TWI843728B - 配線電路基板及其製造方法 - Google Patents

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TWI843728B
TWI843728B TW108117463A TW108117463A TWI843728B TW I843728 B TWI843728 B TW I843728B TW 108117463 A TW108117463 A TW 108117463A TW 108117463 A TW108117463 A TW 108117463A TW I843728 B TWI843728 B TW I843728B
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明之配線電路基板之製造方法具備：第1步驟，其係準備第1絕緣層、及配置於第1絕緣層之厚度方向一面之配線，該配線具有與第1絕緣層之厚度方向一面隔開間隔而對向配置之厚度方向一面、及與厚度方向一面之兩端緣連續並自兩端緣朝厚度方向另一側延伸之側面；第2步驟，其係於配線之厚度方向一面及側面形成第2絕緣層；及第3步驟，其係將含有縱橫比為2以上之導電性粒子之含粒子之片材熱壓至第2絕緣層，於第2絕緣層之表面形成含粒子之層。藉由奈米壓痕試驗測定之第3步驟之熱壓之溫度下的第2絕緣層之壓入硬度為60 MPa以上。

Description

配線電路基板及其製造方法
本發明係關於一種配線電路基板及其製造方法。
先前，已知於以無線方式傳輸電力之無線通信或無線電力傳輸中使用線圈模組。
例如，提出一種線圈模組，其具備線圈圖案、及埋設該線圈圖案且含有扁平形狀之磁性粒子之磁性層(例如，參照專利文獻1)。
此種線圈模組例如藉由以下方式而獲得，即，首先，藉由導體圖案化而形成線圈圖案，其次，將含有磁性粒子之磁性片材熱壓至線圈圖案。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2017-005115號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，有線圈圖案中流過大電流之情形，於該情形時，絕緣層中含有之扁平形狀之磁性粒子有時會使線圈圖案間短路，故要求線圈圖案與磁性層之間之絕緣性。
因此，嘗試於線圈圖案與磁性層之間由樹脂組合物形成絕緣層之方案。
然而，若於包含剖面大致矩形狀之線圈圖案之上表面及側面之稜線部之線圈圖案形成絕緣層，其後將含有磁性粒子之磁性片材加壓至該絕緣層，則磁性粒子容易貫通與稜線部對應之絕緣層，最終會與稜線部接觸，其結果，有因該接觸而無法確保磁性層與線圈圖案之絕緣性之不良。
本發明提供一種可確保含粒子之層對配線之絕緣性之配線電路基板及其製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明(1)包含一種配線電路基板之製造方法，其具備：第1步驟，其係準備第1絕緣層、及配置於上述第1絕緣層之厚度方向一面之配線，上述配線具有與上述第1絕緣層之上述厚度方向一面隔開間隔而對向配置之厚度方向一面、及與上述厚度方向一面之兩端緣連續並自上述兩端緣朝上述厚度方向另一側延伸之側面；第2步驟，其係於上述配線之上述厚度方向一面及上述側面形成第2絕緣層；及第3步驟，其係將含有縱橫比為2以上之導電性粒子之含粒子之片材熱壓至上述第2絕緣層，於上述第2絕緣層之表面形成含粒子之層；且藉由奈米壓痕試驗測定之上述第3步驟之熱壓之溫度下的上述第2絕緣層之壓入硬度為60 MPa以上。
該配線電路基板之製造方法中，於第3步驟之熱壓之溫度下藉由奈米壓痕試驗測定之第2絕緣層之壓入硬度較高，為60 MPa以上，亦即，熱壓時之第2絕緣層較硬，故於熱壓時，可抑制含粒子之層中之粒子貫通第2絕緣層。因此，可確保含粒子之層對配線之絕緣性。
本發明(2)包含上述配線電路基板之製造方法，其中上述導電性粒子為磁性粒子，上述含粒子之層為磁性層，上述含粒子之片材為磁性片材。
該配線電路基板之製造方法中，含粒子之層為磁性層，故可使配線周圍之實效磁導率提高。因此，可製造具有較高電感之配線電路基板。
本發明(3)包含(2)之配線電路基板之製造方法，其中於上述第2步驟中，藉由電沈積塗佈而形成上述第2絕緣層。
於該配線電路基板之製造方法中，於第2步驟中，藉由電沈積塗佈而形成第2絕緣層，故可確實地形成較薄之第2絕緣層。因此，可抑制隔著該第2絕緣層被覆配線之磁性層之實效磁導率之降低。其結果，該配線電路基板具有較高之電感。
另一方面，於第2絕緣層之厚度較薄之情形時，磁性粒子容易貫通較薄之第2絕緣層而與配線接觸。然而，於該配線電路基板中，熱壓時之第2絕緣層如上所述較硬，故於熱壓時，可抑制磁性粒子對第2絕緣層之貫通，從而可確保第2絕緣層之絕緣性。
本發明(4)包含(2)或(3)之配線電路基板之製造方法，其中上述第2絕緣層之厚度為10 μm以下。
於該配線電路基板之製造方法中，第2絕緣層之厚度較薄，為10 μm以下，故可抑制磁性層之實效磁導率之降低。因此，可製造具有較高電感之配線電路基板。
另一方面，於第2絕緣層之厚度為10 μm以下之較薄之情形時，磁性粒子容易貫通較薄之第2絕緣層而與配線接觸。然而，於該配線電路基板中，熱壓時之第2絕緣層如上所述較硬，故於熱壓時，可抑制磁性粒子對第2絕緣層之貫通，從而可確保第2絕緣層之絕緣性。
本發明(5)包含一種配線電路基板，其具備：第1絕緣層；配線，其配置於上述第1絕緣層之厚度方向一面，且具有與上述第1絕緣層之上述厚度方向一面隔開間隔而對向配置之厚度方向一面、及與上述厚度方向一面之兩端緣連續並自上述兩端緣朝上述厚度方向另一側延伸之側面；第2絕緣層，其形成於上述配線之上述厚度方向一面及上述側面；及含粒子之層，其含有縱橫比為2以上之導電性粒子，並形成於上述第2絕緣層之表面；且藉由奈米壓痕試驗測定之上述第2絕緣層於170℃之壓入硬度為60 MPa以上。
配線電路基板中，藉由奈米壓痕試驗測定之第2絕緣層於170℃的壓入硬度較高，為60 MPa以上，亦即，第2絕緣層較硬，故藉由170℃之熱壓而於第2絕緣層之表面形成含粒子之層時，可抑制含粒子之層中之粒子貫通第2絕緣層。因此，可確保含粒子之層對配線之絕緣性。
本發明(6)包含(5)之配線電路基板，其中上述導電性粒子為磁性粒子，上述含粒子之層為磁性層，上述配線電路基板為磁性配線電路基板。
該磁性配線電路基板中，含粒子之層為磁性層，故可使配線周圍之實效磁導率提高。因此，配線電路基板具有較高之電感。 [發明之效果]
根據本發明之配線電路基板及其製造方法，含粒子之層對配線之絕緣性優異。
＜一實施形態＞ 參照圖1對作為本發明之配線電路基板之一實施形態之磁性配線電路基板1進行說明。
磁性配線電路基板1具有於厚度方向相互對向之厚度方向一面及另一面，並具有於面方向(與厚度方向正交之方向)上延伸之薄片形狀。磁性配線電路基板1具備第1絕緣層2、作為配線之一例之配線部3、第2絕緣層4、及作為含粒子之層之一例之磁性層5。
第1絕緣層2具有於面方向上延伸之薄片形狀。第1絕緣層2係支持以下說明之配線部3之支持材，進而亦係支持磁性配線電路基板1之支持層。第1絕緣層2具有作為厚度方向一面之第1絕緣面7及作為另一面之第2絕緣面8。第1絕緣面7及第2絕緣面8之各者係沿著面方向之平坦面。
作為第1絕緣層2之材料，例如可列舉聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、丙烯酸系樹脂等樹脂(絕緣材料)。又，第1絕緣層2亦可為單層及多層之任一者。第1絕緣層2之厚度並未特別限定，例如為0.1 μm以上、1000 μm以下。
配線部3於第1絕緣層2之第1絕緣面7，例如於沿著厚度方向及第1方向(相當於圖1之左右方向，包含於面方向之方向)切斷後之切斷面，於第1方向上相互隔開間隔而配置複數個。作為配線部3之俯視(於厚度方向觀察時之)形狀，並未特別限定，例如包含環形狀(線圈形狀等)。
配線部3具備：相對於第1絕緣層2之第1絕緣面7而在厚度方向一側隔開間隔對向配置之厚度方向一面即第1配線面9；與第1絕緣層2之第1絕緣面7接觸之第2配線面10；及連結第1配線面9及第2配線面10之第1方向兩端緣之側面即配線側面11。
第1配線面9係沿著第1方向之平坦面。
第2配線面10與第1配線面9於厚度方向上隔開間隔而對向配置，且係與第1配線面9平行之平坦面。
配線側面11沿著厚度方向延伸。又，配線側面11與第1配線面9之第1方向兩端緣連續，且自此朝厚度方向另一側延伸，並與第2配線面10之第1方向兩端緣連續。1個配線部3具備2個配線側面11。2個配線側面11於第1方向上相互隔開間隔而對向(相互相對)配置。
又，該配線部3具有角部21。角部21係配線部3中之由第1配線面9及配線側面11所形成之稜線部。針對每1個配線部3形成2個角部21。
作為配線部3之材料，可列舉例如銅、鎳、金、焊料等金屬或該等金屬之合金等導體，較佳可列舉銅。
配線部3之厚度為第1配線面9及第2配線面10間之長度，具體而言，例如為10 μm以上，較佳為30 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為250 μm以下。
配線部3之寬度為相互相對之2個第1配線面9間之長度，例如為20 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為2000 μm以下，較佳為1000 μm以下。
相鄰之配線部3間之間隔例如為20 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為2000 μm以下，較佳為1000 μm以下。
再者，配線部3與上述第1絕緣層2一併配備於下述配線電路基板準備體6(尤其參照圖2A)。
第2絕緣層4對應於複數個配線部3而設置複數個。具體而言，1個第2絕緣層4對應於1個配線部3，亦即，以1對1之對應關係而設置。第2絕緣層4沿著配線部3之第1配線面9及配線側面11(包含角部21)而形成為薄膜狀。第2絕緣層4具有於厚度方向另一側打開之剖面大致コ字(U字)形狀。
第2絕緣層4一體地具有絕緣上壁12、絕緣側壁26、及絕緣角部13。
絕緣上壁12於剖視下具有沿著第1配線面9之大致直線形狀。
絕緣側壁26於剖視下具有沿著配線側面11之大致直線形狀。
絕緣角部13將絕緣上壁12之第1方向一端緣、與第1方向一側之絕緣側壁26之厚度方向一端緣連結。又，絕緣角部13將絕緣上壁12之第1方向另一端緣、與第1方向另一側之絕緣側壁26之厚度方向一端緣連結。絕緣角部13與配線部3之角部21對向，藉此，與角部21接觸且被覆。
又，第2絕緣層4具有與配線部3隔開間隔而配置之絕緣表面16。絕緣上壁12之絕緣表面16於第1配線面9之上側隔開間隔而對向配置。絕緣側壁26之絕緣表面16於配線側面11之第1方向外側(遠離配線部3之側)隔開間隔而對向配置。絕緣角部13之絕緣表面16於角部21之厚度方向一方向傾斜第1方向外側隔開間隔而對向配置。
第2絕緣層4例如為電沈積層、塗佈層等，較佳為電沈積層。再者，關於「電沈積」及「塗佈」，於以下之製造方法中進行說明。
第2絕緣層4例如不具有磁性。
作為第2絕緣層4之材料，可列舉不含磁性粒子18(將於以下之磁性層5中詳細敍述)之樹脂等。作為第2絕緣層4之樹脂，較佳為於水中具有離子性之樹脂，具體而言，可列舉丙烯酸系樹脂等熱塑性樹脂、環氧樹脂、熱固性聚醯亞胺樹脂等熱固性樹脂。其等可單獨使用或併用。較佳可列舉熱固性樹脂，更佳可列舉環氧樹脂。再者，環氧樹脂包含醯亞胺-環氧樹脂。
藉由奈米壓痕試驗測定之第2絕緣層4於170℃之壓入硬度H170 ℃ 為60 MPa以上，較佳為80 MPa以上，更佳為90 MPa以上，進而較佳為100 MPa以上，又，例如為500 MPa以下。
若第2絕緣層4於170℃之壓入硬度H170 ℃ 低於上述之下限，則於170℃或超過170℃之溫度(例如，超過170℃且200℃以下、進而190℃以下之高溫)下實施下述磁性片材17之熱壓時，磁性片材17之磁性粒子18會貫通第2絕緣層4。換言之，若第2絕緣層4於170℃之壓入硬度H170 ℃ 為上述之下限以上，則即便於170℃或超過170℃之溫度實施磁性片材17之熱壓，亦可抑制磁性片材17中之磁性粒子18貫通第2絕緣層4。
又，藉由奈米壓痕試驗測定之第2絕緣層4於110℃之壓入硬度H110 ℃ 例如為60 MPa以上，較佳為80 MPa以上，更佳為90 MPa以上，進而較佳為175 MPa以上，尤佳為200 MPa以上，又，例如為750 MPa以下。
若第2絕緣層4於110℃之壓入硬度H110 ℃ 低於上述之下限，則於110℃或稍微超過110℃之溫度(例如，超過110℃且130℃以下、進而120℃以下之低溫)實施下述磁性片材17之熱壓時，可抑制磁性片材17中之磁性粒子18貫通第2絕緣層4。
再者，第2絕緣層4中，於100℃以上、200℃以下之測定溫度範圍，測定溫度較低時之壓入硬度高於測定溫度較高時之壓入硬度。因此，第2絕緣層4於110℃之壓入硬度H110 ℃ 相對於第2絕緣層4於170℃之壓入硬度H170 ℃ 之比(H110 ℃ /H170 ℃ )例如超過1，進而為1.25以上，再進而為1.75以上，更進而為2以上，又，例如為5以下，進而為3以下。
於奈米壓痕試驗中，藉由將奈米壓痕儀(壓頭)直接壓入至第2絕緣層4而獲得壓入硬度H170 ℃ 及H110 ℃ 之各者。
第2絕緣層4之厚度相對較薄，作為其平均厚度，例如為20 μm以下，較佳為15 μm以下，更佳為10 μm以下，進而較佳為7.5 μm以下，尤佳為5 μm以下，又，例如為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上，更佳為1 μm以上。
若第2絕緣層4之厚度較薄，為上述之上限以下，則可使以下說明之磁性層5之實效磁導率提高，從而可提高磁性配線電路基板1之電感。
另一方面，若第2絕緣層4過薄，則下述磁性層5中之磁性粒子18容易貫通第2絕緣層4而與配線部3接觸。
然而，該磁性配線電路基板1中，第2絕緣層4具有上述較高之壓入硬度，故即便第2絕緣層4過薄，亦可抑制磁性粒子18貫通第2絕緣層4，從而可確保第2絕緣層4之絕緣性。
為使磁性配線電路基板1之電感提高，將磁性層5配備於磁性配線電路基板1。磁性層5具有於面方向延伸之薄片形狀。
磁性層5隔著第2絕緣層4而埋設配線部3。具體而言，磁性層5隔著第2絕緣層4而被覆配線部3之第1配線面9及配線側面11(包含角部21)。磁性層5與第2絕緣層4之絕緣表面16接觸。亦即，磁性層5直接形成於絕緣表面16。再者，磁性層5於第1絕緣層2之第1絕緣面7，被覆自第2絕緣層4露出之露出面36。
磁性層5具有第1磁性面14與第2磁性面15。
第1磁性面14相對於與第1配線面9對向之第2絕緣層4而於厚度方向一側隔開間隔而配置。第1磁性面14於厚度方向一側露出。
第2磁性面15於第1磁性面14之厚度方向另一側隔開間隔而配置。第2磁性面15與第2絕緣層4之絕緣表面16、及第1絕緣層2之露出面36接觸。
磁性層5含有磁性粒子18。具體而言，作為磁性層5之材料，例如可列舉含有縱橫比為2以上之磁性粒子18及樹脂成分19之磁性組合物。
作為磁性粒子18，例如可列舉鐵矽鋁合金等軟磁性粒子18。作為磁性粒子18之形狀，例如可列舉厚度較薄且面較寬大之扁平形狀(板形狀)，例如針形狀等。
磁性粒子之縱橫比為2以上，較佳為5以上，更佳為10以上，進而較佳為20以上，又，為100以下。
再者，磁性粒子18為扁平狀之情形時之扁平率(扁平度)例如為8以上，較佳為15以上，又，例如為500以下，較佳為450以下。扁平率例如係將磁性粒子18之平均粒徑(平均長度)除以磁性粒子18之平均厚度所得之縱橫值。
磁性粒子18於磁性層5(磁性組合物)中之含有比率例如為50體積%以上，較佳為55體積%以上，又，例如為95體積%以下，較佳為90體積%以下。
樹脂成分19例如包含環氧樹脂、含有固化劑及固化促進劑之環氧樹脂組合物等熱固性樹脂。再者，此種磁性組合物例如記載於日本專利特開2017-005115號公報、日本專利特開2015-092543號公報等中。
關於磁性配線電路基板1之厚度，作為其最大厚度，例如為30 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為1000 μm以下，較佳為800 μm以下。
其次，參照圖2A～圖2C對該磁性配線電路基板1之製造方法進行說明。
該磁性配線電路基板1之製造方法具備準備第1絕緣層2及配線部3之第1步驟(參照圖2A)、形成第2絕緣層4之第2步驟(參照圖2B)、及形成磁性層5之第3步驟(參照圖2C及圖1)。
如圖2A所示，於第1步驟中，準備具備第1絕緣層2及配線部3之配線電路基板準備體6。配線電路基板準備體6尚不具備第2絕緣層4及磁性層5，而具備第1絕緣層2與配線部3。較佳為，配線電路基板準備體6僅包含第1絕緣層2與配線部3。
例如，準備上述樹脂之膜等作為第1絕緣層2，繼而，藉由公知之導體圖案化法而於第1絕緣層2之第1絕緣面7形成配線部3。藉此，準備配線電路基板準備體6。
如圖2B所示，於第2步驟中，繼而，於上述配線電路基板準備體6形成第2絕緣層4。具體而言，由第2絕緣層4被覆配線部3之第1配線面9及配線側面11。
作為形成第2絕緣層4之方法，例如可列舉電沈積塗佈(電沈積)、例如印刷等塗佈等。
於電沈積塗佈中，將配線電路基板準備體6(製造中途之磁性配線電路基板1)浸漬於含有上述樹脂(具體而言，電沈積塗料)之電沈積液中，繼而，將電流施加至配線部3，藉此使配線部3之第1配線面9及配線側面11析出樹脂之被膜。
電沈積時間可根據電沈積液中之樹脂之比率、施加之電流等而適當設定，例如為1分鐘以上，較佳為2分鐘以上，更佳為3分鐘以上，又，例如為20分鐘以下，較佳為10分鐘以下。
藉由電沈積塗佈而形成第2絕緣層4作為電沈積層。第2絕緣層4中，若樹脂含有熱固性樹脂，則例如為B-階段(半固化)。其後，若第2絕緣層4為B-階段之熱固性樹脂，則使第2絕緣層4藉由燒接而加熱固化(C-階段化、完全固化)。
於作為塗佈之一例之印刷中，將含有上述樹脂之清漆經由網版而對配線部3之第1配線面9及配線側面11塗佈被膜(網版印刷)。其後，若被膜為B-階段，則藉由加熱而加熱固化。
加熱溫度(固化溫度)並未特別限定，例如為100℃以上，較佳為150℃以上，又，例如為250℃以下，較佳為225℃以下。
作為形成第2絕緣層4之方法，較佳可列舉電沈積塗佈。
若為電沈積塗佈，則可使第2絕緣層4之厚度較薄(此處，設定為可確保第2絕緣層4之絕緣性之程度之厚度)。又，若為電沈積塗佈，則第2絕緣層4可使露出面36確實露出，因此，於相鄰之配線部3間，於後續之第3步驟中，可將磁性層5遍及整個厚度方向而配置，故使磁性層5之實效磁導率提高，磁性配線電路基板1之電感變高。
如圖2C所示，於第3步驟中，其後，於配線電路基板準備體6形成磁性層5。具體而言，由磁性層5隔著第2絕緣層4而被覆配線部3之第1配線面9及配線側面11。
第3步驟中，如圖2B所示，首先，準備作為含粒子之片材之一例的磁性片材17。為準備磁性片材17，例如自上述含有磁性粒子18及樹脂成分19(較佳為B-階段之熱固性樹脂)之磁性組合物形成薄片形狀。於磁性片材17中，磁性粒子18例如配向(排列)於磁性片材17之面方向(與厚度方向正交之方向)。
其後，如圖2C之箭頭所示，將磁性片材17熱壓至配線電路基板準備體6之第2絕緣層4。將磁性片材17配置於配線電路基板準備體6之厚度方向一側(具體而言，第2絕緣層4之絕緣上壁12)，將磁性片材17熱壓至配線電路基板準備體6之厚度方向一面(第2絕緣層4之絕緣上壁12)。 具體而言，準備具備下壓板23及上壓板24之壓具25， 將配線電路基板準備體6及磁性片材17設置於壓具25。具體而言，將第1絕緣層2載置於下壓板23，並且將磁性片材17於第2絕緣層4之厚度方向一側對向配置。其後，將上壓板24以靠近下壓板23之方式(下降)進行熱壓。
熱壓中，使用配備於壓具25(具體而言，上壓板24)之未圖示之熱源加熱磁性片材17。熱壓之溫度為使磁性片材17充分軟化之溫度以上、但第2絕緣層4並不過度軟化之溫度以下。詳細而言，磁性片材17之熱壓之溫度為容許第2絕緣層4略微軟化、但可維持於熱壓中磁性粒子18不會貫通第2絕緣層4之程度之硬度的溫度以下。
進而，若考慮溫度越低，第2絕緣層4之壓入硬度變得越高，則熱壓之溫度相對較低為宜。
具體而言，熱壓之溫度例如為200℃以下，較佳為190℃以下，進而170℃以下、150℃以下、130℃以下、120℃以下、110℃以下為宜，又，例如為60℃以上，進而為80℃以上，再進而為100℃以上。
另一方面，關於在上述熱壓之溫度下測定之第2絕緣層4之壓入硬度，具體而言，藉由奈米壓痕試驗測定之第3步驟之熱壓之溫度下的第2絕緣層4之壓入硬度為60 MPa以上，較佳為80 MPa以上，更佳為90 MPa以上，進而較佳為100 MPa以上，又，例如為500 MPa以下。
若第2絕緣層4於第3步驟之熱壓下之壓入硬度低於上述之下限，則於第3步驟之熱壓時，磁性片材17中之磁性粒子18會貫通第2絕緣層4。換言之，若第2絕緣層4於第3步驟之熱壓下之壓入硬度為上述之下限以上，則於第3步驟之熱壓時，可抑制磁性片材17中之磁性粒子18貫通第2絕緣層4。
上述熱壓之溫度下之第2絕緣層4之壓入硬度包含上述170℃時之第2絕緣層4之壓入硬度H170 ℃ 、及110℃時之第2絕緣層4之壓入硬度H110 ℃ 。具體而言，於110℃實施熱壓時之第2絕緣層4之壓入硬度相當於壓入硬度H110 ℃ ，於170℃實施熱壓時之第2絕緣層4之壓入硬度相當於壓入硬度H170 ℃ 。
藉此，磁性片材17隔著第2絕緣層4而埋設配線部3。具體而言，磁性片材17隔著第2絕緣層4而被覆配線部3之第1配線面9(包含角部21)，並且進入(下沈)至相互相鄰之配線部3之配線側面11之間(與露出面36對向之部分)，填充於其間(部分)。
例如，熱壓前後之磁性片材17中，與絕緣上壁12對向之磁性粒子18之配向方向(具體而言，面方向)未變動。又，熱壓前後之磁性片材17中，與露出面36之第1方向中央部對向之磁性粒子18之配向方向(具體而言，面方向)未變動。另一方面，熱壓前後之磁性片材17中，與絕緣角部13及絕緣側壁26對向之磁性粒子18之配向方向(具體而言，面方向)沿著絕緣角部13及絕緣側壁26之絕緣表面16。
藉此，磁性片材17形成(成型)為隔著第2絕緣層4而被覆配線部3之磁性層5。
藉此，可獲得具備配線電路基板準備體6及磁性層5之磁性配線電路基板1。磁性配線電路基板1較佳為僅包含配線電路基板準備體6及磁性層5。
其後，於磁性層5包含B-階段之熱固性樹脂之情形時，視需要，使磁性層5例如藉由加熱而C-階段化(完全固化)。
再者，於圖1及圖2C所示之磁性配線電路基板1中，第2絕緣層4由磁性層5被覆，於170℃時之第2絕緣層4之壓入硬度H170 ℃ 係自磁性配線電路基板1之剖面測定。其值與為製造中途、尚未由磁性層5被覆之圖2B所示之第2絕緣層4之170℃之壓入硬度H170 ℃ 實質上相同。關於110℃之第2絕緣層4之壓入硬度H110 ℃ 亦同樣。
該磁性配線電路基板1例如可用於無線電力傳輸(無線供電及/或無線受電)、無線通信、感測器、被動零件等。
而且，該磁性配線電路基板1之製造方法中，於第3步驟中之熱壓之溫度下藉由奈米壓痕試驗測定之第2絕緣層4之壓入硬度較高，為60 MPa以上，亦即，熱壓時之第2絕緣層4較硬，故於熱壓時，可抑制磁性層5中之磁性粒子18貫通第2絕緣層4。因此，可確保磁性層5對配線之絕緣性。
又，該磁性配線電路基板1之製造方法中，藉由磁性層5可使配線部3周圍之實效磁導率提高。因此，可製造具有較高電感之磁性配線電路基板1。
又，該磁性配線電路基板1之製造方法中，於第2步驟中，若藉由電沈積塗佈而形成第2絕緣層4，則可確實地形成較薄之第2絕緣層4。因此，可抑制隔著該第2絕緣層4被覆配線部3之磁性層5之實效磁導率之降低。其結果，該磁性配線電路基板1具有較高之電感。
另一方面，於第2絕緣層4之厚度較薄之情形時，磁性粒子18容易貫通較薄之第2絕緣層4而與磁性層5接觸。然而，該磁性配線電路基板1中，第2絕緣層4如上所述較硬，故可抑制磁性粒子18對第2絕緣層4之貫通，從而可確保第2絕緣層4之絕緣性。
又，該磁性配線電路基板1中，第2絕緣層4之厚度較薄，為10 μm以下，故可抑制磁性層5之實效磁導率之降低。因此，可製造具有較高電感之配線電路基板1。
又，該磁性配線電路基板1中，第2絕緣層4如上所述較硬，故例如即便第2絕緣層4之厚度較薄，為10 μm以下，亦可抑制磁性粒子18對第2絕緣層4之貫通，從而可確保第2絕緣層4之絕緣性。
該磁性配線電路基板1中，藉由奈米壓痕試驗測定之第2絕緣層4於170℃之壓入硬度較高，為60 MPa以上，亦即，於170℃以熱壓形成磁性層5時之第2絕緣層4較硬，故可抑制磁性層5中之磁性粒子18貫通第2絕緣層4。因此，可確保磁性層5對配線部3之絕緣性。
又，該磁性配線電路基板1中，藉由磁性層5可使配線部3周圍之實效磁導率提高。因此，磁性配線電路基板1具有較高之電感。
＜變化例＞ 於以下各變化例中，對於與上述一實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，省略其詳細之說明。又，可將各變化例適當組合。進而，除特別記載之外，各變化例可發揮與一實施形態相同之作用效果。
一實施形態中，作為本發明之配線電路基板之一例，列舉具備磁性層5之磁性配線電路基板1進行說明。然而，雖未圖示，但並不限定於此，亦可列舉具備除磁性層5以外之含粒子之層之配線電路基板。
含粒子之層以適當之比率含有除上述磁性粒子以外之導電性粒子。作為導電性粒子並未特別限定，可列舉銅粒子、銀粒子、金粒子、鐵粒子、焊料粒子等金屬粒子等。
於一實施形態中，磁性粒子18配向於磁性片材17之面方向，但磁性片材17之配向方向並未特別限定。 實施例
以下顯示實施例及比較例，更具體地說明本發明。再者，本發明並不限定於任何實施例及比較例。又，以下記載中使用之調配比率(比率)、物性值、參數等具體數值可代替上述「實施方式」中記載之與其等對應之調配比率(比率)、物性值、參數等相應記載之上限(作為「以下」、「未達」而定義之數值)或下限(作為「以上」、「超過」而定義之數值)。
實施例1 如圖2A所示，準備具備厚度5 μm之第1絕緣層2、及厚度100 μm、寬度335 μm之配線部3之配線電路基板準備體6。第1絕緣層2包含聚醯亞胺樹脂。配線部3包含銅。
如圖2B所示，其次，將第2絕緣層4配置於配線部3。具體而言，藉由使用包含環氧樹脂之電沈積塗料(ELECOAT PI-A，醯亞胺-環氧樹脂，Shimizu公司製造)之電沈積塗佈，將作為電沈積層之第2絕緣層4配置於第1配線面9及配線側面11。第2絕緣層4之厚度為5 μm，且為B-階段。其後，將第2絕緣層4於110℃乾燥5分鐘之後，於210℃加熱(燒接、焙燒)70分鐘。該第2絕緣層4為C-階段。
其後，如圖2C所示，自表1記載之磁性組合物製作厚度100 μm之磁性片材17，且將其於110℃對第2絕緣層4熱壓15分鐘。 藉此，將B-階段之磁性層5配置於配線電路基板準備體6。
藉此，製造磁性配線電路基板1。
實施例2～比較例2 將第2步驟中之電沈積塗料之種類、焙燒時間(加熱時間)、及第2步驟中之熱壓之測定溫度如表2及表3進行變更，除此之外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造磁性配線電路基板1。
＜評估＞ 評估下述項目。將其結果示於表2及圖3。
壓入硬度 藉由奈米壓痕試驗測定第2絕緣層4之壓入硬度。再者，測定對象為形成磁性層5之前之C-階段之第2絕緣層4。
於奈米壓痕試驗中，將奈米壓痕儀(探針、壓頭)壓入至第2絕緣層4(具體而言，配置於第1配線面9之第2絕緣層4)，對藉此獲得之位移-荷重遲滯曲線利用附帶測定裝置之軟體(triboscan)進行數值處理，以此獲得壓入硬度。
奈米壓痕儀裝置及測定條件如下所述。 奈米壓痕儀裝置：「Tribo Indenter」，Hysitron Inc公司製造 測定方法：單一壓入法 壓入速度：60 μN/秒 最大壓入力：300 μN 最大壓入力保持時間：2秒 探針：三角錐型(berkovich型) 絕緣性評估 使連接於數位萬用表(ADVANTEST公司製造，「R6552 DIGITAL MULTIMETER」)之探針分別接觸於配線部3中未由磁性層5被覆之評估用Pad部、及被覆配線部3之磁性層5，於2端子電阻模式下，根據數位萬用表之電阻值而確認有無導通。
於有導通之情形時，於數位萬用表之液晶顯示部顯示某些數值(數字)。
另一方面，於無導通之情形時，於數位萬用表之液晶顯示部顯示「.OL」(過載(OverLoad)之意)。
對各實施例及各比較例中製作之複數個配線部3之各者實施上述導通確認，求出無導通之配線部之比率(百分率)。
藉此，評估磁性層5對配線部3之絕緣性。
[表1]
[表2]
[表3]
再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其等僅為例示，並非限定性解釋。由該技術領域之業者明晰之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產業上之可利用性]
配線電路基板可用於無線電力傳輸、無線通信、感測器、被動零件等。
1‧‧‧磁性配線電路基板 2‧‧‧第1絕緣層 3‧‧‧配線部 4‧‧‧第2絕緣層 5‧‧‧磁性層 6‧‧‧配線電路基板準備體 7‧‧‧第1絕緣面 8‧‧‧第2絕緣面 9‧‧‧第1配線面 10‧‧‧第2配線面 11‧‧‧配線側面 12‧‧‧絕緣上壁 13‧‧‧絕緣角部 14‧‧‧第1磁性面 15‧‧‧第2磁性面 16‧‧‧絕緣表面 17‧‧‧磁性片材 18‧‧‧磁性粒子 19‧‧‧樹脂成分 21‧‧‧角部 23‧‧‧下壓板 24‧‧‧上壓板 25‧‧‧壓具 26‧‧‧絕緣側壁 36‧‧‧露出面
圖1表示本發明之配線電路基板之一實施形態之磁性配線電路基板之剖視圖。 圖2A～圖2C係圖1所示之磁性配線電路基板之製造步驟圖，圖2A表示準備第1絕緣層及配線部之第1步驟，圖2B表示形成第2絕緣層之第2步驟，圖2C表示形成磁性層之第3步驟。 圖3係表示實施例之第2絕緣層之壓入硬度及絕緣性評估之關係之圖表。
1‧‧‧磁性配線電路基板
2‧‧‧第1絕緣層
3‧‧‧配線部
4‧‧‧第2絕緣層
5‧‧‧磁性層
6‧‧‧配線電路基板準備體
7‧‧‧第1絕緣面
8‧‧‧第2絕緣面
9‧‧‧第1配線面
10‧‧‧第2配線面
11‧‧‧配線側面
12‧‧‧絕緣上壁
13‧‧‧絕緣角部
14‧‧‧第1磁性面
15‧‧‧第2磁性面
16‧‧‧絕緣表面
18‧‧‧磁性粒子
19‧‧‧樹脂成分
21‧‧‧角部
26‧‧‧絕緣側壁
36‧‧‧露出面

Claims (3)

  1. 一種配線電路基板之製造方法，其特徵在於具備：第1步驟，其係準備第1絕緣層、及配置於上述第1絕緣層之厚度方向一面之配線，上述配線具有與上述第1絕緣層之上述厚度方向一面隔開間隔而對向配置之厚度方向一面、及與上述厚度方向一面之兩端緣連續並自上述兩端緣朝上述厚度方向另一側延伸之側面；第2步驟，其係於上述配線之上述厚度方向一面及上述側面形成第2絕緣層；及第3步驟，其係將含有縱橫比為2以上之導電性粒子之含粒子之片材熱壓至上述第2絕緣層，於上述第2絕緣層之表面形成含粒子之層；其中藉由奈米壓痕試驗測定之上述第3步驟之熱壓之溫度下的上述第2絕緣層之壓入硬度為60MPa以上；上述導電性粒子為磁性粒子，上述含粒子之層為磁性層，上述含粒子之片材為磁性片材，上述配線電路基板之製造方法為磁性配線電路基板之製造方法；且於上述第2步驟中，藉由電沈積塗佈而形成上述第2絕緣層。
  2. 如請求項1之配線電路基板之製造方法，其中上述第2絕緣層之厚度為10μm以下。
  3. 一種配線電路基板，其特徵在於具備： 第1絕緣層；配線，其配置於上述第1絕緣層之厚度方向一面，且具有與上述第1絕緣層之上述厚度方向一面隔開間隔而對向配置之厚度方向一面、及與上述厚度方向一面之兩端緣連續並自上述兩端緣朝上述厚度方向另一側延伸之側面；第2絕緣層，其形成於上述配線之上述厚度方向一面及上述側面；及含粒子之層，其含有縱橫比為2以上之導電性粒子，並形成於上述第2絕緣層之表面；其中藉由奈米壓痕試驗測定之上述第2絕緣層於170℃之壓入硬度為60MPa以上；且上述導電性粒子為磁性粒子，上述含粒子之層為磁性層，上述配線電路基板為磁性配線電路基板，上述第2絕緣層為電沈積層。
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