JPS6381957A - 半導体封止用成形材 - Google Patents
半導体封止用成形材Info
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- JPS6381957A JPS6381957A JP22595586A JP22595586A JPS6381957A JP S6381957 A JPS6381957 A JP S6381957A JP 22595586 A JP22595586 A JP 22595586A JP 22595586 A JP22595586 A JP 22595586A JP S6381957 A JPS6381957 A JP S6381957A
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- resin
- impurity
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- Pending
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体封止用の樹脂材料（レジン）に関するも
ので、特にＡＡ（アルミニウム）多層配線を有し、ポリ
イミド樹脂で覆った半導体製品の成形封止用樹脂材料の
高耐湿化技術に関する。
ので、特にＡＡ（アルミニウム）多層配線を有し、ポリ
イミド樹脂で覆った半導体製品の成形封止用樹脂材料の
高耐湿化技術に関する。
半導体素子をエポキシ樹脂等のレジンにて成形封止した
半導体装置は、成形構造が簡単であるとともに低コスト
で封止できる利点を有するが、セラミック型パッケージ
に比較して耐湿性が劣り、Ａｎ配線が腐食される問題が
ある。
半導体装置は、成形構造が簡単であるとともに低コスト
で封止できる利点を有するが、セラミック型パッケージ
に比較して耐湿性が劣り、Ａｎ配線が腐食される問題が
ある。
レジン・モールド型パッケージにおけるＡ４腐食のメカ
ニズムに関しては、（株）工業調査会１９８３年７月電
子材料ｐ３５−ｐ３９に記載されている。
ニズムに関しては、（株）工業調査会１９８３年７月電
子材料ｐ３５−ｐ３９に記載されている。
すなわち、パッケージ外部の水分がレジン自体及びリー
ドとレジンの隙間を介して浸入しやすく、これが半導体
素子の表面に形成したＡＪ配線やポンディングパッドま
で侵入してその部分を腐食し、電気的な接続不良又は不
能を来たし、半導体装置の寿命を短縮させ、信頼性の低
下につながった。
ドとレジンの隙間を介して浸入しやすく、これが半導体
素子の表面に形成したＡＪ配線やポンディングパッドま
で侵入してその部分を腐食し、電気的な接続不良又は不
能を来たし、半導体装置の寿命を短縮させ、信頼性の低
下につながった。
ＡＪの配線やポンディングパッドの腐食については、レ
ジン材料に付着する不純物イオンによって加速されるこ
とがわかっている。これが対策としてレジン抽出液のＰ
Ｈの中性比電導度（溶出不純物イオン等による）を小さ
く押える必要がある。
ジン材料に付着する不純物イオンによって加速されるこ
とがわかっている。これが対策としてレジン抽出液のＰ
Ｈの中性比電導度（溶出不純物イオン等による）を小さ
く押える必要がある。
従来、レジン購入段階では、不純物量の検査は１００Ｔ
：の温度条件でのレジン抽出液を分析することによって
評価を行い、その場合不純物量の差は認められなかった
。しかし、１００Ｃ以上のＰＣＴ（１２１Ｃで行う耐湿
試験）では明らかに差によるＡＡ配線の腐食不良が発生
した。特にポリイミド系樹脂を使用する。１２層配線半
導体製品ではＢｒ−の不純物量の差でＰＣＴ耐湿性レベ
ルに顕著な差があった。
：の温度条件でのレジン抽出液を分析することによって
評価を行い、その場合不純物量の差は認められなかった
。しかし、１００Ｃ以上のＰＣＴ（１２１Ｃで行う耐湿
試験）では明らかに差によるＡＡ配線の腐食不良が発生
した。特にポリイミド系樹脂を使用する。１２層配線半
導体製品ではＢｒ−の不純物量の差でＰＣＴ耐湿性レベ
ルに顕著な差があった。
本発明者は上記問題に関し、レジン評価の方法について
検討し抽出条件等を種々変えることにより耐湿性レベル
向上を図ることができた。
検討し抽出条件等を種々変えることにより耐湿性レベル
向上を図ることができた。
本発明の目的とするところは、半導体装置におけるＡ！
配線の腐食を抑え耐湿性レベルを向上できる半導体成形
用樹脂材料の提供にある。
配線の腐食を抑え耐湿性レベルを向上できる半導体成形
用樹脂材料の提供にある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
すなわち、半導体封止用成形材において、半導体製品を
少なくとも実際の試験（ＰＣＴ）温度以上の特定の高温
条件で抽出したときに、その濃度が特定レベル以下であ
ることを特徴とするものである。
少なくとも実際の試験（ＰＣＴ）温度以上の特定の高温
条件で抽出したときに、その濃度が特定レベル以下であ
ることを特徴とするものである。
上記した手段によれば、チップ八２配線の腐食につなが
るレジン内不純物量を適正に低減することにより、耐湿
性レベルを向上し前記発明の目的を達成できる。
るレジン内不純物量を適正に低減することにより、耐湿
性レベルを向上し前記発明の目的を達成できる。
第１図は本発明の一実施例を示し、樹脂封止半導体装置
をモデル化した断面図であるｃ、１はＳｉチップ、２は
Ｓｉｎ、膜、３は第１層Ａ形配線、４は層間膜ポリイミ
ド樹脂、５は第２層ＡＡ配線、６はパッシベーシヨン・
ボリイξ）”ｍ１ｆｆｔ、７ハモールドレジン（エポキ
シ樹脂）である。
をモデル化した断面図であるｃ、１はＳｉチップ、２は
Ｓｉｎ、膜、３は第１層Ａ形配線、４は層間膜ポリイミ
ド樹脂、５は第２層ＡＡ配線、６はパッシベーシヨン・
ボリイξ）”ｍ１ｆｆｔ、７ハモールドレジン（エポキ
シ樹脂）である。
表１はポリイミド樹脂コー）ＡＡ２眉配線の半導体を成
形エポキシ樹脂材で成形封止し、試作品品質確認肛験お
よびｉ産試作品品質確認試験した半導体装置の各試験ロ
ットについて、エポキシ樹脂中の不純物分析を抽出温度
を変えて行った結果を示すものである。
形エポキシ樹脂材で成形封止し、試作品品質確認肛験お
よびｉ産試作品品質確認試験した半導体装置の各試験ロ
ットについて、エポキシ樹脂中の不純物分析を抽出温度
を変えて行った結果を示すものである。
表１
表２は各試験ロット品についてのＰＣＴ試験の結果を示
す。
す。
表２
表１で示されるように、いずれの試験ロットにおいても
不純物分析のための抽出温度条件が１００Ｃの場合と１
６０Ｃの場合とでは不純物（Ｎａ。
不純物分析のための抽出温度条件が１００Ｃの場合と１
６０Ｃの場合とでは不純物（Ｎａ。
ＣＡ、Ｂｒ）の濃度が大きく異なっている。
本発明においては、不純物量のレベルとして上記試験結
果及び不純物分析により抽出条件を１６０Ｃとし、表３
に示すレベル管理をすることで耐湿性レベルの向上を図
った。
果及び不純物分析により抽出条件を１６０Ｃとし、表３
に示すレベル管理をすることで耐湿性レベルの向上を図
った。
表３
第２図はレジン（エポキシ）封止、ポリイミドコートＡ
＃２層配線半導体製品のＰＣＴ（２気圧）時間における
Ａｋ線高腐食よる不良発生を示すものであり、実線は抽
出温度１００ＣＸ２０ｈｒで不純物分析を行ったグルー
プである。同図に示されるように、ＰＣＴ時間が２００
ｈｒになると１００Ｃ’グループは不良発生が急増する
のに対し、１６０Ｃグループではほとんど変化がみられ
ない。
＃２層配線半導体製品のＰＣＴ（２気圧）時間における
Ａｋ線高腐食よる不良発生を示すものであり、実線は抽
出温度１００ＣＸ２０ｈｒで不純物分析を行ったグルー
プである。同図に示されるように、ＰＣＴ時間が２００
ｈｒになると１００Ｃ’グループは不良発生が急増する
のに対し、１６０Ｃグループではほとんど変化がみられ
ない。
このような効果が得られる理由として下記のことが考え
られる。
られる。
レジン材料に付着する不純イオンはチップ内Ａ石配線の
腐食につながる原因である。そのためレジン材料中の不
純物量を低減することにより、Ａｎ配線の腐食をおさえ
、耐湿性レベル向上を計ることができる。従来はレジン
購入の段階での評価で不純物量の管理を実際の試験（Ｐ
ＣＴ）温度以上に行っていなかったためで、不純物量の
差はＰＣＴ温度１２１Ｃ以上の高温で評価してはじめて
差が認められることがわかった。本発明では表２で示す
ごとく不純物量のレベルを抽出温度条件１６０Ｃとし、
レベルの数値以下に管理することで耐湿レベル向上が実
現した。
腐食につながる原因である。そのためレジン材料中の不
純物量を低減することにより、Ａｎ配線の腐食をおさえ
、耐湿性レベル向上を計ることができる。従来はレジン
購入の段階での評価で不純物量の管理を実際の試験（Ｐ
ＣＴ）温度以上に行っていなかったためで、不純物量の
差はＰＣＴ温度１２１Ｃ以上の高温で評価してはじめて
差が認められることがわかった。本発明では表２で示す
ごとく不純物量のレベルを抽出温度条件１６０Ｃとし、
レベルの数値以下に管理することで耐湿レベル向上が実
現した。
以上の本発明者によってなされた実施例にもとづき具体
的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能で
ある。
的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能で
ある。
本発明はポリイミド樹脂を眉間膜とするＡ４多層配線半
導体製品ポリイミド樹脂をコーディングした半導体製品
に応用した場合に最も効果を有する。
導体製品ポリイミド樹脂をコーディングした半導体製品
に応用した場合に最も効果を有する。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。
すなわち、樹脂成形封止した半導体チップにおいて樹脂
中の不純物イオンにより生ずるチップ内Ａ１配線の腐食
を抑止し耐湿性レベルを向上する。
中の不純物イオンにより生ずるチップ内Ａ１配線の腐食
を抑止し耐湿性レベルを向上する。
第１図は本発明の対象となる樹脂封止半導体装置をモデ
ル化した断面図である、 第２図はＰＣＴ時間に対する樹脂封止半導体製品の不良
発生率を示す曲線図である。 ｌ・・・半導体チップ、２・・・Ｓｉｎ、膜、３，５・
・・ＡＡ配線、４，６・・・ポリイミド樹脂、７・・・
成形封止体（エポキシ樹脂）。 升都徐酬←
ル化した断面図である、 第２図はＰＣＴ時間に対する樹脂封止半導体製品の不良
発生率を示す曲線図である。 ｌ・・・半導体チップ、２・・・Ｓｉｎ、膜、３，５・
・・ＡＡ配線、４，６・・・ポリイミド樹脂、７・・・
成形封止体（エポキシ樹脂）。 升都徐酬←
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、樹脂中の不純物が、その樹脂を用いて成形封止した
半導体製品の少なくとも実際の試験温度以上の抽出条件
で濃度レベル管理されていることを特徴とする半導体封
止用成形材。 ２、上記温度条件は１６０℃程度であり、上記濃度の特
定レベルは塩素が３０ｐｐｍ以下、臭素が２５ｐｐｍ以
下である特許請求の範囲第１項に記載の半導体封止用成
形材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22595586A JPS6381957A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 半導体封止用成形材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22595586A JPS6381957A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 半導体封止用成形材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381957A true JPS6381957A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16837506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22595586A Pending JPS6381957A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 半導体封止用成形材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6381957A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09199207A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Sony Chem Corp | 異方性導電接着フィルム |
| WO2002061943A1 (fr) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif saw et son procede de fabrication |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22595586A patent/JPS6381957A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09199207A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Sony Chem Corp | 異方性導電接着フィルム |
| WO2002061943A1 (fr) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif saw et son procede de fabrication |
| US6998687B2 (en) | 2001-01-30 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave (SAW) device |
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