JPH0685114A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH0685114A JPH0685114A JP23374092A JP23374092A JPH0685114A JP H0685114 A JPH0685114 A JP H0685114A JP 23374092 A JP23374092 A JP 23374092A JP 23374092 A JP23374092 A JP 23374092A JP H0685114 A JPH0685114 A JP H0685114A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、樹脂におけるクラックの発生およ
び樹脂の膨れを防止し、超薄型のパッケ−ジを容易に形
成し、ピン数が多くても信頼性を高める。 【構成】４２％Ｎｉ・Ｆｅ製リ−ドフレ−ム1 はアイラ
ンド1aおよびリ−ド1bから構成され、前記アイランド1a
の上にマウント剤層2 を設け、このマウント剤層2 の上
に半導体チップ3 を設ける。この半導体チップ3 はボン
ディングワイヤ4によりリ−ド1bと電気的に接続され
る。この後、金属層5 の表面にアルマイト処理により酸
化層7 を設け、この金属層5 の裏面にはエポキシ樹脂6
を加熱コ−ティングする。次に、前記金属層5 、酸化層
7 およびエポキシ樹脂6 を半導体チップ3 、リ−ドフレ
−ム1 およびボンディングワイヤ4 に加熱圧着する。こ
れにより、半導体チップ3 が樹脂6 により封止される。
この後、温度が１６０℃で３時間の熱処理を行う。従っ
て、信頼性を向上させることができる。
び樹脂の膨れを防止し、超薄型のパッケ−ジを容易に形
成し、ピン数が多くても信頼性を高める。 【構成】４２％Ｎｉ・Ｆｅ製リ−ドフレ−ム1 はアイラ
ンド1aおよびリ−ド1bから構成され、前記アイランド1a
の上にマウント剤層2 を設け、このマウント剤層2 の上
に半導体チップ3 を設ける。この半導体チップ3 はボン
ディングワイヤ4によりリ−ド1bと電気的に接続され
る。この後、金属層5 の表面にアルマイト処理により酸
化層7 を設け、この金属層5 の裏面にはエポキシ樹脂6
を加熱コ−ティングする。次に、前記金属層5 、酸化層
7 およびエポキシ樹脂6 を半導体チップ3 、リ−ドフレ
−ム1 およびボンディングワイヤ4 に加熱圧着する。こ
れにより、半導体チップ3 が樹脂6 により封止される。
この後、温度が１６０℃で３時間の熱処理を行う。従っ
て、信頼性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、信頼性の高い樹脂封
止型半導体装置およびその製造方法に関する。
止型半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の樹脂封止に関する分
野においては、半導体素子の高集積度化に伴って素子上
の各種機能単位の微細化、素子自体の大型化が急速に進
んでいる。
野においては、半導体素子の高集積度化に伴って素子上
の各種機能単位の微細化、素子自体の大型化が急速に進
んでいる。
【０００３】ＡＳＩＣ（Application Specific IC ）と
言われるゲ−トアレイおよびスタンダ−ドセル方式のＬ
ＳＩに代表される表面実装型パッケ−ジ、すなわち従来
の樹脂封止型半導体装置を形成する方法としては、トラ
ンスファモ−ルド法が一般的である。このトランスファ
モ−ルド法について以下に説明する。
言われるゲ−トアレイおよびスタンダ−ドセル方式のＬ
ＳＩに代表される表面実装型パッケ−ジ、すなわち従来
の樹脂封止型半導体装置を形成する方法としては、トラ
ンスファモ−ルド法が一般的である。このトランスファ
モ−ルド法について以下に説明する。
【０００４】モ−ルド金型は上型および下型から構成さ
れており、この上型と下型との間にはリ−ドフレ−ムが
載置される。前記モ−ルド金型にはエポキシ樹脂が挿入
され、パッケ−ジが形成される。この後、このパッケ−
ジは前記モ−ルド金型から離型される。
れており、この上型と下型との間にはリ−ドフレ−ムが
載置される。前記モ−ルド金型にはエポキシ樹脂が挿入
され、パッケ−ジが形成される。この後、このパッケ−
ジは前記モ−ルド金型から離型される。
【０００５】上記の方法により形成された表面実装型パ
ッケ−ジを基板に実装する際には、ベ−パ−フェイズリ
フロ−、赤外線リフロ−および半田浸漬等の工程が行わ
れる。
ッケ−ジを基板に実装する際には、ベ−パ−フェイズリ
フロ−、赤外線リフロ−および半田浸漬等の工程が行わ
れる。
【０００６】ところで、前記モ−ルド金型にエポキシ樹
脂を注入する際、このエポキシ樹脂の流動によって巻き
込まれた空気によりパッケ−ジにボイドが発生すること
がある。これにより、樹脂封止型半導体装置の信頼性が
低下することがある。また、前記トランスファモ−ルド
法では、厚さが１ｍｍ程度より薄いパッケ−ジ、いわゆ
る超薄型のパッケ−ジを形成することが困難である。
脂を注入する際、このエポキシ樹脂の流動によって巻き
込まれた空気によりパッケ−ジにボイドが発生すること
がある。これにより、樹脂封止型半導体装置の信頼性が
低下することがある。また、前記トランスファモ−ルド
法では、厚さが１ｍｍ程度より薄いパッケ−ジ、いわゆ
る超薄型のパッケ−ジを形成することが困難である。
【０００７】また、前記トランスファモ−ルド法により
形成された従来の樹脂封止型半導体装置では、アウタ−
リ−ドがパッケ−ジから突出している。このため、ピン
数の多い樹脂封止型半導体装置の場合、ピンの変形およ
びピンのぐらつき等により他のピンと接触することがあ
る。この結果、樹脂封止型半導体装置の信頼性が低下す
る。
形成された従来の樹脂封止型半導体装置では、アウタ−
リ−ドがパッケ−ジから突出している。このため、ピン
数の多い樹脂封止型半導体装置の場合、ピンの変形およ
びピンのぐらつき等により他のピンと接触することがあ
る。この結果、樹脂封止型半導体装置の信頼性が低下す
る。
【０００８】また、前記ベ−パ−フェイズリフロ−等の
工程ではパッケ−ジが高温（２１５℃〜２６０℃）にさ
らされる。このため、エポキシ樹脂により封止された樹
脂封止型半導体装置では、前記エポキシ樹脂の内部に入
り込んだ水分が急激に気化される。これにより、前記エ
ポキシ樹脂およびアルミニウム配線層のパッシベ−ショ
ン膜として形成されているＰＳＧ（りんけい酸ガラ
ス）、ＳｉＮ（窒化けい素）にクラックが発生すること
がある。このクラックがエポキシ樹脂の表面に達する
と、耐湿信頼性を保障することができなくなる。
工程ではパッケ−ジが高温（２１５℃〜２６０℃）にさ
らされる。このため、エポキシ樹脂により封止された樹
脂封止型半導体装置では、前記エポキシ樹脂の内部に入
り込んだ水分が急激に気化される。これにより、前記エ
ポキシ樹脂およびアルミニウム配線層のパッシベ−ショ
ン膜として形成されているＰＳＧ（りんけい酸ガラ
ス）、ＳｉＮ（窒化けい素）にクラックが発生すること
がある。このクラックがエポキシ樹脂の表面に達する
と、耐湿信頼性を保障することができなくなる。
【０００９】前記クラックの形成を防止している樹脂封
止型半導体装置は、特開昭６０−２０８８４７号公報に
よって開示されている。この樹脂封止型半導体装置にお
いては、ダイパッドの下側に形成されているモ−ルド樹
脂に円柱状または多角形状の穴が設けられている。これ
により、ダイパッドの下側にモ−ルド樹脂の厚さが極度
に薄い部分、またはモ−ルド樹脂が形成されていない部
分を設けることができる。この穴から、パッケ−ジを実
装する際の加熱によりモ−ルド樹脂の内部に発生する水
蒸気を逃がすことができる。この結果、パッケ−ジにク
ラックが発生することを防止できるが、前記穴は耐湿信
頼性を低下させる原因となる。
止型半導体装置は、特開昭６０−２０８８４７号公報に
よって開示されている。この樹脂封止型半導体装置にお
いては、ダイパッドの下側に形成されているモ−ルド樹
脂に円柱状または多角形状の穴が設けられている。これ
により、ダイパッドの下側にモ−ルド樹脂の厚さが極度
に薄い部分、またはモ−ルド樹脂が形成されていない部
分を設けることができる。この穴から、パッケ−ジを実
装する際の加熱によりモ−ルド樹脂の内部に発生する水
蒸気を逃がすことができる。この結果、パッケ−ジにク
ラックが発生することを防止できるが、前記穴は耐湿信
頼性を低下させる原因となる。
【００１０】また、前記パッケ−ジが高温にさらされた
際、前記エポキシ樹脂の内部の水分が急激に気化される
と、樹脂の膨れが生じたり、Ａｕボンディングワイヤが
断線することがある。これにより、前記樹脂封止型半導
体装置を実装する際、不良が発生することがある。
際、前記エポキシ樹脂の内部の水分が急激に気化される
と、樹脂の膨れが生じたり、Ａｕボンディングワイヤが
断線することがある。これにより、前記樹脂封止型半導
体装置を実装する際、不良が発生することがある。
【００１１】上記の樹脂、パッシベ−ション膜における
クラックの発生、樹脂の膨れ、ボンディングワイヤの断
線等の問題点を解決するための対策としては、前記エポ
キシ樹脂における内部封入物に対する応力を小さくし、
エポキシ樹脂とＰＳＧ、ＳｉＮ、ポリイミド膜およびリ
−ドフレ−ムそれぞれとの密着性を上げること、パッケ
−ジの吸湿量を低減するとともに、実装温度に対応した
強度を付与することなどが考えられる。これらの観点か
ら、封止樹脂としては、例えばマレイミド樹脂系、ＰＰ
Ｓ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂系、ＰＰＯ（ポ
リヒドロキシフェニレンエ−テル）樹脂系、液晶ポリマ
−、マレイミド樹脂とエポキシ樹脂とを組合わせた樹
脂、ビスマレイミド樹脂と４，４−ジアミノジフェニル
メタンとを組合わせたアミノビスマレイミド樹脂等が提
案されている。
クラックの発生、樹脂の膨れ、ボンディングワイヤの断
線等の問題点を解決するための対策としては、前記エポ
キシ樹脂における内部封入物に対する応力を小さくし、
エポキシ樹脂とＰＳＧ、ＳｉＮ、ポリイミド膜およびリ
−ドフレ−ムそれぞれとの密着性を上げること、パッケ
−ジの吸湿量を低減するとともに、実装温度に対応した
強度を付与することなどが考えられる。これらの観点か
ら、封止樹脂としては、例えばマレイミド樹脂系、ＰＰ
Ｓ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂系、ＰＰＯ（ポ
リヒドロキシフェニレンエ−テル）樹脂系、液晶ポリマ
−、マレイミド樹脂とエポキシ樹脂とを組合わせた樹
脂、ビスマレイミド樹脂と４，４−ジアミノジフェニル
メタンとを組合わせたアミノビスマレイミド樹脂等が提
案されている。
【００１２】上記の樹脂を用いてトランスファモ−ルド
形成を行うと、リ−ドフレ−ム等に対する密着性は向上
する。しかし、樹脂を金型から離型させる際、密着性が
良いために型離れを阻害する問題が生ずる。
形成を行うと、リ−ドフレ−ム等に対する密着性は向上
する。しかし、樹脂を金型から離型させる際、密着性が
良いために型離れを阻害する問題が生ずる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
樹脂封止型半導体装置はトランスファモ−ルド法により
形成されている。このため、基板実装時及びその後の第
１の問題点は、樹脂におけるクラックの発生および樹脂
の膨れが生ずることである。第２の問題点は、厚さが１
ｍｍ程度の超薄型のパッケ−ジを形成することが難しい
ことである。第３の問題点は、ピン数の多い樹脂封止型
半導体装置については信頼性が低いことである。
樹脂封止型半導体装置はトランスファモ−ルド法により
形成されている。このため、基板実装時及びその後の第
１の問題点は、樹脂におけるクラックの発生および樹脂
の膨れが生ずることである。第２の問題点は、厚さが１
ｍｍ程度の超薄型のパッケ−ジを形成することが難しい
ことである。第３の問題点は、ピン数の多い樹脂封止型
半導体装置については信頼性が低いことである。
【００１４】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、樹脂におけるクラック
の発生および樹脂の膨れを防止でき、超薄型のパッケ−
ジを容易に形成することができ、ピン数が多くても信頼
性の高い樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提
供することにある。
されたものであり、その目的は、樹脂におけるクラック
の発生および樹脂の膨れを防止でき、超薄型のパッケ−
ジを容易に形成することができ、ピン数が多くても信頼
性の高い樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提
供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、半導体チップと、前記半導体チップと接
続されているリ−ドと、前記半導体チップに加熱圧着す
ることにより前記半導体チップが覆われ、且つ前記リ−
ドの底面が露出している樹脂と、前記樹脂の上に設けら
れた金属層と、前記金属層の上に設けられた絶縁層とを
具備することを特徴としている。
解決するため、半導体チップと、前記半導体チップと接
続されているリ−ドと、前記半導体チップに加熱圧着す
ることにより前記半導体チップが覆われ、且つ前記リ−
ドの底面が露出している樹脂と、前記樹脂の上に設けら
れた金属層と、前記金属層の上に設けられた絶縁層とを
具備することを特徴としている。
【００１６】また、金属層の表面に絶縁層を設ける工程
と、前記金属層の裏面に樹脂を設ける工程と、前記樹脂
を半導体チップに加熱圧着する工程とからなることを特
徴としている。また、前記加熱圧着は、真空中で行われ
ることを特徴としている。
と、前記金属層の裏面に樹脂を設ける工程と、前記樹脂
を半導体チップに加熱圧着する工程とからなることを特
徴としている。また、前記加熱圧着は、真空中で行われ
ることを特徴としている。
【００１７】
【作用】この発明は、半導体チップを封止している樹脂
の上に金属層を設けている。このため、前記樹脂に水分
が入り込むことを防止することができる。この結果、樹
脂封止型半導体装置を実装する際、樹脂の内部の水分が
急激に気化されることを防止することができる。また、
樹脂を半導体チップに加熱圧着することにより、樹脂封
止型半導体装置を形成している。このため、超薄型のパ
ッケ−ジにおいても、前記樹脂が半導体チップおよびリ
−ドフレ−ムの隅々まで均等にいきわたる。また、半導
体チップと接続されたリ−ドの底面を樹脂から露出させ
ている。これにより、リ−ドの底面以外は樹脂により覆
われているため、リ−ドの数の多い樹脂封止型半導体装
置においてもリ−ドの変形およびぐらつきを防止でき、
リ−ドが他のリ−ドと接触することもない。したがっ
て、樹脂封止型半導体装置の信頼性を向上させることが
できる。
の上に金属層を設けている。このため、前記樹脂に水分
が入り込むことを防止することができる。この結果、樹
脂封止型半導体装置を実装する際、樹脂の内部の水分が
急激に気化されることを防止することができる。また、
樹脂を半導体チップに加熱圧着することにより、樹脂封
止型半導体装置を形成している。このため、超薄型のパ
ッケ−ジにおいても、前記樹脂が半導体チップおよびリ
−ドフレ−ムの隅々まで均等にいきわたる。また、半導
体チップと接続されたリ−ドの底面を樹脂から露出させ
ている。これにより、リ−ドの底面以外は樹脂により覆
われているため、リ−ドの数の多い樹脂封止型半導体装
置においてもリ−ドの変形およびぐらつきを防止でき、
リ−ドが他のリ−ドと接触することもない。したがっ
て、樹脂封止型半導体装置の信頼性を向上させることが
できる。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。
り説明する。
【００１９】図１乃至図３は、この発明の第１の実施例
による樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図で
ある。先ず、図２に示すように、厚さが１５０μｍの４
２％Ｎｉ・Ｆｅ製リ−ドフレ−ム１は、２０．５ｍｍ角
のアイランド１ａおよびリ−ド１ｂから構成されてい
る。前記アイランド１ａの上にはマウント剤層２が設け
られ、このマウント剤層２の上には半導体チップ３が設
けられる。この半導体チップ３は直径が２５μｍのボン
ディングワイヤ４によりリ−ド１ｂと電気的に接続され
る。
による樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図で
ある。先ず、図２に示すように、厚さが１５０μｍの４
２％Ｎｉ・Ｆｅ製リ−ドフレ−ム１は、２０．５ｍｍ角
のアイランド１ａおよびリ−ド１ｂから構成されてい
る。前記アイランド１ａの上にはマウント剤層２が設け
られ、このマウント剤層２の上には半導体チップ３が設
けられる。この半導体チップ３は直径が２５μｍのボン
ディングワイヤ４によりリ−ド１ｂと電気的に接続され
る。
【００２０】この後、図３に示すように、アルミニウム
からなる金属層５の表面にはアルマイト処理により酸化
層７が設けられる。前記酸化層７および金属層５の厚さ
は、２００μｍ程度である。前記金属層５の裏面には図
４に示す物性を有しているエポキシ樹脂６が加熱コ−テ
ィングされる。尚、図４に示す素子（表面ポリイミド
膜）との密着性は、５＜ｋｇ／ｍｍ2 とされている。こ
れは、素子上に設けられたポリイミド膜に５ｋｇ／ｍｍ
2 の荷重をかけると、素子が破壊されてしまうため、５
ｋｇ／ｍｍ2 以上の荷重をかけた確認ができないことを
意味している。したがって、ポリイミド膜の密着性は５
ｋｇ／ｍｍ2 より大きい。
からなる金属層５の表面にはアルマイト処理により酸化
層７が設けられる。前記酸化層７および金属層５の厚さ
は、２００μｍ程度である。前記金属層５の裏面には図
４に示す物性を有しているエポキシ樹脂６が加熱コ−テ
ィングされる。尚、図４に示す素子（表面ポリイミド
膜）との密着性は、５＜ｋｇ／ｍｍ2 とされている。こ
れは、素子上に設けられたポリイミド膜に５ｋｇ／ｍｍ
2 の荷重をかけると、素子が破壊されてしまうため、５
ｋｇ／ｍｍ2 以上の荷重をかけた確認ができないことを
意味している。したがって、ポリイミド膜の密着性は５
ｋｇ／ｍｍ2 より大きい。
【００２１】次に、図３に示す金属層５、酸化層７およ
びエポキシ樹脂６は赤外線により加熱され、前記エポキ
シ樹脂６は軟化状態にされる。このエポキシ樹脂６は、
温度が１６０℃で圧力が５ｋｇ／ｃｍ2 の条件により図
２に示す半導体チップ３、リ−ドフレ−ム１およびボン
ディングワイヤ４に圧着される。これにより、図１に示
すように、半導体チップ３、リ−ドフレ−ム１およびボ
ンディングワイヤ４が樹脂６により封止される。この
際、リ−ド１ｂは、その底面が樹脂封止型半導体装置８
の底面において露出するように樹脂封止されている。こ
の後、前記半導体チップ３を封止しているエポキシ樹脂
６に充分な物性を付与するため、温度が１６０℃で３時
間の熱処理が行われる。
びエポキシ樹脂６は赤外線により加熱され、前記エポキ
シ樹脂６は軟化状態にされる。このエポキシ樹脂６は、
温度が１６０℃で圧力が５ｋｇ／ｃｍ2 の条件により図
２に示す半導体チップ３、リ−ドフレ−ム１およびボン
ディングワイヤ４に圧着される。これにより、図１に示
すように、半導体チップ３、リ−ドフレ−ム１およびボ
ンディングワイヤ４が樹脂６により封止される。この
際、リ−ド１ｂは、その底面が樹脂封止型半導体装置８
の底面において露出するように樹脂封止されている。こ
の後、前記半導体チップ３を封止しているエポキシ樹脂
６に充分な物性を付与するため、温度が１６０℃で３時
間の熱処理が行われる。
【００２２】図１は、上記のように形成された樹脂封止
型半導体装置を示す断面図である。アイランド１ａの上
にはマウント剤層２が設けられており、このマウント剤
層２の上には半導体チップ３が設けられている。この半
導体チップ３はボンディングワイヤ４によりリ−ド１ｂ
と電気的に接続されている。前記半導体チップ３、ボン
ディングワイヤ４およびリ−ドフレ−ム１はエポキシ樹
脂６により封止されている。このエポキシ樹脂６の上に
は金属層５が設けられており、この金属層５の上には絶
縁層７が設けられている。
型半導体装置を示す断面図である。アイランド１ａの上
にはマウント剤層２が設けられており、このマウント剤
層２の上には半導体チップ３が設けられている。この半
導体チップ３はボンディングワイヤ４によりリ−ド１ｂ
と電気的に接続されている。前記半導体チップ３、ボン
ディングワイヤ４およびリ−ドフレ−ム１はエポキシ樹
脂６により封止されている。このエポキシ樹脂６の上に
は金属層５が設けられており、この金属層５の上には絶
縁層７が設けられている。
【００２３】図５は、図１に示す樹脂封止型半導体装置
８を下側、すなわちリ−ドフレ−ム１が形成されている
側から視た平面図である。樹脂封止型半導体装置８は、
そのパッケ−ジサイズが３２ｍｍ×３２ｍｍ×１．０ｍ
ｍであり、そのピン数が１８４である。前記樹脂封止型
半導体装置８は、その底面においてエポキシ樹脂６から
リ−ド１ｂの一部、すなわち底面が露出している。この
露出している部分は外部の実装用端子、すなわちピンと
なっており、樹脂封止型半導体装置８を基板上に実装す
る際、前記ピンが基板上に設けられた配線と電気的に接
続される。尚、前記エポキシ樹脂６の厚さは前記パッケ
−ジの厚さに応じて適宜、設定することが可能である。
また、前記金属層５と前記半導体チップ３との熱膨張率
の差を小さくするため、シリカ等の充填剤をエポキシ樹
脂６に混入しても良い。
８を下側、すなわちリ−ドフレ−ム１が形成されている
側から視た平面図である。樹脂封止型半導体装置８は、
そのパッケ−ジサイズが３２ｍｍ×３２ｍｍ×１．０ｍ
ｍであり、そのピン数が１８４である。前記樹脂封止型
半導体装置８は、その底面においてエポキシ樹脂６から
リ−ド１ｂの一部、すなわち底面が露出している。この
露出している部分は外部の実装用端子、すなわちピンと
なっており、樹脂封止型半導体装置８を基板上に実装す
る際、前記ピンが基板上に設けられた配線と電気的に接
続される。尚、前記エポキシ樹脂６の厚さは前記パッケ
−ジの厚さに応じて適宜、設定することが可能である。
また、前記金属層５と前記半導体チップ３との熱膨張率
の差を小さくするため、シリカ等の充填剤をエポキシ樹
脂６に混入しても良い。
【００２４】また、前記金属層５の材料としては、薄型
に加工でき、且つ軽量であることが好ましく、例えば
鉄、ニッケル、銅、金、銀、アルミニウム、スズ、けい
素、ステンレス、鉛またはこれらの合金などを用いるこ
とが可能である。また、前記金属層５の厚さは、厚くと
も１０００μｍとすることが好ましい。また、前記酸化
層７は、有機絶縁膜であっても良い。また、前記酸化層
７は、充分な絶縁性を確保するため、その体積抵抗率が
１．０×１０15Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。ま
た、前記酸化層７の厚さは、厚くとも５μｍとすること
が好ましい。また、前記半導体チップ３の下面を保護す
るため、この下面に樹脂をコ−ティングしても良く、絶
縁フィルムを張り付けても良い。また、前記樹脂６には
接着性、耐水性、耐熱性に優れた材料を用いることが好
ましく、特にイオン性不純物の含有量の低い材料を用い
ることが好ましい。
に加工でき、且つ軽量であることが好ましく、例えば
鉄、ニッケル、銅、金、銀、アルミニウム、スズ、けい
素、ステンレス、鉛またはこれらの合金などを用いるこ
とが可能である。また、前記金属層５の厚さは、厚くと
も１０００μｍとすることが好ましい。また、前記酸化
層７は、有機絶縁膜であっても良い。また、前記酸化層
７は、充分な絶縁性を確保するため、その体積抵抗率が
１．０×１０15Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。ま
た、前記酸化層７の厚さは、厚くとも５μｍとすること
が好ましい。また、前記半導体チップ３の下面を保護す
るため、この下面に樹脂をコ−ティングしても良く、絶
縁フィルムを張り付けても良い。また、前記樹脂６には
接着性、耐水性、耐熱性に優れた材料を用いることが好
ましく、特にイオン性不純物の含有量の低い材料を用い
ることが好ましい。
【００２５】上記実施例によれば、金属層５の裏面にエ
ポキシ樹脂６を設け、このエポキシ樹脂６を半導体チッ
プ３に加熱圧着することにより樹脂封止している。この
ため、前記金属層５によりエポキシ樹脂６への水分の侵
入を抑えることができる。この結果、樹脂封止型半導体
装置８を基板に実装する際、パッケ−ジ内部の水分が急
激に気化されることがない。このため、樹脂６の外部に
まで達するクラック、パッシベ−ション膜としてのＰＳ
Ｇ、ＳＩＮにおけるクラックおよび樹脂の膨れそれぞれ
の発生、ボンディングワイヤの断線を防止することがで
きる。したがって、耐湿信頼性においても優れた樹脂封
止型半導体装置を形成することができる。
ポキシ樹脂６を設け、このエポキシ樹脂６を半導体チッ
プ３に加熱圧着することにより樹脂封止している。この
ため、前記金属層５によりエポキシ樹脂６への水分の侵
入を抑えることができる。この結果、樹脂封止型半導体
装置８を基板に実装する際、パッケ−ジ内部の水分が急
激に気化されることがない。このため、樹脂６の外部に
まで達するクラック、パッシベ−ション膜としてのＰＳ
Ｇ、ＳＩＮにおけるクラックおよび樹脂の膨れそれぞれ
の発生、ボンディングワイヤの断線を防止することがで
きる。したがって、耐湿信頼性においても優れた樹脂封
止型半導体装置を形成することができる。
【００２６】また、加熱圧着により樹脂封止しているこ
とから、従来の樹脂封止型半導体装置のように型離れの
良い樹脂を用いる必要がない。これにより、樹脂６と半
導体チップ３およびボンディングワイヤ４それぞれとの
密着性に優れた樹脂を用いることができる。したがっ
て、樹脂封止型半導体装置８の耐湿信頼性を向上させる
ことができる。
とから、従来の樹脂封止型半導体装置のように型離れの
良い樹脂を用いる必要がない。これにより、樹脂６と半
導体チップ３およびボンディングワイヤ４それぞれとの
密着性に優れた樹脂を用いることができる。したがっ
て、樹脂封止型半導体装置８の耐湿信頼性を向上させる
ことができる。
【００２７】また、金属層５の上に絶縁層７を設けてい
るため、樹脂封止型半導体装置８を基板に実装した際、
前記金属層５に他の樹脂封止型半導体装置のピンが接触
することによる誤動作を防止することができる。
るため、樹脂封止型半導体装置８を基板に実装した際、
前記金属層５に他の樹脂封止型半導体装置のピンが接触
することによる誤動作を防止することができる。
【００２８】また、リ−ド１ｂを、その底面が露出する
ように樹脂６により封止している。このため、リ−ド１
ｂの数、すなわちピンの数の多い樹脂封止型半導体装置
８においても、ピンは樹脂６により固定されているか
ら、ピンのぐらつき、ピンの変形およびピン同士の接触
等を防止することができる。この結果、樹脂封止型半導
体装置の信頼性を向上させることができる。
ように樹脂６により封止している。このため、リ−ド１
ｂの数、すなわちピンの数の多い樹脂封止型半導体装置
８においても、ピンは樹脂６により固定されているか
ら、ピンのぐらつき、ピンの変形およびピン同士の接触
等を防止することができる。この結果、樹脂封止型半導
体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２９】また、樹脂封止型半導体装置８を基板に実
装する際、樹脂６から露出しているリ−ド１ｂの底面を
前記基板上に設けられた配線と例えば半田によって接続
する。このため、容易に樹脂封止型半導体装置８を実装
することができる。
装する際、樹脂６から露出しているリ−ド１ｂの底面を
前記基板上に設けられた配線と例えば半田によって接続
する。このため、容易に樹脂封止型半導体装置８を実装
することができる。
【００３０】また、エポキシ樹脂６を半導体チップ３に
加熱圧着することにより樹脂封止しているため、従来の
トランスファモ−ルド成形法より短いパッケ−ジ成形時
間で容易に樹脂封止型半導体装置を製造することができ
る。これとともに、樹脂封止する際、樹脂６の内に空気
が巻き込まれることがなく、パッケ−ジにボイドが発生
することがない。
加熱圧着することにより樹脂封止しているため、従来の
トランスファモ−ルド成形法より短いパッケ−ジ成形時
間で容易に樹脂封止型半導体装置を製造することができ
る。これとともに、樹脂封止する際、樹脂６の内に空気
が巻き込まれることがなく、パッケ−ジにボイドが発生
することがない。
【００３１】また、加熱圧着により樹脂封止する方法で
は、厚さが１ｍｍ程度より薄いパッケ−ジ、いわゆる超
薄型のパッケ−ジにおいても、樹脂６が半導体チップ３
およびリ−ドフレ−ム１それぞれの隅々まで均一にいき
わたる。このため、超薄型のパッケ−ジを容易に形成す
ることができる。また、エポキシ樹脂６の上に金属層５
を設けているため、放熱性に優れている。
は、厚さが１ｍｍ程度より薄いパッケ−ジ、いわゆる超
薄型のパッケ−ジにおいても、樹脂６が半導体チップ３
およびリ−ドフレ−ム１それぞれの隅々まで均一にいき
わたる。このため、超薄型のパッケ−ジを容易に形成す
ることができる。また、エポキシ樹脂６の上に金属層５
を設けているため、放熱性に優れている。
【００３２】尚、上記第１の実施例では、半導体チップ
３を封止する樹脂としてはエポキシ樹脂を用いている
が、フェノ−ル系樹脂、マレイミド系樹脂、シリコン系
樹脂、熱可塑性樹脂またはエンジニアリングプラスチッ
クを用いることも可能である。
３を封止する樹脂としてはエポキシ樹脂を用いている
が、フェノ−ル系樹脂、マレイミド系樹脂、シリコン系
樹脂、熱可塑性樹脂またはエンジニアリングプラスチッ
クを用いることも可能である。
【００３３】また、前記封止する樹脂としては、半導体
チップ、リ−ドフレ−ムおよびボンディングワイヤそれ
ぞれとの密着性に優れており、イオン性不純物は極力、
含まれてなく、樹脂自体の吸湿量の少いものが好まし
い。
チップ、リ−ドフレ−ムおよびボンディングワイヤそれ
ぞれとの密着性に優れており、イオン性不純物は極力、
含まれてなく、樹脂自体の吸湿量の少いものが好まし
い。
【００３４】また、金属層５の裏面にエポキシ樹脂６を
加熱コ−ティングしているが、金属層５の裏面に樹脂を
粉体塗装することも可能であり、金属層５の裏面に樹脂
の圧縮成形体を熱融着することも可能である。
加熱コ−ティングしているが、金属層５の裏面に樹脂を
粉体塗装することも可能であり、金属層５の裏面に樹脂
の圧縮成形体を熱融着することも可能である。
【００３５】また、リ−ドフレ−ム１のアイランド１ａ
の下面にエポキシ樹脂６を被覆しているが、リ−ドフレ
−ム１のアイランド１ａの下面をエポキシ樹脂６から露
出させることも可能である。
の下面にエポキシ樹脂６を被覆しているが、リ−ドフレ
−ム１のアイランド１ａの下面をエポキシ樹脂６から露
出させることも可能である。
【００３６】図１乃至図５は、この発明の第２の実施例
による樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すものであ
り、第１の実施例と同一部分には同一符号を付し、異な
る部分についてのみ説明する。
による樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すものであ
り、第１の実施例と同一部分には同一符号を付し、異な
る部分についてのみ説明する。
【００３７】図３に示すように、アルミニウムからなる
厚さが２００μｍの金属層５の表面上にはポリイミド樹
脂からなる厚さが２μｍの絶縁層１０が加熱コ−ティン
グされる。上記第２の実施例においても第１の実施例と
同様の効果を得ることができる。
厚さが２００μｍの金属層５の表面上にはポリイミド樹
脂からなる厚さが２μｍの絶縁層１０が加熱コ−ティン
グされる。上記第２の実施例においても第１の実施例と
同様の効果を得ることができる。
【００３８】図１乃至図５は、この発明の第３の実施例
による樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すものであ
り、第１の実施例と同一部分には同一符号を付し、異な
る部分についてのみ説明する。
による樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すものであ
り、第１の実施例と同一部分には同一符号を付し、異な
る部分についてのみ説明する。
【００３９】図５に示すように、樹脂封止型半導体装置
８のパッケ−ジサイズは、エポキシ樹脂６の厚さを第１
の実施例のそれより薄くすることにより、３２ｍｍ×３
２ｍｍ×０．７ｍｍとされる。上記第３の実施例におい
ても第１の実施例と同様の効果を得ることができる。
８のパッケ−ジサイズは、エポキシ樹脂６の厚さを第１
の実施例のそれより薄くすることにより、３２ｍｍ×３
２ｍｍ×０．７ｍｍとされる。上記第３の実施例におい
ても第１の実施例と同様の効果を得ることができる。
【００４０】図１乃至図５は、この発明の第４の実施例
による樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すものであ
り、第１の実施例と同一部分には同一符号を付し、異な
る部分についてのみ説明する。
による樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すものであ
り、第１の実施例と同一部分には同一符号を付し、異な
る部分についてのみ説明する。
【００４１】図３に示す金属層５、酸化層７およびエポ
キシ樹脂６は、真空中において温度が１６０℃で圧力が
５ｋｇ／ｃｍ2 の条件により図２に示す半導体チップ
３、リ−ドフレ−ム１およびボンディングワイヤ４に加
熱圧着される。上記第４の実施例においても第１の実施
例と同様の効果を得ることができる。
キシ樹脂６は、真空中において温度が１６０℃で圧力が
５ｋｇ／ｃｍ2 の条件により図２に示す半導体チップ
３、リ−ドフレ−ム１およびボンディングワイヤ４に加
熱圧着される。上記第４の実施例においても第１の実施
例と同様の効果を得ることができる。
【００４２】図１乃至図５は、この発明の第５の実施例
による樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すものであ
り、第１の実施例と同一部分には同一符号を付し、異な
る部分についてのみ説明する。図３に示すように、ステ
ンレスプレ−トからなる厚さが１５０μｍの金属層１１
の表面上にはエポキシ樹脂からなる絶縁層１２が加熱コ
−ティングされる。上記第５の実施例においても第１の
実施例と同様の効果を得ることができる。
による樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すものであ
り、第１の実施例と同一部分には同一符号を付し、異な
る部分についてのみ説明する。図３に示すように、ステ
ンレスプレ−トからなる厚さが１５０μｍの金属層１１
の表面上にはエポキシ樹脂からなる絶縁層１２が加熱コ
−ティングされる。上記第５の実施例においても第１の
実施例と同様の効果を得ることができる。
【００４３】図６乃至図８は、この発明の第６の実施例
による樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すものであ
る。サイズが１５ｍｍ角の半導体チップ２１はバンプ２
２により導電性ポリイミドフィルム２３と電気的に接続
される。
による樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すものであ
る。サイズが１５ｍｍ角の半導体チップ２１はバンプ２
２により導電性ポリイミドフィルム２３と電気的に接続
される。
【００４４】次に、図７に示すように、アルミプレ−ト
からなる厚さが１５０μｍの金属層２４の表面にはアル
マイト処理により酸化層２５が設けられる。前記金属層
２４の裏面には図４に示す物性を有しているエポキシ樹
脂２６が加熱コ−ティングされる。
からなる厚さが１５０μｍの金属層２４の表面にはアル
マイト処理により酸化層２５が設けられる。前記金属層
２４の裏面には図４に示す物性を有しているエポキシ樹
脂２６が加熱コ−ティングされる。
【００４５】この後、図７に示す金属層２４、酸化層２
５およびエポキシ樹脂２６は、真空雰囲気において温度
が１６０℃で圧力が５ｋｇ／ｃｍ2 の条件により図６に
示す半導体チップ２１および導電性ポリイミドフィルム
２３に加熱圧着される。これにより、図８に示すよう
に、半導体チップ２１および導電性ポリイミドフィルム
２３が樹脂２６により封止される。この際、導電性ポリ
イミドフィルム２３は、その一部が露出するように樹脂
封止されている。この後、前記半導体チップ２１を封止
しているエポキシ樹脂２６に充分な物性を付与するた
め、温度が１６０℃で３時間の熱処理が行われる。
５およびエポキシ樹脂２６は、真空雰囲気において温度
が１６０℃で圧力が５ｋｇ／ｃｍ2 の条件により図６に
示す半導体チップ２１および導電性ポリイミドフィルム
２３に加熱圧着される。これにより、図８に示すよう
に、半導体チップ２１および導電性ポリイミドフィルム
２３が樹脂２６により封止される。この際、導電性ポリ
イミドフィルム２３は、その一部が露出するように樹脂
封止されている。この後、前記半導体チップ２１を封止
しているエポキシ樹脂２６に充分な物性を付与するた
め、温度が１６０℃で３時間の熱処理が行われる。
【００４６】図９は、図８に示す樹脂封止型半導体装置
２７を下側から視た平面図である。樹脂封止型半導体装
置２７は、そのパッケ−ジサイズが３２ｍｍ×３２ｍｍ
×０．５ｍｍであり、そのピン数が１８４である。前記
樹脂封止型半導体装置２７は、エポキシ樹脂２６から導
電性ポリイミドフィルムの一部２３ｂが露出している。
上記第６の実施例においても第１の実施例と同様の効果
を得ることができる。上記第１乃至第６の実施例と比較
するための第１の従来例について以下に説明する。
２７を下側から視た平面図である。樹脂封止型半導体装
置２７は、そのパッケ−ジサイズが３２ｍｍ×３２ｍｍ
×０．５ｍｍであり、そのピン数が１８４である。前記
樹脂封止型半導体装置２７は、エポキシ樹脂２６から導
電性ポリイミドフィルムの一部２３ｂが露出している。
上記第６の実施例においても第１の実施例と同様の効果
を得ることができる。上記第１乃至第６の実施例と比較
するための第１の従来例について以下に説明する。
【００４７】半導体チップは、トランスファモ−ルド成
形法によって内部離型剤であるカルナバワックスが０．
４重量％添加されたエポキシ樹脂により封止される。こ
の際のモ−ルド金型の温度は１７０℃とされている。こ
のように形成された樹脂封止型半導体装置は、そのパッ
ケ−ジサイズが３２ｍｍ×３２ｍｍ×３．６ｍｍであ
り、そのピン数が１８４である。上記第１乃至第６の実
施例と比較するための第２の従来例について、上記第１
の従来例と異なる部分についてのみ以下に説明する。樹
脂封止型半導体装置のパッケ−ジサイズは３２ｍｍ×３
２ｍｍ×２．０ｍｍとされている。上記第１乃至第６の
実施例と比較するための第３の従来例について、上記第
１の従来例と異なる部分についてのみ以下に説明する。
樹脂封止型半導体装置のパッケ−ジサイズは３２ｍｍ×
３２ｍｍ×１．０ｍｍとされている。
形法によって内部離型剤であるカルナバワックスが０．
４重量％添加されたエポキシ樹脂により封止される。こ
の際のモ−ルド金型の温度は１７０℃とされている。こ
のように形成された樹脂封止型半導体装置は、そのパッ
ケ−ジサイズが３２ｍｍ×３２ｍｍ×３．６ｍｍであ
り、そのピン数が１８４である。上記第１乃至第６の実
施例と比較するための第２の従来例について、上記第１
の従来例と異なる部分についてのみ以下に説明する。樹
脂封止型半導体装置のパッケ−ジサイズは３２ｍｍ×３
２ｍｍ×２．０ｍｍとされている。上記第１乃至第６の
実施例と比較するための第３の従来例について、上記第
１の従来例と異なる部分についてのみ以下に説明する。
樹脂封止型半導体装置のパッケ−ジサイズは３２ｍｍ×
３２ｍｍ×１．０ｍｍとされている。
【００４８】図１０は、上記第１乃至第６の実施例およ
び上記第１乃至第３の従来例それぞれの検査結果を示す
ものである。具体的には、樹脂封止型半導体装置のパッ
ケ−ジ形成時間、温度が８５℃、相対湿度が８５％で１
６８時間吸湿処理された樹脂の吸水率、樹脂とパッシベ
−ション膜であるポリイミド膜との密着性および樹脂と
４２％Ｎｉ・Ｆｅ製リ−ドフレ−ムとの密着性それぞれ
の検査結果を示している。また、前記樹脂封止型半導体
装置は、温度が８５℃、相対湿度が８５％で１６８時間
吸湿処理された後、温度が２１５℃でＶＰＳ処理され
る。この直後に外部にまで達するクラックが発生してい
る不良品の数が示されている。また、前記樹脂封止型半
導体装置を温度が１２１℃で２気圧のプレッシャ−クッ
カ−内に保持し、４０時間、６０時間、１２０時間、２
４０時間、４８０時間および９６０時間それぞれの経過
とともに発生する不良品の数が示されている。尚、第１
乃至第６の実施例によるポリイミド膜との密着性の値
は、５＜ｋｇ／ｍｍ2 とされている。これは、図４に示
す５＜ｋｇ／ｍｍ2 と同様のことを意味している。
び上記第１乃至第３の従来例それぞれの検査結果を示す
ものである。具体的には、樹脂封止型半導体装置のパッ
ケ−ジ形成時間、温度が８５℃、相対湿度が８５％で１
６８時間吸湿処理された樹脂の吸水率、樹脂とパッシベ
−ション膜であるポリイミド膜との密着性および樹脂と
４２％Ｎｉ・Ｆｅ製リ−ドフレ−ムとの密着性それぞれ
の検査結果を示している。また、前記樹脂封止型半導体
装置は、温度が８５℃、相対湿度が８５％で１６８時間
吸湿処理された後、温度が２１５℃でＶＰＳ処理され
る。この直後に外部にまで達するクラックが発生してい
る不良品の数が示されている。また、前記樹脂封止型半
導体装置を温度が１２１℃で２気圧のプレッシャ−クッ
カ−内に保持し、４０時間、６０時間、１２０時間、２
４０時間、４８０時間および９６０時間それぞれの経過
とともに発生する不良品の数が示されている。尚、第１
乃至第６の実施例によるポリイミド膜との密着性の値
は、５＜ｋｇ／ｍｍ2 とされている。これは、図４に示
す５＜ｋｇ／ｍｍ2 と同様のことを意味している。
【００４９】この図から、第１乃至第６の実施例による
樹脂封止型半導体装置は、金属層により水分の侵入が抑
えられているため、第１乃至第３の従来例によるそれと
比べて樹脂の吸水率が低いことがわかる。
樹脂封止型半導体装置は、金属層により水分の侵入が抑
えられているため、第１乃至第３の従来例によるそれと
比べて樹脂の吸水率が低いことがわかる。
【００５０】また、第１乃至第６の実施例による樹脂封
止型半導体装置は、型離れの良い樹脂を用いる必要がな
いため、その樹脂と半導体チップおよびボンディングワ
イヤそれぞれとの密着性が第１乃至第３の従来例による
それと比べて優れている。この結果、ＶＰＳ処理の際、
パッケ−ジ内部の水分が急激に気化されることがなく、
樹脂の外部にまで達するクラックの発生を防止してお
り、耐湿信頼性においても優れていることが確認でき
る。また、第１乃至第６の実施例による樹脂封止型半導
体装置のパッケ−ジ成形時間は、第１乃至第３の従来例
によるそれより短いことがわかる。
止型半導体装置は、型離れの良い樹脂を用いる必要がな
いため、その樹脂と半導体チップおよびボンディングワ
イヤそれぞれとの密着性が第１乃至第３の従来例による
それと比べて優れている。この結果、ＶＰＳ処理の際、
パッケ−ジ内部の水分が急激に気化されることがなく、
樹脂の外部にまで達するクラックの発生を防止してお
り、耐湿信頼性においても優れていることが確認でき
る。また、第１乃至第６の実施例による樹脂封止型半導
体装置のパッケ−ジ成形時間は、第１乃至第３の従来例
によるそれより短いことがわかる。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
金属層の表面に絶縁層を設け、前記金属層の裏面に樹脂
を設け、この樹脂を半導体チップに加熱圧着している。
したがって、樹脂におけるクラックの発生および樹脂の
膨れを防止でき、超薄型のパッケ−ジを容易に形成する
ことができ、ピン数が多くても信頼性を高めることがで
きる。
金属層の表面に絶縁層を設け、前記金属層の裏面に樹脂
を設け、この樹脂を半導体チップに加熱圧着している。
したがって、樹脂におけるクラックの発生および樹脂の
膨れを防止でき、超薄型のパッケ−ジを容易に形成する
ことができ、ピン数が多くても信頼性を高めることがで
きる。
【図１】この発明の第１乃至第５の実施例による樹脂封
止型半導体装置の製造方法を示すものであり、半導体チ
ップをエポキシ樹脂により封止する工程を示す断面図。
止型半導体装置の製造方法を示すものであり、半導体チ
ップをエポキシ樹脂により封止する工程を示す断面図。
【図２】この発明の第１乃至第５の実施例による樹脂封
止型半導体装置の製造方法を示すものであり、リ−ドフ
レ−ムの上に半導体チップを設ける工程を示す断面図。
止型半導体装置の製造方法を示すものであり、リ−ドフ
レ−ムの上に半導体チップを設ける工程を示す断面図。
【図３】この発明の第１乃至第５の実施例による樹脂封
止型半導体装置の製造方法を示すものであり、金属層の
表面に酸化層を設け、金属層の裏面にエポキシ樹脂を設
ける工程を示す断面図。
止型半導体装置の製造方法を示すものであり、金属層の
表面に酸化層を設け、金属層の裏面にエポキシ樹脂を設
ける工程を示す断面図。
【図４】この発明の第１乃至第６の実施例による樹脂封
止型半導体装置におけるエポキシ樹脂の物性を示す図。
止型半導体装置におけるエポキシ樹脂の物性を示す図。
【図５】この発明の第１乃至第５の実施例の図１に示す
樹脂封止型半導体装置を下側、すなわちリ−ドフレ−ム
が形成されている側から視た平面図。
樹脂封止型半導体装置を下側、すなわちリ−ドフレ−ム
が形成されている側から視た平面図。
【図６】この発明の第６の実施例による樹脂封止型半導
体装置の製造方法を示すものであり、半導体チップをバ
ンプにより導電性ポリイミドフィルムと接続する工程を
示す断面図。
体装置の製造方法を示すものであり、半導体チップをバ
ンプにより導電性ポリイミドフィルムと接続する工程を
示す断面図。
【図７】この発明の第６の実施例による樹脂封止型半導
体装置の製造方法を示すものであり、金属層の表面に酸
化層を設け、金属層の裏面にエポキシ樹脂を設ける工程
を示す断面図。
体装置の製造方法を示すものであり、金属層の表面に酸
化層を設け、金属層の裏面にエポキシ樹脂を設ける工程
を示す断面図。
【図８】この発明の第６の実施例による樹脂封止型半導
体装置の製造方法を示すものであり、半導体チップをエ
ポキシ樹脂により封止する工程を示す断面図。
体装置の製造方法を示すものであり、半導体チップをエ
ポキシ樹脂により封止する工程を示す断面図。
【図９】この発明の第６の実施例の図８に示す樹脂封止
型半導体装置を下側から視た平面図。
型半導体装置を下側から視た平面図。
【図１０】第１乃至第６の実施例および第１乃至第３の
従来例それぞれの検査結果を示す図。
従来例それぞれの検査結果を示す図。
1 …４２％Ｎｉ・Ｆｅ製リ−ドフレ−ム、1a…アイラン
ド、1b…リ−ド、2 …マウント剤層、3 …半導体チッ
プ、4 …ボンディングワイヤ、5 …金属層、6 …エポキ
シ樹脂、7 …酸化層、8 …樹脂封止型半導体装置、10…
ポリイミド樹脂からなる絶縁層、12…エポキシ樹脂から
なる絶縁層、21…半導体チップ、22…バンプ、23…導電
性ポリイミドフィルム、23b …導電性ポリイミドフィル
ムの一部、24…金属層、25…酸化層、26…エポキシ樹
脂、27…樹脂封止型半導体装置
ド、1b…リ−ド、2 …マウント剤層、3 …半導体チッ
プ、4 …ボンディングワイヤ、5 …金属層、6 …エポキ
シ樹脂、7 …酸化層、8 …樹脂封止型半導体装置、10…
ポリイミド樹脂からなる絶縁層、12…エポキシ樹脂から
なる絶縁層、21…半導体チップ、22…バンプ、23…導電
性ポリイミドフィルム、23b …導電性ポリイミドフィル
ムの一部、24…金属層、25…酸化層、26…エポキシ樹
脂、27…樹脂封止型半導体装置
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップと、 前記半導体チップと接続されているリ−ドと、 前記半導体チップに加熱圧着することにより前記半導体
チップが覆われ、且つ前記リ−ドの底面が露出している
樹脂と、 前記樹脂の上に設けられた金属層と、 前記金属層の上に設けられた絶縁層と、 を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 金属層の表面に絶縁層を設ける工程と、 前記金属層の裏面に樹脂を設ける工程と、 前記樹脂を半導体チップに加熱圧着する工程と、 からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
方法。 - 【請求項３】 前記加熱圧着は、真空中で行われること
を特徴とする請求項１または２記載の樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23374092A JPH0685114A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23374092A JPH0685114A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685114A true JPH0685114A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16959837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23374092A Pending JPH0685114A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685114A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0881677A1 (en) * | 1996-02-15 | 1998-12-02 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor device and multilayered lead frame used for the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5543871A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-27 | Casio Comput Co Ltd | Packaging of semiconductor device |
| JPH0399456A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-24 | Motorola Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH03265162A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP23374092A patent/JPH0685114A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5543871A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-27 | Casio Comput Co Ltd | Packaging of semiconductor device |
| JPH0399456A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-24 | Motorola Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH03265162A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0881677A1 (en) * | 1996-02-15 | 1998-12-02 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor device and multilayered lead frame used for the same |
| EP0881677A4 (en) * | 1996-02-15 | 2001-01-31 | Nitto Denko Corp | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND MULTILAYERED LADDER FRAME THEREFOR |
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