WO1998026114A1

WO1998026114A1 - Verfahren zur elektrolytischen abscheidung von kupferschichten

Info

Publication number: WO1998026114A1
Application number: PCT/EP1997/006786
Authority: WO
Inventors: Gerd Senge; Wolfgang Dahms
Original assignee: Atotech Deutschland Gmbh
Priority date: 1996-12-13
Filing date: 1997-12-04
Publication date: 1998-06-18
Also published as: ATE204035T1; EP0944749A1; DE59704260D1; CA2275214C; KR20000053278A; DE19653681A1; US6129830A; DE19653681C2; JP2001505955A; KR100546989B1; EP0944749B1; CA2275214A1; JP4221064B2

Abstract

Zum elektrolytischen Abscheiden von Kupferschichten, insbesondere auf Leiterplatten, wird ein Verfahren mit folgenden Verfahrensschritten eingesetzt: ein elektrisch leitfähiges Substrat und sich beim elektrolytischen Abscheiden auflösende Anoden werden mit einem Abscheidebad in Kontakt gebracht, wobei das Abscheidebad Kupferionen, die elektrische Leitfähigkeit des Abscheidebades erhöhende Verbindungen, Zusätze zur Beeinflussung der Materialeigenschaften der Kupferschichten, zusätzliche Verbindungen eines elektrochemisch reversiblen Redoxsystems sowie Lösungsmittel oder Lösungsmittelgemische enthält. Das Substrat und die Anoden werden mit einer Stromversorgung verbunden. Die Kupferschichten werden auf dem Substrat mittels eines Pulsstrom- oder Pulsspannungsverfahrens abgeschieden. Bei Anwendung dieses Verfahrens können Metallschichten mit guten optischen und mechanischen Materialeigenschaften bereits nach kurzer Einarbeitungszeit des Bades abgeschieden werden.

Description

Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Kupferschichten

Beschreibung:

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Kupferschichten mit kurzer Einarbeitungszeit, insbesondere für die Leiterplattenherstellung.

An die Kupferabscheidung für die Leiterplattenherstellung werden verschiedene Anforderungen gestellt: Zum einen müssen die Kupferschichten bestimmten Anforderungen an die Materialeigenschaften genügen. Beispielsweise dürfen sich in den Schichten unter Thermoschockbedingun- gen (mindestens einmaliges 1 0 sec langes Eintauchen in flüssiges Zinn/Blei-Lot bei 288 ° C) keine Risse bilden. Ferner müssen die Kupferschichten glänzend und glatt sein und an allen Stellen der zu beschichtenden Oberflächen auch möglichst gleichmäßig dick sein. Darüber hinaus muß das Abscheideverfahren leicht beherrschbar und wirtschaftlich sein.

Zur elektrolytischen Kupferabscheidung werden üblicherweise aus Kupfer bestehende Anoden eingesetzt, die sich beim elektrolytischen Abscheiden auflösen. Diese Anoden werden in Form von Platten, Barren oder Kugeln verwendet. Die Platten und Barren werden mittels geeigneter Befestigungsmittel an den Stromzuführungen angebracht. Die Kugeln wer- den in hierfür eigens bereitgestellten, meist aus Titan gefertigten Körben, die ihrerseits mittels geeigneter Befestigungsmittel an den Stromzuführungen angebracht sind, gehalten. Da sich diese Anoden während des Abscheideprozesses in etwa in dem Umfang auflösen, wie Kupfer aus dem Abscheidebad abgeschieden wird, bleibt der Kupfergehalt in der Abscheidelösung ungefähr konstant. Eine Ergänzung des abgeschiedenen Kupfers ist daher nicht erforderlich.

Zum Erzielen von bestimmten Materialeigenschaften der elektrolytisch abgeschiedenen Schichten werden dem Abscheidebad Zusätze in geringen Mengen beigefügt. Hierbei handelt es sich vorwiegend um organische Stoffe, die in der Regel unter den bei der Leiterplattenherstellung üblicher- weise eingestellten Abscheidebedingungen geringfügig verbraucht werden. Zur Einhaltung vorgegebener Qualitätsmerkmale wird der dadurch verursachte Verlust an organischen Zusätzen entsprechend ergänzt. Die Zusätze verbessern die Metallstreuung, das heißt die Gleichmäßigkeit der Kupferschichtdicke an allen zu beschichtenden Oberflächen, nur wenig.

Einen anderen Anodentyp stellen unlösliche Anoden dar, deren äußere geometrische Form sich beim Abscheideprozeß nicht verändert. Diese Anoden bestehen aus inerten Metallen, beispielsweise Titan oder Blei, die jedoch zur Vermeidung hoher anodischer Überspannungen mit katalytisch wirksamen Metallen, beispielsweise Platin, beschichtet werden können.

Bei Verwendung unlöslicher Anoden müssen zur Aufrechterhaltung der Kupferionenkonzentration im Abscheidebad geeignete Maßnahmen getroffen werden, beispielsweise durch Nachführen über hierfür geeignete Lö- sungen, die die Kupferionen in konzentrierter Form enthalten. Eine kürzlich vorgeschlagene Ergänzungsmöglichkeit besteht darin, die Kupferionen durch chemische Auflösung von Kupferteilen in einem separaten Behandlungsbehälter mittels zusätzlich zugegebener Eisen-(lll)-ionen oder anderer Metallionen, die auf Kupfer oxidierend wirken, zu ergänzen (DD 21 5 589 B5, DD 261 61 3 A1 , DE-P 43 44 387 A1 ) . Die durch die Kupferauflö- sung gebildeten Eιsen-(ll)-ιonen werden an den Anoden zu Eιsen-(lll)-ιonen reoxidiert und die mit Kupferionen angereicherte Losung zur Kupferabscheidung an das Substrat transportiert. Durch fortwahrende Zirkulation der Abscheidelosung zwischen Abscheidebehalter und Behandlungsbehal ter, in dem sich die Kupferteile befinden, wird ein stationäres Gleichgewicht der Kupferionenkonzentration eingestellt. Die hinzugefugten Eisen- lonen unterdrucken auch die oxidative Zersetzung der organischen Verbindungen, die zur Steuerung der Mateπaleigenschaften der abgeschiedenen Kupferschichten zugegeben werden. Werden die Bader mit unlöslichen Anoden ohne diese lonen betrieben, kommt es zu sehr schneller Zerset zung dieser Verbindungen, so daß brauchbare Metallschichten überhaupt nicht erhalten werden können

Das Verfahren unter Verwendung der unlöslichen Anoden ist aufwendig und benotigt zur Konstanthaltung der Kupferionenkonzentration eine genaue Einstellung der Konzentration der Eisenionen, der Zirkuiations geschwindigkeit der Abscheidelosung, der Oberflache der Kupferteile und deren Morphologie sowie weiterer Parameter in Abhängigkeit vom ge wählten Kupferabscheidestrom Ferner können sich an den unlöslichen Anoden unter ungunstigen Verhaltnissen auch die dem Abscheidebad zugegebenen Zusätze zur Beeinflussung der Mateπaleigenschaften der Kupferschichten zersetzen, so daß diese Eigenschaften nicht zuverlässig erreicht werden können. Ferner wird auch beobachtet, daß durch den Zusatz der Eisenionen die Gleichmäßigkeit der Kupferschichtdicke auf Leiterplattenaußenseiten und den Mantelflachen der Bohrlocher unter den in den vorgenannten Druckschriften beschriebenen Bedingungen ver schlechtert wird. Daher ist ein Verfahren vorzuziehen, bei dem losliche Anoden eingesetzt werden. Wird anstelle von Gleichstrom mit einem Pulsstrom- oder Pulsspannungsverfahren (Pulse Plating) gearbeitet, so wird die Metallstreuung in der Regel verbessert (WO-A-89/071 62, "Pulse Plating of Copper for Printed Circuit Board Technology", M.R.Kalantary, D.R.Gabe, M .Goodenough, Metal Finishing, 1 991 , Seiten 21 -27) . Bei der Kupferabscheidung auf

Leiterplatten werden insbesondere auch in kleinen Bohrlöchern ausreichend dicke Metallschichten erreicht, obwohl dort die lokale Stromdichte gering ist.

Nachteilig ist jedoch, daß beim Zubereiten des Bades trotz Zugabe organischer Additive zur Verbesserung der Materialeigenschaften der Kupferschichten nur rauhes Kupfer bei der Abscheidung, teilweise mit Dendritenstruktur, erhalten werden kann. Die Oberflächen der solcherart abgeschiedenen Schichten fühlt sich rauh an und sieht matt und ungleichmä- ßig scheckig aus. Überdies ist die Duktilität dieser Schichten sehr gering, so daß bereits bei einem Thermoschock, wie er beim Löten auftritt, Risse in der Kupferschicht auftreten.

Dieses Verhalten verbessert sich nach längerer Zeitspanne nach dem Neu- ansatz des Bades, innerhalb der kontinuierlich Kupfer aus dem Bad abgeschieden und fortwährend die Badkomponenten entsprechend dem normalen Verbrauch ergänzt werden. Hierfür ist je nach Auslastung des Bades ein Zeitraum von 7 bis 1 4 Tagen und gegebenenfalls auch ein längerer Zeitraum anzusetzen, wobei ein Stromdurchgang von 50 bis 1 00 A-h/l Abscheidebad notwendig ist ("Analytik von sauren Kupferbädern",

B.Bressel, Galvanotechnik, 76 ( 1 985), Seite 1 972) . Während dieser Zeit weisen die Leiterplatten derart unbefriedigende optische und mechanische Eigenschaften auf, daß sie unbrauchbar sind. Durch die lange Einarbeitungszeit des Abscheidebades werden auch erhebliche Kosten verursacht. Der Erfindung hegt von daher das Problem zugrunde, ein Verfahren zu finden, mit dem die Nachteile der bekannten Verfahren vermieden werden und mit dem insbesondere eine wirtschaftliche Arbeitsweise möglich ist Die abgeschiedenen Kupferschichten sollen sowohl an allen Stellen der zu beschichtenden Oberflachen möglichst gleichmäßig dick sein als auch hinreichend gute optische und mechanische Mateπaleigenschaften (beispielsweise hinsichtlich Glanz, Bruchelongation, Zugfestigkeit) aufweisen Es soll auch möglich sein, Schichten mit einer Dicke von etwa 25 μm auf den Außenseiten und in den Bohrlochern von Leiterplatten herzustellen, die auch ein mehrmaliges 1 0 sec langes Eintauchen in ein 288 °C heißes

Lotbad ohne Risse überstehen. Die genannten Eigenschaften sollen vor allem bereits nach einem sehr kurzen Abscheidezeitraum nach dem Zubereiten des Bades erreichbar sein (kurze Einarbeitungsphase) , beispiels weise bereits nach einem Ladungsaustausch von weniger als 1 0 A-h/1 (Ampere-Stunden/Liter), vorzugsweise von weniger als 1 A-h/1

Das Problem wird gelost durch ein Verfahren nach Anspruch 1 . Vorteilhafte Ausfuhrungen der Erfindung sind in den Unteranspruchen angege ben.

Es hat sich gezeigt, daß die Einarbeitungszeit eines Abscheidebades mit Kupferionen, mindestens einer die Mateπaleigenschaften des abgeschiedenen Metalls beeinflussenden Verbindung und mindestens einem Losungsmittel oder Losungsmittelgemisch, das heißt der Zeitraum, in dem brauchbare Kupferschichten nach dem Neuansatz aus dem Abscheidebad noch nicht abgeschieden werden können, bei Verwendung von mindestens einer löslichen Anode, beispielsweise aus Kupfer, und unter Verwendung eines Pulsstrom- oder Pulsspannungsverfahren drastisch ver kürzt werden kann, so daß brauchbare Schichten bereits nach einem La dungsaustausch von 1 0 A-h/1 und vorzugsweise 5 A-h/1 erhalten werden können, wenn der Abscheidelosung geringe Mengen von Eisenionen zu gesetzt werden. Man benötigt unter diesen Voraussetzungen häufig sogar weniger als 1 A-h/1 zur Einarbeitung des Bades, um eine gute Verkupferung der Leiterplatten zu erreichen. Die Einarbeitungszeit kann in gunsti- gen Fallen auch vollständig entfallen.

Als Ursache der unerwarteten Wirkung der Zugabe von Eisenionen wird die katalytische Wirkung dieser lonen auf die Oxidation der im Abscheidebad vorhandenen und an der Kathode reduzierten, als Glanzzusatze ver- wendeten organischen Schwefelverbindungen, die dem Bad üblicherweise zugegeben werden, vermutet

Die erfindungsgemaße Wirkung ist auch zu beobachten, wenn Verbindungen anderer Redoxsysteme in geringen Mengen vorliegen. Neben Eisen- Verbindungen sind Verbindungen der Elemente Arsen, Cer, Chrom, Kobalt, Gold, Mangan, Molybdän, Platin, Ruthenium, Samarium, Titan, Va nadin, Wolfram und Zinn ebenfalls geeignet.

Um das erfindungsgemaße Problem zu lösen, ist es ausreichend, dem Abscheidebad die genannten Verbindungen in einer Konzentration von 3 bis 500 mg/l Abscheidebad, vorzugsweise 25 bis 100 mg/l, zuzugeben, wobei diese Konzentrationsangaben auf die Menge des vorgenannten Elements in der Verbindung im Abscheidebad bezogen sind.

Vorzugsweise wird dem Bad eine Eisenverbindung zugegeben Hierbei spielt es keine Rolle, ob dem Bad Eιsen-(ll)- oder Eιsen-(lll)-ιonen zugemischt werden. Aus den dem Bad zugegebenen Eιsen(ll)- oder Eιsen(ll l) Verbindungen stellt sich nach kurzer Betriebszeit ein Gleichgewicht von beiden Verbindungen ein. Werden dann, wie nachstehend beschrieben, die üblichen Glanzzusätze und Netzmittel und weiteren üblichen Zusatzstoffe dem Elektrolyten zugesetzt, so wird die Einarbeitungszeit bei Anwendung von Pulsströmen drastisch verkürzt, oder sie entfällt. Durch die Zugabe wird die Bildung von Rauhigkeiten und von matten Kupferoberflächen vermieden. Außerdem überstehen die aus diesen Bädern abgeschiedenen Kupferschichten auch einen mehrmaligen Lötschocktest ( 1 0 sec bei 288 °C) ohne das Auftreten von Rissen. Das Verfahren weist überdies den Vorteil auf, daß die abgeschiedenen Kupferschichten an allen Stellen der beschichteten Ober- flächen gleichmäßig dick sind und nicht wie bei den bekannten Verfahren unter Zusatz von Eisenionen zum Kupferbad eine ungleichmäßige Dicke aufweisen.

Als die erfindungsgemäße Wirkung hervorrufende Verbindungen können die Acetate, Bromide, Carbonate, Chloride, Fluoride, Sulfate, Tetrafluorborate, Phosphate, Perchlorate, Citrate, Fumarate, Gluconate, Methansul- fonate und Oxalate des Eisen-(ll)- oder Eisen-( lll)-ions oder der anderen vorgenannten Elemente verwendet werden.

Erfindungsgemäße Eisenverbindungen sind in Tabelle 1 aufgelistet.

Andere Verbindungen, die auch mit Erfolg getestet wurden, sind in Tabelle 2 aufgelistet. Ihre Anwendung ist aber wegen ihrer hohen Kosten beschränkt.

Die Grundzusammensetzung des Kupferbades kann in weiten Grenzen schwanken. Im allgemeinen wird eine wäßrige Lösung folgender Zusammensetzung benutzt: Kupfersulfat (C1-SO4. 5H2O) 20 bis 250 g/1 vorzugsweise 80 bis 1 40 g/1 oder

1 80 bis 220 g/l

Schwefelsaure 50 bis 350 g/1 vorzugsweise 1 80 bis 280 g/1 oder

50 bis 90 g/1

Chloπdionen 0,01 bis 0, 1 8 g/1 vorzugsweise 0,03 bis 0, 1 0 g/1

Anstelle von Kupfersulfat können zumindest teilweise auch andere Kupfersalze benutzt werden. Auch die Schwefelsaure kann teilweise oder ganz durch Fluoroborsaure, Methansulfonsaure oder andere Sauren ersetzt werden. Die Chloπdionen werden als Alka chloπd (z. B. Natπumchlo- πd) oder in Form von Salzsaure p.A. zugesetzt. Die Zugabe von Natπum- chloπd kann ganz oder teilweise entfallen, wenn in den Zusätzen bereits

Halogenidionen enthalten sind.

Außerdem können im Bad übliche Glanzbildner, Einebner, Netzmittel oder weitere übliche Zusätze enthalten sein. Um glanzende Kupferniederschla- ge mit bestimmten Mateπaleigenschaften zu erhalten, werden zu dem

Abscheidebad mindestens eine wasserlösliche Schwefelverbindung, vorzugsweise eine wasserlösliche organische Schwefelverbindung, und eine sauerstoffhaltige, hochmolekulare Verbindung zugegeben. Zusätze, wie stickstoffhaltige Schwefelverbindungen, polymere Stickstoffverbindungen und/oder polymere Phenazoniumverbindungen, sind ebenfalls verwendbar

Diese Einzelkomponenten sind innerhalb folgender Grenzkonzentrationen im anwendungsfertigen Bad enthalten: Übliche sauerstoffhaltige, hochmolekulare Verbindungen 0,005 bis 20 g/1 vorzugsweise 0,01 bis 5 g/1 übliche wasserlösliche organische Schwefelverbindungen 0,0005 bis 0,4 g/1 vorzugsweise 0,001 bis 0, 1 5 g/1

In Tabelle 3 sind beispielhaft sauerstoffhaltige, hochmolekulare Verbindungen aufgeführt. In der Tabelle 4 sind einige verwendbare Schwefelverbindungen wiedergegeben. Zur Wasserloslichkeit sind entsprechende funktionelle Gruppen in den Verbindungen enthalten

Thioharnstoffdeπvate und/oder polymere Phenazoniumverbindungen und/oder polymere Stickstoffverbindungen werden in folgenden Konzen- trationen eingesetzt:

0,0001 bis 0,50 g/1 vorzugsweise 0,0005 bis 0,04 g/1

Zur Herstellung des Bades werden die Einzelkomponenten der

Grundzusammensetzung hinzugefugt. Die Arbeitsbedingungen des Bades sind wie folgt:

pH-Wert: < 1 , Temperatur 1 5 °C bιs 50 ° C vorzugsweise 25 °C bis 40 ° C kathodische Stromdichte: 0,5 bis 1 2 A/dm² vorzugsweise 3 bis 7 A/dm². Der Pulsstrom wird durch einen geeigneten Pulsgenerator erzeugt. Beim Pulsstromverfahren wird der Strom zwischen den als Kathoden polarisierten Werkstücken, beispielsweise Leiterplatten, und den Anoden galvanostatisch eingestellt und mittels geeigneter Mittel zeitlich modu- liert. Die Spannung zwischen den Kathoden und den Anoden stellt sich daraufhin automatisch ein. Beim Puisspannungsverfahren wird eine Spannung zwischen den Werkstücken und den Anoden potentiostatisch eingestellt und die Spannung zeitlich moduliert, so daß sich eine zeitlich veränderliche Spannung einstellt. In diesem Fall stellt sich der Strom automa- tisch ein.

Mit dem Pulsstromgenerator können kathodische Strompulse und anodische Strompulse erzeugt und der Strom kurzzeitig auch auf Null eingestellt werden. Hierbei sollten die anodischen Pulse mindestens genauso hoch sein wie die kathodischen Pulse. Vorzugsweise sollten die anodischen Pulse jedoch zwei- bis dreimal höher sein als die kathodischen Strompulse. Insgesamt muß die Ladungsmenge, die während der (kathodischen) Abscheidephase fließt, deutlich größer sein als die Ladungsmenge in der anodischen Phase.

Die Pulse sollten eine Dauer von 0, 1 msec bis 1 sec haben . Bevorzugte Pulsdauern betragen 0,3 msec bis 30 msec, wobei die kathodischen Pul^¬ se vorzugsweise eine Dauer von 1 0 msec bis 30 msec und die anodischen Strompulse eine Dauer von 0,3 msec bis 1 0 msec, insbesondere von 0,3 msec bis 3 msec aufweisen. Eine besonders günstige Strommodulation ist folgende: Die kathodische Phase dauert 1 0 msec, die anodische 0,5 msec. Eine verbesserte Einstellung entsteht, wenn jeweils zwischen einem kathodischen Puls (Dauer 5 msec) alternativ eine Pause (Dauer 5 msec), bei der der Strom auf Null eingestellt wird, oder ein ano- discher Puls (Dauer 1 msec) auftritt. In einem Zyklus können mehrere kathodische oder anodische Pulse unterschiedlicher Höhe eingestellt werden. Geräte zur Erzeugung dieser Modulationsformen sind bekannt.

Das Abscheidebad wird durch starke Anströmung und gegebenenfalls durch Einblasen von sauberer Luft derart bewegt, daß sich die Badoberfläche in starker Bewegung befindet. Dadurch wird der Stofftransport in der Nähe der Kathoden und Anoden maximiert, so daß größere Stromdichten ermöglicht werden. Auch eine Bewegung der Kathoden bewirkt eine Verbesserung des Stofftransportes an den jeweiligen Oberflächen. Durch die erhöhte Konvektion und Elektrodenbewegung wird eine konstante diffusionskontrollierte Abscheidung erzielt. Die Substrate können horizontal, vertikal und/oder durch Vibration bewegt werden. Eine Kombination mit der Lufteinblasung in das Abscheidebad ist besonders wirksam.

Das beim Abscheideprozeß verbrauchte Kupfer wird elektrochemisch über die Kupferanoden ergänzt. Für die Anoden wird Kupfer mit einem Gehalt von 0,02 bis 0,067 Gewichts-% Phosphor verwendet.

In den Elektrolytkreisläufen können bedarfsweise Filter zur Entfernung mechanischer und/oder chemischer Rückstände vorgesehen sein. Der Bedarf ist im Vergleich zu elektrolytischen Zellen mit löslichen Anoden geringer, weil der durch den Phosphorgehalt der Anoden entstehende Schlamm nicht gebildet wird.

Üblicherweise werden Beschichtungsanlagen eingesetzt, bei denen das Behandlungsgut während des Abscheideprozesses in vertikaler oder horizontaler Lage gehalten wird. Das Verfahren wird vorzugsweise zur Herstellung von Leiterplatten eingesetzt. Eine andere Anwendungsmöglich- keit besteht beim Verkupfern von Teilen zu dekorativen Zwecken, bei- spielsweise von Sanitärarmaturen, Automobilteilen und Möbelbeschlägen .

Die folgenden Beispiele und Vergleichsbeispiele dienen zur Erläuterung der Erfindung:

Vergleichsbeispiel 1 :

In einer Elektrolysezelle mit löslichen, phosphorhaltigen Kupferanoden wurde ein Kupferbad mit folgender Zusammensetzung eingesetzt:

80 g/l Kupfersulfat (CuSO δ H2O) , 1 80 g/1 Schwefelsäure konz. , 0,08 g/1 Natriumchlorid,

mit folgenden Glanzbildnern

1 , 5 g/1 Polypropylenglycol,

0,006 g/1 3-Mercaptopropan-1 -sulfonsäure, Natriumsalz,

0,001 g/1 N-Acetylthioharnstoff.

Bei einer Elektrolyttemperatur von 25 ° C wurden auf gebürstetem Kupferlaminat Kupferschichten mit pulsierendem Strom mit den nachfolgenden Verfahrensparametern abgeschieden :

Strom kathodisch: Höhe: 4 A/dm² Dauer: 1 0 msec, danach Strom anodisch : Höhe: 8 A/dm² Dauer: 0, 5 msec.

Es wurden Kupferschichten mit einer rauhen, matten Oberfläche erhalten . Die Bruchelongation einer daraus abgeschiedenen Folie betrug nur 1 4 % . Bereits durch einen einmaligen Lötschocktest mit 1 0 sec Dauer bei 288 ° C wurden in einer auf einer Leiterplatte abgeschiedenen Kupfer schicht Risse an verschiedenen Stellen beobachtet. Die Kupferschicht erfüllte damit nicht den gewünschten Qua tatsstandard

Vergleichsbeispiel 2:

Vergleichsbeispiel 1 wurde wiederholt. Jedoch wurde die Abscheidung aus dem Bad über längere Zeit fortgesetzt und anschließend Kupfer aus diesem durchgearbeiteten Bad auf einer Leiterplatte abgeschieden (La dungsdurchsatz 20 A-h/1 Abscheidebad) . Das Aussehen der Kupferschicht verbesserte sich gegenüber dem Versuch nach Vergleichsbeispiel 1 merk lieh. Die Kupferschicht auf der Leiterplatte sah nun glänzend aus und wies keine Rauhigkeiten mehr auf. Die Bruchelongation einer aus dem durchgearbeiteten Bad verbesserte sich auf 18 %

Beispiel 1 :

Dem Abscheidebad von Vergleichsbeispiel 1 wurden zusätzlich

200 mg/l Eιsen-(ll)-sulfat-Pentahydrat

bei Beginn der Abscheidung zugesetzt Dadurch wurde beim Erzeugen einer Kupferschicht auf einer Leiterplatte bereits mit einem frisch angesetzten Bad ein überraschend gutes Aussehen der Kupferschicht auf der ersten beschichteten Leiterplatte erhalten (Glanz, keine Rauhigkeiten)

Die Bruchelongation betrug 20 % nach einem Ladungsdurchsatz von 1 A-h/1 Abscheidebad. Eine mit einer aus diesem Bad abgeschiedenen Kupferschicht überzogene Leiterplatte überstand einen zweimaligen Lotschocktest mit 1 0 sec Dauer bei 288 °C, ohne daß Risse in der Kupfer- schicht beobachtet wurden. Die Kupferschicht war gleichmaßig glänzend Ergebnis der Verαleichsbeispiele 1 und 2 sowie des Beispiels 1 : Durch den Zusatz von Eisen-(ll)-sulfat-Pentahydrat konnte die lange Einfahrphase, die bei Verwendung von Pulsstrom immer auftrat, eliminiert werden. Bereits nach kurzer Einarbeitungszeit des Bades mit einer durchgesetzten Ladungsmenge von 1 bis 2 A-h/1 Abscheidebad konnte ein optimal arbeitendes Abscheidebad erhalten werden.

Vergleichsbeispiel 3:

In einer Produktionsanlage für die Herstellung von Leiterplatten wurden Leiterplatten in einem Abscheidebad mit folgender Zusammensetzung verkupfert:

80 g/1 Kupfersulfat (CuS0₄.5 H₂0),

200 g/1 Schwefelsäure konz.

Als Glanzbildner wurden

1 ,0 g/1 Polyethylenglycol,

0,01 g/1 3-(Benzthiazolyl-2-thio)-propylsulfonsäure, Natriumsalz 0,05 g/1 Acetamid

zugegeben. Die Kupferschichten wurden mit pulsierendem Strom mit fol- genden Parametern abgeschieden:

1 . Phase: Strom kathodisch: Höhe:6 A/dm² Dauer: 5 msec

2. Phase: Stromlos: Höhe 0 A/dm² Dauer 0, 5 msec

3. Phase: Strom kathodisch: Höhe:6 A/dm² Dauer: 5 msec 4. Phase: Strom anodisch: Höhe: 10 A/dm² Dauer: 1 msec. Bei einer Elektrolyttemperatur von 34° C wurden auf gebürstetem Kupferlaminat Kupferschichten mit matter Oberflache erhalten, die sich sehr rauh anfühlten. Eine daraus abgeschiedene Leiterplatte überdauerte einen zweimaligen Lotschocktest nicht. Die Metallstreuung in einem Bohr- loch mit 0,6 mm Durchmesser betrug lediglich 62 %

Beispiel 2:

Anschließend wurden dem Abscheidebad gemäß Vergleichsbeispiel 3 zusätzlich

200 mg/l Eιsen-(ll l) chloπd-Hexahydrat

zugeben. Daraufhin wurden auf Anhieb Kupferschichten mit guten opti sehen und mechanischen Mateπaleigenschaften erhalten . Die Kupferober flachen waren gleichmäßig glänzend . Auch unter dem Mikroskop bei 40-facher Vergrößerung waren keine Dendriten zu erkennen Eine mit diesen Schichten überzogene Leiterplatte wies nach einem fünfmaligen Lotschocktest keine Risse auf Die Metallstreuung verbesserte sich auf 65 %

Ergebnis des Verαleichsbeispiels 3 und des Bespiels 2 : Durch die Zugabe von Eisenionen konnten die mangelhaften optischen und mechanischen Mateπaleigenschaften der Kupferschichten vermieden werden

Alle offenbarten Merkmale sowie Kombinationen der offenbarten Merkmale sind Gegenstand dieser Erfindung, soweit diese nicht ausdrücklich als bekannt bezeichnet werden Tabelle 1 : Eisenverbindungen

- Eisen-(ll)-ethylendiammoniumsulfat-Tetrahydrat und dessen wasserfreie Form

- Eisen-(ll)-acetat

- Eisen-(ll)-bromid

- Eisen-(ll)-carbonat - Eisen-(ll)-chlorid-Tetrahydrat und dessen wasserfreie Form

- Eisen-(ll)-fluorid-Tetrahydrat und dessen wasserfreie Form

- Eisen-(ll)-fumarat

- Eisen-(ll)-gluconat-Dihydrat und dessen wasserfreie Form

- Eisen-(ll)-methansulfonat - Eisen-(ll)-oxalat-Dihydrat und dessen wasserfreie Form

- Eisen-(ll)-sulfat-Heptahydrat und dessen wasserfreie Form

- Eisen-(ll)-tetrafluoroborat-Hexahydrat und dessen wasserfreie

Form

- Eisen-(lll)-chlorid-Hexahydrat und dessen wasserfreie Form - Eisen-(lll)-citrat-Hydrat und dessen wasserfreie Form

- Eisen-(lll)-fluorid-Trihydrat und dessen wasserfreie Form

- Eisen-(lll)-perchlorat-Hydrat und dessen wasserfreie Form

- Eisen-(lll)-phosphat

- Eisen-(lll)-sulfat-Hydrat und dessen wasserfreie Form - Eisen-(lll)-sulfat-Pentahydrat und dessen wasserfreie Form Tabelle 2: Weitere Redoxverbindungen

- Cer-(IV)-sulfat

- Dinatriumhydrogenarsenat-Heptahydrat und dessen wasserfreie

Form

- Hexachloroplatin-(VI)-säure-Hydrat und dessen wasserfreie Form

- Kobalt-(ll)-sulfat-Hydrat und dessen wasserfreie Form - Mangan-(ll)-sulfat-Hydrat und dessen wasserfreie Form

- Natriumchromat

- Natriummetavanadat

- Natriummetawolframat

- Natriummolybdat - Ruthenium-(lll)-chlorid

- Samarium-(lll)-chorid-Hexahydrat und dessen wasserfreie Form

- Tetrachlorogold-(lll)-säure-Hydrat und dessen wasserfreie Form

- Titanylschwefelsäure

- Titanoxidsulfat-Schwefelsäure-Komplex - Zinn-(ll)-sulfat

Tabelle 3: Sauerstoffhaltige hochmolekulare Verbindungen

- Carboxymethylcellulose

- Nonylphenol-polyglycolether

- Octandiol-bis-(polyalkylenglycolether)

- Octanolpolyalkylenglycolether

- Ölsäure-polyglycolester

- Polyethylen-propylenglycol

- Polyethylenglycol

- Polyethylenglycol-dimethylether

- Polyoxypropylenglycol

- Polypropylenglycol

- Polyvinylalkohol

- ß-Naphthol-polyglycolether

- Stearinsäure-polyglycolester

- Stearylalkohol-polyglycolether

Tabelle 4: Schwefelverbindungen

- 3-(Benzthiazolyl-2-thio)-propylsulfonsäure, Natriumsalz

- 3-Mercaptopropan-1 -sulfonsäure, Natriumsalz

- Ethylendithiodipropylsulfonsäure, Natriumsalz

- Bis-(p-sulfophenyl)-disulfid, Dinatriumsalz

- Bis-(ω-sulfobutyl)-disulfid, Dinatriumsalz - Bis-(ω-sulfohydroxypropyl)-disulfid, Dinatriumsalz

- Bis-(ω-sulfopropyl)-disulfid, Dinatriumsalz

- Bis-(ω-sulfopropyl)-sulfid, Dinatriumsalz

- Methyl-(ω-sulfopropyl)-disulfid, Dinatriumsalz

- Methyl-(ω-sulfopropyl)-trisulfid, Dinatriumsalz - 0-Ethyl-dithiokohlensäure-S-(ω-sulfopropyl)-ester, Kaliumsalz

- Thioglycolsäure

- Thiophosphorsäure-0-ethyl-bis-(ω-sulfopropyl)-ester,

Dinatriumsalz

- Thiophosphorsäure-tris-(ω-sulfopropyl)-ester, Trinatriumsalz

Claims

Patentansprüche:

1 . Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden von Kupferschichten mit kurzer Einarbeitungszeit mit folgenden Verfahrensschritten: a. Zubereiten eines Abscheidebades, enthaltend Kupferionen, mindestens eine die elektrische Leitfähigkeit des Abscheidebades erhöhende Verbindung, mindestens einen Zusatz zur Beeinflussung der Materialeigenschaften der Kupferschichten, mindestens eine zusätzliche Verbindung eines elektrochemisch reversiblen Redoxsystems sowie ein Lösungsmit- tels oder Lösungsmittelgemisches, b. In-Kontakt-bringen eines elektrisch leitfähigen Substrats und mindestens eine sich beim elektrolytischen Abscheiden auflösende Anode mit dem Abscheidebad, c. Elektrisches Verbinden des Substrats und der Anoden mit einer Stromversorgung und Abscheiden der Kupferschichten auf dem Substrat mittels eines Pulsstrom- oder Pulsspannungsverfahrens.

2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß als Ver- bindungen des elektrochemisch reversiblen Redoxsystems Verbindungen der Elemente Eisen, Arsen, Cer, Chrom, Kobalt, Gold, Mangan, Molybdän, Platin, Ruthenium, Samarium, Titan, Vanadin, Wolfram und/oder Zinn verwendet werden.

3. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, daß die Abscheidelösung die Verbindungen des Redoxsystems in einer Konzentration von 3 bis 500 mg Element/Liter Abscheidebad, vorzugsweise von 25 bis 1 00 mg Element/Liter Abscheidebad enthält.

4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zum Abscheiden der Kupferschichten zeitlich nacheinander Strom- und Spannungspulse mit verschiedener Stromstärke am Substrat eingestellt werden, wobei mindestens einer der Pulse kathodisch und mindestens ein anderer anodisch oder auf Null eingestellt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Dauer eines Strom- oder Spannungspulses von 0,3 Millisekunden auf bis zu 30 Millisekunden eingestellt wird.

6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche zum elektrolytischen Abscheiden von Kupferschichten auf Leiterplattenoberflächen.