CN1078850C - 热敏打印头、相应的制造方法、记录装置、烧结体及靶 - Google Patents

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Abstract

在利用溅射法制造热记录头的保护层和发热电阻体底层的方法中，靶是氮化硅、二氧化硅、氧化镁粉状体的烧结体，通过调整该粉状体的粒径，防止溅射过程中靶的一部分剥离。

Description

热敏打印头、相应的制造方法、记录装置、烧结体及靶
技术领域
本发明涉及以传真或孔板印刷等为代表的各种OA机器中使用的热敏打印头、该热敏打印头的制造方法、使用该热敏打印头的记录装置、以及在构成该热敏打印头的保护层和发热电阻体底层形成时很适用的烧结体及靶。
背景技术
进年来，由于热敏打印头具有噪音低、维修费用低及运转费用低等优点，所以被广泛地用于传真或孔板印刷等各种OA机器的热敏式记录装置中。
一般来说，热敏打印头如下构成。即，在氧化铝基体上形成玻璃釉层，在玻璃釉层上形成发热电阻体层及铝等的导电层后，利用光刻技术形成发热电阻体及电极。再利用溅射法等的薄膜形成技术形成被覆保护发热电阻体及电极用的保护层而构成。另外，为了防止氧从玻璃釉层向发热电阻体扩散，保持发热电阻体的特性，有时在形成于氧化铝基体上的玻璃釉层和发热电阻体之间还形成发热电阻体底层。
保护层和发热电阻体底层的形成例如是利用将由氮化硅和二氧化硅构成的粉状体的烧结体作为靶的溅射法等的薄膜形成技术进行的，可是在形成保护层和发热电阻体底层时，往往有异物(飞溅物)进入保护层和发热电阻体底层。该异物是存在于热敏打印头的制造环境中的悬浮粉尘、来自制造装置或人体的发散物，它附着在热敏打印头的保护层和发热电阻体底层的上下层及层内。特别是，关于异物的发生源的问题，可以举出作为靶使用的烧结体。
即，随着净化室等的净化技术的进步，与以往相比，热敏打印头的制造环境能保持得非常清洁，悬浮粉尘和来自制造装置或人体的发散物的大部分都能被除去。可是，在利用溅射法等形成保护层和发热电阻体底层时，将从作为靶的烧结体飞散而附着在保护层和发热电阻体底层上的异物除去就难了。因此，从烧结体飞散的异物就附着在保护层和发热电阻体底层上并渗入其中。从作为靶的烧结体产生异物的原因，是由于构成烧结体的颗粒的大小不同、或者是由气孔等造成的烧结体的局部密度不同，在形成薄膜时烧结体消耗的原子在局部发生偏差，结果在烧结体的表面上便产生了微小的凹凸部分，特别是由于凸部发生的异常放电，使得烧结体的一部分剥离所致。就是说，剥离下来的烧结体的一部分作为异物从烧结体飞散出去而附着在保护层和发热电阻体底层上。
这样一来，在烧结体的一部分作为异物进入保护层中的热敏打印头中，通过异物和记录媒体的接触，异物从保护层剥离，从而在保护层中的异物剥离的部位产生了针孔。另外，在剥离下来的异物又被卷入剥离部位的周边部分的情况下，周边部分的保护层遭到破坏。
水和腐蚀性物质等容易进入这样产生的针孔和保护层的破坏部分，造成电极和发热电阻体的腐蚀、劣化，存在热敏打印头的特性受损害的问题。
另外，在异物进入了发热电阻体底层的情况下，特别是由于在发热电阻体底层上形成的发热电阻体层等中产生缺陷，引起发热电阻体的电阻值等的特性异常，存在发热电阻体的寿命等的品质劣化的问题。
另外，由于安装在记录装置中的热敏打印头的特性或寿命等的品质受到影响，所以存在由记录装置记录在记录媒体上的图象的质量下降的问题。
本发明就是为了解决上述现有的问题而完成的，其目的在于提供一种能减少保护层和发热电阻体底层上产生的针孔及保护层和发热电阻体底层的破坏、同时耐环境性能好、可靠性高的高品位的热敏打印头。
另外，本发明的目的在于提供一种能保护发热电阻体的特性及品质、可靠性高的高品位的热敏打印头。
另外，本发明的目的在于提供一种能减少保护层上产生的针孔及保护层的破坏、同时耐环境性能好、可靠性高的高品位的热敏打印头的制造方法。
另外，本发明的目的在于提供一种能保护发热电阻体的特性及品质、可靠性高的高品位的热敏打印头的制造方法。
另外，本发明的目的在于提供一种安装了能保护发热电阻体的特性及品质、可靠性高的高品位的热敏打印头的稳定地输出高质量的记录图象的记录装置。
另外，本发明的目的在于提供一种安装了能减少保护层上产生的针孔及保护层的破坏、同时耐环境性能好、可靠性高的高品位的热敏打印头的稳定地输出高质量的记录图象的记录装置。
另外，本发明的目的在于提供一种在热敏打印头的保护层和发热电阻体底层等的形成时很适用的烧结体。
另外，本发明的目的在于提供一种在热敏打印头的保护层和发热电阻体底层等的形成时很适用的靶。
发明的公开
本申请发明的第一方面的热敏打印头的特征在于备有：支撑基体；配置在上述支撑基体上的发热电阻体；与上述发热电阻体连接的电极；以及将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶、通过溅射形成了被覆在上述发热电阻体及上述电极上的保护层。
如果采用本申请发明的第一方面的热敏打印头，则由于将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶，利用溅射法形成了被覆在发热电阻体及电极上的保护层，能抑制由靶引起的异物(飞溅物)的产生，所以能获得能抑制异物进入的保护层。
另外，本申请发明的第二方面的热敏打印头的特征在于备有：支撑基体；配置在上述支撑基体上的玻璃釉层；将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶、通过溅射而在上述玻璃釉层上形成的发热电阻体底层；配置在上述支撑基体上的发热电阻体；与上述发热电阻体连接的电极；以及将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶、通过溅射形成了被覆在上述发热电阻体及上述电极上的保护层。
如果采用本申请发明的第二方面的热敏打印头，则由于将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶，利用溅射法形成了玻璃釉层上的发热电阻体底层和被覆在发热电阻体及电极上的保护层，能抑制由靶引起的异物(飞溅物)的产生，所以能获得能抑制异物进入的发热电阻体底层及保护层。
如上所述，如果异物进入保护层及发热电阻体底层，就会在热敏打印头上产生结构性的及功能性的缺陷。可是，如果采用本申请的第一及第二方面的热敏打印头，则由于能抑制异物进入保护层，所以能使该保护层的硬度和耐磨损性能好，同时表面状态和膜厚的均匀性也好，所以能提高耐环境性、耐久性及可靠性。另外，如果采用本申请的第二方面的热敏打印头，则由于能抑制异物进入发热电阻体底层，所以能使该发热电阻体底层的表面状态和膜厚的均匀性也好，能使发热电阻体的膜厚均匀，所以能抑制由该发热电阻体的局部引起的电阻值的变化。另外，由于发热电阻体底层的化学上的及物理上的稳定性好，所以能防止发热电阻体随时间的推移而劣化，能提高发热电阻体的寿命。另外，由于发热电阻体底层能有效地阻止来自玻璃釉层的氧等的扩散，所以能抑制由玻璃釉层引起的发热电阻体的电阻值的变化。
这里，所谓物质的表面，可以这样来规定，即在某物质被置于真空中的情况下，从构成物质的原子的中心看，至少在特定的方向上在足够长的距离内找不到其它原子的表面原子的集合。另外，膜的厚度是这样规定的，即如图4所示，由作为基板18的一侧的表面原子的集合(GS)的平均面规定的基板面(SS)和作为基板18的另一侧的薄膜19的表面的平均面规定的薄膜19的形状表面(ST)的组合设定的形状膜厚(dT)来规定。另外，在具有作为对象的全部表面原子的集合(G)时，假设一个任意的平面(S)，这样来确定S的位置，即，使从G的所有点到S的距离的二次方之和为最小，这样确定后将该S作为G的平均面。
如果采用本申请发明的第一及第二方面的热敏打印头，则保护层及发热电阻体底层的厚度通常为1.0～10.0微米及1.0～5.0微米，这时，保护层的表面(发热电阻体及与电极相对的表面原子的集合)上的点和保护层的形状表面的距离(例如表4中的d1、d2等)被收敛在0.1～0.5微米的范围内，发热电阻体底层的表面(与玻璃釉层相对的表面原子的集合)上的点和发热电阻体底层的形状表面的距离被收敛在0.1～0.5微米的范围内。
在本申请发明的第一及第二方面的热敏打印头中，在形成保护层及发热电阻体底层时使用的靶即烧结体的主要成分为氮化硅及二氧化硅，但在烧结体的原料粉末中添加了平均粒径在1微米以下的氧化镁。因此，提高了靶的密度，进行溅射时能抑制异物(飞溅物)的产生。另外，由于在烧结体的原料粉末中添加了平均粒径在1微米以下的氧化镁，所以使用该烧结体溅射时形成的薄膜的硬度也高。为了提高靶的密度，以便在溅射时抑制异物的产生，最好使在烧结体的原料粉末中添加的氧化镁的平均粒径为0.1～0.5微米。下面详细说明这一点。
图5表示向烧结体的原料粉状体中添加的氧化镁的平均粒径和烧结体的密度的关系(图中用实线表示)、以及氧化镁的平均粒径和将添加该氧化镁后获得的烧结体作为靶使用所形成的薄膜的硬度的关系(图中用虚线表示)。另外，在图5中，氧化镁的添加量固定为粉状体重量的0.5％。另外，烧结体是通过冷压成形的。
如图5所示，烧结体的对理论密度比在氧化镁的平均粒径为0.04微米附近达到最大，此后随着氧化镁的平均粒径的增大而逐渐减小。氧化镁的平均粒径在1微米以下时，烧结体的对理论密度比变为位于90％附近的值，但如果氧化镁的平均粒径超过1微米，所得到的烧结体的对理论密度比变小。另一方面，如果氧化镁的平均粒径在1微米以下，将添加氧化镁后获得的烧结体作为靶使用所形成的薄膜的硬度几乎是一定的，但如果氧化镁的平均粒径超过1微米，硬度就急剧变小。因此，通过使氧化镁的平均粒径在1微米以下，能获得对理论密度比大的烧结体，将该烧结体作为靶进行溅射时能抑制异物(飞溅物)的产生。另外，将该烧结体作为靶使用所形成的薄膜的硬度也被固定在最大值附近。另外，通过将氧化镁的平均粒径设定在0.1～0.5微米，能稳定地获得对理论密度比大的烧结体，将该烧结体作为靶进行溅射时能可靠地抑制异物(飞溅物)的产生。同时，将该烧结体作为靶使用所形成的薄膜的硬度也可靠地固定在最大值附近。另外，图5中的结果表明，与溅射的种类无关，结果几乎是相同的。另外，所谓平均粒径是这样定义的，即指构成粉状体的材料单体的平均直径。
另外，在将氧化镁添加到烧结体的原料粉状体中的情况下，会显著地提高烧结体的密度，将该烧结体作为靶进行溅射而形成薄膜，从维持如此形成的薄膜的硬度的观点来说，使粉状体中的氧化镁的添加量为0.01～5.0％重量为好，最好为0.1～0.5％重量。下面来详细地说明这一点。
图6表示向烧结体的原料粉状体中添加的氧化镁的添加量和烧结体的密度的关系(图中用实线表示)、以及氧化镁的添加量和将添加该氧化镁后获得的烧结体作为靶使用所形成的薄膜的硬度的关系(图中用虚线表示)。另外，在图6中，所添加的氧化镁的平均粒径被固定为0.1微米。另外，烧结体是通过冷压成形的。
如图6所示，烧结体的对理论密度比随着氧化镁的添加而急剧增大，在氧化镁的添加量为0.3％重量附近达到最大，而以后却随着氧化镁的添加量的增加而减小。另一方面，将添加氧化镁后获得的烧结体作为靶使用所形成的薄膜的硬度随着氧化镁的添加而增大，在氧化镁的添加量达到6％重量之前几乎是一定的，但如果氧化镁的添加量超过6％重量便急剧变小。因此通过使氧化镁的添加为0.01～5.0％重量，能获得对理论密度比大的烧结体，将该烧结体作为靶进行溅射时能抑制异物(飞溅物)的产生。另外，将该烧结体作为靶使用所形成的薄膜的硬度也被固定在最大值附近。另外，通过将氧化镁的添加量设定在0.1～0.5％重量，能使烧结体具有最大的对理论密度比，能稳定地获得对理论密度比大的烧结体，将该烧结体作为靶进行溅射时能可靠地抑制异物(飞溅物)的产生。另外，将该烧结体作为靶使用所形成的薄膜的硬度也可靠地固定在最大值附近。另外，图6中的结果表明，与溅射的种类无关，结果几乎是相同的。
可是，一般来说，溅射比随着以溅射方法和温度、气相等为代表的溅射环境等的不同而变化，所以即使在使用同一个靶的情况下，保护层及发热电阻体底层中镁的含有量和组成也会变化，可是在本申请发明的第一及第二方面的热敏打印头中，由于使烧结体的原料粉状体中的氧化镁的添加量为0.01～5.0％重量，所以所形成的保护层及发热电阻体底层含有0.01～3.0％原子的镁。另外，该保护层及发热电阻体底层具有可以用SiMgxNyOz(0.01≤x≤1.5、0.1≤y≤3.0、0.1≤z≤2.0)表示的组成。另外，在本申请发明的第一及第二方面的热敏打印头的情况下，作为溅射方法，可以采用高频(RF)溅射法、磁控管溅射法或反应性溅射法等。
在本申请发明的第一及第二方面的热敏打印头中，作为支撑基体，通常使用氧化铝陶瓷等制的基板，但没有特别限定。另外，在设置玻璃釉层的情况下，可以使用例如二氧化硅或将钙、钡、铝、锶等混合在二氧化硅中，但没有特别限定。只是，为了防止热敏打印头的电阻值的上升，玻璃釉层的玻璃转变温度最好在670℃以上。玻璃釉层的厚度通常形成10～100微米。另外，作为发热电阻体适合采用镍、铬、钽等稳定性好的金属材料的氮化物、或Ta-SiO2、Nb-SiO2、Ti-SiO2等各种金属陶瓷材料。另一方面，作为电极可以使用一般所使用的Al、Al-Si、Al-Si-Cu等，但不特别限定。另外，一般情况下，发热电阻体的厚度为0.1～1微米，电极的厚度为1～3微米。
另外，在本申请发明的第一方面的热敏打印头中，从增大由发热电阻体发生的热的保持力的目的出发，可以在支撑基体上设置玻璃釉层。
本申请发明的第三方面的热敏打印头的制造方法的特征在于包括以下工序：将发热电阻体配置在支撑基体上的工序；将电极连接在上述发热电阻体上的工序；以及将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射，将上述发热电阻体及上述电极被覆起来的工序。
如果采用本申请发明的第三方面的热敏打印头的制造方法，则由于将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射，所以能抑制由靶引起的异物(飞溅物)的产生，从而能用能抑制异物进入的保护层被覆发热电阻体及电极。
另外，本申请发明的第四方面的热敏打印头的制造方法的特征在于包括以下工序：通过玻璃釉层将发热电阻体配置在支撑基体上的工序；将电极连接在上述发热电阻体上的工序；以及将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射，将上述发热电阻体及上述电极被覆起来的工序。
如果采用本申请发明的第四方面的热敏打印头的制造方法，则由于通过玻璃釉层将发热电阻体配置在支撑基体上，所以能保持由发热电阻体发生的热量。另外，由于将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射，所以能抑制由靶引起的异物(飞溅物)的产生，从而能用能抑制异物进入的保护层被覆发热电阻体及电极。
另外，本申请发明的第五方面的热敏打印头的制造方法的特征在于包括以下工序：将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射、通过玻璃釉层在支撑基体上形成发热电阻体底层的工序；将发热电阻体配置在上述发热电阻体底层上的工序；将电极连接在上述发热电阻体上的工序；以及将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射、将上述发热电阻体及上述电极被覆起来的工序。
如果采用本申请发明的第五方面的热敏打印头的制造方法，则由于将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射，所以能抑制由靶引起的异物(飞溅物)的产生，从而能在支撑基体上通过玻璃釉层形成能抑制异物进入的发热电阻体底层。另外，由于将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射，所以能抑制由靶引起的异物(飞溅物)的产生，从而能用能抑制异物进入的保护层被覆发热电阻体及电极。
在本申请发明的第三-五方面的热敏打印头的制造方法中，为了减少从靶飞散的异物，采用将平均粒径在1.0微米以下、最好平均粒径为0.1～0.5微米的氧化镁添加在作为通常的构成成分的氮化硅及二氧化硅中的粉状体的烧结体作为靶进行溅射的方法，形成热敏打印头的保护层及发热电阻体底层。即，在本申请发明的第三～五方面的热敏打印头的制造方法中，利用平均粒径在1.0微米以下、最好平均粒径为0.1～0.5微米的氧化镁来减少气孔，准备密度已提高的烧结体作为靶。然后，用该靶进行溅射，这时，由于原子从作为靶的烧结体的表面几乎均匀地消耗，而且减少了气孔，所以能防止起因于烧结体表面上的微细的凹凸等的异常放电造成的异物的发生。而且，异物的附着和进入都被消除，同时能形成具有均匀厚度的保护层及发热电阻体底层。
一般来说，与氧化物相比，构成氮化物的离子的体积扩散速度小，所以在烧结体上产生气孔，难以获得具有与理论密度接近的密度的烧结体。可是，通过添加平均粒径在1.0微米以下、最好平均粒径为0.1～0.5微米的氧化镁作为烧结助剂，能减少在烧结体上产生的气孔，能将烧结体的密度提高到理论密度附近。为了提高作为靶使用的烧结体的密度，使氧化镁的平均粒径在1.0微米以下。如上所述，如果氧化镁的平均粒径超过1.0微米，就难以实现作为靶使用的烧结体的密度的显著提高。另外，最好将烧结体的原料粉状体的平均粒径调节到10微米以下，最好在1微米以下。这样，通过调节粉状体的粒径，作为靶使用的烧结体的密度会更接近理论密度，所以溅射时能有效地抑制异物的产生，能形成几乎消除了异物的附着和进入的保护层及发热电阻体底层。另外，所形成的保护层及发热电阻体底层的化学稳定性和硬度等的物理特性也变好。
另外，在本申请发明的第三～五方面中，氧化镁的添加量为烧结体的原料粉状体的重量0.01～5.0％，最好为0.1～0.5％重量。在将氧化镁添加到5.0％重量以上的情况下，随着氧化镁的添加，烧结体的密度下降，另外，所获得的保护层及发热电阻体底层的硬度也下降。另外，在氧化镁的添加量相对于烧结体的原料粉状体重量在0.01％以下的情况下，难以显著地提高作为靶使用的烧结体的密度。关于这一点上面已说明过。另外，烧结体的原料粉状体中的氮化硅及二氧化硅的比例为：使氮化硅占粉状体重量的65～80％，使二氧化硅占粉状体重量的35～20％，
另外，本申请发明的第六方面的记录装置的特征在于备有：支撑基体；配置在上述支撑基体上的发热电阻体；与上述发热电阻体连接的电极；以及将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶、通过溅射形成了被覆在上述发热电阻体及上述电极上的保护层。
如果采用本申请发明的第六方面的记录装置，则由于安装了将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶、利用溅射法形成了被覆在发热电阻体及电极上的保护层的热敏打印头，所以能抑制由于异物进入保护层引起的热敏打印头的破损及特性的劣化，从而能稳定地输出质量高的记录图象。
另外，本申请发明的第七方面的记录装置的特征在于备有：支撑基体；配置在上述支撑基体上的玻璃釉层；将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶、通过溅射而在上述玻璃釉层上形成的发热电阻体底层；配置在上述支撑基体上的发热电阻体；与上述发热电阻体连接的电极；以及将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶、通过溅射形成了被覆在上述发热电阻体及上述电极上的保护层。
如果采用本申请发明的第七方面的记录装置，则由于安装了将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶、利用溅射法形成了玻璃釉层上的发热电阻体底层和被覆在发热电阻体及电极上的保护层的热敏打印头，所以能抑制由于异物进入发热电阻体底层及保护层引起的热敏打印头的破损及特性的劣化，从而能稳定地输出质量高的记录图象。
本申请发明的第六及第七方面的记录装置不限定于利用热敏打印头将图象记录在记录媒体上的结构。这里，将本申请发明的第六及第七方面的记录装置的一种结构例示于图7。
如图7所示，本结构的记录装置是这样构成的，它大体上分为：由印字部21及输送部22构成的机构部；由控制该机构部的控制部构成的控制电路23；与控制电路23连接的操作面板部24；以及电源部25。而且，印字部21由在复印媒体上进行打印的热敏打印头26、进行热敏打印头26的定位的起始位置检测器27、检测热敏打印头26和复印媒体的接触的头接触螺线管28、将色带供给热敏打印头26的色带供给电机29、空格电机30等构成。另外，输送部22由送出复印媒体的给纸电机31及检测复印媒体的边界的纸边检测器32等构成。
在本形态的记录装置中，一旦输入了记录信号，记录信号便在备有控制电路23的CPU和并/串联变换电路之间被变换成打印用的记录数据，驱动各电机，同时根据记录数据、和控制程序驱动热敏打印头26，进行打印。
作为记录装置的形态，既可以作为计算机等信息处理机器的图象输出终端整体地设置，也可以单独地设置，甚至还可以采取与阅读器等组合的复印装置、有收发信功能的传真装置、孔板印刷中使用的孔板印刷装置等的形态。
另外，本申请发明的第八方面的烧结体的特征在于：它是通过对含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体进行烧结制成的。
在本申请发明的第八方面的烧结体中，由于对含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体进行烧结，所以能减少气孔，从而能获得具有与理论密度接近的密度的烧结体。
另外，本申请发明的第九方面的烧结体的特征在于：它具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的组成。
在本申请发明的第九方面的烧结体中，由于具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的组成，所以能减少气孔，从而能具有与理论密度接近的密度。
另外，本申请发明的第十方面的靶的特征在于：它是通过对含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体进行烧结制成的。
在本申请发明的第十方面的靶中，由于对含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体进行烧结，所以能减少气孔，从而能获得具有与理论密度接近的密度的烧结体。
另外，本申请发明的第十一方面的靶的特征在于：它具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的组成。
在本申请发明的第十一方面的靶中，由于具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的组成，所以能减少气孔，从而能具有与理论密度接近的密度。
在本申请发明的第八方面的烧结体及本申请发明的第十方面的靶中，通过添加平均粒径在1.0微米以下、最好平均粒径为0.1～0.5微米的氧化镁作为烧结助剂，能减少在烧结体及靶上产生的气孔，能将密度提高到理论密度附近。氧化镁的添加量为烧结体及靶的原料粉状体的重量0.01～5.0％，最好为重量0.1～0.5％。在使氧化镁的添加量相对于烧结体及靶的原料粉状体重量的0.01％以下的情况下，难以显著地提高烧结体及靶的密度。另外，在相对于该粉状体使氧化镁的添加量在5.0％重量以上的情况下，随着氧化镁的添加，烧结体及靶的密度下降，另外，用该靶形成的薄膜的硬度也下降。另外，该粉状体中的氮化硅及二氧化硅的比例为：氮化硅为粉状体重量的65～80％，二氧化硅为粉状体重量的35～20％。烧结该粉状体时，将粉状体的平均粒径调节到10微米以下，最好在1微米以下。这样，通过调节粉状体的粒径，能使烧结体及靶的密度更接近理论密度。
在制造烧结体及靶时，成为该烧结体及靶的原料的粉状体，可以预先将各成分调整到规定的粒径后进行混合，也可以将各成分混合后，利用例如球磨机等粉碎、混合并调整到规定的粒径。烧结通常是对粉状体进行冷压后，在1700℃左右烧结数小时进行的，只要能提高所获得的烧结体及靶的密度，对此并不特别限定，例如，可以采用加压烧结的方法。这样制造的烧结体及靶具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的组成。另外，在本申请发明的第八及第九方面的烧结体及本申请发明的第十及第十一方面的靶中，该烧结体及该靶能将密度提高到对理论密度比(相对理论上计算的最大密度的比例)的80～95％。
图1是表示本发明的热敏打印头的一实施例的图。
图2是表示溅射装置的图。
图3是表示本发明的热敏打印头的另一实施例的图。
图4是表示膜厚度的概念图。
图5是表示向烧结体的原料粉状体中添加的氧化镁的平均粒径和烧结体的密度的关系、以及氧化镁的平均粒径和将添加该氧化镁后获得的烧结体作为靶使用所形成的薄膜的硬度的关系的曲线图。
图6是表示向烧结体的原料粉状体中添加的氧化镁的添加量和烧结体的密度的关系、以及氧化镁的添加量和将添加该氧化镁后获得的烧结体作为靶使用所形成的薄膜的硬度的关系的曲线图。
图7是表示记录装置的一结构例的图。
实施发明用的最佳形态
以下，参照附图详细说明本发明的实施形态。另外，在各附图中，对于同一结构标以同一标号表示。
(实施例1及比较例1)
图1是表示本发明的热敏打印头的一实施例的图。
将由二氧化硅构成的玻璃釉层2配置在氧化铝陶瓷制的支撑基板1上。其次，在玻璃釉层2上形成由Ta-SiO2构成的发热电阻体层3，在发热电阻体层3上用照相制板工艺形成了由Al-Si构成的独立电极5及公用电极6，以便形成发热部4。然后，如下所述那样形成被覆发热部4、独立电极5及公用电极6的保护层7。
首先，用球磨机对由74.6％重量的平均粒径为1微米的氮化硅、24.9％重量的平均粒径为1微米的二氧化硅和0.5％重量的平均粒径为0.5微米的氧化镁构成的粉状体进行混合，将其作为烧结材料(实施例1)。另一方面，与以往相同，用球磨机对由75％重量的平均粒径为1微米的氮化硅、25％重量平均粒径为1微米的二氧化硅构成的粉状体进行混合，将其作为烧结材料(比较例1)。另外，氮化硅及氧化镁的纯度为99.99％，二氧化硅的纯度为99.9％。
其次，用10MPa大小的压力对这些烧结材料进行冷压后，在一个大气压的氮气中，在1700℃左右的温度下保持5小时进行烧结，获得了810mm×145mm×10mm的烧结体即靶。当用阿基米德法测定了这些烧结体的密度时，分别为2.6g/cm3(实施例1，对理论密度比约为90％)及1.6g/cm3(比较例1，对理论密度比约为55％)，由于氧化镁的添加，烧结体的密度大幅度提高。
接着，如图2所示，将这些烧结体作为靶，通过高频双极溅射形成了保护层7。即，将形成了独立电极5及公用电极6的热敏打印头8放置在溅射装置9内的载物台10上，使试样从保持在靶保持部11中的靶12蒸发，形成了被覆热敏打印头的发热部4、独立电极5及公用电极6的保护层7。另外，在图2中，13是RF电源，14是气体导入口，15是调整气体流量的泄漏阀，16是气体排出口。另外，在氩气的气氛中(流量为250sccm)、压力为0.3～0.47Pa、输入功率为3～3kW的条件下进行了4小时溅射。另外，靶和发热部4、独立电极5及公用电极6之间的距离约为4.0cm。于是获得了形成了厚度约为3微米的保护膜7的热敏打印头。
用显微镜观察，对所形成的两种保护层7测定进入的异物数，用添加了氧化镁的靶形成的保护层(实施例1)与用现有的靶形成的保护层(比较例1)相比，前者进入的异物数减少到约1/10。
另外，将各保护层7作为试样，用质量分析计进行了元素分析，在实施例1的保护层7中，检测到镁为1％原子，硅、氧及氮分别为42、25及32原子％的比例。另一方面，在比较例1的保护层7中，检测到硅、氧、氮分别为42、26、32％原子的比例。
另外，按照努氏硬度及维氏硬度测定了各保护层7的硬度，用添加了氧化镁的靶形成的保护层7(实施例1)与用现有的靶形成的保护层7(比较例1)相比，前者的硬度提高了。推测这是由于将添加了氧化镁密度大幅度提高了的烧结体作为靶进行溅射，所以所形成的保护层的密度比现有的保护层的高。
其次，用具有各种保护层7的热敏打印头进行了步进应力试验，与用现有的靶形成的保护层7(比较例1)相比，用添加了氧化镁的靶形成的保护层7(实施例1)的耐裂化性能提高了，成为寿命长的保护层。
另外，将热脉冲加在具有各种保护层7的热敏打印头上，研究了电阻值的变化，与具有用现有的靶形成的保护层7(比较例1)的热敏打印头相比，具有用添加了氧化镁的靶形成的保护层7(实施例1)的热敏打印头的电阻值的变化小，提高了热敏打印头的特性。
另外，将实施例1及比较例1的热敏打印头安装在图7所示结构的记录装置上进行了打印，安装了实施例1的热敏打印头的记录装置与安装了比较例1的热敏打印头的记录装置相比，前者能长期输出质量高的记录图象。
(实施例2及比较例2)
图3是表示本发明的结构的另一实施例的图。
将由二氧化硅构成的玻璃釉层2配置在氧化铝陶瓷制的支撑基板1上。其次，在玻璃釉层2上形成了厚度约为4微米的发热电阻体底层17。即一种是用与实施例1相同的靶材料形成的发热电阻体底层1 7(实施例2)、一种是用与比较例1相同的靶材料形成的发热电阻体底层17(比较例2)。另外，用图2所示的装置进行溅射，溅射条件也与实施例1及比较例1相同。
用显微镜观察，对所形成的两种发热电阻体底层17测量进入的异物数，用添加了氧化镁的靶形成的发热电阻体底层17(实施例2)与用现有的靶形成的发热电阻体底层17(比较例2)相比，前者进入的异物数减少到约1/10。
另外，将各发热电阻体底层17作为试样，用质量分析计进行了元素分析，在实施例2的发热电阻体底层17中，检测到镁为1％原子，硅、氧及氮分别为42、25及32％原子的比例。另一方面，在比较例2的发热电阻体底层17中，检测到硅、氧、氮分别为42、26、32％原子重量的比例。另外，按照努氏硬度及维氏硬度测定了各发热电阻体底层17的硬度，用添加了氧化镁的靶形成的发热电阻体底层17(实施例2)与用现有的靶形成的发热电阻体底层17(比较例2)相比，前者的硬度提高了。
其次，在各发热电阻体底层17上形成由Ta-SiO2构成的发热电阻体层3，在发热电阻体层3上用照相制板工艺形成了由Al-Si构成的独立电极5及公用电极6，以便形成发热部4。
其次，对于实施例2来说，与实施例1同样地形成了被覆发热部4、独立电极5及公用电极6的保护层7，另外，对于比较例2来说，与比较例1同样地形成。
用显微镜观察，对所形成的两种保护层7测量进入的异物数，用添加了氧化镁的靶形成的保护层7(实施例2)与用现有的靶形成的保护层7(比较例2)相比，前者进入的异物数减少到约1/10。
另外，将各保护层7作为试样，用质量分析计进行了元素分析，在实施例2的保护层7中，检测到镁为1％原子，硅、氧及氮分别为42、25及32原子％的比例。另一方面，在比较例2的保护层7中，检测到硅、氧、氮分别为42、26、32原子％的比例。
另外，按照努氏硬度及维氏硬度测定了各保护层7的硬度，用添加了氧化镁的靶形成的保护层7(实施例2)与用现有的靶形成的保护层7(比较例2)相比，前者的硬度提高了。推测这是由于添加了氧化镁，将密度大幅度提高了的烧结体作为靶进行溅射，所以所形成的保护层的密度比现有的保护层的高。
其次，用具有这些发热电阻体底层17及保护层7的热敏打印头进行了步进应力试验，与用现有的靶形成的保护层7(比较例2)相比，用添加了氧化镁的靶形成的保护层7(实施例2)的耐裂化性能提高了，成为寿命长的保护层。
另外，将热脉冲加在具有这些发热电阻体底层17及保护层7的热敏打印头上，研究了电阻值的变化，与具有现有的保护层7及发热电阻体底层17(比较例2)的热敏打印头相比，具有用添加了氧化镁的靶形成的保护层7及发热电阻体底层17(实施例2)的热敏打印头的电阻值的变化小，提高了热敏打印头的特性。另外，与实施例1所示的热敏打印头相比，在实施例2所示的热敏打印头的情况下，电阻值的变化进一步减小。推测这是由于添加了氧化镁，将密度大幅度提高了的烧结体作为靶进行溅射，所以所形成的发热电阻体底层上的缺陷被抑制，能有效地抑制氧等从玻璃釉层向发热电阻体层的扩散。
另外，将实施例2及比较例2的热敏打印头安装在图7所示结构的记录装置上进行了打印，安装了实施例2的热敏打印头的记录装置与安装了比较例2的热敏打印头的记录装置相比，前者能长期输出质量高的记录图象。
(实施例3)
制造了图1所示的热敏打印头。即，将由二氧化硅构成的玻璃釉层2配置在氧化铝陶瓷制的支撑基板1上。其次，在玻璃釉层2上形成由Ta-SiO2构成的发热电阻体层3，在发热电阻体层3上用照相制板工艺形成了由Al-Si构成的独立电极5及公用电极6，以便形成发热部4。然后，如下所述那样形成了被覆发热部4、独立电极5及公用电极6的保护层7。
首先，用球磨机对由74.6％重量的平均粒径为1微米的氮化硅、24.9％重量的平均粒径为1微米的二氧化硅、0.5％重量的平均粒径为0.05微米的氧化镁按构成的粉状体进行混合，将其作为烧结材料。另外，氮化硅及氧化镁的纯度为99.99％，二氧化硅的纯度为99.9％。
其次，与实施例1同样地进行，获得了810mm×145mm×10mm的烧结体即靶。用阿基米德法测定了该烧结体的密度为2.34g/cm3(实施例3，对理论密度比约为85％)，与氧化镁的平均粒径为0.5微米的实施例1相比未发现大的变化。
接着，与实施例1同样地进行，形成了被覆热敏打印头8的发热部4、独立电极5及公用电极6的保护层7。所形成的保护层7的厚度约为3微米。
用显微镜观察，对所形成的保护层7测量进入的异物数，利用将氧化镁的平均粒径调整为0.05微米的靶形成的实施例3的保护层7中进入的异物数与实施例1的保护层7中进入的异物数相比，未发现大的变化。
另外，将保护层7作为试样，用质量分析计进行了元素分析，在实施例3的保护层7中，检测到镁、硅、氧及氮分别为1、42、25及32％原子的比例。
另外，按照努氏硬度及维氏硬度测定了保护层7的硬度，利用将氧化镁的平均粒径调整为0.05微米的靶形成的实施例3的保护层7的硬度与实施例1的保护层7的硬度相比，未发现大的差异。
其次，用具有各种保护层7的热敏打印头进行了步进应力试验，利用将氧化镁的平均粒径调整为0.05微米的靶形成的实施例3的保护层7与实施例1的保护层7相比，未发现大的差异。
另外，将热脉冲加在具有保护层7的热敏打印头上，研究了电阻值的变化，与实施例1的热敏打印头相比，热敏打印头的特性大体相同。
另外，将实施例3的热敏打印头安装在图7所示结构的记录装置上进行了打印，与安装了实施例1的热敏打印头的记录装置相比，能在大致相同的期间输出质量高的记录图象。
因此可知，只要在烧结材料中添加的氧化镁的平均粒径比1微米小，热敏打印头的特性及从记录装置输出的记录图象的质量大致相同。
(实施例4及比较例3)
制造了图1所示的热敏打印头。即，将由二氧化硅构成的玻璃釉层2配置在氧化铝陶瓷制的支撑基板1上。其次，在玻璃釉层2上形成由Ta-SiO2构成的发热电阻体层3，在发热电阻体层3上用照相制板工艺形成了由Al-Si构成的独立电极5及公用电极6，以便形成发热部4。然后，如下所述那样形成了被覆发热部4、独立电极5及公用电极6的保护层7。
首先，用球磨机对由74.6％重量的平均粒径为1微米的氮化硅、24.9％重量的平均粒径为1微米的二氧化硅、0.5％重量的平均粒径为1.0微米的氧化镁构成的粉状体(实施例4)及由74.6％重量的平均粒径为1微米的氮化硅按、24.9％重量平均粒径为1微米的二氧化硅、0.5％重量的平均粒径为5.0微米的氧化镁构成的粉状体(比较例3)分别进行混合，将其作为烧结材料。另外，氮化硅及氧化镁的纯度为99.99％，二氧化硅的纯度为99.9％。
其次，与实施例1同样地进行，获得了810mm×145mm×10mm的烧结体即靶。用阿基米德法测定了这些烧结体的密度分别为2.43g/cm3(实施例4，对理论密度比约为85％)及2.25g/cm3(比较例3，对理论密度比约为79％)，将氧化镁的平均粒径调整为1.0微米时的密度比将氧化镁的平均粒径调整为5.0微米时的密度高。
接着，与实施例1同样地进行，形成了被覆热敏打印头8的发热部4、独立电极5及公用电极6的保护层7。所形成的保护层7的厚度约为3微米。
用显微镜观察，对所形成的两种保护层7测量进入的异物数，利用将氧化镁的平均粒径调整为1.0微米的烧结材料获得的靶形成的保护层7(实施例4)与利用将氧化镁的平均粒径调整为5.0微米的烧结材料获得的靶形成的保护层7(比较例3)相比，前者中进入的异物数减少到约1/1.5。
另外，将各保护层7作为试样，用质量分析计进行了元素分析，在实施例4及比较例3的保护层7中，分别检测到镁、硅、氧及氮为1.0、42、25及32％原子及1.5、42.5、24及31％原子的比例。
另外，按照努氏硬度及维氏硬度测定了各保护层7的硬度，利用将氧化镁的平均粒径调整为1.0微米的烧结材料获得的靶形成的保护层7(实施例4)的硬度与利用将氧化镁的平均粒径调整为5.0微米的烧结材料获得的靶形成的保护层7(比较例3)的硬度相比，前者的硬度上升了。推测这是由于添加了氧化镁，将密度大幅度提高了的烧结体作为靶进行溅射，所以在实施例4中形成的保护层的密度高。
其次，用具有各种保护层7的热敏打印头进行了步进应力试验，利用将氧化镁的平均粒径调整为1.0微米的烧结材料获得的靶形成的保护层7(实施例4)与比较例3的保护层7相比，耐裂化性能提高了，成为寿命长的保护层。
另外，将热脉冲加在具有各种保护层7的热敏打印头上，研究了电阻值的变化，与比较例3的热敏打印头相比，实施例4的热敏打印头的电阻值的变化小，热敏打印头的特性提高了。
另外，将实施例4及比较例3的热敏打印头安装在图7所示结构的记录装置上进行了打印，安装了实施例4的热敏打印头的记录装置与安装了比较例3的热敏打印头的记录装置相比，前者能长时期输出质量高的记录图象。
(实施例5及比较例4)
制造了图1所示的热敏打印头。即，将由二氧化硅构成的玻璃釉层2配置在氧化铝陶瓷制的支撑基板1上。其次，在玻璃釉层2上形成由Ta-SiO2构成的发热电阻体层3，在发热电阻体层3上用照相制板工艺形成了由Al-Si构成的独立电极5及公用电极6，以便形成发热部4。然后，如下所述那样形成了被覆发热部4、独立电极5及公用电极6的保护层7。
首先，用球磨机对由74.85％重量的平均粒径为1微米的氮化硅、25.1％重量的平均粒径为1微米的二氧化硅、0.05％重量的平均粒径为0.5微米的氧化镁构成的粉状体进行混合，将其作为烧结材料(实施例5)。另一方面，用球磨机对由74.895％重量的平均粒径为1微米的氮化硅、25.1％重量的平均粒径为1微米的二氧化硅、0.005％重量平均粒径为0.5微米的氧化镁构成的粉状体进行混合，将其作为烧结材料(比较例4)。另外，氮化硅及氧化镁的纯度为99.99％，二氧化硅的纯度为99.9％。
其次，与实施例1同样地进行，获得了810mm×145mm×10mm的烧结体即靶。用阿基米德法测定了这些烧结体的密度分别为2.00g/cm3(实施例5，对理论密度比约为70％)及1.70g/cm3(比较例4，对理论密度比约为60％)，实施例5中的烧结体的密度与比较例4中的烧结体的密度相比，前者有较大的提高。
接着，与实施例1同样地进行，形成了被覆热敏打印头8的发热部4、独立电极5及公用电极6的保护层7。所形成的保护层7的厚度约为3微米。
用显微镜观察，对所形成的两种保护层7测量进入的异物数，用添加了0.05％重量的氧化镁的靶形成的保护层7(实施例5)与用添加了0.005％重量的氧化镁的靶形成的保护层7(比较例4)相比，前者中进入的异物数减少到约1/10。
另外，将各保护层7作为试样，用质量分析计进行了元素分析，在实施例5的保护层7中，检测到镁为0.1％原子，硅、氧及氮分别为45、25及30％原子的比例。另一方面，在比较例4的保护层7中，检测到镁为0.1％原子，硅、氧及氮分别为46、27及27％原子的比例。
另外，按照努氏硬度及维氏硬度测定了各保护层7的硬度，用添加了0.05％重量的氧化镁的烧结材料获得的靶形成的保护层7(实施例5)与用添加了0.005％重量的氧化镁的烧结材料获得的靶形成的保护层7(比较例4)相比，前者的硬度上升了。推测这是由于在实施例5中，将0.05重量％的氧化镁添加在烧结材料中，将密度提高了的烧结体作为靶进行溅射，所以形成的保护层的密度高，而在比较例4中，往烧结材料中添加的氧化镁的添加量为0.005％重量，所以靶的密度的提高不象实施例5那么显著，所形成的保护层的密度比实施例5的低。
其次，用具有各种保护层7的热敏打印头进行了步进应力试验，与用添加了0.005％重量的氧化镁的烧结材料获得的靶形成的保护层7(比较例4)相比，用添加了0.05％重量的氧化镁的烧结材料获得的靶形成的保护层7(实施例5)的耐裂化性能提高了，成为寿命长的保护层。
另外，将热脉冲加在具有各种保护层7的热敏打印头上，研究了电阻值的变化，与比较例4的热敏打印头相比，实施例5的热敏打印头的电阻值的变化小，热敏打印头的特性提高了。
另外，将实施例5及比较例4的热敏打印头安装在图7所示结构的记录装置上进行了打印，安装了实施例5的热敏打印头的记录装置与安装了比较例4的热敏打印头的记录装置相比，前者能长时期输出质量高的记录图象。
(实施例6及比较例5)
制造了图1所示的热敏打印头。即，将由二氧化硅构成的玻璃釉层2配置在氧化铝陶瓷制的支撑基板1上。其次，在玻璃釉层2上形成由Ta-SiO2构成的发热电阻体层3，在发热电阻体层3上用照相制板工艺形成了由Al-Si构成的独立电极5及公用电极6，以便形成发热部4。然后，如下所述那样形成了被覆发热部4、独立电极5及公用电极6的保护层7。
首先，用球磨机对由77.1％重量的平均粒径为1微米的氮化硅、26.9％重量的平均粒径为1微米的二氧化硅、5.0％重量的平均粒径为0.5微米的氧化镁构成的粉状体进行混合，将其作为烧结材料(实施例6)。另一方面，用球磨机对由68.0％重量平均粒径为1微米的氮化硅、22.0％重量的平均粒径为1微米的二氧化硅、10％重量的平均粒径为0.5微米的氧化镁构成的粉状体进行混合，将其作为烧结材料(比较例5)。另外，氮化硅及氧化镁的纯度为99.99％，二氧化硅的纯度为99.9％。
其次，与实施例1同样地进行，获得了810mm×145mm×10mm的烧结体即靶。用阿基米德法测定了这些烧结体的密度分别为2.30g/cm3(实施例6，对理论密度比约为81％)及1.95g/cm3(比较例5，对理论密度比约为68％)，比较例5的烧结体的对理论密度比显示出突然减小的趋向。
接着，与实施例1同样地进行，形成了被覆热敏打印头8的发热部4、独立电极5及公用电极6的保护层7。所形成的保护层7的厚度约为3微米。
用显微镜观察，对所形成的两种保护层7测量进入的异物数，用添加了5.0％重量的氧化镁的烧结材料获得的靶形成的保护层7(实施例6)中进入的异物数减少到用添加了10.0％重量的氧化镁的烧结材料获得的靶形成的保护层7(比较例5)中进入的异物数的约1/10。
另外，将各保护层7作为试样，用质量分析计进行了元素分析，在实施例6的保护层7中，检测到镁为2％原子，硅、氧及氮分别为41、24及32％原子的比例。另一方面，在比较例5的保护层7中，检测到镁为5％原子，硅、氧及氮分别为42、21及32％原子的比例。
另外，按照努氏硬度及维氏硬度测定了各保护层7的硬度，用添加了10.0％重量的氧化镁的烧结材料获得的靶形成的保护层7(比较例5)的硬度比用添加了5.0％重量的氧化镁的烧结材料获得的靶形成的保护层7(实施例6)的硬度低。推测这是与保护层的密度减小相一致，由于保护层中含有的氧化镁的量多，所以保护层的硬度下降。
其次，用具有各种保护层7的热敏打印头进行了步进应力试验，用添加了5.0％重量的氧化镁的烧结材料获得的靶形成的保护层7(实施例6)与用添加了10.0％重量的氧化镁的烧结材料获得的靶形成的保护层7(比较例5)相比，前者的耐裂化性能提高了，成为寿命较长的保护层。
另外，将热脉冲加在具有各种保护层7的热敏打印头上，研究了电阻值的变化，与比较例5的热敏打印头相比，实施例6的热敏打印头的电阻值的变化小，热敏打印头的特性提高了。
另外，将实施例6及比较例5的热敏打印头安装在图7所示结构的记录装置上进行了打印，安装了实施例6的热敏打印头的记录装置与安装了比较例5的热敏打印头的记录装置相比，前者能长时期输出质量高的记录图象。
工业上利用的可能性
如上所述，如果采用本申请发明的第一方面的热敏打印头，则由于将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶，利用溅射法形成了保护层，所以能减少保护层中的气孔的产生及保护层的破坏，同时能提供耐环境性能好、可靠性高的高品位的热敏打印头。因此，适合用于输出质量高的记录图象用的记录装置。
另外，如果采用本申请发明的第二方面的热敏打印头，则由于将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶，利用溅射法形成了保护层及发热电阻体底层，所以能减少保护层及发热电阻体底层中的气孔的产生和保护层及发热电阻体底层的破坏，同时能提供耐环境性能好、可靠性高的高品位的热敏打印头。因此，适合用于输出质量高的记录图象用的记录装置。
另外，如果采用本申请发明的第三及第四方面的热敏打印头的制造方法，则由于将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶，利用溅射法形成了能抑制异物进入的保护层，所以能减少保护层中产生的气孔和保护层的破坏，同时适合用来于提供耐环境性能好、可靠性高的高品位的热敏打印头。
另外，如果采用本申请发明的第五方面的热敏打印头的制造方法，则由于将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶，利用溅射法形成了能抑制异物进入的保护层及发热电阻体底层，所以能减少保护层及发热电阻体底层中产生的气孔和保护层及发热电阻体底层的破坏，同时适合用来提供耐环境性能好、可靠性高的高品位的热敏打印头。
另外，如果采用本申请发明的第六方面的记录装置，则由于能减少保护层中气孔的产生和保护层的破坏，同时备有耐环境性能好、可靠性高的高品位的热敏打印头，所以适合用来进行输出质量高的记录图象的孔板印刷或传真等。
另外，如果采用本申请发明的第七方面的记录装置，则由于能减少保护层及发热电阻体底层中气孔的产生和保护层及发热电阻体底层的破坏，同时备有耐环境性能好、可靠性高的高品位的热敏打印头，所以适合用来进行输出质量高的记录图象的孔板印刷或传真等。
另外，如果采用本申请发明的第八方面的烧结体，则由于对含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体进行烧结，能减少气孔，实现接近于理论密度的密度，所以适合用来形成热敏打印头的保护层和发热电阻体底层等。
另外，如果采用本申请发明的第九方面的烧结体，则由于具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的组成，能减少气孔，实现接近于理论密度的密度，所以适合用来形成热敏打印头的保护层和发热电阻体底层等。
另外，如果采用本申请发明的第十方面的靶，则由于对含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体进行烧结，能减少气孔，实现接近于理论密度的密度，所以适合用来形成热敏打印头的保护层和发热电阻体底层等。
另外，如果采用本申请发明的第十一方面的靶，则由于具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的组成，能减少气孔，实现接近于理论密度的密度，所以适合用来形成热敏打印头的保护层和发热电阻体底层等。

Claims (26)

1.一种热敏打印头，其特征在于，备有：
支撑基体；
配置在上述支撑基体上的发热电阻体；
与上述发热电阻体连接的电极；以及
将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶、通过溅射形成了被覆在上述发热电阻体及上述电极上的保护层。
2.一种热敏打印头，其特征在于，备有：
支撑基体；
配置在上述支撑基体上的玻璃釉层；
将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶，通过溅射而在上述玻璃釉层上形成的发热电阻体底层；
配置在上述支撑基体上的发热电阻体；
与上述发热电阻体连接的电极；以及
将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶，通过溅射形成了被覆在上述发热电阻体及上述电极上的保护层。
3.根据权利要求1所述的热敏打印头，其特征在于：在上述支撑基体和上述电极之间还备有玻璃釉层。
4.根据权利要求1或2所述的热敏打印头，其特征在于：上述粉状体含有的氧化镁的平均粒径为0.1～0.5微米。
5.根据权利要求1或2所述的热敏打印头，其特征在于：上述粉状体含有0.01～5.0％重量的氧化镁。
6.根据权利要求1或2所述的热敏打印头，其特征在于：上述粉状体含有0.1～0.5％重量的氧化镁。
7.根据权利要求1或2所述的热敏打印头，其特征在于：上述保护层含有0.01～3.0％原子的镁。
8.根据权利要求2所述的热敏打印头，其特征在于：上述发热电阻体底层含有0.01～3.0％原子的镁。
9.根据权利要求1或2所述的热敏打印头，其特征在于：上述保护层具有可以用SiMgxNyOz(0.01≤x≤1.5、0.1≤y≤3.0、0.1≤z≤2.0)表示的组成。
10.根据权利要求2所述的热敏打印头，其特征在于：上述发热电阻体底层具有可以用SiMgxNyOz(0.01≤x≤1.5、0.1≤y≤3.0、0.1≤z≤2.0)表示的组成。
11.一种热敏打印头的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
将发热电阻体配置在支撑基体上的工序；
将电极连接在上述发热电阻体上的工序；以及
将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射、将上述发热电阻体及上述电极被覆起来的工序。
12.一种热敏打印头的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
通过玻璃釉层将发热电阻体配置在支撑基体上的工序；
将电极连接在上述发热电阻体上的工序；以及
将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射、将上述发热电阻体及上述电极被覆起来的工序。
13.一种热敏打印头的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射、通过玻璃釉层在支撑基体上形成发热电阻体底层的工序；
将发热电阻体配置在上述发热电阻体底层上的工序；
将电极连接在上述发热电阻体上的工序；以及
将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射、将上述发热电阻体及上述电极被覆起来的工序。
14.根据权利要求11至13任一项所述的热敏打印头的制造方法，其特征在于：上述粉状体含有的氧化镁的平均粒径为0.1～0.5微米。
15.根据权利要求11至13任一项所述的热敏打印头的制造方法，其特征在于：上述粉状体含有0.01～5.0％重量的氧化镁。
16.根据权利要求11至13任一项所述的热敏打印头的制造方法，其特征在于：上述粉状体含有0.1～0.5％重量的氧化镁。
17.一种记录装置，其特征在于，它所备有的热敏打印头备有：支撑基体；配置在上述支撑基体上的发热电阻体；与上述发热电阻体连接的电极；以及将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶、通过溅射形成了被覆在上述发热电阻体及上述电极上的保护层。
18.一种记录装置，其特征在于，它所备有的热敏打印头备有：支撑基体；配置在上述支撑基体上的玻璃釉层；将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶，通过溅射而在上述玻璃釉层上形成的发热电阻体底层；配置在上述支撑基体上的发热电阻体；与上述发热电阻体连接的电极；以及将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶、通过溅射形成了被覆在上述发热电阻体及上述电极上的保护层。
19.根据权利要求17所述的记录装置，其特征在于：上述热敏打印头在上述支撑基体和上述电极之间还备有玻璃釉层。
20.一种烧结体，其特征在于：它是对含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体进行烧结制造的。
21.根据权利要求20所述的烧结体，其特征在于：上述粉状体所含有的氧化镁的平均粒径为0.1～0.5微米。
22.根据权利要求20所述的烧结体，其特征在于：上述粉状体含有0.01～5.0％重量的氧化镁。
23.根据权利要求20所述的烧结体，其特征在于：上述粉状体含有0.1～0.5％重量的氧化镁。
24.一种烧结体，其特征在于：具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的组成。
25.一种靶，其特征在于：它是对含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体进行烧结制造的。
26.一种靶，其特征在于：具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的组成。
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