KR20020087430A - Ｓａｗ 디바이스 및 그 제조 방법 - Google Patents
Ｓａｗ 디바이스 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020087430A KR20020087430A KR1020027012762A KR20027012762A KR20020087430A KR 20020087430 A KR20020087430 A KR 20020087430A KR 1020027012762 A KR1020027012762 A KR 1020027012762A KR 20027012762 A KR20027012762 A KR 20027012762A KR 20020087430 A KR20020087430 A KR 20020087430A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- metal film
- saw device
- electrode
- idt electrode
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 154
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 85
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 27
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 45
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 14
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 151
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 151
- 239000010408 film Substances 0.000 description 133
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 33
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 18
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 15
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 13
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 13
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- -1 and langite Chemical compound 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02929—Means for compensation or elimination of undesirable effects of ageing changes of characteristics, e.g. electro-acousto-migration
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/162—Disposition
- H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
내습성이 우수한 탄성 표면파(SAW) 디바이스를 제공한다. 그 디바이스는 압전 기판과, 압전 기판의 제 1 면에 마련된 인터디지털 변환기(IDT) 전극과, IDT 전극을 덮는 수지 피복을 구비한다. 수지 피복의 수지 재료는 그 10배의 질량의 순수한 물의 용매중에 120℃, 2기압의 조건하에서 20 시간 방치된 후의 용매의 염소 이온 농도가 50ppm 이하이다.
Description
일본 특허 공개 평성 제 11-163661 호 공보에 종래의 탄성 표면파(SAW) 디바이스가 개시되어 있다. 도 10은 그 SAW 디바이스의 주요부 확대 단면도이다. 그 디바이스는 탄탈산 리튬 등의 단결정으로 이루어지는 압전 기판(1)과, 압전 기판(1)의 표면에 형성된 인터디지털 변환기(IDT) 전극(2)을 구비한다. IDT 전극(2)은 모두 티타늄 등을 함유하는 알루미늄 합금제의 상층(5)과 하층(3)과, 알루미늄 합금 결정 입자의 성장을 저지할 수 있고 또한 국부 전지 부식을 억제할 수 있는 Cu, Si, Ge 등으로 형성한 중간층(4)을 구비한다.
IDT 전극(2)의 최상층은 알루미늄 합금이기 때문에, 장기적으로 습도가 높은 분위기 중에 바래지면, 알루미늄이 부식되어 IDT 전극(2)이 열화된다.
발명의 개시
내습성이 우수한 탄성 표면파(SAW) 디바이스를 제공한다. 그 디바이스는 압전 기판과, 압전 기판의 제 1 면에 마련된 인터디지털 변환기(IDT) 전극과, IDT 전극을 덮는 수지 피복을 구비한다. 수지 피복의 수지 재료는 그 10배의 질량의 순수한 물(純水)의 용매 중에 120℃, 2 기압의 조건 하에서 20 시간 방치된 후의 용매의 염소 이온 농도가 50ppm 이하이다.
본 발명은 무선 통신 기기 등에 사용되는 탄성 표면파(SAW) 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예 1∼9에서의 SAW 디바이스의 단면도,
도 2는 실시예 1∼5에서의 SAW 디바이스의 주요부 확대 단면도,
도 3은 실시예 1∼8에서의 SAW 디바이스의 단면도,
도 4는 실시예 1∼8에서의 SAW 디바이스의 단면도,
도 5는 실시예 1∼8에서의 SAW 디바이스의 단면도,
도 6은 실시예 6에서의 SAW 디바이스의 단면도,
도 7은 실시예 7에서의 SAW 디바이스의 주요부 확대 단면도,
도 8은 실시예 8에서의 SAW 디바이스의 주요부 확대 단면도,
도 9는 실시예 8에서의 다른 SAW 디바이스의 단면도,
도 10은 종래의 SAW 디바이스의 주요부 확대 단면도이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
(실시예 1)
도 1은 실시예 1에서의 표면 탄성파(SAW) 디바이스의 단면도, 도 2는 도 1에 나타내는 SAW 디바이스의 주요부 확대 단면도, 도 3∼도 5는 도 1에 나타내는 SAW 디바이스의 제조공정을 설명하기 위한 단면도이다.
실시예 1에서의 SAW 디바이스는 SAW 소자(14)를 갖는다. SAW 소자(14)는 탄성 표면파를 전파하는 압전 기판(10)과, 그 표면에 마련된, 탄성 표면파를 여진하는 인터디지털 변환기(IDT) 전극(11)과, IDT 전극(11)의 양측에 배치된 반사기 전극(12)과, IDT 전극(11)과 전기적으로 접속된 패드 전극(13)을 갖는다. 압전 기판(10)으로는, 본 실시예에서는 탄탈산 리튬을 이용했지만, 그 외에도 니오브산 리튬, 수정, 니오브산 칼륨, 랑가사이트 등의 단결정 압전 재료나, 실리콘, 사파이어, 유리 등의 위에 산화아연, 질화알루미늄 등의 압전성을 갖는 박막 재료가 마련된 기판을 이용할 수 있다. 압전 기판(10)의 두께는 350㎛이다. IDT 전극(11)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1 금속막(111)과 그 위에 적층된 제 2 금속막(112)을 구비한다. 제 1 금속막(111)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금(예컨대, Al: 99wt%, Cu: 1wt%)으로 형성되고, 그 두께는 340㎚이다. 제 2 금속막(112)은, 본 실시예에서는 티타늄을 이용했지만, 이것에 한정되지 않고 Ti, Zr, Nb, Ta, W, V, Mn 중에서 적어도 한 종류로 형성되어도 되며, 그 두께는 10㎚이다. 반사기 전극(12), 패드 전극(13)은 IDT 전극(11)과 마찬가지의 2층 구조를 갖는다.
회로 기판(26)은 그 표면에 표층 전극(23)을, 이면에 단자 전극(25)을 갖는다. 회로 기판(26)에 형성된 관통 구멍에 마련된 비어 전극(24)은 표층 전극(23)과 단자 전극(25)을 접속하고 있다. 회로 기판(26)은 유리 에폭시 기판, 테프론계 기판, 폴리이미드계 기판, 필름 형상 기판 또는 알루미나 등의 세라믹 기판으로 형성된다.
SAW 소자(14)는 패드 전극(13)과 표층 전극(23)이 돌기 전극(20)을 거쳐서 접속되고 회로 기판(26)의 표면에 고정되어 있다. 돌기 전극(20)은 금, 주석, 납, 구리, 은, 니켈 또는 그들의 적어도 하나를 주성분으로 하는 합금 등, 도전성 재료로 형성된다.
IDT 전극(11)의 진동 공간(22)으로 되는 부분을 제외하고, SAW 소자(14)의 외주부 및 압전 기판(10)과 회로 기판(26) 사이가 수지 피복(21)으로 피복된다. 단, 소망하는 특성이 얻어지는 범위내에서는 IDT 전극(11)의 일부에 수지 피복(21)의 수지 재료가 접속되어 있더라도 무방하다.
수지 피복(21)은 절연성을 갖고, 압전 기판(10)과의 접합면에서 박리되지 않고 진동 공간(22)을 형성할 수 있는 에폭시계 수지, 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 아크릴계 수지 또는 그들의 혼성 수지로 형성된다. 열팽창 계수를 제어하기 위해서 이산화 규소, 산화 마그네슘, 산화 알루미늄 등의 충전재가 수지에 혼합되더라도 무방하다. 실시예 1에서는 에폭시계 수지가 수지 피복(21)으로 된다.
다음에, 실시예 1의 SAW 디바이스의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 큰 판 형상의 압전 기판 웨이퍼(10A)의 거의 표면 전체에 스퍼터링법에 의해 제 1 금속막(111)이 형성되고, 이 위에 마찬가지로 해서 제 2 금속막(112)이 형성된다.
다음에 포토리소그래피 기술에 의해 제 2 금속막(112)상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다. 다음으로 Reactive Ion Etching(RIE)법에 의해 제 2 금속막(112), 제 1 금속막(111)이 이 순서대로 에칭되고, 레지스트 패턴이 산소 플라즈마 등에 의해 애싱 제거되어, 도 2에 나타내는 IDT 전극(11), 반사기 전극(12), 패드 전극(13)이 얻어진다. 실시예 1에서는 제 1 금속막(111)과 제 2 금속막(112)이 스퍼터법에 의해 형성되지만, 스퍼터법 대신에 전자빔 증착법 또는 진공 가열 증착법에 의해 형성되더라도 된다. RIE법 대신에 리프트오프법을 이용하더라도 마찬가지의 전극(11, 12)이 얻어진다. RIE법에 의해 제 2 금속막(112), 제 1 금속막(111)의 순으로 에칭을 실행할 때에는, 일반적으로 사이드 에칭이라 불리는, 측벽에 수직인 방향으로의 에칭이 진행된다. 그 영향으로 IDT 전극(11)의 측벽이 압전 기판(10)에 대하여 수직으로 되지 않고, 포워드 테이퍼 또는 리버스 테이퍼가 조금이거나 또는 제 1 금속막(111)과 제 2 금속막(112)과의 계면을 경계에 볼록 형상 또는 그 반대 형상이 되는 일이 있다. 어떠한 경우라도 본 발명의 효과에는 큰 영향을 주지 않는다.
다음에, 패드 전극(13)상에 돌기 전극(20)이 형성된다. 그 후, 압전 기판 웨이퍼(10)가 분할되어, 도 3에 나타내는 SAW 소자(14)가 얻어진다. 그리고, 도 4에 나타내는 바와 같이, 돌기 전극(20)을 회로 기판(26)의 표층 전극(23)에 접합함으로써, 회로 기판(26)에 SAW 소자(14)가 초음파를 인가하면서 실장된다. 초음파에 의해 접합하기 위해서, 표층 전극(23)의 표면 및 돌기 전극(20)은 금으로 형성된다.
다음에, 시트 형상의 수지(21)가 SAW 소자(14) 위로부터 회로 기판 웨이퍼(10A)에 접합되어, 도 5에 나타내는 바와 같이, 인접하는 압전 기판(10)과의 극간에 진입하도록 가압 및 가열 처리되면서 경화된다. 이때, IDT 전극(11)에 수지 피복(21)의 수지가 가능한 한 접촉되지 않도록 처리된다. 수지 피복(21)의 형성 방법은 이것에 한정되는 것은 아니며, 디스펜서 등을 이용하여 수지를 도포, 경화하여도 된다. 이 경우에도 마찬가지로 수지 피복(21)은 점도가 높은 수지를 사용하고, IDT 전극(11)에 수지가 가능한 한 접촉되지 않도록 처리된다.
그후, 회로 기판 웨이퍼(10A)가 소망하는 형상으로 절단되어, 도 5에 나타내는 SAW 디바이스가 얻어진다.
수지 피복(21)은 IDT 전극(11)을 구성하는 알루미늄에 대하여 부식성이 있는 염소 이온이나 유기산을 통상 함유하고 있다. 따라서, 고온 다습하에 장시간 SAW 디바이스를 방치하면, 외부로부터 수지 피복(21)의 내부를 침투하여 IDT 전극(11)의 주변에 수분이 발생한다. 이때 수지 피복(21)중의 염소 이온이 이 수분에 용해되므로, IDT 전극(11)의 주변의 수분은 산성으로 된다. 그 때문에, IDT 전극(11)을 구성하는 제 1 금속막(111)과 제 2 금속막(112)의 조합에 따라서는 그들의 전지 효과에 의해 이종(異種) 금속 접촉 부식이 발생된다. 그 결과, 제 1 금속막(121)의 측벽부, 즉 제 2 금속막(121)으로 덮어져 있지 않은 부분이 부식된다. IDT 전극(11)이 부식되면, SAW 디바이스의 특성이 열화된다.
이 수분은 결로(結露) 등에 의해서 액체로서 존재하거나 수증기로서 존재하는 경우가 있어, 모두 IDT 전극(11)을 부식시킨다. 특히 포화 증기압의 상태에서는, 수분은 액체로서 존재하는 경우가 많아 IDT 전극(11)의 부식을 촉진시킨다. 따라서, 수지 피복(21)은 상술한 종류의 수지이면 되는 것은 아니고, IDT 전극(11)의 부식의 원인으로 되는 염소 이온 함유량이 적은 수지로 형성되지 않으면 안된다.
SAW 디바이스에 대하여 2.03×105㎩, 습도 100%, 온도 120℃의 조건에서의 방치 시험인 Pressure Cooker Test(PCT)를 행했다. SAW 디바이스에 적용할 수 있는 5 종류의 수지를 그 10배의 질량의 순수한 물에 넣고, 상기 조건하에서 20 시간 방치하였다. 이 액을 이온 크로마토그래피에 의해 분석한 염소 이온 농도를 표 1에 나타낸다.
그리고, 이들 수지를 이용하여 상기 방법으로 제작한 SAW 디바이스에 대하여 2.03×105㎩, 습도 100%, 온도 120℃의 조건하에서 40 시간 방치하고, 삽입 손실의 변화를 평가하였다. 또, 그 SAW 디바이스로서 중심 주파수가 942.5 ㎒의 SAW 필터를 수지 재료마다의 각각에 100개 작성한, 40 시간 후의 삽입 손실이 0.3㏈보다도 크게 변화된 필터를 불량품으로 평가하였다.
그 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
표 2에 나타내는 바와 같이, 염소 이온 농도가 50ppm 이하인 수지 재료 A, B에 대해서는 전수(全數) 양품이었다. 그러나, 염소 이온 농도가 62ppm 이상인 수지 재료 C, D, E에 대해서는 불량품이 발생하였다. 따라서, SAW 소자(14)를 피복하는 수지 피복(21)이 상기 PCT에서 염소 이온 농도가 50ppm 이하인 수지로 형성됨으로써, IDT 전극(11)의 부식을 방지할 수 있다.
또, 상기 SAW 디바이스에 대하여 온도 85℃, 습도 85%의 고온 다습 시험을 1000 시간 행하였는데, 이 경우에는 염소 이온 농도가 62ppm 이하인 수지 재료 A, B, C에 대해서는 전수 양품이었다.
IDT 전극(11)은 2층 구조를 갖는다. 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 1층 구조의 IDT 전극을 구비하는 SAW 디바이스에서도 마찬가지로, 상기 PCT에서 염소 이온 농도가 50ppm 이하인 수지를 이용하는 것에 의해 내습성이 우수한 SAW 디바이스를 얻을 수 있다. 그러나, IDT 전극(11)이 2층 구조를 가짐으로써, 내습성이 더 우수한 SAW 디바이스를 얻을 수 있다.
(실시예 2)
실시예 2에서의 탄성 표면파(SAW) 디바이스의 구조는 실시예 1의 SAW 디바이스와 동일하며, 마찬가지의 제조 방법에 의해 제작된다. 단, 수지(21)는 Pressure Cooker Test(PCT)에서의 염소 이온 농도가 50ppm 이하에서, PCT에서의 브롬 이온 농도가 다른 복수 종류의 수지를 평가하였다.
수지(21)에 대하여 실시예 1과 마찬가지로, 수지를 그 10배의 질량의 순수한 물와 함께, 120℃, 2.03 ×105㎩의 조건하에서 20 시간 방치하였다. 이 액을 이온 크로마토그래피에 의해 분석한 염소 이온 농도, 브롬 이온 농도를 표 3에 나타낸다.
이들 수지를 이용하여 상기 방법으로 제작한 각각 100개의 SAW 디바이스에 대해, 2.03 ×105㎩, 습도 100%, 온도 120℃의 조건하에서 40 시간 방치하여 삽입 손실의 변화를 평가하였다. 또, SAW 디바이스는, 중심 주파수가 942.5 ㎒의 필터이고, 40 시간 후의 삽입 손실이 0.3㏈보다도 크게 변화된 것을 불량품으로 하였다.
그 결과를 표 4에 나타낸다.
표 4에 나타내는 바와 같이, 브롬 이온 농도가 150ppm 이하인 수지 재료 A, I, J에 대해서는 전수 양품으로 되었다. 그러나, 브롬 이온 농도가 180ppm 이상인 수지 재료 F, G, H에 대해서는 불량품이 발생하였다. 따라서, SAW 소자(14)를 피복하는 수지 피복(21)은 Pressure Cooker Test(PCT)에서 염소 이온 농도가 50ppm 이하일 뿐만 아니라, 브롬 이온 농도가 150ppm 이하인 수지로 형성됨으로써, 인터디지털 변환기(IDT) 전극(11)의 부식을 더욱 방지할 수 있다.
또, 상기 SAW 디바이스에서 온도 85℃, 습도 85%의 고온 다습 시험을 1000 시간 행하였는데, 이 경우에도 브롬 이온 농도가 150ppm 이하인 수지 재료 A, B, C에 대해서는 전수 양품으로 되었다.
(실시예 3)
이하, 본 실시예 3에서의 탄성 표면파(SAW) 디바이스의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 실시예에서의 SAW 디바이스는 인터디지털 변환기(IDT) 전극(11)의 제 2 금속막(112)이 티타늄이 아니라 탄탈로 형성되고, 그 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 구조이고, 마찬가지의 제조 방법으로 제작된다.
SAW 디바이스 100개에 대하여 실시예 1에서 설명한 Pressure Cooker Test(PCT)를 행하였다. 그 결과를 표 5에 나타낸다.
표 5에 나타내는 바와 같이, 본 실시예의 SAW 디바이스는 염소 이온 농도가 60ppm 이하인 수지 재료 A, B, C, D에 대해서는 전수 양품이었다.
실시예 2에서 설명한 수지 재료 A, F∼J를 사용한 SAW 디바이스에 대하여 마찬가지로 브롬 이온 농도의 영향을 확인하였다. 그 결과를 표 6에 나타낸다.
표 6에 나타내는 바와 같이, 브롬 이온 농도가 150ppm 이하인 수지 재료를 이용한 디바이스는 전수 양품이었다. 수지 재료 F에서는 실시예 4와 불량품의 수는 거의 동수(同數)이지만, 수지 재료 G, 수지 재료 H에 대해서는 실시예 2보다도 적어졌다.
이와 같이, 실시예 3의 SAW 디바이스는, 실시예 1, 2의 SAW 디바이스와 비교하면, 내습성이 향상되어 있다.
통상 티타늄의 표준 전극 전위는 탄탈보다도 알루미늄에 가깝고, 탄탈과 알루미늄간의 표준 전극 전위의 차보다도 티타늄과 알루미늄간의 차쪽이 작다. 즉, 이종 금속 접촉 부식은 탄탈을 이용한 제 2 금속막(112)쪽이 티타늄보다 발생되기 쉽고, 내습성도 탄탈과 알루미늄의 조합쪽이 나쁘다고 생각되었다.
그러나, 실시예에서는 반대의 결과로 되었다. 이 점을 명확히 하기 위해서, SAW 디바이스가 놓여지는 환경을 상정하여, 제 1 금속막(111)과 제 2 금속막(112) 사이에 발생하는 전극 전위차를 전기 화학적 측정법에 의해 측정하였다. 참조 전극으로서 은/염화 은 전극을 이용하고, 시료 전극으로서 제 1 금속막(111)을 구성하는 금속을 쌍극으로서 백금 전극을 이용하여, 후술하는 전해액중에 침적해서 부식 전류가 거의 정상으로 되는 상태의 전극 전위인 자연 전위를 계측하였다. 다음에 제 2 금속막(112)을 구성하는 금속에 대해서도, 마찬가지로 자연 전위를 계측하였다. 여기서 양자의 자연 전위의 차가 이 시험 환경하에서의 양 금속의 전극 전위차이고, 이 값이 작을수록 이종 금속 접촉 부식을 경감시킬 수 있다.
상기의 전해액으로서는, SAW 디바이스를 구성하는 수지(21)의 평가 결과로부터, 전장질로서 NaCl을 순수한 물에 30∼300ppm 혼입한 전해액을 이용하였다. 여기서 NaCl의 첨가량에 폭을 갖게 한 것은, 실제로의 PCT 등의 환경 시험 중에서의 IDT 전극(11)에 접하는 염소 이온 농도가 명확하게 모르기 때문이다.
또한, 쌍극으로서 백금을 이용하여, 시료 전극에 Al-Cu 합금 및 티타늄을 이용하여 마찬가지의 실험을 하였다. 이때의 양 전극 사이의 전위차는 0.35∼0.45V이었다.
또한, 이 조합에서는 티타늄이 캐소드, Al-Cu 합금이 애노드로 되어 있다. 즉, 애노드의 Al-Cu 합금이 전자를 잃어 부식된다.
마찬가지로, 쌍극으로서 백금을 이용하여, 시료 전극에 Al-Cu 합금 및 탄탈을 이용한 경우의 양 전극 사이의 전위차는 0.25∼0.35V이었다. 이 경우, 캐소드는 탄탈, 애노드는 Al-Cu 합금이며, 마찬가지로 애노드의 Al-Cu 합금이 전자를 잃어 부식된다.
다음에, 표준 전극 전위가 알려져 있는 알루미늄과 Al-Cu 합금과의 전극 전위차를 조사하기 위해 마찬가지의 실험을 행하였다. 그 결과, Al-Cu 합금은 알루미늄보다도 0.1∼0.2V 정도 플러스측(이하, 플러스측을 귀측(貴側), 마이너스측을 비측(卑側)이라고 함)으로 시프트하고 있는 것을 알 수 있었다.
이상의 결과로부터, SAW 필터가 부식되기 쉬운 환경하에 놓여진 경우, 알루미늄, Al-Cu 합금, 탄탈, 티타늄의 순서대로 SAW 필터가 놓여지는 환경하에서의 전극 전위는 귀(貴)인 것을 알았다.
즉, 실시예 3의 SAW 필터에서는, 알루미늄과 티타늄의 전극 전위의 차는 문헌 등에서 알려지는 값보다도 0.45∼0.65V 커진다.
따라서, 제 1 금속막(111)으로서는 알루미늄보다도 Al-Cu 합금을 이용하고, 제 2 금속막(112)으로서는 티타늄보다도 탄탈을 이용한 편이 제 1 금속막(111)과 제 2 금속막(112)간의 전극 전위차를 작게 할 수 있어, IDT 전극(11)의 부식을 억제할 수 있다. 즉, 실시예 1, 2의 SAW 디바이스보다 실시예 3의 SAW 디바이스가 내습성이 우수하다. 또한, 제 2 금속막(112)은 그 외에도 Zr, Nb, W, V, Mn으로 형성되더라도 되지만, 제 1 금속막(111)의 금속과의 SAW 디바이스가 놓여지는 환경하에서의 전극 전위차가 작은 금속일수록 부식을 억제할 수 있어, 내습성이 우수한 SAW 디바이스를 실현한다.
(실시예 4)
실시예 4에서의 탄성 표면파(SAW) 디바이스는, 실시예 1의 SAW 디바이스에 있어서, 인터디지털 변환기(IDT) 전극(11)의 제 2 금속막(112)으로서, Zr, Nb, Cr, W, V, Mn, Pt, Au, Pd 중의 하나를 이용한다. 또한, 수지 피복(21)의 수지 재료로서, 실시예 1에서의 수지 재료 B 또는 실시예 2에서의 수지 재료 I를 이용하였다. 제조 방법은 실시예 1과 마찬가지이다. 실시예 4에서, 제 2 금속막(112)은 그 자신이 내습성이 높고 또한 제 1 금속막(111)을 구성하는 알루미늄 또는 알루미늄 합금에 대하여 캐소드로 되는 금속으로 형성된다.
실시예 4의 SAW 디바이스 100개에 대하여, 실시예 1에서의 Pressure Cooker Test(PCT), 고온 다습 시험을 행하였다. 수지 재료에 관계없이 전수 양품으로 된 것은, 제 2 금속막(112)을 Zr, Nb, W, V, Cr, Mn으로 구성한 SAW 디바이스였다. Pt, Au, Pd로 제 2 금속막(112)이 형성된 디바이스에서는 제 2 금속막(112)과 제 1 금속막(111)간의 전극 전위차가 크기 때문에, 제 1 금속막(111)의 측부가 부식되어, SAW 디바이스의 특성이 열화되었다.
이상 설명한 바와 같이, 수지(21)의 염소 이온 농도가 50ppm 이하, 브롬 이온 농도가 150ppm 이하의 SAW 디바이스에서는, 제 2 금속막(112)을 Ti, Zr, Nb, Ta, W, V, Cr, Mn 중 어느 하나로 구성함으로써, 더욱 내습성이 향상된 장치가 얻어진다.
(실시예 5)
실시예 5의 탄성 표면파(SAW) 디바이스는, 실시예 1의 디바이스와 마찬가지의 구조이지만, 인터디지털 변환기(IDT) 전극(11)을 구성하는 제 2 금속막(112)의 조성이 다르다. 즉, 제 2 금속막(112)은 티타늄이 30wt% 포함되어 있는 알루미늄 합금으로 형성된다.
이 SAW 디바이스는, 제 1 금속막(111)과 제 2 금속막(112)을 구성하는 금속의 전극 전위차가 실시예 1과 비교하면 0.15∼0.25V 작게 할 수 있다. 이에 따라, 이종 금속 접촉 부식이 경감되고, 또한 내습성이 우수한 SAW 디바이스를 얻을 수 있다. 여기서, 금속간의 전극 전위차는 실시예 3에서 설명한 방법에 의해 측정하고 있다.
제 2 금속막(112)의 질량은, 실시예 1, 3의 제 2 금속막(112)과 비교하면, 각각 72% 정도, 19.5% 정도로 작다. 그 결과, 실시예 1, 3과 동일한 질량의 IDT 전극(11)을 형성하는 경우, 제 1 금속막(111)을 두껍게 할 수 있어, IDT 전극(11)의 저항을 작게 할 수 있다. 따라서, SAW 디바이스의 삽입 손실을 작게 할 수 있다.
또한, IDT 전극(11)을 두껍게 할 수 있음으로써, SAW 디바이스의 양품율을 향상시킬 수 있다. 이것은 IDT 전극(11)의 질량에 의해 SAW 디바이스의 특성이 변화되는 것에 기인한다. 예컨대, IDT 전극(11)을 형성하는 금속의 비중이 작을수록 IDT 전극(11)을 두껍게 할 수 있어, 스퍼터링 등에 의한 성막 정밀도의 오차를 완화시킬 수 있으므로 양품율이 향상된다.
실시예 5에서는 제 2 금속막(112)에 티타늄이 질량비로 30% 포함되는 Al-Ti 합금을 이용하였다. 그러나, 이것에 한정되는 것이 아니며, 티타늄의 질량비가 다른 금속이나, Zr, Nb, Ta, W, V, Cr, Mn을 적어도 한 종류 포함하는 알루미늄 합금을 제 2 금속막(112)에 이용하는 것에 의해, 상술한 바와 같은 효과가 얻어진다.
(실시예 6)
도 6은 본 실시예 6에서의 탄성 표면파(SAW) 디바이스의 주요부 확대 단면도이다. 실시예 6에서의 SAW 디바이스는 실시예 1에서의 디바이스와 인터디지털 변환기(IDT) 전극(11)의 구성이 다른 것 이외에는 마찬가지의 구성이다.
실시예 6에서의 IDT 전극(11)은, 도 6에 나타내는 바와 같이, 제 1 금속막(111)과 제 2 금속막(112)의 계면에 제 1 금속막(111)을 구성하는 금속과 제 2 금속막(112)을 구성하는 금속의 합금층(114)을 갖고 있다.
제 1 금속막(111)은, 예컨대 알루미늄, 구리가 각각 99wt%, 1wt%의 합금 등, 알루미늄을 주성분으로 하는 두께 340㎚의 합금층이다. 제 2 금속막(112)은 두께 10㎚로 티타늄으로 이루어진다. 합금층(114)은 제 1 금속막(111)의 주성분 알루미늄과 제 2 금속막(112)의 티타늄으로 이루어지는 합금으로 형성된다.
다음에 실시예 6의 SAW 디바이스의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 스퍼터링법에 의해 압전 기판(10)상에 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 제 1 금속막(111)과 티타늄으로 이루어지는 제 2 금속막(112)이 이 순서대로 점차적으로 형성된다.
다음에, 포토리소그래피 기술을 이용하여 제 2 금속막(112)상에 소정의 레지스트 패턴을 형성한다.
다음으로, Reactive Ion Etching(RIE)법에 의해 제 2 금속막(112), 제 1 금속막(111)이 이 순서대로 에칭되고, 레지스트 패턴이 산소 플라즈마 등에 의해 애싱 제거되어, 도 6에 나타내는 IDT 전극(11), 반사기 전극(12), 패드 전극(13)이 얻어진다.
그리고, IDT 전극(11)이 형성된 압전 기판(10)이 가열되어, 제 1 금속막(111)의 주성분 알루미늄과 제 2 금속막(112)의 주성분 티타늄이 서로 열확산되어, 제 1 금속막(111)과 제 2 금속막(112)의 계면에 알루미늄과 티타늄을 포함하는 합금층(114)이 형성된다.
상기 가열은 통상 150℃∼500℃의 온도 범위에서 실행한다. 바람직하게는 150℃∼350℃의 온도 범위에서 실행한다. 가열 온도가 150℃ 미만이면, 효과적으로 알루미늄과 티타늄이 열확산되지 않는다. 500℃의 가열 온도는 알루미늄의 융점 660℃에 가깝기 때문에, 안정한 특성의 IDT 전극(11)이 얻어지지 않는다.
또한, 상기 가열은, 바람직하게는 150℃∼350℃의 범위에서 실행한다. 초전기 파괴에 의한 SAW 디바이스의 특성 열화를 방지하기 위해서는 열 처리 온도는 350℃ 이하로 한 쪽이 보다 바람직하다. 단, IDT 전극(11)의 패턴에 따라서는, 그 이상 가열해도 초전기 파괴를 방생하지 않는 경우도 있다.
이후의 공정은 실시예 1과 마찬가지이다.
실시예 6의 SAW 디바이스와, 실시예 1의 SAW 디바이스와, 구리를 1wt% 첨가한 알루미늄 합금 1층의 IDT 전극(11)을 갖는 SAW 디바이스(비교예)에 대하여 실시예 1에서 실행한 Pressure Cooker Test(PCT)를 실행하여 삽입 손실의 변화를 평가하였다.
이들 SAW 디바이스는 실시예 1과 마찬가지로, 중심 주파수가 942.5 ㎒인 필터로, 40 시간 후의 삽입 손실의 열화가 0.3㏈를 초과한 것을 불량품이라고 평가한다. 각각 100개를 평가하였다.
상기의 결과, 비교예의 SAW 디바이스는 전수 불량이지만, 실시예 6의 SAW 디바이스와 실시예 1의 SAW 디바이스는 전수 양품이었다. 실시예 6의 SAW 디바이스쪽이 실시예 1의 SAW 디바이스보다도 삽입 손실의 변화가 작고, 내습성이 우수하다는 것을 알았다.
평가 후의 IDT 전극(11)을 주사형 전자현미경에 의해 관찰하여, 실시예 1의 SAW 디바이스보다도 실시예 6의 SAW 디바이스쪽이 알루미늄을 주성분으로 하는 제 1 금속막(111)의 측면의 부식이 적다는 것이 확인되었다.
이 이유를 이하에 설명한다.
실시예 1에서 설명한 완전하게 분리된 2층 구조를 갖는 IDT 전극(11)에서는제 1 금속막(111)과 제 2 금속막(112)의 계면에서 불연속인 전극 전위차가 발생한다. 그 때문에 IDT 전극(11)의 주변에 산성의 수분이 존재하면, 계면 근방의 제 1 금속막(121)이 이종 금속 접촉 부식의 영향을 현저하게 받아서 심하게 부식된다. 그런데, 실시예 6의 SAW 디바이스에서는, 제 1 금속막(121)과 제 2 금속막(122)의 계면에서 각각의 주성분 금속이 서로 열확산하여 형성된 합금층이 불연속인 전극 전위차가 발생하는 것을 방지하고 있어, 이종 금속 접촉 부식을 경감할 수 있다.
실시예 6에서는 제 2 금속막(112)을 티타늄으로 형성했지만, 티타늄에 한정되지 않고, 대신에 Zr, Nb, Ta, W, V, Mn을 이용한 경우라도 마찬가지의 효과가 얻어지는 것을 알았다.
실시예 6에서는 가열 처리를 IDT 전극(11)의 형성 후에 행하였지만, 제 2 금속막(112)의 형성 후에 행하더라도 마찬가지의 효과가 얻어진다. 따라서, 예컨대 수지 피복(21)의 가열 경화 처리 공정과 겸하여 전극의 가열 처리를 실시하더라도 된다. 단 이 경우에도 가열 온도는 150℃∼500℃의 온도 범위이면, 초전기 파괴에 의한 SAW 디바이스의 특성 열화가 억제된다. 그러나, 초전기 파괴를 억제하기 위해서는, 압전 기판(10)상의 전극 전위차가 작아지는 IDT 전극(11)의 형성 전에 열 처리를 실행하여 합금층(114)을 형성하는 것이 바람직하다.
(실시예 7)
실시예 7의 탄성 표면파(SAW) 디바이스를 도 1, 도 3∼도 5, 도 7을 이용하여 설명한다. 실시예 1과 동일한 구성 요소에 대해서는 동일 번호를 부여하고 설명을 생략한다.
실시예 7의 디바이스와 실시예 1의 그것과 다른 점은 인터디지털 변환기(IDT) 전극(11)의 구조이며, 그 이외에는 마찬가지이다. 실시예 7에서의 IDT 전극(11)은 3층 구조를 갖는다. 즉, 압전 기판(10)에 접하는 제 3 금속막(113)은 Ti, Zr, Nb, Ta, W, V, Mn 중의 적어도 하나로 형성되고, 그 두께는 10㎚이다. 이 위에 형성되는 제 1 금속막(111)은 알루미늄, 또는 예컨대 알루미늄, 구리가 각각 99wt%, 1wt%의 알루미늄 합금으로 형성되고, 그 두께는 340㎚이다. 제 1 금속막(111) 위에 형성되는 제 2 금속막(112)은 Ti, Zr, Nb, Ta, W, V, Mn 중의 적어도 하나로 형성되고, 그 두께는 10㎚이다.
다음에 실시예 7의 SAW 디바이스의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 압전 기판(10)의 거의 표면 전체에 스퍼터링법에 의해 제 3 금속막(113), 제 1 금속막(111), 제 2 금속막(112)을 점차적으로 형성한다. 다음에 포토리소그래피 기술에 의해 제 2 금속막(112)상에 소정의 레지스트 패턴을 형성한다. 다음에 Reactive Ion Etching(RIE)법에 의해 제 2 금속막(112), 제 1 금속막(111), 제 3 금속막(113)의 순으로 에칭하여, 레지스트 패턴이 산소 플라즈마 등에 의해 애싱 제거되어, 도 7에 나타내는 IDT 전극(11), 반사기 전극(12), 패드 전극(13)이 얻어진다. 이후의 공정은 실시예 1과 마찬가지이다.
본 실시예의 SAW 디바이스, 실시예 1의 SAW 디바이스와, 구리를 1wt% 첨가한 알루미늄 합금 1층으로 IDT 전극을 구성한 SAW 디바이스(이하, 비교예라 함)에 대하여 실시예 1에서 실시한 Pressure Cooker Test(PCT)를 행하였다. 또, 각 SAW 디바이스는 실시예 1과 마찬가지로 중심 주파수가 942.5 ㎒인 SAW 필터이다. 또한, 40 시간후의 삽입 손실의 열화가 0.3㏈를 초과한 경우를 불량품이라고 판정하고, 각각 100개의 디바이스를 평가하였다.
평가 결과, 비교예의 SAW 디바이스에서는 전수 불량으로 되었지만, 실시예 7 및 실시예 1의 SAW 디바이스는 전수 양품으로 되었다. 또, 본 실시예 1의 SAW 디바이스보다 실시예 7의 SAW 디바이스쪽이 삽입 손실의 변화가 더 작고, 내습성이 우수하다는 것을 알았다. 또한, 온도 85℃, 습도 85%의 고온 다습 시험을 1000 시간 행하였지만, 마찬가지의 결과로 되어, 실시예 7의 SAW 디바이스는 대단히 내습성이 우수하다는 것을 알았다.
평가 후의 IDT 전극(11)을 주사형 전자현미경으로 관찰한 바, 실시예 7의 IDT 전극보다 실시예 1의 IDT 전극쪽이 제 1 금속막(111)의 측면부에서 주성분인 알루미늄의 부식이 앞서가고 있었다.
이 이유는 다음과 같다.
제 1 금속막(111)의 하층에, 예컨대 티타늄 등의 고융점의 제 3 금속막(113)을 마련함으로써, 제 1 금속막(111)의 결정 배향성이 향상된다. 실시예 7에서의 SAW 디바이스의 제 1 금속막(111)과, 실시예 1의 제 1 금속막(111)의 결정 배향성을 X선 회절법에 의해 평가한 결과, 실시예의 SAW 디바이스의 제 1 금속막(111)은 (111)면에 배향되어 있었던데 반하여, 실시예 1의 제 1 금속막(111)의 배향성은 랜덤한 결정 배향을 가진 다결정체인 것을 알았다.
즉, 실시예 1에 나타내는 SAW 디바이스의 제 1 금속막(111)이 다결정체로 구성되기 때문에, 구리 등의 첨가 성분은 알루미늄의 결정 입계(粒界)로 석출되며, 입계부에서 주성분인 알루미늄과 석출한 구리가 국부적으로 갈바닉 전지를 구성하고, 외부에 바래진 IDT 전극(11)은 전지 효과에 의해 구리보다도 전기적으로 비(卑)인 알루미늄이 부식된다.
한편, 실시예 7에서의 SAW 디바이스는 제 1 금속막(111)의 하층에 제 3 금속막(113)을 갖기 때문에, 제 1 금속막(111)의 결정 배향성이 향상된다. 이것에 의해 국부적인 전지 효과에 기인한 결정 입계부의 부식을 저감할 수 있어, 보다 내습성이 우수한 SAW 디바이스로 된다.
실시예 7에서 제 3 금속막(113)은 1층으로 했지만, 이것에 한정되는 것이 아니며, 예컨대 압전 기판(10)에 가까운 쪽에서부터 순서대로 제 3 금속막(113)(또는 제 2 금속막(112)), 제 1 금속막(111), 제 3 금속막(113), 제 1 금속막(111)과 같이 복수의 층으로 제 3 금속막(113)을 형성하더라도 되며, 마찬가지의 효과가 얻어진다.
(실시예 8)
도 8은 실시예 8에서의 탄성 표면파(SAW) 디바이스의 주요부 확대 단면도이며, 도 7과 동일한 구성 요소에 대해서는 동일 번호를 부여하고 설명을 생략한다.
실시예 8의 SAW 디바이스의 압전 기판(10) 위에 마련된 인터디지털 변환기(IDT) 전극(11)은 제 3 금속막(113)과 제 1 금속막(111) 사이에 각각의 주성분으로 이루어지는 합금층(115)을 갖고, 또한 제 1 금속막(111)과 제 2금속막(112) 사이에 각각의 주성분으로 이루어지는 합금층(114)을 갖는 점에서 실시예 7의 SAW 디바이스와 다르다.
제 1 금속막(111)은 알루미늄을 주성분으로 하는 두께 320㎚의 합금층으로, 예컨대 알루미늄, 구리를 각각 99wt%, 1wt% 함유한다. 제 2 금속막(112) 및 제 3 금속막(113)은 두께 10㎚의 티타늄으로 이루어진다. 따라서, 합금층(114, 115)은 알루미늄과 티타늄과의 합금으로 형성되어 있다.
다음에, 실시예 8의 SAW 디바이스의 제조 방법을 설명한다.
먼저 스퍼터링법에 의해 압전 기판(10)상에 티타늄으로 이루어지는 제 3 금속막(113), 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 제 1 금속막(111), 티타늄으로 이루어지는 제 2 금속막(112)이 이 순서대로 점차적으로 형성된다.
다음에 포토리소그래피 기술에 의해 제 2 금속막(112)상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다. 다음에 Reactive Ion Etching(RIE)법에 의해 제 2 금속막(112), 제 1 금속막(111), 제 3 금속막(113)이 이 순서로 에칭되고, 레지스트 패턴이 산소 플라즈마 등에 의해 애싱 제거된다. 그리고, 도 8에 나타내는 IDT 전극(11), 반사기 전극(12), 패드 전극(13)이 형성된다.
다음으로 IDT 전극(11)이 형성된 압전 기판(10)을 가열하여, 제 1 금속막(111)과 제 2 금속막(112) 사이 및 제 1 금속막(111)과 제 3 금속막(113)사이에서, 알루미늄과 티타늄이 서로 열확산되어 알루미늄과 티타늄과의 합금층(114, 115)이 각각 형성된다. 이때의 가열 온도는 통상 150℃∼500℃의 범위이며, 바람직하게는 150℃∼350℃의 범위이다. 이후의 공정에 대해서는 실시예 7과 마찬가지이다.
이 SAW 디바이스와 실시예 6, 7의 SAW 디바이스와, 구리를 1wt% 첨가한 알루미늄 합금 1층의 IDT 전극을 갖는 SAW 디바이스(비교예)에 대하여 실시예 1에서의 Pressure Cooker Test(PCT)를 행하였다. 구체적으로는, 디바이스를 2.03×105㎩, 습도 100%의 상태에 40 시간 방치하여 삽입 손실의 변화를 평가하였다. SAW 디바이스는 실시예 1과 마찬가지로 중심 주파수가 942.5㎒인 필터이며, 40 시간 후의 삽입 손실의 열화가 0.3㏈을 초과한 경우를 불량품으로 판정하고, 각각 100개를 평가하였다. 평가 결과, 비교예의 SAW 디바이스는 전수 불량으로 되었지만, 실시예 8의 SAW 디바이스와 실시예 6, 7의 SAW 디바이스는 전수 양품으로 되었다. 또한, 실시예 8의 SAW 디바이스쪽이 실시예 6, 7의 SAW 디바이스보다도 삽입 손실의 변화가 작고 내습성이 우수하다는 것을 알았다.
평가 후의 IDT 전극(11)을 주사형 전자현미경으로 관찰한 바, 실시예 3, 6, 7의 SAW 디바이스의 IDT 전극에서는 알루미늄을 주성분으로 하는 제 1 금속막(111)의 측면부에서 주성분인 알루미늄의 부식이 확인되었다. 한편, 본 실시예 8의 SAW 디바이스에서는 부식은 확인되지 않고, 내습성이 더 우수하다는 것을 알았다.
또, 상기 각 실시예에서는, SAW 소자(14)는 그 외주를 덮도록 수지 피복(21)을 갖고, IDT 전극(11)의 진동 공간을 확보하면서 밀봉된다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 외주부에 더 부가하여 IDT 전극(11)의 위쪽 공간을 덮도록 압전 기판(10)의 표면에 수지 뚜껑체(27)가 마련되더라도 마찬가지의 효과가 얻어진다. 즉, SAW소자(14)를 밀폐하기 위한 공간을 수지로 형성하는 경우 또는 밀폐 공간내에 수지가 존재하는 경우에는, PCT에서 염소 이온 농도가 50ppm 이하인 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 수지에 충전재를 혼합함으로써, SAW 디바이스의 외주부로부터 수지 피복(21)을 경유하여 IDT 전극(11)의 진동 공간에 침입하는 수분의 수지 피복(21) 내부에서의 이동 거리가 길어진다. 따라서, 수지 피복(21)의 흡수율이 저하된다. 그 결과, 충전재를 함유하지 않은 수지로 한 수지를 비교하면, 함유하는 염소 이온이나 브롬 이온의 농도가 동일하였다고 해도, 충전재를 함유한 수지쪽이 IDT 전극(11)의 주변에 도달하는 수분량이 적기 때문에, 장치의 내습성을 향상시킬 수 있다.
인터디지털 변환기 전극을 피복하는 수지 피복이 본 발명에서의 수지 재료로 형성되면, 내습성이 우수한 SAW 디바이스가 얻어진다.
참조 번호의 일람
11 : IDT 전극
12 : 반사기 전극
13 : 패드 전극
14 : SAW 소자
20 : 돌기 전극
21 : 수지
22 : 진동 공간
23 : 표층 전극
24 : 비어 전극
25 : 단자 전극
26 : 회로 기판
27 : 수지 뚜껑체
111 : 금속막
112 : 금속막
113 : 금속막
114 : 합금층
115 : 합금층
Claims (19)
- 압전 기판과,상기 압전 기판의 제 1 면에 마련된 인터디지털 변환기(IDT) 전극과,상기 IDT 전극을 피복하는 수지 피복을 구비하되,상기 수지 피복의 수지 재료는 그 10배의 질량의 순수한 물(純水)의 용매중에 120℃, 2기압의 조건하에서 20 시간 방치된 후에 상기 용매의 염소 이온 농도가 50ppm 이하인표면 탄성파(SAW) 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 수지 재료는 그 10배의 질량의 순수한 물의 용매중에 120℃, 2기압의 조건하에서 20 시간 방치된 후의 상기 용매의 브롬(臭素) 이온 농도가 150ppm 이하인 SAW 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 수지 피복은 상기 압전 기판의 제 2 면과 측면을 덮는 SAW 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,IDT 전극의 외주와 위쪽을 덮는, 상기 수지 재료로 형성된 수지 뚜껑체를 더 구비한 SAW 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 IDT 전극은,상기 압전 기판상에 마련된 알루미늄을 함유하는 제 1 층과,상기 제 1 층의 위쪽에 마련된 Ti, Zr, Nb, Ta, W, V, Mn 중 적어도 하나를 함유하는 제 2 층을 구비하는SAW 디바이스.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2 층은 알루미늄을 함유하는 SAW 디바이스.
- 제 5 항에 있어서,상기 IDT 전극은 상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 마련된, 상기 제 1 층과 제2 층의 성분을 함유하는 제 3 층을 더 구비하는 SAW 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 IDT 전극은,상기 압전 기판상에 마련된 Ti, Zr, Nb, Ta, W, V, Mn 중 적어도 하나를 함유하는 제 1 층과,상기 제 1 층의 위쪽에 마련된 알루미늄을 함유하는 제 2 층과,상기 제 2 층의 위쪽에 마련된 Ti, Zr, Nb, Ta, W, V, Mn 중 적어도 하나를 함유하는 제 3 층을 구비하는SAW 디바이스.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 3 층은 알루미늄을 함유하는 SAW 디바이스.
- 제 8 항에 있어서,상기 IDT 전극은,상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 마련된, 상기 제 1 층과 제 2 층의 성분을함유하는 제 4 층과,상기 제 2 층과 제 3 층 사이에 마련된, 상기 제 2 층과 제 3 층의 성분을 함유하는 제 5 층을 더 구비하는SAW 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 수지 재료는 충전재를 함유하는 SAW 디바이스.
- 압전 기판상에 인터디지털 변환기(IDT) 전극을 형성하는 공정과,상기 IDT 전극의 외측을 그 10배의 질량의 순수한 물의 용매중에 120℃, 2기압의 조건하에서 20 시간 방치한 후의 상기 용매의 염소 이온 농도가 50ppm 이하인 수지 재료로 덮는 공정을 포함하는 표면 탄성파(SAW) 디바이스의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 수지 재료는 그 10배의 질량의 순수한 물의 용매중에 120℃, 2기압의 조건하에서 20 시간 방치한 후의 상기 용매의 브롬 이온 농도가 150ppm 이하인 SAW디바이스의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 IDT 전극을 형성하는 상기 공정은,상기 압전 기판상에 알루미늄을 함유하는 제 1 층을 형성하는 공정과,상기 제 1 층의 위쪽에 Ti, Zr, Nb, Ta, W, V, Mn 중 적어도 하나를 함유하는 제 2 층을 형성하는 공정을 포함하는SAW 디바이스의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 IDT 전극을 형성하는 상기 공정은 상기 제 1 층과 상기 제 2 층을 가열하는 공정을 더 포함하는 SAW 디바이스의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 제 1 층과 상기 제 2 층을 가열하는 상기 공정은 150∼500℃의 온도로 상기 제 1 층과 상기 제 2 층을 가열하는 공정을 포함하는 SAW 디바이스의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 IDT 전극을 형성하는 상기 공정은,상기 압전 기판상에 Ti, Zr, Nb, Ta, W, V, Mn 중 적어도 하나를 함유하는 제 1 층을 형성하는 공정과,상기 제 1 층의 위쪽에 알루미늄을 함유하는 제 2 층을 형성하는 공정과,상기 제 2 층의 위쪽에 Ti, Zr, Nb, Ta, W, V, Mn 중 적어도 하나를 함유하는 제 3 층을 형성하는 공정을 포함하는SAW 디바이스의 제조 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 IDT 전극을 형성하는 상기 공정은 상기 제 1 층, 상기 제 2 층 및 상기 제 3 층을 가열하는 공정을 더 포함하는 SAW 디바이스의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 제 1 층, 상기 제 2 층 및 상기 제 3 층을 가열하는 상기 공정은 150∼500℃의 온도로 상기 제 1 층, 상기 제 2 층 및 상기 제 3 층을 가열하는 공정을 포함하는 SAW 디바이스의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2001-00021153 | 2001-01-30 | ||
| JPJP-P-2001-00021154 | 2001-01-30 | ||
| JP2001021154 | 2001-01-30 | ||
| JP2001021153 | 2001-01-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020087430A true KR20020087430A (ko) | 2002-11-22 |
| KR100479289B1 KR100479289B1 (ko) | 2005-03-28 |
Family
ID=26608492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-7012762A KR100479289B1 (ko) | 2001-01-30 | 2002-01-24 | Ｓａｗ 디바이스 및 그 제조 방법 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6998687B2 (ko) |
| EP (1) | EP1289133B1 (ko) |
| JP (1) | JPWO2002061943A1 (ko) |
| KR (1) | KR100479289B1 (ko) |
| CN (1) | CN1229914C (ko) |
| DE (1) | DE60226677D1 (ko) |
| TW (1) | TW531960B (ko) |
| WO (1) | WO2002061943A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009035797A2 (en) * | 2007-08-09 | 2009-03-19 | University Of Maine System Board Of Trustees | Ultra-thin film electrodes and protective layer for high temperature device applications |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4063000B2 (ja) * | 2001-08-14 | 2008-03-19 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波フィルタ |
| JP3702961B2 (ja) * | 2002-10-04 | 2005-10-05 | 東洋通信機株式会社 | 表面実装型ｓａｗデバイスの製造方法 |
| JP3689414B2 (ja) * | 2003-06-03 | 2005-08-31 | 東洋通信機株式会社 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| US7141909B2 (en) * | 2003-06-17 | 2006-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JP4331032B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2009-09-16 | 日本電信電話株式会社 | 弾性表面波デバイスおよびその作製方法 |
| JP4412123B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2010-02-10 | エプソントヨコム株式会社 | 表面弾性波デバイス |
| JP4670697B2 (ja) * | 2006-03-24 | 2011-04-13 | 株式会社デンソー | センサ装置の製造方法 |
| JP5050620B2 (ja) * | 2007-04-13 | 2012-10-17 | 株式会社デンソー | 弾性表面波角速度センサおよびその製造方法 |
| JP4401409B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2010-01-20 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス、及びその製造方法 |
| US20090233225A1 (en) * | 2008-03-12 | 2009-09-17 | Johnson Donald W | Low chlorine epoxy resin formulations |
| TWM361835U (en) * | 2008-10-16 | 2009-07-21 | Lingsen Precision Ind Ltd | Packaging and joining structure for MEMS microphone |
| GB0914762D0 (en) | 2009-08-24 | 2009-09-30 | Univ Glasgow | Fluidics apparatus and fluidics substrate |
| JP5434664B2 (ja) * | 2010-02-24 | 2014-03-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性波素子の製造方法 |
| DE102010026843A1 (de) * | 2010-07-12 | 2012-01-12 | Epcos Ag | Modul-Package und Herstellungsverfahren |
| US10720350B2 (en) * | 2010-09-28 | 2020-07-21 | Kla-Tencore Corporation | Etch-resistant coating on sensor wafers for in-situ measurement |
| GB201103211D0 (en) | 2011-02-24 | 2011-04-13 | Univ Glasgow | Fluidics apparatus, use of fluidics apparatus and process for the manufacture of fluidics apparatus |
| GB201420061D0 (en) | 2014-11-11 | 2014-12-24 | Univ Glasgow | Nebulisation of liquids |
| US9490423B2 (en) * | 2014-11-11 | 2016-11-08 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory ultilizing aluminum metallization layers and methods for fabricating the same |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6054458A (ja) | 1983-09-06 | 1985-03-28 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2525357B2 (ja) | 1985-12-25 | 1996-08-21 | 東レ株式会社 | 樹脂封止電子部品 |
| JPS6381957A (ja) | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体封止用成形材 |
| JPS63310938A (ja) | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Kurasawa Kogaku Kogyo Kk | アルミニウム合金 |
| JPH03222443A (ja) | 1990-01-29 | 1991-10-01 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPH10163799A (ja) | 1996-11-25 | 1998-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP3515131B2 (ja) * | 1997-07-28 | 2004-04-05 | 株式会社東芝 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
| JP3123477B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2001-01-09 | 日本電気株式会社 | 表面弾性波素子の実装構造および実装方法 |
| JP3659455B2 (ja) | 1997-12-01 | 2005-06-15 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JP2000058593A (ja) | 1998-08-03 | 2000-02-25 | Nec Corp | 表面弾性波素子の実装構造及びその実装方法 |
-
2002
- 2002-01-24 DE DE60226677T patent/DE60226677D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-24 JP JP2002561367A patent/JPWO2002061943A1/ja active Pending
- 2002-01-24 WO PCT/JP2002/000498 patent/WO2002061943A1/ja active IP Right Grant
- 2002-01-24 US US10/240,426 patent/US6998687B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-24 EP EP02716356A patent/EP1289133B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-24 CN CNB028001958A patent/CN1229914C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-24 KR KR10-2002-7012762A patent/KR100479289B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-01-28 TW TW091101351A patent/TW531960B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009035797A2 (en) * | 2007-08-09 | 2009-03-19 | University Of Maine System Board Of Trustees | Ultra-thin film electrodes and protective layer for high temperature device applications |
| WO2009035797A3 (en) * | 2007-08-09 | 2009-07-16 | Univ Maine Sys Board Trustees | Ultra-thin film electrodes and protective layer for high temperature device applications |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6998687B2 (en) | 2006-02-14 |
| WO2002061943A1 (fr) | 2002-08-08 |
| TW531960B (en) | 2003-05-11 |
| CN1455985A (zh) | 2003-11-12 |
| EP1289133A4 (en) | 2005-03-30 |
| JPWO2002061943A1 (ja) | 2004-06-03 |
| EP1289133B1 (en) | 2008-05-21 |
| US20030164529A1 (en) | 2003-09-04 |
| KR100479289B1 (ko) | 2005-03-28 |
| CN1229914C (zh) | 2005-11-30 |
| EP1289133A1 (en) | 2003-03-05 |
| DE60226677D1 (de) | 2008-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100479289B1 (ko) | Ｓａｗ 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| JPH11205898A (ja) | 誘電体薄膜素子用電極およびその製造方法とそれを用いた超音波振動子 | |
| US20160315244A1 (en) | Bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same | |
| US10424715B2 (en) | Elastic wave device and manufacturing method for same | |
| US20160156331A1 (en) | Elastic wave device, electronic component, and method for manufacturing elastic wave device | |
| JP3925366B2 (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
| WO2002082644A1 (fr) | Dispositif d'onde acoustique et procede de fabrication correspondant | |
| US7213322B2 (en) | Method for manufacturing surface acoustic wave device | |
| JP3870947B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| CN100525097C (zh) | 电子零件和电子零件的制造方法 | |
| KR102380843B1 (ko) | 체적 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터 | |
| EP1353441B1 (en) | Saw device and production method therefor | |
| JP2015525040A (ja) | トポグラフィー構造及びその製造方法 | |
| JP2011023929A (ja) | 弾性波素子とこれを用いた電子機器 | |
| US10763818B2 (en) | Acoustic wave device | |
| JP2011055315A (ja) | 弾性波素子とこれを用いた電子機器 | |
| JP3603571B2 (ja) | 圧電素子およびその製造方法 | |
| JP7356085B2 (ja) | 圧電振動子及びその製造方法 | |
| JP2001250995A (ja) | 圧電体薄膜素子 | |
| JPH10135766A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2003092371A (ja) | 電子部品とその製造方法 | |
| JP2004186938A (ja) | 弾性表面波素子、弾性表面波装置、電子回路装置、弾性表面波素子の製造方法、および弾性表面波装置の製造方法 | |
| KR20160148480A (ko) | 체적 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터 | |
| JP6979670B2 (ja) | ウェハレベルパッケージの製造方法 | |
| JPS60244108A (ja) | 弾性表面波素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090311 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |