UA50755C2 - Роз'єднуваний з'єднувальний місток (перемичка) і з'єднуваний переривник з'єднання (антиперемичка), а також спосіб виготовлення та активізації перемички та антиперемички - Google Patents

Роз'єднуваний з'єднувальний місток (перемичка) і з'єднуваний переривник з'єднання (антиперемичка), а також спосіб виготовлення та активізації перемички та антиперемички

Info

Publication number
UA50755C2
UA50755C2 UA98084340A UA98084340A UA50755C2 UA 50755 C2 UA50755 C2 UA 50755C2 UA 98084340 A UA98084340 A UA 98084340A UA 98084340 A UA98084340 A UA 98084340A UA 50755 C2 UA50755 C2 UA 50755C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
conductivity
type
jumper
bridge
conductive track
Prior art date
Application number
UA98084340A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Ukrainian (uk)
Inventor
Томас Цеттлер
Йозеф Віннерль
Георг Георгакос
Вольфганг Поккрандт
Original Assignee
Сіменс Акцієнгезельшафт
Сименс Акциенгезельшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сіменс Акцієнгезельшафт, Сименс Акциенгезельшафт filed Critical Сіменс Акцієнгезельшафт
Publication of UA50755C2 publication Critical patent/UA50755C2/uk

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
    • H10W20/49—Adaptable interconnections, e.g. fuses or antifuses
    • H10W20/493—Fuses, i.e. interconnections changeable from conductive to non-conductive
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/20—Interconnections within wafers or substrates, e.g. through-silicon vias [TSV]

Landscapes

  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Fuses (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
UA98084340A 1996-02-09 1997-02-06 Роз'єднуваний з'єднувальний місток (перемичка) і з'єднуваний переривник з'єднання (антиперемичка), а також спосіб виготовлення та активізації перемички та антиперемички UA50755C2 (uk)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19604776A DE19604776A1 (de) 1996-02-09 1996-02-09 Auftrennbare Verbindungsbrücke (Fuse) und verbindbare Leitungsunterbrechung (Anti-Fuse), sowie Verfahren zur Herstellung und Aktivierung einer Fuse und einer Anti-Fuse
PCT/DE1997/000235 WO1997029515A2 (de) 1996-02-09 1997-02-06 Auftrennbare verbindungsbrücke (fuse) und verbindbare leitungsunterbrechung (anti-fuse), sowie verfahren zur herstellung und aktivierung einer fuse und einer anti-fuse

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA50755C2 true UA50755C2 (uk) 2002-11-15

Family

ID=7784979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA98084340A UA50755C2 (uk) 1996-02-09 1997-02-06 Роз'єднуваний з'єднувальний місток (перемичка) і з'єднуваний переривник з'єднання (антиперемичка), а також спосіб виготовлення та активізації перемички та антиперемички

Country Status (10)

Country Link
EP (1) EP0879479B1 (online.php)
JP (1) JP3288385B2 (online.php)
KR (1) KR100414239B1 (online.php)
CN (1) CN1211856C (online.php)
AT (1) ATE239302T1 (online.php)
DE (2) DE19604776A1 (online.php)
ES (2) ES2158310T3 (online.php)
IN (1) IN191121B (online.php)
UA (1) UA50755C2 (online.php)
WO (1) WO1997029515A2 (online.php)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0992809A1 (de) 1998-09-28 2000-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung mit deaktivierbarem Scanpfad
DE10346460A1 (de) 2003-10-02 2005-05-19 Infineon Technologies Ag Anordnung und Verfahren zum Schutz von Fuses/Anti-Fuses
DE10349749B3 (de) * 2003-10-23 2005-05-25 Infineon Technologies Ag Anti-Fuse-Verbindung für integrierte Schaltungen sowie Verfahren zur Herstellung von Anti-Fuse-Verbindungen
JP4701034B2 (ja) * 2005-08-02 2011-06-15 パナソニック株式会社 半導体装置
US7576407B2 (en) * 2006-04-26 2009-08-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Devices and methods for constructing electrically programmable integrated fuses for low power applications
US8542517B2 (en) 2011-06-13 2013-09-24 International Business Machines Corporation Low voltage programmable mosfet antifuse with body contact for diffusion heating

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1131790B (it) * 1979-08-20 1986-06-25 Rca Corp Complesso universale di collegamento interno per circuiti integrati cmos/sos ad alta densita'
EP0054102A3 (en) * 1980-12-11 1983-07-27 Rockwell International Corporation Very high density cells comprising a rom and method of manufacturing same
GB2100057A (en) * 1981-05-27 1982-12-15 Post Office Method of forming conductive tracks in a semi-conductor body by annealing
EP0094073B1 (en) * 1982-05-12 1988-07-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device capable of structural selection
GB2215128B (en) * 1988-02-23 1991-10-16 Stc Plc Improvements in integrated circuits
JPH0320063A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Matsushita Electron Corp 電気ヒューズ
FR2713398B1 (fr) * 1993-11-30 1996-01-19 Sgs Thomson Microelectronics Fusible pour circuit intégré.

Also Published As

Publication number Publication date
DE19604776A1 (de) 1997-08-14
IN191121B (online.php) 2003-09-27
ES2158310T3 (es) 2001-09-01
KR100414239B1 (ko) 2004-02-18
WO1997029515A3 (de) 1997-09-18
EP0879479B1 (de) 2003-05-02
EP0879479A2 (de) 1998-11-25
KR19990082361A (ko) 1999-11-25
CN1210623A (zh) 1999-03-10
CN1211856C (zh) 2005-07-20
JP3288385B2 (ja) 2002-06-04
ATE239302T1 (de) 2003-05-15
DE59709973D1 (de) 2003-06-05
WO1997029515A2 (de) 1997-08-14
JPH11506874A (ja) 1999-06-15
ES2198559T3 (es) 2004-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0713250A3 (en) Material for semiconductor substrate, its manufacture and product from this substrate
DE69133468D1 (de) Halbleiterchipanordnungen, Herstellungsmethoden und Komponenten für dieselbe
DE69834791D1 (de) Heizelement
DE3776931D1 (de) Brueckenschaltkreis mit halbleiterdehnungsmessstreifen.
ATE217424T1 (de) Substrat mit gerichteter leitfähigkeit senkrecht zu seiner oberfläche, vorrichtungen mit einem solchen substrat und verfahren zur herstellung eines solchen substrates
SE9803671L (sv) Kretskort och förfarande för framställning av kretskortet
KR910008872A (ko) 반도체 소자와 그 제조방법
DE3682573D1 (de) Isolierende schicht fuer halbleiter, herstellung dieser schicht und fluessige zusammensetzung fuer die herstellung dieser schicht.
DE59209852D1 (de) Leitbahnanorndung für höchstintegrierte Schaltungen
ATE261153T1 (de) Chipmodul zum einbau in einen chipkartenträger
KR890016679A (ko) 반도체장치
DE59709973D1 (de) Auftrennbare verbindungsbrücke (fuse) und verbindbare leitungsunterbrechung (anti-fuse), sowie verfahren zur herstellung und aktivierung einer fuse und einer anti-fuse
DK0984535T3 (da) Halvlederlaser med gitterstruktur
ES2015895B3 (es) Escobilla de carbon de dos componentes.
DE3668716D1 (de) Halbleitersubstratvorspannungsgenerator.
TW357462B (en) A thin film transistor having a vertical structure and a method of manufacturing the same the invention relates to a thin film transistor having a vertical structure and a method of manufacturing the same
ATE242552T1 (de) Polarisierer und verfahren zur herstellung von diesem
ATE300035T1 (de) Element mit schichtstruktur und stromorientierungsmittel
SE9803043L (sv) Komponentbärare med förbättrad fasthållning av komponenter
DE59914501D1 (de) Dämmplatte
KR920003532A (ko) 마스터 슬라이스 방식에 있어서의 반도체집적회로의 제조방법
KR920000146A (ko) 고전압 직접회로
DE69921423D1 (de) Herstellung von feldeffekt-halbleiteranordnungen
KR900019222A (ko) 필드플레이트를 갖춘 반도체장치 및 그 제조방법
KR900003974A (ko) 반도체장치의 제조방법