WO2001015905A1

WO2001015905A1 - Dispositif luminescent a auto-balayage

Info

Publication number: WO2001015905A1
Application number: PCT/JP2000/005680
Authority: WO
Inventors: Seiji Ohno
Original assignee: Nippon Sheet Glass Co., Ltd.
Priority date: 1999-08-30
Filing date: 2000-08-24
Publication date: 2001-03-08
Also published as: TW465125B; JP2001068736A; EP1125749A4; CN1320082A; US6452342B1; KR100664458B1; CN1163355C; KR20010082245A; JP4457437B2; EP1125749A1; CA2348400A1

Description

明細書

自己走査型発光装置技術分野

本発明は、自己走査型発光装置、特に、ボンディングパッドの数を減らすことのできる自己走査型発光装置に関する。背景技術

多数個の発光素子を同一基板上に集積した発光素子アレイは、その駆動用 I C と組み合わせて光プリン夕等の書き込み用光源として利用されている。本発明者らは発光素子アレイの構成要素として p n p n構造を持つ発光素子に注目し、発光点の自己走査が実現できることを既に特許出願（特開平 1 一 2 3 8 9 6 2号公報、特開平 2 — 1 4 5 8 4号公報、特開平 2 — 9 2 6 5 0 号公報、特開平 2 — 9 2 6 5 1 号公報）し、光プリン夕用光源として実装上簡便となること、発光素子ピッチを細かくできること、コンパクトな発光装置を作製できること等を示した。

さらに本発明者らは、転送素子アレイをシフトレジス夕として、発光素子アレイと分離した構造の自己走査型発光装置を提案している（特開平 2 — 2 6 3 6 6 8号公報）。

図 1 に従来の自己走査型発光装置の等価回路を示す。この自己走査型発光装置は、ダイオード結合方式による 2相駆動のものである c 図中、 1\ ， Τ ₂ , T 3 ， … は発光素子、， D ₂ ， D 3 ， … は結合ダイオード、 R , R ₂ ， R ₃ ， …はゲート負荷抵抗を示している。なお、発光素子は、 3端子発光サイリス夕により構成されている。発光素子の力ソードは接地され、奇数番の発光素子のァノ — ドはクロックパルス 1 ライン 1 1 に、偶数番の発光素子のァノ — ドはクロックパルス ø 2 ライン 1 2 に接続されている。発光素子のゲートは、負荷抵抗 R】， R , ， R ,, ， …を介して電源 φ α κ ラィン 1 4 に接続され、更に隣り合う発光素子のゲート電極同士は結合ダイオード D , , D ₂ , D _;j …を介して接続されている。各ライン 1 1 , 1 2 , 1 4 は、ボンディングパッド 2 1 ， 2 2 ， 2 4 を介して外部に接続される。また、発光素子 T のゲートは、ス夕一トパルス ø _s 用ボンディングパッド 2 3 に接続される。

なお図 1 において、 1 0 は、自己走査型発光装置チップとして、集積化された部分を示している。

各ボンディングパッド 2 1 ， 2 2 , 2 3 は、外付けの電流制限用抵抗 5 1 , 5 2 ， 5 3 を介して、また、ボンディングパッド 2 4 は直接に、駆動回路 4 0 の出力端子 4 1 ( φ 1 ) ， 4 2 ( 2 ) , 4 3 ( ₈ ) , 4 4 ( _κ) に接続される。

図 2 は、駆動回路 4 0 の駆動パルス ø 1 , φ 2 , φ_οκ, _s の夕イミングを示す。これらパルスのレベルは、 H ( H i g h ) レベルと L ( L o w ) レベルであり、 L レベルは力ソード電位すなわちグランド電位に等しい。

図 2 中、 L ( T！ ) ， L ( T ₂ ) , L ( T 3 ) ， … は、発光素子 T , ， T ₂ , T ₃ の発光を示しており、ノヽツチングしてある夕イミングでは、その発光素子が発光していることを示す。

また、図 2 のタイミングは、 3 つのモード、すなわち M O D E — 1 (待機モード）， M O D E — 2 (移行モード）， M O D E — 3 (転送モード）に分けて記述している。ここで、 M 0 D E _ 1 の待機モードは、全部の発光素子が消灯の状態であり、 1 ， 2 , φ GK ， Φ は L レベルとなっている。 M 0 D E — 2 の移行モードは、電源電圧パルス e_Kを H レベルにするのに必要な時間である。その後、 M O D E — 3 の転送モードとなり、スタートパルス 0_S が L レベルのとき、クロックノルス ø 1 が H レベルになると、発光素子 T _γ が発光する。発光素子 T i が発光した後、すぐにスタートパルス 0s は H レベルにする。以上のように、発光素子 T i が発光した後は、 2 相クロックパルス ø 1 , ø 2 の繰り返しにより発光状態が転送されていく。

この従来の構造では、駆動回路との配線のために、チップに 4 つのボンディングパッド 2 1 ( 1 ) , 2 2 ( 2 ) , 2 3 ( ø _s ) ， 2 4 ( φ _{ο κ} ) を設ける必要がある。このためチップの小型化が難しかった。発明の開示

本発明の目的は、ボンディングパッドの数を 3個または 2個に減らすことのできる自己走査型発光装置を提供することにある。

本発明によれば、発光のためのしきい電圧もしくはしきい電流が外部から電気的に制御可能な 3端子発光素子多数個を、一次元的に配列し、隣接する発光素子のしきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を、電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段にて互いに接続し、電源ラインを、前記発光素子の各制御電極に、各負荷抵抗を介して接続し、前記一次元的に配列された各発光素子の残りの 2端子のうちの一方に、外部から 2相のクロックノ、'ルスラインを、それぞれ 1 素子おきに接続し、一方の相のクロックパルスにより、ある発光素子が発光しているとき、その発光素子近傍の発光素子のしきい電圧もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化させ、他方の相のクロックパルスにより、前記ある発光素子に隣接する発光素子を発光させる自己走査型発光装置において、ボンディングパッドの数を減らすことができる。

このためには、次のような手段を採用する。

( 1 ) 最初に発光すべき発光素子の制御電極に接続される負荷抵抗の値を、他の負荷抵抗の値より小さくする。これによりスタートノルス用のボンディングパッドを省略することができる。

( 2 ) 2 本のクロックパルスラインの一方を、ダイオードまたは抵抗を介して、最初に発光すべき発光素子の制御電極に接続する。これによりスタートパルス用のボンディングパッドを省略することができる。

( 3 ) 2 本のクロックノ、'ルスラインを、ダイオード一ダイオード · ロジックの論理和回路を介して、電源電圧ラインに接続する。これにより電源パルス用のボンディングパッドを省略することができる

( 4 ) 2 本のクロックノルスラインを、ダイオード一ダイオード · ロジックの論理和回路を介して、電源電圧ラインに接続し、および

2相のクロックパルスラインの一方を、ダイォードまたは抵抗を介して、最初に発光すべき発光素子の制御電極に接続する。これによりスタートパルス用のボンディングパッドおよび電源パルス用のボンディングパッドを省略することができる。

また本発明は、転送機能と発光機能とを分離した構造である、次のような自己走査型発光装置にも適用できる。すなわち、しきい電圧もしくはしきい電流が外部から電気的に制御可能な 3端子転送素子多数個を、一次元的に配列し、隣接する転送素子のしきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を、電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段にて互いに接続し、電源電圧ラインを、前記転送素子の各制御電極に、各負荷抵抗を介して接続し、前記一次元的に配列された各転送素子の残りの 2端子のうちの一方に、外部から 2相のクロックノルスラインを、それぞれ 1 素子おきに接続し、一方の相のクロックノルスにより、ある転送素子がオンしているとき、その転送素子近傍の転送素子のしきい電圧もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化させ、他方の相のクロックパルスにより、前記ある転送素子に隣接する転送素子をオンさせ、発光のためのしきい電圧もしくはしきい電流が外部から電気的に制御可能な 3端子発光素子多数個を、一次元的に配列し、前記転送素子の各制御電極を、前記発光素子の対応する制御電極に接続し、前記各発光素子の残りの 2端子の一方に発光のための電流を印加するラインを設けた自己走査型発光装置である。

このような己走査型発光装置においては、上記（ 1 ) 〜（ 4 ) の手段を、転送機能の部分に適用することによりボンディングパッドの数を低減できる。図面の簡単な説明

図 1 は、自己走査型発光装置の等価回路を示す図である。

図 2 は、駆動パルス ø 1 , Φ 2 , 0 _GK , ø _s のタイミングを示す図である。

図 3 は、本発明の第 1 の実施例の自己走査型発光装置の等価回路図である。

図 4 は、第 1 の実施例の自己走査型発光装置の駆動パルスのタイミング図である。

図 5 は、本発明の第 2 の実施例の自己走査型発光装置の等価回路図である。

図 6 は、第 2 の実施例の自己走査型発光装置の駆動パルスのタイミング図である。

図 7 は、本発明の第 3 の実施例の自己走査型発光装置の等価回路図である。

図 8 は、本発明の第 4 の実施例の自己走査型発光装置の等価回路図である。

図 9 は、第 4 の実施例の自己走査型発光装置の駆動パルスのタイミング図である。

図 1 0 は、本発明の第 5 の実施例の自己走査型発光装置の等価回路図である。

図 1 1 は、第 5 の実施例の自己走査型発光装置の駆動パルスの夕ィミング図である。

図 1 2 は、図 1 0 の自己走査型発光装置の集積化の例を示す平面図である。

図 1 3 は、図 1 2 の Y— Y ' 線断面図である。

図 1 4 は、本発明の第 6 の実施例の自己走査型発光装置の等価回路図である。

図 1 5 は、第 6 の実施例の自己走査型発光装置の駆動パルスの夕ィミング図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

第 1 の実施例

図 3 は、本発明の第 1 の実施例の自己走査型発光装置の等価回路図である。なお、図 3 において、図 1 と同じ構成要素には、図 1 と同じ参照番号を付して示している。この実施例は、図 1 の回路において、スタートパルス 0 _S を省き、電源電圧パルスに兼ねさせた例である。この場合、発光素子 T〗に接続される負荷抵抗 R i の値を、以降の発光素子 T ₂ ， Τ , …に接続される負荷抵抗 R ₂ ， R 3 …の値に比べて小さく選ぶことにより、クロックパルス ø 1 が H レベルで、電源電圧パルス _{C K}が L レベルのときに、優先的に発光素子 T , がオンできるようにした。

図 4 は、図 3 の自己走査型発光装置の駆動パルスのタイミング図である。一般に、発光素子がオンするのに必要な時間は、ゲート電圧が低いほど短くなる。ゲート電圧は、しきい電流によるゲート負荷抵抗の電圧降下によって決まるため、ゲート負荷抵抗が小さい場合の方がオンするのに必要な時間が短い。このため、 R i を R ₂ , R 3 …に比べて小さく選んでおくと、電源電圧パルス ø _{G K} が L レべルのときにクロックパルス ø 1 が H レベルとなると、選択的に発光素子 T , がオンすることになる。ひとたび発光素子 T ₁ がオンしてしまうと、他のサイリス夕はオンできなくなる。その後、 _{G K}を H レベルに上げ、従来例と同様に駆動する。

発光素子 T , のゲート電圧と、発光素子 T ₂ のゲート電圧の差は、抵抗 R ！ , R ₂ の値を " R , " , " R ₂ " で表し、しきい電流を I _tl, とすると、（ R り - R , ) X I _{t h} である。この電圧差が大きいほど安定して発光素子 T , が選択的にオンされるが、このために負荷抵抗 R i の値を小さくしすぎると、 _GK が H レベルの状態で発光素子 T J が負荷抵抗 R , をドライブできなくなるため、極端に小さくすることはできない。

この実施例によれば、図 1 の自己走査型発光装置に比べて、ボンディングパッドを 1個減らすことができるので、チップ 1 0の面積を小さくすることができる。

第 2の実施例

第 2の実施例は、図 1 の自己走査型発光装置においてスタートパルス ø _s を省き、クロックノルス ø 2 に兼ねさせた例である。図 5 に回路構成を示す。なお、図 5 において、図 1 と同じ構成要素には、図 1 と同じ参照番号を付して示している。この場合、発光素子 Ί\ のゲートは、ダイオード 6 1 を介してクロックノルス 02 ライン 1 2 に接続される。発光素子 1\ のゲート電圧 V_H のレベルによっては、ダイォードを 2個以上直列に接続することもできる。

図 6 は、第 2の実施例の自己走査型発光装置の駆動パルスを示す c 全ての発光素子がオンしていない状態でクロックパルス ø 2 が L レベルのとき、発光素子 Ί\ のしきい電圧は、約 2 V_D ( V_D は P N 接合の拡散電位）であり、発光素子 T₃ のしきい値電圧は、およそ 4 V _D となる。したがって、クロックパルス ø 1 を 2 V _D 以上に弓 I き上げると、発光素子 Τ が選択的にオンする。一方、クロックノルス ø 2 が Ηレベルにあり、ライン 1 2 に接続された偶数番の発光素子 Τ _2η ( ηは、自然数）がオンしているとき、奇数番発光素子 Τ _{2η + 1} をオンさせるしきい電圧は約 2 V_D であり、発光素子 Ί\ のしきい電圧は（ V _Η + 2 V _D ) となり、発光素子 T _{2η + 1} のしきい電圧がもっとも低くなるため、クロックノルス ø 1 を H レベルとすると、発光素子 T ₂,₁₊₁ が選択的にオンする。この後、たとえクロックパルス 0 2 が L レベルとなっても、発光素子 Ί\ のしきい電圧は 2 V_D であり、これは発光素子 T ₂,₁₊₁ がオンしているときの 0 1 の電圧 (約 V_D ) よりも高いため、発光素子 Ί\ はオンできない。

この実施例によれば、図 1 の自己走査型発光装置に比べて、ボンディングノッドを 1個減らすことができる。

第 3の実施例

この実施例は、図 5の第 2の実施例のダイオード 6 1 の代わりに抵抗を使った例である。図 7 に回路構成を示す。なお、図 7において、図 1 と同じ構成要素には、図 1 と同じ参照番号を付して示している。発光素子！\ のゲートは抵抗 6 2 を介してクロックパルス ø 2 ライン 1 2 に接続される。

この実施例では、図 5のダイオード 6 1 の拡散電位の代わりに、しきい電流による抵抗 6 2 (抵抗値 R _s ) の電圧降下を使って、図 5の実施例と同様の機能を実現している。すなわち、全部の発光素子がオンしていない状態でク口ックノルス φ 2 がレベルのとき、発光素子 Ί\ のしきい電圧は、およそ（ V_D + R _s I _th) であり、発光素子 T ₃ では（ 3 V _D + R s I _th) となる。したがって、クロックパルス ø 1 を（ V _D + R s I _th) 以上に引き上げると、発光素子 Ί\ が選択的にオンする。一方、クロックノルス 02が Η レベルにありライン 1 2 に接続された偶数番の発光素子 Τ _2η がオンしているとき、発光素子 Τ _{2η + 1} をオンさせるしきい電圧は約 2 V _D であり、発光素子 Ί\ のしきい電圧は（ V_H + V _D + R _S x I _th ) となり、発光素子 T _{2n + 1} のしきい電圧が最も低くなるため、 ø 1 を H レベルとすると、発光素子 T _{2n + 1}が選択的にオンする。

第 4の実施例

図 1 の自己走査型発光装置では電源電圧パルス <2^_κは、駆動回路 4 0から供給しているが、本実施例では電源電圧パルス ø _GKを、クロックパルス 0 1 と 2 とから合成する。図 8 に回路構成を示す。なお、図 8 において、図 1 と同じ構成要素には、図 1 と同じ参照番号を付して示している。

この場合、電源電圧パルス 0_GKライン 1 4は、 2つのダイオード 6 3 a , 6 3 bを介してそれぞれクロックノルス 0 1 , 2 ライン 1 1 , 1 2 に接続される。ライン 1 4の電圧 V ( 1 4 ) を、クロックパルス ø 1 ， 2 の論理和として合成する。この論理和をとるためにダイオード —ダイオード · ロジック（ D D L ) の論理和回路を用いた。また、合成された電圧 V ( 1 4 ) が得られるためには、発光素子がオンした後も、クロックパルス 0 1 ， 02 のいずれかのレベルが H レベルでなければならない。このため、第 1 〜第 3の実施例における外付け電流制限用抵抗 5 1 , 5 2 を、チップ内に内蔵させる。内蔵された抵抗を、 6 4 ， 6 5で示す。

図 9 は、第 4の実施例の駆動パルスを示す。移行モード（ M O D E - 2 ) でクロックノルス ø 1 が H レベルになると、ダイオード 6 3 bを介してライン 1 4の電圧 V ( 1 4 ) が H レベルとなり、電源電圧が発光素子に供給される。転送モード（ M 0 D E — 3 ) で、ス夕一トパルス ø _s が、 H レベルから L レベルになると、発光素子 T

！が発光する。スタートパルス 0 _S は、その後すぐに H レベルに戻される。

第 5の実施例

第 5の実施例は、図 5の第 2の実施例と、図 8 の第 4の実施例との組み合わせに係るものであり、図 1 0 に回路構成を示す。図 1 0 において、図 5および図 8 と同じ構成要素には、同じ参照番号を付して示している。

図 1 1 は、この実施例における駆動パルスを示す。移行モード ( M 0 D E - 2 ) で、クロックノ Wレス ø 2 が H レベルになると、 V ( 1 4 ) が H レベルとなって発光素子に電源電圧を供給し、クロックパルス ø 2 が L レベルで発光素子 T i が発光する。

図 1 2 は、図 1 0の自己走査型発光装置の集積化の例を示す平面図であり、図 1 3 は、図 1 2 の Y— Y ' 線断面図である。図 1 2 , 図 1 3 において、図 1 0 と同じ構成要素には、同一の参照番号を付して示す。図 1 3 に示すように、負荷抵抗 R ₂ ，結合ダイオード D ! ，発光素子 T _t は、第 1 導電型の基板 7 上に、第 1 導電型の層 1 , 第 2 導電型の屑 2 , 第 1 導電型の層 3 ，第 2 導電型の層 4 が順次積層された構造から、それぞれ作製され、図中、 5 は発光素子 T , のアノード電極、 6 は負荷抵抗 R ₂ の電極である。

図 1 2 から明らかなように、ボンディングパッドは、 ø 1 用のボンデイングノッド 2 1 と、 ø 2用のボンディングノヅド 2 2 のみであるので、チップ 1 0 の面積をさらに小さくすることができる。

第 6 の実施例

図 1 4 に示す第 6 の実施例は、図 1 0 の第 5 の実施例を用いて転送機能を実現し、発光機能を分離した構造である。すなわち発光素子 T , ， T ₂ , T 3 ， …を転送素子に用いて転送機能を実現し、発光素子 , L ₂ , L 3 ， …で発光機能を実現する。各転送素子 T ₁ ， Τ ₂ , T ₃ ， …のゲートは、各発光素子 L i ， L ₂ , L ₃ ， …のゲートにそれぞれ対応して接続され、各発光素子のァノ一ドは書き込み信号 ζζ^ 用ライン 1 5 に接続される。ライン 1 5 は、ボンディングパッド 2 5 から、外付け抵抗 5 5 を介して、駆動回路 4 0 の出力端子（ ζζ^ ) 4 5 に接続される。

オンした転送素子のゲートはほぼ零ボル卜となるので、書き込み信号 ø , の電圧が、 Ρ Ν接合の拡散電位以上であれば、対応する発光素子を発光状態とすることができる。発光状態を次の発光素子に転送するためには、書き込み信号 ø _t の電圧を一度零ボルトまでおとし、発光している発光素子をいつたんオフにしておく必要がある。図 1 5 には、駆動パルスを示すが、書き込み信号 ø】の H レベルに応じて、発光素子 T i ， T ₂ , T ₃ …がオンしていることがわかるであろう。

なお、このように転送機能と発光機能とを分離する構造は、第 1 〜第 4の実施例についても適用できることは、容易に理解できるであろう。産業上の利用可能性

本発明によれば、チップに設けるボンディングパッドの数を減らすことができるので、チップの小型化が可能となる。

Claims

請求の範囲

1 . しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3 端子発光素子多数個が一次元的に配列された発光素子アレイと、隣接する発光素子の制御電極を互いに接続する電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段と、

前記各発光素子の残りの 2端子のうちの一方に、 2相のクロックパルスを、それぞれ 1 素子おきに供給する 2 本のクロックパルスラインとを備え、一方の相のクロックパルスにより、ある発光素子が発光しているとき、その発光素子近傍の発光素子のしきい電圧もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化させ、他方の相のクロックパルスにより、前記ある発光素子に隣接する発光素子を発光させ、

前記発光素子の各制御電極に、各負荷抵抗を介して接続された電源ラインを備え、

最初に発光すべき発光素子の制御電極に接続される負荷抵抗の値を、他の負荷抵抗の値より小さくすることを特徴とする自己走査型発光装置。

2 . しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3 端子発光素子多数個が一次元的に配列された発光素子アレイと、隣接する発光素子の制御電極を互いに接続する電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段と、

前記各発光素子の残りの 2端子のうちの一方に、 2相のクロックパルスを、それぞれ 1 素子おきに供給する 2 本のクロックパルスラインとを備え、一方の相のクロックパルスにより、ある発光素子が発光しているとき、その発光素子近傍の発光素子のしきい電圧もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化させ、他方の相のクロックパルスにより、前記ある発光素子に隣接する発光素子を発光させ、前記発光素子の各制御電極に、各負荷抵抗を介して接続された電源ラインと、

前記 2 本のクロックパルスラインの一方と、最初に発光すべき発光素子の制御電極との間に接続されたダイオードとを備えることを特徴とする自己走査型発光装置。

3 . しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3 端子発光素子多数個が一次元的に配列された発光素子アレイと、隣接する発光素子の制御電極を互いに接続する電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段と、

前記発光素子の各制御電極に、各負荷抵抗を介して接続された電源ラインと、

前記 2 本のクロックパルスラインの一方と、最初に発光すべき発光素子の制御電極との間に接続された抵抗とを備えることを特徴とする自己走査型発光装置。

4 . しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3 端子発光素子多数個が一次元的に配列された発光素子アレイと、隣接する発光素子の制御電極を互いに接続する電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段と、

前記 2 本のクロヅクパルスラインと、前記電源ラインとの間に接続されたダイオード—ダイオード · ロジックの論理和回路とを備えることを特徴とする自己走査型発光装置。

5 . しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3 端子発光素子多数個が一次元的に配列された発光素子アレイと、隣接する発光素子の制御電極を互いに接続する電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段と、

前記 2 本のクロックパルスラインと、前記電源ラインとの間に接続されたダイオード —ダイオード · ロジックの論理和回路と、

6 . しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3 端子発光素子多数個が一次元的に配列された発光素子アレイと、隣接する発光素子の制御電極を互いに接続する電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段と、

前記各発光素子の残りの 2端子のうちの一方に、 2 相のクロックパルスを、それぞれ 1 素子おきに供給する 2 本のクロックパルスラインとを備え、一方の相のクロックパルスにより、ある発光素子が発光しているとき、その発光素子近傍の発光素子のしきい電圧もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化させ、他方の相のクロックパルスにより、前記ある発光素子に隣接する発光素子を発光させ、

7 . 前記 3端子発光素子は、 3端子発光サイリス夕であることを特徴とする請求項 1 〜 6 のいずれかに記載の自己走査型発光装置。

8 . しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3 端子転送素子多数個が一次元的に配列された転送素子アレイと、隣接する転送素子の制御電極を互いに接続する電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段と、

前記各転送素子の残りの 2端子のうちの一方に、 2相のクロックパルスを、それぞれ 1 素子おきに供給する 2 本のクロックパルスラインとを備え、一方の相のクロックパルスにより、ある転送素子がオンしているとき、その転送素子近傍の転送素子のしきい電圧もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化させ、他方の相のクロックパルスにより、前記ある転送素子に隣接する転送素子をォンさせ、

前記転送素子の各制御電極に、各負荷抵抗を介して接続された電源ラインと、

しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3端子発光素子多数個が一次元的に配列された発光素子アレイとを備え , 前記発光素子の各制御電極は、前記転送素子の対応する制御電極に接続され、

前記各発光素子の残りの 2端子の一方に書き込み信号を印加する書き込み信号用ラインを備え、

最初にオンすべき転送素子の制御電極に接続される负荷抵抗の値を、他の負荷抵抗の値より小さくすることを特徴とする自己走査型発光装置。

9 . しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3 端子転送素子多数個が一次元的に配列された転送素子アレイと、

隣接する転送素子の制御電極を互いに接続する電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段と、

前記転送素子の各制御電極に、各負荷抵枋を介して接続された電源ラインと、しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3 端子発光素子多数個が一次元的に配列された発光素子アレイとを備え、前記発光素子の各制御電極は、前記転送素子の対応する制御電極に接続され、

前記各発光素子の残りの 2端子の一方に書き込み信号を印加する書き込み信号用ラインと、

前記 2 本のクロックパルスラインの一方と、最初にオンすべき転送素子の制御電極との間に接続されたダイオードとを備えることを特徴とする自己走査型発光装置。

1 0 . しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3端子転送素子多数個が一次元的に配列された転送素子アレイと、隣接する転送素子の制御電極を互いに接続する電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段と、

しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3端子発光素子多数個が一次元的に配列された発光素子アレイとを備え、前記発光素子の各制御電極は、前記転送素子の対応する制御電極に接続され、

前記各発光素子の残りの 2端子の一方に書き込み信号を印加する書き込み信号用ラインと、前記 2 本のクロックパルスラインの一方と、最初にオンすべき転送素子の制御電極との間に接続された抵抗とを備えることを特徴とする自己走査型発光装置。

1 1 . しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3端子転送素子多数個が一次元的に配列された転送素子アレイと、隣接する転送素子の制御電極を互いに接続する電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段と、

前記各転送素子の残りの 2端子のうちの一方に、 2相のクロックパルスを、それぞれ 1 素子おきに供給する 2 本のク口ックパルスラインとを備え、一方の相のクロックパルスにより、ある転送素子がオンしているとき、その転送素子近傍の転送素子のしきい電圧もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化させ、他方の相のクロックパルスにより、前記ある転送素子に隣接する転送素子をォンさせ、

前記 2 本のクロックパルスラインと、前記電源ラインとの間に接続されたダイオード —ダイオード · ロジックの論理和回路とを備えることを特徴とする自己走査型発光装置。

1 2 . しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する

3端子転送素子多数個が一次元的に配列された転送素子アレイと、隣接する転送素子の制御電極を互いに接続する電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段と、

前記 2 本のクロックノルスラインと、前記電源電圧ラインとの間に接続されたダイォ一ドーダイオード · ロジックの論理和回路と、前記 2 本のクロックパルスラインの一方と、最初にオンすべき転送素子の制御電極との間に接続されたダイォ一ドとを備えることを特徴とする自己走査型発光装置。

1 3 . しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3端子転送素子多数個が一次元的に配列された転送素子アレイと、隣接する転送素子の制御電極を互いに接続する電圧もしくは電流の一方向性をもつ電気的手段と、

前記各転送素子の残りの 2端子のうちの一方に、 2 相のクロックパルスを、それぞれ 1 素子おきに供給する 2 本のク口ックパルスラインとを備え、一方の相のクロックパルスにより、ある転送素子がオンしているとき、その転送素子近傍の転送素子のしきい電圧もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化させ、他方の相のクロックパルスにより、 ^記ある転送素子に隣接する転送素子をォンさせ、

しきい電圧もしくはしきい電流を制御する制御電極を有する 3 端子発光素子多数個が一次元的に配列された発光素子アレイとを備え、前記発光素子の各制御電極は、前記転送素子の対応する制御電極に接続され、

前記 2 本のクロックパルスラインと、前記電源電圧ラインとの間に接続されたダイオード一ダイオード · ロジックの論理和回路と、前記 2 本のクロックパルスラインの一方と、最初にオンすべき転送素子の制御電極との間に接続された抵抗とを備えることを特徴とする自己走査型発光装置。

1 4 . 前記 3端子転送素子および前記 3端子発光素子は、 3端子発光サイリス夕であることを特徴とする請求項 8 〜 1 3 のいずれかに記載の自己走査型発光装置。