JPS604077A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
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- JPS604077A JPS604077A JP58113358A JP11335883A JPS604077A JP S604077 A JPS604077 A JP S604077A JP 58113358 A JP58113358 A JP 58113358A JP 11335883 A JP11335883 A JP 11335883A JP S604077 A JPS604077 A JP S604077A
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- Japan
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- sialon
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- film
- oxidation
- resistor
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Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
プリンタには、レーザプリンタなどのように感光ドラム
に静電潜像を形成し、それを現像して印字媒体に転写す
る静電式ないし電子写真式のものと、印字媒体をインク
リボンの上からワイヤで選択的に加圧してインパクト式
に印字するものと、サーマルヘッドで熱転写リボンを選
択的に加熱溶融させて転写する熱転写式とがある。本発
明は、熱転写リボンを加熱して熱転写印字するプリンタ
において、熱転写リボンを選択的に加熱するサーマルヘ
ッドに関する。
に静電潜像を形成し、それを現像して印字媒体に転写す
る静電式ないし電子写真式のものと、印字媒体をインク
リボンの上からワイヤで選択的に加圧してインパクト式
に印字するものと、サーマルヘッドで熱転写リボンを選
択的に加熱溶融させて転写する熱転写式とがある。本発
明は、熱転写リボンを加熱して熱転写印字するプリンタ
において、熱転写リボンを選択的に加熱するサーマルヘ
ッドに関する。
第１図は、従来のサーマルヘッドの断面図である。１は
アルミナを焼結して成る基板で、その上に’ｒａＮ（窒
化タンタル）から成る抵抗体をスパッタし、抵抗膜２を
形成しである。そして該抵抗ＨｆＡ２の両側に、ＮｉＣ
ｒ、Ａｕ＋Ｃｒを順次蒸着し、ホトリソグラフ技法によ
りパクーニングを行なって電極導体３１．３２を形成す
る。第２図は、このように基板１上で抵抗膜２の両側に
電極導体３１．３２を設けた状態の斜視図である。この
図から明らかなように、両側に電極導体３１．３２を備
えた。
アルミナを焼結して成る基板で、その上に’ｒａＮ（窒
化タンタル）から成る抵抗体をスパッタし、抵抗膜２を
形成しである。そして該抵抗ＨｆＡ２の両側に、ＮｉＣ
ｒ、Ａｕ＋Ｃｒを順次蒸着し、ホトリソグラフ技法によ
りパクーニングを行なって電極導体３１．３２を形成す
る。第２図は、このように基板１上で抵抗膜２の両側に
電極導体３１．３２を設けた状態の斜視図である。この
図から明らかなように、両側に電極導体３１．３２を備
えた。
抵抗膜２・・・が１列に配設されている。そして電極導
体３１と３２との間に通電して所望の抵抗膜２を発熱さ
せることで、図示されていない熱転写リボンを選択的に
加熱し、熱転写を行なう。ラインプリンタなどの場合は
、抵抗膜２・・・が印字用紙の紙送り方向と直角方向に
、かつ全印字領域にわたって配列されている。
体３１と３２との間に通電して所望の抵抗膜２を発熱さ
せることで、図示されていない熱転写リボンを選択的に
加熱し、熱転写を行なう。ラインプリンタなどの場合は
、抵抗膜２・・・が印字用紙の紙送り方向と直角方向に
、かつ全印字領域にわたって配列されている。
第２図のような複数の抵抗膜２と電極導体３１．３２の
上に、５ｉＯｚ （酸化シリコン）をスパッタして耐酸
化層４を形成し、酸化し易いＴａＮ抵抗膜２の酸化を防
止している。更にその上にＴａ２０ｓ（酸化クンタル）
をスパッタして耐摩耗層６を形成し、熱転写リボンとΦ
摺動による摩耗を防止している。
上に、５ｉＯｚ （酸化シリコン）をスパッタして耐酸
化層４を形成し、酸化し易いＴａＮ抵抗膜２の酸化を防
止している。更にその上にＴａ２０ｓ（酸化クンタル）
をスパッタして耐摩耗層６を形成し、熱転写リボンとΦ
摺動による摩耗を防止している。
しかしながら耐酸化層４である５ｉＯｚは熱伝導率が悪
く、印字速度を低下させる要因になっている。また熱膨
張率が基板１の材料であるＡｌ２Ｏ３と比べて１指手さ
いので、熱パルスを加えているうちにクランクが入り易
い。そのために５ｉＯｚ製耐酸化層４のクランクから空
気が侵入して抵抗膜２・・・を酸化させ、抵抗値が増大
して断線するなどの欠点がある。またＴａｚＯｓは比較
的軟らかいため、Ｔａ２０５を耐摩耗層とするには、膜
厚を厚くしなければならない。そうするとＳｉＯ２の熱
伝導率が悪いことと相俟って熱伝達が一層遅くなり、印
字速度を更に低下させる。
く、印字速度を低下させる要因になっている。また熱膨
張率が基板１の材料であるＡｌ２Ｏ３と比べて１指手さ
いので、熱パルスを加えているうちにクランクが入り易
い。そのために５ｉＯｚ製耐酸化層４のクランクから空
気が侵入して抵抗膜２・・・を酸化させ、抵抗値が増大
して断線するなどの欠点がある。またＴａｚＯｓは比較
的軟らかいため、Ｔａ２０５を耐摩耗層とするには、膜
厚を厚くしなければならない。そうするとＳｉＯ２の熱
伝導率が悪いことと相俟って熱伝達が一層遅くなり、印
字速度を更に低下させる。
本発明の目的は、従来のサーマルヘッドにおけるこのよ
うな問題を解消し、保護膜にクランクが発生し難く耐酸
化性にも優れ、且つ薄くて熱伝達が速く、しかも耐摩耗
性に優れた長寿命のサーマルヘッドを実現することにあ
る。
うな問題を解消し、保護膜にクランクが発生し難く耐酸
化性にも優れ、且つ薄くて熱伝達が速く、しかも耐摩耗
性に優れた長寿命のサーマルヘッドを実現することにあ
る。
この目的を達成するために講じた本発明による技術的手
段は、絶縁基板上に発熱用の抵抗体と電極用の導体層を
備えたサーマルヘッドにおいて、該抵抗体と導体層の上
に耐酸化と耐摩耗を兼ねた１つの保護層を設け、しかも
この保護層を、Ｓｉ＋＾１．０．Ｎの系から成る化合物
であるサイアロンで構成している。
段は、絶縁基板上に発熱用の抵抗体と電極用の導体層を
備えたサーマルヘッドにおいて、該抵抗体と導体層の上
に耐酸化と耐摩耗を兼ねた１つの保護層を設け、しかも
この保護層を、Ｓｉ＋＾１．０．Ｎの系から成る化合物
であるサイアロンで構成している。
（発明の実施例〕
次に本発明によるサーマルヘッドが実際上どのように具
体化されるかを実施例で説明する。第３図は本発明によ
るサーマルヘッドを、第１図に対応して示した断面図で
ある。本発明の場合も、グレーズドアルミナ基板１の上
に、ＴａＮから成る抵抗膜２が蒸着され・そ０上に第２
図０よ侃０対に 蒐なった電極導体３１．３２が形成さ
れている。そしてこれらの上から、保護膜６が蒸着され
ている。
体化されるかを実施例で説明する。第３図は本発明によ
るサーマルヘッドを、第１図に対応して示した断面図で
ある。本発明の場合も、グレーズドアルミナ基板１の上
に、ＴａＮから成る抵抗膜２が蒸着され・そ０上に第２
図０よ侃０対に 蒐なった電極導体３１．３２が形成さ
れている。そしてこれらの上から、保護膜６が蒸着され
ている。
この保護１１１６は、サイアロン（５４−ＡＩ−０−Ｎ
）から成っている。
）から成っている。
サイアロンは５ｉｔＡＩ＋０＋Ｎの系から成る化合物群
の総称で、Ｓｉｚ Ｎｔ ＡｌＮ−Ａｌ２０３−３ｉｏ
ｚ系状態図（１７００℃）が知られ、大別するとシリコ
ンナイトライド型サイアロン（β”−５ｉａｌｏｎ）と
アルミニウムナイトライド型ザイアロン（８Ｈ，１２Ｈ
，１５Ｒ，２１Ｒ１２７Ｒなど）がある。製法としては
、１８００℃前後でシリコンナイトライドとアルミナと
の混合物を焼結して得られる。
の総称で、Ｓｉｚ Ｎｔ ＡｌＮ−Ａｌ２０３−３ｉｏ
ｚ系状態図（１７００℃）が知られ、大別するとシリコ
ンナイトライド型サイアロン（β”−５ｉａｌｏｎ）と
アルミニウムナイトライド型ザイアロン（８Ｈ，１２Ｈ
，１５Ｒ，２１Ｒ１２７Ｒなど）がある。製法としては
、１８００℃前後でシリコンナイトライドとアルミナと
の混合物を焼結して得られる。
サイアロンの性質はＴａ２ｅｓよりも硬く、５ｉＣ（シ
リコンカーバイド）と同程度である。即ちピンカース硬
度で１０００〜４０００ （ＲＴ）程度である。さらに
粘りがあって、熱パルスによるクランクが発生し難い。
リコンカーバイド）と同程度である。即ちピンカース硬
度で１０００〜４０００ （ＲＴ）程度である。さらに
粘りがあって、熱パルスによるクランクが発生し難い。
また第４図に示すように耐酸化性に優れていることが発
見された。第４図のように耐酸化性に関しては、１４０
０℃の空気中における酸化増量が、半導体装置の絶縁層
として使用される５ｉ３Ｎ１よりはるかに優れ、ＳｉＣ
よりやや劣る程度である。なおＳｉＣは、このように耐
酸化性が良く、硬度も大きいが、熱パルスによりクラン
クが発生し易い。耐摩耗性に関しては、サイアロンは１
４００℃でも強度低下しないことが認められた。またＳ
ｉＯ２は熱膨張率が０．４Ｘ １０’／を程度であるが
、Ｓｉ−＾１−０−Ｎは、２〜５．５ｘ １０−’／
’ＣとＡ１２０３と差がなく、熱パルスを受けてもクラ
ンクが生じにくい。
見された。第４図のように耐酸化性に関しては、１４０
０℃の空気中における酸化増量が、半導体装置の絶縁層
として使用される５ｉ３Ｎ１よりはるかに優れ、ＳｉＣ
よりやや劣る程度である。なおＳｉＣは、このように耐
酸化性が良く、硬度も大きいが、熱パルスによりクラン
クが発生し易い。耐摩耗性に関しては、サイアロンは１
４００℃でも強度低下しないことが認められた。またＳ
ｉＯ２は熱膨張率が０．４Ｘ １０’／を程度であるが
、Ｓｉ−＾１−０−Ｎは、２〜５．５ｘ １０−’／
’ＣとＡ１２０３と差がなく、熱パルスを受けてもクラ
ンクが生じにくい。
このように利点の多いＳｔ−＾１−０−Ｎをホントプレ
スにて、スパッタターゲットを作成し、Ａｒガス３ ４、ＯＸ １０ Ｔｏｒｒにて、４μ有スパツタした。
スにて、スパッタターゲットを作成し、Ａｒガス３ ４、ＯＸ １０ Ｔｏｒｒにて、４μ有スパツタした。
こうしてできたサンプルを用いてステップストレス試験
を行なったところ、Ｔａ２０５より硬くかつクランクが
発生し雌いために、長寿命であることが確認された。ま
た従来のＴａｘｅｓ製耐摩耗層５と同程度またはそれ以
下の膜厚で足りるので、１層構成により成膜工程が簡素
化されたことに加えて、スパッタに要する時間も短縮さ
れる。
を行なったところ、Ｔａ２０５より硬くかつクランクが
発生し雌いために、長寿命であることが確認された。ま
た従来のＴａｘｅｓ製耐摩耗層５と同程度またはそれ以
下の膜厚で足りるので、１層構成により成膜工程が簡素
化されたことに加えて、スパッタに要する時間も短縮さ
れる。
第５図は本発明の応用例を示す断面図で、第３図と異な
り、５ｔ−ＡＩ−０−Ｎから成る保護膜６潰下に、第１
図の場合と同様に、耐酸化層４を設けである。
り、５ｔ−ＡＩ−０−Ｎから成る保護膜６潰下に、第１
図の場合と同様に、耐酸化層４を設けである。
耐酸化層４としては、５ｉＯｚ 、ＳｉＯｘＮｙ （、
ｘ≠０、ｙ≠０）を０．１〜２μ（イ）スパッタにて形
成する。この構成は、耐酸化性は向上するが、２層構成
なため、製造工程が増え、熱伝導に時間がかかる問題が
発生する。
ｘ≠０、ｙ≠０）を０．１〜２μ（イ）スパッタにて形
成する。この構成は、耐酸化性は向上するが、２層構成
なため、製造工程が増え、熱伝導に時間がかかる問題が
発生する。
以上のように本発明によれば、発熱用の抵抗体と電極用
の導体層の上に、耐酸化と耐摩耗を兼ねたサイアロン（
５ｔ−ＡＩ−０−、、Ｎ）からなる１層の保護膜を形成
している。このように保護膜が１層ですむので、製造工
程および製造装置が簡単になり、コストダウンが実現さ
れる。また保護膜の耐クランク性も向上し、クラックに
よる抵抗体の酸化を確実に防止することが可能となり、
長寿命のサーマルヘッドが得られる。しかも薄い保護層
を１層設けるだけなため、熱伝導が速く印字速度が向上
し、熱転写プリンタの欠点である印字速度の問題も改善
される。
の導体層の上に、耐酸化と耐摩耗を兼ねたサイアロン（
５ｔ−ＡＩ−０−、、Ｎ）からなる１層の保護膜を形成
している。このように保護膜が１層ですむので、製造工
程および製造装置が簡単になり、コストダウンが実現さ
れる。また保護膜の耐クランク性も向上し、クラックに
よる抵抗体の酸化を確実に防止することが可能となり、
長寿命のサーマルヘッドが得られる。しかも薄い保護層
を１層設けるだけなため、熱伝導が速く印字速度が向上
し、熱転写プリンタの欠点である印字速度の問題も改善
される。
第１図は従来のサーマルヘッドの断面図、第２図はその
内部構成の斜視図、第３図は本発明の実施例を示す断面
図、第４図はサイアロン（５ｉ−Ａｌ−０−Ｎ）の耐酸
化特性を示す図、第５図は本発明の応用ｆ、〕（を示す
断面図である。 図において、ｌはグレーズドアルミナ基板、２は抵抗体
、３１．３２は電極導体、４は耐酸化層、５は耐摩耗層
、６はサイアロン（Ｓｉ−ＡＩ−０−Ｎ）から成る保護
層をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社。 代理人 弁理士 青 柳 稔 嶌 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
内部構成の斜視図、第３図は本発明の実施例を示す断面
図、第４図はサイアロン（５ｉ−Ａｌ−０−Ｎ）の耐酸
化特性を示す図、第５図は本発明の応用ｆ、〕（を示す
断面図である。 図において、ｌはグレーズドアルミナ基板、２は抵抗体
、３１．３２は電極導体、４は耐酸化層、５は耐摩耗層
、６はサイアロン（Ｓｉ−ＡＩ−０−Ｎ）から成る保護
層をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社。 代理人 弁理士 青 柳 稔 嶌 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 絶縁基板上に発熱用の抵抗体と電極用の導体層を備えた
サーマルヘッドにおいて、該抵抗体と導体層の上に耐酸
化と耐摩耗を兼ねた１つの保護層を設け、しかもこの保
護層を、Ｓｉ＋ＡｌｔＯ＋Ｈの系から成る化合物である
サイアロンで構成したことを特徴とするサーマルヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113358A JPS604077A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113358A JPS604077A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | サ−マルヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604077A true JPS604077A (ja) | 1985-01-10 |
| JPH0334469B2 JPH0334469B2 (ja) | 1991-05-22 |
Family
ID=14610250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113358A Granted JPS604077A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604077A (ja) |
Cited By (10)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS61102533U (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-30 | ||
| JPS623968A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-09 | Noritake Co Ltd | 耐摩耗性薄膜サ−マルヘツド |
| JPS62121069A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-02 | Mitsubishi Metal Corp | 感熱記録用ヘツド |
| JPS62164207A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-20 | Mitsubishi Metal Corp | 磁気記録体 |
| JPS6378760A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | Mitsubishi Metal Corp | 感熱記録用ヘツドの保護層形成用スパツタリングタ−ゲツト材 |
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| JP2009525506A (ja) * | 2006-02-03 | 2009-07-09 | ソニー エリクソン モバイル コミュニケーションズ， エービー | ディスプレイ・ウインドウカバー組立品および電子デバイスおよびその電子デバイスの使用方法 |
| JP2012071592A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-04-12 | Kyocera Corp | サーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタ |
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| JPS5630875A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-28 | Toshiba Corp | Thermal head |
| JPS5774177A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-10 | Toshiba Corp | Thin film thermal head |
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-
1983
- 1983-06-23 JP JP58113358A patent/JPS604077A/ja active Granted
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Also Published As
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|---|---|
| JPH0334469B2 (ja) | 1991-05-22 |
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