JP2003101373A - 弾性表面波素子および弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波素子および弾性表面波装置Info
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- JP2003101373A JP2003101373A JP2001292471A JP2001292471A JP2003101373A JP 2003101373 A JP2003101373 A JP 2003101373A JP 2001292471 A JP2001292471 A JP 2001292471A JP 2001292471 A JP2001292471 A JP 2001292471A JP 2003101373 A JP2003101373 A JP 2003101373A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 弾性表面波素子において、通過帯域周波数の
高域化に伴う素子特性の劣化を防止する。 【解決手段】 圧電基板上において第１の膜厚Ｔ１ で
相互に入り組んだ一対の櫛の歯状に形成され、アルミニ
ウムまたはアルミニウム合金で形成されて圧電基板に弾
性表面波を生成または圧電基板の弾性表面波を電気信号
に変換する励振電極部１５と、励振電極部１５に対する
電気信号が入出力される端子電極部と、少なくとも一部
が第１の膜厚Ｔ１ よりも厚い第２の膜厚Ｔ２ で圧電基
板上に形成され、アルミニウムまたはアルミニウム合金
で形成されて励振電極部１５と端子電極部および励振電
極部１５相互間を電気的に接続する配線部１９とを有す
る弾性表面波素子とする。
高域化に伴う素子特性の劣化を防止する。 【解決手段】 圧電基板上において第１の膜厚Ｔ１ で
相互に入り組んだ一対の櫛の歯状に形成され、アルミニ
ウムまたはアルミニウム合金で形成されて圧電基板に弾
性表面波を生成または圧電基板の弾性表面波を電気信号
に変換する励振電極部１５と、励振電極部１５に対する
電気信号が入出力される端子電極部と、少なくとも一部
が第１の膜厚Ｔ１ よりも厚い第２の膜厚Ｔ２ で圧電基
板上に形成され、アルミニウムまたはアルミニウム合金
で形成されて励振電極部１５と端子電極部および励振電
極部１５相互間を電気的に接続する配線部１９とを有す
る弾性表面波素子とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波素子お
よび弾性表面波装置に関するものである。
よび弾性表面波装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話機をはじめとした移動体
通信端末機が急速に発展している。この端末機は、持ち
運びの便利さから、特に小型且つ軽量であることが望ま
れている。端末機の小型軽量化を達成するには、そこに
使われる電子部品も小型軽量であることが必須であり、
このため、端末機の高周波部や中間周波部には、複数の
弾性表面波共振器（ＳＡＷ共振子）が圧電基板上に形成
された弾性表面波素子を用いた弾性表面波装置が多用さ
れている。
通信端末機が急速に発展している。この端末機は、持ち
運びの便利さから、特に小型且つ軽量であることが望ま
れている。端末機の小型軽量化を達成するには、そこに
使われる電子部品も小型軽量であることが必須であり、
このため、端末機の高周波部や中間周波部には、複数の
弾性表面波共振器（ＳＡＷ共振子）が圧電基板上に形成
された弾性表面波素子を用いた弾性表面波装置が多用さ
れている。
【０００３】弾性表面波装置に求められる重要な特性と
して、挿入損失が低く通過帯域周波数外の減衰量が大き
いことが挙げられる。挿入損失は、機器の消費電力に影
響し、低損失であるほどバッテリの寿命が延びるためバ
ッテリの容量を削減することができ小型軽量化に貢献す
る。また、一つの装置で高帯域外減衰を得ることができ
れば、機器の小型軽量化に貢献する。
して、挿入損失が低く通過帯域周波数外の減衰量が大き
いことが挙げられる。挿入損失は、機器の消費電力に影
響し、低損失であるほどバッテリの寿命が延びるためバ
ッテリの容量を削減することができ小型軽量化に貢献す
る。また、一つの装置で高帯域外減衰を得ることができ
れば、機器の小型軽量化に貢献する。
【０００４】ここで、弾性表面波素子は、相互に入り組
んだ一対の櫛の歯状の励振電極部が圧電基板上に形成さ
れており、励振電極部への電圧印加による電界で圧電基
板に弾性表面波を生成したり、あるいは生成された弾性
表面波を励振電極部で電気信号に変換している。
んだ一対の櫛の歯状の励振電極部が圧電基板上に形成さ
れており、励振電極部への電圧印加による電界で圧電基
板に弾性表面波を生成したり、あるいは生成された弾性
表面波を励振電極部で電気信号に変換している。
【０００５】そして、励振電極部の膜厚は通過帯域周波
数決定の重要なパラメータになっており、たとえば通過
帯域周波数を１ＧＨｚから２ＧＨｚへと高域化するため
には、１ＧＨｚ時の膜厚０．４μｍを、その半分の０．
２μｍにしなければならない。
数決定の重要なパラメータになっており、たとえば通過
帯域周波数を１ＧＨｚから２ＧＨｚへと高域化するため
には、１ＧＨｚ時の膜厚０．４μｍを、その半分の０．
２μｍにしなければならない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような薄膜化がな
されると、必然的に導電パターンの断面積が小さくな
り、電気抵抗値が増大することになる。
されると、必然的に導電パターンの断面積が小さくな
り、電気抵抗値が増大することになる。
【０００７】すると、前述した挿入損失が悪化したり、
通過帯域周波数外における減衰量が十分に得られなくな
り、素子特性が劣化することになる。
通過帯域周波数外における減衰量が十分に得られなくな
り、素子特性が劣化することになる。
【０００８】そこで、本発明は、通過帯域周波数の高域
化に伴う素子特性の劣化を防止することのできる弾性表
面波素子に関する技術を提供することを目的とする。
化に伴う素子特性の劣化を防止することのできる弾性表
面波素子に関する技術を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る弾性表面波素子は、圧電基板と、圧電
基板上において第１の膜厚で相互に入り組んだ一対の櫛
の歯状に形成され、アルミニウムまたはアルミニウム合
金で形成されて圧電基板に弾性表面波を生成または圧電
基板の弾性表面波を電気信号に変換する励振電極部と、
励振電極部に対する電気信号が入出力される端子電極部
と、少なくとも一部が第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚
で圧電基板上に形成され、アルミニウムまたはアルミニ
ウム合金で形成されて励振電極部と端子電極部および励
振電極部相互間を電気的に接続する配線部とを有するこ
とを特徴とする。
め、本発明に係る弾性表面波素子は、圧電基板と、圧電
基板上において第１の膜厚で相互に入り組んだ一対の櫛
の歯状に形成され、アルミニウムまたはアルミニウム合
金で形成されて圧電基板に弾性表面波を生成または圧電
基板の弾性表面波を電気信号に変換する励振電極部と、
励振電極部に対する電気信号が入出力される端子電極部
と、少なくとも一部が第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚
で圧電基板上に形成され、アルミニウムまたはアルミニ
ウム合金で形成されて励振電極部と端子電極部および励
振電極部相互間を電気的に接続する配線部とを有するこ
とを特徴とする。
【００１０】このような発明によれば、配線部の第２の
膜厚を励振電極部の第１の膜厚よりも厚く形成している
ので、励振電極部の薄膜化に伴う配線部の電気抵抗値の
増大が抑制され、通過帯域周波数の高域化に伴う素子特
性の劣化を防止することが可能になる。
膜厚を励振電極部の第１の膜厚よりも厚く形成している
ので、励振電極部の薄膜化に伴う配線部の電気抵抗値の
増大が抑制され、通過帯域周波数の高域化に伴う素子特
性の劣化を防止することが可能になる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しつつさらに具体的に説明する。ここで、添付
図面において同一の部材には同一の符号を付しており、
また、重複した説明は省略されている。なお、発明の実
施の形態は、本発明が実施される特に有用な形態として
のものであり、本発明がその実施の形態に限定されるも
のではない。
面を参照しつつさらに具体的に説明する。ここで、添付
図面において同一の部材には同一の符号を付しており、
また、重複した説明は省略されている。なお、発明の実
施の形態は、本発明が実施される特に有用な形態として
のものであり、本発明がその実施の形態に限定されるも
のではない。
【００１２】図１は本発明の一実施の形態である弾性表
面波素子がパッケージ化された弾性表面波装置を示す断
面図、図２は本発明の一実施の形態である弾性表面波素
子の回路を示す概略図、図３は図２の弾性表面波素子に
おける要部を示す平面図、図４は図３のIV−IV線に沿っ
た断面図、図５は配線部の膜厚ＫＨが０．２μｍの場合
と１．２μｍの場合における弾性表面波素子の帯域周波
数に対する挿入損失の関係を示すグラフ、図６は配線部
の膜厚に対するインピーダンス実部と減衰量との関係を
示すグラフ、図７は図２の弾性表面波素子の導電パター
ンの形成プロセスの一例を連続して示す断面図、図８は
図２の弾性表面波素子の導電パターンの形成プロセスの
他の一例を連続して示す断面図、図９は図２の弾性表面
波素子の導電パターンの形成プロセスのさらに他の一例
を連続して示す断面図、図１０は図２の弾性表面波素子
の導電パターンの形成プロセスのさらに他の一例を連続
して示す断面図、図１１は図２の弾性表面波素子の導電
パターンの形成プロセスのさらに他の一例を連続して示
す断面図である。
面波素子がパッケージ化された弾性表面波装置を示す断
面図、図２は本発明の一実施の形態である弾性表面波素
子の回路を示す概略図、図３は図２の弾性表面波素子に
おける要部を示す平面図、図４は図３のIV−IV線に沿っ
た断面図、図５は配線部の膜厚ＫＨが０．２μｍの場合
と１．２μｍの場合における弾性表面波素子の帯域周波
数に対する挿入損失の関係を示すグラフ、図６は配線部
の膜厚に対するインピーダンス実部と減衰量との関係を
示すグラフ、図７は図２の弾性表面波素子の導電パター
ンの形成プロセスの一例を連続して示す断面図、図８は
図２の弾性表面波素子の導電パターンの形成プロセスの
他の一例を連続して示す断面図、図９は図２の弾性表面
波素子の導電パターンの形成プロセスのさらに他の一例
を連続して示す断面図、図１０は図２の弾性表面波素子
の導電パターンの形成プロセスのさらに他の一例を連続
して示す断面図、図１１は図２の弾性表面波素子の導電
パターンの形成プロセスのさらに他の一例を連続して示
す断面図である。
【００１３】図１に示す弾性表面波装置１０は、圧電基
板上に所定の導電パターンが形成された弾性表面波素子
１１が、単層あるいは複数層からなり所定の配線パター
ンや回路パターンの形成されたセラミック製や樹脂製の
実装基板１２に搭載されたものである。
板上に所定の導電パターンが形成された弾性表面波素子
１１が、単層あるいは複数層からなり所定の配線パター
ンや回路パターンの形成されたセラミック製や樹脂製の
実装基板１２に搭載されたものである。
【００１４】図示する場合には、弾性表面波素子１１の
素子形成面は実装基板１２と対向配置されており、弾性
表面波素子１１と実装基板１２とはバンプ１３を介して
フリップチップ接続されている。なお、両者はワイヤボ
ンディングによりワイヤ接続してもよい。
素子形成面は実装基板１２と対向配置されており、弾性
表面波素子１１と実装基板１２とはバンプ１３を介して
フリップチップ接続されている。なお、両者はワイヤボ
ンディングによりワイヤ接続してもよい。
【００１５】ここで、圧電基板は、ＬｉＮｂＯ3 、Ｌｉ
ＴａＯ3 や水晶などの圧電単結晶、あるいはチタン酸ジ
ルコン酸鉛系圧電セラミックスのような圧電性セラミッ
クスにより形成されている。但し、絶縁基板上にＺｎＯ
薄膜などの圧電薄膜を形成したものを圧電基板として用
いてもよい。
ＴａＯ3 や水晶などの圧電単結晶、あるいはチタン酸ジ
ルコン酸鉛系圧電セラミックスのような圧電性セラミッ
クスにより形成されている。但し、絶縁基板上にＺｎＯ
薄膜などの圧電薄膜を形成したものを圧電基板として用
いてもよい。
【００１６】そして、実装基板１２には、弾性表面波素
子１１を包囲するようにしてキャップ１４が接着されて
おり、弾性表面波素子１１を塵埃や機械的衝撃などから
保護している。
子１１を包囲するようにしてキャップ１４が接着されて
おり、弾性表面波素子１１を塵埃や機械的衝撃などから
保護している。
【００１７】このような弾性表面波装置１０に実装され
た弾性表面波素子１１の圧電基板上には、図２に示すよ
うに、所定周波数の弾性表面波に共振する励振電極部１
５が形成されている。この励振電極部１５には、励振電
極部１５と実装基板１２とを電気的に接続し、励振電極
部１５に対する電気信号が入出力される入力電極（端子
電極部）１６、出力電極（端子電極部）１７および接地
電極（端子電極部）１８が配線部１９を介して電気的に
接続されている。そして、配線部１９は励振電極部１５
と電極１６，１７，１８、および励振電極部１５相互間
を電気的に接続する。そして、励振電極部１５および配
線部１９はアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成
されている。但し、アルミニウムまたはアルミニウム合
金以外の部材が含まれていてもよい。
た弾性表面波素子１１の圧電基板上には、図２に示すよ
うに、所定周波数の弾性表面波に共振する励振電極部１
５が形成されている。この励振電極部１５には、励振電
極部１５と実装基板１２とを電気的に接続し、励振電極
部１５に対する電気信号が入出力される入力電極（端子
電極部）１６、出力電極（端子電極部）１７および接地
電極（端子電極部）１８が配線部１９を介して電気的に
接続されている。そして、配線部１９は励振電極部１５
と電極１６，１７，１８、および励振電極部１５相互間
を電気的に接続する。そして、励振電極部１５および配
線部１９はアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成
されている。但し、アルミニウムまたはアルミニウム合
金以外の部材が含まれていてもよい。
【００１８】なお、電極１６，１７，１８と実装基板１
２とは、これらに図１に示す突起電極１３を形成し、超
音波によりバンプ接続される。あるいは、ワイヤボンデ
ィングによりワイヤ接続される。そして、バンプ接続の
場合には、ワイヤ接続とは反対に、素子形成面が実装基
板１２と対向配置される。
２とは、これらに図１に示す突起電極１３を形成し、超
音波によりバンプ接続される。あるいは、ワイヤボンデ
ィングによりワイヤ接続される。そして、バンプ接続の
場合には、ワイヤ接続とは反対に、素子形成面が実装基
板１２と対向配置される。
【００１９】ここで、励振電極部１５は、図３に示すよ
うに、相互に入り組んだ一対の櫛の歯状に形成されてい
る。そして、入力側の励振電極部１５に電圧を印加して
電界をかけると、圧電基板には圧電効果により弾性表面
波が発生する。また、このようにして生成された弾性表
面波による機械的歪みが電界を生じさせ、出力側の励振
電極部１５で電気信号に変換される。
うに、相互に入り組んだ一対の櫛の歯状に形成されてい
る。そして、入力側の励振電極部１５に電圧を印加して
電界をかけると、圧電基板には圧電効果により弾性表面
波が発生する。また、このようにして生成された弾性表
面波による機械的歪みが電界を生じさせ、出力側の励振
電極部１５で電気信号に変換される。
【００２０】励振電極部１５の両側には、弾性表面波を
反射する反射器２０が配置されている。
反射する反射器２０が配置されている。
【００２１】なお、本実施の形態は、入力電極１６と出
力電極１７との間の配線部１９を直列腕とし、この直列
腕と接地電極１８との間に複数の配線部１９である並列
腕を構成し、直列腕および並列腕に励振電極部１５を配
置したラダー型回路を構成しているが、本発明はラダー
型回路以外であってもよい。
力電極１７との間の配線部１９を直列腕とし、この直列
腕と接地電極１８との間に複数の配線部１９である並列
腕を構成し、直列腕および並列腕に励振電極部１５を配
置したラダー型回路を構成しているが、本発明はラダー
型回路以外であってもよい。
【００２２】図４に示すように、励振電極部１５は第１
の膜厚Ｔ１ となっており、この励振電極部１５と連続
する配線部１９は、励振電極部１５の第１の膜厚Ｔ１
よりも厚い膜厚である第２の膜厚Ｔ２ となっている。
具体的には、本実施の形態では、通過帯域周波数を２Ｇ
Ｈｚとするために励振電極部１５の第１の膜厚Ｔ１は
０．２μｍとなっており、一方、配線部１９の第２の膜
厚Ｔ２ は１．０μｍとなっている。
の膜厚Ｔ１ となっており、この励振電極部１５と連続
する配線部１９は、励振電極部１５の第１の膜厚Ｔ１
よりも厚い膜厚である第２の膜厚Ｔ２ となっている。
具体的には、本実施の形態では、通過帯域周波数を２Ｇ
Ｈｚとするために励振電極部１５の第１の膜厚Ｔ１は
０．２μｍとなっており、一方、配線部１９の第２の膜
厚Ｔ２ は１．０μｍとなっている。
【００２３】そして、このように配線部１９の第２の膜
厚Ｔ２ を励振電極部１５の第１の膜厚Ｔ１ よりも厚く
形成しているので、たとえば通過帯域周波数を高域化す
るために励振電極部１５が薄膜化しても、配線部１９の
断面積が小さくなって電気抵抗値が増大することがな
い。したがって、挿入損失が悪化したり、通過帯域周波
数外における減衰量が十分に得られなくなることなく、
通過帯域周波数の高域化に伴う素子特性の劣化が防止さ
れる。
厚Ｔ２ を励振電極部１５の第１の膜厚Ｔ１ よりも厚く
形成しているので、たとえば通過帯域周波数を高域化す
るために励振電極部１５が薄膜化しても、配線部１９の
断面積が小さくなって電気抵抗値が増大することがな
い。したがって、挿入損失が悪化したり、通過帯域周波
数外における減衰量が十分に得られなくなることなく、
通過帯域周波数の高域化に伴う素子特性の劣化が防止さ
れる。
【００２４】なお、第２の膜厚Ｔ２ は第１の膜厚Ｔ１
よりも厚くなっていればよく、好ましくは弾性表面波素
子としての挿入損失が所定レベル内にあり、通過帯域周
波数外における減衰量が所望レベル得られる程度に厚く
なっていればよく、必ずしも第２の膜厚Ｔ２ が１．０
μｍでなくてもよい。
よりも厚くなっていればよく、好ましくは弾性表面波素
子としての挿入損失が所定レベル内にあり、通過帯域周
波数外における減衰量が所望レベル得られる程度に厚く
なっていればよく、必ずしも第２の膜厚Ｔ２ が１．０
μｍでなくてもよい。
【００２５】また、全ての配線部１９の膜厚が励振電極
部１５の膜厚よりも厚くなっている必要はなく、一部の
配線部１９のみを厚く形成してもよい。
部１５の膜厚よりも厚くなっている必要はなく、一部の
配線部１９のみを厚く形成してもよい。
【００２６】そして、電極１６，１７，１８は第１の膜
厚Ｔ１ で形成しても、あるいは第２の膜厚Ｔ２ で形成
しても、さらには第１の膜厚Ｔ１ および第２の膜厚Ｔ
２とは異なる膜厚で形成してもよい。
厚Ｔ１ で形成しても、あるいは第２の膜厚Ｔ２ で形成
しても、さらには第１の膜厚Ｔ１ および第２の膜厚Ｔ
２とは異なる膜厚で形成してもよい。
【００２７】ここで、配線部１９の膜厚ＫＨが０．２μ
ｍの場合と１．２μｍの場合における弾性表面波素子の
帯域周波数に対する挿入損失の関係を図５に、配線部１
９の膜厚に対するインピーダンス実部と減衰量との関係
を図６に示す。
ｍの場合と１．２μｍの場合における弾性表面波素子の
帯域周波数に対する挿入損失の関係を図５に、配線部１
９の膜厚に対するインピーダンス実部と減衰量との関係
を図６に示す。
【００２８】これらの図に示すように、第２の膜厚Ｔ２
は１μｍに至るまでは厚さに比例して特性が急峻に良
好になるが、１μｍ以上の場合には鈍化する。したがっ
て、第２の膜厚Ｔ２ は望ましくは１μｍ以下であるこ
とが、より望ましくは１μｍであることがよい。但し、
１〜２μｍの範囲でも特性が依然として良くなっている
ことから、第２の膜厚Ｔ２ は２μｍ以下で作成しても
よい。
は１μｍに至るまでは厚さに比例して特性が急峻に良
好になるが、１μｍ以上の場合には鈍化する。したがっ
て、第２の膜厚Ｔ２ は望ましくは１μｍ以下であるこ
とが、より望ましくは１μｍであることがよい。但し、
１〜２μｍの範囲でも特性が依然として良くなっている
ことから、第２の膜厚Ｔ２ は２μｍ以下で作成しても
よい。
【００２９】第１の膜厚Ｔ１ を有する励振電極部１５
および第２の膜厚Ｔ２ を有する配線部１９を備えた弾
性表面波素子の導電パターンは、種々の薄膜形成技術に
より形成される。
および第２の膜厚Ｔ２ を有する配線部１９を備えた弾
性表面波素子の導電パターンは、種々の薄膜形成技術に
より形成される。
【００３０】そこで、導電パターンの形成プロセスの一
例を説明する。なお、以下において、薄膜形成にはスパ
ッタリング法や真空蒸着法等が用いられる。また、薄膜
のパターニングには、ウェットエッチング法やドライエ
ッチング法等が用いられる。
例を説明する。なお、以下において、薄膜形成にはスパ
ッタリング法や真空蒸着法等が用いられる。また、薄膜
のパターニングには、ウェットエッチング法やドライエ
ッチング法等が用いられる。
【００３１】第１の例は、リフトオフ法と呼ばれる図７
に示すものである。
に示すものである。
【００３２】すなわち、図７（ａ）に示すように、圧電
基板２１上に、まず、第１の導電膜２２を形成する。次
に、図７（ｂ）に示すように、これをパターニングし
て、励振電極部１５と配線部１９の下層部１９ａとを同
時に形成する。そして、図７（ｃ）に示すように、この
上にフォトレジスト膜２３を形成し、配線部１９の下層
部１９ａに相当する領域を開口する。次に、図７（ｄ）
に示すように、フォトレジスト膜２３とこのフォトレジ
スト膜２３から露出した下層部１９ａとの上に第２の導
電膜２４を形成する。最後に、フォトレジスト膜２３を
除去すると、第２の導電膜２４は下層部１９ａ上のみに
残って配線部１９の上層部１９ｂとなり、図７（ｅ）に
示すように、励振電極部１５よりも厚い配線部１９が形
成される。
基板２１上に、まず、第１の導電膜２２を形成する。次
に、図７（ｂ）に示すように、これをパターニングし
て、励振電極部１５と配線部１９の下層部１９ａとを同
時に形成する。そして、図７（ｃ）に示すように、この
上にフォトレジスト膜２３を形成し、配線部１９の下層
部１９ａに相当する領域を開口する。次に、図７（ｄ）
に示すように、フォトレジスト膜２３とこのフォトレジ
スト膜２３から露出した下層部１９ａとの上に第２の導
電膜２４を形成する。最後に、フォトレジスト膜２３を
除去すると、第２の導電膜２４は下層部１９ａ上のみに
残って配線部１９の上層部１９ｂとなり、図７（ｅ）に
示すように、励振電極部１５よりも厚い配線部１９が形
成される。
【００３３】第２の例は図８に示すものである。
【００３４】すなわち、図８（ａ）に示すように、ま
ず、圧電基板２１上に、第１の導電膜２２を形成し、こ
れをパターニングして、図８（ｂ）に示すように、配線
部１９の下層部１９ａを形成する。次に、図８（ｃ）に
示すように、この上に第２の導電膜２４を形成する。そ
して、フォト工程、エッチング工程等により第２の導電
膜２４をパターニングすると、図８（ｄ）に示すよう
に、励振電極部１５および配線部１９の上層部１９ｂが
形成される。
ず、圧電基板２１上に、第１の導電膜２２を形成し、こ
れをパターニングして、図８（ｂ）に示すように、配線
部１９の下層部１９ａを形成する。次に、図８（ｃ）に
示すように、この上に第２の導電膜２４を形成する。そ
して、フォト工程、エッチング工程等により第２の導電
膜２４をパターニングすると、図８（ｄ）に示すよう
に、励振電極部１５および配線部１９の上層部１９ｂが
形成される。
【００３５】第３の例は図９に示すものである。
【００３６】すなわち、図９（ａ）に示すように、圧電
基板２１上に第１の導電膜２２を形成する。次に、図９
（ｂ）に示すように、これをパターニングして、励振電
極部１５と配線部１９の下層部１９ａとを同時に形成す
る。そして、図９（ｃ）に示すように、この上に第２の
導電膜２４と第３の導電膜２５を順次形成する。
基板２１上に第１の導電膜２２を形成する。次に、図９
（ｂ）に示すように、これをパターニングして、励振電
極部１５と配線部１９の下層部１９ａとを同時に形成す
る。そして、図９（ｃ）に示すように、この上に第２の
導電膜２４と第３の導電膜２５を順次形成する。
【００３７】ここで、以下に説明する第４の例および第
５の例を含め、第２の導電膜２４はたとえばクロムによ
り、第３の導電膜２５はアルミニウムにより、それぞれ
形成されている。あるいは、第２の導電膜２４と第３の
導電膜２５は相互に添加物材料の異なるアルミニウム合
金により形成されている。
５の例を含め、第２の導電膜２４はたとえばクロムによ
り、第３の導電膜２５はアルミニウムにより、それぞれ
形成されている。あるいは、第２の導電膜２４と第３の
導電膜２５は相互に添加物材料の異なるアルミニウム合
金により形成されている。
【００３８】次に、第３の導電膜２５上にフォトレジス
ト膜２３を形成してこれをパターニングし、図９（ｄ）
に示すように、配線部１９の下層部１９ａに相当する領
域だけを残す。そして、この状態で第３の導電膜２５の
エッチングを行い、図９（ｅ）に示すように、フォトレ
ジスト膜２３の下に存在する領域だけを残して第３の導
電膜２５を除去し、配線部１９の上層部１９ｂを形成す
る。次に、第２の導電膜２４のエッチングを行い、図９
（ｆ）に示すように、上層部１９ｂと同じ領域だけを残
して第２の導電膜２４を除去し、配線部１９の中層部１
９ｃを形成する。最後に、フォトレジスト膜２３を除去
すると、図９（ｇ）に示すように、励振電極部１５より
も厚い配線部１９が形成される。
ト膜２３を形成してこれをパターニングし、図９（ｄ）
に示すように、配線部１９の下層部１９ａに相当する領
域だけを残す。そして、この状態で第３の導電膜２５の
エッチングを行い、図９（ｅ）に示すように、フォトレ
ジスト膜２３の下に存在する領域だけを残して第３の導
電膜２５を除去し、配線部１９の上層部１９ｂを形成す
る。次に、第２の導電膜２４のエッチングを行い、図９
（ｆ）に示すように、上層部１９ｂと同じ領域だけを残
して第２の導電膜２４を除去し、配線部１９の中層部１
９ｃを形成する。最後に、フォトレジスト膜２３を除去
すると、図９（ｇ）に示すように、励振電極部１５より
も厚い配線部１９が形成される。
【００３９】第４の例は図１０に示すものである。
【００４０】すなわち、図１０（ａ）に示すように、圧
電基板２１上に第１の導電膜２２を形成する。次に、図
１０（ｂ）に示すように、これをパターニングして、励
振電極部１５を形成する。そして、図１０（ｃ）に示す
ように、この上に第２の導電膜２４および第３の導電膜
２５を順次形成する。次に、第３の導電膜２５上にフォ
トレジスト膜２３を形成してこれをパターニングし、図
１０（ｄ）に示すように、配線部１９に相当する領域だ
けを残す。そして、この状態で第３の導電膜２５のエッ
チングを行い、図１０（ｅ）に示すように、フォトレジ
スト膜２３の下に存在する領域だけを残して第３の導電
膜２５を除去し、配線部１９の上層部１９ｂを形成す
る。次に、第２の導電膜２４のエッチングを行い、図１
０（ｆ）に示すように、上層部１９ｂと同じ領域だけを
残して第２の導電膜２４を除去し、配線部１９の下層部
１９ａを形成する。これにより、下層部１９ａと上層部
１９ｂとからなり、励振電極部１５よりも厚い配線部１
９が形成される。最後に、図１０（ｇ）に示すように、
フォトレジスト膜２３を除去する。
電基板２１上に第１の導電膜２２を形成する。次に、図
１０（ｂ）に示すように、これをパターニングして、励
振電極部１５を形成する。そして、図１０（ｃ）に示す
ように、この上に第２の導電膜２４および第３の導電膜
２５を順次形成する。次に、第３の導電膜２５上にフォ
トレジスト膜２３を形成してこれをパターニングし、図
１０（ｄ）に示すように、配線部１９に相当する領域だ
けを残す。そして、この状態で第３の導電膜２５のエッ
チングを行い、図１０（ｅ）に示すように、フォトレジ
スト膜２３の下に存在する領域だけを残して第３の導電
膜２５を除去し、配線部１９の上層部１９ｂを形成す
る。次に、第２の導電膜２４のエッチングを行い、図１
０（ｆ）に示すように、上層部１９ｂと同じ領域だけを
残して第２の導電膜２４を除去し、配線部１９の下層部
１９ａを形成する。これにより、下層部１９ａと上層部
１９ｂとからなり、励振電極部１５よりも厚い配線部１
９が形成される。最後に、図１０（ｇ）に示すように、
フォトレジスト膜２３を除去する。
【００４１】第５の例は図１１に示すものである。
【００４２】すなわち、図１１（ａ）に示すように、圧
電基板２１上に、第１の導電膜２２、第２の導電膜２４
および第３の導電膜２５を順次形成し、図１１（ｂ）に
示すように、これらの導電膜２２，２４，２５を励振電
極部１５と配線部１９とに対応するパターンに形成す
る。次に、第３の導電膜２５上にフォトレジスト膜２３
を形成してこれをパターニングし、図１１（ｃ）に示す
ように、配線部１９に相当する領域だけを残す。そし
て、この状態で第３の導電膜２５のエッチングを行い、
図１１（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜２３の下
に存在する領域だけを残して第３の導電膜２５を除去
し、配線部１９の上層部１９ｂを形成する。さらに、図
１１（ｅ）に示すように、これに続いて第３の導電膜２
５の下に存在する領域だけを残して第２の導電膜２４を
除去し、配線部１９の中層部１９ｃを形成する。最後
に、フォトレジスト膜２３を除去すると、図１１（ｇ）
に示すように、励振電極部１５よりも厚い配線部１９が
形成される。
電基板２１上に、第１の導電膜２２、第２の導電膜２４
および第３の導電膜２５を順次形成し、図１１（ｂ）に
示すように、これらの導電膜２２，２４，２５を励振電
極部１５と配線部１９とに対応するパターンに形成す
る。次に、第３の導電膜２５上にフォトレジスト膜２３
を形成してこれをパターニングし、図１１（ｃ）に示す
ように、配線部１９に相当する領域だけを残す。そし
て、この状態で第３の導電膜２５のエッチングを行い、
図１１（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜２３の下
に存在する領域だけを残して第３の導電膜２５を除去
し、配線部１９の上層部１９ｂを形成する。さらに、図
１１（ｅ）に示すように、これに続いて第３の導電膜２
５の下に存在する領域だけを残して第２の導電膜２４を
除去し、配線部１９の中層部１９ｃを形成する。最後
に、フォトレジスト膜２３を除去すると、図１１（ｇ）
に示すように、励振電極部１５よりも厚い配線部１９が
形成される。
【００４３】なお、以上説明した第１〜第５の形成方法
は一例であり、これ以外の方法によって形成することも
できる。
は一例であり、これ以外の方法によって形成することも
できる。
【００４４】また、以上の説明においては、弾性表面波
素子１１が一個搭載された弾性表面波装置１０が示され
ているが、たとえば相互に異なる帯域中心周波数を有す
る２つの弾性表面波素子を搭載して分波器とするなど、
本発明の弾性表面波素子は種々の形態の弾性表面波装置
に適用することが可能である。
素子１１が一個搭載された弾性表面波装置１０が示され
ているが、たとえば相互に異なる帯域中心周波数を有す
る２つの弾性表面波素子を搭載して分波器とするなど、
本発明の弾性表面波素子は種々の形態の弾性表面波装置
に適用することが可能である。
【００４５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば以下の効果を奏することができる。
によれば以下の効果を奏することができる。
【００４６】すなわち、配線部の第２の膜厚を励振電極
部の第１の膜厚よりも厚く形成しているので、励振電極
部の薄膜化に伴う配線部の電気抵抗値の増大が抑制さ
れ、通過帯域周波数の高域化に伴う素子特性の劣化を防
止することが可能になる。
部の第１の膜厚よりも厚く形成しているので、励振電極
部の薄膜化に伴う配線部の電気抵抗値の増大が抑制さ
れ、通過帯域周波数の高域化に伴う素子特性の劣化を防
止することが可能になる。
【図１】本発明の一実施の形態である弾性表面波素子が
パッケージ化された弾性表面波装置を示す断面図であ
る。
パッケージ化された弾性表面波装置を示す断面図であ
る。
【図２】本発明の一実施の形態である弾性表面波素子の
回路を示す概略図である。
回路を示す概略図である。
【図３】図２の弾性表面波素子における要部を示す平面
図である。
図である。
【図４】図３のIV−IV線に沿った断面図である。
【図５】配線部の膜厚ＫＨが０．２μｍの場合と１．２
μｍの場合における弾性表面波素子の帯域周波数に対す
る挿入損失の関係を示すグラフである。
μｍの場合における弾性表面波素子の帯域周波数に対す
る挿入損失の関係を示すグラフである。
【図６】配線部の膜厚に対するインピーダンス実部と減
衰量との関係を示すグラフである。
衰量との関係を示すグラフである。
【図７】図２の弾性表面波素子の導電パターンの形成プ
ロセスの一例を連続して示す断面図である。
ロセスの一例を連続して示す断面図である。
【図８】図２の弾性表面波素子の導電パターンの形成プ
ロセスの他の一例を連続して示す断面図である。
ロセスの他の一例を連続して示す断面図である。
【図９】図２の弾性表面波素子の導電パターンの形成プ
ロセスのさらに他の一例を連続して示す断面図である。
ロセスのさらに他の一例を連続して示す断面図である。
【図１０】図２の弾性表面波素子の導電パターンの形成
プロセスのさらに他の一例を連続して示す断面図であ
る。
プロセスのさらに他の一例を連続して示す断面図であ
る。
【図１１】図２の弾性表面波素子の導電パターンの形成
プロセスのさらに他の一例を連続して示す断面図であ
る。
プロセスのさらに他の一例を連続して示す断面図であ
る。
１０ 弾性表面波装置
１１ 弾性表面波素子
１２ 実装基板
１３ バンプ
１４ キャップ
１５ 励振電極部
１６ 入力電極（端子電極部）
１７ 出力電極（端子電極部）
１８ 接地電極（端子電極部）
１９ 配線部
１９ａ 下層部
１９ｂ 上層部
１９ｃ 中層部
２０ 反射器
２１ 圧電基板
２２ 第１の導電膜
２３ フォトレジスト膜
２４ 第２の導電膜
２５ 第３の導電膜
Claims (5)
- 【請求項１】 圧電基板と、 前記圧電基板上において第１の膜厚で相互に入り組んだ
一対の櫛の歯状に形成され、少なくともアルミニウムま
たはアルミニウム合金で形成されて前記圧電基板に弾性
表面波を生成または前記圧電基板の前記弾性表面波を電
気信号に変換する励振電極部と、 前記励振電極部に対する電気信号が入出力される端子電
極部と、 少なくとも一部が前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚
で前記圧電基板上に形成され、少なくともアルミニウム
またはアルミニウム合金で形成されて前記励振電極部と
前記端子電極部および前記励振電極部相互間を電気的に
接続する配線部とを備えたことを特徴とする弾性表面波
素子。 - 【請求項２】 前記第２の膜厚は２μｍ以下であること
を特徴とする請求項１記載の弾性表面波素子。 - 【請求項３】 前記第２の膜厚は１μｍ以下であること
を特徴とする請求項１記載の弾性表面波素子。 - 【請求項４】 請求項１〜３の何れか一項に記載の弾性
表面波素子が搭載されていることを特徴とする弾性表面
波装置。 - 【請求項５】 前記弾性表面波装置は、相互に異なる帯
域中心周波数を有する２つの前記弾性表面波素子が搭載
された分波器であることを特徴とする請求項４記載の弾
性表面波装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001292471A JP2003101373A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 弾性表面波素子および弾性表面波装置 |
| US10/253,988 US20030062969A1 (en) | 2001-09-25 | 2002-09-25 | Saw element and saw device |
| EP02021468.0A EP1296454B1 (en) | 2001-09-25 | 2002-09-25 | SAW element and SAW device |
| US10/699,779 US7116187B2 (en) | 2001-09-25 | 2003-11-04 | Saw element and saw device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001292471A JP2003101373A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 弾性表面波素子および弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003101373A true JP2003101373A (ja) | 2003-04-04 |
| JP2003101373A5 JP2003101373A5 (ja) | 2005-10-06 |
Family
ID=19114427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001292471A Pending JP2003101373A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 弾性表面波素子および弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003101373A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010252321A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| WO2018135538A1 (ja) * | 2017-01-19 | 2018-07-26 | 株式会社村田製作所 | 高周波フィルタ、高周波フロントエンド回路、および通信装置 |
| WO2018139320A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 株式会社村田製作所 | 高周波フィルタ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
| US10056878B2 (en) | 2014-12-12 | 2018-08-21 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of fabricating the same |
-
2001
- 2001-09-25 JP JP2001292471A patent/JP2003101373A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010252321A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| US10056878B2 (en) | 2014-12-12 | 2018-08-21 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of fabricating the same |
| WO2018135538A1 (ja) * | 2017-01-19 | 2018-07-26 | 株式会社村田製作所 | 高周波フィルタ、高周波フロントエンド回路、および通信装置 |
| US11012050B2 (en) | 2017-01-19 | 2021-05-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency filter, radio-frequency front-end circuit, and communication apparatus |
| WO2018139320A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 株式会社村田製作所 | 高周波フィルタ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
| US11031920B2 (en) | 2017-01-30 | 2021-06-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency filter, radio-frequency front-end circuit, and communication apparatus |
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