きくなるため、接触角 90° 以下の液滴では、平坦な部分より接触角が低下する。そのため、更に液滴が集まりやすくなり、結果として、スぺーサ 22が凹部 20 内に選択的に配置されることになる。同様の理由から、凹部 20の側面もまた、粗面化されていることが好ましい。なお、凹部 20と配向制御用 ITOスリット 19aとの深さの差は顕著であることから、半露光プロセスを利用せずに凹部 20を形成しても本発明の作用効果は充分に得ることができる。半露光プロセスにより、部分コンタクトホール、及び、スぺーサ配置用の凹部 20を形成した後、榭脂層間絶縁膜 17をマスクとして、コンタクトホール 18部分の保護膜 16をエッチングした（図 3— 3)。 [0034] (l -4) ITO絵素電極 19の形成

図 3— 4は、 ΙΤΟ膜 19'の形成工程を示す断面模式図であり、図 3— 5は、フォトエツチングによる ΙΤΟ絵素電極 19のパター-ング工程を示す断面模式図である。

スパッタリング法で ΙΤΟ膜 19，を形成した後（図 3— 4)、 ΙΤΟ膜 19，のフォトエッチング (レジスト 9の塗布、プリベータ、露光、現像、リンス、ポストベータ等）を行うことで、 IT O絵素電極 19のパターユングを行い、 ITO絵素電極 19及び配向制御用 ITOスリット 19aを完成させた（図 3— 5)。また、これにより、ドレイン配線 13と ITO絵素電極 19とを接続するコンタクトホール 18を完成させた。なお、 ITO絵素電極 19のパターユングの際には、凹部 (スぺーサ配置位置） 20表面の ITOも除去した。このとき、凹部 (スぺーサ配置位置） 20は、榭脂層間絶縁膜 17が凹形状になっていることから、配向制御用 ITOスリット 19a部分よりも深くなつている。配向制御用 ITOスリット 19aの深さ、すなわち ITO膜 19'の膜厚は、通常では、 0. 1〜0. である。また、配向制御用 I TOスリット 19aは、その端部及び角部が遮光領域上又はその周辺に配置されるように形成した（図 l (a) )。

[0035] (1 5)レジスト 9の剥離

図 3— 6は、レジスト 9の剥離工程を示す断面模式図である。

先のフォトエッチング工程にて形成したレジスト 9を剥離することにより、 TFTアレイ基板が完成した（図 3— 6)。

[0036] (2)配向膜 23の形成〜スぺーサ 22の配置

図 3— 7は、配向膜 23の形成工程を示す断面模式図である。図 3— 8 (a)は、スぺーサ 22の分散液の吐出工程を示す断面模式図であり、（b)は、（a)に示す凹部 20の周辺領域を拡大して示す断面模式図である。図 3— 9は、スぺーサ 22の分散液の乾燥工程を示す断面模式図である。

TFTアレイ基板、及び、別途作製したカラーフィルタ (CF)基板に配向膜 23、 43をそれぞれ形成した後（図 3— 7)、 TFTアレイ基板上に形成した凹部 20に対し、インクジエツ Ηϋ)装置を用いて、スぺーサ 22が分散した分散液を吐出した (図 3— 8 (a) )。 1 滴当たりの吐出量は 60pl程度であり、配向膜 23と液滴との接触角は略 50° であつた。本実施形態では、スぺーサ 22の分散液は、スぺーサ 22であるプラスチックビーズ（直径: 4. Ο /z m)と分散媒 21であるエチレングリコールと力もなるものを用いた。スぺーサ 22の材質としては、プラスチックビーズに限定されず、ガラスやシリカ等であつてもよい。なお、スぺーサ 22の表面には、着色や配向処理が施されていてもよぐ固着層が形成されていてもよい。また、分散液の分散媒 21としては、エチレングリコールに限定されず、スぺーサ 22の材質に応じて適宜選択すればよぐ複数の分散媒の混合であってもよい。更に、吐出装置としては、デイスペンサ装置等を用いてもよい。

[0037] オーブンを用いて吐出した液滴の乾燥を行うと、分散媒 21が蒸発し、分散していたスぺーサ 22だけが基板上に残る。凹部 20と配向制御用 ITOスリット 19aとの深さの差は顕著であり、凹部 20の表面は微細な凹凸形状を有していることから（図 3— 8 (b) ) 、分散媒 21は凹部 20の形状に沿って乾燥していく。すなわち、同じ膜質の面であつても凹凸が形成されている部分の方が、平坦な部分よりも表面積が大きい分、接触角が低下して小さくなることから、液滴が集まりやすくなつている。そのため、分散媒 2 1の蒸発後、スぺーサ 22は ITO電極 19間に形成した凹部 20内に選択的に配置された（図 3— 9)。

[0038] (3)基板同士の貼り合せ

図 3— 10は、実施形態 1の TFTアレイ基板を用いて製造された液晶表示パネルの構成を示す断面模式図である。

スぺーサ 22を凹部 20に選択的に配置した TFTアレイ基板 100と別途作製した CF 基板 300とをシール材（図示せず)等を用いて貼り合わせた後、液晶 50を真空注入することで、液晶表示パネル (液晶表示素子)を作製した。このようにして作製された液晶表示パネルは、スぺーサ 22のほとんどが絵素間に形成された凹部 20内に選択的に配置されてヽるため、表示特性に優れてヽることが確認された。

[0039] 本実施形態の手法では、高開口率ィ匕に有効な手段である榭脂層間絶縁膜 17を用いて、追カ卩工程なしに絵素電極 19間のみに凹部 20を形成することができた。すなわち、通常の榭脂層間絶縁膜 17を用いる構成では、絵素電極 19とドレイン配線 13とを接続させるために、層間絶縁膜 17にコンタクトホール 18が設けられる力一般的に、榭脂層間絶縁膜 17は感光性材料力もなるため、このコンタクトホール 18は露光'現像によって形成されている。そこで、本実施形態では、コンタクトホール 18の形成と併せて凹部 20の形成を行うことで、従来技術とは違い、既存のプロセスをそのまま利用することができ、余分なプロセスをほとんど必要としな力つた。

なお、本発明においては、層間絶縁膜 17の厚さが薄い場合等には、保護膜 16も利用して凹部 20を形成することも可能である。

また、本実施形態では、絵素電極 19間に対応する位置の榭脂層間絶縁膜 17に凹部 20を形成したことから、絵素電極 (透明電極パターン） 19を形成した後も、絵素電極 19間が配向制御用スリット 19aの部分の凹形状よりも深い凹形状となり、明確な差をつけることができた。そして、この深さ方向の差によって、スぺーサ 22を含む液滴を吐出した際に、絵素電極 19間に選択的にスぺーサ 22を配置することが可能となった更に、本実施形態では、凹部 (スぺーサ配置箇所) 20を形成する際、メッシュゃスリツトを有するマスク 8等を用いたノヽーフ露光プロセスを利用することで、プロセスを増やすことなぐ微細な凹凸形状を凹部 20内に形成することができた。これによつても、スぺーサ 22を含有する液滴を吐出した際に、液滴が集まりやすくなる効果を得ることができた。なお、本実施形態において、ハーフ露光プロセスを利用せずに凹部 (スぺ一サ配置箇所) 20を形成した場合であっても本発明の作用効果を充分に得ることは可能である。

[0040] 〔実施形態 2〕

本発明の積層基板の別の一例である実施形態 2の TFTアレイ基板の製造方法について説明する。

(l)TFTアレイ基板の製造

(1 1)ゲート配線 11 (1 la)等の形成〜保護膜 16の形成

(1— 2)榭脂層間絶縁膜 17の塗布

実施形態 1の（1 1)、（1 2)と同様であるので、説明を省略する。

[0041] (1— 3)榭脂層間絶縁膜 17の露光 Z現像、及び、保護膜のエッチング

図 4—1及び 4— 2は、榭脂層間絶縁膜 17の露光/現像工程及び保護膜 16のエツチング工程を示す断面模式図である。

本実施形態では、所定の透過パターン 8cのみが形成されたマスク 8を用いて、部分コンタクトホールのみを形成したこと以外は、実施形態 1の（1— 3)と同様である（図 4 1、 4 2)。

[0042] (1 -4) ΙΤΟ絵素電極 19の形成

図 4— 3は、 ΙΤΟ膜 19'の形成工程を示す断面模式図であり、図 4— 4は、フォトエツチングによる ΙΤΟ絵素電極のパター-ング工程を示す断面模式図である。

本実施形態では、フォトエッチング工程において、配向制御用 ΙΤΟスリット 19aを形成しな力つたこと以外は、実施形態 1の（1—4)と同様である（図 4— 3、 4—4)。

[0043] (1 - 5)榭脂層間絶縁膜 17のプラズマ処理及びレジスト 9の剥離

図 4 5は、榭脂層間絶縁膜 17のプラズマ処理工程を示す断面模式図であり、図 4 6は、レジスト 9の剥離工程を示す断面模式図である。

本実施形態では、 ITO絵素電極 19間の凹部 20の底面を構成する榭脂層間絶縁膜 17のみに対し、プラズマ処理を行った（図 4 5)。プラズマ処理に用いる導入ガスとしては、酸素（O )、窒素 (N )、アルゴン (Ar)等を用いることができる。これにより、榭

2 2

脂層間絶縁膜 17の表面が粗面化された。そのような凹凸形状の表面は液滴との接触面積が大きいため、スぺーサ 22の分散液を吐出した際に、スぺーサ 22が凹部 20 内に選択的に配置されることになる。プラズマ処理を行った後、先のフォトエッチング工程において形成したレジスト 9を剥離することにより、 TFTアレイ基板が完成した（図 4 6)。

[0044] (2)配向膜 23の形成〜スぺーサ 22の配置

(3)基板同士の貼り合せ

図 4— 7は、配向膜 23の形成工程を示す断面模式図であり、図 4— 8及び 4— 9はそれぞれ、スぺーサ 22の分散液の吐出工程及び乾燥工程を示す断面模式図である。実施形態 1の（2)及び (3)と同様であるので、説明を省略する。

本実施形態で作製された液晶表示パネルもまた、スぺーサ 22のほとんどが凹部 20 に選択的に配置されて、るため、表示特性に優れて、ることが確認された。

[0045] なお、本実施形態では、榭脂層間絶縁膜 17のプラズマ処理工程を行った後に、レジスト 9剥離工程を行った力レジスト剥離工程を行った後（図 5— 1)、プラズマ処理工程（図 5— 2)を行うことも可能である。 [0046] 〔実施形態 3〕

本発明の積層基板の一例である実施形態 3のカラーフィルタ (CF)基板の構成について説明する。

図 6は、本発明の一実施形態である液晶表示パネルに搭載された CF基板の構成を示す平面模式図であり、図 7は、図 6に示す CF基板の線分 C Dにおける断面模式図である。

[0047] 本実施形態の CF基板は、図 6に示すように、ガラス基板 30上に着色層（色層） 31及びブラックマトリクス (BM、色層） 32がそれぞれ縞 (ストライプ)状に配置されており、図 7に示すように、更にそれらを覆うようにオーバーコート層（榭脂層間膜) 37及び IT O電極 39が設けられている。このように、着色層 31等と ITO電極 39との間にオーバ一コート層 37を設けることで、 CF基板の表面の平坦ィ匕が図られている。

[0048] また、本実施形態の CF基板では、図 7に示すように、 BM32上の非表示領域に、凹部（凹構造) 20が設けられている。従って、 ϋ装置を用いてスぺーサ 22の分散液を吐出するという既存の方法により、図 7に示すように、非表示領域に位置する凹部 20内にスぺーサ 22を選択的に配置することができる。本実施形態の CF基板によれば、非表示領域内に略等間隔に配置されたスぺーサ 22により、基板全域に渡ってセルギヤップ (セル厚)が安定に保持された高表示品位の液晶表示パネルを提供することができる。

[0049] 以下、本実施形態の CF基板及びそれを用いた液晶表示パネルの製造方法について、図 8— 1〜8— 9及び図 9を参照しながら説明する。

(1) CF基板の製造

(1 1) BMパターン 32の形成

図 8— 1は、 BMパターン 32の形成工程を示す断面模式図である。

ネガ型の BMレジスト材料を用いたフォトリソプロセス（露光'現像等）により、縞状の B M32をガラス基板 30上に形成した。なお、 BM32の形成に際し、 BM32の材料及び形成プロセスは、特に限定されるものではなぐ BM32のパターンも縞状に限定されるものではない。

[0050] (1 2)着色層パターン 31の形成図 8— 2は、着色層パターン 31の形成工程を示す断面模式図である。

BMパターン 32を形成した後、ネガ型のカラーレジスト材料を用いたフォトリソプロセスにより、図 8— 2に示すように、着色層パターン 31 (赤色層 31a、緑色層 31b及び青色層 31c)を BM32間に形成した。なお、着色層 31の形成に際し、着色層 31の材料及び形成プロセスは特に限定されない。また、本実施形態では、着色層 31の色の組み合わせとして光の 3原色を用いた力この 3色に特に限定されず、 3色以上用いてもよい。更に、着色層 31のパターン配列としては特に限定されず、例えば、ドット配列、ストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列等が挙げられる。

本実施形態では、 BMパターン 32を形成した後に着色層パターン 31の形成を行つた力形成の順序は逆であってもよい。

(1— 3)オーバーコート層 (榭脂層間膜) 37及び凹部 20の形成

図 8— 3は、オーバーコート層 37の塗布工程を示す断面模式図であり、図 8—4は、凹部 20の形成工程を示す断面模式図である。

着色層パターン 31及び BMパターン 32を形成した後、それらを覆うようにオーバーコート層 37を形成することにより、パターンの平坦ィ匕を行うことができる。このとき、ォーバーコート層 37の材料としてネガ型の感光性榭脂材料を用いれば、図 9に示すように、 BMパターン 32をマスクとした裏面露光により、 BMパターン 32上に、スぺーサ配置用の凹部 20を形成することができる。また、ポジ型の感光性榭脂材料を用いれば、マスクを用いて表側力露光することにより、 BMパターン 32上に、スぺーサ配置用の凹部 20を形成することができる。なお、後者の露光法を用いる場合には、図 8— 4 に示すように、前述したようなスリットパターン又はメッシュパターンが設けられたマスク 8を用いることにより、底面に微細な凹凸形状を有する凹部 20を形成することができる。更に、オーバーコート層 37が感光性を有さない場合でも、エッチングマスク（レジスト）のパターユングを行った後、ドライエッチング装置等で処理することによって凹部 20を形成したり、凹部 20の表面を粗面にしたりすることができる。

本実施形態では、図 8— 3に示すように、ポジ型の感光性榭脂材料を塗布することでオーバーコート層 37を形成した後、図 8— 4に示すように、スぺーサの配置部が半露光されるように、所定のスリットパターン 8bが形成されたマスク 8を用いて、スぺーサの配置用の凹部 20を形成した。

[0052] (1 4) ITO電極（対向電極） 39の形成

図 8— 5は、 ITO電極 39の形成工程を示す断面模式図である。

着色層パターン 31、 BMパターン 32及びオーバーコート層 37を形成した上に、スパッタリング法で ITO電極 39を形成した。

[0053] (2)配向膜 43の形成〜スぺーサ 22の配置

図 8— 6は、配向膜 43の形成工程を示す断面模式図であり、図 8— 7及び 8— 8はそれぞれ、スぺーサ 22の分散液の吐出工程及び乾燥工程を示す断面模式図である。図 8— 6に示すように、 CF基板、及び、別途作製した TFTアレイ基板に配向膜 43、 2 3をそれぞれ形成した後、図 8— 7に示すように、 CF基板上に形成した凹部 20に対し、インクジェット (U)装置を用いて、スぺーサ 22が分散した分散液を吐出した。その後、オーブンを用いて液滴の乾燥を行うことにより、図 8— 8に示すように、スぺーサ 22 は凹部 20内に選択的に配置された。以下、詳細については実施形態 1の（2)と同様であるので、説明を省略する。

[0054] (3)基板同士の貼り合わせ

図 8— 9は、実施形態 3の CF基板を用いて製造された液晶表示パネルの構成を示す断面模式図である。

スぺーサ 22を凹部 20に選択的に配置した CF基板 300と別途作製した TFTアレイ基板 100とをシール材（図示せず)等を用いて貼り合わせた後、液晶 50を真空注入することで、液晶表示パネル (液晶表示素子)を作製した。

[0055] なお、本願は、 2004年 10月 14日に出願された日本国特許出願第 2004— 30047 5号を基礎として、（合衆国法典 35卷第 119条に基づく）優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。

図面の簡単な説明

[0056] [図 1] (a)は、実施形態 1の TFTアレイ基板の構成を示す平面模式図であり、 (b)は、

(a)に示す TFTアレイ基板の丸 (点線)で囲んだ領域を拡大して示す断面模式図である。

[図 2]図 1 (a)に示す TFTアレイ基板の線分 A— Bにおける断面模式図である。

圆 3-1]実施形態 1の TFTアレイ基板の製造工程における、榭脂層間絶縁膜 17の塗布工程を示す断面模式図である。

圆 3-2]実施形態 1の TFTアレイ基板の製造工程における、榭脂層間絶縁膜 17の露光,現像工程を示す断面模式図である。

圆 3-3]実施形態 1の TFTアレイ基板の製造工程における、保護膜 16のエッチング工程を示す断面模式図である。

圆 3-4]実施形態 1の TFTアレイ基板の製造工程における、 ITO蒸着膜 19 'の形成工程を示す断面模式図である。

[図 3-5]実施形態 1の TFTアレイ基板の製造工程における、フォトエッチングによる IT O絵素電極 19のパター-ング工程を示す断面模式図である。

[図 3-6]実施形態 1の TFTアレイ基板の製造工程における、レジスト 9の剥離工程を示す断面模式図である。

圆 3-7]実施形態 1の TFTアレイ基板の製造工程における、配向膜 23の形成工程を示す断面模式図である。

[図 3-8] (a)は、実施形態 1の TFTアレイ基板の製造工程における、スぺーサ 22の分散液の吐出工程を示す断面模式図であり、（b)は、（a)に示す凹部 20の周辺領域を拡大して示す断面模式図である。

[図 3-9]実施形態 1の TFTアレイ基板の製造工程における、スぺーサ 22の分散液の乾燥工程を示す断面模式図である。

[図 3-10]実施形態 1の TFTアレイ基板を用いて製造された液晶表示パネルの構成を示す断面模式図である。

圆 4-1]実施形態 2の TFTアレイ基板の製造工程における、榭脂層間絶縁膜 17の露光,現像工程を示す断面模式図である。

圆 4-2]実施形態 2の TFTアレイ基板の製造工程における、保護膜 16のエッチング工程を示す断面模式図である。

圆 4-3]実施形態 2の TFTアレイ基板の製造工程における、 ITO膜 19 'の形成工程を示す断面模式図である。

[図 4-4]実施形態 2の TFTアレイ基板の製造工程における、フォトエッチングによる IT O絵素電極のパター-ング工程を示す断面模式図である。

圆 4-5]実施形態 2の TFTアレイ基板の製造工程における、榭脂層間絶縁膜 17のプラズマ処理工程を示す断面模式図である。

[図 4-6]実施形態 2の TFTアレイ基板の製造工程における、レジスト 9の剥離工程を示す断面模式図である。

圆 4-7]実施形態 2の TFTアレイ基板の製造工程における、配向膜 23の形成工程を示す断面模式図である。

[図 4-8]実施形態 2の TFTアレイ基板の製造工程における、スぺーサ 22の分散液の吐出工程を示す断面模式図である。

[図 4-9]実施形態 2の TFTアレイ基板の製造工程における、スぺーサ 22の分散液の乾燥工程を示す断面模式図である。

圆 5-1]実施形態 2の TFTアレイ基板の製造工程の別例における、レジスト 9の剥離工程を示す断面模式図である。

圆 5-2]実施形態 2の TFTアレイ基板の製造工程の別例における、榭脂層間絶縁膜 17のプラズマ処理工程を示す断面模式図である。

圆 6]実施形態 3のカラーフィルタ (CF)基板の構成を示す平面模式図である。

[図 7]図 6に示す CF基板の線分 C— Dにおける断面模式図である。

[図 8-1]実施形態 3の CF基板の製造工程における、 BMパターン 32の形成工程を示す断面模式図である。

圆 8-2]実施形態 3の CF基板の製造工程における、着色層パターン 31の形成工程を示す断面模式図である。

[図 8- 3]実施形態 3の CF基板の製造工程における、オーバーコート層 37の塗布工程を示す断面模式図である。

圆 8-4]実施形態 3の CF基板の製造工程における、凹部 20の形成工程を示す断面模式図である。

[図 8-5]実施形態 3の CF基板の製造工程における、 ITO電極 39の形成工程を示す断面模式図である。

圆 8-6]実施形態 3の CF基板の製造工程における、配向膜 43の形成工程を示す断面模式図である。

[図 8-7]実施形態 3の CF基板の製造工程における、スぺーサ 22の分散液の吐出ェ程を示す断面模式図である。

圆 8-8]実施形態 3の CF基板の製造工程における、スぺーサ 22の分散液の乾燥ェ程を示す断面模式図である。

[図 8-9]実施形態 3の CF基板を用いて製造された液晶表示パネルの構成を示す断面模式図である。

圆 9]実施形態 3の CF基板の製造工程における、凹部 20の形成工程の別例を示す断面模式図である。

符号の説明

8:マスク

8a:マスクの遮光部

8b:マスクの半露光部

8c:マスクの全露光部

9：レジスト

10、 30:ガラス基板

11:ゲート配線

11a:ゲート電極

12:ソース配線

12a:ソース電極

13:ドレイン配線

13a:ドレイン電極

14:補助容量 (Cs)配線

15:ゲート絶縁膜

16:保護膜

17、 37:榭脂層間絶縁膜 :コンタクトホール

： ITO (酸化インジウム錫)絵素電極 ' :ΙΤΟ膜

a:配向制御用 ΙΤΟスリット：凹部 (スぺーサ配置用の凹構造）：スぺーサ分散液の分散媒:スぺーサ

、 43:配向膜

:着色層

a:第 1色層

b:第 2色層

c:第 3色層

:プラックマトリクス

'：オーバーコート層

:ITO (対向）電極

:配向制御用リブ

:液晶

0：薄膜トランジスタアレイ基板0:カラーフィルタ基板

Claims

請求の範囲

[I] 基板上に少なくとも榭脂層間膜及び電極をこの順に有する積層基板であって、該積層基板は、表層に榭脂層間膜を含んで構成される凹構造を有する

ことを特徴とする積層基板。

[2] 前記積層基板は、基板上に少なくとも配線、榭脂層間膜及び電極をこの順に有することを特徴とする請求項 1記載の積層基板。

[3] 前記積層基板は、薄膜トランジスタアレイ基板であることを特徴とする請求項 2記載の積層基板。

[4] 前記積層基板は、基板上に少なくとも色層、榭脂層間膜及び電極をこの順に有することを特徴とする請求項 1記載の積層基板。

[5] 前記積層基板は、カラーフィルタ基板であることを特徴とする請求項 4記載の積層基板。

[6] 前記凹構造の深さは、 0. 05 μ m以上、 2. 0 m以下であることを特徴とする請求項

1記載の積層基板。

[7] 前記凹構造は、底面に粗面を有するものであることを特徴とする請求項 1記載の積層基板。

[8] 前記凹構造は、ストライプ状に形成されたものであることを特徴とする請求項 1記載の積層基板。

[9] 前記ストライプ状の凹構造は、不連続に形成されたものであることを特徴とする請求項 8記載の積層基板。

[10] 前記凹構造は、遮光領域に形成されたものであることを特徴とする請求項 1記載の積層基板。

[II] 基板上に少なくとも榭脂層間膜及び電極をこの順に有する積層基板であって、該積層基板は、榭脂層間膜上に、底面が粗面で構成される凹構造を有することを特徴とする積層基板。

[12] 前記積層基板は、基板上に少なくとも配線、榭脂層間膜及び電極をこの順に有することを特徴とする請求項 11記載の積層基板。

[13] 前記積層基板は、薄膜トランジスタアレイ基板であることを特徴とする請求項 12記載の積層基板。

[14] 前記積層基板は、基板上に少なくとも色層、榭脂層間膜及び電極をこの順に有することを特徴とする請求項 11記載の積層基板。

[15] 前記積層基板は、カラーフィルタ基板であることを特徴とする請求項 14記載の積層基板。

[16] 前記凹構造は、ストライプ状に形成されたものであることを特徴とする請求項 11記載の積層基板。

[17] 前記ストライプ状の凹構造は、不連続に形成されたものであることを特徴とする請求項 16記載の積層基板。

[18] 前記凹構造は、遮光領域に形成されたものであることを特徴とする請求項 11記載の積層基板。

[19] 基板上に少なくとも配線又は色層、榭脂層間膜、及び、電極をこの順に有する積層基板の製造方法であって、

該積層基板の製造方法は、少なくとも、表層に榭脂層間膜を含んで構成される凹構造を形成する工程と、吐出装置を用いてスぺーサを含む液状材料を凹構造に塗布する工程とを含むことを特徴とする積層基板の製造方法。

[20] 前記榭脂層間膜は、感光性榭脂を含むものであり、

前記凹構造形成工程は、表層の凹構造を形成する領域に対して、メッシュ又はスリツトが設けられたマスク越しに光を照射して行うものである

ことを特徴とする請求項 19記載の積層基板の製造方法。

[21] 前記吐出装置は、インクジェット装置であることを特徴とする請求項 19記載の積層基板の製造方法。

[22] 基板上に少なくとも配線又は色層、榭脂層間膜、及び、電極をこの順に有する積層基板の製造方法であって、

該積層基板の製造方法は、少なくとも、榭脂層間膜の表面の一部又は全部を粗面化する工程と、榭脂層間膜上に凹構造を形成する工程と、吐出装置を用いてスぺーサを含む液状材料を凹構造に塗布する工程とを含む

ことを特徴とする積層基板の製造方法。

[23] 前記粗面化工程は、プラズマ処理により行うものであることを特徴とする請求項 22記載の積層基板の製造方法。

[24] 前記吐出装置は、インクジェット装置であることを特徴とする請求項 22記載の積層基板の製造方法。

[25] 請求項 1記載の積層基板を備えてなることを特徴とする液晶表示パネル。

[26] 前記液晶表示パネルは、積層基板又は積層基板と対向する基板にリブ状配向制御用突起が設けられたものであることを特徴とする請求項 25記載の液晶表示パネル。

[27] 請求項 11記載の積層基板を備えてなることを特徴とする液晶表示パネル。

[28] 前記液晶表示パネルは、積層基板又は積層基板と対向する基板にリブ状配向制御用突起が設けられたものであることを特徴とする請求項 27記載の液晶表示パネル。

[29] 請求項 19記載の積層基板の製造方法により製造した積層基板を備えてなることを特徴とする液晶表示パネル。

[30] 前記液晶表示パネルは、積層基板又は積層基板と対向する基板にリブ状配向制御用突起が設けられたものであることを特徴とする請求項 29記載の液晶表示パネル。

[31] 請求項 22記載の積層基板の製造方法により製造した積層基板を備えてなることを特徴とする液晶表示パネル。

[32] 前記液晶表示パネルは、積層基板又は積層基板と対向する基板にリブ状配向制御用突起が設けられたものであることを特徴とする請求項 31記載の液晶表示パネル。

[33] 請求項 1記載の積層基板を備えてなることを特徴とする液晶表示装置。

[34] 請求項 11記載の積層基板を備えてなることを特徴とする液晶表示装置。

[35] 請求項 19記載の積層基板の製造方法により製造した積層基板を備えてなることを特徴とする液晶表示装置。

[36] 請求項 22記載の積層基板の製造方法により製造した積層基板を備えてなることを特徴とする液晶表示装置。