WO2004082890A1 - ウエーハ保持用キャリア並びにそれを用いた両面研磨装置及びウエーハの両面研磨方法 - Google Patents

ウエーハ保持用キャリア並びにそれを用いた両面研磨装置及びウエーハの両面研磨方法 Download PDF

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wafer
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surface plate
polishing
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PCT/JP2004/003335
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Junichi Ueno
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Shin-Etsu Handotai Co. Ltd.
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Definitions

  • Carrier for holding an aerial for holding an aerial, a double-side polishing apparatus using the same, and a double-side polishing method for an aer.
  • the present invention mainly relates to a carrier for holding an wafer used for double-side polishing of wafers such as silicon wafers, and also relates to a double-side polishing apparatus and a double-side polishing method.
  • an apparatus 20 using a planetary gear mechanism as shown in FIG. 4 is known as a polishing apparatus for simultaneously polishing both surfaces of a silicon wafer.
  • the polishing apparatus 20 moves the upper platen 16 and the lower platen 17 in addition to the upper platen 16 and the lower platen 17 to which the polishing cloths 18 and 19 are attached, respectively.
  • Platen moving mechanism (rotary shafts 12 and 13), upper carrier 16 and lower carrier 17 for holding wafer W between upper platen 16 and lower platen 17
  • a carrier moving mechanism (external gear 14, internal gear 15) for moving between the plate 16 and the lower plate 17 is provided.
  • the upper surface plate 16 and the lower surface plate 17 are rotated in predetermined directions by rotating shafts 12 and 13, respectively.
  • the upper platen 16 is provided with holes (abrasive supply holes) 22 penetrating in the vertical direction to supply the abrasive, and the abrasive is pumped by gravity and gravity (natural fall) Thus, it is possible to supply the abrasive from above through the abrasive supply hole 22.
  • a plurality of carriers 11 are set between an internal gear (internal gear) 15 and an external gear (sun gear) 14. 5 and the external gear 14 are rotated to rotate between the upper and lower platens 16 and 17 (polishing cloths 18 and 19).
  • the upper platen 16 and the lower platen 17 rotate and the carrier 11 revolves while rotating. Is called a 4-way (drive) system.
  • the wafer W is housed in each wafer holding hole 2 of the carrier 11 and then sandwiched between the upper and lower platens 16 and 17 to remove abrasive grains and the like.
  • the carrier 11 is rotated while supplying a liquid abrasive (also called slurry) containing it.
  • a liquid abrasive also called slurry
  • a slurry is generally used in which abrasive grains such as colloidal silicon force are dispersed in an alkaline solution.
  • the polishing agent supplied from the upper surface plate is also supplied to the lower surface side (lower surface plate side) of the wafer A from between the respective carriers 11, and the front and rear surfaces of the wafer A are polished to a mirror surface. .
  • both sides of the wafer W can be polished simultaneously, so that the polishing efficiency can be improved as compared with the case of using a so-called single-side apparatus.
  • the surface polishing apparatus 20 using the above-described planetary gear mechanism has a problem that it is difficult to cope with recent enlargement of silicon wafers. That is, the carrier 11 has a structure that moves between the helical gear 15 and the external gear 14, so that the diameter of the carrier 11 is smaller than the radii of the surface plates 16 and 17. Therefore, especially when polishing wafers having a large diameter (for example, 300 mm), it is necessary to increase the size of the equipment.However, since a complicated gear mechanism is required, it is difficult to increase the size. Tooth gears are required, and when the size is increased, problems such as increased costs, reduced efficiency, and installation space will occur.
  • a miniaturized double-side polishing apparatus 30 as shown in FIGS. 6 and 7 has been developed.
  • This polishing device 30 performs polishing by moving the carrier 11 through a carrier holder 26 so as to draw a small circle without rotating itself in the plane, so that the carrier is an external gear like a four-way system.
  • the apparatus does not need to be rotated around the wafer, and the apparatus can be miniaturized even when polishing large diameter wafers (see Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-210251).
  • the present invention requires a great improvement in a double-side polishing apparatus, particularly when a hard polishing cloth is used for polishing in a double-side polishing apparatus having a carrier that does not rotate and rotates. It is an object of the present invention to provide a technology capable of finishing a wafer having a flatness without a taper shape or a sagging of an outer periphery.
  • an upper platen and a lower plate to which a polishing cloth is attached A carrier for holding an aerial, which is used when the aerial is held between a disk and the two sides of the aerial are polished with an abrasive, in addition to an aerial holding hole for accommodating and holding the aerial,
  • An aerial holding carrier is provided, which has an abrasive passage hole for allowing an abrasive to pass therethrough, and wherein the total area of the abrasive passage hole on the main surface of the carrier is 15% or more.
  • occupied area the total area of the abrasive passage holes occupying the main surface of the carrier (hereinafter sometimes simply referred to as “occupied area”) is set to 15% or more, any type of double-side polishing machine for this carrier can be used. However, sufficient slurry flows from the upper platen through the abrasive passage to the lower platen to reduce heat generation during processing, and the movement of the wafer in the holding hole becomes smoother. ⁇ It is possible to finish the wafer with high flatness without causing the taper shape of the wafer or sagging of the outer periphery.
  • the total area of the abrasive passage holes occupying the main surface of the carrier is 30% or less. .
  • the area occupied by the abrasive passage hole is within 30%, the formation of the wafer holding hole is not affected, and the strength as a carrier can be sufficiently ensured.
  • Each abrasive passage has a diameter of 5 mn! If ⁇ 3 O mm preferably t abrasives passage holes of such size that it is circular, since a large number of abrasive passing apertures throughout the carrier is dispersed will be formed, the strength of Kiyaria The reduction can be suppressed, and the abrasive can pass through the entire carrier through the large number of abrasive passage holes.
  • the abrasive passage holes are arranged concentrically or in a lattice over the entire carrier.
  • a double-side polishing apparatus comprising: a carrier for holding an wafer holding a wafer between the upper platen; and a carrier moving mechanism for moving the carrier between the upper and lower platens.
  • a double-side polishing apparatus is provided, which is provided with an abrasive supply hole for supplying an abrasive, and comprising, as the carrier, the carrier for holding an wafer according to the present invention.
  • the abrasive supplied from the upper platen side flows through the abrasive passage of the carrier to the lower platen side. Sufficiently secured, and the abrasive will be evenly supplied between the lower surface of the wafer and the polishing cloth on the lower platen side. Therefore, if the wafer is double-side polished using this double-side polishing apparatus, the wafer can be finished to a flatness without generating a tapered shape, sagging on the outer periphery, and the like. Also, since there is no need to modify other parts besides the carrier, the device becomes inexpensive.
  • the carrier moving mechanism causes the wafer holding carrier to make a circular motion without rotation in the plane of the carrier, and a gap between the upper surface plate and the lower surface plate in the wafer holding hole.
  • the pivoting movement of the wafer held by the vehicle can be achieved.
  • the carrier covers the entire surface of the lower surface plate.
  • the polishing supplied from the upper surface plate side is performed.
  • the agent also flows sufficiently to the polishing pad on the lower platen side through the abrasive passage of the carrier. Therefore, it is possible to finish large diameter wafers with high flatness using a compact polishing machine.
  • the hardness of the polishing cloth can be Sho 50 or more, and the material of the polishing cloth can be urethane or rubber.
  • High-hardness polishing cloths or urethane-based or rubber-based polishing cloths have been difficult to use in a double-side polishing apparatus due to the difficulty of permeating the abrasive.
  • the lower platen provided with the carrier according to the present invention has The polishing cloth on the side is also supplied with sufficient polishing agent. The holding power of the slurry can be compensated, and even if the above-mentioned high-hardness polishing cloth is used, it is possible to finish the wafer with a high flatness.
  • the double wafer polishing apparatus provided with the carrier according to the present invention is used, and the wafer of the carrier arranged between the upper surface plate and the lower surface plate is provided.
  • a wafer is accommodated in the holding hole, and the upper platen and the lower platen are relatively moved while the abrasive is supplied from the upper platen side, and the carrier is moved between the upper platen and the lower platen.
  • a method for polishing both sides of the wafer is provided, wherein the other side of the wafer is polished.
  • the polishing agent is uniformly supplied between the lower surface of the wafer and the polishing cloth on the lower platen side. It is possible to finish the wafer with high flatness without causing sagging or peripheral sag.
  • the supply amount of the abrasive supplied from the upper platen should be 3 liters / minute or more.
  • the abrasive When the supply amount of the abrasive is within the above range, the abrasive can be sufficiently supplied to the polishing cloths attached to the upper and lower platens, and the wafer can be finished with high flatness. In addition, it is economical because no abrasive is wasted.
  • the abrasive passage hole occupies 15% or more of the area occupied by the main surface of the carrier.
  • the lower platen side passes through the abrasive passage hole.
  • the flow of the polishing agent is sufficiently ensured. Therefore, by applying this carrier with a hard polishing cloth, especially in a double-side polishing machine equipped with a carrier that makes a circular motion that does not rotate, it is possible to finish the wafer with a high flatness without causing a tapered shape or peripheral sagging. Can be.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of a wafer holding carrier according to the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of a conventional wafer holding carrier.
  • FIG. 3A is a plan view showing a carrier used in the second embodiment.
  • FIG. 3 (b) is a plan view showing the carrier used in Comparative Example 2.
  • FIG. 4 is a schematic view showing an example of a four-way type double-side polishing apparatus.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing a planetary gear structure.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of a double-side polishing apparatus in which the carrier does not rotate.
  • FIG. 7 is a schematic plan view of the double-side polishing apparatus of FIG.
  • the inventor of the present invention has made intensive studies and investigated the causes of the wafer being formed into a tapered shape and the outer peripheral sag when polishing the wafer using a double-side polishing machine.
  • the abrasive is not sufficiently supplied to the polishing cloth on the lower platen side, the movement of the wafer such as the rotation of the wafer in the wafer holding hole of the carrier is not carried out smoothly, resulting in a tapered shape.
  • high flatness could not be achieved because the slurry whose temperature had risen stayed and sagged around the periphery of the wafer.
  • the inventor conducted an investigation, and in particular, when a hard polishing cloth or a polishing cloth mainly composed of urethane or rubber was used, the holding power of the polishing agent by the polishing cloth was low, and the wafer was rotated. The slurry is concentrated in a small gap between the wafer holding hole and the wafer, and the etching effect on the wafer outer periphery increases, and the wafer outer periphery is excessively polished and the outer peripheral sag occurs. I found it easy.
  • the inventor of the present invention polished the wafer with various changes in the occupied area and the arrangement pattern of the abrasive passages of the carrier, and found that the carrier with the occupied area of the abrasive passages of 15% or more was provided. It has been found that the use of ⁇ ⁇ ⁇ can significantly improve the flatness of the wafer without significantly modifying the apparatus, and thus completed the present invention.
  • FIG. 1 shows an example of a wafer holding carrier according to the present invention.
  • the carrier 1 has five circular wafer holding holes 2 for housing and holding the wafer at five locations. These wafer holding holes 2 are formed in such a size that the wafer can rotate within the holding hole 2. Further, in this carrier 1, in addition to the wafer holding hole 2, a large number of abrasive passage holes 3 and 4 for allowing the abrasive to pass therethrough are formed.
  • Holes for passing abrasives were also provided in conventional carriers, but for example, as shown in FIG. 2, only a few relatively large holes 7 were provided, and the main surface of the carrier 11 was provided. The total area was about 10% at most from the viewpoint of securing the strength of the carrier 11 itself.
  • the carrier 1 according to the present invention shown in FIG. 1 is formed so that the total area of the abrasive passage holes 3 and 4 occupying the main surface of the carrier 1 is 15% or more.
  • the size and arrangement of the abrasive passage holes 3 and 4 are not particularly limited. If circular holes 4 each having a diameter of 5 mm to 3 O mm are arranged concentrically over the entire carrier 1 as shown in FIG. The abrasive can pass through the carrier 1 almost uniformly and evenly, and the strength of the carrier can be sufficiently maintained. Na us, even by arranging these abrasives passage hole 4, for example in a lattice shape on the entire carrier 1, in almost equal, and together are uniformly formed, also c can sufficiently maintain strength, formed radially You may make it.
  • the material, size, thickness, etc. of the carrier 1 depend on the equipment to be used and the size of the wafer to be polished.For example, a glass epoxy plate having a thickness of about 700 to 900 / zm is used. Can be used. In order to provide the abrasive passage 4 in the glass epoxy plate, it is preferable to chamfer the processed portion after forming the hole 4 with a drilling machine. For example, a carrier having a diameter of about 190 mm is generally used for polishing a wafer having a diameter of 300 mm. Therefore, as shown in FIG.
  • One 0 mm hole 3 and a hole with a diameter of about 18 mm By providing about 540 pieces, the area occupied by the abrasive passage holes 3 and 4 with respect to the main surface of the carrier 1 can be made 15 ° / 0 or more.
  • the area occupied by the abrasive passage holes 3 and 4 in the main surface of the carrier 1 exceeds 30%, not only the formation of the wafer holding hole 2 but also the carrier including the wafer holding hole 2
  • the total area of the holes formed in the hole exceeds 50% of the main surface of the carrier, and the strength of the carrier itself may be reduced. Even if such a carrier does not break during polishing, the carrier easily breaks when the carrier is set or otherwise handled.Therefore, the total area of the abrasive passage hole occupying the main surface of the carrier is small. It is preferable to be 30% or less.
  • the polishing can be performed.
  • the area occupied by the abrasive passage can be kept within 30%.
  • the carrier 1 in FIG. 1 also has a connection hole 5 for fixing to a carrier holder described later, but the connection hole 5 may not be necessary depending on the form of the device.
  • the carrier 1 according to the present invention is set in the double-side polishing apparatus 30 shown in FIGS. 6 and 7 to polish a silicon wafer will be described.
  • the double-side polishing apparatus 30 includes an upper platen 16 and a lower platen 17 to which polishing cloths 18 and 19 are attached, a platen moving mechanism including a rotating motor and rotating shafts 12 and 13, Equipped with a carrier 1 for holding the wafer W between the upper surface plate 16 and the lower surface plate 17 and a carrier moving mechanism consisting of a carrier holder 26, an eccentric arm 27, a timing chain 28, etc. are doing.
  • Upper platen 1 6 ⁇ Pi lower turn table 1 7, c upper platen are respectively configured to be able to rotate in a predetermined direction through the rotary shafts 1 2, 1 3, which is rotated by the rotation motor 1 6 is provided with an abrasive supply hole 22 for supplying an abrasive.
  • the shape and number of the abrasive supply holes 22 are not particularly limited, and are set so that the slurry can be sufficiently and uniformly supplied between the polishing pad 18 and the carrier 1 of the upper platen 16. It may be provided as appropriate, for example, it may be arranged vertically and horizontally in a square shape or a concentric shape so as to be uniformly distributed on the upper surface plate 16.
  • the polishing agent can be supplied from the respective polishing agent supply holes 22 to the entire upper platen 16 by means of a polishing agent supply means such as a tank or a pump for storing the slurry.
  • the material of the polishing cloths 18 and 19 is not particularly limited.
  • a hard polishing cloth of Shore A 50 or more (10 or more in Shore D), particularly a urethane-based or rubber-based material is mainly used.
  • Hard abrasive cloths can also be used.
  • a polishing cloth of 80 or more for Shore A (30 or more for Shore D) is preferable, and such a polishing cloth can easily produce a wafer having a flatness which has recently been required.
  • Shore A is a standard standardized by JISK 6253, etc., and is a value obtained with durometer type ⁇ . Value).
  • Shore A 50 is equivalent to about 10 for Shore D
  • Shore A 80 is equivalent to about 30 for Shore D.
  • the upper limit of the hardness of the polishing cloth is not particularly limited as long as the desired wafer flatness can be achieved. Even with a very hard polishing cloth of about 80 Shore D, the slurry can be supplied by using the carrier of the present invention. The movement of the wafer becomes smoother, the taper shape of the wafer and the sagging of the outer periphery are reduced, and the wafer can be finished with high flatness. Conventionally, it has been difficult to use such a hard polishing cloth in a double-side polishing apparatus because of its low slurry holding power, etc., but it can be suitably used in combination with the carrier 1 according to the present invention. it can.
  • the carrier 1 can be moved between the upper surface plate and the lower surface plate by a carrier moving mechanism including a carrier holder 26, an eccentric arm 27, a timing chain 28, and the like.
  • the carrier 1 is fixed to the carrier holder 26 via a connection hole 5 provided on the outer peripheral portion and a pin (not shown) provided on the carrier holder 26 side.
  • Four bearings 29 projecting outward are provided at equal intervals on the outer periphery of the holder 26.
  • An eccentric arm 27 is rotatably attached to each bearing portion 29, and a rotating shaft 25 is attached to the center of the lower surface of each eccentric arm 27.
  • the eccentric arm 27 acts as a crank mechanism, and the carrier 1 held by the carrier holder 26 revolves in a circular motion without rotation in the plane.
  • the radius of the revolving movement (circular motion that does not rotate) is the same as the distance (eccentric distance) between the shaft 23 on the holder 26 and the rotating shaft 25, and all points of the carrier 1 are C in FIG. It is a movement that draws a locus of small circles of the same size as shown by.
  • the carrier 1 covers the lower platen.
  • the carrier 1 shown in FIG. Can sneak around.
  • the carrier 1 since the carrier 1 itself makes a circular motion that does not rotate, the moving amount is small and the load on the carrier 1 is small as compared with the case of using a four-way device. Therefore, even if the strength of the carrier 1 itself is slightly reduced by forming a large number of abrasive passage holes 3 and 4 in the carrier 1, there is no breakage during polishing.
  • the carrier 1 is placed between the upper platen 16 and the lower platen 17, and then the wafer is placed in the wafer holding hole 2. Accommodates W. Then, the carrier 1 is sandwiched between the upper and lower platens 16 and 17, and the upper platen 16 and the lower platen 1 are supplied while the abrasive is supplied from the upper platen side (the abrasive supply hole 22). Turn 7 in the opposite direction. In addition, the carrier 1 is caused to make a circular motion without rotation in the plane of the carrier 1 by the eccentric arm 27, etc., so that the wafer A can move between the upper surface plate 16 and the lower surface plate 17 in the wafer holding hole 2. Between the two.
  • the type of the polishing agent may be appropriately set depending on the material of the polishing cloth, the polishing conditions, and the like.
  • the pH is adjusted to pH 10 to pH 11.
  • An alkaline solution containing a Kodidasiri force can be used.
  • the supply amount of the abrasive may be appropriately set in consideration of the size of the carrier and the like, but is preferably 3 liters / minute or more and 10 liters or less. If the supply amount of the abrasive is smaller than the above range, the wafer tends to be tapered, while if it exceeds the above range, a hydroplane phenomenon may occur and the wafer may not be polished.
  • the polishing cloth has a hardness of at least Sho 50 as described above, or a hard polishing cloth mainly composed of urethane or rubber.
  • a small polishing cloth it is preferable that the supply amount of the polishing agent is increased, and the supply amount is reduced when a soft polishing cloth such as a nonwoven fabric is used, since the polishing agent does not easily permeate the polishing cloth.
  • the abrasive passes through the abrasive supply holes 22 on the upper platen side, reaches between the polishing cloth on the upper platen side and the upper surface of the carrier 1, and is further provided mainly on the entire carrier.
  • the abrasive is sufficiently supplied to both the upper and lower surfaces of the wafer W.
  • the polishing conditions (particularly the amount of the abrasive) on both surfaces of the wafer A are made uniform.
  • the cooling effect is exhibited by sufficiently supplying the abrasive to the lower surface side of the wafer W.
  • the polishing agent is evenly supplied to the entire space between the wafer A and the lower polishing cloth 19 through the polishing agent passage hole, and the rotation of the wafer in the holding hole 2 is prevented.
  • the movement is smooth, and it is possible to finish the wafer with high flatness without causing taper shape or sagging of the outer periphery.
  • the slurry supplied onto the polishing surface sequentially overflows and is discharged in the outer peripheral direction, so that it can be reused by collecting and circulating the slurry.
  • Diameter 1 1 9 0 mm, thickness 8 0 0 mu m addition t which is prepared a glass epoxy-made carrier for this Kiyaria formed five is Ueha holding holes of diameter 3 0 1 mm, the abrasive passage hole As shown in FIG. 1, about 5.10 concentric circular through holes are formed concentrically. The ratio of the area occupied by the abrasive passages to the main surface of the carrier was 17.23%.
  • polishing device a double-side polishing device that does not rotate the carrier as shown in Fig. 6 was used.
  • polishing cloth As the polishing cloth, a polishing cloth made of a urethane-based pad (a hard pad of about 70 in Shore D) was attached to both the upper surface plate and the lower surface plate.
  • polishing agent an alkaline solution containing a colloidal force adjusted to pH 10.8 to pH 11 was used, and the supply amount was 6 liters.
  • the above-described apparatus and conditions both sides of a silicon wafer having a diameter of 300 mm were polished.
  • the polishing allowance was 16 ⁇ m on both sides.
  • the flatness of the ⁇ wafer was checked using a flat nest tester for the ⁇ wafer shape after polishing, and the SF QRmax (excluding the surrounding area of 2 mm, the size of the site) : 2 6 mmX 3 3 mm) c was 0.1 in
  • a conventionally used carrier as shown in FIG. 2 was used.
  • this carrier has a single hole with a diameter of 200 mm at the center and a hole with a diameter of 150 mm around the center as a through hole for passing abrasive.
  • the area occupied by the five provided through holes in the carrier was 10.777%.
  • the configuration other than the carrier was the same as that of the apparatus of Example 1, and the polishing was performed under the same polishing conditions as in Example.
  • the S F QRmax (excluding the peripheral 2 mm) was 0.3 2 / z m, which did not satisfy the flatness required in recent years. In particular, dripping was observed at the outer periphery of the wafer, and the value of S F QRmax was particularly bad.
  • SF QRm a 0 0.25 / ⁇ ⁇ , Example 2
  • SF QRmax 0.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above embodiment is merely an example, and is substantially the same as the technical idea described in the claims of the present invention. Any device having a single configuration and exhibiting the same function and effect is included in the technical scope of the present invention.
  • polishing apparatus in which the carrier does not rotate is used has been described.
  • the polishing apparatus is not limited to this type, and the present invention may be applied to other double-side polishing apparatuses such as a 4-way method. Polishing can also be performed with a carrier.
  • the size and arrangement of the abrasive passages are not limited to those shown in FIG. 1 if the total area of the abrasive passages occupying the main surface of the carrier is 15% or more. What is necessary is just to set suitably according to an object.
  • a very hard polishing cloth such as Shore D 70 was used, but the same effect can be obtained with a hard polishing cloth of about Shore D 30 to 42 (80 to 90 for Shore A).
  • Shore D 70 a hard polishing cloth of about Shore D 30 to 42 (80 to 90 for Shore A).
  • polishing was possible even near Shore D 10 (about Sho 50) without generating a tapered shape, peripheral sagging, and the like. Even softer abrasive cloths can of course be used.
  • the polishing cloth may be appropriately set depending on the desired quality.
  • the polishing cloth is not particularly limited, but by using the carrier of the present invention in a double-side polishing apparatus of a type in which the carrier does not rotate, Sho A 50 or more, which has been difficult to use in double-side polishing until now.
  • the advantage of this method is that the hard abrasive cloth can be suitably used, and a higher quality (higher flatness) wafer can be obtained.

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Abstract

ウエーハを収容して保持するためのウエーハ保持孔2のほかに、研磨剤を通過させるための研磨剤通過孔3,4を有し、該研磨剤通過孔のキャリアの主面に占める面積が15%以上であることを特徴とするウエーハ保持用キャリア1。好ましくは、研磨剤通過孔のキャリアの主面に占める面積が30%以下であり、それぞれ直径5mm~30mmの円形の研磨剤通過孔が、キャリア全体に同心円状又は格子状に配列されている。これにより、両面研磨装置、特に、自転しない円運動をするキャリアを備える両面研磨装置において硬質研磨布を用いて研磨を行う場合でも、装置の大きな改良を必要とせず、テーパ形状や外周ダレ等のない高平坦度のウエーハに仕上げることができる技術が提供される。

Description

明 細 書 ゥエーハ保持用キヤリァ並びにそれを用いた 両面研磨装置及ぴゥエーハの両面研磨方法 技術分野
本発明は、 主に、 シリ コンゥエーハ等のゥエーハを両面研磨する際に使用する ゥエーハ保持用キヤリアに関し、 さらに両面研磨装置及ぴ両面研磨方法にも関す る。 背景技術
従来、 シリコンゥエーハの両面を同時に研磨する研磨装置と して図 4に示すよ うな遊星歯車機構を用いた装置 2 0が知られている。 この研磨装置 2 0は、 それ ぞれ研磨布 1 8, 1 9が貼付された上定盤 1 6及ぴ下定盤 1 7のほか、 上定盤 1 6及び下定盤 1 7を相対的に移動させる定盤移動機構 (回転軸 1 2, 1 3 )、 上 定盤 1 6 と下定盤 1 7との間でゥエーハ Wを保持するためのゥエーハ保持用キヤ リア 1 1、 キャリア 1 1を上定盤 1 6 と下定盤 1 7 との間で移動させるキヤリァ 移動機構 (外歯歯車 1 4、 内歯歯車 1 5 ) 等を具備している。
上定盤 1 6 と下定盤 1 7は、 それぞれ回転軸 1 2, 1 3により所定の方向に回 転される。 また、 上定盤 1 6には、 研磨剤を供給するために、 上下方向に貫通す る孔 (研磨剤供給孔) 2 2が設けられており、 研磨剤をポンプ動力と重力 (自然 落下) により研磨剤供給孔 2 2を通じて上方から供給することができるように構 成されている。
キャリア 1 1は、 図 5に示すように、 内歯歯車 (ィンターナルギア) 1 5及ぴ 外歯歯車 (サンギア) 1 4の間に複数枚セッ トされ、 これらのキャリア 1 1が、 内歯歯車 1 5 と外歯歯車 1 4と嚙み合って上下の定盤 1 6, 1 7 (研磨布 1 8, 1 9 ) の間で回転することになる。 このよ うな両面研磨装置 2 0は、 上定盤 1 6 と下定盤 1 7が回転するとともに、 キャリア 1 1が自転しながら公転することか ら、 4ウェイ (駆動) 方式と呼ばれている。
この両面研磨装置 2 0を用いてゥエーハ Wを研磨するには、 キャリア 1 1の各 ゥエーハ保持孔 2にゥエーハ Wを収容した後、 上下の定盤 1 6 , 1 7で挟み込み、 砥粒等を含む液状の研磨剤 (スラ リーとも言う) を供給しながらキャ リア 1 1を 回転させる。 研磨剤としては、 シリ コンゥエーハの研磨では、 通常、 アルカリ性 の溶液にコロイダルシリ力等の砥粒が分散されてなるスラ リ一が用いられる。 上 定盤側から供給された研磨剤は、 各キャリア 1 1の間からゥエーハ Wの下面側 (下定盤側) にも供給され、 ゥエーハ" wの表裏两面が鏡面状に研磨されることに なる。
このよ うな両面研磨装置 2 0でゥエーハ Wを研磨すれば、 ゥエーハ Wの両面を 同時に研磨することができるため、 いわゆる片面装置を用いて研磨を行う よりも 研磨効率を向上させることができる。
しかしながら、 上記のような遊星歯車機構を用いた两面研磨装置 2 0では、 最 近のシリ コンゥエーハの大型化に対応し難いという問題がある。 すなわち、 キヤ リア 1 1が內歯歯車 1 5 と外歯歯車 1 4の間で移動する構造であるため、 キヤリ ァ 1 1 の直径は定盤 1 6 , 1 7の半径より も小さく なる。 従って、 特に大直径 (例えば 3 0 0 m m ) のゥエーハを研磨する場合には、 装置も大型化する必要が あるが、 複雑な歯車機構が必要であるため大型化は難しく、 また、 巨大な内歯歯 車が必要となり、 大型化した場合にはコス トの上昇、 効率の低下、 設置スペース などの問題が生じてしまう。
一方、 図 6及び図 7に示したような小型化した両面研磨装置 3 0が開発されて いる。 この研磨装置 3 0は、 キャリア 1 1をキャリアホルダ 2 6を介して面内で 自転させずに小さな円を描く ように運動させて研磨を行うため、 4ウェイ方式の ようにキヤリァを外歯歯車の周囲に回転させる必要がなく、 大直径のゥエーハを 研磨する場合でも装置を小型化することができる (特開平 1 0— 2 0 2 5 1 1号 公報参照)。
しかし、 このような研磨装置 3 0では、 キャリア 1 1が下定盤 1 7を全面的に 覆うような形態となるため、 スラ リーを上定盤側から供給した場合、 スラ リーが キャリア 1 1の上側に溜まって下側の研磨布 1 9に十分に供給されないという問 題がある。 下定盤側に研磨剤が十分供給されないと、 保持孔内でのゥエーハの自 転が妨げられ、 ゥエーハ形状がテーパ形状になったり、 研磨布 1 9とキャリア 1 1ゃゥエーハ Wとの摩擦による熱が蓄積するなどしていわゆる外周ダレが生じ、 高い平坦度のゥエーハに仕上げることができない。
そこで、 下定盤側への研磨剤の供給を促すため、 キャリア 1 1に研磨剤を通過 させるための孔をいくつか設けたり、 あるいは下定盤 1 7の中央に孔を設けて研 磨剤を強制的に排出させる装置も提案されている (特開 2 0 0 0— 4 2 9 1 2号 公報参照)。 しかし、 キャリアにいくつか孔を設けても髙平坦度のゥエーハに仕 上げることができず、 また、 下定盤に孔を設けた装置では、 従来から一般的に使 用している定盤に対して大きな改造が必要となり、 コス トの上昇や装置の複雑化 などを招いてしまう という問題がある。
一方、 研磨布に関しては、 近年ではゥエーハをより高平坦度に研磨するため、 ゴム等を主成分とした髙硬度の研磨布を使用するようになつている。 高硬度の研 磨布は、 片面研磨装置で使用するとゥエーハを高平坦度に研磨することができる t しかし、 硬質の研磨布を両面研磨装置に使用すると、 研磨布にスラ リ ーがしみ込 み難く、 スラ リ ーの保持力が小さいため、 ゥエーハ形状がテーパ形状になってし まったり、 ゥエーハ外周部が過剰に研磨されて外周ダレが生じ、 十分な平坦度が 達成できないという問題がある。
そのため、 特に、 図 6及び図 7に示したような小型化した研磨装置において、 硬質研磨布を用いた両面研磨を容易に実用化することは極めて困難であった。 発明の開示
上記のような問題に鑑み、 本発明では、 両面研磨装置、 特に、 自転しない円運 動をするキヤリァを備える両面研磨装置において硬質研磨布を用いて研磨を行う 場合でも、 装置の大きな改良を必要とせず、 テーパ形状や外周ダレ等のない髙平 坦度のウェ^ "ハに仕上げることができる技術を提供することを目的とする。
前記目的を達成するため、 本発明によれば、 研磨布が貼付された上定盤と下定 盤との間でゥエーハを保持して該ゥエーハの両面を研磨剤により研磨する際に使 用するゥエーハ保持用キヤリアであって、 前記ゥエーハを収容して保持するため のゥエーハ保持孔のほかに、 研磨剤を通過させるための研磨剤通過孔を有し、 該 研磨剤通過孔のキヤリァの主面に占める総面積が 1 5 %以上であることを特徴と するゥエーハ保持用キャリアが提供される。
このように研磨剤通過孔のキャリアの主面に占める総面積 (以下、 単に 「占有 面積」 という場合がある。) を 1 5 %以上とすれば、 このキャリアをどのよ うな タイプの両面研磨装置に使用するにせよ、 上定盤側から研磨剤通過孔を通じて下 定盤側に十分なスラ リーが回り込み、 加工時の発熱を抑え、 また、 保持孔内での ゥエーハの動きもスムーズになり、 ゥエーハのテーパ形状や外周ダレ等を引き起 こすことなく高平坦度のゥエーハに仕上げることができる。
また、 このようなキャ リアを用いれば、 装置のキャリア以外の部分を改造する 必要もないので、 従来使用されている両面研磨装置に対して容易に適用すること ができる。
この場合、 前記研磨剤通過孔のキャ リアの主面に占める総面積が 3 0 %以下で あることが好ましい。 .
研磨剤通過孔の占有面積が 3 0 %以内であれば、 ゥエーハ保持孔の形成に影響 せずに済むし、 また、 キャリアとしての強度を十分確保することができる。
研磨剤通過孔は、 それぞれ直径 5 m n!〜 3 O m mの円形であることが好ましい t このような大きさの研磨剤通過孔であれば、 キャリア全体に多数の研磨剤通過 孔を分散させて形成することになるので、 キヤリァの強度の低下を抑えることが でき、 また、 多数の研磨剤通過孔を通じてキャリア全体にわたって研磨剤を通過 させることが可能なものとなる。
前記研磨剤通過孔が、 キヤリァ全体に同心円状又は格子状に配列されているこ とが好ましい。
このよ うに研磨剤通過孔をキヤリァ全体に規則的に配列したものとすれば、 キ ャリァ全体にわたって研磨剤の流れがより均一となり、 一層均一な研磨を可能に するものとなる。 また、 本発明では、 少なく とも、 研磨布が貼付された上定盤及ぴ下定盤と、 該 上定盤及ぴ下定盤を相対的に移動させる定盤移動機構と、 前記上定盤と下定盤と の間でゥエーハを保持するゥエーハ保持用キヤリアと、 該キヤリァを前記上定盤 と下定盤との間で移動させるキヤリァ移動機構とを具備する両面研磨装置であつ て、 前記上定盤に研磨剤を供給するための研磨剤供給孔が設けられており、 前記 キャリアとして、 前記した本発明に係るゥエーハ保持用キヤリアを備えているこ とを特徴とする両面研磨装置が提供される。
このように本発明に係るキャリアを備えた両面研磨装置であれば、 研磨中、 上 定盤側から供給された研磨剤はキヤリァの研磨剤通過孔を通じて下定盤側への研 磨剤の流れが十分確保され、 ゥエーハの下面と下定盤側の研磨布との間全体に研 磨剤が満遍なく供給されることとなる。 従って、 この両面研磨装置を用いてゥェ ーハの両面研磨を行えば、 ゥエーハにテーパ形状や外周ダレ等を発生せずに髙平 坦度に仕上げることができる。 また、 キャリア以外の他の部分を改造する必要も ないので、 安価な装置になる。
また、 この場合、 前記キャリア移動機構が、 前記ゥエーハ保持用キャリアを、 該キャリ アの面内で自転を伴わない円運動をさせ、 前記ゥエーハ保持孔内で前記 上定盤と下定盤との間に保持されたゥエーハを旋回移動させるものとすることが できる。
このような形態の両面研磨装置では、 キヤリァが下定盤の全面を覆うような形 態となるが、 本発明に係るキャ リアを備えたものとすれば、 上定盤側から供給さ れた研磨剤はキヤリァの研磨剤通過孔を通じて下定盤側の研磨布にも十分に流れ ることになる。 そのため、 コンパク トな研磨装置でもって、 大直径のゥエーハを 高平坦度に仕上げることが可能となものとなる。
前記研磨布の硬度が、 ショァ A 5 0以上であるものとすることができ、 また、 研磨布の材質が、 ウレタン系又はゴム系であるものとすることができる。
高硬度の研磨布や、 ウレタン系又はゴム系の研磨布は、 研磨剤が染み込み難い ことなどから両面研磨装置に用いることは困難であつたが、 本発明に係るキヤリ ァを備えることで下定盤側の研磨布にも研磨剤が十分に供給されるので、 研磨布 でのスラリ一保持力を補うことができ、 上記のような高硬度の研磨布を用いても 高平坦度のゥエーハに仕上げることが可能なものとなる。
さらに本発明によれば、 ゥエーハの両面を研磨する方法において、 前記本発明 に係るキャリアを備えた両面研磨装置を用い、 前記上定盤と下定盤との間に配置 された前記キャ リアのゥエーハ保持孔内にゥエーハを収容し、 前記上定盤側から 研磨剤を供給しながら上定盤と下定盤を相対的に移動させるとともに、 前記キヤ リアを上定盤と下定盤との間で移動させることにより前記ゥエーハの两面を研磨 することを特徴とするゥエーハの両面研磨方法が提供される。
このように本発明に係るキヤリァを備えた両面研磨装置を用いてゥエーハの両 面研磨を行えば、 ゥエーハの下面と下定盤側の研磨布との間に,研磨剤が満遍なく 供給され、 テーパ形状や外周ダレ等を引き起こすことなく高平坦度のゥエーハに 仕上げることができる。
この場合、 前記上定盤側から供給する研磨剤の供給量を、 3 リ ッ トル/分以上
1 0 リ ツ トル Z分以下とすることが好ましい。
研磨剤の供給量を上記範囲内とすれば、 上下の定盤に貼付された研磨布に十分 に研磨剤を供給することができ、 ゥエーハを高平坦度に仕上げることができる。 また、 研磨剤を無駄にすることもないので、 経済的でもある。
本発明のゥエーハ保持用キヤリアは、 研磨剤通過孔がキヤリァの主面に占める 面積を 1 5 %以上としたことで、 これを両面研磨装置に使用したときに、 研磨剤 通過孔を通じて下定盤側への研磨剤の流れが十分確保される。 従って、 このキヤ リアを、 特に、 自転しない円運動をするキャ リアを備える両面研磨装置において 硬質研磨布とともに適用することで、 テーパ形状や外周ダレ等を引き起こすこと なく高平坦度のゥエーハに仕上げることができる。
また、 キャリア以外の部分、 例えば上下の定盤を改造する必要もないので、 従 来使用されている両面研磨装置に対して容易に適用することができ、 コス トを低 く抑えることができる。 図面の簡単な説明 図 1は、 本発明に係るゥエーハ保持用キヤリァの一例を示す平面図である。 図 2は、 従来のゥエーハ保持用キヤリァの一例を示す平面図である。
図 3 ( a ) は、 実施例 2で使用したキャリアを示す平面図である。
図 3 ( b ) は、 比較例 2で使用したキャリアを示す平面図である。
図 4は、 4ウェイ方式の両面研磨装置の一例を示す概略図である。
図 5は、 遊星歯車構造を示す概略平面図である。
図 6は、 キヤリァが自転しないタイプの両面研磨装置の概略図である。
図 7は、 図 6の両面研磨装置の概略平面図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明について詳しく説明する。
本発明者は、 両面研磨装置を用いてゥエーハを研磨した場合、 ゥエーハがテ一 パ形状となったり、 外周ダレが生じる原因について鋭意検討及ぴ調查を行った。 その結果、 研磨剤が下定盤側の研磨布に十分に供給されないために、 キャ リアの ゥエーハ保持孔内でのゥエーハの自転等の動きがスムーズに行われず、 テーパ形 状になってしまったり、 温度が上昇したスラリ一が滞留してゥエーハ外周部のダ レを生じさせるために高い平坦度が達成できないことが判明した。
さらに本発明者は調査を行い、 特に、 硬質の研磨布、 あるいはウレタンやゴム を主成分とする研磨布を用いた場合には研磨布による研磨剤の保持力が低く、 ゥ エーハの自転がされにくいことと、 キャリアのゥエーハ保持孔とゥエーハとの間 の僅かな隙間にスラリ一が集中してゥエーハ外周部でのエッチング効果が増し、 ゥエーハの外周部が過剰に研磨されて外周ダレが発生し易いことを見出した。 そこで本発明者は、 キャ リアの研磨剤通過孔について、 占有面積や配置パター ン等を種々変更してゥエーハの研磨を行なったところ、 研磨剤通過孔の占有面積 を 1 5 %以上設けたキャリアを用いると、 装置を大幅に改造することもなく、 ゥ エーハの平坦度を著しく 向上させることができることを見出し、 本発明の完成に 至った。
以下、 図面を参照しながら、 本発明に係るゥエーハ保持用キャ リ ア、 並びに、 そのキヤリァを備えた両面研磨装置を用いてシリコンゥエーハを两面研磨する場 合について具体的に説明する。
図 1は、 本発明に係るゥエーハ保持用キャリアの一例を示している。 このキヤ リア 1は、 ゥエーハを収容して保持するための円形のゥエーハ保持孔 2が 5ケ所 に形成されている。 これらのゥエーハ保持孔 2は、 ゥエーハが保持孔 2内で自転 可能なサイズに形成されている。 さらに、 このキャリア 1には、 ゥエーハ保持孔 2のほかに、 研磨剤を通過させるための多数の研磨剤通過孔 3 , 4が形成されて いる。
研磨剤を通過させるための孔は従来のキヤリアにも設けられていたが、 例えば 図 2に示されるように比較的大きな孔 7を数ケ所設けた程度であり、 そのキヤリ ァ 1 1の主面に占める総面積は、 キャリア 1 1 自体の強度を確保する観点から、 せいぜい 1 0 %程度であった。 一方、 図 1に示した本発明に係るキヤリア 1にお いては、 研磨剤通過孔 3 , 4のキャリア 1の主面に占める総面積が 1 5 %以上と なるように形成されている。
研磨剤通過孔 3 , 4の大きさや配置は特に限定されないが、 それぞれ直径 5 m m ~ 3 O m mの円形の孔 4を、 図 1に示されるようにキャリア 1全体に同心円状 に配列すれば、 キャリア 1全体でほぼ均等に、 かつ満遍なく研磨剤を通過させる ことができるとともに、 キャリアとしての強度を十分維持することができる。 な お、 これらの研磨剤通過孔 4を例えばキャリア 1全体に格子状に配列しても、 ほ ぼ均等に、 かつ満遍なく形成されるとともに、 強度を十分維持することができる c また、 放射状に形成するようにしてもよい。
このようなキャリア 1の材質、 大きさ、 厚さ等は、 使用する装置や研磨するゥ エーハの大きさにもよるが、 例えば厚さ 7 0 0 〜 9 0 0 /z m程度のガラスェポキ シ板を用いることができる。 ガラスエポキシ板に研磨剤通過孔 4を設けるには、 孔あけ加工機により孔 4を形成後、 加工部を面取りするなどしておく と良い。 例えば、 直径 3 0 0 m mのゥエーハを研磨するためのキヤリァは一般的に直径 1 1 9 0 m m程度のものが用いられているので、 図 1に示したように、 キャリア の中心に直径 2 0 0 m mの孔 3を 1個と、 その周辺全体に直径 1 8 m m程度の孔 4を 5 4 0個程度設けることで、 キャリア 1の主面に対する研磨剤通過孔 3, 4 の占有面積を 1 5 °/0以上とすることができる。
ただし、 研磨剤通過孔 3, 4のキャリア 1の主面に占める面積が 3 0 %を超え ると、 ゥエーハ保持孔 2の形成にも影響するだけでなく、 ゥエーハ保持孔等も含 めてキャリアに形成されている孔の総面積がキャリアの主面の 5 0 %を超える状 態となり、 キャリア自体の強度が低下するおそれがある。 このようなキャリアで は、 研磨中に破損することはなくても、 キャリアをセッ トしたり、 その他の取り 扱い時に破損し易くなるため、 研磨剤通過孔のキヤリァの主面に占める総面積は 3 0 %以下とすることが好ましい。
例えば、 上記した直径 1 1 9 0 m m程度のキヤリアであれば、 キャリアの中心 に直径 2 0 0 m mの孔を 1個と、 直径 2 7 m m程度の孔を 5 2 0個設けても、 研 磨剤通過孔の占有面積を 3 0 %以内に抑えることができる。
なお、 図 1のキャリア 1には、 後述するキャリアホルダに固定するための連結 孔 5も形成されているが、 連結孔 5は装置の形態により必要がない場合もある。 次に、 本発明に係るキャリア 1を図 6及ぴ図 7に示した両面研磨装置 3 0にセ ッ トしてシリコンゥエーハを研磨する場合について説明する。
この両面研磨装置 3 0は、 研磨布 1 8、 1 9が貼付された上定盤 1 6及び下定 盤 1 7 と、 回転モータや回転軸 1 2, 1 3等からなる定盤移動機構と、 上定盤 1 6 と下定盤 1 7との間でゥエーハ Wを保持するゥエーハ保持用キャリア 1 と、 キ ャリアホルダ 2 6、 偏心アーム 2 7、 タイミングチェーン 2 8等からなるキヤリ ァ移動機構等を具備している。
上定盤 1 6及ぴ下定盤 1 7は、 回転用モータにより回転された各回転軸 1 2, 1 3を通じてそれぞれ所定の方向に回転することができるように構成されている c 上定盤 1 6には研磨剤を供給するための研磨剤供給孔 2 2が設けられている。 研磨剤供給孔 2 2は、 その形態や数は特に限定されず、 上定盤 1 6の研磨布 1 8 とキャリア 1 との間にスラリーを十分に、 且つ均一に供給することができるよう に適宜設ければよく、 例えば、 上定盤 1 6に等密度に分布するように、 縦横に格 キ状、 あるいは同心円状に配置させても良い。 各研磨剤供給孔 2 2の上端にチュ 一プ等を連結し、 スラリーを貯留するタンク、 ポンプ等の研磨剤供給手段により 各研磨剤供給孔 2 2から上定盤 1 6全体に研磨剤を供給することができる。 研磨布 1 8, 1 9の材質等については特に限定されないが、 例えば、 ショァ A 5 0以上 (ショァ Dで 1 0以上) の硬質研磨布、 特にウレタン系又はゴム系の材 質を主成分とする硬質研磨布も使用することができる。 特にショァ Aで 8 0以上 (ショァ Dで 3 0以上) の研磨布が好ましく、 このような研磨布であれば近年要 望されている髙平坦度なゥエーハを製造しやすい。 なお、 ショァ Aは、 J I S K 6 2 5 3などで標準化されている規格で、 デュロメータタイプ Αで求められ た値であり、 特に硬質の研磨布についてはショァ D (デュ口メータタイプ Dで求 めた値) で表す場合がある。 ショァ A 5 0はショァ Dで 1 0程度、 ショァ A 8 0 はショァ Dで 3 0程度に相当する。
研磨布の硬さの上限については、 所望のゥエーハ平坦度が達成できれば特に限 定されず、 ショァ Dで 8 0程度の大変硬質な研磨布でも本発明のキヤリアを用い ることでスラリ一の供給ゃゥエーハの動きもスムーズになり、 ゥエーハのテーパ 形状や外周ダレ等を低減し、 高平坦度のゥエーハに仕上げることができる。 この ような硬質の研磨布は、 従来、 スラ リーの保持力が低い等の理由から両面研磨装 置に用いることは困難であつたが、 本発明に係るキヤリア 1 と好適に併用するこ とができる。
キャリア 1は、 キャリアホルダ 2 6、 偏心アーム 2 7、 タイミングチェーン 2 8等からなるキヤリァ移動機構により上定盤と下定盤との間で移動させることが できる。 キャリア 1は、 外周部に設けられた連結孔 5 と、 キャリアホルダ 2 6側 に設けられたピン (不図示) を介してキャリアホルダ 2 6に固定されている。 ホ ルダ 2 6の外周部には外方に突出した 4つの軸受部 2 9が等間隔に設けられてい る。 各軸受部 2 9には偏心アーム 2 7が回転自在に揷着されており、 各偏心ァー ム 2 7の下面の中心部には回転軸 2 5が取り付けられている。 各偏心アーム 2 7 の回転軸 2 5に設けられたスプロケッ トをタイミングチェーン 2 8により回転さ せることで、 全ての偏心アーム 2 7が同期して回転軸 2 5を中心に水平面内で回 転する。 このような構造により、 偏心アーム 2 7がクランク機構と して作用し、 キヤリ ァホルダ 2 6に保持されたキヤリア 1が、 面内で自転をともなわない円運動によ り旋回移動する。 その旋回移動 (自転しない円運動) の半径は、 ホルダ 2 6側の 軸 2 3 と回転軸 2 5 との間隔 (偏心の距離) と同じであり、 キャリア 1の全ての 点が図 7の Cで示されるような同じ大きさの小円の軌跡を描く運動となる。
このよ うな構成の両面研磨装置 3 0は、 キャリア 1が下定盤を覆っているが、 図 1に示されるキャリア 1を用いることにより、 研磨剤通過孔 3, 4を通じて下 定盤側に研磨剤が十分に回り込むことができる。 また、 この装置 3 0では、 キヤ リア 1 自身が自転しない円運動をするため、 4ウェイ式の装置に使用する場合に 比べて移動量が小さく、 キャリア 1に対する負荷も小さくなる。 従って、 キヤリ ァ 1に多数の研磨剤通過孔 3, 4をあけたことでキヤリア 1 自体の強度が多少低 下しているとしても、 研磨中に破損することはない。
この両面研磨装置 3 0を用いてシリコンゥエーハの両面研磨を行うには、 上定 盤 1 6 と下定盤 1 7 との間にキャ リア 1を配置した後、 ゥエーハ保持孔 2内にゥ エーハ Wを収容する。 そして、 上下の定盤 1 6, 1 7の間にキャリ ア 1を挟むと ともに上定盤側 (研磨剤供給孔 2 2 ) から研磨剤を供給しながら上定盤 1 6 と下 定盤 1 7を逆方向に回転させる。 また、 偏心アーム 2 7等によりキャリア 1をキ ャリア 1の面内で自転を伴わない円運動をさせることで、 ゥエーハ Wはゥエーハ 保持孔 2内で上定盤 1 6 と下定盤 1 7との間で旋回移動することになる。
なお、 研磨剤の種類については、 研磨布の材質や研磨条件等により適宜設定す れば良く、 シリコンゥエーハを研磨する場合には、 例えば、 p H 1 0〜 p H 1 1 に調整されたコ口ィダルシリ力を含有するアル力リ溶液を用いることができる。 また、 研磨剤の供給量についてもキャ リアの大きさ等を考慮して適宜設定すれ ば良いが、 3 リ ッ トル/分以上、 1 0 リ ットル 分以下とすることが好ましい。 研磨剤の供給量が上記範囲より少ない場合、 ゥエーハがテーパー形状になりやす く、 一方、 上記範囲を超えるとハイ ドロプレーン現象のようなことが起き、 ゥェ ーハが研磨されないおそれがある。 なお、 研磨布の硬度が、 前記したようなショ ァ A 5 0以上となる硬質の研磨布、 あるいは、 ウレタンやゴムを主成分とする硬 い研磨布では、 研磨布に研磨剤がしみ込み難いため、 研磨剤の供給量を多く し、 不織布などの柔らかい研磨布を用いる時には供給量を少なくするのが好ましい。 研磨中、 研磨剤は、 上定盤側の研磨剤供給孔 2 2を経て上定盤側の研磨布とキ ャリア 1の上面との間に達し、 さらに、 主と してキャリア全体に設けられた研磨 剤通過孔 3 , 4を通じて下定盤側の研磨布 1 9 とキャリア 1の下面との間に達す る。 これにより、 研磨剤がゥエーハ Wの上下両面に十分に供給されることになり . ゥエー八の両面での研磨条件 (特に研磨剤の量) が均一化される。 また、 ゥエー ハ Wの下面側に十分に研磨剤が供給されることで冷却効果も発揮される。
上記のように研磨を行うことで、 研磨剤通過孔を通じてゥエーハ Wと下側の研 磨布 1 9との間全体にも研磨剤が満遍なく供給され、 保持孔 2内でのゥエーハの 自転等の動きもスムーズとなり、 テーパ形状や外周ダレ等を引き起こすことなく 高平坦度のゥエーハに仕上げることができる。
なお、 研磨面上に供給されたスラ リーは、 順次外周方向へ溢れ出て排出される ので、 これを回収して循環させることで.再利用することもできる。
以下、 本発明の実施例及ぴ比較例について説明する。
(実施例 1 )
直径 1 1 9 0 m m、 厚さ 8 0 0 μ mのガラスエポキシ製のキヤリアを用意した t このキヤリァには直径 3 0 1 m mのゥエーハ保持孔が 5個形成されているほか、 研磨剤通過孔として、 直径 2 0 m mの円形の貫通孔が、 図 1に示すように同心円 状に約 5. 1 0個形成されている。 この研磨剤通過孔がキヤリアの主面に占める面 積の比率は、 1 7 . 2 3 %であった。
研磨装置としては、 図 6のようなキヤリァが自転しないタイプの両面研磨装置 を用いた。
研磨布としては、 上定盤及ぴ下定盤とも、 ウレタン系パッ ド (ショァ Dで約 7 0の硬質パッ ド) からなる研磨布を貼りつけた。
また、 研磨剤については、 p H 1 0 . 8〜 p H 1 1に調整されたコロイダルシ リ力を含有するアル力リ溶液を用い、 供給量は 6 リ ツ トル 分とした。 上記のような装置及び条件により、 直径 3 0 0 mmのシリコンゥエーハの両面 研磨を行った。
研磨代は両面で 1 6 μ mであり、 研磨した後のゥエーハ形状についてフラッ ト ネステスタ^"を用いてゥエーハの平坦度を確認したところ、 S F QRm a x (周 辺 2mm除外、 サイ トの大きさ : 2 6 mmX 3 3 mm) で 0. であった c
(比較例 1 )
従来用いられている図 2に示すようなキャリアを用いた。 このキャリアには、 ゥエーハ保持孔以外にも、 研磨剤を通過させるための貫通孔と して、 中心に直径 2 0 0 mmの孔が 1個と、 その周辺に直径 1 5 0 mmの孔が 5個設けられている これらの貫通孔のキャリアに占める面積は 1 0. 7 7 %であった。
キャリア以外の構成は実施例 1の装置と同様と し、 また、 実施例と同じ研磨条 件で研磨を行った。
研磨の結果、 S F QRm a x (周辺 2 mm除外) で 0. 3 2 /z mであり、 近年 要求される平坦度を満足できないものであった。 特にゥエーハ外周部にはダレが 見られ、 S F QRm a xの値が特に悪くなつていた。
(比較例 2及び実施例 2 )
研磨剤通過孔の占有面積の割合が、 1 4. 3 0 %のキャリア 2 1 (図 3 ( b ) に示したように、 直径 1 0 0 mmの貫通孔を 5つ増やしたもの ; 比較例 2 ) と、 2 8. 6 0 %のキャリ ア 3 1 (図 3 ( a ) に示したように、 直径 2 6 mmの貫通 孔を格子状に 5 4 0個 +直径 2 0 0 mmの孔が中心に 1個形成されたもの ; 実施 例 2) をそれぞれ用い、 実施例 1 と同様に研磨を行ったところ、 比較例 2では S F QRm a χ = 0. 2 5 /ί ΐη、 実施例 2では S F QRm a x = 0. であ つた。 なお、 本発明は、 上記実施形態に限定されるものではない。 上記実施形態は単 なる例示であり、 本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同 一な構成を有し、 同様な作用効果を奏するものは、 いかなるものであっても本発 明の技術的範囲に包含される。
例えば、 上記実施形態では、 キャリアが自転しないタイプの両面研磨装置を使 用する場合について説明したが、 研磨装置はこのタイプに限定されず、 4ウェイ 方式等の他の両面研磨装置に本発明のキヤリァを装着して研磨を行うこともでき る。 また、 研磨剤通過孔の大きさや配置は、 研磨剤通過孔のキャ リアの主面を占 める総面積が 1 5 %以上となれば図 1のものに限定されず、 研磨条件や研磨対象 物により適宜設定すればよい。
また、 上記実施例では、 ショァ D 7 0 と大変硬質な研磨布を用いたが、 ショァ D 3 0 〜 4 2 (ショァ Aで 8 0 〜 9 0 ) 程度の硬質研磨布でも同様な効果があつ た。 さらには、 ショァ D 1 0近辺 (ショァ A 5 0程度) でもテーパ形状や外周ダ レ等を発生させることなく研磨することができた。 さらに柔らかい研磨布でもも ちろん使用可能である。 研磨布は要望される品質により適宜設定すれば良い。 このように研磨布は特に限定するものではないが、 キャリアが自転しないタイ プの両面研磨装置に本発明のキヤリアを用いることで、 今まで両面研磨で使用が 困難であったショァ A 5 0以上の硬質研磨布が好適に使用できるようになり、 よ り高品質 (高平坦度) なゥエーハが得られるメ リ ッ トは大きい。

Claims

SB 求 の 範 囲
1 . 研磨布が貼付された上定盤と下定盤との間でゥエーハを保持して該ゥェ ーハの両面を研磨剤により研磨する際に使用するゥエーハ保持用キヤ リアであつ て、 前記ゥエーハを収容して保持するためのゥエーハ保持孔のほかに、 研磨剤を 通過させるための研磨剤通過孔を有し、 該研磨剤通過孔のキヤリアの主面に占め る総面積が 1 5 %以上であることを特徴とするゥエーハ保持用キヤリァ。
2 . 前記研磨剤通過孔のキヤリァの主面に占める総面積が 3 0 %以下であるこ とを特徴とする請求項 1に記載のゥエーハ保持用キヤリァ。
3 . 前記研磨剤通過孔が、 それぞれ直径 5 πι π!〜 3 0 m mの円形であることを 特徴とする請求項 1または請求項 2に記載のゥエーハ保持用キヤリァ。
4 . 前記研磨剤通過孔が、 キャリア全体に同心円状又は格子状に配列されてい ることを特徴とする請求項 1ないし請求項 3のいずれか 1項に記載のゥエーハ保 持用キヤリァ。
5 . 少なく とも、 研磨布が貼付された上定盤及ぴ下定盤と、 該上定盤及ぴ下定 盤を相対的に移動させる定盤移動機構と、 前記上定盤と下定盤との間でゥエーハ を保持するゥエーハ保持用キヤリアと、 該キヤリァを前記上定盤と下定盤との間 で移動させるキヤリァ移動機構とを具備する両面研磨装置であって、 前記上定盤 に研磨剤を供給するための研磨剤供給孔が設けられており、 前記キヤリアとして, 請求項 1ないし請求項 4のいずれか 1項に記載のゥエーハ保持用キヤリアを備え ていることを特徴とする両面研磨装置。
6 . 前記キャ リア移動機構が、 前記ゥエーハ保持用キャ リアを、 該キャ リアの 面内で自転を伴わない円運動をさせ、 前記ゥエーハ保持孔内で前記上定盤と下定 盤との間に保持されたゥエーハを旋回移動させるものであることを特徴とする請 求項 5に記載の両面研磨装置。
7 . 前記研磨布の硬度が、 ショァ A 5 0以上であることを特徴とする請求項 5 又は請求項 6に記載の両面研磨装置。
8 . 前記研磨布の材質が、 ウレタン系又はゴム系であることを特徴とする請求 項 5ないし請求項 7のいずれか 1項に記載の両面研磨装置。
9 . ゥエーハの両面を研磨する方法において、 請求項 5ないし請求項 8のいず れか 1項に記載の両面研磨装置を用い、 前記上定盤と下定盤との間に配置された 前記キヤリァのゥエーハ保持孔内にゥエーハを収容し、 前記上定盤側から研磨剤 を供給しながら上定盤と下定盤を相対的に移動させるとともに、 前記キヤリアを 上定盤と下定盤との間で移動させることにより前記ゥエーハの両面を研磨するこ とを特徴とするゥエーハの両面研磨方法。
1 0 . 前記上定盤側から供給する研磨剤の供給量を、 3 リ ッ トル Z分以上 1 0 リ ッ トル 分以下とすることを特徴とする請求項 9に記載のゥエーハの両面研磨 方法。
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