WO2003060974A1 - Element de protection pour plaquette semi-conductrice et procede de meulage d'une plaquette semi-conductrice - Google Patents

Element de protection pour plaquette semi-conductrice et procede de meulage d'une plaquette semi-conductrice Download PDF

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WO2003060974A1
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semiconductor
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Koichi Yajima
Yusuke Kimura
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Disco Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a protective member adhered for surface protection when grinding a semiconductor X-8 and a method for grinding a semiconductor wafer using the protective member.
  • a semiconductor wafer W1 in which a plurality of circuits such as ICs and LSIs are partitioned by the street S is formed, and the back surface thereof is ground and added to a predetermined thickness. Is cut into individual semiconductor chips C for each circuit.
  • a cutting groove 60 corresponding to the thickness of the final semiconductor chip is previously formed on the street S of the semiconductor wafer W2, and the rear cutting groove 60 is formed by grinding the back surface.
  • the semiconductor chip C can be similarly formed for each circuit by a technique called pre-dicing in which the semiconductor chip C is exposed and divided into individual semiconductor chips C.
  • the protection for circuit protection having the same outer diameter as the semiconductor wafer W 1 (W 2) is required.
  • a tape T is attached to the surface, and the tape is sucked on the chuck table 70 with the protective tape T facing down. Then, the grinding wheel 73 descends while rotating and comes into contact with the back surface of the semiconductor wafer W 1 (W 2), whereby the back surface is ground to a desired thickness.
  • the chuck table 70 in FIG. 6 includes a suction area 71 communicating with a suction source and sucking the semiconductor wafer W 1 (W 2), and a frame 72 surrounding and supporting the suction area 71.
  • the outer diameter of the suction area 71 is made smaller than the outer diameter of the semiconductor wafer W 1 (W 2) to prevent air leakage, thereby firmly fixing the semiconductor wafer W 1 (W 2), Prevents grinding chips from entering.
  • the semiconductor W: (W 2) has a larger outer diameter than the suction region 71, and the outer peripheral portion protruding outside from the suction region 71 does not act on the outer peripheral portion. Not firmly fixed. Therefore, when the grinding is performed in that state, there is a problem that the outer peripheral portion flaps and is damaged, which causes a grinding defect such as a crack, a chip, or a crack.
  • the present invention provides a semiconductor device having a suction area of a chuck table composed of a suction area for sucking a semiconductor wafer and a frame surrounding the suction area, the semiconductor having a smaller outer diameter than the suction area.
  • a semiconductor wafer protecting member for holding a wafer by suction wherein the semiconductor wafer has an outer diameter larger than the outer diameter of the semiconductor wafer and larger than the outer diameter of the suction region.
  • the semiconductor wafer protection member is provided in a suction region constituting a chuck table. Is formed to be 0.5 mm or more larger than the outer diameter of the semiconductor wafer to be suction-held in the suction area.
  • the outer diameter of the semiconductor wafer protection member is 0.5 mm or more to the outer diameter of the suction area.
  • the adhesive layer is a UV-curable adhesive layer whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays, and the synthetic resin is polyethylene terephthalate Is an additional requirement.
  • the present invention comprises at least a chuck table having a suction area for holding the workpiece and a frame surrounding the suction area, and a grinding means for grinding the workpiece held on the chuck table.
  • a method for grinding a semiconductor wafer using a grinding device wherein the outer diameter of the suction area is formed to be larger than the outer diameter of the semiconductor wafer, and the outer diameter of the suction area is larger than the outer diameter of the semiconductor wafer.
  • a protective member with a larger outer diameter is attached to the semiconductor X-C, and the entire surface of the semiconductor wafer is held and held in the suction area of the chuck table via the semiconductor X-C protective member.
  • Provided is a method for grinding a semiconductor that has been subjected to grinding by using a grinding means on an exposed surface of the semiconductor wafer.
  • the outer diameter of the suction area is formed to be 0.5 mm or more larger than the outer diameter of the semiconductor wafer sucked and held in the suction area.
  • the semiconductor wafer protection member is formed of a synthetic resin having an adhesive layer on its surface, and the adhesive layer has an adhesive force by irradiation with ultraviolet rays.
  • An additional requirement is that the UV curable adhesive layer be reduced and that the synthetic resin be polyethylene terephthalate.
  • the semiconductor wafer is fixed to the entire surface because the semiconductor wafer is smaller than the suction area of the chuck table.
  • the protection member attached to the semiconductor device is configured to be larger than the suction area of the chuck table, air is generated in the suction area.
  • the semiconductor ⁇ : c-ha is firmly fixed at the outer periphery. Therefore, by performing the grinding in this state, the outer peripheral portion of the semiconductor device 18 does not rattle and cracks, chips, cracks, and the like do not occur.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an example of a grinding device used for carrying out the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a state where the protection member according to the present invention is adhered to a semiconductor wafer and a check table.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing how the semiconductor wafer is ground.
  • FIG. 4 is a perspective view showing a semiconductor wafer.
  • FIG. 5 is a perspective view showing a semiconductor wafer having a cutting groove formed on a surface thereof.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing how a semiconductor wafer is ground by a conventional method.
  • the grinding device 10 includes cassettes 11 and 12 for accommodating the semiconductor wafers W, and carrying-in / out means for carrying out the semiconductor wafers W from the cassette 11 or carrying the semiconductor wafers W into the cassettes 12. 13; positioning means 14 for positioning the semiconductor wafer W; first transport means 15 and second transport means 16 for transporting the semiconductor wafer; Three chuck tables 17 to 19 for holding the wafer W by suction, a turntable 20 for rotating the chuck table so as to be rotatable, and a grinding means for grinding the semiconductor wafer W held on each chuck table 30 and 40 and cleaning means 50 for cleaning the semiconductor wafer after grinding.
  • the semiconductor wafer I-W contained in the cassette 11 is It is carried out by the carrying-in / out means 13 and conveyed to the positioning means 14, where it is aligned, and then conveyed to the chuck table 17 by the first carrying means 15 for mounting.
  • the chuck tables 17, 18, and 19 are rotatable and move with the rotation of the turntable 20, and the chuck table 17 that sucks and holds the semiconductor wafer W is specified. Angle (120 degrees in the example shown) By rotating to the left, it is positioned directly below the first grinding means 30.
  • the first grinding means 30 is guided by a pair of guide rails 32 vertically arranged on the wall 31 and supported by a support 34 moved vertically by driving of a driving source 33. It is configured to move up and down with the up and down movement of the support portion 34.
  • a grinding wheel 37 is mounted via a mounter 36 on the tip of a spindle 35 rotatably supported, and a lower part of the grinding wheel 37 is used for rough grinding. Grinding wheels 38 are fixed in an annular shape.
  • the chuck tables 17, 18, and 19 have a suction area 1 made of porous ceramics and the like that allows air to flow vertically, and a frame 2 that supports the suction area 1 from the outer peripheral side.
  • a suction source (not shown) is connected below the suction area 1, and the semiconductor wafer W can be suction-held by a suction force supplied from the suction source.
  • the chuck tables 18 and 19 are similarly configured.
  • a semiconductor wafer protection member 3 is attached to the surface of the semiconductor wafer W for circuit protection.
  • the semiconductor substrate protection member 3 besides an ordinary adhesive tape having an adhesive layer, a synthetic resin having an adhesive layer on the surface can also be used.
  • a UV-curable adhesive layer whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet light can be used.
  • the semiconductor wafer ⁇ can be easily separated from the wafer W by irradiating ultraviolet light later. It can be carried out.
  • the semiconductor protection member 3 for example, polyethylene terephthalate
  • PET polyethylene terephthalate
  • the outer diameter D 1 of the semiconductor wafer A is smaller than the outer diameter D 2 of the suction area 1 of the chuck table 17.
  • D2 is formed 0.5 mm or more larger than D1.
  • the semiconductor ⁇ : n-c protective member 3 has an outer diameter D 3 larger than the outer diameter D 1 of the semiconductor ⁇ aW W and the suction area 1 of the chuck tables 17, 18, 19. Is formed to be larger than the outer diameter D2.
  • D1 is formed 0.5 mm or more larger than D2. Therefore, a relationship of D 1 ⁇ D 2 ⁇ D 3 is established.
  • the entire semiconductor wafer W is suction-held in the suction area 1 via the semiconductor wafer protection member 3. .
  • the first grinding means 30 is ground and fed downward with the rotation of the spindle 35, and the rotating grinding wheel 38 comes into contact with the back surface (exposed surface).
  • the back surface of the semiconductor wafer W held by the chuck table 17 and positioned immediately below the first grinding means 30 is roughly ground.
  • the semiconductor wafer protection member 3 covers the entire surface of the suction area 1, air leakage is prevented, and the semiconductor wafer W: i: wafer W is held by a strong suction force. Since the entire surface of the semiconductor wafer W is suction-held in the suction region 1, the outer peripheral portion does not flutter and thus does not crack, chip, or crack. Therefore, the quality of the semiconductor wafer is improved.
  • the turntable 28 is rotated counterclockwise by the same amount, so that the coarsely-ground semiconductor ⁇ : ⁇ -c W is applied to the second grinding means 40. It is positioned directly below.
  • the second grinding means 40 is composed of a pair of guide rails vertically arranged on the wall 31.
  • the guide unit 41 is supported by a support unit 43 that moves up and down by driving a drive source 42, and moves up and down with the up and down movement of the support unit 43.
  • a grinding wheel 46 is mounted on a tip of a rotatably supported spindle 44 via a mounter 45, and a lower portion of the grinding wheel 46 is used for finishing grinding.
  • the grinding wheel 47 is fixed in an annular shape, and is different from the first grinding means 30 only in the type of grinding wheel.
  • the second grinding means 40 On the back surface of the semiconductor wafer W positioned directly below the second grinding means 40, the second grinding means 40 is ground and fed down with the rotation of the spindle 44 as in FIG. 3, and rotates. Finish grinding is performed when the grinding wheel 47 contacts the back surface.
  • the semiconductor wafer W is suction-held by the chuck table 17 in the same state as during rough grinding, so that the semiconductor wafer protection member 3 covers the entire surface of the suction area 1.
  • the semiconductor wafer A is held by a strong suction force, and the entire surface of the semiconductor wafer W is sucked and held in the suction area 1, so that the outer peripheral portion flaps.
  • there is no effect on the semiconductor wafer W and no cracks, chips, cracks, etc. occur.
  • the semiconductor wafer W whose back surface has been finished and ground is transported to the cleaning means 50 by the second transport means 16, where the grinding debris is removed by the cleaning, and then the cassette 1 is transported by the transport means 13. 2 housed.
  • the semiconductor wafer having a desired thickness after being subjected to the rough grinding and the finish grinding does not have cracks, chips, cracks, etc. in the outer peripheral portion, and therefore has a high quality semiconductor. Become c.
  • the semiconductor wafer protection member is adhered to the front surface of the semiconductor wafer and the back surface is ground has been described, but the base semiconductor wafer is formed.
  • a semiconductor wafer protection member may be attached to the back surface to grind the surface.
  • the present invention is also useful for dividing a semiconductor wafer into individual semiconductor chips by a so-called pre-dicing technique.
  • the semiconductor wafer is formed from the outer peripheral portion of the semiconductor wafer 18.
  • the quality can be improved by preventing the individual semiconductor chips from being cracked.
  • the semiconductor protection device As described above, according to the semiconductor protection device according to the present invention, according to the n-c protection member and the method for grinding the semiconductor device using the same, since the semiconductor device is smaller than the suction area of the chuck table, the entire surface thereof is fixed.
  • the protection member attached to the semiconductor ⁇ : n ⁇ 8 is configured to be larger than the suction area of the chuck table, so that air is prevented from leaking in the suction area and the semiconductor wafer has only a peripheral portion. Is fixed. Therefore, by performing grinding in this state, even if the outer periphery of the semiconductor wafer L-has fluttered, the semiconductor wafer is not affected, and cracks, chips, cracks, etc. do not occur. The quality of semiconductor wafers is improved.

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Description

明 細 書 半導体ゥエーハ保護部材及び半導体ゥ： n—八の研削方法 技術分野
本発明は、 半導体ゥ X—八の研削の際に面保護のために貼着される保護部材及 びその保護部材を用いた半導体ゥエーハの研削方法に関する。 背景技術
第 4図に示すように、 I C、 L S I等の回路がストリート Sによって区画され て複数形成された半導体ゥヱーハ W 1は、 その裏面が研削されて所定の厚さに加 ェされた後に、 ストリート Sを縦横に切削することにより回路ごとに個々の半導 体チップ Cに分割される。
また、 第 5図に示すように、 半導体ゥエーハ W 2のストリート Sに予め最終的 な半導体チップの厚さに相当する切削溝 6 0を形成し、 裏面を研削することによ リ切削溝 6 0を露出させて個々の半導体チップ Cに分割する先ダイシングと称さ れる技術によっても、同様に回路ごとに半導体チップ Cを形成することができる。 上記いずれの場合も、 半導体ゥェ一ハの裏面を研削する際には、 第 6図に示す ように、 半導体ゥェ一ハ W 1 (W 2 ) と同じ外径を有する回路保護用の保護テー プ Tを表面に貼着し、 その保護テープ Tを下にしてチャックテーブル 7 0におい て吸着する。 そして、 研削砥石 7 3が回転しながら下降して半導体ゥエーハ W 1 (W 2 )の裏面に接触することにより当該裏面が研削され、所望の厚さに形成され る。
特に近年は、 携帯電話機、 ノートブック型パーソナルコンピュータ等の各種電 子機器の小型化、 薄型化の要求に応えるために、 半導体ゥヱ一八の厚さも 1 0 0 m以下、 更には 5 0 i m以下と薄く形成することが求められている。 第 6図におけるチャックテーブル 7 0は、 吸引源と連通し半導体ゥヱーハ W 1 (W 2 )を吸引する吸引領域 7 1 と、吸引領域 7 1を囲繞して支持する枠体 7 2と から構成されており、 吸引領域 7 1の外径を半導体ゥエーハ W 1 (W 2 ) の外径 より小さく形成してエアーのリークを防止することにより半導体ゥェーハ W 1 (W 2 ) を強固に固定すると共に、 研削屑の侵入を防止している。
しかしながら、 半導体ゥ:]：ーハ W 1 (W 2 ) の方が吸引領域 7 1より外径が大 きく、 吸引領域 7 1から外側にはみ出した外周部分ついては吸引力が作用しない ため、 外周部分はしつかりと固定されていない。 従って、 その状態で研削を行う ことにより当該外周部分がばたついて傷がつき、これが原因となって割れ、欠け、 クラック等の研削不良が生じるという問題がある。
特に、 厚さが 1 0 0 m以下のような薄い半導体ゥ： c一八の場合にはその後の 保護テープの剥離等の際にも割れ等が生じやすい。 この問題は、 保護テープ Tを 剛性の高いポリエチレンテレフタレート （P E T ) 等で形成しても解決すること ができない。
また、 いわゆる先ダイシングの場合も同様に、 外周部分の半導体チップがばた ついて上記と同様の問題が生じるという問題がある。
このように、 半導体ゥ: Lーハを研削する場合においては、 外周部分に割れ、 欠 け、 クラック等が生じるのを防止することに課題を有している。 発明の開示
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、 半導体ゥエーハを吸引 する吸引領域と吸引領域を囲繞する枠体とから構成されるチャックテーブルの吸 引領域に吸引領域より外径が小さい半導体ゥエーハを吸引保持するための半導体 ゥエーハ保護部材であって、 外径が、 半導体ゥェーハの外径より大きく、 かつ、 吸引領域の外径より大きく形成される半導体ゥエーハ保護部材を提供する。
そしてこの半導体ゥヱーハ保護部材は、 チャックテーブルを構成する吸引領域 の外径が、 吸引領域において吸引保持される半導体ゥエーハの外径より 0 . 5 m m以上大きく形成されており、 半導体ゥエーハ保護部材の外径は、 吸引領域の外 径ょリ 0 . 5 mm以上大きく形成されること、 表面に粘着層を有する合成樹脂で 形成されること、 粘着層は、 紫外線の照射により粘着力が低下する U V硬化型粘 着層であること、 合成樹脂はポリエチレンテレフタレートであることを付加的な 要件とする。
また本発明は、 被加工物を保持する吸引領域と吸引領域を囲繞する枠体とを蓆 えたチャックテーブルと、 チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研 削手段とから少なくとも構成される研削装置を用いて半導体ゥェーハを研削する 半導体ゥエーハの研削方法であって、 吸引領域の外径は半導体ゥエーハの外径よ リ大きく形成され、 半導体ゥエーハの外径よリ大きくかつ吸引領域の外径よリ大 きな外径の半導体ゥ —八保護部材を半導体ゥ X—ハに貼着し、 半導体ゥ X—ハ 保護部材を介してチャックテーブルの吸引領域において半導体ゥエーハの全面を 保持し、 保持された半導体ゥエーハの露出面を研削手段を用いて研削する半導体 ゥ: L一八の研削方法を提供する。
そしてこの半導体ゥエーハの研削方法は、 吸引領域の外径が、 吸引領域におい て吸引保持される半導体ゥェーハの外径より 0 . 5 m m以上大きく形成されてお リ、 半導体ゥエーハ保護部材の外径は、 吸引領域の外径より 0 . 5 mm以上大き く形成されること、 半導体ゥエーハ保護部材は、 表面に粘着層を有する合成樹脂 で形成されること、 粘着層は、 紫外線の照射により粘着力が低下する U V硬化型 粘着層であること、 合成樹脂はポリエチレンテレフタレ一トであることを付加的 な要件とする。
上記のように構成される半導体ゥ: Lーハ保護部材及びこれを用いた半導体ゥ工 一八の研削方法によれば、 半導体ゥエーハはチャックテーブルの吸引領域よリ小 さいためにその全面を固定される一方、 半導体ゥエー八に貼着された保護部材は チャックテーブルの吸引領域より大きく構成されるため、 吸引領域においてエア 一のリークが防止されると共に、 半導体ゥ: cーハは外周部分もしつかりと固定さ れる。 従って、 この状態で研削を行うことにより、 半導体ゥヱ一八の外周部分が ばたついて割れ、 欠け、 クラック等が生じたりすることがない。 図面の簡単な説明
第 1図は、 本発明の実施に用いる研削装置の一例を示す斜視図である。
第 2図は、 本発明に係る保護部材を半導体ゥエーハに貼着した状態及びチヤッ クテーブルを示す斜視図である。
第 3図は、 同半導体ゥエーハを研削する様子を示す略示的断面図である。
第 4図は、 半導体ゥエーハを示す斜視図である。
第 5図は、 表面に切削溝が形成された半導体ゥエーハを示す斜視図である。 第 6図は、 従来の方法によリ半導体ゥエーハを研削する様子を示す略示的断面 図である。 発明を実施するための最良の形態
本発明の実施の形態の一例として、 第 1図に示す研削装置 1 0を用いて半導体 ゥエーハの裏面を研削する場合について説明する。
研削装置 1 0は、 半導体ゥエーハ Wを収容するカセット 1 1、 1 2と、 カセッ ト 1 1からの半導体ゥ Iーハ Wの搬出またはカセット 1 2への半導体ゥヱーハ W の搬入を行う搬出入手段 1 3と、 半導体ゥェ一ハ Wの位置合わせを行う位置合わ せ手段 1 4と、 半導体ゥエーハを搬送する第一の搬送手段 1 5及び第二の搬送手 段 1 6と、 半導体ゥ： rーハ Wを吸引保持する 3つのチャックテーブル 1 7〜1 9 と、 チャックテーブルを回転可能に支持して回転するターンテーブル 2 0と、 各 チャックテーブルに保持された半導体ゥエーハ Wを研削する研削手段 3 0、 4 0 と、 研削後の半導体ゥ; cーハを洗浄する洗浄手段 5 0とを備えている。
この研削装置 1 0においては、 カセッ卜 1 1に収容された半導体ゥ Iーハ Wが 搬出入手段 1 3によって搬出されて位置合わせ手段 1 4に搬送され、 ここで位置 合わせがされた後、 第一の搬送手段 1 5によってチャックテーブル 1 7に搬送さ れ載置される。
チャックテーブル 1 7、 1 8、 1 9はそれぞれが回転可能であると共にターン テーブル 2 0の回転に伴って移動する構成となっており、 半導体ゥエーハ Wを吸 引保持したチャックテーブル 1 7については所定角度 （図示の例では 1 2 0度） 左方向に回転することによリ第一の研削手段 3 0の直下に位置付けられる。
第一の研削手段 3 0は、 壁部 3 1に垂直方向に配設された一対のガイドレール 3 2にガイ ドされて駆動源 3 3の駆動により上下動する支持部 3 4に支持され、 支持部 3 4の上下動に伴って上下動する構成となっている。 この第一の研削手段 3 0においては、 回転可能に支持されたスピンドル 3 5の先端にマウンタ 3 6を 介して研削ホイール 3 7が装着されており、 研削ホイール 3 7の下部には粗研削 用の研削砥石 3 8が円環状に固着されている。
第 2図に示すように、 チャックテーブル 1 7、 1 8、 1 9は、 上下方向にエア 一を通すポーラスセラミックス等からなる吸引領域 1 と、 吸引領域 1を外周側か ら支持する枠体 2とから構成され、 吸引領域 1の下方には吸引源 （図示せず） が 連結され、 吸引源から供給される吸引力によって半導体ゥエーハ Wを吸引保持す ることができる。 チャックテーブル 1 8、 1 9も同様に構成される。
第 2図に示すように、 半導体ゥエーハ Wの表面には、 回路保護のために半導体 ゥヱーハ保護部材 3が貼着される。 半導体ゥ Iーハ保護部材 3としては、 通常の 粘着層を有する粘着テープのほか、 表面に粘着層を有する合成樹脂を用いること もできる。
また、 粘着層としては、 紫外線の照射により粘着力が低下する U V硬化型粘着 層を用いることもでき、 この場合は、 後に紫外線を照射することによって、 半導 体ゥエーハ Wからの剥離を容易に行うことができる。
更に、 半導体ゥヱ一ハ保護部材 3として、 例えばポリエチレンテレフタレート ( P E T )等のある程度剛性を有する部材を用いた場合には、研削装置 1 0やその 後の工程における搬送が容易となる。
半導体ゥエーハ Wの外径 D 1はチャックテーブル 1 7の吸引領域 1の外径 D 2 より小さい。 例えば、 D 2は D 1より 0 . 5 mm以上大きく形成される。
一方、 半導体ゥ： n—ハ保護部材 3は、 その外径 D 3が半導体ゥエーハ Wの外径 D 1より大きく形成されていると共に、 チャックテーブル 1 7、 1 8、 1 9の吸 引領域 1の外径 D 2よりも大きく形成されている。 例えば、 D 1は D 2より 0 . 5 mm以上大きく形成される。 従って、 D 1 < D 2 < D 3の関係となっている。 表面に半導体ゥエーハ保護部材 3が貼着された半導体ゥエーハ Wをチャックテ 一ブル 1 7の吸引領域 1において吸引保持すると、 第 3図に示すように、 半導体 ゥエーハ保護部材 3は吸引領域 1の外側にはみ出すが、 半導体ゥエーハ Wの外径 D 1はチャックテーブル吸引領域の外径 D 2より小さいため、 半導体ゥェ一ハ W の全体が半導体ゥエーハ保護部材 3を介して吸引領域 1において吸引保持される。 そして、 第 3図に示すように、 第一の研削手段 3 0がスピンドル 3 5の回転を 伴って下方に研削送りされ回転する研削砥石 3 8が裏面 （露出面） に接触するこ とにより、 チャックテーブル 1 7に保持され第一の研削手段 3 0の直下に位置付 けられた半導体ゥヱーハ Wの裏面が粗研削される。
チャックテーブル 1 7においては、 半導体ゥエーハ保護部材 3が吸引領域 1の 全面を覆っていることによりエアーのリークが防止されて強固な吸引力によって 半導体ゥ: i:ーハ Wが保持されると共に、 半導体ゥエーハ Wの全面が吸引領域 1に おいて吸引保持されるため、 外周部分がばたついて割れ、 欠け、 クラック等が生 じたりすることがない。 従って、 半導体ゥエーハの品質が高くなる。
第 1図を参照して説明を続けると、 次に、 ターンテーブル 2 8が左回りに同じ だけ回転することにより、 粗研削された半導体ゥ： π—ハ Wが第二の研削手段 4 0 の直下に位置付けられる。
第二の研削手段 4 0は、 壁部 3 1に垂直方向に配設された一対のガイドレール 4 1にガイ ドされて駆動源 4 2の駆動により上下動する支持部 4 3に支持され、 支持部 4 3の上下動に伴って上下動する構成となっている。 この第二の研削手段 4 0においては、 回転可能に支持されたスピンドル 4 4の先端にマウンタ 4 5を 介して研削ホイール 4 6が装着されており、 研削ホイール 4 6の下部には仕上げ 研削用の研削砥石 4 7が円環状に固着されており、 第一の研削手段 3 0とは、 研 削砥石の種類のみが異なる構成となっている。
第二の研削手段 4 0の直下に位置付けられた半導体ゥエーハ Wの裏面は、 第 3 図と同様に第二の研削手段 4 0がスピンドル 4 4の回転を伴って下方に研削送り され、 回転する研削砥石 4 7が裏面に接触することにより仕上げ研削される。 仕上げ研削時も、 粗研削時と同様の状態で半導体ゥェ一ハ Wがチャックテープ ル 1 7に吸引保持されているため、 半導体ゥエーハ保護部材 3が吸引領域 1の全 面を覆っていることによリエアーのリークが防止されて強固な吸引力によって半 導体ゥエーハ Wが保持されると共に、 半導体ゥエーハ Wの全面が吸引領域 1にお いて吸引保持されるため、 たとえ外周部分がばたついたとしても半導体ゥェ一ハ Wには影響がなく、 割れ、 欠け、 クラック等が生じたりすることがない。
こうして裏面が仕上げ研削された半導体ゥヱーハ Wは、 第二の搬送手段 1 6に よって洗浄手段 5 0に搬送され、 ここで洗浄により研削屑が除去された後に、 搬 出入手段 1 3によってカセッ卜 1 2に収容される。
このようにして粗研削、 仕上げ研削が行われて所望の厚さとなった半導体ゥェ ーハは、 外周部分に割れ、 欠け、 クラック等が生じていないため、 品質の良い半 導体ゥ: E—ハとなる。
なお、 本実施の形態においては、 粗研削、 仕上げ研削の 2段階に分けて研削を 行う場合を例に挙げて説明したが、 2段階でない研削にも本発明を適用できるの はもちろんである。
また、 本実施の形態では、 半導体ゥエーハの表面に半導体ゥエーハ保護部材を 貼着して裏面を研削する場合について説明したが、 素地の半導体ゥエーハを形成 する場合等においては、 裏面に半導体ゥエーハ保護部材を貼着して表面を研削す ることもできる。
更に、 いわゆる先ダイシングの技術により半導体ゥ： Lーハを個々の半導体チッ プに分割する場合にも本発明を用いることは有用であり、 この場合は半導体ゥェ 一八の外周部分から形成される個々の半導体チップの割れ等を防止して品質を向 上させることができる。 産業上の利用可能性
以上説明したように、 本発明に係る半導体ゥ; n—ハ保護部材及びそれを用いた 半導体ゥエー八の研削方法によれば、 半導体ゥエーハはチャックテーブルの吸引 領域より小さいためにその全面を固定される一方、 半導体ゥ: n—八に貼着された 保護部材はチャックテーブルの吸引領域より大きく構成されるため、 吸引領域に おいてエアーのリークが防止されると共に、 半導体ゥエーハは外周部分もしつか りと固定される。 従って、 この状態で研削を行うことにより、 半導体ゥ: L—ハの 外周部分がばたついたとしても半導体ゥエーハには影響がなく、 割れ、 欠け、 ク ラック等が生じたりすることがないため、 半導体ゥエーハの品質が向上する。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 半導体ゥ: L—ハを吸引する吸引領域と該吸引領域を囲繞する枠体とから構成 されるチャックテーブルの該吸引領域に該吸引領域より外径が小さい半導体ゥェ ーハを吸引保持するための半導体ゥ： i:ーハ保護部材であって、
外径が、 該半導体ゥエーハの外径より大きく、 かつ、 該吸引領域の外径よリ大 きく形成される半導体ゥ X—ハ保護部材。
2 . チャックテーブルを構成する吸引領域の外径が、 該吸引領域において吸引保 持される半導体ゥエーハの外径より 0 . 5 mm以上大きく形成されており、 半導体ゥエーハ保護部材の外径は、 該吸引領域の外径より 0 . 5 mm以上大き く形成される請求の範囲第 1項に記載の半導体ゥエーハ保護部材。
3 . 表面に粘着層を有する合成樹脂で形成される請求の範囲第 1項に記載の半導 体ゥ: Lーハ保護部材。
4 . 粘着層は、 紫外線の照射により粘着力が低下する U V硬化型粘着層である請 求の範囲第 3項に記載の半導体ゥ X—ハ保護部材。
5 . 合成樹脂はポリエチレン亍レフタレートである請求の範囲第 3項または第 4 項に記載の半導体ゥ： n—ハ保護部材。
6 . 被加工物を保持する吸引領域と該吸引領域を囲繞する枠体とを備えたチヤッ クテーブルと、 該チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削手段と から少なくとも構成される研削装置を用いて半導体ゥ X—ハを研削する半導体ゥ エーハの研削方法であって、 該吸引領域の外径は半導体ゥ X—ハの外径よリ大きく形成され、 該半導体ゥェ 一八の外径より大きくかつ該吸引領域の外径より大きな外径の半導体ゥエーハ保 護部材を該半導体ゥエーハに貼着し、 該半導体ゥエーハ保護部材を介して該チヤ ックテーブルの該吸引領域において該半導体ゥエーハの全面を保持し、
該保持された半導体ゥエーハの露出面を研削手段を用いて研削する半導体ゥェ ーハの研削方法。
7 . 吸引領域の外径が、 該吸引領域において吸引保持される半導体ゥ; L一八の外 径ょリ 0 . 5 mm以上大きく形成されており、
半導体ゥエーハ保護部材の外径は、 該吸引領域の外径より 0 . 5 mm以上大き く形成される請求の範囲第 6項に記載の半導体ゥエーハの研削方法。
8 . 半導体ゥ: Lーハ保護部材は、 表面に粘着層を有する合成樹脂で形成される請 求の範囲第 6項に記載の半導体ゥエーハの研削方法。
9 . 粘着層は、 紫外線の照射により粘着力が低下する U V硬化型粘着層である請 求の範囲第 8項に記載の半導体ゥ: n—ハの研削方法。
1 0 . 合成樹脂はポリエチレンテレフタレートである請求の範囲第 8項または第 9項に記載の半導体ゥ X—ハ保護部材。
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