WO2005059051A1 - 低屈折率及び大きい水接触角を有する被膜 - Google Patents

低屈折率及び大きい水接触角を有する被膜 Download PDF

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WO2005059051A1
WO2005059051A1 PCT/JP2004/018922 JP2004018922W WO2005059051A1 WO 2005059051 A1 WO2005059051 A1 WO 2005059051A1 JP 2004018922 W JP2004018922 W JP 2004018922W WO 2005059051 A1 WO2005059051 A1 WO 2005059051A1
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silicon compound
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mol
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PCT/JP2004/018922
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Yoshihiro Tani
Kenichi Motoyama
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Nissan Chemical Industries, Ltd.
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    • C09D5/1662—Synthetic film-forming substance
    • C09D5/1675—Polyorganosiloxane-containing compositions

Definitions

  • the present invention relates to an improvement in a film formed on a substrate from a polymer solution of an alkoxy group-containing silicon compound.
  • the present invention relates to a method in which a coating film made of a polysiloxane solution obtained by co-condensing an alkoxy group-containing silicon compound having a specific composition in the absence of water is heat-cured on the surface of a base material.
  • the present invention relates to a film formed in close contact with a material surface and having a low refractive index and a large water contact angle.
  • a solution obtained by adding tetraalkoxysilane or the like to improve the film strength is used as a coating solution, which is applied to a glass substrate such as a cathode ray tube, and heat-treated at 100 to 500 ° C. to form a coating solution on the substrate.
  • a method for forming an antireflection film having a low refractive index is disclosed (see Patent Document 1).
  • Hydrolytic condensation polymers such as tetraalkoxysilane, methyltrialkoxysilane, and ethyltrialkoxysilane, and two or more kinds having different average molecular weights are mixed with a solvent such as an alcohol to form a coating solution.
  • a film is prepared by adding means such as control of the mixing ratio and the relative humidity during the above mixing, and the film is heated to obtain a refractive index of 1.21-1.40.
  • a low-reflection glass in which a micropit having a diameter of 50 to 200 nm or a thin film having a thickness of 60 to 160 nm having irregularities is formed on a glass substrate is disclosed (see Patent Document 2).
  • a fluorosilicone compound having a fluorocarbon chain and 5-90% by weight of a silane coupling agent such as Si (OCH) are mixed in an alcohol solvent in the presence of a catalyst such as acetic acid.
  • a method comprising preparing a liquid of a co-condensate by hydrolyzing at room temperature and then filtering the solution, applying the liquid on the lower film, and heating at 120 to 250 ° C. is described ( See Patent Document 3.).
  • the mixture was heated at 40 180 ° C. in the absence of water to form a solution of polysiloxane, a coating solution containing the solution was applied to the surface of the substrate, and the coating was applied to the substrate.
  • a film having a refractive index of 1.28-1.38 and a water contact angle of 90-115 degrees is described by applying a thermosetting at ° C to the surface of the base material. See Reference 4.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 05-105424
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 06-157076
  • Patent Document 3 JP-A-61-010043
  • Patent Document 4 JP-A-09-208898
  • the film has poor mechanical strength and poor adhesion to the substrate as well as MgF
  • This coating consisting essentially of 2 does not exhibit a refractive index of less than 1.38 and does not exhibit sufficient antireflection properties depending on the type of substrate.
  • the method described in Patent Document 2 involves considerable complexity in the production and compounding of condensates having different molecular weights, and further requires control of relative humidity and film surface irregularities during film formation. The method is not practical.
  • Either the coating described in Patent Document 1 or the coating described in Patent Document 2 has a surface having a higher water repellency on its surface in order to prevent the surface from being soiled or immediately in use during use. 2.
  • a coating agent such as an antifouling agent made of a fluorine-containing compound has been used.
  • the coating described in Patent Document 4 has high hardness and water repellency when used for a plastic film having an uneven surface, such as a hard coated triacetyl cellulose (TAC) film subjected to an anti-glare treatment.
  • a high-reflection coating is formed, but when the surface is formed into a smooth film such as a TAC film with a clear hard coat, the hardness is insufficient.
  • the present invention intends to provide a method for forming an improved film on a substrate in a simple and efficient manner. It is intended to provide a coating having a refractive index, a water contact angle of 90 to 115 degrees, and being formed in close contact with the surface of the substrate.
  • the film of the present invention has the formula (1)
  • R represents an alkyl group having 115 carbon atoms
  • A silicon compound represented by the formula (2):
  • R 1 represents an alkyl group having 115 carbon atoms, and n represents an integer of 113
  • R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 11 12 carbon atoms (the alkyl group is an alkyl group having 113 carbon atoms, a hydroxy group having 113 carbon atoms) Group alkyl, alkoxyalkyl group having 2 to 6 carbon atoms, hydroxyalkoxyalkyl group having 2 to 6 carbon atoms, and alkoxyalkoxyalkyl group having 36 carbon atoms May be arbitrarily substituted with one or more substituents of the same kind or different kinds.).
  • the reaction mixture While maintaining the Si ⁇ concentration and maintaining the absence of water, the reaction mixture is kept at 50-180 ° C until the total remaining amount of the silicon compound (A) and the silicon compound (B) is 5 mol% or less.
  • To generate a solution of the resulting polysiloxane and then apply the coating solution containing the solution of the polysiloxane. It is applied to the substrate surface, and the coating film obtained by this application is heat-cured at 80 to 450 ° C to form an intimate contact with the substrate surface, and the coating film is obtained as 1.28-1. It has a refractive index of 38 and a water contact angle of 90-115 degrees.
  • the above polysiloxane solution is transparent and does not contain gel-like polysiloxane.
  • a large amount of alcohol (C) and a relatively large amount of oxalic acid (D) coexist. Since the silicon compound (A) and the silicon compound (B) are heated in a reaction mixture in which no water exists, this polysiloxane is used. Is not produced by condensation of a hydrolyzate of the silicon compound (A) and the silicon compound (B).
  • the reaction mixture according to the present invention is liable to become turbid as the hydrolysis proceeds or to form heterogeneous polysiloxane. Then that does not happen.
  • the above-mentioned polysiloxane according to the present invention has a complicated chemical structure and is difficult to identify, but it is probably formed by the reaction of silicon compound (A) and silicon compound (B) with oxalic acid (D). Alcohol (c) acts on the interstitial body to promote polymerization, so even if it has a branched structure
  • the volatile components are removed from the coating film and the curing reaction of the polysiloxane proceeds in the coating film, whereby An insoluble film is formed that adheres to the substrate surface and has a low refractive index and water repellency.
  • the film of the present invention shows the upper layer film despite being formed from a coating solution having a low silicon compound (B) content. It has a refractive index lower than the refractive index.
  • the polysiloxane solution used for forming the coating film of the present invention has stability enough to withstand storage at room temperature for about 6 months, and therefore can be provided as an industrial product.
  • the coating of the present invention can be easily obtained by a step of applying a coating solution containing a solution of this industrial product to the surface of a substrate and a step of thermally curing the coating.
  • the substrate By forming the coating of the present invention on the surface of a substrate having a refractive index higher than that of the coating of the present invention, for example, ordinary glass, the substrate can be easily made to have an antireflection property. It can be converted to a substrate.
  • the thickness of the coating of the present invention can be adjusted by the thickness of the coating, it can be easily adjusted by adjusting the SiO concentration of the coating solution.
  • the coating of the present invention is effective when used as a single coating on the surface of a substrate, but can also be used as an upper coating on a lower coating having a high refractive index.
  • the coating of the present invention can be applied to a glass cathode ray tube, a computer display, a mirror having a glass surface, a glass showcase, and other various product surfaces for which anti-reflection of light is desired.
  • the coating of the present invention has high hardness and excellent scratch resistance, has practically sufficient antifouling properties, and can be formed by firing at a low temperature of about 100 ° C. It is particularly useful for antireflection films.
  • Examples of the alkyl group R contained in the formula (1) include methyl, ethyl, propyl, butynole, and pentyl.
  • Preferred examples of the silicon compound (A) include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, tetrabutoxysilane and the like. Among them, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane and the like are particularly preferable.
  • Examples of the alkyl group R 1 contained in the above formula (2) include methyl, ethyl, propyl, butynole, pentyl and the like.
  • Preferred examples of the silicon compound (B) include 1,1-bis (trimethoxysilylethyl) perfluoromethane, 1,1_bis (triethoxysilylethyl) perfluoromethane, and 1,2_bis (Trimethoxysilylethyl) perfluoroethane, 1,2-bis (triethoxysilylethyl) perfluoroethane, 1,3_bis (trimethoxysilylethyl) perfluoropropane, 1,3_bis (triethoxysilinolethienole) perfluoropropane, 1,4_bis (trimethoxysilylethyl) perfluorobutane, 1,4_bis (triethoxysilylethyl) perfluorob 1,5_bis (trimethoxysily
  • Examples of the unsubstituted alkyl group R 2 contained in the above formula (3) include methyl, ethyl, propyl Examples include ole, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, and octyl. And examples of the alkyl group R 2 having a substituent, hydroxymethyl, methoxymethyl, Etokishimechi Honoré, hydroxy E chill, Metokishechiru, Etokishechiru, methoxyethoxymethyl, etc. Etoki Shetokishimechiru the like.
  • Examples of preferred alcohols (C) include methanolone, ethanolanol, propanolone, n-butanol, ethylene glycolone monomethinoleate, ethylene glycolone monoethylenateate, diethyleneglyconele monomethineleate, diethylene glycol monolate. And the like, and these can be used alone or in combination of two or more. Of these, methanol and ethanol are particularly preferred.
  • the obtained polysiloxane-containing liquid cannot be used. No hard film is formed.
  • the resulting polysiloxane-containing liquid will have a relative Contains a large amount of oxalic acid (D) Cannot be obtained. It is particularly preferable to use 0.25 to 1 mol of oxalic acid (D) based on 1 mol of all alkoxy groups contained in the silicon compound (A) and the silicon compound (B).
  • silicon compound (A) 1 Alkylalkoxysilane as the modifier (E) may be used in an amount of about 0.02 to 0.2 mol per mol.
  • Examples of preferred modifying agents (E) include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, butyltrimethoxysilane, butyl Triethoxysilane, pentyltrimethoxysilane, pentyltriethoxysilane, heptyltrimethoxysilane, heptyltriethoxysilane, octyltrimethoxysilane, octyltriethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, dodecyltriethoxysilane, hexadecyltrimethoxysilane , Hexadecynoretriethoxysilane, octadecyltrimethoxysilane
  • These modifiers ( ⁇ ) can lower the temperature for curing the coating film on the substrate, and improve the adhesion of the coating film to the substrate.
  • the reaction mixture containing the silicon compound ( ⁇ ), the silicon compound ( ⁇ ), the alcohol (C) and the oxalic acid (D) can be prepared by mixing these or by further adding the above modifier ( ⁇ ). Can be formed. No water is added to the reaction mixture.
  • the reaction mixture is preferably heated as a reaction mixture in the form of a solution.For example, an alcohol solution of oxalic acid is formed by adding oxalic acid (D) to alcohol (C) in advance.
  • the solution and silicon It is preferable to heat the mixture as a liquid reaction mixture obtained by mixing the compound (A), the silicon compound (B), the modifier (E) and the like. Normally, the reaction mixture of the silicon compound (A), the silicon compound (B), the alcohol (C) and the oxalic acid (D) in the above ratio is 0.5 to 10% by weight when the silicon atoms contained therein are converted into Si ⁇ . % Si ⁇ concentration.
  • the above denaturing agent (A), the silicon compound (B), the alcohol (C) and the oxalic acid (D) in the above ratio is 0.5 to 10% by weight when the silicon atoms contained therein are converted into Si ⁇ . % Si ⁇ concentration.
  • the above denaturing agent (A), the silicon compound (B), the modifier (E) and the like Normally, the reaction mixture of the silicon compound (A), the silicon compound (B), the alcohol (C) and the oxalic acid (D) in the above ratio is 0.5 to 10% by weight when the silicon atoms contained therein are
  • the modifier (E) is contained so as to have a Si ⁇ concentration of 5-10% by weight. During the heating of these reaction mixtures, these reaction mixtures maintain the above-mentioned Si ⁇ concentration and the absence of water. This heating can be performed at a liquid temperature of 50 ° C. or 180 ° C. in a usual reactor, and preferably, for example, in a closed vessel or under reflux so as not to evaporate or volatilize the liquid from the reactor. Done.
  • the silicon compound (A) 1 is mixed with the silicon compound (F) such that the total amount of the silicon compound (B) and the fluoroalkyl group-containing alkoxysilane (F) is about 0.05 to 0.43 monol per mole. It may be used together with B).
  • fluoroalkoxy group-containing alkylalkoxysilane examples include trifluoropropyltrimethoxysilane, trifluoropropyltriethoxysilane, tridecafluorooctyltrimethoxysilane, tridecafluorooctyltriethoxysilane, and heptaalkyl. Decafluorodecyltrimethoxysilane, heptadecafluorodecyltriethoxysilane and the like can be mentioned, and these can be used alone or in combination of two or more.
  • These fluoroalkyl group-containing alkylalkoxysilanes (F) can suppress an excessive copolymerization reaction comprising the silicon compound (A) and the silicon compound (B), and provide a polysiloxane solution that can be stored for a long time.
  • the reaction mixture containing the silicon compound (A), the silicon compound (B), the alcohol (C) and the oxalic acid (D) may be mixed with each other, or may be further added thereto with the fluoroalkyl group-containing alkylalkoxysilane. It can be formed by adding (F). No water is added to the reaction mixture. This reaction mixture is preferably heated as a reaction mixture in the form of a solution.
  • oxalic acid (D) is added to alcohol (C) in advance to form an alcohol solution of oxalic acid.
  • the solution is heated as a solution reaction mixture obtained by mixing the silicon compound (A), the silicon compound (B), the above-mentioned alkylalkoxysilane containing a fluoroalkyl group (F), and the like.
  • the reaction mixture of the silicon compound (A), the silicon compound (B), the alcohol (C) and the oxalic acid (D) in the above-mentioned ratio is 0.510 wt. % SiO concentration.
  • the above-mentioned fluorine-containing compound is used so that the silicon atom contained therein has a SiO concentration of 0.510% by weight in terms of Si ⁇ .
  • the alkyl group-containing alkylalkoxysilane (F) is contained.
  • the heating for forming the polysiloxane is performed at a temperature lower than 50 ° C, a turbidity or a liquid containing insoluble matter is easily generated, and thus the heating is performed at a temperature higher than 50 ° C.
  • the higher the temperature the shorter the time.
  • heating at temperatures above 180 ° C is inefficient and does not provide additional benefits.
  • There is no particular limitation on the heating time For example, about 8 hours at 50 ° C and about 3 hours under reflux at 78 ° C are sufficient.
  • the total charge of the silicon compound (A) and the silicon compound (B) is sufficient.
  • the remaining amount of these silicon compounds becomes less than 3 ⁇ 4 mol%, the heating is stopped.
  • the polysiloxane-containing liquid in which more than 5 mol% of the silicon compound (A) and the silicon compound (B) remain based on the total amount of the silicon compound (A) and the silicon compound (B) used is applied to the substrate surface, When heat-cured at 80-450 ° C, pinholes are formed in the obtained coating or a coating having sufficient hardness cannot be obtained.
  • the polysiloxane solution obtained by the above heating can be used as it is as a coating liquid in the next coating step, but if necessary, the liquid obtained by concentration or dilution can be used as a coating liquid.
  • the solution obtained by substituting the solvent with the above solvent can be used as a coating solution or a coating solution obtained by mixing with a desired additive (G).
  • the additive (G) include silica sol, which is in the form of a sol of colloidal inorganic fine particles, and aluminum sol. Minasol, titania sol, zirconia sol, magnesium fluoride sol, and ceria sol can be used, and these can be used alone or in combination of two or more.
  • organosols are particularly preferred, especially organosols containing alcohol (C) as a dispersion medium.
  • C alcohol
  • the desired amount of sol added to the sol can be arbitrarily selected as long as the weight of the colloidal inorganic fine particles is 70% by weight or less based on the total weight of the thermosetting solids of the coating solution.
  • Other additives (G) include metal salts and metal compounds. These are convenient for adjusting the water repellency of the coating.
  • the coating solution used in the coating step is preferably a solution containing 0.510% by weight of silicon atoms derived from the transparent solution of the above polysiloxane in terms of Si ⁇ . If the Si ⁇ concentration is less than 0.5% by weight, the thickness of the film formed in a single application becomes thinner immediately, and if the concentration is higher than 10% by weight, the storage stability of the coating solution is reduced. Insufficient.
  • the SiO concentration of this coating solution is particularly preferably 2 to 8% by weight.
  • the substrate is not particularly limited as long as it allows the formation of an adhesive film thereon.
  • the refractive index of a film such as ordinary glass or plastic is used.
  • Substrates having a higher index of refraction are desirable.
  • the polysiloxane solution or a coating solution containing the same can be applied to a substrate by a usual method, for example, a dipping method, a spin coating method, a brush coating method, a roll coating method, a flexographic printing method, or the like. .
  • the coating film formed on the base material may be thermally cured as it is, but prior to this, at a room temperature of 180. C, preferably 50-80. After drying at C, it is heated at 80-450 ° C, preferably 100-450 ° C. About 5-60 minutes is enough for this heating time. If the heating temperature is lower than 80 ° C, the hardness and chemical resistance of the obtained coating tend to be insufficient. Generally, it is better to heat at a temperature of 300 ° C or higher for heat-resistant substrates such as glass, but a temperature higher than 450 ° C gives sufficient water repellency to the resulting coating. What? The heating can be performed by a usual method, for example, using a hot plate, an oven, a belt furnace, or the like.
  • a methanol solution of oxalic acid was prepared by charging 72.lg of methanol into a four-necked reaction flask equipped with a reflux tube, and adding 12. lg of oxalic acid to the methanol little by little with stirring. The solution was then heated to its reflux temperature, and a mixture of 8.4 g of tetraethoxysilane and 7.4 g of 1,6-bis (trimethoxysilylethyl) perfluorohexane was added dropwise to the solution under reflux. After the completion of the dropwise addition, heating was continued under reflux for 5 hours, followed by cooling to prepare a polysiloxane solution (L). This solution (L) is subjected to gas chromatography.
  • the coating was heated at 300 ° C. for 30 minutes to form a film adhered to the surface of the calcium fluoride substrate. Then this film was measured spectrum of the transmitted light using an infrared spectrometer, 3200 cm - 1 near and 980cm absorption by silanol group near 1, the absorption by the methylene group near 2800cm- 1, 1100cm- absorption by Si-O-Si in the vicinity of 1 and 1200cm- were respectively observed absorption by C-F in the vicinity of 1.
  • the solution (L) 25.Og obtained in Comparative Example 3 was replaced with colloidal silica having a particle diameter of 8 nm as SiO.
  • a coated film was formed on a coated TAC film (80 xm, reflectance 4.5%) using a bar coater, and dried at room temperature for 30 seconds. Further, by heating at a temperature shown in Table 1 in a clean oven, a film was formed on the substrate surface. Next, the obtained coating film was measured for refractive index, reflectance and water contact angle and wiped off with an oily pen by the following methods. A test for fingerprint wiping properties was performed. In the measurement of the refractive index, the coating was formed on a silicon substrate by spin coating.
  • the refractive index of light having a wavelength of 633 nm was measured using Ellipsometa DVA-36L manufactured by Mizojiri Optical Co., Ltd.
  • A The ink can be completely wiped off.
  • B The ink has the ability to be wiped off.
  • C Ink cannot be wiped off.
  • A The fingerprint can be completely wiped off
  • B The fingerprint can be wiped off but remains, or the fingerprint can be removed but removed.
  • C The fingerprint cannot be wiped off.
  • the steel wool # 0000 manufactured by Nippon Steel Wool Co., Ltd. was rubbed 10 times with 200 g / cm 2 and 500 g / cm 2 loads, and the damage was visually judged.
  • Adhesion After cutting 100 points on the cured film on the substrate in a grid pattern at lmm intervals, and using a cellophane tape (trade name "Cellotape” manufactured by Nichiban Co., Ltd., 24mm), strongly adhere to the cured film. After the cellophane tape was rapidly peeled off, the presence or absence of peeling of the cured film was visually confirmed.
  • a cellophane tape trade name "Cellotape” manufactured by Nichiban Co., Ltd., 24mm
  • the coating film obtained from L) has a low refractive index and a low reflectance
  • the coating of the present invention is applied to a glass CRT, a computer display, a mirror having a glass surface, a glass showcase, and other various product surfaces, for which anti-reflection of light is desired. can do.
  • the coating of the present invention has high hardness, excellent scratch resistance, has practically sufficient antifouling properties, and can be formed by firing at a low temperature of about 100 ° C. It is particularly useful for antireflection films for display monitors.

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Abstract

　基材上に改良された被膜を形成させる方法を提供しようとするものであり、特に、基材上に、１．２８～１．３８の屈折率と９０～１１５度の水接触角を示し、かつ当該基材の表面に密着して形成された被膜を提供する。 　Ｓｉ（ＯＲ）4で示される珪素化合物（Ａ）と、（Ｒ1Ｏ）3ＳｉＣＨ2ＣＨ2（ＣＦ2）nＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＲ1）3で示される珪素化合物（Ｂ）と、Ｒ2ＣＨ2ＯＨで示されるアルコール（Ｃ）と、蓚酸（Ｄ）とを特定比率に含有する反応混合物を水の不存在下に５０～１８０°Cで加熱することにより、ポリシロキサンの溶液を生成させ、当該溶液を含有する塗布液を基材表面に塗布し、その塗膜を８０～４５０°Cで熱硬化させることにより当該基材表面に密着して形成され、１．２８～１．３８の屈折率と９０～１１５度の水接触角を示す被膜、その被膜の形成方法及びその塗布液の製造方法。

Description

明 細 書
低屈折率及び大きレ、水接触角を有する被膜
技術分野
[0001] 本発明は、アルコキシ基含有珪素化合物のポリマー溶液から基材上に形成される 被膜の改良に関する。特に本発明は、特定組成を有するアルコキシ基含有珪素化 合物を水の不存在下に共縮合させてなるポリシロキサンの溶液からなる塗膜を、基材 表面上で熱硬化させることにより当該基材表面に密着して形成され、かつ、低屈折率 及び大きい水接触角を有する被膜に関する。
背景技術
[0002] 従来、基材の屈折率よりも低い屈折率を示す被膜を当該基材の表面に形成させる と、当該被膜の表面から反射する光の反射率が低下することが知られている。そして このような低下した光反射率を示す被膜は、光反射防止膜として利用され、種々の基 材表面に適用されている。
[0003] Mg源としてのマグネシウム塩、アルコキシマグネシウム化合物などと、 F源としての フッ化物塩とを反応させることにより生成させた MgF微粒子のアルコール分散液、
2
又はこれに膜強度向上のためにテトラアルコキシシランなどを加えた液を塗布液とし 、これをブラウン管等ガラス基材上に塗布し、そして 100 500°Cで熱処理すること により、当該基材上に低屈折率を示す反射防止膜を形成させる方法が開示されてい る (特許文献 1参照。）。
[0004] テトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、ェチルトリアルコキシシランなど の加水分解縮重合物であって、平均分子量の異なる 2種以上とアルコール等溶剤と を混合することによりコーティング液となし、当該コーティング液から被膜を形成する に当たって上記混合の際の混合割合、相対湿度のコントロールなどの手段を加えて 被膜をつくり、そしてこれを加熱することにより、 1. 21-1. 40の屈折率を示し、 50— 200nmの径を有するマイクロピット又は凹凸を有する厚さ 60— 160nmの薄膜をガラ ス基板上に形成させた低反射ガラスが開示されている（特許文献 2参照。）。
[0005] ガラスと、その表面に形成させた高屈折率を有する下層膜と、更にその表面に形成 させた低屈折率を有する上層膜とからなる低反射率ガラスが開示されている。この公 報には、その上層膜の形成方法の詳細として、 CF (CF ) C H Si (OCH )等ポリフ
3 2 2 2 4 3 3 ルォロカーボン鎖を有する含フッ素シリコーンィヒ合物と、これに対し 5— 90重量％の Si (OCH )等シランカップリング剤とを、アルコール溶媒中、酢酸等触媒の存在下に
3 4
室温で加水分解させた後、濾過することにより共縮合体の液を調製し、次いでこの液 を上記下層膜上に塗布し、 120 250°Cで加熱することからなる方法が記載されて いる（特許文献 3参照。）。
[0006] Si (OR)で示される珪素化合物と、 CF (CF ) CH CH Si (OR1)で示される珪素
4 3 2 n 2 2 3
化合物と、 R2CH〇Hで示されるアルコールと、蓚酸とを特定比率に含有する反応混
2
合物を水の不存在下に 40 180°Cで加熱することによりポリシロキサンの溶液を生 成させ、当該溶液を含有する塗布液を基材表面に塗布し、そしてその塗膜を 80 4 50°Cで熱硬化させることにより当該基材表面に密着して形成させ、 1. 28- 1. 38の 屈折率と 90— 115度の水接触角を有する被膜が記載されてレ、る（特許文献 4参照。
) 0
[0007] 特許文献 1 :特開平 05— 105424号公報
特許文献 2：特開平 06 - 157076号公報
特許文献 3 :特開昭 61— 010043号公報
特許文献 4 :特開平 09— 208898号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0008] 上記特許文献 3に記載の、基材上に多層に被膜を形成させる方法では、塗布工程 と焼成工程を繰り返す必要があり効率的でなレ、のみならず、焼成工程の繰り返しによ つて、被膜にクラックが生じたり、生成被膜も不均一になりやすぐ更に基材の変形も 起こりやすい。更にこの加水分解の方法で得られる塗布液から形成される上層膜に 低い屈折率を付与するには、シランカップリング剤 1モルに対して 1. 1モル以上もの 多量の含フッ素シリコーンィ匕合物の使用を必要とし、このような場合でも 1. 33より低 レ、屈折率を有する被膜は得られなレ、。そしてこの加水分解の方法で得られる塗布液 を直接に基材の上に塗布し、そしてその塗膜を加熱する方法によって得られた被膜 は、十分な硬度を有しない。
[0009] 上記特許文献 1の方法では、 MgF微粒子間の結合力が弱いため、形成された被
2
膜は機械的強度に乏しぐそして基材との密着力も十分でないのみならず、 MgFか
2 らなるこの被膜は本質的に 1. 38より小さい屈折率を示さず、基材の種類によっては 十分な光反射防止性を発現しない。上記特許文献 2に記載の方法では、異なる分子 量を有する縮合物の製造、その配合などにかなりの煩雑さを伴い、更に被膜形成時 に相対湿度、被膜表面凹凸のコントロールなどを要し、この方法は実用性に乏しい。
[0010] 上記特許文献 1に記載の被膜、上記特許文献 2に記載の被膜のいずれも、その表 面は実用中に汚れやすぐこれを防止するために、その表面に更に撥水性の高い処 理剤、例えば、含フッ素化合物からなる防汚処理剤を塗布することが行われている。
[0011] 特許文献 4に記載の被膜は、アンチグレア処理されたハードコート付きトオリァセチ ルセルロース（TAC)フィルムのように表面に凹凸が形成されたプラスチックフィルム に使用した場合、高硬度で且つ撥水性の高い低反射の被膜を形成するが、クリア一 ハードコート付きの TACフィルムのような表面が平滑なフィルムに形成した場合には 、硬度が不足している。
[0012] 本発明は、簡便に且つ効率よぐ基材上に改良された被膜を形成させる方法を提 供しょうとするものであり、特に、基材上に、 1. 28-1. 38の屈折率と 90— 115度の 水接触角を示し、かつ当該基材の表面に密着して形成された被膜を提供しようとす るものである。
課題を解決するための手段
[0013] 本発明の被膜は、式（1)
Si (OR) (1)
4
(式中、 Rは 1一 5個の炭素原子を有するアルキル基を表す。）で示される珪素化合物 (A)と、式 (2)
(R'O) SiCH CH (CF ) CH CH Si (OR1) (2)
3 2 2 2 n 2 2 3
(式中、 R1は、 1一 5個の炭素原子を有するアルキル基を表し、そして nは、 1一 13の 整数を表す。）で示される珪素化合物 (B)と、式 (3)
R2CH OH (3) {式中、 R2は、水素原子又は 1一 12個の炭素原子を有するアルキル基（該アルキル 基は、 1一 3個の炭素原子を有するアルキル基、 1一 3個の炭素原子を有するヒドロキ シアルキル基、 2— 6個の炭素原子を有するアルコキシアルキル基、 2— 6個の炭素 原子を有するヒドロキシアルコキシアルキル基、及び 3 6個の炭素原子を有するァ ルコキシアルコキシアルキル基力 なる群力 選ばれた異種又は同種の 1個以上の 置換基で任意に置換されていても良レ、。）を表す。 }で示されるアルコール (C)と、蓚 酸（D)とを、珪素化合物（A) lモルに対して珪素化合物（B) 0. 05-0. 43モノレの比 率に、珪素化合物 (A)と珪素化合物（B)に含まれる全アルコキシ基 1モルに対してァ ルコール（C) 0. 5— 100モルの比率に、そして珪素化合物（A)と珪素化合物（B)に 含まれる全アルコキシ基 1モルに対して蓚酸（D) 0. 2 2モルの比率に含有する反 応混合物を形成させ、そしてこの反応混合物を、その中の珪素原子から換算された 0 . 5— 10重量％の Si〇濃度に維持すると共に水の不存在を維持しながら、当該反応 混合物中珪素化合物 (A)及び珪素化合物（B)の全残存量が 5モル％以下となるま で、 50— 180°Cでカロ熱することにより、これにより生じたポリシロキサンの溶液を生成 させ、次いで当該ポリシロキサンの溶液を含有する塗布液を基材表面に塗布し、そし てこの塗布により得られた塗膜を 80— 450°Cで熱硬化させることにより当該基材表面 に密着して形成され、そしてこの被膜は 1. 28—1. 38の屈折率と 90— 115度の水 接触角を示す。
[0014] 上記ポリシロキサンの溶液は透明であって、ゲル状のポリシロキサンは含有してい なレ、。多量のアルコール（C)と比較的多量の蓚酸（D)とは共存する力 水が存在し ない反応混合物中で珪素化合物 (A)と珪素化合物（B)とは加熱されるから、このポリ シロキサンは、珪素化合物 (A)と珪素化合物（B)の加水分解物の縮合によって生成 したものではない。アルコール溶媒中加水分解の方法でアルコキシシランからポリシ ロキサンを生成させるときは、加水分解の進行につれて液に濁りが生じたり、不均一 なポリシロキサンが生成しやすレ、が、本発明による上記反応混合物ではそのようなこ とは起こらない。
[0015] 本発明による上記ポリシロキサンは、その化学構造は複雑であって特定しがたいが 、おそらく珪素化合物 (A)及び珪素化合物（B)と蓚酸 (D)との反応により生成した中 間体にアルコール (c)が作用して重合が進行するために、分岐構造は有していても
、溶液を形成する程度の重合度を有し、そして比較的に揃った構造を有する珪素化 合物 (A)と珪素化合物（B)の共縮合体ポリシロキサンが生成するものと考えられる。
[0016] 基材上に塗布された上記ポリシロキサンの溶液を含有する塗膜の加熱により、当該 塗膜から揮発成分の除去と当該塗膜中でポリシロキサンの硬化反応が進行すること によって、当該基材表面に密着し、そして低屈折率と撥水性を有する不溶性の被膜 が生成する。珪素化合物 (A)の量に対する珪素化合物（B)の量のモル比が大きレ、 程、この被膜の屈折率は低くなり、そして水との接触角は大きくなる。けれども、本発 明の被膜は、前記特許文献 3に記載の上層膜とは相違して、珪素化合物 (B)の含有 率の低い塗布液から形成されるにも係わらず、上記上層膜の示す屈折率より低い屈 折率を有する。
発明の効果
[0017] 本発明の被膜の形成に用いられるポリシロキサンの溶液は、常温で約 6ヶ月の保存 に耐える安定性を有するから、工業製品としても提供することができる。そして本発明 の被膜は、この工業製品の溶液を含有する塗布液を基材表面に塗布する工程と、そ の塗膜を熱硬化させる工程とにより容易に得ることができる。
[0018] 本発明の被膜の屈折率より高い屈折率を有する基材、例えば、通常のガラスの表 面に、本発明の被膜を形成させることにより、この基材を容易に光反射防止性の基材 に変換させること力 Sできる。本発明の被膜の厚さは、塗膜の厚さによっても調節するこ とができるが、塗布液の SiO濃度を調節することによって容易に調節することができ
2
る。本発明の被膜は、基材表面に単一の被膜として使用しても有効であるが、高屈 折率を有する下層被膜の上に上層被膜として使用することもできる。
[0019] 屈折率 aを有する被膜の厚さ d (nm)と、この被膜による反射率の低下を望む光の波 長 λ (nm)との間には、 d= (2b-l) Z4a (式中、 bは 1以上の整数を表す。）の関 係式が成立することが知られている。従って、この式を利用して被膜の厚さを定めるこ とにより、容易に所望の光の反射を防止することができる。例えば、 1. 32の屈折率を 有する被膜によって、可視光の中心波長 550nmを有する光のガラス表面からの反 射防止は、上式の λと aにこれらの数値と bに 1を代入することによって得られる 104η mの被膜厚さ、或いは bに 2を代入することによって得られる 312nmの被膜厚さを採 用することによって容易に達成することができる。光の反射防止が望まれるガラス製 のブラウン管、コンピューターのディスプレイ、ガラス表面を有する鏡、ガラス製ショウ ケース、その他種々の製品表面に、本発明の被膜を適用することができる。本発明の 被膜は高硬度で耐擦傷性に優れ、実用上十分な防汚性を有しており、 100°C程度 の低温焼成で被膜の形成が可能なことから、液晶テレビやディスプレイモニター用の 反射防止フィルムに特に有用である。
発明を実施するための最良の形態
[0020] 前記式（1)に含まれるアルキル基 Rの例としては、メチル、ェチル、プロピル、ブチ ノレ、ペンチルなどが挙げられる。好ましい珪素化合物 (A)の例としては、テトラメトキシ シラン、テトラエトキシシラン、テトラプロボキシシラン、テトラブトキシシランなどが挙げ られる。これらの中でもテトラメトキシシラン、テトラエトキシシランなどが特に好ましい。
[0021] 前記式（2)に含まれるアルキル基 R1の例としては、メチル、ェチル、プロピル、ブチ ノレ、ペンチルなどが挙げられる。好ましい珪素化合物（B)の例としては、 1 , 1-ビス（ト リメトキシシリルェチル）パーフルォロメタン、 1, 1_ビス（トリエトキシシリルェチル）パ 一フルォロメタン、 1， 2_ビス（トリメトキシシリルェチル）パーフルォロェタン、 1 , 2—ビ ス（トリエトキシシリルェチル）パーフルォロェタン、 1， 3_ビス（トリメトキシシリルェチル )パーフルォロプロパン、 1 , 3_ビス（トリエトキシシリノレエチノレ）パーフルォロプロパン 、 1 , 4_ビス（トリメトキシシリルェチル）パーフルォロブタン、 1， 4_ビス（トリエトキシシ リルェチル）パーフルォロブタン、 1， 5_ビス（トリメトキシシリルェチル）パーフルォロ ペンタン、 1， 5_ビス（トリエトキシシリルェチル）パーフルォロペンタン、 1， 6_ビス（トリ メトキシシリルェチル）パーフルォ口へキサン、 1 , 6_ビス（トリエトキシシリルェチル）パ 一フルォ口へキサン、 1， 7_ビス（トリメトキシシリルェチル）パーフルォロヘプタン、 1 , 7_ビス（トリエトキシシリルェチル）パーフルォロヘプタン、 1， 8_ビス（トリメトキシシリ ノレェチノレ）パーフルォロオクタン、 1, 8—ビス（トリエトキシシリノレエチノレ）パーフルォロ オクタンなどが挙げられ、これらは単独で又は二種以上組み合わせて用いることがで きる。
[0022] 前記式（3)に含まれる非置換のアルキル基 R2の例としては、メチル、ェチル、プロピ ノレ、ブチル、ペンチル、へキシル、ヘプチル、ォクチルなどが挙げられる。そして置換 基を有するアルキル基 R2の例としては、ヒドロキシメチル、メトキシメチル、エトキシメチ ノレ、ヒドロキシェチル、メトキシェチル、エトキシェチル、メトキシエトキシメチル、ェトキ シェトキシメチルなどが挙げられる。好ましいアルコール（C)の例としては、メタノーノレ 、エタノーノレ、プロパノーノレ、 n—ブタノーノレ、エチレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、 エチレングリコーノレモノェチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、 ジエチレングリコールモノェチルエーテルなどが挙げられ、これらは単独で又は二種 以上組み合わせて用いることができる。これらの中でも特にメタノール、エタノールが 好ましい。
[0023] 珪素化合物 (A) 1モルに対して珪素化合物（B)を 0. 43モル以上使用した反応混 合物からは、均一性を有するポリシロキサンの溶液が得られない。そして珪素化合物 (A) lモルに対して珪素化合物（B)を 0. 05モル以下使用した反応混合物からは、 1 . 38以下の屈折率を有する被膜が形成されず、そしてその被膜は、水の接触角 90 度以上を示す撥水性を示さなレ、。珪素化合物 (A) 1モルに対して珪素化合物 (B)を 0. 05—0. 25モル使用するのが特に好ましい。
[0024] 珪素化合物 (A)と珪素化合物（B)に含まれる全アルコキシ基の 1モル当たり、 0. 5 モルより少ない量のアルコールを使用すると、ポリシロキサンを生成させるのに長時 間を要し、そして得られたポリシロキサン含有液からは、硬度の高い被膜が生成しな レ、。反対に、珪素化合物 (A)と珪素化合物（B)に含まれる全アルコキシ基の 1モル当 たり、 100モルより多い量のアルコールを使用すると、得られたポリシロキサン含有液 の Si〇濃度が不足し、塗布前に濃縮を必要とし効率的でない。珪素化合物 (A)と珪 素化合物（B)に含まれる全アルコキシ基の 1モルに対してアルコールを 1一 50モル 使用するのが特に好ましい。
[0025] 珪素化合物 (A)と珪素化合物（B)に含まれる全アルコキシ基の 1モル当たり、 0. 2 モルより少ない量の蓚酸 (D)を使用すると、得られたポリシロキサン含有液からは、硬 度の高い被膜が生成しない。反対に、珪素化合物 (A)と珪素化合物（B)に含まれる 全アルコキシ基の 1モル当たり、 2モルより多い量の蓚酸（D)を使用すると、得られた ポリシロキサン含有液中は、相対的に多量の蓚酸 (D)を含有し、力かる液からは目的 とする性能の被膜が得られない。珪素化合物 (A)と珪素化合物 (B)に含まれる全ァ ルコキシ基の 1モルに対して、蓚酸（D)を 0· 25— 1モル使用するのが特に好ましレ、。
[0026] 反応混合物の形成には、上記珪素化合物 (A)、珪素化合物（B)、アルコール (C) 、蓚酸 (D)などの他に、所望に応じて、例えば、珪素化合物 (A) 1モルに対して 0. 0 2-0. 2モル程度の変成剤（E)としてのアルキルアルコキシシランを併用しても良い 。好ましい変成剤（E)の例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン 、ェチルトリメトキシシラン、ェチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロ ピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ペンチルト リメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリ エトキシシラン、ォクチルトリメトキシシラン、ォクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリメ トキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、へキサデシルトリメトキシシラン、へキサデシ ノレトリエトキシシラン、ォクタデシルトリメトキシシラン、ォクタデシルトリエトキシシラン、 フエニルトリメトキシシラン、フエニルトリエトキシシラン、ビュルトリメトキシシラン、ビニ ノレトリエトキシシラン、 γ—アミノプロピルトリメトキシシラン、 γ—アミノプロピルトリェトキ キシシラン、 γ _メタクリロキシプロビルトリメトキシシラン、 γ—メタクリロキシプロピルトリ ウレイドプロピルトリエトキシシラン、及びジメチルジメトキシシラン、ジメチルジェトキシ シランなどのジアルコキシシラン、及びトリメチルメトキシシラン、トリメチルェトキシシラ ンなどのトリアルコキシシランが挙げられる。これらは単独で又は二種以上組み合わ せて用いることができる。
[0027] これらの変成剤（Ε)は、基材上の塗膜を硬化させるための温度を低下させることが でき、そして被膜の基材に対する密着性を向上させる。上記珪素化合物 (Α)、珪素 化合物（Β)、アルコール (C)及び蓚酸 (D)を含有する反応混合物は、これらを混合 することにより、或いはこれらに更に上記変成剤（Ε)を加えることにより形成させること ができる。この反応混合物には水は加えられない。そしてこの反応混合物は、好まし くは溶液状の反応混合物として加熱するのが好ましぐ例えば、あらかじめアルコー ル (C)に蓚酸 (D)をカ卩えて蓚酸のアルコール溶液を形成させた後、当該溶液と珪素 化合物 (A)、珪素化合物 (B)、上記変成剤 (E)などを混合することにより得られる溶 液状の反応混合物として加熱するのが好ましい。通常、珪素化合物 (A)、珪素化合 物（B)、アルコール (C)及び蓚酸 (D)の上記比率の反応混合物は、これに含まれる 珪素原子を Si〇に換算すると 0. 5— 10重量％の Si〇濃度を有する。上記変成剤（
E)を含有する反応混合物の場合にも、これに含まれる珪素原子を SiOに換算して 0
. 5— 10重量％の Si〇濃度を有するように上記変成剤（E)は含有される。そしてこれ ら反応混合物の加熱の間、これら反応混合物は上記 Si〇濃度と水の不存在が維持 される。この加熱は、通常の反応器中液温 50 180°Cで行うことができ、好ましくは、 反応器から液の蒸発、揮散などが起こらないように、例えば、密閉式容器中で又は還 流下に行われる。
[0028] 反応混合物の形成には、上記珪素化合物 (A)、珪素化合物（B)、アルコール (C) 、蓚酸 (D)などの他に、所望に応じて、例えば、珪素化合物 (A) 1モルに対して珪素 化合物（B)とフルォロアルキル基含有アルコキシシラン（F)との合計量が 0· 05-0. 43モノレ程度になるように、フルォロアルキル基含有アルキルアルコキシシラン（F)を 珪素化合物（B)と併用しても良い。好ましいフルォロアルキル基含有アルキルアルコ キシシラン（F)の例としては、トリフルォロプロピルトリメトキシシラン、トリフルォロプロ ピルトリエトキシシラン、トリデカフルォロォクチルトリメトキシシラン、トリデカフルォロォ クチルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルォロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフ ルォロデシルトリエトキシシランなどが挙げられ、これらは単独で又は二種以上組み 合わせて用いることができる。
[0029] これらのフルォロアルキル基含有アルキルアルコキシシラン（F)は、珪素化合物（A )と珪素化合物（B)からなる過剰な共重合反応を抑制させることができ、長期保存可 能なポリシロキサン溶液を生成させる。上記珪素化合物 (A)、珪素化合物（B)、アル コール (C)及び蓚酸 (D)を含有する反応混合物は、これらを混合することにより、或 いはこれらに更に上記フルォロアルキル基含有アルキルアルコキシシラン（F)を加え ることにより形成させること力できる。この反応混合物には水は加えられない。そしてこ の反応混合物は、好ましくは溶液状の反応混合物として加熱するのが好ましぐ例え ば、あらかじめアルコール（C)に蓚酸（D)を加えて蓚酸のアルコール溶液を形成さ せた後、当該溶液と珪素化合物 (A)、珪素化合物（B)、上記フルォロアルキル基含 有アルキルアルコキシシラン (F)などを混合することにより得られる溶液状の反応混 合物として加熱するのが好ましい。通常、珪素化合物 (A)、珪素化合物（B)、アルコ ール (C)及び蓚酸 (D)の上記比率の反応混合物は、これに含まれる珪素原子を Si Oに換算すると 0. 5 10重量％の SiO濃度を有する。上記フルォロアルキル基含 有アルキルアルコキシシラン (F)を含有する反応混合物の場合にも、これに含まれる 珪素原子を Si〇に換算して 0. 5 10重量％の SiO濃度を有するように上記フルォ 口アルキル基含有アルキルアルコキシシラン（F)は含有される。そしてこれら反応混 合物の加熱の間、これら反応混合物は上記 Si〇濃度と水の不存在が維持される。こ の加熱は、通常の反応器中液温 50 180°Cで行うことができ、好ましくは、反応器か ら液の蒸発、揮散などが起こらないように、例えば、密閉式容器中で又は還流下に行 われる。
[0030] ポリシロキサンを生成させるための加熱を 50°Cより低い温度で行うと、濁りを有した り、不溶解物を含有する液が生成しやすいので、この加熱は 50°Cより高い温度で行 われ、高温ほど短時間に終了させることができる。けれども、 180°Cより高い温度での 加熱は、付カ卩的利益をもたらさず非効率的である。加熱時間には特に制限はなぐ 例えば 50°Cでは 8時間程度、 78°Cの還流下では 3時間程度で十分であり、通常、珪 素化合物 (A)及び珪素化合物（B)の全仕込量に対してこれら珪素化合物の残存量 力 ¾モル％以下となった時点で加熱は停止される。用いられた珪素化合物 (A)及び 珪素化合物（B)の全量に対してこれら珪素化合物が 5モル％よりも多く残存するポリ シロキサン含有液は、これを基材表面に塗布し、次いでその塗膜を 80— 450°Cで熱 硬化させたとき、得られた被膜にピンホールが生じたり、或いは十分な硬度を有する 被膜が得られない。
[0031] 上記加熱により得られたポリシロキサンの溶液は、そのまま次の塗布工程に塗布液 として使用することができるが、所望に応じ、濃縮又は希釈することにより得られる液 を塗布液として、他の溶媒に置換することにより得られる液を塗布液として、或いは所 望の添加物（G)と混合することにより得られる塗布液として使用することができる。こ の添加物（G)の例として、コロイド状無機微粒子のゾルの形態であるシリカゾル、アル ミナゾル、チタニアゾル、ジルコニァゾル、フッ化マグネシウムゾル、セリアゾルが挙げ られ、これらは単独で又は二種以上組み合わせて用いることができる。そして、これら のゾノレとしてはオルガノゾルが好ましぐ特にアルコール（C)を分散媒とするオルガノ ゾルが特に好ましい。またゾルの添カ卩量は、塗布液の熱硬化固形分全重量に対して コロイド状無機微粒子重量が 70重量％以下であれば、所望の量を任意に選ぶことが できる。その他添加物（G)としては、金属塩、金属化合物なども挙げられる。これらは 被膜の撥水性を調節するのに好都合である。
[0032] 塗布工程に使用されるこの塗布液としては、その中に上記ポリシロキサンの透明溶 液に由来する珪素原子を Si〇に換算して 0. 5 10重量％含有する液が好ましぐこ の Si〇濃度が 0. 5重量％より小さいと、一回の塗布で形成される被膜の厚さが薄く なりやすぐそしてこの濃度が 10重量％より高いと、この塗布液の貯蔵安定性が不足 しゃすい。この塗布液の SiO濃度としては 2— 8重量％が特に好ましい。
[0033] 基材としては、この上に密着性被膜の生成を許容するものであれば特に制限はな いが、特に光反射防止被膜を形成させるには、通常のガラス、プラスチックなど被膜 の屈折率より高い屈折率を有する基材が望ましい。上記ポリシロキサンの溶液又はこ れを含有する塗布液は、通常の方法、例えば、ディップ法、スピンコート法、刷毛塗り 法、ロールコート法、フレキソ印刷法などで基材上に塗布することができる。
[0034] 基材上に形成された塗膜は、そのまま熱硬化させても良いが、これに先立ち室温 一 80。C、好ましくは 50— 80。Cで乾燥させた後、 80— 450°C、好ましくは、 100— 45 0°Cで加熱される。この加熱の時間としては 5— 60分程度で十分である。この加熱温 度が 80°Cより低いと、得られた被膜の硬度、耐薬品性などが不足しやすい。一般に ガラスのような耐熱性基材に対しては、 300°C以上の温度で加熱するのが良レ、が、 4 50°Cより高い温度は、得られた被膜に十分な撥水性を与えなレ、。これら加熱は、通 常の方法、例えばホットプレート、オーブン、ベルト炉などを使用することにより行うこ とができる。
実施例
[0035] 以下に本発明の実施例を示す。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるもの ではない。 〔ガスクロマトグラフィー（GC)〕
実施例 1、 2、 3、 4、比較例 1では、ガスクロマトグラフィーを用いて、反応後の残存
Figure imgf000013_0001
ガスクロマトグラフィー条件：装置 Shimadzu GC— 14B、カラム キヤピラリーカラ ム CBPl_W25_100 (25mm X 0. 53mm φ X 1 μ m)、カラム温度 カラム温度は 昇温プログラムを用いて制御した。開始温度 50°Cから 15°CZ分で昇温して到達温 度 290°C (3分）とした。
サンプル注入量 l x m、インジェクション温度 240°C、検出器温度 290°C、キヤ リヤーガス 窒素（流量 30mLZmin)、検出方法 FID法。
[0036] 実施例 1
還流管を備えつけた 4つ口反応フラスコにメタノール 72. lgを投入し、攪拌下にこ のメタノールに蓚酸 12. lgを少量づっ添加することにより、蓚酸のメタノール溶液を 調製した。次いでこの溶液をその還流温度まで加熱し、還流下のこの溶液中にテトラ エトキシシラン 8· 4gと 1, 6_ビス（トリメトキシシリルェチル）パーフルォ口へキサン 7· 4gの混合物を滴下した。滴下終了後も、還流下に加熱を 5時間続けた後冷却するこ とによりポリシロキサン溶液 (L )を調製した。この溶液 (L )をガスクロマトグラフィーで
1 1
分析したところ、アルコキシシランモノマーは検出されなかった。この溶液 (L )をフッ
1 化カルシウム基板の表面に塗布した後、その塗膜を 300°Cで 30分加熱することによ り、このフッ化カルシウム基板の表面に密着した被膜を生成させた。次いでこの被膜 について、赤外線分光器を使用して透過光のスペクトルを測定したところ、 3200cm —1付近と 980cm 1付近にシラノール基による吸収を、 2800cm— 1付近にメチレン基に よる吸収を、 1100cm— 1付近に Si—O—Siによる吸収を、そして 1200cm— 1付近に C—F による吸収をそれぞれ観測した。
[0037] 実施例 2
還流管を備え付けた 4つ口反応フラスコにエタノール 71. 3gを投入し、攪拌下にこ のエタノールに蓚酸 12. lgを少量づっ添加することにより、蓚酸のエタノール溶液を 調製した。次いでこの溶液をその還流温度まで加熱し、還流下のこの溶液中にテトラ エトキシシラン 9. 8gとトリデカフルォロォクチルトリメトキシシラン 3. lgと 1， 6_ビス（ト リメトキシシリルェチル）パーフルォ口へキサン 3. 7gの混合物を滴下した。滴下終了 後も、還流下に加熱を 5時間続けた後冷却することによりポリシロキサン溶液 (L )を 調製した。この溶液 (L )をガスクロマトグラフィーで分析したところ、アルコキシシラン モノマーは検出されなかった。
[0038] 実施例 3
還流管を備えつけた 4つ口反応フラスコにエタノール 71. lgを投入し、撹拌下にこ のエタノールに蓚酸 12. lgを少量づっ添加することにより、蓚酸のエタノール溶液を 調製した。次いでこの溶液をその還流温度まで加熱し、還流下のこの溶液中に、テト ラエトキシシラン 8. lgとトリデカフルォロォクチルトリメトキシシラン 3. lgと 1 , 6_ビス（ トリメトキシシリルェチル）パーフルォ口へキサン 3. 7gと γ—グリシドキシプロピルトリメ トキシシラン 1. 3gと γ—ァミノプロピルトリメトキシシラン 0. 6gの混合物を滴下した。滴 下終了後も、還流下に加熱を 5時間続けた後冷却することによりポリシロキサンの溶 液 (L )を調製した。この溶液 (L )をガスクロマトグラフィーで分析したところ、アルコキ シドモノマーは検出されなかった。
[0039] 実施例 4
還流管を備えつけた 4つ口反応フラスコにメタノール 67· 5gを投入し、撹拌下にこ のメタノールに蓚酸 12. lgを少量づっ添加することにより、蓚酸のメタノール溶液を 調製した。次いでこの溶液をその還流温度まで加熱し、還流下のこの溶液中に、テト ラエトキシシラン 9. lgとトリデカフルォロォクチルトリメトキシシラン 3. lgと 1 , 6_ビス（ トリメトキシシリノレエチノレ）パーフルォ口へキサン 3· 7gと γ—ウレイドプロピルトリエトキ シシラン 0. 9gとメタノーノレ 3. 6gの混合物を滴下した。滴下終了後も、還流下に加熱 を 5時間続けた後冷却することによりポリシロキサンの溶液 (L )を調製した。この溶液
(L )をガスクロマトグラフィーで分析したところ、アルコキシドモノマーは検出されなか つた。
[0040] 実施例 5
実施例 3で得られた溶液（L ) 25. Ogに、粒子径 8nmのコロイド状シリカを SiOとし て 15. 7重量0 /0含有するメタノーノレ分散シリカゾノレを 19. lgとエタノーノレ 55. 9gをカロ えて十分に混合することにより、ポリシロキサンの溶液 (L )を調製した。 [0041] 比較例 1
還流管を備えつけた 4つ口反応フラスコにエタノール 70· 6gを投入し、撹拌下にこ のエタノールに蓚酸 12. Ogを少量づっ添加することにより、蓚酸のエタノール溶液を 調製した。次いでこの溶液をその還流温度まで加熱し、還流下のこの溶液中に、テト ラエトキシシラン 9. 4gとトリデカフルォロォクチルトリメトキシシラン [CF C F C H Si
3 5 10 2 4
(OCH ) ] 6. 2gと γ—グリシドキシプロピルトリメトキシシラン 1. 2gと γ—ァミノプロピ
3 3
ノレトリメトキシシラン 0. 6gの混合物を滴下した。滴下終了後も、還流下に加熱を 5時 間続けた後冷却することによりポリシロキサンの溶液 (L )を調製した。この溶液 (L )
6 6 をガスクロマトグラフィーで分析したところ、アルコキシドモノマーは検出されな力、つた [0042] 比較例 2
比較例 3で得られた溶液（L ) 25. Ogに、粒子径 8nmのコロイド状シリカを SiOとし
6 2 て 15. 7重量0 /0含有するメタノーノレ分散シリカゾノレを 19. lgとエタノーノレ 55. 9gをカロ えて十分に混合することにより、ポリシロキサンの溶液 (L )を調製した。
[0043] 比較例 3
還流管を備えつけた 4つ口反応フラスコにエタノール 58· 7gとテトラエトキシシラン 8 . 4gと 1 , 6—ビス（トリメトキシシリルェチル）パーフルォ口へキサン 7. 4gの混合物を投 入して混合することにより、アルコキシシランのエタノール溶液を調製した。次いでこ の溶液をその還流温度まで加熱し、還流下のこの溶液に、エタノール 20. Ogと水 5. 4gと触媒として 60%硝酸 0. lgの混合物を滴下した。滴下終了後も、還流温度で 5 時間加熱を続けた後冷却することによりアルコキシシランの加水分解物からなる液 (L )を調製した。
8
[0044] 実施例 6
上記液 L一 Lを塗布液として、下記の方法で表面処理した日本製紙 (株)製ハード
1 8
コート付き TACフィルム（80 x m、反射率 4. 5%)にバーコ一ターを用いて塗膜を形 成させた後、室温で 30秒間乾燥させた。さらにクリーンオーブン中、表 1に示す温度 で加熱することにより、基材表面上に被膜を形成させた。次いで得られた被膜につい て、下記方法により屈折率、反射率及び水接触角の測定及び油性ペン拭き取り性、 指紋拭き取り性の試験を行った。上記屈折率の測定では、被膜はシリコン基板上に スピンコートにより形成された。
[0045] 〔TACフィルム表面処理方法〕
日本製紙株式会社製ハードコート付き TACフィルムを 40°Cに加熱した 5wt。/0水酸 化カリウム (K〇H)水溶液に 3分浸漬してアルカリ処理を行った後、水洗し、その後、 0. 5wt%の硫酸 (H SO )水溶液に室温で 30秒間浸漬して中和させ、水洗、乾燥し
2 4
た。
[0046] 〔屈折率の測定法〕
溝尻光学 (株)製のエリプソメタ一 DVA— 36Lを使用して、波長 633nmの光の屈折 率を測定した。
[0047] 〔反射率の測定法〕
(株）島津製作所製の分光光度計 UV3100PCを使用して、波長 550nmの光の入 射角 5度での光の反射率を測定した。
[0048] 〔水接触角の測定法〕
協和界面科学 (株)製の自動接触角計 CA— Z型を使用して、純水 3マイクロリットノレ を滴下したときの接触角を測定した。
[0049] 〔油性ペン拭き取り性〕
ペンテル社製油性ペンを使用し、基材表面に書レ、たインクを旭化成 (株)社製ベン コット M— 3を用いて拭き取り、その取り易さを目視で判定した。
基準は以下のとおり。
A:インクが完全に拭き取れる。 B :インクは拭き取れる力 あとが残る。 C :インクが拭 き取れない。
[0050] 〔指紋拭き取り性〕
基材表面に付着した指紋を旭化成 (株)社製ベンコット M— 3を用いて拭き取り、そ の取り易さを目視で判定した。
基準は以下のとおり。
A：指紋が完全に拭き取れる、 B :指紋は拭き取れるがあとが残る、又はあとは取れ るが指紋がのびる。 C :指紋が拭き取れない。 [0051] 〔耐擦傷性〕
日本スチールウール社製スチールウール #0000を用いて、 200g/cm2及び 500 g/cm2荷重で 10往復擦った後に、傷の付き方を目視で判定した。
基準は以下のとおり。
A:傷無し、 B:傷 10本以下、 C:傷 10 30本、 D:傷 30本以上
密着性：基材上の硬化被膜に lmm間隔で碁盤の目状に 100点カットし、セロハンテ ープ（商品名 "セロテープ"ニチバン (株)製 24mm)を用いて硬化被膜と強く貼り付け た後、セロハンテープを急激に剥がした後に硬化膜の剥離の有無を目視により確認 した。
[0052] [表 1] 表 1
Figure imgf000017_0001
[0053] [表 2] 表 2
硬化温度 水接触角 油性ペン 指紋
塗布液 密着性
(。c) (。 ) 拭き取リ性 拭き取り性
し J 1 00 1 04 A A 1 00/1 00 し 2 1 00 1 04 A A 1 00/1 00 し 3 70 1 05 A A 1 00/1 00 し 3 1 00 1 05 A A 1 00/1 00 し 3 1 20 1 05 A A 1 00/1 00 し 4 1 00 1 04 A A 1 00/1 00 し 5 1 00 1 05 A A 1 00/1 00 し 6 1 00 1 04 A A 1 00/1 00 し 7 1 00 1 02 B A 1 00/1 00 し 8 1 00 1 00 B B 0/1 00 [0054] 表 1に示されたように、実施例の塗布液 (L )から得られた塗膜は、低屈折率及
1一 L
5
び低反射率であり、且つ優れた耐擦傷性を有する被膜が得られた。しかし、比較例 の塗布液 (L
6一 L )から得られた塗膜は、低屈折率及び低反射率であるものの、耐擦 8
傷性は不十分であると言える。
[0055] また、表 2に示されたように、実施例の塗布液 (L
1一 L )から得られた塗膜は、優れ 5
た防汚特性を有しており、且つ基材との密着性が高いものであった。しかし、比較例 塗布液 Lにおいては、油性ペンの防汚特性が不十分であり、比較例塗布液 Lでは
7 8 防汚特性と密着性が共に不十分であった。
産業上の利用可能性
[0056] 本発明の被膜は、光の反射防止が望まれるガラス製のブラウン管、コンピューター のディスプレイ、ガラス表面を有する鏡、ガラス製ショウケース、その他種々の製品表 面に、本発明の被膜を適用することができる。また、本発明の被膜は高硬度で耐擦 傷性に優れ、実用上十分な防汚性を有しており、 100°C程度の低温焼成で被膜の 形成が可能なことから、液晶テレビやディスプレイモニター用の反射防止フィルムに 特に有用である。

Claims

請求の範囲
[1] 式 (1)
Si (OR) (1)
4
(式中、 Rは 1一 5個の炭素原子を有するアルキル基を表す。）で示される珪素化合物 (A)と、式 (2)
(R'O) SiCH CH (CF ) CH CH Si (OR1) (2)
3 2 2 2 n 2 2 3
(式中、 R1は、 1一 5個の炭素原子を有するアルキル基を表し、そして nは、 1一 13の 整数を表す。）で示される珪素化合物 (B)と、式 (3)
R2CH OH (3)
2
{式中、 R2は、水素原子又は 1一 12個の炭素原子を有するアルキル基（該アルキル 基は、 1一 3個の炭素原子を有するアルキル基、 1一 3個の炭素原子を有するヒドロキ シアルキル基、 2— 6個の炭素原子を有するアルコキシアルキル基、 2— 6個の炭素 原子を有するヒドロキシアルコキシアルキル基、及び 3— 6個の炭素原子を有するァ ルコキシアルコキシアルキル基からなる群から選ばれた異種又は同種の 1個以上の 置換基で任意に置換されていても良い。）を表す。 }で示されるアルコール (C)と、蓚 酸（D)とを、珪素化合物（A) lモルに対して珪素化合物（B) 0. 05-0. 43モノレの比 率に、珪素化合物 (A)と珪素化合物（B)に含まれる全アルコキシ基 1モルに対してァ ルコール（C) 0. 5— 100モルの比率に、そして珪素化合物（A)と珪素化合物（B)に 含まれる全アルコキシ基 1モルに対して蓚酸（D) 0. 2 2モルの比率に含有する反 応混合物を形成させ、そしてこの反応混合物を、その中の珪素原子から換算された 0 . 5— 10重量％の Si〇濃度に維持すると共に水の不存在を維持しながら、当該反応
2
混合物中珪素化合物 (A)及び珪素化合物（B)の全残存量が 5モル％以下となるま で、 50— 180°Cで加熱することを特徴とする、ポリシロキサンを含有する塗布液の製 造方法。
[2] 反応混合物の形成において、更に変成剤（E)として、式 (4)
(R3) Si (OR4) (4)
m 4-m
(式中、 R3は、水素原子、 1一 12個の炭素原子を有するアルキル基（該アルキル基は 、アミノ基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基及びウレイド基からなる群から選ばれた異 種又は同種の 1個以上の置換基で任意に置換されていても良レ、。）、 2— 12個の炭 素原子を有するアルケニル基、又はフエ二ル基を表し、 R4は、 1一 5個の炭素原子を 有するアルキル基を表し、そして mは、 1一 3の整数を表す。）で示される変成剤（E) を珪素化合物 (A) lモルに対して 0. 02-0. 2モルの比率に併用する請求項 1に記 載の塗布液の製造方法。
[3] 反応混合物の形成において、更にフルォロアルキル基含有アルコキシシラン (F)と して、式（5)
CF (CF ) CH CH Si (OR5) (5)
3 2 p 2 2 3
(式中、 R5は、 1一 5個の炭素原子を有するアルキル基を表し、そして pは、 0 12の 整数を表す。 )で示されるフルォロアルキル基含有アルコキシシラン (F)を珪素化合 物（A) 1モルに対して珪素化合物（B)とフルォロアルキル基含有アルコキシシラン（F )との合計量を 0. 05-0. 43モルの比率に併用する請求項 1又は 2に記載の塗布液 の製造方法。
[4] 更に、塗布液の添加物（G)として、シリカゾル、アルミナゾル、チタニアゾル、ジルコ ニァゾル、フッ化マグネシウムゾル及びセリアゾルからなる群から選ばれる少なくとも 一種のゾルを併用する請求項 1、 2又は 3に記載の塗布液の製造方法。
[5] 式 (1)
Si (OR) (1)
4
(式中、 Rは 1一 5個の炭素原子を有するアルキル基を表す。）で示される珪素化合物 (A)と、式 (2)
(R'O) SiCH CH (CF ) CH CH Si (OR1) (2)
3 2 2 2 n 2 2 3
(式中、 R1は、 1一 5個の炭素原子を有するアルキル基を表し、そして nは、 1一 13の 整数を表す。）で示される珪素化合物 (B)と、式 (3)
R2CH OH (3)
2
{式中、 R2は、水素原子又は 1一 12個の炭素原子を有するアルキル基 (該アルキル 基は、 1一 3個の炭素原子を有するアルキル基、 1一 3個の炭素原子を有するヒドロキ シアルキル基、 2— 6個の炭素原子を有するアルコキシアルキル基、 2 6個の炭素 原子を有するヒドロキシアルコキシアルキル基、及び 3 6個の炭素原子を有するァ ルコキシアルコキシアルキル基からなる群から選ばれた異種又は同種の 1個以上の 置換基で任意に置換されていても良い。）を表す。 }で示されるアルコール (C)と、蓚 酸（D)とを、珪素化合物（A) lモルに対して珪素化合物（Β) 0· 05-0. 43モルの比 率に、珪素化合物 (Α)と珪素化合物（Β)に含まれる全アルコキシ基 1モルに対してァ ルコール（C) 0. 5— 100モルの比率に、そして珪素化合物（A)と珪素化合物（B)に 含まれる全アルコキシ基 1モルに対して蓚酸（D) 0. 2 2モルの比率に含有する反 応混合物を形成させ、そしてこの反応混合物を、その中の珪素原子から換算された 0 . 5— 10重量％の Si〇濃度に維持すると共に水の不存在を維持しながら、当該反応 混合物中珪素化合物 (A)及び珪素化合物（B)の全残存量が 5モル％以下となるま で、 50— 180°Cで加熱することにより、これにより生じたポリシロキサンの溶液を生成 させ、次いで当該ポリシロキサンの溶液を含有する塗布液を基材表面に塗布し、そし てこの塗布により得られた塗膜を 80 450°Cで熱硬化させることを特徴とする、 1. 2 8— 1. 38の屈折率と 90— 115度の水接触角を示す被膜を当該基材表面に密着し て形成させる被膜の形成方法。
[6] 反応混合物の形成において、更に変成剤（E)として、式 (4)
(R3) Si (OR4) (4)
(式中、 R3は、水素原子、 1一 12個の炭素原子を有するアルキル基（該アルキル基は 、アミノ基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基及びウレイド基からなる群から選ばれた異 種又は同種の 1個以上の置換基で任意に置換されていても良レ、。）、 2— 12個の炭 素原子を有するアルケニル基、又はフエ二ル基を表し、 R4は、 1一 5個の炭素原子を 有するアルキル基を表し、そして mは、 1一 3の整数を表す。）で示される変成剤（E) を珪素化合物 (A) lモルに対して 0. 02-0. 2モルの比率に併用する請求項 5に記 載の被膜の形成方法。
[7] 反応混合物の形成において、更にフルォロアルキル基含有アルコキシシラン (F)と して、式（5)
CF (CF ) CH CH Si (OR5) (5)
(式中、 R5は、 1一 5個の炭素原子を有するアルキル基を表し、そして pは、 0 12の 整数を表す。 )で示されるフルォロアルキル基含有アルコキシシラン (F)を珪素化合 物 (A) 1モルに対して珪素化合物（B)とフルォロアルキル基含有アルコキシシラン (F )との合計量を 0. 05-0. 43モルの比率に併用する請求項 5又は 6に記載の被膜の 形成方法。
[8] 更に、塗布液の添加物（G)として、シリカゾル、アルミナゾル、チタニアゾル、ジルコ ユアゾル、フッ化マグネシウムゾル及びセリアゾルからなる群から選ばれる少なくとも 一種のゾルを併用する請求項 5、 6又は 7に記載の被膜の形成方法。
[9] 式 (1)
Si (OR) (1)
4
(式中、 Rは 1一 5個の炭素原子を有するアルキル基を表す。）で示される珪素化合物 (A)と、式 (2)
(R'O) SiCH CH (CF ) CH CH Si (OR1) (2)
3 2 2 2 n 2 2 3
(式中、 R1は、 1一 5個の炭素原子を有するアルキル基を表し、そして nは、 1一 13の 整数を表す。）で示される珪素化合物 (B)と、式 (3)
R2CH OH (3)
2
{式中、 R2は、水素原子又は 1一 12個の炭素原子を有するアルキル基（該アルキル 基は、 1一 3個の炭素原子を有するアルキル基、 1一 3個の炭素原子を有するヒドロキ シアルキル基、 2— 6個の炭素原子を有するアルコキシアルキル基、 2— 6個の炭素 原子を有するヒドロキシアルコキシアルキル基、及び 3— 6個の炭素原子を有するァ ルコキシアルコキシアルキル基からなる群から選ばれた異種又は同種の 1個以上の 置換基で任意に置換されていても良い。）を表す。 }で示されるアルコール (C)と、蓚 酸（D)とを、珪素化合物（A) lモルに対して珪素化合物（Β) 0· 05-0. 43モルの比 率に、珪素化合物 (Α)と珪素化合物（Β)に含まれる全アルコキシ基 1モルに対してァ ルコール（C) 0. 5— 100モルの比率に、そして珪素化合物（A)と珪素化合物（B)に 含まれる全アルコキシ基 1モルに対して蓚酸（D) 0. 2 2モルの比率に含有する反 応混合物を形成させ、そしてこの反応混合物を、その中の珪素原子から換算された 0 . 5— 10重量％の Si〇濃度に維持すると共に水の不存在を維持しながら、当該反応
2
混合物中珪素化合物 (A)及び珪素化合物（B)の全残存量が 5モル％以下となるま で、 50— 180°Cで加熱することにより、これにより生じたポリシロキサンの溶液を生成 させ、次いで当該ポリシロキサンの溶液を含有する塗布液を基材表面に塗布し、そし てこの塗布により得られた塗膜を 80— 450°Cで熱硬化させることにより当該基材表面 に密着して形成され、且つ、 1. 28-1. 38の屈折率と 90— 115度の水接触角を示 す被膜。
[10] 反応混合物の形成において、更に変成剤 (E)として、式 (4)
(R3) Si (OR4) (4)
(式中、 R3は、水素原子、 1一 12個の炭素原子を有するアルキル基 (該アルキル基は 、アミノ基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基及びウレイド基からなる群から選ばれた異 種又は同種の 1個以上の置換基で任意に置換されていても良レ、。）、 2 12個の炭 素原子を有するアルケニル基、又はフヱニル基を表し、 R4は、 1一 5個の炭素原子を 有するアルキル基を表し、そして mは、 1一 3の整数を表す。）で示される変成剤（E) を珪素化合物 (A) lモルに対して 0. 02-0. 2モルの比率に併用する請求項 9に記 載の被膜。
[11] 反応混合物の形成において、更にフルォロアルキル基含有アルコキシシラン (F)と して、式（5)
CF (CF ) CH CH Si (OR5) (5)
(式中、 R5は、 1一 5個の炭素原子を有するアルキル基を表し、そして pは、 0— 12の 整数を表す。 )で示されるフルォロアルキル基含有アルコキシシラン (F)を珪素化合 物 (A) 1モルに対して珪素化合物（B)とフルォロアルキル基含有アルコキシシラン (F )との合計量を 0. 05-0. 43モルの比率に併用する請求項 9又は 10に記載の被膜
[12] 更に、塗布液の添加物（G)として、シリカゾル、アルミナゾル、チタニアゾル、ジルコ ユアゾル、フッ化マグネシウムゾル及びセリアゾルからなる群から選ばれる少なくとも 一種のゾルを併用する請求項 9、 10又は 11に記載の被膜。
PCT/JP2004/018922 2003-12-19 2004-12-17 低屈折率及び大きい水接触角を有する被膜 WO2005059051A1 (ja)

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