TWI806847B - 兩面金屬疊層板、兩面金屬疊層板之製造方法、及圖案之圖像轉印方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於，提供一種在對配置於塑膠薄膜表面的金屬疊層體進行蝕刻來形成配線圖案的情形下，能夠抑制配線圖案發生偏移的兩面金屬疊層板。
兩面金屬疊層板包括塑膠薄膜、直接配置於該塑膠薄膜的兩面上的金屬種子層、配置於該金屬種子層上的金屬層，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的該兩面金屬疊層板的尺寸變化率的公差中，MD在±0.02%以內，TD在±0.01%以內。

Description

兩面金屬疊層板、兩面金屬疊層板之製造方法、及圖案之圖像轉印方法
本發明係關於一種兩面金屬疊層板、兩面金屬疊層板之製造方法、及圖案之圖像轉印方法。
以行動電話或車載電話等移動通訊設備為首，平板電腦、電子書專用終端、智能電話、MP3播放機、電子遊戲機等可攜式電子設備的小型、輕量化之需求在擴大，而對於以微小間隔對電子零件進行高密度構裝的高密度構裝技術的期待也更高。隨之，推進著印刷配線基板之多層化、配線間距之窄小化、導孔之微細化、IC封裝體之小型多腳化。另外，電容或電阻的受動元件，也相應地趨於小型化‧集層化以及表面構裝化。
尤其是，將電子零件直接構裝於印刷配線基板等的表面或內部的技術，不僅能夠實現高密度構裝，還有利於提高信賴性。由以上理由，對印刷配線基板的尺寸精度，即配線間距精度的要求水平也提高，且，印刷配線基板還被要求其尺寸具有熱穩定性。
作為印刷配線基板，通常使用在塑膠(plastic)薄膜的表面配置有金屬層等的塑膠配線基板。作為塑膠配線基板之製造方法，已知以下2種具代表性之製造方法。
作為第1種方法，可以舉出以熱壓(層壓)法對用於形成電路的導體的金屬箔與塑膠薄膜進行貼合的方法。
作為第2種方法，可以舉出金屬噴鍍(metallizing)法，先用濺鍍法、離子鍍法、真空蒸鍍法等乾式鍍法，在塑膠薄膜上形成薄膜狀金屬種子層以及第1金屬層，在此之上，採用無電解鍍法或作為電解鍍法的濕式鍍法，進一步形成第2金屬層。
專利文獻1、專利文獻2公開了採用金屬噴鍍法進行的塑膠配線基板之製造方法的具體例。
例如，專利文獻1公開了，採用濺鍍法在熱可塑性液晶聚合物薄膜上形成由鎳、鉻或這些的合金構成的金屬種子層，然後採用濺鍍法形成銅導電層，進而在該藉由濺鍍法形成的銅導電層之上，採用電解鍍銅或無電解鍍銅或者並用這兩種方法，形成銅導電層的例子。
然而，為了在塑膠配線基板上高密度地構裝電子零件等，有時需要形成在塑膠薄膜的兩個面上配置有金屬層的兩面金屬疊層板。
例如，專利文獻3中公開了一種在熱可塑性液晶聚合物薄膜的兩個表面上接合有金屬薄片的兩面金屬張貼疊層體。
另外，採用金屬噴鍍法，也能夠製造兩面金屬疊層板。
在此，歷來使用的還有僅在塑膠薄膜的單面設有金屬疊層體的單面金屬疊層板。單面金屬疊層板中，在塑膠薄膜的一個面上設置金屬種子層、金屬層，且金屬層由第1金屬層、第2金屬層構成。通常以乾式鍍法形成金屬種子層及第1金屬層，因此，在真空中對塑膠薄膜加熱使之成為無水份狀態之後，覆蓋金屬種子層及第1金屬層。
然而，透過未設置金屬種子層等的塑膠薄膜的另一個面，塑膠薄膜進行吸濕，塑膠薄膜的含水率達到平衡狀態。另外，在形成了第1金屬層之階段，由於此時是設置第2金屬層之前，因此能夠在尺寸變化幾乎無抑制的狀態下進行吸濕、膨脹。
從而，此後在第1金屬層上形成第2金屬層，對金屬疊層體進行圖案化而露出塑膠薄膜的一部分的情形下，幾乎不會出現塑膠薄膜的急劇吸濕及隨之產生的膨脹，能夠將尺寸變化率抑制在原點±0.02%程度的範圍。
需要說明的是，原點是指，即使對金屬疊層體進行圖案化也不會發生尺寸變化的情形，即，進行金屬疊層體的圖案化時，塑膠薄膜的含水率處於飽和狀態的情形。
相對而言，在製造塑膠薄膜的兩面上配置有金屬疊層體的兩面金屬疊層板的情形下，通常也是在形成金屬種子層及第1金屬層時對塑膠薄膜進行真空加熱，使之成為無水份的狀態下在兩面覆蓋金屬種子層及第1金屬層。並且，塑膠薄膜的兩面被金屬種子層等覆蓋後，塑膠薄膜幾乎不能進行吸濕等，因此，被金屬種子層等夾著的塑膠薄膜，直到進行圖案化為止，基本維持絕對乾燥的狀態。
並且，形成第2金屬層之後，對金屬疊層體進行圖案化時，隨著吸濕發生尺寸變化(膨脹)，尺寸變化率在MD(Machine dimension，機械軸方向)及TD(transverse dimension，橫軸方向)均向正側有較大移動。
如上所述，因急劇吸濕而發生大幅度的尺寸變化時，形成的配線圖案有時會偏移，造成問題。
因此，在歷來的兩面金屬疊層板中，為了補充上述吸濕所致的尺寸變化，實現與單面金屬疊層板同樣的原點±0.02%以內的尺寸變化率，在金屬種子層等的成膜時，進行加熱條件及張力調整‧展寬等處理。
<先前技術文獻> <專利文獻>
專利文獻1：日本特開2005-297405號公報
專利文獻2：日本特開2009-026990號公報
專利文獻3：日本特開2006-137011號公報
然而，對兩面金屬疊層板，若在其製造步驟中進行加熱調整等，反而會造成變動要因增加，而難以維持較小的尺寸變化率，形成配線圖案後，難以抑制配線圖案發生偏移。
鑒於上述現有技術的問題，本發明之一形態其目的在於提供一種在對配置於塑膠薄膜表面的金屬疊層體進行蝕刻，形成配線圖案之情形下，能夠抑制配線圖案發生偏移的兩面金屬疊層板。
為了解決上述問題，本發明之一形態提供一種兩面金屬疊層板，其包括塑膠薄膜、直接配置於該塑膠薄膜的兩面上的金屬種子層、配置於該金屬種子層上的金屬層，且依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的尺寸變化率之公差中，MD在±0.02%以內、TD在±0.01%以內。
根據本發明之一形態，能夠提供一種在對配置於塑膠薄膜表面的金屬疊層體進行蝕刻，形成配線圖案的情形下，能夠抑制配線圖案發生偏移的兩面金屬疊層板。
10‧‧‧兩面金屬疊層板
11‧‧‧塑膠薄膜
12A、12B‧‧‧金屬種子層
13A、13B‧‧‧第1金屬層
14A、14B‧‧‧第2金屬層
圖1是考慮圖案化時的伸長部分及步驟內張力所致變化部分的基礎上的中 心值的說明圖。
圖2是本發明實施形態的兩面金屬疊層板的剖面示意圖。
圖3是採用乾式鍍法的成膜裝置的構成例的說明圖。
圖4是連續電解鍍敷裝置的構成例的說明圖。
以下，關於本發明的兩面金屬疊層板、兩面金屬疊層板之製造方法以及圖案之圖像轉印方法的一實施形態進行說明。
〔兩面金屬疊層板〕
本實施形態的兩面金屬疊層板可以包括塑膠薄膜、直接配置於塑膠薄膜的兩面上的金屬種子層及配置於金屬種子層上的金屬層。
且，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的尺寸變化率之公差中，MD在±0.02%以內、TD在±0.01%以內。
本發明的發明人為獲得在對配置於塑膠薄膜表面的金屬疊層體進行蝕刻，形成配線圖案的情形下，能夠抑制配線圖案發生偏移的兩面金屬疊層板，進行了銳意研究。
其結果發現，形成配線圖案時，藉由抑制與作為基準的中心值相距的公差，能夠抑制配線圖案發生偏移，從而完成了本發明。
如上述現有的兩面金屬疊層板那樣形成配線圖案時，若想抑制相對於原點的尺寸變化率，需要調整製造步驟的加熱條件等，但這會造成變動要因增加，而導致尺寸變化率的偏差增大。因此，當形成配線圖案時，配線圖案有時會發生偏移。需要說明的是，原點是指，如上所述進行金屬疊層體的圖案化時也不會發生尺寸變化的點，即，意味著進行金屬疊層體的圖案化時，塑膠薄膜的含水率為飽和狀態的情形。
相對而言，本實施形態的兩面金屬疊層板中，尺寸變化率的公差，即，與作為基準的中心值相距的尺寸變化率的誤差被抑制在較小值。根據本發明的發明人的研究，關於上述原點與作為基準的中心值之間的偏移，例如，藉由對形成配線圖案時利用光罩的圖案的轉印條件進行修正，能夠解消該偏移。因此，中心值並非一定要與原點一致，在考慮進行圖案化時周圍濕度所致的伸長部分及步驟內張力所致的變化部分的基礎上，決定獨自的中心值，從而能夠排除歷來技術中為了接近原點而進行加熱條件調整或展寬等所致的尺寸變化率偏差。
並且，減小與作為基準的中心值相距的誤差，即尺寸變化率的公差，並根據中心值，對利用光罩的圖案的轉印條件進行修正，從而能夠抑制為了形成配線圖案而對金屬疊層體進行蝕刻時在配線圖案發生的偏移。尤其能夠應對近年來被要求的配線圖案的微間距化(微細圖案化)。
具體而言，如圖1所示，例如在製造步驟期間對塑膠薄膜進行圖案化時，從絕對乾燥狀態的點A開始，以23℃、相對濕度55%及24小時左右的條件使其進行吸濕後，MD以及TD均延伸到+0.07%的點B。然後，以點B作為起點，在考慮兩面金屬疊層板的製造步驟內的張力所致的變化部分的基礎上，決定中心值C，並將尺寸變化率的公差，即，以該中心值C作為基準時相對於該基準的尺寸變化率的誤差，設為MD在±0.02%以內、TD在±0.01%以內。
如上所述，藉由形成與中心值相距的公差屬於規定範圍內的兩面金屬疊層板，能夠排除為了使中心值接近上述原點而進行加熱條件的調整或展寬等所致的變動要因。由此，剩下的變動要因僅為製造步驟內的控制變動與塑膠薄膜的特性公差，關於尺寸變化率，能夠達成所規定的基準的中心值±0.02%以內。
另外，從製造步驟內的控制變動這一點而言，在單面金屬疊層 板的製造步驟中塑膠薄膜會吸濕延伸，因此難以進行張力控制。相對而言，在兩面金屬疊層板的製造步驟中幾乎不會吸濕，因此兩面金屬疊層板有利於張力控制，根據本實施形態的兩面金屬疊層板，與單面金屬疊層板相比，在配線圖案發生偏移等方面，能夠獲得偏差較小的產品。
以下，關於本實施形態的兩面金屬疊層板的構成例進行具體說明。
本實施形態的兩面金屬疊層板可以包括塑膠薄膜、直接配置於塑膠薄膜的兩面上的金屬種子層、配置於金屬種子層上的金屬層。金屬層可以包括例如第1金屬層及配置於第1金屬層上的第2金屬層。另外，金屬層亦可由第1金屬層、上述第2金屬層構成。
並且，本實施形態的兩面金屬疊層板，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的MD以及TD的尺寸變化率之公差中，MD在±0.02%以內、TD在±0.01%以內。
在此，首先關於本實施形態的兩面金屬疊層板的構造，根據圖2進行說明。圖2是概略表示兩面金屬疊層板10在與塑膠薄膜11的主表面垂直的面上的剖面圖。
兩面金屬疊層板10中，在塑膠薄膜11的一個面11a上，從塑膠薄膜11側起依序疊層有金屬種子層12A、第1金屬層13A、第2金屬層14A。另外，在塑膠薄膜11的另一個面11b上，也從塑膠薄膜11側起依序疊層有金屬種子層12B、第1金屬層13B、第2金屬層14B。
即，形成一在塑膠薄膜11的兩面(兩個主表面)上分別依序疊層有金屬種子層12A、12B與第1金屬層13A、13B及第2金屬層14A、14B的構造。
在此，金屬種子層12A、12B被直接配置於塑膠薄膜11的兩面 上。即，配置時不設黏著劑等。另外，各層之間，即金屬種子層12A、12B與第1金屬層13A、13B之間，第1金屬層13A、13B與第2金屬層14A、14B之間，也可以不設黏著劑等，而採用直接接觸的構造。
接下來，關於各構件進行說明。
(塑膠薄膜)
首先，關於塑膠薄膜，以下進行詳細說明。
作為塑膠薄膜的材料，並無特別限定，可以利用由各種塑膠材料形成的薄膜。
作為塑膠薄膜的材料，例如能夠使用從聚醯亞胺(polyimide)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene telephthalate)等的耐熱性樹脂、聚醯胺(polyamide)類樹脂、聚酯(polyester)類樹脂、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)類樹脂、聚苯硫醚(Polyphenylene sulfide)類樹脂、聚2，6萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)類樹脂、液晶聚合物類樹脂中選擇的1種以上的樹脂。
另外，作為塑膠薄膜的材料，還可以使用2種以上樹脂的混合材料。
作為塑膠薄膜的材料，考慮到良好的耐熱性及絕緣性，較佳使用聚醯亞胺樹脂。即，塑膠薄膜較佳是由聚醯亞胺形成的聚醯亞胺薄膜。
聚醯亞胺具有如化學式(1)所示的結構。化學式(1)中，R以及R’為芳香族的情形下，稱之為芳香族聚醯亞胺，被廣泛應用於工業。一般而言，藉由芳香族的酸酐與二胺的聚縮合反應，可獲得芳香族聚醯亞胺。因此，根據酸成分與二胺成分的組合，能夠獲得多樣結構的聚醯亞胺，根據化學(分子)結構，有時可見耐熱性等物性之不同。然而，作為本實施形態的兩面金屬疊層板的塑膠薄膜的材料使用聚醯亞胺的情形下，對該聚醯亞胺的結構並 無特別限定，可使用各種結構的聚醯亞胺。
Figure 106144842-A0202-12-0009-1
例如，具有如化學式(2)或化學式(3)所示的結構的聚醯亞胺可用為塑膠薄膜的材料。
在有機溶劑中，使作為酸成分的苯均四酸二酐(pyromellitic dianhydride，PMDA)與作為二胺成分的4，4’-二胺二苯醚(4，4’-diaminodiphenyl ether)(別名：4，4’-Oxybisbenzenamine，4，4’Oxydianiline=ODA)聚合，從而能夠製造出化學式(2)的聚醯亞胺。
Figure 106144842-A0202-12-0009-2
化學式(3)，作為酸成分使用聯苯四甲酸二酐(Biphenyl tetracarboxylic Dianhydride，BPDA)，具有僅包含苯環與醯亞胺結合的結構。藉由將該BPDA用為酸成分，與使用PMDA的具有化學式(2)的結構的聚醯亞胺相比，可顯出更為剛直的結構等特性上的不同。
[化3]
Figure 106144842-A0202-12-0010-3
如化學式(3)那樣，藉由醯亞胺鍵直接結合的芳香族環具有共軛結構，因此具有如上所述的剛直強固的結構。另外，芳香族環中排列於同一平面的分子鏈彼此致密充填(堆積)，極性高的醯亞胺鍵具有強的分子間力，因此分子鏈之間的鍵合力也強固。
作為塑膠薄膜使用聚醯亞胺薄膜的情形下，亦可使用商業流通的聚醯亞胺薄膜，例如可以使用東麗．杜邦株式會社製造的KAPTON(註冊商標)系列、宇部興產株式會社製造的UPILEX(註冊商標)系列等。
關於塑膠薄膜的厚度，並無特別限定，例如較佳5μm以上，更較佳10μm以上。在此需要說明的是，關於塑膠薄膜的厚度的上限值雖無特別限定，然而過厚時可能會造成兩面金屬疊層板的處理性降低，因此例如較佳設為80μm以下。塑膠薄膜的厚度尤其較佳為25μm以上38μm以下。
(金屬種子層)
其次，關於金屬種子層進行詳細說明。
金屬種子層例如具有提高塑膠薄膜與第1金屬層的密接性的功能。
關於金屬種子層的材料隨無特別限定，但從提高與第1金屬層的密接性的觀點而言，例如較佳使用金屬材料。作為金屬種子層的材料，例如可以舉出鎳、鉻、鉬、鈦、釩、錫、金、銀、鋅、鈀、釕、銠、鐵、鋁、鉛、碳、鉛-錫類焊錫合金等，且較佳是包含這些金屬的1種以上的金屬或是合金。進而，金屬種子層的材料更較佳是從包含鎳與鉻與鎳的合金、包含鉻的合金、包含鎳與鉻的合金中選擇的1種，尤其較佳含鎳與鉻的合金，例如，Ni-Cr合 金。即，金屬種子層更較佳是由Ni-Cr合金構成的層。需要說明的是，即使在金屬種子層是由Ni-Cr合金構成的層的情形下，也不排除包含例如在製造步驟中混入的不可避免成分等。
關於金屬種子層的厚度並無特別限定，例如較佳為2nm以上50nm以下。這是因為，金屬種子層的厚度小於2nm的情形下，為了形成配線等而進行圖案化時，因蝕刻液的侵蝕，蝕刻液滲入金屬種子層與塑膠薄膜之間，有時會造成配線浮起。相對而言，當金屬種子層的厚度超過50nm時，為了形成配線等而進行圖案化時，蝕刻並不能完全除去應被除去的一部分金屬種子層，形成殘渣而留於配線之間，可能導致發生絕緣不良。金屬種子層的厚度尤其較佳為2nm以上30nm以下。
(金屬層)
以下，關於金屬層進行詳細說明。
在此，如上所述，金屬層可以具有第1金屬層與第2金屬層，以下關於第1金屬層、第2金屬層進行說明。
關於第1金屬層以及第2金屬層的材料並無特別限定，可以選擇具有與用途相符的導電率的材料，例如，第1金屬層以及第2金屬層的材料較佳是由銅以及從鎳、鉬、鉭、鈦、釩、鉻、鐵、錳、鈷、鎢中選擇的至少1種以上的金屬構成的銅合金，或是包含銅的材料。此外，第1金屬層以及第2金屬層也可以是由銅構成的銅層。
需要說明的是，第1金屬層以及第2金屬層可由相同材料構成，亦可由不同材料構成。
尤其是，銅通常被用為配線基板的材料，因此第1金屬層以及第2金屬層較佳是由銅構成的層，即銅層。需要說明的是，即使在第1金屬層以及第2金屬層是由銅構成的層的情形下，也不排除包含例如在製造步驟中混入的 不可避免成分等。
關於第1金屬層以及第2金屬層的厚度並無特別限定，例如，可以根據本實施形態的兩面金屬疊層板所被要求的電流提供量、加工該兩面金屬疊層板時的條件等，任意選擇。例如，第1金屬層的厚度與第2金屬層的厚度的合計較佳為0.1μm以上20μm以下。
作為使用本實施形態的兩面金屬疊層板來形成配線時的方法，可以舉出減成法(subtractive process)或半加成法(semi-additive process)。例如，採用半加成法形成配線的情形下，使第1金屬層以及第2金屬層選擇性地成長，並進行配線加工。
並且，藉由使第1金屬層的厚度與第2金屬層的厚度的合計達到0.1μm以上，例如在本實施形態的兩面金屬疊層板形成配線作為配線基板的情形下，能夠向構成配線的第1金屬層與第2金屬層提供充分的電流。
另一方面，藉由使第1金屬層的厚度與第2金屬層的厚度的合計保持20μm以下，蝕刻進行配線加工時也能夠維持充分高的生產效率，或能夠充分抑制作為配線基板的總厚度，因此較佳20μm以下。
第1金屬層的厚度與第2金屬層的厚度的合計更較佳為0.4μm以上2.0μm以下。
另外，金屬層亦可由第1金屬層與第2金屬層構成，因此，較佳將金屬層的厚度設在例如上述第1金屬層的厚度與第2金屬層的厚度的合計適宜範圍內。
關於第1金屬層的單獨厚度也無特別限定，例如較佳為10nm以上300nm以下。第2金屬層如下所述，例如能夠以濕式鍍法形成，藉由將第1金屬層的厚度設為10nm以上，能夠確保充分的供電量，形成均勻的第2金屬層。另外，從生產性的觀點而言，較佳將第1金屬層的厚度設為300nm以下。
另外，上述金屬種子層以及第1金屬層的合計厚度較佳為350nm以下。這是因為，藉由將金屬種子層以及第1金屬層的合計厚度設為350nm以下，例如採用電解鍍法來形成第2金屬層時，能夠確保充分的供電量。另外，尤其能夠提高第2金屬層對塑膠薄膜的密接性。
關於金屬種子層以及第1金屬層的合計厚度的下限值並無特別限定，例如較佳為12nm以上。
關於IPC標準規格，以下進行詳細說明。
本實施形態的兩面金屬疊層板，依據上述IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的MD以及TD的尺寸變化率的公差可為，MD在±0.02%以內，TD在±0.01%以內。
依據IPC-TM-650：試驗方法(測定方法)指南中的2.2節：尺寸檢查法的No.2.2.4，對金屬疊層板等柔韌性感應體材料的尺寸變化率(尺寸穩定性)進行評價。
IPC(Institute for Interconnecting and Packaging Electronic Circuits)是指“國際電子工業聯接協會”，其制定製造業的業務步驟中的品質標準規格。並且，在歐美及亞洲，IPC標準規格被電子機械業、印刷基板設計‧製造業者、電子設備製造企業等眾多廠商所採用，上述IPC-TM-650是IPC制定的規格之一。
根據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的MD以及TD的尺寸變化率是指，依據該IPC標準規格的IPC-TM-650的No.2.2.4(Revision C)公開的方法C的試驗方法評價的MD、TD的尺寸變化率。
如上所述，MD表示Machine Dimension(機械軸方向)，其指兩面金屬疊層板的長邊方向。另外，TD表示Transverse dimension(橫軸方向)，其指與MD正交的方向。
另外，在尺寸變化率這一指標中，收縮被表示為負值，伸長被表示為正值。
並且，根據上述方法C，蝕刻金屬疊層體之後，可以進一步以150℃進行30分鐘的熱處理，然後評價尺寸變化率。
在此，關於依據IPC-TM-650：試驗方法(測定方法)指南中的2.2節：尺寸檢查法的No.2.2.4的方法C來對本實施形態的兩面金屬疊層板進行尺寸變化率評價時的順序進行說明。具體而言，可以按照以下(a)~(c)的順序進行測定，並根據測定結果算出尺寸變化率。
(a)將作為被評價物的兩面金屬疊層板，以23℃、相對濕度55%進行24小時調濕，並測定初期尺寸(I)。
(b)其次，進行蝕刻除去金屬疊層體的一部分之後，以23℃、相對濕度55%進行24小時調濕。
(c)接下來，以150℃進行30分鐘加熱之後，以23℃、相對濕度55%進行24小時調濕，並進行尺寸測定(A)。
根據(尺寸變化率)=(A-I)/I(%)，算出方法C的尺寸變化率。在此，在2處實施尺寸測定，並以該2處的尺寸變化率的平均值作為方法C的尺寸變化率。
並且，在本實施形態的兩面金屬疊層板中，能夠將依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C的尺寸變化率的公差設為，MD在±0.02%以內、TD在±0.01%以內。
依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C，如上所述，以150℃進行加熱，及在相對濕度55%環境下進行調濕。
一般的兩面金屬疊層板，在圖案化時以及圖案化後，被置於相對濕度55%程度的環境，這與方法C是相同的環境。另外，藉由進行加熱處 理，能夠除去兩面疊層金屬板在製造步驟中包含的張力所致的變化部分。
因此，藉由將依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C的MD、TD的尺寸變化率的公差設在上述範圍，在以該公差之中心值作為基準形成配線圖案的情形下，能夠抑制形成配線圖案後的配線的偏移等。
需要說明的是，關於尺寸變化率的中心值雖無特別限定，然而相對於原點產生過度的偏移時，僅對利用光罩的圖案的轉印條件進行修正，有時難以充分應對。因此，本實施形態的兩面金屬疊層板，較佳其依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的MD以及TD的尺寸變化率的中心值中，MD在0.00%以上0.06%以下的範圍、TD在0.04%以上0.10%以下的範圍。
在此，能夠根據對金屬疊層體進行圖案化時的氛圍等所致的吸濕條件及製造步驟中施加於兩面金屬疊層板的張力等，算出兩面金屬疊層板的尺寸變化率的中心值。因此，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的MD以及TD的尺寸變化率的中心值，可以是根據進行圖案化時的氛圍及兩面金屬疊層板的製造條件而推定、算出的MD以及TD的尺寸變化率的中心值。
具體例如，可以在考慮對金屬疊層體進行圖案化並以23℃、相對濕度55%進行24小時調濕的情形下的伸長部分、製造步驟內施加(蓄積)於兩面金屬疊層板的張力所致的變化部分的基礎上，算出中心值。
根據以上說明的本實施形態的兩面金屬疊層板，在考慮進行圖案化時等的尺寸變化率的基礎上決定中心值，並抑制與該中心值相距的公差。因此，在對配置於塑膠薄膜表面的金屬疊層體進行蝕刻來形成配線圖案的情形下，能夠抑制配線圖案發生偏移或斷線。
〔兩面金屬疊層板之製造方法〕
關於本實施形態中的兩面金屬疊層板之製造方法的構成例進行說明。
在此，根據本實施形態中的兩面金屬疊層板之製造方法，能夠 製造成上述兩面金屬疊層板。因此，說明兩面金屬疊層板時，關於已說明過的事項，省略其部分說明。
關於本實施形態中的兩面金屬疊層板之製造方法，一個構成例中可以包括以下步驟。
在塑膠薄膜的兩面上，以乾式鍍法形成金屬種子層的金屬種子層形成步驟。
在金屬種子層上形成金屬層的金屬層形成步驟。
並且，可以將依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C的MD以及TD的尺寸變化率的中心值設為，MD在0.00%以上0.06%以下範圍、TD在0.04%以上0.10%以下的範圍。另外，可以將尺寸變化率的公差設為，MD在±0.02%以內、TD在±0.01%以內。
在此，金屬層形成步驟例如可以包括以下步驟。
在金屬種子層上，以乾式鍍法形成第1金屬層的第1金屬層形成步驟。
在第1金屬層上，以濕式鍍法形成第2金屬層的第2金屬層形成步驟。
以下，關於各步驟進行說明。
在金屬種子層形成步驟中，可以在塑膠薄膜的表面上形成金屬種子層。關於金屬種子層的形成方法並無特別限定，例如，較佳使用蒸鍍法或濺鍍法等的乾式鍍法。作為金屬種子層的形成方法，濺鍍法尤其容易控制膜厚，因此較佳採用濺鍍法。在金屬種子層形成步驟中，關於形成金屬種子層時的具體條件並無特別限定，可以根據金屬種子層的材料、金屬種子層被要求的性能等，任意選擇。
在金屬種子層形成步驟中，亦可於塑膠薄膜之兩面上同時形成金屬種子層。
金屬層形成步驟，如上所述，例如可以包括第1金屬層形成步驟及第2金屬層形成步驟。因此，以下關於第1金屬層形成步驟及第2金屬層形成步驟分別進行說明。
在第1金屬層形成步驟中，可以在金屬種子層上形成第1金屬層。關於第1金屬層的形成方法也無特別限定，較佳採用蒸鍍法或濺鍍法等的乾式鍍法。作為第1金屬層的形成方法，濺鍍法尤其容易控制膜厚，因此較佳採用濺鍍法。
在第1金屬層形成步驟中，關於形成第1金屬層時的具體條件並無特別限定，可以根據第1金屬層的材料或第1金屬層被要求的性能等，任意選擇。
在第1金屬層形成步驟中，可以在分別形成於塑膠薄膜的兩面上的金屬種子層上，同時形成第1金屬層。
以下，參照圖3來說明進行金屬種子層或第1金屬層的成膜時可適宜使用的、採用乾式鍍法的成膜裝置的構成例。
圖3是示意表示成膜裝置30的構造的圖。
圖3的成膜裝置30是以濺鍍法進行成膜的裝置，也稱之為濺鍍成膜機裝置。另外，如下所述，藉由對磁控濺鍍陰極37a~37d的構造等進行變更，還能夠形成採用或並用濺鍍法以外的其它成膜方法的成膜裝置。
成膜裝置30，於減壓容器內，將以輥對輥方式被連續搬送的被成膜物保持於作為保持單元的輥筒32的保持面，即外周面，並在該狀態下使從成膜單元朝向該被成膜物放出的成膜粒子堆積在該被成膜物的表面，從而能夠進行成膜。
在此，能夠在輥筒32的內部設置未圖示的冷卻單元，即使在產生熱負荷的乾式鍍法的情形下，也不會對被成膜物造成熱損傷，從而能夠連續 進行處理。
關於構成成膜裝置30的各要素以及金屬種子層、第1金屬層等的成膜順序，進行具體說明。
在作為減壓容器的腔31內，設有捲出輥331及捲取輥332，在捲出輥331與捲取輥332之間能夠以輥對輥方式搬送被成膜物。在此，關於腔31的形狀及材質，只要能夠承受減壓狀態，對此並無特別限定，能夠採用各種構造。
關於塑膠薄膜F的搬送路徑進行說明。首先，由捲出輥331提供作為被成膜物的長條狀塑膠薄膜F。在此，僅形成第1金屬層時，作為長條狀的塑膠薄膜F，能夠使用在塑膠薄膜的一個或兩個面上已形成有金屬種子層的薄膜。
然後，在從捲出輥331至輥筒32的被成膜物的搬送路徑上，例如能夠依序配置用於引導塑膠薄膜F的自由輥341、用於對塑膠薄膜F進行張力測定的張力感應輥351、用於將由張力感應輥351送出的塑膠薄膜F導入輥筒32的馬達驅動的送料輥361。
另外，在從輥筒32捲取塑膠薄膜F至捲取輥332的搬送路徑上，與上述情形同樣，可以依序配置由馬達驅動的送料輥362、用於對塑膠薄膜F進行張力測定的張力感應輥352、用於引導塑膠薄膜F的自由輥342。
設在輥筒32附近的送料輥361以及362，較佳是由馬達旋轉驅動且能夠對輥筒32的圓周速度進行調整的構造。另外，在捲出輥331，能夠構成利用粉末離合器等的扭矩控制來保持塑膠薄膜F的張力平衡的構造。根據這種構造，進行張力調整的同時被捲出的塑膠薄膜F，藉由與輥筒32聯動旋轉的送料輥361以及362之作用，而在緊貼於輥筒32的外周面的狀態下被進行冷卻，同時被進行乾式鍍層處理，並被馬達驅動的捲取輥332捲取。
在與輥筒32的外周面相對的位置，沿著塑膠薄膜F的搬送路徑，配置有作為成膜單元的板狀的磁控濺鍍陰極37a~37d。因此，對被搬送的塑膠薄膜F的表面，能夠實施作為乾式鍍層處理的濺鍍成膜處理。
在成膜裝置30實施的乾式鍍層處理並不僅限於上述濺鍍法。還可以並用濺鍍法及例如CVD(化學蒸鍍)、離子鍍、真空蒸鍍等其它真空成膜方法。另外，還可以用上述其它真空成膜方法取代濺鍍法。使用這些其它真空成膜方法的情形下，可以設置規定的真空成膜單元，以此替換磁控濺鍍陰極37a~37d的一部分或全部。
在腔31，除了上述單元之外，還可以連接任意的未圖示的各種單元等。例如，能夠連接乾泵(dry pump)、渦輪分子泵(turbomolecular pump)、低溫線圈(cryogenic coil)等排氣單元，用於向腔31內提供氣體的氣體提供單元等，各種氛圍控制單元。另外，例如，為了能夠去除由捲出輥331提供的塑膠薄膜的水份，還可以沿著塑膠薄膜的搬送路徑設置未圖示的加熱器等。
如上所述，金屬種子層以及第1金屬層，均可採用乾式鍍法適宜形成。
因此，例如，也能夠在進行了金屬種子層成膜的真空室內連續處理第1金屬層，即，連續形成。
使用上述成膜裝置30，來說明連續形成金屬種子層以及第1金屬層的情形下的構成例。
首先，在捲出輥331安裝塑膠薄膜。
並且，例如在磁控濺鍍陰極37a安裝具有與金屬種子層對應的組成的金屬種子層用靶，在磁控濺鍍陰極37b~37d安裝具有與第1金屬層對應的組成的第1金屬層用靶。
其次，由未圖示的排氣單元對腔31內進行排氣，將腔31內減壓至壓力10-4Pa程度，然後由未圖示的氣體提供單元導入濺鍍氣體，將腔31內調整為0.1Pa以上10Pa以下程度的壓力。需要說明的是，作為濺鍍氣體，可適宜使用氬氣惰性氣體，還可以根據目的添加氧等氣體。
然後，由捲出輥331提供塑膠薄膜的同時，向磁控濺鍍陰極37a~37d施加電壓，從而能夠在塑膠薄膜上疊層金屬種子層與第1金屬層。
形成第1金屬層之後，如上所述，可以有第2金屬層形成步驟，以濕式鍍法在第1金屬層上形成第2金屬層。
在第2金屬層形成步驟中，從生產性的觀點而言，較佳在塑膠薄膜的兩面上同時形成第2金屬層。即，較佳在形成於塑膠薄膜的一個面上的第1金屬層上，及在形成於塑膠薄膜的另一個面上的第1金屬層上，同時形成第2金屬層。
在第2金屬層形成步驟中，關於以濕式鍍法形成第2金屬層的具體條件等並無特別限定，可以使用根據構成第2金屬層的材料等選擇的鍍液，例如採用電解鍍法或無電解鍍法，進行成膜。
以電解鍍法形成第2金屬層的情形下，例如，能夠使用如圖4所示的連續電解鍍敷裝置40。在此，圖4表示了能夠在塑膠薄膜的兩面上同時進行第2金屬層成膜的連續電解鍍敷裝置的構成例。
圖4表示了連續電解鍍敷裝置40的與兩面金屬疊層前驅體板F1的搬送方向平行的面的剖面圖。
連續電解鍍敷裝置40包括：用於捲出作為兩面上依序配置有金屬種子層以及第1金屬層的塑膠薄膜的兩面金屬疊層前驅體板F1的捲出輥41；裝滿鍍液的鍍液槽42；在鍍液槽42內部彼此平行配置的陽極43a~43p；位於鍍液槽42的內部，用於使兩面金屬疊層前驅體板F1的搬送方向上下逆轉的浸漬輥 44a~44d；位於鍍液槽42的外部，用於向兩面金屬疊層前驅體板F1提供電力的供電輥45a~45e；用於捲取對兩面金屬疊層前驅體板F1進行電鍍而獲得的兩面金屬疊層板F2的捲取輥46。
由這些捲出輥41、浸漬輥44a~44d、供電輥45a~45e以及捲取輥46，構成兩面金屬疊層前驅體板F1的搬送單元，由此，能夠將兩面金屬疊層前驅體板F1在保持其寬度方向於水平狀態的情形下，沿著其長邊方向以輥對輥方式進行搬送，並在鍍液中進行多次浸漬。
供電輥及位於其附近的陽極構成電性對(偶)。具體而言，供電輥45a與陽極43a、43b之間、供電輥45b與陽極43c~43f之間、供電輥45c與陽極43g~43j之間、供電輥45d與陽極43k~43n之間、供電輥45e與陽極43o、43p之間分別構成一對。各對從獨立的電源(未圖示)接受電力，不同的對之間形成各自的電流控制。
關於陽極43a~43p並無特別限定，可根據所使用的鍍液等任意選擇，例如可以使用可溶性陽極或不溶性陽極。關於裝入鍍液槽42的鍍液，能夠根據第2金屬層的組成來任意選擇，例如可以使用各種銅鍍液，更具體例如是硫酸銅鍍液(光澤浴)等。
作為鍍液使用硫酸銅鍍液的情形下，硫酸銅鍍液可包含硫酸銅、硫酸、微量的氯離子以及各種添加劑等，能夠根據目的適宜選擇其組成。作為鍍液使用硫酸銅鍍液的情形下，使鍍液中的銅離子還原，容易在兩面金屬疊層前驅體板F1的金屬種子層上形成具有所希望的厚度的銅層。
以上說明的本實施形態的兩面金屬疊層板之製造方法中，並沒有為了將尺寸變化率的中心值作為原點而實施加熱條件及張力調整‧展寬。因此，對獲得的兩面金屬疊層板的金屬疊層體進行蝕刻，形成配線圖案的情形下，能夠抑制配線圖案發生偏移。
另外，本實施形態的兩面金屬疊層板之製造方法，還可以包括用於在兩面金屬疊層板形成配線圖案的步驟。在此情形下，例如還可以包括以下的步驟。需要說明的是，藉由實施以下的步驟，能夠獲得具備配線圖案的兩面金屬疊層板，即配線基板，因此，也可以說是配線基板之製造方法。
在金屬層上形成抗蝕刻層的抗蝕刻層形成步驟。
使用光罩在抗蝕刻層轉印圖案的圖案轉印步驟。
在圖案轉印步驟中，可以基於依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的抗蝕刻層形成步驟之前的兩面金屬疊層板的MD以及TD的尺寸變化率的中心值，來修正圖案的轉印條件。
並且，如下文所述，抗蝕刻層形成步驟，換而言之是在第1金屬層或第2金屬層上形成抗蝕刻層的步驟。
對兩面金屬疊層板的金屬疊層體進行圖案化，形成具有配線圖案的兩面金屬疊層板的情形下，即形成兩面配線基板的情形下，配線圖案的形成處理，例如可以採用減成法或半加成法。
減成法是指，對包含金屬種子層、第1金屬層、第2金屬層的金屬疊層體，採用化學蝕刻來除去不屬於配線圖案的多余部分的方法。
此外，半加成法是指，使鍍膜選擇性地成長，形成電路的方法。
首先，以採用減成法形成配線圖案的情形為例進行說明。
在抗蝕刻層形成步驟中，可以在金屬層上，具體是在第2金屬層上形成抗蝕刻層。因此，可以在上述兩面金屬疊層板之製造方法的第2金屬層形成步驟之後，實施抗蝕刻層形成步驟。
然後，於圖案轉印步驟中，在經過抗蝕刻層形成步驟形成的抗蝕刻層上，能夠利用光罩轉印圖案。
如上所述，採用本實施形態的兩面金屬疊層板之製造方法獲得的兩面金屬疊層板，在其製造步驟中，未實施以使公差的中心值接近原點為目的的加熱條件的調整等。因此，採用本實施形態的兩面金屬疊層板之製造方法獲得兩面金屬疊層板，尺寸變化率的中心值相對原點有偏移。對此，在上述圖案轉印步驟中，較佳基於依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的抗蝕刻層形成步驟之前的兩面金屬疊層板(兩面基板疊層前驅體板)的MD以及TD的尺寸變化率的中心值，來對圖案的轉印條件進行修正。藉由進行該修正，根據形成的圖案對金屬疊層體進行圖案化，露出塑膠薄膜的一部分時，塑膠薄膜的尺寸變化已被納入其中，因此能夠抑制所形成的配線圖案發生偏移。
在此，根據對金屬疊層體進行圖案化時的氛圍等所致的吸濕條件，或製造步驟中施加於兩面金屬疊層板的張力等，能夠算出作為基準的兩面金屬疊層板的尺寸變化率的中心值。因此，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C的MD以及TD的尺寸變化率的中心值，可以視之為根據進行圖案化時的氛圍、兩面金屬疊層板的製造條件所推測出的MD以及TD的尺寸變化率的中心值。
關於圖案的轉印條件的修正內容並無特別限定，形成配線圖案，露出塑膠薄膜的情形下，塑膠薄膜會吸濕、膨脹，因此更較佳在考慮該膨脹部分的基礎上進行圖案轉印。具體而言，關於欲轉印的圖案，更較佳將其兩面金屬疊層板的尺寸變化率的中心值視為位於負值側，來進行修正、調整並轉印。
具體而言，例如，在圖案轉印步驟中，更較佳將使用光罩進行轉印時的兩面金屬疊層板的尺寸變化率的中心值視為，MD為-0.06%以上0.00%以下、TD為-0.10%以上-0.04%以下，來修正圖案的轉印條件。因此，在蝕刻前，將尺寸變化率的實際中心值視為相對於算出的蝕刻後中心值位於負值側，來轉印圖案，從而進行蝕刻形成配線圖案的情形下，能夠將配線圖案配置在更 恰當的位置。
關於對圖案的轉印條件進行修正的方法並無特別限定，例如，能夠以兩面金屬疊層板與光罩的位置調整、投影透鏡與疊層板的距離、所使用的掩膜的選擇等來實施修正。
在圖案轉印步驟中，向抗蝕刻層轉印圖案之後，與通常的減成法同樣，能夠形成配線圖案。例如可以具有以下步驟。
除去抗蝕刻層中的多余部分，以此作為圖案化抗蝕刻層的顯影步驟。
從抗蝕刻層的上面提供蝕刻液，進行化學蝕刻來除去金屬疊層體的多余部分的蝕刻步驟。
對兩面金屬疊層板進行洗淨，以除去殘留的蝕刻液等的洗淨步驟。
由以上步驟，可形成具有所希望的配線圖案的兩面金屬疊層板，即配線基板。
接下來，以採用半加成法形成配線圖案的情形為例進行說明。
在抗蝕刻層形成步驟中，能夠在金屬層上，具體而言在第1金屬層或第2金屬層上形成抗蝕刻層。因此，可以在上述兩面金屬疊層板之製造方法的第1金屬層形成步驟之後且第2金屬層形成步驟之前，或第2金屬層形成步驟之後，實施抗蝕刻層形成步驟。
然後，在圖案轉印步驟中，能夠使用光罩，在經過抗蝕刻層形成步驟形成的抗蝕刻層上，轉印圖案。
在圖案轉印步驟中，較佳基於依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的抗蝕刻層形成步驟之前形成的兩面金屬疊層前驅體板或兩面金屬疊層板的MD以及TD的尺寸變化率的中心值，來對圖案的轉印條件進行修正。
另外，像減成法中已說明的那樣，較佳將使用光罩進行轉印時 的兩面金屬疊層前驅體板或兩面金屬疊層板的尺寸變化率的中心值視為，MD為-0.06%以上0.00%以下、TD為-0.10%以上-0.04%以下，來修正圖案的轉印條件。
在此，兩面金屬疊層前驅體板是指，形成第2金屬層之前的，塑膠薄膜的兩面上形成有金屬種子層以及第1金屬層的疊層板。
圖案轉印步驟中，在抗蝕刻層上轉印圖案之後，能夠與通常的半加成法同樣地形成配線圖案。例如，能夠包含以下步驟。
除去抗蝕刻層中的多余部分，即形成配線用金屬層的部分，以此作為圖案化抗蝕刻層的顯影步驟。
在金屬層上，具體而言在第1金屬層上或第2金屬層上，即抗蝕刻層的開口部，形成配線用金屬層的配線用金屬層形成步驟。
形成配線用金屬層後，除去抗蝕刻層的抗蝕刻層除去步驟。
除去因除去了抗蝕刻層而被露出的金屬種子層以及金屬層(第1金屬層，或第1金屬層與第2金屬層)的蝕刻步驟。
對兩面金屬疊層板進行洗凈，以除去殘留的蝕刻液等的洗凈步驟。
在此，配線用金屬層，能夠使用與例如在第2金屬層中說明的材料相同的材料，並與第2金屬層同樣能夠採用濕式鍍法進行成膜。並且，例如在第1金屬層上形成有配線用金屬層的情形下，可將該配線用金屬層作為第2金屬層。另外，在第2金屬層上形成有配線用金屬層的情形下，可將第2金屬層與配線用金屬層合起來作為第2金屬層。
根據以上說明的本實施形態的兩面金屬疊層板之製造方法，在考慮進行圖案化時等的尺寸變化率的基礎上決定中心值，並抑制相對於該中心值的公差。因此，在對配置於塑膠薄膜表面的金屬疊層體進行蝕刻來形成配線圖案的情形下，能夠抑制配線圖案發生偏移。
由本實施形態的兩面金屬疊層板之製造方法獲得的兩面金屬疊層板，能夠適宜應用於尤其要求抑制高密度構裝的配線基板等的尺寸變化的各種用途。更具體為，例如，由本實施形態的兩面金屬疊層板之製造方法獲得的兩面金屬疊層板，作為用於接合電子零件、電連接並加以機械固定的配線基板的材料，非常之有用。
[配線圖案之圖像轉印方法〕
以下，關於本實施形態的配線圖案之圖像轉印方法進行說明。
本實施形態的配線圖案之圖像轉印方法是配線圖案之圖像轉印方法，其包括：在具有塑膠薄膜、直接配置於塑膠薄膜的兩面上的金屬種子層、及配置於金屬種子層上的金屬層的兩面金屬疊層板的該金屬層上，形成抗蝕刻層的抗蝕刻層形成步驟；利用光罩，將圖案轉印到抗蝕刻層的圖案轉印步驟。並且，在圖案轉印步驟中，能夠基於依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的兩面金屬疊層板的MD以及TD的尺寸變化率的中心值，來修正圖案的轉印條件。
更具體而言，例如作為本實施形態的配線圖案之圖像轉印方法的第1構成例，可具有以下步驟。
配線圖案之圖像轉印方法，其包括：在具有塑膠薄膜、直接配置於塑膠薄膜的兩面上的金屬種子層、配置於金屬種子層上的第1金屬層、配置於第1金屬層上的第2金屬層的兩面金屬疊層板的第2金屬層上，形成抗蝕刻層的抗蝕刻層形成步驟；利用光罩，將圖案轉印到抗蝕刻層的圖案轉印步驟。並且，在圖案轉印步驟中，能夠基於依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的兩面金屬疊層板於的MD以及TD的尺寸變化率的中心值，來修正圖案的轉印條件。
另外，作為本實施形態的配線圖案之圖像轉印方法的第2構成 例，可具有以下步驟。
配線圖案之圖像轉印方法，其包括：在具有塑膠薄膜、直接配置於塑膠薄膜的兩面上的金屬種子層、配置於金屬種子層上的第1金屬層的兩面金屬疊層前驅體板的第1金屬層上，形成抗蝕刻層的抗蝕刻層形成步驟；利用光罩，將圖案轉印到抗蝕刻層的圖案轉印步驟。並且，在圖案轉印步驟中，能夠基於依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的兩面金屬疊層前驅體板的MD以及TD的尺寸變化率的中心值，來修正圖案的轉印條件。
本實施形態的配線圖案之圖像轉印方法的第1構成例，能夠採用與上述兩面金屬疊層板之製造方法中以減成法或是在第2金屬層上形成抗蝕刻層時以半加成法進行的抗蝕刻層形成步驟、以及圖案轉印步驟相同的方式實施。
另外，本實施形態的配線圖案之圖像轉印方法的第2構成例，能夠採用與上述兩面金屬疊層板之製造方法中在第1金屬層上形成抗蝕刻層時以半加成法進行的抗蝕刻層形成步驟、以及圖案轉印步驟相同的方式實施。
因此，省略重復部分的說明。
根據以上說明的本實施形態的配線圖案之圖像轉印方法，在考慮進行圖案化時等的尺寸變化率的基礎上決定中心值，並根據該中心值來轉印圖案。因此，根據轉印的圖案來形成配線圖案的情形下，能夠抑制配線圖案發生偏移。
本發明的實施形態的圖案之圖像轉印方法，能夠應用於兩面配線基板之製造方法。
[實施例]
以下，以具體的實施例以及比較例來進行說明，但本發明並不限定於這些實施例。
在此，首先對獲得的兩面金屬疊層板的評價方法進行說明。
關於獲得的兩面金屬疊層板，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C，測定尺寸變化率，並評價了尺寸穩定性。
尺寸變化率這一指標中，收縮被表示為負值，伸張被表示為正值。
作為對金屬疊層體進行蝕刻時的尺寸變化率，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C，測定了經過150℃、30分鐘的熱處理，及23℃、相對濕度55%條件下的24小時調濕之後的尺寸變化率。
以下，對各實施例以及比較例中的兩面金屬疊層板的製造條件進行說明。
[實施例1]
作為塑膠薄膜，準備了寬0.5m×長3000m的聚醯亞胺薄膜KAPTON100EN(東麗．杜邦株式會社製造)(塑膠薄膜準備步驟)。在此，準備的KAPTON100EN的厚度為25μm，在以下的實施例2、3以及比較例1~3、7、8中也使用相同的塑膠薄膜。
其次，在塑膠薄膜的兩面，採用濺鍍法，形成了作為金屬種子層的厚度8nm的Ni-20%Cr合金層(金屬種子層形成步驟)。在此，Ni-20%Cr合金是指，由20質量%的Cr及其余80質量%的Ni構成的Ni-Cr合金。
另外，在形成於塑膠薄膜的兩面的金屬種子層上，形成作為第1金屬層的厚度0.1μm的銅層(第1金屬層成膜步驟)。
在此，使用圖3所示的成膜裝置30，連續實施了金屬種子層形成步驟、第1金屬層形成步驟。成膜時，先進行真空抽引使腔31內成為1×10-4Pa以下，然後向腔31內導入氬氣，使腔31內的壓力成為0.3Pa，然後在塑膠薄膜F的一個面上連續形成了金屬種子層以及第1金屬層。接下來，進行翻捲之後，在 另一個面上也同樣連續形成了金屬種子層以及第1金屬層。在此，在金屬種子層以及第1金屬層的成膜之前，由未圖示的加熱器對塑膠薄膜進行加熱，使之成為絕對乾燥狀態。關於成膜裝置30的構造上文已有說明，在此省略贅述。
然後，採用電解鍍法，在塑膠薄膜的兩面，具體而言在第1金屬層上，同時形成了作為第2金屬層的0.3μm厚度的銅層。在此，形成第2金屬層時，使用除了陽極電極、供電輥、浸漬輥的個數有所不同之外其他構造與圖4所示的連續電解鍍敷裝置40相同的連續電解鍍敷裝置。形成第2金屬層時，將電流密度的初期值設為0.05A/dm2，然後以0.04A/dm2為單位使其逐漸上升，最終達到2A/dm2。作為鍍液使用了硫酸銅鍍液。
對獲得的兩面金屬疊層板，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C進行了尺寸變化率評價。根據尺寸變化率的評價結果算出的相對於中心值的公差，及在此規定的尺寸變化率的中心值如表1所示。
在此，根據與方法C同樣的吸濕(調濕)條件(23℃、相對濕度55%、24小時)、製造步驟中的張力所致的變化，算出了尺寸變化率的中心值。
[實施例2、實施例3]
除了將第2金屬層的厚度設為表1所示的厚度之外，其他採用與實施例1相同的條件，獲得了兩面金屬疊層板。根據尺寸變化率的評價結果算出的相對於中心值的公差、算出的尺寸變化率的中心值如表1所示。
[實施例4~實施例6]
除了將塑膠薄膜的種類變更為如表1所示的種類，其他採用與實施例3相同的條件，獲得了兩面金屬疊層板。根據尺寸變化率的評價結果算出的相對於中心值的公差、算出的尺寸變化率的中心值如表1所示。
在此，表1中，KAPON140ENZ(東麗．杜邦株式會社製造)、 KAPTON150ENA(東麗．杜邦株式會社製造)的厚度分別為35μm、38μm。
另外，表1中UPILEX35SGAV1(宇部興產株式會社製造)的厚度為35μm。
[比較例1~比較例6]
僅在塑膠薄膜的一個面上形成金屬種子層、第1金屬層、第2金屬層之後，在塑膠薄膜的另一個面上也形成了金屬種子層、第1金屬層、第2金屬層。除此之外，比較例1~比較例6中分別根據與實施例1~實施例6相同的條件，製造了兩面金屬疊層板。比較例1~比較例6中按單面分別形成金屬疊層體，因此，在一個面上形成了第2金屬層時，該塑膠薄膜的含水率為大致飽和狀態，藉由在一個面上形成第2金屬層，能夠抑制塑膠薄膜的尺寸收縮，從而能夠維持與塑膠薄膜的含水率為大致飽和狀態時同等程度的伸長狀態(尺寸)。因此，塑膠薄膜的尺寸變化率的中心值，與大致飽和狀態成為相同狀態，即，在原點附近，以原點作為中心值的情形下的公差如表1所示。
[比較例7、8]
降低了金屬種子層形成步驟以及第1金屬層形成步驟的加熱溫度，以及為了以塑膠薄膜的尺寸變化率的中心值作為原點，延長了第2金屬層形成步驟的時間，以使塑膠薄膜在第2金屬層形成步驟期間充分吸濕，使第2金屬層的厚度成為如表1所示的值，除此之外根據與實施例1相同的條件，獲得了兩面金屬疊層板。根據尺寸變化率的評價結果算出的相對於中心值的公差、算出的尺寸變化率的中心值如表1所示。
Figure 106144842-A0202-12-0031-4
根據表1所示的結果，確認到在實施例1~實施例6中，能夠充分抑制相對 於中心值的尺寸變化率的公差。
因此，關於實施例1~實施例6的兩面金屬疊層板，確認到，在第2金屬層上形成抗蝕刻層，並根據算出的中心值來修正圖案的轉印條件，將圖案轉印到抗蝕刻層，然後使用該抗蝕刻層形成配線圖案的情形下，能夠抑制配線圖案發生偏移。
相對而言，在比較例1~8中，確認到相對於中心值的尺寸變化率的公差較大。並且，關於比較例1~6，在第2金屬層上形成抗蝕刻層，以尺寸變化率的中心值位於原點作為前提將圖案轉印到抗蝕刻層，並利用該抗蝕刻層形成配線圖案的結果，確認到配線發生了偏移。就其理由可推測為，在比較例1~6中，由於按單面分別形成了金屬疊層體，雖然塑膠薄膜的尺寸變化率的中心值在原點附近，但吸濕程度產生了偏差。
另外，關於比較例7、8，與實施例1~實施例6同樣在第2金屬層上形成了抗蝕刻層，並根據算出的中心值對圖案的轉印條件進行修正，將圖案轉印到抗蝕刻層，然後使用該抗蝕刻層形成了配線圖案。
然而，為了使尺寸變化率的中心值接近原點而對加熱條件進行調整等的結果，尺寸變化率相對於中心值的公差增大，確認到配線發生偏移。
TD‧‧‧橫軸方向
MD‧‧‧機械軸方向

Claims (14)

  1. 一種兩面金屬疊層板，其包括：塑膠薄膜；金屬種子層，直接配置於該塑膠薄膜之兩面上；以及金屬層，配置於該金屬種子層上，於將後述中心值作為基準之情形時，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的相對於上述基準之該兩面金屬疊層板的尺寸變化率的公差中，MD在±0.02%以內，TD在±0.01%以內，上述中心值為：對塑膠薄膜進行圖案化時，從絕對乾燥狀態的第1點開始，以23℃、相對濕度55%的條件使其吸濕24小時，MD及TD均延伸到+0.07%的第2點後，基於上述第1點與上述第2點之中心值。
  2. 如請求項1所述之兩面金屬疊層板，其中，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的MD以及TD的尺寸變化率的中心值中，MD在0.00%以上0.06%以下的範圍、TD在0.04%以上0.10%以下的範圍。
  3. 如請求項1或2所述之兩面金屬疊層板，其中，該塑膠薄膜由聚醯亞胺構成。
  4. 如請求項1或2所述之兩面金屬疊層板，其中，該塑膠薄膜的厚度為25μm以上38μm以下。
  5. 如請求項1或2所述之兩面金屬疊層板，其中，該金屬種子層是由Ni-Cr合金構成的層。
  6. 如請求項1或2所述之兩面金屬疊層板，其中，該金屬種子層的厚度為2nm以上30nm以下。
  7. 如請求項1或2所述之兩面金屬疊層板，其中，該金屬層具有第1金屬層及配置於該第1金屬層上的第2金屬層。
  8. 如請求項7所述之兩面金屬疊層板，其中，該第1金屬層的厚度為10nm以上300nm以下。
  9. 如請求項7所述之兩面金屬疊層板，其中，該金屬種子層以及該第1金屬層的合計厚度為350nm以下。
  10. 一種兩面金屬疊層板之製造方法，其包括：金屬種子層形成步驟，以乾式鍍法在塑膠薄膜的兩面上形成金屬種子層；第1金屬層形成步驟，以乾式鍍法在該金屬種子層上形成第1金屬層；以及第2金屬層形成步驟，以濕式鍍法在該第1金屬層上形成第2金屬層，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的該兩面金屬疊層板的MD以及TD的尺寸變化率的中心值中，MD在0.00%以上0.06%以下、TD在0.04%以上0.10%以下的範圍，於將上述中心值作為基準之情形時，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的相對於上述基準之該兩面金屬疊層板的尺寸變化率的公差中，MD在±0.02%以內、TD在±0.01%以內，上述中心值為：對塑膠薄膜進行圖案化時，從絕對乾燥狀態的第1點開始，以23℃、相對濕度55%的條件使其吸濕24小時，MD及TD均延伸到+0.07%的第2點後，基於上述第1點與上述第2點之中心值。
  11. 如請求項10所述之兩面金屬疊層板之製造方法，其中，還包括：抗蝕刻層形成步驟，在該第1金屬層上或該第2金屬層上，形成抗蝕刻層；以及圖案轉印步驟，使用光罩，將圖案轉印到該抗蝕刻層，在該圖案轉印步驟中，基於依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的該抗蝕刻層形成步驟之前的該兩面金屬疊層板的MD以及TD的尺寸變化率的中心值，來修正圖案的轉印條件。
  12. 如請求項11所述之兩面金屬疊層板之製造方法，其中，在該圖案轉印步驟中，將使用該光罩進行轉印時的兩面金屬疊層板的尺寸變化率的中心值視為，MD在-0.06%以上0.00%以下、TD在-0.10%以上-0.04%以下，來修正該圖案的轉印條件。
  13. 一種配線圖案之圖像轉印方法，其包括：抗蝕刻層形成步驟，在具有塑膠薄膜、直接配置於該塑膠薄膜的兩面上的金屬種子層、配置於該金屬種子層上的第1金屬層、及配置於該第1金屬層上的第2金屬層的兩面金屬疊層板的該第2金屬層上，形成抗蝕刻層；以及圖案轉印步驟，使用光罩將圖案轉印到該抗蝕刻層；在該圖案轉印步驟中，基於依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的該兩面金屬疊層板的MD以及TD的尺寸變化率的中心值，來修正圖案的轉印條件，於將上述中心值作為基準之情形時，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的相對於上述基準之該兩面金屬疊層板的尺寸變化率的公差中，MD在±0.02%以內，TD在±0.01%以內，上述中心值為：對塑膠薄膜進行圖案化時，從絕對乾燥狀態的第1點開始，以23℃、相對濕度55%的條件使其吸濕24小時，MD及TD均延伸到+0.07%的第2點後，基於上述第1點與上述第2點之中心值。
  14. 一種配線圖案之圖像轉印方法，其包括：抗蝕刻層形成步驟，在具有塑膠薄膜、直接配置於該塑膠薄膜的兩面上的金屬種子層、及配置於該金屬種子層上的第1金屬層的兩面金屬疊層前驅體板的該第1金屬層上，形成抗蝕刻層；圖案轉印步驟，使用光罩，將圖案轉印到該抗蝕刻層；在該圖案轉印步驟中，基於依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的該兩面金屬疊層前驅體板的MD以及TD的尺寸變化率的中心值，來修正圖案的轉印條 件，於將上述中心值作為基準之情形時，依據IPC-TM-650、2.2.4、方法C測得的相對於上述基準之該兩面金屬疊層前驅體板的尺寸變化率的公差中，MD在±0.02%以內，TD在±0.01%以內，上述中心值為：對塑膠薄膜進行圖案化時，從絕對乾燥狀態的第1點開始，以23℃、相對濕度55%的條件使其吸濕24小時，MD及TD均延伸到+0.07%的第2點後，基於上述第1點與上述第2點之中心值。
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