JP4953877B2 - コンデンサ及び高周波部品 - Google Patents
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Description
前記下部電極上に設けられた誘電体と、前記誘電体上に設けられた上部電極と、を備えたコンデンサであって、前記誘電体の上面は、前記上部電極に覆われた第一領域と、前記第一領域以外の第二領域とを備え、前記第一領域の表面粗さが、前記第二領域の表面粗さよりも大きいものである。
支持基板1は、Al2O3,SiO2/Si,MgO,LaAlO3,SrTiO3などが使用可能であり、十分な平坦度と表面粗さを保有していることが好ましい。下部電極層2の直下の層(基板)が絶縁性を有するものであれば特に、材料を限定するものではない。
この支持基板1上に、下部電極層2が形成されている。下部電極層2の導体材料としては、高Qのために、抵抗率の小さな金属を用いる場合、銅、アルミニウム、金、銀などが挙げられる。また、酸化物誘電体薄膜の耐還元性の観点からは、酸化物導電体であるIrO2/IrやSrRuO3などが挙げられる。いずれの材料を用いる際もその上に高誘電率薄膜である誘電体層3を形成する過程において、高温の熱履歴を伴うため、高誘電率薄膜である誘電体層3に拡散や反応して、リーク電流が増大するといった問題が発生しないように注意する必要がある。このため、高融点材料である、Ptを用いることが好ましい。膜厚は、周波数や高抵抗な材料において電極による損失が増大しないように考慮して設定する必要がある。これらは、スパッタ法、真空蒸着法などの気相合成法により作製して得られ、フォトリソ工程とドライエッチング工程により加工される。
誘電体層3の材料としては、高い誘電率を持つものが好ましく、しかも、外部の印加電圧により、その誘電率が大きく変化し得る誘電体材料、例えばBaTiO3、SrTiO3、(Ba,Sr)TiO3などのペロブスカイト型酸化物が挙げられる。特に、Bi,Sr,Tiを含有するペロブスカイト型結晶を用いた場合には、誘電率の高いものとすることができるので好ましい。これらは、ゾルゲル法等の溶液法やスパッタ法やレーザーアブレーション法などの気相合成法等薄膜作製手法により形成することができる。コンデンサでは、高誘電率の誘電材料を使用する必要があるため、高い結晶性の誘電体膜を成長させなければならない。このため高い成膜温度あるいは成膜後の高温アニールが必要となる。また、下地となる下部電極層2を平坦にすることでも、高い結晶性の誘電体膜を形成することができる。このためには、下部電極層2を成膜後に誘電体層3を形成するための高い温度で基板を一定時間保持することが有効である。また、誘電体層3の第一領域と第二領域との結晶性を変えるために、下部電極層2の第一領域のみにプラズマまたはイオン照射をして表面の平坦化を行なってもよい。誘電体層3をスパッタリング法などで形成する場合、膜組織は数十nm〜数百nm程度のサイズのグレインから構成される。このようなグレインは柱状もしくは塊状に成長しており、膜の表面は各グレインの凹凸により粗くなる。図2の第一領域にグレインが成長して表面が凹凸になった誘電体膜の表面を誇張して示す。高い結晶性の誘電体膜を成長させた場合、グレインが成長し、このような粗い表面を持った誘電体膜となる。誘電体層3は、例えば、下部電極層2の表面を覆うように形成され、その後、容量発生領域を除いたウエットエッチングまたはドライエッチングにより除去される。高誘電率薄膜(誘電体層3)の膜厚は、薄ければ薄いほど電界強度が大きくなるため、高い容量変化率が得られるという利点がある。一方で、膜厚が薄い場合、リーク電流が増大したり、実効比誘電率が低下するといった問題が発生するため、適宜膜厚を設定する必要がある。
上部電極層4は、電極の抵抗や密着性、耐還元性などを考慮し、Au、Cu、Ag、Ptなどの金属やIrO2やRuO2などの導電性酸化物が挙げられる。上部電極層4を含めた下部電極層2、誘電体層3を同一バッチで、大気に曝すことなく形成すれば、各界面における異物や油脂などの余分な付着を防ぐことができ、密着性が改善され、水分の侵入などを防止することができ、耐湿性を大幅に改善することができ、安定した特性を生み出すことが可能となる。
絶縁層5は上部電極層、誘電体層、下部電極層の構造を全て覆うように成膜され、上部電極層4と下部電極2との絶縁の確保およびそこに発生する寄生容量を小さくするために必要である。このため、特に、誘電体層3の第二領域上を覆うことが必要である。絶縁層5の材料としては、BCB(ベンゾシクロブテン)やポリイミドなどの有機材料やSiO2,Si3N4など無機材料で、絶縁性が高く寄生容量を小さくするために誘電体層3の材料よりも低誘電率であることが望ましい。これらの成膜方法は、立体的な複雑形状を持つ下地に対しても比較的均一な膜厚が得られるCVD法が好ましい。上部電極層4直上に開口部を形成するため、フォトレジストをマスクとしたドライエッチングを行う。また、下部電極層2をコンデンサ上面に露出させる開口部も同時に形成する。
次いで、引出し電極層6を形成する。引出し電極層6は、上部電極層4と一方の端子を接続し、上部電極を端子に引き出すものである。材料としては、Au,Cuなどの低抵抗な金属を用いることが望ましい。絶縁層5との密着性を考慮して、Ti、Niなどの密着層を使用することは、上部電極層4の抵抗を大きく増大させない範囲内で差し支えない。
次に、保護層7を形成する。保護層7は、下部電極層2の端子と上部電極層4の端子とを形成するために、一部を露出するように形成される。保護層7は、素子を外部から機械的に保護するほか、湿度や酸素との化学反応による素子材料の劣化や、ゴミなどの異物の付着による汚染、実装時の破損による劣化、薬品等による汚染、酸化等を防止から保護する。材料としては、耐熱性が高く、段差に対する被覆性に優れたものが良く、振動を不要に励振することがないように考慮する必要がある。具体的には、ポリイミドやBCB樹脂など有機系の熱硬化材料もしくは光硬化材料が用いることができる。
半田拡散防止層8は、半田端子9を形成する際のリフローや実装の際に、半田の電極への拡散を防止するために形成する。材料としては、Niが好適である。また、半田拡散防止層8の表面には、半田濡れ性を向上させるために、半田濡れ性の高いAu,Cuなどを0.1μm程度形成する場合もある。最後に、半田端子9を形成する。これは、実装を容易にするために形成する。半田ペーストを印刷後、リフローを行い形成する。
下部電極層2、誘電体層3および上部電極層4のパターン形成は、フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィの手法により形成したフォトレジスト層を所定の形状にパターニング加工した後、ECR装置等によりドライエッチング加工して行なう。その場合、ECRエッチングにおけるエッチング条件、特にArガス流量およびエッチングガス圧、Arイオンの加速電圧を制御することにより、下部電極層2,誘電体層3、上部電極層4の側面の形状および各層の上面の結晶性を制御することができる。例えば、上部電極層4のパターン形成と誘電体層3のパターン形成との工程との間に、上部電極層4のパターン形成を行なったときのフォトレジスト層を用いて、誘電体層3の露出部にArイオンを照射して表面状態を改質する工程を加えればよい。
2・・・下部電極層
3・・・誘電体層
4・・・上部電極層
5・・・絶縁層
6・・・引出し電極層
7・・・保護層
8・・・半田拡散防止層
9・・・半田端子
Claims (8)
- 支持基板と、
前記支持基板上に設けられた下部電極と、
前記下部電極上に設けられた誘電体と、
前記誘電体上に設けられた上部電極と、を備えたコンデンサであって、
前記誘電体の上面は、
前記上部電極に覆われた第一領域と、前記第一領域以外の第二領域とを備え、
前記第一領域の結晶性は、前記第二領域に比べて高く、
前記第一領域の表面粗さが、前記第二領域の表面粗さよりも大きいコンデンサ。 - 前記誘電体は、Ba,Sr,Tiを含有するペロブスカイト型酸化物結晶である、請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記誘電体は、厚み方向において1つの柱状の結晶粒でなる、請求項2に記載のコンデンサ。
- 前記誘電体は、
前記第二領域における厚さが、前記第一領域における厚さに比べて薄くなっている段差部を有する請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のコンデンサ。 - 前記第二領域は、前記第一領域の周囲を囲むように設けられている請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のコンデンサ。
- 前記誘電体は、
前記第二領域が、前記第一領域に比べてArを多く含有している請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のコンデンサ。 - 前記誘電体の前記第二領域上に、前記誘電体よりも低い誘電率を有する絶縁体がさらに備えられている請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のコンデンサ。
- 配線導体が形成された配線基板と、
前記配線導体に、前記上部電極及び前記下部電極が接続された請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のコンデンサと、を含む高周波部品。
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