JP2002330047A

JP2002330047A - 弾性表面波素子

Info

Publication number: JP2002330047A
Application number: JP2001132730A
Authority: JP
Inventors: Atsuo Kishu; 淳雄旗手; Kazuhiro Otsuka; 一弘大塚
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-04-27
Filing date: 2001-04-27
Publication date: 2002-11-15

Abstract

(57)【要約】【課題】きわめて簡便な方法で、ショート不良による
挿入損失の増大が無い、特性、信頼性、および生産性の
良好な優れた弾性表面波素子を提供すること。【解決手段】圧電基板１の一主面上に弾性表面波の励
振電極２を配設するとともに、圧電基板１の他主面を算
術平均粗さで０．１μｍ〜１０μｍの範囲に粗面化し、
且つ該他主面上に前記算術平均粗さの１．４〜１００倍
の厚みに、面積抵抗が１０００Ω／□以上の絶縁体膜４
を形成した弾性表面波素子とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等の無線
通信機器に用いられる共振子やフィルタ等の弾性表面波
素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、無線通信を行なう電子機器用の帯
域通過フィルタ等の周波数フィルタ、遅延線、発信器等
の電子部品として、弾性表面波共振子や弾性表面波フィ
ルタなどの弾性表面波装置が用いられている。この弾性
表面波装置には、圧電基板の主面に一対の櫛歯状電極か
ら成る励振電極（ＩＤＴ電極：ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔ
ａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を１つ以上配置してなる
弾性表面波素子が少なくとも１つ含まれている。

【０００３】従来の弾性表面波素子の断面図を図３に示
す。この弾性表面波素子に用いられる圧電基板１０で
は、圧電基板１０の一主面に配設されてある励振電極１
１から発生するバルク弾性波が他主面で反射しないよう
にするため、圧電基板１０の他主面を粗面にしてある。

【０００４】この弾性表面波素子の製造工程を図４に基
づき説明する。まず、圧電基板１０の主面にＡｌ、Ａｌ
−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｔｉ積層膜等の電極膜１２をスパッ
タ法、蒸着法等により形成する（図４（ａ）、図４
（ｂ）を参照）。その後、フォトリソグラフィー法によ
り電極膜の上にフォトレジスト１３のパターンを形成す
る（図４（ｃ）を参照）。そして、ウェットエッチング
またはドライエッチングのエッチング法により電極膜１
２のパターンを形成し（図４（ｄ）を参照）、フォトレ
ジスト１３を剥離またはアッシングにより除去する（図
４（ｅ）を参照）。以上によって、圧電基板１０上に所
望パターン形状の励振電極１１を形成する。この後、励
振電極１１が形成された圧電基板１０をダイシングする
ことにより弾性表面波素子が完成する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】以上の製造方法におい
て、電極膜形成後に圧電基板表面に異物が付着すると、
その部分にショート不良が発生してしまう。これは、付
着した異物の導電性、絶縁性に関わらず起こる。この様
子を図５に示す例に基づいて説明する。

【０００６】電極膜１２を圧電基板１０上に形成後に基
板上に異物１４が付着すると（図５（ａ）を参照）、そ
の後、図５（ｂ）、（ｃ）のフォトレジスト１３の形成
工程及びフォトリソグラフィ工程等を経て、この異物１
４が電極膜１２のエッチング工程において遮蔽となり
（図５（ｄ）を参照）、異物１４の下の除去されるべき
部分の電極膜１５が残留しまうことにより（図５（ｅ）
を参照）、ショート不良等が発生し、ひいては弾性表面
波素子の挿入損失が増大することになる。このことか
ら、弾性表面波素子を良好な特性で製造するためには、
圧電基板１０の表面への異物１４の付着を極力防止しな
ければならない。

【０００７】しかし、圧電基板はそれ自体が異物発生源
になっている。弾性表面波素子を良好な特性にするため
に、圧電基板の裏面で弾性波が反射しないように粗面化
している。一般に、この粗面化による裏面の算術平均粗
さ（Ｒａ）は０．３μｍ程度であるが、粗面化の過程で
圧電基板の削り屑がその裏面の凹凸に挟まり、洗浄工程
を経ても異物として挟まったまま残留してしまう。

【０００８】このため、圧電基板の裏面にサブミクロン
オーダの、圧電基板と同じ成分の粒が、多数存在した状
態になる。フォトリソグラフィ工程において、圧電基板
をベーキング処理するため、圧電基板の膨張、収縮が起
こり、圧電基板の裏面の凹凸に挟まっていた異物が剥離
しやすくなる。特に製造工程においては、圧電基板はバ
スケットに多数枚入れた状態で扱われるので、圧電基板
の表面は隣接する圧電基板の裏面と近接しており、圧電
基板の裏面から剥離した粒子は隣接する圧電基板の表面
に付着することになる。また、温度変動があると焦電効
果により隣接基板間で静電引力が発生する。このため、
隣接した圧電基板の裏面に存在する粒が引き寄せられ、
圧電基板裏面からの粒子剥離が助長される。

【０００９】隣接基板間の静電引力の抑制に関しては、
圧電基板の裏面および側面に導電性膜を成膜する方法が
あるが、これは圧電基板上に形成されたＩＤＴ電極と基
板裏面との間に発生する電位差により起こるＩＤＴ電極
の静電破壊を防止するための処置であり、圧電基板裏面
からの異物剥離の防止は不完全であった。これは、圧電
基板の裏面に形成する膜の厚みは導電性が確保されてい
れば薄くても十分であり、圧電基板裏面からの粒子剥離
を防止するために必要となる、粒子が覆われる程度の厚
さを確保していないこと、および、導電成膜としての金
属膜では圧電基板との密着強度が弱いため、膜から膜の
粒子が剥落してパターン上の異物となるからである。

【００１０】このように、従来の弾性表面波素子の製造
方法においては、隣接する圧電基板の裏面にある粒子が
剥離して基板表面に付着し、その結果ショート不良が発
生し、ひいては弾性表面波素子の挿入損失が劣化すると
いう問題があった。

【００１１】そこで本発明は、上記の問題に鑑みて提案
されたものであり、きわめて簡便な方法で、ショート不
良による挿入損失の増大が無い、特性、信頼性、および
生産性の良好な優れた弾性表面波素子を提供することを
目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の弾性表面波素子は、圧電基板の一主面上に
弾性表面波の励振電極を配設するとともに、前記圧電基
板の他主面を算術平均粗さで０．１μｍ〜１０μｍの範
囲に粗面化し、且つ該他主面上に前記算術平均粗さの
１．４〜１００倍の厚みに、面積抵抗が１０００Ω／□
以上の絶縁体膜を形成したことを特徴とする。

【００１３】また、特に前記絶縁体膜が前記圧電基板の
算術平均粗さ（Ｒａ）の２〜３０倍の厚みで形成したこ
と、前記絶縁体膜がポリイミド系、ポリエチレン系、ポ
リビニリデン系、及びポリフェニレン系のいずれかの樹
脂から成ること、さらに前記絶縁体膜の線膨張係数が１
×１０^-6／Ｋ〜４×１０^-4／Ｋの低熱膨張性ポリイミド
樹脂であることを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明に係る弾性表面波素子の実
施の形態を模式的に図示した図面に基づき詳細に説明す
る。

【００１５】図１に本発明に係る弾性表面波素子の概略
断面図を示す。

【００１６】図１に示すように、圧電基板１の一主面上
に弾性表面波の励振電極２、配線電極３を配設し、圧電
基板１の他主面を算術平均粗さで０．１μｍ〜１０μｍ
の範囲に粗面化し、さらに他主面上に前記算術平均粗さ
の１．４〜１００倍の厚みに、面積抵抗が１０００Ω／
□以上の絶縁体膜４を形成して弾性表面波素子を構成し
ている。

【００１７】また、特に絶縁体膜４が前記算術平均粗さ
（Ｒａ）の２〜３０倍の厚みで形成するとよく、また、
絶縁体膜４がポリイミド系、ポリエチレン系、ポリビニ
リデン系、及びポリフェニレン系のいずれかの樹脂から
成ること、さらに絶縁体膜４の線膨張係数が１×１０^-6
／Ｋ〜４×１０^-4／Ｋの低熱膨張性ポリイミド樹脂であ
るとよい。

【００１８】ここで、圧電基板１にはＬｉＴａＯ₃、Ｌ
ｉＮｂＯ₃、ＬｉＢ₄Ｏ₇、ＡｌＮ_X等の単結晶基板が用い
られるが、ＺｎＯ、ＡｌＮ_Xあるいはダイヤモンドなど
の圧電性薄膜をＳｉ、Ａｌ₂Ｏ₃などから成る基板表面
（励振電極形成面）に配設したものであってもよい。ま
た、励振電極２の上にＳｉ、ＳｉＮ_X、ＳｉＯ₂などの保
護膜を形成してあってもよい。

【００１９】励振電極２はＡｌあるいはＡｌ−Ｃｕ系、
Ａｌ−Ｔｉ系、Ａｌ−Ｎｉ系などのＡｌを主体とする合
金からなり、これらの材質とＣｕ、Ｔｉ、Ｎｉなどとの
積層構造であってもよい。また、励振電極２と圧電基板
１の間にＴｉなどの下地膜を成膜してあってもよい。ま
た、電極子間にＺｎＯ、ＡｌＮ_Xどの圧電材料を成膜す
れば、弾性波の共振効率が向上し好適である。

【００２０】また、励振電極２は圧電基板１上で互いに
噛み合うように形成された一対の櫛歯状電極および、櫛
歯状電極の近傍に配設される反射器等からなる。配線電
極３は複数の励振電極２の間を接続する電極膜および弾
性表面波素子と外部回路を接続するための入出力電極パ
ッド等からなる。励振電極２および配線電極３は、蒸着
法、スパッタ法、またはＣＶＤ法などの薄膜形成法によ
り形成する。

【００２１】圧電基板１の裏面は、励振電極２から発生
するバルク波が反射しないようにするために、算術平均
粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ〜１０μｍの範囲に粗面加工
してある。この効果により圧電基板表面の励振電極２で
発生したバルク波が圧電基板裏面で反射して励振電極に
戻ることにより発生する弾性表面波素子の特性劣化を防
止することができる。このとき算術平均粗さが１０μｍ
以上の場合、弾性表面波素子の作製工程において起きる
圧電基板の割れを極力防止することができる。また、
０．１μｍ以下の場合、粗面加工において砥粒、装置調
整を高精度に行わなければならず作製が困難となる。

【００２２】このように、圧電基板１の裏面を粗面加工
しているため、裏面に多数形成された凹凸の間に異物が
多数挟まっていて、製造工程においてその異物が剥落し
た場合、弾性表面波素子の挿入損失が劣化するが、本発
明では圧電基板１の裏面に絶縁体膜４を配設しているた
め、圧電基板１から異物の剥落が抑制され、良好な特性
の弾性表面波素子が得られる。

【００２３】ここで、圧電基板１の裏面に形成する薄膜
が絶縁体膜とすることは以下の理由による。圧電基板１
は、基板表面に励振電極を形成した後、ダイシングソー
を用いて個片に切断され、弾性表面波素子に切り分けら
れる。このとき、基板裏面の膜も切断され、切断された
膜の破片が弾性表面波素子の表面に残る場合がある。こ
のとき、膜が導電性膜であった場合、弾性表面波素子は
ショート不良となり、特性を劣化させることになる。こ
のため、圧電基板１の裏面に形成する薄膜は絶縁体膜で
ある必要がある。絶縁体膜の面積抵抗が１０００Ω／□
より小さい場合に弾性表面波素子にショート不良が発生
することから、絶縁体膜の面積抵抗は１０００Ω／□以
上にする必要がある。

【００２４】異物（以下、粒子という）の剥落を抑制す
るために必要な絶縁体膜４の膜厚について以下に説明す
る。図２に、圧電基板裏面７の凹凸と粒子８および絶縁
体膜９の位置関係を模式的に示す。なお、粒子８の形状
は簡単のために球を仮定する。

【００２５】図２（ａ）、図２（ｂ）はそれぞれ、圧電
基板裏面７の凹凸の形状が鋭角６０°、直角（９０°）
の場合について示してある。ここで、図示した粒子８は
圧電基板裏面７の凹凸に挟まることの可能な最大の球と
して示してある。

【００２６】圧電基板裏面７の凹凸が鈍角である場合、
粒子８は挟まらないものと考えられる。これは次のよう
な機構により説明される。

【００２７】圧電基板裏面７の凹凸に挟まった粒子８に
は、図２（ｃ）に示すように、圧電基板から押される力
１６、圧電基板との摩擦力１７がかかっている。粒子８
にかかる力は、このほかに重力があるが、粒子８が小さ
いためここでは無視できる。一般に、相対的に静止した
物質間の摩擦をミクロ的に見ると、接触した面のうちの
微小な複数の部分で分子間力により接合していて、これ
が外力によって引き離されるとき、この分子間力を切り
離すために必要な力が摩擦力になると考えられる。

【００２８】一方、接触した面どうし間の押し合いの力
も分子間力であり、分子間力で接合している場合の押す
力と引く力は釣り合い点近傍において対称である。この
ことから、圧電基板裏面７の凹凸に挟まった球形異物に
ついては、圧電基板が粒子８を押す力は、圧電基板と粒
子８の接合を切り離す力とほぼ同じであると考えられ
る。

【００２９】図２（ｄ）は圧電基板裏面７の凹凸が直角
の場合の、圧電基板と粒子８の接触点の力の釣り合いを
示す図であり、圧電基板から粒子８にかかる力１８を圧
電基板と平行方向１９、水平方向２０の２つの合力に分
解した様子を示す。圧電基板から粒子８にかかる力１８
のうち水平方向の力２０は、もう片方の接触部分からの
力２１と打ち消しあい、圧電基板と平行方向の力１９が
圧電基板と粒子８の間の摩擦力２２と打ち消しあう。こ
こで、上記したように、圧電基板から粒子８にかかる力
１８は圧電基板と粒子８の間の摩擦力２２と等しいと置
くことができる。図２（ｄ）に示すように、圧電基板裏
面７の凹凸が直角の場合、圧電基板が粒子８を圧電基板
と水平方向に押す力１９は、圧電基板が粒子８を保持す
る力すなわち摩擦力２２と同じ大きさになり、粒子８は
圧電基板から離れない。

【００３０】図２（ｅ）は圧電基板裏面７の凹凸が鈍角
の場合について示した図であるが、この場合は、圧電基
板が粒子８を圧電基板と平行方向に押す力１９は、圧電
基板が粒子８を保持する力（すなわち摩擦力２２）より
大きくなり、圧電基板から粒子８が離れることになる。
このように、圧電基板の凹凸が鈍角である場合、圧電基
板の凹凸に粒子８は挟まらないと考えられる。

【００３１】そこで、凹凸に粒子８が挟まるのは凹凸が
鋭角か直角の場合と考えることができるので、以下、図
２に基づいて、凹凸に粒子８が挟まる最大の粒径を求め
る。凹凸の高さＲａに対し、図２（ａ）では、粒子８の
半径ｒは、ｒ＝（２／３）Ｒａ≒０．６７Ｒａ、図２
（ｂ）では、ｒ＝（√２）Ｒａ≒１．４１Ｒａとあらわ
すことができる。図２に示す絶縁体膜９の膜厚は、これ
らの粒子が剥落しないために必要な最小の膜厚について
示してある。すなわち、絶縁体膜９が図に示す膜厚より
薄い場合、絶縁体膜９は粒子８の部分で不連続になり、
粒子８が圧電基板から剥落するのを抑える効果が無くな
る。

【００３２】図２（ａ）では、絶縁体膜９の厚さｔは、
ｔ＝（（√３）１）ｒ≒０．７３ｒ≒０．５Ｒａ、図２
（ｂ）では、ｔ＝ｒ≒１．４Ｒａとあらわすことができ
る。裏面の凹凸に挟まっている粒子８の剥落を抑制する
ためには、最大で、図２（ｂ）の場合の粒子８の剥落を
抑えられなければならない。このため、膜厚は最小でも
１．４Ｒａ以上無ければならない。

【００３３】一方、絶縁体膜９はスパッタ法、蒸着法、
ＣＶＤ法、重合法、ラングミュア・ブロジット法、スピ
ンコート法、または、スプレー法などにより成膜され
る。絶縁体膜９の膜厚を厚くする場合、スパッタ法、蒸
着法では絶縁体膜９を形成する工程の時間が長くなり製
造が困難であり、また、重合法などはごく薄い膜の成膜
に適した方法であり、特にスプレー法による成膜が適す
る。しかし、スプレー法においても必要な膜厚均一性を
確保するため膜厚の上限があり、Ｒａの１００倍以下の
膜厚にすることが好ましい。

【００３４】絶縁体膜９には圧電基板の裏面からの粒子
８の剥落を抑制することが求められるが、絶縁体膜９が
剥がれやすい材質であると、絶縁体膜９自身が粒子８の
発生源となる問題がある。これに対して、ポリイミド
系、ポリエチレン系、ポリビニリデン系、ポリフェニレ
ン系の高分子薄膜では、膜を構成する分子が重合するこ
とにより直鎖または網目状の巨大分子が絡み合う構造と
なり、剥離を起こしにくくなり、特に好ましい。

【００３５】圧電基板の裏面に絶縁体膜を成膜すると、
圧電基板と絶縁体膜の間に応力が発生して圧電基板が変
形して弾性表面波素子の特性に影響を与えることになる
が、上記の高分子薄膜の場合、分子鎖の構造が適したも
のを選択することにより応力の影響を抑えることができ
る。ポリイミド系の薄膜では、分子鎖が棒状構造をした
低熱膨張性ポリイミドを用いる。これにより圧電基板と
の膨張係数の差を適正にし良好な特性の弾性表面波素子
とすることができ、特に線膨張係数が１×１０ ^-6／Ｋ以
上４×１０^-5／Ｋ以下の低熱膨張性ポリイミドが好まし
い。この理由は、この範囲において温度特性の良好な弾
性表面波素子が得られるためである。この場合、圧電基
板との熱膨張率の差が小さく、かつ、圧電基板より線膨
張係数が大きいため、温度が上昇した場合は圧電基板が
凹に変形して圧電基板表面に圧縮応力となり、温度が下
降した場合は圧電基板が凸に変形して圧電基板表面に引
っ張り応力となるため、弾性表面波素子の熱膨張、熱収
縮を抑える効果がある。これにより、特性変化が小さい
弾性表面波素子を作成することが可能となる。

【００３６】また、絶縁体膜の膜厚を調整することによ
り、弾性表面波阻止の特性を調整することができる。低
熱膨張性ポリイミドを裏面に装荷した弾性表面波素子に
おいて、低熱膨張性ポリイミドの膜厚が基板裏面の算術
平均粗さ（Ｒａ）の２から３０倍の厚さにおいて、絶縁
体膜の膜厚を精度良く制御することができる。これ以外
の膜厚の場合、工程のばらつきが大きくなり、最適膜厚
に合わせこむことができない。Ｒａの２から３０倍の厚
さにおいて、弾性表面波素子の温度特性調整を最適化す
ることができ、温度による特性変化のより小さい、弾性
表面波素子を作成することが可能となり、特に好まし
い。

【００３７】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
種の変更は何ら差し支えない。

【００３８】

【実施例】以下に、本発明をより具体化した実施例につ
いて説明する。厚さ０．３５ｍｍ、裏面の算術平均粗さ
が０．３μｍの７６．２ｍｍ径の４２°Ｙ−Ｘタンタル
酸リチウム単結晶から成る圧電基板を、通常と逆向きに
バスケットに２０枚入れ、基板洗浄機にバスケットをセ
ットして、メガソニックジェット水流による圧電基板裏
面の洗浄とスピンドライによる圧電基板の乾燥を行っ
た。

【００３９】次に、スピンコーター（ＭＩＫＡＳＡ社製
型番：１Ｈ−ＤＸII）を用いて厚さ１μｍにフォトレ
ジストを塗布した。そして、圧電基板をＳＥＭＩ規格フ
ロロウェハ社製フッ素樹脂製のバスケットに入れる向き
を反転させ、基板洗浄機（ダイトエレクトロン社製型
番：ＷＪＳ−１５０Ｕ）にバスケットをセットして、メ
ガソニックジェット水流およびスクラブ洗浄による基板
表面の洗浄を行いスピン乾燥による基板乾燥を行った。

【００４０】次に、ＤＣスパッタ装置（ＵＬＶＡＣ社製
型番：ＳＨ−４５０にバスケットをセットし、電極膜
としてＡｌ−Ｃｕ合金をスパッタ法にて膜厚２０００Å
で成膜した。バスケットをスピンコーターにセットし、
電極膜の上にポジ型レジストを１μｍの厚さでスピンコ
ート法により塗布を行い、スピンコーターのホットプレ
ートにて９０℃のベーキングを行った。

【００４１】その後、バスケットをステッパーにセット
し弾性表面波素子のパターンを基板表面の全面に露光
し、バスケットをディベロッパー（ＭＳＥＴＥＫ社製
型番：ＭＳ−１１４）にセットし現像を行ないフォトレ
ジストのパターニングを行なった。

【００４２】次に、バスケットをドライエッチング装置
にセットしてドライエッチング法で電極膜をエッチング
し、アッシングでレジストを除去して、電極パターニン
グを完了した。その後、バスケットを９０℃の剥離駅に
浸漬し、続いてイソプロピルアルコール槽に浸漬し、ス
ピンコーターにてスピン乾燥して基板裏面のフォトレジ
スト膜を除去した。

【００４３】以上の工程において、各装置での処理はロ
ット処理にて行われ、バスケットに入れた２０枚の基板
は連続して処理された。その後、基板をダイシングソー
にセットしてダイシングを行い弾性表面波素子の製造を
完了させた。

【００４４】このようにして製造を行った結果、従来の
製造方法では数パーセントから十数パーセント発生して
いた、基板裏面からの異物の剥離によるショート不良発
生をほぼ完全に抑えることができ、挿入損失の増大の無
い、特性、信頼性、生産性の良好な弾性表面波素子を製
造することができた。

【００４５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明に係る弾性
表面波素子では、圧電基板の一主面上に弾性表面波の励
振電極を配設するとともに、圧電基板の他主面を算術平
均粗さで０．１μｍ〜１０μｍの範囲に粗面化し、且つ
該他主面上に前記算術平均粗さの１．４〜１００倍の厚
みに、面積抵抗が１０００Ω／□以上の絶縁体膜を形成
したことを特徴とする、これにより、粗面である圧電基
板の裏面の凹凸に挟まっている異物（粒子）が剥落する
ことが抑制される。そして、異物の剥落によって発生す
るショート不良と、それによる弾性表面波素子の挿入損
失の増大が抑制され、良好な特性で弾性表面波素子を提
供できる。

【００４６】また、圧電基板の他主面における算術平均
粗さ（Ｒａ）の２〜３０倍の厚みで、圧電基板の他主面
に絶縁体膜を形成してあることにより、絶縁体膜の膜厚
を精度良く制御することができるため、弾性表面波素子
の温度特性調整を最適化することができ、温度による特
性変化のより小さい弾性表面波素子を提供できる。

【００４７】また、他主面に形成される絶縁体膜がポリ
イミド系、ポリエチレン系、ポリビニリデン系、ポリフ
ェニレン系の膜であることにより、絶縁体膜が分子の重
合により形成されるため、絶縁体膜から絶縁体膜自体の
粒子の剥離が起こらず、より効果的にショート不良とそ
れによる弾性表面波素子の挿入損失の増大が抑制するこ
とができ、良好な特性で弾性表面波素子を提供できる。

【００４８】さらに、他主面に形成される絶縁体膜が、
線膨張係数１×１０^-6／Ｋ〜４×１０^-5／Ｋの低熱膨張
性ポリイミドとすることにより、温度が上昇した場合は
圧電基板表面に圧縮応力をかけ、温度が下降した場合は
圧電基板表面に引っ張り応力をかけるため、弾性表面波
素子の熱膨張、熱収縮を抑える効果があり、これによ
り、特性変化が小さい弾性表面波素子を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る弾性表面波素子の断面模式図であ
る。

【図２】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ、圧電基板裏面、粒
子、および絶縁体膜の位置関係を示す断面模式図である

【図３】従来の弾性表面波素子の断面模式図である

【図４】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ、従来の弾性表面波
素子の製造工程を示す、弾性表面波素子の断面模式図で
ある

【図５】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ、従来の弾性表面波
素子の製造方法において、成膜後に異物の付着してショ
ート不良が発生する様子を示す断面模式図である

【符号の説明】

１：圧電基板２：励振電極３：配線電極４：絶縁体膜５：電極膜７：圧電基板裏面８：粒子（異物）９：絶縁体膜１０：圧電基板１１：励振電極１２：電極膜１３：フォトレジスト１４：異物１５：異物の下の部分でエッチングされずに残留した電
極膜１６：粒子が圧電基板から押される力１７：粒子と圧電基板との間の摩擦力１８：基板が粒子を押す力１９：基板が粒子を基板と平行方向に押す力２０：基板が粒子を水平方向に押す力２１：基板と粒子のもう片方の接触部分で、粒子が圧電
基板から押される力のうちの水平方向の力２２：粒子と圧電基板との間の摩擦力

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板の一主面上に弾性表面波の励振
電極を配設するとともに、前記圧電基板の他主面を算術
平均粗さで０．１μｍ〜１０μｍの範囲に粗面化し、且
つ該他主面上に前記算術平均粗さの１．４〜１００倍の
厚みに、面積抵抗が１０００Ω／□以上の絶縁体膜を形
成したことを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】前記絶縁体膜が前記圧電基板の算術平均
粗さ（Ｒａ）の２〜３０倍の厚みで形成したことを特徴
とする請求項１に記載の弾性表面波素子。
【請求項３】前記絶縁体膜がポリイミド系、ポリエチ
レン系、ポリビニリデン系、及びポリフェニレン系のい
ずれかの樹脂から成ることを特徴とする請求項１に記載
の弾性表面波素子。
【請求項４】前記絶縁体膜の線膨張係数が１×１０^-6
／Ｋ〜４×１０^-4／Ｋの低熱膨張性ポリイミド樹脂であ
ることを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波素子。