WO2002037185A1 - Composition de resine photosensible - Google Patents

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WO2002037185A1
WO2002037185A1 PCT/JP2001/008924 JP0108924W WO0237185A1 WO 2002037185 A1 WO2002037185 A1 WO 2002037185A1 JP 0108924 W JP0108924 W JP 0108924W WO 0237185 A1 WO0237185 A1 WO 0237185A1
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WO
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resin composition
photosensitive resin
mixture
esterification
photosensitive
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PCT/JP2001/008924
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Shuichi Takahashi
Jun Ikemoto
Hidekazu Shioda
Shunji Kawato
Original Assignee
Clariant International Ltd.
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G—PHYSICS
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    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides

Definitions

  • the present invention relates to a photosensitive resin composition, and more particularly, to a photosensitive resin composition suitable for production of a flat panel display (FPD) of a semiconductor device.
  • FPD flat panel display
  • Photolithography technology is used.
  • a positive or negative photosensitive resin composition is used to form a resist pattern.
  • a composition containing an alkali-soluble resin and a quinonediazide compound as a photosensitive agent is widely used.
  • This composition is known, for example, as “Nopolak resin / quinonediazide compound” in Japanese Patent Publication No. 54-23570 (U.S. Pat. No. 3,666,473), Japanese Patent No.
  • compositions containing these nopolak resins and quinonediazide compounds have been studied and developed from both sides of nopolak resins and photosensitizers. From the viewpoint of Nopolak resin, we need not only develop new resins, but also improve the physical properties of resins known in the past. It has also been attempted to obtain a photosensitive resin composition having more excellent properties.
  • Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 60-140235 and 1-104243 disclose that nopolak resin has a specific molecular weight distribution.
  • Japanese Patent No. 60-977347 discloses a nopolak resin from which low molecular weight components are separated and removed. There is disclosed a technique for providing a photosensitive resin composition having excellent characteristics by using the same.
  • the degree of integration of integrated circuits of semiconductor devices is increasing year by year, and in the manufacture of semiconductor devices and the like, patterning with a line width of submicron or less is required. I have.
  • display surfaces such as liquid crystal displays (LCDs)
  • the throughput yield per unit time
  • the photosensitive resin composition has a high residual film property and a small process dependency such as background and development.
  • a resin having a low molecular weight is used, or the amount of a photosensitive agent added is reduced.
  • the heat resistance of the resist decreases
  • the etching resistance decreases in the manufacturing process of semiconductor devices, etc.
  • the developability deteriorates
  • scum residual development
  • the film ratio decreases.
  • a technique using a resin in which the molecular weight range of a nopolak resin mixture derived from a specific phenol compound mixture has been specified (Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-271024).
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-184463 Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-184463
  • a technique using a photosensitive component containing a specific ratio of naphthoquinonediazidosulfonic acid ester of trihydroxybenzophenone and trihydroxybenzophenone No.
  • the present invention makes it possible to practically achieve both high residual film properties and high sensitivity, and it is possible to form a photosensitive resin with low process dependency and a good pattern. It is intended to provide a composition. Disclosure of the invention
  • the present inventors have conducted intensive studies and studies and found that a photosensitive resin composition containing an alkali-soluble resin and a sensitizer containing a quinonediazide group was used.
  • the present inventors have found that the above object can be achieved by using a mixture of two or more photosensitizers having different average esterification rates as the photosensitizer, and have accomplished the present invention.
  • the present invention relates to a photosensitive resin composition containing an alkali-soluble resin and a sensitizer containing a quinonediazide group, wherein the sensitizer comprises two or more tetrahydroxybenzophenones having different average esterification rates and 1,2-
  • the present invention relates to a photosensitive resin composition comprising a mixture of an esterified product with naphthoquinonediazidesulfonic acid.
  • a mixture of a photosensitive agent having a relatively high esterification rate and a photosensitive agent having a relatively low esterification rate is used. It is considered that a photosensitive agent having a relatively low esterification ratio and a thick surface insoluble layer are formed by the photosensitizer having a relatively low esterification ratio. Photosensitizers with relatively high esterification ratios have relatively low free hydroxyl groups and therefore have relatively low solubility in alkaline developers and show high residual film ratios. The insoluble layer formed on the resin film surface tends to be thin.
  • Glass substrates are used as substrates
  • the heating temperature of the photosensitive resin composition on the glass substrate Is lower than silicon wafers, and tends to be exposed and developed in a state where the solvent is not sufficiently removed. For this reason, it is considered that more preferable results can be obtained when the photosensitive resin composition of the present invention is used, particularly in a case where a glass substrate is used as a substrate, such as in the production of FPDs.
  • the alkali-soluble resin used in the photosensitive resin composition of the present invention is an alkali-soluble resin used in a conventionally known photosensitive resin composition containing an alkali-soluble resin and a sensitizer containing a quinonediazide group. Any material may be used, but a nopolak resin is preferred.
  • the nopolak resin which can be preferably used in the present invention can be obtained by polycondensation of various phenols alone or a mixture of plural kinds thereof with aldehydes such as formalin.
  • phenols constituting the nopolak resin examples include phenol, p-cresol, m-cresol, o_cresol, 2,3-dimethylphenyl, 2,4-dimethylphenol, 2,5-dimethylphenol, 2,6-dimethylphenol, 3,4-dimethylphenol, 3,5-dimethylphenol, 2,3,4-trimethylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethylphenol, 2, 4, 5 — trimethylphenol, methylenebisphenol, methylenebis p — cresol, resorcinol, catechol, 2-methylresorcinol, 4-methylresorcinol, o-chlorophenol, m-chlorophenol, p-chlorophenol, 2 , 3-dichroic phenol, m-methoxyphenol, P-methoxyphenol, ⁇ -bu Toxiphenol, o-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, 2,3-getylphenol, 2,5-
  • aldehydes examples include paraformaldehyde, acetoaldehyde, benzaldehyde, hydroxybenzaldehyde, chloroacetaldehyde and the like, in addition to formalin, and these can be used alone or as a mixture of a plurality of aldehydes.
  • the nopolak resin used in the photosensitive resin composition of the present invention has a weight average molecular weight of 2,000 to 500,000 in terms of polystyrene, more preferably 3,000 to 40,000. 000, more preferably 4,000 to 30,000.
  • an esterified product of tetrahydroxybenzophenone and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid is preferably used.
  • it can be obtained by reacting quinonediazidesulfonic acid halide such as naphthoquinonediazidosulfonic acid chloride with tetrahydroxybenzophenone.
  • quinonediazidesulfonic acid halide such as naphthoquinonediazidosulfonic acid chloride
  • tetrahydroxybenzophenone include 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,24,4'-tetrahydroxybenzophenone, and the like.
  • Examples of the quinonediazidesulfonic acid halide include 1,2-naphthoquinonediazide-4-1 or -5_ or -6-sulfonate halide, and in particular, 1,2-naphthoquinonediazido5-sulfonate halide. Is preferred.
  • two or more kinds of tetrahydroxybenzophenones having different average esterification rates and 1,2-naphthoquinonediene are used as photosensitizers.
  • a mixture of an esterified product with azidosulfonic acid is used.
  • tetrahydroxybenzophenone having an average esterification rate of X% (50 ⁇ X ⁇ 100) and 1
  • sensitizer A which is an esterified product with 2,2-naphthoquinonediazidosulfonic acid, and sensitizer ⁇ , whose average esterification rate is Y% (25 ⁇ ( ⁇ (X-10))
  • the mixing ratio ⁇ : 8 is from 10 to 90:90 to 10, more preferably from 30 to 70:70 to 30.
  • the “average esterification rate” means an average value calculated from the constituent ratio from a monoester compound to a tetraester compound contained in a photosensitive agent.
  • an esterified product is produced by reacting tetrahydroxybenzophenone with 1,2-naphthoquinonediazidosulfonic acid, an esterified product is obtained as a mixture of two or more esterified compounds.
  • the agent A or B may be a mixture of esterified products obtained by the synthesis, or may be a mixture obtained by removing some of the components from the mixture of esterified products obtained by the synthesis.
  • the photosensitizer may be a monoester, a diester, a triester or a tetraester separated from the mixture.
  • the photosensitizer may be a monoester.
  • the average esterification ratio of the photosensitive agent in the present invention is 25%, , Tri-ester, when Tetoraesu ether compound has an average esterification ratio of the photosensitive agent, respectively 50%, 7 5%, and 1 0 0%.
  • the content of the photosensitive agent comprising a mixture of an esterified product of two or more kinds of tetrahydroxybenzophenones having different average esterification rates and 1,2-naphthoquinonediazidosulfonic acid is defined as the photosensitive resin composition in the present invention.
  • 100 parts by weight of the alkali-soluble resin component therein preferably 100 parts by weight. -30 parts by weight, more preferably 15-25 parts by weight. If the amount is less than 10 parts by weight, the residual film ratio tends to decrease. If the amount exceeds 30 parts by weight, the sensitivity is too low, which is a practical problem.
  • the photosensitive resin composition of the present invention may contain a low molecular compound having a phenolic hydroxyl group as a dissolution accelerator to adjust the dissolution rate of the photosensitive resin composition, or to adjust the sensitivity of the photosensitive resin composition. It can be suitably used for improving or adjusting the sensitivity.
  • Examples of such low molecular compounds having a phenolic hydroxyl group include o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, and 2,6-xylenol.
  • the photosensitive resin composition of the present invention as a resin additive, at least two kinds selected from a polyacrylate, a polymethacrylate, a polystyrene derivative, an acrylate, a methacrylate, and a styrene derivative. Suitable for adjusting the dissolution rate of the photosensitive resin composition, or for improving the sensitivity of the photosensitive resin composition or adjusting the sensitivity, using the obtained copolymer or the like as a dissolution inhibitor. It can be used.
  • ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether are used as the solvent of the photosensitive resin composition for dissolving the alkali-soluble resin, the photosensitive agent, the low molecular weight compound having a phenolic hydroxyl group and the resin additive.
  • Ethylene dalicol monoalkyl ethers such as ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene Ethylene glycol monoalkyl ether acetates, such as glycol monoethyl ether acetate; propylene diol monoalkyl ethers, such as propylene diol alcohol monomethyl ether; Propylene dalycol monoalkyl ether acetates such as recohol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether acetate; lactate esters such as methyl lactate and ethyl lactate; and aromatic carbonization such as toluene and xylene Ketones such as eternal elements, methylethyl ketone, 2-heptanone, and cyclohexanone; amides such as N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; and aptyloractone Lactones and the like can be mentioned.
  • These solvents
  • the photosensitive resin composition of the present invention may optionally contain a dye, an adhesion aid, a surfactant and the like.
  • dyes include methyl violet, crystal violet, and malachite green.
  • adhesion aids include alkyl imidazoline, butyric acid, alkyl acid, polyhydroxystyrene, polyvinyl methyl ether, t-butyl novolak, and
  • surfactants include nonionic surfactants, such as polyglycols and derivatives thereof, ie, polypropylene dalicol or polyoxyethylene lauryl ether, and fluorine.
  • Surfactants containing, for example, Florad (trade name, manufactured by Sumitomo Srimu), Megafac (trade name, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals), Sulfuron (trade name, manufactured by Asahi Glass Co.), or organic Siloxane surfactant, for example, KP 3 4 1 (trade name, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Company, Ltd.) and the like.
  • Florad trade name, manufactured by Sumitomo Srimu
  • Megafac trade name, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals
  • Sulfuron trade name, manufactured by Asahi Glass Co.
  • organic Siloxane surfactant for example, KP 3 4 1 (trade name, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Company, Ltd.) and the like.
  • the photosensitive resin composition of the present invention was prepared. This composition was spin-coated on a 4-inch silicon wafer and a 4-inch glass wafer, baked on a hot plate at 100 ° C for 90 seconds, and a 1.5-m thick resist film was obtained. .
  • This resist film was exposed with a Nikon g + h line stepper (FX-604F) and developed with a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 23 ° C. for 60 seconds. The residual film ratio was calculated from the film thickness measurement before and after development, and the exposure energy amount at which the open frame was completely resolved was used as the sensitivity (Eth). The result was obtained.
  • Table 1 shows the mixing ratio of photosensitizers a and b. The procedure was performed in the same manner as in Example 1 except that the amount of the photosensitizer was appropriately changed in order to adjust the composition to the same level as the fat composition, and the results shown in Table 1 were obtained.
  • This composition was spin-coated on a 4-inch silicon wafer and a 4-inch glass wafer, After baking on a hot plate at 100 ° C. for 90 seconds, a resist film having a thickness of 1.5 m was obtained.
  • This resist film is exposed with a Nikon g + h-ray stepper (FX-604F), and developed with a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 23 ° (:, 60 seconds)
  • the residual film ratio was calculated from the film thickness measurement before and after development, and the exposure energy at which the open frame was completely resolved was taken as the sensitivity (Eth). Two results were obtained.
  • Example 6 was repeated except that the mixing ratio of the photosensitizers a and c was as shown in Table 2 and that the addition amount of the photosensitizer was appropriately changed in order to adjust the sensitivity to the same level as the photosensitive resin composition of Example 6. The results were as shown in Table 2.
  • Example 6 The same procedures as in Example 6 were carried out except that the mixing ratios of the photosensitizers a and c were as shown in Table 2 (no change in the amount added for sensitivity adjustment), and the results in Table 2 were obtained.
  • Example 6 (jnJ / cm2) (%) (mJ / cm2) (%) Surface condition Example 6 50 50 12.2 97.0 87.8 ⁇ Example 7 90 10 12.2 98.0 86.3 ⁇ Example 8 67 33 12.2 97.7 88.5 ⁇ Example 9 33 67 12.2 95.5 87.5 ⁇ Example 10 10 90 12.2 93.0 87.0 ⁇ Comparative example 1 100 0 12.2 98.3 85.5 X Comparative example 3 100 0 17.0 99.4 15.2 90.2 X Comparative example 5 0 100 12.2 90.0 11.1 85.0 X Comparative example 6 0 100 8.4 82.3 7.6 78.5 X ⁇ Good pattern shape ⁇ No surface roughness
  • the photosensitive resin composition of the present invention has an excellent balance of properties such as good sensitivity, residual film ratio and good surface condition of the pattern by using photosensitizers having different esterification rates. It can be seen that the conductive resin composition was obtained.

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Description

明 細 書 感光性樹脂組成物 技術分野
本発明は、 感光性樹脂組成物、 さらに詳細には半導体デバイスゃフラ ットパネルディスプレー （F P D ) の製造等に好適な感光性樹脂組成物 に関する。 背景技術
L S Iなどの半導体集積回路や、 F P Dの表示面の製造、 サ一マルへ ッ ドなどの回路基板の製造等を初めとする幅広い分野において、 微細素 子の形成あるいは微細加工を行うために、 従来からフォトリソグラフィ —技術が用いられている。 フォトリソグラフィ一技術においては、 レジ ストパターンを形成するためにポジ型またはネガ型の感光性樹脂組成物 が用いられている。 これら感光性樹脂組成物の内、 ポジ型感光性樹脂組 成物としては、 アルカリ可溶性樹脂と感光剤としてのキノンジアジド化 合物を含有する組成物が広く用いられている。 この組成物は、例えば「ノ ポラック樹脂/キノンジアジド化合物」 として、 特公昭 5 4— 2 3 5 7 0号公報 （米国特第 3 , 6 6 6 , 4 7 3号明細書）、 特公昭 5 6 - 3 0 8 5 0号公報 （米国特許 4 , 1 1 5 , 1 2 8号明細書）、 特開昭 5 5— 7 3 0 4 5号公報、 特開昭 6 1 - 2 0 5 9 3 3号公報等多くの文献に種々の 組成のものが記載されている。 これらノポラック樹脂とキノンジアジド 化合物を含む組成物は、 これまでノポラック樹脂および感光剤の両面か ら研究開発が行われてきた。 ノポラック樹脂の観点からは、 新しい樹脂 の開発は勿論であるが、 従来知られた樹脂の物性などを改善することに より優れた特性を有する感光性樹脂組成物を得ることもなされている。 例えば、 特開昭 6 0— 1 4 0 2 3 5号公報、 特開平 1— 1 0 5 2 4 3号 公報には、 ノポラック樹脂にある特有の分子量分布をもたせることによ り、 また特開昭 6 0 - 9 7 3 4 7号公報、 特開昭 6 0— 1 8 9 7 3 9号 公報、 特許第 2 5 9 0 3 4 2号公報には、 低分子量成分を分別除去した ノポラック樹脂を用いることにより優れた特性を有する感光性樹脂組成 物を提供する技術が開示されている。
しかしながら、 半導体素子の集積回路の集積度は、年々高まっており、 半導体素子等の製造においては、 サブミクロン以下の線幅のパターン加 ェが要求され、 前記従来技術では十分に対応できなくなってきている。 また、 液晶ディスプレー （L C D ) などの表示面の製造においては、 マ ザ一ガラスの大型化とともに、 生産枚数増加のためにスループット （単 位時間当たりの収量） の向上が求められ、 これに対応すべく感光性樹脂 組成物の高感度化が求められている。 更にはこれと共に、 感光性樹脂組 成物に、 高残膜性であることおよびべ一ク、 現像などのプロセス依存性 が小さいことも望まれている。
一般に、 感光性樹脂組成物の高感度化のために、 低分子量の樹脂を用 いたり、 感光剤の添加量を減らしたりすることが行われている。 しかし、 このような方法によると、 レジストの耐熱性が低下して、 半導体デバイ ス等の製造工程において耐ェッチング性が低下したり、現像性が悪化し、 スカム （現像残り） が生じたり、 残膜率が低下する.な. 問題- 生じる。 このような問題を解決するため、 これまで、 特定のフエノール化合物の 混合物から誘導されたノポラック樹脂混合物の分子量範囲を特定した樹 脂を用いる技術（特開平 7 - 2 7 1 0 2 4号公報）、特定のフエノール化 合物から誘導されたノポラック樹脂で分子量範囲、 分散度、 アルカリ溶 解速度が特定された樹脂と、 フエノール性水酸基を有するポリヒドロキ シ化合物を用いる技術（特開平 8 - 1 8 4 9 6 3号公報）、 トリヒドロキ シベンゾフエノンのナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとトリヒ ドロキシベンゾフエノンとを特定の割合で含む感光成分を用いる技術 (特開平 8— 8 2 9 2 6号公報）、 特定のエステル化率の 2， 3 , 4—ト リヒドロキシベンゾフエノンの 1， 2—ナフトキノンジアジドー 5—ス ルホン酸エステルと 2， 3， 4， 4， 一テトラヒドロキシベンゾフエノ ンの 1 , 2—ナフトキノンジアジド— 5—スルホン酸エステルとの混合 物を感光剤として用いる技術（特開平 2 - 1 0 9 0 5 1号公報）、特定の ポリヒドロキシ化合物の 1， 2 —ナフトキノンジアジドー 5 —及び Z又 は一 4ースルホン酸エステルで、 テトラエステル成分の量を規定した感 光剤を用いる技術 （特開平 9 - 1 5 8 5 3号公報）、 2 , 3 , 4， 4 ' - テ卜ラヒドロキシベンゾフエノンの 1 , 2 _ナフ卜キノンジアジドー 5 —スルホン酸エステルおよび 1 , 2 _ナフトキノンジアジド _ 4—スル ホン酸エステルを特定の混合比で混ぜたものを感光剤として用いる技術 (特開平 9— 1 5 8 5 3号公報） などが提案されている。 しかしながら 前記全ての要件が十分に満たされたものはなく、 このためこれら要件、 すなわち、 高感度、 高残膜性、 低いプロセス依存性、 良好なパターン形 成性を満足させうる感光性樹脂組成物が望まれている。
上記のような状況に鑑み、 本発明は高残膜性および高感度化を両立さ せることが実用上可能で、 更にプロセス依存性が低く且つ良好なパター ンを形成することができる感光性樹脂組成物を提供することを目的とす るものである。 発明の開示
本発明者らは、 鋭意研究、 検討を行った結果、 アルカリ可溶性樹脂お よびキノンジアジド基を含む感光剤を含有する感光性樹脂組成物におい て、 感光剤として平均エステル化率の異なる 2種以上の感光剤の混合物 を用いることにより、 上記目的が達成できることを見いだし、 本発明に 至ったものである。
すなわち、 本発明は、 アルカリ可溶性樹脂およびキノンジアジド基を 含む感光剤を含有する感光性樹脂組成物において、 感光剤が平均エステ ル化率の異なる 2種以上のテトラヒドロキシベンゾフエノンと 1， 2— ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の混合物からなるこ とを特徴とする感光性樹脂組成物に関する。
上記本発明の感光性樹脂組成物を用いることにより前記本発明の目的 が達成される理由は、 以下のとおりと考えるが、 これにより本発明は何 ら限定されるものではない。
すなわち、 本発明においては、 相対的にエステル化率の高い感光剤と 相対的にエステル化率の低い感光剤の混合物を用いるが、 これにより相 対的にエステル化率の高い感光剤による残膜率向上効果と相対的にエス テル化率の低い感光剤による厚い表面難溶化層の形成効果が生じると考 えられる。 相対的にエステル化率の高い感光剤はフリ一の水酸基が相対 的に少ないためアルカリ現像剤に対する溶解性が相対的に低く高残膜率 を示すが、 現像時アル力リ現像剤により感光性樹脂膜表面に形成される 難溶化層は薄くなる傾向がある。 それに対して相対的に低エステル化率 のエステル化合物を用いるとフリーの水酸基が相対的に多いために、 残 膜率は低下するが表面難溶化層が厚くなる。 このように相対的に低エス テル化率のエステル化合物を組み合わせて用いることにより厚い表面難 溶化層が形成されると、 感光性樹脂組成物中から十分に溶剤が除去され ない状態で露光、 現像が行われても、 厚い難溶化層が現像時溶解保護層 として働き、 内部からの感光性樹脂組成物の溶出を防止できると共に滑 らかな表面層が得られるものと考えられる。 基板としてガラス基板が用 いられる場合、 ガラス基板はシリコンウェハ一より熱伝導率が低く、 ま た厚みも厚いため、 これらを同じ条件でプリべークしても、 ガラス基板 上の感光性樹脂組成物中の加熱温度はシリコンウェハーに比べて低くな り十分に溶剤が除去されない状態で露光、 現像される傾向にある。 この ため、 特に F P Dの製造など基板としてガラス基板が用いられるものに おいて、 本発明の感光性樹脂組成物を用いる場合、 より好ましい結果が 得られるものと考えられる。
以下、 本発明をさらに詳細に説明する。
本発明の感光性樹脂組成物において用いられるアル力リ可溶性樹脂 は、 アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基を含む感光剤とを含有する 従来公知の感光性樹脂組成物において用いられるアル力リ可溶性樹脂で あればいずれのものであってもよいが、 ノポラック樹脂が好ましいもの である。本発明において好ましく用いることができるノポラック樹脂は、 種々のフエノール類の単独あるいはそれらの複数種の混合物をホルマリ ンなどのアルデヒド類で重縮合することによって得られる。
該ノポラック樹脂を構成するフエノール類としては、 例えばフエノー ル、 p —クレゾ一ル、 m—クレゾール、 o _クレゾール、 2， 3 —ジメ チルフエノール、 2 , 4ージメチルフエノール、 2， 5ージメチルフエ ノール、 2， 6—ジメチルフエノール、 3 , 4—ジメチルフエノール、 3， 5—ジメチルフエノール、 2 , 3 , 4 一トリメチルフエノール、 2 , 3 , 5—トリメチルフエノール、 3， 4， 5—トリメチルフエノール、 2， 4 , 5 —トリメチルフエノール、 メチレンビスフエノール、 メチレ ンビス p —クレゾール、 レゾルシン、 カテコール、 2—メチルレゾルシ ン、 4ーメチルレゾルシン、 o—クロロフエノ一ル、 m—クロロフエノ ール、 p—クロ口フエノール、 2 , 3—ジクロ口フエノール、 m—メト キシフエノール、 P—メトキシフエノ一ル、 ρ—ブトキシフエノール、 o一ェチルフエノール、 m—ェチルフエノール、 p—ェチルフエノール、 2， 3—ジェチルフエノール、 2， 5—ジェチルフエノール、 p—イソ プロピルフエノール、 α—ナフトール、 ]3—ナフトールなどが挙げられ、 これらは単独でまたは複数の混合物として用いることができる。
また、 アルデヒド類としては、 ホルマリンの他、 パラホルムアルデヒ デド、 ァセトアルデヒド、 ベンズアルデヒド、 ヒドロキシベンズァルデ ヒド、 クロロアセトアルデヒドなどが挙げられ、 これらは単独でまたは 複数の混合物として用いることができる。
そして、 本発明の感光性樹脂組成物において用いられるノポラック樹 脂の重量平均分子量は、 ポリスチレン換算で 2 , 0 0 0〜 5 0 , 0 0 0、 より好ましくは 3， 0 0 0〜 4 0， 0 0 0、 さらに好ましくは 4， 0 0 0〜 3 0 , 0 0 0である。
本発明の感光性樹脂組成物において用いられるキノンジアジド基を含 む感光剤としては、 テトラヒドロキシベンゾフエノンと 1 , 2—ナフト キノンジアジドスルホン酸とのエステル化物が好ましく用いられるが、 このエステル化物は、 好ましくはナフトキノンジアジドスルホン酸クロ リ ドのようなキノンジアジドスルホン酸ハラィ ドとテトラヒドロキシべ ンゾフエノンとを反応させることによって得ることができる。 テトラヒ ドロキシベンゾフエノンとしては、 2 , 3， 4， 4 ' ーテトラヒドロキ シベンゾフエノン、 2 , 2 4， 4 ' ーテトラヒドロキシベンゾフエノ ン等が挙げられる。 また、 キノンジアジドスルホン酸ハライ ドとしては、 1， 2 —ナフトキノンジアジド— 4 一または— 5 _または— 6 —スルホ ン酸ハライ ドが挙げられ、 特に 1 , 2 —ナフトキノンジアジドー 5—ス ルホン酸ハライ ドが好ましい。
また、 本発明においては、 感光剤として、 平均エステル化率の異なる 2種以上のテトラヒドロキシベンゾフエノンと 1 , 2—ナフトキノンジ アジドスルホン酸とのエステル化物の混合物が用いられるが、 これら 2 種以上の感光剤の混合物としては、 平均エステル化率が X% ( 5 0≤X ≤ 1 00 ) のテトラヒドロキシベンゾフエノンと 1， 2—ナフトキノン ジアジドスルホン酸とのエステル化物からなる感光剤 Aと同平均エステ ル化率が Y% ( 2 5≤ Υ≤ (X- 1 0)) の感光剤 Βとの混合物で、かつ、 混合比 Α : 8が 1 0〜 9 0 : 9 0〜 1 0であるものが好ましく、 3 0〜 7 0 ： 7 0〜 3 0であるものが更に好ましい。
本発明において 「平均エステル化率」 は、 感光剤中に含まれるモノエ ステル化物からテトラエステル化物までの構成比率から算出される平均 値を意味する。 通常、 テトラヒドロキシベンゾフエノンと 1， 2—ナフ トキノンジアジドスルホン酸とを反応させることによりエステル化物を 製造すると、 2種以上のエステル化物の混合物としてエステル化物が得 られるが、 本発明においては感光剤 Aまたは Bは、 これら合成により得 られたエステル化物の混合物であってもよいし、 この合成によって得ら れたエステル化物の混合物からその一部の成分が除去されたものであつ てもよいし、 これら混合物から分離された、 モノエステル化物、 ジエス テル化物、 トリエステル化物あるいはテトラエステル化物であってもよ レ 感光剤がこの単離されたエステル化物からなる場合、 感光剤がモノ エステル化物からなるときは、 本発明でいう感光剤の平均エステル化率 は 2 5 %となり、 以下ジエステル化物、 トリエステル化物、 テトラエス テル化物のときには、 当該感光剤の平均エステル化率は、 各々 5 0 %、 7 5 %、 1 0 0 %となる。
これら平均エステル化率の異なる 2種以上のテトラヒドロキシベンゾ フエノンと 1， 2—ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物 の混合物からなる感光剤の含有量は、 本発明においては、 感光性樹脂組 成物中のアルカリ可溶性樹脂成分 1 0 0重量部に対し、 好ましくは 1 0 〜 30重量部、 より好ましくは、 1 5〜2 5重量部である。 1 0重量部 未満の場合は、 残膜率が低下する傾向が見られ、 また 3 0重量部を超え た場合は、 低感度に過ぎるため実用上問題となる。
また本発明の感光性樹脂組成物には、 フエノール性水酸基を有する低 分子化合物を溶解促進剤として感光性擀脂組成物の溶解速度を調整する ために、 または、 感光性樹脂組成物の感度の向上あるいは感度の調整の ために好適に使用することができる。
そのようなフエノール性水酸基を有する低分子化合物としては、 o— クレゾ一ル、 m—クレゾ一ル、 p—クレゾ一ル、 2, 4—キシレノール、 2， 5—キシレノール、 2， 6—キシレノ一ル、 ビスフエノール A、 B、 C、 E、 Fまたは G、 4 , 4 4 " ーメチリジントリスフエノール、 2 , 6 -ビス [(2—ヒドロキシー 5—メチルフエニル） メチル] — 4ーメチ ルフエノール、 4， 4 ' 一 [ 1一 [ 4一 [ 1— (4—ヒドロキシフエ二 ル） 一 1ーメチルェチル] フエニル] ェチリデン] ビスフエノール、 4, 4 ' , 4 " —ェチリジントリスフエノール、 4 _ [ビス （4ーヒドロキシ フエニル） メチル] 一 2—エトキシフエノ一ル、 4, 4， - [(2—ヒド ロキシフエニル） メチレン] ビス [ 2, 3—ジメチルフエノ一ル]、 4, 4 ' 一 [( 3—ヒドロキシフエニル） メチレン] ビス [2， 6—ジメチル フエノール]、 4, 4 ' - [(4—ヒドロキシフエニル） メチレン] ビス
[2, 6—ジメチルフエノール]、 2 , 2 ' 一 [(2—ヒドロキシフエ二 ル） メチレン] ビス [3 , 5ージメチルフエノール]、 2， 2 ' ― [(4 ーヒドロキシフエニル） メチレン] ビス [3 , 5—ジメチルフエノール]、 4， 4， 一 [(3 , 4—ジヒドロキシフエニル） メチレン] ビス [2, 3, 6 _トリメチルフエノール]、 4一 [ビス （ 3—シクロへキシルー 4ーヒ ドロキシー 6—メチルフエニル） メチル] 一 1， 2—ベンゼンジオール、 4， 6—ビス [(3, 5—ジメチルー 4—ヒドロキシフエニル） メチル] — 1， 2， 3—ベンゼントリオール、 4, 4 ' 一 [(2—ヒドロキシフエ ニル） メチレン] ビス [ 3—メチルフエノ一ル]、 4, 4 ', 4" - (3 ーメチルー 1一プロパニルー 3—ィリジン） トリスフエノール、 4, 4 '， 4"， 4 "' 一 （1， 4—フエ二レンジメチリジン） テトラキスフエノー ル、 2 , 4， 6—トリス [( 3 , 5—ジメチルー 4ーヒドロキシフエニル） メチル] — 1， 3—ベンゼンジォ一ル、 2， 4， 6—トリス [(3， 5— ジメチルー 2—ヒドロキシフエニル） メチル] ー 1， 3—ベンゼンジォ ール、 4， 4 ' 一 [ 1— [4— [ 1 - [4ーヒドロキシ— 3， 5—ビス [(ヒドロキシー 3—メチルフエニル） メチル] フエニル] 一 1一メチル ェチル] フエニル] ェチリデン] ビス [2， 6—ビス （ヒドロキシ— 3 一メチルフエニル) メチル] フエノ一ルなどをあげることができる。 こ れらのフエノ一ル性水酸基を有する低分子化合物は、 アルカリ可溶性樹 脂 1 0 0重量部に対して、 通常 1〜2 0重量部、 好ましくは 3〜1 5重 量部の量で用いられる。
また本発明の感光性樹脂組成物には樹脂添加剤として、 ポリアクリル 酸エステル、 ポリメタクリル酸エステル、 ポリスチレン誘導体や、 ァク リル酸エステル、 メタクリル酸エステル、 スチレン誘導体から選ばれる 少なくとも二種の単量体から.得られる共重合体などを溶解抑止剤として 感光性樹脂組成物の溶解速度を調整するために、 または、 感光性樹脂組 成物の感度の向上あるいは感度の調整のために好適に使用することがで さる。
本発明においては、 アルカリ可溶性樹脂、 感光剤、 フエノール性水酸 基を有する低分子化合物および樹脂添加剤を溶解させる感光性樹脂組成 物の溶剤として、 エチレングリコ一ルモノメチルエーテル、 エチレング リコールモノェチルエーテル等のエチレンダリコールモノアルキルエー テル類、 エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、 エチレン グリコールモノェチルエーテルァセテ一卜等のエチレングリコールモノ アルキルエーテルァセテ一ト類、 プロピレンダリコールモノメチルェ一 テル、 プロピレンダリコールモノェチルエーテル等のプロピレンダリコ —ルモノアルキルエーテル類、 プロピレンダリコールモノメチルエーテ ルァセテート、 プロピレングリコールモノェチルエーテルァセテ一ト等 のプロピレンダリコールモノアルキルエーテルァセテ一ト類、 乳酸メチ ル、 乳酸ェチル等の乳酸エステル類、 トルエン、 キシレン等の芳香族炭 化永素類、 メチルェチルケトン、 2—ヘプ夕ノン、 シクロへキサノン等 のケトン類、 N， N—ジメチルァセトアミ ド、 N—メチルピロリ ドン等 のアミ ド類、 ァープチロラクトン等のラクトン類等をあげることができ る。 これらの溶剤は、 単独でまたは 2種以上を混合して使用することが できる。
本発明の感光性樹脂組成物には、 必要に応じ染料、 接着助剤および界 面活性剤等を配合することができる。 染料の例としては、 メチルバイオ レット、 クリスタルバイオレット、 マラカイ トグリーン等が、 接着助剤 の例としては、 アルキルイミダゾリン、 酪酸、 アルキル酸、 ポリヒドロ キシスチレン、 ポリビニルメチルェ一テル、 t—ブチルノボラック、 ェ ポキシシラン、 エポキシポリマ一、 シラン等が、 界面活性剤の例として は、 非イオン系界面活性剤、 例えばポリグリコール類とその誘導体、 す なわちポリプロピレンダリコールまたはポリォキシエチレンラウリルェ —テル、 フッ素含有界面活性剤、 例えばフロラ一ド （商品名、 住友スリ —ェム社製）、 メガファック （商品名、 大日本インキ化学工業社製）、 ス ルフロン （商品名、 旭硝子社製）、 または有機シロキサン界面活性剤、 例 えば K P 3 4 1 (商品名、 信越化学工業社製） が挙げられる。 実施例 以下、 本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、 本発明の態 様はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例 1
重量平均分子量がポリスチレン換算で 8, 0 00のノポラック樹脂 1 0 0重量部に対し、 平均エステル化率が 8 7. 5 %の 2 , 3， 4， 4， ーテトラヒドロキシベンゾフエノンと 1 , 2—ナフ卜キノンジアジドー 5—スルフォニルクロライドとのエステル化物 （感光剤 a) と平均エス テル化率が 7 5. 0 %の 2， 3， 4 , 4， ーテトラヒドロキシベンゾフ ェノンと 1， 2—ナフトキノンジアジドー 5—スルフォニルクロライド とのエステル化物 (感光剤 b) の混合物 （混合比 5 0 : 5 0) 2 5重量 部、 4, 4 ' - [ 1— [4 - [ 1 - (4—ヒドロキシフエニル） 一 1— メチルェチル] フエニル] ェチリデン] ビスフエノール 5重量部をプロ ピレンダリコールモノメチルェ一テルァセテ一ト 3 9 0重量部に溶解 し、 更にフッ素系界面活性剤、 メガファック （大日本インキ化学工業社 製） を全固形分に対し 3 0 0 p pm添加して攪拌した後、 0. 2 mの フィルターでろ過して、 本発明の感光性樹脂組成物を調製した。 この組 成物を 4ィンチシリコンウェハーおよび 4ィンチガラスウェハー上に回 転塗布し、 1 0 0°C、 9 0秒間ホットプレートにてべ一ク後、 1. 5 m厚のレジスト膜を得た。 このレジスト膜にニコン社製 g + h線ステツ パー （FX— 6 04 F) にて露光し、 2. 3 8重量％水酸化テトラメチ ルアンモニゥム水溶液で 2 3°C、 6 0秒間現像した。 現像前後の膜厚測 定から残膜率を計算し、 さらにオープンフレームが完全に解像されてい る露光エネルギー量を感度 （Eth) として、 また 5 mのパターン表面 状態を観察し、 表 1の結果を得た。
実施例 2〜 5、 比較例 1、 2
感光剤 a、 bの混合比を表 1のようにし、 感度を実施例 1の感光性樹 脂組成物と同程度に調節するために感光剤の添加量を適宜変更すること 以外は、 実施例 1と同様に行い、 表 1の結果を得た。
比較例 3、 4
感光剤 a、 bの混合比を表 1のようにすること以外は実施例 1と同様 に行い （感度調節のための添加量の変更なし）、 表 1の結果を得た。
Figure imgf000014_0001
◎ パターン形状良好 ·表面荒れなし
〇 パターン形状良好 ·表面荒れ少々あり
△ パターン形状不良 ·表面荒れ少々あり
X パターン形状不良 ·表面荒れあり 表 1から、 比較例 3および 4を除き、 シリコンウェハ一上での感度、 残膜率の結果は各実施例、 比較例ともほぼ同じで、 パターン表面状態の 結果にも差は認められなかった。 しかし、 実際の F P Dの製造等におい て使用されるガラス基板上では、 実施例と比較例とでは、 パターン表面 状態に大きな差が見られた。 シリコンウェハー上とガラス基板上では、 同じプリべーク条件で処理した場合でも、 シリコンウェハーとガラス基 板の厚みおよびシリコンとガラスの熱伝導率の違いにより、 塗布された 感光性樹脂組成物中の実質的な温度分布はプリベーク時有意的に異な り、 ガラス基板上ではシリコンウェハー上に比し、 相対的に低温状態に ある。 上記表 1の結果は、 本発明の感光性樹脂組成物は、 プリべーク時 に感光性樹脂組成物中の実質的な温度分布が異なったとしても、 比較例 に示した単独の感光剤を用いたものに比べエッチングに悪影響を及ぼす パターン表面の荒れが無く、 高残膜率で且つ良好なパターン形成能を有 するなどの特性のバランスの良い組成物を提供できることを示してい る。
実施例 6
重量平均分子量がポリスチレン換算で 8， 0 0 0のノポラック樹脂 1 0 0重量部、 平均エステル化率が 8 7. 5 %の 2， 3 , 4, 4 ' —テト ラヒドロキシベンゾフエノンと 1， 2—ナフトキノンジアジド一 5—ス ルフォニルクロライ ドとのエステル化物 （感光剤 a) と平均エステル化 率が 6 2. 5 %の 2, 3 , 4, 4 ' —テトラヒドロキシベンゾフエノン と 1， 2—ナフトキノンジアジドー 5ースルフォニルク口ライドとのェ ステル化物 （感光剤 c ) の混合物 （混合比 50 : 5 0 ) 2 5重量部、 4, 4， ー [ 1— [4ー [ 1 _ ( 4—ヒドロキシフエニル） — 1—メチルェ チル] フエニル] ェチリデン] ビスフエノール 5重量部をプロピレング リコールモノメチルェ一テルァセテ一ト 3 9 0重量部に溶解し、 更にフ ッ素系界面活性剤、 メガファック （大日本インキ化学工業社製） を全固 形分に対し 3 0 0 p pm添加して攙拌した後、 0. 2 mのフィルタ一 でろ過して、 本発明の感光性樹脂組成物を調製した。 この組成物を 4ィ ンチシリコンウェハ一および 4インチガラスウェハー上に回転塗布し、 1 0 0 °C、 9 0秒間ホットプレートにてべ一ク後、 1 . 5 m厚のレジ スト膜を得た。 このレジスト膜にニコン社製 g + h線ステッパー （F X - 6 0 4 F) にて露光し、 2. 3 8重量％水酸化テトラメチルアンモニ ゥム水溶液で 2 3 ° (：、 6 0秒間現像した。 現像前後の膜厚測定から残膜 率を計算し、 さらにオープンフレームが完全に解像されている露光エネ ルギー量を感度 （Eth) として、 また 5 xmのパターン表面状態を観察 し、 表 2の結果を得た。
実施例 7〜 1 0、 比較例 5
感光剤 aおよび cの混合比を表 2のようにし、 感度を実施例 6の感光 性樹脂組成物と同程度に調節するために感光剤の添加量を適宜変更する こと以外は、 実施例 6と同様に行い、 表 2の結果を得た。
比較例 6
感光剤 aおよび cの混合比を表 2のようにすること以外は実施例 6と 同様に行い （感度調節のための添加量の変更なし）、 表 2の結果を得た。
表 2
感光剤 Si基板の結果 ガラス基板の結果 a c E th 残膜率 E th 残膜率 Λ。タ-ン
(jnJ/cm2) (%) (mJ/cm2) (%) 表面状態 実施例 6 50 50 12.2 97.0 87.8 ◎ 実施例 7 90 10 12.2 98.0 86.3 〇 実施例 8 67 33 12.2 97.7 88.5 ◎ 実施例 9 33 67 12.2 95.5 87.5 〇 実施例 10 10 90 12.2 93.0 87.0 〇 比較例 1 100 0 12.2 98.3 85.5 X 比較例 3 100 0 17.0 99.4 15.2 90.2 X 比較例 5 0 100 12.2 90.0 11.1 85.0 X 比較例 6 0 100 8.4 82.3 7.6 78.5 X ◎ パターン形状良好 ·表面荒れなし
〇 パターン形状良好 ·表面荒れ少々あり '
X パターン形状不良 ·表面荒れあり 表 2から、 2種の平均エステル化率の異なる感光剤の混合物を用いる 限りにおいては、 使用する 2種の感光剤の平均エステル化率が実施例 1 〜 5のものと異なっても、 表 1で示される結果と同様の効果が得られる ことが分かる。 また、 表 2の実施例 6と表 1の比較例 2、 4を比べた場 合、 全感光剤の平均エステル化率は何れも 7 5 %であって同じであるに もかかわらず、 平均エステル化率の異なった感光剤を混合して使用した 方 （実施例 6 ) が、 単独の感光剤を使用した場合 （比較例 2、 4 ) に比 ベパターン表面の荒れのない組成物を提供できることも分かる。
なお、 各実施例で得られたレジストパターンには、 何れにもスカムは 認められず、 レジストパターンの形状も良好であった。 また、 実施例の 感光性樹脂組成物は何れもプロセス依存性は低いものであった。 これら のことから、 本発明の感光性樹脂組成物は、 異なるエステル化率の感光 剤を用いることによって、 感度、 残膜率およびパターンの表面状態が良 好等の特性のバランスが優れている感光性樹脂組成物が得られることが 分かる。
発明の効果
以上述べたように、 本発明により、 高残膜性および高感度化を両立さ せることが実用上可能であり、 プロセス依存性が低く且つ良好なパター ンを形成することができる感光性樹脂組成物を得ることができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1. アル力リ可溶性樹脂とキノンジアジド基を含む感光剤とを含有する 感光性樹脂組成物において、 感光剤が平均エステル化率の異なる 2種以 上のテトラヒドロキシベンゾフエノンと 1， 2 _ナフトキノンジアジド スルホン酸とのエステル化物の混合物からなることを特徴とする感光性 樹脂組成物。
2. 感光剤がテトラヒドロキシベンゾフエノンと 1 , 2 _ナフトキノン ジアジドー 5ースルホン酸とのエステル化物で、 平均エステル化率が X% ( 5 0≤X≤ 1 0 0) の感光剤 Aと同平均エステル化率が Y% (2 5≤Υ≤ (X— 1 0)) の感光剤 Βとの混合物で、 かつ、 混合比 Α : Βが 1 0〜 9 0 ： 9 0〜 1 0であることを特徴とする請求の範囲第 1項記載 の感光性樹脂組成物。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4209297B2 (ja) * 2003-10-06 2009-01-14 東京応化工業株式会社 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61118744A (ja) * 1984-11-15 1986-06-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物
JPH02110462A (ja) * 1988-06-21 1990-04-23 Mitsubishi Kasei Corp ポジ型フォトレジスト
JPH05333538A (ja) * 1992-05-27 1993-12-17 Toray Ind Inc ポジ型感放射線レジスト組成物およびそれを用いるパターン形成方法
JPH06348018A (ja) * 1993-06-10 1994-12-22 Toray Ind Inc 感放射線レジスト組成物

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5168030A (en) 1986-10-13 1992-12-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Positive type o-quinone diazide photo-resist containing antistatic agent selected from hydrazones, ethylcarbazole and bis(dimethylamino)benzene
JP2640137B2 (ja) 1989-02-28 1997-08-13 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
US5362597A (en) 1991-05-30 1994-11-08 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition comprising an epoxy-containing alkali-soluble resin and a naphthoquinone diazide sulfonic acid ester
US5434031A (en) 1992-11-18 1995-07-18 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive-working naphthoquinone diazide photoresist composition containing specific hydroxy compound additive
US5476750A (en) * 1992-12-29 1995-12-19 Hoechst Celanese Corporation Metal ion reduction in the raw materials and using a Lewis base to control molecular weight of novolak resin to be used in positive photoresists

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61118744A (ja) * 1984-11-15 1986-06-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物
JPH02110462A (ja) * 1988-06-21 1990-04-23 Mitsubishi Kasei Corp ポジ型フォトレジスト
JPH05333538A (ja) * 1992-05-27 1993-12-17 Toray Ind Inc ポジ型感放射線レジスト組成物およびそれを用いるパターン形成方法
JPH06348018A (ja) * 1993-06-10 1994-12-22 Toray Ind Inc 感放射線レジスト組成物

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