WO2018159596A1 - 弾性表面波デバイス用基板および疑似弾性表面波素子 - Google Patents

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Definitions

  • the present disclosure relates to a surface acoustic wave device substrate and a pseudo surface acoustic wave element.
  • Surface acoustic wave devices are devices that perform signal processing by converting electrical signals into surface acoustic waves.
  • the surface acoustic wave device substrate single crystal substrates such as lithium tantalate and lithium niobate having piezoelectric characteristics are used.
  • the surface acoustic wave device substrate of the present disclosure is made of a piezoelectric material, and includes a first surface on which a surface acoustic wave propagates and a second surface positioned opposite to the first surface. ) Satisfies at least one of the following.
  • the second surface has an arithmetic average roughness (Ra) of 0.2 ⁇ m to 0.4 ⁇ m, and the relationship between the arithmetic average roughness (Ra) and the average distance (S) between local peaks is Ra / S ⁇ 11.
  • the second surface has an arithmetic average roughness (Ra) of 0.2 ⁇ m to 0.4 ⁇ m, and the relationship between the arithmetic average roughness (Ra) and the average interval of unevenness (Sm) is Ra / Sm ⁇ 6.7.
  • the second surface has a maximum height (Rmax) of 2.5 ⁇ m to 4.5 ⁇ m, and the relationship between the maximum height (Rmax) and the average distance (S) between the local peaks is Rmax / S ⁇ 130. It is.
  • the second surface has a maximum height (Rmax) of 2.5 ⁇ m to 4.5 ⁇ m, and a relationship between the maximum height (Rmax) and the average interval of unevenness (Sm) is Rmax / Sm ⁇ 80. is there.
  • the surface acoustic wave device substrate is made of a piezoelectric material substrate having piezoelectric characteristics such as lithium tantalate and lithium niobate.
  • a lithium tantalate single crystal is used as the piezoelectric material.
  • the lithium tantalate single crystal the 36 ° Y to 46 ° Y lithium tantalate single crystal is suitably used for the pseudo surface acoustic wave device among the surface acoustic wave devices.
  • a pseudo surface acoustic wave device substrate made of a 42 ° Y lithium tantalate single crystal is described as the substrate.
  • the substrate for a surface acoustic wave device of the present embodiment includes a first surface that is a surface on which surface acoustic waves propagate and a second surface that is positioned opposite to the first surface. Since the surface acoustic wave device substrate is a plate-like body having two main surfaces, the first surface can also be referred to as the first main surface and the second surface as the second main surface.
  • the surface acoustic wave device substrate of this embodiment satisfies at least one of the following (1) to (4).
  • the second surface has an arithmetic average roughness (Ra) of 0.2 ⁇ m to 0.4 ⁇ m, and the relationship between the arithmetic average roughness (Ra) and the average distance (S) between local peaks is Ra / S ⁇ 11.
  • the second surface has an arithmetic average roughness (Ra) of 0.2 ⁇ m to 0.4 ⁇ m, and the relationship between the arithmetic average roughness (Ra) and the average interval of unevenness (Sm) is Ra / Sm ⁇ 6.7.
  • the second surface has a maximum height (Rmax) of 2.5 ⁇ m to 4.5 ⁇ m, and the relationship between the maximum height (Rmax) and the average distance (S) between local peaks is Rmax / S ⁇ 130 It is.
  • the second surface has a maximum height (Rmax) of 2.5 ⁇ m to 4.5 ⁇ m, and the relationship between the maximum height (Rmax) and the average interval of unevenness (Sm) is Rmax / Sm ⁇ 80. is there.
  • the substrate for the surface acoustic wave device of the present embodiment is a parameter in the width direction of the second surface (direction parallel to the surface), which is an average interval between local peaks (S), an average interval between irregularities (Sm ),
  • the arithmetic average roughness (Ra) and the maximum height (Rmax), which are parameters in the height direction (direction perpendicular to the surface) of the second surface, are relatively large.
  • the surface acoustic wave device substrate of the present embodiment is used for a surface acoustic wave filter.
  • the surface acoustic wave filter an input electrode for excitation and an output electrode for reception are formed on the surface of the substrate for the surface acoustic wave device.
  • the output electrode receives the reflected wave that causes spurious (frequency component that is not designed in design). Since the surface acoustic wave filter cannot obtain desired characteristics, the second surface of the surface acoustic wave device substrate is roughened. When the second surface is roughened, the bulk wave is scattered and the reflected wave received by the output electrode is reduced, so that spurious due to the reflected wave is reduced.
  • a substrate for a surface acoustic wave device in recent years is required to have few reflected waves from the second surface and few defects and residual stress due to roughening.
  • the surface acoustic wave device substrate of the present embodiment has a relatively large arithmetic average roughness (Ra) and maximum height (Rmax), bulk waves are scattered on the second surface and reflected waves received by the output electrode. Is reduced. Therefore, spurious due to the reflected wave is reduced.
  • the average distance (S) between the local peaks and the average distance (Sm) between the irregularities are relatively small, there are few defects and residual stresses in the roughening process. Therefore, there are few warpages and cracks due to defects and residual stress due to roughening.
  • the average interval (S) between the local peaks may be 0.0015 ⁇ m to 0.025 ⁇ m. Further, the average interval (Sm) of the unevenness may be 0.03 ⁇ m to 0.05 ⁇ m.
  • the maximum height (Rmax) is based on JIS B 0601-1982.
  • the arithmetic average roughness (Ra), the average interval of unevenness (Sm), and the local peak top average interval (S) are based on JIS B 0601: 1994.
  • the pseudo surface acoustic wave element configured to include the surface acoustic wave device substrate of the present disclosure has few reflected waves from the second surface and few defects and residual stress due to roughening.
  • a method for manufacturing a pseudo surface acoustic wave device substrate made of a 42 ° Y lithium tantalate single crystal will be described.
  • an ingot made of a lithium tantalate single crystal is grown by the Czochralski (CZ) method.
  • the pulling orientation of the ingot growth is the same as the crystal orientation of the first surface and the second surface (both surfaces) of the final pseudo surface acoustic wave device substrate.
  • the crystal orientation may be close to the crystal orientation on both sides of the pseudo surface acoustic wave device substrate, such as 38 ° Y.
  • the ingot is subjected to end surface grinding so that both surfaces have a predetermined crystal orientation, if necessary, and then cylindrical grinding is performed so as to have a diameter similar to the diameter of the substrate for the pseudo surface acoustic wave device. Thereafter, slicing is performed using a multi-wire saw or the like so as to have a predetermined crystal orientation and have a predetermined thickness.
  • the second surface after the lapping process has an arithmetic average roughness (Ra) of 0.15 ⁇ m to 0.35 ⁇ m, and the relationship between the arithmetic average roughness (Ra) and the average distance (S) between the local peaks is Ra / S. ⁇ 11, or the relationship between the arithmetic average roughness (Ra) and the average interval of unevenness (Sm) is Ra / Sm ⁇ 6.7.
  • the maximum height (Rmax) is 2.0 ⁇ m to 4.0 ⁇ m
  • the relationship between the maximum height (Rmax) and the average distance (S) between the local peaks is Rmax / S ⁇ 130
  • the maximum height ( Rmax) and the average interval (Sm) of the irregularities are Rmax / Sm ⁇ 80.
  • the processing conditions are not limited to the above conditions and can be appropriately changed as long as a desired rough surface shape can be obtained.
  • the processing pressure may be changed during the processing, or the first surface and the second surface may be processed one by one.
  • an etching process is performed.
  • hydrofluoric acid, nitric acid, or a mixed acid thereof is used as an etchant.
  • the second surface has an arithmetic average roughness (Ra) of 0.2 ⁇ m to 0.4 ⁇ m, and there is a relationship between the arithmetic average roughness (Ra) and the average distance (S) between the local peaks.
  • Etching is performed so that Ra / S ⁇ 11 or the relationship between the arithmetic average roughness (Ra) and the average interval (Sm) of the unevenness is Ra / Sm ⁇ 6.7.
  • the maximum height (Rmax) is 2.5 ⁇ m to 4.5 ⁇ m, and the relationship between the maximum height (Rmax) and the average distance (S) between the local peaks is Rmax / S ⁇ 130, or the maximum height ( Etching is performed so that the relationship between (Rmax) and the average interval (Sm) of the unevenness is Rmax / Sm ⁇ 80. It is particularly preferable to perform etching so that the arithmetic average roughness (Ra) is 0.25 ⁇ m to 0.35 ⁇ m and the maximum height (Rmax) is 3.0 ⁇ m to 4.0 ⁇ m.
  • Etching conditions are, for example, 75 to 85 ° C. for 50 to 120 minutes using a mixed acid in which the mixing ratio of hydrofluoric acid and nitric acid is 1: 1 by volume.
  • the substrate made of lithium tantalate single crystal is etched by about 1 ⁇ m on both sides.
  • the average distance (S) between the local peaks is 0.0015 ⁇ m to 0.025 ⁇ m
  • the average distance (Sm) between the irregularities is 0.03 ⁇ m to 0.05 ⁇ m.
  • the first surface is subjected to CMP polishing by chemical mechanical polishing (CMP).
  • CMP polishing conditions are such that a slurry using colloidal silica as an abrasive is used and the surface pressure load is 30 g / cm 2 or more, and the first surface and the polishing cloth are brought into contact with each other to advance the polishing. According to such CMP polishing conditions, the shape of the second surface is maintained after the etching.
  • a cylindrical lithium tantalate single crystal having a diameter of 108 mm and a length of 100 mm was grown using a high frequency heating CZ method single crystal growth furnace. This was subjected to cylindrical grinding to a diameter of 100 mm with a cylindrical grinding machine, and further sliced using a multi-wire saw to obtain about 150 substrates having a crystal orientation of 42 ° Y and a thickness of 400 ⁇ m.
  • the obtained substrate was lapped with a lapping apparatus using # 1000, # 1500, and # 2000 abrasive grains so that the thickness was about 250 ⁇ m at a processing pressure of 4.9 kPa.
  • the lapped substrate was etched at 75 ° C. to 85 ° C. for 60 minutes to 90 minutes using a mixed acid in which the mixing ratio of hydrofluoric acid and nitric acid was 1: 1 by volume.
  • the first surface of the substrates of Examples and Comparative Examples was subjected to CMP polishing.
  • the CMP polishing was performed by using a slurry having colloidal silica having a particle size of 30 to 120 nm as an abrasive, a surface pressure load of 80 to 500 g / cm 2, and contacting the first surface with a polishing cloth for polishing.
  • the surface roughness Ra of the obtained first surface was a mirror surface state of 0.1 to 0.2 nm.
  • the arithmetic average roughness (Ra), the maximum height (Rmax), the average interval between local peaks (S), and the average interval between irregularities (Sm) on the second surface of each sample obtained were measured by Kosaka Laboratory. This was carried out with a surface roughness measuring machine SE1700 ⁇ made by the manufacturer.
  • Sample No. No. 2 had an arithmetic average roughness (Ra) of 0.2 ⁇ m to 0.4 ⁇ m, and the relationship between the arithmetic average roughness (Ra) and the average interval of unevenness (Sm) was Ra / Sm ⁇ 6.7. .
  • Sample No. Sample No. 1 which is a comparative example corresponding to FIG. No. 5 had an arithmetic average roughness (Ra) of 0.2 ⁇ m to 0.4 ⁇ m, and the relationship between the arithmetic average roughness (Ra) and the average distance (S) between local peaks was Ra / S ⁇ 11.
  • Sample No. Sample No. 2 which is a comparative example corresponding to FIG. No. 6 had an arithmetic average roughness (Ra) of 0.2 ⁇ m to 0.4 ⁇ m, and the relationship between the arithmetic average roughness (Ra) and the average interval of irregularities (Sm) was Ra / Sm ⁇ 6.7. .
  • Sample No. Sample No. 3 which is a comparative example corresponding to FIG. In No. 7, the maximum height (Rmax) was 2.5 ⁇ m to 4.5 ⁇ m, and the relationship between the maximum height (Rmax) and the average distance (S) between the local peaks was Rmax / S ⁇ 130.
  • Sample No. Sample No. 4 which is a comparative example corresponding to FIG. In No. 8, the maximum height (Rmax) was 2.5 ⁇ m to 4.5 ⁇ m, and the relationship between the maximum height (Rmax) and the average interval (Sm) of irregularities was Rmax / Sm ⁇ 80.
  • Sample No. Samples Nos. 1 to 4 correspond to sample Nos. In contrast to 5-8, the number of reflected waves from the second surface was small, and there were few warpages and cracks thought to be caused by defects and residual stress due to roughening.

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Abstract

圧電性材料からなり、弾性表面波が伝搬する第１面と、第１面の反対に位置する第２面とを備える。第２面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ～０．４μｍであるとともに、算術平均粗さ（Ｒａ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲａ／Ｓ≧１１、算術平均粗さ（Ｒａ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲａ／Ｓｍ≧６．７のいずれかを満たす。また、第２面は、最大高さ（Ｒｍａｘ）が２．５μｍ～４．５μｍであるとともに、最大高さ（Ｒｍａｘ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲｍａｘ／Ｓ≧１３０、最大高さ（Ｒｍａｘ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲｍａｘ／Ｓｍ≧８０のいずれかを満たす。

Description

弾性表面波デバイス用基板および疑似弾性表面波素子
　本開示は、弾性表面波デバイス用基板および疑似弾性表面波素子に関する。
　弾性表面波デバイスは電気信号を弾性表面波に変換して信号処理を行うデバイスである。弾性表面波デバイス用基板として、圧電特性を有するタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの単結晶基板が用いられている。
特開平１１－８８１０７号公報 特開２００３－１１０３９０号公報 特開昭５８－１７６８０２号公報
　本開示の弾性表面波デバイス用基板は、圧電性材料からなり、弾性表面波が伝搬する第１面と、第１面の反対に位置する第２面とを備え、下記（１）から（４）の少なくともいずれかを満足する。
（１）第２面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ～０．４μｍであるとともに、算術平均粗さ（Ｒａ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲａ／Ｓ≧１１である。
（２）第２面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ～０．４μｍであるとともに、算術平均粗さ（Ｒａ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲａ／Ｓｍ≧６．７である。
（３）第２面は、最大高さ（Ｒｍａｘ）が２．５μｍ～４．５μｍであるとともに、最大高さ（Ｒｍａｘ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲｍａｘ／Ｓ≧１３０である。
（４）第２面は、最大高さ（Ｒｍａｘ）が２．５μｍ～４．５μｍであるとともに、最大高さ（Ｒｍａｘ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲｍａｘ／Ｓｍ≧８０である。
　＜弾性表面波デバイス用基板＞
　以下、本開示の弾性表面波デバイス用基板について説明する。弾性表面波デバイス用基板は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電特性を有する、圧電性材料基板からなる。本実施形態では、圧電性材料として、タンタル酸リチウム単結晶を用いた例について説明する。タンタル酸リチウム単結晶として、３６°Ｙ～４６°Ｙタンタル酸リチウム単結晶は、弾性表面波デバイスの中でも、擬似弾性表面波デバイスに好適に用いられる。本実施形態では、基板として、４２°Ｙタンタル酸リチウム単結晶からなる擬似弾性表面波デバイス用基板について記載する。
　本実施形態の弾性表面波デバイス用基板は、弾性表面波が伝搬する面である第１面と、この第１面の反対に位置する第２面とを備える。なお、弾性表面波デバイス用基板は、２つの主面を有する板状体であることから、第１面を第１主面、第２面を第２主面とも言い換えることができる。そして、本実施形態の弾性表面波デバイス用基板は、下記（１）～（４）の少なくともいずれかを満足する。
　（１）第２面が、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ～０．４μｍであるとともに、算術平均粗さ（Ｒａ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲａ／Ｓ≧１１である。
　（２）第２面が、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ～０．４μｍであるとともに、算術平均粗さ（Ｒａ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲａ／Ｓｍ≧６．７である。
　（３）第２面が、最大高さ（Ｒｍａｘ）が２．５μｍ～４．５μｍであるとともに、最大高さ（Ｒｍａｘ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲｍａｘ／Ｓ≧１３０である。
　（４）第２面が、最大高さ（Ｒｍａｘ）が２．５μｍ～４．５μｍであるとともに、最大高さ（Ｒｍａｘ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲｍａｘ／Ｓｍ≧８０である。
　本実施形態の弾性表面波デバイス用基板は、上述したように、第２面の幅方向（面に平行な方向）のパラメータである、局部山頂の平均間隔（Ｓ）、凹凸の平均間隔（Ｓｍ）に対して、第２面の高さ方向（面に垂直な方向）のパラメータである、算術平均粗さ（Ｒａ）、最大高さ（Ｒｍａｘ）が比較的大きい。
　本実施形態の弾性表面波デバイス用基板は、弾性表面波フィルタに用いられる。弾性表面波フィルタでは、弾性表面波デバイス用基板の表面に励振用の入力電極および受信用の出力電極が形成される。そして、入力電極で表面弾性波を励振する際に発生したバルク波が第２面で反射されると、出力電極がスプリアス（設計上意図されない周波数成分）の原因となる反射波を受信してしまい、弾性表面波フィルタは所望の特性が得られなくなることから、弾性表面波デバイス用基板の第２面は、粗面化が行われている。第２面が粗面化されていると、バルク波は散乱され、出力電極で受信される反射波が低減されるため、反射波に起因するスプリアスが低減される。今般における弾性表面波デバイス用基板には、第２面からの反射波が少ないとともに、粗面化加工による欠陥や残留応力が少ないことが求められている。
　本実施形態の弾性表面波デバイス用基板は、算術平均粗さ（Ｒａ）、最大高さ（Ｒｍａｘ）が比較的大きいため、第２面においてバルク波は散乱され、出力電極で受信される反射波が低減される。それゆえ、反射波に起因するスプリアスが低減される。また、局部山頂の平均間隔（Ｓ）、凹凸の平均間隔（Ｓｍ）が相対的に小さいため、粗面化加工における欠陥や残留応力が少ない。それゆえ、粗面化加工による欠陥や残留応力に起因する反りや割れが少ない。
　また、局部山頂の平均間隔（Ｓ）が０．００１５μｍ～０．０２５μｍであってもよい。また、凹凸の平均間隔（Ｓｍ）が０．０３μｍ～０．０５μｍであってもよい。このような構成を満たすときには、さらに、第２面からの反射波が少なくなるとともに、粗面化加工による欠陥や残留応力が少なくなる。
　本明細書において、最大高さ（Ｒｍａｘ）は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９８２に準拠したものである。算術平均粗さ（Ｒａ）、凹凸の平均間隔（Ｓｍ）、局部山頂平均間隔（Ｓ）は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：１９９４に準拠したものである。
　本開示の弾性表面波デバイス用基板を備えて構成した疑似弾性表面波素子は、第２面からの反射波が少ないとともに、粗面化加工による欠陥や残留応力が少ない。
　＜弾性表面波デバイス用基板の製造方法＞
　弾性表面波デバイス用基板の製造方法の一例として、４２°Ｙタンタル酸リチウム単結晶からなる擬似弾性表面波デバイス用基板の製造方法について記載する。まず、チョクラルスキー（ＣＺ）法により、タンタル酸リチウム単結晶からなるインゴットを育成する。インゴットの育成の引き上げ方位は、最終的な擬似弾性表面波デバイス用基板の第１面および第２面（両面）の結晶方位と同じとする。なお、３８°Ｙなど、擬似弾性表面波デバイス用基板の両面の結晶方位と近い結晶方位であってもよい。
　インゴットは、必要に応じて両面が所定の結晶方位となるように端面研削された後、擬似弾性表面波デバイス用基板の径と同様の径となるように円筒研削される。その後、所定の結晶方位の両面を有し、所定の厚みとなるように、マルチワイヤーソー等を用いてスライス加工を行う。
　次に、スライス加工によって生じた反りを低減するとともに、第２面を所望の表面性状とするために、ラッピング加工を行う（ラッピング工程）。ラッピング工程後の第２面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１５μｍ～０．３５μｍであり、算術平均粗さ（Ｒａ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲａ／Ｓ＜１１、または、算術平均粗さ（Ｒａ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲａ／Ｓｍ＜６．７である。若しくは、最大高さ（Ｒｍａｘ）が２．０μｍ～４．０μｍであり、最大高さ（Ｒｍａｘ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲｍａｘ／Ｓ＜１３０、または、最大高さ（Ｒｍａｘ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲｍａｘ／Ｓｍ＜８０である。
　ラッピング加工には、両面ラッピング装置を用いるとよく、例えば、鋳鉄定盤と、＃１０００～＃２０００のＧＣ砥粒を含むスラリーを用いて、加工圧４．９ｋＰａ（＝５０ｇｆ／ｃｍ２）で加工する。加工条件は、所望の粗面形状が得られるものであれば、上記条件に限らず、適宜変更可能である。例えば、加工途中で加工圧を変更してもよいし、第１面と第２面を片面ずつ加工してもよい。
　次に、エッチング工程を実施する。エッチング工程は、フッ化水素酸、硝酸、またはこれらの混酸をエッチャントとして行う。なお、このエッチング工程では、第２面が、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ～０．４μｍであり、算術平均粗さ（Ｒａ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲａ／Ｓ≧１１、または、算術平均粗さ（Ｒａ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲａ／Ｓｍ≧６．７となるようにエッチングを行う。若しくは、最大高さ（Ｒｍａｘ）が２．５μｍ～４．５μｍであり、最大高さ（Ｒｍａｘ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲｍａｘ／Ｓ≧１３０、または、最大高さ（Ｒｍａｘ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲｍａｘ／Ｓｍ≧８０となるようにエッチングを行う。なお、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２５μｍ～０．３５μｍ、最大高さ（Ｒｍａｘ）が３．０μｍ～４．０μｍとなるようにエッチングすることが特に好ましい。
　エッチング条件は、例えば、フッ化水素酸と硝酸の混合比が体積比で１：１の混酸を用いて、７５℃～８５℃で５０分から１２０分である。このようなエッチング条件では、タンタル酸リチウム単結晶からなる基板は、両面がそれぞれ約１μｍずつエッチングされる。上記エッチング条件によれば、局部山頂の平均間隔（Ｓ）は０．００１５μｍ～０．０２５μｍ、凹凸の平均間隔（Ｓｍ）は０．０３μｍ～０．０５μｍである。
　次いで、ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）により、第１面をＣＭＰ研磨する。ＣＭＰ研磨の条件は、コロイダルシリカを研磨材とするスラリーを用いて、面圧荷重 ３０ｇ／ｃｍ２以上とし、第１面と研磨布を接触させ研磨を進める。このようなＣＭＰ研磨条件によれば、第２面の形状は、エッチング後の形状が維持される。
　以下、本開示の弾性表面波デバイス用基板の実施例について説明する。高周波加熱式ＣＺ法単結晶育成炉を用い、直径１０８ｍｍ、長さ１００ｍｍの円筒型のタンタル酸リチウム単結晶を育成した。これを円筒研削装置で直径１００ｍｍに円筒研削し、さらにマルチワイヤーソーを用いてスライスし、結晶方位４２°Ｙ、厚さ４００μｍの基板を約１５０枚得た。ここで、得られた基板をラッピング装置により、＃１０００、＃１５００、＃２０００の砥粒を用いて、加工圧４．９ｋＰａで厚みが約２５０μｍとなるようにラッピングした。ラッピングされた基板は、フッ化水素酸と硝酸の混合比が体積比で１：１の混酸を用いて、７５℃～８５℃で６０分～９０分、エッチングを行った。
　比較例として、実施例と同様な方法でスライス、ラッピングして得られた基板を、フッ化水素酸と硝酸の混合比が体積比で１：１の混酸を用いて、８０℃で３０分、エッチングした。
　さらに、実施例および比較例の基板の第１面をＣＭＰ研磨した。ＣＭＰ研磨の条件は、粒径３０～１２０ｎｍのコロイダルシリカを研磨材とするスラリーを用いて、面圧荷重８０～５００ｇ／ｃｍ２とし、第１面と研磨布を接触させ研磨した。この際、得られた第１面の表面粗さＲａは、０．１～０．２ｎｍの鏡面状態であった。上述した方法により、本実施例である試料Ｎｏ．１～４と、比較例である試料Ｎｏ．５～８とを得た。
　得られた各試料の第２面における算術平均粗さ（Ｒａ）、最大高さ（Ｒｍａｘ）、局部山頂の平均間隔（Ｓ）、凹凸の平均間隔（Ｓｍ）の測定を、株式会社小坂研究所製の表面粗さ測定機ＳＥ１７００αで行った。
　試料Ｎｏ．１は、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ～０．４μｍであり、算術平均粗さ（Ｒａ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲａ／Ｓ≧１１であった。
　試料Ｎｏ．２は、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ～０．４μｍであり、算術平均粗さ（Ｒａ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲａ／Ｓｍ≧６．７であった。
　試料Ｎｏ．３は、最大高さ（Ｒｍａｘ）が２．５μｍ～４．５μｍであり、最大高さ（Ｒｍａｘ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲｍａｘ／Ｓ≧１３０であった。
　試料Ｎｏ．４は、最大高さ（Ｒｍａｘ）が２．５μｍ～４．５μｍであり、最大高さ（Ｒｍａｘ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲｍａｘ／Ｓｍ≧８０であった。
　試料Ｎｏ．１に対応する比較例である試料Ｎｏ．５は、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ～０．４μｍであり、算術平均粗さ（Ｒａ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲａ／Ｓ＜１１であった。
　試料Ｎｏ．２に対応する比較例である試料Ｎｏ．６は、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ～０．４μｍであり、算術平均粗さ（Ｒａ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲａ／Ｓｍ＜６．７であった。
　試料Ｎｏ．３に対応する比較例である試料Ｎｏ．７は、最大高さ（Ｒｍａｘ）が２．５μｍ～４．５μｍであり、最大高さ（Ｒｍａｘ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲｍａｘ／Ｓ＜１３０であった。
　試料Ｎｏ．４に対応する比較例である試料Ｎｏ．８は、最大高さ（Ｒｍａｘ）が２．５μｍ～４．５μｍであり、最大高さ（Ｒｍａｘ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲｍａｘ／Ｓｍ＜８０であった。
　試料Ｎｏ．１～４は、それぞれに対応する試料Ｎｏ．５～８に対し、第２面からの反射波が少ないとともに、粗面化加工による欠陥や残留応力に起因すると思われる反りや割れが少なかった。

Claims (9)

  1. 　圧電性材料からなり、弾性表面波が伝搬する第１面と、該第１面の反対に位置する第２面とを備え、
    　該第２面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ～０．４μｍであるとともに、算術平均粗さ（Ｒａ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲａ／Ｓ≧１１である、弾性表面波デバイス用基板。
  2. 　圧電性材料からなり、弾性表面波が伝搬する第１面と、該第１面の反対に位置する第２面とを備え、
    　該第２面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ～０．４μｍであるとともに、算術平均粗さ（Ｒａ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲａ／Ｓｍ≧６．７である、弾性表面波デバイス用基板。
  3. 　圧電性材料からなり、弾性表面波が伝搬する第１面と、該第１面の反対に位置する第２面とを備え、
    　該第２面は、最大高さ（Ｒｍａｘ）が２．５μｍ～４．５μｍであるとともに、最大高さ（Ｒｍａｘ）と局部山頂の平均間隔（Ｓ）との関係がＲｍａｘ／Ｓ≧１３０である、弾性表面波デバイス用基板。
  4. 　圧電性材料からなり、弾性表面波が伝搬する第１面と、該第１面の反対に位置する第２面とを備え、
    　該第２面は、最大高さ（Ｒｍａｘ）が２．５μｍ～４．５μｍであるとともに、最大高さ（Ｒｍａｘ）と凹凸の平均間隔（Ｓｍ）との関係がＲｍａｘ／Ｓｍ≧８０である、弾性表面波デバイス用基板。
  5. 　前記局部山頂の平均間隔（Ｓ）が０．００１５μｍ～０．０２５μｍである、請求項１または請求項３に記載の弾性表面波デバイス用基板。
  6. 　前記凹凸の平均間隔（Ｓｍ）が０．０３μｍ～０．０５μｍである、請求項２または請求項４に記載の弾性表面波デバイス用基板。
  7. 　前記圧電性材料はタンタル酸リチウム単結晶である、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の弾性表面波デバイス用基板。
  8. 　３６°Ｙ～４６°Ｙタンタル酸リチウム単結晶である、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の弾性表面波デバイス用基板。
  9. 　請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の弾性表面波デバイス用基板を基体として備える、疑似弾性表面波素子。
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