KR20010013636A - 기판에 형성된 미세구조와 그에 의해 형성된 장치를국부적으로 어닐링하는 방법과 시스템 - Google Patents

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Abstract

일괄 적합의, 제조후 어닐링 방법과 시스템이, 공명 주파수를 트리밍하여 마이크로공진기 따위의 기계의 미세구조, 특히 마이크로기계 구조의 Q 인자를 향상시키는 데 이용될 수 있음을 개시하고 있다. 그 기법은 마이크로기계 구조를 통해, 또는 바로 이웃의 미세구조(예를 들어, 근접 저항기)를 통해 전류를 흐르게 함을 수반함으로써, 전력을 소비하여 그 구조를 그의 미세구조 및/또는 그의 재료특성을 변경하기에 매우 충분한 온도에 가열한 다음 미세구조의 공명 주파수와 Q 인자로의 변경을 인도한다. 이 기법은 많은 미세구조를 모두 즉시의 편리한 동시 트리밍을 고려하기 때문에 마이크로기계 구조에 대해서 특히 유용하며 마이크로기계 구조의 앵커 점들을 건너 전압의 단순한 적용을 통해 충족될 수 있다.

Description

기판에 형성된 미세구조와 그에 의해 형성된 장치를 국부적으로 어닐링하는 방법과 시스템 {METHOD AND SYSTEM FOR LOCALLY ANNEALING A MICROSTRUCTURE FORMED ON A SUBSTRATE AND DEVICE FORMED THEREBY}
많은 장치는 사양서의 범위내에 효과를 나타내게 하기 위하여 제작후의 트리밍(post-fabrication trimming)을 필요로 한다. 특히, 센서들과 기준치들(예를 들어, 주파수 기준치들)은 그러한 트리밍을 필요로 한다. 연속물로 제조되는 거시적 장치들의 경우에 대해서는, 트리밍이 가끔 총장치비의 압도적인 비율을 의미하지는 않는다. 일괄하여 제조되는 미시적 장치(예를 들어, 집적회로들 또는 마이크로기계의 장치들)의 경우에 대해서는, 트리밍이나 프로그래밍은, 그 것이 연속하여 행해져야 한다면, 장치비의 지배적 비율을 만들어 낸다. 예를 들어, 일정한 공명 주파수를 일반적으로 달성하려는 마이크로기계의 공진기의 레이저 트리밍은 연속하여 행해져야 하며, 따라서, 처리율이 낮고 비용이 높다.
발진기 표준과 고도의 선택식 대역 필터 따위의, 마이크로기계의 공진기에 대한 주파수 특정 적용의 출현으로, 공명 주파수의 제조후 트리밍에 대한 기술이 점차 중요해지고 있다. 이는, 정확히 위치된 중심 주파수를 가진 많은 수의 그러한 공진기들이 병렬의 필터 뱅크와 다수의 발진기 표준을 실현하여야 하는, 마이크로기계 공진기의 근래의 통신 응용에 특히 해당된다. 이들 응용은 플래나 기술을 이용하여 일괄제조될 것이기 때문에 고처리량의 트리밍이 바람직하다.
급속 열 어닐링 (RTA)이 폴리실리컨 박막들의 응력 윤곽을 변경할 수 있는 것으로 알려져 있다.
본 발명은 국립 과학 재단이 수여한 계약 제 ECS-9530190 호 하에 정부의 지원으로 이루어졌다. 정부는 본 발명의 일정한 권리를 소유한다.
본 발명은 기판에 형성된 미세구조를 어닐링하는 방법들과 시스템들, 특히, 기판에 형성된 미세구조와 그에 의해 형성된 장치들을 국부적으로 어닐링하는 방법들과 시스템들에 관한 것이다.
도 1은 비교적 간단한 미소기계 공진기와 본 발명의 제 1의 실시양태에 따라 공진기를 직접 가열하기 위하여 공진기의 앵커들을 가로 건너 전압을 적용하는 회로의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 방법과 시스템을 통해 형성된 장치의 주파수 특성이, 상이 한 주파수와 보다 높은 Q를 가짐에 의하여 변경하는 방법을 설명하는 그래프이다.
도 3은 마이크로기계 공진기가 회로에 의해 간접적으로 가열되는 본 발명의 방법과 시스템의 또 다른 실시양태의 개략도이다.
도 4는 격리 마이크로플랫폼이 추가된 도 3의 실시양태의 개략도이다.
도 5는 주파수 트리밍이 공진기가 작동하는 동안에 원위치에 행해지는 콤여진의(comb-driven), 접어 포갠 빔에 관하여 본 발명의 제 1의 실시양태의 방법과 시스템을 설명하는 사시 개략도이다. 그리고
도 6은 칩 상의 회로에 영향을 미침이 없이 본 발명이 원위치에 채용되는 마이크로전기기계 시스템의 측면 개략도이다.
본 발명의 목적은, 마이크로기계 장치 따위의 미세구조를, 결과로서 생기는 장치의 기판 상의 원위치에, 기판에 형성된 어는 다른 미세구조에 영향을 미치지 않고 국부적으로 어닐링하는 장치와 방법 및 시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 하나의 목적은 마이크로기계 장치 따위의 미세구조를 기판 상의 원위치에 국부적으로 어닐링하는, 상기 장치들의 일괄방식의 처리에 특히 유용한, 방법과 시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 마이크로스케일 구조에 대한 보다 작은 열 시간 정수에 크게 기인하는 비교적 고 처리량 및 저비용으로 일정한 공명 주파수와 Q 인자 향상을 달성하도록, 공진기가 기판 상에서 작동하고 있는 동안에, 마이크로기계 공진기 따위의 마이크로기계 장치를 국부적으로 어닐링하는 방법과 시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 하나의 목적은, 병합의 회로와 미세구조 기술들에 차례로, 가능성을 을 수도 있는 비교적 저온에서의 제조를 허용하며 또 큰 DC 전압없이 광역 주파수 트리밍 범위도 또한 허용하게, 공진기 따위의 마이크로기계 장치를 기판 상의 원위치에 어닐링하는 전자학적 토대의 방법과 장치를 제공하는 데 있다. 예를 들어, 폴리실리컨 구조의 재료를 저온에서 무정형 침착한 다음 양호한 재료특성의 다결정 재료에 국부적으로 어닐링할 수도 있다.
본 발명의 상기 목적 및 타의 목적을 성취함에 있어서는, 기판에 형성된 소정의 미세구조를 국부적으로 어닐링하는 방법이 준비된다. 그 방법은 재료 및/또는 소정의 미세구조의 미세구조 고유의 특성을 변경하기에 충분한 시간에 걸쳐 소정의 미세구조의 에너지 상태를, 기판에 형성된 어떤 다른 미세구조에 사실상 영향을 미치지 않고 제어가능하게 끌어 올리는 단계를 포함한다.
그 소정의 미세구조는 바람직하게 공명 주파수와 Q 인자를 가진 마이크로기계 공진기 따위의 마이크로기계의 장치이다. 제어가능하게 끌어 올리는 단계는 공명 주파수 뿐 아니라 공진기의 Q 인자로 하여금 변경시키기에 충분하게 공진기를 제어가능하게 가열함에 의하여 바람직하게 달성된다.
바람직하게, 그 방법은, 공진기로 하여금 진동하게 하고 또 공명 주파수를 추적하는 단계들을 또한 포함한다. 제어가능하게 가열하는 단계는 공진기가 바람직한 공명 주파수를 가지기 까지 그 공진기를 가열한다.
일 실시양태에서, 마이크로기계 공진기는 빔을 포함한다.
다른 하나의 실시양태에서, 마이크로기계 공진기는 접어 포갠 빔(folded-beam)의 마이크로기계 공진기이다. 양 실시양태에서 마이크로기계 공진기는 전형적으로 폴리실리컨 공진기이다.
미세구조는 전형적으로 저항을 가지고 있으며 그 점에서 제어가능하게 가열하는 단계는 전류로 하여금 소정의 미세구조를 통해 흐르게 하여 그 소정의 미세구조를 가열하는 단계를 포함한다.
게다가, 그 방법은 소정의 미세구조에 전기적으로 결합된 기판 상에 한쌍의 전극을 형성하여 그 전극에 전기적 신호를 적용하는 단계들을 또한 바람직하게 포함한다. 그 전기신호는 DC 신호이어도 좋으나 일 이상의 맥동을 가진 신호 따위의 시변 신호가 바람직하다.
바람직하게, 기판은 반도체 기판이지만, 유리 또는 타의 기판들이어도 또한 좋다. 그 반도체 기판은 실리컨 반도체 기판이어도 좋다.
소정의 미세구조는 실리컨 반도체 미세구조 따위의 반도체 미세구조이어도 좋다. 일 실시양태에서는, 그 소정의 미세구조는 처음에 무정형 실리컨 미세구조이며 그 점에서 제어가능하게 가열하는 단계는 그 무정형 실리컨 미세구조를 다결정 또는 결정 실리컨 미세구조로 변경한다.
미세구조는 마이크로전기기계 장치의 부분을 형성할 수도 있다.
게다가 본 발명의 상기 목적 및 타의 목적을 또한 성취함에 있어서는, 한 장치의 기판 상에 형성된 소정의 미세구조를 국부적으로 어닐링하는 시스템이 준비된다. 그 시스템은 어닐링 전력 공급장치와 그 어닐링 전력 공급장치로부터 그 장치의 미시적인 부분에 전기신호의 형태로 전력을 이송하기 위해 그 장치의 미시적인 부분에 결합되게 적합된 수단을 포함하고 있어 그 장치의 미시적인 부분은 기판에 형성된 어느 다른 미세구조에 심대하에 영향을 미치지 않고 소정의 미세구조의 재료 및/또는 미세구조 고유의 특성을 변경하기에 충분한 시간에 걸쳐 이송된 전력을 제어된 양의 열로 변환시킨다.
본 발명의 상기 목적 및 타의 목적을 더욱 성취함에 있어서는, 한 장치가, 기판에 형성된 적어도 하나의 미세구조를 가지고 마련된다. 그 장치는, 전기신호를 수신하기 위해 기판에 형성되어 소정의 미세구조에 전기적으로 결합된 전극을 가지고 있다. 그 전기신호는, 소정의 미세구조의 재료 및/또는 미세구조 고유의 특성을 변경하기에 충분한 시간에 걸쳐 그 소정의 미세구조를 기판에 형성된 어는 다른 미세구조에 영향을 미침이 없이 제어가능하게 직접 가열하게 전류로 하여금 소정의 미세구조를 통해 흐르게 한다.
본 발명의 상기 목적 및 타의 목적을 더한층 성취함에 있어서는, 한 장치가,기판에 형성된 적어도 하나의 미세구조를 가지고 마련된다. 그 장치는, 소정의 미세구조 바로 인접의 기판에 형성되고 신호를 수신하게 적합된 저항 가열 소자를 포함한다. 그 신호는, 소정의 미세구조의 재료 및/또는 미세구조 고유의 특성을 변경하기에 충분한 시간에 걸쳐 기판에 평성된 어느 다른 미세구조에 영향을 미침이 없이 그 소지로 하여금 소정의 미세구조를 직접 가열하게 한다.
바람직하게, 그 장치는 기판으로부터 열적으로 격리된 마이크로플랫폼을 또한 포함하고 있으며 그 점에서 저항 가열 소자와 미세구조는 그 마이크로플랫폼 상에 형성돼 있다.
본 발명의 방법은, 공진기들 따위의 마이크로기계 장치에 대한 한 배치모드의 트리밍 기법이며 그로 인해서 상기 마이크로기계 공진기들의 퀄리티 팩터가 전자식 여과, 발빈기, 및 자이로 응용을 위해 증대되거난 감소될 수 있다. .
그 방법과 시스템은 마이크로스케일의 기계의 장치들에 있어서 제어가능 주파수 트리밍과 퀄리티 팩터 향상의 양자를 달성한다. 그 방법과 시스템은 전기적으로 활성화되며 EEPROM을 프로그래밍하는 것과 같은 식으로, 대량 스케일에 충족될 수 있다. 그 방법과 시스템은 모두 마이크로공진기 장치의 제조후 주파수 트리밍을 인정하며, 그의 Q 향상 능력을 통해, 고 Q의 마이크로스케일 공진기들의 저온 제조를 가능하게 하여, MEMS 후에 구조들이 제조되는 병합의 회로+마이크로구조 처리를 차례로 가능하게 한다.
본 발명의 상기 목적들과 타의 목적들, 특징들, 및 장점들은 첨부의 도면과 관련하여 행해지는 본 발명을 실시하기 위한 최량의 양태의 하기의 설명에서 용이하게 명료해진다.
도면을 참조하면, 도 1에는 본 발명의 방법과 시스템의 한 실시양태를 설명하고 있다. 특히, 도 1은 본 발명의 방법과 시스템을 국부적으로 어닐링하는 하나의 가능한 실시양태를 제공하고 있다. 여기서, 전압 Vanneal이, 도 1, 3 및 4에 있어서 일반적으로 12로 가리킨, 그의 단자들 간에 저항 Rstruct를 가지고 있는, 도전성 마이크로기계 장치 또는 구조(이 경우에 있어서는, 마이크로기계 공진기)의 앵커들(10) 간에 적용된다. 이 전압의 적용은 구조(12)의 빔(14)을 통해 흐르는 전류 Ianneal의 근원이 되어
Panneal= I2 annealRstruct
에 의해 주어진 전력을 소비한다.
충분한 전압 Vanneal로 인해, 구조(12)는 어닐링이 생기는 온도에 가열될 수 있수 있고, 그 상태에서 결함 농도 따위의 재료와 미세구조 고유의 특성으로서 변경하게 될 그의 주파수와 퀄리티 팩터(즉, Q 인자)를 변경한다. 구조(12)의 미시적 사이즈로 인하여, 1000 Kelvin을 초과하는 온도에 도달하는 데는 매우 작은 전력(예를 들어, 20 ㎽)이 소요하다.
구동 전극(16)은 그에 전기신호를 적용하는 때 빔(14)으로 하여금 발진시킨다. 센스 전극(18)은 그 빔(14)의 발진을 감지한다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 국한 어닐링의 결과를 설명하고 있다. 여기서는, 주파수 fob의 시초의 공진기가 국부적으로 어닐링되어, 새로운 공면 주파수 foa와 많이 높은 퀄리티 팩터(즉, 뾰족한 정점)의, 새로운 주파수 특성이 생긴다.
마이크로기계 공진기(12)의 공명 주파수는 어닐링 중에 변한다. 공명 주파수 변화에 대한 하나의 가능한 메커니점은 내부응력이 조절되기 때문이며, 공명 주파수는 보통 응력의 기능이다. 마이크로기계 공진기(12)의 퀄리티 팩터는 분자와 미세구조 수준들 양자에서의, 구조 내 결점들의 기능이다. 결점의 농도가 클수록 퀄리티 팩터가 낮다. 그러므로, 구조의 어닐링이 이들 결점을 제거하기 때문에, 어닐링이 퀄리티 팩터를 끌어 올리는 것이 또한 가능하다.
같은 공진기(12)로, 국한 어닐링하는 방법과 시스템의 다른 실시양태가 도 3과 4에 나타내 있다. 여기에서는, 어닐할 구조(즉, 공진기 12)의 바로 인접 또는 근처에 위치된 저항기(20) 따위의 저항 가열 장치를 이용하여, 가열을 달성한다. 도 3에서는, 저항기(20)와 구조(12)가 기판(22) 상에 직접 놓여 있다.
도 4에서는, 저항기(20)와 구조(12)가 길고 얇은 스트럿(26)을 경유하여 기판(도 4에는 도시하지 않음)으로부터 열적으로 격리돼 있는, 마이크로플랫폼(24) 상에 놓여 있다. 도 4의 실시양태는 그 것이 양호한 열 절연을 가지고 있기 때문에, 매우 낮은 전력으로 어닐링을 달성할 수가 있다.
실시양태들의 어느 것을 이용하여 구조(12)의 가열에 적용하는 전압도, 도시와 같이, DC 전압일 필요는 없다. 그 것은 더 제어되는 어닐링을 위해서나 또는 위치의존의 어닐링을 위해서, (도 5에 예시된 바와 같이) 맥동될 수 있고 또는 AC 신호일 수도 있다. 예를 들어, 매우 높은 주파수에서는, 전류가 (표피효과로 인해) 구조(10)의 표면에 걸쳐 주로 흐르며, 따라서, 고 주파수 전압은 구조의 표면을 어닐링하는 데에 만 이용될 수 있다. 열손실 위상들과 조합되는 전류 밀집효과는 특정한 국한 어닐링 위치에 대해 또한 이용될 수 있다.
도 5는, 센스 전극(32)과 증폭장치(34)를 포함하는 센스 일렉트로닉스를 가진 적당히 바이어스되어 여자된 콤 여자(comb-driven)의, 접어 포갠 빔의 마이크로기계 공진기(30)에 적용된 바와 같은, 이 필러먼트모양 어닐링 절차의 상세를 묘사하는 개략도를 나타내고 있다. 공진기(30)는 얇은 조각의 접지판(40)에 형성된 콤 변환기(36)와 구동전극(38)을 또한 포함하고 있다. 공진기 디자인은, 앵커(44와 46)에 결합된 별개의 리드 또는 어닐링 전극을 제외하고는, 모든 점에서 선행기술의 디자인들과 유사하다.
정상 공진기 가동 중, 맥동 전압 발생기 Vanneal은 활동치 않으며 이 공진기 시스템의 모든 구성요소에 대한 접지전압을 제공한다. 이 형태에서, 앵커 리드들(42)은 DC 바이어스 전압 Vp과 연결되며, AC 구동신호가 일 이상의 변환기 전극들(38)에 적용되어 진동을 야기하게 된다. 일단 진동이 확립되면, DC 바이어스의, 출력전극(32)의 시변 컨덴서를 경유하여 출력전류가 발생된다. 이 전류는 증폭기(34)에 의하여 감지되어 전압 Vo에 증폭된다. 도 5는 개방 루프 실행을 보이고 있으나 폐 루프 발진기 접속이 또한 원위치에 어닐링될 수도 있음은 물론이다.
진동을 야기하는 중에 미소공진기(30)를 어닐링하려면, 맥동 전압 발생기 Vanneal은 활동시킨다. 필요에 따라서는, Vanneal은 규모 Vanneal의 일 이상의 전압 맥동을 각 어닐링 사이클 동안에 방출하게 제조된다. 각 맥동 중, 입력과 출력 전극들(46), 접지평면(40), 및 공진기 앵커(44) 중의 하나의 전위들은 Vanneal까지 끌어 올려지는 한편 나머지 공진기 앵코(44)의 전위는 Vp일정으로 남아 있다. 그러므로, 각 맥동은 공진기(30)를 건너, 규모 Vanneal의 전압을 앵커에서 앵커로 효과적으로 적용하며, 다음 전류 Ianneal을 앵커에서 앵커로 보내는 근원이 된다. 이 전류는 공진기 구조를 통해 흘러,
Panneal= I2 annealRanneal
에 의해 주어진 전력을 소비한다. 다만 Ranneal는 공진기(30)의 앵커들(44와 46) 간의 저항이다. 따라서 가열이 공진기 구조를 통하여 발생되고, 그의 전체 온도를 끌어 올려 그 것을 효과적으로 어닐링한다.
컨트롤러(48)는 전압 Vo를 추적하며 어닐링한 마이크로공진기(30)의 결과의 공명 주파수를 산정할 수 있다. 결과의 공명 주파수가 바람직한 공명 주파수가 아니면, 그 컨트롤러(48)는 마이크로공진기(30)를 더 가열할 또 다른 맥동을 공급하도록 맥동 전압 발생기에 제어신호를 송신한다.
이제 도 6을 참조하면, 마이크로기계 장치(50)와 마이크로전기 장치들(52) 양자를 가진 MEMS를 예시하고 있다. 마이크로전기 장치(52)는 컨덴서(54) 및 PMOS와 NMOS의 층들을 포함하여도 좋다. 장치(50)의 어닐링은, 도 6에 나타낸 병합의 마이크로회로 더하기 미세구조 기법으로, 칩 상의 회로에 영향을 미침이 없이 가능하다.
본 발명의 국한 어닐링 방법과 시스팀 배후의 주된 장점은 그의 간소성이다. 앵커 점들을 건넌 전압의 단순한 적용은 실행이 매우 용이하며, 이 간소성은 일괄 방식을 이용하여 제조된 공진기의 대량 배열에 적용가능한 기법을 초래한다. 이 국한 어닐링 기법은 수백만의 트랜지스터들을 가진 EEPROM이 전자식으로 프로그래밍가능한 것 처럼, 마이크로기계 공진기들, 아마도 웨이퍼의 각 다이 상의 수천의 그들의 전자식 튜닝/트리밍을 허용한다. 트리밍은 국한 어닐링을 이용하는 일광방식의 웨이퍼 수준에서 가능하여야 하며, 이는 마이크로기계 장치의 비용을 사실상 낮출 수 있어, 아마도 그 중 얼마를 처음 경제적으로 가능하게 하고 있다.
또한, 이들 국한 어닐링 절차는 여러가지의 신규성의 회로+마이크로기계 장치의 기술을 자아낸다. 예를 들어, 근래의 MICS 기술은 먼저 CMOS를, 다음 미세구조를 실시함에 의하여 모듈식으로 병합하려 시도하였다. 이 과정에 있어서의 주된 문제는, 응력없는 폴리실리컨 구조를 달성하는 데 요구되는 침착 온도(600℃)가 알루미늄 접근의 공융온도(540℃)보다 높기 때문에, CMOS 위에 미세구조의 층들을 침착하는 것에 있었다. 국한 어닐링이 실리컨을 (무정형 침착되는) 저온에서 침착, 그 다음, 실리컨을 결정화하게 (일괄처리로) 개별 구조의 국한 어닐링을 하게 하여 그 것을 도전성으로 만들어 응력을 퇴치함으로써하 이 문제를 해결할 수 있었다. 이는 센서와 마이크로작동기 산물로 기능할 수 있는 주조적합의 병합 기술 방법을 결과한다.
본 발명을 실시하기 위한 최량의 양태를 상세히 설명하였는 바, 본 발명이 관련하는 기술에 정통한 이들은 하기의 특허청구의범위로 규정한 바와 같이 본 발명의 실행에 대한 여러가지의 대체 고안과 실시양태를 인정할 것이다.

Claims (47)

  1. 기판 상에 형성된 소정의 미세구조를 국부적으로 어닐링하는 방법으로서,
    소정의 미세구조의 재료 및/또는 미세구조 고유의 특성을 변경하기에 충분한 시간에 걸쳐 소정의 미세구조의 에너지 상태를 그 기판 상에 형성된 어느 다른 미세구조에 사실상 영향을 미치지 않고 제어가능하게 끌어 올리는,
    단계로 이루어지는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    제어가능하게 끌어 올리는 단계가 제어가능하게 가열하는 단계를 포함하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    소정의 미세구조가 마이크로기계 장치인 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    마이크로기계 장치가 공명 주파수와 Q 인자를 가진 마이크로기계 공진기인 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    제어가능하게 가열하는 단계가 공진기의 공명 주파수를 변경하게 하는 데 충분한 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    공진기를 발진하게 하여 공명 주파수를 추적하는 단계를 더 함유하고 제어가능하게 가열하는 단계가 공진기를 공진기가 바람직한 공명 주파수를 가질 때 까지 가열하는 방법.
  7. 제 4 항에 있어서,
    제어가능하게 가열하는 단계가 Q 인자를 변경하게 하기에 충분한 방법.
  8. 제 4 항에 있어서,
    제어가능하게 가열하는 단계가 공명 주파수와 Q 인자를 변경하게 하기에 충분한 방법.
  9. 제 4 항에 있어서,
    마이크로기계 공진기가 한쌍의 앵커를 가진 빔을 포함하는 방법.
  10. 제 4 항에 있어서,
    마이크로기계 공진기가 앵커들을 가진 접어 포갠 빔의 마이크로기계 공진기인 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    마이크로기계 공진기가 폴리실리컨 공진기인 방법.
  12. 제 2 항에 있어서,
    미세구조가 저항을 가지고 있고 제어가능하게 가열하는 단계가 소정의 미세구조를 가열하게 전류를 소정의 미세구조를 통해 흐르게 하는 단계를 포함하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    소정의 미세구조에 전기적으로 결합된 기판 상에 한쌍의 전극을 형성하여 그 전극에 전기신호를 적용하는 단계를 더 함유하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    전기신호가 시변 신호인 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    시변 신호가 적어도 하나의 맥동을 가진 신호인 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    기판이 반도체 기판인 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    반도체 기판이 실리컨 반도체 기판인 방법.
  18. 제 2 항에 있어서,
    소정의 미세구조가 반도체 미세구조인 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    반도체 미세구조가 실리컨 반도체 미세구조인 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    소정의 미세구조가 무정형 실리컨 미세구조를 가지고 제어가능하게 가열하는 단계가 그 무정형 실리컨 미세구조를 다결정 실리컨 미세구조에 변경하는 방법.
  21. 제 1 항에 있어서,
    미세구조가 마이크로전기기계 장치를 형성하는 방법.
  22. 한 장치의 기판 상에 형성된 소정의 미세구조를 국부적으로 어닐링하는 시스템으로서,
    어닐링 전력 공급장치와;
    어닐링 전력 공급장치로부터 미시적인 부분에 전기신호 형태로 전력을 전송하기 위해 그 장치의 미시적인 부분에 결합되게 적합되어 그 장치의 미시적 부분이 전송된 전력을 소정의 미세구조 재료 및/또는 미세구조 고유의 특성을 변경하기에 충분한 시간에 걸쳐 기판에 형성된 어느 다른 미세구조에 중대하게 영향을 미침이없이 제어된 양의 열에 변환시키는 수단,
    으로 이루어지는 시스템.
  23. 제 22 항에 있어서,
    소정의 미세구조가 마이크로기계 장치인 시스템.
  24. 제 23 항에 있어서,
    마이크로기계 장치가 공명 주파수와 Q 인자를 가진 마이크로기계 공진기인 시스템.
  25. 제 24 항에 있어서,
    열이 공진기의 공명 주파수를 변경하게 하기에 충분한 시스템.
  26. 제 25 항에 있어서,
    공진기가 발진하도록 전기 구동 신호를 구동기에 공급하기 위해 공진기의 구동기에 결합되게 적합된 전력 공급장치와 결과의 공명 주파수를 추적하는 컨트롤러를 더 함유하여 그 컨트롤러가 어닐링 전력 공급장치로부터 전기신호를 공진기가 바람직한 공명 주파수를 가질 때까지 제어하는 시스템.
  27. 제 24 항에 있어서,
    열이 Q 인자를 변경하게 하기에 충분한 시스템.
  28. 제 24 항에 있어서,
    열이 공명 주파수와 Q 인자를 변경하게 하기에 충분한 시스템.
  29. 제 24 항에 있어서,
    마이크로기계 공진기가 한쌍의 앵커를 가진 빔을 포함하는 시스템.
  30. 제 24 항에 있어서,
    마이크로기계 공진기가 접어 포갬 빔의 공진기인 시스템.
  31. 제 24 항에 있어서,
    마이크로기계 공진기가 폴리실리컨 공진기인 시스템.
  32. 제 22 항에 있어서,
    장치의 미시적인 부분이 소정의 미세구조인 시스템.
  33. 제 22 항에 있어서,
    전기신호가 시변 신호인 시스템.
  34. 제 33 항에 있어서,
    시변 신호가 적어도 하나의 맥동을 가진 신호인 시스템.
  35. 제 32 항에 있어서,
    장치가 사이띄인 위치에서 미세구조에 결합된 한쌍의 전극을 가지어 그 전극에 전기신호가 적용되는 시스템.
  36. 제 22 항에 있어서,
    기판이 반도체 기판인 시스템.
  37. 제 36 항에 있어서,
    반도체 기판이 실리컨 반도체 기판인 시스템.
  38. 제 22 항에 있어서,
    소정의 미세구조가 반도체 미세구조인 시스템.
  39. 제 38 항에 있어서,
    반도체 미세구조가 실리컨 반도체 미세구조인 시스템.
  40. 제 39 항에 있어서,
    소정의 미세구조가 무정형 실리컨 미세구조를 가지며 열이 그 무정형 실리컨 미세구조를 다결정 또는 결정 실리컨 미세구조에 변경하기에 충분한 시스템.
  41. 제 22 항에 있어서,
    미세구조가 마이크로기계 장치의 부분을 형성하는 시스템.
  42. 기판 상에 형성된 적어도 하나의 미세구조를 가진 장치로서, 개선이,
    기판 상에 형성되어 전기신호를 수신하게 전류로 하여금 소정의 미세구조를 통해 소정의 미세구조의 재료 및/또는 미세구조 고유의 특성을 그 기판 상에 형성된 어느 다른 미세구조에 영향을 미치지 않고 변경하기에 충분한 시간에 걸쳐 제어가능하게 그리고 직접 가열하게 흐르도록 소정의 미세구조에 전기적으로 결합된 전극,
    으로 이루어지는 장치.
  43. 제 42 항에 있어서,
    미세구조가 앵커들을 가진 미세구조의 장치이며 전극들이 그들의 각각의 앵커에 전기적으로 결합돼 있는 장치.
  44. 기판 상에 형성된 적어도 하나의 미세구조를 가진 장치로서, 개선이
    기판 상에 형성되어 기판으로부터 열적으로 격리된 마이크로플랫폼;
    그 마이크로플랫폼 상에 형성된 적어도 하나의 미세구조; 및
    마이크로플랫폼 상에 성형되어 신호를 수신하게 적합되고, 적어도 하나의 미세구조를 포함하는 마이크로플랫폼 상에 형성된 어느 미세구조를 적어도 하나의 미세구조의 재료 및/또는 미세구조 고유의 특성을 변경하기에 충분한 시간에 걸쳐 마이크로플랫폼 상이 아닌 기판 상에 형성된 어느 다른 미세구조에 실제적으로 영향을 미치지 않고 간접적으로 가열하게 하는 저항 가열소자,
    로 이루어지는 장치.
  45. 제 44 항에 있어서,
    적어도 하나의 미세구조가 미세구조의 장치인 장치.
  46. 기판 상에 형성된 적어도 하나의 미세구조를 가진 장치로서, 개선이
    기판 상에 소정의 미세구조 바로 인접에 형성되어 신호를 수신하게 적합되고, 차례로, 소정의 미세구조를 소정의 미세구조의 재료 및/또는 미세구조 고유의 특성을 변경하기에 충분한 시간에 걸쳐 가판상의 어느 다른 미세구조에 영향을 미치지 않고 간접적으로 가열하게 하는 저항 가열 소자,
    로 이루어지는 장치.
  47. 제 46 항에 있어서,
    미세구조가 마이크로기계 장치인 장치.
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