WO2005033209A1 - 複合誘電体用樹脂組成物および複合誘電体、該誘電体を使用した電気回路基板 - Google Patents

複合誘電体用樹脂組成物および複合誘電体、該誘電体を使用した電気回路基板 Download PDF

Info

Publication number
WO2005033209A1
WO2005033209A1 PCT/JP2004/013764 JP2004013764W WO2005033209A1 WO 2005033209 A1 WO2005033209 A1 WO 2005033209A1 JP 2004013764 W JP2004013764 W JP 2004013764W WO 2005033209 A1 WO2005033209 A1 WO 2005033209A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
composite dielectric
dielectric
composite
liquid composition
inorganic
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/013764
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hayahide Yamasaki
Yoshinobu Asako
Kazushi Omote
Ai Nishichi
Original Assignee
Nippon Shokubai Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Shokubai Co., Ltd. filed Critical Nippon Shokubai Co., Ltd.
Priority to EP04787947A priority Critical patent/EP1669412A1/en
Priority to JP2005514395A priority patent/JP4601552B2/ja
Publication of WO2005033209A1 publication Critical patent/WO2005033209A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/20—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06
    • H01G4/206—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06 inorganic and synthetic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/02—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • C08L101/04—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups containing halogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/478—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a layer of composite material comprising interpenetrating or embedded materials, e.g. TiO2 particles in a polymer matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/015—Fluoropolymer, e.g. polytetrafluoroethylene [PTFE]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0756—Uses of liquids, e.g. rinsing, coating, dissolving
    • H05K2203/0759—Forming a polymer layer by liquid coating, e.g. a non-metallic protective coating or an organic bonding layer

Definitions

  • Resin composition for composite dielectric, composite dielectric, and electric circuit board using the dielectric is Resin composition for composite dielectric, composite dielectric, and electric circuit board using the dielectric
  • the present invention relates to a liquid composition for an organic-inorganic composite dielectric comprising an organic polymer and an inorganic dielectric, a composite dielectric using the composition, and an electric circuit board using the dielectric. About.
  • capacitors used for mounting use ceramic dielectrics.
  • post-processing properties such as drilling and cutting of circuit boards and poor adhesion are problems.
  • an organic-inorganic composite dielectric in which an organic polymer and an inorganic dielectric are combined has been proposed as a dielectric having excellent post-processability and adhesiveness.
  • This organic-inorganic composite dielectric has a large dielectric constant in a polyphenylene oxide resin or an epoxy resin or the like! ⁇ Formed by dispersing an inorganic dielectric!
  • these resins have a low dielectric constant, especially in the high-frequency range, so it is necessary to mix as many inorganic dielectrics with high dielectric constants as possible.
  • the dispersibility of inorganic dielectrics is inferior, so the amount of the compound is limited, and the dielectric constant as a composite dielectric is satisfactory.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-225358
  • the present invention provides an organic-inorganic composite having excellent dispersibility of an inorganic dielectric in an organic polymer. High when using dielectric! ⁇ ⁇ ⁇ An object is to provide a liquid composition for an organic-inorganic composite dielectric material having a low dielectric constant.
  • the liquid composition for a composite dielectric according to the present invention is characterized by containing an inorganic dielectric and a fluorinated aromatic polymer.
  • a fluorinated aromatic polymer is used as the organic polymer, the fluorinated aromatic polymer has excellent dispersibility of the inorganic dielectric, so that the inorganic dielectric can be highly blended in the composition and can be used as a composite dielectric.
  • the above composition is such that the inorganic dielectric is in the range of 100 to 2,000 parts by mass relative to 100 parts by mass of the fluorinated aromatic polymer. Is a preferred embodiment.
  • the present invention also includes a composite dielectric using the above-described liquid composition for a composite dielectric, and an electric circuit board including the composite dielectric as a constituent part.
  • the composite dielectric of the present invention is obtained by molding a liquid composition in which an inorganic dielectric is dispersed into a predetermined shape !,..., Wherein the inorganic dielectric is highly dispersed in an organic polymer. Represents molded articles and molded films.
  • the present inventors have conducted intensive studies on a liquid composition for an organic-inorganic composite dielectric in which an inorganic dielectric is dispersed in an organic polymer. As a result, the present inventors have found that a fluorinated aromatic polymer is contained as an organic polymer. As a result, the compounding amount of the inorganic dielectric in the composition can be increased, and the dielectric constant of the composite dielectric, especially in a high-frequency range, is found to be significantly improved.
  • the liquid composition for a composite dielectric of the present invention contains a fluorinated aromatic polymer and an inorganic dielectric.
  • the content of the fluorinated aromatic polymer and the inorganic dielectric is such that the content of the inorganic dielectric is 100 to 1 It is preferably in the range of 000 parts by mass. 100 mass of inorganic dielectric If the amount is less than 10 parts, the dielectric constant of the composite dielectric made of the liquid composition may be low. on the other hand
  • the content of the inorganic dielectric exceeds 2,000 parts by mass, the viscosity of the composition becomes high, and the handling property may be reduced.
  • a more preferred lower limit of the content of the inorganic dielectric is 500 parts by mass or more, and most preferably 700 parts by mass or more, per 100 parts by mass of the fluorinated aromatic polymer.
  • the preferable upper limit of the content of the inorganic dielectric is 1,500 parts by mass or less, more preferably 1,000 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the fluorinated aromatic polymer.
  • the liquid composition for a composite dielectric of the present invention can contain one or more of a fluorinated aromatic polymer and an inorganic dielectric.
  • the fluorinated aromatic polymer in the present invention preferably has a glass transition point temperature of 150 ° C or higher. If the glass transition temperature is lower than 150 ° C, the heat resistance of the composite dielectric comprising the liquid composition may be reduced.
  • the glass transition temperature of the fluorinated aromatic polymer is more preferably in the range of 150 ° C to 400 ° C, most preferably in the range of 170 ° C to 300 ° C.
  • the glass transition temperature can be measured, for example, by using DSC (trade name “DS C6200” manufactured by Seiko Instruments Inc.) under a nitrogen atmosphere at a temperature rising rate of 20 ° C.Z.
  • the surface resistance of the fluorinated aromatic polymer of the present invention is preferably 1.0 ⁇ 10 15 Q / cm 2 or more. If the surface resistance value is less than 1.0 ⁇ 10 15 ⁇ / « ⁇ 2 or more, the insulating property of the composite dielectric made of the liquid composition may be reduced.
  • the surface resistance of the fluorinated aromatic polymer is more preferably in the range of 1.0 ⁇ 10 17 Q / cm 2 or more.
  • the surface resistance value can be measured, for example, using a resistance value measuring device (manufactured by HEWLETT PACKERD, trade name “High Resistance Meter 4329A & Resistivity Cell 16008A”) at a measurement voltage of 500 V.
  • the average molecular weight of the fluorinated aromatic polymer of the present invention is preferably in the range of 5,000 to 500,000 in number average molecular weight (Mn). If the number average molecular weight is less than 5,000, the heat resistance of the composite dielectric composed of the liquid composition may decrease. If the number average molecular weight exceeds 500,000, the viscosity of the resin composition increases and the workability increases. descend.
  • the number average molecular weight (Mn) is more preferably in the range of 10,000 to 200,000, Most preferably in the range of 10,000-100,000.
  • the number average molecular weight can be determined, for example, by using a gel permeation chromatography analyzer (GPC) (trade name “HLC-8120G PC”, manufactured by Tosoh Corporation) as a column with G—5000HXL + GMHXL—L as a column. Using THF as the solvent and standard polystyrene as the standard, the measurement can be performed under the conditions of a flow rate of 1 mLZ minute.
  • GPC gel permeation chromatography analyzer
  • the fluorinated aromatic polymer of the present invention is selected from the group consisting of an aromatic ring having at least one fluorine group, an ether bond, a ketone bond, a sulfone bond, an amide bond, an imide bond, and an ester bond.
  • a polymer composed of a repeating unit containing at least one bond specifically, for example, a polyimide having a fluorine atom, polyether, polyesterether, polyetherketone, polyethersulfone, polyamideether, or polyamide. , Polyether-tolyl, polyester and the like.
  • the fluorinated aromatic polymer of the present invention is preferably a polymer having an aromatic ring having at least one fluorine group and a repeating unit containing an ether bond as essential parts.
  • the fluorinated aromatic polymer of the present invention is preferably a polyaryl ether having a fluorine atom containing a repeating unit represented by the following general formula (1).
  • the fluorine-containing aromatic polymer has such a structure, it is considered that the interaction with the inorganic dielectric is moderately suppressed, and a phenomenon that hinders the production of the liquid composition for a composite dielectric, for example, In addition, excessive thickening, gelation, loss of fluidity, aggregation and the like are reduced.
  • the repeating unit represented by the general formula (1) may be in the same or different form, and may be in any form such as a block form or a random form. [0018] [Formula 1]
  • R represents a divalent organic chain having the same or different aromatic ring having 11 to 150 carbon atoms.
  • Z represents a divalent chain or a direct bond.
  • m + m is preferably in the range of 2 to 8, and more preferably in the range of 4 to 8.
  • an ether moiety (one O—R—O—) is bonded to an aromatic ring! /, At a certain position, it is preferable that U is bonded to the para position with respect to Z.
  • R is a divalent organic chain.
  • R is an organic chain represented by any one of the following structural formulas (2) or a combination thereof. .
  • Y 1 to Y 4 are the same or different and represent a hydrogen group or a substituent, and the substituent represents an alkyl group or an alkoxyl group.
  • R More preferable and specific examples of R include an organic chain represented by the following structural formula group (3). [Formula 3]
  • Z represents a divalent chain or a direct bond.
  • the divalent chain is preferably, for example, a chain represented by the following structural formula group (4).
  • X is a divalent organic chain having 1 to 50 carbon atoms.
  • X is, for example, an organic chain represented by Structural Formula Group (3), and among them, a diphenyl ether chain, a bisphenol A chain, a bisphenol F chain, and a fluorene chain are preferable.
  • a general polymerization reaction is used as a method for synthesizing the fluorinated aromatic polymer of the present invention.
  • Examples include condensation polymerization, addition polymerization, solution polymerization, suspension polymerization, and emulsion polymerization.
  • Reaction conditions such as a reaction temperature and a reaction time in the polymerization reaction may be appropriately set.
  • the polymerization reaction is preferably performed in a nitrogen atmosphere.
  • Z is (46) in the structural formula group (4).
  • a polyaryl ether having a fluorine atom in which X is a diphenyl ether chain is obtained, 4,4′bis (2,3,4,5,6- ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ .
  • the reaction temperature in the above synthesis method is preferably in the range of 20 ° C to 150 ° C, and more preferably in the range of 50 ° C to 120 ° C! /.
  • organic solvent used in the above synthesis method examples include polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and N, N-dimethylacetamide / methanol and aromatic solvents such as toluene.
  • polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and N, N-dimethylacetamide / methanol
  • aromatic solvents such as toluene.
  • Examples of the basic compound used in the above synthesis method include potassium carbonate, lithium carbonate, potassium hydroxide, and the like.
  • the divalent phenol compound includes, for example, 2,2 bis (4-hydroxyphenyl) —1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane ( Hereinafter referred to as “6FBA”), bisphenol A (hereinafter referred to as “: BA”), 9,9-bis (4-hydroxyphenol) fluorene (hereinafter referred to as “HF”), bisphenol F, Hydroquinone, resorcinol and the like can be mentioned.
  • the amount of the divalent phenol compound to be used is 0.8-1.% With respect to 1 mol of 4,4'bis (2,3,4,5,6 pentafluorobenzoyl) diphenol ether. It is preferably within the range of 2 mol, more preferably within the range of 0.9 to 1.1 mol.
  • the solvent is removed from the reaction solution, and if necessary, the distillate is washed to obtain a fluorinated aromatic polymer.
  • the polymer can also be obtained by adding the fluorinated aromatic polymer to the reaction solution in a solvent having low solubility, thereby precipitating the polymer, and separating the precipitate by filtration.
  • an ABO type having a perovskite crystal structure is used as the inorganic dielectric in the present invention.
  • titanium oxide can also be used.
  • Examples of the ABO-type dielectric include lead titanate PbTiO and lead tungstate Pb.
  • binary or ternary composite perovskite-based dielectric for example, (Ba Sr ⁇ (l-
  • Examples of the shape of the inorganic dielectric of the present invention include a particle shape, a fibrous shape, a scaly shape, and a conical shape.
  • the average particle diameter of the inorganic dielectric is appropriately selected in consideration of the thickness of the composite dielectric using the liquid composition, but is 0.01 to 10 m when used as a thin film. Is more preferably within a range of 0.1-5 m, most preferably within a range of 0.5-3 / zm.
  • the specific surface area per volume of the inorganic dielectric, lm 2 Zg- 10m is preferably in the range of 2 Zg, 2m more preferably in the range of 2 Zg- 8m 2 Zg, the range of 2m 2 Zcg- 5m 2 Zg Is most preferred.
  • the liquid composition for a composite dielectric of the present invention preferably contains a solvent for the purpose of improving moldability and film formability and adjusting viscosity.
  • Examples of the solvent include aromatic solvents such as toluene, xylene, nitrobenzene, and benzo-tolyl; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, and isobutyl ketone; and methanol. , Ethanol, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), N, N-dimethylacetoamide, acetonitrile and the like.
  • aromatic solvents such as toluene, xylene, nitrobenzene, and benzo-tolyl
  • ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, and isobutyl ketone
  • methanol methanol.
  • Ethanol N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), N, N-dimethylacetoamide, acetonitrile
  • a mixed solvent using V and several solvents may be used.
  • the compounding amount of the solvent is preferably in the range of 1% by mass to 70% by mass in the liquid composition. If the amount of the solvent is less than 2% by mass, the viscosity of the liquid composition is not sufficiently reduced, and the moldability may be reduced. If it exceeds 70% by mass, a solvent may remain in the obtained composite dielectric, and the dielectric constant may be reduced.
  • the content of the solvent is more preferably in the range of 2% by mass to 60% by mass, and most preferably in the range of 3% by mass to 50% by mass.
  • the liquid composition for a composite dielectric of the present invention may contain other compounds and auxiliary materials as necessary.
  • the other compounds and auxiliary materials include polyamide resin, polyamideimide resin, epoxy resin, phenol resin, fluorine resin and other resins, silica, alumina, aluminum hydroxide, glass, and the like.
  • examples include inorganic fillers such as graphite, silane coupling agents, titanate coupling agents, flame retardants, antioxidants, plasticizers, leveling agents, anti-cissing agents, and dispersants.
  • the mixing amount of the above-mentioned other compounds and auxiliary materials may be in a range that does not impair the effects of the present invention. It is preferably in the range of 0.001 parts by mass to 500 parts by mass.
  • the method of forming a composite dielectric using the liquid composition for a composite dielectric of the present invention is appropriately selected depending on the shape of the composite dielectric required.
  • the liquid composition is cast on a film, a substrate, or a metal foil, dipped coating, spin coating, roll coating, spray coating, bar coating. After coating by a method such as screen printing or flexographic printing to form a coating film, the solvent is dried to form a thin layer.
  • the relative dielectric constant of the composite dielectric of the present invention is preferably in the range of 30 to 10,000.
  • the relative permittivity of the composite dielectric is more preferably in the range of 60 to 10,000, and most preferably in the range of 80 to 10,000.
  • the relative permittivity can be measured together with the dielectric loss tangent using, for example, an impedance analyzer (manufactured by Hewlett Packard, trade name “HP4294A”).
  • HP4294A an impedance analyzer
  • the composite dielectric of the present invention is required to have characteristics required as a general substrate element, but the TG-DTA analysis has a thermal loss rate up to 300 ° C of 1.0% by mass.
  • the moisture absorption in a pressure tucker test is preferably 1.0% by mass or less.
  • the TG-DTA analysis is performed, for example, by using a thermal analyzer (TG-DTA) (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name “Shimadzu Differential Thermogravimetric Simultaneous Measurement Device”) under a nitrogen atmosphere at 10 ° CZ. This can be done by measuring the weight loss from room temperature to 300 ° C at a rate.
  • TG-DTA thermal analyzer
  • Shimadzu Corporation trade name “Shimadzu Differential Thermogravimetric Simultaneous Measurement Device”
  • the thickness is preferably in the range of 0.1 ⁇ m to 100 m, more preferably in the range of 0.5 m to 50 m. .
  • Useful functions of the composite dielectric of the present invention include, for example, a bypass capacitor, a charging element, a differentiating element, a terminating load element, a filter, an antenna, and a noise cut.
  • the composite dielectric of the present invention can be used for a charging element, a differentiating element, a terminating load element, and the like, and thus can be suitably used as a component of an electric circuit board.
  • An electric circuit board including such a composite dielectric of the present invention as a constituent part is also one of the present inventions.
  • the electric circuit board including the composite dielectric of the present invention as a constituent part may be a built-up substrate in which a substrate element formed of the composite dielectric is installed outside the substrate.
  • An element substrate (EPD substrate) may be used.
  • a substrate element formed of the composite dielectric card of the present invention and other various elements are formed in a thin film on a film-like substrate (flexible substrate), and these are laminated and electrically connected to perform three-dimensional. It may be a thin multilayer flexible sheet device with a circuit formed! / !.
  • the electric circuit board of the present invention may include other elements such as wiring, terminals, holes, etc., in addition to various electronic elements, and may include various types of electronic elements and other elements included in the board, and a base. The positions and shapes of various electronic elements and electrodes in the board, the positions of the wiring holes, and the like are appropriately selected according to the use and function of the electric circuit board.
  • the electric circuit board including the composite dielectric of the present invention as a constituent part can be prepared, for example, by the method described above. It can be manufactured by arranging wiring layers and electrodes on the surface or inside of the thin film formed by the method.
  • a ground electrode is formed on an insulating substrate, a thin film that is a composite dielectric of the present invention is formed on the ground electrode, and a wiring layer is formed on the surface or inside of the thin film. Can be manufactured by arranging them.
  • the composite dielectric of the present invention can be manufactured by applying the composite dielectric to a conductive material such as a metal foil, bonding the composite dielectric to the conductive material, or sandwiching the conductive dielectric material.
  • the liquid composition for a composite dielectric of the present invention can be applied in a wide range, uniformly applied, applied to a specific site, or formed into a pattern by printing.
  • One of the advantages is that thin films can be formed to reduce the size and increase the capacity density.
  • the electric circuit board can be subjected to processing such as drilling using a laser, a solvent, etching or the like, pattern jungling, removal of a composite dielectric, and the like.
  • the ground electrode when the ground electrode is formed, the ground electrode is formed on a part or the whole surface of the insulating substrate, and is, for example, chromium, copper, aluminum, tungsten, silver, platinum, or gold. And the like can be formed by a method such as vapor deposition, plating, sputtering, etching, and screen printing.
  • examples of the wiring layer include a wiring layer formed by force, such as a strip line, a microstrip line, a triplate line, and a coplanar line.
  • a method for forming the wiring layer for example, after forming a ground electrode and a thin layer which is a composite dielectric on an insulating substrate as described above, for example, chromium, copper, aluminum, tungsten, silver, platinum And a material such as gold, by vapor deposition, plating, sputtering, etching, screen printing, or the like.
  • FIG. 1 shows the electric circuit board thus formed.
  • FIG. 2 schematically shows an example of the composite dielectric of the present invention, an electric circuit component (electronic element) formed from the composite dielectric, and an electronic circuit board in which the electronic element is formed.
  • Figure 3 shows.
  • FIG. 2 (a) schematically shows an example of a composite dielectric formed using the liquid composition for a composite dielectric of the present invention
  • FIG. 2 (b) shows the composite dielectric above and below the composite dielectric.
  • It shows an example of an electric circuit component (electronic element) formed by attaching electrodes.
  • the shape of the composite dielectric, the shape and the installation position of the electrode, and the like are appropriately determined depending on the application's function.
  • FIG. 3 schematically shows an example of an electronic circuit board in which electronic elements are built. The installation position and number of electronic elements inside the board are determined as appropriate according to the application function of the electronic circuit board. Parts will be installed.
  • the liquid composition for a composite dielectric of the present invention has the above-described configuration, it is excellent in dispersibility and high filling property of the inorganic dielectric in the organic polymer, and can be highly blended with the inorganic dielectric. Also, a thin film can be formed. Therefore, the composite dielectric obtained from the composite dielectric liquid composition of the present invention has a high dielectric constant and a high capacity density. Furthermore, since the fluorinated aromatic polymer has high insulation, heat resistance and low moisture absorption, the liquid composition for composite dielectric of the present invention is used. The composite dielectric obtained from the product has low dielectric loss tangent, heat resistance, and low moisture absorption.
  • FIG. 1 shows a perspective view of an electric circuit board according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 schematically shows a composite dielectric (a) of the present invention and an electric circuit component (electronic element) (b) formed from the composite dielectric.
  • FIG. 3 schematically shows an electronic circuit board in which an electric circuit component (electronic element) formed from the composite dielectric of the present invention is formed.
  • the fluorinated aromatic polymer, organic solvent, dispersant, and inorganic dielectric are added in the order of the amount shown in Table 1, and then mixed uniformly with a chem stirrer.
  • a liquid composition was obtained.
  • a comparative liquid composition a composition was obtained by mixing in the same manner at the compounding amount shown in Table 2.
  • the relative permittivity and the dielectric loss tangent of each of the obtained composite dielectrics were measured by an impedance analyzer.
  • Example 1 Example 2 Example 3 Example 4 Example 5 Example 6 Example 6 Example F Example 8 Example 9 Fluorinated polymer (1) polymer (2) polymer (3) polymer (1) polymer ( 2) Polymer (1) Polymer (2) Polymer (2) Polymer (2) Aromatic polymer 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts 10 parts Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene Toluene
  • PTFE polytetrafluoroethylene disposable, solid content concentration 60%, manufactured by Daikin Industries,
  • Example 1 Example 2 Example 3 Example 4 Example 5 Example 6 Example 7 Example 8 Example 9 Film forming property Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Good Dielectric constant (1 MHz) 87.7 85.7 80.9 92.4 101.1 91.1 90.5 106.5 88.1 tan (5 (1 MHz) 0.014 0.011 0.018 0.013 0.02 0.025 0.018 0.015 0.025 Heat loss (%) 0.7 0.6 0.8 0.6 0.5 0.9 0.4 0.7 0.2 Moisture absorption (%) 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.1% or less 0.
  • the composite dielectric obtained from the liquid composition for a composite dielectric of Examples 19 to 19 has excellent dispersibility of the inorganic dielectric in the organic polymer and good film-forming properties. In addition, it has a high relative dielectric constant and a low dielectric loss tangent. In addition, it shows ideal performance as a material for electric circuit boards, such as high heat resistance and low moisture absorption.
  • the dielectric loss tangent (t an ⁇ ) is the tangent of the phase difference ⁇ (90 ° — ⁇ ) in the dielectric, and the larger the dielectric loss tangent, the more electric energy is consumed as heat energy. In addition, energy loss due to heat generation of the dielectric and thermal deterioration of the dielectric itself tend to occur.
  • poor film formability means that the liquid composition for a composite dielectric has an inappropriate viscosity, a poorly dispersed state, cannot be formed due to, for example, or the formed film is brittle, and the film state is maintained. Can't do that.
  • the composite dielectric obtained from the liquid composition for a composite dielectric of the present invention has high! ⁇ Dielectric constant and low! It can be effectively used as an electronic element such as an antenna.

Abstract

　有機ポリマーへの無機誘電体の分散性に優れ、有機−無機複合誘電体とした場合に、高い誘電率をしめす有機−無機複合誘電体用液状組成物を提供する。 無機誘電体とフッ素化芳香族ポリマーを含有する複合誘電体用液状組成物。また、該複合誘電体用液状組成物を用いてなる複合誘電体、及び、該複合誘電体を構成部位として含む電気回路基板。

Description

明 細 書
複合誘電体用樹脂組成物および複合誘電体、該誘電体を使用した電気 回路基板
技術分野
[0001] 本発明は、有機ポリマーと無機誘電体とからなる有機 無機複合誘電体用液状組成 物と、該組成物を用いてなる複合誘電体、さらに、該誘電体を使用した電気回路基 板に関する。
背景技術
[0002] 情報化社会の進行とともに、情報伝達の高速度化、これに伴う情報信号の高周波化 のニーズがますます高まりつつある。これに対応するため、エレクトロニクス製品に使 用される回路基板の高機能化 ·高密度実装が求められ、この課題を解決するため、 抵抗'キャパシター 'インダクターと 、つた電子素子を回路基板の中に作りこむ技術で ある EPD (Embedded Passive Device Techinology)が注目を集めている。
[0003] 一般に実装に使用されるキャパシターにはセラミック誘電体が用いられている力 EP Dに使用した場合に回路基板の孔あけや切断等の後加工性や、接着性が悪いこと が問題となる。そこで、後加工性や接着性に優れた誘電体として有機ポリマーと無機 誘電体を複合化した有機 -無機複合誘電体が提案されている。
[0004] この有機 無機複合誘電体は、ポリフエ-レンォキシド榭脂やエポキシ榭脂等に誘電 率の大き!ヽ無機誘電体を分散させて成形ある!ヽは成膜させたものである（特許文献 1 参照）が、これらの榭脂は特に高周波域での誘電率が低いため、誘電率の大きい無 機誘電体をできるだけ多く配合することが必要である。しかし、従来使用されているポ リフエ-レンォキシド榭脂やエポキシ榭脂では、無機誘電体の分散性に劣るため配 合量に限界があり、複合誘電体としての誘電率は満足 、くレベルには達して 、な 、。 特許文献 1：特開平 2— 225358号公報明細書
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] そこで本発明では、有機ポリマーへの無機誘電体の分散性に優れ、有機 無機複合 誘電体とした場合に、高！ヽ誘電率をしめす有機 -無機複合誘電体用液状組成物を 提供することを課題として 、る。
課題を解決するための手段
[0006] 前記課題を解決するため、この発明にかかる複合誘電体用液状組成物では、無機 誘電体とフッ素化芳香族ポリマーを含有することが特徴である。有機ポリマーとしてフ ッ素化芳香族ポリマーを使用すると、フッ素化芳香族ポリマーは無機誘電体の分散 性に優れるため、組成物中に無機誘電体を高配合することができ、複合誘電体とし て高い誘電率をしめすものが得られる。このため、本発明の複合誘電体用液状組成 物により形成される複合誘電体は、複合誘電体が用いられる用途の中でも、電気回 路基板を構成するコンデンサ一等の電子素子としての使用に好適なものとなる。
[0007] また、高い誘電率の複合誘電体を得るため、上記組成物は、無機誘電体が、フッ素 化芳香族ポリマー 100質量部に対して、 100— 2, 000質量部の範囲にあることが好 ましい実施態様である。
[0008] さらに、本発明には、上記の複合誘電体用液状組成物を用いてなる複合誘電体や、 該複合誘電体を構成部位として含む電気回路基板も含まれる。
[0009] なお、本発明の複合誘電体とは、無機誘電体を分散させた液状組成物を所定の形 状に成形したものを!、 、、有機ポリマー中に無機誘電体が高分散された成形体およ び成形膜等を表す。
[0010] 本発明者等は、有機ポリマーに無機誘電体を分散させる有機 無機複合誘電体用 液状組成物にっ 、て鋭意検討を重ねた結果、有機ポリマーとしてフッ素化芳香族ポ リマーを含むことにより、組成物中の無機誘電体の配合量を高めることができ、複合 誘電体の特に高周波域での誘電率が格段に向上することを見出し、上記の課題を みごと解決できることに想到した。
[0011] 本発明の複合誘電体用液状組成物は、フッ素化芳香族ポリマーと無機誘電体を含 有する。
本発明の複合誘電体用液状組成物にぉ ヽて、フッ素化芳香族ポリマーと無機誘電 体の含有量は、フッ素化芳香族ポリマーの 100質量部に対して、無機誘電体が 100 一 2, 000質量部の範囲内であることが好ましい。無機誘電体の含有量が 100質量 部未満では、液状組成物からなる複合誘電体の誘電率が低くなる恐れがある。一方
、無機誘電体の含有量が 2, 000質量部を超えると該組成物の粘度が高くなり、取り 扱い性が低下する恐れがある。無機誘電体の含有量のより好ましい下限は、フッ素 化芳香族ポリマーの 100質量部に対して 500質量部以上であり、 700質量部以上が 最も好ましい。また、無機誘電体の含有量の好ましい上限は、フッ素化芳香族ポリマ 一の 100質量部に対して 1, 500質量部以下であり、 1, 000質量部以下であることが さらに好ましい。
本発明の複合誘電体用液状組成物は、フッ素化芳香族ポリマー及び無機誘電体を それぞれ 1種又は 2種以上含有することができる。
[0012] 本発明におけるフッ素化芳香族ポリマーとしては、ガラス転移点温度が 150°C以上 であることが好ましい。ガラス転移点温度が 150°C未満では、液状組成物からなる複 合誘電体の耐熱性が低下するおそれがある。フッ素化芳香族ポリマーのガラス転移 点温度は 150°C— 400°Cの範囲内がさらに好ましぐ 170°C— 300°Cの範囲内が最 も好ましい。ガラス転移温度は、例えば、 DSC (セイコー電子工業社製、商品名「DS C6200」）を用いて、窒素雰囲気下、 20°CZ分の昇温速度の条件で測定することが できる。
[0013] 本発明のフッ素化芳香族ポリマーの表面抵抗値は、 1. 0 X 1015 Q /cm2以上である ことが好ましい。表面抵抗値が 1. 0 Χ 1015 Ω /«η2以上未満では、液状組成物から なる複合誘電体の絶縁性が低下する恐れがある。フッ素化芳香族ポリマーの表面抵 抗値は 1. 0 X 1017 Q /cm2以上の範囲内がさらに好ましい。表面抵抗値は、例えば 、抵抗値測定装置（ヒューレットパッカード (HEWLETT PACKERD)製、商品名「 High Resistance Meter 4329A & Resistivity Cell 16008A」）を用いて 、測定電圧 500Vの条件で測定することができる。
[0014] 本発明のフッ素化芳香族ポリマーの平均分子量は、数平均分子量（Mn)で 5, 000 一 500, 000の範囲内であることが好ましい。数平均分子量が 5, 000未満では液状 組成物からなる複合誘電体の耐熱性が低下するおそれがあり、数平均分子量が 500 , 000を超えると榭脂組成物の粘度が高くなり、作業性が低下する。
[0015] 上記数平均分子量（Mn)は 10, 000— 200, 000の範囲内がさらに好ましく、 10, 000— 100, 000の範囲内が最も好ましい。数平均分子量は、例えば、ゲルパ 一ミエーシヨンクロマトグラフ分析装置 (GPC) (東ソ一社製、商品名「HLC-8120G PC」）を用いて、カラムとして G— 5000HXL + GMHXL— L、展開溶媒として THF、 標準として標準ポリスチレンを用い、流量 lmLZ分の条件で測定することができる。
[0016] 本発明のフッ素化芳香族ポリマーは、少なくとも 1つ以上のフッ素基を有する芳香族 環と、エーテル結合、ケトン結合、スルホン結合、アミド結合、イミド結合、エステル結 合の群より選ばれた少なくとも 1つの結合を含む繰り返し単位により構成された重合 体であり、具体的には、例えば、フッ素原子を有するポリイミド、ポリエーテル、ポリエ 一テルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリアミドエーテル、ポリアミ ド、ポリエーテル-トリル、ポリエステルなどが挙げられる。
[0017] 本発明のフッ素化芳香族ポリマーは、少なくとも 1つ以上のフッ素基を有する芳香族 環と、エーテル結合を含む繰り返し単位を必須部位として有する重合体であることが 好ましい。
さらに、本発明のフッ素化芳香族ポリマーは、下記一般式（1)で表される繰り返し単 位を含むフッ素原子を有するポリアリールエーテルであることが好まし 、。フッ素含有 芳香族ポリマーがこのような構造を有するものであると、無機誘電体との相互作用が 適度に抑制されると考えられ、複合誘電体用液状組成物作製に支障をきたす現象、 例えば大幅な増粘、ゲル化、流動性の損失、凝集等が低減される。よって、より多く の無機誘電体を配合した複合誘電体用液状組成物を作製することができ、複合誘電 体としてより高い誘電率を示すものとすることができるだけでなぐ粘度を低下させるこ とができるため、複合誘電体を薄膜状に成形することが容易となる。なお、一般式（1) で表される繰り返し単位は、同一でも異なっていてもよぐブロック状、ランダム状等の 何れの形態であってもよ 、。 [0018] [化 1]
Figure imgf000007_0001
[0019] (式中、 Rは同一又は異なる炭素数 1一 150の芳香族環を有する 2価の有機鎖を表 す。また、 Zは 2価の鎖又は直接結合を表す。 m及び m'は 0以上の整数であり、 m+ m' = 1— 8を満たし、同一又は異なって芳香族環に結合しているフッ素原子の数を 表す。 nは、重合度を表わし、 2— 5000の範囲内が好ましぐ 5— 500の範囲内がさ らに好ましい。 )
[0020] 上記一般式（1)において、 m+m，は 2— 8の範囲内が好ましぐ 4一 8の範囲内がさ らに好ましい。
[0021] 上記一般式（1)にお 、て、エーテル構造部分 (一 O— R— O—)が芳香環に結合して！/、 る位置にっ 、ては、 Zに対してパラ位に結合して 、ることが好ま U、。
[0022] 上記一般式（1)において、 Rは 2価の有機鎖である力 下記の構造式群（2)で表され るいずれか一つ、あるいは、その組み合わせの有機鎖であることが好ましい。
[0023] [化 2]
Figure imgf000008_0001
[0024] (式中、 Y1— Y4は、同一又は異なって水素基または置換基を表し、該置換基は、ァ ルキル基、アルコキシル基を表す。 )
[0025] 上記 Rのより好ましい、具体例としては、下記の構造式群（3)で表される有機鎖が挙 げられる。 [化 3]
Figure imgf000009_0001
上記一般式（1)において、 Zは、 2価の鎖又は直接結合していることを表す。該 2価の 鎖としては、例えば、下記構造式群 (4)で表される鎖であることが好ましい。
[0028] [化 4]
S—— —— 0—— — CH2
(4-1) (4-2) (4-3) (4-4) (4-5)
Figure imgf000010_0001
S— X S一 ― 0— X一 0
(4-6) (4-7) (4-8)
Figure imgf000010_0002
(4-11) (4-12)
Figure imgf000010_0003
(4-13)
[0029] (式中、 Xは、炭素数 1一 50の 2価の有機鎖である。 )
[0030] 上記 Xは、例えば、構造式群 (3)で表される有機鎖が挙げられ、その中でもジフエ- ルエーテル鎖、ビスフエノール A鎖、ビスフエノール F鎖、フルオレン鎖が好ましい。
[0031] 本発明のフッ素化芳香族ポリマーの合成方法としては、一般的な重合反応を用いれ ばよぐ例えば、縮合重合、付加重合、溶液重合、懸濁重合、乳化重合等が挙げら れる。上記重合反応の際の反応温度や反応時間等の反応条件は適宜設定すれば よい。また、上記重合反応は、窒素雰囲気下で行うことが好ましい。
[0032] 例えば、上記一般式（1)で表される繰り返し単位を含むフッ素原子を有するポリアリ ールエーテルの合成方法を挙げると、 Zが上記構造式群 (4)のうちの (4 6)であり、 さらに、 Xがジフエ-ルエーテル鎖であるフッ素原子を有するポリアリールエーテルを 得る場合、有機溶媒中、塩基性化合物の存在下で、 4, 4' ビス（2, 3, 4, 5, 6—ぺ ンタフルォ口べンゾィル）ジフエ-ルエーテル（以下、「BPDE」と!、う）と 2価のフエノー ル化合物を加熱する方法等が挙げられる。
[0033] 上記の合成方法における反応温度としては、 20°C— 150°Cの範囲内が好ましぐ 50 °C一 120°Cの範囲内がさらに好まし！/、。
[0034] 上記の合成方法で使用される有機溶媒としては、例えば、 N—メチルー 2 ピロリドン（ NMP)、 N, N—ジメチルァセトアミドゃメタノール等の極性溶媒やトルエン等の芳香 族系溶媒が挙げられる。
[0035] 上記の合成方法で使用される塩基性化合物としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸リ チウム、水酸ィ匕カリウム等が挙げられる。
[0036] 上記の合成方法において、 2価のフエノール化合物としては、例えば、 2, 2 ビス（4 ヒドロキシフエ-ル）— 1, 1, 1, 3, 3, 3—へキサフルォロプロパン（以下、「6FBA」とい う）、ビスフエノール A (以下、 「： BA」という）、 9, 9—ビス（4—ヒドロキシフエ-ル）フルォ レン（以下、 「HF」という）、ビスフエノール F、ハイドロキノン、レゾルシノール等が挙げ られる。
[0037] 上記 2価のフエノール化合物の使用量は、 4, 4' ビス（2, 3, 4, 5, 6 ペンタフル ォ口べンゾィル）ジフエ-ルエーテル 1モルに対して、 0. 8—1. 2モルの範囲内が好 ましく、 0. 9— 1. 1モルの範囲内がさらに好ましい。
[0038] 上記の合成方法においては、反応終了後に、反応溶液より溶媒除去を行ない、必要 により留去物を洗浄することにより、フッ素化芳香族ポリマーが得られる。また、反応 溶液にフッ素化芳香族ポリマーの溶解度の低い溶媒中に加えることにより、該ポリマ 一を沈殿させ、沈殿物を濾過により分離することにより得ることもできる。 [0039] 本発明における無機誘電体としては、ペルブスカイト結晶構造を有する ABO型の
3 誘電体およびこの 2元系または 3元系の複合ペルブスカイト系誘電体が好ましぐそ の他、酸ィ匕チタンも用いることができる。
[0040] 上記 ABO型の誘電体としては、例えば、チタン酸鉛 PbTiO、タングステン酸鉛 Pb
3 3
WO、亜鉛酸鉛 PbZnO、鉄酸鉛 PbFeO、マグネシウム酸鉛 PbMgO、ニオブ酸
3 3 3 3 鉛 PbZbO、ニッケル酸鉛 PbNiO、ジルコン酸鉛 PbZrO、チタン酸バリウム BaTiO
3 3 3
、チタン酸ストロンチウム SrTiO、ジルコン酸カルシウム CaZrO、チタン酸カルシゥ
3 3 3
ム CaTiO、チタン酸亜鉛 ZnTiO、チタン酸マグネシウム ZnTiO、ジルコン酸バリウ
3 3 3 ム BaZrO、ジルコン酸マグネシウム MgZrO、ジルコン酸亜鉛 ZnZrO等が挙げら
3 3 3
れる。
[0041] 上記 2元系または 3元系の複合ペルブスカイト系誘電体としては、例えば、（Ba Sr χ (l-
) (Sn Ti ) 0、 Ba (Ti Sn ) 0、 Ba Sr TiO、 BaTiO— CaZr03、 BaTi x) y (1-y) 3 x (li) 3 x (1— x) 3 3
O Bi Ti O 、 (Ba Ca ) (Zr TiO ) 0等が挙げられる。
3 4 3 12 x (li) y (l-y) 3
[0042] 本発明の無機誘電体の形状としては、粒子状、繊維状、燐片状、円錐状等が挙げら れる。
[0043] 上記無機誘電体の平均粒子径としては、液状組成物を用いてなる複合誘電体の厚 みを考慮して適宜選択されるが、薄膜として用いる場合には、 0. 01— 10 mの範 囲内であることが好ましぐ 0. 1— 5 mの範囲内であることがさらに好ましぐ 0. 5— 3 /z mの範囲内が最も好ましい。また、無機誘電体の体積当たりの比表面積は、 lm2 Zg— 10m2Zgの範囲内が好ましく、 2m2Zg— 8m2Zgの範囲内がさらに好ましく、 2m2Zcg— 5m2Zgの範囲内が最も好ましい。
[0044] 本発明の複合誘電体用液状組成物には、成形性や成膜性を向上し、粘度調節を目 的として、溶剤を配合することが好ましい。
[0045] 上記溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、ニトロベンゼン、ベンソ-トリル等の 芳香族系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン、シクロへキサノン、シクロペンタノン、ィ ソブチルケトン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、 N—メチルー 2—ピロリドン（ NMP)、 N, N—ジメチルァセトアミド、ァセトニトリル等が挙げられる。
また、複合誘電体用液状組成物の安定性を高める、もしくは乾燥性を調整する、もし くは成形物 ·成形膜の物性を高めるために、 V、くつかの溶媒を併用した混合溶媒を 用いてもよい。
[0046] 上記溶剤の配合量は、液状組成物中 1質量％—70質量％の範囲内が好ましい。溶 剤の配合量が 2質量％未満では、液状組成物の粘度低減が十分でなく成形性が低 下するおそれがある。また、 70質量％を超えると得られた複合誘電体中に溶剤が残 存して誘電率が低下するおそれがある。溶剤の配合量は、 2質量％—60質量％の 範囲内がさらに好ましく、 3質量％— 50質量％の範囲内が最も好ま 、。
[0047] 本発明の複合誘電体用液状組成物には、必要に応じて、その他の化合物や副資材 を含んでもよい。該その他の化合物や副資材としては、例えば、ポリアミド榭脂、ポリ アミドイミド榭脂、エポキシ榭脂、フエノール榭脂、フッ素榭脂等の榭脂、シリカ、アル ミナ、水酸ィ匕アルミニウム、ガラス、黒鉛等の無機充填材、シランカップリング剤、チタ ネートカップリング剤、難燃剤、酸化防止剤、可塑剤、レべリング剤、ハジキ防止剤、 分散剤等が挙げられる。
[0048] 本発明の複合誘電体用液状組成物における、上記その他の化合物や副資材の配 合量は、発明の効果を損なわない範囲であればよぐ該組成物 100質量部に対して 、 0. 001質量部一 500質量部の範囲内が好ましい。
[0049] 本発明の複合誘電体用液状組成物を用いてなる複合誘電体の成形方法は、求めら れる複合誘電体の形状により適宜選択される。
[0050] 例えば、複合誘電体を薄層（薄膜)として用いる場合には、フィルムや基板、金属箔 上に液状組成物をキャスティング、デイツビングコート、スピンコート、ロールコート、ス プレイコート、バーコート、スクリーン印刷、フレキソ印刷等の方法により塗布して塗膜 を形成した後、溶剤を乾燥して、薄層を形成する。
[0051] 本発明の複合誘電体の比誘電率は、 30— 10, 000の範囲内であることが好ましい。
該比誘電率が 30未満では、誘電体のキャパシターとして電荷を蓄積する容量が低く なる恐れがある。複合誘電体の比誘電率は、 60— 10, 000の範囲内がさらに好まし く、 80— 10, 000の範囲内が最も好ましい。比誘電率は、誘電正接と共に、例えば、 インピーダンスアナライザ（ヒューレットパッカード（HEWLETT PACKERD)製、商 品名「HP4294A」）を用いて測定することができる。 [0052] また、本発明の複合誘電体は、一般的な基板素子として必要な特性を備えることが 必要であるが、 TG— DTA分析における 300°Cまでの熱減量率が 1. 0質量％以下で あることが好ましぐプレッシャータッカー試験（PCT試験、 135°C、 3気圧、 2時間）で の吸湿率が 1. 0質量％以下であることが好ましい。 TG— DTA分析は、例えば、サー マルアナライザ (TG— DTA) (島津製作所社製、商品名「島津示差熱熱重量同時測 定装置」）を用いて窒素雰囲気下、 10°CZ分の昇温速度で室温から 300°Cまでの重 量減少を測定することにより行うことができる。また、 PCT試験は、例えば、乾燥した サンプルをプレッシャータッカー（ヒラャマ（HIRAYAMA)社製、商品名「PC— 242 HS プレッシャータッカー」）を用い、 135°C、 3気圧、 2時間の条件にさらした後、吸 湿率を測定することにより行うことができる。
[0053] 本発明の複合誘電体を薄層（薄膜)として用いる場合の厚みは、 0. 1 μ m— 100 mの範囲内が好ましぐ 0. 5 m— 50 mの範囲内がさらに好ましい。
本発明の複合誘電体の用途'機能としては、例えば、バイパスコンデンサー、充電素 子、微分素子、終端負荷素子、フィルター、アンテナ、ノイズカット等が挙げられる。
[0054] 本発明の複合誘電体は、充電素子、微分素子、終端負荷素子等に用いることができ るものであることから、電気回路基板を構成する部品として好適に用いることができる 。このような本発明の複合誘電体を構成部位として含む電気回路基板もまた、本発 明の 1つである。本発明の複合誘電体を構成部位として含む電気回路基板は、複合 誘電体から形成される基板素子を基板の外部に設置したビルドアップ基板であって もよぐ基板の内部に作り込んだ埋め込み受動素子基板 (EPD基板)であってもよい 。また、フィルム状基板 (フレキシブル基板)上に本発明の複合誘電体カゝら形成される 基板素子や、その他の各種素子を薄膜で形成し、これらを積層、電気接続して 3次 元的に回路を形成した薄型多層フレキシブルシートデバイスであってもよ!/ヽ。本発明 の電気回路基板には、各種電子素子の他、配線、端子、孔等のその他の要素が含 まれていてもよぐ基板に含まれる各種電子素子やその他の要素の種類、及び、基 板中における各種電子素子や電極の位置、形状、配線ゃ孔の位置等は、電気回路 基板の用途や機能等に応じて適宜選択されることになる。
[0055] 本発明の複合誘電体を構成部位として含む電気回路基板は、例えば、上記の方法 により形成された薄膜の表面あるいは内部に配線層、電極を配置することにより製造 することができる。
[0056] また、上記電気回路基板は、絶縁基板上に接地電極を形成し、該接地電極上に本 発明の複合誘電体である薄膜を形成した後、さらにこの薄膜の表面あるいは内部に 配線層を配置することにより製造することができる。
また、本発明の複合誘電体を金属箔等の導電性材料に塗布する、導電性材料と密 着させる、導電性材料ではさむ等して製造することができる。
本発明の複合誘電体用液状組成物は広範囲に塗布する、均一に塗布する、特定の 部位に塗布する、印刷によりパターンを形成することができる。カロえて、小型化、容量 密度向上のために薄膜ィ匕が可能であることも利点の一つである。
さらに上記電気回路基板を、レーザー、溶剤、エッチング等を用いて穴あけ、パター ユング、複合誘電体の除去等の加工をすることができる。
[0057] 本発明の電気回路基板において、接地電極を形成する場合の接地電極としては、 絶縁基板の一部あるいは全面に形成され、例えば、クロム、銅、アルミニウム、タンダ ステン、銀、白金、金等の材料を蒸着、メツキ、スパッタ、エッチング、スクリーン印刷 等の方法により形成することができる。
[0058] また、本発明の電気回路基板において、配線層としては、例えば、ストリップ線路、マ イクロストリップ線路、トリプレート線路、コプレーナ線路等力 構成された配線層が挙 げられる。該配線層を形成する方法としては、例えば、上記のように絶縁基板上に接 地電極と複合誘電体である薄層を形成した後、例えば、クロム、銅、アルミニウム、タ ングステン、銀、白金、金等の材料を蒸着、メツキ、スパッタ、エッチング、スクリーン印 刷等の方法により形成することができる。このように形成された電気回路基板を図 1に 示す。
[0059] 本発明の電子回路基板の具体的な形態、及び、その製造方法の具体例としては、「 電子材料 2002年 9月号 特集 1 電子部品内蔵基板の最新技術と将来展望」に記 載の各種形態、及び、製造方法等が挙げられ、例えば、基板内部にコンデンサを作 り込んだ電子回路基板としては、以下の各種形態、及び、製造方法等を例示すること ができる。 (1)複合誘電体の薄膜 (フィルム)の上下に Cu箔等の金属箔を貼着してコンデンサ を形成する工程、そのコンデンサの上下に配線層を積層して電子回路基板を形成す る工程により製造される電子回路基板。
(2)榭脂基板の上、又は、上下両面に貼着した下部電極上に複合誘電体層を形成 し、その上に上部電極を貼着してコンデンサを形成する工程、この基板の上、又は、 上下両面にコンデンサの形成された榭脂基板に積層 'エッチングにより配線層を形 成して電子回路基板を形成する工程により製造される電子回路基板。
(3) Cu箔等の金属箔上に誘電体層を形成し、その上に Cu箔等の金属箔を貼着して コンデンサを形成する工程、この Cu箔等の金属箔上にコンデンサが形成されたもの 全体を反転させて、底面に Cu箔等の金属箔が貼着した榭脂基板上に積層する工程 、その榭脂基板の上下の Cu箔等の金属箔のエッチング、配線層の積層'エッチング により電子回路基板を形成する工程により製造される電子回路基板。
[0060] 本発明の複合誘電体、該複合誘電体から形成される電気回路用部品 (電子素子)、 及び、該電子素子を内部に作り込んだ電子回路基板の一例を模式的に図 2及び図 3に示す。図 2 (a)は、本発明の複合誘電体用液状組成物により成形された複合誘 電体の一例を模式的に表したものであり、図 2 (b)は、複合誘電体の上下に電極を貼 着して形成された電気回路用部品 (電子素子)の一例を表したものである。複合誘電 体の形状、及び、電極の形状や設置位置等は、用途'機能により適宜決定されること になる。図 3は、電子素子を内部に作り込んだ電子回路基板の一例を模式的に表し たものである。基板内部における電子素子の設置位置や数は、電子回路基板の用 途 '機能に応じて適宜決定されることになり、基板の上下及び Z又は内部には、必要 に応じて ICチップ等の他の部品が設置されることになる。
発明の効果
[0061] 本発明の複合誘電体用液状組成物は、上述の構成よりなるので、有機ポリマーへの 無機誘電体の分散性、高充填性に優れ、無機誘電体を高配合することができる。ま た、薄膜形成も可能である。そのため、本発明の複合誘電体用液状組成物より得ら れた複合誘電体は高い誘電率や容量密度を有する。さらに、フッ素化芳香族ポリマ 一は高い絶縁性、耐熱性、低吸湿性を有するため、本発明の複合誘電体用液状組 成物より得られた複合誘電体は低誘電正接や耐熱性、低吸湿性を兼ね備えるものと なる。
図面の簡単な説明
[0062] [図 1]は本発明の電気回路基板の実施態様として基板の斜視図を示すものである。
[図 2]は本発明の複合誘電体 (a)及び該複合誘電体から形成される電気回路用部品 (電子素子）（b)を模式的に表すものである。
[図 3]は本発明の複合誘電体から形成される電気回路用部品 (電子素子)を内部に 作り込んだ電子回路基板を模式的に表すものである。
符号の説明
[0063] 1 絶縁基板
2 接地電極
3 複合誘電体層
4 配線層
5 複合誘電体
6、 6， 電極
7 基板
8 他部品（ICチップ等）
発明を実施するための最良の形態
[0064] 以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する力 本発明の範囲はこれらの実 施例のみに限定されるものではない。なお、以下ことわりのない場合、「％」は「質量
%」を、「部」は「質量部」をそれぞれ示すものとする。
[0065] 合成例 1
温度計、冷却管、ガス導入管、および攪拌機を備えた反応器に、 BPDE 16. 74部 、6— FBA 10. 14部、炭酸カリウム 4. 34部および、 N—メチルー 2—ピロリドン（NM P) 90部を仕込んだ。この混合物を 60°Cに加熱し、 5時間反応した。反応終了後、 反応溶液をプレンダ一で激しく攪拌しながら、 1%酢酸水溶液中に注加した。析出し た反応物を濾別し、蒸留水及びメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、フッ素化芳 香族ポリマー（1)を得た。該ポリマーのガラス転移点温度 (Tg)は 193°C、数平均分 子量（Mn)が 72, 370、表面抵抗値は 1. O X 1018 Q Zcm2以上であった。
[0066] 合成例 2
合成例 1と同様の反応器に、 BPDE 16. 74部、 HF 10. 5部、炭酸カリウム 4. 3 4部、ジメチルァセトアミド 90部を仕込んだ。この混合物を 80°Cに加温し、 8時間反 応した。反応終了後、合成例 1と同様にして、フッ素化芳香族ポリマー（2)を得た。該 ポリマーのガラス転移点温度 (Tg)は 242°C、数平均分子量 (Mn)が 70, 770、表面 抵抗値は 1. 0 Χ 1018 Ω /cm2以上であった。
[0067] 合成例 3
合成例 1と同様の反応器に、 BPDE 16. 74部、 BA 5. 88部、炭酸カリウム 4. 3 4部、ジメチルァセトアミド 90部を仕込んだ。この混合物を 80°Cに加温し、 10時間 反応した。反応終了後、合成例 1と同様にして、フッ素化芳香族ポリマー（3)を得た。 該ポリマーのガラス転移点温度 (Tg)は 180°C、数平均分子量 (Mn)が 62, 750、表 面抵抗値は 1. 0 Χ 1018 Ω /cm2以上であった。
[0068] 実施例 1一 9、比較例 1一 3
本発明に力かる複合誘電体用液状組成物として、表 1に記載した配合量でフッ素化 芳香族ポリマー、有機溶剤、分散剤、さらに無機誘電体の順に配合して、ケミスター ラーにより均一に混合して、液状組成物を得た。また、比較の液状組成物として、表 2 に記載した配合量で同様に混合して組成物を得た。
次に、あらカゝじめ白金膜を形成した、ガラス板上にスピンコーターにより上記の組成 物を塗布した後、室温で 30分間乾燥後、さらに所定温度のオーブン中で乾燥させ、 厚み 20 mの複合誘電体を得た。さらに、複合誘電体の表面にィオンスパッタにより 白金膜を形成して、評価用の複合誘電体を作製した。この複合誘電体を以下の方法 により評価した。その結果を表 3および表 4に記載した。
[0069] 評価方法
誘電特性
得られた各複合誘電体をインピーダンス ·アナライザにより比誘電率および誘電正接 を測定した。
(2)耐熱特性 得られた各複合誘電体をサーマルアナライザ (TG— DTA分析）により、 300°Cまでの 減量率を測定した。
吸湿特性
得られた各複合誘電体を PCT試験（135°C、 3気圧、 2時間）を行い、試験後の吸湿 率を測定した。
[表 1]
実施例 1 実施例 2 実施例 3 実施例 4 実施例 5 実施例 6 実施例フ 実施例 8 実施例 9 フッ素化 ポリマ一（1) ポリマー (2) ポリマー (3〉 ポリマ一（1) ポリマ一 (2) ポリマー（1) ポリマー (2) ポリマー (2) ポリマ一（2) 芳香族ポリマー 10部 10部 10部 10部 10部 10部 10部 10部 10部 トルエン トルエン トルエン トルエン トルエン トルエン トルエン トルエン トルエン
90部 90部 90部 90部 90部 90部 90部 67. 5部 67.5咅 有機溶剤
N P NMP
22. 5部 22.5部
BYK W9010 BYK固 10 BYK W9010 BYK W9010 BYK W9010 BYK W9010 BYK W9010 BYK W9010 BYK W9010 分散剤
0.7部 0. 7部 0.7部 0.8部 1. 0部 0.7部 0.9咅 [1 0. 9部 0部
BaTi03 BaTi03 BaTi03 BaTiOg BaTi03 SrTi03 BaTi03 BaTi03 BaTi03 無機誘電体
フ 0部 フ0部 フ0部 80部 100部 70部 90部 90部 90部
[0071] BaTiO
Figure imgf000021_0001
SrTiO ：平均粒子径 1. 5
3 m、比表面積 7m2Zg
BYK W9010 :商品名、ビックケミージャパン社製
[0072] [表 2]
Figure imgf000021_0002
[0073] PTFE :ポリテトラフルォロエチレンデイスパージヨン、固形分濃度 60%、ダイキンェ 業社製、
フッ素榭脂
YD— 127 :商品名、東都化成社製、ビスフエノール A型エポキシ榭脂
MT-500：商品名、新日本理化社製、メチルテトラヒドロ無水フタル酸
[0074] [表 3]
実施例 1 実施例 2 実施例 3 実施例 4 実施例 5 実施例 6 実施例 7 実施例 8 実施例 9 成膜性 良好 良好 良好 良好 良好 良好 良好 良好 良好 比誘電率 (1MHz) 87.7 85.7 80.9 92.4 101.1 91.1 90.5 106.5 88.1 tan (5(1 MHz) 0.014 0.011 0.018 0.013 0.02 0.025 0.018 0.015 0.025 熱減量率（％) 0.7 0.6 0.8 0.6 0.5 0.9 0.4 0.7 0.2 吸湿率（％) 0.1%以下 0.1%以下 0.1 ¾以下 0.1%以下 0.1%以下 0.1<½以下 0.1 %以下 0.1 ¾以下 0.1%以下
[0075] [表 4]
Figure imgf000023_0001
[0076] 表 3から明らかなように、実施例 1一 9の複合誘電体用液状組成物から得られた複合 誘電体は有機ポリマーへの無機誘電体の分散性に優れ、良好な成膜性を有して 、 る上、高い比誘電率と低い誘電正接を有する。また、耐熱性が高ぐ吸湿性が低いと いった、電気回路基板用材料として理想的な性能を示している。ここで、誘電正接 (t an δ )とは誘電体中の位相差 δ (90° — Θ )の正接のことであり、誘電正接が大きい ほど電気エネルギーが熱エネルギーとして消費される量が多くなり、誘電体の発熱に よるエネルギーロスと誘電体そのものの熱劣化が起こりやすくなる。
[0077] 一方、表 4に示すように、比較例 1のフッ素榭脂では、比誘電率を上げるために無機 誘電体を高配合すると成膜性等の成形性が低下してしまう。また、比較例 2および 3 のエポキシ榭脂では無機誘電体を高配合しにくい上、榭脂自体の耐熱性が低ぐ吸 湿性が高 、ため、複合誘電体としての性能も低 、ものとなる。
ここでいう成膜性が悪いとは、複合誘電体用液状組成物の粘度が不適当、分散状態 が悪 、等で膜ィ匕できな 、又は成形した膜がもろ 、等で膜状態を維持できな 、ことを 指す。
産業上の利用可能性
[0078] 本発明の複合誘電体用液状組成物より得られた複合誘電体は高！ヽ誘電率と低!ヽ誘 電正接、さらに、高い而熱性を有するものとなるため、 EPD (Embedded Passive Device Techinology)用途をはじめとする各種バイパスコンデンサー、充電素子、 微分素子、終端負荷素子、フィルター、アンテナ等の電子素子として有効に利用す ることがでさる。

Claims

請求の範囲
[1] 無機誘電体とフッ素化芳香族ポリマーを含有することを特徴とする複合誘電体用液 状組成物。
[2] 前記無機誘電体が、前記フッ素化芳香族ポリマー 100質量部に対して、 100— 2, 0
00質量部の範囲にある請求項 1記載の複合誘電体用液状組成物。
[3] 請求項 1または 2記載の複合誘電体用液状組成物を用いてなる複合誘電体。
[4] 比誘電率が、 30— 10, 000の範囲にある請求項 3記載の複合誘電体。
[5] 請求項 3または 4記載の複合誘電体を構成部位として含む電気回路基板。
PCT/JP2004/013764 2003-09-30 2004-09-21 複合誘電体用樹脂組成物および複合誘電体、該誘電体を使用した電気回路基板 WO2005033209A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP04787947A EP1669412A1 (en) 2003-09-30 2004-09-21 Resin composition for composite dielectric body, composite dielectric body, and electrical circuit board using such composite dielectric body
JP2005514395A JP4601552B2 (ja) 2003-09-30 2004-09-21 複合誘電体用樹脂組成物および複合誘電体、該誘電体を使用した電気回路基板

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-338973 2003-09-30
JP2003338973 2003-09-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005033209A1 true WO2005033209A1 (ja) 2005-04-14

Family

ID=34419140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/013764 WO2005033209A1 (ja) 2003-09-30 2004-09-21 複合誘電体用樹脂組成物および複合誘電体、該誘電体を使用した電気回路基板

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7632884B2 (ja)
EP (1) EP1669412A1 (ja)
JP (1) JP4601552B2 (ja)
KR (1) KR100884511B1 (ja)
CN (1) CN100582167C (ja)
TW (1) TW200513494A (ja)
WO (1) WO2005033209A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007161835A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Toray Ind Inc 誘電性樹脂組成物およびそれから得られる成形品
JP2007321134A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Nippon Shokubai Co Ltd ポリアリールスルホン系重合体及びその製造方法
US7632884B2 (en) * 2003-09-30 2009-12-15 Nippon Shokubai Co., Ltd. Resin composition for composite dielectric material, composite dielectric material and electric circuit board using the same
JP2010074087A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Seiko Epson Corp 有機半導体装置、有機半導体装置の製造方法、電子デバイス、電子機器および絶縁層形成組成物
JP2010074088A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Seiko Epson Corp 有機半導体装置、有機半導体装置の製造方法、電子デバイス、電子機器および絶縁層形成組成物
JP2012221968A (ja) * 2011-04-04 2012-11-12 Jsr Corp 高周波回路基板用樹脂基板および高周波回路基板

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7521705B2 (en) 2005-08-15 2009-04-21 Micron Technology, Inc. Reproducible resistance variable insulating memory devices having a shaped bottom electrode
US8414962B2 (en) 2005-10-28 2013-04-09 The Penn State Research Foundation Microcontact printed thin film capacitors
JP4715921B2 (ja) * 2006-04-05 2011-07-06 株式会社村田製作所 積層型セラミック電子部品の製造方法及び積層型セラミック電子部品
TWI633342B (zh) * 2012-03-22 2018-08-21 日本觸媒股份有限公司 Light selective transmission filter, resin sheet and solid-state imaging element
KR101452594B1 (ko) 2012-12-26 2014-10-21 주식회사 두산 수지 조성물 및 이를 포함하는 금속박 적층체
US9809720B2 (en) * 2015-07-06 2017-11-07 University Of Massachusetts Ferroelectric nanocomposite based dielectric inks for reconfigurable RF and microwave applications
US10839992B1 (en) 2019-05-17 2020-11-17 Raytheon Company Thick film resistors having customizable resistances and methods of manufacture
CN112574521B (zh) * 2020-12-09 2022-04-26 广东生益科技股份有限公司 一种含氟树脂组合物及包含其的树脂胶液、含氟介质片、层压板、覆铜板和印刷电路板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02225358A (ja) * 1989-02-23 1990-09-07 Matsushita Electric Works Ltd 複合誘電体
JPH0594717A (ja) * 1990-02-06 1993-04-16 Matsushita Electric Works Ltd 複合誘電体
JPH05128912A (ja) * 1991-11-06 1993-05-25 Matsushita Electric Works Ltd 複合誘電体および回路用基板
JPH05503112A (ja) * 1989-12-08 1993-05-27 アライド・シグナル・インコーポレイテツド フッ素化ポリ（アリーレンエーテル）誘電体を含んでなる電子物品
JPH05506042A (ja) * 1990-04-17 1993-09-02 アライド・シグナル・インコーポレイテツド フッ素ポリ（アリーレンエーテル）
JP2002060595A (ja) * 2000-08-11 2002-02-26 Sumitomo Chem Co Ltd 誘電体ペースト及び誘電体膜
JP2002344100A (ja) * 2001-05-21 2002-11-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 基板用誘電体材料及びその製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2764718A (en) * 1951-12-28 1956-09-25 Sprague Electric Co Electrical condensers
US4518737A (en) * 1978-12-26 1985-05-21 Rogers Corporation Dielectric material and method of making the dielectric material
US5114780A (en) 1990-04-17 1992-05-19 Raychem Corporation Electronic articles containing a fluorinated poly(arylene ether) dielectric
US5275878A (en) 1990-02-06 1994-01-04 Matsushita Electric Works, Ltd. Composite dielectric and printed-circuit use substrate utilizing the same
US5115082A (en) * 1990-04-17 1992-05-19 Raychem Corporation Fluorinated poly(arylene ether)
WO1992018213A1 (en) * 1991-04-12 1992-10-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company High dielectric constant flexible ceramic composite
US6207764B1 (en) 1995-04-26 2001-03-27 Monsanto Company Halogenated elastomer compositions
US5739193A (en) * 1996-05-07 1998-04-14 Hoechst Celanese Corp. Polymeric compositions having a temperature-stable dielectric constant
US6599631B2 (en) * 2001-01-26 2003-07-29 Nanogram Corporation Polymer-inorganic particle composites
JPH11260148A (ja) 1998-03-13 1999-09-24 Hitachi Ltd 薄膜誘電体とそれを用いた多層配線板とその製造方法
JP4044236B2 (ja) 1999-03-11 2008-02-06 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
TWI256959B (en) 2000-07-31 2006-06-21 Sumitomo Chemical Co Aromatic liquid-crystalline polyester solution composition
KR100399018B1 (ko) * 2000-12-19 2003-09-19 광주과학기술원 플로린을 함유한 광소자용 폴리아릴렌에테르설폰 또는 폴리아릴렌에테르설파이드 및 그 제조방법
US6797345B2 (en) 2001-04-27 2004-09-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Aromatic liquid-crystalline polyester metal laminate
JP4273739B2 (ja) 2001-10-16 2009-06-03 東洋紡績株式会社 誘電加熱接着用樹脂組成物、ホットメルト接着剤、被接着材の接着方法、ホットメルト接着剤の被接着材として用いられる被接着用樹脂組成物および接着複合体
US6706136B2 (en) 2001-10-16 2004-03-16 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Resin composition for high-frequency bonding
JP2003138026A (ja) * 2001-11-05 2003-05-14 Nippon Shokubai Co Ltd 樹脂組成物および成形品
US7049393B2 (en) * 2002-05-28 2006-05-23 National Research Council Of Canada Techniques for the preparation of highly fluorinated polyethers
US7164197B2 (en) * 2003-06-19 2007-01-16 3M Innovative Properties Company Dielectric composite material
KR100884511B1 (ko) * 2003-09-30 2009-02-18 가부시키가이샤 닛폰 쇼쿠바이 복합유전체용 수지 조성물 및 복합유전체, 그 유전체를사용한 전기회로기판
JP2009016169A (ja) * 2007-07-04 2009-01-22 Nippon Shokubai Co Ltd 複合誘電体用樹脂組成物および複合誘電体、該誘電体を使用した電気回路基板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02225358A (ja) * 1989-02-23 1990-09-07 Matsushita Electric Works Ltd 複合誘電体
JPH05503112A (ja) * 1989-12-08 1993-05-27 アライド・シグナル・インコーポレイテツド フッ素化ポリ（アリーレンエーテル）誘電体を含んでなる電子物品
JPH0594717A (ja) * 1990-02-06 1993-04-16 Matsushita Electric Works Ltd 複合誘電体
JPH05506042A (ja) * 1990-04-17 1993-09-02 アライド・シグナル・インコーポレイテツド フッ素ポリ（アリーレンエーテル）
JPH05128912A (ja) * 1991-11-06 1993-05-25 Matsushita Electric Works Ltd 複合誘電体および回路用基板
JP2002060595A (ja) * 2000-08-11 2002-02-26 Sumitomo Chem Co Ltd 誘電体ペースト及び誘電体膜
JP2002344100A (ja) * 2001-05-21 2002-11-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 基板用誘電体材料及びその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7632884B2 (en) * 2003-09-30 2009-12-15 Nippon Shokubai Co., Ltd. Resin composition for composite dielectric material, composite dielectric material and electric circuit board using the same
JP2007161835A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Toray Ind Inc 誘電性樹脂組成物およびそれから得られる成形品
JP2007321134A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Nippon Shokubai Co Ltd ポリアリールスルホン系重合体及びその製造方法
JP2010074087A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Seiko Epson Corp 有機半導体装置、有機半導体装置の製造方法、電子デバイス、電子機器および絶縁層形成組成物
JP2010074088A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Seiko Epson Corp 有機半導体装置、有機半導体装置の製造方法、電子デバイス、電子機器および絶縁層形成組成物
JP2012221968A (ja) * 2011-04-04 2012-11-12 Jsr Corp 高周波回路基板用樹脂基板および高周波回路基板

Also Published As

Publication number Publication date
EP1669412A1 (en) 2006-06-14
KR20060097719A (ko) 2006-09-14
US20050101714A1 (en) 2005-05-12
TWI304830B (ja) 2009-01-01
JPWO2005033209A1 (ja) 2006-12-14
CN100582167C (zh) 2010-01-20
US7632884B2 (en) 2009-12-15
TW200513494A (en) 2005-04-16
JP4601552B2 (ja) 2010-12-22
CN1860184A (zh) 2006-11-08
KR100884511B1 (ko) 2009-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005033209A1 (ja) 複合誘電体用樹脂組成物および複合誘電体、該誘電体を使用した電気回路基板
JP4047243B2 (ja) 有機・無機酸化物混合体薄膜、それを用いた受動素子内蔵電子基板及び有機・無機酸化物混合体薄膜の製造方法
KR20070108256A (ko) 커패시터층 형성재 및 그 커패시터층 형성재의 제조 방법
KR19990029156A (ko) 고유전상수의 가요성 폴리이미드 필름 및 제조 방법
CN103515526A (zh) 感应器及其制备方法
US20120081833A1 (en) Electronic devices containing polyetherimide components
TWI787442B (zh) 樹脂組成物、附樹脂銅箔、介電體層、貼銅層合板、電容器元件及內裝電容器之印刷電路板
TWI778307B (zh) 樹脂組成物、包含其的預浸材、包含其的層疊板、包含其的樹脂覆蓋式金屬箔
EP2596949A1 (en) Process for production of polyimide film laminate, and polyimide film laminate
EP0875906B1 (en) Electronic part and process for manufacturing the same
CN112080145B (zh) 聚合物膜和电子装置
Ahmad et al. Significantly Improved Dielectric Performance of All‐Organic Parylene/Polyimide/Parylene Composite Films with Sandwich Structure
JPH11292968A (ja) 電子部品およびその製造方法
EP2102268A2 (en) Crystalline encapsulants
JP2009096934A (ja) 複合誘電体用組成物、複合誘電体、及び、該複合誘電体を含む電気回路基板
JP2009016169A (ja) 複合誘電体用樹脂組成物および複合誘電体、該誘電体を使用した電気回路基板
JP4045621B2 (ja) フッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材料およびそれを用いた電子部品
JP2012055095A (ja) エレクトレット材料用重合体組成物、エレクトレット材料
JP2004315653A (ja) 樹脂組成物とその利用
JP2003119379A (ja) 樹脂組成物とその利用
JP2006019621A (ja) キャパシタ用ポリマーセラミックコンポジット材料、多層配線板及びモジュール基板
TW202146241A (zh) 樹脂層合體、介電體層、附樹脂之金屬箔、電容器元件及內置電容器之印刷配線板
CN116056892A (zh) 布线基板以及多层布线基板
JP2895141B2 (ja) 積層セラミックスコンデンサの製造方法
KR20230029820A (ko) 열경화성 수지 조성물, 그 경화물 및 프리프레그, 경화물 또는 프리프레그의 경화물을 구비한 적층판, 금속박 적층판, 그리고 프린트 배선판

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200480028531.6

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005514395

Country of ref document: JP

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067006140

Country of ref document: KR

Ref document number: 2004787947

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004787947

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067006140

Country of ref document: KR