JPS6380554A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 34
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- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置に係わり、更に詳しくは、樹脂封
止半導体装置に関する。
止半導体装置に関する。
（従来の技術）
従来、樹脂封止半導体における樹脂封止には、例えば第
１図に示す如く、エポキシ樹脂成形材料等を用いて、半
導体素子を直接封止する方法が採用されてきた。しかし
ながら、この直接封止法では、耐湿性には優れているも
のの封止樹脂の硬化時の収縮応力、実際に使用した際に
発生する温度変化による熱応力、エポキシ樹脂成形材料
に含まれるフィラーの素子表面への衝突や温度変化によ
る素子表面への局部応力によって繊細な半導体表面が損
傷を受け、不良が発生するという問題点を有していた。
１図に示す如く、エポキシ樹脂成形材料等を用いて、半
導体素子を直接封止する方法が採用されてきた。しかし
ながら、この直接封止法では、耐湿性には優れているも
のの封止樹脂の硬化時の収縮応力、実際に使用した際に
発生する温度変化による熱応力、エポキシ樹脂成形材料
に含まれるフィラーの素子表面への衝突や温度変化によ
る素子表面への局部応力によって繊細な半導体表面が損
傷を受け、不良が発生するという問題点を有していた。
これに対し、硬化収縮量を少なくした封止樹脂、低応力
化して発生する熱応力を小さくした封止樹脂、球状シリ
カを充てんして局部応力の発生を少なくした封止樹脂等
が検討されているが、未だ十分に解決されていない、特
に大面積を有する半導体素子では、実用上大きな問題と
なっている。
化して発生する熱応力を小さくした封止樹脂、球状シリ
カを充てんして局部応力の発生を少なくした封止樹脂等
が検討されているが、未だ十分に解決されていない、特
に大面積を有する半導体素子では、実用上大きな問題と
なっている。
（発明が解決しようとする問題点）
このように、樹脂封止半導体には、封止樹脂の硬化時や
成形後の温度変化による熱応力等によって半導体素子が
損傷するという問題点があった。
成形後の温度変化による熱応力等によって半導体素子が
損傷するという問題点があった。
本発明の目的は、上記した問題点を解消し、宇宙空間な
どの厳しい温度変化にさらされても半導体素子が損傷し
ない高信頼性の樹脂封止半導体装置を°提供することに
ある。
どの厳しい温度変化にさらされても半導体素子が損傷し
ない高信頼性の樹脂封止半導体装置を°提供することに
ある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の樹脂封止半導体装置は、上記問題点を解決する
ため、下記の如く、応力に敏感な半導体素子の表面を樹
脂発泡体で覆った後に、封止樹脂で全体を成形するもの
である。すなわち、樹脂封止形の半導体装置であって、
半導体ペレット、ベッド、パッドとリード間の接続導体
全てを樹脂発泡体で覆った後に封止樹脂で成形すること
を特徴とする半導体装置である。ここで半導体ペレット
を樹脂発泡体で覆う工程は金型を用いて行う方が良く、
樹脂発泡体はシリコーン樹脂発泡体、もしくはエポキシ
樹脂発泡体が良い。また、封止樹脂がエポキシ樹脂成形
材料である場合、成形を金型を用いて行う方が良い。
ため、下記の如く、応力に敏感な半導体素子の表面を樹
脂発泡体で覆った後に、封止樹脂で全体を成形するもの
である。すなわち、樹脂封止形の半導体装置であって、
半導体ペレット、ベッド、パッドとリード間の接続導体
全てを樹脂発泡体で覆った後に封止樹脂で成形すること
を特徴とする半導体装置である。ここで半導体ペレット
を樹脂発泡体で覆う工程は金型を用いて行う方が良く、
樹脂発泡体はシリコーン樹脂発泡体、もしくはエポキシ
樹脂発泡体が良い。また、封止樹脂がエポキシ樹脂成形
材料である場合、成形を金型を用いて行う方が良い。
（作用）
本発明による樹脂封止半導体装置は、発泡体で内部を覆
っているので、内部応力などにより生じる不良品の発生
を防止するように作用する。
っているので、内部応力などにより生じる不良品の発生
を防止するように作用する。
（実施例）
以下において本発明を更に詳しく説明する。
本発明の対象となる半導体装置は、樹脂封止半導体であ
ればいかなる半導体であっても、又いかなる形状のパッ
ケージであってもよいが、金型を用いた成形を行う樹脂
パッケージに好適である。第１図は、本発明の一適用例
を示すものであり、又、第２図は、従来型の成形品の断
面図を示すものである。
ればいかなる半導体であっても、又いかなる形状のパッ
ケージであってもよいが、金型を用いた成形を行う樹脂
パッケージに好適である。第１図は、本発明の一適用例
を示すものであり、又、第２図は、従来型の成形品の断
面図を示すものである。
第２図では、ベッド■の上にマウントされた半導体素子
ペレット■は直接封止樹脂（０で封止されているため、
成形時や、冷熱サイクルテストが行なわれた場合、封止
樹脂の硬化収縮や膨張・収縮によって生じる内部応力に
よって素子ペレットが割れたり、素子表面のパッシベー
ション膜（ＰＳＧ膜など）のクラック、表面のＡＱ配線
の移動などが生じて不良が早期に発生する。−力木発明
の一適用例としての第１図では素子全体が樹脂発泡体で
覆われているため、硬化収縮や、膨張収縮による内部応
力を発泡体が吸収して上記不良の発生を防止できるもの
である。なお、半導体素子の固定は、ベッド、吊りピン
を介して外部成形用封止樹脂を用いて行うことができる
。
ペレット■は直接封止樹脂（０で封止されているため、
成形時や、冷熱サイクルテストが行なわれた場合、封止
樹脂の硬化収縮や膨張・収縮によって生じる内部応力に
よって素子ペレットが割れたり、素子表面のパッシベー
ション膜（ＰＳＧ膜など）のクラック、表面のＡＱ配線
の移動などが生じて不良が早期に発生する。−力木発明
の一適用例としての第１図では素子全体が樹脂発泡体で
覆われているため、硬化収縮や、膨張収縮による内部応
力を発泡体が吸収して上記不良の発生を防止できるもの
である。なお、半導体素子の固定は、ベッド、吊りピン
を介して外部成形用封止樹脂を用いて行うことができる
。
（実施例）
実施例１〜６、比較例１〜２
表１に示す構成で樹脂封止半導体装置を作成し、実施例
ならびに比較例の半導体装置について、トランスファー
成形による外部成形を行なった後に１７５℃Ｘ４Ｈのア
フターキュアーを実施し、そののち、耐熱衝撃性を評価
した。
ならびに比較例の半導体装置について、トランスファー
成形による外部成形を行なった後に１７５℃Ｘ４Ｈのア
フターキュアーを実施し、そののち、耐熱衝撃性を評価
した。
得られた半導体装置各側につき２０ケを作成し、−６５
℃〜２００℃の耐熱衝撃性テストを実施した。
℃〜２００℃の耐熱衝撃性テストを実施した。
冷熱サイクルの条件は一り５℃×３０分→常温５分→２
００℃×３０分→常温５分を１サイクルとした。２０サ
イクル毎に動作不良の発生をチェックした。不良発生材
料については、熱発煙硝酸で樹脂をとかし去り、クラッ
クやＡＱ移動の有無をチェックして不良原因の確認を行
った。
００℃×３０分→常温５分を１サイクルとした。２０サ
イクル毎に動作不良の発生をチェックした。不良発生材
料については、熱発煙硝酸で樹脂をとかし去り、クラッ
クやＡＱ移動の有無をチェックして不良原因の確認を行
った。
結果を表２に示す。
表 １
表 ２
分子は不良発生数／分母はサンプル数
〔発明の効果〕
上記の如く、本発明によれば、半導体ペレットを樹脂発
泡体で覆った後に、封止樹脂で成形するようにしたので
、素子に対する樹脂の内部応力によって生ずるペレット
フラッフ、パッシベーションクラック、ＡＱ配線のスラ
イド等によって発生する動作不良を防止できるため、製
品の歩留りと信頼性を大巾に向上することが可能である
。特に大形のペレットに対しては改善効果が著るしい。
泡体で覆った後に、封止樹脂で成形するようにしたので
、素子に対する樹脂の内部応力によって生ずるペレット
フラッフ、パッシベーションクラック、ＡＱ配線のスラ
イド等によって発生する動作不良を防止できるため、製
品の歩留りと信頼性を大巾に向上することが可能である
。特に大形のペレットに対しては改善効果が著るしい。
以上の如く本発明の工業的価値は極めて大きい。
なお当然ではあるが、本発明は図示の実施例のみに限定
されるものではない。
されるものではない。
第１図は、本発明の一実施例である樹脂封止半導体装置
の概略断面図、第２図は、従来型の樹脂封止半導体装置
の概略断面図である。 １・・・ペッド ４・・・リード２・・
・ペレット ５・・・ワイヤ３・・・ボン
ディングヘッド ６・・・封止樹脂７・・・樹脂発泡
体 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
の概略断面図、第２図は、従来型の樹脂封止半導体装置
の概略断面図である。 １・・・ペッド ４・・・リード２・・
・ペレット ５・・・ワイヤ３・・・ボン
ディングヘッド ６・・・封止樹脂７・・・樹脂発泡
体 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
Claims (3)
- （１）樹脂封止形の半導体装置であって、半導体ペレッ
ト、ベッド、パッドとリード間の接続導体全てを樹脂発
泡体で覆い、この樹脂発泡体の周囲を封止樹脂で成形し
たことを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - （２）樹脂発泡体がシリコーン樹脂発泡体であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止半導体
装置。 - （３）樹脂発泡体がエポキシ樹脂発泡体であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224780A JPS6380554A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224780A JPS6380554A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380554A true JPS6380554A (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16819091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61224780A Pending JPS6380554A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6380554A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05283561A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| EP1215724A1 (en) | 2000-11-20 | 2002-06-19 | Texas Instruments Incorporated | Wire bonded semiconductor device with low capacitance coupling |
| WO2006092117A1 (de) * | 2005-03-03 | 2006-09-08 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement sowie verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements |
-
1986
- 1986-09-25 JP JP61224780A patent/JPS6380554A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05283561A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| EP1215724A1 (en) | 2000-11-20 | 2002-06-19 | Texas Instruments Incorporated | Wire bonded semiconductor device with low capacitance coupling |
| US6822340B2 (en) | 2000-11-20 | 2004-11-23 | Texas Instruments Incorporated | Low capacitance coupling wire bonded semiconductor device |
| WO2006092117A1 (de) * | 2005-03-03 | 2006-09-08 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement sowie verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements |
| US8440733B2 (en) | 2005-03-03 | 2013-05-14 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component and production method |
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