JP2009065602A - 振動子デバイス及び発振器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 振動子デバイス901の振動子201が二種類の材質からなる両端支持梁構造であり、一方の材質で互いに対向する二本の片持ち梁220,221を形成し、他方の材質で二本の片持ち梁220,221の自由端同士を連結することにより、一本の両端支持梁構造とした。
【選択図】 図2
Description
つまり、振動子にかかる張力が大きいほど、共振周波数が大きくなる。
100 振動子ブロック
101 直流バイアス電圧印加回路
102 出力用発振回路
201 振動子
202、203 直流バイアス用振動子電極パッド
204 励振用電極パッド
205 励振用電極
206 検出用電極パッド
207 検出用電極
210 支持層
211、212、213、214 絶縁層
215、216 固定部
220、221 片持ち梁
220’、221’ 振動子原型
222 被覆材
301 バネ
302 錘
305 インバータ
306 直流電源
401 活性層
402 BOX層
901 振動子デバイス
Claims (3)
- 機械的に振動するように設けられた振動子と、
前記振動子の近傍に配置され、前記振動子との間で電界を介して相互に作用する励振用電極と、
前記振動子を挟んで前記励振用電極と反対側に設置され、前記振動子との電界の変化を出力する検出用電極と、
前記励振用電極に電気的に接続され、前記振動子の共振周波数で発振して発振信号を出力する発振回路とを備えた振動子デバイスであって、
前記振動子が二種類の材質からなる両端支持梁構造であり、
前記振動子の一方の材質で互いに対向する二本の一端支持他端自由の梁を形成し、他方の材質で前記二本の一端支持他端自由の梁の自由端同士を連結し、一本の両端支持梁構造としたことを特徴とする振動子デバイス。 - 前記振動子の一方の材質がシリコンであり、他方の材質がポリシリコンもしくはケイ素化合物であることを特徴とする請求項1に記載の振動子デバイス。
- 請求項1もしくは2に記載の振動子デバイスと、
前記振動子に直流電圧を印加する直流電圧印加部とを備えた発振器
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002505046A (ja) * | 1997-06-13 | 2002-02-12 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティー オブ ミシガン | 基板上に形成されたマイクロ構造を局所的にアニーリングする方法およびシステムならびにそれにより形成された素子 |
JP2007005909A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気機械信号選択素子、その製造方法およびそれを用いた電気機器 |
WO2007072409A2 (en) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Nxp B.V. | A mems resonator, a method of manufacturing thereof, and a mems oscillator |
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2007
- 2007-09-10 JP JP2007233868A patent/JP4995675B2/ja not_active Expired - Fee Related
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