WO2002091405A1

WO2002091405A1 - High-frequency module device

Info

Publication number: WO2002091405A1
Application number: PCT/JP2002/004409
Authority: WO
Inventors: Takahiko Kosemura; Akihiko Okubora; Takayuki Hirabayashi; Tatsuya Ogino; Kuniyuki Hayashi
Original assignee: Sony Corporation
Priority date: 2001-05-07
Filing date: 2002-05-02
Publication date: 2002-11-14
Also published as: KR100862544B1; US6800936B2; EP1387369A1; JP2002334806A; KR20030041951A; JP3666411B2; US20030148739A1; EP1387369A4

Description

明細書高周波モジュール装置技術分野本発明は、例えばパーソナルコンピュータ、携帯電話機、オーディオ機器等の各種電子機器に搭載され、情報通信機能ゃストレージ機能等を有して超小型通信機能モジュールを構成する高周波モジュール装置に関する。背景技術例えば、音楽、音声或いは画像等の各種情報は、デ一夕のデジタル化に伴ってパーソナルコンピュータゃモバイルコンピュータ等によっても手軽に扱えるようになっている。これらの情報は、音声コーデヅク技術や画像コ一デヅク技術により帯域圧縮が図られて、デジタル通信やデジ夕ル放送により各種の通信端末機器に対して容易にかつ効率的に配信される環境が整いつつある。例えば、オーディォ . ビデオデータ（A Vデータ）は、携帯型の携帯電話機によって屋外での受信も可能とされている。

ところで、デ一夕等の送受信システムは、家庭を始めとして小規模な地域内においても好適なネヅトワークシステムの提案によって、様々に活用されている。ネヅトワークシステムとしては、例えば I E E E 8 0 2 . 1 1 aで提案されているような 5 G H z帯域の狭域無線通信システム、 I E E E 8 0 2 . l i bで提案されているような 2 . 4 5 G H z帯域の無線 L A Nシステム或いは] 3 1 u e t o o t hと称される近距離無線通信システム等の種々の次世代ワイヤレスシステムが提案されている。

デ一夕等の送受信システムは、かかるワイヤレスネットワークシステムを有効に利用して、家庭内や屋外等の様々な場所において手軽にかつ中継装置等を介することなく様々なデータの授受、ィン夕ーネット網へのアクセスゃデ一夕の送受信が可能である。

一方、デ一夕等の送受信システムにおいては、小型軽量で携帯可能であり上述した通信機能を有する通信端末機器の実現が必須となる。通信端末機器においては、送受信部においてアナログの高周波信号の変復調処理を行うことが必要であることから、一般に、図 1に示すような、送受信信号からいったん中間周波数に変換するようにしたスーパ一ヘテロダイン方式による高周波送受信回路 1 0 0が備えられる。

高周波送受信回路は、アンテナや切替スィツチを有して情報信号を受信或いは送信するアンテナ部と、送信と受信との切替を行う送受信切替器とを備える。高周波送受信回路は、周波数変換回路部や復調回路部等からなる受信回路部を備える。高周波送受信回路は、パワーアンプやドライブアンプ及び変調回路部等からなる送信回路部を備える。更に、高周波送受信回路は、受信回路部や送信回路部に基準周波数を供給する基準周波数生成回路部が備えられる。

以上のように構成された高周波送受信回路は、各段間にそれぞれ介挿された種々のフィル夕、局発装置（V C O ) 、 S AWフィル夕等の大型機能部品や、整合回路或いはバイアス回路等の高周波アナログ回路に特有なインダクタ、抵抗、キャパシタ等の受動部品の点数が非常に多い構成とされている。高周波送受信回路は、各回路部の I C化が図られるが、各段間に介挿されるフィルタを I C中に取り込めず、またこのために整合回路も外付けとして必要となる。したがって、高周波送受信回路は、全体に大型となり、通信端末機器の小型軽量化に大きな障害となっていた。

一方、通信端末機器には、中間周波数への変換を行わずに情報信号の送受信を行うようにしたダイレクトコンバージョン方式による高周波送受信回路も用いられる。高周波送受信回路は、アンテナ部によって受信された情報信号が送受信切替器を介して復調回路部に供給されて直接ベースバンド処理が行われる。高周波送受信回路は、ソース源で生成された情報信号を変調回路部において中間周波数に変換することなく直接所定の周波数帯域に変調し、アンプと送受信切替器を介してアンテナ部から送信する。

以上のように構成された高周波送受信回路は、情報信号について中間周波数の変換を行うことなくダイレクト検波を行うことによって送受信する構成であることから、フィルタ等の部品点数が低減されて全体構成の簡易化が図られ、より 1 チップ化に近い構成が可能となる。このダイレクトコンパ '一ジョン方式による高周波送受信回路においても、後段に配置されたフィルタ或いは整合回路の対応が必要となる。また、高周波送受信回路は、高周波段で一度の増幅を行うことから充分なゲインを得ることが困難となり、ベースバンド部でも増幅操作を行う必要がある。したがって、高周波送受信回路は、 D Cオフセットのキャンセル回路や余分な口一パスフィルタを必要とし、さらに全体の消費電力が大きくなるといつた問題がある。

従来の高周波送受信回路は、上述したようにスーパ一ヘテロダイン方式及びダィレクトコンバージョン方式のいずれにおいても、通信端末機器の小型軽量化等の要求仕様に対して充分な特性を満足し得ないものであった。このため、高周波送受信回路については、例えば S i - C M O S回路等をベースとして簡易な構成によって小型化を図ったモジュール化について種々の試みが図られている。すなわち、このような試みの 1つとして、例えば特性の良い受動素子を S i基板上に形成するとともにフィルタ回路や共振器等を L S I上に作り込み、さらにペースバンド部分の口ジヅク L S Iも集積化することで 1チップ化した高周波モジュ一ル装置が提案されている。

このような高周波モジュール装置では、ィンダクタ素子の特性を良好なものとするために、このィンダク夕素子の直下に位置して S i基板に穴を形成することや、このィンダク夕素子を浮かせた状態で形成するといつたことが行われており、加工コストが増加してしまう。

高周波信号回路フロントェンド部を S iや S i G e等の半導体基板やガラス基板に形成する場合には、パターン配線層として、高周波信号回路パターンの他に、電源パターン及びグランドパターン、制御用の信号配線パ夕一ン等を形成する必要があり、これらパターン配線層が多層化されることで、パターン配線層間の相互干渉や、加工コストの増加といった問題が発生してしまう。

モジュール全体のパッケージ化を考えた場合には、このような高周波モジユール装置をさらにワイヤーボンディング等によってイン夕一ポ一ザ（中間基板）上へ実装することが行われるものの、実装面積及び厚み方向の寸法が増加してしまい、コスト面から見て必ずしも好ましいものではない。発明の開示本発明は、上述したような実情に鑑み提案されたものであって、その目的とするところは、インダク夕素子のさらなる特性の向上を図り、さらなる小型化及び低コスト化を可能とした高周波モジュール装置を提供することにある。

上述のような目的を達成するために提案される本発明に係る高周波モジュール装置は、パターン配線層と誘電絶縁層とが多層に形成されてなるベース基板部と、ベース基板部の最上層が平坦化されることによりビルドアップ形成面が形成され、このビルドアップ形成面上に絶縁層を介してインダクタ素子が形成されてなる高周波素子部とを備え、ベース基板部のパターン配線層が形成されていない領域が、少なくともベース基板部の最上層から厚み方向の中途部に直って設けられており、この領域の直上に位置する高周波素子部に、ィンダク夕素子が形成されたものである。

本発明に係る高周波モジュール装置は、ペース基板部のパターン配線層が形成されていない領域の直上に位置して、ィンダク夕素子が形成されていることから、ィンダクタ素子とパターン配線層との結合容量が低減され、ィンダクタ素子の高い Q値を得ることができる。図面の簡単な説明図 1は、本発明に係る高周波モジュール装置の一例を示す断面図である。

図 2は、本発明に係る高周波モジュール装置における配線禁止領域及びィンダク夕の形成部分を拡大して示す要部断面図である。

図 3 A〜図 3 Cは、ベース基板部の各層における配線禁止領域の構造を示す平面図であり、図 3 Aは、第 2の配線層における配線禁止領域を示し、図 3 Bは、第 3の配線層における配線禁止領域を示し、図 3 Cは、第 4の配線層における配線禁止領域を示す。

図 4は、インダク夕の構造を示す平面図である。

図 5 A〜図 5 Cは、高周波素子部の各層におけるインダク夕の構造を示す平面図であり、図 5 Aは、第 1の絶縁層上に形成された引き出し導体パターンを示し、図 5 Bは、第 2の絶縁層内に埋め込み形成された埋め込み導体パターンを示し、図 5 Cは、第 2の絶縁層上に形成された薄膜コイルパターンを示す。

図 6は、インダク夕の他の例を示す平面図である。発明を実施するための最良の形態以下、本発明に係る高周波モジュール装置を図面を参照して詳細に説明する。図 1は、本発明に係る高周波モジュール装置 1の一例を示す断面図である。本発明に係る高周波モジュール装置 1は、マザ一ボード（ペース基板）やイン夕一ポーザ（中間基板）に対する高密度実装を実現するためのパッケージ形態 ( B G A等）を有し、この装置自体が 1つの機能部品として動作する。

詳述すると、本発明に係る高周波モジュール装置 1は、図 1に示すように、ベース基板部 2を有し、このペース基板部 2の最上層が平坦化層 3により平坦化されている。平坦化層 3の上には、図 1に示すように、高周波素子部 4が設けられている。

ベース基板部 2は、プリント配線基板により構成され、誘電絶縁層となる第 1 の誘電基板 5の両面に、パターン配線層となる第 1及び第 2の配線層 6 a， 6 b が形成された第 1の配線基板 7と、誘電絶縁層となる第 2の誘電基板 8の両面に、パターン配線層となる第 3及び第 4の配線層 9 a , 9 bが形成された第 2の配線基板 1 0とが、誘電絶縁層となるプリプレグ（接着樹脂） 1 1を介して貼り合わされた構造を有している。

このうち、第 1の誘電基板 5及び第 2の誘電基板 8は、低誘電率且つ低損失 (低 tan ) な材料、すなわち高周波特性に優れた材料により形成されていることが好まし。このような材料として、例えばポリフエニールエチレン（P P E ) や、ビスマレイドトリアジン（B T— r e s i n ) 、ポリテトラフルォロエチレン、ポリイミド、液晶ボリマー（L C P ) 、ポリノルポルネン（P N B ) 等の有機材料や、セラミヅク或いはセラミックと有機材料との混合材料等を挙げることができる。また、第 1の誘電基板 5及び第 2の誘電基板 8は、上述した材料の他に、耐熱性及び耐薬品性を有する材料により形成されていることが好ましく、このような材料からなる誘電基板として、比較的安価に入手可能なエポキシ系基板 F R — 5等を挙げることができる。

第 1及び第 2の配線層 6 a， 6 b並びに第 3及び第 4の配線層 9 a， 9 bは、例えばフィル夕 1 2やキャパシタ 1 3といった機能素子と、これらを繋く'信号配線パターン 1 4や、電源パターン 1 5及びグランドパターン 1 6とが、例えば銅箔により薄膜形成されてなる。また、第 1及び第 2の配線層 6 a， 6 b並びに第 3及ぴ第 4の配線層 9 a , 9 bとしては、インダク夕やレジス夕といった受動素子や、アンテナパターン等も形成可能である。

各機能素子は、これらを接続する信号配線パターン 1 4や、電源パターン 1 5 及ぴグランドパ夕一ン 1 6と、第 1の誘電基板 5及び第 2の誘電基板 8を貫通して形成された、例えば内周面に銅メツキ等を施したビアホール 1 7やスルーホール 1 8を介して電気的に接続されている。具体的に、これらビアホール 1 7ゃスルーホール 1 8は、ベース基板部 2の一部に、このペース基板部 2を貫通する孔をドリル加工やレーザ一加工により穿設される。これらビアホール 1 7やスルーホール 1 8は、内周面に銅（C u ) 等の導電性を有する金属材料のメヅキが施されるることにより、各パターン 1 4 , 1 5 , 1 6間を電気的に接続.する機能が付与される。

このべ一ス基板部 2では、比較的安価に入手可能な有機材料からなる第 1の配線基板 7及び第 2の配線基板 1 0を従来と同様の多層基板化技術によって積層形成することで、従来のような比較的高価とされる S i基板やガラス基板を用いた場合と比べて、コストの低減を図ることができる。

なお、このベース基板部 2は、上述した構造のものに限定されず、その積層数についても任意である。また、ベ一ス基板部 2は、上述した両面配線基板 7， 1 0をプリプレダ 1 1を介して貼り合わせたものに限定されず、例えば両面配線基板の両主面側に樹脂付銅箔を積み重ねていく構造のものであってもよい。平坦化層 3は、ベース基板部 2の最上層、すなわち第 2の誘電基板 8の第 4の配線層 9 b側を高度に平坦化することにより、いわゆるビルドアツプ形成面を形成している。具体的に、ビルドアップ形成面を形成する際は、ベース基板部 2の最上層の全面に直って、高周波特性に優れた有機材料からなる絶縁膜を成膜した後に、この最上層に形成された第 4の配線層 9 bが露出するまで研磨する。これにより、第 2の誘電基板 8と第 4の配線層 9 bとの間に絶縁膜が埋め込まれ、第 2の誘電基板 8上の第 4の配線層 9 bが形成されていない部分との段差が無くなり、このベース基板部 2の最上層が平坦化層 3によって高度に平坦化されることになる。

高周波素子部 4は、このビルドアヅプ形成面上に絶縁層 1 9を積層し、この積層された絶縁層 1 9の内層或いは外層に、薄膜形成技術や厚膜形成技術によって、例えばインダク夕 2 0， 2 1 , 2 2 , 2 3や、キャパシ夕、レジス夕等といった受動素子を形成して構成される。これらインダク夕 2 0， 2 1， 2 2， 2 3等からなる受動素子は、配線パターン 2 4及び埋め込み導体 2 5とがパターン配線層により電気的に接続される。高周波素子部 4を構成する絶縁層 1 9は、低誘電率且つ低損失（低 tan d ) な材料、すなわち高周波特性に優れた有機材料により形成されていることが好ましく、また、耐熱性及び耐薬品性を有する有機材料により形成されていることが好ましい。このような有機材料としては、例えばべンゾシクプテン（B C B ) や、ポリイミド、ポリノルボルネン（P N B ) 、液晶ポリマ ― ( L C P ) 、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等を挙げることができる。絶縁層 1 9は、このような有機材料を、例えばスピンコート法や、カーテンコート法、ロールコート法、ディップコート法等の塗布均一性及び膜厚制御に優れた方法を用いて、ビルドアヅプ形成面上に精度良く形成することができる。

高周波素子部 4の最上層には、半導体チヅプ 2 6がフリヅプチップ接続により搭載されている。ここで、フリヅプチヅプ接続は、半導体チヅプ 2 6側の電極上にバンプ 2 7を形成し、表裏逆にして高周波素子部 4側の配線パターン 2 4の電極 2 8とバンプ 2 7とを位置合わせし、加熱溶融することで、いわゆるフヱ一スダウンボンディングで接続する実装方法である。このフリヅプチヅプ接続によれば、例えばワイヤーボンディングの比べてワイヤーの引き回し空間が不要となり、特に高さ方向の寸法を大幅に削減することができる。

これら高周波素子部 4に形成された受動素子及び半導体チップ 2 6は、配線パ夕一ン 2 4及び埋め込み導体 2 5を介して、ベース基板部 2側の第 4の配線層 9 bと電気的に接続されている。

本発明に係る高周波モジュール装置 1は、ベース基板部 2が多層化されることによって、高周波素子部 4における積層数を削減することができる。すなわち、本発明に係る高周波モジュール装置 1は、高周波素子部 4の内層或いは外層に形成された、例えば受動素子や配線パターン 2 4、埋め込み導体 2 5等のパターン配線層とは別に、ペース基板部 2の内層或いは外層に、例えば機能素子や信号配線パターン 1 4等のパターン配線層が形成されることによって、これらを従来のような S i基板やガラス基板上にまとめて形成する場合に比べて、高周波素子部 4にかかる負担を大幅に低減することができる。これにより、高周波素子部 4の積層数を低減することが可能となり、装置全体のさらなる小型化及び低コスト化が可能となっている。

本発明に係る高周波モジュール装置 1は、上述したペース基板部 2のパターン配線層と高周波素子部 4のパターン配線層とを分離しているので、これらパターン配線層の間で発生する電気的干渉を抑制することができ、その特性の向上を図ることができる。

さらに、本発明に係る高周波モジュール装置 1は、ベース基板部 2の最上層が平坦化層 3により高度に平坦化されたビルドアツプ形成面が形成されていることから、このビルドアップ形成面上に高周波素子部 4を精度良く形成することができる。

ところで、本発明に係る高周波モジュール装置 1には、ベース基板部 2の第 1 及び第 2の配線層 6 a， 6 b並びに第 3及び第 4の配線層 9 a， 9 bが形成されていない領域（以下、配線禁止領域という。） 3 0 , 3 1 , 3 2， 3 3が、少なくともペース基板部 2の最上層から厚み方向の中途部に亘つて或いはベース基板部 2を貫通して設けられている。これら配線禁止領域 3 0， 3 1， 3 2 , 3 3の直上に位置する高周波素子部 4に、インダク夕 2 0 , 2 1 ， 2 2 , 2 3がそれそれ形成されている。具体的に、配線禁止領域 3 0は、図 2に示すように、インダク夕 2 0の形成位置から第 2の配線層 6 bに至る領域に亘つて設けられている。

すなわち、第 4の配線層 9 bには、図 2及び図 3 Aに示すように、インダク夕 2 0が形成される領域に対応した第 1の配線禁止用孔 3 が穿設されていると共に、第 3の配線層 9 aには、図 2及び図 3 Bに示すように、インダク夕 2 0が形成される領域に対応した第 2の配線禁止用孔 3 5が穿設されている。そして、図 2及び図 3 Cに示すように、これら第 1の配線禁止用孔 3 4及び第 2の配線禁止用孔 3 5を通して、第 2の配線層 6 bに形成されたグランドパターン 1 6とインダク夕 2 0とが、所定の距離だけ離された状態で対向配置されている。

一方、ィンダク夕 2 0は、図 2及び図 4に示すように、絶縁層 1 9の内層或いは外層に位置して、全体で角形をなすようにスパイラル状に卷回されてなる薄膜コイルパターン 2 0 aと、この薄膜コイルパターン 2 0 aの内周側の端部と電気的に接続された埋め込み導体パターン 2 0 bと、この埋め込み導体パターン 2 0 bと電気的に接続された引き出し導体パターン 2 0 cとを有し、この引き出し導体パターン 2 0 cが、薄膜コイルパターン 2 0 aの外周側へと引き出され、この薄膜コイルパターン 2 0 aの外周側の端部と共に、埋め込み導体 2 5を介して配線パターン 2 4とそれそれ電気的に接続された構造とされている。

具体的に、このイングクタ 2 0を形成する際は、先ず、図 2に示すように、平坦化されたペース基板部 2上に、上述した有機材料からなる第 1の絶縁層 1 9 a を形成する。

次に、図 2及び図 5 Aに示すように、第 1の絶縁層 1 9 a上に、例えばニッケル（N i ) や銅等の導電性金属材料からなる導電膜を全面に亘つて成膜した後に、フォトリソグラフィ技術を用いて所定の形状にパターニングされたフォトレジストをマスクとして、この導電膜をェヅチングすることによって、引き出し導体パターン 2 0 cのベースを形成する。そして、例えば硫酸銅溶液を用いた電解メヅキにより、数/ 程度の C uからなる導電膜を成膜することで、引き出し導体パタ一ン 2 0 cを形成する。

次に、図 2及び図 5 Bに示すように、この引き出し導体パ夕一ン 2 0 cが形成された第 1の絶縁層 1 9 a上に、上述した有機材料からなる第 2の絶縁層 1 9 b を形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いて所定の形状にパターニングされたフォトレジストをマスクとしてエッチングを行い、引き出し導体パターン 2 0 cの端部と接合される部分が露出するビア（孔）を形成する。そして、このフオトレジストを残したまま、例えば硫酸銅溶液を用いた電解メツキにより、銅 ( C u ) からなる導電膜を成膜した後、フォトレジストを、このフォトレジスト上に堆積した導電膜と共に除去する。これにより、第 2の絶縁層 1 9 bに埋め込まれた埋め込み導体パターン 2 0 bと、引き出し導体パターン 2 0 cとが電気的に接続される。

次に、図 2及ぴ図 5 Cに示すように、この第 2の絶縁層 1 9 b上に、例えば二ヅケル（N i ) や銅（C u ) 等からなる導電膜を全面に亘つて成膜した後に、フォトリソグラフィ技術を用いて所定の形状にパ夕一ニングされたフォトレジストをマスクとして、この導電膜をエッチングすることによって、薄膜コイルパターン 2 0 aのべ一スを形成する。そして、例えば硫酸銅溶液を用いた電解メヅキにより、数/ 程度の C uからなる導電膜を成膜することで、埋め込み導体パターン 2 0 bと電気的に接続された薄膜コイルパターン 2 0 aを形成する。以上により、図 2及び図 4に示すようなインダク夕 2 0が形成される。

ここで、図 2に示すように、インダク夕 2 0の厚み Aは、 1 0 m以上且つ卷回間隔 Bの 1 . 5倍以下の範囲とすることが好ましい。

このインダク夕 2 0は、上述したメヅキ法を用いることにより、従来のようなスパッタリング法を用いた場合に、通常、 0 . 5〜 2 m程度の膜厚としかならない膜厚に比べて、その厚み Aを厚く形成することができる。そして、インダク夕 2 0の厚み Aを 1 0 m以上とすることにより、このインダクタ 2 0の直列抵抗が低減され、インダク夕 2 0の高い Q値を得ることができる。一方、インダク夕 2 0の厚み Aを卷回間隔 B、すなわち薄膜コイルパターン 2 0 aにおける隣接するパターン同士の間隔 Bの 1 . 5倍以下とすることにより、このインダク夕 2 0を精度良く形成することができる。

なお、このインダク夕 2 0は、上述したメツキ法以外の厚膜技術を用いて、所定の厚み Aで形成することも可能である。

また、インダク夕 2 0は、図 4に示すような角形スパイラル状に卷回されたものに限定されず、例えば図 6に示すような全体で円形をなすようにスパイラル状に卷回されたものであってもよい。

なお、他のィンダク夕 2 1， 22， 23についても、上述のィンダクタ 20と同様な形状を有しており、また、上記インダク夕 20と同様にして形成されることから、以下説明を省略するものとする。

上述したように、本発明に係る高周波モジュール装置 1は、ベース基板部 2の配線禁止領域 30， 3 1 , 32, 33が、少なくともベース基板部 2の最上層から厚み方向の中途部に亘つて或いはペース基板部 2を貫通して設けられている。これら配線禁止領域 30， 3 1 , 32， 33の直上に位置する高周波素子部 4に、インダクタ 20 , 2 1 , 22， 23がそれそれ形成されている。これにより、高周波モジュール装置 1では、各インダクタ 20 , 2 2 , 23と、グランドパターン 1 6との間の距離を離すことができ、これらインダク夕 20 , 22 , 23と、グランドパターン 1 6との結合容量を大幅に低減することができる。さらに、ィンダク夕 2 1は、ペース基板部 2を貫通して設けられた配線禁止領域 3 1上に形成されていることから、さらなる特性の向上が図られている。

したがって、これらインダクタ 20， 2 1， 22 , 23の高い Q値を得ることができ、従来のようなィンダクタの直下に位置して S i基板に穴を形成することや、このィンダク夕素子を浮かせた状態で形成するといつた加工を行わずとも、簡便な構成によってインダクタ 20 , 2 1， 22 , 23の良好な特性を得ることができる。以上のことから、この高周波モジュール装置 1では、インダク夕 20: 2 1， 22， 23のさらなる特性向上が可能であると共に、さらなる小型化及び低コスト化が可能である。産業上の利用可能性本発明に係る高周波モジュール装置は、ペース基板部のパ夕一ン配線層が形成されていない領域の直上に位置して、インダクタ素子を形成しているので、インダクタ素子とパターン配線層との結合容量が低減され、ィンダクタ素子の高い Q 値を得ることができる。したがって、本発明に係る高周波モジュール装置は、ィンダクタ素子のさらなる特性向上が可能であると共に、さらなる小型化及び低コスト化が可能である。

Claims

請求の範囲

1 . パターン配線層と誘電絶縁層とが多層に形成されてなるベース基板部と、上記ベース基板部の最上層が平坦化されることによりビルドアツプ形成面が形成され、このビルドアップ形成面上に絶縁層を介してインダクタ素子が形成されてなる高周波素子部とを備え、

上記ペース基板部の上記パターン配線層が形成されていない領域が、少なくとも上記ベース基板部の最上層から厚み方向の中途部に亘つて設けられており、この領域の直上に位置する高周波素子部に、上記ィンダクタ素子が形成されていることを特徴とする高周波モジュール装置。

2 . 上記パターン配線層が形成されていない領域は、上記ベース基板部を厚み方向に貫通して設けられていることを特徴とする請求の範囲第 1項記載の高周波モジュール装置。

3 . 上記インダク夕素子は、厚膜技術により形成されていることを特徴とする請請求の範囲第 1項記載の高周波モジュール装置。