JP4315859B2 - 超伝導フィルタ - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態による超伝導フィルタについて図1及び図2を用いて説明する。図1は本実施形態による超伝導フィルタの構造を示す斜視図、図2は本実施形態による超伝導フィルタにおけるスペーサ付近の構造を示す拡大断面図である。
本発明の第2実施形態による超伝導フィルタについて図3を用いて説明する。図3は本実施形態による超伝導フィルタにおけるスペーサ付近の構造を示す拡大断面図である。なお、第1実施形態による超伝導フィルタと同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明の第3実施形態による超伝導フィルタについて図4及び図5を用いて説明する。図4は本実施形態による超伝導フィルタの構造を示す斜視図、図5は本実施形態による超伝導フィルタにおけるスペーサ付近の構造を示す拡大断面図である。
本発明の第4実施形態による超伝導フィルタについて図6乃至8を用いて説明する。図6は本実施形態による超伝導フィルタの構造を示す平面図、図7は本実施形態による超伝導フィルタの特性を示すグラフ、図8はスペーサを介さずに誘電体板が誘電体基板上に直接載置された超伝導フィルタの特性を示すグラフである。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記誘電体基板の一の面に形成され、超伝導体膜よりなり、高周波信号を入力する第1の入出力フィーダ線路と、
前記誘電体基板の前記一の面に形成され、超伝導体膜よりなり、前記第1の入出力フィーダ線路から入力される高周波信号をフィルタリングする共振素子パターンと、
前記誘電体基板の前記一の面に形成され、超伝導体膜よりなり、前記共振素子パターンによりフィルタリングされた高周波信号が出力される第2の入出力フィーダ線路と、
前記誘電体基板の前記一の面上に複数のスペーサを介して載置された誘電体とを有し、
前記誘電体は、前記共振素子パターンを含む領域と、前記第1の入出力フィーダ線路のうち前記共振素子パターン側の1/4実効波長の正の整数倍の±20パーセント以内の長さの部分と、前記第2の入出力フィーダ線路のうち前記共振素子パターン側の1/4実効波長の正の整数倍の±20パーセント以内の長さの部分とを覆っている
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
前記複数のスペーサは、前記誘電体基板の前記一の面上に載置された前記誘電体を固定する塑性変形が可能な第1のスペーサと、前記誘電体基板と前記誘電体との間の間隙の幅を規定する第2のスペーサである
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
前記第1のスペーサは、インジウム、インジウム−銀合金、インジウム−錫合金、インジウム−亜鉛合金、又はインジウム−ビスマス合金よりなる
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
前記第1のスペーサは、前記誘電体基板の前記一の面に形成された第1の金属パッドと、前記誘電体の前記誘電体基板に対向する面に形成された第2の金属パッドと、前記第1の金属パッドと前記第2の金属パッドとにより挟まれ、インジウム、インジウム−銀合金、インジウム−錫合金、インジウム−亜鉛合金、又はインジウム−ビスマス合金よりなるバンプとを有する
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
前記第1のスペーサは、前記誘電体基板の前記一の面又は前記誘電体の前記誘電体基板に対向する面に形成された金属パッドと、前記金属パッドに接触し、インジウム、インジウム−銀合金、インジウム−錫合金、インジウム−亜鉛合金、又はインジウム−ビスマス合金よりなるバンプとを有する
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
前記金属パッドは、ニッケル又はチタンよりなる下地金属層と、前記下地金属層上に形成され、金、銀、又は銅よりなる金属層とを有する
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
前記第2のスペーサは、ポリイミド、PMMA、ノボラック樹脂、環化ゴム系樹脂よりなる
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
前記誘電体基板の他の面に形成されたグランドプレーンを更に有し、
前記第1の入出力フィーダ線路、前記第2の入出力フィーダ線路、前記共振素子パターン、及び前記グランドプレーンを有するマイクロストリップ型の平面回路が構成されている
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
前記誘電体基板の前記一の面に形成されたグランドプレーンを更に有し、
前記第1の入出力フィーダ線路、前記第2の入出力フィーダ線路、前記共振素子パターン、及び前記グランドプレーンを有するコプレーナ型の平面回路が構成されている
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
前記超伝導体膜は、酸化物高温超伝導体膜である
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
前記誘電体は、アルミナ、サファイア、酸化マグネシウム、ランタンアルミネート、又はルチル型酸化チタンよりなる
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
前記入出力フィーダ線路及び/又は共振素子パターンの回路導体パターンは、ライン形状、変形ライン形状、又はパッチ形状である
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
前記誘電体が載置された前記誘電体基板を収容する電気導体パッケージを更に有する
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
12…グランドプレーン
14a、14b…入出力フィーダ線路
16a、16b、16c、16d、16e…共振素子パターン
18a、18b…電極
20…スペーサ
22…スペーサ
23…間隙
24…誘電体板
26a、26b…金属パッド
28…下地金属層
30…金属層
40…誘電体基板
42…グランドプレーン
44a、44b…入出力フィーダ線路
46a、46b、46c、46d、46e…共振素子パターン
48a、48b…電極
50…スペーサ
52…スペーサ
53…間隙
54…誘電体板
56…誘電体基板
58a…入力フィーダ線路
58b…出力フィーダ線路
60a、60b…共振素子パターン
61…切り欠き凹状パターン
62…誘電体基板
Claims (9)
- 誘電体基板と、
前記誘電体基板の一の面に形成され、超伝導体膜よりなり、高周波信号を入力する第1の入出力フィーダ線路と、
前記誘電体基板の前記一の面に形成され、超伝導体膜よりなり、前記第1の入出力フィーダ線路から入力される高周波信号をフィルタリングする共振素子パターンと、
前記誘電体基板の前記一の面に形成され、超伝導体膜よりなり、前記共振素子パターンによりフィルタリングされた高周波信号が出力される第2の入出力フィーダ線路と、
前記誘電体基板の前記一の面上に、間隙の幅を所望の値に調整可能な複数のスペーサを介して載置された誘電体とを有し、
前記誘電体は、前記共振素子パターンを含む領域と、前記第1の入出力フィーダ線路のうち前記共振素子パターン側の1/4実効波長の正の整数倍の±20パーセント以内の長さの部分と、前記第2の入出力フィーダ線路のうち前記共振素子パターン側の1/4実効波長の正の整数倍の±20パーセント以内の長さの部分とを覆っており、
前記間隙の幅を所望の値に調整可能な複数のスペーサは、前記誘電体基板の前記一の面上に載置された前記誘電体を固定する塑性変形が可能な第1のスペーサと、前記誘電体基板と前記誘電体との間の間隙の幅を規定する第2のスペーサであり、
前記第1のスペーサが有する粘着性により、前記誘電体基板の前記一の面上に前記誘電体が固定されている
ことを特徴とする超伝導フィルタ。 - 請求項1記載の超伝導フィルタにおいて、
前記第1のスペーサは、インジウム、インジウム−銀合金、インジウム−錫合金、インジウム−亜鉛合金、又はインジウム−ビスマス合金よりなる
ことを特徴とする超伝導フィルタ。 - 請求項1記載の超伝導フィルタにおいて、
前記第1のスペーサは、前記誘電体基板の前記一の面に形成された第1の金属パッドと、前記誘電体の前記誘電体基板に対向する面に形成された第2の金属パッドと、前記第1の金属パッドと前記第2の金属パッドとにより挟まれ、インジウム、インジウム−銀合金、インジウム−錫合金、インジウム−亜鉛合金、又はインジウム−ビスマス合金よりなるバンプとを有する
ことを特徴とする超伝導フィルタ。 - 請求項1記載の超伝導フィルタにおいて、
前記第1のスペーサは、前記誘電体基板の前記一の面又は前記誘電体の前記誘電体基板に対向する面に形成された金属パッドと、前記金属パッドに接触し、インジウム、インジウム−銀合金、インジウム−錫合金、インジウム−亜鉛合金、又はインジウム−ビスマス合金よりなるバンプとを有する
ことを特徴とする超伝導フィルタ。 - 請求項3又は4記載の超伝導フィルタにおいて、
前記金属パッドは、ニッケル又はチタンよりなる下地金属層と、前記下地金属層上に形成され、金、銀、又は銅よりなる金属層とを有する
ことを特徴とする超伝導フィルタ。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の超伝導フィルタにおいて、
前記第2のスペーサは、ポリイミド、PMMA、ノボラック樹脂、環化ゴム系樹脂よりなる
ことを特徴とする超伝導フィルタ。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の超伝導フィルタにおいて、
前記誘電体基板の他の面に形成されたグランドプレーンを更に有し、
前記第1の入出力フィーダ線路、前記第2の入出力フィーダ線路、前記共振素子パターン、及び前記グランドプレーンを有するマイクロストリップ型の平面回路が構成されている
ことを特徴とする超伝導フィルタ。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の超伝導フィルタにおいて、
前記誘電体基板の前記一の面に形成されたグランドプレーンを更に有し、
前記第1の入出力フィーダ線路、前記第2の入出力フィーダ線路、前記共振素子パターン、及び前記グランドプレーンを有するコプレーナ型の平面回路が構成されている
ことを特徴とする超伝導フィルタ。 - 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の超伝導フィルタにおいて、
前記超伝導体膜は、酸化物高温超伝導体膜である
ことを特徴とする超伝導フィルタ。
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