UA50755C2 - Роз'єднуваний з'єднувальний місток (перемичка) і з'єднуваний переривник з'єднання (антиперемичка), а також спосіб виготовлення та активізації перемички та антиперемички - Google Patents

Роз'єднуваний з'єднувальний місток (перемичка) і з'єднуваний переривник з'єднання (антиперемичка), а також спосіб виготовлення та активізації перемички та антиперемички

Info

Publication number
UA50755C2
UA50755C2 UA98084340A UA98084340A UA50755C2 UA 50755 C2 UA50755 C2 UA 50755C2 UA 98084340 A UA98084340 A UA 98084340A UA 98084340 A UA98084340 A UA 98084340A UA 50755 C2 UA50755 C2 UA 50755C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
conductivity
type
bridge
conductive track
connecting bridge
Prior art date
Application number
UA98084340A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Томас Цеттлер
Йозеф Віннерль
Георг Георгакос
Вольфганг Поккрандт
Original Assignee
Сіменс Акцієнгезельшафт
Сименс Акциенгезельшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сіменс Акцієнгезельшафт, Сименс Акциенгезельшафт filed Critical Сіменс Акцієнгезельшафт
Publication of UA50755C2 publication Critical patent/UA50755C2/uk

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/535—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including internal interconnections, e.g. cross-under constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Fuses (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

Роз'єднуваний з'єднувальний місток (перемичка) містить утворену в підкладці з напівпровідникового матеріалу першого типу провідності (2, 2а) електропровідну, нерозривну в поздовжньому напрямку провідну доріжку другого типу провідності (1), протилежного першому типу провідності, що має задану ширину у напрямку, перпендикулярному до поздовжнього. При цьому напівпровідниковий матеріал першого типу провідності має таку концентрацію порівняно з матеріалом провідної доріжки, що під впливом заданої температури активізації, вищої за робочу температуру перемички (12, 13), вздовж усієї ширини (m) провідної доріжки (1) утворюється розрив внаслідок дифузії напівпровідникового матеріалу першого типу провідності та/або матеріалу провідної доріжки (1) другого типу провідності. Винахід стосується також з’єднуваного переривника з’єдннання (антиперемички) та способу виготовлення та активізації перемички та антиперемички.
UA98084340A 1996-02-09 1997-02-06 Роз'єднуваний з'єднувальний місток (перемичка) і з'єднуваний переривник з'єднання (антиперемичка), а також спосіб виготовлення та активізації перемички та антиперемички UA50755C2 (uk)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19604776A DE19604776A1 (de) 1996-02-09 1996-02-09 Auftrennbare Verbindungsbrücke (Fuse) und verbindbare Leitungsunterbrechung (Anti-Fuse), sowie Verfahren zur Herstellung und Aktivierung einer Fuse und einer Anti-Fuse
PCT/DE1997/000235 WO1997029515A2 (de) 1996-02-09 1997-02-06 Auftrennbare verbindungsbrücke (fuse) und verbindbare leitungsunterbrechung (anti-fuse), sowie verfahren zur herstellung und aktivierung einer fuse und einer anti-fuse

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA50755C2 true UA50755C2 (uk) 2002-11-15

Family

ID=7784979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA98084340A UA50755C2 (uk) 1996-02-09 1997-02-06 Роз'єднуваний з'єднувальний місток (перемичка) і з'єднуваний переривник з'єднання (антиперемичка), а також спосіб виготовлення та активізації перемички та антиперемички

Country Status (10)

Country Link
EP (1) EP0879479B1 (uk)
JP (1) JP3288385B2 (uk)
KR (1) KR100414239B1 (uk)
CN (1) CN1211856C (uk)
AT (1) ATE239302T1 (uk)
DE (2) DE19604776A1 (uk)
ES (2) ES2158310T3 (uk)
IN (1) IN191121B (uk)
UA (1) UA50755C2 (uk)
WO (1) WO1997029515A2 (uk)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0992809A1 (de) 1998-09-28 2000-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung mit deaktivierbarem Scanpfad
DE10346460A1 (de) * 2003-10-02 2005-05-19 Infineon Technologies Ag Anordnung und Verfahren zum Schutz von Fuses/Anti-Fuses
DE10349749B3 (de) * 2003-10-23 2005-05-25 Infineon Technologies Ag Anti-Fuse-Verbindung für integrierte Schaltungen sowie Verfahren zur Herstellung von Anti-Fuse-Verbindungen
JP4701034B2 (ja) * 2005-08-02 2011-06-15 パナソニック株式会社 半導体装置
US7576407B2 (en) 2006-04-26 2009-08-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Devices and methods for constructing electrically programmable integrated fuses for low power applications
US8542517B2 (en) 2011-06-13 2013-09-24 International Business Machines Corporation Low voltage programmable mosfet antifuse with body contact for diffusion heating

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1131790B (it) * 1979-08-20 1986-06-25 Rca Corp Complesso universale di collegamento interno per circuiti integrati cmos/sos ad alta densita'
EP0054102A3 (en) * 1980-12-11 1983-07-27 Rockwell International Corporation Very high density cells comprising a rom and method of manufacturing same
GB2100057A (en) * 1981-05-27 1982-12-15 Post Office Method of forming conductive tracks in a semi-conductor body by annealing
EP0094073B1 (en) * 1982-05-12 1988-07-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device capable of structural selection
GB2215128B (en) * 1988-02-23 1991-10-16 Stc Plc Improvements in integrated circuits
JPH0320063A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Matsushita Electron Corp 電気ヒューズ
FR2713398B1 (fr) * 1993-11-30 1996-01-19 Sgs Thomson Microelectronics Fusible pour circuit intégré.

Also Published As

Publication number Publication date
EP0879479A2 (de) 1998-11-25
KR100414239B1 (ko) 2004-02-18
EP0879479B1 (de) 2003-05-02
WO1997029515A3 (de) 1997-09-18
ES2198559T3 (es) 2004-02-01
DE19604776A1 (de) 1997-08-14
CN1211856C (zh) 2005-07-20
JP3288385B2 (ja) 2002-06-04
IN191121B (uk) 2003-09-27
ATE239302T1 (de) 2003-05-15
ES2158310T3 (es) 2001-09-01
CN1210623A (zh) 1999-03-10
JPH11506874A (ja) 1999-06-15
KR19990082361A (ko) 1999-11-25
DE59709973D1 (de) 2003-06-05
WO1997029515A2 (de) 1997-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE215205T1 (de) Keramischer kopfzünder und verfahren zur herstellung desselben
DE69708526D1 (de) Elektrischer Verbinder zur Verwendung in Anwendungen kleiner Abmessungen mit hoher Kontaktdichte sowie hoher Kontaktanzahl und Herstellungsverfahren
BR9909580A (pt) Dispositivo de circuito integrado, processo para produzir um dispositivo eletrônico, e, dispositivo eletrônico
TW342572B (en) Electroluminescent lamp designs
WO2001099148A3 (en) Electrical fuses employing reverse biasing to enhance programming
DE59501554D1 (de) Vorrichtung zur strombegrenzung
DE69625975D1 (de) Halbleiteranordnung mit in selbstjustierter Weise gebildeter Leiternut und Kontaktloch und deren Herstellungsverfahren
FR2783637B1 (fr) Connecteur electrique pour une carte a circuit integre comportant un commutateur a lame de detection de la presence d'une carte
DE69613645D1 (de) Kostengünstiges hochleistungsgehäuse für mikrowellenschaltungen im 90 ghz-bereich mit bga ein/ausgangsformat und keramischer substrattechnologie
DE19544980B4 (de) Lichtemittierendes Bauelement mit einem isolierenden Substrat und Herstellverfahren für dieses Bauelement
DK0939876T3 (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et ledende element og ledende element
DE69707828D1 (de) Herstellungsverfahren für einen isolierenden Film mit eingestellter Spannung, Hableitervorrichtung und Herstellungsverfahren
KR930702870A (ko) 전기적 가열 제품 및 맞댐 접합부 형성방법
UA50755C2 (uk) Роз'єднуваний з'єднувальний місток (перемичка) і з'єднуваний переривник з'єднання (антиперемичка), а також спосіб виготовлення та активізації перемички та антиперемички
DK1114471T3 (da) Elektrisk stabiliseret tyndfilms-höjtemperatursuperleder og fremgangsmåde til fremstilling af en sådan superleder
ATE39395T1 (de) Ueberbrueckungselement.
GB2330291A (en) Electric heaters
MY116424A (en) Saw strip for fixing a crystal and process for cutting off wafers
DE59602860D1 (de) Elektrische Etagenklemme mit einem Brücker
ATE198940T1 (de) Stromfühler
ES2141617T3 (es) Procedimiento para la realizacion de conexiones electricamente conductoras entre dos o mas estructuras de conductores.
DE59808581D1 (de) Flachstecker für elektrische Steckverbindungen
MY132219A (en) Method of manufacturing a semiconductor device suitable for surface mounting
ES2144805T3 (es) Celula de combustible de alta temperatura con por lo menos un recubrimiento aislante electricamente y procedimiento para fabricar una celula de combustible de alta temperatura.
TW357462B (en) A thin film transistor having a vertical structure and a method of manufacturing the same the invention relates to a thin film transistor having a vertical structure and a method of manufacturing the same