JP2002505046A - 基板上に形成されたマイクロ構造を局所的にアニーリングする方法およびシステムならびにそれにより形成された素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 機械的マイクロ構造、特にマイクロメカニカル共振器の様なマイクロメカニカル構造の共振周波数を調整し且つＱ因子を増大するのに使用することができる、一括処理に適合する製造後アニーリング方法及び装置が記述されている。この技術は、マイクロメカニカル構造、又は近接するマイクロ構造（例えば、近接する抵抗器）を通して、電流を流し、これによって、電力を消費し且つマイクロ構造及び／又はその材料の特性を変化するのに十分に高いな温度に構造を加熱し、マイクロ構造の共振周波数及びＱ因子に変化をもたらす。この技術は、多くのマイクロ構造の調整を同時に都合良く行うことを可能とし、且つマイクロメカニカル構造のアンカ部分を横切って電圧を単に加えることによって実施することができるので、マイクロメカニカル構造に対して、この技術は、特に有用である。

Description

【発明の詳細な説明】 基板上に形成されたマイクロ構造を局所的にアニーリングする方法およびシス テムならびにそれにより形成された素子 技術分野 本発明は基板上に形成されたマイクロ構造をアニーリングする方法およびシス テムに関し、特に基板上に形成されたマイクロ構造を局所的にアニーリングする 方法およびシステムならびにそれにより形成された素子に関する。 背景技術 多くの素子は、仕様の範囲内で動作するために、製造後のトリミングを必要と している。特に、センサおよび基準(例えば周波数基準)の場合にはこのようなト リミングが必要である。連続的に製造される巨視的素子の場合には、トリミング が全コストの大部分を占めることはあまりない。一括製造される微視的素子(例 えば、集積回路あるいはマイクロメカニカル素子)の場合には、トリミングまた はプログラミングは、それが順次に行われる場合には、素子のコストの大きな割 合を占める可能性がある。例えば、指定共振周波数を得るためのマイクロメカニ カル共振器のレーザートリミングは、順次に行う必要がある。したがってスルー プットは低く、コストは高くなる。 基準発振器および高度に選択的な帯域フィルタのようなマイクロメカニカル共 振器に対する周波数指定の用途の出現により、共振周波数の製造後トリミング技 術の重要性は高まっている。このことは、特に、最近のマイクロメカニカル共振 器の通信用途で言える。その理由は、マイクロメカニカル共振器の通信用途では 、正確に定められた中心周波数を有する多数のそのような共振器が、平行フィル タバンクおよび多数の基準発振器を実現しなければならないからである。これら の用途は、多くの場合プレーナ技術を利用した一括製造であり、高スループット でのトリミングが望ましい。 急速熱アニーリング（RTA）がポリシリコン薄膜中の歪分布を変化できること は公知である。 発明の大要 本発明の目的は、マイクロメカニカル素子のようなマイクロ構造を、基板上に 形成されたその他のマイクロ構造全てに影響を与えることなく、結果的に得られ る素子の基板上の特定箇所で局所的にアニーリングする素子および方法ならびに システムを提供することである。 本発明の別の目的は、マイクロメカニカル素子のようなマイクロ構造を、基板 上の特定箇所において局所的にアニーリングし、そのような素子の一括処理態様 において特に有用なる方法およびシステムを提供することである。 本発明のさらに別の目的は、共振器を基板上で動作させながら、マイクロメカ ニカル共振器のようなマイクロメカニカル素子を局所的にアニーリングする方法 およびシステムを提供し、指定共振周波数およびQ因子増大を、主としてマイク ロスケール構造に対する熱時定数がより小さいことによって、比較的高いスルー プットおよび低コストで実現する。 本発明のさらに別の目的は、基板上での特定箇所において共振器のようなマイ クロメカニカル素子に対し局所的なアニーリングを行う電子的な方法およびシス テムを提供し、比較的低温での製造を可能とし、次いで回路技術とマイクロ構造 技術の融合を可能とし、また直流の大電圧なしに広い幅の周波数トリミング幅を 可能とする。例えば、ポリシリコン構造原料を低温でアモルファスに堆積し、次 いで局所的にアニーリングしてより優れた材料特性を有する多結晶材料にするこ とができる。 本発明の上記目的および他の目的を実施する方法として、基板上に形成された 所定のマイクロ構造を局所的にアニーリングする方法がある。この方法は、基板 上に形成されたその他全てのマイクロ構造に実質的な影響を与えることなく、所 定のマイクロ構造の材料特性および／またはマイクロ構造特性が変化するのに十 分な時間にわたり、所定のマイクロ構造のエネルギ状態を制御可能に引き上げる 工程を含む。 所定のマイクロ構造は、好ましくは共振周波数とＱ因子を有するマイクロメカ ニカル共振器のようなマイクロメカニカル素子である。制御可能に引き上げる工 程は、好ましくは共振周波数のみではなく共振器のＱ因子をも変化させるのに十 分な程度に共振器を制御可能に加熱することにより得られる。 好ましくは、この方法はさらに共振器を発振させる工程と共振周波数をモニタ する工程とを含む。制御可能に加熱する工程は、共振器が所望の共振周波数を得 るまで共振器を加熱する。 実施の形態の1つにおいては、マイクロメカニカル共振器は梁を含む。 別の実施の形態においては、マイクロメカニカル共振器は折り返し梁マイクロ メカニカル共振器である。双方の実施の形態において、マイクロメカニカル共振 器は典型的にポリシリコン共振器である。 マイクロ構造は典型的に抵抗を有し、制御可能に加熱する工程は電流を所定の マイクロ構造を経由して流し所定のマイクロ構造を加熱する工程を含む。 また、好ましくは、この方法は、所定のマイクロ構造と電気的に結合した基板 上に1対の電極を形成する工程と、電気信号をその電極に印加する工程とを含む 。電気信号は直流信号でよいが、1以上のパルスを有する信号のような時間変動 信号が好ましい。 好ましくは、基板は半導体基板であるが、ガラスあるいはその他の基板でもよ い。半導体基板はシリコン半導体基板とすることができる。 所定のマイクロ構造はシリコン半導体マイクロ構造のような半導体マイクロ構 造とすることができる。一実施形態において、所定のマイクロ構造物は当初アモ ルファスシリコンマイクロ構造を有し、そこで制御可能に加熱する工程がアモル ファスシリコンマイクロ構造物を多結晶シリコンマイクロ構造あるいは結晶シリ コンマイクロ構造に変化する。 マイクロ構造はマイクロエレクトロメカニカル素子の部品を形成できる。 さらに本発明の上記目的およびその他の目的を実施するにあたり、素子の基板 上に形成された所定のマイクロ構造を局所的にアニーリングするシステムがある 。このシステムは、アニーリング電源とアニーリング電源から素子の微視的部品 に電気信号の形で電力を供給するため素子の微視的部品と結合するように適合さ れた手段とを含み、この結果、素子の微視的部品は、基板上に形成されたその他 全 てのマイクロ構造に対して実質的な影響を与えることなく所定のマイクロ構造の 材料特性および／またはマイクロ構造特性を変化させるのに十分な時間にわたっ て、供給された電力を制御された熱量に変換する。 本発明の上記目的およびその他の目的をさらに実施するにあたり、基板上に形 成された少なくとも1つのマイクロ構造を有する素子が提供されている。この素 子は基板上に形成され且つ所定のマイクロ構造と電気的に結合した電気信号を受 信するための電極を有する。電気信号は、所定のマイクロ構造を経由して電流を 流し、基板上に形成されたその他全てのマイクロ構造に対して影響を与えること なく、所定のマイクロ構造の材料特性および／またはマイクロ構造特性を変化さ せるのに十分な時間にわたり所定のマイクロ構造を制御可能に直接加熱する。 本発明の上記目的およびその他の目的をさらに実施するにあたり、基板上に形 成された少なくとも1つのマイクロ構造を有する素子が提供されている。この素 子は所定のマイクロ構造に直接隣接した基板上に形成され且つ信号を受信するよ うに適合された抵抗性加熱エレメントを含む。信号は、エレメントに、基板上に 形成されたその他全てのマイクロ構造に対して影響を与えることなく、所定のマ イクロ構造の材料特性および／またはマイクロ構造特性が変化するのに十分な時 間にわたり所定のマイクロ構造を間接的に加熱させる。 好ましくは、素子はさらに基板から熱的に遮断したマイクロプラットフォーム を含み、抵抗性加熱エレメントおよびマイクロ構造がこのマイクロプラットフォ ーム上に形成される。 本発明のこの方法は、このようなマイクロメカニカル共振器のＱ因子を電子フ ィルタリング、発振器、およびジャイロ用途に対し増加或いは減少できる、共振 器のようなマイクロメカニカル素子に対する一括形態のトリミング技術である。 この方法とシステムは、マイクロスケールメカニカル素子において制御可能な 周波数トリミングとＱ因子増大の双方を達成する。この方法とシステムは、EEPR OMをプログラムするのと同様の仕方で、電気的に起動され大規模に実施可能であ る。この方法とシステムは共に、マイクロ共振器素子の製造後の周波数トリミン グを可能とし、Ｑ増大の能力により、高いQのマイクロスケール共振器の低温製 造を可能とし、したがって回路+マイクロ構造融合が可能となり、、構造がME MSの後に製造される。 本発明の上記目的、その他の目的、特色、および有利性は、次ぎの、添付図面 を参照した本発明を実施する最適形態の詳細な説明から容易に明らかである。 図面の簡単な説明 図１は比較的単純なマイクロメカニカル共振器の概略図であって本発明の第１ 実施形態に従う共振器のアンカ間に電圧を印加して共振器を直接過熱する回路を 示し； 図2は本発明の方法およびシステムにより形成された素子の周波数特性の、周 波数が変わりQが高くなった時の変化を示すグラフであり； 図3は本発明の方法およびシステムの別の実施形態の概略図であってマイクロ メカニカル共振器が回路により間接的に加熱されている図であり； 図4は図3の実施形態の概略図に遮断マイクロプラットフォームを追加した図で あり； 図5は櫛型駆動折り返し梁マイクロメカニカル共振器に関し本発明の第1実施形 態の方法およびシステムを示した斜視概略図であって、周波数トリミングを共振 器が作動中に特定箇所で行う図であり；そして 図6は本発明をチップ上の回路に影響を与えることなく特定箇所に使用したマ イクロエレクトロメカニカルシステムの側面概略図である。 発明を実施するための最良の形態 次ぎに図面を参照すると、図1には本発明の方法およびシステムの一実施形態 が示されている。特に、図1は本発明の局所化したアニーリング方法およびシス テムの一可能実施形態を示す。ここで、電圧V_annealが、図１，３、および４に おいて全体的に１２で示され、端子間に抵抗R_structを有する導電性マイクロメ カニカル素子或いは構造(この場合、マイクロメカニカル共振器)のアンカ１０の 間に印加される。この電圧の印加が電流I_annealを生じ、これが構造１２の梁１ ４を経由して流れ、次式により与えられる電力を消散する。 P_anneal=I² _annealR_struct 電圧V_annealが十分な場合には、構造１２はアニーリングが起こる温度まで加熱 可能であり、この温度で周波数とＱ因子とは、材料特性と欠陥密度のようなマイ クロ構造特性の変化につれ、変化する。構造１２の微視的サイズにより、1000ケ ルビンを越す温度に達するのに必要とされる電力は非常に少ない(例えば20ｍｗ) 。 駆動電極１６は、電気信号の印加により、梁１４を発振させる。検出電極１８ は梁１４の発振を感知する。 次に図２は、本発明に従う局所化アニーリングの結果を示す。ここで周波数f_{o b} の初期共振器は局所的にアニーリングされ、その結果新しい共振周波数f_oaおよ びはるかに高いＱ因子(すなわち鋭いピーク)を有する新たな周波数特性を持つこ となる。 マイクロメカニカル共振器１２の共振周波数は、アニーリングにより変化する 。 この共振周波数変化に対する1つの可能なメカニズムは、内部歪が修正され、共 振周波数が全体的に歪の関数であることを理由とする。マイクロメカニカル共振 器１２のＱ因子は、分子レベルおよびマイクロ構造レベルの双方における、構造 内の欠陥の関数である。欠陥密度が高いほどＱ因子は低下する。したがって、構 造のアニーリングがこれらの欠陥を除去するので、アニーリングがＱ因子を高め ることも可能である。 局所化アニーリングに対する方法およびシステムの他の実施形態を、同一のマ イクロメカニカル共振器１２について、図3および図4に示す。ここで、加熱はア ニーリングされる構造(すなわち共振器１２)に直接隣接するかあるいはその近く に配置された抵抗器２０のような抵抗性加熱素子を使用して行う。図3では、抵 抗器２０および構造１２は基板２２上に直接配置されている。 図４では、抵抗器２０および構造１２は、長く薄いストラット２６を介して基 板(図４には図示せず)から熱的に遮断されているマイクロプラットフォーム２４ 上に配置されている。図４の実施の形態では、熱的絶縁状態がよいので、一層低 電力でアニーリングを行うことが出来る。 いずれかの実施形態を使用して構造１２の加熱のために印加される電圧は、図 示した様に、直流電圧である必要はない。よりよく制御したアニーリングまたは 局所依存アニーリングを行うためには、パルス化信号(図５に示すように)あるい は交流信号でよい。例えば、非常に高い周波数では、電流は主に構造１０(表皮 効果により)の表面を流れ、したがって、高周波電圧を使用して構造の表面のみ をアニーリングすることが出来る。熱損失幾何形状と連結した電流密集効果は部 位指定局所化アニーリングに対しても利用可能である。 図５は、検出電極３２および増幅器３４を含む検出電子部品を、適宜バイアス し励起した櫛型駆動折り返し梁マイクロメカニカル共振器３０に設けた状態の、 このフィラメント類似のアニーリング過程の詳細を概略的に描写したものである 。共振器３０はまたスライスド接地面４０および駆動電極３８上に形成された櫛 状のトランスジューサ３６も含む。共振器の設計は、独特のリードすなわちアン カ４４および４６と結合したアニーリング電極４２を配置したほかは、全ての点 で先行技術の設計と同様である。 共振器が正常に作動している間、パルス電圧発生器V_annealは作動せず、この 共振器システムの全ての構成部品に対し接地電圧を提供する。この構成において は、アンカリード４２は直流バイアス電圧V_Pと結びつけられ、交流駆動信号が１ つ以上のトランスデュサ一電極３８に印加されて振動が誘起される。ひとたび振 動が起こると、出力電流が、直流バイアスの時間変動コンデンサを介して出力電 極３２で発生する。この電流は次に増幅器３４により感知され増幅されて電圧V_O となる。図5は開ループの態様を示すが、閉ループの発振器フックアップも局所 アニーリングが可能であることは理解される。 誘起振動の間にマイクロ共振器をアニーリングするため、パルス電圧発生器V_{a nneal} を起動させる。V_annealは必要に応じ各アニーリング周期に対し大きさV_{ann eal} の電圧パルス１つ以上を発するように装置されている。各パルスの間、入力 および出力電極４６、接地面４０、および共振器アンカ４４の一方の各電位はV_{a nneal} だけ引き上げられ、一方共振器アンカ４４の他方の電位はV_Pで一定のまま である。このようにして、各パルスは大きさV_annealの電圧をアンカからアンカ へ共振器３０をまたいで効果的に印加し、次ぎにこれがアンカからアンカへの電 流I_annealを生じる。この電流は共振器構造を流れ、次式で与えられる電力を消 散する。 P_anneal=Ｉ² _annealR_struct ここでR_structは共振器３０のアンカ４４と４６の間の抵抗である。熱はこのよ うにして共振器構造全体で発生し、全体の温度を上げ、効果的にアニーリングを 行う。 制御器４８は電圧V_Oをモニタし、アニーリングしたマイクロ共振器３０のアニ ーリング後の共振周波数を決定することができる。アニーリング後の共振周波数 が所望の共振周波数でない場合には、制御器４８はパルス電圧発生器に制御信号 を送り、別のパルスを供給してマイクロ共振器３０をさらに加熱する。 次ぎに図６を参照すると、マイクロメカニカル素子５０およびマイクロ電気素 子５２の双方を有するMEMSが示されている。マイクロ電気素子５２はコンデンサ ５４およびPMOSとNMOSの層を含むこともできる。素子５０のアニーリングは、図 6に示すマイクロ回路とマイクロ構造との融合技術によるチップ上の回路に影響 を与えることなく可能である。 本発明の局所化アニーリングの方法およびシステムの背後にある主要な有利性 は、その単純性である。アンカポイント間への単なる電圧の印加は非常に容易に 行うことができ、この単純性がこの技術の一括処理方式を利用して製造された共 振器の大量のアレーへの使用を可能とする。何百万のトランジスタを有するEEPR OMが電子的にプログラム可能であるのと同様に、この局所化アニーリング技術は 恐らくウェーファの各ダイ上の何千ものマイクロメカニカル共振器の電子的調律 ／トリミングを可能とする。トリミングは、局所化アニーリングを使用して一括 処理方式でウェーファ段階で行うようにすべきであり、こうすればマイクロメカ ニカル素子のコストを相当引き下げることかでき、恐らくその幾つかを初めて経 済的に可能とする。 さらに、これらの局所化アニーリング手法は、幾つかの新規の回路＋マイクロ メカニカル素子技術に繋がる。例えば、先ず最近のMICS技術は、CMOSを次いでマ イクロ構造を具体化することによりCMOSとマイクロメカッニックスをモジュール 的に融合することを試みた。この方式での主要な問題は、CMOSの上にマイクロ構 造の層を堆積することにある。その理由は、無歪なポリシリコン構造を作るのに 必要とされる堆積温度(600℃)がアルミニウム接点の共晶温度（540℃）より高い ためである。局所化アニーリングは、シリコンの低温での堆積を可能とし (この温度でアモルファスに堆積される)、次いで個々の構造の局所化アニーリン グを（一括処理方式で）行いシリコンを結晶化して導電化し、アニーリングで歪 を消すことにより、この問題を解決出来る。その結果、センサおよびマイクロア クチュエータ製品を利用可能とする鋳造技術と一致する融合技術プロセスとなる 。 本発明を実施するための最良の実施形態について詳細に説明したが、本発明に 関係する当業者は、下記する請求の範囲により規定される本発明の実施に対し種 々の代替的な設計および実施例を認めることとなろう。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ， ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，Ｌ Ｓ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ， ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，Ｅ Ｅ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ， ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，Ｍ Ｄ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ， ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，Ｖ Ｎ，ＹＵ，ＺＷ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．基板上に形成された所定のマイクロ構造を局所的にアニーリングする方法で あって、前記方法は： 前記基板上に形成されたその他全てのマイクロ構造に対して実質的に影響を 与えることなく前記所定のマイクロ構造の材料特性および／またはマイクロ構 造特性を変化させるのに十分な時間にわたり前記所定のマイクロ構造のエネル ギ状態を制御可能に引き上げる工程からなることを特徴とする基板上に形成さ れた所定のマイクロ構造を局所的にアニーリングする方法。 ２．請求項１記載の方法において、前記制御可能に引き上げる工程は制御可能に 加熱する工程を含むことを特徴とする方法。 ３．請求項２記載の方法において、前記所定のマイクロ構造はマイクロメカニカ ル素子であることを特徴とする方法。 ４．請求項３記載の方法において、前記マイクロメカニカル素子は共振周波数お よびＱ因子を有するマイクロメカニカル共振器であることを特徴とする方法。 ５．請求項４記載の方法において、前記制御可能に加熱する工程は前記共振器の 前記共振周波数を変化させるのに十分であることを特徴とする方法。 ６．請求項５記載の方法は、さらに前記共振器を発振させる工程と前記共振周波 数をモニタする工程とから構成される方法において、前記制御可能に加熱する 工程は前記共振器が所望の共振周波数を得るまで前記共振器を加熱することを 特徴とする方法。 ７．請求項４記載の方法において、前記制御可能に加熱する工程はＱ因子を変化 させるのに十分であることを特徴とする方法。 ８．請求項４記載の方法において、前記制御可能に加熱する工程は前記共振周波 数および前記Ｑ因子を変化させるのに十分であることを特徴とする方法。 ９．請求項４記載の方法において、前記マイクロメカニカル共振器は１組のアン カを有する梁を含むことを特徴とする方法。 10．請求項４記載の方法において、前記マイクロメカニカル共振器はアンカを有 する折り返し梁マイクロメカニカル共振器であることを特徴とする方法。 11．請求項１記載の方法において、前記マイクロメカニカル共振器はポリシリコ ン共振器であることを特徴とする方法。 12．請求項２記載の方法において、前記マイクロ構造は抵抗を有し、前記制御可 能に加熱する工程は電流を所定のマイクロ構造を経由して流し該所定のマイク ロ構造を加熱する工程を含むことを特徴とする方法。 13．請求項１２記載の方法であって、前記所定のマイクロ構造と電気的に結合し た基板上に１対の電極を形成して該電極に電気信号を印加する工程から構成さ れることを特徴とする方法。 14．請求項１３記載の方法において、前記電気信号は時問変動信号であることを 特徴とする方法。 15．請求項１４記載の方法において、前記時間変動信号は少なくとも１つのパル スを有する信号であることを特徴とする方法。 16．請求項１記載の方法において、前記基板は半導体基板であることを特徴とす る方法。 17．請求項１５記載の方法において、前記半導体基板はシリコン半導体基板であ ることを特徴とする方法。 18．請求項２記載の方法において、前記所定のマイクロ構造は半導体マイクロ構 造であることを特徴とする方法。 19．請求項１８記載の方法において、前記半導体マイクロ構造はシリコン半導体 マイクロ構造であることを特徴とする方法。 20．請求項１９記載の方法において、前記所定のマイクロ構造はアモルファスシ リコンマイクロ構造を有し、制御可能に加熱する工程はアモルファスシリコン マイクロ構造を多結晶シリコンマイクロ構造に変化することを特徴とする方法 。 21．請求項１記載の方法において、前記マイクロ構造はマイクロエレクトメカニ カル素子の部品を形成することを特徴とする方法。 22．素子の基板上に形成された所定のマイクロ構造を局所的にアニーリングする システムにおいて、該システムは： アニーリング電源、および 前記アニーリング電源から電気信号の形態で微視的部品へ電力を供給する前 記素子の前記微視的部品に結合されるように適合された手段であって、前記基 板上に形成されたその他全てのマイクロ構造に対して実質的に影響を与えるこ となく、所定のマイクロ構造の材料特性および／あるいはマイクロ構造特性を 変化させるのに十分な時間にわたり、前記素子の微視的部品が前記供給電力を 制御した熱量に変換するようにする手段から構成されることを特徴とするシス テム。 23．請求項２２記載のシステムにおいて、前記所定のマイクロ構造はマイクロメ カニカル素子であることを特徴とするシステム。 24．請求項２３記載のシステムにおいて、前記マイクロメカニカル素子は共振周 波数およびＱ因子を有するマイクロメカニカル共振器であることを特徴とする システム。 25．請求項２４記載のシステムにおいて、熱量は前記共振器の前記共振周波数を 変化させるのに十分であることを特徴とするシステム。 26．請求項２５記載のシステムであって、前記共振器の駆動器と結合して前記共 振器が発振するように電気駆動信号を前記駆動器に供給するように適合された 電源とその結果発生する共振周波数をモニタする制御器とから構成されるシス テムにおいて、前記制御器は前記アニーリング電源からの前記電気信号を前記 共振器が所望の共振周波数を得るまで制御することを特徴とするシステム。 27．請求項２４記載のシステムにおいて、前記熱量がＱ因子を変化させるのに十 分であることを特徴とするシステム。 28．請求項２４記載のシステムにおいて、前記熱量が共振周波数および前記Ｑ因 子を変化させるのに十分であることを特徴とするシステム。 29．請求項２４記載のシステムにおいて、前記マイクロメカニカル共振器は１対 のアンカを有する梁を含むことを特徴とするシステム。 30．請求項２４記載のシステムにおいて、前記マイクロメカニカル共振器は折り 返し梁共振器であることを特徴とするシステム。 31．請求項２２記載のシステムにおいて、前記マイクロメカニカル共振器はポリ シリコン共振器であることを特徴とするシステム。 32．請求項２２記載のシステムにおいて、前記素子の前記微視的部品は前記所定 のマイクロ構造であることを特徴とするシステム。 33．請求項２２記載のシステムにおいて、前記電気信号は時間変動信号であるこ とを特徴とするシステム。 34．請求項３３記載のシステムにおいて、前記時間変動信号は少なくとも１つの パルスを有する信号であることを特徴とするシステム。 35．請求項３２記載のシステムにおいて、前記素子は前記マイクロ構造の間隔を 置いた位置に結合された１対の電極を有し、前記電気信号は前記電極に印加さ れることを特徴とするシステム。 36．請求項２２記載のシステムにおいて、前記基板は半導体基板であることを特 徴とするシステム。 37．請求項３６記載のシステムにおいて、前記半導体基板はシリコン半導体基板 であることを特徴とするシステム。 38．請求項２２記載のシステムにおいて、前記所定のマイクロ構造は半導体マイ クロ構造であることを特徴とするシステム。 39．請求項３８記載のシステムにおいて、前記半導体マイクロ構造はシリコン半 導体マイクロ構造であることを特徴とするシステム。 40．請求項３９記載のシステムにおいて、前記所定のマイクロ構造はアモルファ スシリコンマイクロ構造を有し、熱量がアモルファスシリコンマイクロ構造を 多結晶あるいは結晶シリコンマイクロ構造に変化するのに十分であることを特 徴とするシステム。 41．請求項２２記載のシステムにおいて、前記マイクロ構造がマイクロエレクト ロメカニカル素子の部分を形成することを特徴とするシステム。 42．基板上に形成した少なくとも１つのマイクロ構造を有する素子であって、改 良は： 前記基板上に形成され所定のマイクロ構造に電気信号を受信するように電気 的に結合された電極から構成され、前記電気信号は次ぎに前記マイクロ構造を 経由して電流を流させ、前記基板上に形成されたその他全てのマイクロ構造に 対して実質的に影響を与えることなく前記所定のマイクロ構造の材料特性およ び/またはマイクロ構造特性を変化させるのに十分な時間にわたって、前記所 定のマイクロ構造を制御可能に直接加熱することを特徴とする素子。 43．請求項４２記載の素子において、前記マイクロ構造はアンカを有するマイク ロメカニカル素子であって、前記電極はそれぞれのアンカに電気的に結合され ていることを特徴とする素子。 44．基板上に形成された少なくとも１つのマイクロ構造を有する素子であって、 改良は： 前記基板上に形成され該基板から熱的に遮断されたマイクロプラットフォー ムと、 該マイクロプラットフォーム上に形成された少なくとも１つのマイクロ構造 と、 前記マイクロプラットフォーム上に形成され信号を受信するように適合され た抵抗性加熱エレメントであって、前記信号は次ぎに前記エレメントに、前記 基板上に形成されているが前記マイクロプラットフォーム上に形成されいない 全てのマイクロ構造に対して実質的に影響を与えることなく、前記少なくとも １つのマイクロ構造の材料および/またはマイクロ構造特性を変化させるのに 十分な時間にわたり、前記少なくとも１つのマイクロ構造を含む前記マイクロ プラットフォーム上に形成された全てのマイクロ構造を、間接的に加熱させる 抵抗性加熱エレメントと、から構成されることを特徴とする素子。 45．請求項４４記載の素子において、少なくとも１つのマイクロ構造がマイクロ メカニカル素子であることを特徴とする素子。 46．基板上に形成された少なくとも１つのマイクロ構造を有する素子であって、 改良は： 前記所定のマイクロ構造に直接隣接した基板上に形成され、信号を受信する ように適合された抵抗性加熱エレメントから構成され、前記信号は次ぎに前記 エレメントに、基板上のその他全てのマイクロ構造に対して実質的に影響を与 えることなく前記所定のマイクロ構造の材料特性および／またはマイクロ構造 特性を変化させるのに十分な時間にわたって、前記所定のマイクロ構造を間接 的に加熱させることを特徴とする素子。 47．請求項４６記載の素子において、前記マイクロ構造はマイクロメカニカル素 子であることを特徴とする素子。