JP4331032B2 - 弾性表面波デバイスおよびその作製方法 - Google Patents
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ナイトライド系材料を用いたSAWデバイスにおいて、AlおよびA1を主成分とした合金を櫛型電極として用いた場合、Alの融点は、660℃程度であり、Alを電極材料として用いたデバイスの場合、実際に使用できるのは400℃以下である。さらに、Alの融点は、1000℃以上であるナイトライド系材料の融点に比べ、極めて低いため、ナイトライド系材料の特徴である高耐熱性を十分に活かした、高温環境下で使用できるデバイスの実現が困難である。
ナイトライド系材料を用いたSAWデバイスにおいて、AlおよびA1を主成分とした合金を櫛型電極材料として用いた場合、ナイトライド系材料の特徴である高耐電圧性を、十分に活かすことができるデバイスの実現が困難である。
ナイトライド系材料によるSAWデバイスにおいて、ナイトライド系材料の特徴である高耐熱性および高耐電圧性を活かし、高温環境下で使用できるSAWデバイスを作製する。
請求項1に記載のように、
ナイトライド系材料を用いた弾性表面波(SAW)デバイスにおいて、n型もしくはp型にドーピングされたGaNにより櫛型電極を形成してなるSAWデバイスとするものである。
n型もしくはp型にドーピングされたSiよりなる櫛型電極を有する、ナイトライド系材料を用いたSAWデバイスを作製する方法であって、ナイトライド系材料上に、スパッタ法によりSiを堆積し、PもしくはAsイオンを注入し、熱処理を行った後、レジストによりパターンを形成し、RIEを用いてSiをエッチングすることによりSiの櫛型電極を形成する工程を含むSAWデバイスの作製方法とするものである。
(1)ナイトライド系材料を用いたSAWデバイスを製作するとき、キャリア濃度を厳密に制御せずにエピタキシャル成長した基板、つまりキャリア濃度が十分に低くない基板を用いても、損失の小さいSAWデバイスを実現できる。このため、トランジスターを用いた電子回路とSAWフィルターをモノリシックに集積化できる。
(2)SAWデバイスを用いたセンサーとアンプ等の電子回路をモノリシックに集積化できるため、センサー全体を小型化できる。
(3)高温で使用できるSAWフィルターを実現できる。
(4)高温で使用できるSAWデバイスが実現できるため、高温で使用するSAWデバイスを用いたセンサーが作製できる。
(5)ナイトライド系材料の特徴である高耐熱性および高耐電圧性を、十分に活かせるSAWデバイスが得られる。
ナイトライド系材料を用いたSAWデバイスにおいて、ナイトライド系材料にとって、良好なショットキー電極であるNiを薄く堆積し、Ni上にAlを堆積させたNi/Al二層の櫛型電極構造とすることにより、キャリア濃度が1×1015cm−3以上であるようなナイトライド系材料を用いて製作したSAWデバイスにおいても、表面空乏層が広がることにより、電流が流れ難くなり、櫛型電極そのものの重さによる損失を増大させることなく、弾性表面波の損失を減少させることができる。Ni上にAlを堆積させたNi/Al二層の櫛型電極構造とするのは、電極そのものの重さを極力大きくしないため、密度の大きいNiを極力薄くし、電圧を効率よく印加できるように電極の抵抗を低くするため、電極厚さを厚くするためである。すなわち、図4に示す従来のAl単層電極の性質を極力維持しつつ、電流を流れ難くするため、Alとナイトライド系材料との間に薄いNiを挿入した電極構造とすることである。
サファイア基板または、SiC基板または、Si基板上にアンドープのGaNをエピタキシャル成長させた基板上に、i線ステッパを用いて、0.5μm厚さのレジストによりパターンを形成し、Niを100〜200Å蒸着し、蒸着したNi上にAlを100〜200Å蒸着し、リフトオフ法により、図1に示すような櫛型電極パターンを形成する。このリフトオフを用いた方法では、線幅が0.5μm以上のものが形成可能である。Niの厚さは、厚い場合には電極そのものの重量による弾性表面波の損失が大きくなるため極力薄くするのが望ましいが、100〜200Åとしたのは、100Åより薄いと効果が現れ難くいためである。Ni上にAlを堆積させたNi/Al二層の櫛型電極構造とするのは、電極そのものの重さを極カ大きくしないため、密度の大きいNiを極力薄くし、電圧を効率よく印加できるように電極の抵抗を低くするため、電極厚さを厚くするためである。すなわち、図4に示す従来のAl単層電極の性質を極力維持しつつ、電流を流れ難くするため、Alとナイトライド系材料との間に薄いNiを挿入した電極構造とすることである。電極の線幅により、弾性表面波の波長が決まり、使用する周波数が決まるため、目的により線幅を決定する。電極間距離は線幅と同じとする。図3に示す交差幅は、波長の100倍とし、図3に示す電極1と電極2の距離は、1.5mmから5mmとする。
サファィア基板または、SiC基板または、Si基板上にアンドープのGaNをエピタキシャル成長さぜた基板上に、蒸着またはスパッタ法によりNiを100〜200Å堆積し、堆積したNi上にAlを100〜200Å堆積し、i線ステッパを用いて、0.5μm厚さのレジストによりパターンを形成し、塩素系ガスを用いたRIEによりエッチングし、櫛型電極を形成する。堆積する金属の厚さを選んだ理由は、実施例1で説明したとおりである。電極の線幅により、弾性表面波の波長が決まり、使用する周波数が決まるため、目的により線幅を決定する。電極間距離は線幅と同じとする。図3に示す交差幅は、波長の100倍とし、図3に示す電極1と電極2の距離は、1.5mmから5mmとする。この方法では、0.3μm程度の細い線幅まで形成できる。すなわち、上記のリフトオフ法よりも波長の短い弾性表面波が伝播するSAWデバイスを製作できる。
サファイア基板または、SiC基板または、Si基板上にアンドープのGaNをエピタキシャル成長させ、その上層に、キャリア濃度を1018cm−3以上となるようにSiまたはMgをドーピングしたGaNを500〜1000Å程度エピタキシャル成長させた基板に、i線ステッパを用いて、0.5μm厚さのレジストによりパターンを形成し、塩素系ガスを用いたRIEで、SiまたはMgをドーピングしたGaNをエッチングすることにより櫛型電極を形成する。電極の線幅により、弾性表面波の波長が決まり、使用する周波数が決まるため、目的により線幅を決定する。図3に示す交差幅は、波長の100倍とし、図3に示す電極1と電極2の距離は、1.5mmから5mmとする。この方法では、0.3μm程度の細い線幅まで形成できる。
サファイア基板または、SiC基板または、Si基板上にアンドープのGaNをエピタキシャル成長させた基板上に、スパツタ法によりSiを500〜1000Å堆積し、PまたはAsまたはBイオンを注入し、900℃以上の熱処理を行い、Siのキャリア濃度を1018cm−3以上とした後、i線ステッパを用いて、0.5μm厚さのレジストによりパターンを形成し、フッ素系のRIEを用いてSiをエッチングすることにより櫛型電極を形成する。電極の線幅により、弾性表面波の波長が決まり、使用する周波数が決まるため、目的により線幅を決定する。電極間距離は線幅と同じとする。図3に示す交差幅は、波長の100倍とし、図3に示す電極1と電極2の距離は、1.5mmから5mmとする。この方法では、0.3μm程度の細い線幅まで形成できる。
2:Al
3:Ni
4:Ni/Al二層IDT(櫛型電極)
5:ナイトライド系材料(またはSi)
6:櫛型電極
Claims (2)
- ナイトライド系材料を用いた弾性表面波デバイスにおいて、n型もしくはp型にドーピングされたGaNにより櫛型電極を形成してなることを特徴とする弾性表面波デバイス。
- n型もしくはp型にドーピングされたSiよりなる櫛型電極を有する、ナイトライド系材料を用いた弾性表面波デバイスを作製する方法であって、ナイトライド系材料上に、スパッタ法によりSiを堆積し、PもしくはAsイオンを注入し、熱処理を行った後、レジストによりパターンを形成し、RIEを用いてSiをエッチングすることによりSiの櫛型電極を形成する工程を含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの作製方法。
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