TWI902828B - 光罩基底、相位偏移光罩、相位偏移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 - Google Patents
光罩基底、相位偏移光罩、相位偏移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法Info
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Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020-112702 | 2020-06-30 | ||
| JP2020112702 | 2020-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202217433A TW202217433A (zh) | 2022-05-01 |
| TWI902828B true TWI902828B (zh) | 2025-11-01 |
Family
ID=79315296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110122566A TWI902828B (zh) | 2020-06-30 | 2021-06-21 | 光罩基底、相位偏移光罩、相位偏移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230194973A1 (https=) |
| JP (1) | JP7618677B2 (https=) |
| KR (1) | KR20230029606A (https=) |
| CN (1) | CN115769144B (https=) |
| TW (1) | TWI902828B (https=) |
| WO (1) | WO2022004350A1 (https=) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP7109996B2 (ja) * | 2018-05-30 | 2022-08-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
| JP7179543B2 (ja) * | 2018-09-12 | 2022-11-29 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
-
2021
- 2021-06-15 KR KR1020227041217A patent/KR20230029606A/ko not_active Ceased
- 2021-06-15 WO PCT/JP2021/022631 patent/WO2022004350A1/ja not_active Ceased
- 2021-06-15 CN CN202180041203.3A patent/CN115769144B/zh active Active
- 2021-06-15 US US17/926,962 patent/US20230194973A1/en active Pending
- 2021-06-15 JP JP2022533813A patent/JP7618677B2/ja active Active
- 2021-06-21 TW TW110122566A patent/TWI902828B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2022004350A1 (https=) | 2022-01-06 |
| JP7618677B2 (ja) | 2025-01-21 |
| US20230194973A1 (en) | 2023-06-22 |
| CN115769144A (zh) | 2023-03-07 |
| CN115769144B (zh) | 2025-08-05 |
| WO2022004350A1 (ja) | 2022-01-06 |
| KR20230029606A (ko) | 2023-03-03 |
| TW202217433A (zh) | 2022-05-01 |
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