TWI809077B - 基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明所揭露之內容，說明可抑制伴隨含金屬塗覆膜之利用的金屬汙染之基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取記錄媒體。基板處理裝置，具備：成膜部，構成為在基板之表面形成含有金屬的塗覆膜；塗覆膜清洗部，構成為清洗基板之周緣部的塗覆膜；以及控制部。控制部，實行如下控制：控制成膜部，俾在基板之表面形成塗覆膜；控制塗覆膜清洗部，俾往基板之周緣部的第1位置，供給具有溶解塗覆膜之功能的第1藥液；以及於由第1藥液溶解的塗覆膜乾燥後，控制塗覆膜清洗部，俾往位於基板之周緣部，且較第1位置更為基板之周緣側的第2位置，供給具有溶解塗覆膜之功能的第2藥液。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取記錄媒體
本發明揭露之內容，係關於一種基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取記錄媒體。
專利文獻1，揭露將含有金屬之塗布材的層（下稱「含金屬塗覆膜」）形成在基板上之基板處理方法。 [習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開第2016－29498號公報
[本發明所欲解決的問題]
本發明所揭露之內容，說明可抑制伴隨含金屬塗覆膜之利用的金屬汙染之基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取記錄媒體。 [解決問題之技術手段]
本發明揭露的一觀點之基板處理裝置，具備：成膜部，構成為在基板之表面形成含有金屬的塗覆膜；塗覆膜清洗部，構成為清洗基板之周緣部的塗覆膜；以及控制部。控制部，施行如下控制：控制成膜部，俾在基板之表面形成塗覆膜；控制塗覆膜清洗部，俾往基板之周緣部的第1位置，供給具有溶解塗覆膜之功能的第1藥液；以及於由第1藥液溶解的塗覆膜乾燥後，控制塗覆膜清洗部，往位於基板之周緣部，且較第1位置更為基板之周緣側的第2位置，供給具有溶解塗覆膜之功能的第2藥液。 [本發明之效果]
依本發明所揭露之基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取記錄媒體，可抑制伴隨含金屬塗覆膜之利用的金屬汙染。
以下，茲就本發明所揭露之實施形態的一例，參考附圖並更為詳細地說明。下述說明中，對具有同一要素或同一功能之要素使用同一符號，並省略重複的說明。
［基板處理系統］ 如圖1所示，基板處理系統1（基板處理裝置），具備塗布顯影裝置2（基板處理裝置）、曝光裝置3、及控制器10（控制部）。曝光裝置3，施行形成在晶圓W（基板）之表面的光阻膜之曝光處理（圖案曝光）。具體而言，藉由液浸曝光等方法，對光阻膜（感光性塗覆膜）之曝光對象部分選擇性地照射能量線。作為能量線，例如可列舉ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、g線、i線、或極紫外輻射（EUV：Extreme Ultraviolet）。
塗布顯影裝置2，於曝光裝置3所進行的曝光處理前，施行在晶圓W之表面形成光阻膜的處理，於曝光處理後施行光阻膜的顯影處理。晶圓W，可呈圓板狀，亦可切出圓形之一部分，或可呈多角形等圓形以外的形狀。晶圓W，例如亦可為半導體基板、玻璃基板、遮罩基板、FPD（Flat Panel Display, 平板顯示器）基板等其他各種基板。晶圓W之直徑，例如可為200mm～450mm程度。
如圖1～圖3所示，塗布顯影裝置2，具備載具區塊4、處理區塊5、及介面區塊6。載具區塊4、處理區塊5、及介面區塊6，於水平方向排列。
載具區塊4，如圖1及圖3所示，具備載送站12及搬入搬出部13。載送站12，支持複數個載具11。載具11，以密封狀態收納至少一片晶圓W。於載具11之側面11a，設置用於使晶圓W出入的開閉扉（未圖示）。載具11，以可任意裝卸的方式設置於載送站12上，其側面11a面向搬入搬出部13側。
搬入搬出部13，位於載送站12及處理區塊5之間。搬入搬出部13，具備複數片開閉扉13a。載具11載置於載送站12上時，成為載具11之開閉扉面向開閉扉13a的狀態。藉由將開閉扉13a及側面11a之開閉扉同時開放，而使載具11內與搬入搬出部13內連通。搬入搬出部13，內建有搬運臂A1。搬運臂A1，將晶圓W從載具11取出而往處理區塊5傳遞，從處理區塊5接收晶圓W而返回載具11內。
處理區塊5，如圖1及圖2所示，具備模組14～17。此等模組，從底面側起依模組17、模組14、模組15、模組16的順序排列。如圖2及圖3所示，模組14～17，分別內建有：複數液體處理單元U1、複數熱處理單元U2、及將晶圓W往此等單元搬運之搬運臂A2。液體處理單元U1，構成為將處理液塗布在晶圓W之表面，形成塗布膜。熱處理單元U2，例如內建有熱板及冷卻板，構成為藉由熱板將晶圓W加熱，藉由冷卻板將加熱後的晶圓W冷卻，以施行熱處理。
模組14，構成為在晶圓W之表面上形成下層膜，亦稱作BCT模組。模組14之液體處理單元U1，構成為將下層膜形成用的塗布液在晶圓W之表面塗布。模組14之熱處理單元U2，構成為施行用於使塗布膜硬化而成為下層膜的加熱處理。作為下層膜，例如可列舉反射防止（SiARC）膜。然則，於附圖中省略下層膜之圖示。
模組15，構成為在下層膜上形成中間膜（硬罩），亦稱作HMCT模組。模組15之液體處理單元U1，構成為將中間膜形成用的塗布液在晶圓W之表面塗布。模組15之熱處理單元U2，構成為施行用於使塗布膜硬化而成為中間膜的加熱處理。作為中間膜，例如可列舉SOC（Spin On Carbon, 旋塗碳）膜、非晶碳膜。然則，於附圖中省略中間膜之圖示。
模組16，構成為在中間膜上形成熱硬化性且感光性的光阻膜，亦稱作COT模組。模組16之液體處理單元U1，構成為將光阻膜形成用的處理液（光阻劑）在中間膜上塗布。模組16之熱處理單元U2，構成為施行用於使塗布膜硬化而成為光阻膜的加熱處理（PAB：Pre Applied Bake, 預烘烤）。
模組17，構成為施行經曝光的光阻膜之顯影處理，亦稱作DEV模組。模組17，進一步內建有搬運臂A6，將晶圓W不經由液體處理單元U1及熱處理單元U2而在棚架單元U9、U10（後述）間中直接搬運。模組17之液體處理單元U1，構成為將光阻膜部分地除去，形成光阻圖案。模組17之熱處理單元U2，構成為施行顯影處理前的加熱處理（PEB：Post Exposure Bake, 曝光後烘烤）、顯影處理後的加熱處理（PB：Post Bake, 後烘烤）等。
於處理區塊5內之載具區塊4側，如圖2及圖3所示，設置棚架單元U9。棚架單元U9，從底面設置至模組15，區隔為在上下方向排列的複數小單元。於棚架單元U9附近，設置搬運臂A7。搬運臂A7，使晶圓W在棚架單元U9的小單元彼此之間升降。
於處理區塊5內之介面區塊6側，設置棚架單元U10。棚架單元U10，從底面設置至模組17之上部，區隔為在上下方向排列的複數小單元。
介面區塊6，內建有搬運臂A8，與曝光裝置3連接。搬運臂A8，構成為將棚架單元U10的晶圓W取出而往曝光裝置3傳遞，從曝光裝置3接收晶圓W而返回棚架單元U10。
控制器10，部分地或全體地控制基板處理系統1。關於控制器10之細節，將於後述內容說明。
［液體處理單元的構成］ 參考圖3～圖6，對液體處理單元U1的構成詳細地說明。本實施形態，作為液體處理單元U1的一例，對模組16之液體處理單元U1予以說明。如圖3所示，複數液體處理單元U1，包含保護膜形成用之液體處理單元U11、成膜／塗覆膜清洗用之液體處理單元U12、及保護膜清洗用之液體處理單元U13。
保護膜形成用之液體處理單元U11，如圖4所示，具備保護處理部100。保護處理部100，構成為在晶圓W之周緣部Wc形成保護膜。例如保護處理部100，構成為將用於形成保護膜的藥液（下稱「保護液」），塗布在晶圓W之周緣部Wc。另，保護膜，至少經由保護液的塗布及加熱而形成，但下述內容中，為了方便，將加熱前後的膜兩者皆稱作「保護膜」。保護處理部100，具備旋轉保持部110、液體供給部120、及噴嘴位置調節部130。
旋轉保持部110，構成為將水平地配置的晶圓W藉由真空吸附等予以保持，將電動馬達等作為動力源繞鉛直軸線旋轉。
液體供給部120，往藉由旋轉保持部110保持的晶圓W之周緣部Wc，供給保護液。作為保護液之具體例，例如可列舉包含成為酚系樹脂、萘系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、或苯系樹脂等原料之有機成分的保護液。液體供給部120，例如具備噴嘴121、122，供給源123，閥124、125。
噴嘴121、122，往晶圓W之周緣部Wc噴吐保護液。噴嘴121，配置於晶圓W之周緣部Wc的上方，向下方開口。噴嘴121，例如可向斜下方（朝下且朝向晶圓W之徑方向外方）開口。噴嘴122，配置於晶圓W之周緣部Wc的下方，向上方開口。噴嘴122，例如可向斜上方（朝上且朝向晶圓W之徑方向外方）開口。供給源123，收納供給用的保護液，往噴嘴121、122壓送。閥124、125，分別開啟關閉從供給源123往噴嘴121、122的保護液之流路。閥124，例如為氣動閥，設置於將供給源123及噴嘴121連接之管路。閥125，例如為氣動閥，設置於將供給源123及噴嘴122連接之管路。
噴嘴位置調節部130，具有調節噴嘴121的位置之功能。噴嘴位置調節部130，構成為將電動馬達等作為動力源，使噴嘴121沿著穿越晶圓W之上方的線而移動。
成膜／塗覆膜清洗用之液體處理單元U12，如圖5所示，具備成膜部200及塗覆膜清洗部300。成膜部200，構成為在晶圓W之表面Wa，形成含有金屬的光阻膜（塗覆膜）。另，光阻膜，如同後述地經由藥液的塗布及加熱而形成，但下述內容中，為了方便，將加熱前後的膜兩者皆稱作「光阻膜」。成膜部200，具備旋轉保持部210、液體供給部220、及噴嘴位置調節部230。
旋轉保持部210，構成為將水平地配置的晶圓W藉由真空吸附等予以保持，將電動馬達等作為動力源繞鉛直軸線旋轉。
液體供給部220，構成為在藉由旋轉保持部210保持的晶圓W之表面Wa，塗布光阻膜形成用的處理液（下稱「光阻液」）。液體供給部220，例如具備噴嘴221、供給源222、及閥223。
噴嘴221，往晶圓W之表面Wa噴吐光阻液。噴嘴221，配置於晶圓W之上方，向下方（例如鉛直下方）開口。供給源222，收納供給用的光阻液，往噴嘴221壓送。閥223，開啟關閉從供給源222往噴嘴221的光阻液之流路。閥223，例如為氣動閥，設置於將供給源222及噴嘴221連接之管路。
噴嘴位置調節部230，具有調節噴嘴221的位置之功能。更具體而言，噴嘴位置調節部230，構成為將電動馬達等作為動力源，使噴嘴221沿著穿越晶圓W之上方的線而移動。
塗覆膜清洗部300，構成為清洗晶圓W之周緣部Wc的光阻膜。塗覆膜清洗部300，具備液體供給部310、320，及噴嘴位置調節部330。
液體供給部310，構成為往藉由旋轉保持部210保持的晶圓W之周緣部Wc，供給具有溶解光阻膜之功能的第1藥液。作為第1藥液之具體例，例如可列舉丙二醇單甲基醚（PGME）、丙二醇單甲醚醋酸酯（PGMEA）等有機溶劑。液體供給部310，例如具備噴嘴311、312，供給源313，閥314、315。
噴嘴311、312，往晶圓W之周緣部Wc噴吐第1藥液。噴嘴311，配置為藉由第1藥液的噴吐，而使液體供給部310往晶圓W之周緣部Wc的位置P1（第1位置）供給第1藥液。位置P1，例如包含從晶圓W之端面Wb往晶圓W之中心側接近5mm程度的位置。噴嘴311，配置於晶圓W之周緣部Wc的上方，向下方開口。噴嘴311，例如可向斜下方（朝下且朝向晶圓W之徑方向外方）開口。以下，將藉由第1藥液的噴吐，使液體供給部310往晶圓W之周緣部Wc的位置P1供給第1藥液之噴嘴311的配置，稱作「噴吐配置A」。噴嘴312，配置於晶圓W之周緣部Wc的下方，向上方開口。噴嘴312，例如可向斜上方（朝上且朝向晶圓W之徑方向外方）開口。
供給源313，收納供給用的第1藥液，往噴嘴311、312壓送。閥314、315，分別開啟關閉從供給源313往噴嘴311、312的第1藥液之流路。閥314，例如為氣動閥，設置於將供給源313及噴嘴311連接之管路。閥315，例如為氣動閥，設置於將供給源313及噴嘴312連接之管路。
液體供給部320，構成為往藉由旋轉保持部210保持的晶圓W之周緣部Wc，供給具有溶解光阻膜之功能的第2藥液。作為第2藥液之具體例，例如可列舉丙二醇單甲基醚（PGME）、丙二醇單甲醚醋酸酯（PGMEA）等有機溶劑。第2藥液，可為與第1藥液相同的藥液，亦可為與第1藥液不同的藥液。液體供給部320，例如具備噴嘴321、322，供給源323，閥324、325。
噴嘴321、322，往晶圓W之周緣部Wc噴吐第2藥液。噴嘴321，配置為藉由第2藥液的噴吐，而使液體供給部320往晶圓W之周緣部Wc的位置P2（第2位置）供給第2藥液。位置P2，在晶圓W之周緣部Wc中，為較位置P1更為周緣側的位置。位置P2，係噴吐出的第2藥液未到達位置P1的位置，可因應噴嘴321之噴吐口的大小或第2藥液的流量而適宜設定。位置P2，例如可包含從晶圓W之端面Wb往晶圓W之中心側接近3mm程度的位置。噴嘴321，在晶圓W之周緣部Wc的上方配置於較噴嘴311更為周緣側，向下方且較噴嘴311更為周緣側開口。噴嘴321，例如可向斜下方（朝下且朝向晶圓W之徑方向外方）開口。以下，將藉由第2藥液的噴吐，使液體供給部320往晶圓W之周緣部Wc的位置P2供給第2藥液之噴嘴321的配置，稱作「噴吐配置B」。噴嘴322，配置於晶圓W之周緣部Wc的下方，向上方開口。噴嘴322，例如可向斜上方（朝上且朝向晶圓W之徑方向外方）開口。
供給源323，收納供給用的第2藥液，往噴嘴321、322壓送。閥324、325，分別開啟關閉從供給源323往噴嘴321、322的第2藥液之流路。閥324，例如為氣動閥，設置於將供給源323及噴嘴321連接之管路。閥325，例如為氣動閥，設置於將供給源323及噴嘴322連接之管路。
噴嘴位置調節部330，具有調節噴嘴311、321的位置之功能。噴嘴位置調節部330，構成為將電動馬達等作為動力源，使噴嘴311、321沿著穿越晶圓W之上方的線而移動。
保護膜清洗用之液體處理單元U13，如圖6所示，具備保護膜清洗部400。保護膜清洗部400，構成為清洗晶圓W之周緣部Wc的保護膜。保護膜清洗部400，具備旋轉保持部410，與液體供給部420、430。
旋轉保持部410，構成為將水平地配置的晶圓W藉由真空吸附等予以保持，將電動馬達等作為動力源繞鉛直軸線旋轉。
液體供給部420，構成為往藉由旋轉保持部410保持的晶圓W之周緣部Wc，供給具有溶解保護膜之功能的第3藥液。作為第3藥液，可使用對金屬成分具有高清洗性的藥液。第3藥液，例如為具有弱酸性的藥液，作為第3藥液之具體例，可列舉將酸性成分與有機溶劑混合的藥液。作為酸性成分，可列舉無機酸或有機酸。作為酸性成分之具體例，可列舉酢酸、檸檬酸、鹽酸或硫酸等。液體供給部420，例如具備噴嘴421、422，供給源423，閥424、425。
噴嘴421、422，往晶圓W之周緣部Wc噴吐第3藥液。噴嘴421，配置於晶圓W之周緣部Wc的上方，向下方開口。噴嘴421，例如可向斜下方（朝下且朝向晶圓W之徑方向外方）開口。噴嘴422，配置於晶圓W之周緣部Wc的下方，向上方開口。噴嘴422，例如可向斜上方（朝上且朝向晶圓W之徑方向外方）開口。供給源423，收納供給用的第3藥液，往噴嘴421、422壓送。閥424、425，分別開啟關閉從供給源423往噴嘴421、422的第3藥液之流路。閥424，例如為氣動閥，設置於將供給源423及噴嘴421連接之管路。閥425，例如為氣動閥，設置於將供給源423及噴嘴422連接之管路。
液體供給部430，構成為往藉由旋轉保持部410保持的晶圓W之周緣部Wc，供給具有溶解保護膜之功能的第4藥液。第4藥液，可使用氫離子濃度較第3藥液更低的藥液。換而言之，第3藥液，可使用具有較第4藥液更強之酸性的藥液。第3藥液與第4藥液，例如可藉由以pH計測定出的pH值予以比較。此時，第4藥液，若為氫離子濃度較第3藥液之氫離子濃度更低的藥液即可，作為第4藥液，可為展現酸性的藥液，亦可為展現中性的藥液，或為展現鹼性的藥液亦可。作為第4藥液之具體例，可列舉有機溶劑、或將酸性成分與有機溶劑混合的藥液。作為酸性成分，可列舉無機酸或有機酸。作為酸性成分之具體例，可列舉酢酸、檸檬酸、鹽酸或硫酸等。抑或，亦可使第3藥液為將酸性成分與有機溶劑混合的藥液，第4藥液為並未將酸性成分與有機溶劑混合的藥液。液體供給部430，例如具備噴嘴431、432，供給源433，閥434、435。
噴嘴431、432，往晶圓W之周緣部Wc噴吐第4藥液。噴嘴431，配置於晶圓W之周緣部Wc的上方，向下方開口。噴嘴431，例如可向斜下方（朝下且朝向晶圓W之徑方向外方）開口。噴嘴432，配置於晶圓W之周緣部Wc的下方，向上方（例如晶圓W之外周側的斜上方）開口。噴嘴432，例如可向斜上方（朝上且朝向晶圓W之徑方向外方）開口。供給源433，收納供給用的第4藥液，往噴嘴431、432壓送。閥434、435，分別開啟關閉從供給源433往噴嘴431、432的第4藥液之流路。閥434，例如為氣動閥，設置於將供給源433及噴嘴431連接之管路。閥435，例如為氣動閥，設置於將供給源433及噴嘴432連接之管路。
噴嘴位置調節部440，具有調節噴嘴421、431的位置之功能。噴嘴位置調節部440，構成為將電動馬達等作為動力源，使噴嘴421、431沿著穿越晶圓W之上方的線而移動。
［控制器之構成］ 控制器10，如圖7所示，作為功能模組，具備讀取部M1、儲存部M2、保護控制部M3、成膜控制部M4、塗覆膜清洗控制部M5、保護膜清洗控制部M6、及搬運控制部M7。此等功能模組，僅係為了方便而將控制器10之功能區分為複數模組，並無非得將構成控制器10的硬體分為此等模組之意圖。各功能模組，不限為藉由程式之實行而實現，亦可藉由專用的電氣電路（例如邏輯電路）、或將其等整合之積體電路（ASIC：Application Specific Integrated Circuit, 特殊應用積體電路）而實現。
讀取部M1，從電腦可讀取記錄媒體RM讀取程式。記錄媒體RM，記錄用於使基板處理系統1之各部運作的程式。作為記錄媒體RM，例如可為半導體記憶體、光碟、磁碟、磁光碟。儲存部M2，儲存各種資料。作為儲存部M2所儲存的資料，例如可列舉在讀取部M1中從記錄媒體RM讀取到的程式等。
保護控制部M3，控制液體處理單元U11之保護處理部100，俾在形成光阻膜前的晶圓W之周緣部Wc形成保護膜。例如保護控制部M3，控制保護處理部100，俾將保護液在晶圓W之周緣部Wc塗布。保護控制部M3，亦可進一步實行：控制熱處理單元U2，俾將晶圓W加熱。
成膜控制部M4，控制成膜部200，俾在晶圓W之表面Wa形成光阻膜。例如成膜控制部M4，控制成膜部200，俾在晶圓W之表面Wa塗布光阻液。
塗覆膜清洗控制部M5，實行：控制液體處理單元U12之塗覆膜清洗部300，俾往形成有光阻膜的晶圓W之周緣部Wc的位置P1供給第1藥液；以及於藉由第1藥液溶解的光阻膜乾燥後，控制液體處理單元U12之塗覆膜清洗部300，俾往晶圓W之周緣部Wc的位置P2供給第2藥液。控制液體處理單元U12之塗覆膜清洗部300俾往位置P1供給第1藥液，例如包含：在噴嘴311為噴吐配置A的狀態中，控制塗覆膜清洗部300，俾開啟閥314，從噴嘴311噴吐第1藥液。控制液體處理單元U12之塗覆膜清洗部300俾往位置P2供給第2藥液，例如包含：在噴嘴321為噴吐配置B的狀態中，控制塗覆膜清洗部300，俾開啟閥324，從噴嘴321噴吐第2藥液。
保護膜清洗控制部M6，於往位置P2供給第2藥液之後，控制液體處理單元U13之保護膜清洗部400，俾往晶圓W之周緣部Wc供給第3藥液。保護膜清洗控制部M6，亦可進一步實行：於往晶圓W之周緣部Wc供給第3藥液之後，控制液體處理單元U13之保護膜清洗部400，俾往晶圓W之周緣部Wc供給第4藥液；以及控制熱處理單元U2，俾將晶圓W加熱。
搬運控制部M7，控制搬運臂A2，俾在液體處理單元U1（液體處理單元U11～U13）及熱處理單元U2間搬運晶圓W。
控制器10之硬體，例如由一個或複數個控制用電腦構成。控制器10，作為硬體上的構成，例如具備圖8所示之電路10A。電路10A，可由電氣電路要素（circuitry）構成。電路10A，具體而言，具備處理器10B、記憶體10C（儲存部）、儲存器10D（儲存部）、及輸出入埠10E。處理器10B，與記憶體10C及儲存器10D之至少一方協働而實行程式，實行經由輸出入埠10E的訊號之輸出入，藉以構成上述各功能模組。輸出入埠10E，在處理器10B、記憶體10C及儲存器10D，與基板處理系統1的各種裝置之間，施行訊號之輸出入。
本實施形態中，基板處理系統1，具備一台控制器10，但亦可具備由複數台控制器10構成之控制器群（控制部）。基板處理系統1具備控制器群的情況，上述功能模組，分別可藉由一台控制器10實現，亦可藉由2台以上之控制器10的組合實現。在控制器10由複數台電腦（電路10A）構成的情況，上述功能模組，分別可藉由一台電腦（電路10A）實現，亦可藉由2台以上之電腦（電路10A）的組合實現。控制器10，亦可具備複數台處理器10B。此一情況，上述功能模組，分別可藉由一台處理器10B實現，亦可藉由2台以上之處理器10B的組合實現。
［基板處理方法］ 而後，參考圖9～圖18，作為基板處理方法的一例，說明控制器10所實行之基板處理的順序。首先，茲就基板處理的概要予以說明。如圖9所示，控制器10，首先，實行步驟S01。步驟S01，包含：控制液體處理單元U11之保護處理部100，俾在晶圓W之周緣部Wc形成保護膜。關於更具體的處理內容，將於後述內容說明。
接著，控制器10，實行步驟S02。步驟S02，包含：控制液體處理單元U12之成膜部200，俾在晶圓W之表面Wa形成光阻膜；控制液體處理單元U12之塗覆膜清洗部300，俾往晶圓W之周緣部Wc的位置P1供給第1藥液；以及於藉由第1藥液溶解的光阻膜乾燥後，控制液體處理單元U12之塗覆膜清洗部300，俾往晶圓W之周緣部Wc的位置P2供給第2藥液。步驟S02，亦可更包含：於往位置P1供給第1藥液之後且往位置P2供給第2藥液之前，使晶圓W旋轉，俾使藉由第1藥液溶解的光阻膜乾燥。關於更具體的處理內容，將於後述內容說明。
接著，控制器10，實行步驟S03。步驟S03，包含：控制液體處理單元U13之保護膜清洗部400，俾往晶圓W之周緣部Wc供給第3藥液。步驟S03，亦可更包含：於供給第3藥液之後，控制液體處理單元U13之保護膜清洗部400，俾往晶圓W之周緣部Wc供給第4藥液。關於更具體的處理內容，將於後述內容說明。
［保護膜形成順序］ 而後，說明上述步驟S01之具體的處理內容。如圖10所示，控制器10，首先，實行步驟S11。在步驟S11，搬運控制部M7，控制搬運臂A2俾將從載具11搬出的晶圓W往液體處理單元U11搬入，控制旋轉保持部110俾保持該晶圓W。
接著，控制器10，實行步驟S12。在步驟S12，保護控制部M3，控制旋轉保持部110俾開始晶圓W之旋轉。
接著，控制器10，實行步驟S13。在步驟S13，保護控制部M3，控制噴嘴位置調節部130，俾將噴嘴121配置於藉由旋轉保持部110保持的晶圓W之周緣部Wc的上方。其後，保護控制部M3，控制液體供給部120，俾開啟閥124、125，開始來自噴嘴121、122的保護液PL之噴吐（參考圖11）。藉此，從上下方往旋轉中的晶圓W之周緣部Wc供給保護液PL，在該周緣部Wc形成保護液PL的液膜。其後，保護控制部M3，控制液體供給部120，俾關閉閥124、125，停止來自噴嘴121、122的保護液PL之噴吐。
接著，控制器10，實行步驟S14。在步驟S14，保護控制部M3，使旋轉保持部110所進行的晶圓W之旋轉持續，使周緣部Wc的保護液PL乾燥（使溶劑揮發）。藉此，在晶圓W之周緣部Wc形成保護膜PF（參考圖12）。
接著，控制器10，實行步驟S15。在步驟S15，保護控制部M3，控制旋轉保持部110俾停止晶圓W之旋轉。
接著，控制器10，實行步驟S16。在步驟S16，搬運控制部M7，控制搬運臂A2，俾將晶圓W從液體處理單元U11搬出，往熱處理單元U2搬入。
接著，控制器10，實行步驟S17。在步驟S17，保護控制部M3，控制熱處理單元U2俾將晶圓W加熱。伴隨晶圓W之加熱，而將形成在該晶圓W之周緣部Wc的保護膜PF加熱。藉此，促進保護膜PF中之交聯反應等，改善保護膜PF的強度。藉由上述方式，控制器10，結束保護膜形成用的控制。
［光阻膜形成順序］ 而後，說明上述步驟S02之具體的處理內容。如圖13所示，控制器10，首先，實行步驟S21。在步驟S21，搬運控制部M7，控制搬運臂A2，俾將晶圓W從熱處理單元U2搬出，往液體處理單元U12搬入，控制旋轉保持部210俾保持該晶圓W。
接著，控制器10，實行步驟S22。在步驟S22，保護控制部M3，控制旋轉保持部210俾開始晶圓W之旋轉。
接著，控制器10，實行步驟S23。在步驟S23，成膜控制部M4，控制噴嘴位置調節部230，俾將噴嘴221配置於藉由旋轉保持部210保持的晶圓W之旋轉中心的上方。其後，成膜控制部M4，控制液體供給部220，俾開啟閥223，開始來自噴嘴221的光阻液FL之噴吐（參考圖14（a））。藉此，在旋轉中的晶圓W之表面Wa塗布光阻液FL，形成光阻液FL的液膜。其後，成膜控制部M4，控制液體供給部220，俾關閉閥223，停止來自噴嘴221的光阻液FL之噴吐。
接著，控制器10，實行步驟S24。在步驟S24，成膜控制部M4，使旋轉保持部210所進行的晶圓W之旋轉持續，使表面Wa的光阻液FL乾燥（使溶劑揮發）。藉此，在晶圓W之表面Wa形成光阻膜MF（參考圖15（a））。
接著，控制器10，實行步驟S25。在步驟S25，塗覆膜清洗控制部M5，控制噴嘴位置調節部330，俾將噴嘴311配置於噴吐配置A（藉由第1藥液的噴吐，使液體供給部310往晶圓W之周緣部Wc的位置P1供給第1藥液之配置）。其後，塗覆膜清洗控制部M5，控制液體供給部310，俾開啟閥314、315，開始來自噴嘴311、312的第1藥液CS1之噴吐（參考圖14（b））。藉此，從上下方往旋轉中的晶圓W之周緣部Wc供給第1藥液CS1。此時，藉由使噴嘴311處於噴吐配置A的狀態，而往位置P1供給第1藥液CS1，在該位置P1中溶解光阻膜MF。藉由第1藥液CS1溶解光阻膜MF時，有從光阻膜MF之溶解部分，溶出金屬成分M的情況（參考圖15（b））。其後，塗覆膜清洗控制部M5，控制液體供給部310，俾關閉閥314、315，停止來自噴嘴311、312的第1藥液CS1之噴吐。
接著，控制器10，實行步驟S26。在步驟S26，成膜控制部M4，使旋轉保持部210所進行的晶圓W之旋轉持續，俾使晶圓W之表面Wa的藉由第1藥液CS1溶解之光阻膜MF乾燥（參考圖14（c））。旋轉保持部210使晶圓W旋轉之旋轉速度，例如可為1000rpm以上且3500rpm以下，亦可為1500rpm以上3000rpm以下，或可為2000rpm以上且2500rpm以下，可為2000rpm。旋轉保持部210使晶圓W旋轉之時間，例如可為3秒以上10秒以下，亦可為4秒以上8秒以下，或可為5秒以上7秒以下，可為5秒。藉由以第1藥液CS1溶解的光阻膜MF之乾燥，而使殘留在較晶圓W之表面Wa的位置P1更為周緣側的光阻膜MF，成為與晶圓W之中心側的光阻膜MF切離之狀態。
接著，控制器10，實行步驟S27。在步驟S27，塗覆膜清洗控制部M5，控制噴嘴位置調節部330，以將噴嘴321配置於噴吐配置B（藉由第2藥液的噴吐，使液體供給部320往晶圓W之周緣部Wc的位置P2供給第2藥液之配置）。其後，塗覆膜清洗控制部M5，控制液體供給部320，俾開啟閥324、325，開始來自噴嘴321、322的第2藥液CS2之噴吐（參考圖14（d））。藉此，從上下方往旋轉中的晶圓W之周緣部Wc供給第2藥液CS2。此時，藉由使噴嘴321處於噴吐配置B的狀態，而往位置P2供給第2藥液CS2，在該位置P2中溶解光阻膜MF。藉由第2藥液CS2溶解光阻膜MF時，亦與第1藥液CS1的情況同樣地，有從光阻膜MF之溶解部分，溶出金屬成分M的情況（圖15（參考圖15（c））。
另一方面，於實行步驟S27前，已使由第1藥液CS1溶解的光阻膜MF乾燥，故藉由往較位置P1更為周緣側的位置P2供給第2藥液CS2，而使第2藥液CS2變得不易往晶圓W之中心側的光阻膜MF供給。因此，抑制晶圓W之中心側中光阻膜MF的溶解，避免晶圓W之中心側的光阻膜MF溶解而成為金屬成分M之溶出源的情形（參考圖15（c））其後，塗覆膜清洗控制部M5，控制液體供給部320，俾關閉閥324、325，停止來自噴嘴321、322的第2藥液CS2之噴吐。
接著，控制器10，實行步驟S28。在步驟S28，成膜控制部M4，使旋轉保持部210所進行的晶圓W之旋轉持續，俾使藉由第2藥液CS2溶解的光阻膜MF乾燥（使晶圓W之表面Wa的光阻液FL乾燥（使溶劑揮發）。）。
接著，控制器10，實行步驟S29。在步驟S29，成膜控制部M4，控制旋轉保持部210俾停止晶圓W之旋轉。藉由上述方式，控制器10，結束光阻膜形成用的控制。
［保護膜清洗順序］ 而後，說明上述步驟S03之具體的處理內容。如圖16所示，控制器10，首先，實行步驟S41。在步驟S41，搬運控制部M7，控制搬運臂A2，俾將晶圓W從液體處理單元U12搬出，往液體處理單元U13搬入，控制旋轉保持部410俾保持該晶圓W。
接著，控制器10，實行步驟S42。在步驟S42，保護膜清洗控制部M6，控制旋轉保持部410俾開始晶圓W之旋轉。
接著，控制器10，實行步驟S43。在步驟S43，保護膜清洗控制部M6，控制噴嘴位置調節部440，俾將噴嘴421配置於藉由旋轉保持部410保持的晶圓W之旋轉中心的上方。其後，保護膜清洗控制部M6，控制液體供給部420，俾開啟閥424、425，開始來自噴嘴421、422的第3藥液CS3之噴吐（參考圖17（a））。藉此，從上下方往旋轉中的晶圓W之周緣部Wc供給第3藥液CS3，溶解保護膜PF。其後，成膜控制部M4，控制液體供給部420，俾關閉閥424、425，停止來自噴嘴421、422的第3藥液CS3之噴吐。
然而，在上述步驟S27中停止第2藥液CS2之噴吐後，除去光阻膜MF的情況，仍有金屬成分M殘留在保護膜PF的情況（參考圖15（d））。亦有在保護膜PF之表層，形成結合保護膜PF的成分與金屬成分M之互混層的情況。藉由步驟S43，從上下方往旋轉中的晶圓W之周緣部Wc供給第3藥液CS3，藉以亦將附著在保護膜PF的金屬成分M除去。
接著，控制器10，實行步驟S44。在步驟S44，保護膜清洗控制部M6，控制噴嘴位置調節部440，俾將噴嘴431配置於藉由旋轉保持部410保持的晶圓W之旋轉中心的上方。其後，保護膜清洗控制部M6，控制液體供給部430，俾開啟閥424、425，開始來自噴嘴421、422的第4藥液CS4之噴吐（參考圖17（b））。藉此，從上下方往旋轉中的晶圓W之周緣部Wc供給第4藥液CS4，溶解保護膜PF。其後，保護膜清洗控制部M6，控制液體供給部420，俾關閉閥424、425，停止來自噴嘴421、422的第4藥液CS4之噴吐。藉此，即便為保護膜PF殘存在晶圓W之端面Wb的情況（參考圖18（a）），仍充分地除去保護膜PF（參考圖18（b））。
接著，控制器10，實行步驟S45。在步驟S45，保護膜清洗控制部M6，使旋轉保持部410所進行的晶圓W之旋轉持續，使周緣部Wc的第3藥液CS3及第4藥液CS4乾燥（使溶劑揮發）。
接著，控制器10，實行步驟S46。在步驟S46，保護膜清洗控制部M6，控制旋轉保持部410，俾停止晶圓W之旋轉。
接著，控制器10，實行步驟S47。在步驟S47，搬運控制部M7，控制搬運臂A2，俾將晶圓W從液體處理單元U13搬出，往熱處理單元U2搬入。
接著，控制器10，實行步驟S48。在步驟S48，保護膜清洗控制部M6，控制熱處理單元U2俾將晶圓W加熱。伴隨晶圓W之加熱，而將形成在該晶圓W之周緣部Wc的光阻膜MF加熱。藉此，促進光阻膜MF中之交聯反應等，改善光阻膜MF的強度。其後，搬運控制部M7，控制搬運臂A2，俾將晶圓W從熱處理單元U2搬出。藉由上述方式，控制器10，結束保護膜清洗用的控制。
［作用］ 如同以上之本實施形態中，在往位置P1供給第1藥液CS1，清洗晶圓W之周緣部Wc的光阻膜MF後，往位置P2供給第2藥液CS2，藉以清洗較晶圓W之周緣部Wc的位置P1更為周緣側的光阻膜MF。在供給第2藥液CS2前，已使由第1藥液CS1溶解的光阻膜MF乾燥，故較位置P1更為周緣側的光阻膜MF，成為與晶圓W之中心側的光阻膜MF切離之狀態。因此，藉由往較位置P1更為周緣側的位置P2供給第2藥液CS2，而使第2藥液CS2變得不易往晶圓W之中心側的光阻膜MF供給。因此，避免晶圓W之中心側的光阻膜MF由第2藥液CS2溶解而成為金屬成分M之溶出源的情形。換而言之，若供給第2藥液CS2，清洗晶圓W之周緣部Wc的光阻膜MF，則可在抑制金屬成分M之進一步溶出的狀態下，除去多數在供給第1藥液CS1後殘留於晶圓W之周緣部Wc的金屬成分M。藉由上述方式，成為可抑制伴隨含金屬塗覆膜之利用的金屬汙染。
本實施形態中，控制器10，亦可進一步實行：於往位置P1供給第1藥液CS1後且往位置P2供給第2藥液CS2前，使晶圓W旋轉，俾使藉由第1藥液CS1溶解的光阻膜MF乾燥。此一情況，伴隨晶圓W之旋轉而在光阻膜MF的周圍產生氣流，故可促進光阻膜MF的乾燥。此外，不需要用於使光阻膜MF乾燥之其他機器（送風機或加熱器等），故可追求裝置的簡化。
本實施形態中，進一步具備：保護處理部100，在晶圓W之周緣部Wc形成保護膜PF；以及保護膜清洗部400，構成為清洗晶圓W之周緣部Wc的保護膜PF；控制器10，亦可進一步實行：於在晶圓W之表面Wa形成光阻膜MF前，控制保護處理部100，俾在晶圓W之周緣部Wc形成保護膜PF；以及於往位置P2供給第2藥液CS2後，控制保護膜清洗部400，俾往晶圓W之周緣部Wc，供給具有溶解保護膜PF之功能的第3藥液CS3。
因而，為了追求金屬成分M之除去性能的改善，例如考慮使用對金屬成分M具有高清洗性的藥液，作為第1藥液CS1及第2藥液CS2。另一方面，晶圓W有因暴露於對金屬成分M具有高清洗性的藥液而受到侵蝕之疑慮。相對於此，依本實施形態，在供給第1藥液CS1前形成保護膜PF，在供給具有溶解該保護膜PF之功能的第3藥液CS3前供給第2藥液CS2。因此，在供給第1藥液CS1時及供給第2藥液CS2時，藉由保護膜PF保護晶圓W之周緣部Wc。因此，即便在使用對金屬成分M具有高清洗性的藥液作為第1藥液CS1及第2藥液CS2之情況，仍可抑制第1藥液CS1及第2藥液CS2所造成的晶圓W之侵蝕。此外，藉由在形成光阻膜MF前形成保護膜PF，在供給第3藥液CS3前供給第2藥液CS2，而可大幅減少除去保護膜PF後殘留在晶圓W之周緣部Wc的金屬成分M。
本實施形態中，控制器10，亦可進一步實行：於往晶圓W之周緣部Wc供給第3藥液CS3後，控制保護膜清洗部400，俾往晶圓W之周緣部Wc，供給用於除去保護膜PF的第4藥液CS4，該第4藥液CS4之氫離子濃度較第3藥液CS3更低。具有強酸性的藥液（亦即，氫離子濃度較高的藥液），對於金屬成分M之高清洗性亦受到期待。另一方面，具有強酸性的藥液，有對於保護膜PF之除去性能低的情況。因而，如同本實施形態地，藉由使用氫離子濃度較第3藥液CS3更低的藥液作為第4藥液CS4（亦即，藉由使用具有較第4藥液CS4更強之酸性的藥液作為第3藥液CS3），而可藉由具有較強之酸性的第3藥液CS3將金屬成分M充分地除去，藉由具有較弱之酸性的第4藥液CS4將保護膜PF亦充分地除去。
［變形例］ 本次揭露之實施形態及變形例，應考慮其全部觀點僅為例示而非用於限制本發明。上述實施形態，亦可不脫離添附之申請專利範圍及其主旨，而以各式各樣的形態省略、置換、變更。
例如，液體處理單元U1，亦可應用於含有金屬的光阻膜MF以外之塗覆膜形成用的模組之液體處理單元U1。作為含有金屬的光阻膜MF以外之塗覆膜的具體例，例如可列舉含有金屬的硬罩（金屬硬罩）等。此一情況，液體處理單元U1，亦可為模組15之液體處理單元U1。
成膜／塗覆膜清洗用之液體處理單元U12亦可具備送風機，控制器10，控制液體處理單元U12，俾於步驟S26中藉由送風機對晶圓W之表面Wa噴吹氣體（例如空氣或氮氣等），藉以使由第1藥液CS1溶解的光阻膜MF乾燥。抑或，成膜／塗覆膜清洗用之液體處理單元U12亦可具備熱源，控制器10，控制液體處理單元U12，俾於步驟S26中藉由熱源將晶圓W之表面Wa加熱，藉以使由第1藥液CS1溶解的光阻膜MF乾燥。
使用相同藥液作為第1藥液CS1及第2藥液CS2之情況，塗覆膜清洗部300，亦可不具備液體供給部310、320中之任一方。此時，可藉由噴嘴位置調節部330所進行的噴嘴311或噴嘴321的位置之調節，使液體供給部310或液體供給部320，往位置P1、位置P2供給第1藥液CS1及第2藥液CS2。
液體供給部310，亦可不具備噴嘴312及閥315。液體供給部320，亦可不具備噴嘴322及閥325。
液體供給部430，亦可不具備噴嘴431、432中之任一方。液體供給部430不具備噴嘴431的情況，液體供給部430亦可不具備閥434。液體供給部430不具備噴嘴432的情況，液體供給部430亦可不具備閥435。
控制器10，於保護膜清洗處理（步驟S03）中，亦可將步驟S47、S48的處理，於步驟S41前實行，而非於步驟S46後實行。換而言之，亦可於清洗保護膜PF前將光阻膜MF加熱。
［例示］ 而含金屬塗覆膜，可在基板處理之各式各樣的場面活用。例如，藉由將含金屬塗覆膜作為光阻膜使用，而可期待對於曝光處理的敏感度改善。此外，藉由將金屬含有膜作為所謂的硬罩應用，而可期待蝕刻耐性之改善。然而，利用含金屬塗覆膜時，必須抑制基板本身及與該基板接觸之機器的金屬汙染。
在抑制金屬汙染的目的下，考慮往為了保持基板等而容易接觸機器的基板之周緣部，供給用於將塗覆膜除去的藥液（例如具有溶解塗覆膜之功能的藥液）。然而，經本案發明人等深刻研究後，獲得下述新發現：僅藉由往基板之周緣部供給具有溶解塗覆膜之功能的藥液，在供給該藥液之後，仍從由該藥液溶解的塗覆膜溶出金屬成分，有溶出之金屬成分的一部分殘留在基板之周緣部的情況。因而，以下，例示可抑制伴隨含金屬塗覆膜之利用的金屬汙染之基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取記錄媒體。
例1、本發明所揭露的一例之基板處理裝置（1），具備：成膜部（200），構成為在基板（W）之表面（Wa）形成含有金屬的塗覆膜（MF）；塗覆膜清洗部（300），構成為清洗基板（W）之周緣部（Wc）的塗覆膜（MF）；以及控制部（10）。控制部（10），實行：控制成膜部（200），俾在基板（W）之表面（Wa）形成塗覆膜（MF）；控制塗覆膜清洗部（300），俾往基板（W）之周緣部（Wc）的第1位置（P1），供給具有溶解塗覆膜（MF）之功能的第1藥液（CS1）；以及於藉由第1藥液（CS1）溶解的塗覆膜（MF）乾燥後，控制塗覆膜清洗部（300），俾往位於基板（W）之周緣部（Wc），且較第1位置（P1）更為基板（W）之周緣側的第2位置（P2），供給具有溶解塗覆膜（MF）之功能的第2藥液（CS2）。
依此基板處理裝置（1），在往第1位置（P1）供給第1藥液（CS1），清洗基板（W）之周緣部（Wc）的塗覆膜（MF）後，往第2位置（P2）供給第2藥液（CS2），藉以清洗較基板（W）之周緣部（Wc）的第1位置（P1）更為周緣側的塗覆膜（MF）。於供給第2藥液（CS2）前，已使由第1藥液（CS1）溶解的塗覆膜（MF）乾燥，故較第1位置（P1）更為周緣側的塗覆膜（MF），成為與基板（W）之中心側的塗覆膜（MF）切離之狀態。因此，藉由往較第1位置（P1）更為周緣側的第2位置（P2）供給第2藥液（CS2），而使第2藥液（CS2）變得不易往基板（W）之中心側的塗覆膜（MF）供給。因此，避免基板（W）之中心側的塗覆膜（MF）由第2藥液（CS2）溶解而成為金屬成分（M）之溶出源的情形。換而言之，若供給第2藥液（CS2），清洗基板（W）之周緣部（Wc）的塗覆膜（MF），則可在抑制金屬成分（M）之進一步溶出的狀態下，除去多數在供給第1藥液（CS1）後殘留於基板（W）之周緣部（Wc）的金屬成分（M）。藉由上述方式，成為可抑制伴隨含金屬塗覆膜之利用的金屬汙染。
例2、於例1之裝置（1）中，控制部（10），亦可進一步實行：於往第1位置（P1）供給第1藥液（CS1）後且往第2位置（P2）供給第2藥液（CS2）前，使基板（W）旋轉，俾使由第1藥液（CS1）溶解的塗覆膜（MF）乾燥。此一情況，伴隨基板（W）之旋轉而在塗覆膜（MF）的周圍產生氣流，故可促進塗覆膜（MF）的乾燥。此外，不需要用於使塗覆膜（MF）乾燥之其他機器（送風機或加熱器等），故可追求裝置的簡化。
例3、於例1或例2之裝置（1）中，進一步具備：保護處理部（100），在基板（W）之周緣部（Wc）形成保護膜（PF）；以及保護膜清洗部（400），構成為清洗基板（W）之周緣部（Wc）的保護膜（PF）；控制部（10），亦可進一步實行：於在基板（W）之表面（Wa）形成塗覆膜（MF）前，控制保護處理部（100），俾在基板（W）之周緣部（Wc）形成保護膜（PF）；以及於往第2位置（P2）供給第2藥液（CS2）後，控制保護膜清洗部（400），俾往基板（W）之周緣部（Wc），供給具有溶解保護膜（PF）之功能的第3藥液（CS3）。
而為了追求金屬成分（M）之除去性能的改善，例如考慮使用對金屬成分（M）具有高清洗性的藥液作為第1藥液（CS1）及第2藥液（CS2）。另一方面，基板（W）有因暴露於對金屬成分（M）具有高清洗性的藥液而受到侵蝕之疑慮。相對於此，依例3之裝置（1），於供給第1藥液（CS1）前形成保護膜（PF），於供給具有溶解該保護膜（PF）之功能的第3藥液（CS3）前供給第2藥液（CS2）。因此，於供給第1藥液（CS1）時及供給第2藥液（CS2）時，藉由保護膜（PF）保護基板（W）之周緣部（Wc）。因此，即便在使用對金屬成分（M）具有高清洗性的藥液作為第1藥液（CS1）及第2藥液（CS2）之情況，仍可抑制第1藥液（CS1）及第2藥液（CS2）所造成的基板（W）之侵蝕。此外，藉由在形成塗覆膜（MF）前形成保護膜（PF），在供給第3藥液（CS3）前供給第2藥液（CS2），而可大幅減少除去保護膜（PF）後殘留在基板（W）之周緣部（Wc）的金屬成分（M）。
例4、於例3之裝置（1）中，控制部（10），亦可進一步實行：於往基板（W）之周緣部（Wc）供給第3藥液（CS3）後，控制保護膜清洗部（400），俾往基板（W）之周緣部（Wc），供給用於除去保護膜（PF）的第4藥液（CS4），該第4藥液（CS4）之氫離子濃度較第3藥液（CS3）更低。具有強酸性的藥液（亦即，氫離子濃度較高的藥液），對於金屬成分（M）之高清洗性亦受到期待。另一方面，具有強酸性的藥液，有對於保護膜（PF）之除去性能低的情況。因而，如同例4之裝置（1）地，藉由使用氫離子濃度較第3藥液（CS3）更低的藥液作為第4藥液（CS4）（亦即，藉由使用使用具有較第4藥液（CS4）更強之酸性的藥液作為第3藥液（CS3）），而可藉由具有較強之酸性的第3藥液（CS3）將金屬成分（M）充分地除去，並藉由具有較弱之酸性的第4藥液（CS4）將保護膜（PF）亦充分地除去。
例5、本發明所揭露的另一例之基板處理方法，包含如下步驟：在基板（W）之表面（Wa），形成含有金屬的塗覆膜（MF）；往基板（W）之周緣部（Wc）的第1位置（P1），供給具有溶解塗覆膜（MF）之功能的第1藥液（CS1）；以及於由第1藥液（CS1）溶解的塗覆膜（MF）乾燥後，往位於基板（W）之周緣部（Wc），且較第1位置（P1）更為基板（W）之周緣側的第2位置（P2），供給具有溶解塗覆膜（MF）之功能的第2藥液（CS2）。依例5之基板処置方法，可獲得與例1之裝置（1）同樣的作用效果。
例6、於例5之方法中，亦可更包含：於往第1位置（P1）供給第1藥液（CS1）後且往第2位置（P2）供給第2藥液（CS2）前，使基板（W）旋轉，俾使由第1藥液（CS1）溶解的塗覆膜（MF）乾燥。此一情況，可獲得與例2之裝置（1）同樣的作用效果。
例7、於例5或例6之方法中，亦可更包含：於在基板（W）之表面（Wa）形成塗覆膜（MF）前，在基板（W）之周緣部（Wc）形成保護膜（PF）；以及於往第2位置（P2）供給第2藥液（CS2）後，往基板（W）之周緣部（Wc），供給具有溶解保護膜（PF）之功能的第3藥液（CS3）。此一情況，可獲得與例3之裝置（1）同樣的作用效果。
例8、於例7之方法中，亦可更包含：於往基板（W）之周緣部（Wc）供給第3藥液（CS3）後，往基板（W）之周緣部（Wc），供給具有溶解保護膜（PF）之功能的第4藥液（CS4），該第4藥液（CS4）之氫離子濃度較第3藥液（CS3）更低。此一情況，可獲得與例4之裝置（1）同樣的作用效果。
例9、本發明所揭露的另一例之電腦可讀取記錄媒體（RM），記錄有用於使基板處理裝置（1）實行例5～8的任一例記載之方法的程式。此一情況，具有與例5～8之任一種方法同樣的作用效果。本說明書中，於電腦可讀取記錄媒體（RM），包含非瞬態之有形媒體（non-transitory computer recording medium）（例如各種主要儲存裝置或輔助儲存裝置）、傳播訊號（transitory computer recording medium）（例如，可經由網路提供之資料訊號）。 [實施例]
以下，對實施例予以說明，但本發明並未限定於實施例。
（實施例1） 以下述順序，在晶圓W形成含有金屬的光阻膜MF。首先，實行步驟S11～S17，藉以在晶圓W之周緣部Wc形成保護膜PF。接著，實行上述步驟S21～S29，藉以施行往晶圓W之表面Wa的光阻膜MF之形成、及晶圓W之周緣部Wc的光阻膜MF之清洗。接著，實行將步驟S41～S48中之步驟S43省略的順序，藉以施行晶圓W之周緣部Wc的保護膜PF之清洗、及晶圓W之表面Wa的光阻膜MF之加熱。
（比較例1） 以下述順序，在晶圓W形成含有金屬的光阻膜MF。首先，實行步驟S11～S17，藉以在晶圓W之周緣部Wc形成保護膜PF。接著，實行將上述步驟S21～S29中之步驟S26、S27省略的順序，藉以施行往晶圓W之表面Wa的光阻膜MF之形成、及晶圓W之周緣部Wc的光阻膜MF之清洗。接著，實行將步驟S41～S48中之步驟S43省略的順序，藉以施行晶圓W之周緣部Wc的保護膜PF之清洗、及晶圓W之表面Wa的光阻膜MF之加熱。
（金屬成分的殘留量之評價方法） 對實施例1及比較例1的晶圓W，以下述順序評價金屬成分M的殘留量。首先，藉由水平型基板檢查裝置使酸與晶圓W之周緣部Wc的最表面液體接觸，將藉由液體接觸所獲得之液體全量回收，使其為測定試液。藉由電感耦合電漿質量分析法（ICP－MS），測定此測定試液。將藉由測定所獲得之質量轉換為原子數，除以液體接觸的面積，藉以換算為每單位面積的原子數。在實施例1及比較例1，評價晶圓W之周緣部Wc中的端面Wb及背面Wd（參考圖18（b））各自之金屬成分M的殘留量。
（金屬成分的殘留量之評價結果） 如圖19（a）所示，確認相對於比較例1，實施例1在背面Wd、端面Wb、及背面Wd＋端面Wb之任一者中，皆可減少殘留在周緣部Wc之金屬成分M。
（實施例2） 除了變更為將步驟S41～S48中之步驟S44省略，而未省略步驟S43以外，以與實施例1同樣之順序，在晶圓W形成含有金屬的光阻膜MF。
（比較例2） 除了變更為將步驟S41～S48中之步驟S44省略，而未省略步驟S43以外，以與比較例1同樣之順序，在晶圓W形成含有金屬的光阻膜MF。
（金屬成分的殘留量之評價結果） 對實施例2及比較例2的晶圓W，以與實施例1及比較例1同樣之順序，評價金屬成分M的殘留量。其結果，如圖19（b）所示，確認相對於比較例2，實施例2在端面Wb、及背面Wd＋端面Wb中，可減少殘留在周緣部Wc之金屬成分M。
（實施例3） 除了並未省略步驟S41～S48中之步驟S43，而將其變更為步驟S44以外，以與實施例1同樣之順序，在晶圓W形成含有金屬的光阻膜MF。亦即，於實施例3中，施行2次步驟S44。於第1次的步驟S44中，使第4藥液CS4之供給時間為13秒。於第2次的步驟S44中，使第4藥液CS4之供給時間為5秒。
（實施例4） 除了並未省略步驟S41～S48中之步驟S44，而將其變更為步驟S43以外，以與實施例2同樣之順序，在晶圓W形成含有金屬的光阻膜MF。亦即，於實施例4中，施行2次步驟S43。於第1次的步驟S43中，使第3藥液CS3之供給時間為13秒。於第2次的步驟S43中，使第3藥液CS3之供給時間為5秒。
（實施例5） 除了實行步驟S41～S48中之任一步驟，皆未變更或省略以外，以與實施例1～4同樣之順序，在晶圓W形成含有金屬的光阻膜MF。於步驟S43中，使第3藥液CS3之供給時間為13秒。於步驟S44中，使第4藥液CS4之供給時間為5秒。
（保護膜的殘渣之評價方法） 對實施例3～5的晶圓W，以下述順序評價保護膜PF的殘渣。首先，藉由晶圓端部專用之宏觀檢查裝置，取得塗布保護膜PF前的晶圓W之端面Wb的影像（拍攝圖像）、及清洗保護膜PF後的晶圓W之端面Wb（參考圖18（b））的影像（拍攝圖像）。接著，比較取得之各影像，計算增加的殘渣之個數。在實施例3～5，對3片晶圓W，評價其各自之保護膜PF的殘渣。
（保護膜的殘渣之評價結果） 如圖20所示，確認第1片、第2片、及第3片之任一片中，實施例3皆為最可減少殘留在周緣部Wc（端面Wb）之保護膜PF的殘渣。相對於此，確認實施例5之情況，可與實施例3同程度地減少殘留在周緣部Wc（端面Wb）之保護膜PF的殘渣。另，實施例4的情況，在第1片、第2片、及第3片之任一片中，相較於實施例3及實施例5，保護膜PF的殘渣數皆顯著更多，故無法量測。
（實施例6） 以與實施例3同樣之順序，在晶圓W形成含有金屬的光阻膜MF。
（實施例7） 以與實施例4同樣之順序，在晶圓W形成含有金屬的光阻膜MF。
（實施例8） 以與實施例5同樣之順序，在晶圓W形成含有金屬的光阻膜MF。
（金屬成分的殘留量之評價結果） 對於實施例6～8的晶圓W，以與實施例1、2及比較例1、2同樣之順序評價金屬成分M的殘留量。其結果，如圖21所示，確認在背面Wd、端面Wb、及背面Wd＋端面Wb之任一者中，實施例7皆為最可減少殘留在周緣部Wc之金屬成分M。相對於此，確認於實施例6之情況，殘留在周緣部Wc之金屬成分M留下最多。另一方面，確認於實施例8之情況，可與實施例6同程度地減少殘留在周緣部Wc之金屬成分M。
藉由上述方式，如圖20及圖21所示，確認在如同實施例5及實施例8般地，實行步驟S41～S48中之任一步驟而未變更或省略的情況，可減少保護膜PF的殘渣數及金屬成分M雙方。
1‧‧‧基板處理系統（基板處理裝置） 2‧‧‧塗布顯影裝置（基板處理裝置） 3‧‧‧曝光裝置 4‧‧‧載具區塊 5‧‧‧處理區塊 6‧‧‧介面區塊 10‧‧‧控制器（控制部） 10A‧‧‧電路 10B‧‧‧處理器 10C‧‧‧記憶體 10D‧‧‧儲存器 10E‧‧‧輸出入埠 11‧‧‧載具 11a‧‧‧側面 12‧‧‧載送站 13‧‧‧搬入搬出部 13a‧‧‧開閉扉 14～17‧‧‧模組 100‧‧‧保護處理部 110‧‧‧旋轉保持部 120‧‧‧液體供給部 121、122‧‧‧噴嘴 123‧‧‧供給源 124、125‧‧‧閥 130‧‧‧噴嘴位置調節部 200‧‧‧成膜部 210‧‧‧旋轉保持部 220‧‧‧液體供給部 221‧‧‧噴嘴 222‧‧‧供給源 223‧‧‧閥 230‧‧‧噴嘴位置調節部 300‧‧‧塗覆膜清洗部 310、320‧‧‧液體供給部 311、312、321、322‧‧‧噴嘴 313、323‧‧‧供給源 314、315、324、325‧‧‧閥 330‧‧‧噴嘴位置調節部 400‧‧‧保護膜清洗部 410‧‧‧旋轉保持部 420、430‧‧‧液體供給部 421、422、431、432‧‧‧噴嘴 423、433‧‧‧供給源 424、425、434、435‧‧‧閥 440‧‧‧噴嘴位置調節部 A1、A2、A6、A7、A8‧‧‧搬運臂 CS1‧‧‧第1藥液 CS2‧‧‧第2藥液 CS3‧‧‧第3藥液 CS4‧‧‧第4藥液 FL‧‧‧光阻液 M‧‧‧金屬成分 M1‧‧‧讀取部 M2‧‧‧儲存部 M3‧‧‧保護控制部 M4‧‧‧成膜控制部 M5‧‧‧塗覆膜清洗控制部 M6‧‧‧保護膜清洗控制部 M7‧‧‧搬運控制部 MF‧‧‧光阻膜（塗覆膜） P1‧‧‧位置（第1位置） P2‧‧‧位置（第2位置） PF‧‧‧保護膜 PL‧‧‧保護液 RM‧‧‧記錄媒體 U1、U11～U13‧‧‧液體處理單元 U2‧‧‧熱處理單元 U9、U10‧‧‧棚架單元 W‧‧‧晶圓（基板） Wa‧‧‧表面 Wb‧‧‧端面 Wc‧‧‧周緣部 Wd‧‧‧背面
圖1係顯示本實施形態之基板處理系統的概略構成之立體圖。 圖2係圖1的II－II線剖面圖。 圖3係圖2的III－III線剖面圖。 圖4係保護膜形成用之液體處理單元的示意圖。 圖5係成膜／塗覆膜清洗用之液體處理單元的示意圖。 圖6係保護膜清洗用之液體處理單元的示意圖。 圖7係顯示控制器之功能構成的方塊圖。 圖8係顯示控制器之硬體構成的方塊圖。 圖9係顯示基板處理順序的流程圖。 圖10係顯示保護膜形成順序的流程圖。 圖11係保護膜形成中之液體處理單元的示意圖。 圖12係保護膜形成後之晶圓周緣部的示意圖。 圖13係顯示光阻膜形成順序的流程圖。 圖14（a）～（d）係光阻膜形成中之液體處理單元的示意圖。 圖15（a）～（d）係光阻膜形成中之晶圓周緣部的示意圖。 圖16係顯示保護膜清洗順序的流程圖。 圖17（a）～（b）係保護膜清洗中之液體處理單元的示意圖。 圖18（a）～（b）係保護膜清洗後之晶圓周緣部的示意圖。 圖19（a）～（b）係顯示金屬成分的殘留量之比較結果的圖表。 圖20係顯示保護膜的殘渣數之比較結果的圖表。 圖21係顯示金屬成分的殘留量之比較結果的圖表。
200‧‧‧成膜部
210‧‧‧旋轉保持部
220‧‧‧液體供給部
221‧‧‧噴嘴
230‧‧‧噴嘴位置調節部
300‧‧‧塗覆膜清洗部
310、320‧‧‧液體供給部
311、312、321、322‧‧‧噴嘴
330‧‧‧噴嘴位置調節部
CS1‧‧‧第1藥液
CS2‧‧‧第2藥液
FL‧‧‧光阻液
MF‧‧‧光阻膜(塗覆膜)
P1‧‧‧位置(第1位置)
P2‧‧‧位置(第2位置)
W‧‧‧晶圓(基板)
Wa‧‧‧表面
Wb‧‧‧端面
Wc‧‧‧周緣部

Claims (5)

  1. 一種基板處理裝置，包含：成膜部，在基板之表面形成含有金屬的塗覆膜；塗覆膜清洗部，清洗該基板之周緣部的該塗覆膜；保護處理部，在該基板之周緣部形成保護膜；保護膜清洗部，清洗該基板之周緣部的該保護膜；以及控制部；該控制部，實行：控制該成膜部，俾在該基板之表面形成該塗覆膜；控制該塗覆膜清洗部，俾往該基板之周緣部的第1位置，供給具有溶解該塗覆膜之功能的第1藥液；於由該第1藥液溶解的該塗覆膜乾燥後，控制該塗覆膜清洗部，俾往位於該基板之周緣部亦即較該第1位置更靠近該基板之周緣側的第2位置，供給具有溶解該塗覆膜之功能的第2藥液；控制該保護處理部，俾於在該基板之表面形成該塗覆膜前，在該基板之周緣部形成該保護膜；於往該第2位置供給該第2藥液之後，控制該保護膜清洗部，俾往該基板之周緣部，供給具有溶解該保護膜之功能的第3藥液；以及於往該基板之周緣部供給該第3藥液之後，控制該保護膜清洗部，俾往該基板之周緣部，供給具有溶解該保護膜之功能的第4藥液，該第4藥液之氫離子濃度低於該第3藥液。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該控制部，進一步實行：於往該第1位置供給該第1藥液之後且於往該第2位置供給該第2藥液之前，令該基板旋轉，俾使由該第1藥液溶解的該塗覆膜乾燥。
  3. 一種基板處理方法，包含：在基板之表面，形成含有金屬的塗覆膜；往該基板之周緣部的第1位置，供給具有溶解該塗覆膜之功能的第1藥液；於由該第1藥液溶解的該塗覆膜乾燥後，往位於該基板之周緣部且較該第1位置更靠近該基板之周緣側的第2位置，供給具有溶解該塗覆膜之功能的第2藥液；於在該基板之表面形成該塗覆膜前，在該基板之周緣部形成保護膜；於往該第2位置供給該第2藥液之後，往該基板之周緣部供給具有溶解該保護膜之功能的第3藥液；以及於往該基板之周緣部供給該第3藥液之後，往該基板之周緣部供給具有溶解該保護膜之功能的第4藥液，該第4藥液之氫離子濃度低於該第3藥液。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中，更包含：於往該第1位置供給該第1藥液之後且往該第2位置供給該第2藥液之前，令該基板旋轉，俾使由該第1藥液溶解的該塗覆膜乾燥。
  5. 一種電腦可讀取記錄媒體，記錄有使基板處理裝置實行如申請專利範圍第3項或第4項之基板處理方法所用的程式。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI724845B (zh) * 2020-03-30 2021-04-11 群翊工業股份有限公司 氮氣密閉烘烤機台及基板進出烘烤裝置的方法
JP7490503B2 (ja) * 2020-08-28 2024-05-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
TWI760133B (zh) * 2021-03-08 2022-04-01 科毅科技股份有限公司 光罩清潔設備及光罩清潔方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008103660A (ja) * 2006-09-19 2008-05-01 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 樹脂膜形成方法、レリーフパターンの製造方法及び電子部品
JP2018049987A (ja) * 2016-09-23 2018-03-29 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像方法及び塗布、現像装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06250380A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Hoya Corp 不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクの製造方法
EP1405336A2 (en) * 2000-12-04 2004-04-07 Ebara Corporation Substrate processing method
US7691559B2 (en) * 2005-06-30 2010-04-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography edge bead removal
JP2007234815A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US9176377B2 (en) 2010-06-01 2015-11-03 Inpria Corporation Patterned inorganic layers, radiation based patterning compositions and corresponding methods
JP6300139B2 (ja) * 2012-05-15 2018-03-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理システム
JP5677603B2 (ja) * 2012-11-26 2015-02-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
KR20170033317A (ko) * 2014-07-22 2017-03-24 스미토모덴키고교가부시키가이샤 화합물 반도체를 세정하는 방법 및 화합물 반도체의 세정용 용액
JP6246749B2 (ja) * 2015-01-28 2017-12-13 東京エレクトロン株式会社 ウエットエッチング方法、基板液処理装置および記憶媒体
JP6534263B2 (ja) * 2015-02-05 2019-06-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
WO2016194285A1 (ja) * 2015-06-03 2016-12-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法
JP6618334B2 (ja) * 2015-06-03 2019-12-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法
JP6704258B2 (ja) * 2016-02-03 2020-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TWI804224B (zh) * 2016-08-12 2023-06-01 美商英培雅股份有限公司 減少邊緣珠區域中來自含金屬光阻劑之金屬殘留物的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008103660A (ja) * 2006-09-19 2008-05-01 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 樹脂膜形成方法、レリーフパターンの製造方法及び電子部品
JP2018049987A (ja) * 2016-09-23 2018-03-29 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像方法及び塗布、現像装置

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