JP2005286538A - 弾性表面波デバイスおよびその作製方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスおよびその作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005286538A JP2005286538A JP2004095296A JP2004095296A JP2005286538A JP 2005286538 A JP2005286538 A JP 2005286538A JP 2004095296 A JP2004095296 A JP 2004095296A JP 2004095296 A JP2004095296 A JP 2004095296A JP 2005286538 A JP2005286538 A JP 2005286538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride
- surface acoustic
- acoustic wave
- type
- comb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【課題】ナイトライド系材料のキャリア濃度が１×１０１５ｃｍ−３以上であるような、十分に低くない場合にも、弾性表面波の損失を小さくする。また、ナイトライド系材料の特徴である高耐熱性を活かし、高温環境下で使用できるＳＡＷデバイスを作製する。さらに、ナイトライド系材料によるＳＡＷデバイスにおいて、ナイトライド系材料の特徴である高耐電圧性を活かせるＳＡＷデバイスを作製する。
【解決手段】ナイトライド系材料を用いたＳＡＷ（弾性表面波）デバイスにおいて、ナイトライド系材料上にＮｉを堆積させ、Ｎｉ上にＡｌを堆積させることにより形成されるＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極、ｎ型もしくはｐ型にドーピングされたナイトライド系材料、またはｎ型もしくはｐ型にドーピングされたＳｉよりなる櫛型電極有するＳＡＷデバイスとする。
【選択図】図１
【解決手段】ナイトライド系材料を用いたＳＡＷ（弾性表面波）デバイスにおいて、ナイトライド系材料上にＮｉを堆積させ、Ｎｉ上にＡｌを堆積させることにより形成されるＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極、ｎ型もしくはｐ型にドーピングされたナイトライド系材料、またはｎ型もしくはｐ型にドーピングされたＳｉよりなる櫛型電極有するＳＡＷデバイスとする。
【選択図】図１
Description
本発明はナイトライド系材料を用いた弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスに係り、電極にＮｉ／Ａｌ、ナイトライド系材料、もしくはＳｉを用い、弾性表面波の損失が小さく、かつ耐熱性および耐電圧性に優れたＳＡＷデバイスおよびその作製方法に関する。
ＳＡＷデバイス（弾性表面波素子）の櫛型電極材料には、電極そのものの重さによる弾性表面波の損失を小さくするために、軽い材料であるＡｌおよびＡｌを主成分とした合金を図４に示すように単層で用いている。さらに、「非特許文献１」に紹介されているように、ナイトライド系材料であるＧａＮを用いたＳＡＷデバイスにおいても、Ａｌを用いた電極を用いている。ナイトライド系材料のＳＡＷデバイスにおいて、櫛型電極材料にＡｌを用いた場合、ナイトライド系材料にとってＡｌはオーミック電極材料であり、ナイトライド系材料のキャリア濃度が１×１０１５ｃｍ−３以上であるような、十分に低くない場合、電極間に電流が流れ易くなるため、印加した電圧により効率よく弾性表面波が発生しなくなるため、弾性表面波の損失が大きくなる。
ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスにおいて、ＡｌおよびＡ１を主成分とした合金を櫛型電極として用いた場合、Ａｌの融点は、６６０℃程度であり、Ａｌを電極材料として用いたデバイスの場合、実際に使用できるのは４００℃以下である。さらに、Ａｌの融点は、１０００℃以上であるナイトライド系材料の融点に比べ、極めて低いため、ナイトライド系材料の特徴である高耐熱性を十分に活かした、高温環境下で使用できるデバイスの実現が困難である。
ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスにおいて、ＡｌおよびＡ１を主成分とした合金を櫛型電極材料として用いた場合、ナイトライド系材料の特徴である高耐電圧性を、十分に活かすことができるデバイスの実現が困難である。
ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスにおいて、ＡｌおよびＡ１を主成分とした合金を櫛型電極として用いた場合、Ａｌの融点は、６６０℃程度であり、Ａｌを電極材料として用いたデバイスの場合、実際に使用できるのは４００℃以下である。さらに、Ａｌの融点は、１０００℃以上であるナイトライド系材料の融点に比べ、極めて低いため、ナイトライド系材料の特徴である高耐熱性を十分に活かした、高温環境下で使用できるデバイスの実現が困難である。
ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスにおいて、ＡｌおよびＡ１を主成分とした合金を櫛型電極材料として用いた場合、ナイトライド系材料の特徴である高耐電圧性を、十分に活かすことができるデバイスの実現が困難である。
Suk-Hun Lee,Hwan-Hee Jeong,Sung-Bum Bae,Hyun-Chul Choi,Jung-Hee Lee,Member,IEEE,and Yong-Hyun Lee, Member,IEEE："EpitaxiallyGrown GaN Thin-FilmSAW Filter with High Velocity and Low Insertion Loss"IEEE TRANSACTIONS ON ELECTORON DEVICES VOL.48,NO.3,MARCH(2001)pp.524-528
ナイトライド系材料によるＳＡＷデバイスにおいて、ナイトライド系材料のキャリア濃度が１×１０１５ｃｍ−３以上であるような、十分に低くない場合にも、弾性表面波の損失を小さくする。
ナイトライド系材料によるＳＡＷデバイスにおいて、ナイトライド系材料の特徴である高耐熱性および高耐電圧性を活かし、高温環境下で使用できるＳＡＷデバイスを作製する。
ナイトライド系材料によるＳＡＷデバイスにおいて、ナイトライド系材料の特徴である高耐熱性および高耐電圧性を活かし、高温環境下で使用できるＳＡＷデバイスを作製する。
上記課題を解決するために、本発明は特許請求の範囲に記載のような構成とするものである。すなわち、
請求項１に記載のように、
ナイトライド系材料を用いた弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスにおいて、ナイトライド系材料上にＮｉを堆積させ、上記Ｎｉ上にＡｌを堆積させることにより形成されるＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極を有するＳＡＷデバイスとするものである。
請求項１に記載のように、
ナイトライド系材料を用いた弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスにおいて、ナイトライド系材料上にＮｉを堆積させ、上記Ｎｉ上にＡｌを堆積させることにより形成されるＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極を有するＳＡＷデバイスとするものである。
また、請求項２に記載のように、
請求項１に記載のＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極を有するＳＡＷデバイスを作製する方法であって、上記ナイトライド系材料上にレジストによりパターンを形成し、ＮｉおよびＡｌを蒸着し、リフトオフ法によりＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極パターンを形成する工程を含むＳＡＷデバイスの作製方法とするものである。
請求項１に記載のＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極を有するＳＡＷデバイスを作製する方法であって、上記ナイトライド系材料上にレジストによりパターンを形成し、ＮｉおよびＡｌを蒸着し、リフトオフ法によりＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極パターンを形成する工程を含むＳＡＷデバイスの作製方法とするものである。
また、請求項３に記載のように、
請求項１に記載のＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極を有する弾性表面波デバイスを作製する方法であって、上記ナイトライド系材料上に、蒸着もしくはスパッタ法によりＮｉおよびＡｌを堆積し、レジストによりパターンを形成し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いたエッチングによりＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極を形成する工程を含むＳＡＷデバイスの作製方法とするものである。
請求項１に記載のＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極を有する弾性表面波デバイスを作製する方法であって、上記ナイトライド系材料上に、蒸着もしくはスパッタ法によりＮｉおよびＡｌを堆積し、レジストによりパターンを形成し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いたエッチングによりＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極を形成する工程を含むＳＡＷデバイスの作製方法とするものである。
また、請求項４に記載のように、
ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスにおいて、ｎ型もしくはｐ型にドーピングされたナイトライド系材料により櫛型電極を形成してなるＳＡＷデバイスとするものである。
ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスにおいて、ｎ型もしくはｐ型にドーピングされたナイトライド系材料により櫛型電極を形成してなるＳＡＷデバイスとするものである。
また、請求項５に記載のように、
請求項４に記載のナイトライド系材料よりなる櫛型電極を有するＳＡＷデバイスを作製する方法であって、上記アンドープのナイトライド系材料上に、ｎ型もしくはｐ型のナイトライド系材料をエピタキシャル成長した基板に、レジストによりパターンを形成し、ＲＩＥを用いてｎ型もしくはｐ型のナイトライド系材料をエッチングすることによりナイトライド系材料の櫛型電極を形成する工程を含むＳＡＷデバイスの作製方法とするものである。
請求項４に記載のナイトライド系材料よりなる櫛型電極を有するＳＡＷデバイスを作製する方法であって、上記アンドープのナイトライド系材料上に、ｎ型もしくはｐ型のナイトライド系材料をエピタキシャル成長した基板に、レジストによりパターンを形成し、ＲＩＥを用いてｎ型もしくはｐ型のナイトライド系材料をエッチングすることによりナイトライド系材料の櫛型電極を形成する工程を含むＳＡＷデバイスの作製方法とするものである。
また、請求項６に記載のように、
ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスにおいて、ｎ型もしくはｐ型にドーピングされたＳｉにより櫛型電極を形成してなるＳＡＷデバイスとするものである。
ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスにおいて、ｎ型もしくはｐ型にドーピングされたＳｉにより櫛型電極を形成してなるＳＡＷデバイスとするものである。
また、請求項７に記載のように、
請求項６に記載のｎ型もしくはｐ型にドーピングされたＳｉよりなる櫛型電極
を有するＳＡＷデバイスを作製する方法であって、ナイトライド系材料上に、スパッタ法によりＳｉを堆積し、ＰもしくはＡｓイオンを注入し、熱処理を行った後、レジストによりパターンを形成し、ＲＩＥを用いてＳｉをエッチングすることによりＳｉの櫛型電極を形成する工程を含むＳＡＷデバイスの作製方法とするものである。
請求項６に記載のｎ型もしくはｐ型にドーピングされたＳｉよりなる櫛型電極
を有するＳＡＷデバイスを作製する方法であって、ナイトライド系材料上に、スパッタ法によりＳｉを堆積し、ＰもしくはＡｓイオンを注入し、熱処理を行った後、レジストによりパターンを形成し、ＲＩＥを用いてＳｉをエッチングすることによりＳｉの櫛型電極を形成する工程を含むＳＡＷデバイスの作製方法とするものである。
本発明により、以下に示す効果がある。
（１）ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスを製作するとき、キャリア濃度を厳密に制御せずにエピタキシャル成長した基板、つまりキャリア濃度が十分に低くない基板を用いても、損失の小さいＳＡＷデバイスを実現できる。このため、トランジスターを用いた電子回路とＳＡＷフィルターをモノリシックに集積化できる。
（２）ＳＡＷデバイスを用いたセンサーとアンプ等の電子回路をモノリシックに集積化できるため、センサー全体を小型化できる。
（３）高温で使用できるＳＡＷフィルターを実現できる。
（４）高温で使用できるＳＡＷデバイスが実現できるため、高温で使用するＳＡＷデバイスを用いたセンサーが作製できる。
（５）ナイトライド系材料の特徴である高耐熱性および高耐電圧性を、十分に活かせるＳＡＷデバイスが得られる。
（１）ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスを製作するとき、キャリア濃度を厳密に制御せずにエピタキシャル成長した基板、つまりキャリア濃度が十分に低くない基板を用いても、損失の小さいＳＡＷデバイスを実現できる。このため、トランジスターを用いた電子回路とＳＡＷフィルターをモノリシックに集積化できる。
（２）ＳＡＷデバイスを用いたセンサーとアンプ等の電子回路をモノリシックに集積化できるため、センサー全体を小型化できる。
（３）高温で使用できるＳＡＷフィルターを実現できる。
（４）高温で使用できるＳＡＷデバイスが実現できるため、高温で使用するＳＡＷデバイスを用いたセンサーが作製できる。
（５）ナイトライド系材料の特徴である高耐熱性および高耐電圧性を、十分に活かせるＳＡＷデバイスが得られる。
以下に、本発明を実施するための最良の形態として、実施例を挙げ、さらに詳細に説明する。
ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスにおいて、ナイトライド系材料にとって、良好なショットキー電極であるＮｉを薄く堆積し、Ｎｉ上にＡｌを堆積させたＮｉ／Ａｌ二層の櫛型電極構造とすることにより、キャリア濃度が１×１０１５ｃｍ−３以上であるようなナイトライド系材料を用いて製作したＳＡＷデバイスにおいても、表面空乏層が広がることにより、電流が流れ難くなり、櫛型電極そのものの重さによる損失を増大させることなく、弾性表面波の損失を減少させることができる。Ｎｉ上にＡｌを堆積させたＮｉ／Ａｌ二層の櫛型電極構造とするのは、電極そのものの重さを極力大きくしないため、密度の大きいＮｉを極力薄くし、電圧を効率よく印加できるように電極の抵抗を低くするため、電極厚さを厚くするためである。すなわち、図４に示す従来のＡｌ単層電極の性質を極力維持しつつ、電流を流れ難くするため、Ａｌとナイトライド系材料との間に薄いＮｉを挿入した電極構造とすることである。
ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスにおいて、ナイトライド系材料にとって、良好なショットキー電極であるＮｉを薄く堆積し、Ｎｉ上にＡｌを堆積させたＮｉ／Ａｌ二層の櫛型電極構造とすることにより、キャリア濃度が１×１０１５ｃｍ−３以上であるようなナイトライド系材料を用いて製作したＳＡＷデバイスにおいても、表面空乏層が広がることにより、電流が流れ難くなり、櫛型電極そのものの重さによる損失を増大させることなく、弾性表面波の損失を減少させることができる。Ｎｉ上にＡｌを堆積させたＮｉ／Ａｌ二層の櫛型電極構造とするのは、電極そのものの重さを極力大きくしないため、密度の大きいＮｉを極力薄くし、電圧を効率よく印加できるように電極の抵抗を低くするため、電極厚さを厚くするためである。すなわち、図４に示す従来のＡｌ単層電極の性質を極力維持しつつ、電流を流れ難くするため、Ａｌとナイトライド系材料との間に薄いＮｉを挿入した電極構造とすることである。
ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスにおいて、図２に示すように、ｎ型またはｐ型にドーピングされたナイトライド系材料を櫛型電極材料とした場合、ナイトライド系材料の融点は１０００℃以上であるため、耐熱性および耐電圧性を２倍以上に向上させ、ナイトライド系材料の特徴である高耐熱性および高耐電圧性を、十分に活かせるＳＡＷデバイスが得られる。すなわち、弾性表面波が伝播する材料と同一の材料を用いることにより、高耐熱性および高耐電圧性を維持できる。ｎ型またはｐ型にドーピングされたナィトライド系材料を櫛型電極材料とする場合、エピタキシャル成長により基板を製作するときに、電極材料を同時に形成できる。
ナイトライド系材料を用いたＳＡＷデバイスにおいて、図２に示すように、ｎ型またはｐ型にドーピングされたＳｉを櫛型電極材料とした場合、Ｓｉの融点が１４１０℃であるため、耐熱性および耐電圧性を２倍以上に向上させ、ナイトライド系材料の特徴である高耐熱性および高耐電圧性を、十分に活かせるＳＡＷデバイスが得られる。ｎ型またはｐ型にドーピングされたＳｉは、どのような基板上にも堆積可能である。
〈実施例１〉
サファイア基板または、ＳｉＣ基板または、Ｓｉ基板上にアンドープのＧａＮをエピタキシャル成長させた基板上に、ｉ線ステッパを用いて、０.５μｍ厚さのレジストによりパターンを形成し、Ｎｉを１００〜２００Å蒸着し、蒸着したＮｉ上にＡｌを１００〜２００Å蒸着し、リフトオフ法により、図１に示すような櫛型電極パターンを形成する。このリフトオフを用いた方法では、線幅が０.５μｍ以上のものが形成可能である。Ｎｉの厚さは、厚い場合には電極そのものの重量による弾性表面波の損失が大きくなるため極力薄くするのが望ましいが、１００〜２００Åとしたのは、１００Åより薄いと効果が現れ難くいためである。Ｎｉ上にＡｌを堆積させたＮｉ／Ａｌ二層の櫛型電極構造とするのは、電極そのものの重さを極カ大きくしないため、密度の大きいＮｉを極力薄くし、電圧を効率よく印加できるように電極の抵抗を低くするため、電極厚さを厚くするためである。すなわち、図４に示す従来のＡｌ単層電極の性質を極力維持しつつ、電流を流れ難くするため、Ａｌとナイトライド系材料との間に薄いＮｉを挿入した電極構造とすることである。電極の線幅により、弾性表面波の波長が決まり、使用する周波数が決まるため、目的により線幅を決定する。電極間距離は線幅と同じとする。図３に示す交差幅は、波長の１００倍とし、図３に示す電極１と電極２の距離は、１.５ｍｍから５ｍｍとする。
サファイア基板または、ＳｉＣ基板または、Ｓｉ基板上にアンドープのＧａＮをエピタキシャル成長させた基板上に、ｉ線ステッパを用いて、０.５μｍ厚さのレジストによりパターンを形成し、Ｎｉを１００〜２００Å蒸着し、蒸着したＮｉ上にＡｌを１００〜２００Å蒸着し、リフトオフ法により、図１に示すような櫛型電極パターンを形成する。このリフトオフを用いた方法では、線幅が０.５μｍ以上のものが形成可能である。Ｎｉの厚さは、厚い場合には電極そのものの重量による弾性表面波の損失が大きくなるため極力薄くするのが望ましいが、１００〜２００Åとしたのは、１００Åより薄いと効果が現れ難くいためである。Ｎｉ上にＡｌを堆積させたＮｉ／Ａｌ二層の櫛型電極構造とするのは、電極そのものの重さを極カ大きくしないため、密度の大きいＮｉを極力薄くし、電圧を効率よく印加できるように電極の抵抗を低くするため、電極厚さを厚くするためである。すなわち、図４に示す従来のＡｌ単層電極の性質を極力維持しつつ、電流を流れ難くするため、Ａｌとナイトライド系材料との間に薄いＮｉを挿入した電極構造とすることである。電極の線幅により、弾性表面波の波長が決まり、使用する周波数が決まるため、目的により線幅を決定する。電極間距離は線幅と同じとする。図３に示す交差幅は、波長の１００倍とし、図３に示す電極１と電極２の距離は、１.５ｍｍから５ｍｍとする。
〈実施例２〉
サファィア基板または、ＳｉＣ基板または、Ｓｉ基板上にアンドープのＧａＮをエピタキシャル成長さぜた基板上に、蒸着またはスパッタ法によりＮｉを１００〜２００Å堆積し、堆積したＮｉ上にＡｌを１００〜２００Å堆積し、ｉ線ステッパを用いて、０.５μｍ厚さのレジストによりパターンを形成し、塩素系ガスを用いたＲＩＥによりエッチングし、櫛型電極を形成する。堆積する金属の厚さを選んだ理由は、実施例１で説明したとおりである。電極の線幅により、弾性表面波の波長が決まり、使用する周波数が決まるため、目的により線幅を決定する。電極間距離は線幅と同じとする。図３に示す交差幅は、波長の１００倍とし、図３に示す電極１と電極２の距離は、１.５ｍｍから５ｍｍとする。この方法では、０.３μｍ程度の細い線幅まで形成できる。すなわち、上記のリフトオフ法よりも波長の短い弾性表面波が伝播するＳＡＷデバイスを製作できる。
サファィア基板または、ＳｉＣ基板または、Ｓｉ基板上にアンドープのＧａＮをエピタキシャル成長さぜた基板上に、蒸着またはスパッタ法によりＮｉを１００〜２００Å堆積し、堆積したＮｉ上にＡｌを１００〜２００Å堆積し、ｉ線ステッパを用いて、０.５μｍ厚さのレジストによりパターンを形成し、塩素系ガスを用いたＲＩＥによりエッチングし、櫛型電極を形成する。堆積する金属の厚さを選んだ理由は、実施例１で説明したとおりである。電極の線幅により、弾性表面波の波長が決まり、使用する周波数が決まるため、目的により線幅を決定する。電極間距離は線幅と同じとする。図３に示す交差幅は、波長の１００倍とし、図３に示す電極１と電極２の距離は、１.５ｍｍから５ｍｍとする。この方法では、０.３μｍ程度の細い線幅まで形成できる。すなわち、上記のリフトオフ法よりも波長の短い弾性表面波が伝播するＳＡＷデバイスを製作できる。
〈実施例３〉
サファイア基板または、ＳｉＣ基板または、Ｓｉ基板上にアンドープのＧａＮをエピタキシャル成長させ、その上層に、キャリア濃度を１０１８ｃｍ−３以上となるようにＳｉまたはＭｇをドーピングしたＧａＮを５００〜１０００Å程度エピタキシャル成長させた基板に、ｉ線ステッパを用いて、０.５μｍ厚さのレジストによりパターンを形成し、塩素系ガスを用いたＲＩＥで、ＳｉまたはＭｇをドーピングしたＧａＮをエッチングすることにより櫛型電極を形成する。電極の線幅により、弾性表面波の波長が決まり、使用する周波数が決まるため、目的により線幅を決定する。図３に示す交差幅は、波長の１００倍とし、図３に示す電極１と電極２の距離は、１.５ｍｍから５ｍｍとする。この方法では、０.３μｍ程度の細い線幅まで形成できる。
サファイア基板または、ＳｉＣ基板または、Ｓｉ基板上にアンドープのＧａＮをエピタキシャル成長させ、その上層に、キャリア濃度を１０１８ｃｍ−３以上となるようにＳｉまたはＭｇをドーピングしたＧａＮを５００〜１０００Å程度エピタキシャル成長させた基板に、ｉ線ステッパを用いて、０.５μｍ厚さのレジストによりパターンを形成し、塩素系ガスを用いたＲＩＥで、ＳｉまたはＭｇをドーピングしたＧａＮをエッチングすることにより櫛型電極を形成する。電極の線幅により、弾性表面波の波長が決まり、使用する周波数が決まるため、目的により線幅を決定する。図３に示す交差幅は、波長の１００倍とし、図３に示す電極１と電極２の距離は、１.５ｍｍから５ｍｍとする。この方法では、０.３μｍ程度の細い線幅まで形成できる。
〈実施例４〉
サファイア基板または、ＳｉＣ基板または、Ｓｉ基板上にアンドープのＧａＮをエピタキシャル成長させた基板上に、スパツタ法によりＳｉを５００〜１０００Å堆積し、ＰまたはＡｓまたはＢイオンを注入し、９００℃以上の熱処理を行い、Ｓｉのキャリア濃度を１０１８ｃｍ−３以上とした後、ｉ線ステッパを用いて、０.５μｍ厚さのレジストによりパターンを形成し、フッ素系のＲＩＥを用いてＳｉをエッチングすることにより櫛型電極を形成する。電極の線幅により、弾性表面波の波長が決まり、使用する周波数が決まるため、目的により線幅を決定する。電極間距離は線幅と同じとする。図３に示す交差幅は、波長の１００倍とし、図３に示す電極１と電極２の距離は、１.５ｍｍから５ｍｍとする。この方法では、０.３μｍ程度の細い線幅まで形成できる。
サファイア基板または、ＳｉＣ基板または、Ｓｉ基板上にアンドープのＧａＮをエピタキシャル成長させた基板上に、スパツタ法によりＳｉを５００〜１０００Å堆積し、ＰまたはＡｓまたはＢイオンを注入し、９００℃以上の熱処理を行い、Ｓｉのキャリア濃度を１０１８ｃｍ−３以上とした後、ｉ線ステッパを用いて、０.５μｍ厚さのレジストによりパターンを形成し、フッ素系のＲＩＥを用いてＳｉをエッチングすることにより櫛型電極を形成する。電極の線幅により、弾性表面波の波長が決まり、使用する周波数が決まるため、目的により線幅を決定する。電極間距離は線幅と同じとする。図３に示す交差幅は、波長の１００倍とし、図３に示す電極１と電極２の距離は、１.５ｍｍから５ｍｍとする。この方法では、０.３μｍ程度の細い線幅まで形成できる。
１：基板（ナイトライド系材料）
２：Ａｌ
３：Ｎｉ
４：Ｎｉ／Ａｌ二層ＩＤＴ（櫛型電極）
５：ナイトライド系材料（またはＳｉ）
６：櫛型電極
２：Ａｌ
３：Ｎｉ
４：Ｎｉ／Ａｌ二層ＩＤＴ（櫛型電極）
５：ナイトライド系材料（またはＳｉ）
６：櫛型電極
Claims (7)
- ナイトライド系材料を用いた弾性表面波デバイスにおいて、ナイトライド系材料上にＮｉを堆積させ、上記Ｎｉ上にＡｌを堆積させることにより形成されるＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波デバイス。
- 請求項１に記載のＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極を有する弾性表面波デバイスを作製する方法であって、上記ナイトライド系材料上にレジストによりパターンを形成し、ＮｉおよびＡｌを蒸着し、リフトオフ法によりＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極パターンを形成する工程を含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの作製方法。
- 請求項１に記載のＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極を有する弾性表面波デバイスを作製する方法であって、上記ナイトライド系材料上に、蒸着もしくはスパッタ法によりＮｉおよびＡｌを堆積し、レジストによりパターンを形成し、反応性イオンエッチング法を用いたエッチングによりＮｉ／Ａｌ二層からなる櫛型電極を形成する工程を含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの作製方法。
- ナイトライド系材料を用いた弾性表面波デバイスにおいて、ｎ型もしくはｐ型にドーピングされたナイトライド系材料により櫛型電極を形成してなることを特徴とする弾性表面波デバイス。
- 請求項４に記載のナイトライド系材料よりなる櫛型電極を有する弾性表面波デバイスを作製する方法であって、上記アンドープのナイトライド系材料上に、ｎ型もしくはｐ型のナイトライド系材料をエピタキシャル成長した基板に、レジストによりパターンを形成し、反応性イオンエッチング法を用いてｎ型もしくはｐ型のナイトライド系材料をエッチングすることによりナイトライド系材料の櫛型電極を形成する工程を含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの作製方法。
- ナイトライド系材料を用いた弾性表面波デバイスにおいて、ｎ型もしくはｐ型にドーピングされたＳｉにより櫛型電極を形成してなることを特徴とする弾性表面波デバイス。
- 請求項６に記載のｎ型もしくはｐ型にドーピングされたＳｉよりなる櫛型電極を有する弾性表面波デバイスを作製する方法であって、ナイトライド系材料上に、スパッタ法によりＳｉを堆積し、ＰもしくはＡｓイオンを注入し、熱処理を行った後、レジストによりパターンを形成し、ＲＩＥを用いてＳｉをエッチングすることによりＳｉの櫛型電極を形成する工程を含むことを特徴とす弾性表面波デバイスの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004095296A JP4331032B2 (ja) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 弾性表面波デバイスおよびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004095296A JP4331032B2 (ja) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 弾性表面波デバイスおよびその作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005286538A true JP2005286538A (ja) | 2005-10-13 |
| JP4331032B2 JP4331032B2 (ja) | 2009-09-16 |
Family
ID=35184481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004095296A Expired - Fee Related JP4331032B2 (ja) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 弾性表面波デバイスおよびその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4331032B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101733431B (zh) * | 2009-11-30 | 2012-07-18 | 大连四达高技术发展有限公司 | 空间平面调整装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5480654A (en) * | 1977-12-09 | 1979-06-27 | Fujitsu Ltd | Surface acoustic wave element |
| JPH0590871A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
| JP2001203561A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-07-27 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ＧａＮ単結晶薄膜を用いたＳＡＷフィルター及びその製造方法 |
| JP2001217672A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
| JP2002026687A (ja) * | 2000-05-01 | 2002-01-25 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置、横波トランスデューサー及び縦波トランスデューサー並びにこれらの製造方法 |
| WO2002061943A1 (fr) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif saw et son procede de fabrication |
| JP2002330047A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子 |
| JP2003234634A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Toshiba Corp | 弾性波素子及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-03-29 JP JP2004095296A patent/JP4331032B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5480654A (en) * | 1977-12-09 | 1979-06-27 | Fujitsu Ltd | Surface acoustic wave element |
| JPH0590871A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
| JP2001217672A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
| JP2001203561A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-07-27 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ＧａＮ単結晶薄膜を用いたＳＡＷフィルター及びその製造方法 |
| JP2002026687A (ja) * | 2000-05-01 | 2002-01-25 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置、横波トランスデューサー及び縦波トランスデューサー並びにこれらの製造方法 |
| WO2002061943A1 (fr) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif saw et son procede de fabrication |
| JP2002330047A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子 |
| JP2003234634A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Toshiba Corp | 弾性波素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4331032B2 (ja) | 2009-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4389935B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4895520B2 (ja) | ショットキーダイオードおよびその製造方法 | |
| JP5625336B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP5955519B2 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
| JP2002016245A (ja) | 半導体装置 | |
| JPWO2005081304A1 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP5792922B2 (ja) | ショットキバリアダイオードおよびその製造方法 | |
| JP2014199864A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2010056285A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JP2017011088A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4889203B2 (ja) | 窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4331032B2 (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその作製方法 | |
| CN114883407B (zh) | 基于Fin-FET栅结构HEMT及其制作方法 | |
| JP6984456B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JP2006120694A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP5220904B2 (ja) | ＧａＮ系化合物半導体装置 | |
| TWI705506B (zh) | 半導體基底、半導體裝置、半導體基底的製造方法、以及半導體裝置的製造方法 | |
| JP4781757B2 (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその作製方法 | |
| JP4869576B2 (ja) | 窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2018200934A (ja) | 窒化物半導体積層物、半導体装置、窒化物半導体積層物の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| CN113488536A (zh) | 具有衬底电极的增强型的p型氮化镓器件及其制备方法 | |
| CN208422941U (zh) | 一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器 | |
| CN112885899A (zh) | 一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法 | |
| JP2010045308A (ja) | 半導体装置およびその製造方法、並びにｍｏｓ型電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| CN115274845B (zh) | 一种凹陷式Fin-MESFET栅结构HEMT及制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060407 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080930 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081211 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090515 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090518 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090518 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090616 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090617 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4331032 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130626 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees | ||
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |