TWI821207B - 磁性配線電路基板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之磁性配線電路基板具備：絕緣層；配線，其係配置於絕緣層之厚度方向一個面之配線，且具有於絕緣層之厚度方向一個面隔開間隔對向配置之厚度方向一個面、接觸於絕緣層之厚度方向一個面之厚度方向另一個面、及將厚度方向一個面及厚度方向另一個面之兩端緣連結之側面；以及磁性層，其含有具有縱橫比為2以上之形狀之磁性粒子，且埋設配線。配線具有：第1角部，其係藉由厚度方向一個面及側面而形成，且具有大致彎曲形狀；及第2角部，其係藉由厚度方向另一個面及側面而形成，且具有相互面對之2個側面間之長度隨著接近厚度方向另一個面而變長之部分。

Description

磁性配線電路基板及其製造方法
本發明係關於一種磁性配線電路基板及其製造方法。
先前，已知於藉由無線傳送電力之無線通信或無線電力傳送中使用有線圈模組。
例如，提出有如下線圈模組，其具備：線圈圖案；及磁性層，其將線圈圖案埋設，且含有扁平形狀之磁性粒子(例如，參照下述專利文獻1)。
此種線圈模組例如藉由如下方式而獲得，首先，藉由導體圖案化而形成線圈圖案，繼而，將含有磁性粒子之磁性片材相對於線圈圖案進行熱壓。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2017-005115號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，線圈模組要求較高之電感。
然而，於上述線圈圖案之上表面及側面與下表面及側面，分別形成直角之稜線部，故而若將磁性片材相對於線圈圖案熱壓，則於磁性粒子與稜線部對向之磁性片材中，磁性粒子僅於厚度方向或面方向配向。因此，於磁性片材中，存在無法形成包圍配線之平滑之磁路，無法獲得上述較高之電感之不良情況。
本發明提供一種具有較高之電感之磁性配線電路基板及其製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明(1)包含一種磁性配線電路基板，其具備：絕緣層；配線，其係配置於上述絕緣層之厚度方向一個面之配線，且具有於上述絕緣層之上述厚度方向一個面隔開間隔對向配置之厚度方向一個面、接觸於上述絕緣層之上述厚度方向一個面之厚度方向另一個面、及將上述厚度方向一個面及上述厚度方向另一個面之兩端緣連結之側面；以及磁性層，其含有具有縱橫比為2以上之形狀之磁性粒子，且埋設上述配線；且上述配線具有：第1角部，其係藉由上述厚度方向一個面及上述側面而形成，且具有大致彎曲形狀；及第2角部，其係藉由上述厚度方向另一個面及上述側面而形成，且具有相互面對之2個上述側面間之長度隨著接近上述厚度方向另一個面而變長之部分。
於該磁性配線電路基板中，由於配線之第1角部具有大致彎曲形狀，故而於被覆第1角部之磁性層中，磁性粒子可沿著第1角部之彎曲形狀配向。
又，於該磁性配線電路基板中，由於第2角部具有相互面對之2個側面間之長度隨著接近厚度方向另一個面而變長之部分，故而於被覆第2角部之磁性層中，磁性粒子可沿著第2角部配向。
於是，磁性粒子於被覆配線之厚度方向一個面之磁性層中，於與厚度方向正交之正交方向配向，於被覆配線之側面之磁性層中，於厚度方向配向，而且，於被覆第1角部之磁性層中，於相對於厚度方向及正交方向傾斜之傾斜方向配向，又，於被覆第2角部之磁性層中，於傾斜方向配向。
因此，可於磁性層中形成包圍配線之平滑之磁路。
因此，可提高配線之周圍之實效磁導率。
其結果，磁性配線電路基板具有較高之電感。
本發明(2)包含(1)之磁性配線電路基板，其中上述第1角部之曲率半徑R為9 μm以上。
於該磁性配線電路基板中，由於第1角部之曲率半徑R為9 μm以上，故而第1角部具有平緩之圓弧面。因此，於與該第1角部對向之磁性層中，磁性粒子可沿著圓弧面更確實地配向。
本發明(3)包含一種磁性配線電路基板之製造方法，其具備以下步驟：準備絕緣層及配置於上述絕緣層之厚度方向一個面之配線，上述配線具有於上述絕緣層之上述厚度方向一個面隔開間隔對向配置之厚度方向一個面、接觸於上述絕緣層之上述厚度方向一個面之厚度方向另一個面、及將上述厚度方向一個面及上述厚度方向另一個面之兩端緣連結之側面；以及以含有具有縱橫比為2以上之形狀之磁性粒子且埋設上述配線之方式形成磁性層；且上述配線具有：第1角部，其係藉由上述厚度方向一個面及上述側面而形成，且具有大致彎曲形狀；及第2角部，其係藉由上述厚度方向另一個面及上述側面而形成，且具有相互面對之2個上述側面間之長度隨著接近上述厚度方向另一個面而變長之部分；於形成上述磁性層之步驟中，將含有於與上述厚度方向正交之方向配向之上述磁性粒子之磁性片材相對於上述配線熱壓。
根據該磁性配線電路基板之製造方法，由於在形成磁性層之步驟中，將含有於與厚度方向正交之方向配向之磁性粒子之磁性片材相對於配線熱壓，故而可使磁性粒子於被覆配線之厚度方向一個面之磁性層中，於與厚度方向正交之正交方向配向，於被覆配線之側面之磁性層中，於厚度方向配向，而且，於被覆第1角部之磁性層中，於傾斜方向配向，又，於被覆第2角部之磁性層中，於傾斜方向配向。
因此，可於磁性層中形成包圍配線之平滑之磁路。
因此，可提高配線之周圍之實效磁導率。
其結果，可製造具有較高之電感之磁性配線電路基板。 [發明之效果]
藉由本發明之磁性配線電路基板之製造方法而獲得之本發明之磁性配線電路基板具有較高之電感。
＜一實施形態＞ 參照圖1對作為本發明之配線電路基板之一實施形態之磁性配線電路基板1進行說明。
磁性配線電路基板1具有於厚度方向相互對向之厚度方向一個面及另一個面，且具有於面方向(與厚度方向正交之方向)延伸之片材形狀。磁性配線電路基板1具備作為絕緣層之一例之第1絕緣層2、作為配線之一例之配線部3、第2絕緣層4、及磁性層5。
第1絕緣層2具有於面方向延伸之片材形狀。第1絕緣層2係支持以下將說明之配線部3之支持材，進而亦為支持磁性配線電路基板1之支持層。第1絕緣層2具有作為厚度方向一個面之第1絕緣面7及作為另一個面之第2絕緣面8。第1絕緣面7及第2絕緣面8之各者係沿著面方向之平坦面。又，第1絕緣層2具有可撓性。
作為第1絕緣層2之材料，例如，可列舉聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、丙烯酸樹脂等樹脂。又，第1絕緣層2亦可為單層及複層之任一者。第1絕緣層2之厚度並不特別限定，例如為1 μm以上且1000 μm以下。
配線部3係於第1絕緣層2之第1絕緣面7中，例如，於沿著厚度方向及第1方向(相當於圖1中之左右方向，包含於面方向之方向)切斷之切斷面中，於第1方向相互隔開間隔而配置有複數個。作為配線部3之俯視(於厚度方向觀察時之)形狀，並不特別限定，例如，包含環狀(線圈形狀等)。
配線部3具備：第1配線面9，其作為相對於第1絕緣層2之第1絕緣面7而於厚度方向一方側隔開間隔對向配置之厚度方向一個面；第2配線面10，其接觸於第1絕緣層2之第1絕緣面7；及配線側面11，其周圍將第1配線面9及第2配線面10之第1方向兩端緣連結之側面。
第1配線面9係沿著第1方向之平坦面。
第2配線面10係與第1配線面9於厚度方向隔開間隔對向配置，且與第1配線面9平行之平坦面。
配線側面11沿著厚度方向延伸。配線側面11係於1個配線部3具備2個。2個配線側面11係於第1方向相互隔開間隔對向(相互面對)配置。
該配線部3具有作為角部之一例之第1角部21及第2角部22。
第1角部21係於配線部3中，藉由第1配線面9及配線側面11而形成之稜線部(第1稜線部)。詳細而言，第1角部21係遍及第1配線面9之第1方向兩端部之各者與連續於其等之配線側面11之厚度方向一端部而形成。第1角部21係於1個配線部3形成有2個。
而且，該第1角部21係於剖視(沿著厚度方向及第1方向之切斷面)時，具有大致彎曲形狀。具體而言，第1角部21具有朝向第1方向外側及厚度方向一方側凸出之彎曲面(詳細而言，為大致圓弧面)23。
形成彎曲面23(圓弧面)之圓C之中心CP例如位於配線部3之內部。
形成彎曲面23之圓C之半徑(曲率半徑)R例如為5 μm以上，較佳為9 μm以上，更佳為15 μm以上，進而較佳為20 μm以上，又，例如為30 μm以下。若彎曲面23之曲率半徑R為上述下限以上，則可使彎曲面23平緩，可將以下將說明之第2絕緣層4更確實地以充分之厚度T形成。又，磁性粒子18(下述)係於與第1角部21對向之第2絕緣層4中，可沿著彎曲面23確實地配向。
若第1角部21之曲率半徑R為上述上限以下，則可於配線側面11之厚度方向中央部50(下述)無間隙(孔隙)地填充磁性層5。
彎曲面23之中心角α係將圓弧之一端及中心CP連接之線段與將圓弧之另一端及中心CP連接之線段所成的角度，例如，未達180度。具體而言，彎曲面23之中心角α例如為45度以上，較佳為60度以上，更佳為80度以上，又，例如為150度以下，較佳為135度以下，更佳為120度以下。若彎曲面23之中心角α為上述下限以上，則可使彎曲面23之長度變長，因此，磁性粒子18可確實地沿著彎曲面23(配向)。若彎曲面23之中心角α為上述下限以上，則可使彎曲面23之長度變長，因此，磁性粒子18可確實地沿著彎曲面23(配向)。若彎曲面23之中心角α為上述上限以下，則可於配線側面11之厚度方向中央部50(下述)無間隙(孔隙)地填充磁性層5。
再者，如圖1之放大圖所示，形成彎曲面23之圓C以於第1角部21中形成最大限通過(重複)彎曲面23之圓弧之方式，決定中心CP，定義為基於該中心CP之圓C。另一方面，如圖3所示，於第1角部21中決定如形成稍微(最小限)通過(重複)彎曲面23之圓弧之中心CP'，並非基於該中心CP'之圓C'。
第2角部22係於配線部3中，藉由第2配線面10及配線側面11而形成之稜線部(第2稜線部)。詳細而言，第2角部22遍及第2配線面10之第1方向兩端部之各者與連續於其等之配線側面11之厚度方向另一端部而形成。第2角部22係於1個配線部3形成有2個。
2個第2角部22之各者係相對於2個第1角部21之各者配置厚度方向另一方側。
第2角部22係朝向第1方向外側(第1方向外側傾斜第1方向另一方側)變尖之第2尖部。第2角部22具有傾斜面24及平坦面26(藉由具有傾斜面24及平坦面26而劃分)。
傾斜面24具有錐面27作為主要部。較佳為，傾斜面24僅由錐面27構成。傾斜面24自配線側面11之厚度方向中央部(詳細而言，中央部與另一端部之間附近)50連續，且面向第1方向外側。與2個第2角部22對應之2個傾斜面24於第1方向相互對向(相互面對)配置。
錐面27相對於厚度方向及第1方向傾斜。即，錐面27相對於厚度方向及第1方向傾斜，且隨著向厚度方向另一方側前進而沿著向第1方向外側傾斜之傾斜方向(第1傾斜方向)(參照與放大圖一併表示之方向箭頭)。與2個傾斜面24對應之2個錐面27係其等之間之長度隨著接近厚度方向另一方側而變長之2個錐面(部分之一例)。具體而言，錐面27係以隨著自配線側面11之厚度方向中央部(詳細而言，中央部與另一端部之間附近)50朝向第2配線面10之第1方向兩端緣(第1絕緣層2之第1絕緣面7)而朝向第1方向外側摺扇狀擴展之方式傾斜。再者，錐面27中之將第1方向長度除以厚度方向長度所得之錐比(第1方向長度/厚度方向長度)例如為0.001以上，較佳為0.01以上，更佳為0.1以上，又，例如為1.0以下，較佳為0.75以下。
平坦面26係自傾斜面24之厚度方向另一方側另一端緣朝向第1方向內側筆直地延伸之平面。平坦面26相當於第2配線面10之第1方向兩端緣。平坦面26接觸於第1絕緣面7。
第2角部22之傾斜面24與第1角部21之彎曲面23例如隔開配線側面11之厚度方向中央部50而配置。
再者，該第2角部22亦可為與下述配線基部36中之第2尖部45(參照圖2A)相同形狀。
配線側面11連續地具備第1角部21之彎曲面23中面向第1方向外側之部分、厚度方向中央部50、及彎曲面23之傾斜面24中面向第1方向外側之部分。
再者，2個配線側面11之厚度方向中央部50之各者具有朝向第1方向內側縮窄之形狀。具體而言，配線側面11具有其等之間之長度於第1方向中央部中成為最短之形狀(縮窄部)。
再者，配線部3如圖2B之假想線所示，例如，具備配線基部36及形成於其厚度方向一個面及兩側面之鍍覆層30。
作為配線部3之材料，例如，可列舉銅、鎳、金、焊料等金屬或其等金屬之合金等導體，較佳為，可列舉銅。
配線部3之厚度係第1配線面9及第2配線面10間之長度，具體而言，例如為10 μm以上，較佳為30 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為250 μm以下。
配線部3之寬度作為相互面對之2個第1角部21之第1方向中之端緣間之距離，例如為20 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為2000 μm以下，較佳為1000 μm以下。
相鄰之配線部3間之間隔作為隔開第2絕緣層4(下述)及磁性層5(下述)而相鄰之第1角部21之第1方向端緣間之間隔，例如為20 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為1000 μm以下，較佳為500 μm以下。 配線部3之厚度相對於配線部3之寬度之比(厚度/寬度)例如為0.005以上，較佳為0.03以上，又，例如為25以下，較佳為5以下。配線部3之厚度相對於相鄰之配線部3間之間隔的比(厚度/間隔)例如為0.01以上，較佳為0.06以上，又，例如為25以下，較佳為5以下。配線部3之寬度相對於相鄰之配線部3間之間隔的比(寬度/間隔)例如為0.02以上，較佳為0.01以上，又，例如為100以下，較佳為20以下。
再者，配線部3與上述第1絕緣層2一起設置於配線電路基板準備體6。即，配線電路基板準備體6不具備以下將說明之第2絕緣層4及磁性層5，但具備第1絕緣層2及配線部3。較佳為，配線電路基板準備體6僅由第1絕緣層2及配線部3構成。
第2絕緣層4係與複數個配線部3對應地設置有複數個。第2絕緣層4沿著配線部3之第1配線面9及配線側面11(包含彎曲面23及傾斜面24)形成為薄膜狀。第2絕緣層4具備：第4絕緣面13，其接觸於第1配線面9及配線側面11；及第3絕緣面12，其於第4絕緣面13之厚度方向一方側或第1方向外側隔開間隔而配置。
第4絕緣面13具有與第1配線面9及配線側面11對應之(具體而言，相同之)形狀。
第3絕緣面12係以確保第2絕緣層4之厚度T之方式，具有追隨第4絕緣面13之形狀。第3絕緣面12具有與第4絕緣面13並行之形狀。
又，第2絕緣層4例如係電沈積層(下述)、塗佈層(下述)等，較佳為電沈積層。
第2絕緣層4例如相對較軟(尤其，於下述第3步驟(參照圖2D)中之熱壓中，具有變軟之性質)，另一方面，不具有磁性。具體而言，作為第2絕緣層4之材料，可列舉不含有磁性粒子18(於之後之磁性層5中詳細敍述)之樹脂等。作為第2絕緣層4之樹脂，較佳為於水中具有離子性之樹脂，具體而言，可列舉丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、其等之混合物等。
第2絕緣層4之厚度T相對較薄，作為其平均厚度，例如為20 μm以下，較佳為15 μm以下，更佳為10 μm以下，進而較佳為7.5 μm以下，特佳為5 μm以下，最佳為3 μm以下，又，例如為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上，更佳為1 μm以上。
若第2絕緣層4之厚度T為上述上限以下較薄，則可提高以下將說明之磁性層5之實效磁導率，提高磁性配線電路基板1之電感。
另一方面，若第2絕緣層4過度薄，則下述磁性層5中之磁性粒子容易貫通第2絕緣層4而接觸於配線部3。
然而，於該磁性配線電路基板1中，配線部3之第1角部21由於具有大致彎曲形狀，故而第2絕緣層4之厚度T可靠抑制第2絕緣層4過度變薄，抑制第2絕緣層4貫通於磁性粒子18，確保第2絕緣層4之絕緣性。
再者，於第2絕緣層4中被覆第1角部21之部分之厚度T1允許與於第2絕緣層4中被覆上述第1角部21以外之部分(例如，配線側面11之厚度方向中央部50、及/或第1配線面9之第1方向中央部)之部分之厚度T0相同，或者相對於厚度T0稍微小。
於第2絕緣層4中，被覆第1角部21之部分之厚度T1相對於被覆第1角部21以外之部分之部分之厚度T0的比(T1/T0)例如為1以下，較佳為未達1，更佳為0.95以下，進而較佳為0.9以下，又，例如為0.7以上，較佳為0.8以上。
於第2絕緣層4中被覆第1角部21之部分之厚度T1例如為0.5 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為7 μm以下。
於第2絕緣層4中被覆其他部分之部分之厚度T0例如為0.52 μm以上，較佳為1.04 μm以上，又，例如為14.49 μm以下，較佳為10.14 μm以下。
再者，第2絕緣層4之平均厚度係藉由將上述厚度T1及T0利用其面積比按比例分配而算出。
磁性層5係為了提高磁性配線電路基板1之電感而相對於配線電路基板準備體6設置。磁性層5具有於面方向延伸之片材形狀。
磁性層5經由第2絕緣層4而埋設有配線部3。具體而言，磁性層5經由第2絕緣層4，而被覆配線部3之第1配線面9及配線側面11(包含彎曲面23及傾斜面24)。又，磁性層5於第1絕緣層2之第1絕緣面7中，被覆自第2絕緣層4露出之露出面16。
磁性層5具有第1磁性面14及第2磁性面15。
第1磁性面14係相對於第2絕緣層4之第3絕緣面12而於厚度方向一方側隔開間隔配置。第1磁性面14露出於厚度方向一方側。第1磁性面14具有：複數個凸部28，其等與複數個配線部3對應地朝向厚度方向一方側隆起；及凹部29，其配置於相互相鄰之凸部13之間，且相對於凸部28朝向厚度方向另一方側下沈。
第2磁性面15係於第1磁性面14之厚度方向另一方側隔開間隔配置。 第2磁性面15係連續地接觸於第3絕緣面12及露出面16。
磁性層5例如含有磁性粒子18。具體而言，作為磁性層5之材料，例如，可列舉含有縱橫比為2以上之磁性粒子18及樹脂成分19之磁性組合物等。
作為磁性粒子18，可列舉鐵矽鋁合金等軟磁性粒子18。作為磁性粒子18之形狀，例如，可列舉厚度較薄且面較寬之扁平形狀(板形狀)，例如，針形狀等。
磁性粒子之縱橫比為2以上，較佳為5以上，更佳為10以上，進而較佳為20以上，又，為100以下。
再者，磁性粒子18為扁平狀之情形時之扁平率(扁平度)例如為8以上，較佳為15以上，又，例如為500以下，較佳為450以下。扁平率例如係將磁性粒子18之平均粒徑(平均長度)除以磁性粒子18之平均厚度所得之縱橫比。
磁性粒子18之磁性層5(磁性組合物)中之含有比率例如為50體積%以上，較佳為55體積%以上，又，例如為95體積%以下，較佳為90體積%以下。
作為樹脂成分19，例如，可列舉環氧樹脂、含有硬化劑及硬化促進劑之環氧樹脂組合物等熱硬化性樹脂。再者，此種磁性組合物例如記載於日本專利特開2017-005115號公報、日本專利特開2015-092543號公報等。
磁性配線電路基板1之厚度作為其最大厚度(與凸部28對應之厚度)，例如為30 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為1000 μm以下，較佳為800 μm以下。
其次，參照圖2A～圖2D對該磁性配線電路基板1之製造方法進行說明。
該製造方法具備作為準備第1絕緣層2與配線部3之步驟之一例之第1步驟(參照圖2A及圖2B)、形成第2絕緣層4之第2步驟(參照圖2C)、及作為形成磁性層5之步驟之一例之第3步驟(參照圖2D)。
如圖2A及圖2B所示，於第1步驟中，準備具備第1絕緣層2及配線部3之配線電路基板準備體6。該第1步驟具備準備第1絕緣層2之步驟(參照圖2A)、形成配線基部36之第4步驟(參照圖2A)、及形成鍍覆層30之第5步驟(參照圖2B)。
於第4步驟中，將配線基部36例如藉由減成法、加成法等導體圖案化方法，而形成於第1絕緣層2之第1絕緣面7。
為了藉由減成法而形成配線基部36，首先，準備包括第1絕緣層2及導體層(金屬層)之積層體(未圖示)，繼而，於導體層之厚度方向一個面，以與配線基部36相同之圖案形成蝕刻阻劑。其次，將自蝕刻阻劑露出之導體層例如藉由濕式蝕刻、乾式蝕刻等蝕刻而圖案化，形成配線基部36。較佳為，藉由濕式蝕刻而形成配線基部36。然後，將蝕刻阻劑例如藉由剝離等而去除。
為了藉由加成法而形成配線基部36，首先，於第1絕緣層2之第1絕緣面7形成導體薄膜(種膜)，繼而，於導體薄膜之厚度方向一個面，形成與配線基部36相反之圖案之鍍覆阻劑。其次，於自鍍覆阻劑露出之導體薄膜，藉由鍍覆而形成配線基部36。然後，將鍍覆阻劑及與其對應之導體薄膜去除。
作為導體圖案化方法，較佳為，可列舉減成法。若為減成法，則與加成法相比，可迅速地形成具有較厚之厚度之配線基部36。
另一方面，若利用減成法形成配線基部36，則於配線基部36形成第1尖部25，如下所述，起因於第1尖部25而第2絕緣層4變薄之情況可藉由利用下述第5步驟形成之鍍覆層30而消除。
再者，該配線基部36係用以形成配線部3之基部(基礎)，且與下述鍍覆層30一起形成配線部3。即，並不僅由圖2A所示之配線基部36構成配線部3。
配線基部36具有與第1角部21對應之第1尖部25、與厚度方向中央部50對應之基部中央側面51、及與第2角部22對應之第2尖部45。
第1尖部25係藉由配線基部36中之厚度方向一個面及側面而形成之稜線部。第1尖部25朝向第1方向外側傾斜第1方向一方側而尖銳地尖。第1尖部25中之角度(藉由第1配線面9及配線側面11之端部而形成之角度)β1例如為135度以下，較佳為120度以下，更佳為90度以下，又，例如為30度以上，較佳為45度以上。
第2尖部45係藉由配線基部36中之厚度方向另一個面及側面而形成之稜線部。第2尖部45朝向第1方向外側傾斜第1方向另一方側尖銳地尖。第2尖部45中之角度(藉由第2配線面10及配線側面11之端部而形成之角度)β2例如為35度以上，較佳為45度以上，更佳為超過80度，又，例如為150度以下，較佳為135度以下。
基部中央側面51係將第1尖部25及第2尖部45於厚度方向連結之連結面。
配線基部36之材料係與上述配線部3之材料相同。
於第5步驟中，如圖2B所示，然後，於配線基部36形成鍍覆層30。
作為鍍覆層30之材料，自配線基部36之材料適當選擇，較佳為，與配線基部36之材料相同。
藉由鍍覆，形成鍍覆層30。
作為鍍覆，例如，可列舉電解鍍覆、無電解鍍覆等。較佳為，自將鍍覆層30形成得較厚之觀點而言，可列舉電解鍍覆(更佳為，電解鍍銅)。
藉由鍍覆，於配線基部36中之厚度方向一個面及兩側面，積層鍍覆層30。於鍍覆中，鍍覆層30於配線基部36中之厚度方向一個面及兩側面中形成為析出狀。
藉由該鍍覆，於第1尖部25，作為朝向厚度方向一方側及第1方向外側沈積(鍍覆沈積)之被覆部之一例之第1被覆部31析出。該第1被覆部31形成具備彎曲面23之第1角部21。
另一方面，於配線基部36中第1尖部25以外之部分(包含第2尖部45及厚度方向中央部50之部分)中，朝向厚度方向一方側或第1方向外側沈積(鍍覆沈積)之第2被覆部32析出。該第2被覆部32形成配線基部36之厚度方向一個面及兩側面(其中，係將第1角部21除外之部分，包含厚度方向中央部50及傾斜面24之部分)。
即，該鍍覆層30具備第1被覆部31及第2被覆部32。較佳為，鍍覆層30僅由第1被覆部31及第2被覆部32構成。
第1被覆部31係藉由自第1尖部25剖視大致放射狀(將第1尖部25之內部之方向除外，扇狀)地鍍覆成分鍍覆沈積而形成。因此，第1被覆部31具有彎曲面23。
另一方面，第2被覆部32係於第1尖部25以外之部分中，自各面朝向正交之方向，具體而言，於配線基部36之厚度方向一個面中，朝向厚度方向上側而鍍覆成分面狀地鍍覆沈積，並且於配線基部36之兩側面(包含第2尖部45中之側面)中，朝向第1方向兩外側而鍍覆成分面狀地鍍覆沈積。因此，第2被覆部32不具有上述彎曲面23，具有第1配線面9及配線側面11(包含厚度方向中央部50，但將彎曲面23除外)。
該第2被覆部32包含第2角部22，該第2角部22基於上述鍍覆沈積，包含傾斜面24。
於鍍覆層30中，第1被覆部31之厚度(沈積厚度、或者鍍覆厚度)較佳為與第2被覆部32之厚度相比較厚。若鍍覆為電解鍍覆，則第1尖部25中之電流密度與配線基部36中之第1尖部25以外之電流密度相比較高。因此，第1被覆部31之鍍覆沈積與第2被覆部32之鍍覆沈積相比較快，因此，第1被覆部31之厚度與第2被覆部32之厚度相比變厚。
鍍覆層30之厚度根據鍍覆之沈積速度及鍍覆時間而適當設定。再者，其等例如根據鍍覆中所使用之鍍覆液中之金屬(導體)濃度、溫度等而適當設定，例如，若鍍覆為電解鍍覆，則根據電流密度、極間距離、浴內攪拌度(速度)、硫酸銅濃度、硫酸濃度、氯化物離子濃度、添加劑(調平劑、光亮劑、聚合物)之種類或量而適當設定，例如，若鍍覆為無電解鍍覆，則根據附著於配線基部36之表面之觸媒之種類、量等而適當設定。
再者，如圖2B所示，於配線基部36與鍍覆層30之間，表示有由假想線所示之交界，若上述鍍覆層30之材料與配線基部36之材料相同，則上述交界變得不明了或者不存在(觀察不到)。
於該鍍覆層30中，由於第1被覆部31藉由上述鍍覆而形成，故而具有上述彎曲面23。另一方面，第2被覆部32具有傾斜面24。
於第2步驟中，如圖2C所示，繼而，將第2絕緣層4形成於上述配線電路基板準備體6。具體而言，藉由第2絕緣層4，而被覆配線部3之第1配線面9及配線側面11。
作為形成第2絕緣層4之方法，例如，可列舉電沈積(電沈積塗佈)，例如，印刷等塗佈等。
於電沈積中，將配線電路基板準備體6(製造中途之磁性配線電路基板1) 浸漬於含有樹脂(較佳為，電沈積塗料)之電沈積液，繼而，對配線部3施加電流，藉此使樹脂之被膜析出於配線部3之第1配線面9及配線側面11。然後，根據需要，使被膜乾燥。藉此，第2絕緣層4形成為電沈積層。然後，根據需要，使第2絕緣層4(電沈積層)藉由燒接而加熱硬化。
於作為塗佈之一例之印刷中，將含有樹脂之清漆經由網版，於配線部3之第1配線面9及配線側面11塗佈被膜(網版印刷)。然後，使被膜乾燥。
作為形成第2絕緣層4之方法，較佳為，可列舉電沈積。若為電沈積，則可使第2絕緣層4之厚度T變薄(但是，設定為可確保第2絕緣層4之絕緣性之程度之厚度)。又，若為電沈積，則第2絕緣層4可使露出面16確實地露出，因此，於相鄰之配線部3間，於以下之第3步驟中，可將磁性層5遍及厚度方向整體而配置，故而提高磁性層5之實效磁導率，磁性配線電路基板1之電感變高。
於第3步驟中，然後，如圖2D所示，將磁性層5形成於配線電路基板準備體6。具體而言，藉由磁性層5，經由第2絕緣層4，而被覆配線部3之第1配線面9及配線側面11。
於第3步驟中，例如，如圖2C所示，首先，準備磁性片材17。為了準備磁性片材17，例如，自含有上述磁性粒子及樹脂成分(較佳為，B階段之熱硬化性樹脂)之磁性組合物，形成為片材形狀。於磁性片材17中，磁性粒子18於磁性片材17之面方向(與厚度方向正交之方向)配向(配列)。
然後，如圖2C之箭頭所示，將磁性片材17相對於配線電路基板準備體6之第2絕緣層4熱壓。將磁性片材17配置於配線電路基板準備體6之厚度方向一方側，將磁性片材17相對於配線電路基板準備體6之厚度方向一個面熱壓。
藉此，磁性片材17經由第2絕緣層4而埋設配線部3。具體而言，磁性片材17經由第2絕緣層4而被覆第2絕緣層4之第1配線面9，並且進入(下沈)至相互相鄰之配線部3之間(與露出面16對向之部分)，填充該間隙(部分)。
於熱壓之前後之磁性片材17中，與配線部3之第1配線面9對向之磁性粒子18之配向方向(具體而言，面方向)不變動。又，於熱壓之前後之磁性片材17中，與露出面16對向之磁性粒子18之配向方向(具體而言，面方向)不變動。
另一方面，於熱壓之前後之磁性片材17中，與第1角部21對向之磁性粒子18之配向方向(具體而言，面方向)於沿著彎曲面23之方向(即，隨著朝向厚度方向另一方側而向第1方向外側傾斜之傾斜方向)變動。即，上述磁性粒子18沿著彎曲面23配向。
又，於熱壓之前後之磁性片材17中，與第2角部22對向之磁性粒子18之配向方向(具體而言，面方向)於沿著傾斜面24之方向(即，隨著朝向厚度方向另一方側而向第1方向外側傾斜之傾斜方向)變動。即，上述磁性粒子18沿著傾斜面24配向。
另一方面，於熱壓之前後之磁性片材17中，與配線側面11中之第1角部21及第2角部22間對向之磁性粒子18之配向方向(具體而言，面方向)於沿著厚度方向之方向變動。即，上述磁性粒子18沿著厚度方向配向。
藉此，磁性片材17經由第2絕緣層4，被覆配線部3，形成(成型)為具有凸部28及凹部29之磁性層5。
於磁性層5中以上述方式配向之磁性粒子18形成包圍配線部3之圓滑之磁路。
藉此，獲得具備配線電路基板準備體6及磁性層5之磁性配線電路基板1。磁性配線電路基板1較佳為僅由配線電路基板準備體6及磁性層5構成。
然後，於磁性層5包含B階段之熱硬化性樹脂之情形時，根據需要，使磁性層5例如藉由加熱而C階段化(完全硬化)。
該磁性配線電路基板1例如用於無線電力傳送(無線供電及/或無線受電)、無線通信、感測器、被動零件等。而且，於該磁性配線電路基板1中，由於配線3之第1角部21具有大致彎曲形狀，故而於被覆第1角部21之磁性層5中，磁性粒子18可沿著第1角部21之彎曲形狀配向。
又，於該磁性配線電路基板1中，由於第2角部22具有相互面對之2個配線側面11間之長度隨著接近第2配線面10而變長之錐面27，故而於被覆第2角部22之磁性層5中，磁性粒子18可沿著第2角部22配向。
相對於此，如圖7所示，第2角部22具有垂直地形成之垂直面33之比較例1或如圖8所示，具有隨著朝向第1絕緣面7而朝向第1方向內側變窄(縮小)之第2錐部(第2縮窄部)34之比較例2中，於磁性層5中，如圖7A及圖8A所示，磁性粒子18損傷(彎折)，或如圖7B及圖8B所示，磁性粒子18產生不存在之粒子不存在部分55，進而如圖7C及圖8C所示，於磁性層5產生孔隙56(磁性粒子18及樹脂成分19不存在之部分)。
然而，如圖1所示，於該磁性配線電路基板1中，磁性粒子18於被覆配線3之第1配線面9之磁性層5中，於包含於面方向之第1方向配向，於被覆配線3之配線側面11之磁性層5中，於厚度方向配向，而且，於被覆第1角部21之磁性層5中，於第1傾斜方向配向，又，於被覆第2角部22之磁性層5中，亦於第1傾斜方向配向。又，可抑制上述磁性粒子18之損傷、粒子不存在部分55之產生、孔隙56之產生。
因此，可於磁性層5中形成包圍配線3之平滑之磁路。
因此，可提高配線3之周圍之實效磁導率。
其結果，磁性配線電路基板1具有較高之電感。
於該磁性配線電路基板1中，由於第1角部21之曲率半徑R為9 μm以上，故而第1角部21具有作為平緩之圓弧面之彎曲面23。因此，於與該第1角部21對向之磁性層5中，磁性粒子18可沿著彎曲面23(圓弧面)更確實地配向。
又，根據該磁性配線電路基板1之製造方法，於形成磁性層5之第3步驟中，將含有於面方向配向之磁性粒子18之磁性片材相對於配線3熱壓，故而可使磁性粒子18於被覆配線3之第1配線面9之磁性層5中於包含於面方向之第1方向配向，於被覆配線3之配線側面11之磁性層5中於厚度方向配向，而且，於被覆第1角部21之磁性層5中於第1傾斜方向配向，又，於被覆第2角部22之磁性層5中於第1傾斜方向配向。
因此，可於磁性層5中形成包圍配線3之平滑之磁路。
因此，可提高配線3之周圍之實效磁導率。
其結果，可製造具有較高之電感之磁性配線電路基板1。
＜變化例＞ 於以下之各變化例中，關於與上述一實施形態相同之構件及步驟，標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，各變化例除特別記載以外，可發揮與一實施形態相同之作用效果。進而，可將一實施形態及其變化例適當組合。
如圖1所示，於一實施形態中，磁性配線電路基板1具備第2絕緣層4，例如，如圖4所示，可不具備第2絕緣層4，而具備第1絕緣層2、配線3及磁性層5。於該變化例中，磁性配線電路基板1較佳為僅由第1絕緣層2、配線3及磁性層5構成。
又，於該變化例中，配線電路基板6不具備第2絕緣層4，而具備第1絕緣層2及配線3。配線電路基板6較佳為僅由第1絕緣層2及配線3構成。
磁性層5直接埋設配線3。即，磁性層5之第2磁性面15不經由第2絕緣層4(參照圖1)，而直接接觸於配線3之第1配線面9。
如圖1所示，於一實施形態中，於1個配線3中，具有2個配線側面11間中之長度於第1方向中央部中最短之縮窄部。然而，如圖5所示，配線3亦可具有不具有縮窄部之配線側面11。
又，一實施形態中之圖1表示鍍覆層30之厚度相對較厚之一例。如圖5所示，該變化例係鍍覆層30之厚度與一實施形態之鍍覆層30之厚度相比較薄之例。
於該變化例中，形成彎曲面23之圓C之曲率半徑R相對較小，又，中心角α亦較小。曲率半徑R例如，未達9 μm，進而為5 μm以下，進而為2 μm以下，中心角α未達110度。
如圖1所示，於一實施形態中，傾斜面24僅由錐面27構成。然而，如圖6所示，例如，傾斜面24之厚度方向另一端緣亦可為第2彎曲面35。相互相鄰之第2彎曲面35係隨著朝向第1絕緣面7而其間之長度變短之縮窄部分37。 再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其只不過為單純之例示，不可限定性地解釋。由該技術領域之業者明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍。 [產業上之可利用性]
磁性配線電路基板用於無線通信或電線電力傳送。
1‧‧‧磁性配線電路基板2‧‧‧第1絕緣層3‧‧‧配線4‧‧‧第2絕緣層5‧‧‧磁性層6‧‧‧配線電路基板準備體7‧‧‧第1絕緣面8‧‧‧第2絕緣面9‧‧‧第1配線面10‧‧‧第2配線面11‧‧‧配線側面12‧‧‧第3絕緣面13‧‧‧第4絕緣面14‧‧‧第1磁性面15‧‧‧第2磁性面16‧‧‧露出面17‧‧‧磁性片材18‧‧‧磁性粒子19‧‧‧樹脂成分21‧‧‧第1角部22‧‧‧第2角部23‧‧‧彎曲面24‧‧‧傾斜面25‧‧‧第1尖部26‧‧‧平坦面27‧‧‧錐面28‧‧‧凸部29‧‧‧凹部30‧‧‧鍍覆層31‧‧‧第1被覆部32‧‧‧第2被覆部33‧‧‧垂直面35‧‧‧第2彎曲面36‧‧‧配線基部37‧‧‧縮窄部分45‧‧‧第2尖部50‧‧‧厚度方向中央部51‧‧‧基部中央側面55‧‧‧粒子不存在部分56‧‧‧孔隙C‧‧‧圓C'‧‧‧圓CP‧‧‧中心CP'‧‧‧中心R‧‧‧曲率半徑T‧‧‧厚度T0‧‧‧厚度T1‧‧‧厚度α‧‧‧中心角β1‧‧‧角度β2‧‧‧角度
圖1係表示本發明之磁性配線電路基板之一實施形態之剖視圖及其一部分放大剖視圖。 圖2A～圖2D係圖1所示之磁性配線電路基板之製造步驟圖，圖2A表示形成配線基部之第4步驟(第1步驟)，圖2B表示形成鍍覆層，並形成配線之第5步驟(第1步驟)，圖2C表示形成第2絕緣層之第2步驟，圖2D表示形成磁性層之第3步驟。 圖3係說明於圖1中通過第1角部之彎曲面之圓弧面之圓的剖視圖。 圖4係表示圖1之磁性配線電路基板之變化例(不具備第2絕緣層之態樣)之剖視圖。 圖5係表示圖1之磁性配線電路基板之變化例(鍍覆層較薄，且配線側面不具有縮窄部之態樣)之一部分放大剖視圖。 圖6係表示圖1之磁性配線電路基板之變化例(第2角部具有第2縮窄部之態樣)之一部分放大剖視圖。 圖7A～圖7C係比較例1之磁性配線電路基板(第2角部具有垂直面之比較例)之一部分放大剖視圖，圖7A表示磁性粒子彎折之態樣，圖7B表示產生粒子不存在部分之態樣，圖7C表示產生孔隙之態樣。 圖8A～圖8C係比較例2之磁性配線電路基板(第2角部具有第2縮窄部之比較例)之一部分放大剖視圖，圖8A表示磁性粒子彎折之態樣，圖8B表示產生粒子不存在部分之態樣，圖8C表示產生孔隙之態樣。
1‧‧‧磁性配線電路基板
2‧‧‧第1絕緣層
3‧‧‧配線
4‧‧‧第2絕緣層
5‧‧‧磁性層
6‧‧‧配線電路基板準備體
7‧‧‧第1絕緣面
8‧‧‧第2絕緣面
9‧‧‧第1配線面
10‧‧‧第2配線面
11‧‧‧配線側面
12‧‧‧第3絕緣面
13‧‧‧第4絕緣面
14‧‧‧第1磁性面
15‧‧‧第2磁性面
16‧‧‧露出面
18‧‧‧磁性粒子
19‧‧‧樹脂成分
21‧‧‧第1角部
22‧‧‧第2角部
23‧‧‧彎曲面
24‧‧‧傾斜面
26‧‧‧平坦面
27‧‧‧錐面
28‧‧‧凸部
29‧‧‧凹部
50‧‧‧厚度方向中央部
C‧‧‧圓
CP‧‧‧中心
R‧‧‧曲率半徑
T‧‧‧厚度
T0‧‧‧厚度
T1‧‧‧厚度
α‧‧‧中心角

Claims (3)

  1. 一種磁性配線電路基板，其特徵在於具備：絕緣層；配線，其係配置於上述絕緣層之厚度方向一個面之配線，且具有於上述絕緣層之上述厚度方向一個面隔開間隔對向配置之厚度方向一個面、接觸於上述絕緣層之上述厚度方向一個面之厚度方向另一個面、及將上述厚度方向一個面及上述厚度方向另一個面之兩端緣連結之側面；以及磁性層，其含有具有縱橫比為2以上之形狀之磁性粒子，且埋設上述配線；且上述配線具有：第1角部，其係藉由上述厚度方向一個面及上述側面而形成，且具有大致彎曲形狀；及第2角部，其係藉由上述厚度方向另一個面及上述側面而形成，且具有相互面對之2個上述側面間之長度隨著接近上述厚度方向另一個面而變長之部分；上述磁性粒子沿著第1角部之彎曲形狀配向。
  2. 如請求項1之磁性配線電路基板，其中上述第1角部之曲率半徑R為9μm以上。
  3. 一種磁性配線電路基板之製造方法，其特徵在於具備以下步驟：準備絕緣層及配置於上述絕緣層之厚度方向一個面之配線，上述配 線具有於上述絕緣層之上述厚度方向一個面隔開間隔對向配置之厚度方向一個面、接觸於上述絕緣層之上述厚度方向一個面之厚度方向另一個面、及將上述厚度方向一個面及上述厚度方向另一個面之兩端緣連結之側面；以及以含有具有縱橫比為2以上之形狀之磁性粒子且埋設上述配線之方式形成磁性層；且上述配線具有：第1角部，其係藉由上述厚度方向一個面及上述側面而形成，且具有大致彎曲形狀；及第2角部，其係藉由上述厚度方向另一個面及上述側面而形成，且具有相互面對之2個上述側面間之長度隨著接近上述厚度方向另一個面而變長之部分；於形成上述磁性層之步驟中，將含有於與上述厚度方向正交之方向配向之上述磁性粒子之磁性片材對於上述配線熱壓；上述磁性粒子沿著第1角部之彎曲形狀配向。
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