JPH1051204A - プレーナ形フィルタ - Google Patents
プレーナ形フィルタInfo
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- JPH1051204A JPH1051204A JP9131518A JP13151897A JPH1051204A JP H1051204 A JPH1051204 A JP H1051204A JP 9131518 A JP9131518 A JP 9131518A JP 13151897 A JP13151897 A JP 13151897A JP H1051204 A JPH1051204 A JP H1051204A
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- Japan
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- ferroelectric
- tuning element
- filter
- antiferroelectric
- planar
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
- H01P1/20354—Non-comb or non-interdigital filters
- H01P1/20363—Linear resonators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 強誘電および／または反強誘電性のエレメン
トに印加される電圧、ひいては該エレメントの誘電率が
調整設定可能である、サブストレート２０の上面３０に
配設されている導波体および強誘電体および／または反
強誘電体材料から成る少なくとも１つの同調エレメント
５０を備えた電気的に同調可能なプレーナ形フィルタの
損失が僅かであるように改良する。 【解決手段】 同調エレメントはサブストレートの上面
上または上面の上方に取り付けられている。
トに印加される電圧、ひいては該エレメントの誘電率が
調整設定可能である、サブストレート２０の上面３０に
配設されている導波体および強誘電体および／または反
強誘電体材料から成る少なくとも１つの同調エレメント
５０を備えた電気的に同調可能なプレーナ形フィルタの
損失が僅かであるように改良する。 【解決手段】 同調エレメントはサブストレートの上面
上または上面の上方に取り付けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、請求項の上位概念
に記載のプレーナ形フィルタから出発している。
に記載のプレーナ形フィルタから出発している。
【０００２】
【従来の技術】ＷＯ９４／２８５９２から既に、強誘電
性および／または反強誘電性のエレメントを備えたプレ
ーナ形フィルタが公知である。ここでは誘電性のサブス
トレート上に、強誘電性または反強誘電性の層が被着さ
れている。この層サブストレート上に、上面においてマ
イクロ構造化された高温超伝導体層が、下面において構
造化されていない高温超伝導体層が被着されており、こ
れらは一緒にマイクロストリップ導体の形における帯域
通過フィルタを形成している。プレーナ電極は上側の超
伝導体構造の上方数ミリメータのところに存在してい
る。下側の高温超伝導体層とプレーナ電極との間の電圧
を印加することによって、構造化された超伝導体層と構
造化されていない超伝導体層との間の中間空間の実効誘
電率を変えることができる。その理由は、強誘電体また
は反強誘電体の誘電率は印加される電圧に依存して著し
く変化するからである。これにより、フィルタ特性、殊
に通過周波数も変化する。
性および／または反強誘電性のエレメントを備えたプレ
ーナ形フィルタが公知である。ここでは誘電性のサブス
トレート上に、強誘電性または反強誘電性の層が被着さ
れている。この層サブストレート上に、上面においてマ
イクロ構造化された高温超伝導体層が、下面において構
造化されていない高温超伝導体層が被着されており、こ
れらは一緒にマイクロストリップ導体の形における帯域
通過フィルタを形成している。プレーナ電極は上側の超
伝導体構造の上方数ミリメータのところに存在してい
る。下側の高温超伝導体層とプレーナ電極との間の電圧
を印加することによって、構造化された超伝導体層と構
造化されていない超伝導体層との間の中間空間の実効誘
電率を変えることができる。その理由は、強誘電体また
は反強誘電体の誘電率は印加される電圧に依存して著し
く変化するからである。これにより、フィルタ特性、殊
に通過周波数も変化する。
【０００３】
【発明が解決すべき課題】本発明の課題は、冒頭に述べ
た形式のプレーナ形フィルタを、僅かな損失しか有して
いないように改良することである。
た形式のプレーナ形フィルタを、僅かな損失しか有して
いないように改良することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
れば請求項１の特徴部分に記載の構成によって解決され
る。
れば請求項１の特徴部分に記載の構成によって解決され
る。
【０００５】本発明のプレーナ形フィルタは、特別僅か
な損失しか有していないという利点を有している。強誘
電性または反強誘電性の同調エレメントを超伝導体層の
上方に配設することによって、２つの超伝導体層の間
に、最適化された誘電特性を有するサブストレートを選
択することができる。更に、サブストレートの選択の際
に、誘電性のサブストレート上の超伝導体層のエピタキ
シャル成長の要求を考慮することができることは特別有
利であると見なすべきである。一層良好に製造すること
ができる超伝導体層の結果、一層高級なフィルタが実現
可能である。
な損失しか有していないという利点を有している。強誘
電性または反強誘電性の同調エレメントを超伝導体層の
上方に配設することによって、２つの超伝導体層の間
に、最適化された誘電特性を有するサブストレートを選
択することができる。更に、サブストレートの選択の際
に、誘電性のサブストレート上の超伝導体層のエピタキ
シャル成長の要求を考慮することができることは特別有
利であると見なすべきである。一層良好に製造すること
ができる超伝導体層の結果、一層高級なフィルタが実現
可能である。
【０００６】
【発明の実施の形態】その他の請求項に記載の構成によ
って請求項１に記載の、強誘電性または反強誘電性のエ
レメントを備えたプレーナ形フィルタの有利な実施態様
および改良例が可能である。
って請求項１に記載の、強誘電性または反強誘電性のエ
レメントを備えたプレーナ形フィルタの有利な実施態様
および改良例が可能である。
【０００７】フィルタを、フィルタエレメントおよび同
調エレメントが別個の構成部分であるように構成すると
特別有利である。これにより、適当な強誘電性または反
強誘電性の同調エレメントの選択により粗同調を行うこ
とができ、一方微同調はまとめられた構成部品において
電気的に行われる。
調エレメントが別個の構成部分であるように構成すると
特別有利である。これにより、適当な強誘電性または反
強誘電性の同調エレメントの選択により粗同調を行うこ
とができ、一方微同調はまとめられた構成部品において
電気的に行われる。
【０００８】更に、導体層を超伝導性の銅酸塩から製造
すると特別有利である。というのは、このフィルタの冷
却を、従来の超伝導体を使用した場合より著しく僅かな
経済および技術コストによって行うことができるからで
ある。
すると特別有利である。というのは、このフィルタの冷
却を、従来の超伝導体を使用した場合より著しく僅かな
経済および技術コストによって行うことができるからで
ある。
【０００９】更に、強誘電性または反強誘電性のエレメ
ントをケーシングカバー上に被着された層から製造する
と特別有利である。その理由は、これにより非常に簡単
な機械的な構造および調整の際に僅かなコストですむこ
とになるからである。
ントをケーシングカバー上に被着された層から製造する
と特別有利である。その理由は、これにより非常に簡単
な機械的な構造および調整の際に僅かなコストですむこ
とになるからである。
【００１０】更に、強誘電性または反強誘電性の層を、
絶縁性のスペーサホルダによってプレーナ形フィルタサ
ブストレート上に組み立てられる層から製造すると特別
有利である。というのは、これによりカバーが取り除か
れた場合にもフィルタは調整可能な状態にとどまるから
である。
絶縁性のスペーサホルダによってプレーナ形フィルタサ
ブストレート上に組み立てられる層から製造すると特別
有利である。というのは、これによりカバーが取り除か
れた場合にもフィルタは調整可能な状態にとどまるから
である。
【００１１】更に、強誘電性または反強誘電性の層をマ
イクロ構造技術法によって個々のセグメントに分割し、
その場合それぞれ個々のエレメントの誘電体率を別個に
調整可能であるようにすれば特別有利である。というの
はこれにより、通過帯域内のその上縁および下縁および
その微細構造が微調整可能である帯域通過フィルタエレ
メントが得られるからである。
イクロ構造技術法によって個々のセグメントに分割し、
その場合それぞれ個々のエレメントの誘電体率を別個に
調整可能であるようにすれば特別有利である。というの
はこれにより、通過帯域内のその上縁および下縁および
その微細構造が微調整可能である帯域通過フィルタエレ
メントが得られるからである。
【００１２】更に、同調エレメントとして、複数の中実
な強誘電性または反強誘電性の物体を使用すると特別有
利である。というのは、これにより、プレーナ形フィル
タのそれぞれ個々の共振器エレメントに対する同調領域
が拡大されるからである。
な強誘電性または反強誘電性の物体を使用すると特別有
利である。というのは、これにより、プレーナ形フィル
タのそれぞれ個々の共振器エレメントに対する同調領域
が拡大されるからである。
【００１３】更に、個々の強誘電性または反強誘電性の
同調エレメントが位置ないし姿勢調整装置を備えるよう
にすれば、特別有利である。その理由はこれにより、一
層幅広の調整および同調領域が得られるからである。
同調エレメントが位置ないし姿勢調整装置を備えるよう
にすれば、特別有利である。その理由はこれにより、一
層幅広の調整および同調領域が得られるからである。
【００１４】
【実施例】次に本発明を図示の実施例につき図面を用い
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１５】図１には、誘電性のサブストレート２０上
に被着されている高温超伝導体をベースとしたプレーナ
形帯域通過フィルタが図示されている。分かり易くする
ために、場合により存在するケーシングは図示されてい
ない。下面３０における高温超伝導体層は構造化されな
いままでありかつアース導体４０として機能し、一方上
面における高温超伝導体層からマイクロ構造技術法を用
いて共振器構造１１並びに容量結合された入力側１３お
よび容量結合された出力側１４が加工処理される。導波
体構造１０の上方に、２つの電極５１および５４および
所属のリード５２および５３を有する強誘電性の同調エ
レメント５０が存在している。この強誘電性のエレメン
ト５０は、電気的に絶縁性でかつ場合により熱絶縁性の
スペーサホルダ６０によって適当な間隔をおいて導波体
構造１０上に固定される。択一的に、この強誘電性のエ
レメント５０はその電極５１および５４およびリード５
２および５３とともに層構造としてケーシングカバーま
たはケーシング側壁に被着することもできる。
に被着されている高温超伝導体をベースとしたプレーナ
形帯域通過フィルタが図示されている。分かり易くする
ために、場合により存在するケーシングは図示されてい
ない。下面３０における高温超伝導体層は構造化されな
いままでありかつアース導体４０として機能し、一方上
面における高温超伝導体層からマイクロ構造技術法を用
いて共振器構造１１並びに容量結合された入力側１３お
よび容量結合された出力側１４が加工処理される。導波
体構造１０の上方に、２つの電極５１および５４および
所属のリード５２および５３を有する強誘電性の同調エ
レメント５０が存在している。この強誘電性のエレメン
ト５０は、電気的に絶縁性でかつ場合により熱絶縁性の
スペーサホルダ６０によって適当な間隔をおいて導波体
構造１０上に固定される。択一的に、この強誘電性のエ
レメント５０はその電極５１および５４およびリード５
２および５３とともに層構造としてケーシングカバーま
たはケーシング側壁に被着することもできる。
【００１６】以下の説明において導波体構造１０は共振
器構造１１，入力側１３および出力側１４から成るユニ
ットを表し、フィルタエレメントは、導波体１０，アー
ス導体３０およびサブストレート２０を含んでいるもの
とする。フィルタによって、フィルタエレメントと同調
エレメントとの組み合わせが表される。
器構造１１，入力側１３および出力側１４から成るユニ
ットを表し、フィルタエレメントは、導波体１０，アー
ス導体３０およびサブストレート２０を含んでいるもの
とする。フィルタによって、フィルタエレメントと同調
エレメントとの組み合わせが表される。
【００１７】入射するマイクロ波またはミリメートル波
信号１２は、その周波数が共振器構造の共振周波数と一
致しない場合には、共振器構造１１によって反射され
る。そうでない場合にはそれは通過され、その際波動伝
播の大部分は誘電性のサブストレート２０において行わ
れる。誘電性のサブストレート２０は損失が僅かになる
ように、即ち誘電率の虚数部が小さくなるように、およ
び超伝導体層に対して良好な成長条件に最適化されたの
で、通過された信号の減衰は非常に僅かである。フィル
タリングされた信号１５は容量結合された出力側１４に
おいて取り出し可能である。この実施例において５つの
共振器は、固有共振の位置および幅において僅かな差異
を有している。個々の共振の重畳により、通過帯域が生
じる。個々の共振の周波数位置並びにその相互間の結合
は、個々の共振器を取り囲む媒体の実効誘電関数によっ
て決められる。この実効誘電関数は、強誘電性のエレメ
ント５０の誘電関数を変化することによって、変化され
る。このために、リード５２および５３および電極５１
および５４を介して強誘電性のエレメント５０に電圧が
印加される。図１に図示の全体に影響を及ぼす方法によ
って、すべての共振器の固有周波数を一様にシフトする
ことができ、かつこれによりフィルタの通過特性は実質
的に周波数軸上をシフトされる。これによりフィルタエ
レメントの受動部品から、能動部品、電気的に同調可能
なフィルタが実現される。反強誘電性の層は同様に、こ
の例において使用される強誘電性の層のように、同調の
ために用いることができる。
信号１２は、その周波数が共振器構造の共振周波数と一
致しない場合には、共振器構造１１によって反射され
る。そうでない場合にはそれは通過され、その際波動伝
播の大部分は誘電性のサブストレート２０において行わ
れる。誘電性のサブストレート２０は損失が僅かになる
ように、即ち誘電率の虚数部が小さくなるように、およ
び超伝導体層に対して良好な成長条件に最適化されたの
で、通過された信号の減衰は非常に僅かである。フィル
タリングされた信号１５は容量結合された出力側１４に
おいて取り出し可能である。この実施例において５つの
共振器は、固有共振の位置および幅において僅かな差異
を有している。個々の共振の重畳により、通過帯域が生
じる。個々の共振の周波数位置並びにその相互間の結合
は、個々の共振器を取り囲む媒体の実効誘電関数によっ
て決められる。この実効誘電関数は、強誘電性のエレメ
ント５０の誘電関数を変化することによって、変化され
る。このために、リード５２および５３および電極５１
および５４を介して強誘電性のエレメント５０に電圧が
印加される。図１に図示の全体に影響を及ぼす方法によ
って、すべての共振器の固有周波数を一様にシフトする
ことができ、かつこれによりフィルタの通過特性は実質
的に周波数軸上をシフトされる。これによりフィルタエ
レメントの受動部品から、能動部品、電気的に同調可能
なフィルタが実現される。反強誘電性の層は同様に、こ
の例において使用される強誘電性の層のように、同調の
ために用いることができる。
【００１８】別の有利な実施例が図２に示されている。
ここでも、部品として、フィルタエレメントが選択され
た。分かり易くするために、カバーを外された状態が示
された。一点鎖線は、組み立てられた状態において互い
に上下になる点を示している。図１と同じ機能の部品
は、図１と同じ参照番号が付されている。
ここでも、部品として、フィルタエレメントが選択され
た。分かり易くするために、カバーを外された状態が示
された。一点鎖線は、組み立てられた状態において互い
に上下になる点を示している。図１と同じ機能の部品
は、図１と同じ参照番号が付されている。
【００１９】しかしフィルタエレメントはこの実施例に
対して、コプレーナ技術において実現されており、その
際アース導体４０として機能する構造化されていない超
伝導層３０はここでは共振器１１を有するフィルタ構造
と同一の平面内にある。図１の実施例との機能上の差異
は、強誘電性または反強誘電性の同調ユニットにある。
強誘電性または反強誘電性の層はここではマイクロ構造
化されている。それぞれの共振器の上方に、強誘電性ま
たは反強誘電性のマイクロ構造２００が存在している。
このマイクロ構造は、所属の共振器より多少小さいラテ
ラル方向の寸法を有している。同様に、２つの共振器の
間に存在するそれぞれの中間空間の上方に、強誘電性ま
たは反強誘電性の構造２０１が存在している。この構造
の寸法は、それが僅かだが超伝導性の共振器とオーバラ
ップしているように選択されている。強誘電性または反
強誘電性のエレメントはすべて同一の層からマイクロ構
造技術法を用いて加工処理することができるが、種々異
なった材料、殊に強誘電性および反強誘電性の材料を組
み合わせて構成することも同様に可能である。これら同
調エレメントのそれぞれは独自の電極５１および５４を
使用しており、これら電極を介して電圧を印加すること
ができる。この場合、それぞれの同調エレメントに印加
される種々の電圧によってまたは意図した材料選択およ
びこれにより、同じように印加される電圧のための種々
異なる誘電体率によって、実効誘電率を全体としてのみ
ならず、局所的にも変化することができる。これによ
り、各共振器それぞれの固有周波数並びに隣接する共振
器間のそれぞれの結合は別個に調整することができる。
共振器の固有周波数セットの圧縮または伸長によって、
フィルタ特性を多少狭帯域にまたは多少広帯域に調整設
定することができる。結合度の変化によって、通過帯域
における反射極大値を増幅または減衰することができ
る。
対して、コプレーナ技術において実現されており、その
際アース導体４０として機能する構造化されていない超
伝導層３０はここでは共振器１１を有するフィルタ構造
と同一の平面内にある。図１の実施例との機能上の差異
は、強誘電性または反強誘電性の同調ユニットにある。
強誘電性または反強誘電性の層はここではマイクロ構造
化されている。それぞれの共振器の上方に、強誘電性ま
たは反強誘電性のマイクロ構造２００が存在している。
このマイクロ構造は、所属の共振器より多少小さいラテ
ラル方向の寸法を有している。同様に、２つの共振器の
間に存在するそれぞれの中間空間の上方に、強誘電性ま
たは反強誘電性の構造２０１が存在している。この構造
の寸法は、それが僅かだが超伝導性の共振器とオーバラ
ップしているように選択されている。強誘電性または反
強誘電性のエレメントはすべて同一の層からマイクロ構
造技術法を用いて加工処理することができるが、種々異
なった材料、殊に強誘電性および反強誘電性の材料を組
み合わせて構成することも同様に可能である。これら同
調エレメントのそれぞれは独自の電極５１および５４を
使用しており、これら電極を介して電圧を印加すること
ができる。この場合、それぞれの同調エレメントに印加
される種々の電圧によってまたは意図した材料選択およ
びこれにより、同じように印加される電圧のための種々
異なる誘電体率によって、実効誘電率を全体としてのみ
ならず、局所的にも変化することができる。これによ
り、各共振器それぞれの固有周波数並びに隣接する共振
器間のそれぞれの結合は別個に調整することができる。
共振器の固有周波数セットの圧縮または伸長によって、
フィルタ特性を多少狭帯域にまたは多少広帯域に調整設
定することができる。結合度の変化によって、通過帯域
における反射極大値を増幅または減衰することができ
る。
【００２０】この実施例の変形は、共振器の一方の部分
を個別に、共振器の他方の部分を全体的に同調すること
によって、２つの上に説明した例の特徴の組み合わせに
よって得られる。
を個別に、共振器の他方の部分を全体的に同調すること
によって、２つの上に説明した例の特徴の組み合わせに
よって得られる。
【００２１】図３には別の実施例が図示されている。こ
こでは３つの共振器しか有していないが、図１に示し
た、マイクロストリップ導体構造におけるフィルタエレ
メントがケーシング内に存在している。ケーシングは分
かり易くする理由から、一部断面にて示されている。こ
のフィルタエレメント１０の上方に、中実な強誘電性ま
たは反強誘電性の物体１００，１０１，１０２が存在し
ている。これら物体はねじ１１０，１１１，１１２を用
いて高さ方向に移動調整可能にケーシングカバーに固定
されている。同様に、ラテラル方向の移動調整も可能で
ある。それは、ねじ１１３を用いてフィルタケーシング
の側壁１３０に固定された強誘電性または反強誘電性の
物体１０３に対して示されている通りである。フィルタ
特性の移動調整は図２で説明した実施例と同じ原理に基
づいているが、強誘電性または反強誘電性のエレメント
の、実効誘電率に対する関与は、一層大きな容積成分の
ために一層高く、このための移動調整領域が一層広くな
るということになる。同様に、導波体と強誘電性または
反強誘電性のエレメントとの間の間隔によって、別の調
整パラメータも使用可能である。これにより、個々の調
整エレメントの配置を用いて粗い予備調整を行うことが
できる。それから微同調並びにドリフト現象の結果とし
て必要になる可能性があるフィルタ特性の追従調整は、
電気的な手法で強誘電性または反強誘電性のエレメント
を介して行うことができる。
こでは３つの共振器しか有していないが、図１に示し
た、マイクロストリップ導体構造におけるフィルタエレ
メントがケーシング内に存在している。ケーシングは分
かり易くする理由から、一部断面にて示されている。こ
のフィルタエレメント１０の上方に、中実な強誘電性ま
たは反強誘電性の物体１００，１０１，１０２が存在し
ている。これら物体はねじ１１０，１１１，１１２を用
いて高さ方向に移動調整可能にケーシングカバーに固定
されている。同様に、ラテラル方向の移動調整も可能で
ある。それは、ねじ１１３を用いてフィルタケーシング
の側壁１３０に固定された強誘電性または反強誘電性の
物体１０３に対して示されている通りである。フィルタ
特性の移動調整は図２で説明した実施例と同じ原理に基
づいているが、強誘電性または反強誘電性のエレメント
の、実効誘電率に対する関与は、一層大きな容積成分の
ために一層高く、このための移動調整領域が一層広くな
るということになる。同様に、導波体と強誘電性または
反強誘電性のエレメントとの間の間隔によって、別の調
整パラメータも使用可能である。これにより、個々の調
整エレメントの配置を用いて粗い予備調整を行うことが
できる。それから微同調並びにドリフト現象の結果とし
て必要になる可能性があるフィルタ特性の追従調整は、
電気的な手法で強誘電性または反強誘電性のエレメント
を介して行うことができる。
【００２２】この実施例の変形は、強誘電性または反強
誘電性の妨害体をねじに代わるピエゾ並進器によって固
定することにある。これによりフィルタの、専ら電気的
な位置調整が実現される。
誘電性の妨害体をねじに代わるピエゾ並進器によって固
定することにある。これによりフィルタの、専ら電気的
な位置調整が実現される。
【００２３】この実施例の更なる変形は、強誘電性また
は反強誘電性の妨害体を付加的な機械的な位置ないし姿
勢調整なしにケーシング内面に不動に固定することにあ
る。従って誘電率の変化による電気的な位置調整のフレ
キシビリティで十分である場合には、機械的に一層簡単
な構造が実現される。
は反強誘電性の妨害体を付加的な機械的な位置ないし姿
勢調整なしにケーシング内面に不動に固定することにあ
る。従って誘電率の変化による電気的な位置調整のフレ
キシビリティで十分である場合には、機械的に一層簡単
な構造が実現される。
【００２４】ここに示した用途の別の変形は、強誘電体
または反強誘電体の誘電率が相変態の近傍において強い
温度依存性を有しているという認識から得られる。従っ
て、フィルタエレメントの周囲の実効誘電率の電気的な
制御は同調エレメントの温度を調整設定するための装置
を用いて間接的にも実施される。
または反強誘電体の誘電率が相変態の近傍において強い
温度依存性を有しているという認識から得られる。従っ
て、フィルタエレメントの周囲の実効誘電率の電気的な
制御は同調エレメントの温度を調整設定するための装置
を用いて間接的にも実施される。
【図１】上方に配設されたプレーナ強誘電体同調エレメ
ントを有するマイクロストリップ導体構造におけるプレ
ーナ形フィルタの斜視図である。
ントを有するマイクロストリップ導体構造におけるプレ
ーナ形フィルタの斜視図である。
【図２】上方に存在する、複数の強誘電性または反強誘
電性の同調エレメントから成るマイクロ構造化された同
調エレメントを有するコプレーナ形構造におけるフィル
タの斜視図である。
電性の同調エレメントから成るマイクロ構造化された同
調エレメントを有するコプレーナ形構造におけるフィル
タの斜視図である。
【図３】ねじを用いてケーシング壁に可動に懸架されて
いる中実な、同調のための強誘電性または反強誘電性の
妨害体を有するマイクロストリップ導体構造において実
現されたプレーナ形フィルタの斜視図である。
いる中実な、同調のための強誘電性または反強誘電性の
妨害体を有するマイクロストリップ導体構造において実
現されたプレーナ形フィルタの斜視図である。
１０ 導波体構造、 １１ 共振器、 ２０ サブスト
レート、 ３０ アース導体、 ５０ 同調エレメン
ト、 ５１，５４ 電極、 ６０ スペーサホルダ、
１００〜１０３ 強誘電性または反強誘電性の物体、
１２０ ケーシングカバー、 １３０ ケーシング側
壁、 ２００，２０１ マイクロ構造
レート、 ３０ アース導体、 ５０ 同調エレメン
ト、 ５１，５４ 電極、 ６０ スペーサホルダ、
１００〜１０３ 強誘電性または反強誘電性の物体、
１２０ ケーシングカバー、 １３０ ケーシング側
壁、 ２００，２０１ マイクロ構造
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クリスティアン ノイマン ドイツ連邦共和国 メークリンゲン ホー エンシュタウフェンシュトラーセ 28 (72)発明者 マッティアス クラウダ ドイツ連邦共和国 シュツットガルト ラ ンダウアー シュトラーセ 76
Claims (10)
- 【請求項１】 サブストレートの上面に配設されている
導波体と、強誘電性および／または反強誘電性の材料か
ら成る少なくとも１つの同調エレメントとを備えた電気
的に同調可能なプレーナ形フィルタであって、強誘電性
および／または反強誘電性のエレメントに印加される電
圧、ひいては該エレメントの誘電率が調整設定可能であ
る形式のものにおいて、前記同調エレメントは前記サブ
ストレートの上面上または上面の上方に取り付けられて
いることを特徴とするプレーナ形フィルタ。 - 【請求項２】 導波体および強誘電体または反強誘電性
の同調エレメントは別個の構成部分である請求項１記載
のプレーナ形フィルタ。 - 【請求項３】 導波体および／またはアース導体は高温
超伝導体から製造されている請求項１または２記載のプ
レーナ形フィルタ。 - 【請求項４】 フィルタは１つのケーシングに配設され
ており、かつ同調エレメントは該ケーシング内面に取り
付けられた層である請求項１から３までのいずれか１項
記載のプレーナ形フィルタ。 - 【請求項５】 同調エレメントは、導波体が配設されて
いるサブストレートの上方に絶縁性のスペーサホルダを
用いて組み立てられている支持板上の層である請求項１
から３までのいずれか１項記載のプレーナ形フィルタ。 - 【請求項６】 同調エレメントは、導波体が配設されて
いるサブストレートの上方に絶縁性のスペーサホルダに
よって組み立てられている支持板上に被着されているマ
イクロ構造化された層である請求項１から３までのいず
れか１項記載のプレーナ形フィルタ。 - 【請求項７】 フィルタはケーシング内に配設されてお
り、かつ同調エレメントは該ケーシング内面に被着され
ているマイクロ構造化された層である請求項１から３ま
でのいずれか１項記載のプレーナ形フィルタ。 - 【請求項８】 同調エレメントは、少なくとも１つの中
実な強誘電性および／または反強誘電性の物体から成る
請求項１から３までのいずれか１項記載のプレーナ形フ
ィルタ。 - 【請求項９】 導波体と同調エレメントとの間の相対位
置はその姿勢が調整設定可能である請求項１から８まで
のいずれか１項記載のプレーナ形フィルタ。 - 【請求項１０】 同調エレメントの温度を変化するため
の装置が設けられている請求項１から９までのいずれか
１項記載のプレーナ形フィルタ。
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