JP2002334806A - 高周波モジュール装置 - Google Patents

高周波モジュール装置

Info

Publication number
JP2002334806A
JP2002334806A JP2001136490A JP2001136490A JP2002334806A JP 2002334806 A JP2002334806 A JP 2002334806A JP 2001136490 A JP2001136490 A JP 2001136490A JP 2001136490 A JP2001136490 A JP 2001136490A JP 2002334806 A JP2002334806 A JP 2002334806A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency
wiring
layer
pattern
inductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001136490A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3666411B2 (ja
Inventor
Takahiko Kosemura
孝彦 小瀬村
Akihiko Okuhora
明彦 奥洞
Takayuki Hirabayashi
崇之 平林
Tatsuya Ogino
達也 荻野
Kuniyuki Hayashi
邦幸 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2001136490A priority Critical patent/JP3666411B2/ja
Priority to US10/332,015 priority patent/US6800936B2/en
Priority to EP02724688A priority patent/EP1387369A4/en
Priority to KR1020037000054A priority patent/KR100862544B1/ko
Priority to PCT/JP2002/004409 priority patent/WO2002091405A1/ja
Publication of JP2002334806A publication Critical patent/JP2002334806A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3666411B2 publication Critical patent/JP3666411B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006Printed inductances
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/165Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822Multilayer substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01087Francium [Fr]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0183Dielectric layers
    • H05K2201/0195Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09818Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09881Coating only between conductors, i.e. flush with the conductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4602Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4664Adding a circuit layer by thick film methods, e.g. printing techniques or by other techniques for making conductive patterns by using pastes, inks or powders
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/467Adding a circuit layer by thin film methods

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 インダクタ素子のさらなる特性向上を可能と
すると共に、さらなる小型化及び低コスト化を可能とす
る。 【解決手段】 パターン配線層6a,6b,9a,9b
と誘電絶縁層5,8,11とが多層に形成されてなるベ
ース基板部2と、ベース基板部2の最上層が平坦化され
ることによりビルドアップ形成面が形成され、このビル
ドアップ形成面上に絶縁層19を介してインダクタ素子
20が形成されてなる高周波素子部4とを備え、ベース
基板部2のパターン配線層6a,6b,9a,9bが形
成されていない領域30が、少なくともベース基板部2
の最上層から厚み方向の中途部に亘って設けられてお
り、この領域30の直上に位置する高周波素子部4に、
インダクタ素子20が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばパーソナル
コンピュータ、携帯電話機、オーディオ機器等の各種電
子機器に搭載され、情報通信機能やストレージ機能等を
有して超小型通信機能モジュールを構成する高周波モジ
ュール装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、音楽、音声或いは画像等の各種
情報は、近年、データのデジタル化に伴ってパーソナル
コンピュータやモバイルコンピュータ等によっても手軽
に扱えるようになっている。また、これらの情報は、音
声コーデック技術や画像コーデック技術により帯域圧縮
が図られて、デジタル通信やデジタル放送により各種の
通信端末機器に対して容易にかつ効率的に配信される環
境が整いつつある。例えば、オーディオ・ビデオデータ
(AVデータ)は、携帯電話機によって屋外での受信も
可能である。
【0003】ところで、データ等の送受信システムは、
家庭を始めとして小規模な地域内においても好適なネッ
トワークシステムの提案によって、様々に活用されるよ
うになっている。ネットワークシステムとしては、例え
ばIEEE802.1aで提案されているような5GHz帯域の狭
域無線通信システム、IEEE802.1bで提案されているよう
な2.45GHz帯域の無線LANシステム或いはBlue
toothと称される近距離無線通信システム等の種々の次
世代ワイヤレスシステムが注目されている。送受信シス
テムは、かかるワイヤレスネットワークシステムを有効
に利用して、家庭内や屋外等の様々な場所において手軽
にかつ中継装置等を介することなく様々なデータの授
受、インターネット網へのアクセスやデータの送受信が
可能となる。
【0004】一方、送受信システムにおいては、上述し
た通信機能を有する小型軽量かつ携帯可能な通信端末機
器の実現が必須となる。通信端末機器においては、送受
信部においてアナログの高周波信号の変復調処理を行う
ことが必要であることから、一般に送受信信号からいっ
たん中間周波数に変換するようにしたスーパーへテロダ
イン方式による高周波送受信回路が備えられる。
【0005】高周波送受信回路には、アンテナや切替ス
イッチを有し情報信号を受信或いは送信するアンテナ部
と、送信と受信との切替を行う送受信切替器とが備えら
れている。高周波送受信回路には、周波数変換回路部や
復調回路部等からなる受信回路部が備えられる。高周波
送受信回路には、パワーアンプやドライブアンプ及び変
調回路部等からなる送信回路部が備えられる。高周波送
受信回路には、受信回路部や送信回路部に基準周波数を
供給する基準周波数生成回路部が備えられる。
【0006】かかる高周波送受信回路においては、各段
間にそれぞれ介挿された種々のフィルタ、局発装置(V
CO)、SAW(鋸歯)フィルタ等の大型機能部品や、
整合回路或いはバイアス回路等の高周波アナログ回路に
特有なインダクタ、抵抗、キャパシタ等の受動部品の点
数が非常に多い構成となっている。高周波送受信回路
は、各回路部のIC化が図られるが、各段間に介挿され
るフィルタをIC中に取り込めず、またこのために整合
回路も外付けとして必要となる。したがって、高周波送
受信回路は、全体に大型となり、通信端末機器の小型軽
量化に大きな障害となっていた。
【0007】一方、通信端末機器には、中間周波数への
変換を行わずに情報信号の送受信を行うようにしたダイ
レクトコンバージョン方式による高周波送受信回路も用
いられる。かかる高周波送受信回路においては、アンテ
ナ部によって受信された情報信号が送受信切替器を介し
て復調回路部に供給されて直接ベースバンド処理が行わ
れる。高周波送受信回路においては、ソース源で生成さ
れた情報信号が変調回路部において中間周波数に変換さ
れることなく直接所定の周波数帯域に変調されてアンプ
と送受信切替器を介してアンテナ部から送信される。
【0008】かかる高周波送受信回路は、情報信号につ
いて中間周波数の変換を行うことなくダイレクト検波を
行うことによって送受信する構成であることから、フィ
ルタ等の部品点数が低減されて全体構成の簡易化が図ら
れ、より1チップ化に近い構成が見込まれるようにな
る。しかしながら、このダイレクトコンバージョン方式
による高周波送受信回路においても、後段に配置された
フィルタ或いは整合回路の対応が必要となる。また、高
周波送受信回路は、高周波段で一度の増幅を行うことか
ら充分なゲインを得ることが困難となり、ベースバンド
部でも増幅操作を行う必要がある。したがって、高周波
送受信回路は、DCオフセットのキャンセル回路や余分
なローパスフィルタを必要とし、さらに全体の消費電力
が大きくなるといった問題がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波送受信回
路は、上述したようにスーパーへテロダイン方式及びダ
イレクトコンバージョン方式のいずれにおいても、通信
端末機器の小型軽量化等の要求仕様に対して充分な特性
を満足し得ないものであった。このため、高周波送受信
回路については、例えばSi−CMOS回路等をベース
として簡易な構成によって小型化を図ったモジュール化
について種々の試みが図られている。すなわち、このよ
うな試みの1つとして、例えば特性の良い受動素子をS
i基板上に形成するとともにフィルタ回路や共振器等を
LSI上に作り込み、さらにベースバンド部分のロジッ
クLSIも集積化することで1チップ化した高周波モジ
ュール装置が提案されている。
【0010】しかしながら、このような高周波モジュー
ル装置では、インダクタ素子の特性を良好なものとする
ために、このインダクタ素子の直下に位置してSi基板
に穴を形成することや、このインダクタ素子を浮かせた
状態で形成するといったことが行われており、加工コス
トが増加してしまうといった問題があった。
【0011】また、高周波信号回路フロントエンド部を
SiやSiGe等の半導体基板やガラス基板に形成する
場合には、パターン配線層として、高周波信号回路パタ
ーンの他に、電源パターン及びグランドパターン、制御
用の信号配線パターン等を形成する必要があり、これら
パターン配線層が多層化されることで、パターン配線層
間の相互干渉や、加工コストの増加といった問題が発生
してしまう。
【0012】また、モジュール全体のパッケージ化を考
えた場合には、このような高周波モジュール装置をさら
にワイヤーボンディング等によってインターポーザ(中
間基板)上へ実装することが行われるものの、実装面積
及び厚み方向の寸法が増加してしまい、コスト面から見
て必ずしも好ましいものではなかった。
【0013】そこで、本発明はこのような従来の事情に
鑑みて提案されたものであり、インダクタ素子のさらな
る特性向上を可能とすると共に、さらなる小型化及び低
コスト化を可能とした高周波モジュール装置を提供する
ことを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】この目的を達成する本発
明に係る高周波モジュール装置は、パターン配線層と誘
電絶縁層とが多層に形成されてなるベース基板部と、ベ
ース基板部の最上層が平坦化されることによりビルドア
ップ形成面が形成され、このビルドアップ形成面上に絶
縁層を介してインダクタ素子が形成されてなる高周波素
子部とを備え、ベース基板部のパターン配線層が形成さ
れていない領域が、少なくともベース基板部の最上層か
ら厚み方向の中途部に亘って設けられており、この領域
の直上に位置する高周波素子部に、インダクタ素子が形
成されていることを特徴としている。
【0015】この高周波モジュール装置では、ベース基
板部のパターン配線層が形成されていない領域の直上に
位置して、インダクタ素子が形成されていることから、
このインダクタ素子とパターン配線層との結合容量が低
減され、インダクタ素子の高いQ値を得ることができ
る。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
【0017】本発明を適用した高周波モジュール装置の
一例を図1に示す。なお、図1は、この高周波モジュー
ル装置1の構造を示す断面図である。
【0018】この高周波モジュール装置1は、マザーボ
ード(ベース基板)やインターポーザ(中間基板)に対
する高密度実装を実現するためのパッケージ形態(BG
A等)を有し、この装置自体が1つの機能部品として動
作するものである。
【0019】詳述すると、この高周波モジュール装置1
は、ベース基板部2と、このベース基板部2の最上層が
平坦化層3により平坦化され、この上に高周波素子部4
とを備えている。
【0020】ベース基板部2は、いわゆるプリント配線
基板であり、誘電絶縁層となる第1の誘電基板5の両面
に、パターン配線層となる第1及び第2の配線層6a,
6bが形成された第1の配線基板7と、誘電絶縁層とな
る第2の誘電基板8の両面に、パターン配線層となる第
3及び第4の配線層9a,9bが形成された第2の配線
基板10とが、誘電絶縁層となるプリプレグ(接着樹
脂)11を介して貼り合わされた構造を有している。
【0021】このうち、第1の誘電基板5及び第2の誘
電基板8は、低誘電率且つ低損失(低tanδ)な材料、
すなわち高周波特性に優れた材料により形成されている
ことが好ましく、このような材料として、例えばポリフ
ェニールエチレン(PPE)や、ビスマレイドトリアジ
ン(BT−resin)、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリイミド、液晶ポリマー(LCP)、ポリノルボ
ルネン(PNB)等の有機材料や、セラミック或いはセ
ラミックと有機材料との混合材料等を挙げることができ
る。また、第1の誘電基板5及び第2の誘電基板8は、
上述した材料の他に、耐熱性及び耐薬品性を有する材料
により形成されていることが好ましく、このような材料
からなる誘電基板として、廉価なエポキシ系基板FR−
5等を挙げることができる。
【0022】第1及び第2の配線層6a,6b並びに第
3及び第4の配線層9a,9bは、例えばフィルタ12
やキャパシタ13といった機能素子と、これらを繋ぐ信
号配線パターン14や、電源パターン15及びグランド
パターン16とが、例えば銅箔により薄膜形成されてな
る。また、第1及び第2の配線層6a,6b並びに第3
及び第4の配線層9a,9bとしては、インダクタやレ
ジスタといった受動素子や、アンテナパターン等も形成
可能である。
【0023】また、各機能素子は、これらを繋ぐ信号配
線パターン14や、電源パターン15及びグランドパタ
ーン16と、第1の誘電基板5及び第2の誘電基板8を
貫通して形成された、例えば銅からなるビアホール17
やスルーホール18を介して電気的に接続されている。
具体的に、これらビアホール17やスルーホール18
は、ベース基板部2の一部に、このベース基板部2を貫
通する孔をドリル加工やレーザー加工により穿設し、こ
の穿設された孔にビアメッキやスルーホールメッキを施
すことにより形成される。
【0024】このベース基板部2では、廉価な有機材料
からなる第1の配線基板7及び第2の配線基板10を従
来と同様の多層基板化技術によって積層形成すること
で、従来のような比較的高価とされるSi基板やガラス
基板を用いた場合と比べて、コストの低減化が図られて
いる。
【0025】なお、このベース基板部2は、上述した構
造のものに限定されず、その積層数についても任意であ
る。また、ベース基板部2は、上述した両面配線基板
7,10をプリプレグ11を介して貼り合わせたものに
限定されず、例えば両面配線基板の両主面側に樹脂付銅
箔を積み重ねていく構造のものであってもよい。
【0026】平坦化層3は、ベース基板部2の最上層、
すなわち第2の誘電基板8の第4の配線層9b側を高度
に平坦化することにより、いわゆるビルドアップ形成面
を形成している。具体的に、ビルドアップ形成面を形成
する際は、ベース基板部2の最上層の全面に亘って、高
周波特性に優れた有機材料からなる絶縁膜を成膜した後
に、この最上層に形成された第4の配線層9bが露出す
るまで研磨する。これにより、第2の誘電基板8と第4
の配線層9bとの間に絶縁膜が埋め込まれ、第2の誘電
基板8上の第4の配線層9bが形成されていない部分と
の段差が無くなり、このベース基板部2の最上層が平坦
化層3によって高度に平坦化されることになる。
【0027】高周波素子部4は、このビルドアップ形成
面上に絶縁層19が積層され、この積層された絶縁層1
9の内層或いは外層に、薄膜形成技術や厚膜形成技術に
よって、例えばインダクタ20,21,22,23や、
キャパシタ、レジスタ等といった受動素子と、これらを
繋ぐ配線パターン24及び埋め込み導体25とがパター
ン配線層として形成されてなる。
【0028】このうち、絶縁層19は、低誘電率且つ低
損失(低tanδ)な材料、すなわち高周波特性に優れた
有機材料により形成されていることが好ましく、また、
耐熱性及び耐薬品性を有する有機材料により形成されて
いることが好ましい。このような有機材料としては、例
えばベンゾシクブテン(BCB)や、ポリイミド、ポリ
ノルボルネン(PNB)、液晶ポリマー(LCP)、エ
ポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等を挙げることができ
る。そして、絶縁層19は、このような有機材料を、例
えばスピンコート法や、カーテンコート法、ロールコー
ト法、ディップコート法等の塗布均一性及び膜厚制御に
優れた方法を用いて、ビルドアップ形成面上に精度良く
形成することができる。
【0029】また、この高周波素子部4の最上層には、
半導体チップ26がフリップチップ接続により搭載され
ている。ここで、フリップチップ接続は、半導体チップ
26側の電極上にバンプ27を形成し、表裏逆にして高
周波素子部4側の配線パターン24の電極28とバンプ
27とを位置合わせし、加熱溶融することで、いわゆる
フェースダウンボンディングで接続する実装方法であ
る。このフリップチップ接続によれば、例えばワイヤー
ボンディングの比べてワイヤーの引き回し空間が不要と
なり、特に高さ方向の寸法を大幅に削減することができ
る。
【0030】そして、これら高周波素子部4に形成され
た受動素子及び半導体チップ26は、配線パターン24
及び埋め込み導体25を介して、ベース基板部2側の第
4の配線層9bと電気的に接続されている。
【0031】この高周波モジュール装置1では、ベース
基板部2が多層化されることによって、高周波素子部4
における積層数を削減することができる。すなわち、こ
の高周波モジュール装置1では、高周波素子部4の内層
或いは外層に形成された、例えば受動素子や配線パター
ン24、埋め込み導体25等のパターン配線層とは別
に、ベース基板部2の内層或いは外層に、例えば機能素
子や信号配線パターン14等のパターン配線層が形成さ
れることによって、これらを従来のようなSi基板やガ
ラス基板上にまとめて形成する場合に比べて、高周波素
子部4にかかる負担を大幅に低減することができる。こ
れにより、高周波素子部4の積層数を低減することが可
能となり、装置全体のさらなる小型化及び低コスト化が
可能となっている。
【0032】また、この高周波モジュール装置1では、
上述したベース基板部2のパターン配線層と高周波素子
部4のパターン配線層とが分離されることによって、こ
れらパターン配線層の間で発生する電気的干渉を抑制す
ることができ、その特性の向上を図ることができる。
【0033】さらに、この高周波モジュール装置1で
は、ベース基板部2の最上層が平坦化層3により高度に
平坦化されたビルドアップ形成面が形成されていること
から、このビルドアップ形成面上に高周波素子部4を精
度良く形成することができる。
【0034】ところで、この高周波モジュール装置1に
は、ベース基板部2の第1及び第2の配線層6a,6b
並びに第3及び第4の配線層9a,9bが形成されてい
ない領域(以下、配線禁止領域という。)30,31,
32,33が、少なくともベース基板部2の最上層から
厚み方向の中途部に亘って或いはベース基板部2を貫通
して設けられている。そして、この配線禁止領域30,
31,32,33の直上に位置する高周波素子部4に、
インダクタ20,21,22,23がそれぞれ形成され
ている。
【0035】具体的に、配線禁止領域30は、図2に示
すように、インダクタ20の形成位置から第2の配線層
6bに至る領域に亘って設けられている。
【0036】すなわち、第4の配線層9bには、図2及
び図3(a)に示すように、インダクタ20が形成され
る領域に対応した第1の配線禁止用孔34が穿設されて
いると共に、第3の配線層9aには、図2及び図3
(b)に示すように、インダクタ20が形成される領域
に対応した第2の配線禁止用孔35が穿設されている。
そして、図2及び図3(c)に示すように、これら第1
の配線禁止用孔34及び第2の配線禁止用孔35を通し
て、第2の配線層6bに形成されたグランドパターン1
6とインダクタ20とが、所定の距離だけ離された状態
で対向配置されている。
【0037】一方、インダクタ20は、図2及び図4に
示すように、絶縁層19の内層或いは外層に位置して、
角形スパイラル状に巻回されてなる薄膜コイルパターン
20aと、この薄膜コイルパターン20aの内周側の端
部と電気的に接続された埋め込み導体パターン20b
と、この埋め込み導体パターン20bと電気的に接続さ
れた引き出し導体パターン20cとを有し、この引き出
し導体パターン20cが、薄膜コイルパターン20aの
外周側へと引き出され、この薄膜コイルパターン20a
の外周側の端部と共に、埋め込み導体25を介して配線
パターン24とそれぞれ電気的に接続された構造とされ
ている。
【0038】具体的に、このインダクタ20を形成する
際は、先ず、図2に示すように、平坦化されたベース基
板部2上に、上述した有機材料からなる第1の絶縁層1
9aを形成する。
【0039】次に、図2及び図5(a)に示すように、
第1の絶縁層19a上に、例えばNiや銅等からなる導
電膜を全面に亘って成膜した後に、フォトリソグラフィ
技術を用いて所定の形状にパターニングされたフォトレ
ジストをマスクとして、この導電膜をエッチングするこ
とによって、引き出し導体パターン20cのベースを形
成する。そして、例えば硫酸銅溶液を用いた電解メッキ
により、数μm程度のCuからなる導電膜を成膜するこ
とで、引き出し導体パターン20cを形成する。
【0040】次に、図2及び図5(b)に示すように、
この引き出し導体パターン20cが形成された第1の絶
縁層19a上に、上述した有機材料からなる第2の絶縁
層19bを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用
いて所定の形状にパターニングされたフォトレジストを
マスクとしてエッチングを行い、引き出し導体パターン
20cの端部と接合される部分が露出するビア(孔)を
形成する。そして、このフォトレジストを残したまま、
例えば硫酸銅溶液を用いた電解メッキにより、Cuから
なる導電膜を成膜した後、フォトレジストを、このフォ
トレジスト上に堆積した導電膜と共に除去する。これに
より、第2の絶縁層19bに埋め込まれた埋め込み導体
パターン20bと、引き出し導体パターン20cとが電
気的に接続される。
【0041】次に、図2及び図5(c)に示すように、
この第2の絶縁層19b上に、例えばNiや銅等からな
る導電膜を全面に亘って成膜した後に、フォトリソグラ
フィ技術を用いて所定の形状にパターニングされたフォ
トレジストをマスクとして、この導電膜をエッチングす
ることによって、薄膜コイルパターン20aのベースを
形成する。そして、例えば硫酸銅溶液を用いた電解メッ
キにより、数μm程度のCuからなる導電膜を成膜する
ことで、埋め込み導体パターン20bと電気的に接続さ
れた薄膜コイルパターン20aを形成する。以上によ
り、図2及び図4に示すようなインダクタ20が形成さ
れる。
【0042】ここで、図2に示すように、インダクタ2
0の厚みAは、10μm以上且つ巻回間隔Bの1.5倍
以下の範囲とすることが好ましい。
【0043】このインダクタ20は、上述したメッキ法
を用いることにより、従来のようなスパッタリング法を
用いた場合(通常、0.5〜2μm程度の膜厚)に比べ
て、その厚みAを厚く形成することができる。そして、
インダクタ20の厚みAを10μm以上とすることによ
り、このインダクタ20の直列抵抗が低減され、インダ
クタ20の高いQ値を得ることができる。一方、インダ
クタ20の厚みAを巻回間隔B、すなわち薄膜コイルパ
ターン20aにおける隣接するパターン同士の間隔Bの
1.5倍以下とすることにより、このインダクタ20を
精度良く形成することができる。
【0044】なお、このインダクタ20は、上述したメ
ッキ法以外の厚膜技術を用いて、所定の厚みAで形成す
ることも可能である。
【0045】また、インダクタ20は、図4に示すよう
な角形スパイラル状に巻回されたものに限定されず、例
えば図6に示すような円形スパイラル状に巻回されたも
のであってもよい。
【0046】なお、他のインダクタ21,22,23に
ついても、上記インダクタ20と同様な形状を有してお
り、また、上記インダクタ20と同様にして形成される
ことから、以下説明を省略するものとする。
【0047】以上のように、この高周波モジュール装置
1では、ベース基板部2の配線禁止領域30,31,3
2,33が、少なくともベース基板部2の最上層から厚
み方向の中途部に亘って或いはベース基板部2を貫通し
て設けられている。そして、この配線禁止領域30,3
1,32,33の直上に位置する高周波素子部4に、イ
ンダクタ20,21,22,23がそれぞれ形成されて
いる。
【0048】これにより、高周波モジュール装置1で
は、インダクタ20,22,23と、グランドパターン
16との間の距離を離すことができ、これらインダクタ
20,22,23と、グランドパターン16との結合容
量を大幅に低減することができる。さらに、インダクタ
21は、ベース基板部2を貫通して設けられた配線禁止
領域31上に形成されていることから、さらなる特性の
向上が図られている。
【0049】したがって、これらインダクタ20,2
1,22,23の高いQ値を得ることができ、従来のよ
うなインダクタの直下に位置してSi基板に穴を形成す
ることや、このインダクタ素子を浮かせた状態で形成す
るといった加工を行わずとも、簡便な構成によってイン
ダクタ20,21,22,23の良好な特性を得ること
ができる。以上のことから、この高周波モジュール装置
1では、インダクタ20,21,22,23のさらなる
特性向上が可能であると共に、さらなる小型化及び低コ
スト化が可能である。
【0050】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る高周波モジュール装置では、ベース基板部のパターン
配線層が形成されていない領域の直上に位置して、イン
ダクタ素子が形成されていることから、このインダクタ
素子とパターン配線層との結合容量が低減され、インダ
クタ素子の高いQ値を得ることができる。したがって、
この高周波モジュール装置では、インダクタ素子のさら
なる特性向上が可能であると共に、さらなる小型化及び
低コスト化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した高周波モジュール装置の一例
を示す断面図である。
【図2】上記高周波モジュール装置における配線禁止領
域及びインダクタの形成部分を拡大して示す要部断面図
である。
【図3】ベース基板部の各層における配線禁止領域の構
造を示す平面図であり、(a)は、第2の配線層におけ
る配線禁止領域を示し、(b)は、第3の配線層におけ
る配線禁止領域を示し、(c)は、第4の配線層におけ
る配線禁止領域を示す。
【図4】インダクタの構造を示す平面図である。
【図5】高周波素子部の各層におけるインダクタの構造
を示す平面図であり、(a)は、第1の絶縁層上に形成
された引き出し導体パターンを示し、(b)は、第2の
絶縁層内に埋め込み形成された埋め込み導体パターンを
示し、(c)は、第2の絶縁層上に形成された薄膜コイ
ルパターンを示す。
【図6】インダクタの変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
1 高周波モジュール装置、2 ベース基板部、3 平
坦化層、4 高周波素子部、5 第1の誘電基板、6
a,6b 第1の配線層、7 第1の配線基板、8 第
2の誘電基板、9a,9b 第2の配線層、10 第2
の配線基板、11プリプレグ、12 フィルタ、13
キャパシタ、14 信号配線パターン、15 電源パタ
ーン、16 グランドパターン、17 ビアホール、1
8 スルーホール、19 絶縁層、19a 第1の絶縁
層、19b 第2の絶縁層、20インダクタ、20a
薄膜コイルパターン、20b 埋め込み導体パターン、
20c 引き出し導体パターン、21,22,23 イ
ンダクタ、24 配線パターン、25 埋め込み導体、
26 半導体チップ、30,31,32,33配線禁止
領域、34 第1の配線禁止用孔、35 第2の配線禁
止用孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平林 崇之 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 荻野 達也 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 林 邦幸 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 Fターム(参考) 4E351 AA01 BB15 BB24 BB31 BB32 CC11 DD01 GG01 GG06 5E070 AA05 AB07 5E346 AA04 AA12 AA15 AA26 AA43 BB02 BB11 BB20 CC01 CC31 DD03 DD31 EE31 FF45 HH01 HH22

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パターン配線層と誘電絶縁層とが多層に
    形成されてなるベース基板部と、 上記ベース基板部の最上層が平坦化されることによりビ
    ルドアップ形成面が形成され、このビルドアップ形成面
    上に絶縁層を介してインダクタ素子が形成されてなる高
    周波素子部とを備え、 上記ベース基板部の上記パターン配線層が形成されてい
    ない領域が、少なくとも上記ベース基板部の最上層から
    厚み方向の中途部に亘って設けられており、この領域の
    直上に位置する高周波素子部に、上記インダクタ素子が
    形成されていることを特徴とする高周波モジュール装
    置。
  2. 【請求項2】 上記パターン配線層が形成されていない
    領域は、上記ベース基板部を厚み方向に貫通して設けら
    れていることを特徴とする請求項1記載の高周波モジュ
    ール装置。
  3. 【請求項3】 上記インダクタ素子は、厚膜技術により
    形成されていることを特徴とする請求項1記載の高周波
    モジュール装置。
JP2001136490A 2001-05-07 2001-05-07 高周波モジュール装置 Expired - Lifetime JP3666411B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001136490A JP3666411B2 (ja) 2001-05-07 2001-05-07 高周波モジュール装置
US10/332,015 US6800936B2 (en) 2001-05-07 2002-05-02 High-frequency module device
EP02724688A EP1387369A4 (en) 2001-05-07 2002-05-02 HIGH FREQUENCY MODULE DEVICE
KR1020037000054A KR100862544B1 (ko) 2001-05-07 2002-05-02 고주파 모듈 장치
PCT/JP2002/004409 WO2002091405A1 (en) 2001-05-07 2002-05-02 High-frequency module device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001136490A JP3666411B2 (ja) 2001-05-07 2001-05-07 高周波モジュール装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002334806A true JP2002334806A (ja) 2002-11-22
JP3666411B2 JP3666411B2 (ja) 2005-06-29

Family

ID=18983757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001136490A Expired - Lifetime JP3666411B2 (ja) 2001-05-07 2001-05-07 高周波モジュール装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6800936B2 (ja)
EP (1) EP1387369A4 (ja)
JP (1) JP3666411B2 (ja)
KR (1) KR100862544B1 (ja)
WO (1) WO2002091405A1 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368428A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Sony Corp 高周波モジュール用基板装置、高周波モジュール装置及びこれらの製造方法
JP2004235647A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Endicott Interconnect Technologies Inc 積層キャリアを有するマルチチップ電子パッケージ及び該パッケージの組立体
JP2005072588A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Agere Systems Inc 半導体基体中に形成されたスパイラル形状インダクタ及びそのインダクタを形成するための方法
JP2006114814A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Fujikura Ltd 半導体装置
JP2006203166A (ja) * 2004-12-21 2006-08-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及び回路装置
JP2007208294A (ja) * 2007-04-27 2007-08-16 Hitachi Ltd Rfidタグ付きプリント基板
JP2009071016A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Ibiden Co Ltd 電子部品およびその製造方法
US7667951B2 (en) 2005-11-17 2010-02-23 Tdk Corporation Electronic component
KR100945622B1 (ko) * 2006-08-31 2010-03-04 후지쯔 가부시끼가이샤 전자 부품 모듈
JP2010245134A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Murata Mfg Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2017071171A (ja) * 2015-10-09 2017-04-13 セイコーエプソン株式会社 液体吐出装置およびヘッドユニット

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US20070176287A1 (en) * 1999-11-05 2007-08-02 Crowley Sean T Thin integrated circuit device packages for improved radio frequency performance
KR100369393B1 (ko) 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
JP2003087007A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Sony Corp 高周波モジュール基板装置
JP4318417B2 (ja) * 2001-10-05 2009-08-26 ソニー株式会社 高周波モジュール基板装置
US6873529B2 (en) * 2002-02-26 2005-03-29 Kyocera Corporation High frequency module
US6936921B2 (en) * 2002-11-11 2005-08-30 Kyocera Corporation High-frequency package
US6828514B2 (en) * 2003-01-30 2004-12-07 Endicott Interconnect Technologies, Inc. High speed circuit board and method for fabrication
CA2455024A1 (en) 2003-01-30 2004-07-30 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Stacked chip electronic package having laminate carrier and method of making same
JP4308073B2 (ja) * 2004-04-30 2009-08-05 アルプス電気株式会社 信号受信装置
SG119329A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-28 Fujikura Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2006108644A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Endicott Interconnect Technologies Inc スルーホールのスタブを減少した高速回路基板とその製造方法、およびこの基板を使用した情報処理システム
US7750434B2 (en) * 2005-01-31 2010-07-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit substrate structure and circuit apparatus
JP4185499B2 (ja) * 2005-02-18 2008-11-26 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置
KR101287813B1 (ko) 2005-03-31 2013-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 무선 칩 및 무선 칩을 갖는 전자 기기
US7742314B2 (en) * 2005-09-01 2010-06-22 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring board and capacitor
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
DE102006057332B4 (de) * 2006-12-05 2018-01-25 Infineon Technologies Ag Zusammenbau aufweisend ein Substrat und einen auf dem Substrat montierten Chip
US20080186123A1 (en) 2007-02-07 2008-08-07 Industrial Technology Research Institute Inductor devices
US7982297B1 (en) 2007-03-06 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same
US7977774B2 (en) 2007-07-10 2011-07-12 Amkor Technology, Inc. Fusion quad flat semiconductor package
US8018047B2 (en) * 2007-08-06 2011-09-13 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module including a multilayer substrate
US8154114B2 (en) * 2007-08-06 2012-04-10 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
TWI399139B (zh) * 2007-09-19 2013-06-11 Ind Tech Res Inst 彎繞線狀電感器及具有此彎繞線狀電感器的基板結構
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
US7847386B1 (en) 2007-11-05 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same
US7956453B1 (en) 2008-01-16 2011-06-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US7723852B1 (en) 2008-01-21 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8067821B1 (en) 2008-04-10 2011-11-29 Amkor Technology, Inc. Flat semiconductor package with half package molding
US7768135B1 (en) 2008-04-17 2010-08-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same
US7808084B1 (en) 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
US8125064B1 (en) 2008-07-28 2012-02-28 Amkor Technology, Inc. Increased I/O semiconductor package and method of making same
US8184453B1 (en) 2008-07-31 2012-05-22 Amkor Technology, Inc. Increased capacity semiconductor package
US7847392B1 (en) 2008-09-30 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with increased I/O
US7989933B1 (en) 2008-10-06 2011-08-02 Amkor Technology, Inc. Increased I/O leadframe and semiconductor device including same
JPWO2010041376A1 (ja) * 2008-10-08 2012-03-01 パナソニック株式会社 インターポーザ基板及び半導体装置
US8008758B1 (en) 2008-10-27 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe
US8089145B1 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including increased capacity leadframe
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US7875963B1 (en) 2008-11-21 2011-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O
US7982298B1 (en) 2008-12-03 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device
US8487420B1 (en) 2008-12-08 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device with film over wire
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US8058715B1 (en) 2009-01-09 2011-11-15 Amkor Technology, Inc. Package in package device for RF transceiver module
US9000558B2 (en) * 2009-01-19 2015-04-07 Broadcom Corporation Wafer-level flip chip package with RF passive element/ package signal connection overlay
US8026589B1 (en) 2009-02-23 2011-09-27 Amkor Technology, Inc. Reduced profile stackable semiconductor package
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8575742B1 (en) 2009-04-06 2013-11-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars
US8253234B2 (en) 2010-10-28 2012-08-28 International Business Machines Corporation Optimized semiconductor packaging in a three-dimensional stack
US8405998B2 (en) 2010-10-28 2013-03-26 International Business Machines Corporation Heat sink integrated power delivery and distribution for integrated circuits
US8427833B2 (en) * 2010-10-28 2013-04-23 International Business Machines Corporation Thermal power plane for integrated circuits
US8674485B1 (en) 2010-12-08 2014-03-18 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with downsets
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
DE102011089639A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsträger mit einer separaten HF-Schaltung und Verfahren zum Bestücken eines solchen Schaltungsträgers
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US8907227B2 (en) * 2012-08-02 2014-12-09 Hong Kong Science and Technology Research Institute Company Limited Multiple surface integrated devices on low resistivity substrates
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
KR101563911B1 (ko) 2013-10-24 2015-10-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
US9247647B1 (en) 2014-09-11 2016-01-26 Qualcomm Incorporated High quality factor inductor and high quality factor filter in package substrate or printed circuit board (PCB)
WO2016042990A1 (ja) 2014-09-18 2016-03-24 株式会社村田製作所 高周波部品
US20170236790A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-17 Semtech Corporation Semiconductor Device on Leadframe with Integrated Passive Component
JP6669132B2 (ja) * 2017-06-23 2020-03-18 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置および受信装置
US10700024B2 (en) * 2017-08-18 2020-06-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Fan-out semiconductor package
TWI698008B (zh) * 2018-08-31 2020-07-01 英屬開曼群島商鳳凰先驅股份有限公司 具能量轉換功能之集積化驅動模組及其製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3823469A1 (de) * 1988-07-11 1990-01-18 Bodenseewerk Geraetetech Filteranordnung
US5215866A (en) * 1989-08-09 1993-06-01 Avantek, Inc. Broadband printed spiral
US5483100A (en) * 1992-06-02 1996-01-09 Amkor Electronics, Inc. Integrated circuit package with via interconnections formed in a substrate
EP0943157A4 (en) * 1996-10-31 2000-05-24 Sarnoff Corp INTEGRATED ELECTRONIC CIRCUIT
US6005197A (en) * 1997-08-25 1999-12-21 Lucent Technologies Inc. Embedded thin film passive components
JP3381902B2 (ja) 1998-04-27 2003-03-04 株式会社村田製作所 コイル部品の製造方法
JP3646540B2 (ja) 1998-10-02 2005-05-11 富士ゼロックス株式会社 ローパスフィルタ
US6303423B1 (en) * 1998-12-21 2001-10-16 Megic Corporation Method for forming high performance system-on-chip using post passivation process
JP2000189937A (ja) * 1998-12-28 2000-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 環境評価装置
US6274937B1 (en) * 1999-02-01 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Silicon multi-chip module packaging with integrated passive components and method of making
US6218729B1 (en) * 1999-03-11 2001-04-17 Atmel Corporation Apparatus and method for an integrated circuit having high Q reactive components
JP4005762B2 (ja) * 1999-06-30 2007-11-14 株式会社東芝 集積回路装置及びその製造方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4604398B2 (ja) * 2001-06-11 2011-01-05 ソニー株式会社 高周波モジュール用基板装置、高周波モジュール装置及びこれらの製造方法
JP2002368428A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Sony Corp 高周波モジュール用基板装置、高周波モジュール装置及びこれらの製造方法
JP2004235647A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Endicott Interconnect Technologies Inc 積層キャリアを有するマルチチップ電子パッケージ及び該パッケージの組立体
JP2005072588A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Agere Systems Inc 半導体基体中に形成されたスパイラル形状インダクタ及びそのインダクタを形成するための方法
JP2006114814A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Fujikura Ltd 半導体装置
JP2006203166A (ja) * 2004-12-21 2006-08-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及び回路装置
US7667951B2 (en) 2005-11-17 2010-02-23 Tdk Corporation Electronic component
KR100945622B1 (ko) * 2006-08-31 2010-03-04 후지쯔 가부시끼가이샤 전자 부품 모듈
US8345438B2 (en) 2006-08-31 2013-01-01 Fujitsu Limited Electronic part module and method of making the same
JP2007208294A (ja) * 2007-04-27 2007-08-16 Hitachi Ltd Rfidタグ付きプリント基板
JP2009071016A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Ibiden Co Ltd 電子部品およびその製造方法
US8193894B2 (en) 2009-04-02 2012-06-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and method of manufacturing same
JP2010245134A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Murata Mfg Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2017071171A (ja) * 2015-10-09 2017-04-13 セイコーエプソン株式会社 液体吐出装置およびヘッドユニット
US10493755B2 (en) 2015-10-09 2019-12-03 Seiko Epson Corporation Driving circuit for capacitive load

Also Published As

Publication number Publication date
EP1387369A4 (en) 2009-08-19
KR100862544B1 (ko) 2008-10-09
US6800936B2 (en) 2004-10-05
JP3666411B2 (ja) 2005-06-29
KR20030041951A (ko) 2003-05-27
EP1387369A1 (en) 2004-02-04
WO2002091405A1 (en) 2002-11-14
US20030148739A1 (en) 2003-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3666411B2 (ja) 高周波モジュール装置
JP4318417B2 (ja) 高周波モジュール基板装置
US7741162B2 (en) Method for manufacturing high-frequency module device
US6714422B2 (en) High frequency module device and method for its preparation
US7599190B2 (en) High-frequency module, and method of producing same
US7199457B2 (en) Thin film circuit board device and its manufacturing method
US20040130877A1 (en) Substrate for high-frequency module and high-frequency module
US7064630B2 (en) High-frequency module and its manufacturing method
WO2003047325A1 (fr) Bloc-circuit haute frequence, procede permettant de le produire, dispositif modulaire haute frequence et procede permettant de le produire
JP2003264348A (ja) 高周波モジュール
JP2002280745A (ja) 高周波モジュール装置及びその製造方法
JP4211378B2 (ja) キャパシタ素子
JP4595240B2 (ja) 高周波モジュール基板装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040615

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040810

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050315

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050328

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 3666411

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080415

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090415

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090415

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100415

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100415

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110415

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120415

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130415

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130415

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250