WO2005080073A1

WO2005080073A1 - 薄膜複合材料、およびこれを用いた配線板用材料、配線板、電子部品用材料、電子部品、ならびにこれらの製造方法

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Publication number: WO2005080073A1
Application number: PCT/JP2004/013521
Authority: WO
Inventors: Yoshitaka Hirata; Yasushi Kumashiro; Shin Takanezawa; Yasushi Shimada; Yuusuke Kondou; Masanori Yamaguchi; Yuichi Shimayama; Kazunori Yamamoto
Original assignee: Hitachi Chemical Co., Ltd.
Priority date: 2004-02-19
Filing date: 2004-09-16
Publication date: 2005-09-01
Also published as: JP4148293B2; JPWO2005080073A1; TW200529251A

Abstract

　高い温度で処理することなく、キャパシタの形成ができる薄膜複合材料、およびこれを用いた配線板用材料、配線板、電子部品用材料、電子部品、ならびにこれらの製造方法を提供するために、銅箔の一方の表面に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属からなる金属薄膜層を形成する工程、前記金属薄膜層表面に構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、を含み、少なくとも前記第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程において、４００°C以下で熱処理を行うことを特徴とする薄膜複合材料の製造法を提供する。

Description

明細書

薄膜複合材料、およびこれを用いた配線板用材料、配線板、電子部品用材料、電子部品、ならびにこれらの製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、配線板等の電子部品に好適に用いられる薄膜複合材料、およびこれを用いた配線板用材料、配線板、電子部品用材料、電子部品、ならびにこれらの製造方法に関する。

背景技術

[0002] 従来から、電子機器は、機能を増加し、し力も大きさ'重量を減少させることによって

、新たな市場を開拓し、発達してきた。

[0003] その電子機器に使用される配線板においても、配線板に搭載する各種部品の高密度実装化の要請から配線板の多層化が進み、さらに、日本国特開 2001— 160672 号公報にも記載されているように、その内層に回路要素（キャパシタ、インダクタ、抵抗)を形成した多層配線板が知られて、る。

[0004] 特に、所望の静電容量のキャパシタを形成するために、従来よりさまざまな手法が提案されており、例えば、前記、日本国特開 2001— 160672号公報には、誘電体を形成し、その上下に対向するように電極を形成することによって、キャパシタを形成することが記載されている。

[0005] このような誘電体を形成する方法としては、前記、日本国特開 2001— 160672号公報には、可撓性金属基板上に誘電体ペーストを付着し、焼成し、焼成したペースト面が接着剤層でコーティングされた有機層に、焼成ペースト面が接着剤中に埋められるように付着することが記載されて、る。

[0006] また、誘電体を形成する方法として、日本国特開 8— 245263号公報に記載されているように、特定の金属のアルコキシドィ匕合物の有機溶媒溶液を複数混合し、基板上に塗布して、熱処理して、複合金属酸化物を誘電体として形成することが知られている。

[0007] また、日本国特表 2003— 526880号公報には、金属箔基板と結晶性誘電体層を備えた複層薄膜複合体が記載され、その製造法として、複数の金属のアルコキシド化合物の有機溶媒溶液を、基板に塗布し、熱処理することによって、複数の金属の酸化物の結晶性誘電体層を形成する、いわゆるゾル'ゲル法や、スパッタ蒸着法、有機金属化学蒸着法を用いて、金属基板上に結晶性誘電体層を形成する方法が記載されている。

[0008] このような誘電体としては、前記、日本国特開 2001— 160672号公報には、チタン酸バリウム、酸ィ匕チタンペーストを用いることが記載され、前記、日本国特開 8— 2452 63号公報には、周期律表 IA族、 ΠΑ族， ΙΠΑ族、 IVB族および VB族から選択された金属と、周期律表 IVA族、 VA族から選択された金属の、酸化物を用いることが記載され、日本国特表 2003— 526880号公報には、 PZTを用いることが記載され、日本国特開 11 251185号には、 Pb, Zr, Ti, Srを用いることが記載されている。

発明の開示

[0009] ところで、日本国特開 2001— 160672号公報に記載の方法では、誘電体ペーストを焼成するため、高い温度で熱処理を行っている。しかし、金属基板に銅箔を用いる場合、高い温度で熱処理を行うと、銅が酸ィ匕して、導電性が低下するという課題があつた o

[0010] また、日本国特開 8— 245263号公報に記載の方法でも、必要な焼成温度が 450 °C以上と高ぐ金属箔として銅を用いた場合、銅の酸ィ匕により絶縁性が低下し、信頼性の高く静電容量の大き、キャパシタが得られな、と、う課題があった。

[0011] 本発明は、このように高い温度で処理することなぐキャパシタの形成ができる薄膜複合材料、およびこれを用いた配線板用材料、配線板、電子部品用材料、電子部品、ならびにこれらの製造方法を提供することを目的とする。

[0012] すなわち、本発明は、銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、 Cr、 Ni、 Au、 Ag 、およびこれらの合金からなる群から選択される 1種以上の金属（Crおよび Zまたは Niおよび Zまたは Auおよび Zまたは Agおよび Zまたはこれらの合金）を含む金属薄膜層、前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Tiとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層、ならびに前記第一の複合金属酸ィヒ物薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび/または Srと、 Tiとを含む結晶性複合金属酸ィ匕物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、を有することを特徴とする薄膜複合材料を提供する。

[0013] また、本発明は、前記金属薄膜層の厚さが 50nm— 1 mの範囲であることを特徴とする上記薄膜複合材料を提供する。

[0014] また、本発明は、前記第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さが lOnm— 200nmの範囲であることを特徴とする上記薄膜複合材料を提供する。

[0015] また、本発明は、前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと前記第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さとの和が 30nm— 2 mの範囲であることを特徴とする上記薄膜複合材料を提供する。

[0016] また、本発明は、前記第二の複合金属酸化物薄膜層が、構成元素としておよび

/または Srと、 Tiとを含むアモルファス複合金属酸ィ匕物をさらに含むことを特徴とする上記薄膜複合材料を提供する。

[0017] また、本発明は、上記本発明の薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層が形成されていることを特徴とする配線板用材料を提供する。

[0018] また、本発明は、上記本発明の薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体パターンが形成されて!、ることを特徴とする配線板を提供する。

[0019] また、本発明は、上記本発明の薄膜複合材料の、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層が形成されていることを特徴とする電子部品用材料を提供する

[0020] また、本発明は、上記本発明の薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層の表面にキャパシタ電極が形成されていることを特徴とする電子部品を提供する。

[0021] さらに、本発明は、銅箔の一方の表面に、 Cr、 Ni、 Au、 Ag、およびこれらの合金からなる群から選択される 1種以上の金属を含む金属薄膜層を形成する工程、前記金属薄膜層表面に構成元素として Baおよび/または Srと、 Tiとを含むアモルファス複合金属酸ィ匕物からなる第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層を形成する工程、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 T iとを含む結晶性複合金属酸ィ匕物を少なくとも含む第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層を形成する工程、を含み、少なくとも前記第一の複合金属酸化物薄膜層を形成するェ程にぉヽて、 400°C以下で熱処理を行うことを特徴とする薄膜複合材料の製造法を提供する。

[0022] また、本発明は、前記金属薄膜層の厚さを 50nm— 1 μ mの範囲に形成することを特徴とする上記薄膜複合材料の製造法を提供する。

[0023] また、本発明は、前記第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さを lOnm— 200nmの範囲に形成することを特徴とする上記薄膜複合材料の製造法を提供する。

[0024] また、本発明は、前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと、前記第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さの合計が、 30nm— 2 mの範囲となるようにそれぞれを形成することを特徴とする上記薄膜複合材料の製造法を提供する。

[0025] また、本発明は、前記第二の複合金属酸化物薄膜層が、構成元素としておよび

/または Srと、 Tiとを含むアモルファス複合金属酸ィ匕物をさらに含むことを特徴とする上記薄膜複合材料の製造法を提供する。

[0026] また、本発明は、上記本発明の製造法により製造された薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層を形成する工程と、第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層を形成する工程と、を含むことを特徴とする配線板用材料の製造法を提供する。

[0027] また、本発明は、上記本発明の製造法により製造された薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層を形成する工程と、第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする配線板の製造法を提供する。

[0028] また、本発明は、上記本発明の製造法により製造された薄膜複合材料の、第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層を形成する工程、を含むことを特徴とする電子部品用材料の製造法を提供する。

[0029] また、本発明は、上記本発明の製造法により製造された薄膜複合材料の、第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層を形成する工程と、銅箔の他方の表面に絶縁材料層を形成する工程と、前記導体層の不要な箇所をエッチング除去してキャパシタ電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造法を提供する。

[0030] 本発明によれば、 400°C以下の低温度で熱処理を行うことができ、銅箔上に信頼性の高、静電容量の大きヽキャパシタを形成することができる薄膜複合材料を提供することができる。また、本発明の薄膜複合材料を用いて、信頼性の高く静電容量の大きいキャパシタを備えた配線板および電子部品を提供することができる。

[0031] 本出願は、同出願人により先にされた日本国特許出願 2004— 042749号（出願日 2004年 2月 19日）に基づく優先権主張を伴うものであって、これらの明細書を参照のためにここに組み込むものとする。

図面の簡単な説明

[0032] [図 1]図 1は、本発明の薄膜複合材料の一実施形態を示す断面図である。

[図 2]図 2は、本発明の薄膜複合材料の別の実施形態を示す断面図である。

[図 3]図 3は、本発明の薄膜複合材料のさらに別の実施形態を示す断面図である。

[図 4]図 4は、本発明の薄膜複合材料を構成に含む配線板の一実施形態を示す断面図である。

発明を実施するための最良の形態

[0033] 以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。

[0034] 本発明の薄膜複合材料は、銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、 Cr、 Ni、 A u、 Ag、およびこれらの合金からなる群から選択される 1種以上の金属を含む金属薄膜層、前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Ti とを含むアモルファス複合金属酸ィ匕物力なる第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Tiとを含む結晶性複合金属酸ィ匕物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、を有することをその特徴するものである。

[0035] 構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Tiとを必須に含む複合金属酸ィ匕物は、セラミックスの中でも特に高誘電率 (例えば BaTiOで 1500程度、 SrTiOで 200程度)

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であり、キャパシタの材料として好適に用いることができる。もちろんその他の元素や金属酸化物を添加した複合金属酸化物、例えば BaTiOに Laを添加してさらに高誘電率化を図った複合金属酸化物や、 BaTiOに CaTiOを添加して特性を調整した

3 3

複合金属酸ィ匕物も好適に用いることができる。

[0036] 上記第一の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Ti とを含むアモルファス複合金属酸ィ匕物カゝらなる。上記金属薄膜層と接する界面がァモルファスであるために、金属薄膜層の格子定数と複合金属酸化物の格子定数の不一致による欠陥が少なくなり、絶縁性が確保できる。金属薄膜層との界面が結晶領域である場合は、金属薄膜層の格子定数と複合金属酸ィ匕物の格子定数の不一致により複合金属酸ィ匕物薄膜層の形成時に加わった熱による熱ひずみ欠陥が金属薄膜層との界面に多く発生し、絶縁性が著しく低下する。また、金属薄膜層の格子定数に合わせて複合金属酸ィ匕物薄膜層をェピタキシャルに結晶化するためには高い温度での熱処理が必要となり、銅箔の酸化を招!、て不都合である。

[0037] 第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さは、 10nm— 200nmの範囲が好ましぐ 20η m— 150nmの範囲がより好ましい。第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さが 10nm 未満では、第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層を設けてキャパシタの絶縁性を確保する効果が小さくなるおそれがあり、厚さが 200nmを超えると、アモルファス複合金属酸化物の誘電率は結晶領域とアモルファス領域とからなる複合金属酸化物の誘電率に比べて一般に低、ために、キャパシタの静電容量が小さくなるおそれがある。

[0038] 上記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Ti とを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含み、好ましくは、構成元素としておよび Zまたは Srと、 Tiとを含むアモルファス複合金属酸ィ匕物および構成元素として B aおよび Zまたは Srと、 Tiとを含む結晶性複合金属酸化物の両方、つまり、結晶領域とアモルファス領域とを含む。全部が結晶領域の場合は、複合金属酸化物薄膜層の形成に高い温度、例えば 600°C以上を必要とするために、銅箔の酸化が進行しやすく絶縁性の高いキャパシタが得られ難い。全部がアモルファス領域の場合は、複合金属酸ィ匕物の誘電率が低いため静電容量の大きなキャパシタを得ることが困難になる。結晶領域とアモルファス領域とからなる複合金属酸化物薄膜層の形成は、比較的低、温度で行えるために銅箔の酸ィ匕が抑制でき、同時に誘電率の高、薄膜を得ることができる。複合金属酸ィ匕物薄膜層の結晶領域とアモルファス領域は、薄膜の断面を透過型電子顕微鏡 (TEM)を用いて暗視野像観察することで識別できる。また前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、前記結晶領域とアモルファス領域とからなる複合金属酸化物薄膜層と、全部がアモルファス領域からなる複合金属酸化物薄膜層との 2層以上力なる積層構造であってもよい。

[0039] 第二の複合金属酸化物薄膜層と第一の複合金属酸化物薄膜層とを合わせた厚さは、 30nm— の範囲が好ましぐ 50nm— 1. 5 mの範囲がより好ましぐ 100η m—： L mの範囲がさらに好ましい。第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さが、 30nm 未満の場合は、複合金属酸化物薄膜層の耐電界強度が低ぐキャパシタの適用可能用途が限られるおそれがあり、厚さがを超えると、静電容量の大きなキャパシタが得られな、おそれがある。

[0040] 上記金属薄膜層は、 Cr、 Ni、 Au、 Ag、およびこれらの合金からなる群から選択される 1種以上の金属を含み、コストの点から Crおよび Zまたは Niがより好ましぐ環境汚染性の観点力も Niがさらに好ま、。 Crと Niはそれら自身が安定な酸ィ匕皮膜を形成するために、また、 Auと Agはそれら自身が酸ィ匕されにくいために、複合金属酸ィ匕物薄膜層の形成時における銅箔の酸ィ匕を抑制し、キャパシタの絶縁性の確保に寄与する。これ以外の金属、例えば SiO基板において酸ィ匕の抑制に多く使われている

2

Pt、 Ti、 Pdは、本発明のように銅箔上に形成した場合、複合金属酸化物薄膜層に割れが生じやすぐ信頼性の高いキャパシタを得ることが難しい。合金としては、 Cr、 Ni 、 Auまたは Ag力選ばれる少なくともひとつまたは複数の成分を合金中に 80重量 %以上含むものが好ましい。このような合金には、例えば Ni— P合金、 Ni— B合金、 Ni P - B合金、 Ni - Co合金、 Ni - Cr合金、 Ni - Cr~Al合金、 Ni - Cr Si合金、 Ag - Nd 合金がある。 Cr、 Ni、 Auまたは Ag力も選ばれる少なくともひとつまたは複数の成分の含有率が 80重量％未満の場合は、キャパシタの絶縁性を確保する効果が低くなるおそれがある。コストの点と形成の容易さの点力も Ni-P合金がより好ましい。

[0041] 金属薄膜層の厚さは、 50nm— 1 μ mの範囲が好ましぐ lOOnm— 800nmの範囲力り好ましい。厚さが 50nm未満では、絶縁性が低下する傾向があり、厚さが 1 m を超えると、コストの面で一般に不利である。金属薄膜層の厚さは薄膜層を集束ィォンビーム加工装置 (FIB)で掘削し、得られた断面を走査イオン顕微鏡 (SIM)で観察して測長することで計測できる。

[0042] 複合金属酸化物薄膜層の形成方法は、第二の層、第一の層とにかかわらず、例えば、ゾルーゲル法、スパッタ法、化学的気相堆積法 (CVD)が好適に用いられる。複合金属酸化物を所望の組成に調整しやす、点でゾルーゲル法がより好ま Uヽ。複合金属酸ィ匕物薄膜層の形成時における銅箔の酸ィ匕を抑制するために、形成温度は 40 0°C以下が好ましぐ 350°C以下がより好ましい。

[0043] 銅箔上への金属薄膜層の形成方法には、特に限定されないが、例えば、めっき法、蒸着法、スパッタ法などを好適に用いることができる。

[0044] 銅箔は、一般に用いられる銅箔であれば特に限定されず、例えば、耐熱や防鲭の目的で表面に Znやクロメートによる処理が施されているもの、接着性を向上するために表面が粗ィ匕されているもの、特性改善の目的でその他の元素、例えば Snを微量添加したものなど、いずれも好適に使用できる。銅箔の厚さは特に限定しないが、取り扱い性の点から 10 μ m— 100 μ mの厚さであることが好ましい。

[0045] 本発明の配線板用材料は、上記本発明の薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層が形成されていることをその特徴とするものである。絶縁材料層に用いる絶縁材料は、配線板用材料として公知のものを使用することができ、上記導体層は、例えば、めっき法、蒸着法、スパッタ法など、公知の金属層形成手段により形成することが可能である。

[0046] また、本発明の配線板は、上記本発明の薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体パターンが形成されていることを特徴とするものである。上記導体パターンは、例えば、めっき法、蒸着法、スパッタ法など、公知の金属層形成手段と公知のエッチング手段により形成することが可能である。

[0047] 本発明の電子部品用材料は、上記本発明の薄膜複合材料の、前記第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層の表面に導体層が形成されていることをその特徴とするものである。

[0048] また、本発明の電子部品は、上記本発明の薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層の表面にキャパシタ電極が形成されて、ることを特徴とするものである。絶縁材料層に用いる絶縁材料は、電子部品用材料として公知のものを使用することができる。キャパシタ電極は、例えば、めっき法、蒸着法、スパッタ法など、公知の金属層形成手段と公知のエッチング手段により形成することが可能である。

[0049] さらに、本発明の配線板用材料、配線板、電子部品用材料、および電子部品は、公知の接着剤、接着シートまたはプリプレダなどを用いて他の基板と接着して多層化することで、キャパシタ機能を備えた多層配線板や電子部品をとすることが可能である。また、さらに積層を繰り返すことで、キャパシタが内層に埋め込まれた多層配線板を提供することも可能である。

[0050] 次に本発明の薄膜複合材料のいくつかの形態、および本発明の配線板を図面を用いて説明する。

[0051] 図 1は、本発明に係る薄膜複合材料の一実施形態を模式的に示した断面図である。なお、ここで明記するが、本件明細書において使用した断面図は、あくまでも模式図であり、層構成が明確に把握できるように記載しているのであり、それゆえ図中の各層の厚さは現実の製品に対応したものではない。薄膜複合材料 1は、構成元素として Baおよび/または Srと、 Tiとを必須に含む第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層 2と、構成元素として Baおよび/または Srと、 Tiとを含むアモルファス複合金属酸ィ匕物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層 3と、金属薄膜層 4と、銅箔 5とを含んでいる。ここで第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層 2は、結晶領域 2aとアモルファス領域 2bとからなる。

[0052] 図 2は本発明に係る薄膜複合材料の別の実施形態を模式的に示した断面図である。第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層 6は、構成元素として Baおよび/または Srと、 Tiとを必須に含み、結晶領域とアモルファス領域とを含む複合金属酸化物薄膜層 6aと、構成元素として Baおよび/または Srと、 Tiとを含むアモルファス複合金属酸ィ匕物からなる別の複合金属酸化物薄膜層 6bとが積層されてなる。

[0053] 図 3は本発明に係る薄膜複合材料のさらに別の実施形態を模式的に示した断面図である。第二の複合金属酸化物薄膜層 7は、構成元素として Baおよび/または Srと、 Tiとを含み、結晶領域とアモルファス領域とを含む複合金属酸化物薄膜層 7aと、結晶領域とアモルファス領域とを含み、 7aとは構成元素および Zまたは組成の異なる別の複合金属酸化物薄膜層 7bと、 7aおよび 7bとは構成元素および Zまたは組成の異なるアモルファス複合金属酸化物からなる別の複合金属酸化物薄膜層 7cとが積層されてなる。

[0054] 図 4は本発明に係る薄膜複合材料を構成に含む配線板の一実施形態を模式的に示した断面図である。配線板 8は、本発明の薄膜複合材料 9と基板 10とが接着シート 11により積層されてなり、さらに、本発明の薄膜複合材料 9の第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層 9a上に、めっき法、蒸着法、スパッタ法、エッチングまたはこれらの組み合わせ等により形成された電極 12と、本発明の薄膜複合材料 9に含まれる銅箔 9dをェツチング等により加工して形成された、電極 12に対向する電極 13とを構成電極とするキャパシタを備えてなる。なお、第二の複合金属酸化物薄膜層 9a、第一の複合金属酸化物薄膜層 9b、および金属薄膜層 9cは、それらの不要な部分がエッチング等により除去されている。

[0055] 次に実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

[0056] (実施例 1)

Ba (OC H ) および Ti (0— i C H )を、 Baと Tiのモル比が 1： 1となるように、モレ

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キユラ一'シーブで脱水した 2—メトキシエタノールに溶解させて 0. 6Mの溶液を得た。次に、この溶液を攪拌しながら 120°Cで 18時間還流させて、複合金属アルコキシド： BaTi(OC H OCH ) の溶液 Aを得た。

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[0057] 次、で、溶液 Aの一部を、溶液濃度が 0. 2Mとなるように 2—メトキシエタノールで希釈した溶液 Bを得た。一方、溶液 Aの一部に、 Tiとのモル比が 1： 1となる水および 1： 0. 15となるアンモニアを加え、 100°Cで 3時間攪拌した後、 0. 2Mとなるように 2—メトキシエタノールで希釈した結晶性の金属酸ィ匕物粒子を含む溶液 Cを得た。この 0. 2 Mに調製した 2種の溶液 Bおよび溶液 Cを体積比で 1： 1となるように混合して溶液 D ( 複合金属アルコキシドィ匕合物の総和 Z結晶性の金属酸ィ匕物粒子 = 50mol%Z50 mol%)を得た。

[0058] 一方、 10cm X 10cmの大きさの厚さ 70 mの銅箔 (例えば、三井金属鉱業 (株)製 3EC-VLP-70)の光沢面側に、スパッタ法により厚さ 500nmの Ni薄膜層を形成して、 Ni薄膜層付の銅箔を得た。

[0059] 次に、この Ni薄膜層付の銅箔の Ni薄膜層側に、溶液 Bをスピンコートした。 350°C のホットプレート上で 4分間乾燥後、再び溶液 Bをスピンコートし同様に乾燥することで第一の複合金属酸化物層を形成した。さらに、当該第一の複合金属酸化物層上に溶液 Dをスピンコートし同様に乾燥する操作を 8回繰り返すことで、第二の複合金属酸化物層を形成した。その後、 350°Cのホットプレート上で 2時間焼成し、薄膜複合材料 1を得た。

[0060] (比較例 1)

銅箔の表面に形成した金属薄膜層の種類を Niから Ptに変えて、その他は実施例 1 と同様にして薄膜複合材料 2を得た。

[0061] (比較例 2)

銅箔の表面に Ni薄膜層を形成しな、で直接溶液 Bをスピンコートして、その他は実施例 1と同様にして薄膜複合材料 3を得た。

[0062] (比較例 3)

溶液 Bのスピンコートを省、て、その他は実施例 1と同様にして薄膜複合材料 4を得た。

[0063] (実施例 2)

銅箔の表面に Ni薄膜層の代わりに Cr薄膜を 50nm形成して、その他は実施例 1と同様にして薄膜複合材料 5を得た。

[0064] (実施例 3)

溶液 Bのスピンコート回数を 2回から 6回に変えて、その他は実施例 1と同様にして薄膜複合材料 6を得た。

[0065] (実施例 4)

溶液 Dのスピンコート回数を 8回から 24回に変えて、その他は実施例 1と同様にして薄膜複合材料 7を得た。

[0066] (実施例 5)

Sr (OC H ) および Ti(0— i C H )を、 Srと Tiのモル比が 1： 1となるように、モレキユラ一'シーブで脱水した 2—メトキシエタノールに溶解させて 0. 6Mの溶液を得た。次に、この溶液を攪拌しながら 120°Cで 18時間還流させて、複合金属アルコキシド： SrTi (OC H OCH ) の溶液 Eを得た。

2 4 3 6

[0067] 次、で、溶液 Eの一部を、溶液濃度が 0. 2Mとなるように 2—メトキシエタノールで希釈した溶液 Fを得た。一方、溶液 Eの一部に、 Tiとのモル比が 1： 1となる水および 1 : 0 . 15となるアンモニアをカ卩え、 100°Cで 3時間攪拌した後、 0. 2Mとなるように 2—メトキシエタノールで希釈した結晶性の金属酸ィ匕物粒子を含む溶液 Gを得た。この 0. 2 Mに調製した 2種の溶液 Fおよび溶液 Gを体積比で 1： 1となるように混合して溶液 H を得た。（複合金属アルコキシド化合物の総和 Z結晶性の金属酸ィ匕物粒子 = 50 mol%/50mol%)

一方、 10cm X 10cmの大きさの厚さ 70 mの銅箔 (例えば、三井金属鉱業 (株)製 3EC-VLP-70)の光沢面側に、スパッタ法により厚さ 500nmの Ni薄膜層を形成して、 Ni薄膜層付の銅箔を得た。

[0068] 次に、この Ni薄膜層付の銅箔の Ni薄膜層側に、溶液 Fをスピンコートした。 350°C のホットプレート上で 4分間乾燥後、再び溶液 Fをスピンコートし同様に乾燥することで第一の複合金属酸化物層を形成した。さらに、当該第一の複合金属酸化物層上に溶液 Hをスピンコートし同様に乾燥する操作を 8回繰り返すことで、第二の複合金属酸化物層を形成した。その後、 350°Cのホットプレート上で 2時間焼成し、薄膜複合材料 8を得た。

[0069] (実施例 6)

Ba (OC H ) および Sr (OC H ) および Ti (0— i C H )を、 Baと Srと Tiのモル比

2 5 2 2 5 2 3 7 4

が 1： 1： 2となるように、モレキュラー'シーブで脱水した 2—メトキシエタノールに溶解させて 0. 6Mの溶液を得た。次に、この溶液を攪拌しながら 120°Cで 18時間還流させて、複合金属アルコキシド： Ba Sr Ti (OC H OCH ) の溶液 Iを得た。

0. 5 0. 5 2 4 3 6

[0070] 次、で、溶液 Iの一部を、溶液濃度が 0. 2Mとなるように 2—メトキシエタノールで希釈した溶 ¾Jを得た。一方、溶液 Iの一部に、 Tiとのモル比が 1： 1となる水および 1 : 0. 15となるアンモニアをカ卩え、 100°Cで 3時間攪拌した後、 0. 2Mとなるように 2—メトキシエタノールで希釈した結晶性の金属酸ィ匕物粒子を含む溶液 Kを得た。この 0. 2M に調製した 2種の溶銜および溶液 Kを体積比で 1： 1となるように混合して溶液 L (複合金属アルコキシドィ匕合物の総和 Ζ結晶性の金属酸ィ匕物粒子 = 50mol%Z50mol%) を得た。

[0071] 一方、 10cm X 10cmの大きさの厚さ 70 mの銅箔 (例えば、三井金属鉱業 (株)製 3EC-VLP-70)の光沢面側に、スパッタ法により厚さ 500nmの Ni薄膜層を形成して、 Ni薄膜層付の銅箔を得た。

[0072] 次に、この Ni薄膜層付の銅箔の Ni薄膜層側に、溶銜をスピンコートした。 350°C のホットプレート上で 4分間乾燥後、再び溶銜をスピンコートし同様に乾燥することで第一の複合金属酸化物層を形成した。さらに、当該第一の複合金属酸化物層上に溶液 Lをスピンコートし同様に乾燥する操作を 8回繰り返すことで、第二の複合金属酸化物層を形成した。その後、 350°Cのホットプレート上で 2時間焼成し、薄膜複合材料 9を得た。

[0073] (実施例 7)

銅箔の表面に Ni薄膜層の代わりにめつき法 (例えば、奥野製薬工業 (株)製 ICP二コロン Uを用いた無電解めつき）により Ni含有率が 93重量％の Ni— P薄膜を 600nm 形成した他は、実施例 6と同様にして薄膜複合材料 10を得た。

[0074] 上記のようにして得た薄膜複合材料 1一 10のそれぞれの複合金属酸ィ匕物薄膜層側の表面に、 1mm X lmmの大きさの上部電極を Auの蒸着により形成した。また、この上部電極の近傍の複合金属酸ィ匕物薄膜層および金属薄膜層をダイヤモンドペンで削って銅箔を露出させ、これを下部電極とした。ついで、上部電極と下部電極との間の静電容量をキャパシタの静電容量とみなし、その容量を測定した。静電容量の測定は、アジレント'テクノロジ一社製 4285A型プレシジョン 'LCRメータを用いて、 2 5°Cにおける周波数 1MHzでの値を測定した。それぞれ 30箇所の上部電極および下部電極の組を作製し、測定した。

[0075] また、薄膜複合材料 1一 10のそれぞれを集束イオンビーム加工装置 (FIB)を用いて掘削し、露出した断面を走査イオン顕微鏡により観察して、薄膜複合材料中の複合金属酸化物薄膜層および金属薄膜層の厚さを測長した。複合金属酸化物薄膜層の断面について、さらに透過型電子顕微鏡 (TEM)を用いて暗視野像を観察し、結晶領域の有無を観察した。

それぞれの結果をまとめて表 1に示す。

[表 1]

[0077] 表 1の中で、歩留まりとは、それぞれに 30個作成したキャパシタのうち、静電容量の測定が可能であったものの数を示す。また、静電容量は測定が可能だったキャパシタの平均値を示す。

[0078] 表 1から明らかなように、本発明による実施例（薄膜複合材料 1、 5、 6、 7、 8, 9、 10 )ではいずれも静電容量の大きなキャパシタが得られた。比較例 1 (薄膜複合材料 2) では金属薄膜層に複合金属酸化物薄膜層に割れが発生し、キャパシタを形成することができな力た。比較例 2 (薄膜複合材料 3)では金属薄膜層を形成しな力たために、絶縁性が低く静電容量が測定できなカゝつた。比較例 3 (薄膜複合材料 4)ではァモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物層を形成しなかったために、絶縁性が低く歩留まりが悪かった。

[0079] (実施例 8)

前記実施例 1の薄膜複合材料 1を用いて配線板を作製した。薄膜複合材料 1の銅箔側と銅張り積層板（日立化成工業 (株)製 MCL-BE-67G (Η) )を接着シート (日立化成工業 (株)製 GF— 3600)を用いて接着し、多層板 Μを得た。接着条件は、高温真空プレス中、温度 175°C、圧力 IMPaで 1時間圧着した。ついで、多層板 Mの、薄膜複合材料 1の第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層側の表面に無電解 Ni— Pめっき〖こより Ni-P薄膜層を厚さ 0. 5 m形成し、次いでそれを給電層として電気 Cuめっきにより Cu厚膜を厚さ 20 m形成した。次に、フォトリソグラフ法によりアルカリ現像型レジスト（日立化成工業 (株)製 H - 9040)を形成し、 10重量％塩化第二鉄水溶液により Cu厚膜および Ni— P薄膜層をエッチングしてキャパシタの上部電極を形成した。レジストを 5重量％水酸ィ匕ナトリウム水溶液により剥離した後、再度フォトリソグラフ法によりアルカリ現像型レジストを形成し、 0. 1Mのエチレンジァミン四酢酸'ニナトリウム塩 (EDTA' 2Na)を加えた 30重量％過酸化水素水により第一および第二の複合金属酸化物薄膜層をエッチングした。レジストを 5重量％水酸ィ匕ナトリゥム水溶液により剥離した後、再度フォトリソグラフ法によりアルカリ現像型レジストを形成し、 10重量％塩ィ匕第二鉄水溶液により Ni薄膜層および銅箔をエッチングしてキャパシタの下部電極および配線層を形成した。レジストを 5重量％水酸ィ匕ナトリウム水溶液により剥離して、キャパシタを備えた多層配線板を得た。

[0080] このキャパシタの静電容量を、アジレント'テクノロジ一社製 4285A型プレシジョン' LCRメータを用いて、 25°Cにおける周波数 1MHzで測定した。 30個のキャパシタについて全数の測定が可能であり、その平均値は 720pFであった。

[0081] (実施例 9)

前記実施例 6の薄膜複合材料 9を用いて配線板を作製した。薄膜複合材料 9の第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層側の表面に無電解 Ni— Pめっきにより Ni— P薄膜層を厚さ 0. 形成し、次いでそれを給電層として電気 Cuめっきにより Cu厚膜を厚さ 20 IX m形成した。ついで、薄膜複合材料 9の銅箔側と銅張り積層板（日立化成工業 (株 )製 MCL - BE— 67G (H) )を接着シート (日立化成工業 (株)製 GF - 3600)を用いて接着し、多層板 Nを得た。接着条件は、高温真空プレス中、温度 175°C、圧力 IMPa で 1時間圧着した。次に、フォトリソグラフ法によりアルカリ現像型レジスト（日立化成工業 (株)製 H-9040)を形成し、 10重量％塩ィ匕第二鉄水溶液により Cu厚膜および Ni— P薄膜層をエッチングしてキャパシタの上部電極を形成した。レジストを 5重量％水酸ィ匕ナトリウム水溶液により剥離した後、再度フォトリソグラフ法によりアルカリ現像型レジストを形成し、 0. 1Mのエチレンジァミン四酢酸'ニナトリウム塩（EDTA' 2Na )を加えた 30重量％過酸化水素水により第一および第二の複合金属酸化物薄膜層をエッチングした。レジストを 5重量％水酸ィ匕ナトリウム水溶液により剥離した後、再度フォトリソグラフ法によりアルカリ現像型レジストを形成し、 10重量％塩化第二鉄水溶液により Ni薄膜層および銅箔をエッチングしてキャパシタの下部電極および配線層を形成した。レジストを 5重量％水酸ィ匕ナトリウム水溶液により剥離して、キャパシタを備えた多層配線板を得た。

[0082] このキャパシタの静電容量を、アジレント'テクノロジ一社製 4285A型プレシジョン' LCRメータを用いて、 25°Cにおける周波数 1MHzで測定した。 30個のキャパシタのうち 29個の測定が可能であり、その平均値は 895pFであった。

[0083] 前述したところが、この発明の好ましい実施態様であること、多くの変更及び修正をこの発明の精神と範囲とにそむくことなく実行できることは当業者によって了承されよ

5o

Claims

請求の範囲

[1] 銅箔、

前記銅箔の一方の表面に形成され、 Cr、 Ni、 Au、 Ag、およびこれらの合金からなる群力選択される 1種以上の金属を含む金属薄膜層、

前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Tiとを含むアモルファス複合金属酸ィ匕物力なる第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび Z または Srと、 Tiとを含む結晶性複合金属酸ィ匕物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、

を有することを特徴とする薄膜複合材料。

[2] 前記金属薄膜層の厚さが 50nm—： L mの範囲であることを特徴とする請求項 1に記載の薄膜複合材料。

[3] 前記第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さが lOnm— 200nmの範囲であることを特徴とする請求項 1または 2に記載の薄膜複合材料。

[4] 前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さとの和が 30nm— 2 μ mの範囲であることを特徴とする請求項 1一 3のいずれかに記載の薄膜複合材料。

[5] 前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Ti とを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項 1一 4の V、ずれかに記載の薄膜複合材料。

[6] 銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、 Cr、 Ni、 Au、 Ag、およびこれらの合金からなる群から選択される 1種以上の金属を含む金属薄膜層、前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび/または Srと、 Tiとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Tiとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、を有する薄膜複合材料の、前記銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層が形成されていることを特徴とする配線板用材料。

[7] 前記金属薄膜層の厚さが 50nm—: L mの範囲であることを特徴とする請求項 6に記載の配線板用材料。

[8] 前記第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さが lOnm— 200nmの範囲であることを特徴とする請求項 6または 7に記載の配線板用材料。

[9] 前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さとの和が 30nm— 2 μ mの範囲であることを特徴とする請求項 6— 8のいずれかに記載の配線板用材料。

[10] 前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Ti とを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項 6— 9の V、ずれかに記載の配線板用材料。

[11] 銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、 Cr、 Ni、 Au、 Ag、およびこれらの合金からなる群から選択される 1種以上の金属を含む金属薄膜層、前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび/または Srと、 Tiとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Tiとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、を有する薄膜複合材料の、前記銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体パターンが形成されていることを特徴とする配線板

[12] 前記金属薄膜層の厚さが 50nm—: L mの範囲であることを特徴とする請求項 11 に記載の配線板。

[13] 前記第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さが lOnm— 200nmの範囲であることを特徴とする請求項 11または 12に記載の配線板。

[14] 前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さとの和が 30nm— の範囲であることを特徴とする請求項 11一 13のいずれかに記載の配線板。

[15] 前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Ti とを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項 11一 14 の!、ずれかに記載の配線板。

[16] 銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、 Cr、 Ni、 Au、 Ag、およびこれらの合金からなる群から選択される 1種以上の金属を含む金属薄膜層、前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび/または Srと、 Tiとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Tiとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、を有する薄膜複合材料の、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層が形成されて V、ることを特徴とする電子部品用材料。

[17] 前記金属薄膜層の厚さが 50nm—: L mの範囲であることを特徴とする請求項 16 に記載の電子部品用材料。

[18] 前記第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さが lOnm— 200nmの範囲であることを特徴とする請求項 16または 17に記載の電子部品用材料。

[19] 前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さとの和が 30nm— 2 μ mの範囲であることを特徴とする請求項 16— 18のいずれかに記載の電子部品用材料。

[20] 前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Ti とを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項 16— 19 の!ヽずれかに記載の電子部品用材料。

[21] 銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、 Cr、 Ni、 Au、 Ag、およびこれらの合金からなる群から選択される 1種以上の金属を含む金属薄膜層、前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび/または Srと、 Tiとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に形成され、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Tiとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、を有する薄膜複合材料の、前記銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面にキャパシタ電極が形成されていることを特徴とする電子部品。

[22] 前記金属薄膜層の厚さが 50nm—: L mの範囲であることを特徴とする請求項 21 に記載の電子部品。

[23] 前記第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さが lOnm— 200nmの範囲であることを特徴とする請求項 21または 22に記載の電子部品。

[24] 前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さとの和が 30nm— 2 μ mの範囲であることを特徴とする請求項 21— 23のいずれかに記載の電子部品。

[25] 前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Ti とを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項 21— 24 のいずれかに記載の電子部品。

[26] 銅箔の一方の表面に、 Cr、 Ni、 Au、 Ag、およびこれらの合金からなる群から選択される 1種以上の金属を含む金属薄膜層を形成する工程、

前記金属薄膜層表面に、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Tiとを含むァモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、ならびに

前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に構成元素として Baおよび Zまたは Srと、Tiとを含む結晶性複合金属酸ィ匕物を少なくとも含む第二の複合金属酸ィ匕物薄膜層を形成する工程、を含み、少なくとも前記第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程にぉヽて、 400°C以下で熱処理を行うことを特徴とする薄膜複合材料の製造法。

[27] 前記金属薄膜層の厚さを 50nm—: L mの範囲に形成することを特徴とする請求項

26に記載の薄膜複合材料の製造法。

[28] 前記第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さを lOnm— 200nmの範囲に形成することを特徴とする請求項 26または 27に記載の薄膜複合材料の製造法。

[29] 前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さの合計力 30nm— 2 mの範囲となるようにそれぞれを形成することを特徴とする請求項 26— 28のいずれかに記載の薄膜複合材料の製造法。

[30] 前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Ti とを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項 26— 29 の!、ずれかに記載の薄膜複合材料の製造法。

[31] 銅箔の一方の表面に、 Cr、 Ni、 Au、 Ag、およびこれらの合金からなる群から選択される 1種以上の金属を含む金属薄膜層を形成する工程、

前記金属薄膜層表面に、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Tiとを含むァモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に、構成元素として Baおよび Zまたは Sr と、 Tiとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、

前記銅箔の他方の表面に絶縁材料層を形成する工程、ならびに

前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層を形成する工程、

を含み、少なくとも前記第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程において、 40

0°C以下で熱処理を行うことを特徴とする配線板用材料の製造法。

[32] 前記金属薄膜層の厚さを 50nm—: L mの範囲に形成することを特徴とする請求項

31に記載の配線板用材料の製造法。

[33] 前記第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さを lOnm— 200nmの範囲に形成することを特徴とする請求項 31または 32に記載の配線板用材料の製造法。

[34] 前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さの合計力 30nm— 2 mの範囲となるようにそれぞれを形成することを特徴とする請求項 31— 33のいずれかに記載の配線板用材料の製造法。

[35] 前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Ti とを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項 31— 34 の!、ずれかに記載の配線板用材料の製造法。

[36] 銅箔の一方の表面に、 Cr、 Ni、 Au、 Ag、およびこれらの合金からなる群から選択される 1種以上の金属を含む金属薄膜層を形成する工程、

前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体パターンを形成する工程、を含み、少なくとも前記第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程において、 40 0°C以下で熱処理を行うことを特徴とする配線板の製造法。

[37] 前記金属薄膜層の厚さを 50nm—: L mの範囲に形成することを特徴とする請求項

36に記載の配線板の製造法。

[38] 前記第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さを 10nm— 200nmの範囲に形成することを特徴とする請求項 36または 37に記載の配線板の製造法。

[39] 前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さの合計力 30nm— 2 mの範囲となるようにそれぞれを形成することを特徴とする請求項 36— 38のいずれかに記載の配線板の製造法。

[40] 前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Ti とを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項 36— 39 の!、ずれかに記載の配線板の製造法。

[41] 銅箔の一方の表面に、 Cr、 Ni、 Au、 Ag、およびこれらの合金からなる群から選択される 1種以上の金属を含む金属薄膜層を形成する工程、

前記金属薄膜層表面に、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Tiとを含むァモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に、構成元素として Baおよび Zまたは Sr と、 Tiとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、ならびに

を含み、少なくとも前記第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程において、 40 0°C以下で熱処理を行うことを特徴とする電子部品用材料の製造法。

[42] 前記金属薄膜層の厚さを 50nm—: L mの範囲に形成することを特徴とする請求項 41に記載の電子部品用材料の製造法。

[43] 前記第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さを lOnm— 200nmの範囲に形成することを特徴とする請求項 41または 42に記載の電子部品用材料の製造法。

[44] 前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さの合計力 30nm— 2 mの範囲となるようにそれぞれを形成することを特徴とする請求項 41一 43のいずれかに記載の電子部品用材料の製造法。

[45] 前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Ti とを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項 41一 44 の!、ずれかに記載の電子部品用材料の製造法。

[46] 銅箔の一方の表面に、 Cr、 Ni、 Au、 Ag、およびこれらの合金からなる群から選択される 1種以上の金属を含む金属薄膜層を形成する工程、

前記導体層の不要な箇所をエッチング除去してキャパシタ電極を形成する工程、を含み、少なくとも前記第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程において、 40

0°C以下で熱処理を行うことを特徴とする電子部品の製造法。

[47] 前記金属薄膜層の厚さを 50nm— 1 mの範囲に形成することを特徴とする請求項

46に記載の電子部品の製造法。

[48] 前記第一の複合金属酸ィ匕物薄膜層の厚さを lOnm— 200nmの範囲に形成することを特徴とする請求項 46または 47に記載の電子部品の製造法。

[49] 前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さの合計力 30nm— 2 mの範囲となるようにそれぞれを形成することを特徴とする請求項 46— 48のいずれかに記載の電子部品の製造法。前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素として Baおよび Zまたは Srと、 Ti とを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項 46— 49 の!、ずれかに記載の電子部品の製造法。