JPS63156816A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPS63156816A JPS63156816A JP30596486A JP30596486A JPS63156816A JP S63156816 A JPS63156816 A JP S63156816A JP 30596486 A JP30596486 A JP 30596486A JP 30596486 A JP30596486 A JP 30596486A JP S63156816 A JPS63156816 A JP S63156816A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
この発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する
ものである。さらに詳しくは、この発明は、耐熱衝撃性
とともに、吸湿、および半田処理後の耐湿性にも優れた
半導体封止用のエポキシ樹脂組成物に関するものである
。
ものである。さらに詳しくは、この発明は、耐熱衝撃性
とともに、吸湿、および半田処理後の耐湿性にも優れた
半導体封止用のエポキシ樹脂組成物に関するものである
。
(背景技術)
半導体封止用材料としてのエポキシ樹脂については、該
樹脂に低応力を付与することを目的に、従来よりシリコ
ン系改質剤、さらにはゴム、低応力樹脂などを用いるこ
とが検討されてきている。
樹脂に低応力を付与することを目的に、従来よりシリコ
ン系改質剤、さらにはゴム、低応力樹脂などを用いるこ
とが検討されてきている。
しかしながら、これまでの検討の状況では、従来のシリ
コン系改質剤などによっては、低応力化とともに、耐湿
性という封止剤にとって重要な性能とが両立しないとい
う重大な問題があった。
コン系改質剤などによっては、低応力化とともに、耐湿
性という封止剤にとって重要な性能とが両立しないとい
う重大な問題があった。
また、最近の傾向として、ICパッケージの薄型化、小
型化がさらに進む方向にあり、ユーザーの要求も厳しく
なってきており、従来にないような加速評価により半導
体の信頼性を評価するようになっている。その代表的な
例として、SDR,FPにおける複合信顆性の評価があ
る。
型化がさらに進む方向にあり、ユーザーの要求も厳しく
なってきており、従来にないような加速評価により半導
体の信頼性を評価するようになっている。その代表的な
例として、SDR,FPにおける複合信顆性の評価があ
る。
このような状況において、パッケージをある一定の条件
下で吸湿させた後、および半田処理した後の耐湿性の向
上や、これら処理においてのパッケージの耐クラツク性
の向上などが一層必要になっている。しかしながら、こ
れらの課題に対処するには従来の低応力化の方法では限
界があり、満足のいくものではなかった。
下で吸湿させた後、および半田処理した後の耐湿性の向
上や、これら処理においてのパッケージの耐クラツク性
の向上などが一層必要になっている。しかしながら、こ
れらの課題に対処するには従来の低応力化の方法では限
界があり、満足のいくものではなかった。
このなめ、熱衝撃を受けた場合の耐クラツク性に優れる
とともに、耐湿性、特に吸湿や半田処理後の耐湿性に優
れた半導体封止用のエポキシ樹脂組成物の実現が強く望
まれていた。
とともに、耐湿性、特に吸湿や半田処理後の耐湿性に優
れた半導体封止用のエポキシ樹脂組成物の実現が強く望
まれていた。
(発明の目的)
この発明は、以上の通りの事情を鑑みてなされたもので
あり、吸湿後の半田処理などの複合処理した際の耐クラ
ツク性を向上させるとともに、これら処理後の耐湿性を
も向上させる半導体封止用のエポキシ樹脂組成物を提供
することを目的としている。(発明の開示) この発明の半導体封止用のエポキシ樹脂組成物は、上記
の目的を実現するなめに、変性シリコン樹脂、シリコン
ゴムパウダーおよびカップリング剤を用いて加熱処理し
たシリカ粉体を含有することを特徴としている。
あり、吸湿後の半田処理などの複合処理した際の耐クラ
ツク性を向上させるとともに、これら処理後の耐湿性を
も向上させる半導体封止用のエポキシ樹脂組成物を提供
することを目的としている。(発明の開示) この発明の半導体封止用のエポキシ樹脂組成物は、上記
の目的を実現するなめに、変性シリコン樹脂、シリコン
ゴムパウダーおよびカップリング剤を用いて加熱処理し
たシリカ粉体を含有することを特徴としている。
すなわち、この発明では、上記の変性シリコン樹脂、シ
リコンゴムパウダーとカップリンク剤によって表面処理
したシリカ粉体を使用することを不可欠としており、こ
の処理されたシリカ粉体を用いることにより、複合処理
後の耐湿性とパッケージクラック耐性に優れた半導体封
止材料が得ろれる。
リコンゴムパウダーとカップリンク剤によって表面処理
したシリカ粉体を使用することを不可欠としており、こ
の処理されたシリカ粉体を用いることにより、複合処理
後の耐湿性とパッケージクラック耐性に優れた半導体封
止材料が得ろれる。
変性シリコン樹脂としては、官能基として、エポキシ基
、アミン基、エポキシグリコール基、カルビノール基、
エポキシアラルキル基、エポキシポリエーテル基などに
より変性したシリコン樹脂を用いることができる。好適
なものとしては、たとえば、エポキシ変性シリコン樹脂
、アミノ変性シリコン樹脂がある。
、アミン基、エポキシグリコール基、カルビノール基、
エポキシアラルキル基、エポキシポリエーテル基などに
より変性したシリコン樹脂を用いることができる。好適
なものとしては、たとえば、エポキシ変性シリコン樹脂
、アミノ変性シリコン樹脂がある。
これら変性シリコン樹脂として1種または2種以上のも
のを組合わせて使用する。使用する変性シリコン樹脂の
官能基当量としては、500〜5゜OOOの範囲とする
のが好ましい。当量が500以下の場合には、反応性が
大きいため成形性が低下し、また、5,000以上の場
合には反応性が小さいためブリードアウトしやすく、パ
リの発生など成形性が低下する。シリカ粉体の処理に用
いる変性シリコン樹脂の量については特に限定はないが
、通常は、シリカ粉体100重量部に対して、0.1〜
20重量部の範囲で用いるのが好ましい。
のを組合わせて使用する。使用する変性シリコン樹脂の
官能基当量としては、500〜5゜OOOの範囲とする
のが好ましい。当量が500以下の場合には、反応性が
大きいため成形性が低下し、また、5,000以上の場
合には反応性が小さいためブリードアウトしやすく、パ
リの発生など成形性が低下する。シリカ粉体の処理に用
いる変性シリコン樹脂の量については特に限定はないが
、通常は、シリカ粉体100重量部に対して、0.1〜
20重量部の範囲で用いるのが好ましい。
シリコンゴムパウダーとしては、フリーのナトリウム、
フリーの塩素含有量が10ppm以下のものを使用する
のが好ましい。また、抽出水電気伝導度としては、50
以下のものが好ましい。その粒度については、好ましく
は、平均粒径が5〜30ミクロンで最大粒径が150ミ
クロン以下のものを使用する。150ミクロンを越える
ものは、分散性が低下するばかりか、低応力化の効果も
半減する。
フリーの塩素含有量が10ppm以下のものを使用する
のが好ましい。また、抽出水電気伝導度としては、50
以下のものが好ましい。その粒度については、好ましく
は、平均粒径が5〜30ミクロンで最大粒径が150ミ
クロン以下のものを使用する。150ミクロンを越える
ものは、分散性が低下するばかりか、低応力化の効果も
半減する。
このシリコンパウダーの使用量については、特に限定は
ないが、通常は、シリカ粉体100重量部に対し、0.
1〜20重量部の範囲とするのが好ましい。
ないが、通常は、シリカ粉体100重量部に対し、0.
1〜20重量部の範囲とするのが好ましい。
シリカ粉体の加熱処理に用いるもう一つの成分であるカ
ップリング剤としては、アルコキシシラン類が好適に用
いられる。その種類に格別の限定はないが、エポキシシ
ランが好ましいものとしてあげられる。カップリング剤
の使用量は、シリカ粉体100重量部に対して0.1〜
3重量部とするのが好ましい。
ップリング剤としては、アルコキシシラン類が好適に用
いられる。その種類に格別の限定はないが、エポキシシ
ランが好ましいものとしてあげられる。カップリング剤
の使用量は、シリカ粉体100重量部に対して0.1〜
3重量部とするのが好ましい。
シリカ粉体としては、平均粒径が5〜30ミクロンのも
のを使用する。
のを使用する。
シリカ粉体の加熱処理、すなわち、変性シリコン樹脂、
シリコンゴムパウダーおよびカップリング剤を用いてシ
リカ粉体を加熱処理するにあたっては、シリカ粉体とと
もに、これら処理剤の所定量を混合機に入れ、十分に分
散させる。この分散させたシリカ粉体を70〜150℃
の温度範囲で、約0.5〜30時間加熱処理する。
シリコンゴムパウダーおよびカップリング剤を用いてシ
リカ粉体を加熱処理するにあたっては、シリカ粉体とと
もに、これら処理剤の所定量を混合機に入れ、十分に分
散させる。この分散させたシリカ粉体を70〜150℃
の温度範囲で、約0.5〜30時間加熱処理する。
このようにして得たシリカ粉体をエポキシ樹脂半導体封
止材に使用する。シリカ粉体の粒子表面では、変性シリ
コン樹脂、シリコンゴムパウダーおよびカップリング剤
が反応して化学的に吸着された状態になっている。シリ
カ粉体の表面が疎水化されるばかりでなく、可撓性を帯
びた表面、さらにはエポキシ樹脂との反応性に優れた表
面が得られる。このため、従来の低応力付与の方法には
ない耐熱衝撃性、さらには吸湿後の半田処理のような、
複合処理後の耐クラツク性、耐湿性に優れた封止材が得
られる。
止材に使用する。シリカ粉体の粒子表面では、変性シリ
コン樹脂、シリコンゴムパウダーおよびカップリング剤
が反応して化学的に吸着された状態になっている。シリ
カ粉体の表面が疎水化されるばかりでなく、可撓性を帯
びた表面、さらにはエポキシ樹脂との反応性に優れた表
面が得られる。このため、従来の低応力付与の方法には
ない耐熱衝撃性、さらには吸湿後の半田処理のような、
複合処理後の耐クラツク性、耐湿性に優れた封止材が得
られる。
封止材エポキシ樹脂組成物に用いるエポキシ樹= 6
− 脂には格別の限定はない。たとえば、フェノールノボラ
ック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、ビスフェノール−A型エポキシ樹脂、グリシジル
エーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキ
シ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等の適宜なものが用い
られる。
− 脂には格別の限定はない。たとえば、フェノールノボラ
ック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、ビスフェノール−A型エポキシ樹脂、グリシジル
エーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキ
シ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等の適宜なものが用い
られる。
また配合成分として無機充填剤、着色剤、難燃料などを
適宜に用いることもできる。
適宜に用いることもできる。
以上の通りのこの発明の半導体封止用のエポキシ樹脂組
成物は、その優れた特性から、液状封止材あるいはフェ
ノール成形材料としても用いることができる。
成物は、その優れた特性から、液状封止材あるいはフェ
ノール成形材料としても用いることができる。
次に実施例を示し、さらに具体的にこの発明について説
明する。もちろん、この発明は、以下の実施例に限定さ
れるものではなく、様々な態様が可能であることはいう
までもない。
明する。もちろん、この発明は、以下の実施例に限定さ
れるものではなく、様々な態様が可能であることはいう
までもない。
実施例 1
シリカ粉体640gに、変性シリコン樹脂としてエポキ
シシリコン(当!200>Logおよび゛アミノシリコ
ン(当量200)Log、シリコンゴムパウダー(最大
粒径100ミクロン)20g、並びにカップリング剤4
gを混合機で5分間混合した。その後90°Cの温度で
3時間処理しな。
シシリコン(当!200>Logおよび゛アミノシリコ
ン(当量200)Log、シリコンゴムパウダー(最大
粒径100ミクロン)20g、並びにカップリング剤4
gを混合機で5分間混合した。その後90°Cの温度で
3時間処理しな。
得られたシリカ粉体を用いて、次の組成からなるエポキ
シ樹脂組成物を製造した。
シ樹脂組成物を製造した。
オルソクレゾールノボラック樹脂 160(g)フェノ
ールノボラック樹脂 90ブロム化エポキシ樹
脂 2〇三酸化アンチモン
30カルナバワツクス 4C1
123 カーボンブラツク 4加熱処理シリ
力粉体 684得られたエポキシ樹脂組成
物を用いて、半導体封止材としての性能を評価した。評
価試験の条件は、 パッケージ 18pSOP (デツプサイズ2..3X3.2TEG)について、吸
湿:133°C1100%RH115時間半 田:2
60’C/10秒 (半田浸漬)PCT:151℃、
lOO%RH(50%累積不良時間)の条件とした。
ールノボラック樹脂 90ブロム化エポキシ樹
脂 2〇三酸化アンチモン
30カルナバワツクス 4C1
123 カーボンブラツク 4加熱処理シリ
力粉体 684得られたエポキシ樹脂組成
物を用いて、半導体封止材としての性能を評価した。評
価試験の条件は、 パッケージ 18pSOP (デツプサイズ2..3X3.2TEG)について、吸
湿:133°C1100%RH115時間半 田:2
60’C/10秒 (半田浸漬)PCT:151℃、
lOO%RH(50%累積不良時間)の条件とした。
その結果は表−1に示した通りであった。吸湿および半
田処理後のクラックは全く認められなかった。また、吸
湿、半田およびPCT処理後の50%不良時間も200
時間と非常に優れていた。
田処理後のクラックは全く認められなかった。また、吸
湿、半田およびPCT処理後の50%不良時間も200
時間と非常に優れていた。
実施例 2
実施例1の加熱処理シリカ粉体について、130°Cで
5時間処理したものを用いたことを除いては実施例1と
同様のエポキシ樹脂組成物を製造した。
5時間処理したものを用いたことを除いては実施例1と
同様のエポキシ樹脂組成物を製造した。
実施例1と同様の性能評価試験を行った。その結果は表
−1に示した通りであった。半導体封止材として実施例
1と同じくその性能は非常に優れたものであった。
−1に示した通りであった。半導体封止材として実施例
1と同じくその性能は非常に優れたものであった。
比較例 1
比較のために、実施例1の加熱処理したシリカ粉体の代
わりに、シリカ640gとカップリング剤4gのみを配
合させ、実施例1と同様にして、エポキシ樹脂組成物を
製造した。実施例1と同様にしてこの組成物の封止材と
しての性能を評価した。その結果は表−1に示した通り
であった。吸湿および半田処理後のクラックの発生が顕
著であった。また吸湿、半田およびPCT処理後の50
%不良時間は30時間でしかなかっな。
わりに、シリカ640gとカップリング剤4gのみを配
合させ、実施例1と同様にして、エポキシ樹脂組成物を
製造した。実施例1と同様にしてこの組成物の封止材と
しての性能を評価した。その結果は表−1に示した通り
であった。吸湿および半田処理後のクラックの発生が顕
著であった。また吸湿、半田およびPCT処理後の50
%不良時間は30時間でしかなかっな。
比較例 2
実施例1の加熱処理したシリカ粉体の代わりにシリカ6
40g、エポキシ樹脂Log、アミノシリコ樹脂Log
、シリコンゴム20gおよびカップリング剤4gからな
る配合物を、加熱処理することなく用いて、実施例1と
同様のエポキシ樹脂組成物を製造した。
40g、エポキシ樹脂Log、アミノシリコ樹脂Log
、シリコンゴム20gおよびカップリング剤4gからな
る配合物を、加熱処理することなく用いて、実施例1と
同様のエポキシ樹脂組成物を製造した。
このエポキシ樹脂組成物について封止材としての性能を
実施例1と同様にして評価した。その結果は、表−1に
示した通りであった。実施例1および2に比べてその性
能ははるかに劣っていた。
実施例1と同様にして評価した。その結果は、表−1に
示した通りであった。実施例1および2に比べてその性
能ははるかに劣っていた。
Claims (1)
- 変性シリコン樹脂、シリコンゴムパウダーおよびカッ
プリング剤を用いて加熱処理したシリカ粉体を含有する
ことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30596486A JPH083032B2 (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
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JPH083032B2 JPH083032B2 (ja) | 1996-01-17 |
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Family Applications (1)
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JP30596486A Expired - Fee Related JPH083032B2 (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6490253A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Epoxy resin composition and its production |
JPH09255849A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-09-30 | Shiaru:Kk | 半導体封止用のエポキシ樹脂組成物 |
WO2001085848A1 (fr) * | 2000-05-09 | 2001-11-15 | Daikin Industries, Ltd. | Composition polymere a laquelle est incorporee une substance de charge propre |
-
1986
- 1986-12-22 JP JP30596486A patent/JPH083032B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6490253A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Epoxy resin composition and its production |
JPH09255849A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-09-30 | Shiaru:Kk | 半導体封止用のエポキシ樹脂組成物 |
WO2001085848A1 (fr) * | 2000-05-09 | 2001-11-15 | Daikin Industries, Ltd. | Composition polymere a laquelle est incorporee une substance de charge propre |
US6946513B2 (en) | 2000-05-09 | 2005-09-20 | Daikin Industries, Ltd. | Polymer composition containing clean filler incorporated therein |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH083032B2 (ja) | 1996-01-17 |
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