WO2001085848A1 - Composition polymere a laquelle est incorporee une substance de charge propre - Google Patents

Composition polymere a laquelle est incorporee une substance de charge propre Download PDF

Info

Publication number
WO2001085848A1
WO2001085848A1 PCT/JP2001/003686 JP0103686W WO0185848A1 WO 2001085848 A1 WO2001085848 A1 WO 2001085848A1 JP 0103686 W JP0103686 W JP 0103686W WO 0185848 A1 WO0185848 A1 WO 0185848A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
filler
less
ppm
amount
organic
Prior art date
Application number
PCT/JP2001/003686
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Katsuhiko Higashino
Hiroyuki Tanaka
Takafumi Yamato
Tsuyoshi Noguchi
Original Assignee
Daikin Industries, Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daikin Industries, Ltd. filed Critical Daikin Industries, Ltd.
Priority to JP2001582443A priority Critical patent/JP4374819B2/ja
Priority to US10/275,685 priority patent/US6946513B2/en
Priority to EP01926012A priority patent/EP1288263A4/en
Publication of WO2001085848A1 publication Critical patent/WO2001085848A1/ja

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F214/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
    • C08F214/18Monomers containing fluorine
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED

Definitions

  • the present invention relates to a polymer polymer composition and a semiconductor manufacturing method using an extremely clean filler in which both the amount of generated water and the amount of an organic gate gas are reduced.
  • the present invention relates to a molded article that can be suitably used for an apparatus, a cleaned filer used for the molded article, and a method for producing the same. Background art
  • various inorganic fillers are blended with a polymer to reinforce the polymer.
  • the polymer contained in this filler is also used as a material for various components of semiconductor manufacturing equipment that requires a clean environment.
  • impurity gas gaseous impurities
  • These impurity outgases include organic gases such as moisture and dioctyl sulfate (DOP), and the gas from the polymer side first. ⁇ The amount of gas used has been reduced.
  • organic gases such as moisture and dioctyl sulfate (DOP)
  • the inventors of the present invention have found that, in the process of cleansing the filler, the surface of the filler is made hydrophobic, and then heated under an inert gas stream. Thus, it was found that it was possible to provide a filler in which not only the amount of moisture outgas but also the amount of organic exhaust gas was reduced.
  • the present invention has been completed. Disclosure of the invention
  • the present invention has a weight reduction rate per unit surface area (hereinafter simply referred to as “weight reduction rate”) of 2.5 ⁇ 10 when heated at 200 for 2 hours. Less than 5 % by weight / m 2 , preferably 2.0
  • organic outgas amount is 2.5 ppm or less, preferably 2.0 ppm or less, and more preferably 1 ppm or less.
  • organic outgas amount is 2.5 ppm or less, preferably 2.0 ppm or less, and more preferably 1 ppm or less.
  • the present invention relates to a high molecular weight polymer composition comprising a filler having a content of 8 ppm or less and a high molecular weight polymer.
  • a crosslinkable elastomer for example, a crosslinkable fluorine-based elastomer, especially a crosslinkable perfluoroelastomer is used. I like it.
  • the amount of water generated when heated for one minute (hereinafter, simply referred to as the "amount of water generated") is 400 ppm or less, and the amount of organic gaseous gas at that time is 0 ppm.
  • amount of water generated is 400 ppm or less, and the amount of organic gaseous gas at that time is 0 ppm.
  • the molded article of the present invention is suitable as a sealant used for sealing semiconductor manufacturing equipment parts, particularly semiconductor manufacturing equipment. It is.
  • the present invention also relates to the above-mentioned highly-filled fillers.
  • the cleansed filler is treated with a hydrophobically treated filler under an inert gas stream such as nitrogen gas at 100-300. It can be obtained by heat treatment for 5 to 4 hours.
  • a silylating agent, a silicone oil, a silicone coupling agent, etc. are preferably used. it can .
  • the filler that can be suitably used in the present invention includes dispersibility in resin for the coating layer, chemical resistance, hygroscopicity, It is desired to select from the viewpoints of plasma resistance, electromagnetic wave resistance, etc., metal oxides, metal nitrides, metal carbides, metal octalogenides, metal sulfides, metal salts And metal-based fillers such as metal hydroxides, carbon fillers such as carbon black, graphitized carbon, and darafite. One type can also be illustrated. In particular, a metal-based filler is preferred because of its excellent plasma resistance.
  • Metal oxides include, for example, silicon oxide and barium oxide.
  • metal nitride examples include lithium nitride, titanium nitride, aluminum nitride, boron nitride, vanadium nitride, zirconium nitride, and the like. Titanium nitride and aluminum nitride are preferred because of their excellent plasma resistance, chemical stability, and industrial versatility.
  • Metal carbides include, for example, boron carbide, calcium carbide, iron carbide, manganese carbide, titanium carbide, silicon carbide, vanadium carbide, and aluminum carbide. Silicon carbide and titanium carbide are preferred from the viewpoints of improving aluminum and the like and having excellent chemical resistance and chemical stability.
  • metal halides include silver chloride, silver fluoride, aluminum chloride, aluminum fluoride, barium chloride, and fluoride fluoride.
  • Fluorinated aluminum and its bromide or iodide are exfoliated, and have low hygroscopicity and excellent chemical stability. Fluoride is preferred.
  • the metal salt is represented by the formula: MnAm (M is a metal, A is the residue of various inorganic acids, and m and n are appropriately determined according to the valence of each).
  • MnAm a metal
  • A is the residue of various inorganic acids
  • m and n are appropriately determined according to the valence of each.
  • sulfates, carbonates, phosphates, titanates, silicates and nitrates of various metals are mentioned. Specific examples include aluminum sulfate, barium carbonate, silver nitrate, barium nitrate, barium sulfate, barium titanate, and calcium carbonate.
  • Um calcium nitrate, calcium phosphate, calcium gayate, titanic acid potassium, cadmium sulfate, cobalt sulfate, copper sulfate , Ferrous carbonate, iron silicate, iron titanate, potassium nitrate, potassium sulfate, lithium nitrate, magnesium carbonate, magnesium nitrate, calcium Magnesium acid, magnesium titanate, magnesium carbonate, manganese sulfate, manganese silicate, sodium carbonate, sodium nitrate , Sodium sulfate, sodium silicate, sodium titanate, nickel sulfate, carbonic acid Lead, lead sulfate, strontium carbonate, strontium sulfate, strontium titanate, zinc carbonate, zinc sulfate, zinc titanate, etc. Resistance to plasma and chemical stability Of these, barium sulfate and aluminum sulfate are preferred because of their excellent properties.
  • metal hydroxide examples include calcium hydroxide and magnesium hydroxide.
  • Metal sulfides include silver sulfide, calcium sulfide, cadmium sulfide, copper sulfide, copper sulfide, iron sulfide, manganese sulfide, molybdenum disulfide, Examples include lead sulfide, tin sulfide, zinc sulfide, and tungsten disulfide.
  • metal fillers especially metal oxides, metal nitrides, and metal carbides are generally low in hygroscopicity and excellent in chemical resistance. Especially preferred.
  • the filler be appropriately selected according to other required characteristics in addition to the improvement of plasma resistance.
  • strong oxygen plasma such as the sealing material of an oxygen plasma device, silicon oxide, titanium oxide, aluminum oxide, fluoride, etc.
  • Aluminum, normous sulfate, etc. are preferred, and if exposed to fluorine plasma, aluminum oxide, aluminum fluoride, sulfuric acid
  • a graphitizing force such as a pump or graphite is preferable.
  • the filler can be particulate or fibrous (or disc-like).
  • the particle size is not particularly limited, but is 5 ⁇ m or less from the viewpoint of uniform dispersion and the ability to form a thin film, particularly 1; um or less, and 0.5 m or less. Is preferred.
  • the lower limit is determined by the type of filler.
  • the surface of this filler has been subjected to a hydrophobic treatment, and the amount of water adsorbed on the filler surface has been greatly reduced.
  • the surface hydrophobizing treatment is performed by a hydrophobizing agent.
  • the hydrophobizing agent that can be suitably used in the present invention include a silylating agent, a silicone oil, and a silancoupling agent. can give .
  • R 1 is the same or different, and each is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • R 1 is the same or different, and each is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • R 2 is the same or different and is an alkyl or phenyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 3 is the same or different and is a hydrogen atom
  • n is an integer of 1 to 10.
  • Specific examples include dimethylsilicone oil.
  • R 4 is a vinyl group, a dalsidyl group, a methyl chlorooxy group, an amino group, a melcapto group, etc., and X is an alkoxy group. Is a halogen atom) is preferred.
  • vinyl trichlorosilane vinyl tris () 3_methoxyethoxy) silane, vinyltriethoxysilane Silane, vinyl trimethoxysilane,-(methacryloyloxypropyl) trimetoxirane, ⁇ -(3,4_epo) Glycitri oxy silane, ⁇ - (Glycidyl oxypropinol) Trimethyl xylan,-(Glycid xylo) ( Propyl ) methyl jet xylan, ⁇ — i3 — ( amino ethyl) mono- probiotic trimethyl silane , ⁇ — j3 — (ami Noethyl) — ⁇ / —Amino-propylmetyl jet oxysilane, _Nanophenyl Triethoxysilane, N-phenyl
  • the two-sided hydrophobization treatment with a silylating agent, silicone oil or silane coupling agent uses water, alcohol as a diluting solvent. (E.g., methanol, ethanol, isopanol, etc.), acetate, toluene, etc., to prepare a hydrophobic treatment solution.
  • the filler may be immersed in the container, air-dried, and then heat-treated in an inert gas stream.
  • the treatment agent concentration may be determined by calculating the amount of the treatment agent required to form a monomolecular film from the specific surface area of the filler, and from that amount.
  • the preferable combination of the filler and the surface hydrophobizing method and the treating agent is such that the metal oxide filler and mica are used as a silylating agent and a cyano agent. Irregularity or piramican also be applied to the processing error caused by the silane coupling agent, and is not applicable to power-on black backfighting. Appropriate treatment with concoils or silane coupling agents.
  • silicon oxide, aluminum oxide, or titanium oxide, such as silicon oxide is used as a silylating agent, silicone oil, or silicone cap. Those treated with a ring agent are preferred
  • a film surface-treated with a silylating agent or a silane coupling agent is available on the market. Can be used as a surface hydrophobizing treatment file in
  • the filler which has been subjected to the surface hydrophobization treatment is heat-treated in an inert gas stream.
  • This process is simply a table Hydrophobic treatment of the surface alone can only reduce the amount of water generated, but rather removes organic matter caused by treatment with organic surface treatment agents. This is done to solve the new problem of increasing the amount of organic gate gas because it remains on the surface.
  • Heat treatment is performed at 100 to 300 under an inert gas stream.
  • the inert gas examples include nitrogen gas, helium gas, and argon gas, and nitrogen gas is preferred. If this inert gas is contaminated with impurities, precious semiconductors will be wasted, so use semiconductor-specific inert gas.
  • the flow rate is not particularly limited, but the speed is such that the compounds vaporized or decomposed by heating and become gas-like do not stay around the filler. It becomes.
  • the heating temperature and time vary depending on the type of the surface-hydrophobicized filler to be heated (the type of the filler itself and the type of the surface-treating agent). By performing the heating for 0.5 to 4 hours within the range of up to 300 ° C, the amount of the organic outgas can be significantly reduced. Preferably, 0.5 to 3 hours at 100 to 250 hours, especially 0.5 to 2 hours at 100 to 200 ° C. If the heating temperature is too high, the surface treatment However, it may be degraded and denatured, and if it is too low, it may not be possible to decompose the treating agent residue that should be decomposed and removed. The same applies to the heating time.
  • the thus obtained filler of the present invention has a weight reduction rate of 2.5 ⁇ 10 5 double tortoise% Zm 2 or less, and further 2.0 ⁇ 10-5 weight% m or less. In particular, it is less than 1.5 ⁇ 10 5 % by weight / m 2 , and the amount of organic gas is less than 2.5 ppm, and further less than 2.0 ppm. In particular, it has a clean filler of 1.8 ppm or less.
  • This rate of weight loss is a parameter that is an indicator of the amount of water and organic readily decomposable compounds that cause atogas, and should be small.
  • the conventional surface treatment filer has been considerably improved in terms of the amount of generated water, but the amount of organic gas is relatively large. In other words, there is no filler in which the amount of the organic outgas has been greatly reduced as in the present invention, and it has been provided for the first time by the present invention.
  • the clean filler of the present invention is useful as various compositions in combination with a polymer.
  • the polymer to be combined is not particularly limited, and various resins and elastomers can be used.
  • the resin examples include a fluororesin, a furan resin, a vinyl acetate resin, a vinyl chloride resin, a vinylidene chloride resin, a polyacrylonitrile, and a resin.
  • the fluororesins include, for example, polytetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene-perfluoro (alkyl vinyl ether) copolymer, and tetrafluoroethylene copolymer.
  • Trifluoroethylene copolymer Hexafluoropropylene copolymer, polycloth trifluoroethylene, polyvinylidene polyfluoride, ethylene -Tetrafrelio mouth Ethylene copolymer, etc. can be used.
  • the tetrafluoroethylene is used in the semiconductor manufacturing field. (Vinyl vinyl ether) copolymer, and polycyclotrifluoroethylene are preferred.
  • the molding method is not particularly limited, and may be appropriately selected from extrusion molding, compression molding, injection molding, pro-molding, force-rendering molding, and transfer molding. .
  • a crosslinkable elastomer is preferred, for example, a fluorine-containing elastomer, a silicone-based elastomer.
  • Polymers, ethylene-vinyl acetate copolymer rubber, butadiene rubber, chloroprene rubber, butyl rubber, isoprene rubber, styrene-butadiene copolymer Rubber, tritrich rubber, etc. are removed.
  • the crosslinkable elastomer composition comprises a crosslinkable elastomer, the above-mentioned clean-ed filler of the present invention, and, if necessary, a crosslinking agent and a crosslinking assistant. It becomes something. In the case of crosslinking by ultraviolet rays or electron beams, a crosslinking agent or the like is unnecessary.
  • the amount of the filler may be appropriately selected, for example, from the viewpoint of reinforcing properties, but is usually 1 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the fluorine-containing elastomer. It is preferably from 2 to 30 parts by weight.
  • the crosslinkable elastomer composition of the present invention can be crosslinked in various crosslinked forms depending on the type of the crosslinkable elastomer and the type of the crosslinking agent.
  • the cross-linking molding conditions are not particularly limited, and may be appropriately selected within the conventional conditions.
  • the molded article of the present invention thus obtained has an amount of water generation of 40 Oppm or less, more preferably 200 ppm or less, an organic outgas amount of 0.03 ppm or less, and furthermore, Is 0.02 ppm or less Therefore, the amount of outgas has been reduced.
  • the conventional molded products containing the filler do not greatly reduce the amount of water and the amount of organic gaseous gas, as described above. This is the first molded article provided by the present invention.
  • crosslinkable elastomers When these crosslinkable elastomers are used as a raw material for the production of sealants for semiconductor manufacturing equipment, use fluorine-based elastomers and silicones. Green-based elastomers are preferred.
  • fluorine-based elastomer for example, it is necessary to produce a tangible material.
  • R f is a monofluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a perfluoroalkyl (poly) having 3 to 12 carbon atoms and having 1 to 3 oxygen atoms
  • a piniridene fluoride-based elastomer composed of 0 to 30 mol%.
  • the fluorine-containing multi-segment segment is a polymer
  • the elastomer-inclusive fluorine polymer chain segment is a tetrafluoro Ethylene 40-90 mol%, formula (5):
  • CF 2 CF-OR f
  • R f is a perfluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a perfluoroalkyl group having 3 to 12 carbon atoms and containing 1 to 3 oxygen atoms.
  • R f is a perfluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a perfluoroalkyl group having 3 to 12 carbon atoms and containing 1 to 3 oxygen atoms.
  • 0 to 5 mol% of a monomer which provides a cured site, and is a non-elastomer The monomeric fluorine-containing polymer chain segment is tetrafluoroethylene 85 to: 100 mol%, and the formula (6):
  • Rf 1 is CF 3 or OR f 2 (R f 2 is a C 1-5 perfluoroalkyl group)) Perfluoro consisting of 0 to 15 mol% Series thermoplastic elastomer.
  • Elastomer-containing fluoropolymer chain segment and non-elastomer-containing fluoropolymer chain segment In the case of fluorine-containing multi-segment lipopolymers, the elastomer-containing fluorinated polymer chain segment is a vinylidene fluoride 45 ⁇ 85 mol% and at least one other monomer copolymerizable with the vinylidene fluoride and at least one non-monomer containing a repeating unit derived from each other monomer. Perfluoro-based thermoplastic elastomer.
  • the other monomers include hexafluoro-propane, propylene-tetrafluoroethylene, tri-fluoro-ethylene, trifluoroethylene, and tri-fluoroethylene.
  • (V) iodine-containing fluorinated bierether units obtained by radical polymerization in the presence of a diiodine compound 0.005 to 1. 5 mol%, vinylidene fluoride unit 40-90 mol% and 1-fluoro- (methyl vinyl ether) 3-35 mol%
  • silicone elastomers for example, silicone rubber and fluorosilicone rubber are preferred.
  • the elastomer composition is cross-linked into the desired product shape.
  • the crosslinking method is generally peroxide crosslinking, but other known crosslinking methods, for example, a fluorine-containing elastomer in which a nitrile group is introduced as a crosslinking point.
  • a triazine bridge formed by using an organic tin compound to form a triazine ring using an organic tin compound (see, for example, Japanese Patent Publication No. 58-152041);
  • An oxazole ring is formed from bisaminophenol by using a fluorine-containing elastomer in which a tolyl group is introduced as a cross-linking point.
  • a zole cross-linking system see, for example, Japanese Patent Publication No. 59-109546
  • an imidazole cross-linking system that forms an imidazole ring with a tetraamine compound.
  • the thiazole ring is formed by bisaminothiophenol.
  • radiation crosslinking, electron beam crosslinking, and the like for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-104789
  • Particularly preferred crosslinking agents include a plurality of 3-amino-4-hydroxyphenyl groups and a 3-amino-4-methylcaptophenyl group. Or a compound having a 3,4-aminophenol group The material is removed.
  • 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (general) Name: bis (aluminophenol) AF, 2,2-bis (3-aminocaptophenyl) hexafluoropropane , Tetra-aminobenzen, bis-1,3 diaminofeniflemethane, bis-1,3,4-diaminofenyl2,2-bis ( 3,4-diaminophenyl) hexafluoropronone.
  • the amount of the crosslinking agent is preferably 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the elastomer.
  • the organic peroxide may be any of known organic peroxides that generate peroxyradicals under vulcanization temperature conditions.
  • Preferred organic peroxides are di-t-butyl peroxide, di-cumyl-no-oxide, 2,5-dimethyl 2,5-di (benzoyl peroxide).
  • the content of the organic peroxide is generally from 0.05 to 10 parts by weight, preferably from 1 to 5 parts by weight, per 100 parts by weight of the fluorine-based elastomer. If the content of the organic peroxide is less than 0.05 parts by weight, the fluorine-based elastomer will not be sufficiently crosslinked, while if it exceeds 10 parts by weight, the physical properties of the crosslinked product will be reduced. Make it worse.
  • a crosslinking assistant such as a polyfunctional co-crosslinking agent can be used.
  • the multifunctional co-crosslinking agent used is a multifunctional co-crosslinking agent used together with an organic peroxide in the peroxide cross-linking of a fluorine-based elastomer.
  • the agent can be used, for example, triluria cyanurate, trimethylaluisocyanurate, trililuisocyanurate, tria Aryl formaldehyde, triaryl phosphate, triaryl trimellitate, ⁇ , ⁇ '—one-four-lens male medium, zipropargilte Refle rate, terephthalate, tetra terephthalate amide, tris (gary ami) S-triagin , Tri-phosphorous acid, ⁇ , ⁇ -vinyl acrylamide, 1,6-divinyl decafluoride To mouth Bi to support emissions Ru is representative scan O-les-off fin, etc. Ru is the Oh-up et al.
  • a part of hydrogen atoms in the three aryl groups of the real aryl succinate is replaced with a fluorine atom having higher heat resistance.
  • Fluorine triluene cyanates can be suitably used (U.S. Pat. No. 4,320,216, W98 / 00407; , Klenovich, S.V. et al., Zh. Prikl, Khim. (Leningrad) (1987, 60 (3), 656-8).
  • the content of the crosslinking aid is determined by using a fluorine-based elastomer. Usually 100% by weight per mass. It is about 10 to 10 parts by weight, preferably 0.5 to 5 parts by weight.
  • a processing aid such as an internal release agent, etc. may be added.
  • Peroxide crosslinking can be carried out by a conventional method. No such inhibition of cross-linking occurs.
  • the molded product of the present invention is cleaned by a special cleaning method described in, for example, W-999 Z499797, i.e., ultrapure water.
  • the treatment is performed according to the method of cleaning with a clean organic compound that is liquid at the cleaning temperature or an inorganic aqueous solution, the method of dry etching cleaning, and the method of extraction cleaning.
  • a clean organic compound that is liquid at the cleaning temperature or an inorganic aqueous solution
  • the method of dry etching cleaning the method of extraction cleaning.
  • the filled molded article of the present invention can be applied to various molded articles, but in particular, the amount of outgas has been greatly reduced, so that semiconductor manufacturing equipment has been required. It is suitable for various parts for use.
  • the fluorine-containing elastomer molded article described above is suitable for use in the production of seal materials for encapsulation of semiconductor production equipment, which requires a particularly high degree of cleanliness. Wear .
  • Sealing materials include O-rings, corners-rings, gaskets, packings, oil seals, bearing seals, and lip seals. The throat is broken.
  • elastomer products such as diaphragms, tubes, hoses, and various types of rubber rolls. It can also be used as a coating material and a lining material.
  • the semiconductor manufacturing apparatus is not limited to an apparatus for manufacturing a semiconductor, but is a wide apparatus for manufacturing a liquid crystal panel or a plasma panel. This includes all manufacturing equipment used in the semiconductor field where a high degree of cleanliness is required.
  • Reactive ion etching device Reactive ion beam etching device Snow ⁇ ° Sunset etching device
  • Soxhlet extraction cleaning device High-temperature high-pressure extraction cleaning device
  • hexamethylsilazane a silylating agent, to sell fumed silica (cap pot, specialty, chemical, etc.) Cab-O-Sil M-7D manufactured by Luz Co., Ltd.
  • Hydrophobic treatment of average particle size 0.02 ⁇ m, specific surface area 200m 2 / g), and 20 g of treated filler is nitrogen gas stream
  • the clean-filler of the present invention was produced.
  • a sample (filler) was placed in an aluminum container and l.Og was placed in it, heated at 200 ° C for 2 hours under a stream of nitrogen gas, and the heated weight (g) was measured. You The weight after heating is substituted into the following equation to calculate the weight reduction rate per unit surface area (% by weight Zm 2 ).
  • Weight loss rate // Specific surface area (m 2 , g ) Weight before heating (g)
  • Example 2 (manufacture of a clean filter)
  • Hexamethyldisilazane a silylating agent
  • ADP-G008 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd .; average particle size 0
  • 02 ⁇ Hydrophobic treatment of specific surface area 150m 2 Z g), and apply 20 g of the treated filler at 200 ° C under nitrogen gas flow (flow rate 20 liter / min).
  • the heated filler was heated for 2 hours to produce the cleaned filler of the present invention.
  • Comparative Example 1 Weight loss and organic content of the fumed silica of Example 1, which had been subjected to hydrophobized surface treatment with hexamethyldisilazane, a silylating agent, before heat treatment The system gas amount was measured in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results.
  • Example 1 silica to key shark Chino register silazane 200 ° CX 2hr 0.1 0.06
  • Example 2 silica poly dimethylcarbamoyl Honoré polysiloxane 200 ° CX 2hr 1.3 0.06
  • Example 3 Aluminum oxide Hexamethyldisilazane 200 ° CX 2hr 0.1 0.06 Comparative Example 1 Silica Hexamethyldisilazane None 0.1 2.71 Comparative Example 2 Silica Polydimethinolesiloxane None 1.3 2.53 Comparative Example 3 Aluminum oxide Hexamethyldisilazane None 0.1 2.71 Comparative Example 4 Silica None None 3.0 1.52 Comparative Example 5 Aluminum Oxide None None 4.0 1.47
  • the weight reduction rate is greatly reduced, but the amount of organic outgas is increased.
  • the filler of the present invention heat-treated in an inert gas stream has the same weight loss rate as the hydrophobically treated filler, but the organic-based filler has a reduced weight. The amount of gaseous gas was significantly reduced compared to the non-hydrophobicized filler, indicating that a high degree of cleansing was achieved.
  • TFEZ PMVE 20/80 molar ratio
  • diiodide I (CF 2 ) 4 14. Og was injected under nitrogen pressure. Then, a mixed gas of TFE and PMVE (molar ratio 19/23) is injected into the plunger pump, and the pressure is increased and decreased between 1.08 and: 1.18 MPa * G. Repeated.
  • the aqueous emulsion is frozen in dry ice / methanol to perform coagulation. After thawing, the coagulated material is washed with water and dried in vacuo to remove the elastomer. A one-dimensional copolymer was obtained.
  • the Mooney viscosity ML1 + 10 (100 ° C) of this polymer was 63.
  • the iodine content obtained therefrom was 0.03% by weight.
  • the O-ring of the sample is heated at 200 ° C for 30 minutes in a nitrogen atmosphere, and the generated moisture is measured using a Karfisher moisture analyzer (Hiranuma Sangyo Co., Ltd.) ).
  • the O-rings (AS-568A-214) produced above were placed in glass-made dishes, and heated at 150 ° C for 60 minutes in a nitrogen atmosphere.
  • the weight loss rate and the number of generated particles in the plasma treatment step were measured by the following methods. Table 3 shows the results.
  • the plasma irradiation treatment is performed under the following conditions, and the weight change (% by weight) before and after the irradiation is measured to determine the change in weight.
  • Oxygen ( ⁇ 2) flops La Zuma irradiation treatment
  • a real gas empty discharge is performed for 5 minutes as a chamber pretreatment. Then, the scale containing the sample is placed at the center of the RF electrode, and irradiation is performed under the above conditions.
  • Plasma Dryer Cleaner Model PX-1000 manufactured by Sam Co., Ltd. National Laboratory vacuum pressure 50mTorr, oxygen or CF 4 flow 200cc min.
  • Oxygen plasma or CF 4 plasma is generated under the conditions of 400 W, power, and frequency of 13.56 MHz, and the oxygen plasma or CF 4 plasma is sampled (0 to 1 liter). Irradiation for 3 hours under reactive ion etching (RIE) conditions. After irradiation, the sample is exposed to ultrasonic waves in ultrapure water at 25 for 1 hour to remove the released particles into the water, and the particle size is 0.2 ⁇ m or more.
  • RIE reactive ion etching
  • the number of particles (Z liters) of the particles in the liquid is exposed to light by irradiating ultrapure water containing the particles flowing into the sensor section with the particle quantification method (Z liter).
  • Oxygen plasma CF 4 plasma Oxygen plasma CF 4 plasma
  • Example 3 Example 0.30 0.19 0.78 0.87
  • the filler that has been treated according to the present invention is the same as the filler that has not been treated in the plasma treatment step or has only the hydrophobic surface treatment. You can see that Zuma does not have a significant effect.
  • the heat-treated filler according to the present invention after being subjected to the heat treatment, has a reduced amount of generated water and a reduced amount of organic gas, and is extremely clean. As a result, an elastomer composition and a molded article suitable as a molded article material for a semiconductor manufacturing apparatus can be provided.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

明 糸田 ク リ ー ン フ ィ ラ ー を配合 し た高分子重合体組成物 技術分野
本発 明 は水分発生量 と 有機系 の ァ ゥ ト ガス 量の い ずれ も が低減化 さ れた極め て ク リ ー ン な フ ィ ラ ー を使用 し た 高分子重合体組成物、 半導体製造装置 に好適 に使用 で き る 成形 品、 こ れ に使用 す る ク リ ー ン化 さ れた フ イ ラ 一お よ びそ の製法 に 関す る 。 背景技術
一般 に 、 高分子重合体 に はそ の補強用 と し て種々 の無 機 フ イ ラ 一が配合 さ れて い る 。 こ の フ イ ラ 一入 り の重合 体 は ク リ ー ンな環境が要求 さ れ る 半導体製造装置の 各種 部 品用 材料 と し て も 使用 さ れて い る 。
近年 、 半導体 の 高性能化 に と も な っ て ま す ま すそ の製 造環境 の よ り 高度な ク リ ー ン化が要求 さ れて き てお り 、 単 にパーティ ク ル と い われる微粒子の排除だけではな く 、 半導体製造過程 に お い て発生す る ガス 状 の不純物 (一般 に 「不純物 ァ ゥ 卜 ガス 」 と い われて い る ) を も で き る だ け低減化す る よ う 求め ら れて い る 。
こ う し た不純物 ア ウ ト ガス に は、 水分 の ほ か ジォ ク チ ル フ 夕 レー ト ( D O P ) な ど の有機系 の ガ ス が あ り 、 ま ず 高分子重合体側か ら の ァ ゥ ト ガス 量の低減化 が図 ら れて い る 。
さ ら に高分子重合体材料 に 比較的多 く 含 ま れて い る フ イ ラ 一 に つ いて も 高度 に ク リ ー ン化す る こ と が必要 と 考 え 、 ま ずは特殊な洗浄 を 施す こ と に よ り 、 つ い で水分発 生量 を 低減化す る た め に 表面 を シ ラ ンカ ツ プ リ ン グ剤な どで処理 して表面水酸基量 を少 な く する方法 を 開 発 した。
し カゝ し こ の方法で は水分ァ ゥ ト ガ ス の発生量はか な り 低減化で き る が、 有機系 の ア ウ ト ガ ス 量が増加 こ そすれ 少 な く はな ら ず、 さ ら な る 改良 の余地が あ っ た。
本発明者 ら は、 フ ィ ラ ー の ク リ ー ン化処理 に お い て、 フ イ ラ 一 の表面 を疎水化 し た の ち 不活性ガ ス 気流下 に お い て加熱す る こ と に よ り 、 水分 ア ウ ト ガス 量だ けで な く 有機系 の ァ ゥ ト ガス を も 低減化 さ れた フ ィ ラ 一 を提供す る こ と がで き る こ と を見 出 し 、 本発明 を完成す る に い た つ た 。 発 明 の 開示
す な わ ち 本発 明 は、 200 で 2 時 間加熱 し た と き の単 位表面積当 た り の重量減少率 (以下、 単 に 「重量減少率」 と い う ) が 2. 5 X 10一 5重量 % / m2以下、 好 ま し く は 2. 0
X 10— 5重量 % / m2以下、 さ ら に好 ま し く は 1. 5 X 10— 5重 量 % Z m2以下で あ り 、 カゝ っ 200 で 15分間加熱 し た と き の 有機系 ガス の総発生量 (以下、 単 に 「有機系 ア ウ ト ガ ス 量」 と い う ) が 2. 5ppm以下、 好 ま し く は 2. 0ppm以下 さ ら に好 ま し く は 1. 8ppm以下で あ る フ ィ ラ ー と 高 分子 重合体 と か ら な る 高分子重合体組成物 に 関す る 。
高分子重合体 と し て は架橋性エ ラ ス ト マ一 、 た と え ば 架橋性 フ ッ 素系 エ ラ ス ト マ ー 、 と く に架橋性パー フ ルォ 口 エ ラ ス ト マ一が好 ま し い 。
こ の 高分子重合体組成物 に よ れば、 従来 の重合体お よ び フ ィ ラ ー の処理法で は達成で き な か っ た 、 200 °C で 30 分間加熱 し た と き の水分発生量 (以下、 単 に 「水分発 生 量」 と い う ) が 400ppm以下で あ り 、 か つそ の と き の 有 機系 ァ ゥ ト ガス 量が 0. 03ΡΡΠ1以下で あ る 成形品 を与 え る こ と がで き る 。
本発 明 の 成形 品 、 と く に エ ラ ス ト マ 一 の架橋成形品 は、 半導体製造装置 の部品 、 と く に 半導体製造装置の封止 の た め に用 い る シール材 と し て好適で あ る 。
本発 明 は ま た 、 高度 に ク リ ー ン化 さ れた上記特定 の フ ィ ラ ー に も 関す る 。
かか る ク リ ー ン化 さ れた フ ィ ラ ー は、 表面が疎水化処 理 さ れた フ ィ ラ ー を窒素 ガ ス な ど の不活性ガ ス気流下 に て 100〜 300 で 0. 5〜 4 時間加熱処理す る こ と に よ り 得 ら れ る 。
フ ィ ラー の表面疎水化処理 に使用 する処理剤 と しては、 シ リ ル化剤 、 シ リ コ ー ン オイ ル、 シ ラ ン カ ツ プ リ ン グ剤 な どが好 ま し く 使用 で き る 。 発 明 を 実施す る た め の最良 の形態 本発 明 に お い て好適 に使用 で き る フ ィ ラ ー と し て は、 被覆層用 樹脂へ の分散性ゃ耐薬品性、 吸湿性、 耐プ ラ ズ マ性、 耐電磁波特性な ど の観点か ら 選択す る こ と が望 ま れ、 金属酸化物 、 金属窒化物 、 金属炭化物、 金属八 ロ ゲ ン化物 、 金属硫化物 、 金属塩、 金属水酸化物な ど の 金属 系 フ イ ラ一、 力 一 ボ ン ブ ラ ッ ク 、 黒鉛化カ ー ボ ン、 ダ ラ フ ア イ ト な ど の 炭素系 フ ィ ラ ー の 少な く と も 1 種が例 示 で き る 。 特 に金属系 フ イ ラ 一 が耐プ ラ ズマ性 に優れて い る こ と か ら 好 ま し い 。
金属酸化物 と し て は、 た と え ば酸化ケィ 素、 酸化バ リ ゥ ム 、 酸化チ タ ン 、 酸化 ア ル ミ ニ ウ ム 、 酸化銀、 酸化べ リ リ ウ ム 、 酸化 ビス マ ス 、 酸化 ク ロ ム 、 酸化ホ ウ 素 、 酸 化 カ ド ミ ウ ム 、 酸化銅 、 酸化鉄、 酸化ガ リ ウ ム 、 酸化ゲ ルマ ニ ウ ム 、 酸化ハ フ ニ ウ ム 、 酸化イ リ ジ ウ ム 、 酸化 ラ ン タ ン、 酸化 リ チ ウ ム 、 酸化マ グネ シ ウ ム 、 酸化 マ ン ガ ン 、 酸化モ リ ブデ ン 、 酸化ニオ ブ、 酸化ネ オ ジ ブ、 酸化 ニ ッ ケル、 酸化鉛、 酸化 プ ラ セ ォ ジ ゥ ム 、 酸化 ロ ジ ウ ム 、 酸化 ア ンチモ ン 、 酸化ス カ ン ジ ウ ム 、 酸化ス ズ、 酸化ス ト ロ ンチ ウ ム 、 酸化 タ ン タ ル、 酸化 ト リ ウ ム 、 酸化バナ ジ ゥ ム 、 酸化 タ ン グス テ ン 、 酸化亜鉛、 酸化 ジル コ ニ ゥ ム な どがあ げ ら れ、 耐薬 品性、 化学的安定性 に優 れて い る 点か ら 、 酸化ケ ィ 素、 酸化チ タ ン 、 酸化 ア ル ミ ニ ウ ム が好 ま し い 。 補強性 の 点力ゝ ら 、 酸化ケィ 素が特 に 好 ま し い 。
金属窒化物 と し て は、 た と え ば窒化 リ チ ウ ム 、 窒化チ タ ン 、 窒化 アル ミ ニ ウ ム 、 窒化ホ ウ 素 、 窒化バナ ジ ウ ム 、 窒化 ジル コ ニ ウ ム な どが あ げ ら れ、 耐プ ラ ズマ性 、 化学 的安定性、 工業的汎用 性な ど に優れ る 点か ら 、 窒化チ タ ン 、 窒化 ア ル ミ ニ ウ ム が好 ま し い 。
金属炭化物 と し て は、 た と え ば炭化ホ ウ 素 、 炭化 カ ル シ ゥ ム 、 炭化鉄、 炭化マ ン ガ ン 、 炭化チタ ン 、 炭化 ケ ィ 素 、 炭化バ ナ ジ ウ ム 、 炭化 ア ル ミ ニ ウ ム な ど が上 げ ら れ、 耐薬品性、 化学的安定性 に優れて い る 点か ら 、 炭化 ケィ 素 、 炭化チ タ ンが好 ま し い 。
金属ハ ロ ゲ ン化物 と し て は、 た と え ば塩化銀、 フ ッ 化 銀、 塩化 ア ル ミ ニ ウ ム 、 フ ッ 化 アル ミ ニ ウ ム 、 塩化バ リ ゥ ム 、 フ ッ 化バ リ ウ ム 、 塩化カ ル シ ウ ム 、 フ ッ 化 カ ル シ ゥ ム 、 塩化カ ド ミ ウ ム 、 塩化 ク ロ ム 、 塩化セ シ ウ ム 、 フ ッ 化セ シ ウ ム 、 塩化銅 、 塩化カ リ ウ ム 、 フ ッ 化 カ リ ウ ム 、 塩化 リ チ ウ ム 、 フ ツ イ匕 リ チ ウ ム 、 塩化 マ グネ シ ウ ム 、 フ ツ イ匕マ グネ シ ウ ム 、 塩化マ ン ガ ン 、 塩化ナ ト リ ウ ム 、 フ ッ 化ナ ト リ ウ ム 、 塩化 ニ ッ ケル、 塩化鉛、 フ ッ 化鉛、 塩 化ル ビ ジウ ム 、 フ ッ 化ル ビ ジ ウ ム 、 塩化ス ズ、 塩化 ス ト ロ ン チ ウ ム 、 塩化 タ リ ウ ム 、 塩化バナ ジ ウ ム 、 塩化亜鉛、 塩化 ジル コ ニウ ム な ど の金属塩化物 ま た は金属 フ ッ 化物 や 、 こ れ ら の臭化物 ま た は ヨ ウ 化物が あ げ ら れ、 吸湿性 が小 さ く 化学的安定性 に優れて い る 点か ら 、 フ ッ 化 ァ ル ミ ニ ゥ ム 、 フ ッ 化ノ リ ウ ム が好 ま し い 。
金属塩は式 : M n A m ( M は金属、 A は各種無機酸 の 残 基、 mお よ び n はそれぞれの価数 に よ っ て適宜決 ま る ) で表わ さ れる も の で あ り 、 た と え ば各種金属 の硫酸塩、 炭酸塩、 リ ン酸塩、 チ タ ン酸塩、 ケィ 酸塩、 硝酸塩な ど が あ げ ら れる 。 具体例 と し て は、 た と ば硫酸 アル ミ ニ ゥ ム 、 炭酸バ リ ウ ム 、 硝酸銀、 硝酸バ リ ウ ム 、 硫酸バ リ ゥ ム 、 チ タ ン酸バ リ ウ ム 、 炭酸カ ル シ ウ ム 、 硝酸カ ル シ ゥ ム 、 リ ン酸カ ル シ ウ ム 、 ゲイ 酸カ ル シ ウ ム 、 チタ ン酸力 ル シ ゥ ム 、 硫酸カ ド ミ ウ ム 、 硫酸 コ バル ト 、 硫酸銅 、 炭 酸第一鉄、 ケィ 酸鉄、 チタ ン酸鉄、 硝酸カ リ ウ ム 、 硫酸 カ リ ウ ム 、 硝酸 リ チ ウ ム 、 炭酸マ グネ シ ウ ム 、 硝酸マ グ ネ シ ゥ ム 、 ケィ 酸マ グネ シ ウ ム 、 チタ ン酸マ グネ シ ウ ム 、 炭酸マ グネ シ ウ ム 、 硫酸マ ン ガ ン 、 ケィ 酸マ ン ガ ン 、 炭 酸 ナ ト リ ウ ム 、 硝酸ナ ト リ ウ ム 、 硫酸ナ ト リ ウ ム 、 ケィ 酸 ナ ト リ ウ ム 、 チ タ ン酸ナ ト リ ウ ム 、 硫酸ニ ッ ケル、 炭 酸鉛 、 硫酸鉛、 炭酸ス ト ロ ンチ ウ ム 、 硫酸ス ト ロ ンチ ウ ム 、 チ タ ン酸ス ト ロ ン チ ウ ム 、 炭酸亜鉛、 硫酸亜鉛、 チ タ ン酸亜鉛な どが あ げ ら れ、 耐プ ラ ズマ性や化学的安定 性 に 優れて い る 点か ら 、 硫酸バ リ ウ ム 、 硫酸 アル ミ ニ ゥ ム が好 ま し い 。
金属水酸化物 と し て は、 た と え ば水酸化カ ル シ ウ ム 、 水酸化 マ グネ シ ゥ ム な どが あ げ ら れ る 。
金属硫化物 と し て は、 硫化銀、 硫化カ ル シ ウ ム 、 硫化 カ ド ミ ウ ム 、 硫化 コ ノ ル ト 、 硫化銅、 硫化鉄、 硫化 マ ン ガ ン 、 二硫化モ リ ブデ ン 、 硫化鉛、 硫化ス ズ、 硫化亜鉛、 二硫化 タ ン グス テ ンな どが あ げ ら れ る 。
こ れ ら の う ち 、 金属系 フ イ ラ一、 特 に金属酸化物 、 金 属窒化物お よ び金属炭化物が一般的 に 吸湿性が小 さ く 、 耐薬品性 に優れて い る 点で特 に好 ま し い 。
フ ィ ラ ー は耐プ ラ ズマ性 の 向上以外 に も 他 の要求特性 に応 じ て適宜選択す る こ と が好 ま し い 。 た と え ば、 酸素 プ ラ ズマ装置 の シール材の よ う な強力 な酸素 プラ ズマ に 曝 さ れ る 場合 に は酸化ケィ 素 、 酸化チ タ ン 、 酸化 ア ル ミ 二 ゥ ム 、 フ ッ 化 アル ミ ニ ウ ム 、 硫酸ノ リ ウ ム な ど が好 ま し く 、 フ ッ 素 プ ラ ズマ に 曝 さ れ る 場合 は酸化 アル ミ ニ ゥ ム 、 フ ッ 化 ア ル ミ ニ ウ ム 、 硫酸バ リ ウ ム 、 窒化ア ル ミ 二 ゥ ム な どが好 ま し く 、 さ ら に シ一ル材 の過昇温防止 の た め の 除熱機構 を施 し た箇所で の シール材な ど の よ う な熱 伝導性が要求 さ れ る 場合 は黒鉛化力 一 ポ ン プ ラ ッ ク 、 グ ラ フ ァ イ ト な どが好 ま し い 。 さ ら に 回転部で の動 的 シー ルの よ う な低摩擦性が要求 さ れ る 場合 は二硫化モ リ ブデ ン 、 炭化ホ ウ 素な どが好 ま し く 、 マイ ク ロ 波導波系 内 シ ールな ど の よ う な高周波 の電磁波 に 曝 さ れ る 場合 は酸化 ア ル ミ ニ ウ ム 、 酸化ゲイ 素な ど の低誘電率、 低誘電正接 でか つ 低誘電損失の フ ィ ラ ーが好 ま し い 。 ま た、 成形品 か ら ァ ニオ ン 系 の ガス の発生 を低減す る 場合 は、 受酸作 用 の あ る 炭酸カ ル シ ウ ム 、 水酸化カ ル シ ゥ ム 、 酸化 ゲイ 素 な どが好適で あ る 。 こ れ ら の フ イ ラ 一 は 2 種以上混合 使用 し て も よ い 。
フ ィ ラ ー は粒子状で も 繊維状 ( ま た は ゥ ィ ス カ ー 状) で も よ い 。 粒子状の場合 は特 に 限定 さ れな い が、 均一分 散性、 薄膜が可能で あ る 点か ら 5 μ m以 > 、 特 に 1 ; u m以 下 、 さ ら に 0 . 5 m以下が好 ま し い 。 下限は フ ィ ラ 一 の種 類 に よ つ て決 ま る 。
こ の フ ィ ラ 一 は本発 明 に お い て は表面が疎水化処理 さ れ、 フ ィ ラ ー表面 に 吸着す る 水分量 を 大幅 に 減 ら さ れて い る 。 表面疎水化処理 は疎水化処理剤 に よ り 行な う 。 本 発 明で好適 に使用 で き る 疎水化処理剤 と し て は、 た と え ばシ リ ル化剤、 シ リ コ ー ン オイ ル、 シ ラ ン 力 ッ プ リ ン グ 剤 な どが あ げ ら れ る 。
シ リ ル化剤 と し て は、 式 ( 1 ) :
R 1
R - S i
R 1
(式 中 、 R 1は同 じ か ま た は異な り 、 い ずれ も 炭素数 1 〜 4 の アルキル基で あ る ) で示 さ れ る も の が好 ま し い 。 具 体的 に は、 た と え ば ト リ メ チリレ ク ロ ロ シ ラ ン 、 ジ メ チル ジ ク ロ ロ シ ラ ン 、 へ キサ メ チル ジ シ ラ ザ ン 、 N , O—ビス
( ト リ メ チル シ リ ル) ァ セ ト ア ミ ド 、 N — ト リ メ チル シ リ ルァセ ト ア ミ ド 、 N, N ' —ビス ( ト リ メ チル シ リ ル) ゥ レ ア 、 N— ト リ メ チルシ リ ルジェチルァ ミ ン 、 N— ト リ メ チルシ リ ルイ ミ ダゾール、 t—ブチル ジ メ チル ク 口 ロ シ ラ ン な どが あ げ ら れ る 。
シ リ コ ー ンオイ ル と し て は、 式 ( 2 )
R R R
R - S i -(O S i > 〇 S i- R
Figure imgf000010_0001
(式 中 、 R 2は同 じ か ま た は異な り い ずれ も 炭素数 1 〜 4 の アルキル基 ま た は フ エ ニル基、 R 3は 同 じ か ま た は異な り いずれ も 水素原子、 炭素数 1 〜 4 の ア ルキ ル基 ま た は フ エ ニル基、 n は 1 〜 1 0の 整数で あ る ) で示 さ れ る も の が好 ま し い 。 具体例 と し て は、 た と え ばジ メ チル シ リ コ ー ン オイ ルな どが あ げ ら れ る 。
シ ラ ン カ ッ プ リ ン グ剤 と し て は、 式 ( 3 ) :
4
R S X 3
(式 中 、 R 4は ビ ニル基、 ダル シ ジル基、 メ 夕 ク リ ロ キ シ 基、 ア ミ ノ 基、 メ ルカ プ ト 基な どで あ り 、 X はアル コ キ シ基 ま た ははハ ロ ゲ ン原子で あ る ) で示 さ れ る も の が好 ま し い 。 具体例 と し て は、 た と え ば ビニル ト リ ク ロ ロ シ ラ ン 、 ビ ニル ト リ ス ( ]3 _メ ト キ シ エ ト キ シ ) シ ラ ン 、 ビニル ト リ エ ト キ シ シ ラ ン 、ビニル ト リ メ ト キ シ シ ラ ン 、 - ( メ タ ク リ ロ イ ルォ キ シ プ ロ ピ リレ) 卜 リ メ ト キ シ シ ラ ン 、 β - ( 3, 4 _エ ポ キ シ シ ク ロ へキ シル) ェチル ト リ メ 卜 キ シ シ ラ ン 、 γ - ( グ リ シ ジルォ キ シ プ ロ ピノレ) ト リ メ ト キ シ シ ラ ン 、 ― ( グ リ シ ジルォキ シ プロ ピ ル) メ チルジ ェ ト キ シ シ ラ ン、 Ν— i3 — ( ア ミ ノ エチル) 一 Ί ーァ ミ ノ プ ロ ビル ト リ メ ト キ シ シ ラ ン 、 Ν— j3 — (ァ ミ ノ ェチル) — τ / —ア ミ ノ プ ロ ピルメ チル ジ ェ ト キ シ シ ラ ン 、 了 _ ァ ノ プ ロ ピ ル ト リ エ ト キ シ シ ラ ン 、 N—フ ェ ニル
— 了 — ァ ミ ノ ブ 口 ピ ル 卜 リ メ ト キ シ シ ラ ン 、 Ί—メ リレカ プ 卜 プ 口 ピル 卜 リ メ ト キ シ シ ラ ン 、 y—ク ロ ロ ブ 口 ピ ル 卜 リ メ 卜 キ シ シ ラ ン な どがあ げ ら れ る 。
シ リ ル化剤 、 シ リ コ ー ンオイ ル ま た は シ ラ ン力 ッ プ リ ン グ剤 よ る 2¾面疎水化処理 は、 た と え ば希釈溶媒 と し て水、 ァ ル コ 一ル ( メ タ ノ ール、 エ タ ノ ー ル、 ィ ソ プ 口 パ ノ ―ルな ど) 、 ア セ ト ン、 ト ルエ ン な ど を使用 し て疎 水化処 剤溶液 を 調製 し 、 そ の 中 に フ ィ ラ ー を浸漬 し 、 風乾後 不活性ガ ス 気流下で加熱処理 を行な え ばよ い 。 処理剤 度は 、 フ ィ ラ ー の 比表面積か ら 単分子被膜 を 形 成す る の に必要な処理剤量 を算 出 し 、 そ の 量か ら 決定す れ ばよ い
本発 明 にお い て好 ま し い フ イ ラ 一 と 表面疎水化処理法 お よ び処理剤 の組合せ は、 金属酸化物 フ ィ ラ ーや雲母は シ リ ル化剤、 シ — ン ォイ リレ ま た ίま シ ラ ン カ ツ プ リ ン グ剤 に よ る 処理 の レ ずれ も が適用 で さ 、 力一ボ ン ブ ラ ッ ク ゃ グ フ ア イ 卜 に対 し て は シ リ コ ー ン ォィ ルま た は シ ラ ン力 ッ プ リ ン グ剤 に よ る 処理が適 当 で あ る 。 と く に シ リ 力 な ど の酸化 ケ ィ 素、 酸化 アル ミ ニ ゥ ム ま た は酸化チ タ ン を シ リ ル化剤 、 シ リ コ ー ン オイ ル ま た は シ ラ ン カ ツ プ リ ン グ剤 に よ り 処理 し た も の が好 ま し い
なお シ リ ル化剤 ま た はシ ラ ン力 ッ プ リ ン グ剤で表面 処理 さ れた フ ィ は市販 さ れてお Ό 、 こ れ ら の う ち 疎 水性の い も の は本発明 にお け る 表面疎水化処理 フ イ ラ 一 と し て使用 で さ る
本発明で は、 つ ぎに表面疎水化処理 さ れた フ ィ ラ ー を 不活性ガ ス 気流下で加熱処理す る 。 こ の処理 は、 単 に表 面 を疎水化処理 し た だ けで は水分発生量 を低減化す る こ と がで き る だ け で あ り 、 却 っ て有機系 の表面処理剤 に よ る 処理 に起 因す る 有機物が表面 に 残存す る た め有機系 ァ ゥ ト ガス 量が増大 し て し ま う と い う 新 た な課題 を解決す る た め に行な う も の で あ る 。
加熱処理 は 、 不活性ガス 気流下で 100〜 300 にて 0. 5
〜 4 時間処理す る こ と に よ り 行な う 。
不活性ガ ス と し て は 、 窒素ガ ス 、 ヘ リ ウ ム ガス 、 ア ル ゴ ンガス な どが あ げ ら れ、 窒素 ガ ス が好 ま し い。 こ の不 活性ガス が不純物で汚染さ れて い た場合 、 せ っ か く の ク リ ー ン さ が無駄 に な る ので、 半導体仕様 の不活性ガ ス を 使用 する 。 流速 は と く に 限定 さ れな い が、 加熱に よ り 蒸 発 ま た は分解 し ガ ス 状 にな っ た化合物 を フ ィ ラ ー の周 囲 に滞留 さ せな い程度の早 さ が基準 と な る 。
加熱温度お よ び時間 は加熱 さ れ る 表面疎水化処理 フ ィ ラ ー の種類 ( フ ィ ラ ー 自 体お よ び表面処理剤 の種類) な ど に よ っ て異な る が、 前記 の 100〜 300 °C の範囲内で 0. 5 〜 4 時間行な う こ と に よ り 、 有機系 ア ウ ト ガス量 を大幅 に 低減化 で き る 。 好 ま し く は 100〜250 に て 0. 5 〜 3 時間、 と く に 100〜 200 °C にて 0. 5〜 2 時 間が採用 さ れる 加熱温度が高す ぎ る と 表面処理剤 ま で も 分解変性 し て し ま う こ と が あ り 、 低す ぎる と 分解除去すべ き処理剤残渣 を分解で き な い こ と が あ る 。 加熱時間 に つ い て も 同様で め る 。
か く し て得 ら れ る 本発明 の フ イ ラ 一 は、 重量減少率が 2. 5 X 10 5重 鼈 % Z m2以下、 さ ら に は 2. 0 X 10- 5重量 % m 以下、 と く に 1. 5 X 10 5重量 % / m2以下で あ り 、 有 系 ァ ゥ ト ガス 量が 2. 5ppm以下、 さ ら に は 2. 0ppm以下 と く に 1 . 8 p p m以下 の ク リ ー ンな フ ィ ラ ーで あ る 。
こ の 重量減少率 はァ ゥ ト ガ ス の原 因 と な る 水分お よ び 有機系 の 易 分解性の化合物 の存在量 の 指標 に な る フ ァ タ タ ーで あ り 、 小 さ けれ ば小 さ い ほ ど使用 現場での ァ ゥ ト ガ ス (水分お よ び有機化合物) 発生量が少な く な る 。 前 述 の と お り 、 従来 の表面処理 フ イ ラ 一 は水分発生量 の 点 で はか な り 改善 さ れて い る が有機系 ァ ゥ ト ガ ス 量が比較 的多 く な っ てお り 、 本発明 の よ う に 有機系 ア ウ ト ガ ス 量 が大幅 に低減化 さ れた フ イ ラ 一 は存在せず、 本発明 で初 め て提供で き た も ので あ る 。
本発 明 の ク リ 一 ンな フ ィ ラ ー は高分子重合体 と 組み合 わせて各種の組成物 と し て有用 で あ る 。 組み合わす高分 子重合体は と く に 限定 さ れず、 各種 の樹脂や エ ラ ス ト マ 一が使用 で き る 。
樹脂 と し て は、 た と え ばフ ッ 素樹脂、 フ ラ ン樹脂 、 酢 酸 ビニル樹脂、 塩化 ビエル樹脂、 塩化 ビニ リ デ ン樹脂 、 ポ リ ア ク リ ロ ニ ト リ ル、 メ ラ ミ ン樹脂、 ユ リ ア樹脂 、 フ エ ノ 一 ル樹脂、 ポ リ ア ミ ド 樹脂、 ポ リ ス チ レ ン、 ポ リ エ ス テル、 ポ リ ウ レ タ ン 、 ポ リ エ チ レ ン 、 ポ リ プ ロ ピ レ ン 、 ェポ シ キ樹脂、 ポ リ カ ーボネ ー ト 、 メ タ ク リ ル樹 Jf A
B S 樹脂 な ど が あ げ ら れ る 。 フ ッ 素樹脂 と し て は、 た と え ばポ リ テ ト ラ フ ルォ ロ エチ レ ン 、 テ ト ラ フ ルォ ロ ェチ レ ン 一 パ 一 フ ルォ ロ ( アルキル ビニルエーテル) 共重合 体、 テ ト ラ フ ルォ ロ エチ レ ン 一 へ キサ フ ルォ ロ プ ロ ピ レ ン共重合体、 ポ リ ク ロ 口 ト リ フ ルォ ロ エチ レ ン、 ポ リ フ ッ 化 ビニ リ デ ン 、 エチ レ ン ー テ ト ラ フ リレオ 口 エチ レ ン共 重合体な どが あ げ ら れ る 。 と く に半導体製造分野で用 い ら れて い る テ ト ラ フ ルォ ロ エチ レ ン ー ノ ー フ リレオ 口 ( ァ ルキル ビニルエー テル) 共重合体、 ポ リ ク ロ 口 ト リ フ ル ォ ロ ェチ レ ンが好 ま し い 。
こ れ ら の 樹脂 と 組み合わせて各種の成形 品 (た と え ば ガス ケ ッ 卜 、 チ ュ ー ブ、 バル ブ、 コ ッ ク 、 フ ィ ルム 、 シ 一 卜 な ど) や塗料な ど に好適 に適用 で き る 。 成形法 は と く に 限定 さ れず、 押 出成形、 圧縮成形、 射出成形、 プ ロ 一成形、 力 レ ン ダ一成形、 ト ラ ン ス フ ァ ー成形な ど か ら 適宜選定すれ ばよ い 。
エ ラ ス 卜 マ 一 と し て は架橋性 の エ ラ ス ト マ 一が好 ま し く 、 た と え ば含 フ ッ 素エ ラ ス ト マ 一 、 シ リ コ ー ン 系 エ ラ ス 卜マ一、 エチ レ ン 一 酢酸 ビニル共重合体 ゴム、 ブ タ ジ ェ ン ゴム 、 ク ロ ロ プ レ ン ゴム 、 ブチル ゴム 、 イ ソ プ レ ン ゴム 、 ス チ レ ン 一 ブタ ジエ ン共重合体 ゴム 、 二 ト リ ル ゴ ム な どがあ げ ら れ る 。
架橋性ェ ラ ス ト マー組成物 は、 架橋性エ ラ ス ト マ 一 と 前記 ク リ ー ン化 さ れた本発 明 の フ イ ラ 一、 さ ら に要すれ ば架橋剤、 架橋助剤な どか ら な る 。 紫外線や電子線 な ど で架橋す る 場合 は架橋剤な ど は不要で あ る 。
フ イ ラ 一 の配合量はた と え ば補強性の面か ら 適宜選定 すれ ばよ い が、 含 フ ッ 素エ ラ ス ト マ一 100重量部 に 対 し て通常 1 〜 50重量部、 好 ま し く は 2 〜 30重量部で あ る 。
本発 明 の 架橋性エ ラ ス ト マ一組成物 は、 架橋性エ ラ ス ト マ 一 の種類、 架橋剤 の種類な ど に よ っ て各種の架橋形 態で架橋成形で き る 。 架橋成形条件 は と く に特別 な も の はな く 、 従来の 条件範 囲 内で適宜選定すれ ばよ い 。
か く し て得 ら れ る 本発明 の成形 品 は、 水分発生量が 40 Oppm以 F、 さ ら に は 200ppm以下で あ り 、 有機系 ア ウ ト ガス 量が 0. 03ppm以下、 さ ら に は 0. 02ppm以下と レ う 極 め て ア ウ ト ガ ス 量の低減化 さ れた も の で あ る 。 フ ィ ラ ー が配合 さ れた従来の成形 品 に は、 こ の よ う に水分お よ び 有機系 ァ ゥ ト ガ ス 量がい ずれ も 大 き く 低減化 さ れた も の はな く 、 本発 明 で初 め て提供 し 得た 成形品で あ る 。
こ れ ら の架橋性エ ラ ス ト マ一 の う ち 半導体製造装置用 の シール材 の 製造原料 と し て使用 す る 場合は、 フ ッ 素 系 エ ラ ス ト マ 一 お よ びシ リ コ ー ン 系 エ ラ ス ト マ 一が好 ま し い 。
フ ッ 素系 エ ラ ス ト マ一 と し て は、 た と え ばつ ぎの も の が あ げ ら れ る 。
(i)テ ト ラ フ ルォ ロ ェチ レ ン 40〜90モル % 、 式 (4) :
CF2 = CF - ORf
(式 中 、 Rfは炭素数 1 〜 5 の ノ 一 フ ル ォ ロ アルキル基 、 ま た は炭素数 3 〜 12でかつ酸素原子 を 1 〜 3 個含むパー フ ルォ ロ ア ルキル (ポ リ ) エー テル基) で表 さ れ る パ ー フ ルォ ロ ビエルエーテル 10〜 60モル % 、 お よ び硬化部位 を 与え る 単量体 0 〜 5 モル % か ら な る パ一 フ ルォ ロ 系 ェ ラ ス ト マ 一 。
(ii)ビニ リ デ ン フ ル オ ラ ィ ド 30〜 90モ ル % 、 へキサ フ ル ォ ロ プ ロ ピ レ ン 15〜 40モ ル % 、 テ ト ラ フ ルォ ロ エチ レ ン
0 〜 30モル % か ら な る ピニ リ デ ン フ ル オ ラ ィ ド 系 エ ラ ス 卜 マ ー 。
(iii)エ ラ ス ト マ 一性含 フ ッ 素ポ リ マ ー鎖セ グ メ ン ト と 非 エ ラ ス ト マ 一性含 フ ッ 素ポ リ マ ー鎖セ グ メ ン ト を有す る 含 フ ッ 素多元セ グ メ ン ト ィ匕ポ リ マ 一で あ っ て、 エ ラ ス ト マ 一性含 フ ッ 素ポ リ マー鎖セ グ メ ン ト が、 テ ト ラ フ ルォ 口 エチ レ ン 40〜90モル % 、 式 (5) :
CF2 = CF - ORf (式 中 、 Rfは炭素数 1 〜 5 のパ ー フ ルォ ロ ア ルキル基 、 ま た は炭素数 3 〜 12でか つ酸素原子 を 1 〜 3 個含むパ ー フ ルォ ロ アルキル (ポ リ ) エ ー テル基) で表 さ れ る パ ー フ ルォ ロ ビニルエーテル 10〜 60モル %、 お よ び硬化部位 を与え る 単量体 0 〜 5 モ ル % か ら な り 、 非エ ラ ス ト マ一 性含 フ ッ 素ポ リ マー鎖セ グ メ ン ト が、 テ ト ラ フ ルォ ロ ェ チ レ ン 85〜: 100モ ル% 、 式 (6) :
CF2 = CF - Rf 1
(式 中 、 Rf1は CF3ま た は ORf 2 ( Rf 2は炭 素数 1 〜 5 の パ 一フ ルォ ロ ア ルキル基) ) 0 〜 15モル % か ら な る パ ー フ ルォ ロ 系 熱可塑性エ ラ ス ト マ一。
(iv)エ ラ ス ト マ一性含 フ ッ 素 ポ リ マ ー 鎖セ グ メ ン ト と 非 エ ラ ス ト マ一性含 フ ッ 素ポ リ マ ー鎖セ グメ ン 卜 を有す る 含 フ ッ 素多元セ グメ ン ト ィヒポ リ マ一で あ っ て 、 エ ラ ス ト マー性含 フ ッ 素ポ リ マ ー鎖セ グ メ ン ト が、 ビニ リ デ ン フ ルォ ラ イ ド 45〜 85モル % と こ の ビニ リ デ ン フ ルオ ラ ィ ド と 共重合可能な少な く と も 一種 の他の単量体 と か ら それ ぞれ誘導 さ れた繰 り 返 し 単位 を含む非パー フ ルォ ロ 系 熱 可塑性エ ラ ス ト マ一。 こ こ で他 の単量体 と し て は、 へ キ サ フ レオ 口 プ ロ ピ レ ン 、 テ ト ラ フ ルォ ロ エチ レ ン、 ク ロ 口 ト リ フ ルォ ロ エチ レ ン 、 ト リ フ ルォ ロ エチ レ ン 、 ト リ フ リレオ 口 プ ロ ピ レ ン、 テ ト ラ フ ルォ ロ プ ロ ピ レ ン 、 ペ ン 夕 フ ル ォ ロ プ ロ ピ レ ン 、 ト リ フ ルォ ロ ブテ ン 、 テ ト ラ フ ルォ ロ イ ソ ブテ ン 、 パ ー フ ルォ ロ ( ア ルキル ビエル エー テル) 、 フ ツ イ匕 ビエル、 エチ レ ン 、 プ ロ ピ レ ン、 ア ルキ ル ビニルエー テルな ど が あ げ ら れ る 。
(V)ジ ヨ ウ 素化合物 の存在下 に ラ ジカル重合 に よ り 得 ら れ る 、 ョ ゥ 素含有 フ ッ 素化 ビエルエーテル単位 0. 005〜1. 5モ ル % 、 ビニ リ デ ン フ ル オ ラ ィ ド 単位 40〜 90モ ル % お よ びノ\°一フ ルォ ロ( メ チル ビニルエーテル) 3 〜 35モ ル%
(場合 に よ り 25モル % ま で の へキサ フ ルォ ロ プロ ピ レ ン 単位お よ び / ま た は 40モル % ま で のテ ト ラ フ ルォ ロ ェチ レ ン単位 を含んで い て も よ い ) か ら な る 耐寒性含 フ ッ 素 エ ラ ス ト マ一 (特開平 8— 15753号公報) 。
(vi)テ ト ラ フ ルォ ロ エチ レ ン と プ ロ ピ レ ン と の共重 合体
(米 国特許第 3, 467, 635号 明細書) な ど。
シ リ コ ー ン系 エ ラ ス ト マ 一 と し て は、 た と え ばシ リ コ ー ン ゴム 、 フ ルォ ロ シ リ コ ー ン ゴム な どが好 ま し い 。
エ ラ ス ト マ一組成物 は所望 の製品 の形状 に架橋成形 さ れ る 。 架橋方法は過酸化物架橋が一般的で あ る が、 そ の 他公知 の架橋方法、 た と え ば二 ト リ ル基 を架橋点 と し て 導入 し た含 フ ッ 素エ ラ ス ト マ一を使用 し 、 有機ス ズ化合 物 に よ り ト リ ア ジ ン環 を形成 さ せる ト リ ア ジ ン架橋系( た と え ば特 開 昭 58— 152041号公報参照) 、 同 じ く 二 ト リ ル 基 を 架橋点 と し て導入 し た含 フ ッ 素エ ラ ス ト マ一 を 使用 し 、 ビス ア ミ ノ フ エ ノ ール に よ り ォキサ ゾール環 を 形成 さ せ る ォキ サ ゾ一ル架橋系 ( た と え ば、 特 開 昭 59— 109 546号公報参照) 、 テ ト ラ ア ミ ン化合物 に よ り イ ミ ダゾ —ル環 を形成 さ せ る イ ミ ダ ゾール架橋系 ( た と え ば、 特 開 昭 59— 109546号公報参照) 、 ビ ス ア ミ ノ チ オ フ エ ノ ー ルに よ り チア ゾ一ル環 を形成 さ せるチア ゾ一ル架橋系( た と え ば、 特 開平 8— 104789号公報参照) な ど の方法 が あ り 、 ま た 、 放射線架橋、 電子線架橋な ど の方法で も よ い 。
と く に好 ま し い架橋剤 と し て は複数個 の 3—ア ミ ノ ー 4 ーヒ ド ロ キ シ フ エ ニル基、 3—ア ミ ノ ー 4一メ ルカ プ ト フ ェ ニル基 ま た は 3, 4ージ ア ミ ノ フ エ 二ル基 を 有す る 化合 物があ げ ら れ、 具体的 に は、 た と え ば 2 , 2—ビス ( 3—ァ ミ ノ ー 4ーヒ ド ロ キ シ フ エ ニル) へ キサ フ ルォ ロ プ ロ パ ン (一般名 : ビス ( ァ ミ ノ フ エ ノ ール) AF) 、 2, 2—ビ ス ( 3—ァ ミ ノ 一 4一メ ル カ プ ト フ エ ニル) へ キ サ フ ル ォ ロ プ ロ パ ン、 テ ト ラ ア ミ ノ ベ ンゼ ン 、 ビス 一 3, 4ージァ ミ ノ フ エ ニフレ メ タ ン 、 ビス 一 3, 4—ジア ミ ノ フ エ 二 ルェ一 テ ル 2, 2—ビ ス ( 3, 4—ジ ァ ミ ノ フ エ ニル) へキサ フ ルォ ロ プ ロ ノ ン な どで あ る 。
架橋剤 の配合量は、 好 ま し く はエ ラ ス ト マ 一 100重量 部 に対 し て 0. 1〜 10重量部で あ る 。
過酸化物架橋 を行な う 場合、 有機過酸化物 と し て は、 加硫温度条件下でパー ォキ シ ラ ジカ ル を発生す る 公知有 機過酸化物な ら いずれで も よ く 、 好 ま し い有機過酸化物 は、 ジ ー t—ブチルパー ォキサイ ド 、 ジ ク ミ ルノ°一ォキサ ィ ド 、 2, 5—ジ メ チルー 2 , 5—ジ (ベ ン ゾィ ルパ ー ォキ シ) へ キサ ン 、 2, 5—ジ メ チル ー 2 , 5—ジ ( t一ブチルパー ォキ シ) へ キサ ン、 1 , 1一ビ ス ( tーブチルバ 一 ォキ シ) 一 3 , 5, 5— ト リ メ チル シ ク 口 へ キサ ン 、 2, 5—ジ メ チルへキサ ン 一 2 , 5—ジ ヒ ド ロ キ シパ 一 ォキ シ ド 、 tーブチル ク ミ ル パ ーォキ シ ド 、 a , α ' —ビス ( t一ブチ ルパ ー ォキ シ) 一 p—ジィ ソ プ ロ ピルベ ンゼ ン 、 2, 5—ジ メ チル ー 2, 5—ジ( t —ブチルバ一ォキ シ) へキ シ ン 一 3、 ベ ン ゾィ ルパー ォキ シ ド 、 tーブチルパ 一 ォ キ シベ ンゼ ン 、 tーブチルバ 一 ォ キ シマ レ イ ン酸、 t—ブチルバ一ォキ シィ ソ プ ロ ピルカ ー ポ ネー 卜 な どで あ る 。
有機過酸化物 の含有量 は、 フ ッ 素系 エ ラ ス ト マ一 100 重量部 あ た り 、 通常 0. 05〜 10重量部、 好 ま し く は 1 〜 5 重量部で あ る 。 有機過酸化物 の含有量が 0. 05重量部 よ り 少 な い と 、 フ ッ 素系 エ ラ ス ト マ 一が充分架橋 さ れず、 一方 10重量部 を 超 え る と 、 架橋物 の物性 を悪化 さ せ る 。
か か る 過酸化物架橋 に お い て多官能性共架橋剤な ど の 架橋助剤 を 用 い る こ と がで き る 。 使用 す る 多官能性共架 橋剤 と し て は、 フ ッ 素 系 エ ラ ス ト マ一 の過酸化物架橋 に お い て有機過酸化物 と 共 に用 い ら れる 多官能性共架橋剤 が使用 で き 、 た と え ば ト リ ァ リ ル シア ヌ レー ト 、 ト リ メ タ ァ リ ルイ ソ シ ァ ヌ レ 一 卜 、 卜 リ ア リ ルイ ソ シ ァ ヌ レ ー ト 、 ト リ ァ リ ルホルマ 一ル、 ト リ ア リ ルホス フ エ 一 ト 、 ト リ ア リ ル ト リ メ リ テー ト 、 Ν, Ν' — 一フ エ 二 レ ン ビス マ レイ ミ ド 、 ジ プ ロ パ ルギルテ レ フ 夕 レ ー 卜 、 ジ ァ リ ル フ タ レ ー ト 、 テ ト ラ ァ リ ルテ レ フ タ ールア ミ ド 、 ト リ ス ( ジ ァ リ ル ア ミ ン) 一 S— ト リ ア ジ ン、 亜 リ ン酸 ト リ ァ リ ル、 Ν, Ν—ジ ァ リ ル ア ク リ ル ア ミ ド 、 1, 6—ジ ビニ ル ド デカ フ ルォ 口 へ キサ ン に代表 さ れ る ビ ス ォ レ フ ィ ン な ど が あ げ ら れ る 。
ま た 、 1、 リ ア リ ルイ ソ シ ァ ヌ レー ト の 3 つ の ァ リ ル基 の 中 の水素原子の一部 を よ り 耐熱性の 高 い フ ッ 素原子 に 置 き換えた含 フ ッ 素 ト リ ア リ ルイ ソ シ ァ ヌ レ ー ト な ど も 好適 に あ げ ら れ る (米 国特許第 4, 320, 216号明細書、 W Ο 98/ 00407;\° ン フ レ ッ 卜 、 Klenovic h, S . V. ら 、 Zh. Prikl, Khim. (Leningrad) ( 1987 , 60 ( 3 ) , 656— 8 ) 参照) 架橋助剤 の含有量 は 、 フ ッ 素 系 エ ラ ス ト マ一 100重量 部 当 た り 、 通常 0. :!〜 10重量部、 好 ま し く は 0. 5〜 5 重 量部で あ る 。
その ほか、 加工助剤 、 内添離型剤な ど を配合 し て も よ い 。 過酸化物架橋 は常法 に よ り 行な う こ と ができ 、 従来 の よ う な架橋 阻害 は生 じ な い 。
本発 明 の 成形品 を 、 た と え ば W 〇 9 9 Z 4 9 9 9 7号パ ン フ レ ツ 卜 記載 の特殊な洗浄法、 すな わ ち 超純水 に よ り 洗浄 す る 方法、 洗浄温度で液状 の ク リ ー ンな有機化合物や無 機水溶液に よ り 洗浄す る 方法、 乾式エ ッ チ ン グ洗浄す る 方法、 抽出洗浄す る 方法 に し た が っ て処理す る こ と に よ り パー テ ィ ク ル数や金属含有量を低減化で き 、 極め て高 度 に ク リ ー ン化 さ れ、 し か も ア ウ ト ガス 量が少な く 耐プ ラ ズマ性 に優れた半導体製造装置用 の成形品が得 ら れる 。
本発 明 の フ ィ ラ ー入 り 成形品 は種々 の 成形 品 に適用 で き る が、 と く に ア ウ ト ガ ス 量が大 き く 低減化 さ れて い る の で 、 半導体製造装置用 の各種部品 な ど に好適で あ る 。
と < に含 フ ッ 素 エ ラ ス ト マ一成形品 は 、 と く に高度な ク リ 一 ン さ が要求 さ れ る 半導体製造装置 の封止用 の シー ル材 の 製造 に 好適 に使用 で き る 。 シ ー ル材 と し て は O— リ ン グ、 角 — リ ン グ、 ガス ケ ッ ト 、 パ ッ キ ン 、 オイ ル シ 一ル、 ベ ア リ ン グ シール、 リ ッ プ シ一ルな どがあ げ ら れ る 。
そ の ほか 、 各種 の エ ラ ス ト マ一製品、 た と え ばダイ ヤ フ ラ ム 、 チ ュ ー ブ、 ホー ス 、 各種 ゴム ロ ールな ど と し て も 使用 でき る 。 ま た 、 コ 一テ ィ ン グ用 材料、 ラ イ ニ ン グ 用 材料 と し て も 使用 で き る 。
なお 、 本発明 で い う 半導体製造装置は、 と く に 半導体 を 製造す る た め の 装置 に 限 ら れる も の で はな く 、 広 く 、 液晶パネルや プラ ズマパネルを製造する ため の装置な ど、 高度な ク リ ー ン度が要求 さ れる 半導体分野 にお い て用 い ら れ る 製造装置全般 を含む も の で あ る 。
具体的 に は、 つ ぎの よ う な半導体製造装置が例示 さ れ る 。
( 1 )エ ッ チ ン グ装置
ド ラ イ エ ッ チ ン グ装置
プ ラ ズマ エ ッ チ ン グ装置
反応性イ オ ン エ ッ チ ン グ装置 反応性イ オ ン ビーム エ ッ チ ン グ装置 ス ノ \° ッ 夕 エ ッ チ ン グ装置
イ オ ン ビー ム エ ッ チ ン グ装置 ゥ エ ツ ト エ ッ チ ン グ装置
ア ツ シ ン グ装置
( 2 )洗浄装置
乾式エ ッ チ ン グ洗浄装置
uvZo3 洗浄装置
イ オ ン ビ一 ム洗浄装置
レーザ— ビーム洗浄装置 プ ラ ズマ洗浄装置
ガ ス エ ッ チ ン グ洗浄装置
抽 出洗浄装置
ソ ッ ク ス レー抽 出洗浄装置 高温高圧抽 出洗浄装置
マ イ ク 口 ゥ エ ー ブ抽 出洗浄装置 超臨界抽 出洗浄装置
(3)露光装置
ス テ ツ パ一
コ — 夕 · デベ ロ ッ パー
(4)研磨装置
CMP装置 '
(5)成膜装置 CVD装置
ス パ ッ 夕 リ ン グ装置
(6)拡散 · イ オ ン注入装置
酸化拡散装置
イ オ ン注入装置
つ ぎ に実施例 を あ げて本発明 を 説明す る が、 本発 明 は か か る 実施例 の み に 限定 さ れ る も の で はな い 。
実施例 1 ( ク リ ー ンィ匕 フ イ ラ 一 の 製造)
シ リ ル化剤で あ る へキサ メ チル ジ シ ラ ザ ン を用 い て巿 販 の フ ュ ー ム ド シ リ カ (キ ヤ ポ ッ ト · ス ぺ シ ャ リ テ ィ · ケ ミ カ ルズ社製 の Cab— O— Sil M— 7D。 平均粒径 0. 02 μ m、 比表面積 200m2/ g) を 疎水化処理 し 、 処理 さ れた フ ィ ラ ー 20 g を窒素ガ ス 気流 (流速 20リ ッ ト ルノ分) 下 に 200 に て 2 時間加熱 し て本発 明 の ク リ ー ンィヒ フ ィ ラ ー を 製造 し た 。
得 ら れた加熱処理後の ク リ ー ン化 フ ィ ラ ー の重量減少 率お よ び有機系 ァ ゥ ト ガ ス 量 を つ ぎの方法で測定 し た 。 結果 を表 1 に示す。
(重量減少率 の測定)
ア ル ミ ニ ウ ム 製 の容器 に 試料 ( フ イ ラ 一 ) を l . O g 入 れ、 窒素 ガ ス 気流下で 200 °C に て 2 時間加熱 し 、 加熱後 の 重量 (g) を 測定す る 。 こ の 加 熱後の 重量 を 次式 に 代 入 し て 、 単位表面積 当 た り の重量減少率 (重量 % Z m2) を 算 出す る 。
加熱前重量(g) — 加熱後重量(g)
重量減少率 = /比表面積(m2,g) 加熱前重量(g)
(有機系 ァ ゥ 卜 ガス 量) ガ ラ ス 製 の 密閉管に 試料 ( フ イ ラ 一) を O. l g 封入 し 、 200 に て 15分間加熱す る 。 発生 し た ガ ス を 液体窒素で 一 40 °C に冷却 し た ト ラ ッ プ管 に採取 し 、 つ い で急加熱 し て ガ ス ク ロ マ ト グ ラ フ ィ ー ( (株)島津製作所製 の GC— 1 4A。 カ ラ ム : (株)島津製作所製 の UA— 15) に送 り 込 ん で分析 し 、 得 ら れた チ ャ ー ト の ピー ク 面積か ら 有機系 ガ ス 量 ( ppm) を算出す る 。
実施例 2 ( ク リ ー ンィヒ フ イ ラ 一 の製造)
シ リ コ ー ンオイ ルで あ る ポ リ ジ メ チル シ ロ キサ ン を 用 レ て 、 市販 の フ ユ 一 ム ド シ リ カ ( Cab—〇一Sil M— 7D。 平均粒径 0. 02 111、 比表面積 200m2Z g) を 疎水化処理 し 処理 さ れた フ ィ ラ ー 20 g を 窒素ガ ス 気流 (流速 20リ ッ ト ル Z分) 下 に 200 °C に て 2 時 間加熱 し て本発 明 の ク リ ー ン化 フ ィ ラ ー を 製造 し た。
得 ら れた加熱処理後の ク リ ー ン化 フ ィ ラ ー の重量減少 率お よ び有機系 ァ ゥ ト ガス 量 を 実施例 1 と 同様 に し て測 定 し た 。 結果 を表 1 に 示す。
実施例 3 ( ク リ ー ン化 フ イ ラ 一 の製造)
シ リ ル化剤で あ る へ キサ メ チル ジ シ ラ ザ ン を用 い 、 巿 販 の 酸化 ア ル ミ ニ ウ ム 微粒子 (住友化学工業 (株)製 の A KP— G008。 平均粒径 0. 02 μ πι、 比表面積 150m2Z g) を 疎水化処理 し 、 処理 さ れた フ ィ ラ ー 20 g を 窒素 ガ ス 気流 (流速 20リ ツ ト ル /分) 下 に 200 °C に て 2 時 間加熱 し て 本発 明 の ク リ ー ン化 フ ィ ラ ー を 製造 し た 。
得 ら れた加熱処理後の ク リ ー ン化 フ ィ ラ ー の重量減少 率お よ び有機系 ア ウ ト ガス 量 を 実施例 1 と 同様 に し て測 定 し た 。 結果 を表 1 に 示す。
比較例 1 シ リ ル化剤で あ る へ キサ メ チル ジ シ ラ ザ ンで疎水化表 面処理 さ れた実施例 1 の フ ュ ー ム ド シ リ カ の加熱処理前 の 重量減少率お よ び有機系 ァ ゥ ト ガ ス 量 を 実施例 1 と 同 様 に し て測定 し た 。 結果 を表 1 に示す。
比較例 2
シ リ コ ー ン オイ ルで あ る ポ リ ジ メ チル シ ロ キサ ンで疎 水化表面処理 さ れた実施例 2 の フ ュ ー ム ド シ リ カ の加熱 処理前 の重量減少率お よ び有機系 ァ ゥ ト ガス 量 を 実施例 1 と 同様 に し て測定 し た 。 結果 を表 1 に示す。
比較例 3
シ リ ル化剤で あ る へキサ メ チル ジ シ ラ ザ ンで疎水化表 面処理 さ れた実施例 3 の酸化ア ル ミ ニウ ム 微粒子 の加熱 処理前 の重量減少率お よ び有機系 ァ ゥ ト ガス 量 を 実施例 1 と 同様 に し て測定 し た 。 結果 を表 1 に示す。
比較例 4
疎水化表面処理お よ び加熱処理 の いずれ も 施 さ れて い な い ヒ ュ ー ム ド シ リ カ (キ ヤ ポ ッ ト . ス ぺ シ ャ リ テ ィ · ケ ミ カ ルズ社製の Cab— O— Sil。 平均粒径 0. 02 111、 比表 面積 200m2Zg) の重量減少率お よ び有機系 ァ ゥ ト ガス 量 を 実施例 1 と 同様 に し て測定 し た 。 結果 を表 1 に示す。 比較例 5
疎水化表面処理お よ び加熱処理 の い ずれ も 施 さ れて い な い 酸化 ア ル ミ ニ ウ ム 微粒子 (住友化学工業 (株)製 の A KP— G008。 平均粒径 0. 02 ί πι、 比表面積 150m2Zg) の 重量減少率お よ び有機系 ァ ゥ ト ガス 量 を実施例 1 と 同様 に し て測定 し た 。 結果 を表 1 に示す。 <魏 ^) , w ¾
¾l ^蔺 T ϋ τ I ^ si ¾ ¾ 4i〜
^ s微 , 15 J ,
ri
実施例 ブ 量減少率
口 イラ一の種類 重 有機系アウトガス量 疎水化表面処理剤 加熱処理
杳" ^ ( X 1 0— 1重畺% /rn 2) (ppm) 実施例 1 シリカ へキサメチノレジシラザン 200°C X 2hr 0.1 0.06 実施例 2 シリカ ポリジメチノレシロキサン 200°C X 2hr 1.3 0.06 実施例 3 酸化アルミニウム へキサメチルジシラザン 200°C X 2hr 0.1 0.06 比較例 1 シリカ へキサメチルジシラザン なし 0.1 2.71 比較例 2 シリカ ポリジメチノレシロキサン なし 1.3 2.53 比較例 3 酸化アルミニウム へキサメチルジシラザン なし 0.1 2.71 比較例 4 シリカ なし なし 3.0 1.52 比較例 5 酸化アルミニウム なし なし 4.0 1.47
た有機系 ア ウ ト ガ ス 量 も 多い 。 疎水化表面処理 を施 し た も の (比較例 1 〜 3 )は重 量減少率 は大幅 に 小 さ く な る が 有機系 ア ウ ト ガ ス 量は増加 し て し ま う 。 さ ら に不活性ガ ス 気流下で加熱処理 し た本発明 の フ イ ラ 一 は、 疎水化表 面処理 さ れた フ ィ ラ ー と 同 じ 重量減少率で あ り な が ら 、 有機系 ァ ゥ ト ガ ス 量が疎水化表面処理 し て い な い フ ィ ラ — よ り も 大 き く 減少 し 、 高度な ク リ ー ン化 が達成 さ れた こ と を示 し て い る 。
実施例 4 (エ ラ ス 卜 マー架橋物 の製造)
着火源 を も た な い 内容積 6 リ ッ ト ル の ス テ ン レス ス チ —ル製ォ一 ト ク レ ー ブ に 、 純水 2 リ ッ ト ルお よ び乳化剤 と し て C7F15COONH4 20 g 、 p H 調整剤 と し て リ ン酸水 素ニナ ト リ ウ ム · 12水塩 0. 18 g を 仕込 み 、 系 内 を 窒素 ガス で充分 に置換 し 脱気 し た の ち 、 600rpmで撹拌 し なが ら 、 50°C に 昇温 し 、 テ ト ラ フ ルォ ロ エチ レ ン ( TFE) と パー フ ルォ ロ ( メ チル ビニルエー テル) ( PMVE) の混 合ガ ス ( TFEZ PMVE = 20/ 80モル 比) を 、 内圧が 1. 1 8MPa * Gに な る よ う に仕込ん だ。 つ い で 、 過硫酸 ア ン モ ニ ゥ ム ( APS) の 186mgZ mlの濃度 の水溶 液 2mlを 窒素 圧で圧入 し て反応 を 開始 し た 。
重合 の進行 に よ り 内圧が 、 1. 08MPa * Gま で降下 し た 時点で 、 ジ ヨ ウ 素化物 I ( CF2) 41 4. O g を窒素圧 に て 圧入 し た。 つ い で T F E と P M V E の混合 ガス (モ ル比 19/ 23) を プ ラ ン ジ ャ ー ポ ン プ に て圧入 し 、 1. 08〜: 1. 1 8MPa * Gの 間で昇圧、 降圧 を繰 り 返 し た 。
TFEお よ び PMVEの合計仕込量がそれぞれ 430 g 、 511 お よ び 596 g に達 し た時点で ICH2CF2CF2OCF = CF2を 1. 5 g 圧入す る と と も に 、 反応開始後か ら 12時間ごとに 3 5mg/ mlの APS水溶液 2 mlを窒素圧 で圧入 し て重合反応 を継続 し 、 反応 開始か ら 35時間後 に重合 を停止 し た 。
こ の 水性乳濁液 を ド ラ イ ア イ ス / メ タ ノ ール中 で凍結 さ せて凝析 を 行な い 、 解凍後、 凝析物 を水洗、 真空乾燥 し てエ ラ ス ト マ一状共重合体 を 得た 。 こ の重合体の ム ー 二一粘度 ML1 + 10 ( 100 °C ) は 63で あ っ た 。
こ の 共重合体 の 19 F— NMR分析 の 結 果か ら 、 こ の 共重 合体の モ ノ マ 一 単位組成 は、 TFE/ PMVE= 59. 2/ 40. 8モル% で あ り 、元素分析か ら 得 ら れた ヨ ウ素含有量 は 0. 03重量 % で あ っ た。
こ の テ ト ラ フ ルォ ロ エチ レ ン パ 一 フ ルォ ロ ( メ チル ビニルエー テル) 共重合体エ ラ ス ト マ 一 100 g に 、 実施 例 1 〜 3 お よ び比較例 1 〜 5 でそれぞれ製造 し た フ ィ ラ — 10 g と 2, 5—ジ メ チル 一 ジ ( t一ブチルパ ー ォキ シ) へ キサ ン ( 日 本油脂 (株) 製のパ一 へ キサ 2. 5B) l. O g と ト リ ア リ ルイ ソ シ ァ ヌ レ ー ト ( TAIC) ( 日 本化 成 (株) 製) 3. O g を 混練 し て 、 本発 明 の エ ラ ス ト マ 一組成物 を 調製 し た 。 つ い で 、 こ の組成物 を 16CTC X 15分間 の圧縮 成形 に よ り プ レ ス 架橋 (一次架橋) し て O—リ ン グ ( AS - 568A- 214) を作製 し た。
の O—リ ン グ を充分 に多量 の
Figure imgf000027_0001
6 4 重量比) に よ り 100 °C 15分間攪拌下で洗浄 し 、つ レゝ で 5 % H F に よ り 25 t: に て 15分間洗浄 し 、 さ ら に 純水で 100 °C に て 2 時間煮沸洗浄 し た の ち 、 窒素 ガ ス 気流下で 200 °C に て 24時間加熱架橋 (二次架橋) し 、 つ い で乾燥 し て試 料 と な る O—リ ン グ を得た。
得 ら れた O—リ ン グ に つ い て 、 つ ぎ の方法で水分発 生 量 ( ppm) お よ び有機系 ア ウ ト ガ ス 量 ( ppm) を調べた 。 結果 を表 2 に示す。
(水分発 生量 の測定)
試料 の O—リ ングを 200 °C にて 30分 間窒素雰囲気下で加 熱 し 、 発 生す る 水分 を カ ール フ ィ ッ シ ャ ー式水分測定装 置 (平沼産業 (株)製) に よ り 測定す る 。
(有機系 ァ ゥ ト ガ ス 量の測定)
実施例 1 で採用 し た測定法 に お い て 、 試料 と し て O— リ ン グ ( AS— 568A— 214) を使用 し た ほか は 同様 に し て 測定す る 。
表 2
Figure imgf000028_0001
表 2 か ら 明 ら か な よ う に 、 疎水化表面処理 し て い な い フ イ ラ 一 を 配合 し た エ ラ ス ト マ 一架橋物 (比較実験 4一 4 と 4— 5 ) で は有機系 ァ ゥ ト ガ ス 量は低い レ ベルで あ る が 水分発生量が大 き い 。 疎水化表面処理 を施 し た フ ィ ラ ー を配合 し た も の (比較実験 4一:!〜 4一 3)は水分発生量 は大 幅 に小 さ く な る が有機系 ァ ゥ ト ガス量は増加 して し ま う 。 さ ら に不活性ガ ス 気流下で加熱処理 し た本発 明 の フ ィ ラ 一 を配合 し た架橋物は、 疎水化表面処理 さ れた フ イ ラ 一 を配合 し た架橋物 の有機系 ァ ゥ ト ガス 量 を疎水化表面処 理 し て い な い フ ィ ラ ー を配合 し た架橋物 の レ ベル ま で低 下 さ せて お り 、 高度に ク リ ー ン化 さ れた エ ラ ス ト マ 一 架 橋物 を 提供で き て い る こ と を 示 し て い る 。
実施例 5 (耐プ ラ ズマ性)
さ ら に 、 半導体の製造で は プ ラ ズマ処理が常用 さ れて い る が 、 こ の プ ラ ズマ 処理工程 に お い て O—リ ン グ な ど の シー ル材が重量減少 を 起 こ し た り パーテ ィ ク ル を 発生 さ せた り す る と い う 問題が あ る 。
そ こ で上記でそれぞれ製造 し た O—リ ン グ ( AS— 568A -214) を ガ ラ ス 製の シ ャ ー レ に 入れ窒素雰 囲気 に て 15 0 で 60分間 加熱 し て作製 し た サ ン プル に つ い て 、 プ ラ ズマ処理工程 にお け る 重量減少率お よ び発生パー テ イ ク ル数 を つ ぎの方法で測定 し た 。 結果 を表 3 に示す。
(重量減少)
つ ぎの 条件下で プ ラ ズマ照射処理 を施 し 、 照射前後 の 重量減少 (重量 % ) を測定 し て重量変化 を調べ る 。
使用 プ ラ ズマ 照射装置 :
(株)サム コ ィ ン タ 一 ナ シ ョ ナ ル研究所製の PX— 1000 照射条件 :
酸素 (〇2) プ ラ ズマ 照射処理
ガ ス 流量 : 200sccm
R F 出 力 : 400W
圧 力 : 300ミ リ ト ール
照射時間 : 3 時間
周 波数 : 13. 56MHz
CF プ ラ ズマ照射処理 ガ ス 流量 : 200 s c cm
R F 出 力 : 400W
圧力 : 300ミ リ ト ール
照射時間 : 3 時間
周波数 : 13. 56MHz
照射操作 :
プ ラ ズマ 照射装置の チ ヤ ンバ一 内 の雰囲気 を安定 さ せ る た め に 、 チ ャ ンバ一前処理 と し て 5 分間か けて実 ガ ス 空放電 を行な う 。 つ い でサ ン プル を入れた シ ャ ー レ を RF 電極 の 中 心部 に配置 し 、 上記 の 条件で照射す る 。
重量測定 :
ザ一 ト リ ウ ス ( Sartorius) ' G M B H (株)製の電子分 析天抨 2006MPEを使用 し 、 0. Olmgま で測定 し 0 · Olmg の桁 を 四捨五入す る 。
サ ン プル は 1 種類 に つ き 3 個使用 し 、平均で評価す る 。 (発 生パ一 テ ィ ク ル数)
(株)サム コ ィ ン タ ー ナ シ ョ ナル研究所製 の プ ラ ズマ ド ラ イ ク リ ー ナ モデル PX— 1000を用 い 、 真空圧 50mTor r、 酸素 ま た は CF4流量 200ccノ分、 電 力 400W、 周波数 1 3. 56MHzの条件で酸素 プ ラ ズマ ま た は CF4プ ラ ズマ を発 生 さ せ 、 こ の酸素 プ ラ ズマ ま た は CF4プラ ズマ を 試料 ( 0 一リ ン グ) に対 し て リ ア ク テ ィ ブイ オ ンエ ッ チ ン グ ( R I E) 条件で 3 時間照射す る 。 照射後、 試料 を 25 で 1 時 間超純水 中 で超音波 を か けて遊離 し て い る パ ー テ ィ ク ル を水 中 に取 り 出 し 、 粒子径が 0. 2 μ m以上 の パ ー テ ィ ク ル の数 (個 Z リ ッ ト ル) を微粒子測定器法 (セ ンサー部 に 流入 さ せたパー テ ィ ク ル を含む超純水 に光 を 当 て、 液 中 パー テ ィ ク ルカ ウ ン タ 一 に よ り そ の透過光や散乱光 の量 r -i
表 3
使用フィラー エラストマ一架橋物
夹験番"^
実施例 重量減少量 (重量%) 発生パーティクル数(万個 Zcm2)
疎水化 加熱処理
番号
酸素プラズマ CF4プラズマ 酸素プラズマ CF4プラズマ
実験 5— 1 実施例 1 実施 実施 0.31 0.35 0.61 0.37
実験 5— 2 実施例 2 実施 実施 0.32 0.37 0.63 0.36
実施例 3 実施 実施 0.30 0.19 0.78 0.87
9r 比較実験 5— 1 比較例 1 実施 なし 0.31 0.35 0.61 0.37
比較実験 5— 2 比較例 2 実施 なし 0.32 0.37 0.63 0.36
比較実験 5— 3 比較例 3 実施 なし 0.30 0.19 0.78 0.87
比較実験 5— 4 比較例 4 なし なし 0.34 0.38 0.65 0.39
比較実験 5— 5 比較例 5 なし なし 0.30 0.19 0.78 0.87
0 ^ T^ 表 3 か ら 、 本発 明 の処理 を施 し た フ イ ラ 一 は、 プ ラ ズ マ処理工程で未処理 ま た は疎水化表面処理 の みの フ ィ ラ 一 と 同 じ く 、 プ ラ ズマ に よ っ て大き な影響 を 受 けな い こ と が分か る 。
産業上 の利用 可能性
本発明 の疎水化表面処理後加熱処理 さ れた フ ィ ラ ー は 水分発生量お よ び有機系 ァ ゥ ト ガス 量がい ずれ も 低減化 さ れてお り 、 極め て ク リ ー ン で あ っ て 、 半導体製造装置 用 の成形品材料 と し て好適な エ ラ ス ト マ 一組成物お よ び 成形品 を提供で き る 。

Claims

言青 求 の 範 囲
1. 200 °C で 2 時 間加熱 し た と き の単位表面積 当 た り の 重量減少率が 2. 5 X 10_5重量 % / m2以下で あ り 、か つ 2 00 °Cで 1 5 分 間加熱 し た と き の有機系 ガス の総発生量 が 2. 5ppm以下で あ る フ ィ ラ ー と 高 分子重合体 と か ら な る 高分子重合体組成物。
2. 高分子重合体が架橋性エ ラ ス ト マ 一 で あ る 請求の 範 囲第 1 項記載 の組成物 。
3. 架橋性エ ラ ス ト マ 一が架橋性 フ ッ 素系 エ ラ ス ト マ 一 で あ る 請求 の 範 囲第 2 項記載の 組成物 。
4. 架橋性 フ ッ 素 系 エ ラ ス ト マ 一 が架橋性パ 一 フ ルォ ロ エ ラ ス ト マ一 で あ る 請求 の範 囲第 3 項記載の組成物。
5. 請求の 範囲第 1 項〜第 4 項の い ずれか に記載の高分 子重合体組成物 の成形品で あ っ て 、 200 °C で 30分間 加 熱 し た と き の 水分発 生量が 400ppm以下で あ り 、 か つ そ の と き の有機系 ガス の総発生量が 0. 03ppm以下で あ る 成形品。
6. 半導体製造装置の 部品 に用 い る 請求 の範 囲第 5 項記 載 の成形品。
7. 半導体製造装置の封止 の た め に用 い る シ一ル材で あ る 請求 の範囲第 6 項記載 の成形品。
8. 200X で 2 時 間加熱 し た と き の単位表面積 当 た り の 重量減少率が 2. 5 X 10 5重量 % / m2以下で あ り 、かつ 2 00 °C で 15分間加熱 し た と き の有機系 ガス の総発生量が 2. 5ppm以下で あ る フ ィ ラ ー。
9. 単位表面積 当 た り の 重量減少率が 1. 5 X 10 5重量 % / m2以下で あ る 請求 の範 囲第 8 項記載の フ ィ ラ ー。
10. 有機 系 ガ ス の 総発 生量が 1. 8ppm以下で あ る 請求 の 範囲第 8 項 ま た は第 9 項記載 の フ ィ ラ ー 。
11. 表面が疎水化処理 さ れた フ イ ラ 一 を不活性ガ ス 気流 下 にて 100〜300°C で 0. 5〜 4 時間加熱処理する 請求 の 範囲第 8 項〜第 10項の いずれか に記載 の フ イ ラ 一 の製 法。
12. フ イ ラ 一 の疎水ィ匕処理 を シ リ ル化剤 、 シ リ コ ー ン ォ ィ ルお よ び シ ラ ン カ ツ プ リ ン グ剤 よ り な る 群か ら 選 ば れた疎水化処理剤 に よ り 行な う 請求 の範 囲第 11項記載 の製法 。
13. 不活性ガス が窒素ガス で あ る 請求 の範囲第 11項 ま た は第 12項記載 の製法。
PCT/JP2001/003686 2000-05-09 2001-04-27 Composition polymere a laquelle est incorporee une substance de charge propre WO2001085848A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001582443A JP4374819B2 (ja) 2000-05-09 2001-04-27 クリーンフィラーの製法およびえられたフィラーを含む成形品の製法
US10/275,685 US6946513B2 (en) 2000-05-09 2001-04-27 Polymer composition containing clean filler incorporated therein
EP01926012A EP1288263A4 (en) 2000-05-09 2001-04-27 POLYMER COMPOSITION WITH INCORPORATED CLEAN FILLER

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000135820 2000-05-09
JP2000-135820 2000-05-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2001085848A1 true WO2001085848A1 (fr) 2001-11-15

Family

ID=18643851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2001/003686 WO2001085848A1 (fr) 2000-05-09 2001-04-27 Composition polymere a laquelle est incorporee une substance de charge propre

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6946513B2 (ja)
EP (1) EP1288263A4 (ja)
JP (1) JP4374819B2 (ja)
KR (1) KR20030007581A (ja)
CN (1) CN1228391C (ja)
TW (1) TW593449B (ja)
WO (1) WO2001085848A1 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004059834A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Yazaki Corp アウトガス抑制粘着テープ
JP2006034042A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Yaskawa Electric Corp 真空用熱硬化性樹脂組成物およびその製造方法
JP2006316112A (ja) * 2005-05-10 2006-11-24 Daikin Ind Ltd 含フッ素エラストマー組成物およびそれからなる成形品
WO2007013397A1 (ja) * 2005-07-26 2007-02-01 Daikin Industries, Ltd. 硬化性組成物、それからなる成形品および成形品の製造方法
JP2007502890A (ja) * 2003-08-15 2007-02-15 デュポン パフォーマンス エラストマーズ エルエルシー 硬化性パーフルオロエラストマー組成物
WO2007057997A1 (ja) * 2005-11-15 2007-05-24 Pola Chemical Industries Inc. 有機無機複合粉体、その製造方法、及び前記粉体を含有する組成物
JP2007137932A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Pola Chem Ind Inc ウィスカー状の金属酸化物及びその複合体
JP2007254647A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Sumitomo Chemical Co Ltd オレフィン系エラストマー組成物
JPWO2005082998A1 (ja) * 2004-02-26 2007-11-15 ダイキン工業株式会社 含フッ素エラストマー組成物
JP2008500408A (ja) * 2004-03-31 2008-01-10 グリーン, ツイード オブ デラウェア, インコーポレイテッド 迅速硬化フルオロエラストマー組成物、接着性フルオロエラストマー組成物およびフルオロエラストマー組成物を結合する方法
JP2009030064A (ja) * 2001-12-17 2009-02-12 Daikin Ind Ltd 架橋性エラストマー組成物および該組成物からなる成形品
JP2010138335A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物および樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP2011508004A (ja) * 2007-12-21 2011-03-10 キャボット コーポレイション 濃縮ヒュームド金属酸化物を含むフィラー系
WO2012111751A1 (ja) * 2011-02-17 2012-08-23 Nok株式会社 フッ素ゴム組成物及びフッ素ゴム架橋体の製造方法
WO2013035697A1 (ja) * 2011-09-09 2013-03-14 イーグル工業株式会社 ウォーターポンプ用リップシール
JP2015052032A (ja) * 2013-09-05 2015-03-19 株式会社森清化工 オーリング用組成物およびオーリング

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4334897B2 (ja) * 2003-03-25 2009-09-30 ニチアス株式会社 フッ素ゴム成形体の製造方法
US20100239867A1 (en) * 2006-06-22 2010-09-23 Daikin Industries, Ltd. Sealing material, parts for plasma treating equipment having said sealing material, and process for preparing said sealing material
ITMI20061291A1 (it) * 2006-07-03 2008-01-04 Solvay Solexis Spa Composizioni (per) fluoroelastomeriche
US8586650B2 (en) * 2007-09-14 2013-11-19 Henkel US IP LLC Thermally conductive composition
US7902294B2 (en) 2008-03-28 2011-03-08 General Electric Company Silicone rubber compositions comprising bismuth oxide and articles made therefrom
KR20110096046A (ko) * 2008-12-17 2011-08-26 그린, 트위드 오브 델라웨어, 인코포레이티드 티타늄산 바륨 충전제를 포함하는 퍼플루오로탄성체 조성물
TWI523900B (zh) * 2010-07-20 2016-03-01 首威索勒希斯股份有限公司 氟彈性體組合物
US8790774B2 (en) * 2010-12-27 2014-07-29 Xerox Corporation Fluoroelastomer nanocomposites comprising CNT inorganic nano-fillers
JP5872964B2 (ja) * 2012-05-29 2016-03-01 東レ・ダウコーニング株式会社 導電性室温硬化型フルオロシリコーンゴム組成物
US9159556B2 (en) 2013-09-09 2015-10-13 GlobalFoundries, Inc. Alleviation of the corrosion pitting of chip pads
US20150101570A1 (en) * 2013-10-14 2015-04-16 General Electric Company Electrical lead frame with protective coating and method of applying same
CN107434897B (zh) * 2016-05-27 2020-11-03 北京化工大学 钛酸钡颗粒、钛酸钡/含氟聚合物复合材料及其制备方法
TWI832985B (zh) 2019-03-08 2024-02-21 日商Agc股份有限公司 含氟共聚物組成物、交聯橡膠及其製造方法
US20220177800A1 (en) * 2019-05-08 2022-06-09 Dow Silicones Corporation Antifriction coating formulation compositions

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5641263A (en) * 1979-09-10 1981-04-17 Shin Etsu Chem Co Ltd Surface modification of silica powder
JPS63156816A (ja) * 1986-12-22 1988-06-29 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH0234658A (ja) * 1988-07-25 1990-02-05 Matsushita Electric Works Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物
JPH03287654A (ja) * 1990-04-05 1991-12-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH05335446A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Tonen Chem Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3837878A (en) * 1972-12-04 1974-09-24 Gen Electric Process for treating silica fillers
US4529774A (en) * 1982-08-20 1985-07-16 General Electric Company Treated silica fillers and process for making same
JPS636062A (ja) * 1986-06-25 1988-01-12 Toray Silicone Co Ltd シリカ微粉末の表面改質方法
US4882369A (en) * 1988-04-15 1989-11-21 Dow Corning Corporation High strength fluorosilicone sealants
US5498657A (en) * 1993-08-27 1996-03-12 Asahi Glass Company Ltd. Fluorine-containing polymer composition
JP3703487B2 (ja) * 1994-04-11 2005-10-05 宇部日東化成株式会社 架橋樹脂被覆シリカ微粒子およびその製造方法
US5712070A (en) * 1995-02-10 1998-01-27 Canon Kabushiki Kaisha Toner for developing electrostatic image, image forming method, developing device and process cartridge
DE19545363A1 (de) * 1995-12-05 1997-06-12 Wacker Chemie Gmbh Niedermolekulare Organosiliciumverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung in vernetzbaren Organopolysiloxanmassen
DE19808116A1 (de) * 1998-02-26 1999-09-09 Wacker Chemie Gmbh Siliconelastomere

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5641263A (en) * 1979-09-10 1981-04-17 Shin Etsu Chem Co Ltd Surface modification of silica powder
JPS63156816A (ja) * 1986-12-22 1988-06-29 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH0234658A (ja) * 1988-07-25 1990-02-05 Matsushita Electric Works Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物
JPH03287654A (ja) * 1990-04-05 1991-12-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH05335446A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Tonen Chem Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1288263A4 *

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1464676B1 (en) 2001-12-17 2017-06-21 Daikin Industries, Ltd. Crosslinkable elastomer composition and formed product comprising the same
EP1464676B2 (en) 2001-12-17 2020-05-13 Daikin Industries, Ltd. Crosslinkable elastomer composition and formed product comprising the same
JP2009030064A (ja) * 2001-12-17 2009-02-12 Daikin Ind Ltd 架橋性エラストマー組成物および該組成物からなる成形品
JP2004059834A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Yazaki Corp アウトガス抑制粘着テープ
JP2007502890A (ja) * 2003-08-15 2007-02-15 デュポン パフォーマンス エラストマーズ エルエルシー 硬化性パーフルオロエラストマー組成物
JP4600393B2 (ja) * 2004-02-26 2010-12-15 ダイキン工業株式会社 含フッ素エラストマー組成物
JPWO2005082998A1 (ja) * 2004-02-26 2007-11-15 ダイキン工業株式会社 含フッ素エラストマー組成物
JP2008500408A (ja) * 2004-03-31 2008-01-10 グリーン, ツイード オブ デラウェア, インコーポレイテッド 迅速硬化フルオロエラストマー組成物、接着性フルオロエラストマー組成物およびフルオロエラストマー組成物を結合する方法
JP2006034042A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Yaskawa Electric Corp 真空用熱硬化性樹脂組成物およびその製造方法
JP2006316112A (ja) * 2005-05-10 2006-11-24 Daikin Ind Ltd 含フッ素エラストマー組成物およびそれからなる成形品
KR100950352B1 (ko) 2005-07-26 2010-03-29 다이킨 고교 가부시키가이샤 경화성 조성물, 이를 포함하는 성형품 및 성형품의 제조 방법
WO2007013397A1 (ja) * 2005-07-26 2007-02-01 Daikin Industries, Ltd. 硬化性組成物、それからなる成形品および成形品の製造方法
KR101004155B1 (ko) 2005-07-26 2010-12-24 다이킨 고교 가부시키가이샤 경화성 조성물, 이를 포함하는 성형품 및 성형품의 제조방법
US8211964B2 (en) 2005-07-26 2012-07-03 Daikin Industries, Ltd. Curable composition, molded article obtained from same and process for production of molded article
JP4998267B2 (ja) * 2005-07-26 2012-08-15 ダイキン工業株式会社 硬化性組成物、それからなる成形品および成形品の製造方法
US9068057B2 (en) 2005-07-26 2015-06-30 Daikin Industries, Ltd. Curable composition, molded article obtained from same and process for production of molded article
WO2007057997A1 (ja) * 2005-11-15 2007-05-24 Pola Chemical Industries Inc. 有機無機複合粉体、その製造方法、及び前記粉体を含有する組成物
CN101356243B (zh) * 2005-11-15 2013-11-20 宝丽化学工业有限公司 有机无机复合粉末及其制备方法和含有上述粉末的组合物
JP2007137932A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Pola Chem Ind Inc ウィスカー状の金属酸化物及びその複合体
JP2007254647A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Sumitomo Chemical Co Ltd オレフィン系エラストマー組成物
JP2011508004A (ja) * 2007-12-21 2011-03-10 キャボット コーポレイション 濃縮ヒュームド金属酸化物を含むフィラー系
JP2010138335A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物および樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
CN103108913A (zh) * 2011-02-17 2013-05-15 Nok株式会社 氟橡胶组合物及氟橡胶交联体的制造方法
JP5288071B2 (ja) * 2011-02-17 2013-09-11 Nok株式会社 フッ素ゴム組成物及びフッ素ゴム架橋体の製造方法
KR101450005B1 (ko) 2011-02-17 2014-10-15 엔오케이 가부시키가이샤 불소고무 조성물 및 불소고무 가교체의 제조방법
CN103108913B (zh) * 2011-02-17 2014-12-24 Nok株式会社 氟橡胶组合物及氟橡胶交联体的制造方法
WO2012111751A1 (ja) * 2011-02-17 2012-08-23 Nok株式会社 フッ素ゴム組成物及びフッ素ゴム架橋体の製造方法
WO2013035697A1 (ja) * 2011-09-09 2013-03-14 イーグル工業株式会社 ウォーターポンプ用リップシール
JP2015052032A (ja) * 2013-09-05 2015-03-19 株式会社森清化工 オーリング用組成物およびオーリング

Also Published As

Publication number Publication date
CN1427874A (zh) 2003-07-02
EP1288263A1 (en) 2003-03-05
EP1288263A4 (en) 2003-07-02
TW593449B (en) 2004-06-21
US20030149159A1 (en) 2003-08-07
KR20030007581A (ko) 2003-01-23
JP4374819B2 (ja) 2009-12-02
CN1228391C (zh) 2005-11-23
US6946513B2 (en) 2005-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2001085848A1 (fr) Composition polymere a laquelle est incorporee une substance de charge propre
TWI389961B (zh) 橡膠組成物、電漿處理裝置用密封材料
JP3746073B2 (ja) パーフルオロエラストマー組成物
JP5070805B2 (ja) クリーンフィラーを配合した架橋性フッ素系エラストマー組成物
JP2006316112A (ja) 含フッ素エラストマー組成物およびそれからなる成形品
JP5553320B2 (ja) 架橋性含フッ素エラストマー組成物および該組成物から作製された成形品
US7125598B2 (en) Molded fluoroelastomer with excellent detachability and process for producing the same
TW200535189A (en) Perfluoroelastomer composition for use in vulcanization and method for making a molded perfluoroelastomer product
WO2017094710A1 (ja) 架橋性エラストマー組成物、成型品、シール材、該シール材を含むプラズマ処理装置及び半導体製造装置、並びに、成型品の硬度低下剤、成型品の製造方法
TWI381015B (zh) 氟橡膠組成物、使用該組成物之橡膠材料以及氟橡膠成形體之製造方法
JP7283383B2 (ja) 架橋性含フッ素弾性共重合体の製造方法
WO1997008239A1 (fr) Composition d&#39;etancheification et produit d&#39;etancheite
JP4534956B2 (ja) 含フッ素エラストマー組成物
JP2013057057A (ja) 含フッ素エラストマー組成物およびゴム部材
WO2007148779A1 (ja) シール材、該シール材を有するプラズマ処理装置用部品および該シール材の製造方法
JP6955384B2 (ja) パーフルオロエラストマー組成物及びシール材
WO2000042100A1 (fr) Composition d&#39;elastomere reticulable et objet forme a partir de ladite composition
KR100593224B1 (ko) 엘라스토머 성형품
WO2000078871A1 (en) Crosslinkable elastomer composition and molded article produced from the composition
JP2000034380A (ja) 架橋性エラストマー組成物、該組成物から製造されるシール材およびそれに用いるフィラー
JP5292815B2 (ja) 含フッ素エラストマー組成物
JP2012509367A (ja) 不活性耐摩耗性フッ素系固体潤滑剤、その製造方法、及び利用方法
JP3632888B2 (ja) 耐プラズマ性シール材
TW202130731A (zh) 含氟彈性體組成物及密封材
KR101692765B1 (ko) 함불소 엘라스토머 및 그 가황성 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
ENP Entry into the national phase

Ref country code: JP

Ref document number: 2001 582443

Kind code of ref document: A

Format of ref document f/p: F

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020027014851

Country of ref document: KR

Ref document number: 018091156

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10275685

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2001926012

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020027014851

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2001926012

Country of ref document: EP

WWR Wipo information: refused in national office

Ref document number: 1020027014851

Country of ref document: KR

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 2001926012

Country of ref document: EP