WO1996008829A1 - Tete thermique et sa fabrication - Google Patents

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Ryuichi Uzuka
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Kabushiki Kaisha Toshiba
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Definitions

  • the present invention relates to a thermal head used for a thermal recording device such as a plate making machine, a facsimile machine, and a video printer, and a method of manufacturing the same.
  • Thermal heads are widely used in various recording devices such as facsimile machines and printers for word processors, taking advantage of low noise, easy maintenance, and low running costs.
  • High-resolution thermal heads of about 400 dpi (dots per inch) or more are used for stencil printing.
  • thermal head in the latter facsimile and word processing printers, there is a strong demand for finer heating resistance * and higher input energy density in order to improve resolution. Therefore, it is necessary to have a thermal head with a structure that can cope with this need.
  • a thermal head with a high resistance value of the heating resistor is required.
  • Cermet is widely used as a material for the heating resistor.
  • T a -S i-0 and N b-S i-10 are known. These materials are formed as a sputtering ⁇ example with T a and S i 0 0 targets that powder was prepared by mixing sintered ⁇ of. This ⁇ , the control of such S i 0 2 quantity and spatter pressure in the target, it is possible to form a specific resistance film of several 10 m Omega from several m Omega.
  • there is a method of devising the shape of the resistor in order to obtain a heating resistor having a high resistance value, there is a method of devising the shape of the resistor.
  • the T a -S i litter has the characteristics of being affected as a heating element, but is susceptible to puberty conditions. Therefore, if the resistivity is small, the thickness must be reduced, which also has a bearing on the life characteristics. When the specific resistance is large, the thickness is increased, and the film formation time is prolonged. Another problem is that the number of substrates that can be achieved per target is reduced. For these reasons, the specific resistance range is usually controlled and manufactured to about 10 to 20 ⁇ ⁇ cm.
  • the miniaturization of the heating resistor in the thermal head and the resulting increase in the input energy density will lead to an increase in the peak temperature in the center of the heating resistor. That is, as the temperature rises, the resistance value of the heating resistor generally decreases, so that the input energy density further increases, the heating resistor further warms, and the resistance value further decreases. This leads to the destruction of the resistor. Even if it does not lead to destruction, the decrease in resistance is not always uniform within the head and at the head M.
  • the cause of the non-uniform decrease in the resistance value is the insufficient thermal stabilization of the heating resistor, in other words, the insufficient relaxation of the structure of the heating resistor.
  • thermal stabilization 1) a method of manufacturing and passing through heat, 2) a method of performing heat treatment during or after formation of the heating resistor, and 3) applying an S energy beam to the heating resistor Irradiation methods, 4) Induction heating of the heat generating resistor, etc. are also being studied.
  • Measures 1) for thermal stabilization of the heating resistor are limited to the thermal stabilization level due to the problem of the IC rating and the reaction between the heating resistor and the electrode film or protection layer. For example, thermal heads for facsimile use are sufficient, but not enough for plate making machines. Thermal stabilization 3) has problems in terms of cost and productivity, and 4) is still in the experimental stage.
  • heat treatment can be performed without a protective film or electrode film as well as IC, so the heat treatment temperature can be set in a relatively wide range as compared with 1). This is an excellent means overall, and has been partially used in thermal heads for plate making machines.
  • the heat treatment temperature has been determined mainly using the resistance temperature of the heating element when driving the thermal head.
  • the heating element resistor temperature is, for example, a maximum of 800 in the case of a high-definition thermal head, and the heat treatment temperature is a temperature higher than the heating element resistance temperature when driving these thermal heads. Heat treatment was performed.
  • the increase in the heating resistor of the thermal head and the increase in the input energy density resulting from this increase in the peak temperature at the center of the heating resistor When the structure of the heating resistor is sufficiently hydrated, diffusion of the glaze component represented by »into the heating resistor is promoted, and the resistance of the heating resistor gradually increases. And eventually become useless.
  • the driving is performed under the condition that the heat generation temperature is high, the resistance value of the heat generation resistor increases rapidly, and the heat generation part of the heat generation resistor may peel off from the glaze layer due to the heat stress due to the print pulse. .
  • the mechanical destruction mode becomes apparent in addition to the chemical deterioration of the heating resistor.
  • the glass transition point 800 is a technical upper limit for maintaining the smoothness of the glaze, which is insufficient for the above requirement.
  • simply increasing the wear thickness results in lower resistance.
  • the specific resistance of the heating resistor layer is increased, it is difficult to control the resistance and to manufacture a sputter target, and if the shape of the heating resistor layer is changed, it is difficult to pattern accurately. become.
  • each method has its own problem, and it cannot be a practical measure against the problem of diffusion and intrusion of glaze components into the heating resistor.
  • no specific countermeasures have been taken for the problem that the heat generating portion of the heat generating resistor is separated from the glaze layer. Disclosure of the invention
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a first object of the present invention is to provide a thermal head having good life characteristics.
  • the resistor for thermal head of the present invention is a resistor comprising Si, 0 and the balance substantially made of metal, wherein the unpaired electron density of the resistor is 1 ⁇ 10 19 or less Zcm 3. It is special.
  • the resistor is in one balance comprises S i and 0 is selected from the T a and N b, and that the unpaired electron density is not more than 1 X 10 18 cells Roh ca u as Tokubi I have.
  • the first thermal head of the present invention is connected to a supporting substrate, a heating resistor formed on the supporting substrate, and i and 0 and the remainder made of a poor metal, and connected to the heating resistor. Wherein the heating resistor has an unpaired electron density of 1 ⁇ 10 19 Zen 3 or less.
  • the heat generating resistor is one kind selected from Ta and Nb while Si and 0 are included, and the unpaired electron density is 1 ⁇ 10 18 It is characterized by being no more than 3 cm3.
  • the first thermal head of the present invention may have the following configuration. That is, a supporting base, a glaze layer formed on the supporting base, a heating resistor formed on the glaze and formed of Si, 0 and the remainder practically a metal; A thermal head comprising an electrode connected to the heat generating resistor, wherein the heat generating resistor has an unpaired electron density of 1 ⁇ 10 19 ⁇ 3 or less. It is Maru Head.
  • a second thermal head includes a supporting substrate, a glaze layer formed on the supporting substrate, a heating resistor formed on the glaze, and a heating resistor connected to the heating resistor.
  • a thermal head comprising an electrode, wherein the supporting substrate having the glaze and the heat generating resistor is heat-treated at a temperature equal to or higher than the glass transition point of the glaze and equal to or lower than the melting point.
  • the second thermal head includes a support base, a glaze formed on the support base, a heating resistor formed on the glaze layer, and an S contacting the heating resistor.
  • the supporting base having the glaze layer and the heating resistor may be formed of the glaze The heat treatment is performed at a temperature above the glass transition point and below the softening point.
  • the second thermal head is characterized in that the supporting base having the glaze layer and the heating resistor is heat-treated at a temperature not lower than the sagging point of the glaze layer and not higher than the flash point.
  • a third thermal head includes a supporting base, a glaze layer formed on the supporting base, a heating resistor formed on the glaze, and a heating resistor connected to the heating resistor.
  • a thermal head including electrodes, wherein a reaction layer of the glaze layer and the heating resistor is formed between the glaze and the heating resistor.
  • the third thermal head is characterized in that the heating resistor is made of a cermet material whose main component is Ta, Si, 0 or Ta, Si, 0.C. .
  • the oxygen content in the heating resistor is 40 to 70 atomic%
  • the oxygen content in the pre-glaze layer is 50 to 80 atomic%
  • the oxygen content is reduced by the rapid change from the surface in contact with the glaze to the surface in contact with the heating resistor.
  • the third thermal head is characterized in that the thickness of the reaction layer is in the range of 1/3 to 1/30 of the layer thickness of the exothermic antibody.
  • the method for manufacturing a thermal head according to the present invention includes the steps of: Forming a heating resistor on the glaze layer, and heat-treating the glaze and the supporting substrate on which the heating resistor is formed at a temperature between the glass transition point and the melting point of the glaze. It has a special feature.
  • the heat treatment step is characterized in that the heat treatment is performed at a temperature from the yield point to the blowing point of the glaze layer.
  • the resistor of the present invention and the first thermal head are made of a material of the heating resistor constituting the thermal head, wherein Si, 0 and the balance are actually made of metal, and their unpaired electrons are formed. it is characterized in that the density is less than 1 X 10 19 atoms Bruno cm 3.
  • the unpaired electron density is defined as the spin density in the resistive film measured by the electron spin resonance method.
  • the present inventor has found that the spin density in the resistive film measured by the electron spin resonance method has a strong relationship with the stability of the resistance value, and that if the spin density is within a certain range, a stable reproduction of the resistance value is achieved. Was found to have excellent properties.
  • the heating resistor constituting the thermal head is composed of Si and 0 and the balance is actually made of metal, when the unpaired electron density exceeds 1 ⁇ 10 19 cm 3 , the resistance value increases. As a result, it was confirmed that the resistance value fluctuated during the manufacturing process became unstable, the yield decreased, and the life characteristics of the product deteriorated. Further, when the metal constituting the remainder other than Si and 0 is Ta or Nb, if the heating resistance is 1 ⁇ 10 18 or less, Zcn 3 or less, a heating resistor with a stable resistance value is obtained. Was confirmed.
  • the spin density in the resistive film measured by the electron spin resonance method is considered to reflect the defect density in the scale, typically the dangling bond density.
  • an electron spin resonance spectrum is observed if unpaired electrons are present in the sample.
  • unpaired electrons are typically considered to be caused by conduction electrons, donors, and even acceptors, unpaired electrons may appear, but defects in the sample (specifically, vacancies: The atom is not in its intended position). For this reason, the change in resistance during device driving is divided into two modes, both of which are resistive films. It is presumed that the inner vacancy is involved.
  • the first is when the resistance rises, which is caused by the glaze component, typically 0 (K element), penetrating into the resistance grid and oxidizing the resistance belly.
  • the diffusion coefficient crucibles exponentially with temperature. Therefore, for a resistive film with a high vacancy density (that is, a high unpaired electron density), the diffusion coefficient of the glaze component becomes large, and it easily diffuses into the resistance scale.
  • a stable resistance value can be secured by defining the unpaired electron density of the heating resistor film within a certain range or less.
  • the second thermal head of the present invention is connected to the support base, the glaze formed on the support base, the ripening resistor formed on the glaze, and the heating resistor.
  • the glaze hibernation point is that the glaze is a fiber with a diameter of O. 55 to O. 75 IDID 0 and a length of 235 mm, and when this fiber is heated at a temperature rise rate of 4 to 6 / iDin, the elongation is The temperature at which lmm / Bin is reached. Generally, the viscosity of the fiber at this point is about 10 6 ⁇ 0 Pa «S.
  • the glass transition point of the glaze is also called the annealing point.
  • the glaze is a fiber with a diameter of 0.55 to 0.75 mm ⁇ and a length of 460 nm, and a lkg load is applied to this fiber.
  • the temperature when the elongation reaches 0.135 mni / oin when cooled at a cooling rate of 4 to 6 f / min after raising the temperature to not more than 25 glass transition points required for the glass transition temperature.
  • the viscosity of the fiber at this glass transition point is about 10 12 Pa • S.
  • the second thermal head of the present invention is further characterized in that the supporting substrate having the glaze layer and the exothermic resist is heat-treated at a temperature not lower than the sagging point of the glaze layer and not higher than the melting point.
  • the yield point of the glaze is the temperature at which a fiber with a diameter of 0.55 to 0., which is also called the Sa point, which is the so-called glaze, starts sagging under its own weight, and is determined by the beam-pending method. You.
  • the fiber has a viscosity of about 10 12 Pa-S at this yield point, and is located between the glass transition point and the aging point.
  • the second thermal head of the present invention is characterized in that when the glaze layer formed on the supporting substrate and the heat generating resistor are simultaneously heat-treated, the heat treatment is performed at a temperature higher than the glaze blowing point.
  • the resistor causes a solid phase reaction excessively and causes the following defects.
  • the diffusion coefficient during the solid-state reaction increases exponentially with temperature.
  • the temperature distribution cannot be completely eliminated. At such a high temperature, a slight difference in temperature produces a large diffusion coefficient, resulting in a large resistance value variation.
  • the heating resistor that has undergone a solid phase reaction with the glaze deteriorates and loses compatibility with the original resistor etching process, so that it is difficult to be etched. Beyond the glazing point, the glaze begins to have fluidity and lose its initial shape, resulting in an extreme increase in surface roughness and loss of the glaze's essential smoothness.
  • the combination of the heat-generating resistor and the glaze changed in this way not only does not provide the desired pulse life property, but also makes it almost impossible to produce a thermal head.
  • the pulse life resistance decreases as the heat treatment temperature becomes lower than the glass transition point of the glaze.
  • Thermal stability of heat-generating resistor and glaze specifically due to insufficient structure.
  • the variation in the resistance value between the substrates after the heat treatment is large. This is because, in the heat treatment temperature-dependent characteristics of the rate of change of resistance before and after heat treatment, the »coefficient of the characteristics becomes larger by a factor ⁇ in the heat treatment temperature region equivalent to the glass transition point or lower.
  • the heat treatment temperature in the second thermal head of the present invention is such that the supporting base having the glaze and the heating resistor is heat-treated at a temperature not lower than the yielding point of the glaze and not higher than the melting point. Limited. By limiting the heat treatment temperature range, it is possible to produce a thermal head having even better pulse life resistance characteristics.
  • the above-mentioned heat treatment in the second thermal head of the present invention can be applied to the thermal head in which an inorganic insulating film such as SiO 2 is formed between the glaze and the resistor. Similar effects can be obtained under similar temperature conditions.
  • the thickness of the heating resistor is desirably 0.1 ⁇ or less. More preferably, the thickness is in the range of 0.05 iim to 0.1 mm.
  • a cermet material is used as a heating resistor in the second thermal head of the present invention, and Ta—Si—0, Nb—Si—0, and Cr—Si are used as the cermet material. — 0 etc. can be used.
  • a third thermal head includes a support base, a glaze layer formed on the support base, a heating resistor formed on the glaze layer, and a heating resistor connected to the heating resistor.
  • a thermal head comprising an electrode, characterized in that H of the glaze and the heating resistor is formed with a reaction of the glaze and the heating resistor.
  • the heating resistor used in the thermal head of the present invention is a cermet material, and specifically, for example, Ta—Si—0, Ta—Si—C-10, and Nb—Si—0. Materials as the main components are mentioned.
  • the content of oxygen in the heating resistor is 40 to 70 atomic%
  • the content of oxygen in the glaze layer is 50 to 80 atomic%
  • the content of acid in the reaction layer is 40 to 80 atomic%.
  • the distribution of the acid content in the reaction layer changes gradually from the heating resistor to the glaze.
  • the thickness of the reaction layer is in the range of 1/3 to 1/30 of the thickness of the heating resistor layer.
  • the interposition of a reaction or interfacial mixing layer between the heating resistor and the glaze layer means that the boundary between the heating resistor and the glaze layer becomes ambiguous, Heating resistor considered to be van der Waals energy • This means that the mutual energy between the glazes approaches the cohesive energy of ordinary solids, that is, increases the adhesion energy. In this way, the adhesion between the heating resistor and the glaze is significantly improved, and peeling due to the thermal cycle stress caused by the applied pulse as described above is less likely to occur.
  • the reaction layer also has a function of suppressing the diffusion and intrusion of the glaze component into the heating resistor due to the application of the pulse.
  • the solid-state reaction is generally represented by the following Fick diffusion equation.
  • J -D (d n / d x), where J is the diffusion rate, D is the diffusion coefficient, and (d n Zd x) is the concentration gradient.
  • the diffusion rate J is determined by the product of the diffusion coefficient D and the concentration gradient (dn no dX).
  • the concentration gradient of each component element of the heating resistor and the glaze becomes small, so that the diffusion rate can be extended.
  • the glaze component is spread to the heating resistor when the pulse is applied. It is possible to suppress the invasion of the teachings, and to suppress the rise in the resistance value of the heating resistor due to the diffusion and invasion.
  • the oxygen content in the heating resistor is preferably 40 to 70 atomic%. If the content of the acid cable is less than 40 atomic%, the specific resistance of the heating resistor becomes too low, and the film thickness must be reduced inevitably, making it difficult to control the resistance value and reducing the thermal head. The life characteristics are inferior. 70 atoms %, It becomes difficult to produce a sputter target and to control the resistance value. More preferably, it is 50 to 60 atomic%.
  • the oxygen content in the glaze is less than 50 atomic% or more than 80 atomic%. It is difficult to construct the basic structure of glass consisting of: More preferably, it is in the range of 50 to 70 atomic%.
  • the thickness of the reaction layer is less than 1/30 of the thickness of the heating resistor, it will not function sufficiently as a barrier layer between the glaze layer and the heating resistor ⁇ ⁇ . Function becomes insufficient. Conversely, if it exceeds 1/3, there will be problems such as large variations in resistance value and loss of smoothness on the surface of the heating resistor.
  • the reaction calendar in the third thermal head of the present invention is formed, for example, by forming a heat generating antibody layer on a glaze layer by a sputtering method and then performing a heat treatment in a vacuum.
  • the heating temperature must be equal to or higher than the glass transition point of the glaze and lower than the blowing point temperature, and is preferably in the range of the glass transition point + 50.
  • FIG. 3 is a diagram showing an electron spin resonance spectrum of a heating resistor film constituting a thermal head according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing a result of a pulse life test of a thermal head according to an embodiment of the present invention.
  • Fig. 3 is a diagram showing a result of a pulse life test of a thermal head according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the relationship between the unpaired electron density of the heating resistor body and the resistance change rate in the pulse life test in the thermal head of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing a relationship between an unpaired electron density of a heating resistor film and a heat treatment temperature (anneal temperature) in a thermal head of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a main configuration of a thermal head.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a relationship between a heat treatment temperature of a heating resistor and a variation rate of variation in sheet resistance value due to heat treatment of the heating resistor.
  • FIG. 6 is a diagram showing a relationship between a heat treatment temperature of a heating resistor and a sheet resistance value change rate due to a heat treatment of a heating resistor.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a relationship between a heat treatment temperature of a heating resistor and a surface roughness Ra of the heating resistor.
  • Fig. 9 is a diagram illustrating a relationship between a heat treatment temperature of a heating resistor and a surface roughness Ra of the heating resistor.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a relationship between a heat treatment temperature of a heating resistor and a pulse life resistance characteristic of a thermal head.
  • FIG. 4 is a diagram showing the results of a pulse life test of a comparative sample of a thermal head according to an example of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing the ratio of soda in the heating resistor, the reaction layer, and the glaze of the thermal head according to one embodiment of the present invention, in comparison with Comparative Example. * Good form for carrying out the invention
  • a quartz plate was used as a support substrate.
  • the reason for using a quartz plate is that when a support substrate such as a thermal head, for example, a glazed alumina substrate is used, the electron spin resonance spectrum from the substrate itself and the electron spin resonance spectrum from the resistive film are used. This is because the analysis is difficult due to the overlap with the torque.
  • a Ta—Si—0 film was formed on a quartz plate by an RF sputtering method.
  • a mixed sintered body of Ta and Si02 was used as a target.
  • electron spin resonance measurement was performed on a sample in which a Ta—Si 10 film was formed on a quartz plate.
  • thermal heads were manufactured using the resistive films formed under the above two conditions.
  • an alumina substrate whose surface was glazed was used as the substrate.
  • a heating resistor film was formed on the alumina substrate by the above-described method.
  • the sample of Zen 3 having a spin density of 2.0 ⁇ 10 17 was designated as A, and the sample of spin density having a density of 3.5 ⁇ 10 i8 / cm 3 was designated as B.
  • an individual electric sled made of A1 is formed on the heating resistor, a common electrode is formed, a predetermined patterning is performed, and a heating portion sandwiched between the individual electrodes and the common electrode is formed as a Si01-N. It was covered with a protective layer made of, and further mounted. As a result, a thermal head for a plate making machine having a resistor shape of 60 ⁇ 35 jum and a resolution of 400 dots / inch was produced. Then, samples A and B were subjected to a pulse life test. For example, under the driving conditions of power: 0.28 soda / dot, pulse height: 0.5 msec, pulse period: 3.0 usee, a pulse was continuously applied to evaluate the rate of change of the resistance value. This result is shown in FIG. In the figure, I indicates the rate of change in resistance value (%), and Yokoko indicates the number of pulse applications (times).
  • the sample A of the example had a tendency that the resistance simply increased from the beginning. However, the resistance value was stable, and the rate of change remained at +1 even at the time of 1 X 10 ° pulse application.
  • the rate of change of the resistance value changes exponentially, and when the unpaired electron density exceeds 1 ⁇ 10 18 spins / cm 3 , the Ta—Si—0 In some cases, the rate of change in resistance exceeded 10X.
  • both the resistance change sharply exceeds 1 X 10 18 spins / cm 3
  • the rate increases.
  • the rate of change in resistance was an order of magnitude greater than that of Ta-Si-0. In any case, when the unpaired electron density was 1 ⁇ 10 19 spins / cm 3 , a large resistance change rate was observed for all the samples.
  • Example 3 Sixty thermal heads each corresponding to samples A and B shown in Example 1 were prototyped and flowed in the same lot. Then, after forming the resistance flag on the entire surface of the substrate, that is, the correlation between the average value of the sheet resistance before forming the A1 electrode ⁇ and the average value of the resistance in the product state after forming the thermal head. The sex was considered.
  • the correlation coefficient was 0.98 for sample A and 0.73 for sample B.
  • the standard of sheet resistance is set from this result, for example, if the standard of variation in product resistance is ⁇ 10X thermal head, sample A is allowed up to ⁇ 7.5X.
  • sample B a fairly strict standard of ⁇ 2.5X is required.
  • Example 5 As described above in Examples 1 to 4, by limiting the unpaired electron density in the heating resistor film, a heating resistor having excellent resistance value stability can be obtained. This makes it possible to manufacture a long-life thermal head stably and with good yield.
  • Example 5 As described above in Examples 1 to 4, by limiting the unpaired electron density in the heating resistor film, a heating resistor having excellent resistance value stability can be obtained. This makes it possible to manufacture a long-life thermal head stably and with good yield.
  • Fig. 5 shows a cross section of the main part of the thermal head.
  • the glaze layer 2 of Iotaomikuron beta 1 was the substrate.
  • the glaze had a glass transition point of 750, a yield point of 800, and an aging point of 940.
  • a heating resistor layer 3 composed of Ta—Si—0 and Nb—Si—0 was formed by RF sputtering.
  • the target is Ta: 47 mol X, S i 0 2: 53 DO sintered mixture of IX and N b: 47mo l X, S i 0 2: with 53 mol% of S if sintered ⁇ ,
  • RF power density 3.3 l / c ⁇
  • specific resistance value 12 ⁇ ⁇ ⁇ cm and thickness from 30 no to 200 nn.
  • HI heat treatment was performed at a temperature of 400 to 1000 for 15 minutes in a vacuum, including the case of Kiko.
  • FIGS. 6 to 10 show the heat treatment temperature dependence of each characteristic.
  • FIG. 10 shows the heat treatment temperature dependence of the variation in the sheet resistance value.
  • the large variation in the resistance value is obtained by dividing the variation in the sheet resistance value after the heat treatment by the sheet resistance value before the heat treatment.
  • Sheet resistance variation was determined by the following method.
  • the sheet resistance values of 15 points are measured almost uniformly along the center in the longitudinal direction of the substrate.
  • the difference between the maximum value and the minimum value is calculated, and this is divided by the average value of the 15 points.
  • the resistance value variation rate is maintained at almost 1 times up to 900 ° C. Regardless of the thickness, it begins to increase, especially when it exceeds the glaze point 940, and completely increases, deviating from the resistance controllable region. The result is an unusable thermal head.
  • Nb—Si—0 was used as the heating resistor, it was found that the temperature at which the resistance value variation rate rapidly increased was 900 or less.
  • FIG. 7 shows the heat treatment temperature dependence of the sheet resistance change rate.
  • the sheet resistance change rate means how much the above-mentioned average value of the sheet resistance at 15 points has changed after the heat treatment.
  • the rate of change in the sheet resistance between 400 and 700 is a negative value and simply decreases. Up to the transition point of 750, the rate of decline increases. Performing the heat treatment in such a region is disadvantageous in suppressing the variation in the inter-substrate resistance value.
  • the rate of change in sheet resistance between 750 and 900 is stable at -36 to -38%. Beyond 900, it begins to rise clearly with a positive derivative, and beyond the softening point 940, the positive derivative increases extremely, and the rate of change in sheet resistance changes to a positive value. Production of thermal heads in this area will not be possible.
  • —Nb—Si 10 is used as the heating resistor, the temperature is negative until 750, but hardly changes. However, when this temperature is exceeded, the rate of change in the sheet resistance rapidly increases. Go in the direction of greatness.
  • FIG. 8 shows the heat treatment temperature dependency of the surface roughness Ra of the heating resistor after the heat treatment.
  • the surface roughness Ra gradually increases when the temperature exceeds 800, and even when the glaze blowing point is 940 and 900 is low. Disabled.
  • the etching of the heating resistor in this process was performed by chemical dry etching (CDE) using C F and 0 ° as the reaction gas.
  • Figure 9 shows the dependence of the etching rate on the heat treatment temperature.
  • the etching rate is almost constant at lnm / sec until 900, and begins to decrease when it exceeds 900. If it exceeds, it becomes extremely low and becomes substantially impossible to etch.
  • the resistor shape was 40 / in in the sub-scanning direction and 30 tfm in the main scanning direction.
  • a thermal head with a resolution of 400 dots / inch for a plate making machine was created.
  • a pulse is continuously applied to these thermal heads under the E-motion condition of power: 0.25 1 / dotx, pulse width: 0.5 osec, pulse period: 3.0 nsec, and the change in the resistance value change rate »
  • FIG. 10 shows the results.
  • the horizontal axis is the heat treatment temperature
  • the vertical axis is the resistance value change rate at the time of pulse application 1 ⁇ 10 8 times.
  • the heating resistor temperature during this test is the peak temperature. Degree reached 780.
  • the test was suspended because the rate of change in resistance exceeded + 20X before 1 ⁇ 10 8 pulse applications. From 700 to 750, the rate of change in resistance decreases rapidly, and when it exceeds the glass transition point of glaze of 750, the degree of change decreases, but the direction of decreasing rate of change continues, and the yield point of glaze 800 Beyond ⁇ , the direction becomes even stronger. However, beyond the 940 softening point of the glaze, the rate of change increases sharply.
  • a thermal head was prepared by performing heat treatment in the same manner as in Example 1 except that a glaze having a glass transition point of 670, a deformation point of 710, and an aging point of 850 was used, and evaluated in the same manner as in Example 1. did.
  • the sample heat-treated at a glass transition temperature of less than 670 for the glaze had a large differential coefficient of the sheet resistance change rate, and the pulse resistance test showed that the resistance change rate was very large.
  • a 1 "0 3 97 adventure t X contains to alumina supporting substrate (275 X 55 1. 0 mm in size) in 40 ⁇ m glaze layer was the substrate.
  • the starting materials of the glaze the S i 0 2, S r 0 , a 1 2 0 3 as a main component, other consist L a 0 3.
  • These starting materials were melted at 1500, quenched into glass, crushed by a ball mill, coated on the alumina support substrate, and baked at 1200.
  • the glaze had a glass transition point of 750 and an epoxidation point of 940.
  • a heating resistor element composed of Ta—Si—0 was formed by RF sputtering.
  • Target is, T a: 47 ol X, S i 0 2: 53 nol using mixed-sintered body X, eight 1 "pressure:? 1. 1. 3, RF power density ⁇ ⁇ 3. 5 I / and cn 2, specific resistance Satoshi: film thickness in 12 mQ ⁇ cm was 90 nm.
  • a thermal head was manufactured in the same manner as in Sample A except that the heating resistor was subjected to electrical aging after forming the protective frame instead of the vacuum heat treatment. This sample is designated as C.
  • Cross sections of Samples A to C were subjected to a microphone mouth AES (Micro Auger Electron Scrosby) analysis to measure the oxygen concentration in the scale.
  • AES Micro Auger Electron Scrosby
  • Samples A and C which were converted to thermal heads, were subjected to a pulse life test.
  • Test Article The conditions were: power: 0.29 l / dot :, pulse width: 0.5 msec, pulse period: 3.0 nsec. . The results are shown in FIG.
  • Sample A also in is 10 8 times pulse application time is early than the resistance value rise, the resistance change rate has remained + 3 X, and stable.
  • the sample C does not differ from the sample A up to 310 6 times, but thereafter the resistance value suddenly increases. This is due to the heating resistor layer peeling off from the glaze.o
  • sample C 88 nm 2 ⁇ 1 / 44 As described above, according to the present invention, by providing a predetermined reaction layer between the heating resistor layer and the glaze layer, the adhesion between the two can be improved. Therefore, peeling of the heating resistor layer due to thermal stress due to pulse application is prevented. Further, the reaction layer also has a function of suppressing the diffusion of the glaze component into the heating resistor layer. Therefore, in a thermal head in which the heat generating temperature of the heat generating resistor becomes particularly high, it is possible to provide a long life characteristic that is affected by resistance value stability. Industrial applicability
  • thermo head with less variation of the heating resistor, a flat surface, and excellent pulse resistance, and high life characteristics can be expected. It can be used for facsimile, word processing printers, plate making machines, etc., and is particularly suitable for use as a high-resolution thermal head of about 400 dpi or more for stencil printing.

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Description

明細書 サーマルへッ ド及びその製造方法 技術分野
本発明は、 製版機、 ファクシミ リ、 およびビデオプリンタ等の感熱記録装鼴に 用いられるサーマルへッ ド及びその製造方法に関する。 背景技術
サーマルへッ ドは、 音が小さい、 保守が簡単である、 またランニングコストが 低い等の利点を生かして、 ファクシミ リ、 ワープロ用プリンタ等の各種記録装置 に広く使用されている。 また 400 dpi (dots per inch)程度以上の高精細のサーマ ルへッ ドは、 孔版印刷用として用いられている。
これらのサーマルへッ ドの内、 後者のファクシミ リ、 ワープロ用プリンタにお いては、 解像度向上のために、 発熱抵抗 *の微細化と投入エネルギー密度の增大 が強く求められている。 従って、 この要精に対応出来る構造のサーマルへッ ドが 必要となっている。
以上の要求に答えるために、 まず第 1に、 発熱抵抗体の抵抗値の高いサーマル へッ ドが必要である。
発熱抵抗体の材料として、 サーメッ ト系が広く用いられている。 その代表的な ものとしては、 T a - S i— 0および N b— S i一 0が知られている。 これらの 材料は、 例えば T aと S i 0 0の粉末を混合焼桔して作製したターゲッ トを用い てスパッタ腆として形成される。 この嚓、 ターゲッ ト中の S i 0 2の量やスパッ タ圧力等の制御により、 数 m Ωから数 10m Ωの比抵抗膜を形成することが出来る。 ところで、 抵抗値の高い発熱抵抗体を得る為には、 抵抗体の形伏を工夫する方 法がある。 しかし、 サーマルへッ ドの埸合は、 スパッタ膜そのもののシート抵抗 を高くすることが望ましい。 このため、 膜厚を薄く シート抵抗を高めることが考 えられるが、 膜厚を薄くするとサーマルへッ ドの寿命の面で問題が生じてくる。 上記の理由から、 高い比抵抗膜が得られることが大きな意味を持っている。 第 2に、 これらの発熱抵抗体は、 サーマルへッ ドとして駆動した埸合、 または 製造工程に部品として流す場合に抵抗値の変動が少ないことが必要である。
T a - S i一 0腹は、 発熱体として侵れた特徴を持っているが、 成腹条件によ つて影響を受けやすい。 したがって、 比抵抗が小さい場合は胰厚を薄くせねばな らず、 これはまた寿命特性に支陣を来す。 また比抵抗が大きい場合には腆厚を厚 くすることになり成膜時間が長くなる。 また一つのターゲッ ト当たり成 «できる 基板数が減少するという不具合もある。 このような理由から、 比抵抗の範囲は、 通常、 10〜20πι Ω · c m程度に管理され製造される。
しかし発熱抵抗体の比抵抗の範囲を限定しても、 サーマルへッ ドを製造した場 合、 デバイスとしての特性にばらつきを生じることがわかった。 これは比抵抗が 同一でも、 抵抗膜が構造的に相違する可能性を示唆している。 膜の構造とは、 例 えば秩序性の程度や範囲、 そして各種の欠陥の種類や密度などである。
このような膜構造を定量的に把握して、 それらを厳密に管理することは困難で ある。 例えばデポジッ トしたままの腹と、 これを 900 てで真空処理した Kについ て、 X線回折やラマン分光等で比校分析しても、 いずれもブロードなァモルファ スパターンが示されるだけで、 両者間に有意差は認められない。 このため寿命特 性の良好な発熱抵抗体の実現は困難で、 したがって寿命特性の良好なサーマルへ ッ ドの実現は困難であった。
以上の発熱抵抗体の問題に加えて、 さらに下記のようなサーマルへッ ドの抵抗 値の不均一化の問題がある。
サーマルへッ ドの発熱抵抗体の微細化およびこれに伴う投入エネルギー密度の 增大は、 発熱抵抗体中央部のピーク温度の上昇を招くことになる。 すなわち、 温 が上昇すると発熱抵抗体の抵抗値は一般に低下するので、 投入エネルギー密度 はさらに増大し、 発熱抵抗体はさらに 温化し、 そして抵抗値はさらに低下する という通程を繊返し、 ついに発熱抵抗体の破壊に至る。 破壊に至らないとしても、 抵抗値の下がり方はへッ ド内、 へッ ド Mで一様であるとは限らない。 抵抗値の下 がり方が異なれば、 発熱温度の高低によって定まる印字濃 Kや品位が不均一にな る o 抵抗値が不均一に低下する原因は、 発熱抵抗体の熱的安定化、 換言すると発熱 抵抗体の構造緩和が不十分なことである。 この熱的安定化対策としては、 1 ) 製 品化して通 «加熱を行なう方法、 2 ) 発熱抵抗体の形成中あるいはその後で熱処 理を行なう方法、 3 ) Sエネルギービームを発熱抵抗体に照射する方法、 4 ) 発 熱抵抗体を誘導加熱する方法等も検討されている。
発熱抵抗体の熱的安定化対策の 1 ) は、 I C定格さらには発熱抵抗体と電極膜 や保護鹏との反応の問題から熱的安定化レベルに制限を受ける。 たとえば、 ファ クシミ リ用途のサーマルへッ ドには十分でも、 製版機用途からは不十分なレベル となる。 熱的安定化策の 3 ) はコストや生産性の面から問題があり、 4 ) はまだ 実驗段階である。
熱的安定化対策の 2 ) は、 I Cは勿論のこと保護膜や電極膜もない状態で熱処 理できるので、 1 ) の方法に比べて熱処理温度を比較的広範囲に設定することが でき、 総合的にみて優れた手段で、 製版機用途のサーマルへッ ドでも一部実用化 されている。
従来、 この熱処理温度は、 主にサーマルへッ ド駆動時の発熱体抵抗温度を目安 として行なわれていた。 この発熱体抵抗体温度は、 例えば高精細用サーマルへッ ドの場合には、 最高 800 でであって、 熱処理温度としては、 これらサーマルへッ ドの駆動時の発熱体抵抗温度よりも高い温度で熱処理が行なわれていた。
しかしながら、 前述のように、 発熱抵抗体の微細化と投入エネルギー密度の增 大に伴いより高温で発熱駆動が必要となるサーマルへッ ドが要求されるようにな ると、 用いるグレーズの種類により、 サーマルへッ ド特性、 工程適合性等が大き く異なることにより、 サーマルへッ ドの E動時の発熱体抵抗温度よりも Sい温度 で熱処理する熱安定化対策の 2 ) においても次のような問題が生じてきた。
a ) 発熱抵抗体の抵抗値のバラツキが大きくなる。
b ) サーマルへッ ドの製造に際して、 抵抗膜エッチング工程でのエッチング性 が低下する。
c ) グレーズ雇の表面粗さが粗くなる。
d ) サーマルへッ ドの耐パルス寿命特性が低下する。
これらの不具合が多くなると、 サーマルへッ ドの製作自体が不可能にもなると いう問題がある。
また前述のように、 サーマルへッ ドの発熱抵抗体の ¾»化およびこれに伴う投 入エネルギー密度の増大は、 発熱抵抗体中央部のピーク温度の上昇を招くことに なる。 この桔果発熱抵抗体の十分な構造接和が成されている *合、 » に代表さ れるグレーズ履成分の発熱抵抗体中への拡散侵入が促進され、 発熱抵抗体の抵抗 値が次第に增加し、 終いには使用に耐えなくなる。 また発熱温度が高くなる条件 で駆動を行なうと、 発熱抵抗体の抵抗値の增加が激しくなると共に、 印刷パルス による熱ストレスの為に、 発熱抵抗体の発熱部がグレーズ層から剥離することが ある。 このように、 発熱抵抗体の発熟温度の上昇に伴い、 発熱抵抗体の化学的劣 化に加えて機械的破壊モードが顕在化してくる。
前述のグレーズ層成分の発熱抵抗体への拡散侵入に関しては、 以下のような対 策が考えられていた。
( 1 ) グレーズ層と発熱抵抗体との間に、 S i O N等からなるバリヤ一層を設 ける。
( 2 ) 熱化学的に安定性の高い、 すなわち、 ガラス転移点の高いグレーズを採 用する。
( 3 ) 発熱抵抗体雇の層厚を厚くする。 つまり、 サーマルへッ ド駆動中に成長 するグレーズ成分の拡散侵入長の相対的長さを短くする。
しかしんがら、 (1 ) は生産性やコスト、 歩留まりの問題があり現実的とは言 えない。 (2 ) はグレーズの平滑性を維持する上でガラス転移点 800 が技術的 上限となり、 前記要請に対して不十分である。 (3 ) は単純に履厚を厚くすると 抵抗値が低くなつてしまう。 また発熱抵抗体層の比抵抗を高く しょうとすると抵 抗敏の制御性やスパッタターゲッ ト作製が困難になり、 また発熱抵抗体層の形伏 変更で対応しょうとすると精度よくパターニングすることが困難になる。
以上のように、 いずれの手法においてもそれぞれ問埋があり、 グレーズ成分の 発熱抵抗体への拡散侵入の問題に対する実際的な対策とはなり得ない。 また、 発 熱抵抗体の発熱部がグレーズ層から剥離する問題に対しては具体的な対策の立案 すら行なわれていなかった。 発明の開示
本発明は前述の問題点を解決するために行なわれたもので、 寿命特性の良好な サーマルへッ ドの提供することが第 1の目的である。
さらに、 発熱抵抗体の抵抗値のバラツキの少ない、 またグレーズ層の表面平坦 な、 耐パルス特性に «れたサ一マルへッ ドの提供することが第 2の目的である。 さらに、 発熱抵抗体の抵抗値のバラツキを抑え、 またグレーズ層の表面が粗く なることを抑えることにより、 耐パルス特性に優れたサーマルへッ ドの製造方法 を提供することが第 3の目的である。
本発明のサーマルへッ ド用抵抗体は、 S i と 0と残部が実質的に金属からなる 抵抗体において、 前記抵抗体の不対電子密度が 1 X 1019個 Zcm3 以下であること を特徵としている。
さらに、 前記抵抗体は S i と 0を含み残部が T aおよび N bから選ばれた 1種 で、 且つその不対電子密度が 1 X 1018個ノ cau 以下であることを特微としている。 本発明の第 1のサーマルへッ ドは、 支持基板と、 この支持基板上に形成され且 i と 0と残部が実貧的に金属からなる発熱抵抗体と、 この発熱抵抗体に接 « された電極とを具備したサーマルへッ ドであって、 前記発熱抵抗体は、 その不対 電子密度が 1 X 10 19個 Zen3 以下であることを特徼としている。
さらに前記第 1のサーマルへッ ドは、 前記の発熱抵抗体が S i と 0を含み残部 が T aおよび N bから選ばれた 1種であり、 且つその不対電子密度が 1 X 10 18 個ノ cm3 以下であることを特徴としている。
さらにまた本発明の第 1のサーマルへッ ドは、 下記の構成をとることもできる。 すなわち、 支持基体と、 この支持基体上に形成されたグレーズ層と、 このグレー ズ雇の上に形成され且つ S i と 0と残部が実施的に金属からなる発熱抵抗体と、 この発熱抵抗体に接統された電極とを具備したサーマルへッ ドであって、 前記発 熱抵抗体は、 その不対電子密度が 1 X 10 19個 Ζ η3 以下であることを特徴とす るサへマルへッ ドである。
また前記発熱抵抗体は S i と 0と残部が T aおよび N bから選ばれた 1種から なり、 前記発熱抵抗体がその不対電子密度が 1 X 1018個 cm3 以下であることを 特徽とする。 本発明の第 2のサーマルへッ ドは、 支持基体と、 この支持基体上に形成された グレーズ層と、 このグレーズ雇上に形成された発熱抵抗体と、 この発熱抵抗体に 接統された電極とを具備するサーマルへッ ドであって、 前記グレーズ雇および発 熱抵抗体を有する支持基体が、 前記グレーズ雇のガラス転移点以上で且つ钦化点 以下の温度で熱処理されていることを特徴とする。
さらに第 2のサーマルへッ ドは、 支持基体と、 この支持基体上に形成されたグ レーズ雇と、 このグレーズ層上に形成された発熱抵抗体と、 この発熱抵抗体に接 铙された S極と有し、 且つ前記発熱抵抗体の駆動時の温度が前記グレーズ履のガ ラス転移点以上であるサーマルへッ ドにおいて、 前記グレーズ層および発熱抵抗 体を有する支持基体が、 前記グレーズ牖のガラス転移点以上で且つ钦化点以下の 温度で熱処理されていることを特徼とする。
さらに、 前記第 2のサーマルへッ ドは、 前記グレーズ騸および発熱抵抗体を有 する支持基体が、 前記グレーズ層の屈伏点以上で且つ钦化点以下の温度で熱処理 されていることを特微としている。
本発明の第 3のサーマルへッ ドは、 支持基体と、 この支持基体上に形成された グレーズ層と、 このグレーズ騸上に形成された発熱抵抗体と、 この発熱抵抗体に 接統された電極とを具儻するサーマルへッ ドであって、 前記グレーズ騸と発熱抵 抗体との間に、 前記グレーズ層と発熱抵抗体との反応層が形成されて成ることを 特徴とする。
さらに前記第 3のサーマルへッ ドにおいて、 前記発熱抵抗体は、 T a , S i , 0あるいは T a、 S i . 0. Cを主成分とするサーメッ ト材料からなることを特 微としている。
さらに、 前記第 3のサーマルへッ ドは、 前記発熱抵抗体中の酸素含有率は 40〜 70原子%、 前 Eグレーズ層中の酸素含有率は 50〜80原子%、 且つ前 反応雇中の 酸 ¾含有率は前記グレーズ牖に接する面から前記発熱抵抗体に接する面へと速統 して変化していることにより待微づけられる。
さらにまた、 前記第 3のサーマルへッ ドは、 前記反応雇の騸厚が、 前記発熱抵 抗体の層厚の 1/3 から 1/30の範囲内にあることを特微としている。
本発明のサーマルへッ ドの製造方法は、 支持基体の一主面に形成されたグレー ズ層上に発熱抵抗体を形成する工程と、 前記グレーズ屨および発熱抵抗体が形成 された支持基体を前記グレーズ雇のガラス転移点以上钦化点以下の温度で熱処理 する工程を具備していることを特»としている。
さらにこの製造方法は、 前記熱処理工程が、 前記グレーズ層の屈服点以上吹化 点以下の温度で熱処理することを特徴としている。
以下に本発明のサーマルへッ ドについてさらに説明する。
本発明の抵抗体はおよび第 1のサーマルへッ ドは、 サーマルへッ ドを構成する 発熱抵抗体の材料として、 S i と 0と残部が実 K的に金属からなり、 且つその不 対電子密度が 1 X 10 19個ノ cm3 以下であることを特徴としている。
不対電子密度とは、 電子スピン共 «法によって測定された抵抗膜中のスピン密 度と定義する。
本発明者は、 電子スピン共鳴法によって測定された抵抗膜中のスピン密度が抵 抗値の安定性に強い関係を有すること、 そしてスピン密度が一定の範囲にあれば、 安定な抵抗値の再現性が優れていることを見出だした。
そして、 サーマルへッ ドを構成する発熱抵抗体が、 S iと 0と残部が実 的に 金属からなる埸合、 その不対電子密度が 1 X 10 19個ノ cm3 を越えると抵抗値が 不安定になり、 その桔果、 製造工程中における抵抗値の変動が不安定になり、 歩 留まりが低下すること、 その製品の寿命特性が劣化することが確認された。 さらに、 S iや 0以外の残部を構成する金属が T aあるいは N bである場合に は、 発熱抵抗体の 1 X 10 18個 Zcn3 以下であると抵抗値が安定下発熱抵抗体が 得られることが確認された。
なお、 電子スピン共鳴法によって測定された抵抗膜中のスピン密度、 すなわち 不対電子密度は、 腆中の欠陥密度、 代表的にはダングリングボンド密度を反映し たものと考えられる。
一般に、 電子スピン共鳴スぺク トルは、 試料中に不対電子が存在すれば、 観測 される。 不対電子は、 代表的には、 伝導電子やドナーさらにはァクセプタといつ たものが原因となって不対電子が現れることも考えられるが、 試料中の欠陥 (具 体的には空格子:原子が本来あるべき位置にない状態) によって出現する。 この ため、 デバイス駆動中の抵抗値の変化は 2つのモードに分けられ、 ともに抵抗膜 中の空格子が関与していると推察される。
一つは、 抵抗値上昇作用を来す場合で、 グレーズ構成成分、 代表的には 0 ( K 素) が抵抗腆中に拡敢侵入し、 抵抗腹を酸化させることにより招来される。 一般 に拡散係数は温度に対して指数関数的に坩加する。 したがって、 空格子密度の大 きい (すなわち不対電子密度の大きい) 抵抗膜に対しては、 グレーズ成分の拡散 係数が大きくなり、 容易に抵抗腆中に拡散侵入していくことになる。
次に抵抗値下降作用を来す埸合で、 これは伝導キャリア移動度が增加すること により招来される。 空格子密度の大きい抵抗膜は、 当然ポテンシャルエネルギー が高く不安定な伏態にある。 空格子が多いと、 伝導キャリアがそこに捕獲された り «子波が乱されやすく、 比抵抗が高い状態になる。 しかし熱エネルギーが与え られると格子振動が激しくなり、 これらの空格子点が埋められる方向、 すなわち 安定な伏態へと系が向かい、 伝導キャリア移動度が增加する。 すなわち、 ァニー ル作用に相当する。
本発明第 1のサーマルへッ ドにおいては、 発熱抵抗体膜の不対電子密度を一定 範囲以下に規定することにより、 安定な抵抗値を確保することができる。
本発明の第 2のサーマルへッ ドは、 支持基体と、 この支持基体上に形成された グレーズ雇と、 このグレーズ雇上に形成された発熟抵抗体と、 この発熱抵抗体に 接铳された ¾極とを具備するサーマルへッ ドであって、 前記グレーズ履および発 熱抵抗体を有する支持基体が、 前 Kグレーズ層のガラス転移点以上で且つ钦化点 以下の温度で熱処理されていることを特微とする。
前記グレーズ雇の钦化点は、 グレーズを直径 O. 55~ O. 75IDID 0、 長さ 235 mmのフ アイバーとし、 このファイバーを 4 〜6 で/ iDinの温度上昇速度で加熱したとき、 伸びが lmm/Bin になったときの温度をいう。 一般にこの软化点におけるファイバ 一の粘度は約 106· 0 Pa « S である。
またグレーズ雇のガラス転移点は、 徐冷点ともいわれる点であり、 グレーズを 直径 0. 55~ 0. 75mm ø、 長さ 460nm のファイバーとし、 このファイバーに lkg の荷 重をかけ、 *終的に求められるガラス転移点よりも 25てを越えない高い温度にし た後、 4 〜6 て/ minの冷却速度で冷却した時に、 伸びが 0. 135mni/oin になったと きの温度をいう。 一般にこのガラス転移点におけるファイバーの粘度は約 1012Pa • S である。
また本発明の第 2のサーマルへッ ドは、 さらに、 前記グレーズ層および発熱抵 抗体を有する支持基体が、 前記グレーズ層の屈伏点以上で且つ钦化点以下の温度 で熱処理されていることを特微としている。 ここでグレーズ屬の屈伏点とは、 Sa 点ともいわれる、 いわゆるグレース雇を構成するグレーズによる直径 0. 55~0. のファイバーが自重により垂れ下がりを開始する温度で、 ビームペンディ ング法により決定される。 一般にこの屈伏点におけるファイバーの粘度は約 1012 Pa - S であって、 前記ガラス転移点と钦化点の中間に位 Bする。
前記本発明の第 2のサーマルへッ ドは、 支持基体上に形成されたグレーズ層と 発熱抵抗体とを同時に熱処理する埸合、 グレーズの吹化点より高い温度で熱処理 すると、 グレーズ層と発熱抵抗体は過剰に固相反応を起こし、 以下のような不良 の原因となる。
固相反応時の拡散係数は温度に対して指数関数的に上昇する。 いかなる熱処理 装置においても温度分布を完全に無くすることはできず、 このような高温では、 僅かな温度差が拡散係数の大きな相 ¾を生み、 大きな抵抗値のばらつきを招くこ とになる。 また、 グレーズと固相反応した発熱抵抗体は変質し、 本来の抵抗体ェ ツチング工程に対する通合性を失うのでエッチングされにく くなる。 钦化点を越 えるとグレーズが流動性を持ちはじめ当初の形伏が崩れ、 これに伴い、 表面粗さ が極度に増大し、 グレーズ本来の重要な平滑性を失う。 このように変 Sした発熱 抵抗体とグレーズの組合わせでは、 所望する耐パルス寿命特性が得られないばか りでなく、 サーマルへッ ドの作製自体がほとんど不可能になってしまう。
グレーズのガラス転移点より低い熱処理を施した場合には、 熱処理温度がグレ ーズのガラス転移点より低くなるに従って、 耐パルス寿命特性が低下する。 発熱 抵抗体とグレーズの熱安定性、 具体的には構造 «和が不十分であることによる。 基板内の抵抗値のばらつきは問題ないが、 熱処理後の基板間の抵抗値のばらつき は增大する。 これは熱処理前後の抵抗変化率の熱処理温度依存性特性において、 ガラス転移点以下相当の熱処理温度領域では、 特性の »係数が比 β的大きくなる ことによる。
以上の知見により、 グレーズ履のガラス転移点以上且つ钦化点以下の温度でグ レーズ雇と発熱抵抗体層とを同時に熱処理することにより、 耐パルス寿命特性に 侵れたサーマルへッ ドが安定して高い歩留まりで得られることがわかった。 これは、 従来、 作製することと所望のデバイス特性を得ることが困難であった 駆動時発熱抵抗体温度がグレーズ屬のガラス転移点以上であるサーマルへッ ドに おいて、 特に有効であった。
さらに本発明の第 2のサーマルへッ ドにおける熱処理温度は、 前記グレーズ牖 および発熱抵抗体を有する支持基体が、 前記グレーズ雇の屈伏点以上で且つ钦化 点以下の温度で熱処理されることと限定されている。 この熱処理温度範囲の限定 により、 さらに優れた耐パルス寿命特性を有するサーマルへッ ドを作製すること が可能である。
前述した本発明の第 2のサーマルへッ ドにおける熱処理は、 グレーズ騸と抵抗 体の間に、 S i 02等の無機の艳縁膜が形成されているサーマルへッ ドでも、 上 記と同様な温度条件で同様の効果を得ることができる。
また本発明の第 2のサーマルへッ ドにおいて、 発熱抵抗体の屬厚は 0.1 βΛ 以 下であることが望ましい。 さらに好ましくは、 騸厚は 0.05iim〜0.1 Β の範囲 である。
また本発明の第 2のサーマルへッ ドにおける発熱抵抗体としては、 サーメッ ト 材料が用いられ、 サーメッ ト材料としては、 Ta— S i— 0、 Nb— S i— 0、 C r一 S i— 0などを使用することができる。
本発明の第 3のサーマルへッ ドは、 支持基体と、 この支持基体上に形成された グレーズ層と、 このグレーズ層上に形成された発熱抵抗体と、 この発熱抵抗体に 接統された電«とを具備するサーマルへッ ドであって、 前記グレーズ雇と発熱抵 抗体との Hに、 前 グレーズ雇と発熱抵抗体との反応雇が形成されて成ることを 特微とする。
本発明のサーマルへッ ドに使用される発熱抵抗体は、 サーメッ ト材料で、 具体 的には、 例えば Ta— S i— 0、 Ta— S i— C一 0、 Nb— S i— 0を主成分 とする材料が挙げられる。
またグレーズ履材料としては、 S i 02、 S rO、 A 12<3。を主成分とし、 他に L a o03、 B aO、 Y20、 C a 0等を添加してなるものである。 ここで発熱抵抗体中の酸索含有率は、 40〜70原子%、 グレーズ層中の酸素含有 率は、 50〜80原子%、 反応層中の酸索含有率は、 40〜80原子%であって、 反応層 中の酸衆含有率の分布は、 発熱抵抗体からグレーズ履へと連統的に勾配を持って 変化している。 反応層の厚さとしては、 発熱抵抗体層の厚さの 1/3 から 1/30の範 | ある
発熱抵抗体とグレーズ騙との間に反応屬すなわち界面混合雇 (interfacial mi xing layer) が介在することは、 発熱抵抗体とグレーズ層との間の境界が暖昧に なることであり、 これはファンデルワールスエネルギーと考えられる発熱抵抗体 •グレーズ履間相互のエネルギーが、 通常の固体の凝集エネルギーに近付くこと、 つまり付着エネルギーの增加を意味する。 このようにして、 発熱抵抗体とグレー ズ牖の密着性が格段に向上し、 前述のような印加パルスによる熱サイクルストレ スに起因する剥離は起きにく くなる。
また、 この反応層は、 パルス印加に伴うグレーズ成分の発熱抵抗体雇への拡散 侵入も抑制する機能も有する。 固相反応は、 一般に次のフィ ックの拡散方程式に よって表現される。
J = - D ( d n / d x ) 、 ここで Jは拡散速度、 Dは拡散係数、 (d n Zd x) は濃度勾配を表す。
すなわち、 拡散速度 Jは、 拡散係数 Dと濃度勾配 (d nノ d X ) の積で決定さ れる。 反応層を介在させることで、 発熱抵抗体とグレーズ钃の各成分元素の濃度 勾記が小さくなるから、 拡散速度の «延を導くことができる。
つまり、 濃度勾配が緩やかなほど、 拡散速度は遅くなる。
本発明の反応層のように、 グレーズ履から発熱抵抗体層への 0濃度の緩やかな 勾配を持った層が存在する場合には、 パルス印加に伴うグレーズ屬成分の発熱抵 抗体履への拡教侵入を抑制し、 拡散侵入に伴う発熱抵抗体の抵抗値の上昇が抑制 することができる。
本発明第 3のサーマルへッ ドは、 発熱抵抗体中の酸素含有率は、 40〜70原子% であることが好ましい。 酸索含有率は、 40原子%より少ないと、 発熱抵抗体の比 抵抗は低くなりすぎ、 必然的に膜厚を薄く しなければならないので抵抗値の制御 が困難となると共にサーマルへッ ドの寿命特性が劣ったものとなる。 一方 70原子 %を越えると、 スパッタターゲッ 卜の作製や抵抗値制御が困難になる。 より好ま しくは、 50〜60原子%である。
グレーズ履中の酸素含有率は、 50原子%より小さくても、 80原子%を越えても S i 0。より構成されるガラスの基本構造が構築されにく くなる。 より好ましく は 50〜70原子%の範囲である。
また、 反応層の厚さは、 発熱抵抗体雇の厚さの 1/30より薄くなると、 グレーズ 層と発熱抵抗体牖間のバリア層としての十分に機能しなくなるし、 また両者 IWの 接着雇としての機能も不十分となる。 反対に 1/3 を越えると抵抗値のばらつきが 增大し又発熱抵抗体雇表面の平滑性は失われるなどの不具合が生じる。
本発明第 3のサーマルへッ ドにおける反応暦は、 例えばグレーズ層上に発熱抵 抗体層をスパッタリング法により形成した後、 真空中で加熱処理することにより 形成される。 この加熱温度はグレーズ雇のガラス転移点以上且つ吹化点温度未満 とすることが必要で、 好ましくは、 ガラス転移点 + 50 の範囲である。 図面の簡単な説明
第 1図
本発明の一実施例のサーマルへッ ドを構成する発熱抵抗体膜の電子スピン共鳴 スぺク トルを示す図である。
第 2図
本発明の一実施例のサーマルへッ ドの耐パルス寿命試験結果を示す図である。 第 3図
本発明のサーマルへッ ドにおける、 発熱抵抗体腆の不対電子密度と耐パルス寿 命試験での抵抗変化率の関係を説明する図である。
第 4図
本発明のサーマルへッ ドにおける、 発熱抵抗体膜の不対電子密度と熱処理温度 (ァニール温度) との関係を示す図である。
第 5図
サーマルへッ ドの主要構成を示す断面図である。
第 6図 発熱抵抗体の熱処理温度と発熱抵抗体の熱処理によるシート抵抗値のバラツキ 変化率の関係を示す図である。
第 7図
発熬抵抗体の熱処理温度と発熱抵抗体の熱処理によるシート抵抗値変化率の関 係を示す図である。
第 8図
発熱抵抗体の熱処理温度と発熱抵抗体の表面粗さ R aの関係を示す図である。 第 9図
発熱抵抗体の熱処理温度と発熱抵抗体のェッチング速度の関係を示す図である。 第 1 0図
発熱抵抗体の熱処理温度とサーマルへッ ドの耐パルス寿命特性の関係を示す図 である。
第 1 1図
本発明の一実施例のサーマルへッ ドの比較試料の耐パルス寿命試験結果を示す 図である。
第 1 2図
本発明の一実施例のサーマルへッ ドを構成する発熱抵抗体雇、 反応層、 グレー ズ履における酸衆含有率を比皎例と比校して示す図である。 発明を実施するための *良の形態
以下本発明のサーマルへッ ドの実施態様を実施例により説明する。
実施例 1
本発明第 1のサーマルへッ ドにおける発熱抵抗体履の電子スピン共鳴法による 不対電子密度を測定する為、 以下のような試料を作製した。
支持基板として石英板を用いた。 石英板を用いた理由は、 サーマルへッ ドよう の支持基板、 例えばグレーズドアルミナ基板を用いると、 基板自体からの電子ス ビン共鳴スぺク 卜ノレと、 抵抗膜からの電子スピン共鳴スぺク トルとが重なり解析 が困難であるためである。
また、 石英板上に R Fスパッタリング法により、 T a— S i— 0膜を形成した。 この場合、 ターゲッ トとして T aと S i 0 2の混合焼結体を用いた。 そして、 石 英板上に T a— S i一 0膜を形成したものを試料として、 電子スピン共鳴測定に した。
測定条件は、 磁場掃引範囲: 335. 500 ± 5. 0 mT、 変翻: 100 kHz-0. 1 mT、 マイ クロ波: 2 ml、 掃引時間: 5 sec 100 回、 時定数: 0. 01 sec、 標準試料: leak -Coal (スピン = 1. 74 1014) とし、 室温で測定した。
ここで、 ターゲッ 卜として、 T a : 47 molX、 S i 0 o : 53 nolX の組成から なる焼桔体を用いて、 ターゲッ 卜への R F電力: 3. 3 f/cm2、 A r圧力: 1. 0 Pa の条件で成 «し、 その後、 真空中で 700 てで 15分の熱処理を行ない、 比抵抗値: 11. 0 π Ω /cn となった試料の電子スピン共鳴スペク トルを第 1図に示す。 ピーク は不対電子密度の存在を示す。 なお、 図の横軸は磁場、 縱岫は¾度で、 330 ある いは 339 nTの近くに現れているスぺク トル a , bは石英板によるもので、 磁場 33 6 BTの近くに現れているスぺク トル cは抵抗膜によるものである。 このスぺク ト ルから抵抗 Kのスピン密度を計算すると、 2. 0 X 1017個 Zcm3 となる。
同様にして、 比 βとして、 ターゲッ トとして T a : 49 nolX、 S i 0 2 : 51 m olX の組成からなる焼桔体を用い、 ターゲッ トへの R F電力 = 3. 31/cm2、 A r 圧力: 1. 0 Pa の条件で成膜し、 その後、 熱処理せずに、 比抵抗: 11. 0 η Ω /cB となった試料を電子スピン共鳴法による測定に供した。 このとき、 抵抗膜のスピ ン密度は 3. 5x 1018個 Zcni3 となった。
次に、 上記の 2つの条件で形成した抵抗膜を用いてそれぞれサーマルへッ ドを 製造した。 この場合、 基板として、 表面をグレーズ処理したアルミナ基体を用い た。 このアルミナ基体に前述の方法で発熱抵抗体膜を形成した。 そしてスピン密 度が 2. 0 X 1017個 Zen3 の試料を A、 またスピン密度が 3. 5x 10i8個/ cm3 の試 料を Bとした。
その後、 発熱抵抗体の上に A 1からなる個別電橇ゃ共通電極を形成し、 所定の バターニングを実施し、 また、 個別電極や共通電極で挟まれた発熱部を S i一 0 一 Nよりなる保護層で被 ¾し、 さらに実装を行なった。 これにより、 抵抗体の形 伏: 60 X 35 ju m 、 解像度: 400 dots/inch の製版機用のサーマルへッ ドを作製 した。 そして、 試料 A、 Bを耐パルス寿命試験に供した。 例えば、 パワー : 0.28曹 /d ot、 パルス轜: 0.5 msec 、 パルス周期: 3.0 usee の駆動条件で、 連統的にパ ルスを与え抵抗値の変化率を評価した。 この桔果を第 2図に示す。 なお図中、 縱 «Iは抵抗値変化率 (%) 、 横轆はパルス印加数 (回) である。
比校例の試料 Bでは、 初期から 1 X 105 回のパルス印加までは、 抵抗値が低下 し、 その後、 上昇に転じ、 2 106 回のパルス印加時点では、 変化率 + 10X を越 えた。
一方、 実施例の試料 Aは、 初期より抵抗値は単 ¾に增加する傾向が認められた。 しかし抵抗値は安定しており、 1 X 10°回のパルス印加時点でも、 変化率は +1. に止まった。
また、 成膜条件を変えて同じスピン密度の抵抗膜を形成しても同様の特性が得 られた。
実施例 2
Ta— S i— 0、 Nb - S i— 0、 C r一 S i— 0、 T i一 S i - 0、 \V— S i一 0、 V— S i— 0で形成された発熱抵抗体膜の不対電子密度とサーマルへッ ドの寿命特性の関係を翻べた。 これらの抵抗膜は実施例 1に準じて作製された。 その結果を第 3図に示す。 同図において、 横軸は発熱抵抗体膜の不対電子密度、 縦軸は実施例 1と同じ条件で実施した耐パルス寿命試験における 1 X 10°回のバ ルス印加時点での抵抗変化率である。
図に示すとおり、 不対電子密度の增加に伴い、 抵抗値変化率は指数関数的に変 化し、 不対電子密度が 1 X 1018spins/cm3 を越えると、 Ta— S i— 0の場合に は、 抵抗値変化率が 10X を越えた。 また Nb— S i— 0の埸合には、 抵抗値変化 率は、 T a— S i — 0の埸合に比較して 1桁大きく、 1 X 1018spins/ciDu の時点 で既に 30X程度と大きなものであった。 C r一 S i— 0、 T i一 S i— 0、 W— S i— 0、 V— S i— 0については、 いずれも 1 X 1018spins/cm3 を越えると急 激に抵抗変化率が增大する。 抵抗変化率は Ta— S i— 0の埸合に比校して 1桁 大きかった。 いずれにしても不対電子密度が 1 X 1019spins/cm3 時点ではどの試 料についても大きな抵抗変化率が認められた。
実施例 3 実施例 1で示した試料 A、 B相当のサーマルへッ ドをそれぞれ 6 0本試作し、 同一ロッ トで流した。 そして基板全面に抵抗旗を形成した後、 すなわち、 A 1電 極胰を形成する前のシート抵抗の平均値と、 サーマルへッ ドを形成した後の製品 伏態における抵抗の平均値との相関性を ¾ベた。
その轄果、 相関係数は、 試料 Aは 0. 98、 試料 Bは 0. 73となった。 この結果から シート抵抗臚の規格を設定する場合を考えると、 例えば、 製品抵抗値のばらつき の規格が ± 10X のサーマルへッ ドの埸合、 試料 Aは ± 7. 5Xまで許容されるのに対 して、 試料 Bは ±2. 5Xという相当厳しい規格が要求されることになる。
実施例 4
実施例 2の試料について、 熱処理条件を変えて、 不対電子密度と熱処理温度 (ァニール温度) との関連を ¾ベた。 その結果を第 4図に示す。
不対電子密度は T a— S i— 0および N b - S i一 0のいずれの埸合において も、 熱処理温度が上がるにつれて、 減少する。 両者ともに発熱抵抗体膜として、 好ましい 1 X 1018spins/cm3 以下とするためには、 ァニール温度がグレーズ雇の ガラス転移点以上であることが必要であることが分かる。
以上実施例 1乃至 4で説明したように、 発熱抵抗体膜中の不対電子密度を限定 することにより、 抵抗値の安定性に優れた発熱抵抗体が得られる。 これにより高 寿命のサーマルへッ ドを安定に、 且つ歩留まり良く製造することが可能である。 実施例 5
第 5図にサーマルへッ ドの主要部断面を示す。
A 1 0 0 3を 97 wt X 含有するアルミナ支持基体 (275 X 55 1. 0 ΠΙΒ のサイ ズ) 1に ΙΟ Β のグレーズ層 2を設けたものを基板とした。 このグレーズの出発 材料は、 S i 0 2、 S r O、 A 1 2 0 3を主成分として、 他に L a 2 0ゥ、 B a 0、 Y η θ 3 , C a 0等の成分からなり、 耐熱性と平滑性の両立を図っている。 これらの出発材料を 1500でで溶 »した後、 急冷ガラス化し、 さらにボールミルで »粉砕後、 前記アルミナ支持基体 1にコーティ ング、 さらに 1200でで焼き付けし た。 このグレーズはガラス転移点 750 て、 屈服点 800て、 钦化点 940 であった。 このグレーズ上に、 T a— S i— 0および N b— S i— 0からなる発熱抵抗体 層 3を R Fスパッタリング法により形成した。 ターゲッ トは、 T a : 47 mol X、 S i 0 2 : 53 DO I Xの混合焼結体および N b : 47mo l X 、 S i 0 2 : 53mol % の S合焼拮体を用い、 A r圧: 1. 1 Pa、 R Fパワー密度: 3. 3 l/c^ とし、 比抵抗 値: 12 ιο Ω · cmで腆厚は 30 no 乃至 200 nnとした。
その後、 比皎例を含めて真空中で 400 ~ 1000 の温度で各 15分 HI熱処理を施し た。
各特性の熱処理温度依存性を第 6図から第 1 0図に示す。
図 1 0はシー卜抵抗値バラツキ增大率の熱処理温度依存性を示す。 抵抗値バラ ツキ增大率とは、 熱処理後のシート抵抗値バラツキを熱処理前のシート抵抗値で 除したものである。 シート抵抗値バラツキは、 次の方法で求めた。
まず、 基板長手方向中心部に沿って、 ほぼ均等に 1 5点のシート抵抗値を測定 する。 つぎに 1 5点のシート抵抗値のうち、 最大値と最小値の差を求め、 これを 1 5点の平均値で除する。
第 6図によれば、 発熱抵抗体として T a— S i一 0を用いた場合には、 900 °C に至るまで抵抗値バラツキ增大率はほぼ 1倍を維持するが、 900 を越えると厚 さの如何に関わらず增大しはじめ、 特にグレーズの钦化点 940 を越えると完全 に增大し、 抵抗値制御可能領域を逸脱する。 その結果、 使用に耐えないサーマル ヘッ ドとなる。 N b— S i — 0を発熱抵抗体として用いた埸合には、 この抵抗値 バラツキ增大率が急增する温度は 900 以下であることが分かった。
第 7図に、 シート抵抗値変化率の熱処理温度依存性を示す。 ここでシート抵抗 値変化率とは、 前述の 1 5点のシート抵抗値平均値が、 熱処理後にどれだけ変化 したかを意味する。
発熱抵抗体として T a— S i一 0を用いた場合には、 400 〜700 においては、 シー ト抵抗值変化率は負値で単钃に低下していくが、 700でからグレーズのガラ ス転移点である 750 までは低下の镇きが大きくなる。 このような領域で熱処理 を行なうことは、 基板間抵抗値のバラツキを小さく抑える上で不利となる。 750 〜900 てでのシート抵抗値変化率は -36〜- 38 % で安定している。 900 でを越え ると正の微係数で明確に上昇しはじめ、 軟化点 940 てを越えると正の微係数は極 度に増加、 シート抵抗値変化率も正値に転ずる。 この領域でのサーマルヘッ ドの 製造はできなくなる。 —方 N b— S i一 0を発熱抵抗体として用いた場合には、 750 でまでは負嬷で あるがほとんど変化はない、 しかしこの温度を越えるとシート抵抗値変化率は急 激に增大の方向に向う。
第 8図は、 熱処理後の発熱抵抗体の表面粗さ R aの熱処理温度依存性を示す。 発熱抵抗体として T a— S i— 0を用いた場合には、 グレーズの钦化点 940 て を越えて熱処理すると R aが 0. 1 # ίΐ 以上となり、 実使用に耐えなくなる。 また 表面粗さ R aは特に厚さが薄い程、 影響を受け易いことが分かる。
一方 N b— S i一 0を発熱抵抗体として用いた埸合には、 800 てを越えると表 面粗さ R aは次第に增大し、 グレーズの吹化点 940 て未满の 900 ででも使用不可 能になる。
これらの試料を、 A 1電極履形成後、 フォトエングレービングプロセスにより パターニングを行なった。
本プロセスにおける発熱抵抗体のエッチングには、 C F と 0„を反応ガスと するケミカルドライエッチング (C D E ) により行なった。
第 9図に、 エッチングレイ 卜の熱処理温度依存性を示す。
発熱抵抗体として T a— S i— 0を用いた埸合には、 900 まではエッチング レイ トは lnm/sec でほぼ一定、 900 でを越えると低下しはじめ、 グレーズの钦化 点 940 てを越えると極度に低下して実質的にェッチング不能になる。
N b - S i一 0を発熱抵抗体として用いた場合には、 エッチングレイ 卜の変化 は緩慢であるが、 同じくグレーズの钦化点 940 てを越えると極度に低下して実質 的にエッチング不能になる。
その後、 これらの試料の少なく とも発熱部を S i一 0— Nからなる保護腆で被 欞、 さらに実装工程を経て、 抵抗体形状が副走査方向 40 /i n 、 主走査方向 30 tf m で、 解像度 400 dots/inch の製版機用途のサーマルへッ ドを作成した。
これらのサーマルへッ ドに、 パワー : 0. 25 1/dotx パルス幅: 0. 5 osec パル ス周期: 3. 0 nsecの E動条件で連統的にパルスを与え、 抵抗値変化率の推移を » ベた。
第 1 0図にその結果を示す。 横軸は熱処理温度、 縱軸はパルス印加回数 1 X 108 回時点の抵抗値変化率である。 なお、 本試験時の発熱抵抗体温度はピーク温 度で 780 に達した。 700 て未満で熱処理された試料では、 パルス印加回数 1 X 108 回以前に抵抗値変化率は +20X を越えたために、 試験を中断している。 70 0〜750 にかけて、 抵抗値変化率は急激に小さくなり、 グレーズのガラス転移 点である 750 を越えると、 度合いは小さくなるものの変化率滅少の镇向は統き、 さらにグレーズの屈伏点 800 ^を越えるとさらにその頌向は強まる。 しかし、 グ レーズの軟化点 940 てを越えると、 変化率は急激に增大する。
以上の桔果、 グレーズのガラス転移点以上且つ钦化点以下の温度、 特に屈服点 以上钦化点以下の温度で熱処理されたサーマルへッ ドは、 優れた特性を有するこ とがわかった。
実施例 6
ガラス転移点 670 て、 屈伏点 710 て、 钦化点 850てのグレーズを用いる以外は、 実施例 1と同様な方法で熱処理を行ないサーマルへッ ドを作製し、 実施例 1と同 様に評価した。
その結果、 グレーズの钦化点 850 でを越えて熱処理を行なった試料は、 シート 抵抗値バラツキ增大率が極度に上昇し、 シート抵抗値変化率も正値で微係数が非 常に大きく、 R aも 0. 1 m を越えて大考く上昇し、 耐パルス寿命試験において も抵抗値変化率が非常に大きくなるということが示された。 そして屈服点 710 から钦化点 850 での範囲で熱処理を行なった試料は、 特に耐パルス寿命特性が優 れていることが示された。
一方、 グレーズのガラス転移点 670 未満で熱処理を行なった試料は、 シート 抵抗値変化率の微係数が大きく、 耐パルス寿命試験においても抵抗値変化率が非 常に大きくなるということが示された。
実施例 7
A 1 „ 0 3を 97冒 t X 含有するアルミナ支持基体 (275 X 55 1. 0 mm のサイ ズ) に 40 ^ m のグレーズ層を設けたものを基板とした。 このグレーズの出発材料 は、 S i 0 2、 S r 0、 A 1 2 0 3を主成分として、 他に L a 0 3 . B a 0、 Y o 0 3 , C a 0等の成分からなり、 耐熱性と平滑性の両立を Hつている。 これ らの出発材料を 1500でで溶融した後、 急冷ガラス化し、 さらにボールミルで微粉 砕後、 前記アルミナ支持基体にコーティ ング、 さらに 1200 で焼き付けした。 こ のグレーズはガラス転移点 750 て、 钦化点 940 てであった。
このグレーズ上に、 T a— S i—0からなる発熱抵抗体雇を R Fスパッタリン グ法により形成した。 ターゲッ トは、 T a : 47 ol X、 S i 0 2 : 53 nol Xの混 合焼結体を用い、 八 1"圧: 1. 1. ?3、 R Fパワー密度 ·· 3. 5 I/cn2 とし、 比抵抗敏: 12 mQ · cmで膜厚は 90 nm とした。
次に、 真空中で 800 ての温度で 15分間熱処理を施した。 その後 A 1電極層形成 後、 フォ トエングレービングプロセスによりパターニングを行なった。 S i O N 保護胰形成後、 さらに実装工程を経て、 抵抗体形伏が副走査方向 40 、 主走査 方向 30 i m で、 解像度 400 dots/inch の製版機用途のサ一マルへッ ドを作成した。 これを試料 Aとする。
真空熱処理温度を 950 とした以外は、 試料 Aと同様にしてサーマルへッ ドの 製造を試みた。 これを試料 Bとする。 しかしながら、 試料 Bは真空熱処理後に抵 抗値バラツキが真空熱処理前の 5 ~ 7倍にも増大するという問題が生じた。 また 発熱抵抗体表面の平滑性が失われ、 この影響を受け発熱抵抗体上に形成した電極 表面の平滑性も失われたことから実装工程におけるワイヤーボンディ ングが困難 になり、 結局正常なサーマルへッ ドを製造することができなかった。
真空熱処理に代えて、 保護腆形成後、 発熱抵抗体に電気エージングを施した以 外は試料 Aと同様にしてサーマルへッ ドを製造した。 この試料を Cとする。 試料 A〜Cの断面をマイク口 A E S (マイクロォージェエレク トロンスぺク ト ロスコビー) 分析に供し、 腆中の酸素濃度を測定した。
これらの結果を表 1および第 1 2図に示す。
いずれの試料も、 発熱抵抗体雇中の酸 *含有率は 56原子%、 グレーズ雇中の酸 索含有率は 65原子%とほぼ一定であつた。
また反応雇中の酸素含有率がグレーズ屬側から発熱抵抗体雇側へと連統的に減 少していることも共通点であった。
しかしながら、 表 1に示すように発熱抵抗体屬の厚さを L 1、 反応層の厚さを L 2、 グレーズ層の厚さを L 3とすると、 L 2 Z L 1は、 試料 Aでは 1/5 、 試料 Bでは 1/2 、 K料 Cでは 1/44となった。
サーマルへッ ド化できた試料 Aおよび Cを耐パルス寿命試験に供した。 試験条 件は、 パワー : 0. 29 l/dot:、 パルス幅: 0. 5 msec、 パルス周期: 3. 0 nsecの駆勳 条件で連練的にパルスを与え、 抵抗爐変化率の推移を翻べた。 その結果を第 1 1 図に示す。
試料 Aは、 初期より抵抗値上昇傾向にあるが 10 8 回パルス印加時点において も、 抵抗値変化率は + 3 Xにとどまっており、 安定している。
一方、 試料 Cは、 3 106 回までは試料 Aと差異はないが、 その後突如抵抗值 が上昇する。 これは発熱抵抗体層がグレーズ履から剥離したことによるものであ る o
L 1 し 2 L 2 / L 1 試料 A 75 no 15 ηιη 1/5
試料 B 60 no 30 nm 1/2
試料 C 88 nm 2 ΠΒ 1/44 以上説明したように、 本発明によれば、 発熱抵抗体層とグレーズ層の間に両者 の所定の反応層を介在させることにより、 両者の密着性を高めることができるの で、 パルス印加による熱ストレスに伴う発熱抵抗体層の剥離が阻止される。 さら に、 当該反応層は、 グレーズ成分の発熱抵抗体層への拡散侵入を抑制する機能も 有する。 したがって、 発熱抵抗体の発熱温度が特に高くなるようなサーマルへッ ドにおいて、 抵抗値安定性に侵れた高寿命特性を提供できる。 産業上の利用可能性
以上のように本発明によれば、 発熱抵抗体のバラツキの少ない、 表面平坦な、 また耐パルス性に便れたサーマルへッ ドを提供出来、 高寿命特性が期待出来る。 ファクシミ リ、 ワープロ用プリンタ、 製版機等に使用可能で、 とくに孔版印刷用 などの 400 dpi 程度以上の高精細のサーマルへッ ドとしての使用に好適である。

Claims

睛求の範囲
1 . S iと 0と残部が実質的に金厲からなる抵抗体において、
前! Ξ抵抗体の不対電子密度が 1 X 10 個 0113 以下であることを特徽とする抵 抗体。
2 . 前記抵抗体の不対電子密度が 1 X 1018個 Zen3 以下であることを特徵とす る請求項 1記載の抵抗体。
3 . 前記抵抗体は S i と 0と残部が T aおよび N bから選ばれた 1種であるこ とを特徴とする請求項 1記載の抵抗体。
4 . 前記抵抗体の不対 «子密度が 1 X 101。個 cm3 以下であることを特徴とす る請求項 3記載の抵抗体。
5 . 支持基板と、 この支持基板上に形成され且つ S i と 0と残部が実質的に金 厲からなる発熱抵抗体と、 この発熱抵抗体に接铣された電極とを具備したサーマ ルへッ ドにおいて、
前記発熱抵抗体は、 その不対電子密度が 1 X 10個 /cm3 以下であることを特 徵とするサーマルへッ ド。
6 . 前記抵抗体の不対電子密度が 1 X 1018個/ cm3 以下であることを特徴とす る請求項 5記載ののサーマルへッ ド。
7 . 前記抵抗体は S i と 0と残部が T aおよび N bから選ばれた 1種であるこ とを特徴とする請求項 5のサーマルへッ ド。
8 . 前記抵抗体の不対電子密度が 1 X 10lu個ノ cm3 以下であることを特徴とす る請求項 5記載のサーマルへッ ド。
9 . 支持基体と、 この支持基体上に形成されたグレーズ層と、 このグレーズ層 の上に形成され且つ S i と 0と残部が実質的に金属からなる発熱抵抗体と、 この 発熱抵抗体に接統された霄極とを具備したサーマルへッ ドにおいて、
前記発熱抵抗体は、 その不対電子密度が 1 X 1019個ノ cm3 以下であることを特 ¾とするサーマルへッ ド。
1 0. 前記抵抗体は S i と 0と残部が T aおよび N bから選ばれた 1種である ことを特微とする請求項 9記載のサーマルへッ ド。
1 1 . 前記抵抗体の不対電子密度が 1 X 1018個 Zen3 以下であることを特徴と する請求項 9または 1 0記載のサーマルへッ ド。
1 2. 支持基体と、 この支持基体上に形成されたグレーズ層と、 このグレーズ 層の上に形成され且つ S i と 0と残部が実質的に金厲からなる発熱抵抗体と、 こ の発熱抵抗体に接統された電極とを具備したサーマルへッ ドの製造方法が、 前記 発熱抵抗体の不対電子密度が 1 X 10個 Zen3 以下となるように、 前 Kグレーズ 層のガラス転移点から钦化温度の範囲のァニール温度で熱処理する工程を含むこ とを特微とするサーマルへッ ドの製造方法。
1 3 . 支持基体と、 この支持基体上に形成されたグレーズ層と、 このグレーズ 層の上に形成された発熱抵抗体と、 この発熱抵抗体に接統された電橙とを具備し たサーマルへッ ドにおいて、
前記グレーズ層および発熱抵抗体を有する支持基体が前記グレーズ層のガラス 転移点以上吹化点以下の温度で熱処理されていることを特徼とするサーマルへッ
1 . 前記発熱抵抗体の駆動時における温度がグレーズ層のガラス転移点以上 であることを特微とする »求項 1 3記載のサーマルへッ ド。
1 5. 前記グレーズ層および発熱抵抗体を有する支持基体が、 前記グレーズ層 の屈伏点以上钦化点以下の温度で熱処理されていることを特徴とする讅求項 1 3 記載のサーマルへッ ド。
1 6 . 支持基体と、 この支持基体上に形成されたグレーズ層と、 このグレーズ 層の上に形成された発熱抵抗体と、 この発熱抵抗体に接統された電極とを具備し たサーマルへッ ドにおいて、
前 15グレーズ層と前記発熱抵抗体の間に、 前記グレーズ牖と前記発熱抵抗体と の反応層が形成されてなることを特微とするサーマルヘッ ド。
1 7. 前記発熱抵抗体は、 T a、 S i、 0または T a、 S i、 0、 Cを主成分 からなることを特徼とする請求項 1 6記載のサーマルへッ ド。
1 8 . 前記発熱抵抗体中の酸素含有率は 40原子%から 70原子%の範囲、 前記グ レーズ雇中の酸素含有率は 50原子%から 80原子%の範囲、 且つ前記反応層中の酸 素含有率は前記グレーズ層に接する面から前記発熱抵抗体に接する面へと連統的 に変化していることを特徴とする請求項 1 6記載のサーマルへッ ド。
1 9 . 前記反応雇の厚さは、 前記発熱抵抗体の履の厚さの 1/3 から 1/30の範囲 内にあることを特微とする請求項 1 6記載のサーマルへッ ド。
2 0. 支持基体の一主面に形成されたグレーズ層上に発熱抵抗体を形成するェ 程と、 前 Eグレーズ雇および発熱抵抗体が形成された支持基体を前記グレーズ屦 のガラス転移点以上吹化点以下の温度で熱処理する工程を具備していることを待 徴とするサーマルへッ ドの製造方法。
2 1 . 前記熱処理工程は、 前記グレーズ騸の屈伏点以上钦化点以下の温度で熱 処理することを特微とする請求項 2 0記載のサーマルへッ ドの製造方法。
2 2 . 前記発熱抵抗体の履の厚さは 0. 1 t D 以下であることを特微とする請求 項 2 0または 2 1記載のサーマルへッ ドの製造方法。
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