JP2006206696A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、硬化促進剤、無機充填材、ポリブタジエン又はアクリロニトリル含有ゴムから選ばれる低応力剤、メルカプト基又はスルフィド基を有するトリメトキシシラン、及びメルカプト基又はスルフィド基を有するトリエトキシシランからなるカップリング剤を必須成分とし、全エポキシ樹脂組成物中に上記無機充填材が80〜92重量%、上記低応力剤が0.1〜3重量%、上記カップリング剤が0.1〜1重量%配合することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Description
ところが近年、電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向に伴い、半導体素子の高集積化が年々進み、また半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、半導体素子の封止に用いられているエポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきている。半導体装置の表面実装化が一般的となって、地球環境に配慮した企業活動の重視によって、有害性の恐れのある物質の削減・撤廃の動きがあり、ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を使用しないで、難燃性に優れたエポキシ樹脂組成物の開発の要求があり、該要求を満たす難燃性に優れたエポキシ樹脂組成物として、構造中に多数の芳香環をもつ樹脂を使用する手法が検討されてきた(例えば、特許文献1参照。)。
更に、環境負荷物質の撤廃の一環として、鉛を含まない半田への代替が進められている現状では、鉛を含まない半田が従来の半田に比べ融点が高いため、表面実装時のリフロー温度は、従来より20℃程度高く260℃が必要とされ、この半田リフロー温度の変更によって、エポキシ樹脂組成物の硬化物とパッドとの界面での剥離、半導体素子と半導体樹脂ペーストとの界面での剥離に起因する半導体装置のクラックの問題が生じてきた。特に、鉛フリー化においてはNi/Pdめっき製のリードフレームが使用されるようになり、現在主流であるCu製リードフレームと比べ、リードフレームとエポキシ樹脂組成物との剥離の問題が特に多く生じてきた。
[1] (A)一般式(1)で示されるエポキシ樹脂、(B)一般式(2)で示されるフェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、(E)ポリブタジエン又はアクリロニトリル含有ゴムから選ばれる低応力剤、(F)一般式(3)又は一般式(4)で示されるトリメトキシシラン及び一般式(5)又は一般式(6)で示されるトリエトキシシランからなるカップリング剤を必須成分とし、全エポキシ樹脂組成物中に上記無機充填材が80〜92重量%、上記低応力剤が0.1〜3重量%、上記カップリング剤が0.1〜1重量%配合することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
である。
、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。
一般式(1)で示されるエポキシ樹脂の配合量としては、全エポキシ樹脂中に70重量%以上が好ましい。下限値を下回ると、燃焼しやすくなったり、吸湿率が高くなったり、高弾性化による耐半田クラック性の低下が起こる可能性がある。
一般式(2)で示されるフェノール樹脂としては、全フェノール樹脂中に70重量%以上が好ましい。下限値を下回ると、流動性、硬化性、難燃性の低下や十分な強度を得ることが出来ず、耐半田クラック性の低下が起こる可能性がある。
又無機充填材の形状としては、破砕状でも球状でもかまわないが、耐半田クラック性を向上させるために高充填する点や、流動性、機械強度及び熱的特性のバランスの点から球状溶融シリカが好ましい。
最大粒径としては75μm以下が好ましく、平均粒径としては5〜25μmが好ましい。粒度分布としては広いものが、成形時のエポキシ樹脂組成物の溶融粘度を低減するために有効である。更にシランカップリング剤等で予め表面処理をしたものを用いてもよい。また必要に応じて溶融球状シリカをカップリング剤やエポキシ樹脂或いはフェノール樹脂で予め処理して用いてもよく、処理の方法としては、溶剤を用いて混合した後に溶媒を除去する方法や直接溶融球状シリカに添加し、混合機を用いて処理する方法等がある。
本発明に用いるポリブタジエン又はアクリロニトリル含有ゴムの添加量は、全エポキシ樹脂組成物に対し、0.1〜3重量%であり、より好ましくは、0.2〜1重量%である。添加量が下限値を下回ると低弾性率化が不十分なため、耐半田クラック性が低下し、上限値を越えると樹脂組成物の充分な流動性、難燃性が得られず、また強度の低下及び吸湿量が向上して耐半田クラック性が低下するため、好ましくない。
両者を併用することにより、Ni/Pdめっき製のリードフレームに対して良好な成形性及び耐半田クラック性を得ることが出来る。一般式(3)又は一般式(4)及び一般式(5)又は一般式(6)で示されるカップリング剤の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものでない。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で成形硬化すればよい。
0.35重量部
溶融球状シリカ(平均粒径20μm、最大粒径75μm) 85.00重量部
ポリブタジエン含有ゴム:(日本石油(株)製、E−1800) 0.50重量部
γ−メルカプトトリプロピルメトキシシラン:((株)チッソ製、S810、以下、カップリング剤Aという) 0.20重量部
γ−メルカプトトリプロピルエトキシシラン:(日本ユニカー(株)製、A1891、以下、カップリング剤Bという) 0.20重量部
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン 0.20重量部
カーボンブラック 0.30重量部
カルナバワックス 0.40重量部
をミキサーを用いて常温で混合し、70〜110℃でロールを用いて混練して、冷却後粉砕し、タブレット化してエポキシ樹脂組成物を得た。このエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表1に示す。
・スパイラルフロー:EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒の条件で測定した。単位はcm。
・ゲートブレーク性:トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.3MPa、硬化時間60秒の条件でのNi/Pdめっき製リードフレーム(新光電機(株)製)の176pLQFP(パッケージサイズ24mm×24mm×厚さ1.4mm、半導体素子のサイズ9.5mm×9.5mm)を成形し、フレームと成形品ランナーを引き剥がした時に、きれいに剥がれたものを○、ランナー折れやフレーム変形が生じたものを×で表した。
・熱時曲げ強度・熱時曲げ弾性率:トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒で試験片(幅10mm、厚さ4mm、長さ80mm)を成形し、ポストキュアとして175℃で8時間処理した後、熱時(260℃)曲げ強度及び熱時曲げ弾性率をJIS K 6911に準じて測定した。単位はいずれもN/mm2。
・吸湿率:トランスファー成形機を用いて金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒で直径50mm、厚さ3mmの円盤状試験片を成形し、ポストキュアとして175℃で8時間処理した。試験片の吸湿処理前と、85℃、相対湿度85%の環境下で168時間吸湿処理した後の重量変化を測定し、試験片の吸湿率を百分率で示した。単位は重量%。
・難燃性:トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒で試験片を成形し、ポストキュアとして175℃で8時間処理した後、UL−94垂直試験(試験片厚さ1/8inch)を行い、難燃性を判定した。
実施例1以外で用いた材料を以下に示す。
エポキシ樹脂b:式(19)を主成分とするエポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX−4000K、融点105℃、エポキシ当量185)
Claims (2)
- (A)一般式(1)で示されるエポキシ樹脂、(B)一般式(2)で示されるフェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、(E)ポリブタジエン又はアクリロニトリル含有ゴムから選ばれる低応力剤、(F)一般式(3)又は一般式(4)で示されるトリメトキシシラン及び一般式(5)又は一般式(6)で示されるトリエトキシシランからなるカップリング剤を必須成分とし、全エポキシ樹脂組成物中に上記無機充填材が80〜92重量%、上記低応力剤が0.1〜3重量%、上記カップリング剤が0.1〜1重量%配合することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
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