JP2001253116A - 自己走査型発光素子アレイを用いた光書込みヘッド - Google Patents
自己走査型発光素子アレイを用いた光書込みヘッドInfo
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Abstract
し信号線の数を減らした書込みヘッドを提供する。 【解決手段】 各SLEDチップのφ1用ボンディング
パッドは、外付けされた電流制限用の抵抗器R1を介し
てバスライン16に接続され、φ2用ボンディングパッ
ドは、外付けされた電流制限用の抵抗器R2を介してバ
スライン14に接続されている。また、ΦS 用ボンディ
ングパッドは、外付けされた電流制限用の抵抗器RS を
介してバスライン18に接続され、VGA用ボンディング
パッドは、バスライン12に接続されている。さらに、
各SLEDチップのφI 用ボンディングパッドは、外付
けされた電流制限用の抵抗器RI を介してコネクタ10
の対応する端子ΦI 1〜ΦI 56に接続されている。
Description
用いた光書込みヘッド、特に、自己走査型発光素子アレ
イを用いた光書込みヘッドに関する。
ドは、発光素子が一列に配列されて構成される発光素子
アレイを備えている。発光素子として、例えば発光ダイ
オード(LED)を用いて光プリンタヘッドを構成する
場合、600dpiのA3ヘッドでは、約7200個の
LEDを一列に配列する。このLED一つ一つから、電
極を引き出し、駆動ICの電極と電気的に接続する。接
続には、通常、ワイヤボンディングが使われる。通常、
n個のLEDを駆動するICは、n個のシリアルデータ
(時間的に一列に並んだデータ列)を、n個のパラレル
データ(n本のデータ線にデータが分配される)にシリ
アル−パラレル変換し、そのパラレルデータに基づいて
n個のLEDの点滅をコントロールする。
れる信号線の数は、電源やタイミング関係のパルスを除
くと、駆動ICの数となる。ただし、これでは信号線の
数が多すぎるという場合には、m個の駆動ICにデータ
を分配(シリアル−パラレル変換)する駆動ICを置く
ことによって、取り出す信号線の数を1/mに減らすこ
とができる。
従来の光書込みヘッドは、LEDの個数だけ配線がある
ため、駆動ICを近くにおいて、シリアル−パラレル変
換によって、取り出す信号線の数を減らさないと、外部
とのインターフェースがとれない構造となっていた。こ
のため、駆動ICがLEDアレイと同じ基板上に配置さ
れることとなり、ヘッドの幅(副走査方向の幅)が広く
なるという問題点があった。また、専用の駆動ICをヘ
ッド内に内蔵しなければならず、コストがかかるという
問題点がある。
要素としてpnpn構造を持つ発光サイリスタに注目
し、発光点の自己走査が実現できることを既に特許出願
(特開平1−238962号公報、特開平2−1458
4号公報、特開平2−92650号公報、特開平2−9
2651号公報)し、光プリンタ用光源として実装上簡
便となること、発光素子ピッチを細かくできること、コ
ンパクトな発光素子アレイを作製できること等を示し
た。
発光サイリスタよりなる転送素子アレイをシフトレジス
タとして、発光素子アレイと分離した構造の自己走査型
発光素子アレイを提案している(特開平2−26366
8号公報)。
イを用いることによって、上述した従来技術の問題点を
解決した書込みヘッドを提供することにある。
自己走査型発光素子アレイは、「発光機能」+「シリア
ル−パラレル変換機能」の両方を持っているため、駆動
ICなしで光書込みヘッドを構成できる。また、抵抗器
を近くに設けておけば信号線は1m程度までならば引き
回せる。このため、電気部品としては自己走査型発光素
子アレイチップと抵抗器だけの光書込みヘッドを構成で
きる。
点灯型の自己走査型発光素子アレイチップは、次のよう
な基本構造を有している。
子アレイチップは、しきい電圧もしくはしきい電流が外
部から電気的に制御可能な3端子転送素子多数個を、一
次元的に配列し、隣接する転送素子のしきい電圧もしく
はしきい電流を制御する制御電極を、電圧もしくは電流
の一方向性をもつ電気的手段にて互いに接続し、電源電
圧ラインを、前記転送素子の各制御電極に、各負荷抵抗
器を介して接続し、前記一次元的に配列された各転送素
子の残りの2端子のうちの一方に、外部からn相(nは
2以上の整数)のクロックパルスラインを、それぞれn
素子毎に順繰りに接続し、ある相のクロックパルスによ
り、ある転送素子がオンしているとき、その転送素子近
傍の転送素子のしきい電圧もしくはしきい電流を、前記
電気的手段を介して変化させ、他の相のクロックパルス
により、前記ある転送素子に隣接する転送素子をオンさ
せ、発光のためのしきい電圧もしくはしきい電流が外部
から電気的に制御可能な3端子発光素子多数個を、一次
元的に配列し、前記転送素子の各制御電極を、前記発光
素子の対応する制御電極に接続し、前記各発光素子の残
りの2端子の一方に、発光のための電流を印加するライ
ンを接続した自己走査型発光素子アレイチップである。
れば、上記のような構成の1点点灯型の自己走査型発光
素子アレイチップを複数個一次元的に配列し、各チップ
には、共通のスタートパルスラインを接続し、各チップ
には、共通の2相のクロックパルスラインを接続し、各
チップには、別個の電流印加ラインをそれぞれ接続して
いる。
様によれば、第1の態様において、スタートパルスライ
ン,n相のクロックパルスライン,電流印加ラインに挿
入される抵抗器を、チップ内に内蔵させている。
様によれば、第1の態様において、n相のクロックパル
スラインに挿入される抵抗器を、チップ内に内蔵させて
いる。
様によれば、第3の態様において、n相のクロックパル
スラインにバッファICを挿入している。
様によれば、2点点灯型の自己走査型発光素子チップを
用いる。この態様では、各チップには、共通のスタート
パルスラインを接続し、各チップには、共通のn相のク
ロックパルスラインを接続し、各チップには、別個の2
本の電流印加ラインをそれぞれ接続し、各チップでは、
前記2本の電流印加ラインを、発光素子に1つおきに接
続している。
点灯型の自己走査型発光素子アレイチップを用いる。
イチップは、しきい電圧もしくはしきい電流が外部から
電気的に制御可能な3端子転送素子多数個を、一次元的
に配列し、隣接する転送素子のしきい電圧もしくはしき
い電流を制御する制御電極を、電圧もしくは電流の一方
向性をもつ電気的手段にて互いに接続し、電源電圧ライ
ンを、前記転送素子の各制御電極に、各負荷抵抗器を介
して接続し、前記一次元的に配列された各転送素子の残
りの2端子のうちの一方に、外部からn相(nは2以上
の整数)のクロックパルスラインを、電流制限用抵抗器
を介してそれぞれn素子毎に順繰り接続し、ある相のク
ロックパルスにより、ある転送素子がオンしていると
き、その転送素子近傍の転送素子のしきい電圧もしくは
しきい電流を、前記電気的手段を介して変化させ、他の
相のクロックパルスにより、前記ある転送素子に隣接す
る転送素子をオンさせ、発光のためのしきい電圧もしく
はしきい電流が外部から電気的に制御可能な3端子発光
素子多数個を、一次元的に配列し、前記転送素子の各制
御電極を、前記発光素子の対応する制御電極に接続し、
前記各発光素子の残りの2端子の一方に、発光のための
電流を印加するラインを電流制限用抵抗器を介して接続
した自己走査型発光素子アレイチップである。
に配列した光書込みヘッドでは、各チップには、別個の
スタートパルスラインをそれぞれ接続し、各チップに
は、共通の2相のクロックパルスラインを接続し、各チ
ップには、共通の電流印加ラインを接続している。
の自己走査型発光素子アレイチップを用いた光書込みヘ
ッドにおいて、各チップには、m本(mは2以上の整
数)のスタートパルスラインを順繰りに接続し、各チッ
プには、共通のn相のクロックパルスラインを接続し、
隣接するm個のチップ毎に、別個の電流印加ラインをそ
れぞれ接続し、前記スタートパルスライン,クロックパ
ルスライン,電流印加ラインに挿入される抵抗器を、チ
ップ内に内蔵している。
型の自己走査型発光素子アレイチップを用いた光書込み
ヘッドにおいて、m個(mは2以上の整数)のチップを
1組として、これらチップのエンド端子を次段のチップ
のスタート端子と接続し、各チップには、共通のスター
トパルスラインを接続し、各チップには、共通のn相の
クロックパルスラインを接続し、前記m個のチップ毎
に、別個の電流印加ラインをそれぞれ接続している。
型の自己走査型発光素子アレイチップを用いた光書込み
ヘッドにおいて、隣接するm個毎(mは2以上の整数)
のチップには、別個のスタートパルスラインを接続し、
前記隣接するm個のチップには、ある相のm本のクロッ
クパルスラインを順繰りに接続し、各チップには、共通
の他の相のクロックパルスラインを接続し、各チップに
は、共通の電流印加ラインをそれぞれ接続している。
用いる自己走査型発光素子アレイについて簡単に説明し
ておく。自己走査型発光素子アレイは、3端子発光サイ
リスタを用いる。図1に、3端子発光サイリスタの基本
構造を示す。一例として、p形GaAs基板上にpnp
n構造を形成したものである。この3端子発光サイリス
タのゲートは、オン電圧を制御する働きを持ち、カソー
ドに加えられるオン電圧は、ゲート電圧にpn接合の拡
散電位およびオンに必要な電流による電圧降下を加えた
電圧となる。またオンした後、ゲート電圧はアノード電
圧とほぼ一致するようになる。したがって、アノードが
接地されていれば、ゲート電圧は零ボルトとなる。
た、前記特開平2−263668号公報に開示の自己走
査型発光素子アレイの等価回路を図2に示す。この自己
走査型発光素子アレイは、シフトレジスタを構成する転
送素子アレイT(−1)〜T(2)、書込み用発光素子
アレイL(−1)〜L(2)からなる。隣接する転送素
子のゲート電極間は、ダイオードを用いて接続してい
る。
クラインΦ1,Φ2に接続されている。転送素子のゲー
ト電極G-1〜G2 は、書込み用発光素子のゲートにも接
続される。書込み用発光素子のカソード電極には、書込
み信号φI が加えられている。第1列目の転送素子のゲ
ート電極には、スタートパルスφS が印加される。
とすると、ゲート電極G0 の電圧は、電源電圧VGA(こ
こでは−5ボルトとする)より上昇し、ほぼ零ボルトと
なる。したがって、書込み信号φI の電圧が、pn接合
の拡散電位(約1ボルト)以下であれば、発光素子L
(0)を発光状態とすることができる。
トであり、ゲート電極G1 は約−1ボルトとなる。した
がって、発光素子L(−1)の書込み電圧は約−6ボル
ト、発光素子L(1)の書込み電圧は約−2ボルトとな
る。これから、発光素子L(0)のみに書き込める書込
み信号φI の電圧は、−1〜−2ボルトの範囲となる。
発光素子L(0)がオン、すなわち発光状態に入ると、
書込み信号φI ラインの電圧は約−1ボルトに固定され
てしまうので、他の発光素子が選択されてしまう、とい
うエラーは防ぐことができる。
決められ、任意の強度にて画像書込みが可能となる。ま
た、発光状態を次の発光素子に転送するためには、書込
み信号φI ラインの電圧を一度零ボルトまでおとし、発
光している発光素子をいったんオフにしておく必要があ
る。
プリンタ等に応用する場合、ある一定数のスイッチ素子
および発光素子を集積した1つの半導体チップの形とし
て発光素子アレイチップを構成し、この発光素子アレイ
チップを例えば一列に配列し、所定のサイズの線状光源
を形成する。
みヘッドの実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
発光点/1点点灯型(同時に1個の発光素子が点灯)の
自己走査型発光素子アレイ(SLEDと略記する)チッ
プを56個並べて、A3用光書込みヘッドを構成した。
この実施例に用いられる1点点灯型のSLEDチップを
図4に示す。
素子アレイは、128個の転送素子(発光サイリスタ)
T1〜T128、128個の書込み用発光素子(発光サ
イリスタ)L1〜L128からなる。転送素子部分の構
成は、ダイオード接続を用いている。VGAは電源であ
り、負荷抵抗RL を経て各転送素子のゲート電極に接続
されている。また、転送素子のゲート電極は、書込み用
発光素子のゲート電極にも接続される。転送素子T1の
ゲート電極にはスタートパルスφS が加えられ、転送素
子のカソード電極には、交互に転送用クロックパルスφ
1,φ2が加えられ、書込み用発光素子のカソード電極
には、書込み信号φI が加えられている。
ップには、図4(A)に示すように、VGA,φS ,φ
1,φ2,φI 用のボンディングパッドを有している。
ッドを有するSLEDチップが56個配列されたアレイ
への信号配線について説明する。コネクタ10の端子V
GA,端子Φ2,端子Φ1,端子ΦS からは、それぞれ1
本のバスライン12,14,16,18が延びている。
各SLEDチップのφ1用ボンディングパッドは、外付
けされた電流制限用の抵抗器R1を介してバスライン1
6に接続され、φ2用ボンディングパッドは、外付けさ
れた電流制限用の抵抗器R2を介してバスライン14に
接続されている。また、φS 用ボンディングパッドは、
外付けされた電流制限用の抵抗器RS を介してバスライ
ン18に接続され、VGA用ボンディングパッドは、バス
ライン12に接続されている。さらに、各SLEDチッ
プのφI用ボンディングパッドは、外付けされた電流制
限用の抵抗器RI を介してコネクタ10の対応する端子
ΦI 1〜ΦI 56に接続されている。
チップは、同一のスタートパルスφ S が与えられるの
で、同時に転送を開始し、各SLEDチップで1点点灯
している発光素子の発光強度は、各SLEDチップにそ
れぞれ与えられる書込み信号φ I 1〜φI 56により定
められる。
ップからの取り出し配線数は、ΦS,Φ1,Φ2,
VGA,ΦI 1〜ΦI 56の配線に、グランド用の配線
(図示せず)を加えて、合計61本である。従来のLE
Dアレイの配線に比べて、配線数が極めて少なくなる。
また、用いられる抵抗器R1,R2,RS ,RI の総数
は、56×4=224個であった。
スφ1,φ2で駆動する2相駆動のSLEDチップにつ
いて説明したが、3相以上であってもよい。
付けされた電流制限用抵抗器R1,R2,RS ,RI
を、チップ内に内蔵させた書込みヘッドである。
0dpi/128発光点/1点点灯型の自己走査型発光
素子アレイチップを56個並べて、A3用プリントヘッ
ドを構成した。この実施例に用いられる1点点灯型の自
己走査型発光素子アレイを図6に示す。
己走査型発光素子アレイは、図4(B)に示したSLE
Dチップに外付けされている電流制限用の抵抗器R1,
R2,RS ,RI をチップに内蔵させたものである。図
6(B)には、φ1,φ2,φS ,φI 用の電流制限用
抵抗器を、それぞれR1,R2,RS ,RI で示してい
る。ボンディングパッドの数は、図6(A)に示すよう
に、第1の実施例と同じである。
内蔵させることによって、図5の書込みヘッドを図3の
書込みヘッドと対比すれば明らかなように、電気部品と
してはSLEDチップだけのヘッドが実現でき、更に細
幅のヘッドが実現された。
プの代わりに、φ1,φ2に抵抗器を内蔵したSLED
チップを用いた。この実施例に用いられる1点点灯型の
自己走査型発光素子アレイを図7に示す。このSLED
チップでは、φI に抵抗器を内蔵しないので、コネクタ
10の端子ΦI 1〜ΦI 56を電流源で駆動する。な
お、オン状態のサイリスタのアノード−カソード間電圧
は、電流に関わらず、ほぼpn接合の順方向電圧に等し
く保たれる。この性質を利用して、電流源として電圧源
と抵抗器を組み合わせた構成を用いても良い。このと
き、抵抗器はチップから数cm〜1m程度離れて置かれ
ても、動作上問題ないことが確認されているため、ヘッ
ドから外に置くことができる。このため、抵抗器RI を
チップまたはヘッドに内蔵した場合に発生する発熱を無
くせるため、チップ温度の上昇を防ぐことができる。
されている実施例2bの回路(図5に同じ)のφ1,φ
2ラインにバッファIC21,22を挿入した。
による。すなわち、φ1,φ2ラインに約5mAの電流
を流すとき、60チップでは300mAにもなる。大電
流が断続されると、不要な輻射がおこり、EMI障害の
おそれがでる。ラインにバッファICを挿入することに
より、大電流の断続による不要な輻射の発生を阻止する
ことができる。
子Φ1,Φ2には、バッファICのしきい値よりも高い
/低い電圧を与えればよい。ダイオード結合SLEDで
は、動作原理上3V電源での動作は難しいが、バッファ
ICを挿入することによって別に5V電源は必要である
ものの、3V系の信号で駆動できるようになる。電源電
圧を下げることにより、消費電力を下げることが可能と
なる。
i/128発光点/2点点灯型(同時に2個の発光素子
が点灯)の自己走査型発光素子アレイチップを56個並
べて構成したA3用光書込みヘッドである。
10は、この実施例に用いられる抵抗器内蔵型の2点点
灯型の自己走査型発光素子アレイを示す。
型発光素子アレイは、図6の自己走査型発光素子アレイ
において、書込み信号φJ をさらに有し、書込み信号φ
I ,φJ を、発光素子に交互に接続している。これによ
り、1チップ内で2個の発光素子を同時に点灯すること
が可能となり、また、書込み信号のデューティが増え、
実効的な光量が増加する。
プ毎に2本の書込み信号線が与えられるので、56本の
配線が増え、取り出し配線数は117本となる。
ってもよく、書込み信号線も3本以上であってもよい。
/複数点灯型(同時に複数個の発光素子が点灯)の自己
走査型発光素子アレイチップを56個並べて構成したA
3用書込みヘッドである。
12は、この実施例に用いられる複数点灯型のSLED
チップを示す。複数点灯型の自己走査型発光素子アレイ
は、原理的に、φ1,φ2,φI に電流制限用の抵抗器
が集積されている。すなわち図示のように、φ1には抵
抗器30が、φ2には抵抗器32が、φI には抵抗器3
4が集積されている。そして、図12からわかるよう
に、発光素子Lのゲートは、クロックパルスφ1が入力
される転送素子Tのゲートに接続されている。
11に示す書込みヘッドでは、56個のスタートパルス
φS 1〜φS 56が用意され、それぞれが各SLEDに
接続される。チップ毎に、オンさせたい複数の転送素子
を示すデータをスタートパルスによりシフトレジスタに
予め書込んでおき、書込みパルスφI により、複数の発
光素子を点灯させる。複数点灯型では、前述したように
元々φ1,φ2,φIに抵抗器が集積されているので、
電気部品としてはSLEDチップのみでヘッドが実現で
きる。
ってもよく、ΦS ラインも3本以上設けてもよい。
チップに対し、図13に示すようにΦS ラインをΦS 1
とΦS 2の2本設け、ΦS 1をSLED1,3,5…に
接続し、ΦS 2をSLED2,4,6…に接続する。
分にして、隣接する2チップ毎に同じ書込み信号を与え
るようにする。このため、図5に比べてΦI の本数が半
分ですむ。
取り出し本数は、ΦS 1,ΦS 2,Φ1,Φ2,VGA,
ΦI 1〜ΦI 28の配線に、グランド用の配線(図示せ
ず)を加えて合計34本となった。
によって、ΦI の数を56/Kに減らすことができる
が、同時に発光できる発光素子の数も56/Kとなるた
め、デューティが下がり等価的に光量が減少するので、
むやみにKを大きくできない。
形例を示す。奇数番のSLEDにスタートパルスφS 1
が、偶数番のSLEDにスタートパルスφS 2が与えら
れ、隣接するSLEDに同じ書込み信号φI 1,φI
2,φI 3…が与えられていることがわかるであろう。
ってもよく、ΦS ラインも3本以上設けてもよい。
例2のSLEDチップ(図5)の最終ビットの結合ダイ
オードをエンド端子(ボンディングパッド)として取り
出したチップを用い、(2N−1)番目のチップのエン
ド端子(ボンディングパッド)φend を2N番目のチッ
プのスタート端子(ボンディングパッド)φS と接続す
る。そして、スタートパルスφS は、1つおきのSLE
Dに接続する。
(図13)と同様に2チップを1チップのように扱うこ
とができる。したがって、取り出し本数は、ΦS ,Φ
1,Φ2,VGA,ΦI 1〜ΦI 28の配線に、グランド
用の配線Vsub を加えて、合計33本となった。
ンディングパッド)を解放しておくと、場合によってラ
ッチアップして正常動作しなくなるため、基板電位に固
定するのが望ましい。
LEDチップのボンディングパッドおよび回路を示して
いる。最終ビットの結合ダイオードD128 のカソードを
エンド端子φend として取り出した様子を示している。
形例を示す。図14の駆動波形と比較すると明らかなよ
うに、発光素子の発光動作は同じであることがわかる。
よく、またエンド端子とスタート端子を接続するチップ
は3チップ以上を1組としてもよい。
することで、データ入力ライン(スタートパルスライ
ン)の数を1/Lにすることができる。本実施例の場
合、先にデータ(同時に点灯させたい発光素子を示すデ
ータ)をシフトレジスタに短い時間で書込んでおいて、
その後一斉に点灯することになるため、データ入力ライ
ン数を減らしても実質的には発光デューティは減らな
い。
ヘッドを示す。Φ1ラインは、Φ1(1),Φ1(2)
の2本となり、スタートパルスラインは、ΦS 1〜ΦS
28の28本となる。このときΦ1(1),Φ1
(2),Φ2,VGA,ΦI ,ΦS 1〜ΦS 28の33本
の配線数となった。L=7とすることで、Φ1(1)〜
Φ1(7),Φ2,VGA,ΦI ,ΦS 1〜ΦS 8の18
本の配線数となる。
波形の例を示す図である。
りで、スタートパルスφS 1,φS2のデータセットの
前側のデータを奇数番目のチップの転送素子アレイ(シ
フトレジスタ)の奇数ビットに読み込む。次にクロック
パルスφ1(2)の立ち下がりで後ろ側データを偶数番
目のチップの奇数ビットに読み込む。次にクロックパル
スφ2の立ち下がりで、奇数ビットのデータを隣の偶数
ビットに移し、奇数ビットをリセットする。これを繰り
返して、シフトレジスタにデータを書込み、全データを
書込み終えたらφI をLにして、シフトレジスタに書き
込まれたデータに従った発光分布を作る。
よく、Φ1ラインも3本以上であってもよい。
る。
る。
図である。
ップを示す図である。
す図である。
Dチップを示す図である。
Dチップを示す図である。
す図である。
図である。
チップを示す図である。
す図である。
チップを示す図である。
す図である。
す図である。
チップを示す図である。
す図である。
Claims (9)
- 【請求項1】しきい電圧もしくはしきい電流が外部から
電気的に制御可能な3端子転送素子多数個を、一次元的
に配列し、 隣接する転送素子のしきい電圧もしくはしきい電流を制
御する制御電極を、電圧もしくは電流の一方向性をもつ
電気的手段にて互いに接続し、 電源電圧ラインを、前記転送素子の各制御電極に、各負
荷抵抗器を介して接続し、 前記一次元的に配列された各転送素子の残りの2端子の
うちの一方に、外部からn相(nは2以上の整数)のク
ロックパルスラインを、それぞれn素子毎に順繰りに接
続し、 ある相のクロックパルスにより、ある転送素子がオンし
ているとき、その転送素子近傍の転送素子のしきい電圧
もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化さ
せ、 他の相のクロックパルスにより、前記ある転送素子に隣
接する転送素子をオンさせ、 発光のためのしきい電圧もしくはしきい電流が外部から
電気的に制御可能な3端子発光素子多数個を、一次元的
に配列し、 前記転送素子の各制御電極を、前記発光素子の対応する
制御電極に接続し、 前記各発光素子の残りの2端子の一方に、発光のための
電流を印加するラインを接続した自己走査型発光素子ア
レイチップを複数個一次元的に配列した光書込みヘッド
であって、 各チップには、共通のスタートパルスラインが接続さ
れ、 各チップには、共通のn相のクロックパルスラインが接
続され、 各チップには、別個の電流印加ラインがそれぞれ接続さ
れている、ことを特徴とする光書込みヘッド。 - 【請求項2】前記スタートパルスライン,n相のクロッ
クパルスライン,電流印加ラインに挿入される抵抗器
が、チップ内に内蔵されていることを特徴とする請求項
1記載の光書込みヘッド。 - 【請求項3】前記n相のクロックパルスラインに挿入さ
れる抵抗器が、チップ内に内蔵されていることを特徴と
する請求項1記載の光書込みヘッド。 - 【請求項4】前記n相のクロックパルスラインに、バッ
ファICが挿入されていることを特徴とする請求項3記
載の光書込みヘッド。 - 【請求項5】しきい電圧もしくはしきい電流が外部から
電気的に制御可能な3端子転送素子多数個を、一次元的
に配列し、 隣接する転送素子のしきい電圧もしくはしきい電流を制
御する制御電極を、電圧もしくは電流の一方向性をもつ
電気的手段にて互いに接続し、 電源電圧ラインを、前記転送素子の各制御電極に、各負
荷抵抗器を介して接続し、 前記一次元的に配列された各転送素子の残りの2端子の
うちの一方に、外部からn相(nは2以上の整数)のク
ロックパルスラインを、それぞれn素子毎に順繰りに接
続し、 ある相のクロックパルスにより、ある転送素子がオンし
ているとき、その転送素子近傍の転送素子のしきい電圧
もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化さ
せ、 他の相のクロックパルスにより、前記ある転送素子に隣
接する転送素子をオンさせ、 発光のためのしきい電圧もしくはしきい電流が外部から
電気的に制御可能な3端子発光素子多数個を、一次元的
に配列し、 前記転送素子の各制御電極を、前記発光素子の対応する
制御電極に接続し、 前記各発光素子の残りの2端子の一方に、発光のための
電流を印加するラインを接続した自己走査型発光素子ア
レイチップを複数個一次元的に配列した光書込みヘッド
であって、 各チップには、共通のスタートパルスラインが接続さ
れ、 各チップには、共通のn相のクロックパルスラインが接
続され、 各チップには、別個の2本の電流印加ラインがそれぞれ
接続され、各チップでは、前記2本の電流印加ライン
は、前記発光素子に1つおきに接続されていることを特
徴とする光書込みヘッド。 - 【請求項6】しきい電圧もしくはしきい電流が外部から
電気的に制御可能な3端子転送素子多数個を、一次元的
に配列し、 隣接する転送素子のしきい電圧もしくはしきい電流を制
御する制御電極を、電圧もしくは電流の一方向性をもつ
電気的手段にて互いに接続し、 電源電圧ラインを、前記転送素子の各制御電極に、各負
荷抵抗器を介して接続し、 前記一次元的に配列された各転送素子の残りの2端子の
うちの一方に、外部からn相(nは2以上の整数)のク
ロックパルスラインを、電流制限用抵抗器を介してそれ
ぞれn素子毎に順繰りに接続し、 ある相のクロックパルスにより、ある転送素子がオンし
ているとき、その転送素子近傍の転送素子のしきい電圧
もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化さ
せ、 他の相のクロックパルスにより、前記ある転送素子に隣
接する転送素子をオンさせ、 発光のためのしきい電圧もしくはしきい電流が外部から
電気的に制御可能な3端子発光素子多数個を、一次元的
に配列し、 前記転送素子の各制御電極を、前記発光素子の対応する
制御電極に接続し、 前記各発光素子の残りの2端子の一方に、発光のための
電流を印加するラインを電流制限用抵抗器を介して接続
した自己走査型発光素子アレイチップを複数個一次元的
に配列した光書込みヘッドであって、 各チップには、別個のスタートパルスラインがそれぞれ
接続され、 各チップには、共通のn相のクロックパルスラインが接
続され、 各チップには、共通の電流印加ラインが接続されてい
る、ことを特徴とする光書込みヘッド。 - 【請求項7】しきい電圧もしくはしきい電流が外部から
電気的に制御可能な3端子転送素子多数個を、一次元的
に配列し、 隣接する転送素子のしきい電圧もしくはしきい電流を制
御する制御電極を、電圧もしくは電流の一方向性をもつ
電気的手段にて互いに接続し、 電源電圧ラインを、前記転送素子の各制御電極に、各負
荷抵抗器を介して接続し、 前記一次元的に配列された各転送素子の残りの2端子の
うちの一方に、外部からn相(nは2以上の整数)のク
ロックパルスラインを、それぞれn素子毎に順繰りに接
続し、 ある相のクロックパルスにより、ある転送素子がオンし
ているとき、その転送素子近傍の転送素子のしきい電圧
もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化さ
せ、 他の相のクロックパルスにより、前記ある転送素子に隣
接する転送素子をオンさせ、 発光のためのしきい電圧もしくはしきい電流が外部から
電気的に制御可能な3端子発光素子多数個を、一次元的
に配列し、 前記転送素子の各制御電極を、前記発光素子の対応する
制御電極に接続し、 前記各発光素子の残りの2端子の一方に、発光のための
電流を印加するラインを接続した自己走査型発光素子ア
レイチップを複数個一次元的に配列した光書込みヘッド
であって、 各チップには、m本(mは2以上の整数)のスタートパ
ルスラインが順繰りに接続され、 各チップには、共通のn相のクロックパルスラインが接
続され、 隣接するm個のチップ毎に、別個の電流印加ラインがそ
れぞれ接続され、 前記スタートパルスライン,クロックパルスライン,電
流印加ラインに挿入される抵抗器が、チップ内に内蔵さ
れていることを特徴とする光書込みヘッド。 - 【請求項8】しきい電圧もしくはしきい電流が外部から
電気的に制御可能な3端子転送素子多数個を、一次元的
に配列し、 隣接する転送素子のしきい電圧もしくはしきい電流を制
御する制御電極を、電圧もしくは電流の一方向性をもつ
電気的手段にて互いに接続し、 電源電圧ラインを、前記転送素子の各制御電極に、各負
荷抵抗器を介して接続し、 前記一次元的に配列された各転送素子の残りの2端子の
うちの一方に、外部からn相(nは2以上の整数)のク
ロックパルスラインを、それぞれn素子毎に順繰りに接
続し、 ある相のクロックパルスにより、ある転送素子がオンし
ているとき、その転送素子近傍の転送素子のしきい電圧
もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化さ
せ、 他の相のクロックパルスにより、前記ある転送素子に隣
接する転送素子をオンさせ、 発光のためのしきい電圧もしくはしきい電流が外部から
電気的に制御可能な3端子発光素子多数個を、一次元的
に配列し、 前記転送素子の各制御電極を、前記発光素子の対応する
制御電極に接続し、 前記各発光素子の残りの2端子の一方に、発光のための
電流を印加するラインを接続した自己走査型発光素子ア
レイチップを複数個一次元的に配列した光書込みヘッド
であって、 m個(mは2以上の整数)のチップを1組として、これ
らチップのエンド端子を次段のチップのスタート端子と
接続し、 各チップには、共通のスタートパルスラインが接続さ
れ、 各チップには、共通のn相のクロックパルスラインが接
続され、 前記m個のチップ毎に、別個の電流印加ラインがそれぞ
れ接続されている、ことを特徴とする光書込みヘッド。 - 【請求項9】しきい電圧もしくはしきい電流が外部から
電気的に制御可能な3端子転送素子多数個を、一次元的
に配列し、 隣接する転送素子のしきい電圧もしくはしきい電流を制
御する制御電極を、電圧もしくは電流の一方向性をもつ
電気的手段にて互いに接続し、 電源電圧ラインを、前記転送素子の各制御電極に、各負
荷抵抗器を介して接続し、 前記一次元的に配列された各転送素子の残りの2端子の
うちの一方に、外部からn相(nは2以上の整数)のク
ロックパルスラインを、電流制限用抵抗器を介してそれ
ぞれn素子毎に接続し、 ある相のクロックパルスにより、ある転送素子がオンし
ているとき、その転送素子近傍の転送素子のしきい電圧
もしくはしきい電流を、前記電気的手段を介して変化さ
せ、 他の相のクロックパルスにより、前記ある転送素子に隣
接する転送素子をオンさせ、 発光のためのしきい電圧もしくはしきい電流が外部から
電気的に制御可能な3端子発光素子多数個を、一次元的
に配列し、 前記転送素子の各制御電極を、前記発光素子の対応する
制御電極に接続し、 前記各発光素子の残りの2端子の一方に、発光のための
電流を印加するラインを電流制限用抵抗器を介して接続
した自己走査型発光素子アレイチップを複数個一次元的
に配列した光書込みヘッドであって、 隣接するm個毎(mは2以上の整数)のチップには、別
個のスタートパルスラインが接続され、 前記隣接するm個のチップには、ある相のm本のクロッ
クパルスラインが順繰りに接続され、 各チップには、共通の他の相のクロックパルスラインが
接続され、 各チップには、共通の電流印加ラインがそれぞれ接続さ
れている、ことを特徴とする光書込みヘッド。
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