KR960700533A - 고온 초전도 및 강유전막을 통합한 동조식 마이크로파 기구(TUNABLE MICROWAVE DEVICES INCORPORATING HIFH RWMPWEruew SUPERCONDUCTING AND FERROELECTRIC FILMS) - Google Patents

고온 초전도 및 강유전막을 통합한 동조식 마이크로파 기구(TUNABLE MICROWAVE DEVICES INCORPORATING HIFH RWMPWEruew SUPERCONDUCTING AND FERROELECTRIC FILMS)

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KR960700533A
KR960700533A KR1019950702249A KR19950702249A KR960700533A KR 960700533 A KR960700533 A KR 960700533A KR 1019950702249 A KR1019950702249 A KR 1019950702249A KR 19950702249 A KR19950702249 A KR 19950702249A KR 960700533 A KR960700533 A KR 960700533A
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thin film
tuned
ferroelectric
superconducting
dielectric
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KR1019950702249A
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엠 얀드로프스키 로버트
차알즈 프라이스 존
반즈 프랭크
엠 허만 엘런
로이드 스콧 제임스
Original Assignee
스티븐 에이취 앤드레이드
슈퍼콘덕팅 코아 테크놀로지스 인코포레이팃드
카일 레프코프
유니버어시티 리서어치 코오포레이션
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Abstract

본 명세서는 주파수 동조식 저-손실 수동 마이크로파 및 밀리미터파 기구를 생산하기 위해 조합으로 사용된 강유전성 및 초전도성 얇은 막에 관한 것이다. 여러가지 산화금속 초전도성 및 강유전성 얇은 막은 다양한 부착 기술에 의해 많은 다층 기하 구조물에 부착되어, 강유전성 막을 가로질러 전압 바이러스 신호를 통해 마이크로파 및 밀리미터파 신호를 조작할 수 있는 기구를 생산할 수 있다. 지연선, 이상기, 공진기, 발진기, 필터, 전기적으로-작은 안테나, 빈-루우프 안테나, 직접 결합기, 연결 안테나, 및 여러가지 복사성 회절발을 포함하는 많은 초전도성 마이크로파 및 밀리미터파 기구는 전압-바이어스된 강유전성 얇은 막으로 부터 제작된 전압-동조식 커패시터 구조물을 이용함으로써 주파수-동조식으로 만들어 진다. 강유전성 앎은 막 회전발에 하나 이상의 전압 바이어스 신호를 인가항으로써 빔 패턴의 전기적 조종을 허용하는 결합된 초전도성 및 강유전성 얇은 막 구조물 및 기하 구조물을 통합하는 동조식 안테나 배열이 또한 공개된다. 여러가지 조합물내 산화금속 초전도체 및 강유전체의 얇은 막을 사용함으로써 성취된 결합된 적은 손실 및 주파수 동조가 선행기술을 능가하는 유의한 진보를 제공한다. 넓은 부류의 산화금속 초전도체 및 넓은 부류의 강유전성 물질의 양립성은 초전도성 막상의 강유전성 막 및 강유전성 막상의 초전도성 막을 포함하는 다수의 앎은 막 다층 기하구조물의 제조를 허용한다. 상기 기하 구조물의 유연성 및 막 부착은 또한 더 많은 충전 기구 구조물을 허용하고, 또한 통합된 모놀리식 기구를 허용한다. 상기 기구의 통합은 단일 안테나, 및 다른 기구, 보다 비용 효과적이고 보다 높은 성능을 보이는 기하 구조물을 허용할 것이다.

Description

고온 초전도 및 강유전막을 통합한 동조식 마이크로파 기구 (TUNABLE MlCROWVAVE DEVICES INCORPORATING HIFH RWMPWEruew SUPERCONDUCTING AND FERROELECTRIC FILMS)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 동조식 초전도체/강유전체 얇은 막의 개략적 표현이다.

Claims (84)

  1. 강유전성 물질의 얇은 막으로 구성된 동조식 전기 부품으로서, 강유전성 얇은 막의 유전 특성은 강유전성 얇은 막에 인가되는 전압의 함수이고, 강유전성 얇은 막은 강유전성 얇은 막의 유전 특성에 따라 동조되는 회로에 접속되도록 변형되어 있고, 초전도 물질의 얇은 막은 강유전성 얇은 막의 표면과 근접해 있고, 초전도성 얇은 막은 강유전성 얇은 막에 전압을 인가하여 그의 유전 특성을 결정하도록 변형되어 있는 동조식 전기부품.
  2. 제1항에 있어서, 강유전성 물질의 얇은 막이 고온 초전도성 물질인 초전도성 물질의 얇은 막 표면상에 부착된 동조식 전기 부품. a.제1항에 있어서, 강유전성 얇은 막의 표면상에 부착된 초전도성 물질의 얇은막이 고온 초전도성 물질의 얇은 막인 동조식 전기 부품.
  3. 제1항에 있어서, 강유전성 얇은 막 및 초전도성 얇은 막중 하나와 근접하여 상기를 지지하는 지지체를 더 포함하는 동조식 전기 부품.
  4. 제6항에 있어서, 지지체가 결정성 물질로 형성된 동조식 전기 부품.
  5. 제1항에 있어서, 예정된 전압을 초전도성 얇은 막에 인가하는 수단을 더 포함하는 동조식 전기 부품.
  6. 제1항에 았어서, 가변성 전압을 강유전성 얇은 막에 인가하여 강유전성 얇은 막의 유전 특성을 변화시키는 수단을 더 포함하는 동조식 전기 부품.
  7. 제1항에 있어서, 초전도성 얇은 막이 위치한 표면의 맞은편에 위치한 강유전성 얇은 막의 표면상 부착된 부가의 초전도성 물질의 얇은 막을 더 포함하는 동조식 전기 부품.
  8. 강유전성 물질의 얇은 막으로 구성된 동조식 전기 이상기로서, 강유전성 얇은 막의 유전 특성은 강유전성 얇은 막에 인가된 전압의 함수이고, 강유전성 얇은 막은 강유전성 얇은 막의 얇은 막의 유전 특성으로부터 초래되는 위상 쉬프트에 따라 동조되는 회로에 접속되도록 변형되고, 초전도성 물질의 얇은 막이 강유전성 얇은 막의 표면상에 부착되고, 초전도성 얇은 막이 강유전성 얇은 막에 전압을 인가하여 유전 특성 및 그로써 그이 위상 쉬프트를 결정하도록 변형되어 있는 동조식 전기 이상기.
  9. 제9항에 있어서, 예정된 전압을 초전도성 얇은 막 및 그에 따른 강유전성 얇은 막에 인가하여 강유전성 얇은 막의 유전 특성을 결정하는 수단을 더 포함하는 동조식 전기 이상기.
  10. 제10항에 있어서, 가변성 전압을 초전도성 얇은 막 및 그에 따른 강유전성 얇은 막에 인가하여 강유전성 얇은 막의 유전 특성을 변화시키는 수단을 더 포함하는 동조식 전기 이상기.
  11. 강유전성 물질의 기다란 기저 부분으로 구성된 고 주파수 에너지를 통과시키는 동조시 전기 안테나 부품으로서, 강유전성 물질의 유전 특성이 강유전성 물질에 인가된 전압의 함수이고, 다수의 요소들이 기저 부분으로 뻗어 나와 있고 기저 부분의 길이를 따라 예정된 간격을 두고 서로 이격 되어 있고, 각각의 다수의 요소간의 예정된 간격은 기저 부분의 유전 특성의 함수로서 고 주파수 에너지에 예정된 시간 지연을 제공하고, 각각의 다수의 요소간의 예정된 시간 지연은 고 주파수 에너지를 각각의 다수의 요소에 대한 공통된 예정각으로 통과하게 하는 동조식 전기 안테나 부품.
  12. 제12항에 있어서, 다수의 요소의 각각의 높이가 다수의 요소가 뻗은 방향으로의 기저 부분의 너비의 분수배인 고 주파수 에너지를 통과시키는 동조식 전기 안테나 부품.
  13. 제12항에 있어서, 고 주파수 에너지가 마이크로파 에너지인 고주파수 에너지를 통과시키는 동조식 전기 안테나 부품.
  14. 제12항에 있어서, 강유전성 물질에 인가된 전압의 함수인 기저 부분의 강유전성 물질의 유전 특성이 기저 부분의 강 유전성 물질의 유전 상수인 고 주파수 에너지를 통과시키는 동조식 전기 안테나 부품.
  15. 제12항에 있어서, 기저 부분으로부터 뻗어 있고 기저 부분의 길이를 따라 예정된 간격을 두고 서로 이격된 다수의 요소는 강유전성 물질이고, 강유전성 물질의 유전 특성은 강유전성 물질에 인가된 전압의 함수이고 주파수 에너지를 통과시키는 동조식 전기 안테나 부품.
  16. 제12항에 있어서, 강유전성 물질의 기저 부분에 예정된 전압을 인가하여 안테나 부품의 유전 특성을 결정하는 수단, 안테나 부품의 유전 특성을 위한 수단을 더 포함하고, 기저 부분으로부터 뻗어 나온 요소들간의 간격은 고 주파수 에너지를 다수의 요소 각각에 대해 공통된 예정 각으로 통과시키는 예정된 시간 지연을 발생시키도록 변형된 고 주파수 에너지를 통과시키는 동조식 전기 안테나 부품.
  17. 고 주파수 에너지를 통과시키는 다수의 동조식 전기 안테나 부품 및 바이어스 전압을 다수의 부품 각각의 기저 부분에 인가하여 부가의 공통된 예정각을 조절하는 수단으로 구성된 동조식 전기 안테나 어레이로서, 각각의 부품이 강유전성 물질의 기다란 기저 부분을 갖고, 강유전성 물질의 유전 특성이 강유전성 물질에 인가된 전압의 함수이고, 다수의 요소가 기저 부분으로부터 뻗어있고 기저 부분의 길이를 따라 예정된 간격을 두고 서로 이격되어 있고 각각의 다수의 요소간의 예정된 간격이 기저 부분의 유진특성의 함수로서 기저 부분에 인가된 고 주파수 에너지에 예정된 시간 지연을 제공하고, 각각의 다수의 요소간의 예정된 시간 지연은 고주파수 에너지를 각각의 다수의 요소에 대해 공통된 예정각으로 통과시키고, 다수의 부품 각각은 서로 평행하게 배치된 그들의 기저 부분이 공통면에 있도록 배치되어 있고 각 기저 부분간의 예정된 간격은 고 주파수에너지를 각 부품의 기저부운의 길이에 대해 부가의 공통된 예정각으로 통과시키는 부가의 예정된 시간 지연에 대응하는 동조식 전기 안테나 어레이.
  18. 제18항에 있어서, 예정된 전압을 인가하여 고 주파수 에너지를 안테나 어레이의 다수의 부품중 각 부품의 다수의 요소의 각각에 대해 공통된 예정각으로 통과시키는 수단을 더 포함하는 동조식 전기 안테나 어레이.
  19. 제18항에 있어서, 어레이가 부가의 다수의 동조식 전기 안테나를 포함하고 다수의 부품 각각의 기저부분에 바이어스 전압을 인가하는 수단이 어레이 및 부가의 어레이의 부품에 바이어스 전압을 인가하는 동조식 전기 안테나 부품.
  20. 고 주파스 에너지를 통과시키는 다수의 안테나 요소로 구성되는 페이스드 어레이 안테나로서, 다수의 이상기의 각각이 강 유전성 물질의 얇은 막을 갖고, 강유전성 얇은 막의 유전 특성이 강유전성 얇은 막에 인가된 전압의 함수이고, 각 이상기의 강유전성 얇은 막이 다수의 안테나 요소의 서로 다른 하나에 및 고 주파수 에너지의 공급원에 접속되어 있고 초전도성 물질의 층이 각 이상기의 강유전성 앎은 막의 표면상 부착되어있고, 초전도성 얇은 막이 상기 위에 부착된 강 유전성 얇은 막에 전압을 인가하여 그의 유전 특성 및 그로써 각 이상기의 위상 쉬프트를 결정하도륵 적용되어 있는 페이스드 어레이 안테나.
  21. 제21항에 있어서, 예정된 전압을 다수의 이상기 각각의 강유전성 얇은 막에 인가하여 고 주파수 에너지의 위상 쉬프트를 결정하는 강유전성 얇은 막에 의해 안테나 요소에 적속된 수단을 더 포함하는 페이스드 어레이 안테나.
  22. 제21항에 있어서, 가변 전압을 다수의 이상기 각가의 강유전성 얇은 막에 인가하여 고 주파수 에너지의 위상 쉬프트를 변화시키는 강유전성 얇은 막에 의해 안테나 요소에 접속된 수단을 더 포함하는 페이스드 어레이 안테나.
  23. 그에 인가된 전압의 함수인 유전 특성을 갖는 강유전성 물질의 얇은 막, 및 서로 예상된 공간을 두고 강유전성 막상에 부착된 초전도성 물질의 얇은 막 한쌍으로 구성된 동조식 초전도 연변 효과 커패시터로서, 초전도성 물질의 초전도성 물질의 얇은 막이 초전도성 물질의 얇은 막 사이의 예정된 공간내 강유전성 물질의 막에 커패시터 작용을 제공하는 동조식 초전도 연변 효과 커패시터.
  24. 제24항에 있어서, 초전도성 막을 가로지름으로써 초전도성 막 사이의 예정된 공간내 강유전성 막에 전압을 인가하여 강유전성 막의 유전 특성 및 그로써 커패시터의 커패시턴스에 영향을 미치는 수단을 더 포함하는 동조식 초전도 연변 효과 커패시터.
  25. 제24항에 있어서, 초전도성 막을 가로지름으로써 초전도성 막 사이의 예정된 공간내 강유전성 막에 가변성 전압을 인가하여 강유전성막의 유전 특성 및 그로써 커패시터의 커패시턴스를 변화시키는 수단을 더 포함하는 동조식 초전도 연변 효과 커패시터.
  26. 제24항에 있어서, 지지체를 더 포함하고 초전도성 얇은 막쌍이 부착된 표면의 맞은 편에 위치한 강유전성 막이 지지체의 표면에 인접한 동조식 초전도 연변 효과 커패시터, a.강유전성 물질의 얇은 막 및 강유전성 물질의 얇은 막상 부착된 초전도성 물질인 다수의 얇은 막선으로 구성되는 동조식 코플래너 전기 부품으로서, 유전성 물질이 그에 인가된 전압의 함수인 유전 특성을 갖는 동조식 코플래너 전기 부품.
  27. 제28항에 있어서, 이웃한 다수의 선이 서로 평행하게 이격되어 있는 동조식 코플래너 전기 부품.
  28. 제28항에 있어서, 이웃한 다수의 선들의 선에 평행하게 이격되어 위치된 초전도성 얇은 막의 선이 중단되어 분할된 선을 형성하고 상기 구역이 이웃한 다수의 선에 대해 공진 회로를 제공하는 동조식 코플래너 전기부품.
  29. 초전도성 물질의 스트립, 초전도성 물질인 부가의 스트립 한쌍, 및 초전도성 물질의 부가의 스트링쌍 각각을 초전도성 물질의 스트립에 접속하여 그에 전압을 제공하는 수단으로 구성되는 커패시터식 결합 마이크로 스트립 공전기.
  30. 각 스트립이 분할된 단자 사이의 틈을 형성하는 단자와 마주보게 배치된 단자 부분을 갖는 초전도성 스트립 한쌍, 초전도성 선의 단자 부분과 접하면서 틈새를 가로질러 뻗어 있는 강유전성 물질의 스트립, 초전도성 물질 스트립 쌍의 각각에 접속되어 그에 전압을 제공함으로써 강유전성 물질의 스트립에 전압을 제공하여 스트립 유전성 물질의 유전 특성을 결정하고 그로써 공전기를 동조시키는 수단으로 구성되는 동조식 커패시터식 결합 마이크로 스트립 공전기.
  31. 제32항에 있어서, 초전도성 물질 스트립 쌍 각각에 접속되어 그에 전압을 제공하는 수단이 초전도성 물질 스트립 쌍에 접속된 부가의 초전도체 스트립을 더 포함하는 동조식 커패시터 결합 마이크로스트립 공진기.
  32. 그에 인가된 전압의 함수인 유전 특성을 갖는 강유전성 물질 얇은 막, 및 그 사이에 예정된 공간을 가지며 강유전성 막상에 부착된 한쌍의 초전도성 물질 얇은 막으로 구성되는 동조식 초전도 연변 효과 커패시터로서, 예정된 공간은 초전도성 물질 얇은 막 쌍 각각으로부터 뻗어 있는 다수의 돌출부에 의해 형성되고 서로에 대해 포개지고, 초전도성 물질의 얇은 막이 초전도성 물질의 얇은 막 사이에 포개진 돌출부에 의해 형성된 예정된 공간내 강유전성 물질 막에 커패시터 작용을 제공하는 동조식 초전도 연변 효과 커패시터.
  33. 제34항에 있어서, 초전도성 얇은 막 쌍을 가로지름으로써 초전도성 얇은 막 쌍 사이의 예정된 공간내의 강유전성 막에 전압을 인가하여 강유전성 막의 유전 특성 및 그로써 커패시터의 커패시턴스에 영향을 미치는 수단을 더 포함하는 동조식 초전도 연변 효과 커패시터.
  34. 제34항에 있어서, 지지체를 더 포함하고, 초전도성 얇은 막 쌍이 부착된 표면의 맞은편에 위치한 강유전성 막의 지지체의 표면에 근접한 동조식 초전도 연변 효과 커패시터.
  35. 제34항에 있어서, 그에 인가된 전압의 함수인 유전 특성을 갖는 강유전성 물질의 얇은 막이 초전도성 물질의 얇은 막 쌍 사이에 형성된 예정된 공간내로 뻗어 있는 부분을 갖는 동조식 초전도 연변 효과 커패시터.
  36. 초전도성 물질 얇은 막의 루우프, 루우프를 지지하는 절연 물질층으로 구성되는 동조식 안테나로서, 상기 층이 기저 평면을 제공하는 전도성 물질의 얇은 막에 의해 분리되어 있고, 초전도성 물질의 얇은 막이 루우프에 접속되어 있고, 강유전성 물질의 얇은 막이 초전도성 물질의 한 표면상에 근접하게 위치하고, 부가의 얇은 초전도체 막은 강유전성 물질의 얇은 막의 맞은편 표면에 위치하고 초전도성 물질의 얇은 막이 커패시터를 형성하고, 커패시터를 가로질러 전압을 인가하는 것이 그의 커패시턴스를 동조시키고 그로써 루우프 및 커패시터(141)에 의해 형성된 회로의 공진 주파수를 동조시키는 동조식 안테나.
  37. 제38항에 있어서, 루우프가 반-루우프인 동조식 안테나.
  38. 제39항에 있어서, 반-루우푸가 기저 부분 및 L-자형으로 배치된 두개의 레그 부분을 갖고 L-자형루우푸의 보다 긴 레그의 자유 단자가 커패시터에 접속된 동조식 안테나.
  39. 강유전성 물질의 얇은 막으로 구성된 동조식 전기 부품으로서, 강유전성 얇은 막의 유전 특성이 강유전성 얇은 막에 인가된 전압의 함수이고, 강유전성 얇은 막이 강유전성 얇은 막의 유전 특성에 따라 동조되는 회로에 접속되도록 변형되어 있고, 다수의 초전도성 물질의 얇은 막이 강유전성 얇은 막의 적어도 한 표면상에 부착되어 있고, 초전도성 얇은 막이 전압을 강유전성 얇은 막에 인가하여 그의 유전 특성을 결정하도록 변형되어 있는 동조식 전기 부품.
  40. 제41항에 있어서, 강유전성 얇은 막의 표면 상에 부착된 초전도성 물질의 다수의 얇은 막이 고온 초전도성 물질의 얇은 막인 동조식 전기 부품.
  41. 제41항에 있어서, 다수의 초전도성 물질의 얇은 막이 강유전성 얇은 막의 한 표면상에 서로 이격되어 위치된 동조식 전기 부품.
  42. 제41항에 있어서, 다수의 초전도성 물질 얇은 막중 적어도 하나가 강우전성 얇은 막의 반대 표면 각각에 부착된 동조식 전기 부품.
  43. 하기로 구성되는 동조식 전기 기구:종래의 전도성 물질로 제조된 제1전극;상기 물질에 인가된 전계에 따라 변하는 유전 상수를 갖고, 상기 제1 전극과 전기적으로 접촉하고 있는 유전성 물질의 얇은 막;전기적 신호를 상기 유전성 물질에 입력시키는 신호 입력 수단;및 전계를 상기 유전성 물질에 인가하여 상기 물질의 유전 상수를 결정하고 상기 전기적 신호를 동조시키기 위해 상기 제1전극을 전압 공급원에 접촉시키는 전기 접속 수단.
  44. 제43항에 있어서, 상기 유전성 물질이 바륨 스트론튬 티타네이트, 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 리튬 니오베이트, 납 스트론튬 티타네이트 및 납 티타네이트로 구성되는 군으로 부터 선택되는 물질로 구성되는 동조식 전기 기구.
  45. 제43항에 있어서, 상기 전극이 얇은 막으로 구성되는 동조식 전기 기구.
  46. 제45항에 있어서, 제2전극을 더 포함하는 동조식 전기 기구로서, 상기 전극 모두가 얇은 막으로 구성되고, 상기 유전성 물질의 얇은 막이 제1 및 제2의 대향면을 갖고, 상기 제1전극이 상기 제1대향면과 접촉하고, 상기 제2전극이 상기 제2대향면과 접촉하는 동조식 전기 기구.
  47. 제46항에 있어서, 상기 전기접속 수단에 의해 상기 전극에 전기 적으로 접속된 가변성 전압 공급원을 더 포함하는 동조식 전기 기구.
  48. 제43항에 있어서, 상기 유전성 물질이 강유전성 물질로 구성되는 동조식 전기 기구.
  49. 제43항에 있어서, 상기 유전성 물질이 바륨 스트론튬 티타네이트로 구성되는 동조식 전기 기구.
  50. 제49항에 있어서, 상기 바륨 스트톤튬 티타네이트가 BaxSr1-xTiO3(0.01≤X〈0.2)로 구성되는 동조식 전기기구.
  51. 제49항에 있어서, 상기 바튬 스트톤튬 티타네이트의 얇은 막을 약 50K-약 110K의 온도에 유지하는 온도 제어 수단을 더 포함하는 동조식 전기 기구.
  52. 제43항에 있어서, 상기 온도 제어 수단이 상기 유전성 물질의 얇은 막을 약 50K-110K의 온도에 유지하는 수단으로 구성되는 동조식 전기 기구.
  53. 제43항에 있어서, 상기 동조식 전기 기구가 코플래너 도파관 이상기로 구성되는 동조식 전기 기구.
  54. 제43항에 있어서, 상기 동조식 전기 기구가 동조식 연변 효과 커패시터로 구성되는 동조식 전기 기구.
  55. 제43항에 있어서, 상기 동조식 전기 기구가 전송선으로 구성되는 동조식 전기 기구.
  56. 제55항에 있어서, 상기 전송선이 분포 커패시턴스로 구성되고 상기 유전성 물질이 상기 분포 커패시턴스의 적어도 일부로 구성되는 동조식 전기 기구.
  57. 제55항에 있어서, 상기 전송선이 도파관으로 구성되고 상기 유전성 물질이 상기 도파관내 위치한 동조식 전기 기구.
  58. 하기로 구성되는 동조식 전기 기구: 일반식 BaxSr1-xTiO3(0.01≤X〈0.2)를 갖는 BST 물질로 구성되는 유전성 물질;전기적 신호를 상기 BST 물질에 입력시키는 신호 입력 수단;및 전계를 상기 BST 물질에 인가하여 상기 물질의 유전 상수를 결정하고 상기 전기적 신호를 동조시키는 전기적 바이어스 수단.
  59. 제58항에 있어서, 0.08≤X≤0.12인 동조식 전기 기구.
  60. 제59항에 있어서, X가 0.1인 동조식 전기 기구.
  61. 제58항에 있어서, 상기 BST를 50K-110K 온도에 유지하는 수단을 더 포함하는 동조식 전기 기구.
  62. 제58항에 있어서, 상기 전기 바이어스 수단이 전도성 물질의 얇은 막으로 구성되고 상기 유전성 물질이 상기 전도성 물질의 얇은 막과 접촉된 상기 BST 얇은 막으로 구성된 동조식 전기 기구.
  63. 제62항에 있어서, 상기 전도성 물질로 구성되는 동조식 전기 기구.
  64. 제62항에 있어서, 상기 전도성 물질의 얇은 막에 전기적으로 접속된 가변성 전압 공급원을 더 포함하는 동조식 전기 기구.
  65. 제58항에 있어서, 상기 동조식 전기 기구가 코플래너 도파관 이상기로 구성되는 동조식 전기 기구.
  66. 제58항에 있어서, 상기 동조식 전기 기구가 동조식 연변 효과 커패시터로 구성되는 동조식 전기 기구.
  67. 제58항에 있어서, 상기 동조식 전기 기구가 전송선으로 구성되는 동조식 전기 기구.
  68. 제67항에 있어서, 상기 전송선이 분포 커패시턴스로 구성되고 상기 BST물질이 상기 분포 커패시턴스의 적어도 일부로 구성되는 동조식 전기 기구.
  69. 제67항에 있어서, 상기 전송선이 도파관으로 구성되고 상기 BST 물질이 상기 도파관내 위치한 동조식 전기 기구.
  70. 하기로 구성되는 동조식 전기 기구: 유전성 물질; 상기 유전성 물질을 67K-110K 온도에 유지하는수단;전기적 신호를 상기 유전성 물질에 입력시키는 신호 입력수단;및 전계를 상기 유전성 물질에 인가하여 상기 물질의 유전 상수를 결정하고 상기 전기척 신호를 동조시키는 전기적 바이어스 수단.
  71. 제70항에 있어서, 상기 유지 수단이 상기 온도를 70K-90K에 유지하는 수단으로 구성되는 동조식 전기 기구.
  72. 제70항에 있어서, 상기 유전 물질이 BST로 구성되는 동조식 전기 기구.
  73. 제72항에 있어서, 상기 유전성 물질이 BaxSr1-xTiO3(0.01≤X〈0.2)로 구성되는 동조식 전기 기구.
  74. 제70항에 있어서, 상기 전기적 바이어스 수단이 제1 및 제2전도성 층으로 구성되고 상기 유전성 물질 이 상기 제1 및 제2전도성 층사이에 위치된 동조식 전기 기구.
  75. 제 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전도성 층을 가로질러 전기적으로 접속된 가변성 전압 공급원을 더 포함하는 동조식 전기 기구.
  76. 제 항에 있어서. 상기 동조식 전기 기구가 코플래너 도파관 이상기로 구성되는 동조식 전기 기구.
  77. 제 항에 있어서, 상기 동조식 전기 기구가 동조식 연변 효과 커패시터로 구성되는 동조식 전기 기구.
  78. 제 항에 있어서, 상기 전기 기구가 전송선으로 구성되는 동조식 전기 기구.
  79. 제 항에 있어서, 상기 전송선이 분포 커패시턴스로 구성되고 상기 BST가 상기 분포 커패시턴스의 적어도 일부로 구성되는 동조식 전기 기구.
  80. 제 항에 있어서, 상기 전송선이 도파관으로 구성되고 상기 BST가 상기 도파관 내 위치한 동조식 전기 기구.
  81. 하기로 구성되는 동조식 전기 기구: 종래의 전도성 물질인 제1 및 제2층;종래의 전도성 물질인 상기 제1 및 제2층 사이에 위치하고, 그에 인가된 전계에 따라 변하는 유전 상수를 갖는 유진성 물질의 얇은 막;전기적 신호를 상기 유전성 물질에 입력시키는 신호 입력 수단;및 전도성 물질인 상기 제1 및 제2층을 가로질로 전계를 인가하여 상기 유전성 물질의 유전 상수를 결정하고 상기 전기적 신호를 동조시키기 위해 종래의 전도체 물질인 상기 제1 및 제2층을 전압 공급원에 접속하는 수단.
  82. 제 항에 있어서, 종래의 전도성 물질인 상기 제1 및 제2층중 하나가 얇은 막인 동조식 전기 기구.
  83. 하기로 구성되는 동조식 전기 기구: 지지체;상기 지지체에 의해 운반되는 종래의 전도체 물질인 제1및 제2 얇은 막. 종래의 전도성 물질인 상기 제1 및 제2 얇은 막 사이의 유전성 물질의 얇은 막으로서, 그에 인가된 전기장에 따라 변하는 유전 상수를 갖는 유전성 물질의 얇은 막. 전기적 신호를 상기 유전성 물질에 입력시키는 신호 입력 수단;및 종래의 전도체 물질인 상기 제1 및 제2 얇은 막을 전압 공급원에 접속시키는 수단.
  84. 제83항에 있어서, 상기 제1 및 제2전도성 물질 얇은 막을 가로질러 전계를 인가하여 상기 유전성 물질의 유전 상수를 결정하고 상기 전기적 신호를 동조시키기 위해 상기 접속 수단에 접속된 가변성 전압 수단을 더 포함하는 동조식 전기 기구.
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