KR102299066B1 - 탄성 표면파 디바이스용 기판 및 의사 탄성 표면파 소자 - Google Patents

탄성 표면파 디바이스용 기판 및 의사 탄성 표면파 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR102299066B1
KR102299066B1 KR1020197024580A KR20197024580A KR102299066B1 KR 102299066 B1 KR102299066 B1 KR 102299066B1 KR 1020197024580 A KR1020197024580 A KR 1020197024580A KR 20197024580 A KR20197024580 A KR 20197024580A KR 102299066 B1 KR102299066 B1 KR 102299066B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
rmax
substrate
relationship
Prior art date
Application number
KR1020197024580A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190108604A (ko
Inventor
타카시 우토
Original Assignee
교세라 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 교세라 가부시키가이샤 filed Critical 교세라 가부시키가이샤
Publication of KR20190108604A publication Critical patent/KR20190108604A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102299066B1 publication Critical patent/KR102299066B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02157—Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
    • H03H9/02622—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves of the surface, including back surface
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489—Compensation of undesirable effects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

압전성 재료로 이루어지며, 탄성 표면파가 전반하는 제 1 면과, 제 1 면의 반대에 위치하는 제 2 면을 구비한다. 제 2 면은 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎛~0.4㎛임과 아울러, 산술 평균 거칠기(Ra)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Ra/S≥11, 산술 평균 거칠기(Ra)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Ra/Sm≥6.7 중 어느 하나를 충족한다. 또한, 제 2 면은 최대 높이(Rmax)가 2.5㎛~4.5㎛임과 아울러, 최대 높이(Rmax)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Rmax/S≥130, 최대 높이(Rmax)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Rmax/Sm≥80 중 어느 하나를 충족한다.

Description

탄성 표면파 디바이스용 기판 및 의사 탄성 표면파 소자
본 개시는 탄성 표면파 디바이스용 기판 및 의사 탄성 표면파 소자에 관한 것이다.
탄성 표면파 디바이스는 전기 신호를 탄성 표면파로 변환해서 신호 처리를 행하는 디바이스이다. 탄성 표면파 디바이스용 기판으로서 압전 특성을 갖는 탄탈산 리튬, 니오브산 리튬 등의 단결정 기판이 사용되어 있다.
일본 특허공개 평 11-88107호 공보 일본 특허공개 2003-110390호 공보 일본 특허공개 소 58-176802호 공보
본 개시의 탄성 표면파 디바이스용 기판은 압전성 재료로 이루어지며, 탄성 표면파가 전반하는 제 1 면과, 제 1 면의 반대에 위치하는 제 2 면을 구비하고, 하기 (1)로부터 (4) 중 적어도 어느 하나를 만족한다.
(1) 제 2 면은 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎛~0.4㎛임과 아울러, 산술 평균 거칠기(Ra)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Ra/S≥11이다.
(2) 제 2 면은 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎛~0.4㎛임과 아울러, 산술 평균 거칠기(Ra)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Ra/Sm≥6.7이다.
(3) 제 2 면은 최대 높이(Rmax)가 2.5㎛~4.5㎛임과 아울러, 최대 높이(Rmax)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Rmax/S≥130이다.
(4) 제 2 면은 최대 높이(Rmax)가 2.5㎛~4.5㎛임과 아울러, 최대 높이(Rmax)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Rmax/Sm≥80이다.
<탄성 표면파 디바이스용 기판>
이하, 본 개시의 탄성 표면파 디바이스용 기판에 대해서 설명한다. 탄성 표면파 디바이스용 기판은 탄탈산 리튬, 니오브산 리튬 등의 압전 특성을 갖는 압전성 재료 기판으로 이루어진다. 본 실시형태에서는 압전성 재료로서 탄탈산 리튬 단결정을 사용한 예에 대해서 설명한다. 탄탈산 리튬 단결정으로서 36°Y~46°Y 탄탈산 리튬 단결정은 탄성 표면파 디바이스 중에서도 의사 탄성 표면파 디바이스에 적합하게 사용된다. 본 실시형태에서는 기판으로서 42°Y 탄탈산 리튬 단결정으로 이루어지는 의사 탄성 표면파 디바이스용 기판에 대해서 기재한다.
본 실시형태의 탄성 표면파 디바이스용 기판은 탄성 표면파가 전반하는 면인 제 1 면과, 이 제 1 면의 반대에 위치하는 제 2 면을 구비한다. 또한, 탄성 표면파 디바이스용 기판은 2개의 주면을 갖는 판상체인 점에서 제 1 면을 제 1 주면, 제 2 면을 제 2 주면이라고도 바꿔 말할 수 있다. 그리고 본 실시형태의 탄성 표면파 디바이스용 기판은 하기 (1)~(4) 중 적어도 어느 하나를 만족한다.
(1) 제 2 면이 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎛~0.4㎛임과 아울러, 산술 평균 거칠기(Ra)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Ra/S≥11이다.
(2) 제 2 면이 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎛~0.4㎛임과 아울러, 산술 평균 거칠기(Ra)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Ra/Sm≥6.7이다.
(3) 제 2 면이 최대 높이(Rmax)가 2.5㎛~4.5㎛임과 아울러, 최대 높이(Rmax)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Rmax/S≥130이다.
(4) 제 2 면이 최대 높이(Rmax)가 2.5㎛~4.5㎛임과 아울러, 최대 높이(Rmax)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Rmax/Sm≥80이다.
본 실시형태의 탄성 표면파 디바이스용 기판은 상술한 바와 같이 제 2 면의 폭방향(면에 평행한 방향)의 파라미터인 국부 피크의 평균 간격(S), 요철의 평균 간격(Sm)에 대하여 제 2 면의 높이 방향(면에 수직인 방향)의 파라미터인 산술 평균 거칠기(Ra), 최대 높이(Rmax)가 비교적 크다.
본 실시형태의 탄성 표면파 디바이스용 기판은 탄성 표면파 필터에 사용된다. 탄성 표면파 필터에서는 탄성 표면파 디바이스용 기판의 표면에 여진용의 입력 전극 및 수신용의 출력 전극이 형성된다. 그리고 입력 전극으로 표면 탄성파를 여진할 때에 발생한 벌크파가 제 2 면으로 반사되면 출력 전극이 스퓨리어스(설계상 의도되지 않은 주파수 성분)의 원인이 되는 반사파를 수신해버려 탄성 표면파 필터는 소망의 특성이 얻어지지 않게 되는 점에서 탄성 표면파 디바이스용 기판의 제 2 면은 조면화가 행해져 있다. 제 2 면이 조면화되어 있으면 벌크파는 산란되어 출력 전극에서 수신되는 반사파가 저감되기 때문에 반사파에 기인하는 스퓨리어스가 저감된다. 금번에 있어서의 탄성 표면파 디바이스용 기판에는 제 2 면으로부터의 반사파가 적음과 아울러, 조면화 가공에 의한 결함이나 잔류 응력이 적은 것이 요구되어 있다.
본 실시형태의 탄성 표면파 디바이스용 기판은 산술 평균 거칠기(Ra), 최대 높이(Rmax)가 비교적 크기 때문에 제 2 면에 있어서 벌크파는 산란되어 출력 전극에서 수신되는 반사파가 저감된다. 그 때문에 반사파에 기인하는 스퓨리어스가 저감된다. 또한, 국부 피크의 평균 간격(S), 요철의 평균 간격(Sm)이 상대적으로 작기 때문에 조면화 가공에 있어서의 결함이나 잔류 응력이 적다. 그 때문에 조면화 가공에 의한 결함이나 잔류 응력에 기인하는 휨이나 갈라짐이 적다.
또한, 국부 피크의 평균 간격(S)이 0.0015㎛~0.025㎛이어도 좋다. 또한, 요철의 평균 간격(Sm)이 0.03㎛~0.05㎛이어도 좋다. 이러한 구성을 충족할 때에는 추가로 제 2 면으로부터의 반사파가 적어짐과 아울러, 조면화 가공에 의한 결함이나 잔류 응력이 적어진다.
본 명세서에 있어서 최대 높이(Rmax)는 JIS B 0601-1982에 준거한 것이다. 산술 평균 거칠기(Ra), 요철의 평균 간격(Sm), 국부 피크 평균 간격(S)은 JIS B 0601:1994에 준거한 것이다.
본 개시의 탄성 표면파 디바이스용 기판을 구비해서 구성한 의사 탄성 표면파 소자는 제 2 면으로부터의 반사파가 적음과 아울러, 조면화 가공에 의한 결함이나 잔류 응력이 적다.
<탄성 표면파 디바이스용 기판의 제조 방법>
탄성 표면파 디바이스용 기판의 제조 방법의 일례로서 42°Y 탄탈산 리튬 단결정으로 이루어지는 의사 탄성 표면파 디바이스용 기판의 제조 방법에 대해서 기재한다. 우선, 초크랄스키(CZ)법에 의해 탄탈산 리튬 단결정으로 이루어지는 잉곳을 육성한다. 잉곳의 육성의 인상 방위는 최종적인 의사 탄성 표면파 디바이스용 기판의 제 1 면 및 제 2 면(양면)의 결정 방위와 동일하게 한다. 또한, 38°Y 등 의사 탄성 표면파 디바이스용 기판의 양면의 결정 방위와 가까운 결정 방위이어도 좋다.
잉곳은 필요에 따라 양면이 소정의 결정 방위가 되도록 끝면 연삭된 후 의사 탄성 표면파 디바이스용 기판의 지름과 마찬가지의 지름이 되도록 원통 연삭된다. 그 후 소정의 결정 방위의 양면을 갖고, 소정의 두께가 되도록 멀티 와이어 소 등을 사용해서 슬라이스 가공을 행한다.
이어서, 슬라이스 가공에 의해 발생한 휨을 저감함과 아울러, 제 2 면을 소망의 표면 성상으로 하기 위해 래핑 가공을 행한다(래핑 공정). 래핑 공정 후의 제 2 면은 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.15㎛~0.35㎛이며, 산술 평균 거칠기(Ra)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Ra/S<11 또는 산술 평균 거칠기(Ra)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Ra/Sm<6.7이다. 또는 최대 높이(Rmax)가 2.0㎛~4.0㎛이며, 최대 높이(Rmax)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Rmax/S<130 또는 최대 높이(Rmax)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Rmax/Sm<80이다.
래핑 가공에는 양면 래핑 장치를 사용하면 좋고, 예를 들면 주철 정반과, #1000~#2000의 GC 지립(砥粒)을 포함하는 슬러리를 사용하여 가공압 4.9㎪(=50gf/㎠)로 가공한다. 가공 조건은 소망의 조면 형상이 얻어지는 것이면 상기 조건에 한정되지 않고, 적당히 변경 가능하다. 예를 들면, 가공 도중에 가공압을 변경해도 좋고, 제 1 면과 제 2 면을 편면씩 가공해도 좋다.
이어서, 에칭 공정을 실시한다. 에칭 공정은 불화수소산, 질산 또는 이들의 혼산을 에천트로 하여 행한다. 또한, 이 에칭 공정에서는 제 2 면이 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎛~0.4㎛이며, 산술 평균 거칠기(Ra)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Ra/S≥11 또는 산술 평균 거칠기(Ra)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Ra/Sm≥6.7이 되도록 에칭을 행한다. 또는 최대 높이(Rmax)가 2.5㎛~4.5㎛이며, 최대 높이(Rmax)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Rmax/S≥130 또는 최대 높이(Rmax)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Rmax/Sm≥80이 되도록 에칭을 행한다. 또한, 산술 편균 거칠기(Ra)가 0.25㎛~0.35㎛, 최대 높이(Rmax)가 3.0㎛~4.0㎛가 되도록 에칭하는 것이 특히 바람직하다.
에칭 조건은, 예를 들면 불화수소산과 질산의 혼합비가 체적비로 1:1인 혼산을 사용하고, 75℃~85℃에서 50분~120분이다. 이러한 에칭 조건에서는 탄탈산 리튬 단결정으로 이루어지는 기판은 양면이 각각 약 1㎛씩 에칭된다. 상기 에칭 조건에 의하면 국부 피크의 평균 간격(S)은 0.0015㎛~0.025㎛, 요철의 평균 간격(Sm)은 0.03㎛~0.05㎛이다.
이어서, 케미컬 메커니컬 폴리싱(CMP)에 의해 제 1 면을 CMP 연마한다. CMP 연마의 조건은 콜로이달실리카를 연마재로 하는 슬러리를 사용하고, 면압 하중 30g/㎠ 이상으로 해서 제 1 면과 연마포를 접촉시켜 연마를 진행한다. 이러한 CMP 연마 조건에 의하면 제 2 면의 형상은 에칭 후의 형상이 유지된다.
실시예
이하, 본 개시의 탄성 표면파 디바이스용 기판의 실시예에 대해서 설명한다. 고주파 가열식 CZ법 단결정 육성로를 사용하여 직경 108㎜, 길이 100㎜의 원통형의 탄탈산 리튬 단결정을 육성했다. 이것을 원통 연삭 장치로 직경 100㎜로 원통 연삭하고, 또한 멀티 와이어 소를 사용해서 슬라이스하여 결정 방위 42°Y, 두께 400㎛의 기판을 약 150장 얻었다. 여기에서 얻어진 기판을 래핑 장치에 의해 #1000, #1500, #2000의 지립을 사용해서 가공압 4.9㎪로 두께가 약 250㎛가 되도록 래핑했다. 래핑된 기판은 불화수소산과 질산의 혼합비가 체적비로 1:1인 혼산을 사용하고, 75℃~85℃에서 60분~90분 에칭을 행했다.
비교예로서 실시예와 마찬가지인 방법으로 슬라이스, 래핑해서 얻어진 기판을 불화수소산과 질산의 혼합비가 체적비로 1:1인 혼산을 사용하고, 80℃에서 30분 에칭했다.
또한, 실시예 및 비교예의 기판의 제 1 면을 CMP 연마했다. CMP 연마의 조건은 입경 30~120㎚의 콜로이드실리카를 연마재로 하는 슬러리를 사용하고, 면압 하중 80~500g/㎠로 해서 제 1 면과 연마포를 접촉시켜 연마했다. 이때 얻어진 제 1 면의 표면 거칠기 Ra는 0.1~0.2㎚의 경면 상태이었다. 상술한 방법에 의해 본 실시예인 시료 No. 1~4와, 비교예인 시료 No. 5~8을 얻었다.
얻어진 각 시료의 제 2 면에 있어서의 산술 평균 거칠기(Ra), 최대 높이(Rmax), 국부 피크의 평균 간격(S), 요철의 평균 간격(Sm)의 측정을 Kosaka Laboratory Ltd.제의 표면 거칠기 측정기 SE1700α로 행했다.
시료 No. 1은 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎛~0.4㎛이며, 산술 평균 거칠기(Ra)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Ra/S≥11이었다.
시료 No. 2는 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎛~0.4㎛이며, 산술 평균 거칠기(Ra)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Ra/Sm≥6.7이었다.
시료 No. 3은 최대 높이(Rmax)가 2.5㎛~4.5㎛이며, 최대 높이(Rmax)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Rmax/S≥130이었다.
시료 No. 4는 최대 높이(Rmax)가 2.5㎛~4.5㎛이며, 최대 높이(Rmax)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Rmax/Sm≥80이었다.
시료 No. 1에 대응하는 비교예인 시료 No. 5는 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎛~0.4㎛이며, 산술 평균 거칠기(Ra)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Ra/S<11이었다.
시료 No. 2에 대응하는 비교예인 시료 No. 6은 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎛~0.4㎛이며, 산술 평균 거칠기(Ra)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Ra/Sm<6.7이었다.
시료 No. 3에 대응하는 비교예인 시료 No. 7은 최대 높이(Rmax)가 2.5㎛~4.5㎛이며, 최대 높이(Rmax)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Rmax/S<130이었다.
시료 No. 4에 대응하는 비교예인 시료 No. 8은 최대 높이(Rmax)가 2.5㎛~4.5㎛이며, 최대 높이(Rmax)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Rmax/Sm<80이었다.
시료 No. 1~4는 각각에 대응하는 시료 No. 5~8에 대하여 제 2 면으로부터의 반사파가 적음과 아울러, 조면화 가공에 의한 결함이나 잔류 응력에 기인한다고 생각되는 휨이나 갈라짐이 적었다.

Claims (9)

  1. 압전성 재료로 이루어지며, 탄성 표면파가 전반하는 제 1 면과, 상기 제 1 면의 반대에 위치하는 제 2 면을 구비하고,
    상기 제 2 면은 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎛~0.4㎛임과 아울러, 산술 평균 거칠기(Ra)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Ra/S≥11인 탄성 표면파 디바이스용 기판.
  2. 압전성 재료로 이루어지며, 탄성 표면파가 전반하는 제 1 면과, 상기 제 1 면의 반대에 위치하는 제 2 면을 구비하고,
    상기 제 2 면은 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎛~0.4㎛임과 아울러, 산술 평균 거칠기(Ra)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Ra/Sm≥6.7인 탄성 표면파 디바이스용 기판.
  3. 압전성 재료로 이루어지며, 탄성 표면파가 전반하는 제 1 면과, 상기 제 1 면의 반대에 위치하는 제 2 면을 구비하고,
    상기 제 2 면은 표면 거칠기 측정에서의 최대 높이(Rmax)가 2.5㎛~4.5㎛임과 아울러, 최대 높이(Rmax)와 국부 피크의 평균 간격(S)의 관계가 Rmax/S≥130인 탄성 표면파 디바이스용 기판.
  4. 압전성 재료로 이루어지며, 탄성 표면파가 전반하는 제 1 면과, 상기 제 1 면의 반대에 위치하는 제 2 면을 구비하고,
    상기 제 2 면은 표면 거칠기 측정에서의 최대 높이(Rmax)가 2.5㎛~4.5㎛임과 아울러, 최대 높이(Rmax)와 요철의 평균 간격(Sm)의 관계가 Rmax/Sm≥80인 탄성 표면파 디바이스용 기판.
  5. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 국부 피크의 평균 간격(S)이 0.0015㎛~0.025㎛인 탄성 표면파 디바이스용 기판.
  6. 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 요철의 평균 간격(Sm)이 0.03㎛~0.05㎛인 탄성 표면파 디바이스용 기판.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압전성 재료는 탄탈산 리튬 단결정인 탄성 표면파 디바이스용 기판.
  8. 제 7 항에 있어서,
    36°Y~46°Y 탄탈산 리튬 단결정인 탄성 표면파 디바이스용 기판.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 탄성 표면파 디바이스용 기판을 기체로서 구비하는 의사 탄성 표면파 소자.
KR1020197024580A 2017-02-28 2018-02-27 탄성 표면파 디바이스용 기판 및 의사 탄성 표면파 소자 KR102299066B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-035771 2017-02-28
JP2017035771 2017-02-28
PCT/JP2018/007205 WO2018159596A1 (ja) 2017-02-28 2018-02-27 弾性表面波デバイス用基板および疑似弾性表面波素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190108604A KR20190108604A (ko) 2019-09-24
KR102299066B1 true KR102299066B1 (ko) 2021-09-07

Family

ID=63370845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197024580A KR102299066B1 (ko) 2017-02-28 2018-02-27 탄성 표면파 디바이스용 기판 및 의사 탄성 표면파 소자

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11476829B2 (ko)
JP (1) JP6721202B2 (ko)
KR (1) KR102299066B1 (ko)
CN (1) CN110383684B (ko)
WO (1) WO2018159596A1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100277027B1 (ko) 1997-12-30 2001-01-15 구자홍 표면 탄성파 소자
JP2002330047A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Kyocera Corp 弾性表面波素子
JP2003165795A (ja) 2001-11-29 2003-06-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 酸化物単結晶ウエーハ及びその製造方法並びに評価方法
WO2009093376A1 (ja) 2008-01-24 2009-07-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波素子の製造方法
JP2014147054A (ja) * 2013-01-30 2014-08-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 圧電基板及び弾性表面波素子

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58176802A (ja) 1982-04-08 1983-10-17 信越化学工業株式会社 強誘電体基板の製造方法
JPH1188107A (ja) 1997-09-02 1999-03-30 Nec Corp 弾性表面波デバイス
JP2003110390A (ja) 2001-09-27 2003-04-11 Kyocera Corp 弾性表面波素子用基板
US20120231218A1 (en) * 2009-09-18 2012-09-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Substrate, manufacturing method of substrate, saw device and device
JP5539602B1 (ja) * 2012-08-17 2014-07-02 日本碍子株式会社 複合基板，弾性表面波デバイス及び複合基板の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100277027B1 (ko) 1997-12-30 2001-01-15 구자홍 표면 탄성파 소자
JP2002330047A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Kyocera Corp 弾性表面波素子
JP2003165795A (ja) 2001-11-29 2003-06-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 酸化物単結晶ウエーハ及びその製造方法並びに評価方法
WO2009093376A1 (ja) 2008-01-24 2009-07-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波素子の製造方法
JP2014147054A (ja) * 2013-01-30 2014-08-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 圧電基板及び弾性表面波素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP6721202B2 (ja) 2020-07-08
JPWO2018159596A1 (ja) 2019-12-19
CN110383684B (zh) 2023-04-04
KR20190108604A (ko) 2019-09-24
US11476829B2 (en) 2022-10-18
WO2018159596A1 (ja) 2018-09-07
US20190372550A1 (en) 2019-12-05
CN110383684A (zh) 2019-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11239405B2 (en) Method of producing a composite substrate
WO2012033125A1 (ja) 基板、基板の製造方法およびｓａｗデバイス
CN102498667A (zh) 基板、基板的制造方法、saw器件以及器件
JP7454622B2 (ja) 表面弾性波素子用の複合基板およびその製造方法
JPS6296400A (ja) ウエハの製造方法
KR102299066B1 (ko) 탄성 표면파 디바이스용 기판 및 의사 탄성 표면파 소자
JP2007260793A (ja) ウェーハ基板の研磨方法及び圧電性単結晶からなるウェーハ
JP5871282B2 (ja) 圧電性酸化物単結晶ウェーハの製造方法。
JP2014040339A (ja) 圧電性酸化物単結晶ウエハの製造方法
JP2020202289A (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
US20150170928A1 (en) Silicon carbide substrate and fabrication method thereof
JP4170617B2 (ja) 酸化物単結晶ウエーハ及びその製造方法並びに評価方法
KR102508006B1 (ko) 탄성 표면파 소자용 기판 및 그 제조 방법
CN100580909C (zh) 氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法
JP3384546B2 (ja) 擬似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウエーハ及びその製造方法
CN117792327A (zh) 支撑层衬底、复合基板及其制备方法和电子器件
JP2022068747A (ja) 酸化物単結晶ウエハ、複合基板用ウエハ、複合基板、酸化物単結晶ウエハの加工方法、酸化物単結晶ウエハの製造方法、複合基板用ウエハの製造方法および複合基板の製造方法
JP2022068748A (ja) 酸化物単結晶ウエハ、複合基板用ウエハ、複合基板、酸化物単結晶ウエハの加工方法、酸化物単結晶ウエハの製造方法、複合基板用ウエハの製造方法および複合基板の製造方法
EP3849081A1 (en) Composite substrate, piezoelectric element, and method for manufacturing composite substrate
Schubert et al. 104 Experimental Quantization of Surface and Sub-Surface Structure in Float Polished Crystalline Quartz
JP2010272574A (ja) 窒化ガリウム基板の製造方法
JPH11298291A (ja) 疑似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウェーハおよびその製造方法
JPH1160388A (ja) 弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウェーハ及びその選択方法
JPH07283176A (ja) 半導体ウェハの研磨方法
JP2004357211A (ja) 表面弾性波素子用基板及びこれを用いた表面弾性波素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant