WO2002061943A1 - Dispositif saw et son procede de fabrication - Google Patents

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WO2002061943A1
WO2002061943A1 PCT/JP2002/000498 JP0200498W WO02061943A1 WO 2002061943 A1 WO2002061943 A1 WO 2002061943A1 JP 0200498 W JP0200498 W JP 0200498W WO 02061943 A1 WO02061943 A1 WO 02061943A1
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metal film
electrode
idt electrode
saw device
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PCT/JP2002/000498
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Takashi Inoue
Satoshi Matsuo
Akihiko Nanba
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Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave (S AW) device used for wireless communication devices and the like, and a method for manufacturing the same.
  • S AW surface acoustic wave
  • FIG. 10 is an enlarged sectional view of a main part of the SAW device.
  • the device includes a piezoelectric substrate 1 made of a single crystal such as lithium tantalate, and an interdigital transducer (IDT) electrode 2 formed on the surface of the piezoelectric substrate 1.
  • the IDT electrode 2 is composed of an upper layer 5 and a lower layer 3 made of an aluminum alloy containing both titanium and the like, and Cu, Si, Ge which can inhibit the growth of aluminum alloy crystal grains and suppress local battery corrosion. And an intermediate layer 4 formed by the above method.
  • the uppermost layer of the IDT electrode 2 is made of an aluminum alloy, aluminum is corroded and the IDT electrode 2 is deteriorated when exposed to a long-term high-humidity atmosphere. Disclosure of the invention
  • the device includes a piezoelectric substrate, an interdigital transducer (IDT) electrode provided on a first surface of the piezoelectric substrate, and a resin coating covering the IDT electrode.
  • the resin material of the resin coating has a chlorine ion concentration of 50 p after being left for 120 hours in a pure water solvent with a mass of 10 times that of the resin (at 2 atmospheres). pm or less.
  • FIG. 1 is a sectional view of a SAW device according to Embodiments 1 to 9 of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of the Saw device according to the first to fifth embodiments.
  • FIG. 3 is a sectional view of the SAW device according to the first to eighth embodiments.
  • FIG. 4 is a sectional view of the SAW device according to the first to eighth embodiments.
  • FIG. 5 is a sectional view of the SAW device according to the first to eighth embodiments.
  • FIG. 6 is a sectional view of the SAW device according to the sixth embodiment.
  • FIG. 7 is an enlarged sectional view of a main part of the SAW device according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is an enlarged sectional view of a main part of the SAW device according to the eighth embodiment.
  • FIG. 9 is a sectional view of another SAW device according to the eighth embodiment.
  • FIG. 10 is an enlarged sectional view of a main part of a conventional SAW device.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a surface acoustic wave (S AW) device according to Embodiment 1
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the S AW device shown in FIG. 1
  • FIGS. 3 to 5 are S AW devices shown in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view for describing the manufacturing process.
  • S AW surface acoustic wave
  • the SAW device has a SAW element 14.
  • the S AW element 14 is composed of a piezoelectric substrate 10 that propagates a surface acoustic wave, an interdigital transducer (IDT) electrode 11 that is provided on the surface thereof, and an IDT electrode that excites the surface acoustic wave. 1 Reflection placed on both sides of 1 Device electrode 12 and pad electrode 13 electrically connected to IDT electrode 11.
  • IDT electrode interdigital transducer
  • a substrate on which a piezoelectric thin film material such as zinc oxide or aluminum nitride is provided can be used.
  • the thickness of the piezoelectric substrate 10 is 350 m.
  • the IDT electrode 11 includes a first metal film 11 1 and a second metal film 11 2 laminated thereon.
  • the first metal film 111 is formed of aluminum or an aluminum alloy (for example, A1: 9.9 wt%, Cu: 1 wt%), and has a thickness of 340 nm.
  • titanium is used for the second metal film 112.
  • the present invention is not limited to this, and at least one of Ti, Zr, Nb, Ta, W, V, and ⁇ is used. It may be formed of one type, and its thickness is 10 nm.
  • the reflector electrode 12 and the pad electrode 13 have the same two-layer structure as the IDT electrode 11.
  • the circuit board 26 has a surface electrode 23 on the front surface and a terminal electrode 25 on the back surface.
  • the via electrode 24 provided in the through hole formed in the circuit board 26 connects the surface electrode 23 and the terminal electrode 25.
  • the circuit board 26 is formed of a glass epoxy substrate, a Teflon-based substrate, a polyimide-based substrate, a film-like substrate, or a ceramic substrate such as alumina.
  • the S AW element 14 has a pad electrode 13 and a surface electrode 23 connected to each other via a protruding electrode 20 and is fixed to the surface of the circuit board 26.
  • the protruding electrode 20 is formed of a conductive material such as gold, tin, lead, copper, silver, nickel, or an alloy mainly containing at least one of them.
  • the resin coating 21 may touch a part of the electrode 11.
  • the resin coating 21 has an insulating property, and is capable of forming a vibration space 22 without peeling off at a bonding surface with the piezoelectric substrate 10, an epoxy resin, a silicone resin, a urethane resin, an acrylic resin, or the like. It is formed of a hybrid resin. Fillers such as silicon dioxide, magnesium oxide, and aluminum oxide may be mixed with the resin to control the coefficient of thermal expansion. In the first embodiment, resin coating 21 is performed with an epoxy resin.
  • a first metal film 111 is formed on almost the entire surface of the large-sized piezoelectric substrate wafer 10A by sputtering, and a second metal film 112 is formed thereon in the same manner. You.
  • first metal film 111 and the second metal film 112 are formed by a sputtering method, but instead of the sputtering method, an electron beam evaporation method or a vacuum heating evaporation method is used. It may be formed by a method. Similar electrodes 11 and 12 can be obtained by using the lift-off method instead of the RIE method.
  • etching in a direction perpendicular to the side wall proceeds.
  • the side wall of the IDT electrode 11 does not become perpendicular to the piezoelectric substrate 10 and has a forward taper or a reverse taper, or a gap between the first metal film 11 1 and the second metal film 11 2. It may be convex at the interface or vice versa. In any case, the effect of the present invention is not significantly affected.
  • the protruding electrode 20 is formed on the pad electrode 13. Thereafter, the piezoelectric substrate wafer 10 is divided, and the SAW element 14 shown in FIG. 3 is obtained.
  • the SAW element 14 is mounted on the circuit board 26 while applying a supersonic wave. Since bonding is performed by ultrasonic waves, the surface of the surface electrode 23 and the protruding electrode 20 are formed of gold.
  • the sheet-like resin 21 is bonded to the circuit board wafer 26A from above the SAW element 14 so that the resin 21 enters the gap between the adjacent piezoelectric substrates 10 as shown in FIG. It is cured while being subjected to pressure and heat treatment. At this time, processing is performed so that the resin of the resin coating 21 does not contact the IDT electrode 11 as much as possible.
  • the method for forming the resin coating 21 is not limited to this, and the resin may be applied and cured using a dispenser or the like. Also in this case, similarly, the resin coating 21 uses a high-viscosity resin and is treated so that the resin does not contact the IDT electrode 11 as much as possible.
  • circuit board wafer 26A is cut into a desired shape, and the S AW device shown in FIG. 5 is obtained.
  • Resin coating 21 usually contains corrosive chlorine ions and organic acids with respect to aluminum constituting IDT electrode 11. Therefore, if the SAW device is left for a long time under high temperature and high humidity, moisture will be generated around the IDT electrode 11 by permeating the inside of the resin coating 21 from the outside. At this time, the chlorine ions in the resin coating 21 dissolve in this water, so that the water around the IDT electrode 11 becomes acidic. Therefore, depending on the combination of the first metal film 11 1 and the second metal film 112 constituting the IDT electrode 11, different metal contact corrosion occurs due to their battery effect. As a result, the side wall of the first metal film 121, that is, the portion not covered with the second metal film 121 is corroded.
  • the resin coating 21 need not be a resin of the type described above, but must be formed of a resin having a low chlorine ion content that causes corrosion of the IDT electrode 11.
  • Table 2 shows the evaluation results.
  • the SAW device was subjected to a high-temperature and high-humidity test at a temperature of 85 ° C and a humidity of 85% for 100 hours.
  • resin materials A and B having a chlorine ion concentration of 62 ppm or less were used.
  • B and C all were good.
  • IDT electrode 11 has a two-layer structure. Similarly, in a SAW device having an IDT electrode with a single-layer structure made of aluminum or aluminum alloy, a SAW device with excellent moisture resistance can be obtained by using a resin with a chloride ion concentration of 50 ppm or less in the PCT. Obtainable. However, when the IDT electrode 11 has a two-layer structure, it is possible to obtain a Saw device having even more excellent moisture resistance.
  • the structure of the surface acoustic wave (SAW) device according to the second embodiment is the same as that of the SAW device according to the first embodiment, and is manufactured by a similar manufacturing method.
  • resin 21 has a chloride ion concentration of 50 ppm or less at Presure Cooker Test (PCT) and bromine at PCT. A plurality of types of resins having different ion concentrations were evaluated.
  • the resin 2 As in the first embodiment the resin 2 1, with pure water of 1 0-fold the mass of resin, 1 20 ° C, and left standing 2 0 hours under the condition of 2. 0 3 X 1 0 5 P a .
  • Table 3 shows the chlorine and bromine ion concentrations of this solution analyzed by ion chromatography.
  • the resin coating 21 covering the S AW element 14 has not only a chlorine ion concentration of 50 ⁇ pm or less but also a bromide ion concentration of 150 p pm or less in Presure Cooker Test (P CT).
  • P CT Presure Cooker Test
  • S AW surface acoustic wave
  • the second metal film 112 of the interdigital transducer (IDT) electrode 11 is formed not of titanium but of tantalum, and otherwise the same as in the first embodiment. It is manufactured by the same manufacturing method.
  • PresusCoolCookerTest (PCT) described in the first embodiment was performed on 100 SAW devices. Table 5 shows the results.
  • Resin material E 3 2 As shown in Table 5, in the SAW device of the present embodiment, all non-defective resin materials A, B, C, and D having a chloride ion concentration of 60 ppm or less were available.
  • the Saw device of the third embodiment has improved moisture resistance as compared with the Saw devices of the first and second embodiments.
  • the standard electrode potential of titanium is closer to aluminum than tantalum, and the difference between titanium and aluminum is smaller than the difference between standard electrode potentials between tantalum and aluminum.
  • the second metal film 112 using the evening metal was more likely to cause the dissimilar metal contact corrosion than titanium, and the moisture resistance of the combination of tantalum and aluminum was worse than that of titanium.
  • titanium is the force sword and Al-Cu alloy is the anode.
  • Al-Cu alloy is the anode.
  • the A 1 —Cu alloy on the anode loses electrons and is corroded.
  • the electrode potential difference between aluminum, which has a known standard electrode potential, and Al—Cu alloy was found that the A1-Cu alloy shifted to the positive side by about 0.1 to 0.2 V (hereinafter, the positive side is called the noble side and the negative side is called the base side) than aluminum.
  • the electrode potential in an environment where the SAW filter is placed in the order of aluminum, A 1 — Cu alloy, tantalum, and titanium is noble. I found it.
  • the difference between the electrode potentials of aluminum and titanium is 0.45 to 0.65 V larger than the value known in the literature.
  • the Saw device of the third embodiment is more excellent in moisture resistance than the Saw devices of the first and second embodiments.
  • the second metal film 111 may be formed of Zr, Nb, W, V, or Mn.
  • the environment in which the SAW device is placed with the metal of the first metal film 111 is placed. A metal with a smaller electrode potential difference underneath can suppress corrosion and realize a SAW device with excellent moisture resistance.
  • the surface acoustic wave (SAW) device is the same as the SAW device according to the first embodiment, except that the second metal film 112 of the interdigital transducer (IDT) electrode 11 is One of Zr, Nb, Cr, W, V, Mn, Pt, Au, and Pd is used.
  • the resin material of the resin coating 21 the resin material B of the first embodiment or the resin material I of the second embodiment was used.
  • the manufacturing method is the same as in the first embodiment.
  • the second metal film 112 is formed of a metal which has high moisture resistance by itself and serves as a force source for aluminum or an aluminum alloy constituting the first metal film 111. You.
  • the 100 SWW devices of the fourth embodiment were subjected to the Presure Cooker Test (PCT) and the high-temperature and high-humidity test of the first embodiment.
  • the Saw device in which the second metal film 112 was composed of Zr, Nb, W, V, Cr, and Mn was a good product regardless of the resin material.
  • the electrode potential difference between the second metal film 112 and the first metal film 111 is large. Then, the side of the first metal film 111 corroded, and the characteristics of the SAW device deteriorated.
  • the second metal film 112 is formed of Ti, Zr,
  • a device with further improved moisture resistance can be obtained by using any one of Nb, Ta, W, V, Cr, and Mn. (Embodiment 5)
  • the surface acoustic wave (S AW) device of the fifth embodiment has the same structure as that of the device of the first embodiment, but the second metal forming the interdigital transducer (IDT) electrode 11
  • the compositions of the membranes 1 1 and 2 are different. That is, the second metal film 112 is formed of an aluminum alloy containing 30 wt% of titanium.
  • the electrode potential difference of the metal constituting the first metal film 11 1 and the second metal film 1 12 is 0.15 to 0.25 V smaller than that of the first embodiment. it can. As a result, corrosion of dissimilar metals can be reduced, and a SAW device having excellent moisture resistance can be obtained.
  • the electrode potential difference between the metals is measured by the method described in the third embodiment.
  • the mass of the second metal film 1 1 2 is equal to the second metal film 1 of the first and third embodiments. Compared to 12 respectively, they are small, about 72% and about 19.5%, respectively. As a result, when the IDT electrode 11 having the same mass as in the first and third embodiments is formed, the thickness of the first metal film 11 1 can be increased, and the resistance of the IDT electrode 11 can be reduced. Therefore, the insertion loss of the SAW device can be reduced.
  • the yield of the SAW device can be improved by making the IDT electrode 11 thicker. This is because the characteristics of the SAW device change depending on the mass of the IDT electrode 11. For example, the smaller the specific gravity of the metal forming the IDT electrode 11 is, the thicker the IDT electrode 11 can be, and the error in film formation accuracy due to spattering or the like can be reduced, so that the yield is improved.
  • an A 1 —Ti alloy containing 30% by mass of titanium is used for the second metal film 112.
  • the present invention is not limited to this, and a metal having a different mass ratio of titanium or an aluminum alloy containing at least one kind of Zr, Nb, Ta, W, V, Cr, Mn is used for the second metal film 112. Thereby, the above-described effects can be obtained.
  • FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part of a surface acoustic wave (S AW) device according to the sixth embodiment.
  • the SAW device according to the sixth embodiment has the same configuration as the device according to the first embodiment except that the configuration of an interdigital transducer (IDT) electrode 11 is different.
  • IDT interdigital transducer
  • the IDT electrode 11 includes a metal forming the first metal film 1 1 1 at an interface between the first metal film 1 1 1 and the second metal film 1 1 2. And a metal alloy layer 114 constituting the second metal film 112.
  • the first metal film 111 is an alloy layer having a thickness of 340 nm containing aluminum as a main component, for example, an alloy of 9.9 wt% and 11: 1% of aluminum and copper, respectively. Is the second metal film 1 1 2 titanium Become.
  • the alloy layer 114 is formed of an alloy composed of aluminum as the main component of the first metal film 111 and titanium as the second metal film 112.
  • a first metal film 111 mainly composed of aluminum or aluminum and a second metal film 112 composed of titanium are sequentially formed on the piezoelectric substrate 10 in this order by a sputtering method.
  • a predetermined resist pattern is formed on the second metal film 112 using a photolithography technique.
  • the second metal film 112 and the first metal film 111 are etched in this order by Reactive Ion Etching (RIE), and the resist pattern is etched and removed by oxygen plasma or the like.
  • RIE Reactive Ion Etching
  • an IDT electrode 11, a reflector electrode 12, and a pad electrode 13 as shown in FIG. 6 are obtained.
  • the piezoelectric substrate 10 on which the IDT electrodes 11 are formed is heated, and the main component aluminum of the first metal film 111 and the main component titanium of the second metal film 112 are mutually thermally diffused.
  • An alloy layer 114 containing aluminum and titanium is formed at the interface between the first metal film 111 and the second metal film 112.
  • the above heating is usually performed in a temperature range of 150 ° C. (: up to 500 ° C., preferably in a temperature range of 150 ° C. to 350 ° C.
  • the heating temperature is 150 ° C.
  • Aluminum and titanium do not effectively diffuse heat when the temperature is lower than ° C.500 X: Since the superheating temperature is close to the melting point of aluminum at 600 ° C, IDT electrode 11 with stable characteristics can be obtained. I can't.
  • the above-mentioned heating is preferably performed at 150 ° C. (up to 350 ° C.)
  • pyroelectric breakdown may not occur even if the pattern is heated further. Subsequent steps are the same as in the first embodiment.
  • the S AW device according to the sixth embodiment, the S AW device according to the first embodiment, and a S AW device (comparative example) having an IDT electrode 11 of one layer of an aluminum alloy doped with 1 wt% of copper are described in the first embodiment.
  • the Precook Cooker Test (PCT) performed in Section 2 was performed to evaluate the change in input loss.
  • those S AW devices whose center frequency is 942.5 MHz and whose insertion loss deterioration exceeds 0.3 dB after 40 hours are regarded as defective products. evaluate. Each 100 were evaluated.
  • the S AW device of the sixth embodiment has a smaller change in insertion loss and is more excellent in moisture resistance than the S AW device of the first embodiment.
  • the IDT electrode 11 after the evaluation was observed with a scanning electron microscope, and the SAW device according to the sixth embodiment was compared with the SAW device according to the first embodiment. It was confirmed that there was little corrosion on the side of 1 1 1.
  • the discontinuous electrode potential difference at the interface between the first metal film 11 1 and the second metal film 11 2 Occurs. Therefore, when acidic moisture is present around the IDT electrode 11, the first metal film 121 near the interface is significantly affected by dissimilar metal contact corrosion, and corrodes violently.
  • an alloy formed by thermally diffusing the main components of each other at the interface between the first metal film 121 and the second metal film 122 is used. The layer prevents discontinuous electrode potential differences from occurring, Dissimilar metal contact corrosion can be reduced.
  • the second metal film 112 is formed of titanium.
  • Zr, Nb, Ta, W, V, and Mn are used instead of titanium.
  • the heat treatment is performed after the formation of the IDT electrode 11.
  • the electrode may be subjected to a heat treatment also as a heat curing treatment step for the resin coating 21.
  • the heating temperature is within the range of i cc s s oo, deterioration of the characteristics of the SAW device due to pyroelectric breakdown is suppressed.
  • a surface acoustic wave (SAW) device will be described with reference to FIGS. 1, 3, 5, and 7.
  • FIG. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • IDT electrode 11 in the second embodiment has a three-layer structure. That is, the third metal film 113 in contact with the piezoelectric substrate 10 is formed of at least one of Ti, Zr, Nb, Ta, W, V, and ⁇ , and has a thickness of 10 nm. is there.
  • the first metal film 111 formed thereon is made of aluminum or an aluminum alloy of, for example, 99 wt% and 1 wt% of aluminum and copper, respectively, and has a thickness of 340 nm.
  • the second metal film 1 1 2 formed on the first metal film 1 1 1 has at least one of Ti, Zr, Nb, Ta, W, V and ⁇ The thickness is 10 nm.
  • a third metal film 113, a first metal film 111, and a second metal film 112 are sequentially formed on almost the entire surface of the piezoelectric substrate 10 by a sputtering method.
  • a predetermined resist pattern is formed on second metal film 112 by photolithography.
  • the second metal film 112, the first metal film 111, and the third metal film 113 are etched in this order by the Reacti Ve. Ion Etching (RIE) method, and the resist is etched.
  • the pattern is removed by ashing using oxygen plasma or the like, and the IDT electrode 11, the reflector electrode 12, and the pad electrode 13 shown in FIG. 7 are obtained.
  • the subsequent steps are the same as in the first embodiment.
  • the SAW device according to the present embodiment, the SAW device according to the first embodiment, and a SAW device in which an IDT electrode is constituted by an aluminum alloy layer containing 1 wt% of copper (hereinafter referred to as a comparative example) Presure Cooker Test (PCT) performed in 1 was performed.
  • Each S AW device is a S AW filter having a center frequency of 942.5 MHz as in the first embodiment.
  • the S AW device of the seventh embodiment has a smaller change in insertion loss and is more excellent in moisture resistance than the S AW device of the first embodiment.
  • a high-temperature and high-humidity test with a temperature of 85 t and a humidity of 85% was performed for 100 hours, and the same result was obtained.It was found that the S AW device of Embodiment 7 was extremely excellent in moisture resistance. .
  • the crystal orientation of the first metal film 111 is improved.
  • the crystal orientation of the first metal film 111 of the SAW device in the seventh embodiment and the first metal film 111 of the first embodiment by the X-ray diffraction method While the first metal film 111 of the SAW device was oriented on the (111) plane, the orientation of the first metal film 111 of the first embodiment is a random crystal orientation. It was found that it was a polycrystalline material.
  • the SAW device according to the seventh embodiment has the third metal film 113 under the first metal film 111, so that the crystal orientation of the first metal film 111 is improved. As a result, the corrosion of the crystal grain boundaries caused by the local battery effect can be reduced, and the Saw device has more excellent moisture resistance.
  • the third metal film 113 is a single layer.
  • the present invention is not limited to this.
  • the third metal film 113 (or the second metal The metal film 1 1 2), the first metal film 1 1 1, the third metal film 1 1 3, the first metal film 1 1 1 3, the same effect can be obtained. (Embodiment 8)
  • FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a surface acoustic wave (SAW) device according to Embodiment 8, and the same components as those in FIG.
  • SAW surface acoustic wave
  • the first digital transducer (IDT) electrode 11 provided on the piezoelectric substrate 10 of the SAW device according to the eighth embodiment has a third metal film 113 and a first metal film 111.
  • 1 has an alloy layer 1 15 composed of each main component, and an alloy layer 1 1 4 composed of each main component between the first metal film 1 1 1 and the second metal film 1 1 2. It differs from the S AW device of Embodiment 7 in that it has
  • the first metal film 111 is an alloy layer mainly composed of aluminum and having a thickness of 320 nm and contains, for example, 99 wt% and 1 wt% of aluminum and copper, respectively.
  • the second metal film 112 and the third metal film 113 are made of titanium having a thickness of 10 nm. Therefore, the alloy layers 114 and 115 are formed of an alloy of aluminum and titanium.
  • a third metal film 113 made of titanium, a first metal film 111 made mainly of aluminum or aluminum, and a second metal film made of titanium are formed on the piezoelectric substrate 10 by sputtering. 1 1 and 2 are sequentially formed in this order.
  • a predetermined resist pattern is formed on second metal film 112 by photolithography.
  • the second metal film 112, the first metal film 111, and the third metal film 113 are etched in this order by a reactive ion etching (RIE) method. Is removed by oxygen plasma or the like. Then, the IDT electrode 11, the reflector electrode 12, and the pad electrode 13 shown in FIG. 8 are formed.
  • RIE reactive ion etching
  • the piezoelectric substrate 10 on which the IDT electrode 11 is formed is heated, Aluminum and titanium mutually thermally diffuse between the first metal film 111 and the third metal film 113 between the first metal film 111 and the second metal film Alloy layers 114 and 115 of titanium and titanium are formed, respectively.
  • the heating temperature at this time is usually in the range of 150 ° C to 500 ° C, and preferably in the range of 150 ° C to 350 ° C. Subsequent steps are the same as in the seventh embodiment.
  • This S AW device and the S AW devices of Embodiments 6 and 7 and the S AW device having an IDT electrode of a single layer of aluminum alloy containing 1 wt% of copper (Comparative Example) Presure Cooker in Embodiment 1 T est (PCT) was performed. Specifically, to evaluate the devices 2. 0 3 X 1 0 5 P a, changes in left insertion loss 40 hours humidity 1 0 0% state. As in the first embodiment, the SAW device is a filter with a center frequency of 942.5 MHz, and if the deterioration of the insertion loss after 40 hours exceeds 0.3 dB, it is determined to be defective. 100 were evaluated.
  • the IDT electrode of the SAW device according to the third, sixth, and seventh embodiments showed that the first metal film 111 mainly composed of aluminum was used as the IDT electrode. Corrosion of aluminum, which is the main component, was confirmed on the side surface of. On the other hand, no corrosion was confirmed in the SAW device of the eighth embodiment, and it was found that the device was further excellent in moisture resistance.
  • the SAW element 14 has the resin coating 21 so as to cover the outer periphery thereof, and is sealed while securing the vibration space of the IDT electrode 11. As shown in FIG.
  • the IDT electrode 11 The same effect can be obtained even if the resin lid 27 is provided on the surface of the piezoelectric substrate 10 so as to cover the upper space. That is, when the space for sealing the SAW element 14 is formed of resin, or when the resin is present in the closed space, it is desirable to use a resin having a chlorine ion concentration of 50 ppm or less in PCT. Furthermore, by mixing the filler with the resin, the distance of movement of moisture entering the vibration space of the IDT electrode 11 from the outer periphery of the SAW device via the resin coating 21 inside the resin coating 21 is increased. It becomes. Therefore, the water absorption of the resin coating 21 decreases.
  • the resin containing filler has the same IDT electrode 11 even when the chlorine-bromine ion concentration is the same. Since the amount of water reaching the periphery is small, the moisture resistance of the device can be improved.
  • the resin coating covering the interdigital transducer electrode is formed of the resin material of the present invention, a S AW device having excellent moisture resistance can be obtained.

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Description

明細書
S AWデバイス及びその製造方法 技術分野
本発明は無線通信機器等に使用される弾性表面波 （S AW) デバイ ス及びその製造方法に関する。 背景技術
特開平 1 1一 1 6 3 6 6 1号公報に従来の弾性表面波 （SAW) デ パイスが開示されている。 図 1 0はその S AWデバイスの要部拡大断 面図である。 そのデバイスはタンタル酸リチウムなどの単結晶からな る圧電基板 1と、 圧電基板 1の表面に形成されたィンタ一ディジタル トランスデューサ （ I DT) 電極 2とを備える。 I DT電極 2は、 共 にチタンなどを含有するアルミニウム合金製の上層 5と下層 3と、 ァ ルミニゥム合金結晶粒の成長を阻止できかつ局部電池腐食を抑制でき る C u、 S i , G e等で形成した中間層 4とを備える。
I D T電極 2の最上層はアルミニウム合金であるため、 長期的に湿 度の高い雰囲気中に曝されるとアルミニウムが腐食し I DT電極 2が 劣化する。 発明の開示
耐湿性に優れた弾性表面波 （S AW) デバイスを提供する。 そのデ バイスは圧電基板と、 圧電基板の第 1面に設けられたィンターディジ タルトランスデューサ （ I DT) 電極と、 I DT電極を覆う樹脂被覆 とを備える。 樹脂被覆の樹脂材料はその 1 0倍の質量の純水の溶媒中 に 1 2 0° (：、 2気圧の条件下で 2 0時間放置された後での溶媒の塩素 イオン濃度が 5 0 p pm以下である。 図面の簡単な説明
図 1は本発明の実施の形態 1〜 9における S AWデバイスの断面図 である。
図 2は実施の形態 1〜 5における S A Wデバイスの要部拡大断面図 である。
図 3は実施の形態 1〜 8における S AWデバイスの断面図である。 図 4は実施の形態 1〜 8における S AWデバイスの断面図である。 図 5は実施の形態 1〜 8における S AWデバイスの断面図である。 図 6は実施の形態 6における S AWデバイスの断面図である。
図 7は実施の形態 1における S AWデバイスの要部拡大断面図であ る。
図 8は実施の形態 8における S AWデバイスの要部拡大断面図であ る。
図 9は実施の形態 8における別の S AWデバイスの断面図である。 図 1 0は従来の SAWデバイスの要部拡大断面図である。 発明を実施するための最良の形態
(実施の形態 1 )
図 1は実施の形態 1における表面弹性波 （S AW) デバイスの断面 図、 図 2は図 1に示す S AWデバイスの要部拡大断面図、 図 3〜図 5 は図 1に示す S AWデバイスの製造工程を説明するための断面図であ る。
実施の形態 1における S A Wデバイスは S AW素子 1 4を有する。 S AW素子 1 4は弾性表面波を伝播する圧電基板 1 0と、 その表面に 設けられた、 弾性表面波を励振するィンターディジタルトランスデュ ーサ （ I DT) 電極 1 1 と、 I DT電極 1 1の両側に配置された反射 器電極 1 2と、 I D T電極 1 1と電気的に接続されたパッド電極 1 3 とを有する。 圧電基板 1 0には本実施の形態ではタンタル酸リチウム を用いたが、 他にもニオブ酸リチウム、 水晶、 ニオブ酸カリウム、 ラ ンガサイ 卜等の単結晶圧電材料や、 シリコン、 サファイア、 ガラス等 の上に酸化亜鉛、 窒化アルミニウム等の圧電性を有する薄膜材料が設 けられた基板を用いることができる。 圧電基板 1 0の厚みは 3 5 0 mである。 I D T電極 1 1は、 図 2に示すように第 1の金属膜 1 1 1 とその上に積層された第 2の金属膜 1 1 2とを備える。 第 1の金属膜 1 1 1はアルミニウム、 またはアルミニウム合金 （例えば A 1 : 9 9 w t % , C u ： 1 w t % ) で形成され、 その厚みは 3 4 0 n mである。 第 2の金属膜 1 1 2は、 本実施の形態においてはチタンを用いたが、 これに限らず T i、 Z r , N b， T a , W， V、 Μ ηのうちから少な くとも一種類で形成されても良く、 その厚みは 1 0 n mである。 反射 器電極 1 2、 パッ ド電極 1 3は I D T電極 1 1 と同様の二層構造を有 する。
回路基板 2 6はその表面に表層電極 2 3を、 裏面に端子電極 2 5を 有する。 回路基板 2 6に形成された貫通孔に設けられたビア電極 2 4 は表層電極 2 3と端子電極 2 5とを接続している。 回路基板 2 6は、 ガラスエポキシ基板、 テフロン系の基板、 ポリイミ ド系の基板、 フィ ルム状基板、 あるいはアルミナ等のセラミック基板で形成される。
S A W素子 1 4はパッド電極 1 3と表層電極 2 3とが突起電極 2 0 を介して接続されて回路基板 2 6の表面に固定されている。 突起電極 2 0は、 金、 すず、 鉛、 銅、 銀、 ニッケルあるいはそれらの少なくと も一つを主成分とする合金など、 導電性材料で形成される。
I D T電極 1 1の振動空間 2 2となる部分を除いて、 S A W素子 1 4の外周部及び圧電基板 1 0と回路基板 2 6の間が樹脂被覆 2 1で被 覆される。 ただし、 所望の特性が得られる範囲内においては、 I D T 電極 1 1の一部に樹脂被覆 2 1の樹脂材料が触れていても良い。
樹脂被覆 2 1は絶縁性を有し、 圧電基板 1 0との接合面で剥離せず 振動空間 2 2を形成できるエポキシ系樹脂、 シリコーン系樹脂、 ウレ タン系樹脂、 アクリル系樹脂、 あるいはそれらの混成樹脂で形成され る。 熱膨張係数を制御するために二酸化ケイ素、 酸化マグネシウム、 酸化アルミニウム等のフィラーが樹脂に混合されてもよい。 実施の形 態 1においてはエポキシ系樹脂で樹脂被覆 2 1がされる。
次に、 実施の形態 1の S AWデバイスの製造方法を説明する。
まず、 大板状の圧電基板ウェハ 1 0 Aのほぼ表面全体にスパッタリ ング法により第 1の金属膜 1 1 1が形成され、 この上に同様にして第 2の金属膜 1 1 2が形成される。
次にフォトリソグラフィ技術で、 第 2の金属膜 1 1 2上に所定のレ ジストパターンが形成される。 次いで R e a c t i v e I o n E t c h i n g ( R I E ) 法により第 2の金属膜 1 1 2、 第 1の金属膜 1 1 1がこの順でエッチングされ、 レジストパターンが酸素プラズマ 等によりアツシング除去されて、 図 2に示す I D T電極 1 1、 反射器 電極 1 2、 パッド電極 1 3が得られる。 実施の形態 1においては、 第 1の金属膜 1 1 1と第 2の金属膜 1 1 2はスパッ夕法で形成されるが、 スパッ夕法の代わりに電子ビーム蒸着法、 あるいは、 真空加熱蒸着法 で形成されてもよい。 R I E法の代わりにリフトオフ法を用いても同 様の電極 1 1、 1 2が得られる。 R I E法により第 2の金属膜 1 1 2、 第 1の金属膜 1 1 1の順でエッチングを行う際には、 一般的にサイ ド エッチングと呼ばれる側壁に垂直な方向へのエツチングが進行する。 その影響で I D T電極 1 1の側壁が圧電基板 1 0に対し垂直にならず、 順テーパあるいは逆テーパがついたり、 あるいは第 1の金属膜 1 1 1 と第 2の金属膜 1 1 2との界面を境に凸状或いはその逆の形状になる ことがある。 何れの場合も本発明の効果には大きな影響を及ぼさない。 次に、 パッ ド電極 1 3上に突起電極 2 0が形成される。 その後、 圧 電基板ウェハ 1 0が分割されて、 図 3に示す S A W素子 1 4が得られ る。 そして図 4に示すように、 突起電極 2 0を回路基板 2 6の表層電 極 2 3に接合することにより、 回路基板 2 6に S A W素子 1 4が超音 波を印加しながら実装される。 超音波により接合するため、 表層電極 2 3の表面及び突起電極 2 0は金で形成される。
次に、 シート状の樹脂 2 1が S A W素子 1 4の上から回路基板ゥェ ハ 2 6 Aに貼り合わされ、 図 5に示すように、 隣接する圧電基板 1 0 との隙間に進入するように加圧及び加熱処理されながら硬化される。 この時、 I D T電極 1 1に樹脂被覆 2 1の樹脂ができるだけ接触しな いように処理される。 樹脂被覆 2 1の形成方法はこれに限るものでは なく、 ディスペンサー等を用いて樹脂を塗布、 硬化しても良い。 この 場合も同様に樹脂被覆 2 1は粘度の高い樹脂を使用し、 I D T電極 1 1に樹脂ができるだけ接触しないように処理される。
その後、 回路基板ウェハ 2 6 Aが所望の形状に切断され、 図 5に示 す S AWデバイスが得られる。
樹脂被覆 2 1は、 I D T電極 1 1を構成するアルミニウムに対して、 腐食性のある塩素イオンや有機酸を通常含有している。 したがって高 温多湿下に長時間 S A Wデバイスを放置すると、 外部から樹脂被覆 2 1の内部を浸透して I D T電極 1 1の周辺に水分が発生する。 この時 樹脂被覆 2 1中の塩素イオンがこの水分に溶解するので、 I D T電極 1 1の周辺の水分は酸性となる。 そのため I D T電極 1 1を構成する 第 1の金属膜 1 1 1 と第 2の金属膜 1 1 2の組合せによっては、 それ らの電池効果により異種金属接触腐食がおこる。 その結果第 1の金属 膜 1 2 1の側壁部、 つまり第 2の金属膜 1 2 1で覆われていない部分 が腐食する。 1 1)丁電極 1 1が腐食すると S A Wデバイスの特性が劣 化する。 この水分は結露等によって液体として存在したり、 水蒸気として存 在する場合があり、 共に I DT電極 1 1を腐食する。 特に飽和蒸気圧 の状態では、 水分は液体として存在する場合が多く 10丁電極 1 1の 腐食を促進する。 従って、 樹脂被覆 2 1は上述した種類の樹脂であれ ば良いのではなく、 I DT電極 1 1の腐食の原因となる塩素イオン含 有量の少ない樹脂で形成されなければならない。
S A Wデバイスに対し 2. 0 3 X 1 05P a、 湿度 1 0 0 %、 温度 1 2 0 °Cの条件での放置試験である P r e s u r e C o o k e r T e s t (P CT) を行った。 S AWデバイスに適用できうる 5種類の 樹脂をその 1 0倍の質量の純水に入れ、 上記条件下で 2 0時間放置し た。 この液をイオンクロマトグラフィ一により分析した塩素イオン濃 度を表 1に示す。
(表 1)
Figure imgf000008_0001
そしてこれらの樹脂を用いて上記方法で作製した S A Wデバイスに ついて、 2. 0 3 X 1 05P a、 湿度 1 0 0 %、 温度 1 2 0 °Cの条件下 で 4 0時間放置し、 揷入損失の変化を評価した。 なおその SAWデバ ィスとして中心周波数が 942. 5 MH zの S AWフィルタを樹脂材 料ごとのそれぞれで 1 0 0個作成した、 40時間後の挿入損失が 0. 3 d Bよりも大きく変化したフィルタを不良品と評価した。
その評価結果を表 2に示す。 (表 2)
Figure imgf000009_0001
表 2に示すように、 塩素イオン濃度が 5 0 p pm以下である樹脂材料 A, Bに関しては、 全数良品であった。 しかし塩素イオン濃度が 6 2 p pm以上の樹脂材料 C、 D、 Eに関しては不良品が発生した。 従つ て、 S AW素子 1 4を被覆する樹脂被覆 2 1が上記 P C Tにおいて塩 素イオン濃度が 5 0 p pm以下の樹脂で形成されることにより、 I D T電極 1 1の腐食を防止できる。
なお、 上記 S A Wデバイスに対して温度 8 5 °C、 湿度 8 5 %の高温 高湿試験を 1 0 0 0時間行ったが、 この場合は塩素イオン濃度が 6 2 p pm以下の樹脂材料 A, B, Cに関しては全数良品であった。
I DT電極 1 1は二層構造を有する。 アルミニウムあるいはアルミ ニゥム合金からなる一層構造の I DT電極を備える S AWデバイスに おいても同様に上記 P C Tで塩素イオン濃度が 5 0 p pm以下の樹脂 を用いることにより耐湿性に優れた S A Wデバイスを得ることができ る。 しかしながら、 I DT電極を 1 1が二層構造を有することにより、 さらに耐湿性に優れだ S A Wデバイスを得ることができる。
(実施の形態 2)
実施の形態 2における弾性表面波 （S AW) デバイスの構造は実施 の形態 1の S AWデバイスと同じであり、 同様の製造方法により作製 される。 ただし樹脂 2 1は P r e s u r e C o o k e r T e s t (P C T) での塩素イオン濃度が 5 0 p pm以下で、 P CTでの臭素 イオン濃度の異なる複数種の樹脂を評価した。
樹脂 2 1について実施の形態 1 と同様に、 樹脂をその 1 0倍の質量 の純水と共に、 1 20°C、 2. 0 3 X 1 05 P aの条件下で 2 0時間放 置した。 この液をイオンクロマトグラフィ一により分析した塩素ィォ ン濃度、 臭素イオン濃度を表 3に示す。
(表 3)
Figure imgf000010_0001
これらの樹脂を用いて上記方法で作製したそれぞれ 1 0 0個の S A Wデバイスについて、 2. 0 3 X 1 05 P a , 湿度 1 0 0 %、 温度 1 2 0°Cの条件下で 4 0時間放置し、 挿入損失の変化を評価した。 なお S AWデバイスは、 中心周波数が 9 42. 5 MH zのフィルタであり、 40時間後の挿入損失が 0. 3 d Bよりも大きく変化したものを不良 品とした。
その結果を表 4に示す。
(表 4)
Figure imgf000010_0002
表 4に示すように、 臭素イオン濃度が 1 5 0 p pm以下の樹脂材料 A, I , Jに関しては全数良品となった。 しかし臭素イオン濃度が 1 8 0 p pm以上の樹脂材料 F、 G、 Hに関しては不良品が発生した。 従って、 S AW素子 1 4を被覆する樹脂被覆 2 1は、 P r e s u r e C o o k e r T e s t (P CT) において塩素イオン濃度が 5 0 ρ pm以下だけでなく、 臭素イオン濃度が 1 5 0 p pm以下の樹脂で形 成されることにより、 さらにインタ一ディジタルトランスデュ一サ ( I DT) 電極 1 1の腐食を防止できる。
なお、 上記 S A Wデバイスにおいて温度 8 5 ° (：、 湿度 8 5 %の高温 高湿試験を 1 0 0 0時間行ったが、 この場合も臭素イオン濃度が 1 5 0 p pm以下の樹脂材料 A, B, Cに関しては全数良品となった。
(実施の形態 3)
以下、 本実施の形態 3における弾性表面波 （S AW) デバイスの製 造方法について説明する。
本実施の形態における S AWデバイスはィンタ一ディジタルトラン スデュ一サ （ I D T) 電極 1 1の第 2の金属膜 1 1 2がチタンではな くタンタルで形成され、 それ以外は実施の形態 1 と同様の構造で、 同 様の製造方法で作製される。
S AWデバイス 1 0 0個に対し実施の形態 1で説明した P r e s u r e C o o k e r T e s t (P CT) を行った。 その結果を表 5 に示す。
(表 5)
不良品数
樹脂材料 A 0
樹脂材料 B 0
樹脂材料 C 0
樹脂材料 D 7
樹脂材料 E 3 2 表 5に示すように、 本実施の形態の S A Wデバイスは塩素イオン濃 度が 6 0 p p m以下の樹脂材料 A， B， C , Dについては全数良品で めった。
実施の形態 2で説明した樹脂材料 A、 F〜 Jを使用した S A Wデバ イスについて、 同様に臭素イオン濃度の影響を確認した。 その結果を 表 6に示す。
(表 6 )
Figure imgf000012_0001
表 6に示すように、 臭素イオン濃度が 1 5 0 p p m以下の樹脂材料 を用いたデバイスは全数良品であった。 樹脂材料 Fでは実施の形態 4 と不良品の数はほぼ同数であつたが、 樹脂材料 G、 樹脂材料 Hに関し ては実施の形態 2よりも少なくなつた。
このように実施の形態 3の S A Wデバイスは、 実施の形態 1， 2の S A Wデバイスと比較すると、 耐湿性が向上している。
通常、 チタンの標準電極電位はタンタルよりもアルミニウムに近く、 タンタルとアルミニウムとの間の標準電極電位の差よりもチタンとァ ルミニゥムとの間の差の方が小さい。 つまり異種金属接触腐食は、 夕 ン夕ルを用いた第 2の金属膜 1 1 2方がチタンより起こりやすく、 耐 湿性もタンタルとアルミニウムの組合せの方が悪いと考えられた。
しかしながら実施の形態では逆の結果となった。 この点を明確にす るために、 S A Wデバイスの置かれる環境を想定して、 第 1の金属膜 1 1 1と第 2の金属膜 1 1 2間に生じる電極電位差を電気化学的測定 法により測定した。 参照電極として銀 Z塩化銀電極を用い、 試料電極 として第 1の金属膜 1 1 1を構成する金属を、 対極として白金電極を 用いて、 後述する電解液中に浸漬し、 腐食電流がほぼ定常となる状態 の電極電位である自然電位を計測した。 次に第 2の金属膜 1 1 2を構 成する金属に対しても、 同様に自然電位を計測した。 ここで両者の自 然電位の差がこの試験環境下での両金属の電極電位差で、 この値が小 さい程異種金属接触腐食を軽減できる。
上記の電解液としては、 S A Wデバイスを構成する樹脂 2 1の評価 結果から、 電解質として N a C 1 を純水に 3 0〜 3 0 0 p p m混入し た電解液を用いた。 ここで N a C 1の添加量に幅を持たせたのは、 実 際の P C T等の環境試験中での I D T電極 1 1に接する塩素イオン濃 度が明確には分からないためである。
さらに対極として白金を用い、 試料電極に A 1 - C u合金及びチタ ンを用いて同様の実験を行った。 このときの両電極間の電位差は 0 . 3 5〜 0 . 4 5 Vであった。
また、 この組合せではチタンが力ソード、 A l — C u合金がァノー ドとなっている。 つまり、 アノードの A 1 — C u合金が電子を失い腐 食する。
同様に、 対極として白金を用いて、 試料電極に A 1 — C u合金及び タンタルを用いた場合の両電極間の電位差は 0 . 2 5〜 0 . 3 5 Vで あった。 この場合、 力ソードはタンタル、 アノードは A l — C u合金 であり、 同様にアノードの A 1 — C u合金が電子を失い腐食する。
次に、 標準電極電位の知られているアルミニウムと、 A l — C u合 金との電極電位差を調べるために同様の実験を行った。 その結果 A 1 一 C u合金はアルミニウムよりも、 0 . 1〜 0 . 2 V程度プラス側 (以下、 プラス側を貴側、 マイナス側を卑側と呼ぶ） にシフトしてい ることがわかった。 以上の結果より、 S AWフィル夕が腐食しやすい環境下に置かれた 場合、 アルミニウム、 A 1 — C u合金、 タンタル、 チタンの順に S A Wフィル夕の置かれる環境下での電極電位は貴であることがわかった。 つまり実施の形態 3の SAWフィル夕においては、 アルミニウムと チタンの電極電位の差は文献などで知られている値よりも 0. 4 5〜 0. 6 5 V大きくなる。
従って第 1の金属膜 1 1 1 としてはアルミニウムよりも A 1 — C u 合金を用い、 第 2の金属膜 1 1 2としてはチタンよりもタンタルを用 いた方が第 1の金属膜 1 1 1 と第 2の金属膜 1 1 2との間の電極電位 差を小さくでき、 I D T電極 1 1の腐食を抑制できる。 つまり実施の 形態 1， 2の S AWデバイスより実施の形態 3の S A Wデバイスが耐 湿性に優れる。 また第 2の金属膜 1 1 2は、 他にも Z r , Nb, W, V、 Mnで形成されてもよいが、 第 1の金属膜 1 1 1の金属との S A Wデバイスの置かれる環境下での電極電位差が小さい金属ほど腐食を 抑制でき、 耐湿性に優れた S A Wデバイスを実現する。
(実施の形態 4)
実施の形態 4における弾性表面波 （S AW) デバイスは、 実施の形 態 1の S AWデバイスにおいて、 ィンタ一ディジタルトランスデュ一 サ （ I D T) 電極 1 1の第 2の金属膜 1 1 2として、 Z r , N b, C r、 W, V、 Mn， P t , A u , P dのうちの 1 つを用いる。 また、 樹脂被覆 2 1の樹脂材料として、 実施の形態 1における樹脂材料 Bま たはは実施の形態 2における樹脂材料 I を用いた。 製造方法は実施の 形態 1と同様である。 実施の形態 4において、 第 2の金属膜 1 1 2は、 それ自身耐湿性が高くかつ第 1の金属膜 1 1 1を構成するアルミニゥ ムあるいはアルミニウム合金に対して力ソードとなる金属で形成され る。 実施の形態 4の S AWデバイス 1 0 0個について、 実施の形態 1で の P r e s u r e C o o k e r T e s t (P CT)、 高温高湿試験 を行った。 樹脂材料に関わらず全数良品となったのは、 第 2の金属膜 1 1 2を Z r , N b, W, V、 C r , M nで構成した S AWデバイス であった。 P t、 Au、 P dで第 2の金属膜 1 1 2が形成されたデバ イスでは第 2の金属膜 1 1 2と第 1の金属膜 1 1 1 との間の電極電位 差が大きいために第 1の金属膜 1 1 1の側部が腐食し、 S AWデバイ スの特性が劣化した。
以上説明したように、 樹脂 2 1の塩素イオン濃度が 5 0 p pm以下、 臭素イオン濃度が 1 5 0 p p m以下の S A Wデバイスにおいては、 第 2の金属膜 1 1 2を T i、 Z r , Nb， T a , W, V、 C r , Mnの いずれかで構成することでさらに耐湿性の向上したデバイスが得られ る。 (実施の形態 5)
実施の形態 5の弾性表面波 （S AW) デバイスは、 実施の形態 1の デバイスと同様の構造であるが、 インタ一ディジタルトランスデュ一 サ （ I DT) 電極 1 1を構成する第 2の金属膜 1 1 2の組成が異なる。 すなわち第 2の金属膜 1 1 2はチタンが 3 0 w t %含まれているアル ミニゥム合金で形成される。
この S AWデバイスは、 第 1の金属膜 1 1 1 と第 2の金属膜 1 1 2 とを構成する金属の電極電位差が実施の形態 1 と比較すると 0. 1 5 〜0. 2 5 V小さくできる。 これにより異種金属接触腐食が軽減され、 さらに耐湿性に優れた S A Wデバイスを得ることができる。 ここで、 金属間の電極電位差は実施の形態 3で説明した方法により測定してい る。
第 2の金属膜 1 1 2の質量は、 実施の形態 1、 3の第 2の金属膜 1 1 2と比較するとそれぞれ 7 2 %程度、 1 9. 5 %程度と小さい。 そ の結果、 実施の形態 1 , 3と同じ質量の I DT電極 1 1を形成する場 合、 第 1の金属膜 1 1 1を厚くでき、 I D T電極 1 1の抵抗を小さく できる。 従って S AWデバイスの挿入損失を小さくできる。
また I D T電極 1 1を厚くできることにより、 S AWデバイスの歩 留まりを向上できる。 これは I D T電極 1 1の質量により S AWデバ イスの特性が変化することに起因する。 例えば、 I DT電極 1 1を形 成する金属の比重が小さいほど I DT電極 1 1を厚くでき、 スパッ夕 リング等による成膜精度の誤差を緩和できるので歩留まりが向上する。 実施の形態 5では第 2の金属膜 1 1 2にチタンが質量比で 3 0 %含 まれる A 1 — T i合金を用いた。 しかしこれに限るものでなくチタン の質量比が異なる金属や、 Z r , Nb， T a、 W, V、 C r , Mnを 少なくとも一種類含むアルミニウム合金を第 2の金属膜 1 1 2に用い ることにより、 上述したような効果が得られる。
(実施の形態 6)
図 6は本実施の形態 6における弾性表面波 （S AW) デバイスの要 部拡大断面図である。 実施の形態 6における S A Wデバイスは実施の 形態 1におけるデバイスとィンターディジ夕ルトランスデュ一サ （ I DT) 電極 1 1の構成が異なる以外は、 同様の構成である。
実施の形態 6における I D T電極 1 1は、 図 6に示すように、 第 1 の金属膜 1 1 1と第 2の金属膜 1 1 2の界面に第 1の金属膜 1 1 1を 構成する金属と第 2の金属膜 1 1 2を構成する金属の合金層 1 1 4を 有している。
第 1の金属膜 1 1 1は、 例えばアルミニウム、 銅がそれぞれ 9 9 w t %、 1 1: %の合金など、 アルミニウムを主成分とする厚み 3 4 0 nmの合金層である。 第 2の金属膜 1 1 2は厚み 1 0 nmでチタンか らなる。 合金層 1 1 4は第 1の金属膜 1 1 1の主成分アルミニウムと 第 2の金属膜 1 1 2のチタンからなる合金で形成される。
次に実施の形態 6の S A Wデバイスの製造方法を説明する。
まず、 スパッタリング法により圧電基板 1 0上にアルミニウムまた はアルミニウムを主成分とする第 1の金属膜 1 1 1 とチタンからなる 第 2の金属膜 1 1 2とがこの順で逐次形成される。
次に、 フォ トリソグラフィ技術を用いて第 2の金属膜 1 1 2上に所 定のレジス卜パターンが形成される。
次いで、 R e a c t i v e I o n E t c h i n g (R I E) 法 により第 2の金属膜 1 1 2、 第 1の金属膜 1 1 1がこの順でエツチン グされ、 レジストパターンが酸素プラズマ等によりアツシング除去さ れて、 図 6に示すような I D T電極 1 1、 反射器電極 1 2、 パッ ド電 極 1 3が得られる。
そして I D T電極 1 1の形成された圧電基板 1 0が加熱され、 第 1 の金属膜 1 1 1の主成分アルミニウムと第 2の金属膜 1 1 2の主成分 チタンが相互に熱拡散し、 第 1の金属膜 1 1 1 と第 2の金属膜 1 1 2 の界面にアルミニウムとチタンを含む合金層 1 1 4が形成される。
上記加熱は、 通常 1 5 0 ° (：〜 5 0 0 °Cの温度範囲において行う。 好 ましくは 1 5 0 °C〜 3 5 0 °Cの温度範囲で行う。 加熱温度が 1 5 0 °C 未満であると効果的にアルミニウムとチタンが熱拡散しない。 5 0 0 X：超の加熱温度はアルミニウムの融点 6 6 0 °Cに近いため、 安定し た特性の I D T電極 1 1が得られない。
さらに上記加熱は好ましくは 1 5 0 ° ( 〜 3 5 0 °Cの範囲で行う。 焦 電破壌による S A Wデバイスの特性劣化を防ぐためには熱処理温度は 3 5 0 °C以下にした方がより好ましい。 ただし I D T電極 1 1のパタ ーンによっては、 それ以上加熱しても焦電破壊を起こさない場合もあ る。 以降の工程は実施の形態 1と同様である。
実施の形態 6の S AWデバイスと、 実施の形態 1の S AWデバイス と、 銅を 1 w t %添加したアルミニウム合金一層の I D T電極 1 1を 有する S AWデバイス （比較例） について、 実施の形態 1で行った P r e s u r e C o o k e r T e s t ( P C T) を行い揷入損失の 変化を評価した。
これらの S AWデバイスは実施の形態 1と同様に中心周波数が 9 4 2. 5 MH zのフィル夕で、 40時間後の挿入損失の劣化が 0. 3 d Bを超えたものを不良品と評価する。 各々 1 0 0個を評価した。
上記の結果、 比較例の S AWデバイスは全数不良であつたが、 実施 の形態 6の S AWデバイスと実施の形態 1の S AWデバイスは全数良 品であった。 実施の形態 6の S AWデバイスの方が実施の形態 1の S AWデバイスよりも挿入損失の変化が小さく、 耐湿性に優れることが わかった。
評価後の I DT電極 1 1を走査型電子顕微鏡にて観察し、 実施の形 態 1の S A Wデバイスよりも実施の形態 6の S A Wデバイスの方が、 アルミニウムを主成分とする第 1の金属膜 1 1 1の側面の腐食が少な いことが確認された。
この理由を以下に説明する。
実施の形態 1で説明したような完全に分かれた二層構造を有する I D T電極 1 1では、 第 1の金属膜 1 1 1 と第 2の金属膜 1 1 2の界面 において不連続な電極電位差が生じる。 そのため I D T電極 1 1の周 辺に酸性の水分が存在すると、 界面近傍の第 1の金属膜 1 2 1が異種 金属接触腐食の影響を著しく受け、 激しく腐食する。 ところが実施の 形態 6の S AWデバイスにおいては、 第 1の金属膜 1 2 1 と第 2の金 属膜 1 2 2の界面においてそれぞれの主成分の金属が相互に熱拡散し て形成された合金層が不連続な電極電位差が生じるのを防いでおり、 異種金属接触腐食を軽減できる。
実施の形態 6においては第 2の金属膜 1 1 2をチタンで形成したが、 チタンに限らず、 代わりに Z r , N b , T a， W, V、 Mnを用いた 場合でも同様の効果が得られることがわかった。
実施の形態 6では、 加熱処理を I DT電極 1 1の形成後に行ったが、 第 2の金属膜 1 1 2の形成後に行っても同様の効果が得られる。 した がって例えば樹脂被覆 2 1の加熱硬化処理工程と兼ねて電極の加熱処 理を実施してもよい。 但しこの場合も加熱温度は i s c c s oo の温度範囲であれば、 焦電破壊による S AWデバイスの特性劣化が抑 制される。 しかし焦電破壊を抑制するためには、 圧電基板 1 0上の電 極電位差が小さくなる I D T電極 1 1の形成前に熱処理を行い、 合金 層 1 1 4を形成することが望ましい。
(実施の形態 7)
実施の形態 7の弾性表面波 （SAW) デバイスを図 1、 図 3〜図 5、 図 7を用いて説明する。 実施の形態 1 と同様の構成要素については同 番号を付して説明を省略する。
実施の形態 7のデバイスと実施の形態 1のそれと異なるのはインタ —ディジタルトランスデューサ （ I DT) 電極 1 1の構造であり、 こ れ以外は同様である。 実施の形態 Ίにおける I D T電極 1 1は 3層構 造を有する。 つまり圧電基板 1 0に接する第 3の金属膜 1 1 3は T i、 Z r , Nb， T a , W, V、 Μ ηのうちの少なくとも 1つで形成され、 その厚みは 1 0 nmである。 この上に形成される第 1の金属膜 1 1 1 は、 アルミニウム、 または例えばアルミニウム、 銅がそれぞれ 9 9 w t %、 1 w t %のアルミニウム合金で形成され、 その厚みは 3 4 0 n mである。 第 1の金属膜 1 1 1の上に形成される第 2の金属膜 1 1 2 は、 T i、 Z r , N b， T a , W, V、 Μηのうちの少なくとも 1つ で形成され、 その厚みは 1 0 nmである。
次に実施の形態 7の S AWデバイスの製造方法にを説明する。
まず、 圧電基板 1 0のほぼ表面全体にスパッタリング法により、 第 3の金属膜 1 1 3、 第 1の金属膜 1 1 1、 第 2の金属膜 1 1 2が逐次 形成される。 次にフォトリソグラフィ技術で、 第 2の金属膜 1 1 2上 に所定のレジストパターンが形成される。 次に R e a c t i V e. I o n E t c h i n g (R I E) 法により第 2の金属膜 1 1 2、 第 1 の金属膜 1 1 1、 第 3の金属膜 1 1 3の順でエッチングされ、 レジス トパターンが酸素プラズマ等によりァッシング除去され、 図 7に示す I DT電極 1 1、 反射器電極 1 2、 パッ ド電極 1 3が得られる。 以降 の工程は実施の形態 1と同様である。
本実施の形態の S A Wデバイス、 実施の形態 1の SAWデバイスと、 銅を 1 w t %添加したアルミニウム合金一層で I DT電極を構成した S AWデバイス （以下比較例とする） とに対し実施の形態 1で実施し た P r e s u r e C o o k e r T e s t ( P C T) を行った。 な お、 各 S AWデバイスは実施の形態 1 と同様に中心周波数が 94 2. 5 MH zの S AWフィル夕である。 また 40時間後の揷入損失の劣化 が 0. 3 d Bを超えた場合を不良品と判定し、 各々 1 0 0個のデパイ スを評価した。
評価の結果、 比較例の S AWデバイスでは全数不良となったが、 実 施の形態 7及び実施の形態 1の S A Wデバイスは全数良品となった。 なお、 本実施の形態 1の S A Wデバイスより実施の形態 7の S AWデ バイスの方がさらに挿入損失の変化が小さく、 耐湿性に優れることが わかった。 また、 温度 8 5 t、 湿度 8 5 %の高温高湿試験を 1 0 0 0 時間行ったが、 同様の結果となり、 実施の形態 7の S AWデバイスは 非常に耐湿性に優れることがわかった。
評価後の I DT電極 1 1を走査型電子顕微鏡にて観察したところ、 実施の形態 7の I D T電極より実施の形態 1の I D T電極の方が第 1 の金属膜 1 1 1の側面部において主成分であるアルミニウムの腐食が 進んでいた。
この理由は次の通りである。
第 1の金属膜 1 1 1の下層に例えばチタン等の高融点の第 3の金属 膜 1 1 3を設けることにより、 第 1の金属膜 1 1 1の結晶配向性が向 上する。 実施の形態 7における S A Wデパイスの第 1の金属膜 1 1 1 と、 実施の形態 1の第 1の金属膜 1 1 1の結晶配向性を X線回折法に より評価した結果、 実施の形態の S A Wデバイスの第 1の金属膜 1 1 1は （ 1 1 1 ) 面に配向していたのに対し、 実施の形態 1の第 1の金 属膜 1 1 1の配向性はランダムな結晶配向を持った多結晶体であるこ とがわかった。
つまり実施の形態 1に示す S A Wデバイスの第 1の金属膜 1 1 1が 多結晶体より構成されるため、 銅等の添加成分はアルミニウムの結晶 粒界に析出し、 粒界部において主成分であるアルミニウムと析出した 銅が局部的にガルバニック電池を構成し、 外部に曝された I D T電極 1 1は電池効果により銅よりも電気的に卑なアルミニウムが腐食する。 一方実施の形態 7における S A Wデバイスは、 第 1の金属膜 1 1 1 の下層に第 3の金属膜 1 1 3を有するので第 1 の金属膜 1 1 1 の結晶 配向性が向上する。 これにより局部的な電池効果に起因する結晶粒界 部の腐食を低減でき、 より耐湿性に優れた S A Wデバイスとなる。
実施の形態 7において第 3の金属膜 1 1 3は 1層としたが、 これに 限るものでなく、 例えば圧電基板 1 0に近い方から順に第 3の金属膜 1 1 3 (あるいは第 2の金属膜 1 1 2 )、 第 1の金属膜 1 1 1、 第 3の 金属膜 1 1 3、 第 1の金属膜 1 1 1 · · · のように複数の層で第 3の 金属膜 1 1 3を形成しても良く、 同様の効果が得られる。 (実施の形態 8)
図 8は実施の形態 8における弾性表面波 （SAW) デバイスの要部 拡大断面図であり、 図 7と同様の構成要素については同番号を付して 説明を省略する。
実施の形態 8の S AWデバイスの圧電基板 1 0の上に設けられたイン 夕一ディジ夕ルトランスデューサ （ I D T) 電極 1 1は、 第 3の金属 膜 1 1 3と第 1の金属膜 1 1 1の間にそれぞれの主成分からなる合金 層 1 1 5を有すると共に、 第 1の金属膜 1 1 1と第 2の金属膜 1 1 2 の間にそれぞれの主成分からなる合金層 1 1 4を有する点で実施の形 態 7の S AWデバイスと異なる。
第 1の金属膜 1 1 1はアルミニウムを主成分とする厚み 3 2 0 nm の合金層で、 例えばアルミニウム、 銅をそれぞれ 9 9 w t %、 1 w t %含有する。 第 2の金属膜 1 1 2及び第 3の金属膜 1 1 3は、 厚み 1 0 nmのチタンからなる。 従って合金層 1 1 4、 1 1 5はアルミ二 ゥムとチタンとの合金で形成されている。
次に、 実施の形態 8の SAWデバイスの製造方法を説明する。
まずスパッタリング法により、 圧電基板 1 0上に、 チタンからなる 第 3の金属膜 1 1 3、 アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とす る第 1の金属膜 1 1 1、 チタンからなる第 2の金属膜 1 1 2がこの順 で逐次形成される。
次にフォ トリソグラフィ技術で第 2の金属膜 1 1 2上に所定のレジ ストパターンが形成される。 次に R e a c t i v e I o n E t c h i n g (R I E) 法により第 2の金属膜 1 1 2、 第 1の金属膜 1 1 1、 第 3の金属膜 1 1 3がこの順でエッチングされ、 レジストパ夕一 ンが酸素プラズマ等によりアツシング除去される。 そして図 8に示す I DT電極 1 1、 反射器電極 1 2、 パッド電極 1 3が形成される。
次いで I D T電極 1 1が形成された圧電基板 1 0を加熱し、 第 1の . 1 1 と第 2の金属膜 1 1 2間と、 第 1の金属膜 1 1 1 と第 3 の金属膜 1 1 3間とで、 アルミニウムとチタンとが相互に熱拡散しァ ルミ二ゥムとチタンとの合金層 1 14， 1 1 5がそれぞれ形成される。 この時の加熱温度は、 通常 1 5 0 °C〜 5 0 0 °Cの範囲であり、 好まし くは 1 5 0°C〜 3 5 0 °Cの範囲である。 以降の工程については実施の 形態 7と同様である。
この S AWデバイスと実施の形態 6 , 7の S AWデバイスと、 銅を 1 w t %添加したアルミニウム合金一層の I D T電極を有する S AW デバイス （比較例） について実施の形態 1での P r e s u r e C o o k e r T e s t (P C T) を行った。 具体的には、 デバイスを 2. 0 3 X 1 05 P a、 湿度 1 0 0 %の状態に 40時間放置し挿入損失の変 化を評価した。 SAWデバイスは実施の形態 1と同様に中心周波数が 942. 5 MH zのフィル夕であり、 40時間後の挿入損失の劣化が 0. 3 d Bを超えた場合を不良品と判定し、 各々 1 0 0個を評価した。 . 評価の結果比較例の S AWデバイスは全数不良となったが、 実施の 形態 8の S AWデバイスと実施の形態 6 , 7の S AWデバイスは全数 良品となった。 さらに実施の形態 8の S AWデバイスの方が実施の形 態 6， 7の S A Wデバイスよりも揷入損失の変化が小さく耐湿性に優 れることがわかった。
評価後の I DT電極 1 1を走査型電子顕微鏡にて観察したところ、 実施の形態 3、 6、 7の S AWデバイスの I D T電極ではアルミニゥ ムを主成分とする第 1の金属膜 1 1 1の側面部において主成分である アルミニウムの腐食が確認された。 一方本実施の形態 8の S AWデバ イスでは腐食は確認されず、 さらに耐湿性に優れることがわかった。 なお上記各実施の形態では、 S AW素子 1 4はその外周を覆うよう に樹脂被覆 2 1を有し、 I DT電極 1 1の振動空間を確保しつつ密封 される。 図 9に示すように、 さらに外周部に加えて I D T電極 1 1の 上方空間を覆うように圧電基板 1 0の表面に樹脂蓋体 2 7が設けられ ても、 同様の効果が得られる。 すなわち S A W素子 1 4を密閉するた めの空間を樹脂で形成する場合、 あるいは密閉空間内に樹脂が存在す る場合では、 P C Tにおいて塩素イオン濃度が 5 0 p p m以下の樹脂 を用いることが望ましい。 さらに樹脂にフィラ一を混合することによ り、 S A Wデバイスの外周部から樹脂被覆 2 1を経由して I D T電極 1 1の振動空間に浸入する水分の樹脂被覆 2 1内部での移動距離が長 くなる。 したがって樹脂被覆 2 1の吸水率が低下する。 その結果フィ ラ一を含有しない樹脂とした樹脂とを比較すると、 含有する塩素ィォ ンゃ臭素イオンの濃度が同じであったとしても、 フィラ一を含有した 樹脂の方が I D T電極 1 1の周辺に到達する水分量が少ないため、 デ バイスの耐湿性を向上できる。 産業上の利用可能性
ィンターディジタル卜ランスデューサ電極を覆う樹脂被覆が、 本発 明における樹脂材料で形成されれば耐湿性に優れた S A Wデバイスが 得られる。

Claims

請求の範囲
1. 圧電基板と、
前記圧電基板の第 1面に設けられたインタ一ディジタルトラン スデュ一サ （ I DT) 電極と、
前記 I DT電極を覆う樹脂被覆と
を備え、 前記樹脂被覆の樹脂材料はその 1 0倍の質量の純水の溶媒中 ' に 1 2 0°C、 2気圧の条件下で 2 0時間放置された後に前記溶媒の塩 素イオン濃度が 5 0 p pm以下である表面弾性波 （SAW) デバイス。 2. 前記樹脂材料はその 1 0倍の質量の純水の溶媒中に 1 2 0 C、
2 気圧の条件下で 2 0時間放置された後の前記溶媒の臭素イオン濃度が 1 5 0 pm以下である、 請求の範囲第 1に記載の S AWデバイス。
3. 前記樹脂被覆は前記圧電基板の第 2面と側面とを覆う、 請求の範 囲第 1項に記載の SAWデバイス。
4. I DT電極の外周と上方を覆う、 前記樹脂材料で形成された樹脂 蓋体をさらに備えた、 請求の範囲第 1項に記載の SAWデバイス。
5. 前記 I DT電極は、
前記圧電基板上に設けられたアルミニウムを含有する第 1層と、 前記第 1層の上方に設けられた T i、 Z r, Nb, T a， W，
V、 Mnのうち少なくとも 1つを含有する第 2層と
を含む、 請求の範囲第 1項に記載の SAWデバイス。
6. 前記第 2層はアルミニウムを含有する、 請求の範囲第 5項に記載 の S A Wデバイス。
7. 前記 I D T電極は前記第 1層と第 2層との間に設けられた、 前記 第 1層と第 2層の成分を含有するする第 3層をさらに含む、 請求の範 囲第 5項に記載の S AWデバイス。
8. 前記 I DT電極は、
前記圧電基板上に設けられた T i、 Z r , Nb, T a, W， V、 Mnのうち少なくとも 1つを含有する第 1層と、
前記第 1層の上方に設けられたアルミニウムを含有する第 2層 と、
前記第 2層の上方に設けられた T i、 Z r, Nb, T a , W， V、 Μηのうち少なくとも 1つを含有する第 3層と
を含む、 請求の範囲第 1項に記載の SAWデバイス。 9. 前記第 3層はアルミニウムを含有する、 請求の範囲第 8項に記載 の SAWデバイス。
1 0. 前記 I DT電極は、
前記第 1層と第 2層との間に設けられた、 前記第 1層と第 2層 の成分を含有する第 4層と、
前記第 2層と第 3層との間に設けられた、 前記第 2層と第 3層 の成分を含有する第 5層と
をさらに含む、 請求の範囲第 8項に記載の SAWデバイス。
1 1. 前記樹脂材料はフイラ一を含有する、 請求の範囲第 1項に記載 の S A Wデバイス。
1 2. 圧電基板上にインターディジタルトランスデューサ （ I DT) 電極を形成する工程と、
前記 I DT電極の外側を、 その 1 0倍の質量の純水の溶媒中に
1 2 0 、 2気圧の条件下で 2 0時間放置した後の前記溶媒の塩素ィ オン濃度が 5 0 p pm以下である樹脂材料で覆う工程と
を含む、 表面弹性波 （SAW) デバイスの製造方法。
1 3. 前記樹脂材料はその 1 0倍の質量の純水の溶媒中に 1 2 0 °C、 2気圧の条件下で 2 0時間放置した後の前記溶媒の臭素イオン濃度が 1 5 0 p pm以下である、 請求の範囲第 1 2項に記載の方法。
1 4. 前記 I D丁電極を形成する前記工程は、
前記圧電基板上にアルミニウムを含有する第 1層を形成するェ 程と、
前記第 1層の上方に T i、 Z r， N b， T a , W， V、 Μηの うち少なくとも 1つを含有する第 2層を形成する工程と
を含む、 請求の範囲第 1 2項に記載の方法。
1 5. 前記 I DT電極を形成する前記工程は前記第 1層と前記第 2層 とを加熱する工程をさらに含む、 請求の範囲第 14項に記載の方法。
1 6. 前記第 1層と前記第 2層とを加熱する前記工程は、 1 5 0〜 5 0 0°Cの温度で前記第 1層と前記第 2層とを加熱する工程を含む、 請 求の範囲第 1 5項に記載の方法。
1 7. 前記 I DT電極を形成する前期工程は、
前記圧電基板上に T i、 Z r , N b , T a , W, V、 Μηのう ち少なくとも 1つを含有する第 1層を形成する工程と、 前記第 1層の上方にアルミニウムを含有する第 2層を形成する 工程と、
前記第 2層の上方に T i、 Z r , N b， T a , W, V、 Μηの うち少なくとも 1つを含有する第 3層を形成する工程と
を含む、 請求の範囲第 1 2項に記載の方法。
1 8. 前記 I DT電極を形成する前記工程は前記第 1層と前記第 2層 と前記第 3層とを加熱する工程をさらに含む、 請求の範囲第 1 7項に 記載の方法。
1 9. 前記第 1層と前記第 2層と前記第 3層とを加熱する前記工程は、 1 5 0〜 5 0 0 の温度で前記第 1層と前記第 2層と前記第 3層とを 加熱する工程を含む、 請求の範囲第 1 8項に記載の方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005286538A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 弾性表面波デバイスおよびその作製方法
JP2008261791A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Denso Corp 弾性表面波角速度センサおよびその製造方法
US7854050B2 (en) 2007-10-12 2010-12-21 Taiyo Yuden Co., Ltd. Method of manufacturing a surface acoustic wave device
CN1799194B (zh) * 2003-06-03 2011-06-08 爱普生拓优科梦株式会社 制造表面声波器件的方法
JP2011176585A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Murata Mfg Co Ltd 弾性波素子の製造方法及び弾性波素子

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4063000B2 (ja) * 2001-08-14 2008-03-19 株式会社村田製作所 端面反射型表面波フィルタ
JP3702961B2 (ja) * 2002-10-04 2005-10-05 東洋通信機株式会社 表面実装型ｓａｗデバイスの製造方法
US7141909B2 (en) * 2003-06-17 2006-11-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device
US7888842B2 (en) * 2004-02-13 2011-02-15 University Of Maine System Board Of Trustees Ultra-thin film electrodes and protective layer for high temperature device applications
JP4412123B2 (ja) * 2004-09-09 2010-02-10 エプソントヨコム株式会社 表面弾性波デバイス
JP4670697B2 (ja) * 2006-03-24 2011-04-13 株式会社デンソー センサ装置の製造方法
US20090233225A1 (en) * 2008-03-12 2009-09-17 Johnson Donald W Low chlorine epoxy resin formulations
TWM361835U (en) * 2008-10-16 2009-07-21 Lingsen Precision Ind Ltd Packaging and joining structure for MEMS microphone
GB0914762D0 (en) 2009-08-24 2009-09-30 Univ Glasgow Fluidics apparatus and fluidics substrate
DE102010026843A1 (de) * 2010-07-12 2012-01-12 Epcos Ag Modul-Package und Herstellungsverfahren
US10720350B2 (en) * 2010-09-28 2020-07-21 Kla-Tencore Corporation Etch-resistant coating on sensor wafers for in-situ measurement
GB201103211D0 (en) 2011-02-24 2011-04-13 Univ Glasgow Fluidics apparatus, use of fluidics apparatus and process for the manufacture of fluidics apparatus
GB201420061D0 (en) 2014-11-11 2014-12-24 Univ Glasgow Nebulisation of liquids
US9490423B2 (en) * 2014-11-11 2016-11-08 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory ultilizing aluminum metallization layers and methods for fabricating the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6381957A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Hitachi Ltd 半導体封止用成形材
JPH10163799A (ja) * 1996-11-25 1998-06-19 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
WO1999005788A1 (fr) * 1997-07-28 1999-02-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Dispositif de traitement d'ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication
JP2000058593A (ja) * 1998-08-03 2000-02-25 Nec Corp 表面弾性波素子の実装構造及びその実装方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6054458A (ja) * 1983-09-06 1985-03-28 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JP2525357B2 (ja) * 1985-12-25 1996-08-21 東レ株式会社 樹脂封止電子部品
JPS63310938A (ja) * 1987-06-11 1988-12-19 Kurasawa Kogaku Kogyo Kk アルミニウム合金
JPH03222443A (ja) * 1990-01-29 1991-10-01 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3123477B2 (ja) * 1997-08-08 2001-01-09 日本電気株式会社 表面弾性波素子の実装構造および実装方法
JP3659455B2 (ja) 1997-12-01 2005-06-15 京セラ株式会社 弾性表面波装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6381957A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Hitachi Ltd 半導体封止用成形材
JPH10163799A (ja) * 1996-11-25 1998-06-19 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
WO1999005788A1 (fr) * 1997-07-28 1999-02-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Dispositif de traitement d'ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication
JP2000058593A (ja) * 1998-08-03 2000-02-25 Nec Corp 表面弾性波素子の実装構造及びその実装方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1289133A4 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1799194B (zh) * 2003-06-03 2011-06-08 爱普生拓优科梦株式会社 制造表面声波器件的方法
JP2005286538A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 弾性表面波デバイスおよびその作製方法
JP2008261791A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Denso Corp 弾性表面波角速度センサおよびその製造方法
US7854050B2 (en) 2007-10-12 2010-12-21 Taiyo Yuden Co., Ltd. Method of manufacturing a surface acoustic wave device
JP2011176585A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Murata Mfg Co Ltd 弾性波素子の製造方法及び弾性波素子

Also Published As

Publication number Publication date
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