WO2004032320A1 - マイクロ共振装置、マイクロフィルタ装置、マイクロ発振器および無線通信機器 - Google Patents

マイクロ共振装置、マイクロフィルタ装置、マイクロ発振器および無線通信機器 Download PDF

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    • H03H2009/02488Vibration modes
    • H03H2009/02511Vertical, i.e. perpendicular to the substrate plane

Definitions

  • the present invention relates to a microresonator that can be incorporated as a part of an integrated circuit on a substrate, and more particularly to a microfilter device and a microoscillator using a micro-elect.mechanical system, and a wireless communication device.
  • Micro-elect resonators using a micro 'elect port' mechanics system are described in, for example, Reference 1 (FDBann, III, JR CIark, and CT-C. Nguyen, I As shown in EEE J. S o 1 idState Circuits, vol. 35, No. 4, p. 51 2—526, A ril 2000), its natural frequency (resonance frequency) is It can be used to accurately pass only signals of that frequency and attenuate other frequency signals and noise.
  • an ultra-small size and extremely narrow band filter that can be incorporated into an integrated circuit can be realized. Is being promoted.
  • FIG. 30 shows an example of a microfilter including a microresonator 300 formed of a polysilicon film on a silicon substrate according to a conventional technique.
  • the frequency of the AC signal is similar to the resonance frequency of the microresonator 300 due to the AC signal applied to the input electrode 301, the microresonator 300 vibrates, and the selected AC signal is transmitted from the output terminal 302 to the output terminal 302. Is done.
  • the resonance frequency of the resonator as shown in FIG. 30 is almost expressed by the following equation as shown in the above-mentioned document 1.
  • k is a constant
  • p is the density of the resonator material
  • E is the Young's modulus of the resonator material
  • L r is the effective length of the resonator
  • h is the thickness of the resonator.
  • the finished dimensions can be checked with a certain degree of accuracy using the high-performance length measurement technology used in the LSI manufacturing process.
  • the resonator in a surface MEMS formed by laminating on the substrate surface, the resonator has a corner portion 303 with a curvature (curvature) and a depression due to the influence of the support portion and the lower electrode of the resonator. 304 and convex portions 305 are formed. Since these shapes differ depending on the deviation of the mask alignment in the manufacturing process, the variation in the processed shape and the thickness of the deposited film, etc., they cause a variation in the resonance frequency. Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • 2001-94062 discloses that a silicon “on” insulator (SOI) substrate is used to form a single-crystal silicon resonator, and that the film thickness variation and mechanical properties caused by the polycrystalline nature of polysilicon are increased. Although a technique for solving the problem of variation in the precision is disclosed, it does not essentially solve the inaccuracy of the resonance frequency due to the variation in processing accuracy.
  • SOI silicon “on” insulator
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-94062 discloses a method of controlling the resonance frequency of the resonator by changing the density of the resonator by ion implantation in the manufacturing process. If the mechanical properties cannot be accurately measured and the resonance frequency before injection cannot be estimated accurately, the dose for achieving the desired resonance frequency cannot be determined. In other words, it is necessary to completely understand the measurement error of the inspection device used for measuring the dimensions of the resonator and the concentration distribution after ion implantation in a resonator having a thickness of about 2 ⁇ and a length of several ⁇ or more. In view of the difficulties in the fabrication, it is difficult to accurately predict variations in the mechanical properties of the implanted resonator, and this technique essentially eliminates the inaccuracy of the resonance frequency due to the manufacturing process. It is difficult to solve.
  • the resonance frequency of the resonator and the amplitude amplification factor (Q value) of the resonance peak are determined as described in Reference 2 (YT Chengeta 1., Proceedings of MEMS Conf. 18, 2001). Since the resonance characteristics depend strongly on the pressure in the cavity in which the resonator is sealed, even if the resonance characteristics of the resonator are adjusted during manufacture, the final resonance characteristics will fluctuate due to variations in the sealing pressure. Even if the pressure in the vacuum device for sealing in the sealing process is adjusted with high precision, there is a pressure distribution depending on the position of the exhaust system and the structure in the device.
  • the pressure gauge can actually measure the pressure by performing the sealing process.
  • the vacuum equipment it must be a peripheral part that does not hinder the sealing work.
  • the stability of the exhaust capacity of the exhaust system must be considered.
  • the resonance frequency fluctuates due to the use environment, that is, the fluctuation or deterioration of the external temperature or the sealing pressure. Temperature changes cause fluctuations in the resonance frequency due to degassing from inside the seal, pressure fluctuations, and thermal expansion of the resonator itself. In other words, even if there is a fluctuation due to the use environment or deterioration over time, it cannot be used unless there is a function that can optimally adjust the resonance frequency.
  • Reference 1 discloses a method of changing the resonance frequency by the bias potential applied to the resonator (resonance frequency of about 1 MHz). In this method, however, the potential difference between the input electrode and the resonator is changed. The resulting electrostatic force draws the resonator toward the input electrode, changing the resonance frequency of the resonator. Therefore, by increasing the strength of the electrostatic force relatively to the force of the panel of the resonator, the resonator is closer to the input electrode, and the change of the resonance frequency can be increased. However, if it is applied to a device with a higher resonance frequency, the length of the resonator becomes shorter, and the size of the input electrode becomes smaller accordingly, so that the electrostatic force necessarily becomes smaller.
  • the method using the bias potential enables control that only compensates for the inaccuracy of the resonance frequency due to the above-mentioned variation in the processing accuracy and the variation in the sealing pressure for the resonator having the resonance frequency in the high frequency range. It is hard to say what to do.
  • the resonance frequency is reduced, and the amplitude amplification factor (Q value) at the resonance peak is also reduced.
  • deterioration of sealing pressure in any case, such as a temperature rise, the resonance frequency drops, so it is necessary to control the resonance frequency to a higher side.
  • the bias voltage is proportional to the output of the MEMs, the noise potential cannot be lowered unnecessarily, and the frequency is basically reduced. There is a problem that it is not a method that can control the number to be increased.
  • the CMOS circuit normally uses a voltage of about 3 to 5 V, so even if the control voltage for MEMS is increased, the limit is considered to be about 40 V. . This is because, even in this case, there are about three types of gate insulation film structures for MEMS control circuits: low voltage, medium voltage, and high voltage for scaling according to voltage. This necessitates the proper use of different components, complicating the manufacturing process and increasing the cost. In the method using the bias voltage, the upper limit of the controllable voltage is actually low, and the control range is narrow. Disclosure of the invention
  • the present invention has been made to solve the above-described problems of the related art, and is a microresonator which can be incorporated as a part of an integrated circuit on a substrate, wherein a resonator is provided.
  • a microresonator which can adjust the resonance frequency by compensating for fluctuations in processing accuracy of the resonator and fluctuations in the sealing pressure even after sealing, and in particular, provide variable frequency micro-filters and micro-oscillators, and wireless communication devices Is to do.
  • a microresonator according to the present invention includes: a substrate;
  • a microphone mouth resonator provided on the substrate,
  • At least one micro movable portion that mechanically acts on the microphone opening resonator; and a micro movable portion that drives the micro movable portion to change a mechanical operation state of the micro movable portion with respect to the micro resonator.
  • the micro-resonator oscillates in response to a change in a selected parameter, and the micro-movable part mechanically or mechanically applies a predetermined force to the microphone mouth resonator by an external operation.
  • the amplitude amplification factor at the resonance peak, or the inputtable signal strength is changed.
  • the micro movable portion changes a vibration region or a distribution shape of amplitude of the microresonator.
  • the resonance frequency of the microphone opening resonator, the amplitude amplification factor (Q value) of the resonance peak, or the inputtable signal strength can be changed.
  • the micro movable portion controls the absorption of vibration near a support end of the micro resonator.
  • the resonance frequency of the microphone opening resonator, the amplitude amplification factor (Q value) of the resonance peak, or the inputtable signal strength can be changed.
  • the microphone opening movable section driving mechanism causes the micro movable section to come into contact with the microresonator or to be separated from the microresonator.
  • the micro movable portion driving mechanism contacts the microphone opening movable portion with a force of a predetermined magnitude to the microphone opening resonator, or Changes the magnitude of the force in contact with the microresonator.
  • the resonance frequency of the microphone opening resonator, the amplitude amplification factor (Q value) of the resonance peak, or the inputtable signal strength can be changed.
  • the microphone opening movable section driving mechanism changes a position or a direction in which the microphone opening movable section contacts the microphone opening resonator.
  • the resonance frequency of the microresonator, the amplitude amplification factor (Q value) of the resonance peak, or the inputtable signal strength can be changed by an external operation. .
  • the micro movable portion is provided with a mechanical action on the microphone mouth resonator by the micro movable portion.
  • the position at which the micro movable portion comes into contact with the micro resonator is near the support end of the micro resonator or near the node of vibration.
  • the microphone opening resonator of this embodiment it is possible to suppress the resonance frequency of the microphone opening resonator from becoming unstable.
  • the mechanical action of the micro movable portion on the microphone opening resonator causes the microphone opening movable portion to contact the microphone opening resonator, and the micro movable portion is The position in contact with the microresonator is a region where the amplitude is smaller than the amplitude peak position of the vibration of the microresonator.
  • the resonance frequency of the microphone-mouth resonator can be suppressed from becoming unstable.
  • the micro movable portion contacts the micro resonator by a mechanical action of the micro movable portion on the microphone opening resonator, and the microphone opening movable portion and the microphone Of the crossing lines formed by contact with the mouth resonator, the crossing line formed on the side where the main vibration of the microresonator occurs is the effective value of the dimension related to the main resonance frequency of the microphone mouth resonator. It is configured to be positioned almost perpendicularly to the direction of the line segment indicating.
  • the microphone-mouth resonator of this embodiment it is possible to change the resonance frequency while suppressing the deterioration of the amplitude amplification factor (Q value) at the resonance peak of the microphone mouth resonator.
  • the micro movable portion comes into contact with the micro resonator by a mechanical action of the micro movable portion on the microphone mouth resonator, and the micro resonator has a micro resonance.
  • a micro-resonator support portion and is formed on a side of the micro-resonator where main vibration occurs, of the intersections formed by the contact between the microphone-port movable portion and the microphone-port resonator.
  • the crossing line is almost on the side where the main vibration of the microphone mouth resonator occurs in the crossing line formed by the microphone mouth resonator and the microresonator support portion, or the crossing line formed at the farthest place. It is configured to be substantially parallel.
  • the microphone-mouth resonator of this embodiment it is possible to change the resonance frequency while suppressing the deterioration of the amplitude amplification factor (Q value) at the resonance peak of the microphone mouth resonator.
  • the microphone of the micro movable section Due to the mechanical action on the mouth resonator, the micro movable portion comes into contact with the micro resonator, the micro resonator includes a micro resonator and a micro resonator support portion, and the microphone mouth movable portion and the microphone Of the lines of intersection formed by contact with the mouth resonator, the lines of intersection formed on the side of the microresonator where main vibration occurs are formed by the microresonator and the microresonator support. Of the intersecting lines, from the intersecting position formed on the side where the main vibration of the microphone opening resonator occurs most, to the end position of the line segment indicating the effective value of the dimension related to the main resonance frequency of the microphone opening resonator. It is configured to be located on the side where the main vibration of the microphone mouth resonator occurs from the position where the distance is doubled.
  • the microphone-mouth resonator of this embodiment it is possible to change the resonance frequency while suppressing the deterioration of the amplitude / width ratio (Q value) at the resonance peak of the microphone mouth resonator.
  • the mechanical action of the micro movable portion on the microphone opening resonator causes the microphone opening movable portion to come into contact with the microphone opening resonator
  • the micro resonator includes: A micro-resonator and a micro-resonator supporting portion, wherein, of the intersections formed by the contact between the microphone opening movable portion and the microphone opening resonator, Is an intersection line formed on the side where the main vibration of the microphone mouth resonator occurs most among the intersection lines formed by the microphone mouth resonator and the microphone mouth resonator support portion.
  • the microphone resonator is configured to be located on the side opposite to the side where main vibration occurs.
  • the microresonator of this embodiment it is possible to change the resonance frequency while suppressing the deterioration of the amplitude amplification factor (Q value) at the resonance peak of the microresonator.
  • microresonator there are a plurality of micro movable parts having different sizes, shapes, or materials, and the different micro movable parts are caused to mechanically act on the micro resonator.
  • the resonance frequency is changed without significantly lowering the resonance peak intensity and the amplitude amplification factor (Q value) of the resonance peak, and the resonance peak intensity and the amplitude of the resonance peak are changed.
  • the resonance frequency is changed by lowering the amplification factor (Q value) to some extent, it is possible to use different controls.
  • micro movable parts are prepared for both ends of the micro resonator, One is near the end of the spring indicating the effective length of the microphone mouth resonator, and the other is near the end of the line indicating the effective length of the microphone mouth resonator.
  • the mechanical action of the micro movable portion on the microphone opening resonator causes the microphone opening movable portion to come into contact with the microphone opening resonator, and at least to the micro resonator.
  • the resonance frequency of the distal end of the micro movable portion that is in contact with the micro movable portion is higher than the resonance frequency of the microphone mouth resonator.
  • the microphone-mouth resonator of this embodiment even when the micro movable portion is brought into contact with the microphone mouth resonator, the vibration peak intensity is less reduced compared to the case where it is not contacted, and the amplitude amplification factor (Q Value) can be adjusted while suppressing the deterioration of the resonance frequency.
  • the mechanical action of the micro movable portion on the microphone opening resonator causes the microphone opening movable portion to contact the microphone opening resonator, and the micro movable portion and the micro movable portion
  • Each of the micro-resonators has a contact portion that comes into contact with each other, and in this contact portion, an anti-sticking layer is formed on at least one of the surface of the micro movable portion side and the surface of the microphone opening resonator side. ing. According to the microresonator of this embodiment, it is possible to repeatedly adjust the resonance frequency by contact while preventing sticking at the time of contact.
  • the mechanical action of the micro movable portion on the microphone opening resonator causes the microphone opening movable portion to come into contact with the microphone opening resonator,
  • the length of the contact portion with the microphone opening resonator in the direction indicating the effective dimension of the micro resonator is longer than the thickness of the microphone opening resonator.
  • the resonance frequency can be effectively changed.
  • the microphone of the micro movable section Due to the mechanical action on the mouth resonator, the micro movable portion comes into contact with the micro resonator, and the direction of the force with which the microphone mouth movable portion and the microphone mouth resonator are pressed relatively is the micro resonance. It is almost perpendicular to the direction of the line indicating the effective value of the dimension related to the main resonance frequency of the body.
  • the effective length of the microresonator can be effectively changed.
  • the mechanical action of the micro movable portion on the microphone opening resonator causes the microphone opening movable portion to come into contact with the microphone opening resonator;
  • the direction of the force with which the microphone mouth resonator is pressed relatively is substantially parallel or substantially perpendicular to the amplitude direction of the main vibration of the microresonator.
  • the pressing force is applied perpendicular to the contact surface of the micro-resonator, and the effective length can be changed effectively.
  • the micro movable portion driving mechanism includes a flexible plate-shaped piezoelectric member.
  • a drive mechanism with a small occupied area can be manufactured on a substrate.
  • the micro movable portion driving mechanism includes a thickness-deformable piezoelectric member.
  • a drive mechanism capable of changing the pressing position of the micro movable portion can be manufactured on a substrate with a small occupied area.
  • the micro movable portion driving mechanism includes a slip deformation type piezoelectric member.
  • microresonator of this embodiment it is possible to change the pressing position with higher reproducibility and higher accuracy.
  • the micro movable unit driving mechanism includes an electrostatic actuated actuator.
  • the substrate is manufactured on a substrate using a material used in a normal MEMS process or a CMOS process without using a piezoelectric material. This makes it possible to easily and vertically generate a driving force in the vertical and horizontal directions of the substrate.
  • the electrostatically-driven actuator is formed with a first electrode fixed to the substrate and at a fixed distance from the first electrode, and A second electrode that moves to move toward or away from the first electrode to move the microphone opening movable portion by a potential difference between the first electrode and the second electrode, the second electrode being moved by a potential difference between the first electrode and the second electrode caused by an externally applied voltage; And an elastic body electrically connected to the second electrode and supporting the second electrode and a structure connected to the second electrode.
  • the control range of the resonance frequency can be widened, and control at a low voltage of several tens V or less is also possible. Furthermore, it is possible to use different micro movable parts at both ends of the micro resonator to make contact with the micro resonator, or to use the micro movable part for coarse adjustment and the micro movable part for fine adjustment to make contact with the micro resonator. .
  • the present invention is easily applied to a microresonator vibrating in a direction perpendicular and parallel to the substrate and a microresonator vibrating in a vertical vibration mode in a direction parallel to the substrate. Applicable.
  • the elastic body when the second electrode approaches the first electrode up to a predetermined distance from the first electrode, the elastic body changes its fulcrum position, The elastic coefficient of the elastic body increases.
  • the microphone opening resonator of this embodiment when moving the microphone opening movable portion until it comes into contact with the micro-resonator, a long distance can be moved with a low voltage due to a small elastic constant. After contact with the body, the elastic constant becomes high, so that the moving distance of the second electrode can be suppressed, and the pushing force of the micro movable portion can be increased while preventing pull-in.
  • the electrostatically-driven actuator is configured such that when the second electrode approaches the first electrode up to a predetermined distance from the first electrode, And a second elastic body that supports the second electrode and a structure connected to the second electrode.
  • the elastic coefficient of the structure supporting the second electrode can be increased from the stage where the micro movable portion comes into contact with and pushes the micro resonator, and the micro movable portion is When moving before contacting the microphone mouth resonator, it has a small elastic constant, so it can move a large distance at low voltage, and after the micro movable part comes into contact with the micro resonator, it has a high elastic constant. It is possible to increase the pushing force of the micro movable part while suppressing the moving distance of the second electrode and preventing punolein.
  • the predetermined distance is equal to or less than the first distance in a balanced state when no potential difference is applied to the first electrode and the second electrode.
  • the distance is set to be larger than two-thirds of the distance between the electrode and the second electrode.
  • the second electrode approaches the first electrode.
  • the microphone-mouth movable portion is brought into contact with the microphone-mouth resonator before being too close to cause pull-in. be able to.
  • the predetermined distance is equal to the distance between the first electrode and the second electrode in a balanced state in which a potential difference is not applied to the first electrode and the second electrode.
  • the distance is set near the distance obtained by subtracting the distance between the microphone opening movable section and the micro-resonator from the distance between the electrode and the microphone.
  • the micro movable portion can be brought into contact with the micro-resonator before the second electrode is too close to the first electrode to cause pull-in.
  • the structure connected to the elastic body and the second electrode may be configured such that the first electrode approaches the first electrode when the second electrode approaches the first electrode.
  • a bent portion is provided to keep the position of the electrode and the second electrode substantially parallel.
  • the microphone opening resonance device of this embodiment when the microphone opening movable portion is pressed, the direction of the pressing force is prevented from deviating from the vertical direction, and the second electrode is prevented from being inclined from the horizontal. Can be.
  • the electrostatically driven actuator is provided in the microphone mouth resonance device. Is formed at a certain distance from the second electrode, on the opposite side to the first electrode, and the second electrode and the second electrode are formed by a potential difference from the second electrode caused by a voltage applied from the outside. A third electrode for applying a driving force to the micro movable unit is provided. According to the microphone opening resonator of this embodiment, even if the micro movable portion and the microphone opening resonator are fixed and cannot return to the original position of the balance, the micro resonance device is disassembled by an external input. Without this, the function as a microresonator can be restored.
  • the electrostatically-driven actuator is orthogonal to a direction in which the first electrode and the second electrode face each other from a structure interlocking with the microphone opening movable unit.
  • the first electrode and the second electrode face the microphone opening movable portion due to a potential difference from the structure portion caused by a voltage applied from the outside while being formed at a constant distance in the direction.
  • a fourth electrode for providing a driving force in a direction orthogonal to the direction is provided.
  • the process can be simplified and the cost can be reduced, and the operation of removing the sticking can be performed as compared with the method using the third electrode described above.
  • the microresonator and the microphone opening movable section are made of a material whose composition contains at least two elements, and one of these elements has a high melting point. It is a metal element.
  • the film composition and the film quality can be easily controlled even when the film is deposited at a low temperature of about room temperature, and the film is prevented from being broken or the like at the time of film deposition.
  • the resistance to deformation and destruction of the microstructure due to a load such as stress can be improved.
  • the high-melting-point metal element is one of tungsten, tantalum, and molybdenum.
  • a microphone opening structural member having a high Young's ratio can be obtained even when nitrogen or the like is contained.
  • the microresonator and the microport movable portion are made of a material whose composition contains at least two elements. At least nitrogen, oxygen, or carbon Including.
  • the film composition and the film quality can be easily controlled even when the film is deposited at a low temperature of about room temperature, and it is possible to prevent the rupture such as the peeling of the film during the film deposition, In addition, resistance to deformation and destruction of the microstructure due to a load such as stress can be improved.
  • the microresonator and the movable part of the microphone opening are made of a material whose composition includes at least two elemental forces S.
  • This material has a composition or an internal residual stress. Consists of at least two different layers. According to the microresonator of this embodiment, it is possible to prevent rupture such as peeling of the film at the time of film deposition, and to improve resistance to deformation or breakage of the microstructure due to a load such as stress.
  • the microfilter device of the present invention includes: the microresonator; an input electrode capacitively coupled to the microphone mouth resonator; an output electrode for extracting a frequency signal selected by the microphone mouth resonator; And an input electrode for driving the micro movable portion drive mechanism.
  • the resonance frequency of the microresonator (the center frequency of the microfilter device) can be adjusted over a wide range by controlling the movable portion of the microphone opening after the manufacturing, so that the conventional method cannot perform the manufacturing. Uncertainties in the resonance frequency of the microresonator (the center frequency of the microfilter device) due to variations in processing and sealing pressure at the time can be adjusted and adjusted to the desired (design) value. Furthermore, the yield can be increased even when using a manufacturing apparatus and a manufacturing process with a processing accuracy in a range where the yield cannot be obtained by the conventional method.
  • the deviation of the center frequency of the microphone opening filter device can be corrected by controlling the microphone opening movable part after encapsulation, changes in the external environment (temperature) during use and deterioration with time of the microresonator itself (sealing).
  • the filter output can also be corrected and optimized for pressure degradation and mechanical properties of the microphone mouth resonator material, etc.), extending the range of environmental conditions that can be used as a filter and extending the product life. be able to.
  • the microphone opening movable section control connected to the output of the microresonator and the input driving the microphone opening movable section driving mechanism.
  • the micro movable unit control circuit when there is a difference between a desired frequency to be selected and a frequency of a signal selected and output by the microphone mouth resonance device, a desired frequency from the microphone mouth resonance device.
  • the micro movable unit is adjusted so that a signal is output.
  • the microfilter device of this embodiment it is possible to adjust the frequency output of the microphone port filter device on the spot according to a change in the actual use environment and the state of the microphone port resonator device at the time of use, Even if the resonator is stuck, the function of the microphone mouth resonator can be restored by an external input without dismantling the microfilter.
  • the microfilter device further includes a storage element connected to the micro movable unit control circuit, and the storage element is configured to adjust the microphone port adjusted to correct a difference between the selected frequency and the desired frequency.
  • the micro movable section control circuit stores a control value of the movable section driving mechanism based on the control value of the microphone opening movable section driving mechanism stored in the storage element during a start-up operation. Section to adjust the output frequency signal.
  • the time can be significantly reduced as compared with the case where the adjustment is made from the initial value.
  • control value of the micro movable portion driving mechanism stored in the storage element is a voltage applied to an electrode of the microphone opening movable portion driving mechanism or a mark applied between the electrodes. Includes a set value that gives any of the voltage differences that are adjusted.
  • the time can be significantly reduced as compared with the case where the adjustment is made from the initial value.
  • the micro movable portion control circuit adjusts a deviation existing in a frequency of the signal to be selectively output to a desired frequency, and the microphone stored in advance in the storage element. Stepwise adjustment is performed using the optimal control step of the control voltage of the mouth movable section drive mechanism.
  • microfilter device of this embodiment it is easy to predict the adjustment width and easily adjust the frequency for various microresonance devices or microfilter devices.
  • the deviation can be adjusted.
  • control steps stepwise it is possible to accurately check and control the steady-state frequency output, adjust the frequency accurately, and obtain the final result in a short time.
  • the micro-oscillator of the present invention may further include: the micro-resonator; an input electrode capacitively coupled to the micro-resonator; an output electrode for extracting a frequency signal output by the microphone-port resonator; And an input electrode for driving the movable portion drive mechanism.
  • the frequency output by the microphone-mouth resonator can be largely adjusted by controlling the microphone-mouth movable section after manufacturing, and therefore, processing variations during manufacturing that could not be achieved by the conventional method. It is also possible to adjust the deviation to the desired value (design value) with respect to the uncertainty of the resonance frequency of the microresonator or the output frequency of the microoscillator due to the variation of the sealing pressure or the fluctuation of the sealing pressure. Since the adjustment range after manufacturing is greatly improved as compared with the conventional method, the yield can be obtained even when using a manufacturing apparatus and a manufacturing process with the same processing accuracy that cannot be obtained with the conventional method.
  • the fluctuation of the output frequency of the microphone mouth oscillator can be corrected on the spot by controlling the movable part of the microphone mouth after enclosing, the change of the external environment (temperature) during use and the aging of the microresonator itself can be achieved.
  • the output frequency characteristics can be corrected and optimized for deterioration (such as deterioration of sealing pressure and deterioration of mechanical characteristics of microresonator material), and the range of environmental conditions that can be used as an oscillator is expanded. The product life can be extended.
  • micro movable portion can be formed on the substrate together with the micro resonator, it becomes possible to arrange micro resonators having various frequency characteristics side by side, and a microphone opening resonator having various frequency characteristics and a micro movable device can be manufactured.
  • the controllable range of the frequency characteristics of the entire micro-oscillator is expanded, and the micro-oscillator can be used properly according to the purpose and environment of use. It is also possible to obtain a mixed output by combining a plurality of microresonators.
  • the micro oscillator includes a microphone opening movable section control circuit connected to an output of the microresonator and an input for driving the micro movable section driving mechanism. While detecting the output so as to correct or optimize the fluctuation of the frequency output by the microresonator, Adjust the black moving parts.
  • the frequency output of the microphone oscillator can be adjusted on the spot according to the actual use environment and the state of the microphone resonator at the time of use.
  • the function of the microresonator can be restored by an external input without dismantling the micro oscillator.
  • the micro oscillator includes a storage element connected to the micro movable unit control circuit, and the storage element corrects or optimizes a difference between a desired frequency to be output and an actual frequency.
  • the control value of the microphone opening movable section driving mechanism adjusted as described above is stored, and the micro movable section control circuit, based on the control value of the microphone opening movable section driving mechanism stored in the storage element at the time of the starting operation. And controlling the movable part of the microphone opening.
  • the control value of the micro movable unit at the time of shipment or adjustment performed in a normal use environment of the user, or the control value of the micro movable unit adjusted at the last use is stored.
  • the time can be greatly reduced compared to the adjustment from the initial value.
  • control value of the microphone opening movable portion driving mechanism stored in the storage element is a voltage applied to an electrode of the microphone opening movable portion driving mechanism or applied between electrodes. Includes the setting value that gives the! / Of the voltage difference.
  • the time can be greatly reduced as compared with the case where the initial value is completely adjusted.
  • the micro movable unit control circuit when correcting or optimizing the fluctuation in the output frequency, stores the microphone opening movable stored in advance in the storage element.
  • the voltage is adjusted stepwise by using the optimal control step for the control voltage of the unit drive mechanism.
  • the microphone-mouth oscillator of this embodiment it is possible to easily adjust the frequency deviation with a predicted control width even for various microphone-mouth resonators or microphone-mouth oscillators. Also, by performing the control steps in stages, Since the output frequency in the normal state can be checked and controlled, the frequency can be adjusted accurately and in a short time.
  • the wireless communication device of the present invention includes a transmitting unit, a receiving unit, a duplexer for separating a transmission signal from the transmission unit and a reception signal to the reception unit, and transmitting the transmission signal as a radio wave.
  • the micro filter device since the micro filter device is provided, even if the frequency characteristics of the microphone port filter device fluctuate due to the external environment fluctuation or the internal fluctuation of the microphone port resonator device itself, the communication state is not changed.
  • the micro movable unit By controlling the micro movable unit while comparing with the above, the frequency characteristics can be adjusted, and the communication state can be kept optimal.
  • the wireless communication device of the present invention includes a transmitting unit, a receiving unit, a duplexer for separating a transmission signal from the transmission unit and a reception signal to the reception unit, and transmitting the transmission signal as a radio wave.
  • the micro-oscillator since the micro-oscillator is provided, even if the frequency characteristic of the microphone-oscillator fluctuates due to a fluctuation of an external environment or an internal fluctuation of the microphone-oscillator itself, the micro movable device The frequency characteristic change can be corrected or optimized by adjusting the section.
  • FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a microphone-mouth resonance device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a microphone mouth resonator in the microphone mouth resonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the microphone mouth resonator in the microphone mouth resonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 shows another micro-sharing in the microphone-mouth resonator according to the first embodiment of the present invention. It is a schematic cross section of a vibration body.
  • FIG. 5 is a schematic sectional view of another micro-resonator in the microphone-mouth resonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the frequency and the amplitude of the microphone mouth resonator in the microphone mouth resonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a configuration diagram of a contact surface of a microphone opening movable portion in the microphone opening resonance device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view of a contact surface of a microphone opening movable section in the microphone opening resonance device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a microphone opening movable section in the microphone opening resonance device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of another movable part of the microphone opening in the microresonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a configuration diagram showing a micro movable unit driving mechanism in the micro resonance device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view taken along line A 1 — ⁇ 2 of FIG. 11 showing a micro movable unit driving mechanism (balance position) in the microphone-mouth resonance device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view taken along the line A 1 —A 2 of FIG. 11 showing a micro movable unit driving mechanism (pressing position) in the micro resonance device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a configuration diagram showing another microphone opening movable unit driving mechanism in the microresonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view taken along the line B 1 -B 2 of FIG. 14 showing another microphone mouth movable portion driving mechanism (balance position) in the microphone mouth resonance device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating a relationship between a voltage applied to an electrode and a moving distance in the microresonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a diagram showing the relationship between the voltage applied to the electrodes and the fixed force (the magnitude of the acting force) in the microresonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view of a sticking prevention mechanism in the microresonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a schematic cross-sectional view of another sticking prevention mechanism in the microresonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is a configuration diagram illustrating a microphone-mouth resonance device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 21 is a plan view of a microresonator in the microphone-mouth resonator according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 is a plan view of a microresonator in the microresonator of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 23 is a configuration diagram showing a micro movable unit driving mechanism in the micro resonance device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a configuration diagram illustrating a micro movable unit structure in the micro resonance device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 25 is a configuration diagram illustrating another movable structure of the microphone opening in the microresonator according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 26 is a configuration diagram illustrating a microphone-mouth resonance device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 27 is a schematic cross-sectional view of a microresonator in the microresonator of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 28 is a schematic sectional view of a microphone mouth resonator in the microresonator according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 29 is a plan view of the contact surface of the micro movable section when the resonator shape is circular.
  • FIG. 30 is a configuration diagram showing a conventional microphone mouth resonance device.
  • FIG. 31 is a configuration diagram showing another microphone opening movable portion driving mechanism in the microphone opening resonance device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIGS. 32A to 32B are configuration diagrams showing another microphone opening movable portion driving mechanism in the microphone opening resonance device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 33 is a plan view of another microphone mouth resonator in the microphone mouth resonator according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 34 is a configuration diagram showing another microphone opening movable portion driving mechanism in the microphone opening resonance device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 35A to FIG. 35F are diagrams of the microphone opening resonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a process chart showing a manufacturing method according to the present invention.
  • FIGS. 36A to 36C are process diagrams showing another method of manufacturing the microphone-mouth resonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 37A to FIG. 37C are step diagrams showing a manufacturing method in the microresonator according to the third embodiment of the present invention.
  • FIGS. 38A to 38F are process diagrams showing a method for manufacturing the microphone-mouth resonator according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 39 is a configuration diagram showing a microfilter device according to the fourth embodiment of the present invention or a microphone-mouth oscillator according to the fifth embodiment.
  • FIG. 40 is a diagram illustrating a relationship between a control voltage and a frequency for explaining a control value in the microfilter device according to the fourth embodiment of the present invention or the micro oscillator according to the fifth embodiment.
  • FIG. 41 is a timing chart for explaining a control operation in the microfilter device according to the fourth embodiment of the present invention or the micro oscillator according to the fifth embodiment.
  • FIG. 42 is a simplified configuration diagram showing a wireless communication device according to the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 43 is a simplified configuration diagram showing a wireless communication device according to the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of a microphone-mouth resonance device according to the present invention.
  • a microresonator 13 formed on the substrate 10 and configured to vibrate in response to a change in a selected parameter and comprising a microresonator 11 and a support portion 12 thereof, and a microresonator 1 formed by an external operation 3 is provided with a micro movable part 16 that can change the resonance frequency of the microresonator, or the amplitude amplification factor at the resonance peak, or the inputtable signal strength by mechanically or mechanically acting on the microresonator.
  • an SOI substrate is used for the substrate 10
  • impurity-doped single-crystal silicon is used for the microphone mouth resonator 11.
  • the material and form of the open-ended resonator are not limited, and a silicon single crystal substrate, a GaAs substrate, a glass substrate, or the like may be used instead of the SOI substrate.
  • a silicon single crystal substrate instead of single-crystal silicon doped with impurities, polycrystalline silicon film or amorphous silicon doped with impurities, SiGe film, SiC film, Ni, tungsten, and tungsten nitride
  • SiGe film, SiC film, Ni, tungsten, and tungsten nitride instead of single-crystal silicon doped with impurities, SiGe film, SiC film, Ni, tungsten, and tungsten nitride.
  • a high-melting-point metal nitride such as tantalum nitride and use a microresonator having a form as in the conventional example shown in FIG.
  • the micro-resonator 11 vibrates selectively according to a change in a frequency signal near the resonance frequency of the micro-resonator 11.
  • the force input method and input signal are not limited to this, and a design may be made so that the resonance frequency of the microresonator 11 may be a desired frequency, even if low-frequency pressure fluctuation, acoustic signal, or mechanical vibration may be applied. By doing so, it is also possible to selectively respond.
  • the micro movable section 16 can be moved mechanically or mechanically into contact with the micro resonator 13 during operation from the outside, or can be moved away from the micro resonator 13.
  • a drive mechanism 17 that allows the micro movable portion 16 to contact the micro resonator 13 with a predetermined force, changes the magnitude of the contact force, and changes the contact position. It has.
  • Reference numeral 18 denotes a contact surface between the microphone opening movable section 16 and the microresonator 13.
  • FIG. 2 shows a longitudinal section of the microresonator 11 of the first embodiment shown in FIG.
  • the microphone mouth resonator 11 has a higher degree of freedom of the resonator compared to the lower part in contact with the microphone mouth resonator support part 12, and the upper part has an effective length related to the resonance frequency of the micro resonator.
  • 21 is slightly longer than the actual length 20 of the microphone mouth resonator that can be measured. The effective length related to the resonance frequency used here will be described.
  • any form of resonator it is necessary to support the resonator at least in order to vibrate the resonator, but it is practically difficult to ideally support or fix the resonator at points or planes .
  • three-dimensional three-dimensional
  • the ratio of the contact area of the support structure becomes relatively large, so that the structural contribution of the support to vibration cannot be ignored. Therefore, the actual resonant frequency of the microresonator deviates from the value determined by the external dimensions of the microresonator.
  • the size related to the resonance frequency of the microphone mouth resonator taking the deviation of the resonance frequency into consideration is defined as the effective size.
  • the difference in resonance frequency is regarded as the difference between the length of the microphone mouth resonator and the external dimensions, and the value obtained from the obtained resonance frequency is used as the effective length of the microresonator. Used as
  • the micro movable portion 16 when the micro movable portion 16 is brought into contact with a relatively high degree of freedom near the support end of the microresonator 11, the degree of freedom near the support end of the microresonator 11 is increased. Then, the vibration region and the amplitude distribution shape of the microresonator 11 change. As a result, the resonance frequency of the microresonator 11 can be changed. In most cases, the effective length 22 of the microresonator after changing the resonance frequency is located between the lower length 20 of the microresonator and the length 23 between the micro movable parts 16 .
  • a microresonator such as the conventional example shown in FIG. 30, as shown in FIG. 4, there is a certain degree of freedom with respect to vibration near the support end, so that the effective length of the microphone mouth resonator 24 is 25 Is longer than the lower dimension 26 of the resonator.
  • the vibration region of the microphone opening resonator 24 and the amplitude are reduced.
  • the distribution shape changes. Thereby, the resonance frequency can be changed.
  • the position where the micro movable portion 30 is brought into contact with the micro resonator 24 is not limited to the upper surface 36 of the micro resonator 24.
  • the microphone mouth resonator 24 and the side surface 35 of the support portion 34 may be used.
  • the vibration of the microphone mouth resonator tends to spread to the support part side, so the microphone mouth is placed somewhere near the support end.
  • Resonance characteristics such as the resonance frequency of the mouth resonator can be controlled by contacting the movable part to suppress vibration energy to the support part side, that is, by controlling the absorption of vibration energy to the support side.
  • the resonance frequency of the microresonator can be adjusted according to the first embodiment.
  • FIG. 6 shows the results of the response of the resonator when the microphone aperture resonator of the form shown in Fig. 4 is subjected to vibrations of various frequencies at the center of the microphone aperture resonator.
  • a polysilicon film is used for the resonator.
  • the dimensions of the resonator were 5.0 im in the lower part, 7.4 111 in the upper part, 1.0 ⁇ m in height, and 1.0 ⁇ m in width.
  • the size of the contact surface of the micro movable part is 1. ⁇ ⁇ ⁇ . ⁇ .
  • the horizontal axis represents the frequency and the vertical axis represents the response (amplitude) of the resonator.
  • the curve ⁇ in the graph is the result when the micro movable part is not in contact with the micro-mouth resonator, and the curves B and C are shown on the top of the micro resonator (only one side) as shown in Fig. 5. This is the result of changing the position of and making contact.
  • B and C correspond to the case where the micro-resonator is contacted at a position shifted from the lower end (cross position) by 0.1 ⁇ m from the center of the resonator and 0.5 ⁇ m from the support side. I do.
  • the micro-resonator is very hard and the deformation of the micro-resonator caused by the contact of the micro movable part is negligible.
  • the body is slightly deformed and can change the resonance frequency of the microresonator by causing local stress generation, strain, and density changes, as well as dimensional changes such as thickness and curvature.
  • the vibration of the contact part of the micro movable part with the microphone mouth resonator is restrained. And the amount of change in the resonance frequency can be reduced.
  • the micro-resonator is made of a material with low hardness such as metal or plastic instead of silicon, and the micro movable part is made of silicon, silicon oxide, or a material with higher hardness than the mouth resonator Depending on the case, the effect of the deformation increases.
  • Silicon or polysilicon with a thickness of 2 ⁇ which is usually used for MEMS resonators, is applied using the microfabrication technology used in today's most advanced LSI processes. It is assumed that dimensions can be machined.
  • the mask used to process silicon or polysilicon with a thickness of 2 ⁇ uses a thick resist that is 2-3 times thicker than the resist used for normal gate polysilicon processing. Since it is necessary to use a hard mask such as that described above, an error is included as a processing margin depending on the dimensions of the resonator. Even if the best case is assumed, the amount of error is ⁇ 0.03 ⁇ when the dimension of the resonator is about a few // m, and when the resonator size is about 10 jum, it is 0.005 zm and the number 100 If it is about // m, it will be about 0.1 ⁇ m.
  • the control voltage will be 0.2V or less. Although the range of variation is narrow, considering the voltage drop due to the resonator size of 100 ⁇ , the control voltage is too low and control becomes difficult.
  • the design dimension of the resonator is 10 / m, the processing frequency is 0.12.If // m is included, the resonance frequency is from 162.483 MHz to 166.6.
  • the control method by the conventional Baiasu potential, practically controllable range, around a few 1 0 mu m resonator dimensions, the resonance frequency becomes several 1 0 MH Z band limited are regions of
  • the control as shown in the first embodiment cannot be realized.
  • the method in which the resonance frequency is controlled by controlling the potential of the resonator or controlling the resonance frequency with an external electric field or an electrically controlled magnetic field has a very narrow applicable frequency band. It helps to be limited to the range.
  • the frequency required to compensate for the uncertainty of at least several% or more due to the variation in processing accuracy as described above is used.
  • the amount of injection must be distributed so that the desired resonance frequency can be obtained according to the accuracy, and the microphone mouth resonator must be prepared on the substrate according to the number. Since the exact resonance frequency is not known at the stage before injection, it is necessary to allocate at least Equation 10 and Equation 100.
  • FIG. 7 shows a preferred form of contact between the microphone opening movable section 16 and the microresonator 13. It is desirable that the contact surface 18 where the microphone opening movable portion 16 and the microphone opening resonator 13 come into contact is near the supporting end of the microphone opening resonator 11 or near the vibrating end.
  • Adhesion between the mouth resonator 13 and the micro movable section 16 can be improved, and the resonance frequency of the microphone resonator 11 can be prevented from fluctuating due to the instability of the contact section. Furthermore, of the lines of intersection between the micro movable part 16 and the micro resonator 13, the intersection 40 on the side where the microphone mouth resonator 11 vibrates most is the dimension related to the main resonance frequency of the micro resonator 11.
  • the cross line is formed on the side where the main vibration of the micro resonator 11 occurs most.
  • Intersecting line 4 3 force Almost parallel to the intersecting line 4 2 formed on the side where the main vibration of the microphone mouth resonator 11 occurs most of the intersecting lines formed by the microresonator 11 and the microresonator support portion 12 It is desirable to be configured to be located at By making the intersection line 43 almost parallel to the intersection line 42 that the micro movable part 16 related to the distribution of the effective length in the plane direction of the microresonator 11 before contact, When the micro movable part 16 is brought into contact with the micro-resonator 11, the vibration mode in the plane direction which is significantly different from that before the contact is suppressed, and the amplitude amplification factor at the resonance peak of the micro-resonator 11 ( It is possible to change the resonance frequency while suppressing the deterioration of the Q value.
  • the microphone mouth resonator 11 shown in FIG. 3 is shown as an example, but in the case of the microphone mouth resonator 24 shown in FIG. 5, as shown in FIG.
  • the intersection 33 formed on the side where the main vibration of the micro-resonator 24 occurs most is the microphone mouth resonator 24 and the micro-mouth resonator 24.
  • the same effect can be obtained by making the cross section of the cross section formed by the support portion of the resonator almost parallel to the cross line 32 that is farthest from the side where the main vibration of the microphone mouth resonator 24 occurs most. You. This is because, in the case of the microresonator 24, the intersection line 32 between the upper surface and the support portion of the microresonator is stronger than the lower side of the microresonator rather than the effective length of the microresonator 24. Because it is affecting.
  • an intersection line 43 formed by the contact between the micro movable portion 16 and the microresonator 13 is an intersection formed by the microresonator 11 and the microresonator support portion 12. From the position 46, which is twice the distance from the position of the line 42 to the end position 45 of the line segment 44 indicating the effective value of the dimension related to the main resonance frequency of the microresonator, from the position of the microphone mouth resonator 1 It is desirable to be located on the side where 1 main vibration occurs. In the microresonator 11 as shown in FIG. 3, at a position farther from the side where the main vibration of the microresonator 11 occurs further, even if the micro movable part 16 is brought into contact with the microresonator 11, the resonance frequency of the microresonator 11 does not increase. The contribution is small.
  • an intersection line 47 formed by the contact between the micro movable portion 16 and the microresonator 11 is positioned at a position of the intersection line 42 formed by the microphone mouth resonator 11 and the microphone mouth resonator support portion 12.
  • the microresonator 11 be located on the side opposite to the side where the main vibration occurs. If the micro-resonator 11 is brought into contact with the side where the main vibration occurs, the overlapping part with the microphone-port resonator support part 12 is eliminated. Vibration energy is transmitted too much from the child 11 to the micro movable section 16, the vibration energy loss increases, and the amplitude amplification factor at the resonance peak decreases significantly.
  • the fixing force of the micro movable portion 16 fluctuates due to the vibration of the microresonator 11, and there is a danger that the contact surface may slightly rise, and the resonance frequency becomes unstable.
  • the results are the same for the micro resonator 24 as shown in FIG.
  • the width of the microphone mouth resonator support portion 12 is wider than the width of the microresonator 11, which is the same as the microphone mouth resonator 11. It is configured to have a natural value of vibration. As a result, the width of the contact surface 18 when the micro movable portion 16 comes into contact also becomes wider on the microphone mouth resonator support portion 12 side, and the contact surface on the microphone mouth resonator support portion 12 side also increases. Inside, vibration can be efficiently absorbed and suppressed.
  • the width is the same, that is, if the microphone vibrates easily in the same vibration mode, the vibration of the microphone mouth resonator is transmitted too much to the support part side, and the microphone mouth resonator as shown in Fig. 5
  • the effective length of the micro-resonator is increased toward the end of the micro-resonator support. Therefore, in the microresonator as shown in FIG. 5, it is desirable that the microresonator support portion has at least a width different from that of the microresonator.
  • the dimensions of the resonator are lower length 5.0 ⁇ , upper length 7.41 111, height 1.0 ⁇ m, width 1
  • the width of the support is the same as that of the microresonator. 1.
  • the support is expanded to 4.0. In this case, the resonance frequency was increased by about 10%.
  • At least the resonance frequency of the micro movable portion that directly contacts the micro-resonator is higher than the resonance frequency of the micro-resonator.
  • the width 52 of the tip 51 of the micro movable portion 50 is reduced, and the local resonance frequency of the tip 51 directly in contact with the microphone mouth resonator is reduced. It was made to be higher than the resonance frequency of the child.
  • the tip 51 also has a large intrinsic constant, making it very difficult to vibrate. As a result, as shown in Fig.
  • the dimensions of the resonator are lower length 2.0 ⁇ m, upper length 4.4 ⁇ , high
  • a micro movable part of length 1.0 ⁇ m, width 4.0 ⁇ m, and height 2.0 / xm is brought into contact with 1.1.0 ⁇ , width 1.0; um
  • the micro movable part also vibrated, and the amplitude of the resonance peak decreased and the sub-resonance peak increased, but as shown in Fig. 9, the tip of the micro movable part was moved over a height of 1. ⁇ / ⁇ .
  • the local resonance frequency (eigenvalue) at the tip By setting the local resonance frequency (eigenvalue) at the tip to be 1.0 / X m in length and 1.0 / X m in width and smaller than that of the microphone mouth resonator, as shown in Fig. 6, In addition, it was possible to prevent the increase of the sub resonance peak.
  • a plurality of micro movable portions having different resonance frequencies (eigenvalues) are provided by changing the size and shape of the tip portion of the micro movable portion, for example, having two types of resonance frequencies with respect to the microresonator.
  • Micro movable parts one end and By arranging it so that it can be in contact with the other end and using the micro movable part with the higher resonance frequency and the micro movable part that is not so large in contact, the resonance peak intensity and the amplitude amplification factor (Q value) of the resonance peak can be reduced. Different control can be used when changing the resonance frequency without significantly lowering it, and when changing the resonance frequency by lowering the resonance peak intensity and the amplitude amplification factor (Q value) of the resonance peak to some extent.
  • a preferred embodiment for changing the resonance frequency of the tip can be easily achieved by reducing the width 52 of the tip and changing only the width 52 of the tip as shown in FIG.
  • the method of changing the resonance frequency of the tip is not limited to this, but by selecting and contacting the micro movable parts having different resonance frequencies in this way, the vibration of the microphone mouth resonator from the contact surface can be absorbed.
  • the degree of interference change it is possible to change not only the resonance frequency but also the magnitude of the amplitude, that is, the signal strength range that can be input to the microresonator.
  • Micro movable parts are prepared for both ends of the microresonator.
  • One is near the end position of the line segment indicating the effective length of the microresonator, and the other is the effective length of the microresonator.
  • the resonance frequency of the microphone mouth resonator can be precisely adjusted over a wide range with less decrease in the vibration peak intensity and the deterioration of the amplitude amplification factor (Q value) of the vibration peak. It becomes.
  • an adhesion prevention layer is formed on the surface of the movable part of the microphone, which is the movable side, at the contact part between the micro movable part and the microresonator.
  • An example is shown in FIG. 10, in which an anti-sticking layer 61 is formed so as to cover the tip of the micro movable portion 60.
  • the anti-sticking layer is made of a material different from at least the upper surface 62 of the microresonator 63, and it is necessary to select a material that is difficult to be pressed against even if pressure is applied at the time of contact.
  • the hardness of the material of the anti-sticking layer is selected to be different from the hardness of the core portion 64 of the micro mouth resonator or the micro movable portion.
  • single crystal silicon is used for the microresonator, and a silicon nitride film is used for the anti-sticking layer of the micro movable part.
  • the surface of the microresonator and the surface of the anti-sticking layer are desirably different in smoothness. In this case, the silicon surface of the microresonator is monotonous and flat, whereas the surface of the anti-sticking layer is nitrided.
  • the surface of the silicon film has a gentle curve, so that even if it is pressed during contact, the entire contact surface does not completely adhere, leaving a space or gap with a very small area to prevent sticking. It has become.
  • the surface of the microresonator is gradual and has large irregularities. It is preferable to form a sticking prevention layer on the microresonator side surface by performing a smoothing process on the silicon surface using, for example, isotropic etching conditions. At this time, it is preferable that the processing range of the smoothing includes at least the range in which the movable portion of the microphone can be pressed, as in 66.
  • the method of smoothing is not limited to this, and the surface may be smoothed, for example, by coating a silicon nitride film.
  • the silicon nitride film side of the anti-sticking layer on the micro movable portion side may be configured to have a monotonous and flat surface than the polysilicon film surface on the micro resonator side.
  • the anti-sticking layer is composed of crystals having a smaller particle size as the surface is closer to the surface, the irregularities dependent on the particle size of the surface layer are small, and a flat or monotonous curved surface is formed. It has become so.
  • the film thickness of the anti-sticking layer is sufficient to ensure that the micro movable portion and the micro resonator are insulated in a DC manner even when in contact with the micro resonator.
  • the potential of the movable part and the potential of the micro-resonator can be controlled independently, and the potential of the micro-resonator can be adjusted so that the output from the micro-resonator is optimized. On the part side, the potential can be fixed at OV, for example.
  • the length 65 of the micro movable portion 60 in the direction indicating the effective dimension of the micro resonator 63 is the thickness of the micro resonator 63, or However, the length of the microresonator in the main vibration direction is longer.
  • the length 65 indicating the effective dimension of the microphone mouth resonator 63 is shorter than the thickness of the microphone mouth resonator 63, the vibration energy transmitted from the side where the main vibration of the micro resonator occurs.
  • the direction of the pressing force of the contact part between the movable part of the microphone and the resonator of the microphone opening is almost perpendicular to the direction of the line indicating the effective value of the dimension related to the main resonance frequency of the microresonator.
  • the micro movable section 16 is pressed almost perpendicularly to the direction of a line segment 22 indicating the effective value of the dimension related to the main resonance frequency of the micro resonator 11, This is because the degree of freedom at the top of the microresonator 11 can be effectively restricted, and the effective length of the microresonator 11 can be effectively changed.
  • This is not limited to the micro-resonator shown in FIG. 3, but the same effects can be obtained for the micro-resonators shown in FIGS. 5, 22, and 28.
  • the direction of the pressing force of the contact portion between the micro movable portion and the microphone mouth resonator is given substantially parallel to the main vibration direction of the micro resonator.
  • the contact surface between the microphone opening movable part 16 and the micro-resonator 13 is almost perpendicular to the vibration direction 37 of the micro-resonator 11. It is desirable that the micro-resonator 11 is connected to the micro-movable part 16 and the micro-resonator 13. This is because it is effective in restricting the degree of freedom and changing the effective length. This is not limited to the microresonator shown in FIG. 3, but the same effects can be obtained for the microresonators shown in FIGS. 5 and 22.
  • the drive mechanism of the micro movable part is to press at least the micro movable part.
  • a bimorph piezoelectric element 129 having a piezoelectric member 120 having flexibility can be used.
  • One end of the piezoelectric element 128 is fixed on the substrate by a bimorph element fixing part 130, and the other end has a micro movable part 128 contacting a microresonator (not shown). It is provided.
  • a bimorph type piezoelectric element includes an internal electrode layer 125 serving as a first electrode and an external electrode layer serving as a second electrode.
  • the bimorph-type piezoelectric element 1 29 bends, and the tip provided with the micro movable section 128 moves as indicated by an arrow 124. As a result, a driving force in the pressing direction can be generated on the micro movable portion 128.
  • a plate-like bimorph type piezoelectric element parallel to the substrate is used as in the present embodiment, fabrication on the substrate is easy, and only wiring to the electrodes of the piezoelectric element is required, so that the occupied area is reduced.
  • the microphone opening drive mechanism can be manufactured on the substrate. In order to be able to press the movable part of the microphone opening on both ends of the microphone opening resonator as shown in Figs. 3 and 5, an additional micro movable part driving mechanism as shown in Fig. Just fine.
  • a thickness-deformable piezoelectric member is provided. As shown in FIG. 31, when the thickness-deformable piezoelectric member 13 1 is used for the bimorph-type piezoelectric element fixing portion 130, a potential difference is applied to the control electrodes 13 2 and 13 3 of the thickness-deformed piezoelectric element. As a result, the bimorph-type piezoelectric element 129 provided with the micro movable portion 128 can be deformed in the thickness direction as indicated by an arrow 136, and can be moved. The micro movable section 128 can be moved in the pressing direction only by this operation.
  • the bimorph piezoelectric element 128 can be moved. By operating in combination with, the pressing position of the micro movable portion 128 can be changed. According to the present embodiment, since the thickness-deformable piezoelectric element can be formed only by laminating the electrode layer and the piezoelectric layer, it can be easily formed on the substrate and the occupied area can be suppressed.
  • a slip deformation type piezoelectric member is provided. As shown in FIG. 32A, if the slip-deformable piezoelectric member 141 is provided in the bimorph-type piezoelectric element fixing part 130, the potential is applied to the electrode layers 144 and 147 on both sides. By giving the difference, the slip-deformable piezoelectric member 14 1 is deformed as shown by the arrow 14 9 as shown in FIG. 32B, and the bimorph-type piezoelectric element 12 9 can be moved. .
  • the pressing position of the micro movable part 128 can be changed only by this operation, the reproducibility is higher by combining it with the thickness deformable piezoelectric element 140 and the bimorph type piezoelectric element 129. It is possible to change the pressing position with high precision.
  • FIG. 11 the drive mechanism of the micro movable part is formed with a first electrode 70 fixed on the substrate and a fixed distance from the electrode, and is connected to the micro movable part 71 and externally. Due to the potential difference between the first electrode 70 and the first electrode 70 caused by the applied voltage 72, the micro movable part 71 can be moved toward or away from the first electrode 70, thereby moving the micro movable part 71.
  • An electrode 73 and an elastic body 74 electrically connected to a side surface of the second electrode 73 and supporting the second electrode 73 and a structure connected to the electrode are provided.
  • the electrode size is controlled by using the electrostatic force generated by the potential difference between the voltage applied to the input electrode and the voltage applied to the resonator.
  • the size is automatically limited by the size of the resonator, which is determined by the frequency of the element.
  • the electrode area must be reduced, so that a large electrostatic attraction cannot be obtained and the frequency control is limited. there were.
  • the elastic constant of the resonator increases, so that the effect of electrostatic force becomes relatively small, and it becomes more difficult to control the resonance frequency.
  • the size of the first electrode 70 and the second electrode 73 can be set freely, regardless of the size (frequency) of the microresonator, to obtain the force to press the micro movable part for controlling the frequency.
  • the size (elastic constant) of the elastic body connected to and supported by the micro movable portion 71 and the second electrode 73 can be freely set, the control range of the resonance frequency can be widened. .
  • the thickness is 1.0 Om, the width is 3.0 Aim, and the length is 77.0.
  • the panel constant can be reduced to about 0.9 NZm by supporting it with a folded structure by connecting ⁇ m springs.
  • the second Assuming that the area of the pole 73 is 100 000 ⁇ 2 and the distance between the first electrode 70 and the second electrode when no voltage is applied is 1.0 O / xm, micro movable When the second electrode is OV, the voltage required to press the part 71 against the microphone resonator is only required to apply about 1.5 V to the first electrode.
  • FIGS. 11 and 12 show two sets of microphone opening movable unit driving mechanisms connected to each other, and both ends of the microphone opening resonator as shown in FIG.
  • the micro movable parts can be equally contacted.
  • the micro movable portion 71 contacts the microresonator 80 (shown only in FIG. 12), and from this distance, the fulcrum position Is changed to a form that supports the original fulcrum 79 and the microphone opening movable part 71 and two places each, a total of four places (panel form 1 of the second stage). Then, from the stage where the microphone opening movable portion 71 comes into contact with and pushes the microphone opening resonator 80, it is possible to increase the elastic modulus of the structure supporting the second electrode 73 and the structure connected to the electrode. it can.
  • the micro movable portion 71 when the micro movable portion 71 is moved until it comes into contact with the microresonator 80, it has a small elastic constant determined by the length 81 and the structure connected to the micro movable portion 81. After the micro movable portion 71 comes into contact with the micro-resonator 80, the length is determined by the length 82 and the structure connected thereto, so that at least the length 81 and the structure connected thereto Since the elastic constant becomes higher than that of the elastic body determined by the above, the moving distance of the second electrode 73 can be suppressed.
  • the distance from the first electrode 70 is equal to the distance 8 between the first electrode 70 and the second electrode 73 at a balanced position where no potential difference is given.
  • the second electrode 73 is close to the first electrode 70
  • the micro movable portion 71 comes into contact with the micro resonator before the next step. Thereby, the micro movable portion 71 can be brought into contact with the microphone mouth resonator before the second electrode 73 approaches the first electrode 70 too much to cause pull-in.
  • the bullet 1 "living body supporting the second electrode 73 and the structure connected to the second electrode 73 include a bent portion.
  • a concave portion 76 is formed in the upper part of the micro movable portion 71, and as shown in FIG. 13,
  • FIG. 14 a preferred embodiment of the micro movable portion driving mechanism in the case where the microphone movable portion is brought into contact with only one side of the microphone opening resonator instead of both sides will be described with reference to FIGS. 14 and 15.
  • FIG. 14 a preferred embodiment of the micro movable portion driving mechanism in the case where the microphone movable portion is brought into contact with only one side of the microphone opening resonator instead of both sides will be described with reference to FIGS. 14 and 15.
  • FIG. 14 different micro movable portions are selectively used at both ends of the micro resonator to make contact with the micro resonator, or the coarse adjustment micro movable portion and the fine adjustment microphone opening movable. The part can be used properly to make contact with the microphone mouth resonator.
  • the micro movable portion driving mechanism is formed with a first electrode 90 fixed on a substrate and a fixed distance from the electrode, connected to the micro movable portion 91, and externally.
  • the second electrode 93 that can move the micro movable part 91 by moving toward or away from the first electrode 90 by the potential difference between the first electrode 90 and the potential caused by the applied voltage 92
  • an elastic member 94 electrically connected to the side surface of the second electrode 93 and supporting the second electrode 93 and the structure connected to the electrode (a first-stage panel form 2).
  • the second electrode 93 and the electrode A second support portion 95 is formed on the elastic body 94 that supports the structure connected to the elastic member 94.
  • the second support portion 95 and the microphone opening movable portion 91 respectively move to the second position on the substrate.
  • the support part touches the contact surface 96 and the micro-resonator 100 (only shown in Fig. 15). From this distance, the fulcrum position is the original fulcrum 97, the second support part 95 and the micro movable part.
  • 9 Changed to the form of support at 3 places (1) (panel form 2 of the second stage). Then, from the stage where the micro movable portion 91 comes into contact with the microphone opening resonator 100 and pushes it into the microphone opening portion, the intrinsic coefficient of the structure supporting the second electrode 93 can be increased.
  • the position of the second support portion 95 can be arbitrarily formed anywhere in the elastic body 94, the length of the micro movable portion 91 after the micro movable portion 91 comes into contact with the microresonator 100 can be reduced.
  • the high elastic constant determined by 102 can be set arbitrarily.
  • the distance from the first electrode 90 is equal to the distance 1 between the first electrode 90 and the second electrode 93 at a balanced position where no potential difference is applied.
  • the micro movable part 91 contacts the micro resonator or the second support part 9 5 is in contact with the second support contact surface 96 on the substrate.
  • the microphone opening movable section 91 can be brought into contact with the microphone opening resonator before the second electrode 93 comes too close to the first electrode 90 to cause pull-in.
  • the distance from the first electrode 90 is equal to the distance 1 between the first electrode 90 and the second electrode 93 at a balanced position where no potential difference is applied.
  • the second electrode 93 is connected to the first electrode 93 until the dynamic distance 104 or the distance until the second support 95 contacts the second support contact surface 96 on the substrate.
  • the micro movable portion 91 comes into contact with the micro resonator, or the second support portion 95 comes into contact with the second support portion contact surface 96 on the substrate.
  • the microphone opening movable section 91 can be brought into contact with the microphone opening resonator before the second electrode 93 approaches the first electrode 90 too much to cause pull-in.
  • the second support portion 95 and the microphone opening movable portion 91 are provided with concave portions 99, 98 at the upper portions, respectively.
  • the microphone opening movable portion 91 is pressed, a small amount of bending occurs at a portion connected to the microphone opening movable portion, so that the lower surfaces of the micro movable portion 91 and the second support portion 95 become horizontal.
  • Prevents further tilting suppresses the direction of the pressing force from deviating from the vertical direction, and prevents the second electrode 93 from tilting from the horizontal direction, thereby suppressing the moving direction from deviating from the vertical direction. be able to.
  • FIG. 16 shows the relationship between the control voltage applied to the first electrode and the movement distance (z) of the micro movable part (Fig. 16) and Fig. 16 when the micro movable part as shown in Fig. 14 is used.
  • the relationship between the control voltage applied to the first electrode and the fixing force of the micro movable part (Fig. 17) is shown.
  • the microphone opening movable part is designed to contact the microphone opening resonator at a control voltage of 20 V.
  • the movement of the micro movable part is caused by the potential difference between the first electrode and the second electrode.
  • OV is applied as a fixed potential to the second electrode, and the control voltage applied to the first electrode Only the micro movable part is operated.
  • the dashed line in Fig. 16 shows the result without the second support (only the first-stage panel form 2).
  • the contact distance with the micro-resonator rapidly increased, and the pull-in You can see that the danger is increasing.
  • the embodiment of the present invention indicated by the solid line the distance hardly increases after contact with the microresonator, and it can be seen that pull-in is completely suppressed.
  • the first-stage form 2 panel after contact with the microresonator, the first-stage form 2 panel hardly changes, and after the contact, the second-stage form panel, which has almost a large elastic constant, in the indentation stage. Shows that the fixing force is determined.
  • the panel form 2 of the first stage with a low elastic constant is used so that movement can be performed with a weak force.
  • the pushing stage after contact the movement is suppressed and a high fixing force is applied.
  • the second stage Panel Form 2 with a higher elastic constant.
  • the micro movable portion is in a position where the first electrode 110 and the second electrode 111 are in a balanced position where no potential difference is given.
  • a third electrode 112 capable of giving a driving force to the second electrode 111 and the movable microphone opening connected to the electrode is provided.
  • the micro movable part connected to the second electrode can be separated from the micro resonator by rocking it while applying a force in the vertical direction, so that the function as the microphone opening resonator can be restored without dismantling the micro resonator.
  • the voltage 113 applied from the outside to the third electrode is a force that is effective even if the voltage is gradually increased.
  • a periodic voltage such as a pulse signal or an RF signal is applied. It is desirable that the fluctuation be given by an input including lifting and lowering, or an input including periodic on-off control. Further, when a periodic voltage change is alternately applied in conjunction with the first electrode, a further effect can be obtained.
  • the first electrode 1 15 and the second electrode 1 A second electrode is formed at a fixed distance from the second electrode connected to the micro movable section in a direction orthogonal to the direction in which the opposite faces, and is generated by an externally applied voltage. Due to the potential difference between the first electrode 115 and the second electrode 116, the micro movable portion connected to the second electrode is shaken in a direction orthogonal to the direction in which the first electrode 115 and the second electrode 116 face each other. It has a fourth electrode 117 capable of providing a driving force for powering.
  • the second electrode is opposed to the fourth electrode 117 at a certain distance, but is connected to the movable portion of the microphone, and is electrically connected to the second electrode.
  • the degree of freedom in electrode placement is high, and the fourth electrode can be formed in the same layer as the second electrode or in a different layer. Also, cost can be reduced by simplifying the process.
  • the fourth electrode 117 can be installed in a direction facing the second electrode 116 or both sides of the structure connected to the micro movable portion. Even if the first electrode 115 is not used, the same operation as the above and the method using the third electrode 112 and the first electrode 110 can be performed to remove the adherence.
  • a micro movable portion 216 that can change the resonance frequency of the microresonator, the amplitude amplification factor at the resonance peak, or the inputtable signal strength by acting on the microresonator 213 is provided.
  • a silicon substrate is used for the substrate 210, and polysilicon doped with impurities is used for the microresonator 211.
  • the micro-resonator 2 11 vibrates selectively in response to a change in a frequency signal near the resonance frequency of the micro-resonator 2 11.
  • the input electrode 2 15 be disposed on the same side as the micro movable section 2 16 with respect to the micro resonator 2 11. Due to the potential difference between the microresonator 2 1 1 and the input electrode 2 15, the center of vibration of the microphone mouth resonator 2 11
  • the microphone opening movable section 2 1 16 is arranged so that the microphone opening movable section 2 16 contacts or separates from the micro-resonator 2 13 when operated from the outside. 6 can be powered, and the micro movable portion 2 16 can be brought into contact with the microphone mouth resonator 2 13 with a predetermined force, or the micro movable portion 2 A drive mechanism 2 17 is provided.
  • Reference numeral 218 denotes a contact surface between the microphone opening movable portion 216 and the microresonator 213.
  • FIG. 21 is a plan view of the microresonator 211 of the second embodiment shown in FIG. 20 in a direction showing a dimension related to a main resonance frequency, that is, an effective value of the length of the resonator.
  • the supporting end of the microresonator 2 1 1 has a high degree of freedom, so the effective length 2 2 5 of the micro resonator 2 1 1 is smaller than the lower dimension 2 2 6 of the resonator. , Which is close to the dimension 2 27 on the upper side of the resonator. Such a place In this case, as shown in FIG.
  • the micro movable part 2 16 is brought into contact with a place having a high degree of freedom near the support end of the micro resonator 221 so that the effective effect of the microphone mouth resonator 2 1 1 is obtained.
  • the length changes, and the resonance frequency can change.
  • the resonance frequency of the microresonator can be easily changed.
  • the effective length 2 25 of the microresonator 2 1 1 is located between the lower length 2 2 6 of the microresonator and the length 2 2 9 between the micro movable part 2 16 .
  • the microresonator 241 When the support portion 242 of the microresonator 241 is long as in the microresonator 243 shown in FIG. 33, or when the microresonator is bent, the microresonator is Since the vibrating region of the micro-movable part 246 spreads like 249, it is effective that the micro movable portion 246 is brought into contact with, for example, the side surface 250 near the vibrating end.
  • the driving mechanism includes a first electrode 270 fixed on a substrate, a fixed distance from the first electrode 270, a micro movable portion (not shown), and a connecting portion 280. 6, and the micro movable part can be moved by moving toward or away from the first electrode 270 by a potential difference from the first electrode 270 generated by a voltage applied from the outside.
  • a second electrode 273 that can be electrically connected to a side surface of the second electrode 273 and an elastic body 274 that supports the second electrode 273 and a structure connected to the electrode; And As shown in FIG.
  • the first electrode 270 and the second electrode 273 have a comb shape, and each comb portion is formed at a fixed distance 287. I have. Then, the comb portion of the second electrode 273 moves toward or away from the comb portion of the first electrode 270. This makes it possible to easily bring the micro movable portion into contact with the micro resonator vibrating in a direction parallel to the substrate, and to move the micro movable portion in a direction in which the micro movable portion is pressed or released.
  • the case where the electrode of the comb portion moves in the direction perpendicular to the length direction of the comb is shown, but a tuning fork type comb electrode in which the electrode moves in the direction parallel to the length direction of the comb is used.
  • the first electrode 270, the second electrode 273, the structure connected to the electrode, and the elastic body 274 supporting the electrode are all micro-resonators.
  • the process is further simplified compared to the drive mechanism of the micro movable section shown in Figs. 11 and 14 formed on the microphone mouth resonator vibrating in the direction perpendicular to the substrate. And cost reduction.
  • the comb size and the number of the first electrode 270 and the second electrode 273 are determined by the size (frequency) of the microresonator.
  • the size (elastic constant) of the elastic body 274 supported by being connected to the micro movable part and the second electrode 273 can be freely set. Can be widened.
  • the drive mechanism shown in Fig. 23 is made of polysilicon, the thickness of the comb is 1. 1 ⁇ , the length is 50. ⁇ , the number of combs is 100, and no voltage is applied.
  • the distance 287 between the first electrode 270 and the second electrode 273 is 2.0 m, the thickness of the elastic body 274 is 1.0 O / xm, and the length is 100 Assuming that 0 ⁇ and width 3.0 ⁇ , the micro movable part can be pressed with a voltage of about 2 OV.
  • the elastic constant of the elastic body For example, if the length of the elastic body is doubled, the voltage for pressing the micro movable part can be reduced to 7 V.
  • the drive mechanism of the microphone opening movable part is formed at a fixed distance from the second electrode 273 and on the opposite side to the first electrode 270.
  • the second electrode 273 and a micro movable portion (not shown) connected to the second electrode 273 and the connecting portion 286 by a potential difference between the second electrode 273 and the second electrode 273 generated by an externally applied voltage.
  • a third electrode 290 capable of applying a driving force to the third electrode.
  • the third electrode 290 has a comb shape, and the comb portion is formed at a constant distance 2888 from the comb portion of the second electrode 273. I have.
  • the comb portion of the second electrode 273 moves so as to approach or separate from the comb portion of the third electrode 290.
  • the second input is performed by an external input.
  • the electrode 273 can be shaken in the horizontal direction to separate the micro movable part, thereby applying power to the micro movable part connected to the second electrode 273 in the horizontal direction.
  • Micro moving part Since the microphone can be separated from the microphone mouth resonator, the function as the microresonator can be restored without dismantling the microphone mouth resonator.
  • the voltage externally applied to the third electrode 290 is effective even if the voltage is gradually increased.
  • the voltage be periodically raised and lowered such as a pulse signal or an RF signal. It is desirable that the fluctuation be given by an input that includes or an input that includes periodic on / off control. Further, when the periodic voltage change is alternately applied in conjunction with the first electrode 270, more effect can be obtained.
  • the first electrode 270, the second electrode 273, the structure connected to the electrode, and the elastic body 274 supporting the third electrode 279 together with the structure. Since 0 can also be formed in the same layer as the microresonator, the process can be simplified and costs can be reduced.
  • the size of the third electrode 290 and the second electrode 273 can be freely set regardless of the size (frequency) of the microphone mouth resonator, and the micro movable portion
  • the size (elastic constant) of the elastic member 274 supported by being connected to the second electrode 273 can be freely set, so that it can be applied to microphone mouth resonators having various resonance frequencies.
  • the case where the electrode of the comb portion moves in the direction perpendicular to the length direction of the comb is shown, but a tuning fork type comb electrode in which the electrode moves in the direction parallel to the length direction of the comb is used. It is apparent that a driving force can be similarly applied to the micro movable portion. Further, by connecting the drive mechanism shown in FIG.
  • the thickness of the comb is 1.0 O / i in, the length is 40.0 ⁇ m, the number of combs is 30, and the first electrode 270 and the second electrode 2 with no voltage applied If the distance 2 87 of 7 3 is 1.0 / m, the thickness of the elastic body 2 74 is 1.0 ⁇ , the length is 100.0 ⁇ m, and the width is 3.0 Aim, about 2 With a voltage of V, the pressing position of the micro movable part can be changed by about 1 nm.
  • the microphone opening movable portion drive mechanism drives the microphone opening in a direction orthogonal to the direction in which the first electrode 260 and the second electrode 263 face each other. It has a fourth electrode 26 2 that can be powered.
  • the second electrode 26 3 and the elastic body 26 4 supporting the structure connected thereto move in the direction in which the first electrode 260 and the second electrode 26 Place them so that It is.
  • the micro movable portion when the micro movable portion does not return to the original position after the micro movable portion is fixed, a force is applied laterally to the micro movable portion connected to the second electrode 263 by an external input. By shaking while adding, the fixed micro movable part can be easily separated from the micro resonator.
  • an electrode in which comb electrodes having different moving directions are combined is used for the micro movable portion driving mechanism, but the arrangement and combination of the comb electrodes are not limited thereto. However, by arranging as shown in FIG. 34, the comb-shaped electrodes can be formed in a small space with good balance.
  • a connecting portion 286 or 266 at the tip of the microphone opening movable portion driving mechanism shown in FIGS. 23 and 34 is connected to a connecting portion 275 as shown in FIG.
  • the two sets of micro movable parts 2 71 are connected, and as shown in the micro resonator shown in FIG. 2, the both ends of the microphone mouth resonator 280 can be simultaneously and equally contacted with the both ends of the microphone mouth resonator.
  • Such a structure is formed integrally with the micro movable portion drive mechanism shown in FIG. 23, and a structure supported by the elastic body 274 or 264 makes it possible to move the second electrode in the horizontal direction. However, the lateral displacement can be suppressed.
  • the second electrode 27 3 and the active body 27 4 (the first-stage panel form 3) supporting the structure connected to the electrode include a first electrode 27 0 and a second electrode 27 3 Approaching a predetermined distance, the micro movable portion 271 comes into contact with the microresonator 280, and from this distance, the fulcrum position is changed from the original elastic body 274 to the two micro movable portions 271. It is changed to the form supported by (Panel form 3 in the second stage).
  • the elastic modulus of the structure supporting the second electrode 273 and the structure connected to the electrode is increased from the stage where the microphone opening movable portion 271 contacts and presses the microresonator 280. Can be.
  • the small elastic constant of the panel form 3 in the first stage enables a large distance to be moved at low voltage, and the micro movable Part 2 7 1 is in contact with microresonator 2 After touching, the elastic constant of the second-stage panel form 3 becomes high, so that the moving distance of the second electrode 273 is suppressed, and the force of the elastic body supporting the second electrode 273 is reduced.
  • the second electrode 273 cannot withstand the electrostatic force acting between the second electrode 273 and the first electrode 270, and the second electrode 273 penetrates the first electrode 270 ( Punolein) can be prevented, and the pushing force of the micro movable part 27 1 can be increased.
  • a preferred embodiment of the micro movable portion driving mechanism in the case where the micro movable portion is brought into contact with only one side of the micro resonator will be described with reference to FIG. As shown in Fig. 24, using a connected body 2 95 where two sets of micro movable parts are connected, one micro movable part 29 1 is brought into contact with the micro resonator 29 3 and the other microphone opening movable.
  • the part 292 is brought into contact with a dummy 294 formed separately from the microresonator.
  • a dummy 294 formed separately from the microresonator.
  • different micro movable parts are used at both ends of the microresonator to make contact with the microresonator.
  • the micro movable portion for coarse adjustment and the movable portion of the microphone opening for fine adjustment can be selectively used to make contact with the microphone opening resonator.
  • the predetermined distance is a distance from the first electrode 270, and a balanced position where no potential difference is applied to the first electrode 270 and the second electrode 273.
  • the micro movable portion contacts the microresonator before the second electrode 273 approaches the first electrode 270 up to two thirds of the distance 287 between the electrodes in the above. Thereby, the micro movable portion can be brought into contact with the microphone mouth resonator before the second electrode 273 approaches the first electrode 270 too much to cause pull-in.
  • the present invention can be easily applied to the microphone mouth resonator shown in FIG. 27 that vibrates in a vertical or Balta vibration mode in a direction parallel to the substrate. This will be described with reference to 26.
  • a microresonator 313 composed of a microresonator 311 formed on a substrate 310 and oscillating in response to selected parameter variations and its support 312 By acting on the microresonator 3 1 3 It has a micro movable section 316 that can change the resonance frequency of the resonator 311 or the amplitude amplification factor at the resonance peak or the inputtable signal strength.
  • a silicon substrate is used for the substrate 310, and a tungsten nitride film is used for the microresonator 311. Then, among the high-frequency electric signals supplied from the input electrode 3 15, the micro-resonator 3 11 vibrates selectively according to the fluctuation in the frequency signal near the resonance frequency of the microphone-port resonator 3 11.
  • the micro movable portion 3 16 can be powered by an external operation so as to contact or separate from the microphone mouth resonator 3 13, and the micro movable portion 3 16
  • a micro movable unit driving mechanism 317 is provided that can contact the microresonator 3 13, or change the magnitude of a predetermined force that is in contact with the micro resonator 3, and the position of the contact.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view of the microresonator 311 of the third embodiment shown in FIG. 26 in a direction showing a dimension related to a main resonance frequency, that is, an effective value of a length of the resonator.
  • a dimension related to a main resonance frequency that is, an effective value of a length of the resonator.
  • the vibration region of the microresonator 311 is wider than the lower dimension of the resonator, and the The effective length 325 is close to the dimension 327 on the upper side of the resonator. Even in such a case, as shown in FIG.
  • the micro movable section 316 is brought into contact with a place having a high degree of freedom near the support end of the microresonator 311 so that the micro resonance
  • the effective length 3 28 of the element 3 1 1 changes to be located between the length 3 2 9 of the upper surface of the resonator and the length 3 2 6 of the lower part of the microphone mouth resonator, thereby changing the resonance frequency. You can change it.
  • the resonance frequency can be easily changed as in the first and second embodiments.
  • a micro movable portion driving mechanism as shown in FIG. 11 can be used.
  • the micro movable portion is configured to be concentrically annularly in contact with the micro resonator.
  • 3 38 indicates a contact surface.
  • the dimension related to the main resonance frequency that is, the effective length of the resonator in the radial direction
  • the line segment direction 3300 is the radial direction, so as shown in the figure, by making annular contact near the support end, the effective length can be effectively changed in all radial directions, Wave number can be changed.
  • the micro movable section drive mechanism as shown in FIG. 14 is connected to each of the four divided micro movable sections as shown in the figure, the pressing position of the microphone opening movable section can be changed in the radial direction.
  • the direction of the pressing force of the contact part between the micro movable part and the micro resonator is in the direction of the main vibration of the micro resonator (radial direction) with respect to the substrate plane.
  • the direction is almost perpendicular to the direction.
  • the main vibration direction and the line direction 330 indicating the dimension related to the main resonance frequency are aligned, so it is effective to press it perpendicularly to the substrate plane. Can change the resonance frequency.
  • a microphone opening resonator 402 is formed by a normal dry etching technique using a photoresist on a silicon layer on the surface of an SOI substrate 400, and then, A first conductive layer 403 including a first electrode made of polysilicon doped with an impurity having a thickness of 200 nm is formed. At this time, the silicon oxide layer of the SOI substrate below the microresonator 402 can be used as the first sacrificial layer 401.
  • the microresonator 402 is formed on the first sacrificial layer 401, and a resist is formed thereon by a lithography method.
  • the first conductive layer 403 including the first electrode is formed by a lift-off method.
  • a silicon oxide film 404 as a second sacrificial layer was formed on the microresonator 402 and the first conductive layer 403 as 2.0 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ .
  • the silicon oxide film is deposited, and a part of the silicon oxide film is processed using a dry etching method to expose a part of the microresonator.
  • the gap between the micro movable part and the micro resonator After depositing a silicon oxide film 100 nm as the third sacrificial layer 406 and removing unnecessary parts, as shown in Fig. 35D, silicon nitride as the anti-sticking layer 409 Deposit 100 nm of film and remove unnecessary parts.
  • the second conductive layer 4 10 including the micro movable section 4 12, the second electrode and the structure 4 13 connected to the electrode has a thickness of 2.0 ⁇ m. It is formed of a polysilicon film doped with an impurity of ⁇ .
  • FIG. 35F a structure in which the second and third sacrificial layers are removed to connect the microresonator 402, the micro movable portion 412, the second electrode, and the electrode Exposing 4 13 to form a microresonator.
  • a micro-resonator formed by digging a substrate as shown in FIGS. 1 and 2 is formed on a micro-resonator, and then laminated on the micro-resonator to drive the micro movable portion and the microphone opening movable portion. Since it is possible to easily form the microphone opening, there is an effect that the microphone opening movable portion can be formed as a completely separate process later without changing the process of forming the microresonator.
  • the gap between the first electrode and the second electrode, the gap between the micro movable portion and the micro resonator, and the gap having different widths must be formed with high accuracy. Therefore, as shown in FIG. 35, when the second sacrificial layer 404 is applied, processing is performed until the microresonator is exposed. It is processed until the layer bonded to is exposed. Then, a third sacrificial layer 406 is deposited on the exposed conductive layer.
  • the gap 416 between the first electrode and the second electrode is determined by the total thickness of the second sacrificial layer 404 and the third sacrificial layer 406, and Regarding the gap 415 of the micro-resonator, the gap width can be controlled only by the deposited film thickness of the third sacrificial layer 406, so that two types of highly accurate gaps with little variation can be formed.
  • the third sacrificial layer deposited on the upper layer 8 must be removed, in a preferred embodiment, in the step of forming the third sacrificial layer 406, the first conductive layer 40 A step of removing the third sacrificial layer 406 formed on 8 to expose the first conductive layer 408, and a position where the second conductive layer 410 becomes a bent portion Hollow 4 0 In order to form 7, the step of processing the third sacrificial layer 406 is performed simultaneously. As a result, the patterning for forming a bent portion in the second conductive layer 410 and the patterning for exposing the first conductive layer can be performed using the same mask, thereby simplifying the process. it can.
  • the first layer sacrificial film removing step performed to form a space below the microphone mouth resonator 402 and the second layer 3 Since the step of removing the sacrificial film of the layer can be performed at the same time, an increase in the number of steps can be suppressed.
  • the configuration of the micro movable unit is not limited to this. As shown in FIG. 14, even when the microphone opening movable portion is configured to be able to contact only one side of the microphone opening resonator, since the layer configuration is the same, it can be easily manufactured according to the present embodiment.
  • an impurity-doped polysilicon layer as a first conductive layer 424 including a first electrode was formed on a silicon substrate 420 as a conductive layer.
  • an oxidized silicon film 200 nm is formed thereon as the first sacrificial layer 422. Then, after processing the first sacrificial layer 422 to expose the first conductive layer 424, a polysilicon film 2 doped with impurities is formed on the first sacrificial layer. Deposit 0 ⁇ m and perform patterning by anisotropic dry etching to form a microphone mouth resonator 423 as shown in FIG. 36B. Next, as shown in FIG. 36C, a second sacrificial layer is formed on the microresonator 42 3.
  • a silicon oxide film 2. . ⁇ is deposited as 4 27, and the second sacrificial layer 4 27 is processed by anisotropic dry etching to expose a part of the microresonator 4 23. Let it. Although the following is not shown, the microphone mouth resonator can be manufactured by the steps shown in FIGS. 35C to 35F.
  • the microresonator 423 it is necessary to form the microresonator 423 on the substrate.
  • the first conductive layer 4 2 4 including the first electrode is formed in the same layer (in the same process),
  • a first sacrificial layer 422 for forming a space below the microphone opening resonator is formed on the first conductive layer 424. This simplifies the manufacturing process of the micro-resonator and the micro-movable part, and allows the first electrode to be fixed on the substrate even if the first sacrificial layer 422 is removed.
  • the first electrode and the second electrode can be formed in parallel at equal distances. Further, since the step when the second conductive layer is formed can be reduced, the subsequent steps can be performed in the same manner as the step shown in FIG. After the second sacrificial layer is formed, a CMP process (Chemical Mechanical Polishing System) can be used to make it even flatter. This increases the number of process steps and increases the cost.
  • CMP process Chemical Mechanical Polishing System
  • the configuration of the micro movable section is not limited to this. As shown in FIG. 14, even if the micro movable portion is configured to be able to contact only one side of the microphone opening resonator, since the layer configuration is the same, it can be easily manufactured according to the present embodiment.
  • the micro-resonator is not limited to this.
  • the microresonators shown in FIGS. 26 to 28 can be formed similarly.
  • a first conductive layer 436 including a first electrode is formed on a substrate 430 by a polysilicon film 200 m doped with an impurity.
  • a silicon oxide film of 200 nm is deposited as a first sacrificial layer 432.
  • the first sacrificial layer 432 is processed to expose the first conductive layer 436, and an impurity-doped polysilicon layer 2.O / Xm is deposited and puttering is performed by a dry etching method to form a microresonator 433 as shown in FIG. 37B.
  • an oxidized silicon film 2. . ⁇ is deposited on the microresonator 433 as a second eyebrow sacrificial layer 438 by anisotropic etching.
  • the second sacrificial layer 438 is processed to expose a part of the microphone opening resonator 433.
  • the microphone mouth resonator can be manufactured by the steps shown in FIGS. 35C to 35F.
  • the first sacrificial layer 432 can be processed to form the input electrode 4334 together with the microphone opening resonator 433. Further, in the present embodiment, when forming the electrode 431 electrically coupled to the microresonator 433, the first electrode and the electrode electrically coupled to the input electrode 4334 are formed.
  • the first conductive layer 436 is formed in the same layer (in the same process), and the first conductive layer 436 is formed on the first conductive layer 436 to form a space below the microresonator.
  • the sacrificial layer 4 32 of the eyebrows is formed.
  • the first electrode is fixed on the substrate, and the second electrode includes the second electrode because the first electrode can secure the flatness of the first electrode.
  • the second conductive layer is formed, the first electrode and the second electrode can be formed in parallel at equal distances.
  • the subsequent steps can be performed in the same manner as the step shown in FIG. 35.
  • the second sacrificial layer is formed, it can be made even flatter by using a CMP machine (chemical mechanical polishing machine), but there is a problem that the number of steps increases and the cost increases.
  • a preferred embodiment of a microphone mouth resonator vibrating on a substrate in a direction parallel to the substrate will be described with reference to FIG. 38 as an example.
  • a polysilicon film in which impurities are doped in the conductive layer can be used.
  • the conductive material of the present invention is not limited to this.
  • amorphous silicon, SiGe film, A metal material such as a SiC film, Ni, or tungsten can be applied to the conductive layer.
  • a case where a material in which nitrogen is contained in a high melting point metal such as tungsten is applied will be described as an example. As shown in FIG.
  • tungsten containing nitrogen was deposited to a thickness of 200 nm on a substrate 440 by a reactive sputtering method, and the electrodes 441 and 411 electrically connected to the micro-port resonator.
  • a first conductive layer including an electrode 442 connected to the first electrode of the fixed electrode, an electrode 443 connected to the second electrode, and a structure connected to the second electrode is formed.
  • the deposition conditions were a sputtering pressure of 2 Pa, RF power of 30 OW, Ar flow rate of 33.6 sccm, N2 flow rate of 8.4 sccm, and a substrate temperature of room temperature.
  • a silicon oxide film 2.0 Ozm is deposited on the first conductive layer to form a first sacrificial layer 447, and the first sacrificial layer is formed.
  • the film 447 is processed to expose the first conductive layer.
  • a tungsten layer containing nitrogen was first applied as a second conductive layer to a sputtering pressure of 2%. Pa, RF power 30 OW, Ar flow rate 33.6 sccm, N2 flow rate 8.4 sccm, 0.5 ⁇ m deposition at substrate temperature room temperature.
  • the nitrogen-containing tungsten film formed by the plurality of layers is patterned by anisotropic dry etching to form a second conductive layer including the micro-resonator 448 and the micro movable portion 449.
  • anisotropic dry etching to form a second conductive layer including the micro-resonator 448 and the micro movable portion 449.
  • a resist layer 455 having a thickness of about 5 // m is applied on the conductive layer at the second eyebrow, and then the resist layer is formed by photolithography. An opening is formed, and an anti-sticking layer 457 is deposited by a sputtering method. Next, as shown in FIG. 38E, the anti-sticking layer 456 deposited on unnecessary portions together with the resist layer 455 is removed by a lift-off method. As a result, the anti-sticking layer 457 is formed only at the tip of the micro-resonator 448 and the movable part of the microphone opening 449, and the anti-sticking layer adheres to other areas, and the micro-movable part is stressed. It is possible to prevent distortion or an error in the elastic constant of the elastic body or the gap between the electrodes.
  • the anti-sticking layer 457 remaining on the side wall of the second conductive layer after lift-off is etched back by anisotropic dry etching, whereby the side wall of the second conductive layer is formed.
  • the surface of the anti-sticking layer can be made flat and smooth, and the degree of adhesion of the contact surface with the microresonator can be increased.
  • the first-layer sacrificial film 461 is removed to expose the microresonator 448 and the micro movable portion 449 as shown in FIG. 38F. Dry etching using hydrogen fluoride gas can be applied to remove the sacrificial layer.
  • the micro movable portion can be formed with only two conductive layers simultaneously with the micro resonator, and the micro movable portion can be formed without increasing the number of conductive layers.
  • the details of the structure of the electrodes and the micro movable portion are omitted in FIG. 38, in the present embodiment, the shapes of the first, second, and third electrodes of the micro movable portion driving mechanism are combed.
  • a planar structure can be realized by a parallel plate type or a tuning fork type.
  • the form of the elastic body supporting the second electrode is not limited to the form of the return panel, but may be another form such as a panel panel.
  • U.S. Pat.No. 6,210,988 uses a SiGe film formed by the LPC VD method to control residual stress at about 550 ° C, which is lower than that of a polysilicon film. It is disclosed that a microstructure can be formed as described above. However, in the case of the tungsten containing nitrogen used here, since the sputtering method is used, the temperature can be as low as about room temperature? It is possible to use not only LSIs fabricated by the CMOS process on Si substrates but also processes with low heat resistance, such as glass substrates and resin substrates, such as Cu wiring and low dielectric constant organic insulating films. Adaptation is also possible on substrates that have passed.
  • the composition and quality of the deposited film can be easily changed at a low temperature of about room temperature by N2 partial pressure / sputtering pressure. For example, by changing the sputtering pressure from 1.5 Pa to about 3 Pa, the residual stress in the film could be changed from tensile stress to compressive stress.
  • the input electrode including the microresonator 550 of the present invention shown in the first, second, and third embodiments and capacitively coupled to the microresonator is provided.
  • an output electrode 552 for extracting a frequency signal selected by the microresonator and an input electrode 5553 for a first drive mechanism for powering the first microphone opening movable portion, It has an input electrode 554 to a second drive mechanism for powering the second microphone opening movable part.
  • two micro movable parts are provided, but the number is not limited to this, and one micro movable part may be used.
  • the resonance frequency (the center frequency of the microfilter device) of the microphone mouth resonator 550 can be adjusted over a wide range by applying a control voltage to the input electrode of the microphone mouth movable portion driving mechanism after manufacturing.
  • the uncertainty of the resonant frequency of the microresonator (the center frequency of the microfilter device) due to processing variations during manufacturing and variations in the sealing pressure, which was not possible with the conventional method, is the desired (design) It is possible to use it after adjusting to the value. Since the adjustment range after manufacturing is greatly improved compared to the conventional method, the yield can be obtained even when using a manufacturing apparatus and a manufacturing process with a processing accuracy in a range where the yield cannot be obtained by the conventional method.
  • the deviation of the center frequency of the micro filter device can be detected on the spot by controlling the micro movable part after encapsulation, changes in the external environment (temperature) during use and deterioration over time of the micro resonator device (sealing).
  • the filter output can be corrected and optimized, even for the deterioration of the stop pressure and the deterioration of the mechanical properties of the microphone mouth resonator material, etc., and the range of environmental conditions that can be used as a filter can be expanded to extend the product life. Can be extended.
  • a microphone opening movable portion control circuit 555 for controlling the operation of the microphone opening movable portion is provided.
  • the microphone opening movable section control circuit 555 is configured such that the output is connected to the input electrodes 553 and 554 to the micro movable section driving mechanism, and the output from the microresonator 550 is input. Connected to output electrode 552 of micro-resonator. This makes it possible to select with the micro filter device.
  • the microphone opening movable part control circuit 555 adjusts By providing a control knob or switch, it is possible to control the output voltage to the micro movable portion driving mechanism and adjust the frequency deviation so that a desired frequency signal is output from the microresonator 550.
  • the micro movable section drive mechanism is driven by the potential difference between the first electrode and the second electrode. Two or only one of the electrodes is selected.
  • the second electrode is set to a fixed potential, and the voltage of the first electrode is adjusted.
  • the micro movable portion is fixed, it is adjusted by the input voltage to the third electrode.
  • the function of the microresonator can be restored by an external input without disassembling the microfilter device.
  • the driving mechanism of the micro movable unit and the microphone opening movable unit can be formed on the substrate together with the microresonator, so that it is possible to arrange the microphone opening resonance devices having various frequency characteristics side by side.
  • Providing a plurality of microphone opening resonators with various frequency characteristics and a plurality of micro movable parts can expand the controllable range of the frequency characteristics of the entire microfilter device, and can use the microfilter device properly according to the purpose of use and environment of use. Also, by combining a plurality of microresonators, it is possible to obtain a mixed output.
  • the microfilter device includes a storage element 557, which is adjusted at the time of shipment or at the time of previous adjustment so as to correct a deviation from a desired (designed) frequency to be selected.
  • a control value (output voltage or set value for voltage output) of the microphone port movable section control circuit is stored in the storage element 557, and the control value stored in the storage element when the microphone port filter device is started up.
  • the micro movable unit is controlled based on the control value of the micro movable unit control circuit, and is adjusted to the desired center frequency to be selected.
  • the frequency output must be adjusted by controlling the micro movable part, but the relationship between the control voltage and output frequency of the microphone movable part, and the control voltage and the amplitude amplification factor at the resonance peak (or Q Is not a simple linear relationship as shown below, and it is difficult to make adjustments with the expected adjustment range.
  • the relationship between the control voltage of the micro movable unit and the force with which the micro movable unit presses the microresonator, that is, the fixed force usually does not have a linear relationship.
  • the force that improves the nonlinearity of the fixing force in the practical region of the pressing stage cannot obtain a completely linear relationship. Furthermore, the relationship between the magnitude of the fixing force and the resonance frequency of the microphone mouth resonator, or the relationship between the magnitude of the fixing force and the amplitude amplification factor (or Q value) at the resonance peak is not a linear relationship. Because it depends on the structure of the mouth resonator, the structure of the micro movable part, and the contact position of the movable part of the microphone, a unique control pattern corresponding to each unique correlation is required for each. It is. Therefore, as shown in Fig.
  • the control value of the microphone opening movable part control circuit when connected to the memory element 557, the control value of the microphone opening movable part control circuit at the time of shipment or adjustment performed in the normal use environment of the user, or at the time of previous use
  • the adjusted control value of the micro movable part control circuit is recorded in the storage element, and based on the value, the selected movable part of the microphone opening is adjusted at the time of starting, so that it is possible to adjust from the initial value rather than from the initial value. The time can be greatly reduced.
  • the control voltage when adjusting the deviation existing in the frequency to be selectively output to a desired frequency, is pre-stored in the storage element and connected to the storage element. It is adjusted step by step using the optimal control step. This makes it possible to easily adjust the frequency deviation for various microresonators or microfilters. Details of a further preferred embodiment will be described with reference to FIG.
  • the relationship between the control voltage applied to the micro movable unit and the force of the micro movable unit pressing the micro resonator that is, the magnitude of the fixed force, and the magnitude of the fixed force and the resonance frequency of the micro resonator Is not a simple linear relationship, and the relationship between the magnitude of the fixed force and the amplitude amplification factor (or Q value) at the resonance peak is not a simple linear relationship.
  • the control pattern for optimizing ⁇ ⁇ with correction is a unique pattern with different characteristics. Therefore, for a selected micro-resonator and micro-movable part, the relationship between the control value of the micro-movable part and the frequency characteristic of the output of the microphone-port resonance device or the microphone-port filter device is measured in advance. Assuming that a solid line 560 as shown in FIG. 40 is obtained, preferably, a desired frequency f to be selected.
  • a control step for controlling the control value of the microphone opening movable part necessary for changing the frequency at a predetermined step size is determined, and the step is recorded in the storage element. That is, as shown in Fig. 40, the frequency is' ⁇ ⁇ f 0 — 2 x, f at predetermined intervals X around f 0 .
  • One x, f os f. + x, fo + 2 x- ⁇ The value of the control voltage corresponding to the point at which 'changes. ⁇ ⁇ -V 0 — d _ 2 , V 0 — d V 0 , V 0 + d V 0 + d
  • the frequency step size X depends on the desired frequency accuracy of the microfilter device, but is preferably at least one-half or less of the desired frequency accuracy or frequency margin. Here, it is set to about 1/10.
  • the control step ' ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ' V recorded in the storage element.
  • V 0 _ d- There V 0, V 0 + d V 0 + d 2 - ⁇
  • the force can be changed as if a linear relationship is obtained, and it is possible to construct an optimal adjustment algorithm that predicts the adjustment range, and it is possible to make adjustments efficiently and in a short time.
  • the timing chart of the control operation shown in FIG. As described above, the control steps are performed stepwise. This is because the micro movable part is moved from the setting of the control voltage of the micro movable part, the vibration of the micro resonator reaches a steady state, and a stable frequency output is obtained from the microphone opening resonator or the microphone opening filter device. This is because a slight time delay occurs before the operation is performed. As shown in FIG. 41, the control time can be reduced by providing a margin for the delay time, forming an optimal sequence, and controlling the voltage stepwise.
  • the control can also be performed by gradually changing the control voltage little by little.However, if the micro movable part is moved before the vibration of the microresonator enters the steady state, the output remains unstable. Since the adjustment is advanced and the control is performed without confirming the frequency output in the steady state accurately, it takes much time to adjust the frequency accurately and obtain the final result. Further, according to the present embodiment, the micro-resonance is caused by the change of the external environment such as the temperature at which the micro-filter device is used and the deterioration over time of the microphone mouth resonator itself (deterioration of the mechanical properties of the microphone mouth resonator and fluctuation of the sealing pressure). Even when the resonance frequency of the device or the center frequency of the microfilter device is shifted, the adjustment can be performed effectively.
  • the correlation between the control voltage and the frequency of the micro movable part, which initially had the relationship shown by the solid line 560, is changed with the external environment or the microphone mouth resonator itself over time. It is assumed that the frequency selected and output from the microfilter device is shifted due to the change as shown by the dotted line 561 due to the deterioration. The cause of the deviation is the same control voltage as the initial (previous) V. Even if it is set to, the frequency of the output frequency diagram is not point A but point B. However, according to the control step or adjustment algorithm of the control voltage determined by the original real, ⁇ 560, V 0 — d _ V. One d— 2 , V.
  • the adjustment width of 5 6 2 frequencies do not perfectly match the X, unless every other significant structural changes in the micro resonator and microphone port movable portion of the micro-resonator, a solid line 5 6 Since there is no great difference in the rate of change between 0 and the point and the line 561, the frequency output from the microphone port filter device can be changed at substantially equal intervals according to the changed correlation 561. This makes it possible to construct an optimal adjustment algorithm that predicts the adjustment range.
  • the frequency adjustment width 562 after the occurrence of the deviation is originally slightly different from the adjustment width X, the frequency after the optimal adjustment does not completely coincide with the desired frequency, and the deviation 563 becomes the same. Arise Sometimes.
  • the adjustment width X is set to a value sufficiently smaller than one-half of the desired frequency accuracy, it can be adjusted within the frequency margin.
  • a shift occurs in the resonance frequency (the center frequency of the microfilter device) of the microphone port resonator device due to the deterioration of the external environment using the microfilter device due to the deterioration with time of the microphone port resonator device itself.
  • the deviation can be easily and effectively adjusted by adjusting the control voltage of the microphone opening movable portion in advance in the storage element in advance using the optimal control step of the control voltage.
  • V Denotes the frequency of the control voltage of the first electrode, V 2 control voltage of the second electrode, the signal f is outputted from the micro-filter device.
  • V based on the initial value stored in the storage element at time t. Is given and the micro movable part is pushed with a predetermined force to obtain the first output.
  • the output frequency is the desired center frequency f. In the case of deviation from V, the output frequency is detected according to the control step stored in the storage element and is compared with f 0 at a predetermined time interval.
  • the micro movable portion when adjusting the deviation existing in the frequency to be selectively output to a desired frequency, which is connected to the storage element, as shown in FIG.
  • V 0 the initial value (or the previous control value) V 0 , that is, before bringing the micro movable portion into contact with the micro resonator with a predetermined force, the micro movable portion is moved from the balanced position to the micro resonator.
  • the micro movable part is moved to such a degree that the micro movable part is brought into contact with the microphone open resonator, but hardly presses the micro resonator.
  • a control sequence of the micro movable unit is assembled, and the control voltage of the micro movable unit is pushed into the microphone mouth resonator.
  • the input signal strength to the microresonator or the microfilter device is reduced slightly. More specifically, for example, assuming that the following high-frequency signal is input to a microphone-port filter device having a micro-port resonator as shown in FIG.
  • Vi is amplitude
  • is frequency
  • t time.
  • the force F received by the microresonator of the microfilter device at the frequency of ⁇ depends almost on Vi, and F increases as Vi increases.
  • the amplitude Ar of the microresonator depends on the force F received by the microresonator, which also increases as F increases. Therefore, if, for example, V i among the variables of the input signal to the microfilter is reduced, the resonance amplitude of the microresonator can be reduced. That is, as shown in Fig. 41, when the control voltage of the micro movable part is changed and the micro movable part is pressed, the time from the change of the control voltage to the time when the pressing force changes and stabilizes is d.
  • the microphone opening movable part is moved from the balanced position to the micro-resonator, that is, the micro-movable part is almost brought into contact with the micro-resonator, and almost The input to the microfilter device is turned off or the signal strength is zeroed when a displacement step is performed that does not push the body. This makes it possible to smoothly contact the micro-resonator at the position where the micro-movable part should be in contact, and to adjust the micro-movable part with high reproducibility.
  • the input electrode 5 includes the microphone-port resonance device 550 of the present invention shown in the first, second, and third embodiments, and is capacitively coupled to the microphone-port resonator. 5 1, an output electrode 55 2 for extracting a frequency signal selected by the micro-resonator, and input electrodes 55 3 and 55 4 for a drive mechanism for moving the micro movable section.
  • the invention is not limited to this, and one micro movable part may be used.
  • the resonance frequency of the microresonator 550 can be adjusted over a wide range by applying a control voltage to the input electrode of the microphone opening movable portion driving mechanism after manufacturing, so that the conventional method cannot do so. Uncertainties in the resonance frequency of the microresonator due to variations in processing during fabrication and variations in the sealing pressure can be adjusted to the desired (design) value and used. Since the adjustment range after manufacturing is greatly improved compared to the conventional method, the yield can be obtained even when using a manufacturing apparatus and a manufacturing process with a processing accuracy in a range where the yield cannot be obtained by the conventional method.
  • the deviation of the output frequency of the micro-oscillator can be corrected on the spot by controlling the micro movable part after encapsulation, changes in the external environment (temperature) during use and aging of the micro-resonator itself (sealing pressure) Output can be corrected and optimized for the degradation of the micro-resonator material and the mechanical characteristics of the micro-resonator material, etc., and the range of environmental conditions that can be used as an oscillator can be extended, and the product life can be extended. .
  • the microphone-port oscillator according to the present embodiment has the same basic configuration of the micro-resonator as the micro-filter device according to the fourth embodiment. It is clear that a similar effect can be obtained by connecting the movable part control circuit and the storage element.
  • a wireless communication device using the micro finoletor device of the present invention as shown in the fourth embodiment and the micro oscillator of the present invention as shown in the fifth embodiment Will be described.
  • this wireless communication device includes a transmitting section 65, a receiving section 651, a transmission signal from the transmitting section 650, and a reception signal to the receiving section 651.
  • a duplexer 652 for transmitting the transmission signal as a radio wave and the reception signal An antenna 653 that receives the signal as a radio wave, and the microfilter device 600 and the microoscillator 6001, which are connected to the transmitting unit 650 and the receiving unit 651, respectively.
  • the transmitting unit 650 includes a mixer 602, an amplifier 603, and a PA (Power Amplifier 1) (power amplification circuit) 604 in order from the upstream side to the downstream side where the transmission signal flows.
  • the amplifier 603 and the PA 604 The micro-filter device 600 is connected between them.
  • the receiving section 651 includes an LNA (Low Noise Amplifier) 605, a mixer 606, and an amplifier 607 in order from the upstream side to the downstream side where the received signal flows.
  • the microphone-mouth oscillator 601 is connected to both the mixer 602 of the transmitting unit 650 and the mixer 606 of the receiving unit 651.
  • the microphone oscillator 601 is connected to, for example, a VCO (Voltage Alignment Oscillator); an oscillation circuit.
  • VCO Voltage Alignment Oscillator
  • the microfilter device 600 having a high Q value as a band-pass filter of the transmission / reception units 650 and 651 of the wireless communication device, it is possible to remove a nonlinear component which is a noise and to remove only a desired frequency signal. It is possible to select a channel that passes and removes all other frequency signals. Further, by using the microphone oscillator 601 having a high Q value as a local (local) oscillator of the transmission / reception units 650 and 651 of a wireless communication device, effects such as reduction of phase noise can be obtained.
  • the micro-filter device 600 and a micro-oscillator 601 that can be adjusted after manufacture on a wireless communication device, and the micro-filter device may be changed due to fluctuations in the external environment and internal fluctuations in the micro-resonator itself. Even if the frequency characteristics of the filter device 600 and the micro-oscillator 601 fluctuate, the frequency characteristics of the micro-filter can be adjusted by controlling the micro movable part while comparing with the communication state, and the communication state can be kept optimal. .
  • the micro-filter device and the microphone mouth oscillator that precisely adjust the center frequency to the design value due to variations in processing accuracy and sealing pressure accuracy
  • the yield cannot be improved, and the adjustment range after manufacturing is narrow even when mounted on wireless devices. There is a problem that cannot be addressed.
  • this wireless communication device includes a channel selector H 60 connected between the duplexer 652 and the antenna 653.
  • the channel selection unit 600 includes a plurality of microfilter devices 600 arranged in parallel, and passes only a desired frequency signal.
  • the other structure is the same as in the sixth embodiment, and a description thereof will not be repeated.
  • any one of the micro-filter device 600 and the micro-oscillator 600 may be used as the wireless communication device of the present invention.

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Abstract

 このマイクロ共振装置は、基板(10)と、この基板(10)設けられたマイクロ共振体(13)と、二つのマイクロ可動部(16,16)と、この二つのマイクロ可動部(16,16)を駆動するマイクロ可動部駆動機構(17)とを備える。そして、このマイクロ可動部駆動機構(17)により、前記二つのマイクロ可動部(16,16)を前記マイクロ共振体(13)に機械的に作用させて、前記マイクロ共振体(13)の共振周波数を変えることができる。

Description

明 細 書 マイクロ共振装置、 マイクロフィルタ装置、 マイクロ発振器および無線通信機器 技術分野
本発明は、 基板上に集積回路の一部として組み込み可能なマイクロ共振装置に 関し、 特に、 マイクロ 'エレクト口 .メカニカル■システムを利用したマイクロ フィルタ装置およびマイクロ発振器、 並びに無線通信機器に関する。 背景技術
マイクロ 'エレクト口 'メカ二力ノレ■システム (MEMS) を用いたマイク 口共振子は、 例えば、 文献 1 (F. D. B a nn o n, I I I, J. R. C I a r k, a n d C. T. -C. Ng uy e n, I EEE J. S o 1 i d-S t a t e C i r c u i t s, v o l . 35, No. 4, p . 51 2— 52 6, A r i l 2000) に示されているように、 その固有振動数 (共振周波 数) を利用してその周波数の信号のみを正確に通過させ、 その他の周波数信号お よび雑音を減衰させることができる。 他の受動素子 (コンデンサやインダクタ 一) を用いる場合や能動素子を用いる場合に比べて、 集積回路に組み込める超小 型サイズで極めて狭帯域なフィルタ (高 Qフィルタ) が実現できることから、 そ の検討が進められている。
図 30は、 従来技術によるシリコン基板上にポリシリコン膜で形成されたマイ クロ共振子 300を備えるマイクロフィルタの例である。 入力電極 301に与え られた交流信号によって、 交流信号の周波数がマイクロ共振子 300の共振周波 数に類似の場合、 マイクロ共振子 300は振動し、 選択された AC信号が出力端 302力、ら伝送される。
図 30に示すような共振子の共振周波数は、 上記文献 1に示されるように、 ほ ぼ次式で表される。
Figure imgf000004_0001
ここで、 kは定数、 pは共振子材料の密度、 Eは共振子材料のヤング率、 L r は共振子の実効長さ、 hは共振子の厚さである。 共振子材料にポリシリコン (E = 1 5 O G P a ) を用い、 共振子の膜厚を 2 i mとすると、 この式からも明らか なように、 共振子の長さが数 1 0 μ πιから数/ z m程度の共振子を用いれば、 数 1 O O MH zから G H z帯の周波数のものが得られることがわかる。
しカゝし、 実際に基板上に L S I (集積回路) プロセスで作製して所望の共振周 波数の共振子が得られるかとなると、 L S Iプロセスにおいても設計上許容しな ければならない加工精度のマージンがあり、 そのマージンに応じて共振子の長さ にばらつきが存在することになる。 したがって、 出来上がった共振子には、 加工 技術では制御できない共振周波数の不正確さは避けられないことになる。 これは、 MEM Sを作製する上で重大な欠点となる。
さらに、 従来、 MEM S材料として使用されているポリシリコンでは、 共振子 サイズを結晶粒サイズょりも小さくすることは困難であり、 共振子表面に凹凸が 形成され共振子の膜厚がばらついてしまう。 また、 共振子内に多数の粒界が存在 し、 結晶方位が不揃いなため、 正確な機械的特性 (ヤング率) も得られない。 内 部応力もまた不均一になりそりや縮みなどの原因となる、 これら膜厚の不均一性、 機械特性のばらつき、 応力によるそりや縮みは全て共振周波数の不正確さの要因 となる。 共振子の長さのように平面的に非破壌で測定可能なものであれば、 L S I製造工程で使用される高性能の測長技術により、 出来上がり寸法をある程度の 精度で確認することができるが、 内部応力ゃ不均一なそりや縮みは、 平面的に非 破壌な測定方法で正確に確かめることも不可能なため、 製造工程のなかで検査し、 修正を加えることも困難である。
また、 図 3 0に示すように、 基板表面に積層して形成する表面 MEM Sでは、 共振子の支持部や下部電極の影響で共振子に角部 3 0 3の曲がり (曲率) やくぼ み 3 0 4、 凸部 3 0 5が形成される。 これらは、 製造工程におけるマスクのァラ ィメントのズレや、 加工形状および堆積膜厚のバラツキなどに依存して形状が異 なることから、 共振周波数のばらつき要因となる。 特開 2001— 94062号公報には、 シリコン'オン'インシユレータ (S O I) 基板を使用し、 単結晶シリコンの共振子を形成し、 ポリシリコンのもつ多 結晶性に起因する膜厚バラツキや機械的特性のばらつきの問題を解決する技術が 開示されているが、 加工精度ばらつきによる共振周波数の不正確さを本質的に解 決するものではない。
特開 2001— 94062号公報には、 その製造工程において、 イオン注入に より共振子の密度を変え、 共振子の共振周波数を制御する方法が開示されている 力 この手法では、 共振子のサイズや機械的特性を正確に測定し、 注入前の共振 周波数を正確に見積もることができなければ、 所望の共振周波数にするためのド 一ズ量を決定できない。 つまり、 共振子の寸法測定に使用する検査装置の測定誤 差と、 そして、 2 μΐη程度の厚さと数 μπι以上の長さを有する共振子内でイオン 注入後の濃度分布を完全に把握することが困難であることを考慮すると、 注入後 の共振子における機械的特性のばらつきを正確に予測することは困難であり、 こ の手法で製造工程に起因する共振周波数の不正確さを本質的に解決するのは困難 である。
さらに、 共振子の共振周波数ならびに共振ピークの振幅増幅率 (Q値) は、 文 献 2 (Y. T. Ch e n g e t a 1. , P r o c e e d i n g s o f M EMS Co n f . 18, 2001) に開示されているように、 共振子を封止 したキヤビティ内の圧力に強く依存するため、 製造途中で共振子の共振特性を調 整したとしても、 最終の共振特性は、 封止圧力のばらつきにより変動してしまう ことになる。 封止工程で封止を行なう真空装置内の圧力を精度よく調整するとし ても、 排気系の位置や装置内の構造により圧力分布が存在する。 しかも、 基板が 搬送され、 封止作業が こなわれる基板上の共振子近傍の圧力を直接計測するこ とは困難であり、 実際に、 圧力計が測定できるのは、 封止工程を行なっている真 空装置内で、 封止作業に支障をきたさない周辺部にならざるを得ない。 さらに、 圧力計の絶対値精度においても原理的に数%の以下の精度を再現性よく実現する ことは困難である。 また、 排気系の排気能力の安定性を考慮しなくてはならない。 基板を搬入し、 真空装置内で封止工程を行なう際の、 基板、 封止材料および封止 作業を行なうマニピュレータなどの可動部からの脱ガス量など変動要素もある。 以上のような複雑な要因に対し、 基板上の共振子近傍の微細な封止領域の圧力を 正確に狙い通りの圧力に制御することは極めて困難であり、 封止前に共振子の共 振特性を調整しても、 封止後には、 殆どの場合において、 ずれてしまうことにな る。
さらに、 完成した共振子においても、 使用環境、 つまり、 外部温度変化や封止 圧力の変動あるいは劣化によって共振周波数は変動する。 温度変化は、 封止内部 からの脱ガスや圧力変動、 共振子そのものの熱膨張により共振周波数の変動をも たらす。 つまり、 使用環境下や経時劣化による変動があっても、 共振周波数が最 適に調整できる機能がなければ使えないことになる。
上記文献 1に共振子 (共振周波数 1 O MH z程度) に印加するバイァス電位に よっての共振周波数を変更する方法が開示されているが、 この手法では、 入力電 極と共振子の間の電位差によって生じる静電力で、 共振子を入力電極側に引き寄 せ、 共振子の共振周波数を変えている。 したがって、 共振子の持つパネの力に対 して静電力の強さを相対的に大きくすることによって、 より共振子が入力電極に 近づき、 共振周波数の変ィ匕も大きくできることになる。 ところが、 共振周波数が さらに大きくなものに適用するとなると、 共振子の長さは短くなり、 それにとも ない入力電極のサイズも小さくなるため、 必然的に静電力は小さくなる。 さらに、 共振子の長さが短くなると共振子のパネの力は強くなることから、 相対的な静電 力の大きさは急激に弱まり、 バイァス電位による共振周波数の変動範囲はほとん ど確認できないレベルにまで低下する。 つまり、 バイアス電位を利用する方法は、 高周波領域の共振周波数をもつ共振子に対して、 上述の加工精度のばらつきや封 止圧力のばらつきによる共振周波数の不正確さを補償するだけの制御を可能にす るものとはいい難い。
さらに、 上記文献 1に示してあるように、 バイアス電位による制御は、 バイァ ス電圧を上げるほど、 共振周波数を低下させ、 共振ピークにおける振幅増幅率 (Q値) も低下させる。 実際の使用環境では、 封止圧力の劣化 (圧力の上昇) 、 ? 度上昇など、 いずれにおいても、 共振周波数が低下するため、 共振周波数は高 める側への制御が必要となる。 しかしながら、 バイアス電圧は MEM Sの出力と 比例関係があるため、 ノィァス電位を必要以上に低下させられず、 基本的に周波 数を高める側への制御できる手法ではないという問題がある。
また、 集積回路への組み込みを考えると、 通常 CMO S回路は、 3〜5 V程度 の電圧を使用しているため、 MEM S用制御電圧を上げるとしても、 4 0 V程度 が限界と考えられる。 というのは、 この程度場合でも、 MEM S制御回路用にゲ ート絶縁膜ゃゥエル構造などを、 電圧に応じたスケーリングのために、 低電圧用、 中電圧用、 高電圧用と 3種類程度の使い分けが必要となり、 製造工程が複雑にな り、 コストの増が避けられないからである。 バイアス電圧を用いる方法では、 実 際には、 制御可能な電圧の上限も低く、 制御範囲が狭いことも問題となる。 発明の開示
そこで、 本発明は、 上述のような従来技術の問題点を解決するために成された ものであって、 基板上に集積回路の一部として組み込み可能なマイクロ共振装置 であって、 共振子を封入した後においても共振子の加工精度のばらつきや封入圧 力のばらつきによる変動を補償し、 共振周波数を調整できるマイクロ共振装置、 特に、 周波数可変マイクロフィルタ装置およびマイクロ発振器、 並びに無線通信 機器を提供することにある。
この発明のマイクロ共振装置は、 基板と、
この基板に設けられたマイク口共振体と、
このマイク口共振体に機械的に作用する少なくとも一つのマイクロ可動部と、 このマイクロ可動部を駆動して、 前記マイクロ共振体に対する前記マイクロ可 動部の機械的な作用状態を変化させるマイクロ可動部駆動機構と
を備えていることを特徴とする。
より詳しくは、 前記マイクロ共振体は、 選択されたパラメーターの変動に応答 して振動し、 また、 マイクロ可動部は、 外部からの操作によって所定の力で前記 マイク口共振体に機械的あるいは力学的に作用し、 前記マイク口共振体の共振周 波数、 あるいは共振ピークにおける振幅増幅率、 あるいは入力可能信号強度を変 えることができる。
このマイクロ共振装置によれば、 共振子を封入した後においても共振子の加工 精度のばらつきや封入圧力のばらつきによる共振周波数の不確かさを補償し、 共 振周波数の調整が可能なマイク口共振装置の提供が可能となった。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部は、 前記マイ クロ共振体の振動領域あるいは振幅の分布形状を変える。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 前記マイク口共振体の共振周波 数、 あるいは共振ピークの振幅増幅率 (Q値) 、 あるいは入力可能信号強度を変 えることができる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部は、 前記マイ クロ共振体の支持端付近における振動の吸収を制御する。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 前記マイク口共振体の共振周波 数、 あるいは共振ピークの振幅増幅率 (Q値) 、 あるいは入力可能信号強度を変 えることができる。
また、 一実施形態のマイク口共振装置では、 前記マイク口可動部駆動機構は、 前記マイクロ可動部を、 前記マイクロ共振体に接触させ、 または、 前記マイクロ 共振体から離す。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部駆動機構は、 前記マイク口可動部を前記マイク口共振体に所定の大きさの力で接触させ、 また は、 前記マイクロ可動部を前記マイクロ共振体に接触させている力の大きさを変 る。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 前記マイク口共振体の共振周波 数、 あるいは共振ピークの振幅増幅率 (Q値) 、 あるいは入力可能信号強度を変 えることができる。
また、 一実施形態のマイク口共振装置では、 前記マイク口可動部駆動機構は、 前記マイク口可動部が前記マイク口共振体に接触する位置あるいは接触する方向 を変える。
この一実施形態のマイクロ共振装置によれば、 外部からの操作によって、 前記 マイクロ共振体の共振周波数、 あるいは共振ピークの振幅増幅率 (Q値) 、 ある いは入力可能信号強度を変えることができる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部の前記マイク 口共振体への機械的作用により、 前記マイクロ可動部は、 前記マイクロ共振体に 接触し、 前記マイクロ可動部が前記マイクロ共振体に接触する位置は、 前記マイ クロ共振体の支持端付近あるいは振動の節位置付近である。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 マイク口共振体の共振周波数が 不安定になることを抑制できる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部の前記マイク 口共振体への機械的作用により、 前記マイク口可動部は、 前記マイク口共振体に 接触し、 前記マイクロ可動部が前記マイクロ共振体に接触する位置は、 前記マイ クロ共振体の振動の振幅ピーク位置よりも振幅の小さい領域である。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 マイク口共振子の共振周波数が 不安定になることを抑制できる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部の前記マイク 口共振体への機械的作用により、 前記マイクロ可動部は、 前記マイクロ共振体に 接触し、 前記マイク口可動部と前記マイク口共振体との接触によつて形成される 交線のうち、 前記マイクロ共振体の主たる振動が起こる側に形成される交線が、 前記マイク口共振体の主たる共振周波数に関わる寸法の実効値を示す線分方向に 対して、 ほぼ垂直に位置するように構成される。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 マイク口共振子の共振ピークに おける振幅増幅率 (Q値) の劣化を抑えた共振周波数の変更が可能となる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部の前記マイク 口共振体への機械的作用により、 前記マイクロ可動部は、 前記マイクロ共振体に 接触し、 前記マイクロ共振体が、 マイクロ共振子とマイクロ共振子支持部を備え、 前記マイク口可動部と前記マイク口共振体との接触によつて形成される交線のう ち、 前記マイクロ共振体の主たる振動がおこる側に形成される交線が、 前記マイ ク口共振子と前記マイクロ共振子支持部が形成する交線のうち前記マイク口共振 体の主たる振動が起こる側か、 あるいは最も離れたところに形成された交線にほ ぼ平行に位置するように構成される。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 マイク口共振子の共振ピークに おける振幅増幅率 (Q値) の劣化を抑えた共振周波数の変更が可能となる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部の前記マイク 口共振体への機械的作用により、 前記マイクロ可動部は、 前記マイクロ共振体に 接触し、 前記マイクロ共振体が、 マイクロ共振子とマイクロ共振子支持部を備え、 前記マイク口可動部と前記マイク口共振体との接触によつて形成される交線のう ち、 前記マイクロ共振体の主たる振動が起こる側に形成される交線が、 前記マイ クロ共振子と前記マイクロ共振子支持部が形成する交線のうち最も前記マイク口 共振体の主たる振動がおこる側に形成された交線位置から、 前記マイク口共振体 の主たる共振周波数に関わる寸法の実効値を示す線分の端位置までの距離を 2倍 に延長した位置より、 前記マイク口共振体の主たる振動がおこる側に位置するよ うに構成される。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 マイク口共振子の共振ピークに おける振幅增幅率 (Q値) の劣化を抑えた共振周波数の変更が可能となる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部の前記マイク 口共振体への機械的作用により、 前記マイク口可動部は、 前記マイク口共振体に 接触し、 前記マイクロ共振体が、 マイクロ共振子とマイクロ共振子支持部を備え、 前記マイク口可動部と前記マイク口共振体との接触によつて形成される交線のう ち、 前記マイク口共振体の主たる振動の起こる側とは反対側に形成される交線が、 前記マイク口共振子と前記マイク口共振子支持部が形成する交線のうち最も前記 マイク口共振体の主たる振動がおこる側に形成された交線位置より、 前記マイク 口共振体の主たる振動が起こる側とは反対側に位置するように構成される。
この一実施形態のマイクロ共振装置によれば、 マイクロ共振子の共振ピークに おける振幅増幅率 (Q値) の劣化を抑えた共振周波数の変更が可能となる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部は、 大きさ、 あるいは形状、 あるいは材質の異なる複数存在し、 この異なるマイクロ可動部を 前記マイクロ共振体に機械的に作用させる。
この一実施形態のマイクロ共振装置によれば、 共振ピーク強度および共振ピー クの振幅増幅率 (Q値) をあまり下げずに共振周波数を変更する場合と、 共振ピ ーク強度および共振ピークの振幅増幅率 (Q値) をある程度下げて共振周波数を 変更する場合とに、 使い分けた制御が可能となる。
さらには、 マイクロ共振体の両端に対し、 それぞれマイクロ可動部を用意し、 一つはマイク口共振子の実効長さを示す泉分の端位置近傍に、 もう一つはマイク 口共振子の実効長さを示す線分の端位置から少し離した位置に接触するように配 置することによって、 粗調整用に共振周波数を大きく変更させたい場合と、 さら に小さく共振周波数の微調整したい場合と、 マイク口可動部を使い分けて接触さ せることができ、 マイクロ可動部を一箇所のみ接触させて制御する場合に比べて、 振動ピーク強度の低下が少なく、 振動ピークの振幅増幅率 (Q値) の劣化を抑え た広範囲のマイク口共振子の共振周波数精密調整が可能となる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部の前記マイク 口共振体への機械的作用により、 前記マイク口可動部は、 前記マイク口共振体に 接触し、 少なくとも前記マイクロ共振体に接触する前記マイクロ可動部先端部の 共振周波数は、 前記マイク口共振体の共振周波数よりも大きい。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 マイクロ可動部をマイク口共振 子に接触させても、 接触させない場合に比べて、 振動ピーク強度の低下も少なく、 振動ピークの振幅増幅率 (Q値) の劣化を抑えた共振周波数の調整が可能となる。 また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部の前記マイク 口共振体への機械的作用により、 前記マイク口可動部は、 前記マイク口共振体に 接触し、 前記マイクロ可動部と前記マイクロ共振体とは、 それぞれ、 相互に接触 する接触部を有し、 この接触部において、 前記マイクロ可動部側あるいは前記マ イク口共振体側の表面の少なくとも 、ずれか一方に固着防止層が形成されている。 この一実施形態のマイクロ共振装置によれば、 接触時に固着することを防止し ながら、 接触による共振周波数の調整を繰り返し行なうことができる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部の前記マイク 口共振体への機械的作用により、 前記マイク口可動部は、 前記マイク口共振体に 接触し、 前記マイク口可動部の前記マイク口共振体との接触部における前記マイ クロ共振体の実効寸法を示す方向の長さは、 前記マイク口共振体の厚みより長く なっている。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 効果的に共振周波数を変えるこ とができる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部の前記マイク 口共振体への機械的作用により、 前記マイクロ可動部は、 前記マイクロ共振体に 接触し、 前記マイク口可動部と前記マイク口共振体とが相対的に押し付けられる 力の方向は、 前記マイクロ共振体の主たる共振周波数に関わる寸法の実効値を示 す線分方向に対してほぼ垂直である。
この一実施形態のマイクロ共振装置によれば、 マイクロ共振子の実効的な長さ を効果的に変えることができる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部の前記マイク 口共振体への機械的作用により、 前記マイク口可動部は、 前記マイク口共振体に 接触し、 前記マイク口可動部と前記マイク口共振体とが相対的に押し付けられる 力の方向は、 前記マイクロ共振体の主たる振動の振幅方向に対してほぼ平行か、 あるいはほぼ垂直である。
この一実施形態のマイクロ共振装置によれば、 押し付けられる力がマイクロ共 振体の接触面に対して垂直に加えられ、 効果的に実効長さを変えることができる。 また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部駆動機構は、 可撓性を有する板状の圧電部材を備えている。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 占有面積を小さくした駆動機構 が基板上に作製可能となる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部駆動機構は、 厚み変形型の圧電部材を備えている。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 マイクロ可動部の押し付け位置 を変えることができる駆動機構を小さな占有面積で基板上に作製可能となる。 また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部駆動機構は、 すべり変形型の圧電部材を備えている。
この一実施形態のマイクロ共振装置によれば、 より再現性の高い高精度の押し 付け位置の変更が可能となる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ可動部駆動機構は、 静電駆動型のァクチユエータを備えている。
この一実施形態のマイクロ共振装置によれば、 圧電材料を用いずに、 通常の M EM Sプロセスあるいは CMO Sプロセスで用いられている材料で基板上に製作 でき、 基板垂直方向および水平方向の駆動力の発生が容易にかつ薄膜で実現可能 となる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記静電駆動型のァクチユエータ は、 前記基板に固定された第 1の電極と、 前記第 1の電極から一定の距離に形成 され、 前記マイクロ可動部と連結し、 外部から与えられる電圧により生じる前記 第 1の電極との電位差によって、 前記第 1の電極に接近または離れるように移動 して前記マイク口可動部を動かす第 2の電極と、 前記第 2の電極に電気的に接続 し、 前記第 2の電極および前記第 2の電極に連結した構造を支持する弾性体とを 備える。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 共振周波数の制御範囲を広くで き、 また、 数 1 0 V以下の低電圧での制御も十分可能となる。 さらに、 マイクロ 共振子の両端に異なるマイクロ可動部を使い分けてマイクロ共振体に接触させる こと、 あるいは、 粗調整用マイクロ可動部と微調整用マイクロ可動部を使い分け てマイクロ共振体に接触させることができる。 そして、 本発明は、 基板に対して 垂直な方向ならびに平行な方向に振動するマイクロ共振子、 そして、 基板に対し て平行な方向に縦の振動モードで振動するマイクロ共振子に本発明が容易に適用 できる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記弾性体は、 前記第 2の電極が 前記第 1の電極から所定の距離のところまで前記第 1の電極に接近すると、 支点 位置が変わって、 前記弾性体の弾性係数が大きくなる。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 マイク口可動部をマイクロ共振 体に接触させるまでの移動時には、 小さな弾性定数のため低電圧で長い距離が移 動でき、 マイクロ可動部がマイクロ共振体に接触してからは、 高い弾性定数とな るため、 第 2の電極の移動距離を抑えられ、 プル ·インを防止しながらマイクロ 可動部の押し込む力を強めることができる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記静電駆動型のァクチユエータ は、 前記第 2の電極が前記第 1の電極から所定の距離のところまで前記第 1の電 極に接近するときに、 前記第 2の電極および前記第 2の電極に連結した構造を支 持する第 2の弾性体を備える。 この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 マイクロ可動部がマイクロ共振 体に接触し、 押し込む段階から、 第 2の電極を支持する構造の弾性係数を大きく することができ、 マイクロ可動部をマイク口共振体に接触させるまでの移動時に は、 小さな弾性定数のため、 低電圧で多くの距離が移動でき、 マイクロ可動部が マイクロ共振体に接触してからは、 高い弾性定数となるため、 第 2の電極の移動 距離を抑え、 プノレ'インを防止しながら、 マイクロ可動部の押し込む力を強める ことができる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記所定の距離は、 前記第 1の電 極および前記第 2の電極に電位差が与えられていな 、釣り合!/、状態における、 前 記第 1の電極と前記第 2の電極との間の距離の 3分の 2よりも大きく設定されて いる。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 第 2の電極が第 1の電極に近づ . きすぎてプル ·ィンを引き起こす前にマイク口可動部をマイク口共振体に接触さ せることができる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記所定の距離は、 前記第 1の電 極および前記第 2の電極に電位差が与えられていない釣り合い状態における、 前 記第 1の電極と前記第 2の電極との間の距離から前記マイク口可動部と前記マイ クロ共振体との間の距離を引いた距離近傍に設定されている。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 第 2の電極が第 1の電極に近づ きすぎてプル'インを引き起こす前にマイクロ可動部をマイクロ共振体に接触さ せることができる。
また、 一実施形態のマイク口共振装置では、 前記弾性体およぴ前記第 2の電極 に連結した構造は、 前記第 2の電極が前記第 1の電極に接近するときに、 前記第 1の電極と前記第 2の電極との位置がほぼ平行に保たれるような折れ曲がり部を 備えている。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 マイク口可動部の押し付け時に、 押し付ける力の方向が垂直方向からずれるのを抑制し、 また、 第 2の電極が水平 より傾くのを防止することができる。
また、 一実施形態のマイク口共振装置では、 前記静電駆動型のァクチユエータ は、 前記第 2の電極から一定の距離に、 前記第 1の電極とは反対側に形成され、 外部から与えられる電圧により生じる前記第 2の電極との電位差によって、 前記 第 2の電極および前記マイクロ可動部に駆動力を与える第 3の電極を備える。 この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 マイクロ可動部とマイク口共振 体が固着して元の釣り合いの位置にもどらなかった場合においても、 外部からの 入力によって、 マイクロ共振装置を解体することなく、 マイクロ共振装置として の機能を復旧させる事ができる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記静電駆動型のァクチユエータ は、 前記マイク口可動部と連動する構造部から前記第 1の電極と前記第 2の電極 とが対向する方向と直交する方向に一定の距離に形成されると共に、 外部から与 えられる電圧により生じる前記構造部との電位差によって、 前記マイク口可動部 に対し、 前記第 1の電極と前記第 2の電極とが対向する方向とは直交する方向の 駆動力を与える第 4の電極を備える。
この一実施形態のマイク口共振装置によれば、 上述の第 3の電極を用いる方法 よりもプロセスの簡略化とコスト削減し、 固着を取り外す操作が可能となる。 また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ共振体および前記マ イク口可動部は、 その組成に少なくとも 2つの元素が含まれる材料からなり、 こ の元素のうち 1つの元素は、 高融点金属元素である。
この一実施形態のマイクロ共振装置によれば、 室温程度の低温で堆積しても膜 組成や膜質が容易に制御できるようになり、 膜堆積時に膜はがれ等の破壊が起こ るのを防ぎ、 また、 応力等負荷によるマイクロ構造の変形や破壊に対する耐性を 向上できる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記高融点金属元素は、 タンダス テン、 タンタル、 モリプデンのいずれかである。
この一実施形態のマイクロ共振装置によれば、 窒素等を含有させても高いヤン グ率のマイク口構造部材がえられる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ共振体および前記マ ィク口可動部は、 その組成に少なくとも 2つの元素が含まれる材料からなり、 こ の材料は、 高融点金属元素と、 少なくとも窒素、 酸素、 炭素のいずれかの元素を 含む。
この一実施形態のマイクロ共振装置によれば、 室温程度の低温で堆積しても膜 組成や膜質が容易に制御できるようになり、 膜堆積時に膜はがれ等の破壌が起こ るのを防ぎ、 また、 応力等負荷によるマイクロ構造の変形や破壊に対する耐性を 向上できる。
また、 一実施形態のマイクロ共振装置では、 前記マイクロ共振体および前記マ イク口可動部は、 その組成に少なくとも 2つの元素力 S含まれる材料からなり、 こ の材料は、 組成あるいは内部残留応力の異なる少なくとも 2つの層で構成される。 この一実施形態のマイクロ共振装置によれば、 膜堆積時に膜はがれ等の破壌が 起こるのを防ぎ、 また、 応力等負荷によるマイクロ構造の変形や破壊に対する耐 性を向上できる。
また、 この発明のマイクロフィルタ装置は、 前記マイクロ共振装置と、 前記マ ィク口共振体に容量結合した入力電極と、 前記マイク口共振装置により選択され た周波数信号を取り出すための出力電極と、 前記マイクロ可動部駆動機構を駆動 する入力電極とを有していることを特徴としている。
この発明のマイクロフィルタ装置によれば、 製造後にマイク口可動部の制御で マイクロ共振装置の共振周波数 (マイクロフィルタ装置の中心周波数) を広範囲 に調整可能となるため、 従来法ではできなかった、 製造時の加工ばらつきや封入 圧力のばらつきによるマイクロ共振装置の共振周波数 (マイクロフィルタ装置の 中心周波数) の不確かさに対して、 所望の (設計) 値に補正 '調整することが可 能になる。 さらに、 従来法では歩留まりがとれない範囲の加工精度の製造装置お よび製造工程を用いても、 歩留まりが取れるようになる。 また、 封入後にマイク 口可動部の制御によってマイク口フィルタ装置の中心周波数のズレを補正するこ とができるため、 使用時の外部環境 (温度) の変化やマイクロ共振装置そのもの の経時劣化 (封止圧力の劣化ならびにマイク口共振子材料の機械特性の劣化な ど) に対してもフィルタ出力を補正 ·最適調整することができ、 フィルタとして の使用可能な環境条件範囲を拡大し、 製品寿命を延ばすことができる。
また、 一実施形態のマイクロフィルタ装置では、 前記マイクロ共振装置の出力 と前記マイク口可動部駆動機構を駆動する入力とに接続されたマイク口可動部制 御回路を備え、 このマイクロ可動部制御回路は、 選択すべき所望の周波数と前記 マイク口共振装置により選択出力される信号の周波数にズレが存在するとき、 前 記マイク口共振装置から所望の周波数信号が出力されるように、 前記マイクロ可 動部を調整する。
この一実施形態のマイクロフィルタ装置によれば、 実際の使用環境の変化およ び使用時のマイク口共振装置の状態に応じて、 その場でマイク口フィルタ装置の 周波数出力の調整が可能となり、 共振体部が固着した場合にも、 マイクロフィル タ装置を解体することなく、 外部からの入力でマイク口共振装置の機能復帰がで さる。
また、 一実施形態のマイクロフィルタ装置では、 前記マイクロ可動部制御回路 に接続された記憶素子を備え、 この記憶素子は、 前記選択すべき所望の周波数と の差を補正するよう調整した前記マイク口可動部駆動機構の制御値を記憶し、 前 記マイクロ可動部制御回路は、 起動動作時に、 前記記憶素子に記憶された前記マ イク口可動部駆動機構の制御値をもとに、 前記マイクロ可動部を制御して、 出力 される周波数信号を調整する。
この一実施形態のマイクロフィルタ装置によれば、 まったくの初期値から調整 するよりも大幅に時間短縮ができる。
また、 一実施形態のマイクロフィルタ装置では、 前記記憶素子に記憶される前 記マイクロ可動部駆動機構の制御値は、 前記マイク口可動部駆動機構の電極に印 加する電圧、 あるいは電極間に印カ卩される電圧差のいずれかを与える設定値を含 んでいる。
この一実施形態のマイクロフィルタ装置によれば、 まったくの初期値から調整 するよりも大幅に時間短縮ができる。
また、 一実施形態のマイクロフィルタ装置では、 前記マイクロ可動部制御回路 は、 前記選択出力される信号の周波数に存在するズレを所望の周波数に調整する 際、 前記記憶素子にあらかじめ記憶された前記マイク口可動部駆動機構の制御電 圧の最適制御ステップを用 、て段階的に調整する。
この一実施形態のマイクロフィルタ装置によれば、 いろいろなマイクロ共振装 置あるいはマイクロフィルタ装置に対しても、 調整幅を予測して簡便に周波数の ズレを調整することができる。 また、 制御ステップを段階的に行なうことにより、 正確に定常状態の周波数出力を確認して制御することができ、 周波数を精度よく 調整し短時間で最終結果を得ることができる。
また、 この発明のマイクロ発振器は、 前記マイクロ共振装置と、 前記マイクロ 共振体に容量結合した入力電極と、 前記マイク口共振装置により出力された周波 数信号を取り出すための出力電極と、 前記マイク口可動部駆動機構を駆動する入 力電極とを有していることを特徴としている。
この発明のマイク口発振器によれば、 製造後にマイク口可動部の制御でマイク 口共振装置により出力される周波数を大幅に調整可能となるため、 従来法ではで きなかった、 製造時の加工ばらつきや封入圧力のばらつきによるマイクロ共振装 置の共振周波数あるいはマイクロ発振器の出力周波数の不確かさに対しても、 所 望値 (設計値) にズレを調整可能となる。 従来法にくらべ製造後の調整範囲が大 幅に改善されるため、 従来法では歩留まりがとれない同じ加工精度の製造装置お ょぴ製造工程を用いても、 歩留まりが取れるようになる。 また、 封入後にマイク 口可動部の制御によってマイク口発振器の出力周波数のズレゃ変動をその場で補 正することができるため、 使用時の外部環境 (温度) の変化やマイクロ共振装置 そのものの経時劣化 (封止圧力の劣化ならびにマイクロ共振子材料の機械特性の 劣化など) に対しても出力の周波数特性を補正'最適調整することができ、 発振 器としての使用可能な環境条件範囲を拡大し、 製品寿命を延ばすことができる。 さらには、 マイクロ可動部は、 マイクロ共振体とともに、 基板上に形成できるた め、 いろいろな周波数特性をもつマイクロ共振装置を並べて作製することが可能 となり、 いろいろ周波数特性のマイク口共振装置とマイクロ可動部をならベるこ とで、 マイクロ発振器全体としての周波数特性の制御可能範囲が拡大し、 使用目 的や使用環境に応じて使い分けることができる。 また、 複数のマイクロ共振装置 を組み合わせることで、 ミキシングした出力を得ることも可能となる。
また、 一実施形態のマイクロ発振器では、 前記マイクロ共振装置の出力と前記 マイクロ可動部駆動機構を駆動する入力とに接続されたマイク口可動部制御回路 を備え、 このマイクロ可動部制御回路は、 前記マイクロ共振装置により出力され た周波数の変動を補正あるいは最適ィ匕するように、 出力を検知しながら前記マイ クロ可動部を調整する。
この一実施形態のマイクロ発振器によれば、 実際の使用環境および使用時のマ ィク口共振装置の状態に応じて、 その場でマイク口発振器の周波数出力の調整が 可能となる。 また、 マイクロ可動部が固着した場合にも、 マイクロ発振器を解体 することなく、 外部からの入力でマイクロ共振装置の機能復帰ができる。
また、 一実施形態のマイクロ発振器では、 前記マイクロ可動部制御回路に接続 された記憶素子を備え、 この記憶素子は、 出力されるべき所望の周波数と実際の 周波数との差を補正あるいは最適化するよう調整した前記マイク口可動部駆動機 構の制御値を記憶し、 前記マイクロ可動部制御回路は、 起動動作時に、 前記記憶 素子に記憶された前記マイク口可動部駆動機構の制御値をもとに、 前記マイク口 可動部を制御する。
この一実施形態のマイクロ発振器によれば、 出荷時またはユーザーの通常の使 用環境で行なった調整時のマイクロ可動部の制御値、 あるいは、 前回使用時に調 整したマイクロ可動部の制御値を記憶素子に記録し、 その値を基に、 起動時にそ の選択されたマイクロ可動部を調整することで、 まったくの初期値から調整する よりも大幅に時間短縮ができる。
また、 一実施形態のマイクロ発振器では、 前記記憶素子に記憶される前記マイ ク口可動部駆動機構の制御値は、 前記マイク口可動部駆動機構の電極に印加する 電圧、 あるいは電極間に印加される電圧差の!/、ずれかを与える設定値を含んで ヽ る。
この一実施形態のマイクロ発振器によれば、 まったくの初期値から調整するよ りも大幅に時間短縮ができる。
また、 一実施形態のマイクロ発振器では、 前記マイクロ可動部制御回路は、 前 記出力された周波数における変動を補正あるいは最適化する際、 前記記憶素子に あらカゝじめ記憶された前記マイク口可動部駆動機構の制御電圧の最適制御ステッ プを用いて段階的に調整する。
この一実施形態のマイク口発振器によれば、 いろいろなマイク口共振装置ある いはマイク口発振器に対しても、 予測された制御幅で簡便に周波数のズレを調整 することができる。 また、 制御ステップを段階的に行なうことにより、 正確に定 常状態の出力周波数を確認して制御できるため、 周波数を精度よく短時間に調整 することができる。
また、 この発明の無線通信機器は、 送信部と、 受信部と、 前記送信部からの送 信信号と前記受信部への受信信号とを分離するデュプレクサと、 前記送信信号を 電波として送信すると共に前記受信信号を電波として受信するアンテナと、 少な くとも前記送信部および前記受信部に接続された前記マイクロフィルタ装置とを 備えることを特徴としている。
この発明の無線通信機器によれば、 前記マイクロフィルタ装置を備えるので、 外部環境の変動やマイク口共振装置そのものの内部変動によって、 前記マイク口 フィルタ装置の周波数特性に変動が生じても、 通信状態と対比しながら前記マイ クロ可動部の制御を行ない、 前記周波数特性を調整し、 通信状態を最適に保つこ とができる。
また、 この発明の無線通信機器は、 送信部と、 受信部と、 前記送信部からの送 信信号と前記受信部への受信信号とを分離するデュプレクサと、 前記送信信号を 電波として送信すると共に前記受信信号を電波として受信するアンテナと、 少な くとも前記送信部および前記受信部に接続された前記マイク口発振器とを備える ことを特徴としている。
この発明の無線通信機器によれば、 前記マイクロ発振器を備えるので、 外部環 境の変動やマイク口共振装置そのものの内部変動により、 前記マイク口発振器の 周波数特性に変動が生じても、 前記マイクロ可動部を調整して前記周波数特性変 動を補正あるいは最適化することができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置を示す構成図である。 図 2は、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置におけるマイク口共振体 の模式断面図である。
図 3は、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置におけるマイク口共振体 の模式断面図である。
図 4は、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置における他のマイクロ共 振体の模式断面図である。
図 5は、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置における他のマイクロ共 振体の模式断面図である。
図 6は、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置におけるマイク口共振子 の周波数と振幅の関係図である。
図 7は、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置におけるマイク口可動部 の接触面の構成図である。
図 8は、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置におけるマイク口可動部 の接触面の平面図である。
図 9は、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置におけるマイク口可動部 の模式断面図である。
図 1 0は、 本発明の第 1の実施形態のマイクロ共振装置における他のマイク口 可動部の模式断面図である。
図 1 1は、 本発明の第 1の実施形態のマイクロ共振装置におけるマイクロ可動 部駆動機構を示す構成図である。
図 1 2は、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置におけるマイクロ可動 部駆動機構 (釣り合いの位置) を示す図 1 1の A 1 _Α 2模式断面図である。 図 1 3は、 本発明の第 1の実施形態のマイクロ共振装置におけるマイクロ可動 部駆動機構 (押し付けの位置) を示す図 1 1の A 1 _ A 2模式断面図である。 図 1 4は、 本発明の第 1の実施形態のマイクロ共振装置における他のマイク口 可動部駆動機構を示す構成図である。
図 1 5は、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置における他のマイク口 可動部駆動機構 (釣り合いの位置) を示す図 1 4の B 1—B 2模式断面図である。 図 1 6は、 本発明の第 1の実施形態のマイクロ共振装置における電極への印加 電圧と移動距離の関係図である。
図 1 7は、 本発明の第 1の実施形態のマイクロ共振装置における電極への印加 電圧と固定力 (作用する力の大きさ) の関係図である。
図 1 8は、 本発明の第 1の実施形態のマイクロ共振装置における固着防止機構 の模式断面図である。 図 1 9は、 本発明の第 1の実施形態のマイクロ共振装置における他の固着防止 機構の模式断面図である。
図 2 0は、 本発明の第 2の実施形態のマイク口共振装置を示す構成図である。 図 2 1は、 本発明の第 2の実施形態のマイク口共振装置におけるマイクロ共振 体の平面図である。
図 2 2は、 本発明の第 2の実施形態のマイクロ共振装置におけるマイクロ共振 体の平面図である。
図 2 3は、 本発明の第 2の実施形態のマイクロ共振装置におけるマイクロ可動 部駆動機構を示す構成図である。
図 2 4は、 本発明の第 2の実施形態のマイクロ共振装置におけるマイクロ可動 部構造を示す構成図である。
図 2 5は、 本発明の第 2の実施形態のマイクロ共振装置における他のマイク口 可動部構造を示す構成図である。
図 2 6は、 本発明の第 3の実施形態のマイク口共振装置を示す構成図である。 図 2 7は、 本発明の第 3の実施形態のマイクロ共振装置におけるマイクロ共振 体の模式断面図である。
図 2 8は、 本発明の第 3の実施形態のマイクロ共振装置におけるマイク口共振 体の模式断面図である。
図 2 9は、 共振子形状が円形の場合のマイクロ可動部接触面の平面図である。 図 3 0は、 従来のマイク口共振装置を示す構成図である。
図 3 1は、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置における別のマイク口 可動部駆動機構を示す構成図である。
図 3 2 A乃至図 3 2 Bは、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置におけ る別のマイク口可動部駆動機構を示す構成図である。
図 3 3は、 本発明の第 2の実施形態のマイク口共振装置における他のマイク口 共振体の平面図である。
図 3 4は、 本発明の第 2の実施形態のマイク口共振装置における他のマイク口 可動部駆動機構を示す構成図である。
図 3 5 A乃至図 3 5 Fは、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置におけ る製造方法を示す工程図である。
図 3 6 A乃至図 3 6 Cは、 本発明の第 1の実施形態のマイク口共振装置におけ る他の製造方法を示す工程図である。
図 3 7 A乃至図 3 7 Cは、 本発明の第 3の実施形態のマイクロ共振装置におけ る製造方法を示す工程図である。
図 3 8 A乃至図 3 8 Fは、 本発明の第 2の実施形態のマイク口共振装置におけ る製造方法を示す工程図である。
図 3 9は、 本発明の第 4の実施形態のマイクロフィルタ装置または第 5の実施 形態のマイク口発振器を示す構成図である。
図 4 0は、 本発明の第 4の実施形態のマイクロフィルタ装置または第 5の実施 形態のマイクロ発振器における制御値を説明するための制御電圧と周波数の関係 図である。
図 4 1は、 本発明の第 4の実施形態のマイクロフィルタ装置または第 5の実施 形態のマイクロ発振器における制御動作を説明するためのタイミングチャートで ある。
図 4 2は、 本発明の第 6の実施形態の無線通信機器を示す簡略構成図である。 図 4 3は、 本発明の第 7の実施形態の無線通信機器を示す簡略構成図である。 発明を実施するための最良の形態
以下に、 本発明の好適な実施形態について添付の図面を参照して説明する。
(第 1の実施形態)
図 1は、 本発明によるマイク口共振装置の第 1の実施形態を示す構成図である。 基板 1 0に形成され、 選択されたパラメーターの変動に応答して振動するマイ クロ共振子 1 1とその支持部 1 2からなるマイクロ共振体 1 3と、 外部からの操 作によってマイクロ共振体 1 3に機械的あるいは力学的に作用することによって、 前記マイクロ共振子の共振周波数、 あるいは共振ピークにおける振幅増幅率、 あ るいは入力可能信号強度を変えることのできるマイクロ可動部 1 6を備えている。 本実施例においては、 基板 1 0に S O I基板を用い、 マイク口共振子 1 1に不 純物のドープされた単結晶シリコンを用いているが、 本発明は、 基板材料や、 マ ィク口共振子材料および形態を限定するものではなく、 S O I基板の代わりにシ リコン単結晶基板、 G a A s基板、 ガラス基板などを使用してもかまわない。 ま た、 不純物のドープされた単結晶シリコンの変わりに、 不純物のドープされた多 結晶シリコン膜あるいはアモルファスシリコン、 S i G e膜、 S i C膜、 N i、 タングステン、 さらには、 窒化タングステン、 窒化タンタルなどの高融点金属の 窒化物を用い、 図 3 0に示す従来例のごとき形態のマイクロ共振子を用いること もできる。
また、 本実施例においては、 入力電極 1 5から与えられる高周波電気信号のう ち、 マイクロ共振子 1 1の共振周波数近傍の周波数信号における変動に選択的に 応じてマイクロ共振子 1 1が振動する力 入力方式や入力信号はこれに限るもの ではなく、 低周波の圧力変動や音響信号、 機械振動を与えてもかまわない、 マイ クロ共振子 1 1の共振周波数を所望の周波数になるよう設計することで、 同様に 選択的に応答させることができる。
本実施例において、 マイクロ可動部 1 6は、 外部からの操作の際にマイクロ共 振体 1 3に機械的あるいは力学的に接触する、 またはマイクロ共振体 1 3から離 れるように動かすことができ、 所定の力でマイクロ可動部 1 6を前記マイクロ共 振体 1 3に接触させたり、 あるいは接触させている力の大きさを変えたり、 接触 させる位置を変えたりすることができる駆動機構 1 7を備えている。 1 8は、 マ イク口可動部 1 6とマイクロ共振体 1 3の接触面を示す。
図 2から図 5を用いてマイクロ可動部 1 6をマイクロ共振体 1 3に接触させる、 つまり機械的あるいは力学的に作用させることの効果を説明する。 図 2は、 図 1 に示した第 1の実施形態のマイクロ共振子 1 1について、 長さ方向の断面を示し たものである。 この断面図からわかるようにマイク口共振子 1 1はマイク口共振 子支持部 1 2と接触する下部にくらべ、 上部は共振子の自由度が高く、 マイクロ 共振子の共振周波数に関わる実効長さ 2 1は、 実際に計測できるマイク口共振子 の長さ 2 0よりも少し長くなっている。 ここで用いた共振周波数に関わる実効長 さについて説明する。 いかなる形態の共振子においても、 共振子を振動させるた めには共振子を少なくとも支持する必要があるが、 共振子を理想的に点や面で支 持あるいは固定することは事実上困難である。 どうしても 3次元的 (立体的に) にマイク口共振子に接触する支持部の振動への関与を完全に無くすことはできな い。 とくにマイクロ共振体のように、 微細になればなるほど製造プロセスの限界 もあり支持構造の接触する領域の割合の相対的な大きくなり、 構造上この支持部 の振動への関与を無視できなくなる。 このため、 実際のマイクロ共振子の共振周 波数は、 マイクロ共振子の外形寸法で決まる値からずれることになる。 そこで、 この共振周波数のずれを考慮したマイク口共振子の共振周波数に関わる寸法を実 効寸法としている。 図 2に示したマイクロ共振子の場合、 共振周波数のずれ分を マイク口共振子の長さの外形寸法との差ととらえ、 得られた共振周波数から求め たものをマイクロ共振子の実効長さとして用いている。
そこで、 図 3に示すように、 マイクロ可動部 1 6をマイクロ共振子 1 1の支持 端付近で比較的自由度の高いところに接触させると、 マイクロ共振子 1 1の支持 端付近の自由度が変わり、 マイクロ共振子 1 1の振動領域と振幅の分布形状が変 わる。 これによつてマイクロ共振子 1 1の共振周波数を変えることができるので ある。 多くの場合、 共振周波数変更後のマイクロ共振子の実効長さ 2 2は、 マイ クロ共振子の下部の長さ 2 0とマイクロ可動部 1 6間の長さ 2 3の間に位置して いる。
図 3 0に示す従来例のごときマイクロ共振体では、 図 4に示すように、 支持端 付近にも振動に対するある程度の自由度が存在するために、 マイク口共振子 2 4 の実効長さ 2 5は、 共振子下側寸法 2 6よりも長くなる。 このような場合におい ても、 図 5に示すように、 マイク口可動部 3 0をマイク口共振子 2 4の支持端付 近に接触させることによりマイク口共振子 2 4の振動領域と振幅の分布形状が変 わる。 これによつて共振周波数を変えることができる。 ここで、 マイクロ可動部 3 0をマイクロ共振子 2 4に接触させる位置は、 マイクロ共振子 2 4の上面 3 6 に限るものではない。 たとえば、 マイク口共振子 2 4並びに支持部 3 4の側面 3 5でもよい。 図 4に示すように、 支持端の自由度が比較的高いマイクロ共振体の 場合には、 マイク口共振子の振動が支持部側に広がりやすいために支持端付近の いずれかの場所にマイク口可動部を接触させて、 支持部側への振動エネルギーの 口スを抑制する、 つまり支持側への振動エネルギーの吸収を制御することによつ 口共振体の共振周波数など共振特性を制御できる。 次に、 具体例に基づき、 第 1の実施形態に従いマイクロ共振体の共振周波数が 調整できることを示す。 図 6に、 図 4に示すような形態のマイク口共振体でマイ ク口共振子の中央に様々な周波数の振動を与えたときに共振子の応答を求めた結 果を示す。 共振体にはポリシリコン膜を用いている。 共振体の寸法は、 下部の長 さ 5 . 0 i m、 上部の長さ 7 . 4 111、 高さ 1 . 0 μ m、 幅 1 . 0 μ mとした。 また、 マイクロ可動部の接触面の大きさは 1 . Ο μ ιη Χ Ι . Ο μ πιである。 周 波数を横軸に縦軸に共振子の応答 (振幅) を示している。 グラフの曲線 Αは、 マ イク口共振体にマイクロ可動部を接触させていないときの結果で、 曲線 B、 Cは、 図 5に示すように、 マイクロ共振体上面に (片側のみ) マイクロ可動部の位置を 変えて接触させたときの結果である。 B、 Cは、 それぞれマイクロ共振子下側の 端位置 (交差位置) から共振子の中央よりに 0 . 1 μ m、 支持側よりに 0 . 5 μ mずらした位置に接触させた場合に対応する。 Aと Bの結果において共振周波数
(中心周波数) は 2 0 7 . 0 9 MH zから 2 2 0 . 2 3 MH zに変化しており、 その変化量は 6 . 3 4 %であった。 しかも、 本例は、 周波数を高める側に調整が 可能なことを示している。 また、 共振ピークにおける振幅増幅率 (Q値) は、 2 1 . 5 %変化している。 このように、 マイクロ可動部をマイクロ共振体に接触さ せ、 マイク口共振子に作用させることでマイク口共振子の共振周波数および共振 ピークの振幅増幅率が容易に調整可能となつた。
ここでは、 マイクロ共振体が非常に硬く、 マイクロ可動部の接触によって起こ るマイクロ共振体の変形が無視できる程度である場合を示したが、 実際には、 力 学的に押し付けることによって、 マイクロ共振体に僅かな変形が起こつており、 厚さ、 曲率などの寸法の変化とともに、 局所的な応力の発生■ひずみ■密度変化 などをひきおこすことによってマイクロ共振子の共振周波数を変化させることが できる。 図 5に示した例においても、 マイクロ可動部の押し付ける力を弱めたり、 押し付ける位置をより自由度の小さいところに変えたりすると、 マイクロ可動部 のマイク口共振体との接触部の振動を拘束力が弱まり、 共振周波数の変化量を少 なくすることができる。 マイクロ共振体にシリコンではなく、 金属材料やプラス チックなど硬度の低い材料を用い、 マイクロ可動部にシリコンや酸化シリコン、 口共振体より硬度の高い材料を用いた場 合により変形の効果は大きくなる。
ここで、 上述の結果が従来技術では如何に実現困難な結果であるかについて以 下に説明する。 通常 MEMS共振子に使用される厚さ 2 μπιのシリコンあるいは ポリシリコンを、 現在の最先端の L S Iプロセスに使用される微細加工技術を用 い、 さらに最善のケースとして、 マスク 1枚で共振子の寸法を決める加工ができ ると仮定する。
まず、 2 μπι厚のシリコンあるいはポリシリコンを加工するためのマスクには、 通常のゲートポリシリコンの加工に使用するレジストにくらべ厚さが 2〜 3倍の 厚膜レジストを用いる力 \ 酸化シリコン膜などのハードマスクを用いる必要があ るため、 共振子の寸法に応じて加工マージンとして誤差が含まれる。 誤差の量は、 最善のケースを想定しても、 共振子の寸法が数 // m程度のとき ± 0. 0 3 μιη、 数 1 0 jum程度のとき土 0. 0 5 zm、 数 1 00 //m程度であれば土 0. 1 μ m程度見込まれる。
次に、 厚さ 2 μπιのシリコンあるいはポリシリコンの加工において、 条件の最 適化と処理時制御に細心の注意を払い、 側壁の凹凸を 0. O l xm以内に押さえ ることができ、 側壁の角度が 8 9 ± 1度の範囲で加工できたとして、 側壁角度 のばらつきは、 寸法にして 0. 0 3 5 μΐηに相当する。 共振子の長さとしては両 側の加工が影響するので少なくとも計 0. 0 9 xmの誤差が発生することになる。 これらの加工精度のばらつきを考慮すると、 例えば、 共振子の設計寸法が 1 0 0 μιηの場合、 加工ばらつき 0. 2 μ mをふくむと、 共振周波数は 1. 6 5 7M
H zから l. 6 70MH zまで 0. 8 %ばらつくことになるが、 これを従来のバ ィァス電位で制御するとなると、 制御電圧は、 0. 2 V以下になる。 ばらつき範 囲としては狭いが、 共振子のサイズが 1 00 μηιのため電圧降下を考えると、 制 御電圧が低く過ぎて制御困難となる。 共振子の設計寸法 1 0 / mの場合、 加工ば らつき 0. 1 2 //mを含むと、 共振周波数は 1 6 2. 43 8MH zから1 6 6.
7 6 0MHzまで 2. 60%ばらつくことになるが、 これを従来のバイアス電位 で制御するとなると、 制御電圧は、 1 70V以上必要になる。 これは、 前述の通 り集積回路に組み込むことを考えると大きすぎて適用困難である。 設計寸法 6 μ mの場合、 加工ばらつき 0. 0 9 μπιを含むと、 共振周波数は 448. 5 54Μ H zから 4 7 6 . 2 9 3 MH zまで 6 . 0 0 °/0のばらつきとになる。 共振周波数 への影響がさらに大きくなり、 これを従来のバイァス電位で制御するとすると、 制御電圧は、 7 0 0 V以上必要となる。
以上に示したように、 従来のバイァス電位による制御方法では、 現実的に制御 できる範囲は、 共振子寸法が数 1 0 μ m付近、 共振周波数が数 1 0 MH Z帯の限 られた領域となり、 第 1の実施形態で示したような制御を実現することはできな いことがわかる。 このことから容易に推測できるように、 共振子の電位の制御や、 外部からの電界、 あるいは電気的に制御する磁界で共振周波数を制御しようとす る方法では、 その適用できる周波数帯が極めて狭い範囲に限られてしまうことが わ力る。
また、 従来のイオン注入により共振子の密度を制御し共振周波数を変える方法 では、 上述したような、 加工精度のばらつきによる少なくとも数%以上の不確か さを密度で補償するために、 要求される周波数精度に応じて所望の共振周波数の ものが得られるよう注入量を振り分け、 その数に応じてマイク口共振子を基板上 に準備しなければならない。 し力、し、 注入前の段階で厳密な共振周波数がわから ないために、 少なくとも数 1 0、 数 1 0 0通りの振り分けが必要となる。 さらに、 注入前の共振子のばらついた寸法がどの共振子がどれだけばらついているのか 1 対 1にわかつているわけではないので、 実際には注入量を数 1 0 0通り振り分け ても、 等しく数百通りに密度を振り分けたものができるわけではなく、 所望の共 振周波数ものが得られるかどうか予測できない。 後工程の封入圧力のばらつきを 考慮すると、 さらに所望のものを得られる確率は低くなり、 最終的には、 集積回 路の一部に組み込むには、 あまりにもコストと時間を浪費する、 歩留まりの低い 手法となる。 このことから、 イオン注入同様に、 原子'分子の蒸着や付着により 共振子の密度あるいは膜厚で制御しようとする手法では、 第 1の実施形態のよう に集積回路の一部として組み込み共振周波数制御を実施することは困難である。 図 7にマイク口可動部 1 6とマイクロ共振体 1 3の好適な接触形態を示す。 マ ィク口可動部 1 6とマイク口共振体 1 3の接触する接触面 1 8は、 マイク口共振 子 1 1の支持端付近、 あるいは振動端付近が望ましい。 マイクロ共振子 1 1の主 たる振動部分ではなく、 支持端付近の振動の小さい部分に接触させることで、 マ イク口共振体 1 3とマイクロ可動部 1 6の密着性を高めることができ、 接触部の 不安定さのためにマイク口共振子 1 1の共振周波数が変動することを防止できる。 さらには、 マイクロ可動部 1 6とマイクロ共振体 1 3の交線のうち最もマイク 口共振子 1 1の振動が起こる側の交線 4 0が、 マイクロ共振子 1 1の主たる共振 周波数に関わる寸法の実効値を示す線分方向 4 1 (マイク口共振子の実効長さ方 向) に対してほぼ垂直に位置するように構成される。 このように配置することで、 平面方向のマイクロ共振子 1 1の実効長さばらつきを抑え、 また、 平面方向に高 次の共振モードが強められたり、 新たに発生したりすることを抑制できるため、 マイクロ共振子 1 1の共振ピークにおける振幅増幅率 (Q値) の劣化を抑えた共 振周波数の変更が可能となる。 ここで、 図 1、 図 3および図 5に示したように、 マイクロ可動部を作用させるのは、 必ずしもマイク口共振体の両端で行なう必要 はない。 いずれか一方にマイクロ可動部を作用させることにより共振周波数など 共振特性を変更する効果が得られる。
さらには、 図 8に示すように、 マイクロ可動部 1 6とマイクロ共振体 1 3の接 触によって形成される交線のうち、 最もマイクロ共振子 1 1の主たる振動がおこ る側に形成される交線 4 3力 マイクロ共振子 1 1とマイクロ共振子の支持部 1 2が形成する交線のうち最もマイク口共振体 1 1の主たる振動が起こる側に形成 された交線 4 2にほぼ平行に位置するよう構成するのが望ましい。 マイクロ可動 部 1 6が接触前のマイクロ共振子 1 1の平面方向における実効長さの分布に関わ つていた交線 4 2に対して、 交線 4 3がほぼ平行になるようにすることで、 マイ クロ可動部 1 6を接触させたときに、 接触前とは著しく異なる平面方向の振動モ ードをもつようになることを抑制し、 マイクロ共振子 1 1の共振ピークにおける 振幅増幅率 (Q値) の劣化を抑えた共振周波数の変更が可能となる。 ここでは、 図 3に示すごときマイク口共振子 1 1を例に示したが、 図 5に示すごときマイク 口共振子 2 4のような場合は、 図 5に示すように、 マイクロ可動部 3 0とマイク 口共振体 2 4の接触によつて形成される交線のうち、 最もマイクロ共振子 2 4の 主たる振動がおこる側に形成される交線 3 3が、 マイク口共振子 2 4とマイクロ 共振子の支持部が形成する交線のうち最もマイク口共振体 2 4の主たる振動が起 こる側から離れた交線 3 2にほぼ平行になるようにすることで同じ効果が得られ る。 これは、 マイクロ共振子 2 4の場合は、 マイクロ共振子の下側よりもむしろ 上面とマイクロ共振子の支持部との交線 3 2の方が、 マイクロ共振子 2 4の実効 長さに強く影響しているからである。
また、 図 8に示すように、 マイクロ可動部 1 6とマイクロ共振体 1 3の接触に よって形成される交線 4 3は、 マイクロ共振子 1 1とマイクロ共振子支持部 1 2 が形成する交線 4 2の位置から、 前記マイクロ共振子の主たる共振周波数に関わ る寸法の実効値を示す線分 4 4の端位置 4 5までの距離の 2倍の位置 4 6より、 マイク口共振体 1 1の主たる振動がおこる側に位置することが望ましい。 図 3に 示すごときマイクロ共振体 1 1では、 これ以上マイクロ共振子 1 1の主たる振動 の起こる側から遠い位置では、 マイクロ可動部 1 6を接触させてもマイクロ共振 子 1 1の共振周波数への寄与は小さいからである。
また、 マイクロ可動部 1 6とマイクロ共振体 1 1の接触によって形成される交 線 4 7は、 マイク口共振子 1 1とマイク口共振子支持部 1 2が形成する交線 4 2 の位置より、 マイクロ共振体 1 1の主たる振動が起こる側とは反対側に位置する ことが望ましい。 これ以上マイクロ共振子 1 1の主たる振動が起こる側に接触さ せると、 マイク口共振子支持部 1 2との重なり部分がなくなり、 マイク口共振子 1 1の可動部のみに接触すると、 マイクロ共振子 1 1からマイクロ可動部 1 6へ 振動エネルギーが伝わりすぎ、 振動エネルギーのロスが大きくなり、 共振ピーク における振幅増幅率が著しく低下してしまう。 また、 マイクロ共振子 1 1の振動 によりマイクロ可動部 1 6の固定力が変動し、 接触面の僅かな浮き上がりなどが 起こる危険性があり、 共振周波数が不安定になる。 図 5に示すごときマイクロ共 振体 2 4においても結果は同じである。
また、 図 8に示すごときマイクロ共振体 1 3では、 マイクロ共振子 1 1の幅よ りマイク口共振子支持部 1 2の幅が広くなっており、 マイク口共振子 1 1とはこ となる振動の固有値をもつよう構成してある。 これにより、 マイクロ可動部 1 6 が接触したときの接触面 1 8の幅も同様にマイク口共振子支持部 1 2側の方が広 くなり、 マイク口共振子支持部 1 2側の接触面内では振動を効率よく吸収し抑え ることができる。 幅が同じ、 すなわち、 同じ振動モードで振動しやすいと、 マイ ク口共振子の振動が支持部側に伝わりすぎて、 図 5に示すごときマイク口共振体 のように、 マイクロ共振子の実効長さがマイクロ共振子支持部の端の方まできて しまうことになる。 したがって、 図 5に示すごときマイクロ共振体においても、 マイクロ共振子支持部のところは、 マイクロ共振子と少なくとも幅が異なるよう にするのが望ましい。 ポリシリコンを用いた図 5に示すごときマイク口共振体で、 共振体の寸法が、 下部の長さ 5. 0 μπι、 上部の長さ 7. 4 111、 高さ 1. 0 μ m、 幅 1. Ο μπιの場合において、 支持部の幅がマイクロ共振子と同じ 1. Q μ mの場合と、 支持部のみ幅を 4. 0 /zmに広げた場合では、 支持部を 4. 0 に広げた方が、 共振周波数が約 1 0%高くなつた。 支持部の幅を広げることによ り支持側への振動の広がりを抑制して実効長さを短くすることができた。
さらに、 好適な実施形態では、 少なくともマイクロ共振体に直に接触するマイ クロ可動部の共振周波数は、 マイクロ共振子の共振周波数よりも大きくする。 こ こでは、 図 9に示すようにマイクロ可動部 5 0の先端部 5 1の幅 5 2を狭くし、 マイク口共振体に直に接する先端部 5 1の局所的な共振周波数をマイク口共振子 の共振周波数よりも大きくなるようにした。 先端 5 1は弹性定数も大きくなり非 常に振動しにくくなり、 これによつて、 図 6に示すように、 マイクロ可動部をマ イク口共振子に接触させても、 接触させない場合に比べて、 振動ピーク強度の低 下も少なく、 振動ピークの振幅増幅率 (Q値) の劣化を抑えた共振周波数の調整 が可能となる。 ポリシリコン膜をマイクロ共振体おょぴマイクロ可動部に用いた 図 5に示すごとき例で、 共振体の寸法が、 下部の長さ 2. 0 μ m、 上部の長さ 4. 4 πι、 高さ 1. Ο μπι、 幅 1. 0 ;umに対して、 長さ 1. 0 μ m、 幅 4. 0 μ m、 高さ 2. 0 /xmのマイクロ可動部を接触させた場合には、 マイクロ可動部も 振動し、 共振ピークの振幅の低下やサブ共振ピークの増大がみられたが、 図 9に 示すように、 マイクロ可動部の先端部を高さ 1. Ο /ίΐηにわたつて、 長さ 1. 0 /X m、 幅 1. 0 /X mにして、 先端部の局所的な共振周波数 (固有値) をマイク口 共振体よりも小さくすることによって、 図 6に示した結果のように、 サブ共振ピ ークの増大の見られないようにすることができた。
さらに好ましくは、 マイクロ可動部の先端部の大きさおょぴ形状を変え、 共振 周波数 (固有値) が異なる複数のマイクロ可動部を備え、 例えば、 マイクロ共振 体に対し、 2種類の共振周波数をもつマイクロ可動部を、 それぞれ、 一方の端と 他方の端に接触させることができるよう配置し、 共振周波数の大きい方とあまり 大きくない方のマイクロ可動部を使い分けて接触させることで、 共振ピーク強度 および共振ピークの振幅増幅率 (Q値) をあまり下げずに共振周波数を変更する 場合と、 共振ピーク強度および共振ピークの振幅増幅率 (Q値) をある程度下げ て共振周波数を変更する場合とに、 使い分けた制御が可能となる。 先端部の共振 周波数を変える好適な実施形態としては、 図 9に示すように、 先端部の幅 5 2を 小さくし、 この先端部の幅 5 2のみを変えることで容易に達成できる。 先端部の 共振周波数を変える方法はこれに限るものではないが、 このように共振周波数の 異なるマイクロ可動部を選択して接触させることによつて接触面内からのマイク 口共振子部の振動吸収や干渉の程度が変わるため、 共振周波数のみでなく、 振幅 の大きさをかえること、 つまり、 マイクロ共振子に入力可能な信号強度範囲を変 えることが可能となる。
また、 マイクロ共振体の両端に対し、 それぞれマイクロ可動部を用意し、 一つ はマイクロ共振子の実効長さを示す線分の端位置近傍に、 もう一つはマイクロ共 振子の実効長さを示す線分の端位置から少し離した位置に接触するように配置す る。 つまり、 これにより、 粗調整用に共振周波数を大きく変更させたい場合と、 さらに小さく共振周波数の微調整したい場合と、 マイク口可動部を使い分けて接 触させることができ、 マイク口可動部を一箇所のみ接触させて制御する場合に比 ベて、 振動ピーク強度の低下が少なく、 振動ピークの振幅増幅率 (Q値) の劣化 を抑えた、 広範囲のマイク口共振子の共振周波数精密調整が可能となる。
また、 好適な実施形態では、 マイクロ可動部とマイクロ共振体の接触部におい て、 可動する側であるマイク口可動部側の表面に固着防止層が形成されている。 図 1 0にその一例を示す、 マイクロ可動部 6 0の先端を覆うように固着防止層 6 1が形成されている。 固着防止層は少なくともマイクロ共振体 6 3の上部表面 6 2とは異なる材料で構成され、 接触時に圧力が加えられても圧着しにくい材料が 選ばれる必要がある。 また、 さらに望ましくは、 固着防止層材料の硬度は、 マイ ク口共振体おょぴマイクロ可動部の芯部分 6 4と硬度の異なる材料が選ばれる。 本実施例では、 マイクロ共振体に単結晶シリコン、 マイクロ可動部の固着防止層 にはシリコン窒化膜が用いられている。 さらに好ましくは、 マイクロ共振体表面と固着防止層表面はその平滑さにおい て異なるものであることが望ましく、 ここではマイクロ共振体のシリコン表面が 単調で平坦であるのに対し、 固着防止層の窒化シリコン膜表面は、 緩やかな曲線 部分が含まれており、 接触時に押し付けても完全に接触面すべてが密着せず、 微 小面積の空間あるいは隙間が残るよう構成されており、 固着を防止する構造にな つている。 また、 マイクロ共振体に単結晶シリコンではなく、 ポリシリコンを用 いた場合には、 マイクロ共振子表面が緩やかで大きな凹凸を有するため、 例えば、 フッ素系ガスプラズマで処理可能な通常のドライエッチング装置を用い、 例えば 等方エッチング条件を用いてシリコン表面の平滑化処理を行って、 マイクロ共振 子側表面に固着防止層を形成するとよい。 また、 この際、 6 6のように、 平滑化 の処理範囲は、 少なくともマイク口可動部の押し付け可能範囲を含むようにする のが望ましい。 平滑化の方法はこれに限るものではなく、 表面に例えば窒化シリ コン膜をコーティングして平滑化することもできる。 また、 マイクロ可動部側の 固着防止層の窒化シリコン膜側をマイクロ共振子側のポリシリコン膜表面よりも 単調で平坦な表面をもつように構成させてもよい。 これにより、 接触時に接触面 積をできるだけ確保しながら、 押し付けても完全に接触面すべてが密着せず、 微 小面積の空間あるいは隙間が点在して残るよう構成することができ、 接触時に固 着することを防止しながら、 接触による共振周波数の調整を繰り返し行なうこと ができる。
また、 好適は実施形態においては、 固着防止層は表面に近いほど小さな粒径の 結晶で構成されており、 表面層の粒径に依存する凹凸が小さく、 平坦あるいは単 調な曲線表面が形成されるようになっている。 また、 固着防止層の膜厚は、 マイ クロ共振体との接触時においても、 マイクロ可動部とマイクロ共振体が直流的に 絶縁されるのに十分な膜厚になっており、 これにより、 マイクロ可動部側の電位 およびマイクロ共振体の電位をそれぞれ独立に制御することができ、 マイクロ共 振体の電位は、 マイクロ共振体からの出力が最適化されるように調整でき、 一方 で、 マイクロ可動部側では、 電位をたとえば O Vに固定することができる。 これ によって、 マイクロ共振体側からマイクロ可動部への R F電位の漏れに対しても、 後述のマイク口可動部の駆動機構を安定動作できる。 また、 好適な実施形態においては、 図 1 0に示すように、 マイクロ可動部 6 0 のマイクロ共振子 6 3の実効寸法を示す方向の長さ 6 5は、 マイクロ共振子 6 3 の厚み、 あるいは、 マイクロ共振子の主たる振動方向の長さより長くなつている。 マイク口共振子 6 3の実効寸法を示す方向の長さ 6 5がマイク口共振子 6 3の厚 みより短くなつている場合には、 マイクロ共振子の主たる振動が起こる側から伝 わる振動エネルギーが、 マイク口可動部との接触部の下部を通過して反対側まで 伝わりやすくなり、 マイク口可動部を接触させても共振周波数の変化量は小さく、 効果的に共振周波数を変えることができなくなるためである。
マイク口可動部とマイク口共振体の接触部の押し付けられる力の方向は、 マイ クロ共振子の主たる共振周波数に関わる寸法の実効値を示す線分方向に対してほ ぼ垂直であることが望ましい。 図 3を例に説明すると、 マイクロ共振子 1 1の主 たる共振周波数に関わる寸法の実効値を示す線分 2 2の方向に対して、 マイクロ 可動部 1 6がほぼ垂直に押さえつけられることで、 マイクロ共振子 1 1上部の自 由度を効果的に拘束し、 マイクロ共振子 1 1の実効的な長さを効果的に変えるこ とができるからである。 このことは、 図 3に示すマイクロ共振体に限るものでは なく、 図 5、 図 2 2および図 2 8に示すごときマイクロ共振体についても同じ効 果が得られる。
さらに好適な実施形態においては、 マイクロ可動部とマイク口共振体の接触部 の押し付けられる力の方向は、 マイクロ共振体の主たる振動の方向に対してほぼ 平行に与えられる。 これは、 図 3に示すマイクロ共振体を例に説明すると、 マイ ク口可動部 1 6とマイクロ共振体 1 3の接触面は、 マイクロ共振子 1 1の振動方 向 3 7に対してほぼ垂直な面と連結していることが望ましく、 マイクロ可動部 1 6とマイクロ共振体 1 3の接触部の押し付けられる力は、 この接触面に対して垂 直に加えられる場合が、 マイクロ共振子 1 1の自由度を拘束し、 実効長さを変え るのに効果的だからである。 このことは、 図 3に示すマイクロ共振体に限るもの ではなく、 図 5及び図 2 2に示すようなマイクロ共振体についても同様に効果が 得られる。
次に、 マイクロ可動部に取り付けられた駆動機構 1 7の好適な実施形態につい て説明する。 マイクロ可動部の駆動機構は、 少なくともマイクロ可動部の押し付 け方向の駆動力を備えており、 図 3 1に示すように、 可撓性を有する圧電部材 1 2 0を備えたバイモルフ型圧電素子 1 2 9を用いることができる。 圧電素子 1 2 9の一方の端はバイモルフ素子固定部 1 3 0で基板上に固定されており、 もう一 方の端にマイクロ共振体 (図示せず) に接触するマイクロ可動部 1 2 8が備えら れている。 バイモルフ型圧電素子は、 例えば、 特開平 6 _ 1 5 5 3 5 5に開示さ れているように、 第 1の電極となる内部電極層 1 2 5と第 2の電極となる外部電 極層 1 2 6に電位差を与えることによってバイモルフ型圧電素子 1 2 9が湾曲し、 矢印 1 2 4のようにマイクロ可動部 1 2 8を備えた先端が移動する。 これによつ てマイクロ可動部 1 2 8に押し付け方向の駆動力を発生させることができる。 本 実施形態のように基板に平行な板状バイモルフ型圧電素子を用いれば、 基板上へ の作製も容易であり、 また、 圧電素子の電極に配線するだけでよいため、 占有面 積を小さくしたマイク口駆動機構が基板上に作製可能となる。 図 3および図 5に 記載のようにマイク口共振体の両端にマイク口可動部を押し付けることができる ようにするには、 図 3 1に示すごときマイクロ可動部駆動機構を、 さらに 1っ備 えればよい。
さらに好適なマイクロ可動部駆動機構の実施形態では、 厚み変形型の圧電部材 が備えられている。 図 3 1に示すように、 バイモルフ型圧電素子固定部 1 3 0に 厚み変形型圧電部材 1 3 1を用いれば、 厚み変形型圧電素子の制御電極 1 3 2お よび 1 3 3に電位差を与えることにより、 矢印 1 3 6のように厚み方向に変形し、 マイクロ可動部 1 2 8が備えられたバイモルフ型圧電素子 1 2 9を移動させるこ とができる。 この操作のみによってもマイクロ可動部 1 2 8を押し付け方向に移 動させることができるが、 バイモルフ型圧電素子固定部 1 3 0の高さを変えるこ とができるので、 バイモルフ型圧電素子 1 2 9と組み合わせて操作することによ つて、 マイクロ可動部 1 2 8の押し付け位置を変えることが可能となる。 本実施 形態によれば、 厚み変形型圧電素子は、 電極層と圧電体層を積層するだけで形成 できるため、 基板上への形成が容易であり、 占有面積の増加も抑えられる。
さらに好適なマイク口可動部駆動機構の実施形態では、 すべり変形型圧電部材 が備えられている。 図 3 2 Aに示すように、 すべり変形型圧電部材 1 4 1をバイ モルフ型圧電素子固定部 1 3 0に備えれば、 両側の電極層 1 4 6 , 1 4 7に電位 差を与えることで、 すべり変形型圧電部材 1 4 1は、 図 3 2 Bに示すように、 矢 印 1 4 9のように変形し、 バイモルフ型圧電素子 1 2 9を移動させることができ る。 この操作のみによってもマイクロ可動部 1 2 8の押し付け位置を変更するこ とができるが、 厚み変形型圧電素子 1 4 0やバイモルフ型圧電素子 1 2 9と組み 合わせることによって、 より再現性の高い、 高精度の押し付け位置の変更が可能 となる。
次に、 静電駆動型ァクチユエータを用いたマイクロ可動部駆動機構の好適な実 施形態について図 1 1から図 1 5を参照しながら説明する。 図 1 1に示すように、 マイクロ可動部の駆動機構は、 基板上に固定された第 1の電極 7 0と、 電極から 一定の距離に形成され、 マイクロ可動部 7 1と連結し、 外部から与えられる電圧 7 2により生じる第 1の電極 7 0との電位差によって、 第 1の電極 7 0に接近ま たは離れるように移動し、 これによりマイクロ可動部 7 1を動かすことができる 第 2の電極 7 3と、 第 2の電極 7 3の側面に電気的に連結し、 第 2の電極 7 3お よび電極に連結した構造を支持する弾性体 7 4とを備えている。 前述の従来例で 示したバイアス電位で共振周波数を制御する方法では、 入力電極に印加された電 圧と共振子に印加された電圧の電位差によって生じる静電力を利用するため、 電 極サイズが共振子の周波数で決まる共振子のサイズで自動的に限定され、 しかも 共振周波数を高くするためには電極面積は小さくせざるをえないため、 大きな静 電引力が得られず、 周波数制御に限界があった。 また、 共振子のサイズが小さく なると共振子の弾性定数が大きくなることから、 静電力の影響が相対的に小さく なり共振周波数の制御はさらに困難になったが、 本実施形態によれば、 共振周波 数を制御するためのマイクロ可動部を押し付ける力を得るための、 第 1の電極 7 0と第 2の電極 7 3のサイズを、 マイクロ共振子のサイズ (周波数) に関係なく 自由に設定でき、 かつ、 マイクロ可動部 7 1および第 2の電極 7 3に連結して支 持する弾性体のサイズ (弾性定数) も自由に設定できることから、 共振周波数の 制御範囲を広くすることが可能となる。 第 2の電極 7 3及びそれに連結した構造 をささえる弾性体 7 4にポリシリコンを用いて作製した場合で見積ると、 厚さ 1 . O mで幅 3 . 0 Ai m、 長さ 7 7. 0 ^ mのバネを繋いで折り返した構造で支持 するとパネ定数は 0. 9 NZm程度に小さくすることができる。 また、 第 2の電 極 7 3の面積を 1 0 0 0 0 μ πι 2とし、 第 1の電極 7 0と第 2の電極に電圧を印 加していない状態での距離を 1 . O /x mとすると、 マイクロ可動部 7 1をマイク 口共振体に押し付けるのに必要な電圧は、 第 2の電極を O Vの場合、 第 1の電極 に約 1 . 5 V印力口するだけでよいことになる。
さらに、 好適な実施形態では、 図 1 1および図 1 2は、 2組のマイク口可動部 駆動機構が連結しており、 図 3に示すマイク口共振子のようにマイク口共振子の 両端に同時に等しくマイクロ可動部を接触させることができる。 このような両端 を支持部 7 9が支える構造にすることによって、 第 2の電極 7 3を上下方向に動 力す際に、 水平方向のズレを抑制することができる。 また、 連結部 7 5により連 結した構成にすることによって、 第 2の電極 7 3および該電極に連結した構造を 支持する弾性体 7 4 (第 1段階のパネの形態 1 ) は、 第 1の電極 7 0と第 2の電 極 7 3が所定の距離まで接近すると、 マイクロ可動部 7 1がマイクロ共振体 8 0 (図 1 2にのみ図示) に接触し、 この距離からは、 支点位置が元の支点 7 9とマ イク口可動部 7 1とそれぞれ 2箇所ずつの計 4箇所で支える形態に変わる (第 2 段階のパネの形態 1 ) 。 そして、 マイク口可動部 7 1がマイク口共振体 8 0に接 触し、 押し込む段階から、 第 2の電極 7 3および該電極に連結した構造を支持す る構造の弾性係数を大きくすることができる。 これにより、 マイクロ可動部 7 1 をマイクロ共振体 8 0に接触させるまでの移動時には、 長さ 8 1およびそこに連 結する構造で決まる小さな弾性定数のため、 上述の例のように低電圧で移動でき、 マイクロ可動部 7 1がマイクロ共振体 8 0に接触してからは、 長さ 8 2およぴそ こに連結する構造で決まるため少なくとも前記長さ 8 1およびそこに連結する構 造で決まる弾性体よりも高い弾性定数となるため、 第 2の電極 7 3の移動距離を 抑えることができる。 これによつて、 第 2の電極 7 3を支持する弾性体の力が第 2の電極 7 3と第 1の電極 7 0の間に働く静電力に対して持ちこたえられなくな り、 第 2の電極 7 3が第 1の電極 7 0にくつついてしまう現象 (プル-イン) が 防止でき、 マイクロ可動部の押し込む力を強めることができるようになる。
さらに、 好適な実施形態では、 第 1の電極 7 0からの距離が、 第 1の電極 7 0 および第 2の電極 7 3に電位差が与えられていない釣り合いの位置における該電 極間の距離 8 7の 3分の 2のところまで、 第 2の電極 7 3が第 1の電極 7 0に近 づくよりも先に、 マイクロ可動部 7 1がマイクロ共振体に接するようになつてい る。 これにより、 第 2の電極 7 3が第 1の電極 7 0に近づきすぎてプル'インを 引き起こす前にマイクロ可動部 7 1をマイク口共振体に接触させることができる。 さらに、 好適な実施形態では、 図 1 1に示すように、 第 2の電極 7 3を支持す る弾 1"生体および第 2の電極 7 3に連結した構造は、 折れ曲がり部を備えている。 マイクロ可動部 7 1の上部には凹部 7 6が形成されており、 図 1 3に示すように、
(ただし、 わかりやすく説明するため図では変形量を強調して示してある) マイ クロ可動部 7 1の押し付け時に、 マイク口可動部に連結した部分に僅かな折れ曲 がりが発生することによって、 マイクロ可動部 7 1の下面が水平より傾くのを防 止し、 押し付ける力の方向が垂直方向からずれるのを抑制することができるよう になっている。 また、 第 2の電極 7 3の両側にも折れ曲がり部 7 7、 7 8が形成 されている。 これらは、 図 1 2に示す第 2の電極 7 3の両側にある弾性体の長さ 8 3 , 8 4によって決まるそれぞれの弾性定数の大きさによって折れ曲がり部の 幅を変えてある。 これにより、 図 1 3に模式的に強調して示したように、 マイク 口可動部 7 1の押し付け時に、 第 2の電極 7 3が水平より傾くのを防止し、 移動 方向が垂直方向からずれるのを抑制することができる。
さらに、 マイク口共振子の両側ではなく片側のみにマイク口可動部を接触させ る場合のマイクロ可動部駆動機構の好適な実施形態について、 図 1 4および図 1 5を参照して説明する。 本実施形態によれば、 前述のように、 マイクロ共振子の 両端に異なるマイクロ可動部を使い分けてマイクロ共振体に接触させること、 あ るいは、 粗調整用マイクロ可動部と微調整用マイク口可動部を使い分けてマイク 口共振体に接触させることができる。
図 1 4に示すように、 マイクロ可動部駆動機構は、 基板上に固定された第 1の 電極 9 0と、 該電極から一定の距離に形成され、 マイクロ可動部 9 1と連結し、 外部から与えられる電圧 9 2により生じる第 1の電極 9 0との電位差によって、 第 1の電極 9 0に接近または離れるように移動することによってマイクロ可動部 9 1を動かすことができる第 2の電極 9 3と、 第 2の電極 9 3の側面に電気的に 連結し、 第 2の電極 9 3および該電極に連結した構造を支持する弾性体 9 4 (第 1段階のパネの形態 2 ) とを備えており、 さらに、 第 2の電極 9 3およぴ該電極 に連結した構造を支持する弾性体 9 4には、 第 2支持部 9 5が形成されている。 このような構成で、 第 1の電極 9 0と第 2の電極 9 3が所定の距離まで接近する と、 第 2支持部 9 5およぴマイク口可動部 9 1がそれぞれ基板上の第 2支持部接 触面 9 6およびマイクロ共振体 1 0 0 (図 1 5にのみ図示) に接触し、 この距離 からは、 支点位置が元の支点 9 7、 第 2支持部 9 5およびマイクロ可動部 9 1の 3箇所で支える形態に変わる (第 2段階のパネの形態 2 ) 。 そして、 マイクロ可 動部 9 1がマイク口共振体 1 0 0に接触し、 押し込む段階から、 第 2の電極 9 3 を支持する構造の弹性係数を大きくすることができる。 これにより、 マイクロ可 動部 9 1をマイク口共振体 1 0 0に接触させるまでの移動時には、 長さ 1 0 1内 の構造で決まる小さな弾性定数のため、 低電圧で多くの距離が移動でき、 マイク 口可動部 9 1がマイクロ共振体 1 0 0に接触してからは、 長さ 1 0 2内の構造で 決まる高い弾性定数となるため、 第 2の電極 9 3の移動距離を抑えられる。 これ により、 第 2の電極 9 3を支持する弹性体の力が第 2の電極 9 3と第 1の電極 9 0の間に働く静電力に対して持ちこたえられなくなり、 第 2の電極 9 3が第 1の 電極 9 0にくつついてしまうこと (プル'イン) が防止でき、 マイクロ可動部の 押し込む力を強めることができるようになる。 本実施形態によれば、 第 2支持部 9 5の位置を弾性体 9 4のどこかに任意に形成できるため、 マイクロ可動部 9 1 がマイクロ共振体 1 0 0に接触してからの、 長さ 1 0 2で決まる高い弾性定数を 任意に設定することができる。
さらに、 好適な実施形態では、 第 1の電極 9 0からの距離が、 第 1の電極 9 0 および第 2の電極 9 3に電位差が与えられていない釣り合いの位置における該電 極間の距離 1 0 5の 3分の 2のところまで、 第 2の電極 9 3が第 1の電極 9 0に 近づくよりも先に、 マイクロ可動部 9 1がマイクロ共振体に接するか、 あるいは 第 2支持部 9 5が基板上の第 2支持部接触面 9 6に接するようになつている。 こ れにより、 第 2の電極 9 3が第 1の電極 9 0に近づきすぎてプル-インを引き起 こす前にマイク口可動部 9 1をマイク口共振体に接触させることができる。 さらに、 好適な実施形態では、 第 1の電極 9 0からの距離が、 第 1の電極 9 0 および第 2の電極 9 3に電位差が与えられていない釣り合いの位置における該電 極間の距離 1 0 5力、ら、 マイクロ可動部 9 1がマイクロ共振体に接するまでの移 動距離 1 0 4、 あるいは第 2支持部 9 5が基板上の第 2支持部接触面 9 6に接す るまでの距離を引いた距離になるところまで、 第 2の電極 9 3が第 1の電極 9 0 に近づくと、 マイクロ可動部 9 1がマイクロ共振体に接する力、 あるいは第 2支 持部 9 5が基板上の第 2支持部接触面 9 6に接するようになつている。 これによ り、 第 2の電極 9 3が第 1の電極 9 0に近づきすぎてプル ·インを引き起こす前 にマイク口可動部 9 1をマイク口共振体に接触させることができる。
さらに、 好適な実施形態では、 図 1 4に示すように、 第 2支持部 9 5およびマ イク口可動部 9 1は、 それぞれ上部に凹部 9 9 , 9 8を備えている。 これにより、 マイク口可動部 9 1の押し付け時に、 マイク口可動部に連結した部分に微小量の 折れ曲がりが発生することによって、 マイクロ可動部 9 1およぴ第 2支持部 9 5 の下面が水平より傾くのを防止し、 押し付ける力の方向が垂直方向からずれるの を抑制し、 また、 第 2の電極 9 3が水平より傾くのを防止して移動方向が垂直方 向からずれるのを抑制することができる。
次に、 具体例に基づき、 マイクロ可動部をマイクロ共振体に押し付ける固定動 作の途中で弾性定数を切り替えることの効果を説明する。 図 1 6は、 図 1 4に示 すごときマイクロ可動部を用いたときの、 第 1の電極に印加する制御電圧とマイ クロ可動部の移動距離 ( z ) の関係 (図 1 6 ) および第 1の電極に印加する制御 電圧とマイクロ可動部の固定力の関係 (図 1 7 ) を示している。 ここではマイク 口可動部は制御電圧 2 0 Vでマイク口共振体に接触するよう設計してある。 マイ クロ可動部の移動は、 第 1の電極と第 2の電極の電位差によって起こるが、 ここ では、 第 2の電極に固定電位として O Vが印加してあり、 第 1の電極に印加する 制御電圧のみでマイクロ可動部を操作している。 図 1 6に示す破線は、 第 2支持 部なし (第 1段階のパネの形態 2のみ) の結果で、 この場合、 マイクロ共振体と の接触後、 急速に移動距離が伸び、 プル'インの危険性が高まっていることがわ カる。 し力 し、 実線で示す本発明の実施形態によれば、 マイクロ共振体との接触 後、 殆ど距離は伸びておらず、 完全にプル'インが抑制されていることがわかる。 図 1 7に示すように、 第 2支持部なし (第 1段階のパネの形態 2のみ) の場合 は、 点線の曲線 bが示すように、 マイクロ共振体に接触後 (> 2 0 V) 、 固定力 が急速に大きくなつている。 これは、 プレ 'インの危険性が高まっていることを 示すと同時に、 固定力が制御しにくい手法であることを示している。 マイクロ共 振体に接触するまでの移動距離を低電圧で行なうためには、 第 1段階のパネ形態 2の弾性定数を大きくすることができず、 また、 弾性定数が低いと、 接触後も電 極間の距離がどんどん減少する。 したがってプル ·ィンの危険性を避けるために は、 制御電圧を上げられず、 結局、 高い固定力も得られない。 ところが、 本発明 の実施形態によると、 実線の曲線 aが示すように、 マイクロ共振体との接触後に おいても、 プル.インの危険性がないため、 制御電圧を上げることができ、 固定 力は、 ほぼ線形と見なせる増カロ傾向を示している。 マイクロ共振体との接触後の 押し込み段階における固定力の制御性が著しく改善されていることがわかる。 曲 線 cおよび dは、 効果の説明のために、 途中から第 2支持部に切り替わる本実施 例の場合において、 それぞれ第 1段階のパネの形態 2、 第 2段階のパネの形態 2 が寄与する固定力を分離して示したものである。 これから明らかなように、 マイ クロ共振体と接触後は、 第 1段階の形態 2のパネは殆ど変化しておらず、 接触後 の押し込み段階では、 殆ど弾性定数の大きな第 2段階の形態のパネで固定力が決 まっている事がわかる。 移動距離の必要な接触前の段階では、 弱い力で移動がで きるよう、 低い弾性定数の第 1段階のパネ形態 2で、 そして、 接触後の押し込み 段階では、 移動を抑えて高い固定力が得られるよう、 高い弾性定数の第 2段階の パネ形態 2に切り替えるのである。 この切り替えを最適化することで、 上述のよ うな接触後の押し込み段階の実用域で線形性を改善し、 極めて高い制御性を得る ことができる。
さらに好適な実施形態では、 マイクロ可動部は、 図 1 8に示すように、 第 1の 電極 1 1 0と第 2の電極 1 1 1に電位差が与えられていない釣り合いの位置にあ るときの第 2の電極 1 1 1から一定の距離に、 第 1の電極 1 1 0とは反対側に形 成され、 外部から与えられる電圧 1 1 3により生じる第 2の電極 1 1 1との電位 差によって、 第 2の電極 1 1 1およぴ該電極に連結したマイク口可動部に駆動力 を与えることが出来る第 3の電極 1 1 2を備えている。 これによつて、 マイクロ 可動部とマイクロ共振子が固着して元の釣り合いの位置にもどらなかつた場合に おいても、 外部からの入力によって、 第 2の電極 1 1 1を上下方向にゆすり動か すことができるため、 これによつて第 2の電極に連結しているマイクロ可動部を 上下方向に力を加えながらゆすり動かし、 固着したマイクロ可動部をマイクロ共 振体から離すことができるため、 マイクロ共振装置を解体することなく、 マイク 口共振装置としての機能を復旧させる事ができる。 この際、 第 3の電極へ外部か ら与えられる電圧 1 1 3は、 電圧を徐々に上げていくことでも効果がある力 好 ましくは、 パルス信号や R F信号のように周期的な電圧の昇降を含む入力、 ある いは、 周期的なオン'オフ制御を含む入力により、 変動を与えることが望ましい。 さらには、 第 1の電極と連動させて、 交互に周期的な電圧の変化を与えると、 よ り効果が得られる。
さらに好適な実施形態では、 マイク口可動部の駆動機構は、 図 1 9 (図 1 4の C I— C 2方向の断面) に示すように、 第 1の電極 1 1 5と第 2の電極 1 1 6が 対向する方向に対して直交する方向に、 マイクロ可動部と連結した第 2の電極 1 1 6から一定の距離に形成され、 外部から与えられる電圧 1 1 8により生じる、 第 2の電極 1 1 6との電位差によって、 第 2の電極と連結した前記マイクロ可動 部に対し、 第 1の電極 1 1 5と第 2の電極 1 1 6が対向する方向に対して直交す る方向にゆすり動力すための駆動力を与えることができる第 4の電極 1 1 7を備 えている。 ここで、 第 4の電極 1 1 7と一定の距離に対向するのは必ずしも第 2 の電極である必要はなく、 マイク口可動部に連結した構造であり第 2の電極に電 気的に連結した場所であればよく、 電極の設置に自由度が高く、 さらに、 第 4の 電極が第 2の電極と同じ層あるいは別の層に作製可能なため、 上述の第 3の電極 を用いる方法よりもプロセスの簡略化によってコスト削減が図れる。 また、 第 4 の電極 1 1 7は、 図 1 9に示すように、 第 2の電極 1 1 6、 あるいは、 マイクロ 可動部に連結した構造の両側に対向する向きに設置するとができるため、 第 1の 電極 1 1 5を用いなくても、 上述と第 3の電極 1 1 2と第 1の電極 1 1 0を用い る方法と同様の固着を取り外す操作が可能となる。
静電駆動型ァクチユエータを用いる場合には、 圧電素子を用いる場合と比較し て、 駆動力を発生するための電極を作製するためのスペースを基板上に確保しな ければならないが、 ポリシリコンなど通常の MEM Sプロセスや CMO Sプロセ スで用いられている材料が使え、 基板垂直方向および基板水平方向の駆動力の発 生が容易にかつ薄膜で実現可能となる。 (第 2の実施形態)
本発明の第 2の実施形態として、 基板に対して平行な方向に振動するマイクロ 共振子に本発明が容易に適用できることを、 図 2 0を参照しながら説明する。 基板 2 1 0上に形成され、 選択されたパラメーターの変動に応答して振動する マイクロ共振子 2 1 1とその支持部 2 1 2からなるマイクロ共振体 2 1 3と、 外 部からの操作によってマイクロ共振体 2 1 3に作用することによって、 前記マイ クロ共振子の共振周波数、 あるいは共振ピークにおける振幅増幅率、 あるいは入 力可能信号強度を変えることのできるマイクロ可動部 2 1 6を備えている。 本実施例においては、 基板 2 1 0にシリコン基板を用い、 マイクロ共振子 2 1 1に不純物のドープされたポリシリコンを用いている。 そして、 入力電極 2 1 5 から与えられる高周波電気信号のうち、 マイクロ共振子 2 1 1の共振周波数近傍 の周波数信号における変動に選択的に応じてマイクロ共振子 2 1 1が振動する。 ここで、 入力電極 2 1 5は、 マイクロ共振子 2 1 1に対して、 マイクロ可動部 2 1 6と同じ側に配置されるのが望ましい。 マイクロ共振子 2 1 1と入力電極 2 1 5の電位差によって、 マイク口共振子 2 1 1の振動の中心が、 僅かに入力電極 2
1 5側に移動しても、 マイクロ可動部 2 1 6接触面のマイクロ共振子の主たる振 動が起こる側ェッジがしつかり接触するようにするためである。
本実施例において、 マイクロ可動部 2 1 6には、 外部からの操作の際にマイク 口可動部 2 1 6をマイクロ共振体 2 1 3に接触させ、 または離すように、 マイク 口可動部 2 1 6を動力すことができ、 所定の力でマイクロ可動部 2 1 6をマイク 口共振体 2 1 3に接触させ、 あるいは接触させている所定の力の大きさを変える ことができるマイクロ可動部の駆動機構 2 1 7を備えている。 2 1 8は、 マイク 口可動部 2 1 6とマイクロ共振体 2 1 3の接触面を示す。
図 2 1を用いてマイクロ可動部 2 1 6をマイクロ共振体 2 1 3に接触させるこ との効果を説明する。 図 2 1は、 図 2 0に示した第 2の実施形態のマイクロ共振 子 2 1 1について、 主たる共振周波数に関わる寸法、 つまり共振子の長さの実効 値を表す方向の平面図である。 図 2 1に示すように、 マイクロ共振子 2 1 1の支 持端は自由度が高いために、 マイクロ共振子 2 1 1の実効長さ 2 2 5は、 共振子 下側寸法 2 2 6よりも長く、 共振子上側の寸法 2 2 7に近くなる。 このような場 合においても、 図 2 2に示すように、 マイクロ可動部 2 1 6をマイクロ共振子 2 2 1の支持端付近における自由度の高いところに接触させることにより、 マイク 口共振子 2 1 1の実効長さが変わり、 共振周波数を変えることができるのである。 このように、 本実施形態によって、 第 1の実施形態同様に、 容易にマイクロ共振 子の共振周波数を変えることができる。 多くの場合マイクロ共振子 2 1 1の実効 長さ 2 2 5は、 マイクロ共振子の下部の長さ 2 2 6とマイクロ可動部 2 1 6間の 長さ 2 2 9の間に位置している。
また、 図 3 3に示すマイクロ共振体 2 4 3のように、 マイクロ共振子 2 4 1の 支持部 2 4 2が長い場合、 あるいは、 マイクロ共振子が曲がった形状の場合には、 マイクロ共振子の振動領域が 2 4 9のように広がるため、 マイクロ可動部 2 4 6 は、 振動端付近の例えば側面 2 5 0に接触させると効果的である。
次に、 図 2 0に示したマイク口可動部の駆動機構 2 1 7の好適な実施形態につ いて、 図 2 3を参照しながら説明する。 図に示すように、 駆動機構は、 基板上に 固定された第 1の電極 2 7 0と、 該電極から一定の距離に形成され、 マイクロ可 動部 (図示されていない) と連結部 2 8 6で連結し、 外部から与えられる電圧に より生じる第 1の電極 2 7 0との電位差によって、 第 1の電極 2 7 0に接近また は離れるように移動することによってマイクロ可動部を動かすことができる第 2 の電極 2 7 3と、 第 2の電極 2 7 3の側面に電気的に連結し、 第 2の電極 2 7 3 およぴ該電極に連結した構造を支持する弾性体 2 7 4とを備えている。 図 2 3に 示すように、 本実施形態では、 第 1の電極 2 7 0と第 2の電極 2 7 3は櫛型をし ており、 それぞれの櫛部が一定の距離 2 8 7で形成されている。 そして、 第 2の 電極 2 7 3の櫛部が第 1の電極 2 7 0の櫛部に接近または離れるように移動する。 これにより、 基板に対して平行な方向に振動するマイクロ共振子に対しても、 容 易に、 マイクロ可動部を接触させ、 押し付けたり、 離す方向に移動させたりする ことができる。 ここでは、 櫛部が櫛の長さ方向に対して垂直方向に電極が動く場 合を示したが、 櫛の長さ方向に対して平行な方向に電極が動く音叉型の櫛型電極 を用いても同様にマイク口可動部に駆動力を与えられることは明らかである。 本実施形態によれば、 第 1の電極 2 7 0、 第 2の電極 2 7 3およぴ該電極に連 結した構造、 ならびにそれを支持する弾性体 2 7 4の全てが、 マイクロ共振体と 同じ層で形成可能なため、 基板に対して垂直方向に振動するマイク口共振子の上 に形成した図 1 1および図 1 4に示したマイクロ可動部の駆動機構に比べ、 さら にプロセスの簡略化ならびにコスト削減が図れる。 さらに、 共振周波数を制御す るためのマイクロ可動部を押し付ける力を得るために、 第 1の電極 2 7 0と第 2 の電極 2 7 3の櫛サイズおよび本数を、 マイクロ共振子のサイズ (周波数) に関 係なく自由に設定でき、 かつ、 マイクロ可動部および第 2の電極 2 7 3に連結し て支持する弾性体 2 7 4のサイズ (弾性定数) も自由に設定できることから、 共 振周波数の制御範囲が広くすることが可能となる。 図 2 3に示すごとき駆動機構 をポリシリコンで作製し、 櫛の厚さを 1 . Ο μ ιη、 長さを 5 0 . Ο μ πι、 櫛の本 数を 1 0 0本、 電圧を印加しない状態での第 1の電極 2 7 0と第 2の電極 2 7 3 の距離 2 8 7を 2 . 0 mとし、 弾性体 2 7 4を厚さ 1 . O /x m、 長さを 1 0 0 . 0 μ τα, 幅 3 . 0 μ πιとすると約 2 O Vの電圧でマイクロ可動部を押し付けるこ とができる。 移動距離を増やす、 あるいは駆動力を得るのに必要な電圧を低くす るには、 弾性体の弾性定数を小さくする力、 櫛型電極を長くするかあるいは本数 を増やすことで容易に達成できる。 例えば、 弾性体の長さを 2倍するとマイクロ 可動部を押し付けるための電圧を 7 Vに低減することができる。
さらに好適な実施形態では、 図 2 3に示すように、 マイク口可動部の駆動機構 は、 第 2の電極 2 7 3から一定の距離に、 第 1の電極 2 7 0とは反対側に形成さ れ、 外部から与えられる電圧により生じる第 2の電極 2 7 3との電位差によって、 第 2の電極 2 7 3および該電極と連結部 2 8 6で連結するマイクロ可動部 (図示 されていない) に駆動力を与えることが出来る第 3の電極 2 9 0を備えている。 図 2 3に示すように、 本実施形態では、 第 3の電極 2 9 0は櫛型をしており、 その櫛部が第 2電極 2 7 3の櫛部と一定の距離 2 8 8で形成されている。 そして、 第 2の電極 2 7 3の櫛部が第 3の電極 2 9 0の櫛部に接近または離れるように移 動する。 これにより、 基板に対して平行な方向に振動するマイクロ共振子につい ても、 マイクロ可動部が固着してもとの釣り合いの位置に戻らなかった際に、 外 部からの入力によって、 第 2の電極 2 7 3を水平方向のマイクロ可動部を引き離 す方向にゆすり動力すことができ、 これによつて第 2の電極 2 7 3に連結してい るマイクロ可動部を水平方向に力を加えながら動かし、 固着したマイクロ可動部 をマイク口共振体から離すことができるため、 マイク口共振装置を解体すること なく、 マイクロ共振装置としての機能を復旧させる事ができる。 この際、 第 3の 電極 2 9 0へ外部から与えられる電圧は、 電圧を徐々に上げていくことでも効果 があるが、 好ましくは、 パルス信号や R F信号のように周期的な電圧の昇降を含 む入力、 あるいは、 周期的なオン ·オフ制御を含む入力により、 変動を与えるこ とが望ましい。 さらには、 第 1の電極 2 7 0と連動させて、 交互に周期的な電圧 の変化を与えると、 より効果が得られる。 さらに、 本実施形態によれば、 第 1の 電極 2 7 0、 第 2の電極 2 7 3および該電極に連結した構造、 ならびにそれを支 持する弾性体 2 7 4とともに第 3の電極 2 9 0についても、 マイクロ共振体と同 じ層で形成可能なため、 プロセスの簡略化ならびにコスト削減が図れる。 さらに、 本実施形態によれば、 第 3の電極 2 9 0と第 2の電極 2 7 3のサイズを、 マイク 口共振子のサイズ (周波数) に関係なく自由に設定でき、 かつ、 マイクロ可動部 および第 2の電極 2 7 3に連結して支持する弾性体 2 7 4のサイズ (弾性定数) も自由に設定できることから、 様々な共振周波数のマイク口共振装置に対して適 用可能となる。 ここでは、 櫛部が櫛の長さ方向に対して垂直方向に電極が動く場 合を示したが、 櫛の長さ方向に対して平行な方向に電極が動く音叉型の櫛型電極 を用いても同様にマイクロ可動部に駆動力を与えられることは明らかである。 また、 図 1 4に示すマイク口可動部駆動機構の例えば弾性体 9 4の部分に図 2 3に示す駆動機構を接続することで、 マイクロ可動部 9 1の押し付け位置を変え ることができる。 櫛の厚さを 1 . O /i in、 長さを 4 0 . 0 μ m、 櫛の本数を 3 0 本、 電圧を印加しない状態での第 1の電極 2 7 0と第 2の電極 2 7 3の距離 2 8 7を 1 . 0 / mとし、 弾性体 2 7 4を厚さ 1 . Ο μ πι、 長さを 1 0 0 . 0 μ m、 幅 3 . 0 Ai mとすると約 2 Vの電圧でマイクロ可動部の押し付け位置を 1 n m程 度変えることができる。
さらに、 図 3 4に示すように、 好適な実施形態では、 マイク口可動部駆動機構 は、 第 1の電極 2 6 0と第 2の電極 2 6 3が対向する方向とは直交する方向に駆 動力を与えることができる第 4の電極 2 6 2を備えている。 また、 第 2の電極 2 6 3およびこれに連結した構造を支える弾性体 2 6 4は、 第 1の電極 2 6 0と第 2の電極 2 6 3が対向する方向および直交する方向に移動しやすいように配置し てある。 これにより、 連結部 2 6 6に接続された共振体マイクロ可動部 (図に示 されていない) の押し付け操作とともに押し付け位置を変える操作ができる。 ま た、 マイクロ可動部が固着してもとの釣り合いの位置に戻らなかった際に、 外部 からの入力によって、 第 2の電極 2 6 3に連結しているマイクロ可動部を横方向 に力を加えながらゆすり動かし、 固着したマイクロ可動部をマイクロ共振体から 離れやすくすることができる。 さらに、 第 4の電極 2 6 2は、 第 1の電極2 6 0、 第 2の電極 2 6 3並びにマイクロ共振子と同じ層に作製可能なため、 プロセスの 簡略化とコスト削減が図れる。 ここでは、 マイクロ可動部駆動機構に移動方向の 異なる櫛型電極の組み合わせた電極を用いたが、 櫛型電極の配置や組合せはこれ に限るものではない。 しかし、 図 3 4のように配置することで、 櫛形電極をバラ ンスよく小スペースで形成することができる。
さらに、 好適な実施形態では、 図 2 3および図 3 4に示すマイク口可動部駆動 機構先端の連結部 2 8 6あるいは 2 6 6に、 図 2 4に示すような、 連結部 2 7 5 で 2組のマイクロ可動部 2 7 1が連結しており、 図 2に示すごときマイクロ共振 子のようにマイク口共振子 2 8 0の両端に同時に等しくマイク口可動部を接触さ せることができる。 このような構造を図 2 3に示すマイクロ可動部駆動機構と一 体に形成し、 弾性体 2 7 4あるいは 2 6 4が支える構造にすることによって、 第 2の電極を水平方向に動かす際に、 横方向のズレを抑制することができる。 連結 部 2 7 5により連結した構成にすることの効果を図 2 3の駆動機構と組み合わせ た場合で説明する。 第 2の電極 2 7 3および該電極に連結した構造を支持する弹 性体 2 7 4 (第 1段階のパネの形態 3 ) は、 第 1の電極 2 7 0と第 2の電極 2 7 3が所定の距離まで接近すると、 マイクロ可動部 2 7 1がマイクロ共振体 2 8 0 に接触し、 この距離からは、 支点位置が元の弾性体 2 7 4と 2つのマイクロ可動 部 2 7 1とで支える形態に変わる (第 2段階のパネの形態 3 ) 。 そして、 マイク 口可動部 2 7 1がマイクロ共振体 2 8 0に接触し、 押し込む段階から、 第 2の電 極 2 7 3および該電極に連結した構造を支持する構造の弾性係数を大きくするこ とができる。 これにより、 マイクロ可動部 2 7 1をマイクロ共振体 2 8 0に接触 させるまでの移動時には、 第 1段階のパネ形態 3の小さな弾性定数により、 低電 圧で多くの距離が移動でき、 マイクロ可動部 2 7 1がマイクロ共振体 2 8 0に接 触してからは、 第 2段階のパネ形態 3の高い弾性定数となるため、 第 2の電極 2 7 3の移動距離を抑えられ、 第 2の電極 2 7 3を支持する弾性体の力が第 2の電 極 2 7 3と第 1の電極 2 7 0の間に働く静電力に対して持ちこたえられなくなり、 第 2の電極 2 7 3が第 1の電極 2 7 0にくつついてしまうこと (プノレ 'イン) が 防止でき、 マイクロ可動部 2 7 1の押し込む力を強めることができるようになる。 さらに、 マイクロ共振子の片側のみにマイクロ可動部を接触させる場合のマイ クロ可動部駆動機構の好適な実施形態について、 図 2 5を参照して説明する。 図 2 4のごとき 2組のマイクロ可動部が連結している連結体 2 9 5を用い、 片側の マイクロ可動部 2 9 1を、 マイクロ共振体 2 9 3に接触させ、 もう一方のマイク 口可動部 2 9 2を、 マイクロ共振体とは別に形成したダミー 2 9 4に接触させる。 このような構成によって、 マイクロ共振体の片側のみでも共振周波数制御を行な うことができ、 前述のように、 マイクロ共振子の両端に異なるマイクロ可動部を 使い分けてマイクロ共振体に接触させること、 あるいは、 粗調整用マイクロ可動 部と微調整用マイク口可動部を使い分けてマイク口共振体に接触させることがで きる。
さらに、 好適な実施形態では、 前記所定の距離が第 1の電極 2 7 0からの距離 1 第 1の電極 2 7 0および第 2の電極 2 7 3に電位差が与えられていない釣り 合いの位置における該電極間の距離 2 8 7の 3分の 2のところまで、 第 2の電極 2 7 3が第 1の電極 2 7 0に近づくよりも先に、 マイクロ可動部がマイクロ共振 体に接することにより、 第 2の電極 2 7 3が第 1の電極 2 7 0に近づきすぎてプ ル ·ィンを引き起こす前にマイクロ可動部をマイク口共振体に接触させることが できる。
(第 3の実施形態)
本発明の第 3の実施形態として、 基板に対して平行な方向に縦あるいはバルタ の振動モードで振動する、 図 2 7に示すマイク口共振子に本発明が容易に適用で きることを、 図 2 6を参照しながら説明する。
基板 3 1 0上に形成され、 選択されたパラメーターの変動に応答して振動する マイクロ共振子 3 1 1とその支持部 3 1 2からなるマイクロ共振体 3 1 3と、 外 部からの操作によってマイクロ共振体 3 1 3に作用することによって、 マイクロ 共振子 3 1 1の共振周波数、 あるいは共振ピークにおける振幅増幅率、 あるいは 入力可能信号強度を変えることのできるマイクロ可動部 3 1 6を備えている。 本実施例においては、 基板 3 1 0にシリコン基板を用い、 マイクロ共振子 3 1 1に窒化タングステン膜を用いている。 そして、 入力電極 3 1 5から与えられる 高周波電気信号のうち、 マイク口共振子 3 1 1の共振周波数近傍の周波数信号に おける変動に選択的に応じてマイクロ共振子 3 1 1が振動する。
本実施例において、 マイクロ可動部 3 1 6は、 外部からの操作によってマイク 口共振体 3 1 3に接触させ、 または離すように、 動力すことができ、 所定の力で マイクロ可動部 3 1 6をマイクロ共振体 3 1 3に接触させ、 あるいは接触させて いる所定の力の大きさ、 接触させている位置を変えることができるマイクロ可動 部駆動機構 3 1 7を備えている。
図 2 7および図 2 8を用いてマイクロ可動部 3 1 6をマイクロ共振体 3 1 3に 接触させることの効果を説明する。 図 2 7は、 図 2 6に示した第 3の実施形態の マイクロ共振子 3 1 1について、 主たる共振周波数に関わる寸法、 つまり共振子 の長さの実効値を表す方向の断面図である。 図 2 7に示すように、 マイクロ共振 子 3 1 1の支持端上面は自由度が高いために、 マイクロ共振子 3 1 1の振動領域 は共振子下側寸法よりも広がり、 マイク口共振子の実効長さ 3 2 5は、 共振子上 側の寸法 3 2 7に近くなる。 このような場合においても、 図 2 8に示すように、 マイクロ可動部 3 1 6をマイクロ共振子 3 1 1の支持端付近における自由度の高 いところに接触させることにより、 接触後のマイクロ共振子 3 1 1の実効長さ 3 2 8は、 殆どの場合、 共振体上面の長さ 3 2 9とマイク口共振子下部の長さ 3 2 6の間に位置するように変わり、 共振周波数を変えることができるのである。 こ のように、 本実施形態によって、 第 1、 第 2の実施形態同様に、 容易に共振周波 数を変えることができる。
本実施形態では、 第 1の実施形態同様、 図 1 1に示したごときマイクロ可動部 駆動機構が利用できる。 ただし、 共振子の平面形状が方形ではなく円形の場合は、 図 2 9に示すように、 好ましくは、 マイクロ可動部はマイクロ共振体と同心円状 に環状に接するよう構成する。 3 3 8は接触面を示す。 円形のマイクロ共振子の 場合は、 主たる共振周波数に関わる寸法、 すなわち半径方向の共振子の実効長さ を示す線分方向 3 3 0が半径方向となるので、 図のように、 支持端付近に環状に 接触させることで、 全ての半径方向に対して、 効果的に実効長さを変え、 共振周 波数を変えることができる。 また、 図に示すように 4つに分けたマイクロ可動部 に、 図 1 4に示すごときマイクロ可動部駆動機構をそれぞれ接続すれば、 マイク 口可動部の押し付け位置を半径方向に変えることができる。
さらに、 好適な実施形態では、 マイクロ可動部とマイクロ共振体の接触部の押 し付けられる力の方向は、 基板平面に対して、 かつ、 マイクロ共振体の主たる振 動の方向 (半径方向) に対してほぼ垂直な方向である。 バルタの振動モードで振 動する共振体では、 主たる振動方向と主たる共振周波数に関わる寸法を示す線分 方向 3 3 0がー致しているので、 基板平面に対して垂直方向に押し付けることで 効果的に共振周波数を変えることができる。
次に、 図 3 5に従い、 S O I基板を使用した場合を例に、 マイク口共振装置の 製造方法について説明する。 好適な実施形態では、 図 3 5 Aに示すように、 S O I基板 4 0 0表面のシリコン層にフォトレジストを使用した通常のドライエッチ ング技術でマイク口共振体 4 0 2を形成し、 ついで、 厚さ 2 0 0 n mの不純物を ドープしたポリシリコンからなる第 1の電極を含む 1層目の導電層 4 0 3を形成 する。 このときマイクロ共振体 4 0 2の下部にある S O I基板の酸化シリコン層 を第 1の犠牲層 4 0 1として利用できる。 また、 1層目の導電層 4 0 3を形成す る工程において、 マイクロ共振体 4 0 2は 1層目の犠牲層 4 0 1上に形成されて おり、 その上にリソグラフィ一法でレジストをパターエングし、 その上に 1層目 の導電層を堆積し、 レジストを除去する工程で、 リフトオフ法により第 1の電極 を含む 1層目の導電層 4 0 3を形成している。 この際、 マイクロ共振体部分は、 1層目の導電層に電気的に接続される部分以外はレジストマスクに覆われている ので、 マイク口共振体 4 0 2の振動領域の上には 1層目の導電層は形成されず、 既に形成されているマイクロ共振体に影響はない。 ついで、 図 3 5 Bに示すよう に、 マイクロ共振体 4 0 2および前記 1層目の導電層 4 0 3上に、 2層目の犠牲 層として酸化シリコン膜 4 0 4を 2 . 0 μ ΐη堆積し、 ドライエッチング法を用い て前記酸化シリコン膜の一部を加工し、 マイクロ共振体の一部を露出させる。 つ いで、 図 3 5 Cに示すように、 マイクロ可動部と前記マイクロ共振体のギャップ となる 3層目の犠牲層 4 0 6として酸化シリコン膜 1 0 0 n mを堆積し、 不要な 部分を取り除いた後、 図 3 5 Dに示すように、 固着防止層 4 0 9として窒化シリ コン膜 1 0 0 n mを堆積し、 不要な部分を取り除く。 ついで、 図 3 5 Eに示すよ うに、 マイクロ可動部 4 1 2、 第 2の電極および該電極に連結した構造 4 1 3を 含む 2層目の導電層 4 1 0を厚さ 2 . 0 μ πιの不純物をドープしたポリシリコン 膜で形成する。 ついで、 図 3 5 Fに示すように、 前記 2、 3層目の犠牲層を 除去してマイクロ共振体 4 0 2、 マイクロ可動部 4 1 2、 第 2の電極および該電 極に連結した構造 4 1 3を露出させ、 マイクロ共振装置を形成する。
本実施形態では、 図 1および図 2に示すごとき基板を掘り込んで形成するマイ クロ共振子に対して、 マイクロ共振体形成後に、 その上に積層してマイクロ可動 部およびマイク口可動部駆動機構を容易に形成することができるので、 マイクロ 共振子を形成する工程を変えずに、 後から全く別の工程としてマイク口可動部を 形成できる効果がある。
さらに、 本実施形態では、 第 1の電極と第 2の電極のギャップと、 マイクロ可 動部と前記マイクロ共振体のギャップと、 異なる幅のギャップを精度よく形成し なければならない。 そのため、 図 3 5に示すように、 2層目の犠牲層 4 0 4を加 ェする際、 マイクロ共振体が露出するまで加工するが、 同時に 1層目の導電層 4 0 3あるいはそれに電気的に結合した層が露出するまで加工している。 そして露 出した導電層上に 3層目の犠牲層 4 0 6を堆積している。 これにより、 第 1の電 極と第 2の電極のギャップ 4 1 6については、 2層目の犠牲層 4 0 4と 3層目の 犠牲層 4 0 6の合計膜厚で、 マイクロ可動部とマイクロ共振体のギャップ 4 1 5 については 3層目の犠牲層 4 0 6の堆積膜厚のみでギヤップ幅が制御できるため、 ばらつきの少ない高精度のギヤップが 2種類形成できる。
また、 後の工程で堆積する 2層目の導電層 4 1 0と例えば 2層目の犠牲層 4 0 4から露出した 1層目の導電層 4 0 8を電気的に接続するためには、 露出部 4 0
8の上に堆積した 3層目の犠牲層を除去しなければならないが、 好適な実施形態 においては、 3層目の犠牲層 4 0 6を形成する工程において、 1層目の導電層 4 0 8上に形成された 3層目の犠牲層 4 0 6を除去して 1層目の導電層 4 0 8を露 出させる工程と、 2層目の導電層 4 1 0の折れ曲がり部となる位置にくぼみ 4 0 7を形成するため、 3層目の犠牲層 4 0 6を加工する工程を同時に行なう。 これ により、 2層目の導電層 4 1 0に折れ曲がり部を形成するためのパターユングと、 1層目の導電層を露出させるためのパターユングが同じマスクで行なえるためェ 程の簡略化ができる。
さらに、 本実施形態では、 マイク口共振体 4 0 2下部に空間を形成するために 行なう 1層目の犠牲膜の除去工程と、 マイクロ可動部周りに空間を形成するため の 2層目、 3層目の犠牲膜の除去工程が同時に行なえるため工程数の増加を抑え ることができる。
さらに、 本実施形態において、 マイクロ可動部の構成はこれに限るものではな い。 マイク口可動部が、 図 1 4に示すごとき、 マイク口共振体の片側のみに接触 可能な構成であっても、 層の構成は同じなので、 本実施形態に従って、 容易に製 造可能となる。
次に、 基板上にマイクロ共振子を形成する場合の好適な実施形態について、 図
3 6を例に説明する。 図 3 6 Aに示すように、 シリコン基板 4 2 0上に第 1の電 極を含む 1層目の導電層 4 2 4として不純物をドープしたポリシリコン層を 2 0
O n m堆積し、 パターユングした後、 その上に 1層目の犠牲層 4 2 2として酸ィ匕 シリコン膜 2 0 0 n mを形成する。 そして、 1層目の犠牲層 4 2 2を加工し前記 1層目の導電層 4 2 4を露出させた後、 前記 1層目の犠牲層の上に不純物をドー プしたポリシリコン膜 2 . 0 μ mを堆積し、 異方性ドライエツチングによりパタ 一二ングを行ない、 図 3 6 Bに示すように、 マイク口共振体 4 2 3を形成する。 ついで、 図 3 6 Cに示すように、 前記マイクロ共振体 4 2 3上に 2層目の犠牲層
4 2 7として酸化シリコン膜 2 . Ο μ πιを堆積し、 異方性ドライエッチングによ り前記 2層目の犠牲層 4 2 7を加工し、 前記マイクロ共振体 4 2 3の一部を露出 させる。 以下については図示されていないが、 図 3 5 C〜図 3 5 Fに示すごとき 工程によりマイク口共振装置を製造できる。
ここでは、 基板上にマイクロ共振体 4 2 3を形成する必要があるが、 本実施形 態では、 図 3 6に示すように、 マイク口共振体 4 2 3に対して容量的に結合する 入力 4 2 1およびマイクロ共振体に電気的に結合した電極 4 2 6を形成する際に、 第 1の電極を含む 1層目の導電層 4 2 4を同じ層で (同じ工程で) 形成し、 また、 1層目の導電層 4 2 4の上に前記マイク口共振体下部に空間を形成するための 1 層目の犠牲層 4 2 2を形成している。 これにより、 マイクロ共振体とマイクロ可 動部の製造工程の簡略化とともに、 1層目の犠牲層 4 2 2が除去されても基板上 に第 1の電極が固定されており、 しかも第 1の電極の平坦性が確保できるために 第 2の電極を含む 2層目の導電層を形成したとき第 1の電極と第 2の電極を等し い距離に、 平行に形成することができる。 さらに 2層目の導電層を形成したとき の段差を緩和することができるため、 以後の工程を図 3 5に示す工程と同様に進 めることができる。 2層目の犠牲層を形成後 CM P装置 (化学的機械研磨装置) を用いてより平坦にすることもできる力 工程数が増加し、 コストが増大してし まう問題がある。
さらに、 本実施形態において、 マイクロ可動部の構成はこれに限るものではな レ、。 マイクロ可動部が、 図 1 4に示すごとき、 マイク口共振体の片側のみに接触 可能な構成であっても、 層の構成は同じなので、 本実施形態に従って、 容易に製 造可能となる。
また、 マイクロ共振体についてもこれに限るものではない。 図 3 7に示すよう に、 図 2 6から 2 8に記載のマイクロ共振体であっても同様に形成可能である。 図 3 7 Aに示すように、 基板 4 3 0上に第 1の電極を含む 1層目の導電層 4 3 6 を、 不純物をドープしたポリシリコン膜 2 0 0 11 mで形成し、 その上に 1層目の 犠牲層 4 3 2として酸化シリコン膜 2 0 0 n mを堆積する。 そして、 1層目の犠 牲層 4 3 2を加工し前記 1層目の導電層 4 3 6を露出させ、 前記 1層目の犠牲層 の上に不純物をドープしたポリシリコン層 2 . O /x mを堆積し、 ドライエツチン グ法によりパターユングを施し、 図 3 7 Bに示すように、 マイクロ共振体 4 3 3 を形成する。 そして、 図 3 7 Cに示すように、 前記マイクロ共振体 4 3 3上に 2 眉目の犠牲層 4 3 8として酸ィ匕シリコン膜 2 . Ο μ πιを堆積し、 異方性エツチン グにより、 前記 2層目の犠牲層 4 3 8を加工し、 前記マイク口共振体 4 3 3の一 部を露出させる。 以下については図示されていないが、 図 3 5 C〜図 3 5 Fに示 すごとき工程によりマイク口共振装置を製造できる。
ここでは、 図 3 7に示すように、 基板上にマイク口共振体 4 3 3並びにマイク 口共振体 4 3 3に対して容量的に結合する入力電極 4 3 4を形成する必要がある が、 本実施形態では、 1層目の犠牲層 4 3 2を加工してマイク口共振体 4 3 3と ともに入力電極 4 3 4を形成することができる。 さらに、 本実施形態では、 マイ クロ共振体 4 3 3に電気的に結合する電極 4 3 1を形成する際に、 第 1の電極な らびに入力電極 4 3 4に電気的に結合する電極を含む 1層目の導電層 4 3 6を同 じ層で (同じ工程で) 形成し、 また、 1層目の導電層 4 3 6の上に前記マイクロ 共振体下部に空間を形成するための 1眉目の犠牲層 4 3 2を形成している。 これ により、 1層目の犠牲層 4 3 2が除去されても基板上に第 1の電極が固定されて おり、 し力も第 1の電極の平坦性が確保できるために第 2の電極を含む 2層目の 導電層を形成したとき第 1の電極と第 2の電極を等しい距離に、 平行に形成する ことができる。 さらに 2層目の導電層を形成したときの段差を緩和することがで きるため、 以後の工程を図 3 5に示す工程と同様に進めることができる。 2層目 の犠牲層を形成後 CMP装置 (化学的機械研磨装置) を用いてより平坦にするこ ともできるが、 工程数が増加し、 コストが増大してしまう問題がある。
次に、 基板上に基板に平行な方向に振動するマイク口共振子に対する好適な実 施形態について、 図 3 8を例に説明する。 これまでと同様に導電層に不純物をド ープしたポリシリコン膜を用いることができるが、 本発明の導電性材料はこれに 限定するものではなく、 他にアモルファスシリコン、 S i G e膜、 S i C膜、 さ らには N i、 タングステンなど金属材料を導電層に適用することができる。 ここ では、 さらに好適な実施形態として、 タングステンなどの高融点金属に窒素を含 有させた材料を適用した場合を例に説明する。 図 3 8 Aに示すように、 基板 4 4 0上に窒素を含有するタングステンを反応性スパッタ法で 2 0 0 n m堆積し、 マ ィク口共振体と電気的に接続する電極 4 4 1、 固定電極の第 1の電極に接続する 電極 4 4 2、 第 2の電極およびそれに連結した構造に接続する電極 4 4 3などを 含む 1層目の導電層を形成する。 堆積条件はスパッタ圧力 2 P a、 R Fパワー 3 0 O W, A r流量 3 3 . 6 s c c m、 N 2流量 8 . 4 s c c m、 基板温度室温で ある。 ついで、 図 3 8 Bに示すように、 前記 1層目の導電層上に酸化シリコン膜 2 . O z mを堆積して 1層目の犠牲層 4 4 7を形成し、 前記 1層目の犠牲膜 4 4 7を加工し、 前記 1層目の導電層を露出させる。 そして、 図 3 8 Cに示すように、 2層目の導電層として、 窒素を含有するタングステン層をまず、 スパッタ圧力 2 P a、 R Fパワー 3 0 O W, A r流量 3 3 . 6 s c c m、 N 2流量 8 . 4 s c c m、 基板温度室温で 0 . 5 μ m堆積し、 つ!/ヽでスパッタ圧力を 2 . 4 P aに変え て、 窒素を含有するタングステンをさらに 1 . 2 μ πι堆積し、 またスパッタ圧力 を 2 P aにもどし、 窒素を含有するタングステンを 0 . 堆積する。 この複 数層で形成した窒素を含有するタングステン膜を異方性ドライエツチングにより パターニングし、 マイクロ共振体 4 4 8およびマイクロ可動部 4 4 9を含む 2層 目の導電層を形成する。 ここで、 窒素を含むタングステン膜のドライエッチング には通常のタンダステン膜の異方性ェツチングに用いるプラズマエッチング装置 および加工条件が用いられる。 そして、 図 3 8 Dに示すように、 前記 2眉目の導 電層上に、 厚さ 5 // m程度のレジスト層 4 5 5を塗布した後、 フォトリソグラフ ィ法を実施してレジスト層を開口し、 スパッタ法により固着防止層 4 5 7を堆積 する。 ついで、 図 3 8 Eに示すように、 リフトオフ法を実施して前記レジスト層 4 5 5とともに不要な部分に堆積した前記固着防止層 4 5 6を除去する。 これに より、 マイクロ共振体 4 4 8やマイク口可動部 4 4 9の先端のみに固着防止層 4 5 7を形成し、 他の領域に固着防止層が付着して、 マイクロ可動部が応力により ひずんだり、 弾性体の弾性定数や電極間のギヤップに誤差が生じたりすることを 防止できる。
さらに好適な実施形態では、 リフトオフ後に前記 2層目の導電層側壁に残る前 記固着防止層 4 5 7を異方性ドライエッチングによるエッチバックをおこなうこ とにより、 前記 2層目の導電層側壁の固着防止層表面を平坦で滑らかにすること ができ、 マイクロ共振体との接触面の密着度を高めることができる。
つぎに、 1層目の犠牲膜 4 6 1を除去して、 図 3 8 Fに示すように、 前記マイ クロ共振体 4 4 8および前記マイクロ可動部 4 4 9を露出させる。 犠牲層除去に は、 フッ化水素ガスをもちいたドライエッチング法が適用できる。 これにより、 マイクロ可動部が、 マイクロ共振体と同時に 2層の導電層のみで形成でき、 導電 層の層数を增加させることなしにマイクロ可動部を形成できる。 図 3 8では、 電 極やマイクロ可動部の構造の詳細は省略して示しているが、 本実施形態は、 マイ クロ可動部駆動機構の第 1、 第 2、 第 3の電極の形状を櫛型に限定するものでは なく、 平面的な構造は、 平行平板型あるいは音叉型などによっても可能である。 また、 第 2の電極を支持する弾性体の形態についても戻りパネ形態に限定を加え るものではなく、 他の板パネなどの形態によつても可能である。
米国特許第 6 2 1 0 9 8 8号公報には L P C VD法により製膜した S i G e膜 を用いることで、 ポリシリコン膜に比べて低温の 5 5 0 °C程度で残留応力を制御 したマイクロ構造の形成が可能であることが開示されているが、 ここで用いた窒 素を含有するタングステンの場合、 スパッタ法を用いているので室温程度まで低 ?显化することが可能となり、 S i基板上に CMO Sプロセスで作製した L S I上 のみならず、 ガラス基板や樹脂基板など、 C u配線や低誘電率の有機絶縁膜など 耐熱性の低いプロセスを経た基板上にも適応が可能となる。 また、 他の金属材料 と比較しても、 たとえばタングステン材料のみ場合、 成長方向に膜質あるいは内 部応力を制御することが困難であるため、 制御堆積時に内部応力が蓄積し、 堆積 中あるいは堆積後に膜はがれ等の破壌が起きたり、 また、 応力等負荷がかかった 際にクラッキングなど欠陥が発生し、 変形や破壊が起きたり、 マイクロ構造の信 頼性確保が困難であつたが、 窒素を含有させた場合、 N 2分圧ゃスパッタ圧力な どによって室温程度の低温で容易に堆積する膜組成や膜質を変えることができる。 例えば、 スパッタ圧力 1 . 5 P aから 3 P a程度まで変えることにより膜中の残 留応力を引張応力から圧縮応力まで変化させることができた。 このため、 膜の堆 積過程で、 内部応力や組成の異なる層を、 連続的、 あるいは断続的に成長させる ことが可能になり、 堆積中の内部応力ならびに堆積後の残留応力を殆どなくすこ とができた。 また、 成長方向に異なる組成や粒状態の膜を積層可能なため、 堆積 時の応力による破壌をなくし、 製造後に外部から応力等が加えられ欠陥発生して も、 欠陥が容易に膜を貫きにくくなり、 クラッキングなどによる変形や破壌に対 する耐性を高めることができた。 ここでは窒素を含有させたが、 この効果はこれ に限るものではなく、 炭素や酸素を含有させることは含有させるによっても達成 可能である。 また、 タングステンのみでなくタンタノレやモリブデン、 チタン、 二 ッケル、 アルミニウムなど他の金属を適用しても同様の効果が期待できるが、 高 ャング率が得られるタングステン、 タンタル、 モリブデン、 チタンなどの高融点 金属が好ましい。 窒素含有タングステンの場合、 押し込み式の薄膜試験装置で計 測したところ、 窒素の含有率を 0 %から 6 0 %程度まで増やすことによりヤング 率は 3 6 0 G P aから 2 5 0 G P a程度まで変化するが、 ポリシリコンゃ S i G e膜よりも高いヤング率が得られる。
(第 4の実施形態)
次に、 第 4の実施形態としてマイクロフィルタ装置について説明する。 好適な 実施形態では、 図 3 9に示すように、 第 1、 第 2、 第 3の実施形態にて示した本 発明のマイクロ共振装置 5 5 0を含み、 マイクロ共振子に容量結合した入力電極 5 5 1と、 マイクロ共振子で選択された周波数信号を取り出すため出力電極 5 5 2と、 第 1のマイク口可動部を動力すための第 1の駆動機構への入力電極 5 5 3 と、 第 2のマイク口可動部を動力すための第 2の駆動機構への入力電極 5 5 4を 有している。 ここでは、 マイクロ可動部を 2つ備えているが、 これに限るもので はなく、 1つのマイクロ可動部でもよい。 本実施形態の構成により、 製造後にマ ィク口可動部駆動機構の入力電極に制御電圧を与えることでマイク口共振装置 5 5 0の共振周波数 (マイクロフィルタ装置の中心周波数) を広範囲に調整可能と なるため、 従来法ではできなかった、 製造時の加工ばらつきや封入圧力のばらつ きによるマイクロ共振装置の共振周波数 (マイクロフィルタ装置の中心周波数) の不確かさに対して、 所望の (設計) 値に補正'調整して使用することが可能に なる。 従来法にくらべ製造後の調整範囲が大幅に改善されるため、 従来法では歩 留まりがとれない範囲の加工精度の製造装置および製造工程を用いても、 歩留ま りが取れるようになる。 また、 封入後にマイクロ可動部の制御によってマイクロ フィルタ装置の中心周波数のズレをその場で捕正することができるため、 使用時 の外部環境 (温度) の変化やマイクロ共振装置そのものの経時劣化 (封止圧力の 劣化ならびにマイク口共振子材料の機械特性の劣化など) に対してもフィルタ出 力を補正■最適調整することができ、 フィルタとしての使用可能な環境条件範囲 を拡大し、 製品寿命を延ばすことができる。
さらに好適なマイクロフィルタ装置の実施形態では、 マイク口可動部の動作を 制御するマイク口可動部制御回路 5 5 5を備えている。 マイク口可動部制御回路 5 5 5は、 出力がマイクロ可動部駆動機構への入力電極 5 5 3および 5 5 4に接 続され、 また、 マイクロ共振装置 5 5 0からの出力が入力されるようマイクロ共 振装置の出力電極 5 5 2に接続される。 これにより、 マイクロフィルタ装置で選 択すべき所望の中心周波数と、 マイクロ共振装置 5 5 0からの出力 5 5 2に出力 される信号の周波数にズレが存在するときに、 マイク口可動部制御回路 5 5 5に、 例えば、 調整用つまみあるいはスィッチを設けて、 マイクロ可動部駆動機構への 出力電圧を制御し、 マイクロ共振装置 5 5 0から所望の周波数信号が出力される よう、 周波数のズレを調整することが可能になる。 例えば静電ァクチユエータで 駆動する駆動機構の場合、 マイクロ可動部駆動機構は、 第 1の電極と第 2の電極 の電位差で駆動されるので、 調整の際入力には、 第 1の電極と第 2の電極の 2つ 、 あるいはいずれか一方のみが選ばれる。 好ましくは、 第 2の電極は固定電位 にして、 第 1の電極の電圧を調整する。 これによつて、 実際の使用環境の変化お よび使用時のマイク口共振装置の状態に応じて、 その場でマイクロフィルタ装置 の周波数出力の調整が可能となる。 また、 マイクロ可動部が固着した場合には、 第 3の電極への入力電圧で調整される。 これにより、 マイクロフィルタ装置を解 体することなく、 外部からの入力で、 マイクロ共振装置の機能復帰ができる。 さらに好適な実施形態では、 マイクロ可動部およびマイク口可動部の駆動機構 は、 マイクロ共振体とともに、 基板上に形成できるため、 いろいろな周波数特性 をもつマイク口共振装置を並べて作製することが可能となり、 いろいろ周波数特 性のマイク口共振装置とマイクロ可動部を複数備えることで、 マイクロフィルタ 装置全体としての周波数特性の制御可能範囲が拡大し、 使用目的や使用環境に応 じて使い分けることができる。 また、 複数のマイクロ共振装置を組み合わせるこ とで、 ミキシングした出力を得ることも可能となる。
さらに好適な実施形態では、 マイクロフィルタ装置は、 記憶素子 5 5 7を備え ており、 出荷時あるいは前回の調整時に、 選択すべき所望の (設計した) 周波数 とのズレを補正するよう調整した前記マイク口可動部制御回路の制御値 (出力電 圧、 あるいは電圧出力のための設定値) を前記記憶素子 5 5 7に記憶し、 マイク 口フィルタ装置の起動動作時に前記記憶素子に記憶された前記マイクロ可動部制 御回路の制御値をもとに前記マイクロ可動部が制御され、 前記選択すべき所望の 中心周波数に調整される。
すでに述べたように、 製造時の加工ばらつきや封止圧力のばらつきから共振周 波数の不確かさを避けられず、 所望のあるいは設計した周波数に一致したマイク 口共振装置を製造することは難しい。 したがって、 使用時には、 マイクロ可動部 の制御により周波数出力を調整しなければならないが、 マイク口可動部の制御電 圧と出力周波数の関係、 並びに制御電圧と共振ピークにおける振幅増幅率 (ある いは Q値) の関係は、 以下に示すように、 単純な線形関係ではなく、 調整幅を予 測した調整が難しい。 例えば、 図 1 7に曲線 bで示したように、 マイクロ可動部 の制御電圧と、 マイクロ可動部がマイクロ共振体を押し付ける力、 すなわち固定 力との関係は、 通常、 線形関係は得られない。 本発明の実施形態では、 図 1 7の 曲線 aで示すように押し付け段階の実用領域で固定力の非線形性を改善している 力 完全に線形関係が得られるわけではない。 さらに、 固定力の大きさとマイク 口共振体の共振周波数の関係、 あるいは固定力の大きさと共振ピークにおける振 幅増幅率 (あるいは Q値) との関係も線形関係ではなく、 しかも、 それぞれのマ イク口共振体の構造、 マイクロ可動部の構造、 ならびにマイク口可動部の接触位 置などに依存するため、 それぞれの固有の相関関係に対応した固有の制御パター ンがそれぞれに対して必要となるからである。 したがって、 図 3 9に示すように、 記憶素子 5 5 7に接続し、 出荷時またはユーザーの通常の使用環境で行なった調 整時のマイク口可動部制御回路の制御値、 あるいは、 前回使用時に調整したマイ クロ可動部制御回路の制御値を記憶素子に記録し、 その値を基に、 起動時にその 選択されたマイク口可動部を調整することで、 まったくの初期値から調整するよ りも大幅に時間短縮ができる。
さらに好適な実施形態によれば、 記憶素子と接続され、 前記選択出力される周 波数に存在するズレを所望の周波数に調整する際、 前記記憶素子にあらかじめ記 憶されたマイクロ可動部に対する制御電圧の最適制御ステップを用いて段階的に 調整する。 これによつて、 いろいろなマイクロ共振装置あるいはマイクロフィル タ装置に対しても、 簡便に周波数のズレを調整することができる。 さらに好適な 実施形態の詳細を図 4 0に従って説明する。 既に述べたように、 マイクロ可動部 に対する制御電圧と、 マイクロ可動部がマイクロ共振体を押し付ける力、 すなわ ち固定力との大きさとの関係、 さらに、 固定力の大きさとマイクロ共振体の共振 周波数の関係、 あるいは固定力の大きさと共振ピークにおける振幅増幅率 (ある いは Q値) との関係は全て単純な線形関係にはなく、 また、 それぞれの関係は、 マイク口共振体の構造、 マイク口可動部の構造、 さらにはマイク口可動部の接触 位置にも依存するため、 共振周波数および共振ピークにおける振幅増幅率 (Q値 あるいはフィルタの通過帯域) の変動を補正ある ヽは最適化するための制御パタ ーンは、 それぞれに異なる特 14をもつ固有のパターンとなる。 そこで、 選択され たあるマイクロ共振体およびマイクロ可動部に対して、 あらかじめマイクロ可動 部の制御値とマイク口共振装置あるいはマイク口フィルタ装置の'出力の周波数特 性との関係を測定し、 例えば、 図 4 0に示すような実線 5 6 0が得られたとする と、 好ましくは、 所望の選択すべき周波数 f 。が得られるボイント Aでの制御電 圧 V。を記憶し、 次に、 周波数を所定の刻み幅で変化させるのに必要な、 マイク 口可動部の制御値の制御ステップを決め、 そのステツプを前記記憶素子に記録す る。 つまり、 図 4 0のように、 f 0を中心に所定の間隔 Xで周波数が ' · · f 0 — 2 x、 f 。一 x、 f os f 。+ x、 f o + 2 x - · 'と変わるポイントに対応す る制御電圧の値、 · ■ - V0— d _2、 V0— d V0、 V0 + dい V0 + d
2 - · 'を記憶させておく。 周波数の刻み幅 Xは、 マイクロフィルタ装置に望ま れる周波数精度に依存するが、 望まれる周波数精度あるいは周波数マージンに対 して少なくとも 2分の 1以下であることが望ましい。 ここでは、 1 0分の 1程度 に設定している。 これにより、 記憶素子に記録された制御ステップ' ■ ' V。一 d— 2、 V0 _ d—い V0、 V0 + d V0 + d 2 - ■ 'にしたがってマイクロフィ ルタ装置の周波数出力の調整すると、 周波数を所定の刻み幅 Xで段階的に、 あた 力も線形関係が得られているかのごとく変化させることができ、 調整幅を予測し た最適な調整アルゴリズムを組むことが可能になり、 効率よく短時間での調整が 可能となる。 このように、 記憶素子に全てのマイクロ共振装置、 マイクロ可動部 に対して、 制御パターンを記憶させておくことで、 どのマイクロ可動部を選択し ても同様に効果的に短時間で調整が可能となる。 また、 あらかじめ選択されたマ イク口可動部の制御値と共振ピークの振幅増幅率 (Q値あるいはフィルタの通過 帯域) との関係を測定し、 その結果を記憶しておくことで、 周波数のみならず、 共振ピークの振幅増幅率 (Q値あるいはフィルタの通過帯域) についても効果的 な調整が可能となる。
また、 本実施形態において、 図 4 1の制御動作のタイミングチヤ一トに示すよ うに、 制御ステップを段階的に行なう。 これは、 マイクロ可動部の制御電圧の設 定から、 マイクロ可動部が移動し、 マイクロ共振体の振動が定常状態に達して、 マイク口共振装置あるいはマイク口フィルタ装置から安定した周波数出力が得ら れるまでに僅かな時間の遅れが生じるためである。 図 4 1に示すように、 前記遅 れ時間に対してマージンをもたせ、 最適なシーケンスを組み、 段階的に電圧を制 御することで、 制御時間を短縮できる。 制御電圧を少しずつ連続的に変化をさせ ることによつても制御可能であるが、 マイクロ共振体の振動が定常状態に入るま えにマイクロ可動部を移動させると、 出力が不安定なまま調整を進め、 正確に定 常状態の周波数出力を確認しないままに制御することになるため、 周波数を精度 よく調整し最終結果を得るのにかえって時間がかかってしまうことになる。 さらに、 本実施形態により、 マイクロフィルタ装置を使用する温度など外部環 境の変化やマイク口共振装置そのものの経時劣化 (マイク口共振子の機械的特性 の劣化や封止圧力の変動) によってマイクロ共振装置の共振周波数、 あるいは、 マイクロフィルタ装置の中心周波数にズレが生じた場合においても、 効果的に調 整が可能となる。 図 4 0に示すように、 例えば、 当初、 実線 5 6 0で示すような 関係であった、 マイクロ可動部の制御電圧と周波数の相関が、 外部環境の変化あ るいはマイク口共振装置そのもの経時劣化によつて点線 5 6 1で示すように変化 したことで、 マイクロフィルタ装置から選択出力される周波数にズレが生じたと する。 ズレの原因は、 当初 (前回) と同じ制御電圧を V。に設定しても出力され る周波数図の A点ではなく B点の周波数となることによる。 しかし、 元の実,锒 5 6 0によつて決定した制御電圧の制御ステップぁるいは調整アルゴリズムにした がって V 0— d _い V。一 d— 2、 V。一 d 3と調整すれば、 周波数の調整幅 5 6 2は Xとは完全には一致しないが、 マイクロ共振装置のマイクロ共振子やマイク 口可動部に大きな構造変化がおきない限り、 実線 5 6 0と点,線 5 6 1の変化の割 合に大差はないので、 変化後の相関 5 6 1に従っても、 ほぼ等しい間隔でマイク 口フィルタ装置から出力される周波数を変えることができる。 そして、 これによ り、 調整幅を予測した最適調整アルゴリズムを組むことができる。 また、 ズレ発 生後の周波数の調整幅 5 6 2がもともとも調整幅 Xからわずかに変化している場 合、 最適調整後の周波数と所望の周波数は完全に一致せず、 ズレ 5 6 3が生じる ことがある。 し力 し、 調整幅 Xは、 所望の周波数精度の 2分の 1以下で、 十分小 さく設定しておけば、 周波数のマージン内に必ず調整することができる。 このよ うに、 本実施形態によって、 マイクロフィルタ装置を使用する外部環境の変ィ匕ゃ マイク口共振装置そのものの経時劣化によってマイク口共振装置の共振周波数 (マイクロフィルタ装置の中心周波数) にズレが生じた場合においても、 記憶素 子にあらかじめ記憶されたマイク口可動部の制御電圧の最適制御ステップを用い て段階的に調整することで、 簡便に効果的にズレを調整することができる。
好適な制御動作について、 図 4 1のタイミングチャートに従って説明する。 V
!は第 1の電極の制御電圧、 V 2は第 2の電極の制御電圧、 f はマイクロフィル タ装置からの出力される信号の周波数を示す。 時間 t で記憶素子に記憶された 初期値に基づいて V。が与えられマイクロ可動部を所定の力で押し込み最初の出 力を得る。 出力された周波数が所望の中心周波数 f 。とズレている場合には、 記 憶素子に記憶されている制御ステップに従い、 出力周波数を検知して f 0と比較 ながら所定の時間間隔をおいて V。一 d—ぃ V0— d— 2、 V0— d _3、 · 'と を制御して調整される。
さらに、 好適な実施形態では、 記憶素子と接続され、 前記選択出力される周波 数に存在するズレを所望の周波数に調整する際、 図 4 1に示すように、 マイクロ 可動部の制御電圧 ェに初期値 (あるいは前回の制御値) V0を印加する前に、 すなわち所定の力でマイクロ可動部をマイクロ共振体に接触させる前に、 ちょう どマイクロ可動部が釣り合いの位置からマイクロ共振体のところまで移動させる、 すなわちマイク口可動部をマイク口共振体に接触させるだけで、 殆どマイクロ共 振体を押し付けない程度の、 マイクロ可動部の移動ステップが行なわれる。 これ によって、 マイクロ可動部を接触させるべき位置に滑らかにマイク口共振体に接 触させることができ、 再現性の高いマイクロ可動部の調整ができる。 いきなり V 。を印加すると、 マイクロ可動部がある程度の速度をもってマイクロ共振体に接 触するため、 跳ねや接触位置のズレなどが起こり、 再現性の高いマイク口可動部 の制御ができないことがあるからである。
さらに、 好適な実施形態では、 図 4 1に示すように、 マイクロ可動部の制御シ 一ケンスを組み、 マイクロ可動部の制御電圧をマイク口共振体への押し込み段階 で変化させる際には、 マイクロ共振装置あるいはマイクロフィルタ装置への入力 信号強度が小さく下げされる。 詳しく説明すると、 例えば、 図 1に示すごときマ ィク口共振体を備えたマイク口フィルタ装置に次のような高周波信号が入力され るとすると、
[式 2 ]
v - Vi cosiyt
ここで、 V iは振幅、 ωは周波数、 tは時間である。 マイクロフィルタ装置の マイクロ共振体が ωの周波数で受ける力 Fは、 ほぼ V iに依存し、 V iが大きい ほど Fは大きくなる。 また、 マイクロ共振体の振幅 A rは、 マイクロ共振体が受 ける力 Fに依存し、 これも Fが大きいほど大きくなる。 したがって、 マイクロフ ィルタへの入力信号の変数のうち、 例えば、 V iを小さくすれば、 マイクロ共振 体の共振の振幅を小さくすることができる。 つまり、 図 4 1に示すように、 マイ クロ可動部の制御電圧を変えて、 マイクロ可動部を押し付ける際に、 制御電圧を 変えてから、 押し付ける力が変ィ匕して安定するまでの時間 d tの間において、 例 えば、 マイクロフィルタへの入力信号の V iを小さくし、 信号強度を小さくすれ ば、 マイクロ共振体の振幅 A rは小さくなるので、 マイクロ可動部を押し込む際 の位置のズレゃ跳ねを防ぎ、 滑らかに押し込む力を変えることができる。 V iを ゼロにして振動をなくすこともできるが、 振幅のみを小さくし振動を継続させた 方が、 調整中に周波数が急変する跳びを防止し、 周波数の微調整が行なうことが できる。
さらに好適な実施形態では、 図 4 1に示すように、 マイク口可動部が釣り合い の位置からマイクロ共振体のところまで移動させる、 すなわちマイクロ可動部を マイクロ共振体に接触させるだけで、 殆どマイクロ共振体を押し付けない程度の、 移動ステップが行なわれる際には、 マイクロフィルタ装置への入力は、 オフある いは信号強度をゼロにされる。 これにより、 マイクロ可動部を接触させるべき位 置に滑らかにマイクロ共振体に接触させることができ、 再現性の高いマイクロ可 動部の調整ができる。
(第 5の実施形態)
次に、 第 5の実施形態としてマイクロ発振器について説明する。 好適な実施形 態では、 図 3 9に示すように、 第 1、 第 2、 第 3の実施形態にて示した本発明の マイク口共振装置 5 5 0を含み、 マイク口共振子に容量結合した入力電極 5 5 1 と、 マイクロ共振子で選択された周波数信号を取り出すため出力電極 5 5 2と、 マイクロ可動部を動かすための駆動機構への入力電極 5 5 3および 5 5 4を有し ている。 ここでは、 マイクロ可動部を 2つ備えているが、 これに限るものではな く、 1つのマイクロ可動部でもよい。 本実施形態の構成により、 製造後にマイク 口可動部駆動機構の入力電極に制御電圧を与えることでマイクロ共振装置 5 5 0 の共振周波数を広範囲に調整可能となるため、 従来法ではできなかつた、 製造時 の加工ばらつきや封入圧力のばらつきによるマイクロ共振装置の共振周波数の不 確かさに対して、 所望の (設計) 値に補正 '調整して使用することが可能になる。 従来法にくらべ製造後の調整範囲が大幅に改善されるため、 従来法では歩留まり がとれない範囲の加工精度の製造装置および製造工程を用いても、 歩留まりが取 れるようになる。 また、 封入後にマイクロ可動部の制御によってマイクロ発振器 の出力周波数のズレをその場で補正することができるため、 使用時の外部環境 (温度) の変化やマイクロ共振装置そのものの経時劣化 (封止圧力の劣化ならび にマイクロ共振子材料の機械特性の劣化など) に対しても出力を補正 ·最適調整 することができ、 発振器としての使用可能な環境条件範囲を拡大し、 製品寿命を 延ばすことができる。
本実施形態に示すマイク口発振器は、 基本部分のマイクロ共振装置の構成が第 4の実施形態に示したマイクロフィルタ装置と同じであり、 本実施形態において も、 第 4の実施形態のごとく、 マイクロ可動部制御回路および記憶素子と接続す ることで、 同様の効果が得られることは明らかである。
(第 6の実施形態)
次に、 第 6の実施形態として、 第 4の実施形態に示したごとき本発明のマイク ロフイノレタ装置と、 第 5の実施形態に示したごとき本発明のマイクロ発振器とを、 用 ヽた無線通信機器について説明する。
図 4 2に示すように、 この無線通信機器は、 送信部 6 5 0と、 受信部 6 5 1と、 前記送信部 6 5 0からの送信信号と前記受信部 6 5 1への受信信号とを分離する デュプレクサ 6 5 2と、 前記送信信号を電波として送信すると共に前記受信信号 を電波として受信するアンテナ 653と、 前記送信部 650および前記受信部 6 51に接続された前記マイクロフィルタ装置 600および前記マイクロ発振器 6 01とを備える。
前記送信部 650は、 送信信号が流れる上流側から下流側へ、 順次、 ミキサ 6 02、 アンプ 603および PA (P o w e r Amp 1 i f i e r ;電力増幅回 路) 604を備え、 このアンプ 603とこの PA604との間に、 前記マイクロ フィルタ装置 600が接続される。
前記受信部 651は、 受信信号が流れる上流側から下流側へ、 順次、 LNA (Low No i s e Am 1 i f i e r ;低雑音増幅回路) 605、 ミキサ 606およびアンプ 607を備え、 この LNA605とこのミキサ 606との間 に、 前記マイクロフィルタ装置 600が接続される。
また、 前記マイク口発振器 601は、 前記送信部 650の前記ミキサ 602と 前記受信部 651の前記ミキサ 606との両方に接続される。 なお、 前記マイク 口発振器 601には、 例えば、 VCO (Vo l t a g e Co n t r o l l e d O s c i l l a t o r ;発振回路) が接続される。
このように、 高い Q値を持つ前記マイクロフィルタ装置 600を無線通信機器 の送受信部 650, 651の帯域通過フィルタとして使用することにより、 ノィ ズとなる非線形成分を除去や、 所望の周波数信号のみを通過させ他の周波数信号 を全て除去するチャンネル選択などが可能となる。 また、 高い Q値を持つ前記マ イク口発振器 601を無線通信機器の送受信部 650, 651の局所 (局部) 発 振器などに使用することにより、 位相ノィズ低減などの効果が得られる。
したがって、 本究明において、 製造後に調整可能な超小型のマイクロフィルタ 装置 600およびマイクロ発振器 601を無線通信機器に搭載することが可能に なり、 外部環境の変動やマイクロ共振装置そのものの内部変動により、 マイクロ フィルタ装置 600およびマイクロ発振器 601の周波数特性に変動が生じても、 通信状態と対比しながらマイクロ可動部の制御によりマイクロフィルタの周波数 特性を調整し、 通信状態を最適に保つことができるようになる。
要するに、 従来の技術では、 加工精度や封入圧力精度のばらつきのため、 中心 周波数を設計値に高精度に合わせたマイクロフィルタ装置およびマイク口発振器 を製造することができず、 歩留まりが取れないばかりか、 無線機器に搭載しても 製造後の調整範囲が狭いために、 外部環境変化やマイクロフィルタ装置およびマ ィク口発振器そのものの経時劣化に対応できない問題がある。
(第 7の実施形態)
さらに第 7の実施形態として、 本発明の他の無線通信機器について説明する。 図 4 3に示すように、 この無線通信機器は、 前記デュプレクサ 6 5 2と前記ァ ンテナ 6 5 3との間に接続されるチャンネノ H 択部 6 6 0を備える。 このチャン ネル選択部 6 6 0は、 並列された複数のマイクロフィルタ装置 6 0 0を備え、 所 望の周波数信号のみを通過させる。 なお、 その他の構造は、 第 6の実施形態と同 じであるので、 その説明を省略する。
なお、 図示しないが、 この発明の無線通信機器としては、 前記マイクロフィル タ装置 6 0 0と前記マイクロ発振器 6 0 1との何れか一方を用いてもよい。
なお、 この発明は、 上述した実施形態に限定されるものではなく、 特許請求の 範囲に示した範囲で種々の変更および追加が可能であることは、 言うまでもない。

Claims

請 求 の 範 囲
1, 基板 (10, 210, 310) と、
この基板 (10, 210, 310) に設けられたマイクロ共振体 (13, 80,
100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) と、
このマイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に機械的に作用する少なくとも一つのマイク 口可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 2 71, 291, 292, 316, 412, 449) と、
このマイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216,
246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) を駆動して、 前記 マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 40
2, 423, 433, 448) に対する前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91 , 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) の機械的な作用状態を変化させるマイクロ可動部駆動機構 (1 7, 217, 317) と
を備えていることを特徴とするマイク口共振装置。
2. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイク口可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216,
246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) は、 前記マイク口 共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 42
3, 433, 448) の共振周波数を変えることを特徴とするマイクロ共振装置。
3. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイク口可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) は、 前記マイク口 共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 42 3, 433, 448) の振動領域あるいは振幅の分布形状を変えることを特徴と するマイクロ共振装置。
4. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) は、 前記マイク口 共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 42 3, 433, 448) の支持端付近における振動の吸収を制御することを特徴と 口共振装置。
5. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) は、 前記マイクロ可動 部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) を、 前記マイク口共振体 (13, 8 0, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 44 8) に接触させ、 または、 前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) から離すことを特 徴とするマイクロ共振装置。
6. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) は、 前記マイクロ可動 部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) を前記マイクロ共振体 (13, 80,
100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に所定の大きさの力で接触させ、 または、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 5 0, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3 16, 412, 449) を前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213,
243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触させている 力の大きさを変えることを特徴とするマイク口共振装置。
7. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) は、 前記マイクロ可動 部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) が前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触する位置あるいは接触する方向を変えることを特徴とするマイクロ共振装
8. 請求項 1に記載のマイクロ共振装置において、
前記マイク口可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) の前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) への機械的作用により、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 5 0, 60, 71, 91 , 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3
16, 412, 449) は、 前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触し、
前記マイク口可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) が前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423,
433, 448) に接触する位置は、 前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) の支持端 付近あるいは振動の節位置付近であることを特徴とするマイク口共振装置。
9. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイク口可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) の前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) への機械的作用により、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 5 0, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3 16, 412, 449) は、 前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触し、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) が前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触する位置は、 前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) の振動の 振幅ピーク位置よりも振幅の小さい領域であることを特徴とするマイクロ共振装
10. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) の前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) への機械的作用により、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 5 0, 60, 71 , 91 , 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3 16, 412, 449) は、 前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213,
243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触し、
前記マイク口可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) と前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) との接触によつて形成される交線のうち、 前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 4
33, 448) の主たる振動が起こる側に形成される交線 (40, 43) 力 前 記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 4 02, 423, 433, 448) の主たる共振周波数に関わる寸法の実効値を示 す線分方向 (41) に対して、 ほぼ垂直に位置するように構成されることを特徴
1 1. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) の前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423,
433, 448) への機械的作用により、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 5 0, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3 16, 412, 449) は、 前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触し、
前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313,
402, 423, 433, 448) 力 マイクロ共振子 (1 1, 24, 211,
241, 280, 311) とマイク口共振子支持部 (12, 34, 212, 24 2, 312) を備え、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) と前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) との接触によって形成される交線のうち、 前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 4
33, 448) の主たる振動がおこる側に形成される交線 (40, 43) 力 前 記マイクロ共振子 (11, 24, 21 1, 241, 280, 311) と前記マイ クロ共振子支持部 (12, 34, 212, 242, 312) が形成する交線のう ち前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313,
402, 423, 433, 448) の主たる振動が起こる側か、 あるいは最も離 れたところに形成された交線 (32, 42) にほぼ平行に位置するように構成さ れることを特徴とするマイク口共振装置。
12. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) の前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) への機械的作用により、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 5 0, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3 16, 412, 449) は、 前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触し、
前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) 力 マイクロ共振子 (1 1, 24, 211, 241, 280, 311) とマイクロ共振子支持部 (12, 34, 212, 24 2, 312) を備え、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216,
246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) と前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) との接触によって形成される交線のうち、 前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 4 33, 448) の主たる振動が起こる側に形成される交線 (40, 43) 力 前 記マイク口共振子 (11, 24, 211, 241, 280, 31 1) と前記マイ クロ共振子支持部 (12, 34, 212, 242, 312 ) が形成する交線のう ち最も前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 3 13, 402, 423, 433, 448) の主たる振動がおこる側に形成された 交線位置 (42) から、 前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 2 43, 293, 313, 402, 423, 433, 448) の主たる共振周波数 に関わる寸法の実効値を示す線分 (44) の端位置 (45) までの距離を 2倍に 延長した位置 (46) より、 前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) の主たる振動がお こる側に位置するように構成されることを特徴とするマイク口共振装置。
13. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) の前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) への機械的作用により、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 5 0, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3 16, 412, 449) は、 前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触し、
前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) 力 マイクロ共振子 (1 1, 24, 211,
241, 280, 311) とマイクロ共振子支持部 ( 12 , 34, 212, 24 2, 312) を備え、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) と前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) との接触によって形成される交線のうち、 前記マイクロ共振体
(13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 4
33, 448) の主たる振動の起こる側とは反対側に形成される交線 (47) が、 前記マイクロ共振子 (11, 24, 211, 241, 280, 311) と前記マ イク口共振子支持部 (12, 34, 212, 242, 312) が形成する交線の うち最も前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) の主たる振動がおこる側に形成され た交線位置 (42) より、 前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213,
243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) の主たる振動が起 こる側とは反対側に位置するように構成されることを特徴とするマイク口共振装
14. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) は、 大きさ、 ある いは形状、 あるいは材質の異なる複数存在し、 この異なるマイクロ可動部 (16: 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 2 92, 316, 412, 449) を前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に機械的 に作用させることを特徴とするマイクロ共振装置。
15. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) の前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) への機械的作用により、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 5 0, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3
16, 412, 449) は、 前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触し、
少なくとも前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 29 3, 313, 402, 423, 433, 448) に接触する前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 2
91, 292, 316, 412, 449) 先端部 (51) の共振周波数は、 前記 マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 40 2, 423, 433, 448) の共振周波数よりも大きいことを特徴とするマイ クロ共振装置。
16. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) の前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) への機械的作用により、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 5
0, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3 16, 412, 449) は、 前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触し、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) と前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) とは、 それぞれ、 相互に接触する接触部を有し、 この接触部に おいて、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) 側あるい は前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) 側の表面の少なくともいずれか一方に固着防 止層 (61, 409, 457) が形成されていることを特徴とするマイクロ共振
17. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイク口可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) の前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 31 3, 402, 423, 433, 448) への機械的作用により、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 5 0, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3 16, 412, 449) は、 前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触し、
前記マイク口可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) の前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) との接触部における前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) の実効寸 法を示す方向の長さ (65) は、 前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 2 13, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) の厚みより 長くなつていることを特徴とするマイクロ共振装置。
18 · 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) の前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) への機械的作用により、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 5 0, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3 16, 412, 449) は、 前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213,
243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触し、
前記マイク口可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216,
246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) と前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) とが相対的に押し付けられる力の方向は、 前記マイクロ共振体
(13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 4
33, 448) の主たる共振周波数に関わる寸法の実効値を示す線分方向 (4 1 ) に対してほぼ垂直であることを特徴とするマイクロ共振装置。
19. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイク口可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) の前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423,
433, 448) への機械的作用により、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 5 0, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3
16, 412, 449) は、 前記マイク口共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) に接触し、
前記マイク口可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216,
246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) と前記マイクロ共 振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423,
433, 448) とが相対的に押し付けられる力の方向は、 前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 4
33, 448) の主たる振動の振幅方向に対してほぼ平行か、 あるいはほぼ垂直 であることを特徴とするマイクロ共振装置。
20. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) は、 可撓性を有する板 状の圧電部材 (120) を備えていることを特徴とするマイクロ共振装置。
21. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) は、 厚み変形型の圧電 部材 (131) を備えていることを特徴とするマイクロ共振装置。
22. 請求項 1に記載のマイクロ共振装置において、
前記マイク口可動部駆動機構 (17, 217, 317 ) は、 すべり変形型の圧 電部材 (141) を備えていることを特徴とするマイクロ共振装置。
23. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) は、 静電駆動型のァク チユエータを備えていることを特徴とするマイク口共振装置。
24. 請求項 23に記載のマイク口共振装置において、
前記静電駆動型のァクチユエータは、
前記基板 (10, 210, 310) に固定された第 1の電極 (70, 90, 1
10, 115, 260, 270) と、
前記第 1の電極 (70, 90, 110, 115, 260, 270) から一定の 距離に形成され、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) と連結し、 外部から与えられる電圧により生じる前記第 1の電極 (70, 90,
110, 115, 260, 270) との電位差によって、 前記第 1の電極 ( 70, 90, 110, 115, 260, 270) に接近または離れるように移動して前 記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 2 46, 271, 291, 292, 316, 412, 449) を動かす第 2の電極 (73, 93, 111, 1 16, 263, 273) と、
前記第 2の電極 (73, 93, 1 1 1, 116, 263, 273) に電気的に 接続し、 前記第 2の電極 (73, 93, 111, 116, 263, 273) およ び前記第 2の電極 (73, 93, 11 1, 116, 263, 273) に連結した 構造 (413) を支持する弾性体 (74, 94, 264, 274) と
を備えることを特徴とするマイクロ共振装置。
25. 請求項 24に記載のマイク口共振装置において、
前記弾性体 (74, 94, 264, 274) は、 前記第 2の電極 (73, 93, 1 11, 116, 263, 273) が前記第 1の電極 (70, 90, 1 10, 1 15, 260, 270) から所定の距離のところまで前記第 1の電極 (70, 9 0, 110, 1 15, 260, 270) に接近すると、 支点位置が変わって、 前 記弾性体 (74, 94, 264, 274) の弹性係数が大きくなることを特徴と 口共振装置。
26. 請求項 24に記載のマイクロ共振装置において、
前記静電駆動型のァクチユエータは、 前記第 2の電極 (73, 93, 111, 1 16, 263, 273) が前記第 1の電極 (70, 90, 1 10, 1 15, 2 60, 270) から所定の距離のところまで前記第 1の電極 (70, 90, 1 1 0, 115, 260, 270) に接近するときに、 前記第 2の電極 (73, 93, 1 11, 116, 263, 273) および前記第 2の電極 (73, 93, 111, 1 16, 263, 273) に連結した構造 (413) を支持する第 2の弾性体を 備えることを特徴とするマイクロ共振装置。
27. 請求項 25または 26に記載のマイク口共振装置において、
前記所定の距離は、 前記第 1の電極 (70, 90, 110, 115, 260, 270) および前記第 2の電極 (73, 93, 1 11, 116, 263, 27 3) に電位差が与えられていない釣り合い状態における、 前記第 1の電極 (70, 90, 110, 115, 260, 270) と前記第 2の電極 (73, 93, 11 1, 116, 263, 273) との間の距離の 3分の 2よりも大きく設定されて いることを特徴とするマイクロ共振装置。
28. 請求項 25または 26に記載のマイクロ共振装置において、
前記所定の距離は、 前記第 1の電極 (70, 90, 110, 115, 260,
270) および前記第 2の電極 (73, 93, 1 11, 116, 263, 27 3) に電位差が与えられていない釣り合い状態における、 前記第 1の電極 (70, 90, 1 10, 115, 260, 270) と前記第 2の電極 (73, 93, 11 1, 116, 263, 273) との間の距離から前記マイクロ可動部 ( 16, 3 0, 50, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 29
2, 316, 412, 449) と前記マイクロ共振体 ( 13, 80, 100, 2 13, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448) との間の距 離を弓 I ヽた距離近傍に設定されていることを特徴とするマイクロ共振装置。
29. 請求項 24に記載のマイク口共振装置において、
前記弾性体 (74, 94, 264, 274) および前記第 2の電極 (73, 9 3, 111, 1 16, 263, 273 ) に連結した構造 (413) は、 前記第 2 の電極 (73, 93, 11 1, 1 16, 263, 273) が前記第 1の電極 ( 7 0, 90, 110, 1 15, 260, 270) に接近するときに、 前記第 1の電 極 (70, 90, 110, 115, 260, 270) と前記第 2の電極 (73,
93, 1 11, 116, 263, 273) との位置がほぼ平行に保たれるような 折れ曲がり部 (77, 78) を備えていることを特徴とするマイクロ共振装置。
30. 請求項 24に記載のマイク口共振装置において、
前記静電駆動型のァクチユエータは、 前記第 2の電極 (73, 93, 1 11,
1 16, 263, 273) から一定の距離に、 前記第 1の電極 (70, 90, 1 10, 1 15, 260, 270) とは反対側に形成され、 外部から与えられる電 圧により生じる前記第 2の電極 (73, 93, 111, 1 16, 263, 27 3) との電位差によって、 前記第 2の電極 (73, 93, 1 1 1, 116, 26 3, 273) および前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91,
128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) に駆動力を与える第 3の電極 (112, 290) を備えることを特徴とするマイ クロ共振装置。
31. 請求項 24に記載のマイク口共振装置において、
前記静電駆動型のァクチユエータは、
前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 216,
246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) と連動する構造部 から前記第 1の電極 (70, 90, 1 10, 115, 260, 270) と前記第
2の電極 (73, 93, 111, 116, 263, 273) とが対向する方向と 直交する方向に一定の距離に形成されると共に、 外部から与えられる電圧により 生じる前記構造部との電位差によって、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71 , 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449 ) に対し、 前記第 1の電極 (70, 90, 110, 1 15, 26
0, 270) と前記第 2の電極 (73, 93, 1 1 1, 116, 263, 27 3) とが対向する方向とは直交する方向の駆動力を与える第 4の電極 (1 17) を備えることを特徴とするマイクロ共振装置。
32. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448 ) および前記マイクロ可動部 ( 16, 30, 5 0, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3 16, 412, 449) は、 その,袓成に少なくとも 2つの元素が含まれる材料か らなり、 この元素のうち 1つの元素は、 高融点金属元素であることを特徴とする マイクロ共振装置。
33. 請求項 32に記載のマイクロ共振装置において、
前記高融点金属元素は、 タングステン、 タンタル、 モリブデンのいずれかであ ることを特徴とするマイクロ共振装置。
34. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313,
402, 423, 433, 448 ) および前記マイクロ可動部 ( 16 , 30, 5 0, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3 16, 412, 449) は、 その組成に少なくとも 2つの元素が含まれる材料か らなり、 この材料は、 高融点金属元素と、 少なくとも窒素、 酸素、 炭素のいずれ かの元素を含むことを特徴とするマイク口共振装置。
35. 請求項 1に記載のマイク口共振装置において、
前記マイクロ共振体 (1 3, 80, 100, 213, 243, 293, 313,
402, 423, 43.3, 448 ) および前記マイクロ可動部 ( 16, 30, 5 0, 60, 71, 91, 128, 216, 246, 271, 291, 292, 3 16, 412, 449) は、 その糸且成に少なくとも 2つの元素が含まれる材料か らなり、 この材料は、 組成あるいは内部残留応力の異なる少なくとも 2つの層で 構成されることを特徴とするマイクロ共振装置。
36. 請求項 1に記載のマイク口共振装置 (550) と、
前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313,
402, 423, 433, 448) に容量結合した入力電極 (551) と、 前記マイク口共振装置 (550) により選択された周波数信号を取り出すため の出力電極 (552) と、
前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) を駆動する入力電極 (553, 554) と
を有していることを特徴とするマイク口フィルタ装置。
37. 請求項 36に記載のマイクロフィルタ装置において、
前記マイクロ共振装置 (550) の出力 (552) と前記マイクロ可動部駆動 機構 (17, 217, 317) を駆動する入力 (553, 554) とに接続され たマイクロ可動部制御回路 (555) を備え、
このマイクロ可動部制御回路 (555) は、 選択すべき所望の周波数と前記マ イク口共振装置 (550) により選択出力される信号の周波数にズレが存在する とき、 前記マイクロ共振装置 (550) から所望の周波数信号が出力されるよう に、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 21 6, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) を調整するこ とを特徴とするマイクロフィルタ装置。
38. 請求項 37に記載のマイクロフィルタ装置において、
前記マイクロ可動部制御回路 (555) に接続された記憶素子 (557) を備 ·、
この記憶素子 (557) は、 前記選択すべき所望の周波数との差を補正するよ う調整した前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) の制御値を記 feし、
前記マイクロ可動部制御回路 (555) は、 起動動作時に、 前記記憶素子 (5 57) に記憶された前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) の制 御値をもとに、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 1 28, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) を 制御して、 出力される周波数信号を調整することを特徴とするマイクロフィルタ
39. 請求項 38に記載のマイクロフィルタ装置において、
前記記憶素子 (557) に記憶される前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 2 17, 317) の制御値は、 前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 31 7) の電極に印加する電圧、 あるいは電極間に印加される電圧差のいずれかを与 える設定値を含んで 、ることを特徴とするマイクロフィルタ装置。
40. 請求項 39に記載のマイクロフィルタ装置において、 前記マイクロ可動部制御回路 (555) は、 前記選択出力される信号の周波数 に存在するズレを所望の周波数に調整する際、 前記記憶素子 (557) にあらか じめ記憶された前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) の制御電 圧の最適制御ステップを用いて段階的に調整することを特徴とするマイクロフィ ルタ装置。
41. 請求項 1に記載のマイクロ共振装置 (550) と、
前記マイクロ共振体 (13, 80, 100, 213, 243, 293, 313, 402, 423, 433, 448 ) に容量結合した入力電極 ( 551 ) と、 前記マイク口共振装置 (550) により出力された周波数信号を取り出すため の出力電極 (552) と、
前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) を駆動する入力電極 (553, 554) と
を有していることを特徴とするマイク口発振器。
42. 請求項 41に記載のマイクロ発振器において、
前記マイクロ共振装置 (550) の出力 (552) と前記マイクロ可動部駆動 機構 (17, 217, 317) を駆動する入力 (553, 554) とに接続され たマイクロ可動部制御回路 (555) を備え、
このマイクロ可動部制御回路 (555) は、 前記マイクロ共振装置 (550) により出力された周波数の変動を補正あるいは最適化するように、 出力を検知し ながら前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 128, 2 16, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) を調整する ことを特徴とするマイク口発振器。
43. 請求項 42に記載のマイク口発振器において、
前記マイクロ可動部制御回路 (555) に接続された記憶素子 (557) を備 え、
この記憶素子 (557) は、 出力されるべき所望の周波数と実際の周波数との 差を捕正あるいは最適化するよう調整した前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) の制御値を記憶し、
前記マイクロ可動部制御回路 (555) は、 起動動作時に、 前記記憶素子 (5 57) に記憶された前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) の制 御値をもとに、 前記マイクロ可動部 (16, 30, 50, 60, 71, 91, 1 28, 216, 246, 271, 291, 292, 316, 412, 449) を 制御することを特徴とするマイクロ発振器。
44. 請求項 43に記載のマイク口発振器において、
前記記憶素子 (557) に記憶される前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 2
17, 317) の制御値は、 前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 31 7) の電極に印加する電圧、 あるいは電極間に印加される電圧差のいずれかを与 える設定値を含んでいることを特徴とするマイク口発振器。
45. 請求項 44に記載のマイク口発振器において、
前記マイクロ可動部制御回路 (555) は、 前記出力された周波数における変 動を補正あるいは最適化する際、 前記記憶素子 (557) にあらかじめ記憶され た前記マイクロ可動部駆動機構 (17, 217, 317) の制御電圧の最適制御 ステップを用いて段階的に調整することを特徴とするマイク口発振器。
46. 送信部 (650) と、
受信部 (65 1) と、
前記送信部 (650) からの送信信号と前記受信部 (651) への受信信号と を分離するデュプレクサ (652) と、
前記送信信号を電波として送信すると共に前記受信信号を電波として受信する アンテナ (653) と、
少なくとも前記送信部 (650) および前記受信部 (651) に接続された請 求項 36に記載のマイクロフィルタ装置 (600) と
を備えることを特徴とする無線通信機器。
47. 送信部 (650) と、
受信部 (651) と、
前記送信部 (650) からの送信信号と前記受信部 (651) への受信信号と を分離するデュプレクサ (652) と、
前記送信信号を電波として送信すると共に前記受信信号を電波として受信する アンテナ (653) と、
少なくとも前記送信部 (650) および前記受信部 (651) に接続された請 求項 41に記載のマイクロ発振器 (601) と
を備えることを特徴とする無線通信機器。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006238265A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Seiko Epson Corp 振動子構造体及びその製造方法
JP2007288321A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Toshiba Corp 共振回路、フィルタ回路および発振回路
JP2008099042A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Ritsumeikan マイクロメカニカル共振器
JP2008099020A (ja) * 2006-10-12 2008-04-24 Sanyo Electric Co Ltd マイクロメカニカル共振器
JP2009088854A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sanyo Electric Co Ltd マイクロメカニカル共振器およびその製造方法
JP2009111810A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Seiko Instruments Inc 静電振動子および発振器
JP2009171483A (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Seiko Instruments Inc 静電振動子および発振器
JP2010162629A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Seiko Epson Corp Memsデバイスの製造方法
JP2011041179A (ja) * 2009-08-18 2011-02-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 微小共振子およびその製造方法
WO2010107618A3 (en) * 2009-03-19 2011-03-10 Robert Bosch Gmbh Method of accurately spacing z-axis electrode
JP2011209751A (ja) * 2006-06-01 2011-10-20 Qualcomm Mems Technologies Inc 静電気動作と解放を備えたアナログ光干渉変調器デバイス
JP4838149B2 (ja) * 2005-01-13 2011-12-14 パナソニック株式会社 捩り共振器およびこれを用いたフィルタ
JP4885714B2 (ja) * 2004-04-27 2012-02-29 日本碍子株式会社 弾性体の検査方法、検査装置、及び寸法予測プログラム
US8368473B2 (en) 2009-06-09 2013-02-05 Panasonic Corporation Resonator and oscillator using same
WO2016063863A1 (ja) * 2014-10-22 2016-04-28 株式会社村田製作所 共振子及び共振装置
US10741205B2 (en) 2016-11-29 2020-08-11 Nec Platform, Ltd. Brake device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251977A (ja) * 1992-03-03 1993-09-28 Fujitsu Ltd 圧電デバイス
JPH11508418A (ja) * 1995-06-23 1999-07-21 コーネル・リサーチ・ファンデーション・インコーポレイテッド キャパシタンスに基づくチューニング可能な超小型機械共振器
JP2000030595A (ja) * 1998-06-02 2000-01-28 Nokia Mobile Phones Ltd 共振器の構造
JP2002094351A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Tdk Corp 圧電共振部品
JP2003532323A (ja) * 2000-04-20 2003-10-28 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン 振動マイクロメカニカル装置列を利用して電力増幅器を有するサブシステムの信号を濾過するための方法及び装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61194325A (ja) * 1985-02-25 1986-08-28 Shinko Denshi Kk 力変換機構
US5550516A (en) * 1994-12-16 1996-08-27 Honeywell Inc. Integrated resonant microbeam sensor and transistor oscillator

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251977A (ja) * 1992-03-03 1993-09-28 Fujitsu Ltd 圧電デバイス
JPH11508418A (ja) * 1995-06-23 1999-07-21 コーネル・リサーチ・ファンデーション・インコーポレイテッド キャパシタンスに基づくチューニング可能な超小型機械共振器
JP2000030595A (ja) * 1998-06-02 2000-01-28 Nokia Mobile Phones Ltd 共振器の構造
JP2003532323A (ja) * 2000-04-20 2003-10-28 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン 振動マイクロメカニカル装置列を利用して電力増幅器を有するサブシステムの信号を濾過するための方法及び装置
JP2002094351A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Tdk Corp 圧電共振部品

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4885714B2 (ja) * 2004-04-27 2012-02-29 日本碍子株式会社 弾性体の検査方法、検査装置、及び寸法予測プログラム
JP4838149B2 (ja) * 2005-01-13 2011-12-14 パナソニック株式会社 捩り共振器およびこれを用いたフィルタ
JP2006238265A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Seiko Epson Corp 振動子構造体及びその製造方法
JP2007288321A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Toshiba Corp 共振回路、フィルタ回路および発振回路
JP2011209751A (ja) * 2006-06-01 2011-10-20 Qualcomm Mems Technologies Inc 静電気動作と解放を備えたアナログ光干渉変調器デバイス
JP2008099020A (ja) * 2006-10-12 2008-04-24 Sanyo Electric Co Ltd マイクロメカニカル共振器
JP2008099042A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Ritsumeikan マイクロメカニカル共振器
JP2009088854A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sanyo Electric Co Ltd マイクロメカニカル共振器およびその製造方法
JP2009111810A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Seiko Instruments Inc 静電振動子および発振器
JP2009171483A (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Seiko Instruments Inc 静電振動子および発振器
JP2010162629A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Seiko Epson Corp Memsデバイスの製造方法
WO2010107618A3 (en) * 2009-03-19 2011-03-10 Robert Bosch Gmbh Method of accurately spacing z-axis electrode
US8430255B2 (en) 2009-03-19 2013-04-30 Robert Bosch Gmbh Method of accurately spacing Z-axis electrode
US8368473B2 (en) 2009-06-09 2013-02-05 Panasonic Corporation Resonator and oscillator using same
JP2011041179A (ja) * 2009-08-18 2011-02-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 微小共振子およびその製造方法
WO2016063863A1 (ja) * 2014-10-22 2016-04-28 株式会社村田製作所 共振子及び共振装置
JPWO2016063863A1 (ja) * 2014-10-22 2017-04-27 株式会社村田製作所 共振子及び共振装置
US10530332B2 (en) 2014-10-22 2020-01-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonator and resonating device
US10741205B2 (en) 2016-11-29 2020-08-11 Nec Platform, Ltd. Brake device

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