JPS63256461A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
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- JPS63256461A JPS63256461A JP62090586A JP9058687A JPS63256461A JP S63256461 A JPS63256461 A JP S63256461A JP 62090586 A JP62090586 A JP 62090586A JP 9058687 A JP9058687 A JP 9058687A JP S63256461 A JPS63256461 A JP S63256461A
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- boron nitride
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- thermal head
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Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、感熱記録に用いられるサーマルヘッドに関
する。
する。
(従来の技術)
従来のこの種のサーマルヘッドとしては、第4図に示す
ようなものが知られている。
ようなものが知られている。
第4図において、3はアルミナセラミクス基板、4はガ
ラスグレーズ層、2は発熱抵抗体、5は一対の電極、8
は保護層である。
ラスグレーズ層、2は発熱抵抗体、5は一対の電極、8
は保護層である。
ここで、保護層8は二酸化硅素(Si02)層6と五酸
化タンタル(Ta205)層7の2層で形成されており
、S ! 02 層6は発熱抵抗体2の酸化防止層とし
て、また、Ta205層7は耐摩耗層として作用し、い
ずれもスパッタリング法により形成される。
化タンタル(Ta205)層7の2層で形成されており
、S ! 02 層6は発熱抵抗体2の酸化防止層とし
て、また、Ta205層7は耐摩耗層として作用し、い
ずれもスパッタリング法により形成される。
(この発明が解決しようとする問題点)近年、サーマル
ヘッドの総合的な性能の向上にともない、その保護層に
対する性能の向上が望まれている。
ヘッドの総合的な性能の向上にともない、その保護層に
対する性能の向上が望まれている。
すなわち、高速印画を可能にするためには、保護層は耐
熱衝撃性が高く、また、熱応答特性を良くするために熱
伝導率が高く比熱の小さい材料が好ましい。
熱衝撃性が高く、また、熱応答特性を良くするために熱
伝導率が高く比熱の小さい材料が好ましい。
また、長寿命化を図るためには、耐摩耗性の高い材料、
すなわち、硬度の高い材料が好ましい。
すなわち、硬度の高い材料が好ましい。
しかしながら、従来の保護層では、以上のような要求を
充分満足できず、このような保護層を有するサーマルヘ
ッドでは、耐熱衝撃性、熱応答性、耐久性等を改善する
ことができないという問題点があった。また、酸化防止
層と耐摩耗層とが異る材料から保護層が成るためプロセ
スが複雑になりコストの面で不利であるという問題点も
あった。
充分満足できず、このような保護層を有するサーマルヘ
ッドでは、耐熱衝撃性、熱応答性、耐久性等を改善する
ことができないという問題点があった。また、酸化防止
層と耐摩耗層とが異る材料から保護層が成るためプロセ
スが複雑になりコストの面で不利であるという問題点も
あった。
(問題点を解決するための手段)
本発明者は、上記のような要求を満たすためには、軽元
素から成り原子間結合力の強い材料が良いと判断し、そ
の観点から各種薄膜を形成して実験を行ったところ、窒
化硼素膜が硬度、耐熱衝撃性、熱伝導率、気密性に優れ
、したがって、サーマルヘッドの保IFWとして適当で
あることを見出し、この発明を成すに至った。
素から成り原子間結合力の強い材料が良いと判断し、そ
の観点から各種薄膜を形成して実験を行ったところ、窒
化硼素膜が硬度、耐熱衝撃性、熱伝導率、気密性に優れ
、したがって、サーマルヘッドの保IFWとして適当で
あることを見出し、この発明を成すに至った。
すなわち、窒化硼素は一般に、高硬度で熱衝撃に強く、
熱伝導率が大きく、化学的にも安定で、気密性も高い材
料として知られている。しかし、従来、窒化硼素膜は、
熱CVD法を用いてBCL +NH3→BN+38C
Il、の反応により、1000’C以上の高温で形成さ
れていたが、高温プロセスであることと、反応生成物と
してHCl1.ができることからその用途は限られてい
た。
熱伝導率が大きく、化学的にも安定で、気密性も高い材
料として知られている。しかし、従来、窒化硼素膜は、
熱CVD法を用いてBCL +NH3→BN+38C
Il、の反応により、1000’C以上の高温で形成さ
れていたが、高温プロセスであることと、反応生成物と
してHCl1.ができることからその用途は限られてい
た。
ところが、近年、プラズマCVD法で、B2 H6+
2 N H3→2BN+682の反応による方法をはじ
めとして、反応性イオンブレーティング法や、スパッタ
リング法などにより400℃以下の低温でも窒化硼素膜
を形成することが可能となり、サーマルヘッド保護層へ
の使用が可能となった。
2 N H3→2BN+682の反応による方法をはじ
めとして、反応性イオンブレーティング法や、スパッタ
リング法などにより400℃以下の低温でも窒化硼素膜
を形成することが可能となり、サーマルヘッド保護層へ
の使用が可能となった。
したがって、この発明は、発熱抵抗体と、これに通電す
るための一対の電極と、該抵抗体上に形成された保護層
とからなるサーマルヘッドに於いて、前記保護層として
窒化硼素を使用したものである。
るための一対の電極と、該抵抗体上に形成された保護層
とからなるサーマルヘッドに於いて、前記保護層として
窒化硼素を使用したものである。
(作用)
この発明においては、保護層として窒化硼素を使用した
ため、熱応答性および耐熱衝撃性を高めることができ、
高速印画、高濃度印画が可能となった。また、保護層の
剛性を高めることができたので、耐久性を向上させるこ
とができた。さらに、保護層の形成時間を短縮すること
ができたので、コストを低減することができた。
ため、熱応答性および耐熱衝撃性を高めることができ、
高速印画、高濃度印画が可能となった。また、保護層の
剛性を高めることができたので、耐久性を向上させるこ
とができた。さらに、保護層の形成時間を短縮すること
ができたので、コストを低減することができた。
(実施例)
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図はこの発明の一実施例を示した図である。
なお、従来と同一構成部分については同一符号を付して
その説明を省略する。
その説明を省略する。
まず、構造を説明すると、第1図において、1は単層の
保護層であり、この保護層1としては窒化硼素を使用し
ている。その厚さは、例えば0.5〜10μmの範囲と
するが、好ましくは3μ卯程度である。
保護層であり、この保護層1としては窒化硼素を使用し
ている。その厚さは、例えば0.5〜10μmの範囲と
するが、好ましくは3μ卯程度である。
窒化硼素膜は熱伝導率がアルミニウムと同程度であり、
二酸化硅素膜や五酸化タンタル膜よりも十倍以上大きく
、比熱も小さいため、発熱抵抗体2の温度変化に対して
、その表面の温度変化の応答が速い。また、高速でサー
マルヘッドを駆動しても耐熱衝撃性が高いため、クラッ
クが生じにくい。したがって、従来のサーマルヘッドと
比べて高速印画が可能になった。
二酸化硅素膜や五酸化タンタル膜よりも十倍以上大きく
、比熱も小さいため、発熱抵抗体2の温度変化に対して
、その表面の温度変化の応答が速い。また、高速でサー
マルヘッドを駆動しても耐熱衝撃性が高いため、クラッ
クが生じにくい。したがって、従来のサーマルヘッドと
比べて高速印画が可能になった。
また、そのビッカース硬度は五酸化タンタル膜が100
0に’J/rra2以下であるのに対して、窒化硼素膜
は3000Ky/mm2以上であるため、耐摩耗性が高
く長寿命化が可能になった。
0に’J/rra2以下であるのに対して、窒化硼素膜
は3000Ky/mm2以上であるため、耐摩耗性が高
く長寿命化が可能になった。
また、窒化硼素膜は気密性が高いので、−+=で、耐摩
耗層と酸化防止層とを兼ねることができた。
耗層と酸化防止層とを兼ねることができた。
次に、製造方法を第2図(A)〜(C)に基づいて順次
説明する。
説明する。
まず、第2図(A>に示すようにアルミナセラミクス基
板3上にスクリーン印刷によりガラスグレーズ層4を印
刷し焼成した。次に、第2図(B)に示すように、グレ
ーズ層4の上に Ta 5io2サーメツト膜をスパッタリング法によ
り形成し、フォトリソ・エツチングによりパターニング
して発熱抵抗体2を形成した。次に、第2図(C)に示
すように、NiCr/Au膜を真空蒸着法により形成し
て、フォトリソ・エツチングによりパターニングして一
対の電極5を形成した。
板3上にスクリーン印刷によりガラスグレーズ層4を印
刷し焼成した。次に、第2図(B)に示すように、グレ
ーズ層4の上に Ta 5io2サーメツト膜をスパッタリング法によ
り形成し、フォトリソ・エツチングによりパターニング
して発熱抵抗体2を形成した。次に、第2図(C)に示
すように、NiCr/Au膜を真空蒸着法により形成し
て、フォトリソ・エツチングによりパターニングして一
対の電極5を形成した。
最後に第1図に示すようにBHとNH3とを原料ガスと
して使用してプラズマCVD法により窒化硼素で保護層
1を0.5〜10μ瓦、好ましくは3μmの厚さに形成
した。
して使用してプラズマCVD法により窒化硼素で保護層
1を0.5〜10μ瓦、好ましくは3μmの厚さに形成
した。
このようにして製造したザーマルヘッドで印画を行った
ところ、従来よりも速い発熱周期で駆動しても、高濃度
で鮮明な画質が得られた。また、第3図にように、ステ
ップ・ストレス・テスト(SST)で耐久性をテストし
たところ、本発明(曲線A)では従来のもの(曲線B)
より高いパワーまで保護層1にクラックが入ることがな
く高い耐久性を示した。また、摩耗試験を行って摩耗母
を測定したところ、従来の五酸化タンタル膜と比べて2
分の1以下の摩耗伍であった。
ところ、従来よりも速い発熱周期で駆動しても、高濃度
で鮮明な画質が得られた。また、第3図にように、ステ
ップ・ストレス・テスト(SST)で耐久性をテストし
たところ、本発明(曲線A)では従来のもの(曲線B)
より高いパワーまで保護層1にクラックが入ることがな
く高い耐久性を示した。また、摩耗試験を行って摩耗母
を測定したところ、従来の五酸化タンタル膜と比べて2
分の1以下の摩耗伍であった。
以上のように、この実施例においては、保護層1の熱伝
導率が大きいため熱応答特性が優れており、かつ、耐熱
衝撃性が高くてクラックを生じにくいので、高速印画が
可能になる。
導率が大きいため熱応答特性が優れており、かつ、耐熱
衝撃性が高くてクラックを生じにくいので、高速印画が
可能になる。
また、保護図1の硬度が高いので耐摩耗性に優れ、長寿
命化が可能であり、また従来程度の寿命を持たせる場合
は膜厚が薄くて済むため、熱応答性がさらに良くなり、
膜形成のコストも低減することができる。
命化が可能であり、また従来程度の寿命を持たせる場合
は膜厚が薄くて済むため、熱応答性がさらに良くなり、
膜形成のコストも低減することができる。
また、発熱抵抗体2で発生した熱が保護層1を通して記
録媒体(感熱紙あるいはインクシート)へ効率良く伝わ
るために、熱効率が向上し、低いパワーで高濃度の印画
が得られる。
録媒体(感熱紙あるいはインクシート)へ効率良く伝わ
るために、熱効率が向上し、低いパワーで高濃度の印画
が得られる。
ざらに、従来の二酸化硅素と五酸化タンタルの二層から
成る保護層8は、スパッタリング法により形成されるた
め、膜形成の速度が遅く、保護層8の形成に相当長い時
間を要したが、この実施例ではプラズマCVD法または
反応性イオンブレーティング法で窒化硼素膜を形成する
ことにより、保護層1の形成時間を大幅に短縮すること
ができ、¥A造ココスト低減することができる。
成る保護層8は、スパッタリング法により形成されるた
め、膜形成の速度が遅く、保護層8の形成に相当長い時
間を要したが、この実施例ではプラズマCVD法または
反応性イオンブレーティング法で窒化硼素膜を形成する
ことにより、保護層1の形成時間を大幅に短縮すること
ができ、¥A造ココスト低減することができる。
(発明の効果)
以上説明してきたように、この発明によれば、保護層と
して窒化硼素を使用したため、熱応答性および耐熱衝撃
性を高めることができ、高速印画、高濃度印画が可能と
なる。
して窒化硼素を使用したため、熱応答性および耐熱衝撃
性を高めることができ、高速印画、高濃度印画が可能と
なる。
また、保¥!i層の剛性を高めることができ、耐久性を
向上させることができる。ざらに、保護層の形成時間を
短縮することができ、コストを低減することもできる。
向上させることができる。ざらに、保護層の形成時間を
短縮することができ、コストを低減することもできる。
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図、第2図(A
)〜(C)は製造方法を説明するための各説明図、第3
図は印加パワーと抵抗変化率との関係を示すグラフ、第
4図は従来例を示す断面図である。 1・・・保護層(窒化硼素)、 2・・・発熱抵抗体、 3・・・アルミナセラミクス基板、 4・・・グレーズ層、 5・・・電極、 6・・・二酸化硅素層、 7・・・五酸化タンタル層。
)〜(C)は製造方法を説明するための各説明図、第3
図は印加パワーと抵抗変化率との関係を示すグラフ、第
4図は従来例を示す断面図である。 1・・・保護層(窒化硼素)、 2・・・発熱抵抗体、 3・・・アルミナセラミクス基板、 4・・・グレーズ層、 5・・・電極、 6・・・二酸化硅素層、 7・・・五酸化タンタル層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 発熱抵抗体と、これに通電するための一対の電極と、該
抵抗体上に形成された保護層とからなるサーマルヘッド
に於いて、 前記保護層として窒化硼素を使用したことを特徴とする
サーマルヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62090586A JPS63256461A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62090586A JPS63256461A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63256461A true JPS63256461A (ja) | 1988-10-24 |
Family
ID=14002554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62090586A Pending JPS63256461A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63256461A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0782152A1 (en) * | 1994-09-13 | 1997-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal head and its manufacture |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP62090586A patent/JPS63256461A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0782152A1 (en) * | 1994-09-13 | 1997-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal head and its manufacture |
EP0782152A4 (en) * | 1994-09-13 | 1999-08-11 | Toshiba Kk | THERMAL HEAD AND ITS MANUFACTURE |
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