WO1997030478A1

WO1997030478A1 - Dispositif a semi-conducteur et grille de connexion multicouche utilisee pour ledit dispositif

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Publication number: WO1997030478A1
Application number: PCT/JP1997/000405
Authority: WO
Inventors: Yuji Hotta; Seiji Kondo; Shinichi Oizumi; Michie Sakamoto; Amane Mochizuki
Original assignee: Nitto Denko Corporation
Priority date: 1996-02-15
Filing date: 1997-02-14
Publication date: 1997-08-21
Also published as: EP0881677A1; EP0881677A4; CN1216159A; KR19990082573A; JPH09223760A

Description

明細書半導体装置およびそれに用いる多層リードフレーム技術分野

本発明は、多層リードフレームを備えた樹脂封止型の半導体装置と、それに用いるのに適した多層リードフレームに関する。背景技術

L S I 等の半導体素子をトランスファ一モールド法等により樹脂で封止した、いわゆる樹脂封止型の半導体装置は、セラミックパッケ一ジを用いた半導体装置に比して量産性に優れ、かつ、安価に製造できることから、特に民生用の半導体装置として広く用いられている。

このような樹脂封止型の半導体装置においては、近年、装置の反りを防止する観点から、半導体素子を装置中央部分に位置させる構成が一般的に採用されている。

一方、樹脂封止型の半導体装置においては、半導体素子のパワー増大に伴う高い放熱性の要求に基づき、リードフレームに金属箔を積層し、その金属萡上に半導体装置を搭載して熱を拡散させるようにした、いわゆる多層リードフレームが用いられるようになってきている。

ところで、近年の電子機器の小型化、薄型化等への移行に伴い、半導体装置の薄型化への要望が益々強くなつている。この要望に応えるべく、半導体装置の厚みは 3 m mから 1 . 4 m m、更には 1 . O m mへと薄型化されてきつつある。しかし、このような半導体装置の薄型化への流れのなかで、そのパッケージングに関連して、量産性の低下や各種の信頼性の低下を引き起こしている。

より具体的に述べると、前記したように反り防止の観点から半導体素子を装置中央部に位置させたとき、例えば 1 m m厚の装置の場合、素子の上下の封止樹脂の厚みは 0 . 2 ~ 0 . 3 m m程度しか確保することができず. パッケ一ジング工程においては、素子の位置ずれを避けるために上記のような薄い上下の空間にそれぞれ均一に樹脂を注入する必要があり、このことがパッケージングの歩留り低下を引き起こす大きな要因となって、厚さ 1 m m以下の半導体装置を量産する妨げとなっている。またこの問題は、多層リードフレームを用いた半導体装置においては、素子を搭載するための金属箔の厚み分をも考慮する必要がある関係上、樹脂を注入する上下の空間はより薄くなつて更に深刻なものとなっている。

本発明はこのような実情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、多層リードフレームを用い、しかも半導体装置の厚さが 1 m m以下であっても、高い生産性のもとに容易に量産可能な構造を持つ半導体装置と、そのような半導体装置に用いてその量産性を容易にすることのできる多層リードフレームを提供することにある。発明の開示

本発明は、以下に述べる半導体装置及びそれに用いる多層リードフレームに関する。

( 1 ) インナ一リード部の片面に、半導体素子を搭載するための金厲箔が積層されてなる多層リードフレームを備えた樹脂封止型の半導体装置において、上記金属箔の半導体素子搭載側と反対側の面が、装置の一方の主表面に露出していることを特徴とする半導体装置。

( 2 ) 上記インナーリード部の金属箔に対する積層側とは反対側の面が、半導体素子の上面と略同一平面上に位置していることを特徴とする、上記

( 1 ) に記載の半導体装置。

( 3 ) 上記インナ一リード部と金属箔とが、基材の両側に接着剤層を有してなる接着材料を介して相互に積層されていることを特徴とする、上記（ 1 ) または（ 2 ) に記載の半導体装置。

( 4 ) 上記金属箔が露出している主表面と反対側の主表面を形成する封止樹脂表面が、別の金属箔で被覆されていることを特徴とする、上記（ 1 )

( 2 ) または（ 3 ) に記載の半導体装置。 ( 5 ) 上記（ 1 ) 、（ 2 ) 、（ 3 ) または（ 4 ) に記載の半導体装置に用いられる多層リードフレームであって、半導体素子を搭載するための金属箔とインナーリード部とが、基材の両面に接着剤層を有してなる接着材料によつて相互に接合されていることを特徴とする多層リードフレーム。 ( 6 ) 上記（ 1 ) 、（ 2 ) 、（ 3 ) または（ 4 ) に記載の半導体装置に用いられる多層リードフレームであって、半導体素子を搭載するための金属箔の素子搭載側の表面に接着剤層が設けられているとともに、その金厲萡とインナ一リード部の間に、基材の片面に接着剤靥が設けられた接着材料が当該接着剤層をィンナーリード部側に向けた状態で挿入され、これら各接着剤層によってィンナーリード部と金属箔とが上記基材を介在させた状態で相互に接合されていることを特徴とする多層リードフレーム。

( 7 ) 上記ィンナーリード部と上記基材との問の接着剤層の厚みが 8 0〜 1 5 0 w mであることを特徴とする、上記（ 5〉または（ 6 ) に記載の多層リードフレーム。

( 8 ) 上記各接着材料の接着剤層を構成する有機材料の主成分が、ポリ力ルポジィミドもしくはフッ素ゴムを主成分とする熱硬化性接着剤であることを特徴とする、上記（ 5 ) 、（ 6 ) または（ 7 ) に記載の多層リ―ドフレーム。

( 9 ) 上記基材が金属箔であることを特徴とする、上記（ 5 ) 、（ 6 ) 、 ( 7 ) または（ 8 ) に記載の多層リードフレーム。図面の簡単な鋭明

第 1 図は本発明の実施例 1 の半導体装置の構成を示す模式的縦断面図であり、第 2図は第 1 図の分解斜視図である。また、第 3図は本発明の実施例 2の半導体装置の構成を示す模式的縦断面図である。発明を実施するための最良の形態

本発明の半導体装置は、第 1 図または第 3図に例示するように、インナ ― リ一ド部 1 1 aの片面に、半導体素子 2を搭載するための金属箔 1 2が積層されてなる多層リードフレーム 1 を備えた樹脂封止型の半導体装置において、金属箔 12の半導体素子搭載側と反対側の面が、装置の一方の主表面 Aに露出していることによつて特徴づけられる。

ここで、本発明の半導体装置においては、インナ一リード部 1 1 aの金厲箔 1 2 に対する積層側とは反対側の面 Cを、半導体素子 2の上面 Dと略同一平面上に位置させた構造とすることが好ましい。

また、本発明の半導体装置においては、インナーリード部 1 1 a と金属箔 1 2 とを、基材 3 1 の両側に接着剤層 3 2， 3 3を有してなる接着材料 3 を介して相互に積層した構成を採用することができる（第 1 図参照）。更に、本発明の半導体装置においては、金属箔 1 2が露出している主表面 Aと反対側の主表面 Bを形成する封止樹脂表面を、別の金属箔 4で被覆した構成を採用することもできる。

一方、本発明の多層リードフレームは、上記した本発明の半導体装置に用いるのに適した多層リ一ドフレームであり、その特徴とするところは、第 1 図に例示したように、半導体素子 2 を搭載するための金厲箔 1 2 とィンナーリード部 1 1 a とが、基材 3 1 の両面に接着剤層 3 2 , 3 3を有してなる接着材料 3 によつて相互に接合されている点にある。

また、本発明の多層リ一ドフレームは、以上の構成に代えて、第 3図に例示したように、半導体素子 2を搭載するための金属箔 1 2の索子搭載側の全表面に接着剤層 1 3が設けられているとともに、その金属箔 1 2 とィンナーリード部 1 1 aの間に、基材 3 4の片面に接着剤層 3 5が設けられた接着材料 3 0 が、その接着剤層 3 5をインナーリード部 1 1 a側に向けた状態で挿入され、これら各接着剤層 1 3 , 3 5 によって、インナーリード部 1 1 a と金厲箔 1 2 とが基材 3 4 を介在させた状態で相互に接合された構成を採用することができる。

ここで、本発明の多層リ一ドフレームにおいては、ィンナーリ一ド部 1 1 a と基材 3 1 または 3 4 との間の接着剤層 3 2 または 3 5の厚みを、 8 0〜1 5 0 mとすることが好ましい。

また、本発明の多層リードフレームにおいては、上記した接着材料 3の両側の接着剤層 3 2 と 3 3、および接着材料 3 0の片側の接着剤層 3 5を構成する有機成分の主成分を、ポリカルポジイミドもしくはフッ素ゴムを主成分とする熱硬化性接着剤とすることが望ましい。

更に、本発明の多層フレームに用いられる接着材料 3 , 3 0 における基材 3 1， 3 4 は金属箔とすることが好ましい。

本発明の半導体装置並びに多層リードフレームについて、以下により詳しく説明する。

まず、本発明の半導体装置および多層リードフレームにおいて用いられるリードフレーム本体（信号線） 1 1 の材質としては、当分野において慣用的に用いられている公知の各種金属材料、例えば C u合金や 4 2 ァロイを用いることができるが、熱伝導性の観点から C u合金を用いることが好ましい。

また、本発明の半導体装置および多層リードフレームにおいて用いられる、半導体素子搭載用の金属箔 1 2の材質としては、同じく公知の各種金属材料を挙げることができるが、 C u合金、 4 2ァロイ、 4 5 ァロイまたはアルミニウムを用いることが好ましい。この金属箔 1 2の厚みは 1 ~ 1

0 0 mとすることができ、より好ましくは厚み 1 0〜 5 0 / mとすべきである。

本発明の半導体装置および多層リードフレームにおいて、請求の範囲第 3項および第 5項、もしくは請求の範囲第 6項に記載の接着材料 3 もしくは 3 0 について、その基材 3 1 もしくは 3 4 としては、各種耐熱材料を用いることが可能であるが、好ましくはポリィミド、ポリエーテルィミド等の樹脂フィルム、あるいは、アルミニウム箔、 C u箔等の金属材料が用いられ、特に金属材料の採用は、半導体装置の薄型化に伴う強度低下を防ぐ点において有効である。

この基材 3 1 もしくは 3 4の厚みは、半導体素子 2の厚み以下であれば任意とすることができるが、好ましくは 1 5〜 2 5 0 mの範囲とすべきである。そして、この基材 3 1 もしくは 3 4の厚みを、半導体素子 2の厚み並びにインナ一リード部 1 1 aの厚みとの関連において適宜に設定することにより、インナーリード部 1 1 aの上面（金属萡 1 2との接合面と反対側の面） Cと、半導体素子 2の上面 Dとを略同一平面上に位置させる、詩求の範囲第 2項に記載の構成の採用を容易化する。

また、同接着材料 3 もしくは 3 0における接着剤層 3 2、 3 3 もしくは 3 5に用いられる接着剤としては、各種耐熟性接着剤、例えばエポキシ樹脂やポリエーテルイミド樹脂、あるいはポリアミドイミド樹脂、ポリイミド榭脂、カルボジィミド樹脂等を挙げることができる。この接着剤層 3 2 , 3 3並びに 3 5には、吸水率を抑制する目的で各種の充墳材（シリ力等）を含有させてもよい。

そして、これらの接着剤眉 3 2. 3 3および 3 5の厚みは 5 ~ 3 0 0 〃 mの範囲で任意とすることができる力これらの接着剤層のうち、インナ —リード部 1 1 aと基材 3 1 または 3 4 との間に介在する接着剤層 3 2および 3 5の厚みについては、前記したように特に 8 0〜 1 5 0 mとすることにより、リードフレームのダムバーレス化を図ることが可能となる。ダムバーレス化を図る埸合には、接着剤展 3 2および 3 5の有機材料主成分をポリカルポジイミドまたはフッ素ゴムとすることがより好ましい。ここで、本発明で言うところのポリカルボジィミドは、下記の一般式（ 1 ) で表され、この式（ 1 ) 中の— R -は式（A) 〜（D) の構造式のいずれとしてもよいが、特に構造式（D) の材料を採用することが好ましい, 一 (R -N = C = N) „ 一 ( 1 )

で、一 R—としては、

(B)

一方、本発明において用いられるフッ素ゴムとしては、例えばへキサフルォロプロピレン . フッ化ビニリデン共重合体、ポリテトラフルォロェチレン ' プロピレン共重合体、パーフルォロメチルピニルエーテル . プロピレン共重合体のような含フッ素熱可塑性エラス卜マーや、含フッ素ゲイ素ゴム、含フッ素ポリエステルゴム等、フッ素を合有する適宜のエラストマ一を用いることができる。そして、このようなフッ素含有エラストマ一に対して、適宜の硬化開始剤、例えば種々のパーォキサイドのような熱分解してラジカルを発生する材料を含有させることにより熱硬化性を付与したものとする。

また、本発明の半導体装置および多層リードフレームにおいて、請求の範囲第 6項に記載の金属箔 1 2の素子搭載側の面に設けられる接着剤層 1 3 としても、上記した接着剤層 3 2 , 3 3および 3 5 と同様に公知の各種耐熱性接着剤、例えばエポキシ樹脂やポリエーテルイミド樹脂、あるいはポリアミドイミド榭脂、ポリイミド榭脂、カルポジイミド樹脂等を用いることができる。更に、この接着剤層 1 3 には熱伝導性を向上させるため、 A gで代表される各種の高熱伝導性材料を充塡材として含有させることができる。

本発明の半導体装置において、半導体素子搭載用の金属箔 1 2が露出する一方の主表面 Aと反対側の主表面 Bを覆う金属箔 4 の材質は特に限定されないが、好ましい材質として C u合金、 4 2 ァロイあるいはアルミニゥ厶を挙げることができる。この金属箔 4の厚みは 1〜 1 0 0 mの範囲で任意とすることができるが、より好ましくは 1 0〜 5 0 mである。金属箔 4 により主表面 Bを覆う方法、つまり封止樹脂の表面に固着する方法は任意であるが、例えば、金属箔 4の片面に接着剤層を設けて金型内に仮固定した伏態で、その金型内に半導体素子並びにリードフレームを挿入して型閉めして封止樹脂を注入する方法（特開平 7 _ 2 8 8 2 6 3号）や、更にその仮固定用接着剤層と金型との間に封止樹脂に対して離型性を有する離型フィルムを介在させる方法（特願平 6 — 1 4 7 4 5 8号）等を採用することができる。

また、本発明の半導体装置における封止樹脂の材料としては、当分野において公知の各種材料を用いることができる。すなわち、樹脂成分としてエポキシ樹脂やポリイミド榭脂等の耐熱性樹脂、充塡材としてシリカ、 Ύ ルミナ等を挙げることができる。

ここで、本発明に用いる封止樹脂は、半導体装置の反り防止の観点から、その平均線膨張係数が 1 . 0 ~ 2 . 4 X 1 0— ⁵ ( 1 Z °C ) であることが好ましい。また、同様の観点から、使用する半導体素子の厚みは 2 0 0 ~ 3 5 0 mであることが好ましい。

半導体素子 2 を搭載するための金属箔 1 2が半導体装匿の一方の主表面 Aに露出した構成の本発明の半導体装置によれば、素子を装置の中央に位置させる通常の半導体装置の構造に比して、金属箔 1 2の素子搭載面と反対側に封止樹脂を設けない分だけ装置の薄型化を図ることができる。ここで、以上のような構造を持つ本発明の半導体装置のパッケージング工程は、金属萡 1 2側を露出させるようにトランスファ一成形する、いわゆる片面モールドであるため、通常の薄型半導体装置のパッケ一ジング工程において間題となる、封止樹脂注入時の半導体素子の上下での榭脂注入速度の不均一性に伴う素子の位置ずれおよび装置の反り発生の間題は生じない。よつて従来の薄型半導体素子のパッケージング工程における量産性の阻害要因は排除され、超薄型の半導体装置を高歩留りで生産することが可能となる。

また、素子搭載用の金属箔 1 2 とインナーリード部 1 1 a との間に、基材 3 1 の両面に接着剤雇 3 2 , 3 3が形成された接着材料 3、または基材 3 4 の片面に接着剤層 3 5が形成された接着材料 3 0を介在させることにより、インナーリード部 1 1 aの上面 Cの位置が上方にシフ卜され、半導体素子 2の上面 Dと略同一平面上に位置させることが可能となり、このような封止樹脂内における半導体素子 2 とインナーリード部 1 1 aの被ワイャボンディング面間相互の平坦化は、半導体装置の薄型化をより容易なものとすることができる。

この素子搭載用の金属箔 1 2 とインナ一リード部 1 1 a との間に介在する基材 3 1 または 3 4 は、また、半導体装置の強度を向上させる部材としても機能し、特に基材 3 1 または 3 4 を金属箔とするとともに、半導体装置の素子搭載用金属箔 1 2の露出面と反対側の主表面 Bをも金属箔 4で被覆した構成の採用により、薄型化に伴う半導体装置の強度低下を防止し、超薄型で信頼性の高い半導体装置を容易に量産することが可能となる。なお、主表面 Bを覆う金属箔 4 は、封止樹脂による吸湿を抑制し、放熱性を向上させる部材としても機能する。

さて、インナーリード部 1 1 a と素子搭載用の金属箔 1 2 とを、基材 3 1 の両側に接着剤層 3 2， 3 3 を設けた接着材料 3 によつて相互に接合してなる本発明の多層リードフレーム、および、素子搭載用の金属箔 1 2 の素子搭載側表面に接着剤層 1 3を設けて、これとインナ一リード部 1 1 a との間に、基材 3 4 の片面に接着剤層 3 5を設けた接着材料 3 0をその接着剤層 3 5をインナ一リード部 1 1 a側に向けた状態で介在させてなる本発明の多層リ一ドフレームは、上記した本発明の半導体装置の構成の実現を容易化し、また、その量産性を良好なものとする。

そして、これらの多層リードフレームの構成において、インナーリード部 1 1 a と基材 3 1 または 3 4の間の接着剤層 3 2 または 3 5の厚みを 8 0〜 1 5 O w mとすることは、リードフレーム本体 1 1 として常用の Q F P用のものの厚み 1 2 5〜3 5 0 〃 mとの関連において、これらの接着剤層 3 2 または 3 5が樹脂ダムを形成し、リードフレームのダムバーレス化を達成することを可能とし、封止樹脂の成形後におけるダムバーの切断ェ程を省略化することができ、更にこれらの接着剤層 3 2 または 3 5の有機材料主成分をポリカルボジィミドまたはフッ素ゴムとすることにより、ダムバーレス化の達成はより容易となる。

すなわち、ポリカルポジイミドゃフッ素ゴムを有機材料主成分とした熱硬化性接着剤は、少々の加熱でホッ卜メルト的に接着（仮着）が可能で、充分な加熱で硬化して完全接着が可能となる。従ってこのような接着剤を主成分とする接着剤層 3 2 または 3 5 をインナ一リード部 1 1 a と基材 3 1 または 3 3 との間に介在させることにより、本発明の多層リードフレー厶の製造に際して、インナーリード部 1 1 aを接着剤層 3 2 または 3 5 に対して加熱、加圧により埋め込んだ後に適宜に加熱することで、各リード間に確実に樹脂ダムを形成することができる。

また、本発明の多層リードフレームのうち、素子搭載用の金属箔 1 2の素子搭載面に接着剤層 1 3を設けて、その上に片面接着材料 3 0を介してインナーリード部 1 1 aを接合する構成のものは、その接着剤層 1 3 によつて半導体素子 2を直接的に金属箔 1 2上に固着することが可能となり、ダイボンディグ工程において別途ダイボンド材を供拾する必要がなくなり、ダイボンディング工程の簡略化に寄与するところ大である。

<実施例 1 >

第 1 図は実施例 1 の半導体装置の構成を示す模式的す断面図であり、また、第 2図はその分解斜視図である。

3 5 m厚の C u箔（三井金属製 B D H— 3 5 ) の両面に、前記一般式 ( 1 ) で示され、かつ、その一 R -が構造式（D ) で示されるポリカルボジィミド暦を厚み 1 0 0 〃 mで形成することにより、 C u箔製の基材 3 1 の両面にポリ力ルポジィミドからなる接着剤層 3 2 , 3 3を有する両面接着材料 3を作成した後、第 2図に示すような形状に加工した。

このようにして得られた両面接着材料 3を、 2 8 m m角にカットされた厚み 3 5 mの C u箔（三井金属製 F X— B S H ) および 2 8 m m角 Q F P用リードフレーム 1 1 (ダイパッド部なし、 1 2 5 m厚）で挟み込んだ状態で重ね合わせ、 2 0 0 °C、 1 0 0 k g / c m ² で加熟加圧を行うことにより、素子搭載用の C u箔からなる金属萡 1 2 とインナーリード部 1 1 a とが、 C u製の基材 3 1 を備えた両面接着材料 3 によって相互に接合された多層リードフレーム 1 を得た。

この多層リードフレーム 1 においては、インナ一リード部 1 l aの各リ - ドの間が接着剤層 3 2を形成する樹脂によつて埋められ、これによつて樹脂製のダムが形成された状態となつた。

一方、 3 5 / m厚の C u箔（三井金属 F X— B S H ) の片面に、ェポキシ樹脂、ゴム、シリカ、カーボンブラック、ワックスより形成された仮接着剤層を形成することにより、片面に 1 0 u m厚の仮接着剤層 4 aが形成された被覆用の金屈箔 4 を製造した。

片面モールド用の成形金型の一方の金型面に、金属箔 4 をその仮接着剤層 4 a によつて仮接着しておくとともに、その金型内に、多層リ一ドフレーム 1 の金属箔 1 2の上面にダイボンド用銀ペースト 5を用いて厚み 2 8 0 mの半導体素子 2を接着し、ワイヤボンディグしたものを挿入し、ェポキシ系封止樹脂 6 (フイラ一量 8 8 %、線膨張係数 0 . 9 X 1 0 — ⁵ / °C ) をその金型内に注入することにより、素子搭載用の金属萡 1 2がー方の主表面 Aに露出し、かつ、他方の主表面が金属箔 4 で覆われ、更にインナーリ一ド部 1 aの上面 Cと半導体素子 2の上面 Dとが略同一平面上に位置する、第 1 図に示す構造の、厚さ 0 . 7 m mの半導体装置を得た。

このパッケ一ジング工程において、ダムバーを有しないリ一ドフレーム 1 1 を用いたにも係わらず、接着剤層 3 2が樹脂ダムを形成しているが故に封止樹脂の漏れは生じなかった。また、得られた半導体装置には反りは発生していなかった。なお、金属箔 4の一面に形成した仮接着剤層 4 a は成形工程の後に残るが、この層 4 aは半導体装置のマーキング層として有効に活用することができる。

また、この半導体装置は、その両側の主表面 A , Bが金属箔 1 2 , 4 によって覆われているために耐湿性並びに放熱性が良好で、また、これらの主表面 A , Bにおける金属箔 1 2， 4 に加えて、封止榭脂 6内に金属箔からなる基材 3 1 が挿入されているため、薄型であるにも係わらずその強度は高いものとなった。 <実施例 2 > '

第 3図は実施例 2の半導体装置の構成を示す模式的縦断面図である。この実施例 2 は、実施例 1 で用いたものと同じ素子搭載用の金属箔 1 2 の片面に、銀を 9 0重量％含有するポリカルボジィミド層からなる接着剤層 1 3を厚さ 1 0 w mで形成した点と、実施例 1 で用いた両面接着材料 3 に代えて、基材 3 4 の片面にのみ接着剤層 3 5が形成された片面接着材料 3 0を用いた点が、実施例 1 に対して主な相違点である。なお、片面接着材料 3 0の基材 3 4 および接着剤層 3 5の材質は、それぞれ実施例 1 における両面接着材料 3の基材 3 1 および接着剤層 3 2 , 3 3 と全く同じとした。また、基材 3 4の厚さは 5 0 m、接着剤層 3 5の厚さは 1 5 0 〃 m とした。

また、用いるリードフレーム本体 1 1 、主表面 Bの被覆用の金属箔 4 および封止樹脂 6 についても、実施例 1 と全く同じとした。

この例における多層リードフレーム 1 0 は、片面接着材料 3 0をその接着剤層 3 5がリードフレーム本体 1 1側に向けた伏態で、リードフレーム本体 1 1 と金属箔 1 2 の間に介在させてある程度加熱することにより、接着剤層 3 5 によってインナ一リード部 1 1 a と基材 3 4 を、接着剤眉 1 3 によつて基材 3 4 と金属箔 1 2 とを、それぞれ仮着した伏態として、ダイボンディング工程に供給した。

ダイボンディング工程においては、新たにダイボンド材を用いることなく、半導体素子 2を直接的に金厲箔 1 2の上面の接着剤層 1 3に 1 7 5 °C の雰囲気下で圧着した。

そして、この状態でワイヤボンディングした後、実施例 1 と同様のパッケ一ジング工程によって封止樹脂 6を注入することにより、一方の主表面 Aに金属箔 1 2が露出し、他の主表面 Bが金属箔 4で覆われ、更に半導体素子 2 の上面 Dとインナーリード部 1 1 aの上面 Cとが同一平面上に位置した、第 2図に示す構造の厚さ 0 . 7 m mの半導体装置を得た。

この実施例 2 においても、ダムバーレス化を達成することが可能であり . 薄型で反りがなく、かつ、高強度で耐湿性、放熟性に優れた半導体装置が得られた。産業上の利用可能性

本発明の半導体装置によれば、半導体素子搭載用の金厲箔が半導体装置の一方の主表面側に露出しているため、封止榭脂の厚みをその分だけ薄くして装置の薄型化を図ることが可能となり、しかも、そのような構造においてはパッケ一ジング工程は片面モールドとなるため、従来の素子を中央に位置させた構造の半導体装置のパッケージング工程において間題となる. 素子上下の空間での封止樹脂の注入速度の不均一に起因する反りは発生することがないため、薄型の半導体素子を良好な生産性のもとに高歩留りで製造することが可能となった。

また、本発明の多餍リードフレームでは、インナーリ一ド部と素子搭載用の金属箔との間に、基材の両面または片面に接着剤層を設けた接着材料を介在させた状態でこれらを相互に接合しているため、インナーリード部と基材間の接着剤層の厚み並びに材質を適宜に選択することにより、その接着剤層によって樹脂ダムを形成することが可能となり、ダムバーレス化を達成することができる。また、その基材は、上記した本発明の半導体装置の強度を向上させるための部材としても機能すると同時に、その厚み分だけインナーリード部の位置を上方に持ち上げてそのワイヤボンディング面を半導体素子のワイヤボンディング面とを同一平面上に位置させるための部材としても機能し、高強度で超薄型の半導体装置の量産を可能とする ₍

諸求の範囲

1 . インナーリード部の片面に、半導体素子を搭載するための金属箔が穣層されてなる多層リードフレ一厶を備えた樹脂封止型の半導体装置において、上記金属箔の半導体素子搭載側と反対側の面が、装置の一方の主表面に露出していることを特徵とする半導体装置。

2 . 上記インナ一リード部の金属箔に対する積層側とは反対側の面が、半導体素子の上面と略同一平面上に位置していることを特徴とする、請求の範囲第 1項に記載の半導体装置。

3 . 上記インナ一リード部と金属箔とカ〈、基材の両側に接着剤層を有してなる接着材料を介して相互に積層されていることを特徴とする、請求の範囲第 1 項または第 2項に記載の半導体装置。

4 . 上記金属箔が露出している主表面と反対側の主表面を形成する封止樹脂表面が、別の金属箔で被覆されていることを特徴とする、請求の範囲第 1 項、第 2項または第 3項に記載の半導体装置。

5 . 請求の範囲第 1 項、第 2項、第 3項または第 4項に記載の半導体装置に用いられる多雇リ一ドフレームであって、半導体素子を搭載するための金属箔とィンナーリ一ド部とが、基材の両面に接着剤層を有してなる接着材料によって相互に接合されていることを特徴とする多層リードフレーム _c 6 . 請求の範囲第 1 項、第 2項、第 3項または第 4項に記載の半導体装置に用いられる多層リードフレームであって、半導体素子を搭載するための金属萡の素子搭載側の表面に接着剤層が設けられているとともに、その金属箔とインナーリード部の間に、基材の片面に接着剤層が設けられた接着材料が当該接着剤層をインナ一リード部側に向けた状態で挿入され、これら各接着剤層によってィンナーリード部と金属箔とが上記基材を介在させた状態で相互に接合されていることを特徴とする多層リ一ドフレーム。 7 . 上記インナーリード部と上記基材との問の接着剤層の厚みが 8 0〜 1 5 0 mであることを特徴とする、請求の範囲第 5項または第 6項に記載の多層リードフレーム。 8 . 上記各接着材料の接着剤層を構成する有機材料の主成分が、ポリカルポジイミドもしくはフッ素ゴムを主成分とする熱硬化性接着剤であることを特徴とする、請求の範囲第 5項、第 6項または第 7項に記載の多層リードフレーム。

9 . 上記基材が金属箔であることを特徴とする、請求の範囲第 5項、第 6 項、第 7項または第 8項に記載の多層リ一ドフレーム。

[ 1 9 9 7年 7月 1 6日（1 6 . 0 7 . 9 7 ) 国際事務局受理：出願当初の請求の範囲： — 9は補正された請求の範囲 1 ^ 1 0に置き換えられた。（3頁） ]

1 . (補正後）インナーリード部の片面に、半導体素子を搭載するための金属箔が接着材料により穣層されてなる多層リ一ドフレームを備え、当該金属箔の半導体素子搭載側とは反対側の面が、装置の一方の主表面に露出している樹脂封止型の半導体装置において、ィンナ一リ一ド部の金属萡に対する積層側とは反対側の面が、基材の両側に接着剤層を有する接着材料により半導体素子の上面と略同一平面に位置されていることを特徴とする半導体装置。

2 . (補正後）請求の範囲第 1項において、インナーリード部が接着材料の片面の接着剤雇に部分的に埋め込まれて位置していることを特徴とする半導体装置。

3 . (補正後）インナーリード部の片面に、半導体素子を搭載するための金属箔が接着材料により積層されてなる多層リードフレームを備え、当該金属箔の半導体素子搭載側とは反対側の面が、装置の一方の主表面に露出している樹脂封止型の半導体装置において、ィンナーリ一ド部の金属箔に対する積牖側とは反対側の面が、当該金属箔の全面に形成された接着剤雇と基材の片側に接着剤展を有する接着材料とにより半導体素子の上面と略同一平面に位置されていることを特徴とする半導体装置。

4 . (補正後）請求の範囲第 3項において、インナ一リード部が接着材料の片面の接着剤層に部分的に埋め込まれて位置していることを特徴とする半導体装置。

5 . (補正後）上記金属箔が露出している主表面とは反対側の主表面を形成する封止樹脂表面が、別の金属箔で被覆されていることを特徴とする請求の範囲第 1項〜第 4項の何れか一項に記載の半導体装置。

6 . (補正後）請求の範囲第 1項、第 2項または第 5項に記載の半導体装置に用いられる多層リードフレームであって、半導体素子を搭載するための金属箔とィンナ一リ一ド部とが、基材の両面に接着剤層を有してなる接着材料によって相互に接合されていることを特徵とする多層リードフレー

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- 補正された用紙 (条約第 19条）ム。

7 . (補正後）請求の範囲第 3項、第 4項または第 5項に記載の半導体装置に用いられる多層リードフレームであって、半導体素子を搭載するための金属箔の素子搭載側の表面全面に接着剤層が設けられているとともに、その金属箔上の接着剤層とインナ一リード部の間に、基材の片面に接着剤層が設けられた接着材料が当該接着剤層をィンナーリード部側に向けた状態で挿入され、これら各接着剤層によってィンナーリ一ド部と金属箔とが上記基材を介在させた状態で相互に接合されていることを特徴とする多層リードフレーム。

17 補正された用紙 (条約第 19 8 . (補正後）上記インナーリード部と上記基材との問の接着剤層の厚みが、 8 0 ~ 1 5 0 であることを特徵とする請求の範囲第 6項または第 7項に記載の多雇リードフレーム。

9 . (補正後）上記各接着材料の接着剤層を構成する有機材料の主成分が、ポリカルポジイミドもしくはフッ素ゴムを主成分とする熱硬化性接着剤であることを特徵とする請求の範囲第 6項、第 7項または第 8項に記載の多層リードフレーム。

1 0 . (追加）上記基材が金属箔であることを特徴とする、請求の範囲第 6項、第 7項、第 8項または第 9項に記載の多層リードフレーム。

18 補正された用紙 (条約第 19 条約第 1 9条（ 1 ) に基づく説明害請求の範囲第 1項は、出願時の請求の範囲第 1項で特定された半導体装置に、出願時の請求の範囲第 2項の構成を付加して、本願発明の半導体装置をより特定し、引用例との差異を明確にしている。

請求の範囲第 3項は、出願時の明細書中の第 2実施例に則したものである。請求の範囲第 2項は請求の範囲第 1項におけるィンナーリ一ド部の構成を、また請求の範囲第 4項は請求の範囲第 3項におけるィンナーリ一ド部の構成をそれぞれ明確にしている。

請求の範囲第 5項乃至第 1 0項は、請求の範囲第 1項乃至第 4項において半導体装置を特定したことに伴い、出願時の請求の範囲第 4項乃至第 9項に従つて構成を付加したものである。